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PRÁCTICA DE LABORATORIO No 2:
POLARIZACION DEL JFET
Larkin Jesús Martínez Vergara,
Andrés David Bettin Franco,
Camilo Andrés Salgado De Alba

Resumen - Este informe incluye una descripción detallada de un al aumentar la capa de agotamiento y podría colocar el
laboratorio de circuitos utilizados para probar la polarización del JEFT, JFET en la región de corte.
que se denomina como interruptor controlado donde su enfoque está en
la electrónica analógica, además se analizaron los datos obtenidos
usando diferentes dispositivos, como transistores y leds, que permiten II. PROCEDIMIENTO
sondear el funcionamiento del voltaje que es controlado por el JFET,
permitiendo así el funcionamiento de los componentes del circuito A. MATERIALES
destinados para controlar la corriente de salida que pueden ser  Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.
realizados por el método de control por medio de la aplicación de voltaje
por polarización inversa con el que se pudieron analizar los resultados.
 Un transistor 2N3904
 Un JFET K373
Palabras claves: JFET,circuitos,electrónica, interruptor.  Un LED de color (verde, rojo o amarillo)
 Resistores ½ W: de 270Ω , 470Ω, 33KΩ, 4.7KΩ,
Abstract - This report includes a detailed description of 100KΩ, 1.8KΩ, 2KΩ, 1MΩ.
a circuit laboratory used to test the polarization of the  Potenciómetro de 10KΩ.
JEFT, which is called as a controlled switch where its focus
is on analog electronics, also analyzed the data obtained B. CONOCIMIENTOS NECESARIOS
using different devices, such as transistors and leds, which  En los transistores bipolares, una pequeña
allow probing the operation of the voltage that is controlled corriente de entrada (corriente de base)
by the JFET, thus allowing the operation of the circuit controla la corriente de salida (corriente de
components intended to control the output current that can colector); en los casos de los FET, es un
be performed by the control method by applying voltage by pequeño voltaje de entrada que controla la
reverse polarization with which the results could be corriente de salida.
analyzed.

Keywords: JFET, circuits, electronics, switches  La corriente que circula en la entrada es

generalmente despreciable (menos de un pico
I. INTRODUCCION amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la
señal proviene de un dispositivo tal como un

E ste laboratorio se dispuso de distintos materiales ,

micrófono de condensador o un transductor
piezo eléctrico, los cuales proporcionan
principalmente protoboard y cables de conexión corrientes insignificantes
(puentes ) , de los cuales se tuvo la intención de formar
cuatro circuitos a partir de la guía previamente obtenidas  Los FET’s, básicamente son de dos tipos:
para mayor disposición y enfoque en el funcionamiento
requerido para determinar los valores de modo que se  El transistor de efecto de campo de
examinó las distintas aplicaciones del JFET tales como que Juntura o JFET.
este controla a partir de un voltaje en su entrada la
corriente de salida; donde el control de esta corriente se
efectúa por medio de un voltaje en aplicación inversa;  El transistor de efecto de campo
para que a través de una compuerta se forma un campo con compuerta aislada o IGFET,
eléctrico y establecer las características de su también conocido como
funcionamiento. Cuando no hay voltaje a través de la semiconductor de óxido de metal,
puerta y la fuente, el canal se convierte en un camino MOS, o simplemente MOSFET
suave que está abierto para que fluyan los electrones.
Pero lo inverso sucede cuando se aplica un voltaje entre la
puerta y la fuente en polaridad inversa, lo que hace que la
unión P-N se desvíe y hace que el canal sea más estrecho
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C. MEDICION DE IDSS Y VP
IDSS = 5 mA
1. Arme el circuito mostrado en la Fig. 1A, coloque un
amperímetro entre el circuito y la fuente de voltaje,
VP = - 1.85 V
encienda esta y observe tanto el amperímetro como el
LED, si no pasa corriente (LED apagado), apague la D. POLARIZACION FIJA
fuente e invierta las conexiones del LED. (Verifique la
1. Arme el siguiente circuito, ubique en forma
posición del LED).
adecuada los instrumentos tal que pueda
medir ID y VGS; encienda las fuentes y anote
los valores de ID y VGS así también VDS.
De ser posible cambie el transistor con otra
mesa y anote las nuevas medidas.

MAGNITUD VALOR MEDIDO

VDS 8V
VGS 0V
VGD 8V
IS 5mA
ID 5.5mA
IG 0mA

VALORES TEORICOS CALCULADOS

2. SCR Arme y conecte el divisor de voltaje de la Fig.
1B y conecte el terminal central a la compuerta Sabemos que IG = 0, además:
(retirarla previamente del nivel de referencia),
gire el potenciómetro y observe la corriente, con
el voltímetro mida la tensión VGS en el momento
el que ID se hace

Tenemos además que ID = IS

VDS = 10V – (RD)(ID)

VDS = 10V – (2K) (1.93mA)

MAGNITUD VALOR MEDIDO VDS = 6.13 V

VDS 7.37V
VGS 0.027V VGS = -VGG = -0.7V
VGD 7.58V
IS 1.54mA
VGD = VD – VG = 6.13V – (-0.7V) = 6.83V
ID 1.5mA
IG 0mA
De donde deducimos que :
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VGS = 2.48 V – ID(1.5K)

MAGNITUD VALOR VALOR
Cuando ID = 0 mA, entonces VGS = +2.48V
MEDIDO CALCULADO
VDS 6.71V 6.13V Cuando VGS = 0 V entones ID = 1.6 mA
VGS -0.01V -0.7V
VGD 4.678V 6.83V Estos dos datos nos permiten graficar y mediante la
IS 0.35mA 1.93mA superposición de gráficas se obtienen los siguientes datos:
ID 0.36mA 1.93mA IDQ = 2.1 mA
IG 0mA 0mA VGSQ = - 0.7 V
Tenemos además que ID = IS
VDS = 10V – (ID) (RD+ RS)
VDS = 10V – (2.1 mA) (270+1500)
VDS = 6.28 V
E. . POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION VD = 10V – (2.1 mA) (270)
VD = 9.43 V
1. Se construyó el circuito mostrado y se realizo las VG = 2.48V
medidas de ID así como las tensiones en los VGD = VD – VG = 9.43 V – 2.48 = 6.95 V
diferentes nudos y puntos del circuito. F. POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE

1. Arme el circuito mostrado y realice las medidas

de ID, IC y las tensiones entre terminales de los
dispositivos (JFET Y BJT) así como en los demás
puntos del circuito

MAGNITUD VALOR VALOR

MEDIDO CALCULADO
VDS 7.19 V 6.28 V
VGS 0.036 V - 0.7 V
VGD 7.20 V 6.95 V
IS 1.68 mA 2.1 mA
ID 1.68 m A 2.1 mA
IG 0 mA 0 mA MAGNITUD VALOR VALOR
MEDIDO CALCULADO
VALORES TEORICOS CALCULADOS VDS 9.19 V 6.28 V
VGS -0.11 V - 0.7 V
VG = (R2.VDD)/ (R1 +R2) VGD 2.97 V 6.95 V
VG = (33K x 10V)/ (100K +33K) IS 2.04 mA 2.1 mA
VG = 2.48 V ID 2.03 m A 2.1 mA
IG 0 mA 0 mA
Sabemos que VGS = VG – ID.RS
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VALORES TEORICOS CALCULADOS

VE = -10V - (-0.7V)
VE = - 9.3 V
Luego IE = (9.3V)/(4.7K)
IE = 1.97 mA
Además: IE = IC = ID = IS
Usando el valor de ID = 1.97 mA, se puede
determinar el valor VGS mediante la gráfica
mostrada en papel milimetrado.
VGS = - 0.80 V
VC = VB – VGS = 0 V –(-0.80V)
VC = 0.8 V
VDS = 10V – (ID) (RD) - VC
VDS = 10V – (1.97 mA) (470) – 0.8 V
VDS = 8.27 V
VGD = VD – VG = 9 V – 0 V = 9 V

III. EVIDENCIAS
Durante el proceso se hizo de una evidencia en forma de
firma para comprobar que el laboratorio se hizo de
forma pertinente y autorizada.

IX. CONCLUSIÓN
En conclusión , el ensamble de estos circuitos permitio verificar
el funcionamiento de un JFET que al ser un dispositivo
controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente
de polarización ,en otras palabras,la carga eléctrica fluye a
través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla
entre el drenaje y la fuente por lo que al entender su
funcionamiento se pudo experimentar circuitos de polarización
del JFET y poder comprobar su datos medidos con respecto a los
valeres cálculados para verificar el correcto funcionamiento del
circuito a comparar.

REFERENCES
[1] Thomas L. Floyd; Dispositivos Electrónicos; Limusa. Unidades 1, 2
y 3.
[2] Thimothy J. Maloney; Electrónica Industrial; Prentice Hall.
Unidades 4 y 5.
[3] Robert L. Boylestad; Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos; Pearson Education.
[4] Albert Paul Malvino; Principios de Electronica; Mc Graw-Hill.