CAPITULO 12: PROPIEDADES

FISICAS (ELECTRICAS,
MAGNETICAS, OPTICAS Y
TERMICAS)
ING. FELIX GABRIEL ORELLANA SANCHEZ
12.1. MICROELECTRÓNICA
La moderna tecnología de semiconductores ha hecho posible poner miles de
transistores en un “chip” de silicio de aproximadamente 5 mm cuadrados de área
y 0.2 mm de espesor. Esta capacidad de incorporar gran número de elementos
electrónicos en chips de silicio ha incrementado de manera considerable la
capacidad de los sistemas de dispositivos electrónicos
 12.2 PROPIEDADES ELÉCTRICAS DE CERÁMICAS
Los materiales cerámicos se utilizan en muchas aplicaciones eléctricas y electrónicas.
Muchos tipos de cerámicas se emplean en aisladores eléctricos para corrientes
eléctricas de alto y bajo voltaje. Los materiales cerámicos también tienen aplicaciones
en diversos tipos de capacitores, en especial donde se requiere la miniaturización. Otros
tipos de cerámicas denominados piezoeléctricos pueden convertir débiles señales de
presión en señales eléctricas y viceversa.
Antes de discutir las propiedades eléctricas de diversos tipos de materiales cerámicos,
se revisarán de manera breve algunas propiedades básicas de los aislantes o dieléctricos,
como algunas veces se les llama.
 12.2.1 MATERIALES AISLADORES CERÁMICOS

Los materiales cerámicos tienen propiedades eléctricas y mecánicas que los hacen
especialmente adecuados en muchas aplicaciones de aislantes en las industrias
eléctrica y electrónica. Los enlaces iónico y covalente en los materiales cerámicos
restringen la movilidad de electrones y iones, y por ello hacen que estos
materiales sean buenos aislantes eléctricos. Estos enlaces son la causa de que la
mayoría de los materiales cerámicos sean resistentes aunque relativamente
quebradizos. La composición química y la microestructura de las cerámicas de
grado eléctrico o electrónico deben controlarse más que en el caso de las
cerámicas estructurales tales como ladrillos o losetas. Ahora se discutirán algunos
aspectos de la estructura y propiedades de varios materiales cerámicos aislantes.
 PORCELANA ELÉCTRICA

Las porcelanas eléctricas comunes consisten aproximadamente en 50 por ciento

de arcilla (Al2O3· 2SiO2· 2H2O), 25 por ciento de sílice (SiO2), y 25 por ciento
de feldespato (K2O · Al2O3· 6SiO2). Esta composición hace que el material
tenga una buena plasticidad antes de algún procesamiento y un amplio intervalo
de temperatura de ignición a un costo más o menos bajo. La principal desventaja
de un material aislante eléctrico es que tiene un alto factor de pérdida de
potencia en comparación con otros materiales aislantes eléctricos, lo cual se
debe a iones álcali altamente móviles.
 ESTEATITA

Las porcelanas de esteatita son buenos aislantes eléctricos porque tienen

bajos factores de pérdida de potencia, baja absorción de humedad y buena
resistencia al impacto, además de que se utilizan de manera amplia en las
industrias de aparatos electrónicos y eléctricos. Las composiciones de la
esteatita se basan en casi 90 por ciento de talco (3MgO · 4SiO2· H2O) y
10 por ciento de arcilla. La microestructura de la esteatita cocida consiste
en cristales de esteatita (MgSiO3) ligados en conjunto por una matriz
cristalina
FOSTERITA

La fosterita tiene la fórmula química Mg2SiO4 y por ello no

contiene iones álcali en fase cristalina, por lo que cuenta con una
mayor resistividad y menores pérdidas eléctricas con el aumento
de la temperatura que los aisladores de esteatita. La fosterita
también tiene propiedades dieléctricas de menor pérdida a altas
frecuencias
ALÚMINA
Las cerámicas de alúmina tienen óxido de aluminio (Al2O3) como la fase cristalina ligada
con una matriz vítrea. La fase vítrea, por lo común sin álcali, está compuesta por mezclas de
arcilla, talco y fluidificantes alcalinotérreos y suele no contener álcali. Las cerámicas de
alúmina presentan resistencias dieléctricas más o menos altas y bajas pérdidas dieléctricas
junto con resistencias relativamente elevadas. La alúmina sinterizada (99 por ciento de
Al2O3) se usa bastante como un sustrato en aplicaciones de dispositivos electrónicos por
sus bajas pérdidas dieléctricas y superficie lisa. La alúmina también se utiliza en aplicaciones
de pérdidas ultrabajas en las que es necesaria una gran transferencia de energía a través de
la ventana cerámica como, por ejemplo, en la cúpula de la antena de radares.
 12.3 MATERIALES CERÁMICOS PARA
CAPACITORES

Los materiales cerámicos se emplean comúnmente como materiales dieléctricos en

capacitores, donde los capacitores cerámicos de disco son por mucho el tipo más
común de capacitor cerámico ( figura 14 . 55). Estos capacitores cerámicos muy
pequeños de disco plano, están compuestos principalmente por titanato de bario
(BaTiO3) juntos con otros aditivos ( tabla 14 . 8). (BaTiO3) se emplea debido a su
muy alta constante dieléctrica de 1 200 a 1 500. Con aditivos, su constante dieléctrica
puede elevarse a valores de muchos miles. En este tipo de capacitor una capa de plata
sobre la parte superior y la inferior del disco proporciona las “placas” metálicas del
capacitor. Para lograr capacitancias muy altas con dispositivos de tamaño mínimo, se
han desarrollado pequeños capacitores cerámicos de capas múltiples.
 12.3.1 SEMICONDUCTORES CERÁMICOS

• Algunos compuestos cerámicos tienen propiedades semiconductoras que son importantes

en la operación de ciertos dispositivos eléctricos. Uno de estos dispositivos es el termistor,
o resistor sensible térmicamente, que se usa en la medición y control de temperatura. En
esta discusión interesa el tipo de termistor de coeficiente de temperatura negativa (CTN),
cuya resistencia disminuye con el aumento de la temperatura. Esto es, cuando crece la
temperatura, el termistor se vuelve más conductivo, como en el caso de un semiconductor
de silicio.
• Los materiales semiconductores cerámicos que se usan de manera más común en
termistores de CTN son óxidos aglutinados de los elementos Mn, Ni, Fe, Co y Cu. Las
combinaciones en solución-sólida de lo óxidos de estos elementos se utilizan para obtener
el intervalo necesario de conductividades eléctricas con cambios de temperatura.
 12.3.2 CERÁMICAS FERROELÉCTRICAS
Dominios ferroeléctricos Algunos materiales cristalinos iónicos cerámicos tienen celdas
unitarias que no cuentan con un centro de simetría, y por ello sus celdas unitarias
contienen un pequeño dipolo eléctrico y reciben el nombre de ferroeléctricos. Un
material cerámico industrialmente importante en esta clase es el titanato de bario,
BaTiO3. Arriba de los 120°C, este material tiene una estructura cristalina de perovskita
simétrica cúbica regular BaTiO3. Por debajo de 120°C, el ion de BaTiO 3 central y los
iones de Ti4+ alrededor de la celda unitaria de O2− se corren ligeramente en direcciones
opuestas para crear un pequeño momento dipolar eléctrico. Este corrimiento de las
posiciones de iones a la temperatura crítica de 120°C, denominada la temperatura de
Curie, cambia la estructura cristalina del BaTiO3 de cúbica a tetragonal.
 12.3.3 EL EFECTO PIEZOELÉCTRICO

• El titanato de bario y muchos otros materiales cerámicos exhiben lo que se llama el

efecto piezoeléctrico ( PZT ). Se considerará una muestra de material cerámico
ferroeléctrico que tiene un momento dipolar resultante debido al alineamiento de
muchos dipolos unitarios pequeños. En este material habrá un exceso de carga
positiva en un extremo y de carga negativa en el otro extremo en la dirección de la
polarización. Ahora se considerará la muestra cuando se aplican esfuerzos
compresivos. Los esfuerzos compresivos reducen la longitud de la muestra entre
los esfuerzos aplicados y de ese modo reducen la distancia entre los dipolos
unitarios, lo cual, a su vez, disminuye el momento dipolar total por volumen unitario
del material.
 12.4 NANOELECTRÓNICA

La capacidad para caracterizar y estudiar nanomateriales y nanodispositivos ha

mejorado de manera significativa con el advenimiento de técnicas de microscopio de
sonda luminosa (SPM, por sus siglas en inglés). Los investigadores han demostrado
que al variar el voltaje impuesto entre la punta del STM y la superficie, es posible
recoger un átomo (o cúmulo de átomos) y manipular su posición en la superficie. Por
ejemplo, los científicos han utilizado el STM para crear enlaces colgantes
(incompletos) sobre la superficie de silicio en posiciones específicas. Luego,
exponiendo la superficie de la muestra a gases que contienen moléculas de interés,
estos enlaces colgantes pueden convertirse en los sitios de adsorción molecular
 12.5 ABSORCIÓN, TRANSMISIÓN Y REFLEXIÓN DE LA LUZ

Todo material absorbe luz hasta cierto grado debido a la interacción de

fotones de luz con la estructura electrónica y de enlace de los átomos,
iones o moléculas que conforman al material (absorción). La fracción de la
luz transmitida por un material particular depende entonces de la cantidad
de luz reflejada y absorbida por el mismo. Para una longitud de onda
particular λ, la suma de las fracciones de la luz incidente entrante con la
reflejada, absorbida y transmitida, es igual a 1:
A continuación se considerará cómo varían estas fracciones en algunos
tipos de materiales.
 METALES

Con excepción de secciones muy delgadas, los metales reflejan y/o absorben
intensamente la radiación incidente desde longitudes de ondas largas (ondas de radio)
hasta la mitad del intervalo ultravioleta. Puesto que la banda de conducción se traslapa
con la banda de valencia en los metales, la radiación incidente eleva con facilidad los
electrones hasta los niveles de energía más altos. Luego de descender hasta los niveles
de energía inferiores, las energías de los fotones son bajas y sus longitudes de onda
largas. Este tipo de acción produce haces luminosos intensamente reflejados desde una
superficie lisa, como se observa en muchos metales como el oro y la plata. La cantidad
de energía absorbida por los metales depende de la estructura electrónica de cada
uno.
 PLÁSTICOS

Muchos plásticos no cristalinos como el poliestireno, el polimetil metacrilato y el

policarbonato, tienen excelente transparencia. Sin embargo, en algunos materiales plásticos hay
regiones cristalinas que tienen índices de refracción superiores a los de su matriz no cristalina.
Si estas regiones son de mayor tamaño que la longitud de onda de la luz incidente, las ondas
luminosas se dispersarán por reflexión y refracción, y, en consecuencia, disminuye la
transparencia del material. Por ejemplo, el polietileno de lámina delgada, que tiene una
estructura de cadena ramificada y por ello un bajo grado de cristalinidad, tiene mayor
transparencia que el polietileno de cadena lineal más cristalino y de densidad más alta. Las
transparencias de otros plásticos parcialmente cristalinos pueden variar de lo oscuro a lo
opaco, dependiendo sobre todo de su grado de cristalinidad, contenido de impurezas y
contenido de cargas
 SEMICONDUCTORES

En los semiconductores los fotones de luz pueden absorberse de varias maneras. En semiconductores
intrínsecos (puros) como el Si, Ge y GaAs, los fotones pueden absorberse para crear pares electrón-
hueco y causar que los electrones salten la brecha de bandas de energía desde la banda de valencia
hasta la de conducción. Para que ocurra lo anterior, el fotón de luz entrante debe tener un valor de
energía igual o mayor que el de la brecha de energía Eg. Si la energía del fotón es mayor que Eg, el
exceso de energía se disipa como calor. En semiconductores que contienen impurezas de donador y
aceptor, se absorben fotones de mucho menor energía (y, en consecuencia, mucho mayor longitud de
onda) causando que los electrones salten desde la banda de valencia en niveles de aceptor o desde
niveles de donador a la banda de conducción . Por tanto, los semiconductores son opacos a fotones de
luz de energía alta e intermedia (longitud de onda corta e intermedia) y transparentes a fotones de
longitud de onda muy larga y baja energía.
 12.6 LUMINISCENCIA

• La luminiscencia puede definirse como el proceso mediante el cual una sustancia absorbe energía y luego
emite espontáneamente radiación visible o cercana a la visible. En este proceso la energía de entrada excita
los electrones de un material luminiscente desde la banda de valencia hasta la banda de conducción. Es posible
que la fuente de la energía de entrada sean, por ejemplo, electrones de alta energía o fotones de luz. Los
electrones excitados durante la luminiscencia caen a niveles de energía inferiores. En algunos casos quizá se
recombinen con huecos. Si la emisión ocurre dentro de 10−8 s después de la excitación, la luminiscencia se
denomina fluorescencia, y si la emisión sucede después de 10−8 s, recibe el nombre de fosforescencia.
• La luminiscencia la producen materiales llamados fósforos, que pueden absorber radiación de onda corta y
alta energía y emitir de manera espontánea radiación luminosa de longitud de onda más larga y energía
inferior. Los espectros de emisión de materiales luminiscentes se controlan industrialmente agregando
impurezas llamadas activadores.
 FOTOLUMINISCENCIA

• En la lámpara fluorescente común, la fotoluminiscencia convierte la radiación ultravioleta de un

arco de mercurio de baja presión en luz visible utilizando un halofosfato de fósforo. El
halofosfato de calcio de composición aproximada Ca10F2P6O24 con cerca de 20 por ciento de
los iones F− reemplazados por iones Cl− se usa como el material de fósforo huésped en la
mayoría de las lámparas. Los iones de antimonio (Sb+3) proporcionan una emisión azul y los
iones de manganeso (Mn+3) una banda de emisión naranja-roja.Variando los Mn+2, es posible
obtener varias tonalidades de luz azul, naranja y blanca. La luz ultravioleta de alta energía de los
átomos de mercurio excitados ocasiona que la pared interior recubierta de fósforo del tubo de
la lámpara fluorescente, emita luz visible de longitud de onda más larga y energía menor
 CATODOLUMINISCENCIA

• Este tipo de luminiscencia se produce mediante un cátodo energizado que genera un haz
de electrones de alta energía. Las aplicaciones de este proceso incluyen las luminiscencias
del microscopio electrónico, el osciloscopio de rayos catódicos y la pantalla de televisores
a color. La fosforescencia de esta última es especialmente interesante. El moderno aparato
televisor tiene rayas verticales muy estrechas (de aproximadamente 0.25 mm de ancho)
de fósforos que emiten luz roja, verde y azul que se depositan sobre la superficie interior
de la placa de la cara del tubo de imagen del televisor. A través de una máscara de sombra
de acero con pequeños huecos elongados (de más o menos 0.15 mm de ancho) la señal
entrante del televisor se escanea sobre la pantalla completa 30 veces por segundo