Estructura

cristalina de los
materiales
semiconductores
Integrantes
Rafaela Florentino
Arantza García
Diana García
Camila Medina
1 Estructura atomica de semiconductores

2
Tipos y características físicas y eléctricas de
los materiales semiconductores.

3
Caracteristicas basicas de los semiconductores
intrinsecos.

4 Relacion entre estructura electronica y conductiva

electrica de semiconductores intrinseco
 1. Estructura atómica de los
semiconductores
Los semiconductores elementales, como el
silicio(Si) y el germanio (Ge), tienen una
estructura atómica en la que los átomos están
dispuestos en una red cristalina. Ambos son
tetravalentes, lo que significa que tienen cuatro
electrones en su ultima capa electrónica .Esto los
hace propicios para el dopado con otros
elementos.
 2.Tipos y características físicas y
eléctricas de los materiales
Los dopantes, como el boro (B), galio (Ga), fósforo (P) y
carbono (C), se introducen intencionalmente en la red cristalina
de los semiconductores para alterar sus propiedades eléctricas.
Los dopantes tipo N (como el fósforo) añaden electrones extra,
mientras que los dopantes tipo P (como el boro) crean huecos
electrónicos en la estructura.
Los materiales semiconductores tienen
una banda de energía prohibida entre
su banda de valencia y su banda de
conducción. Los electrones en la banda
de valencia no pueden contribuir a la
corriente eléctrica, mientras que los de
la banda de conducción sí pueden. La
banda prohibida determina si el
semiconductor es conductor o aislante.
 3. Características básicas de los semiconductores
intrínsecos.
Los semiconductores intrínsecos
son aquellos que no han sido
dopados y están en su estado
natural. Tienen una concentración
equilibrada de electrones y huecos,
lo que significa que su
conductividad eléctrica es
moderada. En condiciones de
temperatura ambiente, su
capacidad de conducir electricidad
es limitada.
 4. Relación entre estructura electrónica y conductiva eléctrica de
semiconductores intrínseco
La relación entre la estructura
electrónica y la conductividad eléctrica de
los semiconductores intrínsecos radica en
la cantidad de electrones en la banda de
conducción y huecos en la banda de
valencia. Cuanto más ancha sea la banda
prohibida, menor será la conductividad
eléctrica, ya que se necesitará más
energía para que los electrones salten a la
banda de conducción. Esto hace que los
semiconductores con bandas prohibidas
más estrechas sean mejores conductores
que aquellos con bandas prohibidas más
anchas.