4𝐻𝐻𝑒 + 2𝑒+ + 2𝑣 + 26,2𝑀𝑒

𝑉
3,85 ∗ 1026 𝑊
175.945 𝑇𝑊
𝐸 = 𝑚𝑐2
4,19 ∗ 10−12 𝐽
1,5 ∗
1011 𝑚
𝐺𝑐 = 1.367 𝑊/𝑚2
 360𝑛
𝐺𝑜(𝑛) = 𝑊
1 + 0,034 𝑐𝑜𝑠 365,25
𝐺𝑐 𝑚2
𝐺𝑜 𝑛 = 𝐺𝑜 𝑛 න sin ℎ(𝑡) 𝑑𝑡
𝑑í𝑎
 𝜆 = 𝑐/𝑓 𝐸 = ℎ𝑓
𝜆: 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒 𝑜𝑛𝑑𝑎 ℎ: 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑃𝑙𝑎𝑛𝑘;
𝑓: 𝑓𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 ℎ = 6,6256 ∗ 10−34 𝐽𝑠
𝑐: 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑙𝑢𝑧
𝑐 = 3·108 m/s
 << 

<  < 
 Pequeña escala
Gran escala
Traslación alrededor
del Sol
Arrastre de la galaxia
Rotación eje polar terrestre

Sistema solar Precesión

Nutación
𝜃 = 23,5° = 23°27′
 
 ° °
°

360
𝛿 = 23,45 𝑠𝑒𝑛 284 + 𝑛
365

°
 

𝛼 + 𝑧 = 90°


 α
ω
ω
cos 𝑧 = sin  = cos 90 − 𝛿 cos 90 − 𝐿 + sin 90 − 𝛿 sin 90 − 𝐿 cos 𝜔

cos 𝑧 = sin  = sin 𝛿 sin 𝐿 + cos 𝛿 cos 𝐿 cos 𝜔 (𝐴)

𝐺𝑜𝐴ℎ = 𝐺𝑜 cos 𝑧 (𝐵)
cos 𝑧 = sin  = sin 𝛿 sin 𝐿 + cos 𝛿 cos 𝐿 cos 𝜔
𝐺𝐴𝑡 = 𝐺𝑜𝐴𝑛 = 𝐺𝑜𝑛 cos 𝑖
°
>
Silicio cristalino Silicio policristalino Silicio en cinta

Silicio amorfo Película delgada CIGS (cobre, indio,

germanio, selenio)
 TdCa GaAs Celda teñida

Celda orgánica Multijuntura Multijuntura

±
±
±
±
±
±
±
±
±
51
 𝑞𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝑇 − 1(𝑎)
𝐼𝑜: 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑎𝑣𝑎𝑙𝑎𝑛𝑐ℎ𝑎
𝑉𝐷 : 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝐼𝑆𝐶 : 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝐾𝑇
𝐼𝐷: 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑉𝑇: 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑙 𝑡é𝑟𝑚𝑖𝑐𝑜 =
× 𝑞
𝐼: 𝑟𝑒𝑠𝑢𝑙𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝐼𝑆𝐶 𝑦 𝐼𝐷
×
Ejercicio
Figura 27. Circuito equivalente de una celda fotovoltaica

A 25°C con una corriente de saturación

de 10-9A. Halle el voltaje en el diodo
para las tres situaciones siguientes:
VD a. Voltaje de circuito abierto
b. 1 A
c. 10 A

a. Vd= 0 V
b. Vd= 0,532 V
c. Vd= 0,592 V

53
 𝑞𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝑇 −1

𝑞𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 𝑒 𝐴𝐾𝑇 −1
𝐼𝑆𝐶 : 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑟𝑒𝑝𝑟𝑒𝑠𝑒𝑛𝑡𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑙𝑎 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑠𝑜𝑙𝑎𝑟
𝐼𝐷: 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝐼: 𝑟𝑒𝑠𝑢𝑙𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝐼𝑆 𝑦 𝐼𝐷
 𝑞𝑉𝐷 𝐼 = 𝐼𝑆𝐶 − 𝐼𝐷 (𝑏)
𝐼 = 𝐼𝑆𝐶 − 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝑇 − 1 (𝑐)

𝑉𝑂𝐶 𝑘𝑇 𝐼𝑆𝐶 + 1
= ln 𝐼𝑜 (𝑑)
𝑞
𝐷𝑒𝑐¿ 𝑄𝑢é 𝑝𝑜𝑑𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑝𝑟𝑒𝑡𝑎𝑟?
− 𝑞𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑆𝐶 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝑇 − 1 (𝑐)
𝐾𝑇 𝐼𝑆𝐶
𝑉𝑜𝑐 =𝑞𝐿𝑛 + 1(𝑑)
𝐼𝑜
°
 


 𝑅𝑆 ≅ 0

𝑃 = 𝑉𝐼 = 𝑉 𝐼𝑆𝐶 − 𝐼𝑜 𝑞𝑉 ℎ
𝑒𝐾𝑇 − 1

𝑑 𝑉𝐼 = 𝑉𝑑𝐼 + 𝐼𝑑𝑉 = 0; 𝑑𝐼 𝐼𝑀𝑃

𝑑𝑉 = −𝑉𝑀𝑃
𝑀
𝑃

63
 𝑞𝑉𝑀𝑃 𝐼𝑀𝑃 = 𝐼𝑆𝐶 1 − 𝑎−𝑏
𝐼𝑀𝑃 = 𝐼𝑆𝐶 − 𝐼𝑜 𝑒𝐾𝑇 −1 𝑙𝑛𝑎
𝑉𝑀𝑃 = 𝑉𝑂𝐶 1−
𝑎

𝐼𝑆𝐶
𝑎 = 1 + 𝑙𝑛
𝐼𝑜
𝑎
𝑏=
𝑎+1
𝑃𝑀𝑎 𝑃𝑀𝑎𝑥
𝑥 = 𝑉𝑀𝑃 𝐼𝑀𝑃

𝑉𝑀𝑃𝐼𝑀𝑃 < 𝑉𝑂𝐶 𝐼𝑆𝐶

𝑉𝑀𝑃𝐼𝑀𝑃
𝐹𝐹 =
𝑉𝑂𝐶 𝐼𝑆𝐶

𝑃
=
𝐺 𝑜𝐴
𝑃 = 𝑉𝐼 = 0,5 ∗ 3 = 1,5𝑊
2
𝑃1,5𝑊 ∗ 100𝑐𝑚
= = 0,15 ó 15%
𝐺=
𝑜𝐴 10𝑊 ∗ 100𝑐𝑚2
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼 𝐷 𝑉
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝐷 −
�𝑃
𝑅𝑃 100𝑉𝑂𝐶
> 𝐼𝑆𝐶
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝐷 (𝐴)
𝑞𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝑜 𝑒𝐾𝑇 −1 𝐵

𝑉𝐷 = 𝑉 + 𝐼𝑅𝑆 (𝐶)

𝐶 𝑒𝑛 (𝐵)
𝑞 𝑉+𝐼𝑅𝑆
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝑇 −1 𝐵
𝑅𝑆 0,01𝑉𝑂𝐶
< 𝐼𝑆𝐶
 𝐼= 𝑉𝑅𝑃
𝐼𝑆 − 𝐼𝐷 − 𝑅 (𝐴)
𝑃

𝑉𝑅𝑃 = 𝑉 + 𝐼𝑅𝑆 (𝐵)

𝐵 𝑒𝑛 (𝐴)

𝑉 + 𝐼𝑅𝑆
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝐷 − (𝐶)
𝑅𝑃

𝑞 𝑉+𝐼𝑅𝑆 𝑉 + 𝐼𝑅𝑆
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝑜 𝑒 𝐾𝑇 −1 − (𝐷)
𝑅𝑃
 °

𝑉 + 𝐼𝑅𝑆
𝐼 = 𝐼𝑆 − 𝑒38,9 𝑉+𝐼𝑅𝑆
−1 − @ 25°𝐶
𝑅𝑃
𝐼𝑜
 Ω Ω Ω
Ω Ω Ω
4,5

3,5
Ω
Ω Ω
3
Ω
RS=0,06Ω RP= 0,7 Ω
2,5

1,5

0,5

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
𝑉𝑚ó𝑑𝑢𝑙𝑜 = 𝑛 𝑉𝐷 − 𝐼𝑅𝑆
𝑇𝑐𝑒𝑙𝑙 = 𝑇𝑎𝑚𝑏 + 𝑁𝑂𝐶𝑇 − 20°
𝑆
0,8
𝑁𝑂𝐶𝑇: 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎 @20°𝐶,
0,8 𝑘𝑊Τ𝑚2 𝑦 𝑣𝑒𝑙. 𝑣𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 1 𝑚Τ𝑠 .
Concentrador
Receptor
𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎 = ó𝑝𝑡𝑖𝑐𝑎 ∗ 𝑟𝑒𝑐𝑒𝑝𝑡𝑜𝑟 ∗ 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒 ∗ 𝑎𝑙𝑚𝑎𝑐𝑒𝑛𝑎𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜 ∗ 𝑐𝑜𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑖ó𝑛







°

°

°
°


°
 Eurelios Sunshine IEA-CRS Solar One Solar Two CESA 1 Themis MSEE SES 5 Weizmann
(Italy) (Japan) (Spain) (USA) (USA) (Spain) (France) (USA) (CIS-USSR) (Israel)
Turbina 1 MWe 1 MWe 0,5 MWe 10 MWe 10 MWe 1,2 MWe 2,5 MWe 0,75 MWe - 0,5 MWe
Potencia térmica - 5,95 Mwt 7,7 Mwt 43,4 Mwt 56 Mwt 7,7 Mwt 8,9 Mwt 5,5 Mwt 5 Mwt
Irradiancia (W/m ) 2
850 750 7920 950 950 700 1040 1000 800
2
Área reflector (m ) 6260 12912 3655 71095 81344 11880 10740 7845 40584 3500
Área del campo (ha) 3,5 2 2 29,1 35 7,7 2 - - -
Altura del receptor (m) 55 69 43 80 80 60 106 61 80 80
Receptor Cavidad Cono/ Cavidad Cilindro Cilindro Cavidad Cavidad Cavidad Externo Cavidad
Cavidad externo externo
HTF Agua/ Agua/ Sodio Agua/ Sal fundida Agua/ Sal fundida Sal fundida Agua/ Aire
Vapor Vapor Vapor Vapor Vapor
Capacidad de 0,036 MWhth 107MWhth
almacenamiento
Calor para proveer 3MWhe 1MWhe 28MWhe 3,5MWhe 12,5MWhe 2,5MWhe 1,5MWhe
Período de servicio 1980-1981 1981-1985 1982-1988 1996-1999 1983-1984 1983-1984 1983-1986 1984-1985 1985- 2001-


°


° °








