Unidad 4

Índice
TEMA 12: El BJT en régimen dinámico 12.1
12.1. INTRODUCCIÓN 12.1
12.2. MODELO DE CONTROL DE CARGA 12.3

12.2.1. Modelo de control de carga en condiciones estacionarias 12.3
12.2.2. Modelo de control de carga en condiciones dinámicas 12.6
12.2.3. Deducción del modelo de control de carga a partir de la
12.9
representación circuital
12.3. EL BJT COMO CONMUTADOR 12.12
12.4. EL BJT COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL. RECTA DE CARGA

12.14
DINÁMICA.
12.4.1. Recta de carga dinámica 12.22
12.5. EL BJT COMO CUADRIPOLO. PARÁMETROS HÍBRIDOS. FRECUENCIAS DE

12.25
CORTE.
12.5.1. Parámetros híbridos 12.26
12.5.2. Frecuencias de corte 12.31
12.i
Tema 12
Régimen Dinámico
12.1.- Introducción
En los dos temas anteriores se ha estudiado el funcionamiento del BJT en

condiciones estacionarias; es decir, cuando está polarizado con tensiones y corrientes
establecidas desde un tiempo anterior suficientemente largo.
Sin embargo, en la mayor parte de las aplicaciones, el BJT trabaja con

tensiones y corrientes dependientes del tiempo. Esto es, trabaja en RÉGIMEN
DINÁMICO.
Dentro del grupo de los fenómenos dinámico interesan, fundamentalmente:
• Los regímenes transitorios de establecimiento y corte de la corriente en un
12.1
Tema 12: Régimen dinámico
BJT, asociados al funcionamiento del mismo con conmutador.
• El régimen lineal, asociado al funcionamiento del BJT como amplificador

de pequeña señal.
Un estudio general de los procesos dinámicos en un BJT sería posible

teóricamente, pero carecería de valor práctico. Por eso, lo que se va a presentar en
este tema es un modelo bastante general conocido como “modelo de control por carga
de base”, cuya aplicación a los casos anteriormente citados permite desarrollar
modelos más específicos para cada caso particular, manteniendo un compromiso entre
simplicidad y exactitud. En cada uno de ellos, se indicarán las limitaciones y campo de
aplicación.
12.2
Modelo de control de carga
12.2.- MODELO DE CONTROL DE CARGA
Para fijar ideas, se considerará un transistor pnp polarizado en el MODO

ACTIVO. ¿Por qué esta región de funcionamiento? Porque cuando se utiliza el BJT
como amplificador de pequeña señal, es en el MODO ACTIVO donde se obtienen las
mayores ganancias de señal con distorsiones mínimas. Además, en las aplicaciones del
BJT como conmutador, necesariamente hay que pasar por el MODO ACTIVO cuando
el BJT conmuta desde su estado OFF (corte) al estado ON (activa/saturación) y
viceversa.
12.2.1.- Modelo de control de carga en condiciones estacionarias
Supongamos, en principio, que nos encontramos en RÉGIMEN

ESTACIONARIO. Por lo que se ha visto en los temas anteriores, en tal caso, la
componente dominante de la I E e I C está constituida por el flujo de h+ inyectados por
el emisor en la base que consiguen alcanzar y atravesar la unión de colector; de ahí que
centremos nuestra atención en el perfil de minoritarios (huecos) en la región neutra de la
base (Figura 12.1).
Se sabe que,
⎡ x ⎤
pB ( x ) = pB ( 0 ) ⎢1 − ⎥
⎣ wB ⎦ (12.1)
V
pB ( 0 ) = pBO exp EB
VT
Por otra parte, en nuestro caso,
∂ pB pB ( 0 )
− I C ≅ I pC = − qAD pB = qAD pB (12.2)
∂x x = wB
wB
12.3
PB(x)
pBO
0 wB x
Figura 12.1.- Perfil de minoritarios en base para un pnp en el MODO ACTIVO.
Si se define QB como la carga acumulada en base debida al exceso de

minoritarios (en nuestro caso, los huecos):
wB wB
pB ( 0 ) wB
QB ≡ qA ∫ pB ´( x )dx ≅ qA ∫ pB ( x )dx = qA (12.3)
0 0
2
Comparando las ecuaciones (12.2) y (12.3), resulta que:
D pB 2QB Q
− IC = ⋅ = 2 B
wB wB wB / 2 D pB
Por lo tanto,
QB
IC = −
τT
(12.4)
w2
τT ≡ B
2 D pB
siendo τ T el “tiempo de tránsito de la base”, es decir, el tiempo medio que tardan los
minoritarios (en nuestro caso los huecos) en atravesar la base por difusión.
12.4
Por otra parte, la base ha de ser eléctricamente neutra. Esto es, tiene que
suministrarse a la región de base el número suficiente de mayoritarios, en nuestro caso
de electrones, que neutralicen la carga debida al exceso de minoritarios, QB . Ahora
bien, estos electrones no pueden suministrarse a través de las uniones puesto que
constituyen los portadores minoritarios de las regiones de emisor y colector. Por lo
tanto, sólo pueden suministrarse a través del terminal de la base. Es decir, en régimen
estacionario y para el MODO ACTIVO que se está considerando, los electrones que
circulan hacia el interior de la base alimentan la recombinación de minoritarios en base
e inyectan electrones en el emisor. Matemáticamente,
QB
− IB = (12.5)
τB
donde τ B se puede interpretar como un tiempo de vida equivalente que permite expresar
I B como una corriente de recombinación en base. Es decir, en τ B está incluido la
porción de electrones que la base inyecta en el emisor.
Por lo tanto,
QB
IC = −
τT
QB
IB = −
τB
(12.6)
I E = − ( I B + IC )
wB2
τT ≡
2 D pB
Las ecuaciones (12.6) constituyen las ecuaciones del MODELO DE CONTROL

DE CARGA en régimen estacionario, para el MODO ACTIVO. A pesar de que han
sido obtenidas para un pnp, tal y como están expresadas siguen siendo válidas para un
12.5
npn. En tal caso, QB sería carga de electrones almacenados en la base ⇒ QB < 0 ⇒
IC , I B > 0 .
Debe matizarse que la ecuación (12.4) es una primera aproximación al valor de

τ T , ya que no considera el Efecto Early. Es decir, no tiene en cuanta la dependencia de
la anchura de la base con las tensiones aplicadas a las uniones de emisor y colector.
Finalmente, debe señalarse que las ecuaciones (12.6) son equivalentes a las
ecuaciones de Ebers-Moll particularizadas al MODO ACTIVO de funcionamiento.
12.2.2.- Modelo de control de carga en condiciones dinámicas
Se trata ahora de ampliar las ecuaciones del MODELO DE CONTROL DE

CARGA, ecuaciones (12.6), para que abarquen situaciones dinámicas o variables con el
tiempo. Para ello, se va a suponer la variación de la distribución de carga en la base es
lo suficientemente lenta (señal dinámica lenta) de manera que en todo momento se tiene
una distribución triangular semejante a la de la situación estacionaria. Esto es, se
considerará el régimen dinámico como una sucesión de estados estacionarios.
En la Figura 12.2a se han representado dos situaciones estacionarias

correspondientes a los instantes de tiempo t = t1 y t = t2 . Queda claro que en el
intervalo de tiempo t1 < t < t2 se ha aumentado la polarización directa de la unión
emisor-base, lo que conduce a un incremento de minoritarios almacenados en la base.
En la Figura 12.2b, se muestra la distribución instantánea de carga en distintos instantes
correspondientes al intervalo t1 < t < t2 para una velocidad de variación suficientemente
lenta, de manera que se cumpla la hipótesis de estados intermedios cuasi-estacionarios.
Sin embargo, en la Figura 12.2c, se ha dibujado una situación en la que la tensión base-
emisor ha aumentado instantáneamente a su nuevo valor. Aunque pB ´( 0 ) modifica
instantáneamente su valor, la distribución de carga no puede seguir esta variación ya

que necesita un cierto tiempo para que los huecos se difundan a través de la base y
aumenten la concentración de huecos en cada punto de dicha región.
12.6
Debe señalarse que la hipótesis de régimen dinámico como sucesión de estados

estacionarios conduce a un modelo de circuito muy útil y razonablemente exacto para
un elevado número de aplicaciones.
p’B
t2
t1
x
w
(a) Estados inicial y final
p’B
p’B
t2 t2
t1 t1
x x
w w
(b) Ejemplo de “variación lenta” (c) Ejemplo de “variación demasiado rápida”
Figura 12.2.- La distribución instantánea de carga en la base, puede considerarse

como estática si no es demasiado grande la velocidad de variación.
Admitiendo entonces como válida dicha hipótesis, resulta que
qB
iC = − (12.7)
τT
siendo iC la corriente total instantánea de colector y qB la carga total instantánea de

base debida al exceso de minoritarios. En lo que respecta a los mayoritarios que circulan
12.7
hacia el interior de la base (en nuestro caso los electrones) en RÉGIMEN DINÁMICO
tienen dos funciones. Por una parte, alimentan la recombinación de portadores
qB
minoritarios en la base e inyectan portadores en el emisor, (tal y como ocurría en
τB
régimen estacionario); por otra, dan cuenta del aumento de carga almacenada en la base,
∂ qB
. Es decir, matemáticamente,
∂t
qB ( t ) ∂ qB
iB = − −
τB ∂t
qB ( t )
iC = − (12.8)
τT
iE = − ( iC + iB )
Las ecuaciones (12.8) constituyen las ecuaciones del MODELO DE

CONTROL DE CARGA de un BJT para el MODO ACTIVO.
Estas ecuaciones se reducen a las ecuaciones (12.6) de RÉGIMEN

∂
ESTACIONARIO si =0.
∂t
NOTAS:
- Resaltar el cambio de notación utilizado en condiciones estacionarias y régimen

dinámico.
- Las ecuaciones (12.8) constituyen una representación bastante correcta del

comportamiento dinámico real del BJT, incluso para variaciones bastante rápidas.
En efecto, tal y como se puede apreciar en la Figura 12.3, una variación rápida
implica que la pendiente del perfil de minoritarios en base es distinta en x = 0 y
x = wB , lo que equivale a decir que puede ocurrir que existan grandes diferencias
entre la corriente de emisor y la corriente de colector. Sin embargo, prácticamente
12.8
no existen diferencias entre la carga real acumulada en la base y la carga

correspondiente al régimen estacionario para la misma corriente de colector.
Ahora bien, la situación es muy diferente cuando se analizan relaciones entre cargas
y tensiones, que vienen dada a través de la concentración de minoritarios en el
borde de la zona de carga de espacio correspondiente. Esto es, tal y como se aprecia
en la Figura 12.3, para una pequeña variación de las áreas, esto es, para una
pequeña variación de las cargas, puede existir una variación importante en el valor
de pB ( 0 ) y, por lo tanto, en el valor de la tensión instantánea emisor-base.
Posteriormente, se aplicarán las ecuaciones (12.8) al uso del BJT como

conmutador y como amplificador de pequeña señal.
pB pendiente α iE
α (error qB)
pB(x,t)
aproximación de
régimen
cuasiestacionario qB α Área pendiente α iC
x
w
Figura 12.3.- Perfil de minoritarios en base para régimen dinámico al objeto de

ilustrar las limitaciones del modelo de control de carga.
12.2.3.- Deducción del modelo de control de carga a partir de la representación

circuital
Vamos a partir de la representación circuital de las ecuaciones de Ebers-Moll

para un transistor pnp particularizada al modo activo de funcionamiento, en el que la
unión de colector se encuentra inversamente polarizada y el diodo que representa a
dicha unión puede considerarse como un circuito abierto (Figura 12.4).
12.9
Figura 12.4.- Representación circuital de las ecuaciones de Ebers-Moll en su versión de

inyección para un transistor pnp.
Como puede observarse, el circuito queda reducido a un diodo y un generador de

corriente dependiente. Si tenemos en cuenta ahora la representación circuital del
comportamiento en dinámica del diodo, resulta el circuito de la Figura 12.5:
Figura 12.5.- Comportamiento en dinámica de un transistor pnp en el modo activo de

funcionamiento.
En este circuito se ha despreciado la capacidad de la unión de emisor, CJ ≅ 0 por

encontrarse dicha unión directamente polarizada. Según el circuito de la Figura 12.5,
12.10
⎡ ⎛v ⎞ ⎤ ⎛ vEB ⎞
iC ( t ) = − α F iF = − α F I ES ⎢exp ⎜ EB ⎟ − 1⎥ ≅ − α F I ES exp ⎜ ⎟
⎣ ⎝ VT ⎠ ⎦ ⎝ VT ⎠
pBO ⎛v ⎞ p ( 0) q (t )
iC ( t ) = − qAD pB exp ⎜ EB ⎟ = − qAD pB B =− B
wB ⎝ VT ⎠ wB τT
De manera análoga,
∂ vEB α ⎛v ⎞ ∂ vEB
iB ( t ) = α F iF − iF − Cd = − (1 − α F ) F I ES exp ⎜ EB ⎟ − Cd
∂t αF ⎝ VT ⎠ ∂t
IS ⎛v ⎞ ∂ vEB q (t ) ∂v
iB ( t ) = − exp ⎜ EB ⎟ − Cd =− B − Cd EB
βF ⎝ VT ⎠ ∂t τB ∂t
siendo
qB ( t ) IS ⎛v ⎞
= exp ⎜ EB ⎟
τB βF ⎝ VT ⎠
wB ⎛v ⎞w
β F qB ( t ) qApB ( 0 ) qApBO exp ⎜ EB ⎟ B
αF 2 ⎝ VT ⎠ 2
τB = = =
⎛ vEB ⎞ (1 − α F ) ⎛ vEB ⎞ ⎛ vEB ⎞
I S exp ⎜ ⎟ α F I ES exp ⎜ ⎟ (1 − α F ) I ES exp ⎜ ⎟
⎝ T ⎠
V ⎝ VT ⎠ ⎝ VT ⎠
wB w
qApBO qApBO B
τB = 2 = 2
(1 − α F ) I ES la porcion de I ES correspondiente al emisor
wB
qApBO
τB = 2 = N E LnE wB
n
qADnE EO N B 2 DnE
LnE
wB2
τ B = β Fτ T = β F
2 D pB
D pB N E LnE
βF ≅
DnE N B wB
Un razonamiento similar puede hacerse si se parte de la representación circuital
12.11
del modelo de Ebers-Moll en su versión transporte y se particulariza ésta al modo activo

de funcionamiento.
12.3.- EL BJT COMO CONMUTADOR
Una de las aplicaciones del transistor bipolar en dinámica es la de actuar en

conmutación. En la Figura 12.6 puede verse el circuito básico, en el que la corriente de
colector sería la corriente del interruptor y la tensión colector-emisor, vout , la tensión del
interruptor; vin es una señal que controla el interruptor.
vin(t) VON
tON t0’ t0 ’ +
-VOFF
iB(t) IB
IBOFF tON t0’ t0’ + tOFF

t
-QB
-VOFF t
tON tOFF
iC(t)
IC
t
td tr tOFF
tS tf
VCC vout = vCE
t
tON tOFF
Figura 12.6.- Funcionamiento de un transistor bipolar trabajando como interruptor.
12.12
El BJT como conmutador
Los retrasos de conmutación del transistor están causados por las capacidades no
lineales de las uniones. El mejor modo de apreciarlo es examinando con detalle el
ejemplo de conmutación representado en la Figura 12.6.
La tensión de entrada, vin , es un pulso que hace conmutar al transistor desde su
estado OFF → ON y viceversa (CORTE ↔ SATURACIÓN). Sin embargo, la tensión

de salida real, vout = vCE , no cambia instantáneamente entre los valores de corte y
saturación, sino que cambia gradualmente y sólo después de un cierto tiempo de retraso.
Para valores de t < 0 , vin = − VOFF , las dos uniones están inversamente
polarizadas, luego el transistor está al CORTE. En este caso el BJT puede ser
representado por las capacidades asociadas a sus uniones. Cada condensador está
cargado a la tensión de su unión, todas las corrientes son nulas, así como la carga de
minoritarios almacenada en la base. La tensión de salida vout = vCE = VCC .
En el instante t = 0 , la tensión de control pasa a tomar el valor VON . Las

tensiones de los condensadores no pueden cambiar instantáneamente de ahí que exista
un “tiempo de retardo” td hasta que la unión base-emisor se polarice en directa (hasta
que la capacidad de la unión base-emisor se cargue al valor de la tensión de codo) y el
transistor conduzca. Como ya se ha comentado en el apartado 12.2.2, la corriente de
VON
base responde instantáneamente a este cambio de tensión, I B = ; no así la carga de
RB
minoritarios almacenada en base, la corriente de colector y la tensión de salida. El
tiempo transcurrido para que la carga de minoritarios pase del 10% → 90% de su valor
final, recibe el nombre de “tiempo de subida” tr . El tiempo de conmutación en ON
es, tON = td + tr .
En el instante t = T , la tensión de control vuelve a cambiar bruscamente al valor

− VOFF . Es ahora la capacidad de difusión de la unión base-emisor la que no puede
cambiar instantáneamente, puesto que se encuentra +0,7 V, por lo que el transistor no
12.13
puede cortarse, permaneciendo saturado hasta que toda la carga de minoritarios de base
haya desaparecido. Hay dos procesos simultáneos para eliminar esta carga: Por un lado,
la recombinación del exceso de minoritarios; y, por otro, la corriente de base negativa
que circula. El resultado es un retraso denominado “tiempo de almacenamiento” t s .
Durante este intervalo de tiempo, la corriente de base es negativa y la corriente de
colector y tensión de salida varían poco. Sólo después de que la carga haya sido
eliminada, el transistor pasa del MODO ACTIVO a CORTE. Ahora las capacidades de
unión se vuelven a cargar a sus valores iniciales − VOFF . El tiempo invertido para ello
recibe el nombre de “tiempo de caída t f ” y el tiempo de conmutación en OFF la
suma de tOFF = ts + t f (el tiempo dominante es el ts ).
12.4.- EL BJT COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL. RECTA DE
CARGA DINÁMICA.
Este apartado se centra en la respuesta del BJT ante pequeñas señales de tensión
o corriente superpuestas a los valores de continua. El término “pequeña señal” implica
que los valores de pico de la tensión o corriente de señal son mucho más pequeños que
los valores de continua. Más concretamente, en el caso de las tensiones, mucho más
kT
pequeños que . Típicamente, esto significa voltajes de señal de algunos mV o
q
menos.
Para representar la respuesta en señal, se han desarrollado muchos modelos de

circuito. La representación denominada “modelo híbrido – pi” es muy útil para los
diseñadores de circuito ya que:
• Por una parte, el modelo relaciona explícitamente los valores de los

elementos del circuito de pequeña señal con los valores de polarización (esto
es, de continua).
• Además, para frecuencias por debajo de los 500 kHz, los elementos del
12.14
El BJT como amplificador de pequeña señal. Recta de carga dinámica
circuito son independientes de la frecuencia.
Con los modelos de pequeña señal, se calculan las ganancias de señal y las
impedancias de entrada y salida de los amplificadores. Puesto que los BJT´s que
funcionan en el MODO ACTIVO son los que proporcionan mayores ganancias de señal
y distorsiones mínimas, solamente los modelos de pequeña señal en la región activa son
de especial utilidad. Es decir, a lo largo de esta aplicación se considerará que el BJT
está funcionando en el MODO ACTIVO. Adelantando resultados veremos que en tal
caso es posible deducir relaciones lineales entre las componentes de señal de las cargas
y las tensiones, lo que conduce a relaciones lineales entre las componentes de señal de
las corrientes y las tensiones. Es decir, en lo que se refiere a las componentes de señal,
el BJT va a tener un comportamiento lineal.
El circuito de la Figura 12.7 es un circuito típico de amplificación de pequeña

señal.
Figura 12.7.- Circuito elemental de amplificación.
Puesto que sólo se están considerando pequeñas variaciones entorno a los

valores de continua, por el Principio de Superposición, resulta que
vBE = VBE + vbe ( t ) vbe max

<< VBE (12.9)
12.15
Para estudiar las relaciones entre corrientes y tensiones, aplicamos el modelo de

control de carga:
qB ∂ qB
iB ( t ) = − −
τB ∂t
donde,
⎛ x ⎞
qB ( t ) ≡ − qA∫ nB ´( x ) d x ≅ − qA∫ nB ( x ) d x = − qA∫ nB ( 0 ) ⎜1 −
wB wB wB
0 0 0
⎟d x
⎝ w B ⎠
nB ( 0 ) wB 1 v (t ) 1 V + vbe ( t )
qB ( t ) = − qA = − qAwB nBO exp BE = − qAwB nBO exp BE
2 2 VT 2 VT
1 V v (t ) v (t ) ⎡ v (t ) ⎤
qB ( t ) = − qAwB nBO exp BE exp be = QB exp be ≅ QB ⎢1 + be ⎥
2 VT VT VT ⎣ VT ⎦
Por lo tanto,
qB ( t ) = QB + qb ( t )
1 V
QB = − qAwB nBO exp BE (12.10)
2 VT
QB
qb ( t ) = vbe ( t )
VT
Según la ecuación (12.10), la carga total acumulada en la base es la suma de dos

componentes: Carga acumulada en la base debido a la polarización, QB ; Componente
de señal, qb ( t ) , que además es directamente proporcional a la componente de señal de
la tensión, vbe ( t ) . Esta linealidad entre las componentes de señal de la carga y de la
tensión implica que el BJT se comportará como un dispositivo lineal frente a las
componentes incrementales de corriente y tensión, ya que la carga de base y las
corrientes en los terminales están relacionadas a través de las ecuaciones lineales del
12.16
modelo de control de carga.
En efecto, introduciendo la ecuación (12.10) en las expresiones de iB ( t ) e iC ( t )
resulta que:
QB qb ( t ) ∂ qb ( t )
iB ( t ) = − − −
τB τB ∂t
QB QB vbe ( t ) QB ∂ vbe ( t )
iB ( t ) = − − − ⋅
τB VTτ B VT ∂t
QB qb ( t ) QB QB
iC ( t ) = − − =− − ⋅ vbe ( t )
τT τT τT VTτ T
Es decir,
iB ( t ) = I B + ib ( t )
QB
IB = −
τB
IB I τ ∂v ( t )
ib ( t ) = ⋅ vbe ( t ) + B B ⋅ be (a)
VT VT ∂t
(12.11)
iC ( t ) = I C + ic ( t )
QB
IC = −
τT
IC
ic ( t ) = ⋅ vbe ( t ) (b )
VT
Las ecuaciones (12.11) nos dicen que iB ( t ) e iC ( t ) son la suma de dos
componentes: componente continua -de polarización- y componente de señal –alterna-.

Además, tal y como se ha comentado anteriormente, existe una dependencia lineal entre
las componentes de señal de las tensiones y corrientes, dependencia que en el caso de la
polarización es exponencial. Por lo tanto, podemos resolver el problema de la
12.17
polarización y el problema de pequeña señal por separado.
En lo que se refiere a las componentes de señal, ecuaciones (12.11a) y (12.11b),

resulta que,
∂ vbe ( t )
ib ( t ) = gb vbe ( t ) + Cd
∂t
ic ( t ) = g m vbe ( t )
IB
g b = gπ ≡ "conductancia de entrada " (12.12)
VT
I Bτ B
Cd = Cπ = Cb ≡ = gbτ B "capacidad de difusion de la u.emisor-base"
VT
IC
gm ≡ "transconductancia"
VT
Lo más importante es que los elementos de circuito gb , g m y Cd dependen del punto de

polarización.
Las ecuaciones (12.12) pueden ser consideradas como las ecuaciones del
siguiente circuito:
ib (t) ic (t)
b c
vce(t)
vbe(t) rb = 1/gb Cb
e e
Figura 12.8.- Circuito equivalente de un BJT para pequeña señal en la configuración de emisor común.
Circuito híbrido- π .
12.18
Las ecuaciones (12.12) han sido deducidas para un npn, pero tal y como están
expresadas servirían para un pnp. En principio, los sentidos de las corrientes serían los
indicados en la Figura 12.8, pero a la hora de definir gb , g m y Cd habría que tener en
cuenta los sentidos de I B e I C . Por eso, se pueden definir gb , g m y Cd en valor siempre

positivo y cambiar los sentidos de las corrientes cuando estemos trabajando con un pnp.
En la deducción de las ecuaciones (12.12), o lo que es equivalente en el circuito

de la Figura 12.8, no se ha tenido en cuenta el Efecto Early.
Si tenemos en cuenta el Efecto Early, tanto la ib ( t ) como ic ( t ) se verán
afectadas. Por lo tanto,
b rμ c
rb Cd
e e
Figura 12.9.- Circuito híbrido- π con Efecto Early
1 ∂ IC
ro = go ≡
go ∂VCE VCE ,VBE
siendo,
1 ∂IB
rμ = gμ ≡
gμ ∂VCE VCE ,VBE
NOTA: Si no tenemos en cuenta el Efecto Early ⇔ wB = cte ⇒ g μ = g o = 0 ⇔
rμ = ro = ∞ . En la mayor parte de los casos prácticos, g μ es al menos 100 veces más
pequeño que g o , por lo que suele ignorarse en muchas aplicaciones de circuito.
12.19
Por otra parte, hasta ahora, en la deducción del modelo de control de carga no se
han tenido en cuenta las variaciones de carga en las zonas dipolares debido a los
cambios de tensión (sólo se han tenido en cuenta las variaciones de carga en la zona
neutra de la base). Las variaciones en las zonas de carga darían lugar a nuevos términos
de corriente que habría que sumar algebraicamente en las ecuaciones del modelo de
control de carga, y se modelan a través de dos capacidades de unión, tal y como se
explicó en el caso del diodo. Reproduciendo de nuevo aquel resultado,
CJEO
CJE = 1
⎡ VBE ⎤ m
⎢1 − φ ⎥
⎣ TE ⎦
(12.13)
CJCO
CJC = Cμ = 1
⎡ VBC ⎤ m
⎢1 − φ ⎥
⎣ TC ⎦
donde CJEO y CJCO son las capacidades asociadas a las uniones de emisor y colector
cuando no hay tensiones aplicadas; φTE y φTC son los potenciales termodinámicos de las
uniones de emisor y colector; y m es un parámetro empírico que toma el valor de 2 para
el caso de la unión abrupta, y un valor de 3 para el caso de la unión gradual.
En definitiva, el circuito equivalente del BJT para pequeña señal resulta:
b rμ c
rb Cd
e e
Figura 12.10.- Circuito híbrido π de alta frecuencia
12.20
CJE , CJC modelan las variaciones de carga en las zonas de carga de espacio.
rμ , ro tienen en cuenta el “Efecto Early”.
NOTAS:
• A bajas frecuencias todos los efectos capacitivos son despreciables.
• El modelo de la Figura 12.10 es válido hasta frecuencias del orden de los MHz.
• Otras relaciones,
IC
gm ≡
VT
IB I g
Cd = Cπ ≡ gbτ B = ⋅τ B = C ⋅τ B = m ⋅ τ B = g m ⋅τ T
VT β ⋅ VT β
g m = β gb
• Si consideramos el circuito de la Figura 12.8 y una señal de entrada sinuosidad

de la forma,
vbe = Vbe exp jwt
resulta que,
ib ( t ) = gbVbe exp jwt + jwCdVbe exp jwt
ib ( t ) = I b exp jwt I b = ( gb + jwCd ) Vbe
ic ( t ) = g mVbe exp jwt = I c exp jwt I c = g mVbe
ic ( t ) I c gm
= = (12.14)
ib ( t ) I b gb + jwCd
La ecuación (12.14) nos indica que la ganancia directa de corriente en la

configuración de emisor común (antes, en estática, β ), en dinámica no es una
magnitud constante sino que es función de la frecuencia. Sólo en el caso de
bajas frecuencias, cuando los términos capacitivos son despreciables, coincidirá
con la ganancia de corriente continua,
ic ( t ) I c I C
= =
ib ( t ) I b I B
12.21
12.4.1.- Recta de carga dinámica
Volviendo de nuevo al circuito de la Figura 12.7 y sustituyendo el BJT por su

circuito equivalente, el correspondiente circuito para el estudio de las componentes de
señal resulta ser,
ii io
vo
Figura 12.11.- Circuito simplificado de pequeña señal, considerando bajas frecuencias
Puesto que las relaciones entre las componentes de señal son lineales, podemos
expresar la ecuación de los puntos en los que en cada instante de tiempo se van a
encontrar los valores totales de la corriente de colector y la tensión colector-emisor,
iC ( t ) , vCE ( t ) . Dicha ecuación, que pasa por el punto Q (Figura 12.12), es la
denominada “recta de carga dinámica” pues viene impuesta por el circuito externo:
1
iC ( t ) − I CQ = −
RC // RL
( vCE ( t ) − VCEQ )
La pendiente de dicha recta viene determinada por la relación entre las

componentes de señal, ic ( t ) y vce ( t ) .
Si la amplitud de la señal de entrada es muy grande, los valores de vCE e iC

pueden llegar, en una primera aproximación, a ser incluso negativos. Esto supondría la
12.22
salida del transistor de la región activa para adentrarse en la región de saturación o

corte. Pero en tal caso, no se cumplirán las relaciones lineales empleadas hasta ahora y
por lo tanto las tensiones y corrientes de salida no tendrán la misma forma que la señal
de entrada, apareciendo el fenómeno conocido como distorsión. En los amplificadores
de audio, la distorsión (falta de linealidad) se traduce en armónicos indeseados: ruido.
iC
R.C dinámica
Punto Q
R.C. estática (Todos los puntos Q posibles)
vCE
Figura 12.12.- Rectas de carga estática y dinámica para un npn según el circuito de la Figura 12.7.
Cuando, iC = 0 entraremos en la región de corte (el circuito no permite para el
caso de un transistor npn que iC < 0 ):
vCE = VCE + I C ⋅ ( RC // RL ) vce = I C ⋅ ( RC // RL )
Por lo tanto existe una vCE max .
En saturación, vCE ≅ 0 (el circuito no permite en el caso de un transistor npn que
vCE sea negativa):
iC = I C + VCE / ( RC // RL ) → ic = VCE / ( RC // RL )
y esto nos lleva a una determinada iC max .
12.23
Por lo tanto, existe un límite tanto para la amplificación como una amplitud de
salida máxima sin distorsión. Se conoce como rango dinámico a la amplitud de
salida máxima que podemos obtener sin distorsión alguna. En este caso, la
expresión min ( vCE max − VCE ;VCE − vCE min ) nos da el rango dinámico (la amplitud
máxima de la señal de salida alterna que podemos obtener sin distorsión), Figura 12.13.
iiCC iC
saturación
iCmax Q
IC IC
Recta de carga dinámica
t
v
corte VCE vCEmax CE
VCE
vCE
s
a c
t o
u r
r t
a e
c
i
ó
t
Figura 12.13.- Distorsión y rango dinámico.
Nota: Siempre se cumplirá que vCE max < VCC puesto que:
vCE max = VCE + I C ⋅ ( RC // RL )
y VCC = VCE + I C ⋅ RC ( RC // RL ) < RC
Para obtener el mayor rango dinámico, interesará que el punto Q se encuentre
12.24
en la mitad de la recta de carga dinámica. Si desde esta situación movemos el punto Q

hacia la saturación o corte, se ve que se reducirá el rango dinámico (Figura 12.14).
Por lo tanto, si el punto Q se encuentra en la mitad de la recta de carga dinámica,

vCE max = 2 ⋅ VCE y iC max = 2 ⋅ I C . Esto es,
iC max I
= m RCD = C
vCE max VCE
iC
Todas las Punto Q óptimo (desde el punto de vista del rango

posibles dinámico) En la mitad de RC DINÁMICA.
RCD
El punto Q en la mitad de la RC ESTÁTICA

conlleva un rango dinámico menor.
vCE
Figura 12.14.- Obtención del mayor rango dinámico
Interesará, además, que la pendiente de la recta de carga dinámica sea lo menor

posible (con el objeto de obtener la mayor longitud). Esta última condición se verificará
cuando las rectas de cargas estática y dinámica sean iguales. Normalmente el punto Q
no tiene por qué estar centrado en la recta de carga estática, pero si las dos rectas son
iguales y situamos el punto Q en el centro de ambas, obtendremos el mayor de los
mayores rangos dinámicos posibles para un circuito dado.
12.5.- EL BJT COMO CUADRIPOLO. PARÁMETROS HÍBRIDOS.

FRECUENCIAS DE CORTE.
Por lo que se ha visto en el apartado anterior, el cálculo analítico de los circuitos

amplificadores de pequeña señal se reduce a un problema de circuitos una vez que se ha
sustituido el BJT por su circuito equivalente.
12.25
Siguiendo en esta línea, y teniendo en cuenta el comportamiento lineal del BJT

en pequeña señal, resulta que, desde un punto de vista funcional, al BJT se le puede
aplicar la teoría de los cuadripolos lineales. En concreto, en el caso del BJT se suele
trabajar con los parámetros híbridos “h”.
¿Qué ventajas ofrece la teoría de los cuadripolos lineales?. Por una parte, los
parámetros “h” pueden medirse experimentalmente. Por otra, en el apartado anterior nos
hemos limitado al estudio de la configuración de emisor común en régimen de pequeña
señal a bajas frecuencias en las que los efectos capacitivos del BJT eran despreciables.
El aumento de la frecuencia, hace que tengamos que utilizar el modelo híbrido π
completo dificultando, de esta manera, la resolución del circuito. Con la teoría de
cuadripolos lineales, el circuito a resolver es siempre el mismo con independencia de la
frecuencia y configuración utilizada para el BJT.
En este apartado, se aplicará la teoría de los cuadripolos lineales al BJT; Se

establecerá una relación entre los parámetros “h” y los del circuito equivalente físico del
BJT y se analizarán los límites superiores de frecuencia que restringen el uso del BJT
como amplificador, relacionando dichos límites con las características del BJT.
12.5.1.- Parámetros híbridos
¿Qué es un cuadripolo?. En síntesis, un cuadripolo es cualquier circuito que

pueda disponer de dos terminales de entrada y dos de salida, Figura 12.15. Este circuito
I1 I2
V1 V2
I1 I2
Figura 12.15.- Esquema para la definición de un cuadripolo con los criterios de signo de
las tensiones y corrientes en los terminales.
12.26
El BJT como cuadripolo. Parámetros híbridos. Frecuencias de corte
puede entonces describirse por cuatro variables, que son las corrientes y tensiones de los
terminales de entrada y salida. En cada caso, dos de estas variables pueden considerarse
independientes y las otras dos, dependientes. Puesto que el circuito funciona
linealmente, las variables están relacionadas entre sí por un conjunto de ecuaciones
lineales que relacionan las corrientes y tensiones del cuadripolo definiendo así una serie
de parámetros. Existen seis posibles combinaciones para expresar dos de las variables
en función de las otras dos. De estos seis posibles grupos de parámetros sólo se va a
desarrollar uno de ellos, los denominados “Parámetros Híbridos” o “Parámetros h”
llamados así por no ser dimensionalmente homogéneos. Esto es, se elegirá
I1 , V2 variables independientes
V1 , I 2 variables dependientes
con lo que,
V1 = h11 I1 + h12V2 ⎪⎫
⎬ (12.15)
I 2 = h21 I1 + h22V2 ⎪⎭
Los cuatro parámetros “h” dependen de, y caracterizan al circuito encerrado en

la caja de la Figura 12.15.Conocido el circuito, pueden calcularse dichos parámetros
pero, lo que es más importante, estos parámetros pueden medirse con facilidad sin
necesidad de conocer el circuito. En efecto, de las ecuaciones (12.15) es inmediato que:
V1 V1
h11 = h12 =
I1 V =0
V2 I1 = 0
2
I2 I2
h21 = h22 =
I1 V2 = 0
V2 I1 = 0
12.27
Estas relaciones, que pueden considerarse como definiciones de los parámetros

“h”, sugieren a la vez el nombre dado a cada parámetro y el procedimiento experimental
para medirlos. Así:
h11 = impedancia de entrada con la salida en cortocircuito, Ω = hi
h22 = admitancia de salida con la entrada en circuito abierto, Ω-1 = ho
h12 = ganancia inversa de tensión con la entrada en circuito abierto = hr
h21 = ganancia directa de corriente con la salida en cortocircuito = h f
hi
1/ho
v = hr⋅v2
Figura 12.16.- Representación circuital de las ecuaciones (12.15).
Puesto que en régimen de pequeña señal, el BJT tiene un comportamiento lineal,

el circuito encerrado en la caja de la Figura 12.15 puede ser el circuito equivalente del
BJT en pequeña señal (modelo híbrido en π). Por lo tanto, el BJT puede caracterizarse
por cuatro parámetros “h” que pueden medirse experimentalmente (Figura 12.16).
Además, puesto que el BJT puede ser utilizado en las configuraciones de emisor, base o
colector común, para cada una de ellas pueden escribirse ecuaciones similares a las
ecuaciones (12.15). Esto es, para cada configuración pueden definirse cuatro parámetros
“h” de ahí que se acostumbra añadir el subíndice e, b y c (emisor, base y colector
12.28
respectivamente) para indicar la configuración utilizada. Ni qué decir tiene que existe
una relación entre todos los parámetros que según la teoría de cuadripolos pueden
definirse para el BJT, entre los parámetros para las diferentes configuraciones y entre
los parámetros de una determinada configuración y los parámetros del circuito híbrido
π. En la tabla de la Figura 12.17 se indican los parámetros “h” en las configuraciones de
base y colector común en función de los parámetros “he”. De igual manera, en la
ecuación (12.16) se expresa la relación entre “hfe” y los parámetros del circuito híbrido
π sin efecto Early.
Parámetro hi hf hr ho
hie h fe hie ⋅ hoe hoe

Base común − − hre
h fe + 1 h fe + 1 h fe + 1 h fe + 1
Colector común hie − (h fe + 1) 1 hoe
Figura 12.17.- Parámetros “h” en las configuraciones de base y colector común

en función de los de emisor común.
g m − jwCJC
h21e = h fe = (12.16)
gπ + jw ( Cd + C JE + CJC )
NOTAS:
• Debe señalarse que, si aplicamos la teoría de cuadripolos al BJT en pequeña

señal, las corrientes y tensiones de entrada y salida tienen sus sentidos ya
definidos por la propia teoría, con independencia de si dichos sentidos
coinciden o no con los sentidos de las tensiones y corrientes en el BJT. Esto es,
los sentidos son siempre los indicados en la Figura 12.15.
• Además, tal y como se observa en la ecuación (12.16), la frecuencia de trabajo

se encuentra ya implícita en la propia definición de los parámetros.
Si los elementos del circuito híbrido π dependían del punto Q, cualquiera de los
parámetros que se definan para el BJT según la teoría de cuadripolos también van a
12.29
depender del punto Q. En la tabla de la Figura 12.18 se indican los valores típicos de los
parámetros “h” para las tres configuraciones de un BJT típico medidos a una
IE = 1,3 mA. Debido a estos valores (especialmente hf y hr), la configuración de emisor
común será (como comprobaremos en el tema 14) la que proporcionará los valores de
amplificación de tensión y corriente más elevados (AV y AI).
Además, si se observan los valores de “h” en la configuración de emisor común

CE, resulta que para la mayor parte de las aplicaciones hie y hfe son suficientes para el
análisis de circuitos amplificadores de baja frecuencia, suponiendo que la resistencia
equivalente de carga cumpla la siguiente condición hoeRLequiv < 0,1. En la Figura 12.19
se representa dicho modelo simplificado, con el que el error cometido en el cálculo de
AV , AI , Zin y Zout es inferior al 10%. Si sólo se conoce el valor de los parámetros “he”, y
el BJT está siendo utilizado en otra configuración, puede también emplearse este
circuito simplificado conectando adecuadamente los tres electrodos correspondientes.
Parámetro CE CC CB
h11 = hi 1100 Ω 1100 Ω 21,6 Ω
-4
h12 = hr 2,5⋅10 ≅1 2,9 ⋅10-4
h21 = hf 50 - 51 - 0,98
h22 = ho 24 μA/V 25 μA/V 0,49 μA/V
1/ho 40 kΩ 40 kΩ 2,04 MΩ
Figura 12.18.- Valores típicos de los parámetros h de un transistor (a IE = 1,3 mA).
Figura 12.19.- Modelo híbrido simplificado que se puede emplear

para las tres configuraciones en CE, CB y CC.
12.30
12.5.2.- Frecuencias de corte
Según la ecuación (12.16),
g m − jwCJC
h21e = h fe =
En los BJT´s reales, en el margen de las frecuencias de funcionamiento, wCJC << g m ⇒
gm
h fe ≅
g m gb − jwg m ( Cb + CJE + CJC )

h fe ≅
gb2 + w2 ( Cb + CJE + CJC )
2
1
g m2 gb2 + w2 g m2 ( Cb + CJE + CJC )
2
h fe = (12.17)
g + w ( Cb + CJE + CJC )
2 2 2
b
La expresión (12.17) presenta dos asíntotas:
• A bajas frecuencias, los términos capacitivos son despreciables frente a los

g m gb
resistivos ⇒ h fe ≅ ⇒ h fe →β (12.18)
w↓ gb2 w↓
• A altas frecuencias, los términos capacitivos son los dominantes ⇒
wg m ( Cb + CJE + CJC ) β
h fe ≅ ⇒ h fe → (12.19)
w ( Cb + CJE + CJC ) ⎡ C + CJE + CJC ⎤
w↑ 2 2 w↑
w⎢ b ⎥
⎣ gb ⎦
con lo que h fe ↓ a medida que w↑ .
12.31
Se denomina “frecuencia de transición”, wT , la frecuencia a la cual h fe = 1 .
Por lo tanto,
β gb gm
2π fT = wT = = (12.20)
Cb + C JE + CJC Cb + CJE + CJC
Por encima de esta frecuencia, h fe < 1 ⇒ AI también lo será. Sin embargo, AV
puede ser mayor que la unidad incluso para w > wT . El límite superior absoluto de uso
del BJT como amplificador viene determinado por “la frecuencia máxima de
oscilación” definida como aquélla para la que la ganancia de potencia se hace igual a la
unidad.
AP = AV AI
Un valor de frecuencia importante es aquél para el cual comienza la caída del

h fe . Por lo tanto, sin más que igualar las ecuaciones (12.18) y (12.19) resulta que:
gb w
wβ = = T (12.21)
Cb + CJE + CJC β
Log|hfe|
wB wT Log w
Figura 12.20.- Diagrama logarítmico de la variación h fe en función de la

frecuencia angular w .
12.32
TRANSISTOR BIPOLAR
MODELO PARA BAJA SEÑAL O MODELO DE ALTERNA
• CONCEPTO
• CUADRIPOLO
• ECUACIONES CUADRIPOLO
• PARAMETROS HIBRIDOS
• CIRCUITO EQUIVALENTE ENTRADA
• CIRCUITO EQUIVALENTE SALIDA
• CIRCUITO EQUIVALENTE COMPLETO
• DETERMINACION DE PARAMETROS HIBRIDOS GRAFICAMENTE
• EJEMPLO
NECESIDAD DE MODELADO
• Hasta ahora analizamos el transistor únicamente con corriente continua, un

comportamiento “estático” del mismo.
• El transistor en este estado sin señales que varíen en el tiempo no tiene
utilidad alguna.
• Por este motivo es necesario obtener un circuito equivalente del transistor
para señales que varíen (señales alternas).
• Para lo cual vamos a obtener un modelo que se adecue a dicha situación.
CONCEPTO
• Un modelo es la combinación de elementos de circuito, adecuadamente

seleccionados, que se aproximan mejor al comportamiento real de un
dispositivo semiconductor bajo condiciones de operación específicas.
• Significa: Reemplazar al símbolo del transistor por un circuito eléctrico
equivalente que permita aplicar los métodos básicos de análisis de circuitos
de ac (análisis de mallas, Thévenin, Norton) para determinar la respuesta del
circuito.
TRANSISTOR EN CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN
CUADRIPOLO
CUADRIPOLO
PARÁMETROS
Si cortocircuitamos la salida ósea hacemos Vo=0
Y despejamos h11.
• Esta relación indica que el parámetro h11 es un parámetro de impedancia

con unidades en ohms. ™
• Debido a que se trata del cociente del voltaje de entrada entre la corriente
de entrada con las terminales de entrada en corto circuito, se le denomina
parámetro de impedancia de entrada en corto circuito. ™
• El subíndice 11 en h11 define el hecho de que el parámetro está calculado
mediante una relación entre cantidades medidas en las terminales de
entrada.
PARÁMETROS
Si abrimos el circuito haciendo I1=0
Despejamos h12.
• El parámetro h12 es por tanto, la relación del cociente del voltaje de entrada al voltaje de
salida con la corriente de entrada igual a cero. ™
• No tiene unidades debido a que es un cociente de niveles de voltaje y se le denomina
parámetro de la relación de voltaje de transferencia inversa de circuito abierto. ™
• El subíndice 12 en h12 revela que el parámetro es una cantidad de transferencia
determinada por una relación de mediciones de entrada a salida. ™
• El primer dígito del subíndice define la cantidad medida que aparecerá en el numerador; el
segundo dígito define la fuente de la cantidad que aparecerá en el denominador. ™
• El término inversa se incluye porque la relación es un voltaje de entrada sobre un voltaje de
salida en lugar de la relación inversa típica de interés.
PARÁMETROS
Hacemos Vo =0 cortocircuitando la salida.
Despejamos a fin de obtener h21
• La relación es una cantidad de salida sobre una cantidad de entrada.

• Se utilizará el término directo en lugar de inverso como se indicó para h12.
• El parámetro h21 es la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada con las
terminales de salida en circuito cerrado. ™
• Este parámetro, de la misma forma que h12 no tiene unidades dado que se trata del cociente de
niveles de corriente.
• De manera formal se designa con el término parámetro de relación de corriente de transferencia
directa en corto circuito.
• El subíndice 21 nuevamente indica que se trata de un parámetro de transferencia con la cantidad
de salida en el numerador y la cantidad de entrada en el denominador.
PARÁMETROS
Hacemos Ii = 0 abriendo la entrada.
Despejamos a fin de obtener h22
• Debido a que éste es el cociente de la corriente de salida entre el voltaje de

salida, se trata del parámetro de conductancia de salida y se mide en
siemens (S).
• Se le denomina parámetro de admitancia de salida de circuito abierto.
• El subíndice 22 revela que se encuentra determinado por el cociente de
cantidades de salida.
CIRCUITO EQUIVALENTE ENTRADA
Debido a que cada término de esta ecuación se
encuentra en unidades de volt, es posible aplicar la
ley de voltaje de Kirchhoff para encontrar un circuito
que “encaje” en la ecuación.
• El parámetro h11 se encuentra en unidades

de ohms y se representa en la figura
mediante un resistor.
• La cantidad h12 es adimensional y por
tanto solamente aparece como un factor
multiplicador del término de
“retroalimentación” en el circuito de
entrada.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE SALIDA
Debido a que cada término de la ecuación tiene
unidades de corriente, es posible aplicar la ley de
corriente de Kirchhoff “hacia atrás” para obtener
el circuito de la figura
• Debido a que h22 maneja unidades de

admitancia, las cuales, para el modelo
del transistor será la conductancia, se
representa por el símbolo del resistor.
• La resistencia en ohms de este resistor
será igual al recíproco de la
conductancia (1/h22).
CIRCUITO EQUIVALENTE COMPLETO
El circuito equivalente de “ac” o pequeña señal completo para el dispositivo lineal básico de tres
terminales se indica en la figura con un nuevo conjunto de subíndices para los parámetros‐ h.
hi
hrVo Hf Ib
• La notación de la figura es de naturaleza más práctica ya que relaciona los parámetros‐h con la relación
resultante obtenida anteriormente.
• La selección de las letras resulta obvia a partir de la siguiente lista:
• h11 → resistencia de entrada → hi
• h12 → relación de voltaje de transferencia inverso → hr
• h21 → relación de corriente de transferencia directa → hf
• h22 → conductancia de salida → ho
PARAMETROS H (HIBRIDOS)
• Los parametros híbridos (h) vistos anteriormente, tienen ese nombre, debido a
que se obtienen de una mezcla de variables, resistencias, tensiones, corrientes.
• Cada juego de parámetros h es característico de cada configuración del
transistor, siendo diferenciados por un segundo subíndice.
• Subíndice e, para configuración emisor común
• Subíndice b, para configuración base común
• Subíndice c, para colector común.
• Asi, para la configuración EMISOR COMUN que es la que estudiamos,
tendremos:
• hie, hre, hfe, hoe.
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
• Se establecen las siguientes equivalencias: Resultando las ecuaciones de Kirchhoff :

vbe = hie ib + hre vce
vi = vbe ; vo = vce ic = hfe ib + hoe vce
ii = ib ; Io = ic
DETERMINACIÓN GRÁFICA DE LOS PARÁMETROS‐H
• Mediante el empleo de derivadas parciales es posible hallar la magnitud de los
parámetros‐h para el circuito equivalente del transistor a pequeña señal en la región de
operación para la configuración de emisor común, mediante el uso de las siguientes
ecuaciones
DETERMINACIÓN DE LOS PARÁMETROS H PARA
CONFIGURACIÓN EC
• Los parámetros hie y hre, se determinan a partir de las características de entrada
• Los parámetros hfe y hoe, a través de las características de salida.
DETERMINACION DE hie
VALORES DE hie
• Ej: ICQ= 10 mA
• β= 100
• m= 1
• hie= 25mV.100/10mA= 250Ω
• Considerando que m puede variar entre 1 y 2; y β puede fluctuar en una relación
de 1 a 3 ( 50 y 150), entonces:
• 125 Ω < hie < 750 Ω
• Esta medición es relativa al punto Q . Si el valor de ICQ es menor el valor de hie
será mayor, puede alanzar valores del orden de algunos KΩ.
EJEMPLO
DETERMINACIÓN DEL PARÁMETRO HRE
• El parámetro hre, puede calcularse al dibujar primero una línea horizontal a
través del punto Q en IB. La selección natural consiste en escoger un cambio
en VCE y encontrar el cambio resultante en VBE como se muestra en la figura
(Ej. Para IBQ= 15mA).
DETERMINACIÓN DEL PARÁMETRO hfe
• A partir del punto Q, se

introduce un cambio en ib
(desde IB1 hasta IB2 )
manteniendo VCE = constante.
Las variaciones de ib, producen
los cambios correspondiente en
ic.
DETERMINACIÓN DEL PARÁMETRO hoe
• La determinación del parámetro

hoe, se obtiene manteniendo la IBQ
(IB = constante) y a través de
producir un cambio en VCE se
obtiene el cambio correspondiente
en IC
Dado que este parámetro es del orden de 10‐6 , se desprecia de forma práctica
Valores de los parámetro híbridos para el transistor del ejemplo dado
• Condiciones del punto

• Q: IB = 15µA
• VCE = 8,4 V
MODELO HIBRIDO FINAL, SIMPLIFICADO
PARAMETROS EN HOJA DE DATOS
EJEMPLO PRACTICO
Vcc
R1 Rc
Co
RL
R2
Re Ce
ELECTRONICA 1
Configuraciones Básicas de un Transistor Bipolar
Los transistores bipolares son amplificadores de corriente ideales. Cuando se aplica una
pequeña señal al terminal de entrada, en los terminales de salida aparece una reproducción
ampliada de esta corriente. Aunque la señal de entrada puede acoplarse al dispositivo de varias
formas, hay solamente tres configuraciones básicas (Base común, Emisor común y Colector
común).
Base Común
En la siguiente figura se muestra un amplificador Base Común (BC) práctico. La señal se inyecta
al emisor a través de Ci y se extrae amplificada por el colector vía Co. La base, conectada
dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como elemento común a los circuitos de entrada
y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en fase.
Los condensadores Ci y Co actúan como condensadores de paso o de acoplamiento. Su

objetivo es eliminar el nivel de corriente continua presente a la entrada o a la salida y transferir
sólo las señales de audio propiamente dichas.
El condensador Cb actúa como condensador de deriva (bypass). Su objetivo es mantener

estable el voltaje de polarización de la base, enviando a tierra cualquier variación.
Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan correctamente las uniones del transistor y fijan el
punto de trabajo (Punto Q) del amplificador.
La configuración Base Común presenta una baja impedancia de entrada y una alta impedancia
de salida.
Las ganancias de tensión y de potencia pueden ser altas, dependiendo de la Beta (HFE) del
transistor. La ganancia de corriente es cercana a 1, pero siempre inferior.
Esta configuración se usa en aplicaciones de alta frecuencia porque la base separa la entrada
de la salida, minimizando las oscilaciones a altas frecuencias. Tiene una alta ganancia de
tensión, relativamente baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida en comparación
con el de Colector Común.
ELECTRONICA 1
Demostración de las características de un Base Común:
Entonces podemos ver en la configuración de Base Común (BC) básica que las variables de
entrada se relacionan con la corriente de emisor IE y la tensión de base-emisor, VBE, mientras
que las variables de salida se relacionan con la corriente de colector IC y la tensión colector-
base, VCB.
Dado que la corriente de emisor es también la corriente de entrada, cualquier cambio en la

corriente de entrada creará un cambio correspondiente en la corriente del colector. Para una
configuración de amplificador de BC, la ganancia de corriente (Ai) se da como Iout/Iin que sí se
determina por la fórmula IC/IE. La ganancia de corriente para una configuración de BC se llama
Alfa ( α ).
En un amplificador con BJT, la corriente del emisor es siempre mayor que la corriente del
colector ya que IE = IB + IC, la ganancia de corriente (α) del amplificador debe ser, por lo tanto,
menor que uno (1), ya que IC es siempre menor que la IE por el valor de IB. Así, el amplificador
BC atenúa la corriente, con valores típicos de Alfa entre 0,98 y 0,99 aproximadamente.
Se puede demostrar que la relación eléctrica entre las tres corrientes de transistores da las
expresiones para Alfa (α) y Beta (β) como se muestra:
ELECTRONICA 1
Ganancia de Corriente:
Por lo tanto, si el valor de Beta de un transistor de unión bipolar estándar es 100, entonces el
valor de Alfa daría: 100/101 = 0,99.
Ganancia de Tensión:
Dado que el amplificador de Base Común no puede funcionar como un amplificador de

corriente (Ai ≅ 1), debe tener la capacidad de funcionar como un amplificador de tensión. La
ganancia de tensión para el amplificador de Base Común es la relación de Vout/ Vin, ósea la
relación entre la tensión de colector VC y la tensión de emisor VE. En otras palabras, Vout = VC
y Vin = VE.
Como la tensión de salida Vout se desarrolla a través de la resistencia del colector (RC), la
tensión de salida debe por lo tanto esta en función de IC a partir de la Ley de Ohm, VRC =
IC*RC. Por lo que cualquier cambio en IE tendrá un cambio correspondiente en la Corriente de
Colector.
Como IC/ IE es Alfa, podemos presentar la ganancia de tensión del amplificador como:
Por lo tanto, la ganancia de tensión es más o menos igual a la relación entre la resistencia del
colector y la resistencia del emisor. Sin embargo, hay una única unión de diodo PN dentro de
un transistor de unión bipolar entre la base y los terminales del emisor, lo que da lugar a lo que
se llama la resistencia dinámica del emisor de los transistores (r’e).
Para las señales de entrada de CA, la unión del diodo emisor tiene una resistencia efectiva en
pequeña señal dada por: r’e = 25 mV / IE, donde 25 mV es el voltaje térmico de la unión PN e IE
es la corriente del emisor. Entonces, a medida que aumenta la corriente que fluye a través del
emisor, la resistencia del emisor disminuirá en una cantidad proporcional.
ELECTRONICA 1
Parte de la corriente de entrada fluye a través de esta base-emisor de resistencia de unión

interna a la base, así como a través de la resistencia de emisor externamente conectada (RE).
Para el análisis de señales pequeñas, estas dos resistencias se conectan en paralelo entre sí.
Dado que el valor de r’e es muy pequeño, y que la RE es en general mucho mayor,
generalmente en el rango de los KΩ, la magnitud de la ganancia de tensión de los
amplificadores cambia dinámicamente con los diferentes niveles de corriente del emisor.
Por lo tanto, si RE ≫ r’e , la ganancia de tensión real del amplificador de Base Común será:
Debido a que la ganancia de corriente es aproximadamente igual a uno, ya que IC ≅ IE,

entonces la ecuación de ganancia de tensión se simplifica a solo:
Entonces, si, por ejemplo, 1 mA de corriente fluye a través de la unión emisor-base, su

impedancia dinámica sería 25 mV / 1 mA = 25 Ω. La ganancia de tensión (AV) para una
resistencia de carga del colector de 10 KΩ sería: 10000 / 25 = 400, y cuanta más corriente fluya
a través de la unión, menor será su resistencia dinámica, y por lo tanto mayor será la ganancia
de tensión.
Asimismo, cuanto mayor sea el valor de la resistencia de carga, mayor será la ganancia de
tensión de los amplificadores. Sin embargo, una base práctica de circuito del amplificador de
Base Común sería poco probable utilizar una resistencia de carga mayor a 20kΩ, dando valores
típicos de rango de ganancia de tensión de aproximadamente 100 a 2000, dependiendo del
valor de RC. Hay que tener en cuenta que la ganancia de potencia de los amplificadores es
aproximadamente la misma que su ganancia de tensión.
Como la ganancia de tensión del amplificador de Base Común depende de la relación de estos
dos valores resistivos, se deduce que no hay inversión de fase entre el emisor y el colector. Por
lo tanto, las formas de onda de entrada y salida están «en fase» entre sí, lo que muestra que el
amplificador de Base Común es una configuración de amplificador NO INVERSOR.
Ganancia de resistencia del amplificador de Base Común:
Una de las características interesantes del circuito amplificador de Base Común es la relación
de sus impedancias de entrada y salida que dan lugar a lo que se conoce como la ganancia de
resistencia del amplificador, la propiedad fundamental que hace posible la amplificación.
Hemos visto anteriormente que la entrada está conectada al emisor y la salida se toma del
colector.
Entre la entrada y el terminal de tierra hay dos posibles caminos resistivos paralelos. Uno a
través de la resistencia del emisor (RE) a tierra y el otro a través de r’e y el terminal de la base a
tierra. Por lo tanto, podemos decir mirando hacia el emisor con la base conectada a tierra que:
ZIN = RE|| r’e.
ELECTRONICA 1
Pero como la resistencia dinámica del emisor, r’e es muy pequeña en comparación con RE
(r’e≪RE), la resistencia dinámica interna del emisor, r’e domina la ecuación, lo que da como
resultado una baja impedancia de entrada (ZIN) de aproximadamente igual a r’e.
Entonces, para la configuración de Base Común, la impedancia de entrada es muy baja y,

dependiendo del valor de la impedancia de la fuente (RS) conectada al terminal del emisor, los
valores de impedancia de entrada pueden oscilar entre 10 Ω y 200 Ω. La baja impedancia de
entrada del circuito amplificador de Base Común es una de las principales razones de sus
aplicaciones limitadas como amplificador de una sola etapa.
La impedancia de salida (ZOUT) del amplificador BC sin embargo, puede ser alta dependiendo
de la resistencia de colector que se utiliza para controlar la ganancia de tensión y la resistencia
de carga externa (RL). Si una resistencia de carga está conectado a través del terminal de salida
de los amplificadores, se conecta efectivamente en paralelo con la resistencia de colector,
entonces ZOUT = RC||RL.
Pero si la resistencia de carga (RL) externa es muy grande en comparación con la resistencia de
colector RC, entonces RC dominará la ecuación en paralelo, dando como resultado una
impedancia de salida moderada, de aproximadamente igual a RC. Entonces, para una
configuración de Base Común, su impedancia de salida en el terminal de colector sería: ZOUT =
RC, mirada desde la carga.
Como la impedancia de salida del amplificador mirando hacia atrás en el terminal del colector
puede ser potencialmente muy grande, el circuito de Base Común funciona casi como una
fuente de corriente ideal tomando la corriente de entrada del lado de baja impedancia de
entrada y enviando la corriente al lado de alta impedancia de salida. Por lo tanto, la
configuración del transistor de Base Común también se conoce como: búfer de
corriente o seguidor de la configuración de corriente, y lo opuesto a la configuración de
Colector Común (CC), que se conoce como seguidor de tensión.
Resumen del amplificador de BASE COMUN
Tiene una ganancia de corriente (Alfa) de aproximadamente uno, pero también una ganancia
de tensión que puede ser muy alta con valores típicos que van de 100 a más 2000 dependiendo
del valor de la resistencia de carga utilizada.
También hemos visto que la impedancia de entrada del circuito amplificador es muy baja, pero
la impedancia de salida puede ser muy alta. También dijimos que el amplificador de Base
Común no invierte la señal de entrada ya que es una configuración de amplificador NO
INVERSOR.
Debido a sus características de impedancia de entrada-salida, la disposición del amplificador de

Base Común es extremadamente útil en aplicaciones de audio y radiofrecuencia como un búfer
de corriente para hacer coincidir una fuente de baja impedancia con una carga de alta
impedancia, o como un amplificador de una sola etapa como parte de una configuración en
cascada o de múltiples etapas en la que una etapa del amplificador se utiliza para impulsar a
otra.
ELECTRONICA 1
Emisor Común
En la siguiente figura se muestra un amplificador Emisor Común (EC) práctico. La señal se
inyecta a la base a través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co.
El emisor está conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común
a los circuitos de entrada y de salida. En este modo de conexión, las señales de entrada y de
salida siempre están en oposición de fase.
Nuevamente, Ci y Co actúan como capacitores de acoplamiento y Ce como capacitor de deriva.
Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan adecuadamente el transistor y fijan su punto de

trabajo (Punto Q).
Como se observa, este circuito utiliza la estrategia de polarización universal o por divisor de
tensión, permitiendo equilibrar cualquier variación térmica que se pueda producir.
La impedancia de entrada y la impedancia de salida son moderadas.
El circuito proporciona simultáneamente ganancia de corriente y de tensión. La ganancia de

potencia puede llegar a ser relativamente alta.
Es la configuración más utilizada en la práctica
La configuración de Emisor Común se presta a la amplificación de tensión, y es la configuración

más común para los amplificadores a transistor.
Aclaración: El objetivo de cualquier amplificador de señal es amplificar toda la señal de entrada

con la mínima cantidad de distorsión posible a la salida, en otras palabras, la señal de salida
debe ser una reproducción exacta de la señal de entrada, pero solo más grande (amplificada).
Para obtener una baja distorsión cuando se utiliza como amplificador, el punto de inactividad
operativo (Punto Q o de trabajo) debe seleccionarse correctamente. Este es, de hecho, el punto
de funcionamiento de CC del amplificador y su posición puede establecerse en cualquier punto
a lo largo de la recta de carga mediante una disposición de polarización adecuada.
ELECTRONICA 1
La mejor posición posible para este punto Q es estar cerca de la posición central de la recta de
carga como sea razonablemente posible, produciendo así una operación de amplificador de
tipo Clase A, es decir. Vce = Vcc/2. Considere el circuito de un amplificador de emisor
común que se muestra a continuación:
El circuito amplificador de Emisor Común de una sola etapa que se muestra arriba utiliza lo que
comúnmente se denomina “polarización universal”. Este tipo de disposición de polarización
utiliza dos resistencias como red divisora de potencial a través de la fuente con su punto
central suministrando el voltaje de polarización de base requerido al transistor. La polarización
del divisor de tensión se usa comúnmente en el diseño de circuitos amplificadores de
transistores bipolares.
Este método de polarización del transistor reduce en gran medida los efectos de la variación de
Beta (β) al mantener la polarización de la base a un nivel de tensión constante. La tensión de
base en reposo (VB) está determinada por el divisor resistivo formado por resistencias R1, R2 y
la tensión de alimentación VCC como se muestra con la corriente fluyendo a través de ambas
resistencias.
A continuación, la resistencia total RT será igual a R1 + R2 dando la corriente como IT = VCC /

RT. El nivel de tensión generado en la unión de las resistencias R1 y R2 mantiene la tensión de
base (VB constante) en un valor por debajo de la tensión de alimentación.
La tensión de alimentación (CC) también determina la corriente máxima del colector (IC)
cuando el transistor está en saturación (Vce = 0). La corriente base IB se determina a partir de
la corriente del colector, y la ganancia de corriente Beta (β) del transistor.
ELECTRONICA 1
Valor de Beta
El Beta también denominado hFE, que es la ganancia de corriente directa de los transistores en
la configuración del emisor común. El Beta no tiene unidades, ya que es una relación fija de las
dos corrientes, IC e IB, por lo que un pequeño cambio en la corriente base provocará un gran
cambio en la corriente del colector.
Un último punto sobre Beta; Los transistores del mismo tipo y número de pieza tendrán
grandes variaciones en su valor de Beta. Por ejemplo, el transistor bipolar BC107 NPN tiene un
valor Beta de ganancia de corriente CC de entre 110 y 450 (Valores de la hoja de datos del
fabricante). Entonces, un BC107 puede tener un valor de Beta de 110, mientras que otro puede
tener un valor de Beta de 450, pero ambos son transistores BC107 NPN. Esto se debe a que el
Beta es una característica de la construcción de los transistores y no de su funcionamiento.
Como la unión Base/Emisor está polarizada en directa, la tensión del emisor (VE) estará por
debajo de la tensión de base, en aproximadamente 0,7V. Si se conoce la tensión entre los
terminales de la resistencia del emisor, entonces la corriente del emisor se puede calcular
fácilmente usando la ley de Ohm. La corriente del colector se puede aproximar, ya que es casi
el mismo valor que la corriente del emisor.
A modo de ejemplo práctico, se da a continuación un ejercicio resuelto de un Amplificador

Emisor Común
Ejercicio:
Un circuito amplificador de Emisor Común tiene una resistencia de carga, RL de 1.2KΩ y una
tensión de alimentación de 12V. Calcule la corriente máxima del colector (IC) que fluye a través
de la resistencia de carga cuando el transistor está saturado, suponga Vce de saturación = 0.
También encuentre el valor de la resistencia del emisor RE, si tiene una caída de tensión de 1V
a través de ella. Calcule los valores de todas las demás resistencias del circuito asumiendo un
transistor de silicio estándar NPN.
Esto luego establece el punto “A” en el eje vertical de la corriente del colector de las curvas
características y ocurre cuando Vce = 0. Cuando el transistor se apaga completamente, no hay
caída de tensión a través de la resistencia RE o RL ya que no fluye corriente a través de ellos.
Entonces, la caída de tensión a través del transistor, Vce es igual la tensión de alimentación
VCC. Esto establece el punto “B” en el eje horizontal de las curvas características.
Generalmente, el punto Q de reposo del amplificador tiene una señal de entrada cero aplicada
a la base, por lo que el colector se encuentra aproximadamente a la mitad de la línea de carga
estática entre 0V y VCC (VCC / 2). Por lo tanto, la corriente del colector en el punto Q del
amplificador es:
ELECTRONICA 1
Esta línea o recta de carga de CC estática (RCE) produce una ecuación de línea recta cuya
pendiente se da como: -1 / (RL + RE) y que cruza la vertical del eje IC en un punto igual a Vcc /
(RL + RE). La posición real del punto Q en la recta de carga estática está determinada por el
valor medio de IB.
Como la corriente de colector del transistor es igual a la ganancia de CC del transistor (Beta),
multiplicada por la corriente de base (β * IB), si asumimos un valor Beta (β) para el transistor
de por ejemplo 100, la corriente de base IB que fluye hacia el transistor será:
En lugar de usar una fuente de polarización de base separada, es habitual proporcionar la

tensión de polarización de base desde la línea de suministro principal (Vcc) a través de una
resistencia de caída, R1. Los resistores, R1 y R2 ahora se pueden elegir para dar una corriente
base inactiva adecuada de 45,8 μA o 46 μA redondeada al número entero más cercano. La
corriente que fluye a través del circuito divisor de tensión tiene que ser grande en comparación
con la corriente base real IB, de modo que el divisor de tensión no se cargue con el flujo de
corriente base.
Una regla general es un valor de al menos 10 veces IB que fluye a través de la resistencia R2.
Tensión emisor-base del transistor, VBE se fija en 0,7 V (transistor de silicio), entonces esto da
el valor de R2 como:
Si la corriente que fluye a través de la resistencia R2 es 10 veces el valor de la corriente de la

base, entonces la corriente que fluye a través de la resistencia R1 debe ser 11 veces el valor de
la corriente base. Es decir: IR2 + IB.
Por lo tanto, la tensión a través de la resistencia R1 es igual a VCC – 1.7V (VRE + 0.7 para
transistor de silicio) que es igual a 10.3V, por lo tanto, R1 se puede calcular como:
ELECTRONICA 1
El valor de la resistencia del emisor, RE se puede calcular fácilmente usando Ley de Ohm. La
corriente que fluye a través de RE es una combinación de la corriente de base, IB y la corriente
de colector IC y se da como:
La resistencia de emisor RE está conectada entre el terminal del emisor del transistor y tierra, y
dijimos anteriormente que hay una caída de 1V a través de ella. Por lo tanto, el valor de la
resistencia del emisor, se calcula como:
Entonces, para nuestro ejemplo los valores comerciales de las resistencias elegidas para dar
una tolerancia del 5% (E24) son:
Entonces, nuestro circuito amplificador de Emisor Común puede ser reescrito para incluir los
valores de los componentes que acabamos de calcular anteriormente.
Circuito de emisor común completo:
Capacitores de acoplamiento
Los capacitores C1 y C2 se utilizan como capacitores de acoplamiento para separar las señales
de Corriente Alterna (CA), de la de polarización de Corriente Continua (CC). Esto asegura que la
condición de polarización configurada para que el circuito funcione correctamente y no se vea
afectada por ninguna etapa adicional del amplificador, ya que los condensadores solo dejaran
pasar señales de CA y bloquearán cualquier componente de CC. A continuación, la señal de CA
ELECTRONICA 1
de salida se superpone a la polarización de las siguientes etapas. También un capacitor de

derivación o bypass, CE se incluye en el circuito en la pata del emisor.
Este capacitor es efectivamente un circuito abierto para condiciones de polarización de CC, lo

que significa que las corrientes y tensiones de polarización no se ven afectados por la adición
del condensador/capacitor que mantiene una buena estabilidad del punto Q.
Sin embargo, este condensador de derivación conectado en paralelo se convierte en un

cortocircuito para la resistencia del emisor en señales de alta frecuencia debido a su
reactancia. Por lo tanto, solo RL más una resistencia interna muy pequeña actúa como carga de
los transistores aumentando la ganancia de tensión a su máximo. Generalmente, el valor del
condensador de derivación, CE, se elige para proporcionar una reactancia de, como máximo,
1/10 del valor de RE a la frecuencia de señal de funcionamiento más baja.
Características de las curvas de salida
Ahora podemos construir una serie de curvas que muestren la corriente del colector en
relación con la tensión colector-emisor VCE, para diferentes valores de la corriente base para
nuestro circuito amplificador de Emisor Común.
Estas curvas se conocen como las “curvas de salida” y se utilizan para mostrar cómo funcionará
el transistor en su rango dinámico. Se dibuja una recta de carga estática para la resistencia de
carga RL de 1.2kΩ para mostrar todos los posibles puntos de operación del transistor.
Cuando el transistor está en «OFF-APAGADO», VCE es igual a la tensión de alimentación VCC y

este es el punto «B» de la recta. Del mismo modo, cuando el transistor está completamente
«ENCENDIDO» y saturado, la corriente del colector está determinada por la resistencia de
carga, RL, y este es el punto «A» en la recta/línea de carga estática.
Calculamos antes a partir de la ganancia de CC del transistor que la corriente base requerida
para la posición media del transistor era de 45,8 μA y esto se marca como el punto Q en la línea
de carga que representa el punto de reposo o punto Q (Punto de trabajo) del amplificador.
Fácilmente podríamos hacernos la vida más fácil y redondear este valor a 50μA exactamente,
sin ningún efecto en el punto de operación.
ELECTRONICA 1
Características de las curvas de salida
El punto Q en la línea de carga nos da el punto Q de la corriente base de IB = 45.8μA o 46μA.

Necesitamos encontrar los picos máximos y mínimos de la corriente de base que resultarán en
un cambio proporcional a la corriente del colector, sin ninguna distorsión en la señal de salida.
A medida que la línea de carga atraviesa los diferentes valores de corriente base en las curvas
de características de CC, podemos encontrar las oscilaciones máximas de la corriente base que
están igualmente espaciadas a lo largo de la línea de carga. Estos valores están marcados como
puntos “N” y “M” en la línea, dando una corriente base mínima y máxima de 20μA y 80μA
respectivamente.
Estos puntos, «N» y «M» pueden estar en cualquier lugar a lo largo de la línea de carga que
elijamos siempre que estén igualmente espaciados de Q. Esto nos da una señal de entrada
máxima teórica al terminal Base de 60μA pico a pico. (Pico de 30μA) Sin producir ninguna
distorsión en la señal de salida.
Cualquier señal de entrada que dé una corriente base mayor que este valor hará que el
transistor vaya más allá del punto «N» y en su región de «corte» o más allá del punto «M» y en
su región de saturación, lo que resultará en una distorsión de la señal de salida, en forma de
«recorte».
ELECTRONICA 1
Usando los puntos “N” y “M” como ejemplo, los valores instantáneos de la corriente del
colector y los valores correspondientes de la tensión del colector-emisor se pueden proyectar
desde la línea o recta de carga. Se puede observar que la tensión colector-emisor está
desfasada (180°) con la corriente del colector.
A medida que la corriente base cambia en una dirección positiva de 50 μA a 80 μA, la tensión
del colector-emisor, que también es la tensión de salida, disminuye de su valor de estado
estable de 5,8 voltios a 2,0 voltios.
Entonces, una sola etapa de amplificador emisor común es también un «amplificador

inversor», ya que un aumento en el voltaje base provoca una disminución en Vout y una
disminución en el voltaje base produce un aumento en Vout. En otras palabras, la señal de
salida está 180° desfasada con la señal de entrada.
Ganancia de tensión del emisor común
La ganancia de tensión del Emisor Común es igual a la relación entre el cambio de la tensión de
entrada y el cambio en la tensión de salida del amplificador. Entonces ΔVL es Vout y ΔVB es Vin.
Pero la ganancia de tensión también es igual a la relación entre la resistencia de la señal en el
colector y la resistencia de la señal en el emisor y se da como:
Mencionamos anteriormente que a medida que la frecuencia de la señal aumenta el capacitor

de derivación, CE comienza a cortocircuitar la resistencia del emisor debido a su reactancia
capacitiva. Luego, a altas frecuencias, RE = 0, lo que hace que la ganancia sea infinita.
Sin embargo, los transistores bipolares tienen una pequeña resistencia interna incorporada en
su región emisora llamada Re. El material semiconductor de los transistores ofrece una
resistencia interna al flujo de corriente a través de él y generalmente está representado por un
pequeño símbolo de resistencia que se muestra dentro del símbolo del transistor principal.
Las hojas de datos de transistores nos dicen que para transistores bipolares en pequeña señal,
esta resistencia interna es el producto de 25 mV ÷ Ie (25 mV es la caída de tensión interna a
través de la capa de unión del emisor), entonces para nuestro circuito amplificador de emisor
común por encima de este valor de resistencia será igual a:
ELECTRONICA 1
Esta resistencia interna de la pata del Emisor estará en serie con la resistencia del Emisor
externo (RE), luego la ecuación para la ganancia real de los transistores se modificará para
incluir esta resistencia interna, por lo que será:
En señales de baja frecuencia, la resistencia total en el Emisor es igual a RE + Re. A alta

frecuencia, el capacitor de derivación cortocircuita la resistencia del emisor dejando solo la
resistencia interna Re en la pata del emisor, lo que da como resultado una alta ganancia. Luego,
para nuestro circuito amplificador de Emisor Común, la ganancia del circuito en frecuencias de
señal bajas y altas se da como:
Ganancia en frecuencias bajas
Ganancia en frecuencias altas
Como punto final, la ganancia de tensión depende solo de los valores de la resistencia del
colector, RL y la resistencia del emisor, (RE + Re) no se ve afectada por la ganancia de corriente
Beta, β (hFE) del transistor.
Entonces, para nuestro ejemplo, ahora podemos resumir todos los valores que hemos
calculado para nuestro circuito amplificador de Emisor Común, los cuales son:
Resumen del amplificador de EMISOR COMUN
El amplificador de emisor común tiene una resistencia en su circuito colector (RC). La corriente
que fluye a través de esta resistencia produce la tensión de salida del amplificador. El valor de
esta resistencia se elige de modo que, en el punto de funcionamiento inactivo del amplificador,
el punto Q, este en la mitad de la línea de carga de los transistores.
ELECTRONICA 1
La base del transistor utilizado en un amplificador de Emisor Común está polarizada utilizando
dos resistencias como divisor de tensión o divisor resistivo. Este tipo de disposición de
polarización se usa comúnmente en el diseño de circuitos amplificadores de transistores
bipolares y reduce en gran medida los efectos de la variación de Beta (β) al mantener la
polarización de la base a una tensión constante. Este tipo de polarización nos da la mayor
estabilidad.
Una resistencia puede ser incluida en el terminal del emisor, en cuyo caso la ganancia de
voltaje se convierte -RL/RE. Si no hay resistencia del Emisor externo, la ganancia de voltaje del
amplificador no es infinita ya que hay una resistencia interna muy pequeña (Re) en la rama del
Emisor. El valor de esta resistencia interna es igual a 25 mV / IE
La ganancia de corriente (Ai) es aproximadamente igual a Beta o Hfe (Ai≅β) que dependiendo
del valor de los transistores puede ser alta.
La ZIN en un Emisor Común viene dada por:
La ZOUT en un Emisor Común viene dada por:
ZOUT = (Ro + RE) // RC // RL
Ro = 1/hoe hoe es del orden de 1.10-6
Como hemos visto el valor de Ro es del orden de las decenas o centenas de KΩ, por lo que, al
estar en paralelo con RC y RL, cuyo valor suele ser casi siempre menor, podemos despreciar el
termino (Ro + RE), por lo que la ZOUT de un Emisor Común suele ser el valor de RC, visto desde
la carga.
ELECTRONICA 1
Colector Común
En la siguiente figura se muestra un amplificador Colector Común (CC) práctico. La señal se
introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co.
El colector está conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común
a los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en fase.
El Colector Común se denomina también seguidor de emisor, debido a que su salida se toma
de la resistencia del emisor.
El amplificador Colector Común se caracteriza por tener una alta impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida.
La ganancia de tensión es siempre menor que 1 y la de potencia es normalmente inferior a la

que se obtiene con las configuraciones Emisor Común y Base Común.
Esta configuración se utiliza principalmente como adaptador de impedancias, puesto que su

impedancia de entrada es mucho más alta que su impedancia de salida. También se le
denomina "buffer" por esta misma razón, y se usa en los circuitos digitales con las puertas
básicas.
Como se mencionó antes, la ganancia de tensión de un seguidor emisor es exactamente un

poco menos de uno, puesto que la tensión de emisor está limitada a la caída del diodo de
alrededor de 0,6V o 0,7V por debajo de la base.
Su función no es la ganancia de tensión, sino la ganancia de corriente o potencia, y la

adaptación de impedancias. Debido a que su impedancia de entrada es mucho más alta que su
impedancia de salida, de modo que una fuente excitadora de señal no vería afectada la
impedancia de carga propia. Esto puede verse en el hecho de que la corriente de base es del
orden de 100 veces menos que la corriente de emisor. La baja impedancia de salida del
Colector Común o Seguidor Emisor se adapta con una carga de baja impedancia y amortigua la
fuente de señal.
ELECTRONICA 1
Demostración de las características de un Colector Común:
El amplificador de Colector Común produce una tensión de salida a través de su carga de

emisor (RE) que está en fase con la señal de entrada.
El amplificador de Colector Común es otro tipo de transistor de unión bipolar, configuración

(BJT) donde la señal de entrada se aplica al terminal base y la señal de salida es tomada del
terminal emisor. Por lo tanto, el terminal del colector es común a los circuitos de entrada y
salida. Este tipo de configuración se llama Colector Común (CC) porque el terminal del colector
está efectivamente «conectado a tierra» a través de la fuente de alimentación.
En muchos aspectos, la configuración del Colector Común (CC) es el opuesto de la

configuración de emisor común (CE), como la resistencia de carga conectada se mueve desde el
terminal de colector RC, a la terminal de emisor donde es RE.
La configuración de Colector Común se utiliza generalmente cuando se necesita conectar una

fuente de entrada de alta impedancia a una carga de salida de baja impedancia que requiere
una alta ganancia de corriente. Considere el circuito amplificador Colector Común a
continuación:
Las resistencias R1 y R2 forman un divisor resistivo o de tensión que se utiliza para polarizar el
transistor NPN en la zona de conducción o activa. Dado que este divisor de tensión carga
ligeramente el transistor, la tensión de base (VB), se puede calcular fácilmente usando la
fórmula simple del divisor de tensión como se muestra:
ELECTRONICA 1
Con el terminal colector del transistor conectado directamente a VCC y sin resistencia de
colector (RC = 0) cualquier corriente de colector genera una caída de tensión en la resistencia
del emisor RE.
Sin embargo, en el circuito amplificador de Colector Común, la misma caída de tensión (VE)
también representa la tensión de salida, VOUT.
Idealmente, querríamos que la caída de tensión de CC en RE sea igual a la mitad del voltaje de
alimentación (VCC) para que la tensión de salida en reposo de los transistores se ubique en
algún lugar en el medio de las curvas de características, lo que permite una señal de salida
máxima sin recortar. Por tanto, la elección de RE depende en gran medida de IB y de la
ganancia de corriente de los transistores Beta (β) o Hfe.
Como la unión PN base-emisor está polarizada en directa, la corriente de base fluye a través de
la unión hacia el emisor y fomenta la acción del transistor, lo que provoca una corriente de
colector mucho mayor. Por lo tanto, la corriente de emisor es una combinación de corriente de
base y la corriente de colector como: IE = IB + IC. Sin embargo, como la corriente de base es
extremadamente pequeña en comparación con la corriente del colector, la corriente del emisor
es aproximadamente igual a la corriente del colector.
Al igual que con la configuración del amplificador de Emisor Común (EC), la señal de entrada se
aplica al terminal base de los transistores y, como dijimos anteriormente, la señal de salida del
amplificador se toma del terminal del emisor. Sin embargo, como solo hay una unión
polarizada en directa entre la base de los transistores y su terminal emisor, cualquier señal de
entrada aplicada a la base pasa directamente a través de la unión al emisor. Por lo tanto, la
señal de salida presente en el emisor está en fase con la señal de entrada aplicada en la base.
Como la señal de salida de los amplificadores se toma de la carga del emisor, este tipo de
configuración de transistor también se conoce como circuito seguidor de emisor, ya que la
salida del emisor «sigue» cualquier cambio de tensión en la señal de entrada base, excepto que
permanece en aproximadamente 0,7V por debajo de la tensión de base (VBE). Por lo tanto, la
VIN y VOUT están en fase produciendo una diferencia de fase cero entre las señales de entrada
y salida.
Habiendo dicho eso, la unión PN del emisor actúa efectivamente como un diodo polarizado en
directa y para pequeñas señales de entrada de CA, esta unión de diodo emisor tiene una
resistencia dada por: r ‘e = 25mV / IE donde 25mV es el voltaje térmico de la unión a
temperatura ambiente (25 °C) y IE es la corriente del emisor. Entonces, a medida que aumenta
la corriente del emisor, la resistencia del emisor disminuye en una cantidad proporcional.
La corriente de base que fluye a través de esta resistencia interna unión base-emisor también
fluye hacia fuera y a través de la resistencia de emisor (RE) conectada externamente. Estas dos
resistencias están conectadas en serie, actuando así como una red divisoria de potencial
creando una caída de tensión.
Dado que el valor de r‘e es muy pequeño y RE es mucho mayor, generalmente en el rango de
los KΩ, la magnitud de la tensión de salida de los amplificadores es por lo tanto menor que su
tensión de entrada.
Sin embargo, en realidad, la magnitud de la tensión de salida (pico a pico) generalmente se

encuentra en el valor del 98 al 99% de la tensión de entrada, que es lo suficientemente cercano
en la mayoría de los casos para ser considerado como ganancia unitaria.
ELECTRONICA 1
Podemos calcular la ganancia de tensión (AV) del amplificador de Colector Común usando la
fórmula del divisor de tensión como se muestra, asumiendo que la tensión de base (VB), es en
realidad la tensión de entrada (VIN).
Ganancia de tensión del amplificador de Colector Común
Por lo tanto, el amplificador de Colector Común no puede proporcionar amplificación de

tensión y otra expresión utilizada para describir el circuito amplificador de colector común es
como un circuito Seguidor de tensión por razones obvias. Por lo tanto, dado que la señal de
salida sigue de cerca a la entrada y está en fase con la entrada, el circuito colector común es,
por lo tanto, un amplificador de ganancia de tensión unitaria NO INVERSOR.
Impedancia de entrada del colector común:
Aunque el amplificador colector común no es muy bueno para ser un amplificador de tensión,
porque como hemos visto, su pequeña ganancia de tensión de señal es aproximadamente igual
a uno (AV ≅ 1), sin embargo, es un muy buen circuito de búfer de tensión debido a su alta
impedancia de entrada (ZIN) y baja impedancia de salidas (ZOUT), que proporcionan
aislamiento entre una fuente de señal de entrada y una impedancia de carga.
Otra característica útil del amplificador Colector Común es que proporciona una ganancia de
corriente (Ai) siempre que esté conduciendo. Es decir que puede pasar una gran cantidad de
corriente que fluye desde el colector al emisor, en respuesta a un pequeño cambio en su
corriente de base. Recuerde que esta corriente sólo ve RE ya que no hay RC. Entonces, la
corriente es simplemente: VCC/ RE, que puede ser grande si RE es pequeña.
Considere la configuración básica del amplificador de Colector Común o del seguidor de emisor
a continuación:
ELECTRONICA 1
Para el análisis del circuito de Corriente Alterna (CA), los capacitores están en corto y VCC está
en corto (impedancia cero). Por lo tanto, el circuito equivalente se da como se muestra con las
corrientes de polarización y los voltajes dados como:
La impedancia de entrada, ZIN de la configuración del Colector Común que mira hacia la base
se da como:
Pero como Beta (β) es generalmente mucho mayor que 1 (generalmente por encima de 100), la
expresión de: β + 1 se puede reducir a solo Beta (β) como multiplicación por 100 es
prácticamente lo mismo que multiplicar por 101. Por lo tanto:
Impedancia de base del amplificador de Colector Común
Donde: β es la ganancia de corriente de los transistores, Re es la resistencia equivalente del

emisor y r ‘e es la resistencia de CA del emisor- diodo base. Tenga en cuenta que dado que el
valor combinado de Re es generalmente mucho mayor que la resistencia equivalente de los
diodos, r ‘e (KΩ en comparación con unos pocos Ω), la impedancia de base de los transistores
se puede dar simplemente como: β * Re.
ELECTRONICA 1
Un punto interesante para notar aquí es que la impedancia base de entrada de los transistores,
ZIN (base) puede ser controlada por el valor de la resistencia de la pata del emisor (RE) o la
resistencia de carga (RL), ya que están conectadas en paralelo.
Si bien la ecuación anterior nos da la impedancia de entrada mirando hacia la base del
transistor, no nos da la verdadera impedancia de entrada que vería la fuente o generador de
señal mirando hacia el circuito amplificador completo. Para eso, debemos considerar las dos
resistencias que forman la red de polarización del divisor de tensión. Por lo tanto:
Impedancia de entrada del amplificador de colector común
Impedancia de salida del colector común
Para determinar la impedancia de salida (ZOUT) de amplificadores CC vista desde la carga hacia
el terminal emisor del amplificador, primero debemos quitar la carga ya que queremos ver la
resistencia efectiva del amplificador que está impulsando la carga. Por lo tanto, el circuito
equivalente de corriente alterna que se vería desde la carga seria:
Desde arriba, la impedancia de entrada del circuito base se da como: RB = R1|| R2. La ganancia
de corriente del transistor se da como β. Por lo tanto, la ecuación de salida se da como:
Podemos ver entonces que la resistencia del emisor, RE, está efectivamente en paralelo con
toda la impedancia del transistor mirando hacia atrás desde su terminal emisor.
Si calculamos la impedancia de salida de nuestro circuito amplificador de Emisor Común

usando los valores de los componentes de arriba, daría una impedancia de salida ZOUT de
menos de 50Ω que es mucho más pequeña que la impedancia de entrada más alta ZIN (BASE)
calculado previamente.
ELECTRONICA 1
Por lo tanto, podemos ver que la configuración del amplificador de Colector Común tiene, a
partir del cálculo, una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida muy baja, lo
que le permite conducir una carga de baja impedancia. De hecho, debido a que los
amplificadores Colector Común tienen una impedancia de entrada relativamente alta y una
impedancia de salida muy baja, se usa comúnmente como un amplificador de búfer de
ganancia unitaria.
Habiendo determinado que la impedancia de salida (ZOUT) de nuestro amplificador del

ejemplo anterior es aproximadamente 50Ω por cálculo, si ahora conectamos la resistencia de
carga de 10kΩ nuevamente al circuito, la impedancia de salida considerando la carga RL será:
Aunque la resistencia de carga es de 10KΩ, la salida equivalente la resistencia sigue siendo baja
en 49,3 Ω. Esto se debe a que RL es grande en comparación con ZOUT, por lo que, para una
transferencia de potencia máxima, la RL debe ser igual a ZOUT. Como la ganancia de tensión
del amplificador de Colector Común se considera la unidad (1), la ganancia de potencia de los
amplificadores debe ser igual a su ganancia de corriente, ya que P = V * I.
Dado que la ganancia de corriente del Colector Común se define como la relación entre la
corriente del emisor y la corriente de base, γ = IE/ IB = β + 1, se deduce que la ganancia de
corriente de los amplificadores debe ser aproximadamente igual a Beta (β) como β + 1 es
prácticamente lo mismo que Beta.
Resumen del amplificador de COLECTOR COMUN
Hemos visto que el amplificador de colector común recibe su nombre debido a que el terminal
del colector del BJT es común tanto para la entrada como para la salida, ya que no hay
resistencia de colector RC.
La ganancia de tensión del amplificador colector común es aproximadamente igual a la unidad

(Av ≅ 1) y que su ganancia de corriente (Ai) es aproximadamente igual a Beta (Ai≅β) que
dependiendo del valor de los transistores particulares valor Beta puede ser alta.
También hemos visto a través del cálculo, que la impedancia de entrada (ZIN) es alta mientras
que su impedancia de salida (ZOUT) es baja, lo que la hace útil para fines de adaptación de
impedancia (o adaptación de resistencia) o como circuito de amortiguación entre una fuente
de tensión y una carga de baja impedancia. A medida que el amplificador de Colector Común
(CC) recibe su señal de entrada a la base con la tensión de salida tomada de la carga del emisor,
la señal de entrada y salida están «en fase» (0° diferencia de fase), por lo que la configuración
del colector común se conoce como seguidor de emisor, ya que la tensión de salida (tensión del
emisor) sigue a la tensión de base de entrada.
Modelo equivalente de un transistor Bipolar
Modelo equivalente para un transistor en configuración Emisor Común

Unidad 4

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Índice

TEMA 12: El BJT en régimen dinámico 12.1

12.1. INTRODUCCIÓN 12.1

12.2. MODELO DE CONTROL DE CARGA 12.3

12.3. EL BJT COMO CONMUTADOR 12.12

12.4. EL BJT COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL. RECTA DE CARGA

12.5. EL BJT COMO CUADRIPOLO. PARÁMETROS HÍBRIDOS. FRECUENCIAS DE

En los dos temas anteriores se ha estudiado el funcionamiento del BJT en

Sin embargo, en la mayor parte de las aplicaciones, el BJT trabaja con

Dentro del grupo de los fenómenos dinámico interesan, fundamentalmente:

• Los regímenes transitorios de establecimiento y corte de la corriente en un

BJT, asociados al funcionamiento del mismo con conmutador.

• El régimen lineal, asociado al funcionamiento del BJT como amplificador

Un estudio general de los procesos dinámicos en un BJT sería posible

12.2.- MODELO DE CONTROL DE CARGA

Para fijar ideas, se considerará un transistor pnp polarizado en el MODO

12.2.1.- Modelo de control de carga en condiciones estacionarias

Supongamos, en principio, que nos encontramos en RÉGIMEN

Por otra parte, en nuestro caso,

Figura 12.1.- Perfil de minoritarios en base para un pnp en el MODO ACTIVO.

Si se define QB como la carga acumulada en base debida al exceso de

Comparando las ecuaciones (12.2) y (12.3), resulta que:

Las ecuaciones (12.6) constituyen las ecuaciones del MODELO DE CONTROL

npn. En tal caso, QB sería carga de electrones almacenados en la base ⇒ QB < 0 ⇒

Debe matizarse que la ecuación (12.4) es una primera aproximación al valor de

12.2.2.- Modelo de control de carga en condiciones dinámicas

Se trata ahora de ampliar las ecuaciones del MODELO DE CONTROL DE

En la Figura 12.2a se han representado dos situaciones estacionarias

instantáneamente su valor, la distribución de carga no puede seguir esta variación ya

Debe señalarse que la hipótesis de régimen dinámico como sucesión de estados

(b) Ejemplo de “variación lenta” (c) Ejemplo de “variación demasiado rápida”

Figura 12.2.- La distribución instantánea de carga en la base, puede considerarse

Admitiendo entonces como válida dicha hipótesis, resulta que

siendo iC la corriente total instantánea de colector y qB la carga total instantánea de

Las ecuaciones (12.8) constituyen las ecuaciones del MODELO DE

Estas ecuaciones se reducen a las ecuaciones (12.6) de RÉGIMEN

- Resaltar el cambio de notación utilizado en condiciones estacionarias y régimen

- Las ecuaciones (12.8) constituyen una representación bastante correcta del

no existen diferencias entre la carga real acumulada en la base y la carga

Posteriormente, se aplicarán las ecuaciones (12.8) al uso del BJT como

Figura 12.3.- Perfil de minoritarios en base para régimen dinámico al objeto de

12.2.3.- Deducción del modelo de control de carga a partir de la representación

Vamos a partir de la representación circuital de las ecuaciones de Ebers-Moll

Figura 12.4.- Representación circuital de las ecuaciones de Ebers-Moll en su versión de

Como puede observarse, el circuito queda reducido a un diodo y un generador de

Figura 12.5.- Comportamiento en dinámica de un transistor pnp en el modo activo de

En este circuito se ha despreciado la capacidad de la unión de emisor, CJ ≅ 0 por

Un razonamiento similar puede hacerse si se parte de la representación circuital

del modelo de Ebers-Moll en su versión transporte y se particulariza ésta al modo activo

12.3.- EL BJT COMO CONMUTADOR

Una de las aplicaciones del transistor bipolar en dinámica es la de actuar en

interruptor; vin es una señal que controla el interruptor.

IBOFF tON t0’ t0’ + tOFF

Figura 12.6.- Funcionamiento de un transistor bipolar trabajando como interruptor.

La tensión de entrada, vin , es un pulso que hace conmutar al transistor desde su

estado OFF → ON y viceversa (CORTE ↔ SATURACIÓN). Sin embargo, la tensión

En el instante t = 0 , la tensión de control pasa a tomar el valor VON . Las

En el instante t = T , la tensión de control vuelve a cambiar bruscamente al valor

recibe el nombre de “tiempo de caída t f ” y el tiempo de conmutación en OFF la

suma de tOFF = ts + t f (el tiempo dominante es el ts ).

12.4.- EL BJT COMO AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL. RECTA DE

Para representar la respuesta en señal, se han desarrollado muchos modelos de

• Por una parte, el modelo relaciona explícitamente los valores de los