FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS INGENIERIA y AGRIMENSURA

U.N.R.

ESCUELA DE FORMACION BASICA

DEPARTAMENTO DE FISICA y QUIMICA
FISICA IV
JUNTURAS

DIVISION
N
Legajo
1

COMISION
Apellido y Nombre

FECHA
Asist.
Firma Docente

ENTREGADO DEVUELTO NOTA FIRMA AUXILIAR

NOTA FINAL

Preguntas sobre Junturas

1. Obtener la dependencia de la tensin en vaco de una juntura semiconductora con el
Eg del material. Cmo consecuencia Que relacin existir entre las tensiones de
arranque del Si, AsGa y Ge?
2. Obtener la dependencia de la tensin en vaco de una juntura semiconductora con la
temperatura a la cual est sometida. Cmo se puede arribar cualitativamente a ese
comportamiento, teniendo en cuenta la variacin del nivel de Fermi con la temperatura?
3. Como modifica una polarizacin externa al potencial interno en la zona de
transicin?
4. Cmo se modifica en consecuencia la capacidad de transicin?
5. Cmo es la capacidad de transicin para junturas con bajo dopaje? Qu
comportamiento se logra al respecto con una de las dos zonas siendo material
intrnseco? Como extrapolamos este comportamiento al diodo PIN?
6. Qu son las celdas peltier? Buscar algn ejemplo comercial
7. Como est relacionado el tiempo de recuperacin inversa con las capacidades de la
juntura?
8. Obtener el valor esperado de la tensin de vaco en el ejercicio del simulador de
Poisson
9. Que mecanismo produce la electroluminiscencia? Un diodo led entrando en zona de
ruptura (suponiendo que la misma es soportada en bajas corrientes esto es posible-),
puede manifestar electroluminiscencia?
10. Los diodos LED habituales estn construidos en base a AsGa. En funcin del Eg de
este material, cual es el rango de emisin de la luz que emiten? (Ref: Neamen pag.
651)
11. Comparar el peso de cada efecto capacitivo, para las diferentes polarizaciones. (ver
tp capacidades de la juntura y de la simulacin 5.3 de Buffalo).
12. Explicar el procedimiento que se utiliza para encontrar la relacin ideal I vs. V en
una juntura semiconductora. Por que se denomina ideal?
13. Se tiene una fuente de tensin ideal de 5 V, y se quiere obtener una tensin constante
de 3 V. Qu elementos elegira? Por qu? Como los conectara?
14. Como se reparte el potencial aplicado externamente en una juntura, por ejemplo
juntura semiconductora pn, entre las zonas internas de la misma?
15. En la simulacin 4.3 que significan las flechas sobre y debajo del diagrama de
bandas. En que momento se modifican y porqu?

16. En la simulacin 5.1: Observar y describir los cambios en las componentes de

corriente de arrastre cuando, a partir de los valores por default, generamos una juntura
abrupta (con una diferencia de dos rdenes de magnitud) para condiciones de equilibrio
trmico. Justificar a partir de la ecuacin correspondiente.
Aplicar un potencial en PD y uno en PI. Comentar las diferencias que se observan entre
los diferentes procesos.
17. En la simulacin 4.4 se muestra la formacin de una juntura PIN. Cmo es la zona
de carga espacial? De que depende? Cmo ser el campo elctrico comparativamente
con un PN? Qu consecuencias tendr en la tensin de ruptura?
18. En la simulacin 4.4 se muestra la formacin de una juntura PIN. Cmo es la zona
de carga espacial? Qu consecuencia tendr en la capacidad de transicin?
De que depende el potencial de contacto?
19. Cules son las cargas involucradas en la capacidad de transicin? Qu variacin
se manifiesta en la CT con el aumento en la impurificacin de una de las dos zonas de la
juntura? Qu relacin tiene esto con los varicaps?
20. Indagar cual es la diferencia constructiva entre un contacto hmico y un diodo
Schottky. Qu comportamiento/s elctrico/s diferencia a este ltimo de un diodo
semiconductor comn?
21. Evaluar la dependencia de la tensin de vaco con la impurificacin de las zonas P y
N de una juntura semiconductora.
22. En la simulacin 4.1 de la U de Buffalo se muestra la formacin de una juntura. Si
se arma la misma con Na=103 At/cm3 es correcto lo que se muestra? porqu?