MATERIALES ELÉCTRICOS: Tema 6

Materiales semiconductores

Prof. Francisco Javier Alcántara Benjumea

Universidad Tecnológica del Perú
2023-Ag. Septiembre de 2023
Materiales Eléctricos. Tema 6

Al final de la sesión, el estudiante conoce las propiedades y los tipos de los materiales
semiconductores

Datos/Observaciones
Materiales Eléctricos. Tema 6

SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son materiales cuyas conductividades eléctricas están entre las de metales
altamente conductores y las de los materiales aislantes

Semiconductores intrínsecos

Son cuerpos que presentan un comportamiento

intermedio entre el Aislante y el Conductor.

Normalmente poseen 4e- en su capa de valencia

(como el Si o Ge). En este caso los átomos del
semiconductor forma enlaces covalentes
(compartiendo dos e-) con otros 4 átomos vecinos
formando una estructura cristalina y estable.

Datos/Observaciones Átomo de Silicio y su estructura cristalina

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En estas condiciones, la propiedad aislante del semiconductor

es muy relativa y depende fuertemente de la Temperatura.
A temperaturas medias y altas, se rompen continuamente
enlaces covalentes y se forman pares e-h, los mismos que
luego se recombinan en el interior del material, por lo que
aumenta la conductividad del material

Átomo de Silicio y su estructura cristalina

En el diagrama de bandas de energía para semiconductores

intrínsecos (por ejemplo, Si o Ge), los electrones de valencia de
los enlaces covalentes del cristal ocupan los niveles de energía en
la banda de valencia inferior, la cual está casi llena a 20°C.

Sobre la banda de valencia hay una brecha de energía prohibida

Modelo de bandas de energía de un
semiconductor intrínseco
Datos/Observaciones
(de 1.1 eV para el silicio y 0,67 V para Ge a 20°C). Arriba de la
brecha de energía hay una banda de conducción casi vacía (a
20°C).
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Semiconductores extrínsecos
Al aplicar una tensión a un semiconductor intrínseco se origina una débil corriente, ya que la
concentración de e-h es muy pequeña. Para conseguir aumentar la corriente producida se añaden
elementos (Impurezas) que eleva bastante la concentración de e- y huecos.

Semiconductores extrínsecos Tipo N

En estos cuerpos se añade al semiconductor intrínseco pequeñas
cantidades de elementos con 5 e- de valencia (como el antimonio
Sb o el Fósforo P).

Así, los átomos nuevos se acomodan en la estructura cristalina

formando 4 enlaces covalentes y desprendiendo 1 e- que queda
libre. La concentración de e- se vuelve mucho mayor que la de
huecos y el semiconductor se denomina tipo N.

e-: Portadores mayoritarios. Estructura del Si tipo N

h: Portadores minoritarios
Datos/Observaciones
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Semiconductores extrínsecos Tipo P

En estos materiales se añade pequeñas cantidades de

elementos de 3 e- de valencia (como el Boro, B o Aluminio).

Al introducirse estos átomos de impurezas en la estructura

cristalina del Si, se forman cuatro enlaces covalentes por cada
átomo, pero en uno de ellos falta un e- (o aparece un hueco).

La concentración de huecos es mucho mayor, por lo que los

huecos son los portadores mayoritarios. Estos semiconductores
son los tipo P
Estructura del Si tipo P
h: Portadores mayoritarios
e-: Portadores minoritarios.

Datos/Observaciones
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Unión de Semiconductores P-N

El principio de funcionamiento de un Diodo

es la unión de semiconductores P-N

Datos/Observaciones
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En esta sesión el alumno:

- Conoció las propiedades de los semiconductores intrínsecos y extrínsecos
- Conoció las propiedades de los semiconductores extrínsecos tipo N
- Conoció las propiedades de los semiconductores extrínsecos tipo P

Datos/Observaciones
 MUCHAS GRACIAS

Prof. Francisco Javier Alcántara Benjumea

Universidad Tecnológica del Perú
2023-Ag. Septiembre de 2023