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Electronica SegundoLaboratorio
Electronica SegundoLaboratorio
En el simulador Proteus, se utilizaron los siguientes En la tabla 1 se muestran los valores medidos y calculados de
componentes y materiales: la resistencia del diodo en diferentes polarizaciones directas.
Los valores medidos son muy cercanos a los valores calculados,
COMPONENTES:
lo que demuestra un buen comportamiento del diodo en
polarización directa.
• DIODO DE SILICIO 1N4001: Utilizado para rectificar la
corriente eléctrica en un solo sentido.
Tipo VAK ID Resistencia del
Diodo
Medido 0.7v 9,2mA
Calculado 0.7v 9,2mA 0,076kΩ
Tabla 1
• RESISTENCIA: Limita el flujo de corriente eléctrica en
el circuito.
INSTRUMENTOS:
200
La tabla comparativa de resistencia del diodo en ambas
polarizaciones revela una distinción clave en el 100
comportamiento del diodo según su polarización, destacando la
esencia de este componente en la electrónica. Los datos 0
obtenidos, mediante simulación y componentes reales, resaltan 0 0,5 1 1,5
que en polarización directa, el diodo presenta una resistencia de
Esta tabla describe el comportamiento típico de un dispositivo
aproximadamente 60.9 ohmios, permitiendo un flujo eficiente
que se comporta como un interruptor controlado por la tensión
4
en una configuración de polarización directa. Muestra cómo la barrera de potencial en la unión PN, lo que facilita el paso de
corriente ID aumenta gradualmente a medida que se aplica una electrones a través de ella y permite un incremento progresivo
tensión VAK, alcanzando finalmente un estado de saturación del flujo de corriente. Este fenómeno se evidencia en el
donde el dispositivo conduce una cantidad significativa de aumento correspondiente de la corriente
corriente.
En la tabla numero 5 donde definimos la polarización inversa A
medida que aumenta el voltaje inverso (Vf), la corriente inversa
(ID) también aumenta significativamente, siguiendo un
TABLA POLARIZACIÓN INVERSA comportamiento exponencial. La corriente inversa es baja pero
no nula, lo cual indica un correcto funcionamiento del diodo en
polarización inversa. En esta región, se alcanza una corriente
inversa de -117 µA a un voltaje inverso de -30 V, debido a la
Vf Voltaje en el Polarización
ruptura Zener.
diodo Inversa ID, µA
0 Pero en la tabla numero 4 donde se define la polarización
-2 -0,68 -5,29 directa En la región de polarización directa, la corriente (ID)
-5 -0,72 -17,1 comienza a aumentar significativamente alrededor de 0,7 V,
que es el voltaje típico de activación de un diodo de silicio. A
-10 -0,75 -37 medida que se incrementa el voltaje directo, la corriente
-12 -0,76 -45 aumenta rápidamente y sigue una relación proporcional. En esta
-15 -0,77 -56,9 región, la corriente puede alcanzar valores altos, como 340.51
-20 -0,78 -76,9 mA a 1V. estas tablas muestran el comportamiento de un diodo
en polarización directa e inversa, destacando los voltajes
-25 -0,79 -96,8 umbrales, la conductividad y la ruptura Zener. Estos resultados
-30 -0,80 -117 son fundamentales para comprender y diseñar circuitos
Tabla 5 electrónicos con diodos.
VIII. CONCLUSIÓN
REFERENCIAS
[1] Science Direct. “Semiconductor Diodes”. Portal Académico del CCH.
Accedido el 15 de septiembre de 2023. [En línea].
Disponible: https://www.sciencedirect.com/topics/physics-and-
astronomy/semiconductor-diodes