a) INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO

b) “SANTIAGO MARIÑO”
c) EXTENSIÓN PUERTO ORDAZ
d)

CATEDRA: ELECTRONICA DIGITAL

UNIDAD I: DIODO ZENER, TRANSISTORES Y FAMILIAS LÓGICAS DIGITALES
PRUEBA ESCRITA 20%

APELLIDOS: ZOUEIHED NAIN

NOMBRES: NUR ANGELA
CI: 29.520.735

1. Definir que un diodo zener e identificar sus características eléctricas.

Es un tipo de diodo que además de permitir que la corriente fluya en una dirección
(polarización directa), también permite que la corriente fluya en dirección inversa
cuando se aplica un voltaje por encima del Voltaje de Zener.
Cuando la corriente a través del diodo zener cambie, el voltaje de salida permanece
relativamente constante, es decir la variación de ΔIz y ΔVz. Los diodos Zener se
pueden polarizar directamente y comportarse como un diodo norma en donde su
voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
2. Explicar Diodo zener con su simbología, estructura interna,
características, tipo de material y la aplicación en fuentes de alimentación
en DC. ( corriente continua).
 Estructura interna.

El diodo zener viene caracterizado por:

 Tensión Zener Vz.

 Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: ±5%)

 Máxima corriente Zener en polarización inversa Iz.

 Máxima potencia disipada.

 Máxima temperatura de operación del zener.

Aplicación en las fuentes de alimentación:

Los diodos Zener están diseñados para mantener un voltaje fijo a través del diodo
cuando se polariza inversamente. Esta capacidad se utiliza para proporcionar voltajes
de referencia conocidos, una operación importante en las fuentes de alimentación.
 3. Identificar las características eléctricas de los transistores BJT y JFET.

BJT

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal.

JFET

 Unipolar - En el transistor de efecto de campo, la conducción se

realiza mediante un agujero o un electrón.
 Impedancia de entrada alta - el transistor de efecto de campo
tiene una alta impedancia de entrada ya que la corriente de
entrada en FET ha volado solo debido a la polarización inversa.
 mpedancia de salida - La impedancia de salida de FET es muy
pequeña

4. Definir y explicar las diferencias entre los transistores bipolares y

los deefecto de campo.

 En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que

el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados por tensión.

 A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo

controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de
polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de
tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente.
 5. Nombre las ventajas y desventajas de usar transistores BJT Y JFET
elabore una tabla de comparación.

6. Diseñar las curvas características de los transistores BJT: bipolares,

JFETtipo PNP, efecto de campo (FET), (JFET) y MOSFET.

BJT

JFET (fet)
JFET PNP

MOSFET
7. Nombrar y explicar las familias lógicas digitales, elaborar su clasificación
de acuerdo a las familias, características y diferencias.
Los circuitos integrados se clasifican en dos categorías generales:
 Lineales
Operan con señales continuas para producir funciones electrónicas
(eje. Amplificadores, moduladores)
 Digitales
Operan con señales binarias y se hacen compuertas digitales
interconectada