UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

“Tarea N° 1 – Electrónica de Po”

Curso: Electrónica de Potencia.

Cod. Curso: EE532.

Sección: P

Profesor: Ing. TISZA CONTRERAS, Juan Francisco.

Alumno: TOMAYRO CHECCLLO, Jose Teófilo

Cod. Alumno: 20192528C

16/09/2023
Pregunta 1.-

Describa las características de un MOS. Explique brevemente cual es el principio de

funcionamiento de estos dispositivos. ¿Como puede aplicar este dispositivo en circuitos de
potencia?

Los MOS de iniciales en inglés “Metal Oxide Semiconductor”, también llamados transistores de
puerta aislada, dependiendo del canal con el que se realicen o la manera de fabricarlos, se
generan diferentes nomenclaturas o derivados, NMOS, PMOS, VMOS o CMOS.

Tanto para los NMOS y PMOS el dispositivo se comporta como un condensador eléctrico. Donde
se distinguen 3 regiones de funcionamiento de acuerdo con el nivel de tensión que se le aplica
en la compuerta G.

Acumulación: Dependiendo del potencial negativo o positivo, se ataren huecos (PMOS) o

electrones (NMOS) creando un campo eléctrico.

Agotamiento: Con una mayor tensión en compuerta los huecos y electrones se recombinan en
el semiconductor.

Inversión: Con mayor tensión de compuerta se consigue la inversión del tipo de dopado del
semiconductor.

Una de las aplicaciones es la de controlar tiristores, un MCT es un tiristor controlado por dos
MOS, esta composición se emplea en la conversión de corriente ac- dc y la conversión de
corriente alterna-alterna.

Pregunta 2.- Que entiende por los siguientes conceptos:

a.-Dispositivos con resistencia negativa.

Al aumentar el voltaje entre los terminales del dispositivo se genera una disminución de la
corriente en lugar de aumentarla.

b.-UJT y PUT ¿Cuál es la diferencia entre estos componentes?

UJT (Transistor uniunión): en su arquitectura consta de dos resistencias RB1 y RB2, las cuales son
internas y no modificables.

PUT (Transistor uniunión programable): Es este caso RB1 y RB2 son externos y modificables, la
corriente Ip es menor que en UJT y la tensión mínima para operar es menor. Estos cuentan con
1 capa más de material semiconductor PNPN o NPNP

c.-SCR

Rectificador Controlado por Silicio, también llamado diodo de 4 capas o tiristor se emplea en
dispositivos para el control de alta potencia, convirtiendo corrientes alternas altas en corrientes
continuas.
Pregunta 3.- Bosqueje en un diagrama circuital la forma como está formada una fuente de
tensión regulada de tensión DC. Puede usted indicar ¿cuáles son sus características? Y
aproximadamente determine ¿cuál es el valor de la eficiencia que tiene?

Fuente de tensión regulada de tensión DC.

Este circuito consta de componentes básicos en su mayoría, 1 transformador, distribución de

diodos en forma de puente, capacitores electrolíticos, resistencias y un circuito integrado LM317.
El puente rectificador, convierte la entrada AC en una tensión continua que se filtra con los 2
primeros capacitores, la tensión ingresa al circuito integrado LM317 el cual es el regulador de
tensión junto con las dos resistencias una variable y la otra fija, el CI LM317 entrega una tensión
entre 1.2V – 37V y una corriente de hasta 1.5Amp.

Implementación del circuito en el Software de simulación Proteus.

Las lecturas del Voltímetro de salida DC y las señales en el osciloscopio son las siguientes.

La señal amarilla es la señal de entrada al trasformador, mientras que la señal de salida DC es la

señal azul, la que tiene un valor de 11.3 para un valor del potenciómetro de 10K ohm al 50%.

Pregunta 4.-

El rectificador trifásico mostrado es alimentado con tensión de línea de 380VRMS, 60Hz y tiene
una carga inductiva de 50Ω en serie con 100mH. Halle:

a) La tensión DC en la carga y la corriente DC en cada diodo.

b) La corriente eficaz en cada diodo.
c) La corriente eficaz entregada por la fuente AC.
d) La potencia aparente entregada por la fuente de entrada.
Simulación del circuito en Proteus.

Forma de onda del voltaje en los diodos D1 D2 y D3.

La tensión en la resistencia de carga RL. Se muestra el rizado tendiendo a una señal de tensión
DC.

La tensión de carga inductiva será:

3√3
𝑉𝐿 = 𝑉
𝜋 𝑚
380
Donde: 𝑉𝑚 = ≈ 220
√3
Reemplazando:

3√3 380
𝑉𝐿 = ≈ 362.8 𝑉
𝜋 √3

La corriente por la carga será:

𝑉𝐿 362.8
𝐼𝐿 = = = 5.8∠ − 37°
𝑅𝐿 50 + 𝑗37

La corriente en cada diodo será la tercera parte de la corriente que circula por la carga, así
encontramos la corriente eficaz:

𝐼𝐷 = 1.93