UNIVERSIDAD NACIONAL

AUTÓNOMA DE MÉXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS
SUPERIORES ARAGÓN

ALUMNA: BARRERA CORREA YOLANDA MICHEL

INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

GRUPO: 8470

PREVIO PRÁCTICA 9 “AMPLIFICACIONES DEL JFET”

PROFESOR: VILLEGAS JIMENEZ ERNESTO ALONSO

FECHA: 29-ABRIL-2024
Barrera Correa Yolanda Michel Grupo: 8470 Fecha: 29-abril-2024

PREVIO PRÁCTICA 9

“APLICACIONES DEL JFET”

TRABAJO DE CASA

1. Investigar la ecuación general de la ganancia de voltaje Av para un

amplificador.
La ganancia de tensión, corriente y potencia de cualquier amplificador se puede
calcular con facilidad. Para ellos sólo son necesarios tener los valores en sus
entradas y en sus salidas. Estas ganancias se representan como ∆𝑉 ∆𝑖 ∆𝑃 .

GANANCIA DE TENSIÓN(∆𝑉 ).
La ganancia de tensión se obtiene del cociente de la tensión en la salida entre la
tensión de la entrada.
∆𝑉 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 /𝑉𝑒𝑛𝑡

GANANCIA DE CORRIENTE (∆𝑖).

La ganancia de corriente se obtiene del cociente de la corriente de salida del
amplificador entre la corriente en los terminales de entrada.
∆𝑖 = 𝑖𝑠𝑎𝑙 /𝑖𝑒𝑛𝑡

GANANCIA DE POTENCIA (∆𝑃 )

La ganancia de potencia se obtiene del cociente de la potencia entregada en los
terminales de salida y la potencia recibida en los terminales de entrada.
∆𝑃 = 𝑃𝑠𝑎𝑙 /𝑃𝑒𝑛𝑡

2. Investigar la configuración que tiene los transistores usados en la

práctica:

Transistor 2N5462:
o Tipo de Transistor: JFET
o Polaridad del Transistor: Canal P
o Voltaje de Ruptura Vbr: -40 V
o Corriente de Drenaje Idss Mínima: -4 mA (tensión compuerta nula)
o Corriente de Drenaje Idss Máxima: -16 mA (tensión compuerta nula)
o Tensión de Ruptura Compuerta-Fuente Vgs(off) Máxima: 9 V
o Corriente IG(f): -10 mA
o Disipación de Potencia Pd: 350 mW
o Temperatura de Trabajo Mínima: -55 °C
o Temperatura de Trabajo Máxima: 150 °C
o Encapsulado: TO-92 de 3 pines
o Sustituto: NTE326, 2N5460

Transistor 2N5457:
o Tipo de Transistor: JFET Canal N
o Polaridad del Transistor: N
o Voltaje Disruptivo (Vbr): -25 V
o Corriente de Drenaje Idss Mínima a Tensión de Puerta Nula: 1 A
Barrera Correa Yolanda Michel Grupo: 8470 Fecha: 29-abril-2024

o Corriente de Drenaje Idss Máxima: No especificada

o Potencia Máxima: 310 mW
o Temperatura de Trabajo: -65º C a 150º C
o Encapsulado: TO-92

Ambos transistores son JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión), con el

2N5462 siendo de Canal P y el 2N5457 de Canal N.

3. Investigue el valor que se espera tener en un amplificador con el FET en

configuración común.
En un amplificador con FET en configuración común, se espera obtener una
ganancia de voltaje de modo común de cero. Esto significa que el amplificador
debería amplificar únicamente la diferencia de voltaje entre sus dos entradas, sin
amplificar ninguna componente de voltaje común a ambas entradas. En un
amplificador ideal, si las dos entradas se conectan juntas, la salida del
amplificador debería permanecer estable en cero voltios, independientemente del
voltaje aplicado entre esas dos entradas cortocircuitadas y tierra.

La ganancia de modo común cero en un amplificador con FET en configuración

común es esencial para garantizar un buen funcionamiento y precisión en la
amplificación de señales diferenciales sin verse afectado por el ruido o
interferencias que podrían estar presentes en el voltaje común a ambas entradas.

REFERENCIAS
Transistor 2N5457 | ledsemiconductors. (s. f.). Ledsemiconductors.

https://www.ledsemiconductors.com/product-page/transistor-2n5457

Transistor 2N5462 JFET Pequeña señal CH-P 40 V -4 mA. (s. f.). Carrod.

https://www.carrod.mx/products/transistor-2n5462-jfet-pequena-senal

Configuraciones de amplificadores FET y recursos de TINA y TINACloud. (s. f.). TINA And

TINACloud. https://www.tina.com/es/resources/home/field-effect-transistor-amplifiers-2/4-

fet-amplifier-configurations-and-biasing/