Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Monterrey

Campus Monterrey

Tarea 1: conceptos básicos

Fundamentación electrónica

Eugenio Javier Martinez Gastelum A01721946

Profesora: Arnoldo Salazar Soto

27 de agosto del 2023

1. Describe an intrinsic semiconductor material. What is meant by the intrinsic
carrier concentration?

Un semiconductor intrínseco es un material semiconductor puro. Los

semiconductores intrínsecos, el número de electrones libres es igual al número de
huecos.

2. Describe the concept of an electron and a hole as charge carriers in the

semiconductor material.

Se refiere al número de electrones libres presentes en un semiconductor intrínseco

a una temperatura conocida.

3. Describe an extrinsic semiconductor material. What is the electron

concentration in terms of the donor impurity concentration? What is the whole
concentration in terms of the acceptor impurity on centración?

En semiconductores, los electrones y los huecos actúan como portadores de carga.

Los electrones llevan una carga negativa y se mueven cuando se excitan. Los
huecos son la falta de un electrón en la banda de valencia y se consideran que
llevan una carga positiva.

4. Describe the concepts of drift current and diffusion current in a

semiconductor material.

La corriente de deriva es la corriente causada por el movimiento de los portadores

de carga en un campo eléctrico. Y la corriente de difusión es la corriente causada
por el movimiento de los portadores de carga desde una región de mayor a una
región de menor concentración.

5. How is a pn junction formed? What is meant by a built-in potential barrier,

and how is it formed?

Una unión pn se forma cuando un semiconductor tipo p entra en contacto con un

semiconductor tipo n. Y la barrera de potencial incorporada es un potencial eléctrico
que se forma en la unión pn para evitar que los electrones y huecos se mezclen
entre los lados p y n del semiconductor. Esto pasa por la diferencia en la
concentración de portadores de carga entre los dos lados de la unión.

6. How is a junction capacitance created in a reverse-biased pn junction

diode?

Cuando una unión pn está polarizada en inverso, una región de agotamiento forma
una capacitancia a través de la unión.
7. Write the ideal diode current–voltage relationship. Describe the meaning of
and .

La ecuación del diodo ideal es: I= Is(e(V/nVT) - 1) ,donde Is es la corriente de

saturación inversa , V es el voltaje del diodo,n es el factor de idealidad y VT es el
voltaje térmico.

8. Describe the iteration method of analysis and when it must be used to

analyze a diode circuit.

El método de iteración se utiliza cuando la ecuación del diodo no se puede resolver

con las variables del circuito. Tienes que hacer una suposición inicial y luego probar
valores de forma iterativa.

9. Describe the piecewise linear model of a diode and why it is useful. What is
the diode turn-on voltage?

Este modelo aproxima el diodo como una función lineal, lo que hace fácil su análisis.
El voltaje de activación del diodo es el voltaje cuando el diodo comienza a conducir
significativamente.

10. Define a load line in a simple diode circuit.

La línea de carga es una representación gráfica que muestra todas las posibles
combinaciones de corriente y voltaje del diodo para un circuito. Se usa para
encontrar el punto de operación del diodo en el circuito.