Universidad de Santiago de Chile

Facultad de Ingenierı́a
Departamento de Ingenierı́a Mecánica

15166, 15240 - Electrotecnia y Electrónica

Transistores

Dr. José Luis Pascal1

1 jose.pascal@usach.cl

Santiago – Chile

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 Temario

1. Transistor BJT

2. Regiones de operación

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 Transistor BJT
El transistor es un componente activo que puede amplificar una
señal, es decir, producir una señal de salida de mayor potencia que
su señal de entrada.
El transistor BJT (Bipolar Junction Transistor ) es un semicondutor
construido con tres regiones dopadas y tres terminales.

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Transistor BJT

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 Transistor BJT
Los transistores npn o pnp no difieren en términos de su capacidad
para amplificar potencia, voltaje o corriente.
Sin embargo, cada tipo requiere diferentes polaridades para su
operación.
Por ejemplo, en un transistor npn el voltaje colector-emisor (CE)
debe ser positivo, mientras que en el transistor pnp el voltaje CE
debe ser negativo.
En un transistor BJT existe la relación: IE = IB + IC
Usualmente, IB es muy pequeña.
Por ejemplo, IB = 20mA e IC = 1, 48A, entonces
IE = 20mA + 1, 48A = 1, 5A

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Transistor BJT

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 Transistor BJT

Un parámetro caracterı́stico que define qué tan cercanos con IE e

IC es denominado α, usualmente de valor 0,99 o mayor.

IC
α=
IE
La ganancia de corriente en un transistor se denomina β o hf e :

IC
β=
IB

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 Regiones de operación

La corriente de colector IC es controlada únicamente por la

corriente de base IB .
Además, en un transistor VCE = VCB + VBE
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 Regiones de operación

Existen diferentes regiones de operación en un transistor:

• Región de saturación
• Región de corte
• Región activa

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 Regiones de operación

Región de saturación:
• Cuando la tensión VCE se incrementa de cero, la corriente IC
también incrementa.
• Cuando un transistor se encuentra saturado, la corriente IC , ya
no es controlada únicamente por la corriente de base IB .
Región de corte:
• Cuando la corriente IB = 0 entonces IC = 0.
Región activa:
• Es aquella en que las curvas caracterı́sticas del colector son
prácticamente horizontales.
• En esta región de operación IC = β × IB

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 Regiones de operación

Parameter Parameter
T1
sweep sweep
Type=npn SW1 SW2
V1
I1 U=Vce Sim=DC1 Sim=SW1
I=Ib Type=lin Type=lin
Param=Vce Param=Ib
Start=0 Start=0.1m
Stop=4 Stop=0.9m
Points=81 Points=5

Equation
Eqn1
dc simulation Ic=-V1.I
DC1 Beta=Ic/Ib
Beta_vs_Ic=PlotVs(Beta, Ic)

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 Regiones de operación

0.1

0.08

0.06
Ic

0.04 Vce: 0.6

Ib: 0.0005
Ic: 0.05
0.02

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Vce

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 Transistor como interruptor

dc simulation
Ic
DC1 R2
R=50 Ohm
T1
Type=npn
Ib R1 Bf=200
R=4.3k Ohm
V1 V2
U=5 V U=12 V

number Ib.I Ic.I

1 0.000951 0.19

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 Transistor como interruptor
Aplicando LKT:
−Vs + VR + VBE = 0
−Vs + IB × RB + VBE = 0
Vs − VB E
RB =
IB
Usualmente VB E = 0, 7 y IC = hf e × IB
Vs − 0, 7
RB =
IC
hf e

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 Transistor como interruptor

transient
simulation v2
TR1
Type=lin R1 10
Start=0 R=50 Ohm
Stop=1
vin T1 v1

v_load
Type=npn

vin.Vt
R2 Bf=200 5
R=4.3k Ohm
V2 V1
U=5 V U=12 V
TH=1 ms
TL=1 ms 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Equation time
time
Eqn1
v_load=v1.Vt - v2.Vt

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