LABORATORIO

DE
ELECTRÓNICA BÁSICA
http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg

Ingeniería Técnica de Telecomunicación

Especialidad Sistemas Electrónicos

2º Curso

Profesor Responsable: Gustavo A. Ruiz Robredo

 INDICE

Introducción, Pag.1

Práctica 1.- Polarización de un transistor bipolar y JFET, Pag. 5

Práctica 2.- Diseño y análisis de un amplificador monoetapa, Pag. 7
Práctica 3.- Respuesta en frecuencia de un amplificador, Pag. 10
Práctica 4.- Amplificador multietapa: efecto de realimentación negativa, Pag. 14
Práctica 5.- Análisis de fuentes de intensidad: Carga activa, Pag. 16
Práctica 6.- Análisis de una etapa diferencial, Pag. 19
Práctica 7.- Análisis de un amplificador de la clase B push-pull, Pag. 21
Práctica 8.- Caracterización y aplicaciones básicas del amplificador operacional, Pag. 23
Práctica 9.- Comparador de ventana aplicado a una señal rectificada, Pag. 25
Práctica 10.- Oscilador de puente de Wien, Pag. 27
Práctica 11.- Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de Schmitt,
Pag. 30
Práctica 12.- Aplicaciones del temporizador 555, Pag. 32
Componentes, Pag. 35
• 2N5457, Pag. 35
• 2N3903/04, Pag. 40
• 2N3905/06, Pag. 46
• µA741, Pag. 51
• LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302, Pag. 57
• TL081/82/83, Pag. 63
• NE555, Pag. 68
• 1N4007, Pag. 73
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INTRODUCCIÓN

A lo largo del curso se tiene programadas un total de 12 prácticas:

Práct. 1.- Polarización de un transistor bipolar y JFET

Práct. 2.- Diseño y análisis de un amplificador monoetapa
Práct. 3.- Respuesta en frecuencia de un amplificador
Práct. 4.- Amplificador multietapa: efecto de realimentación negativa (*)
Práct. 5.- Análisis de fuentes de intensidad: Carga activa(*)
Práct. 6.- Análisis de una etapa diferencial
Práct. 7.- Análisis de un amplificador de la clase B push-pull (*)
Práct. 8.- Caracterización y aplicaciones básicas del amplificador operacional
Práct. 9.- Comparador de ventana aplicado a una señal rectificada (*)
Práct. 10.- Oscilador de puente de Wien
Práct. 11.- Generador de diente de sierra y cuadrada basado en un disparador de Schmitt
Práct. 12.- Aplicaciones del temporizador 555(*)

Las prácticas indicadas con (*) son optativas.

El alumno debe anotar todos los aspectos teóricos y experimentales de las prácticas en un
cuaderno con anillas que será sellado en cada clase práctica. Este cuaderno podrá ser llevado al
examen práctico junto con los guiones de prácticas.

I.- Observaciones para la realización de las prácticas

Los resultados de cada práctica se recopilarán en un cuaderno de prácticas que va a ser el

único material de referencia utilizado en el examen final de la asignatura. Se debe recordar que
el objetivo de las prácticas es doble: por una parte, obtener destreza en el montaje de circuitos y,
por otra, recopilar correctamente los resultados para su posterior utilización.

— Realización de las prácticas

Todas las prácticas se realizarán de forma individual (siempre que lo permita el
limitado número de puestos del Laboratorio). Se recomienda realizar las prácticas en
el orden que se han programado, y no saltarse ninguna, a no ser que la práctica sea
opcional y no se tenga previsto realizar.

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

Cada alumno tiene asignado valores personalizados para cada práctica. Estos valores
deben ser utilizados en el análisis y realización de la práctica. No se puede realizar el
montaje de la práctica en el Laboratorio si previamente no se ha realizado el análisis
teórico previo de la misma. En este aspecto, el profesor de prácticas va a ser muy
estricto y no se va a admitir el montaje de una práctica sin realizar previamente los
estudios teóricos previos.

En la realización de las prácticas se encuentran tres tipos de símbolos cuyo

significado es el siguiente:
☼ Este símbolo asociado a algunos apartados de las prácticas indica que debe
realizarse una simulación previa del circuito con un simulador eléctrico como
EWB o MultiSim (EWBMS). Permite comprobar los valores teóricos y
asegurar con ciertas garantías que las futuras medidas experimentales no deben
desviarse excesivamente respecto a lo esperado.
☺ Este símbolo aporta ideas y sugerencias asociados a apartados.
Este símbolo indica cuestiones relacionadas con un apartado que deben ser
resueltas.

Los valores de resistencia y capacidad utilizados deben redondearse a los valores

disponibles en el Laboratorio indicados en las siguientes tablas.

Valores de Resistencias disponibles en el Laboratorio

10 Ω 330 Ω 1k5 Ω 6k8 Ω 33 kΩ 150 kΩ 680 kΩ 3M9 Ω
33 Ω 390 Ω 1k8 Ω 8k2 Ω 39 kΩ 180 kΩ 820 kΩ 3M9 Ω
100 Ω 470 Ω 2k2 Ω 10 kΩ 47 kΩ 220 kΩ 1 MΩ 4M7 Ω
120 Ω 560 Ω 2k7 Ω 12 kΩ 56 kΩ 270 kΩ 1M5 Ω 5M6 Ω
150 Ω 680 Ω 3k3 Ω 15 kΩ 68 kΩ 330 kΩ 1M8 Ω 6M8 Ω
180 Ω 820 Ω 3k9 Ω 18 kΩ 82 kΩ 390 kΩ 2M2 Ω 8M2 Ω
220 Ω 1 kΩ 4k7 Ω 22 kΩ 100 kΩ 470 kΩ 2M7 Ω
270 Ω 1k2 Ω 5k6 Ω 27 kΩ 120 kΩ 560 kΩ 3M3 Ω

Valores de Capacidades disponibles en el Laboratorio

1 nF 10 nF 1 µF
1n8 F 33 nF 4.7 µF
2n2 F 47 nF 47 µF
4 nF 100 nF

En la página Web de esta asignatura (http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg) se

proporciona el esquemático de los diferentes circuitos en formato EWBMS
necesarios para efectuar su simulación. El profesor va a exigir en el Laboratorio los
resultados de simulación antes montar el circuito. Para ello, al final de cada práctica
se indica mediante un recuadro el tipo de gráficas que se deben adjuntar junto a los
cálculos teóricos de la práctica.

Pag. 2
 Laboratorio de Electrónica Básica

— Valoración de las prácticas

El profesor realizará una valoración de las prácticas examinando aleatoriamente

algunas de ellas. En dicha evaluación se tendrá en cuenta los resultados
experimentales, su realización, y la comprensión y asimilación de los aspectos
teóricos de la práctica. Esta evaluación, teniendo en cuenta además el número total
de las prácticas realizadas, dará como resultado una nota con un peso del 30% en la
nota final.

— Contenido

En el cuaderno de prácticas es recomendable que se incluya en cada práctica lo

siguiente:

• Introducción y propósito de la práctica (breve).

• Procedimiento: Describir el procedimiento seguido y responder a
cualquier pregunta propuesta en cada apartado de la práctica.
• Análisis: Calcular el porcentaje de error entre los resultados teóricos y
los experimentales cuando se considere necesario.

Porcentaje error = Valor teórico - Valor experimental× 100

Valor teórico

Razonar si el dato tiene sentido. Si los errores entre los resultados

teóricos y experimentales son muy dispares, averiguar las causas de tales
errores. Si se cree que la práctica se realizó incorrectamente, explicar lo
que se cree se hizo mal.
• Explicación: Explicar los resultados e incidir en el por qué ha ocurrido
un fenómeno en particular. Presentar los datos teóricos de tal forma que
se demuestre un dominio de la teoría.

Un ejemplo de cómo presentar los datos:

Teórico Experimental % Error

Tensión 20 V 24 V 20%
Corriente 1.2 A 1.1 A 8%
La tensión obtenida es algo más alta de lo esperado, y esto se debe probablemente a
las tolerancias en los valores de las resistencias. La corriente medida está dentro de
un error experimental razonable.

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

• Conclusión: Realizar un resumen de lo que se ha aprendido.

• Simulación: Adjuntar e imprimir gráficas con los resultados de
simulación indicados en cada práctica.

— Algunas sugerencias interesantes

Los datos raramente son exactos con lo que se obtiene teóricamente. Cuando esto
sucede, averiguar algunas causas del error. Cuando se pida realizar una gráfica de los
resultados experimentales, también se deberán incluir en una tabla los
correspondientes datos de medida.
Y recuerda, el cuaderno de prácticas te puede resultar de gran ayuda durante el
examen final. Y al ser el único material de consulta, redáctalo de una manera clara y
concisa que te permita acceder rápidamente a la información que necesitas.

II.- Evaluación de la asignatura

Existen dos procedimientos para evaluar la asignatura de Laboratorio de Electrónica

Básica:

1) El procedimiento recomendado consiste en la realización en el Laboratorio de al

menos un total de 7 practicas obligatorias de las 12 propuestas que tendrá un
peso del 30% en la nota final de la asignatura. En las convocatorias de Febrero y
en Septiembre se realizará un examen práctico en el Laboratorio de Electrónica
Básica. La nota final de la asignatura se obtiene aplicando el siguiente criterio:

Nota Final: 0.3*Nota Laboratorio + 0.7*Nota examen práctico

2) Aquellos alumnos que no realicen las prácticas obligatorias podrán presentarse a

un examen final que consistirá en el montaje de una práctica completa, diferente
a las propuestas en la asignatura, que incluye aspectos teóricos y
experimentales. Dada la dificultad de superar esta asignatura por este
procedimiento se recomienda seguir el camino 1). No obstante, si algún alumno
desea utilizar esta opción debe comunicarlo al profesor con al menos dos
semanas de antelación a la fecha de realización del examen.

Pag. 4
 Laboratorio de Electrónica Básica

1.- Polarización de un transistor bipolar y JFET

Objetivos

Polarizar a un transistor significa fijar unas tensiones y corrientes DC en sus terminales

para que opere en un punto de trabajo concreto. En esta práctica se analiza la polarización de un
transistor bipolar y FET en las tres zonas de funcionamiento: lineal, saturación y corte, y se
extrae experimentalmente algunas de las características más significativas de estos dispositivos
en las diferentes regiones de operación.

I Polarización de un transistor bipolar

VCC

☼ A) Determinar los valores de las resistencias RB1,

RB2 y RC para fijar la polarización del transistor RB1 RC

bipolar de la figura P1.1 a los valores

especificados para la práctica. Comprobar esos 2N3904
RE=1k
valores con EWBMS. Montar el circuito y VCC=12 V
comprobar experimentalmente el punto de RB2 RE
trabajo del transistor. Estimar el valor de la hFE.
☺ LaLa haproximación
varía considerablemente de un transistor a otro.
FE
R ||R ≈0.2h R estabiliza el
B1 B2 FE E
punto de trabajo del transistor en EC frente a elevadas Figura P1.1

variaciones de la hFE. Polarización de un BJT.

☼ B) Con los anteriores valores de RB1 y RB2, calcular el valor de RC para que el transistor
trabaje en la región de saturación con una hFE(sat)=IC(sat)/IB(sat)=75. Calcular
teóricamente el punto de trabajo del transistor y comprobar ese resultado con EWBMS.
Montar el circuito y comprobar esos resultados.
☺ Ojo,
Con una hFE(sat)=75 todavía se puede hacer la siguiente aproximación: IC(sat)+IB(sat)~IC(sat).
esta aproximación no es siempre cierta cuando el transistor está operando en esta región. Una
condición que impone la región de saturación es hFE(sat) < hFE(lin). Incluso hFE(sat) puede ser menor
que 1; en este caso sorprendentemente la IB(sat) > IC(sat).

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

C) Poner RB2=33kΩ y retírese la resistencia RB1 del circuito. Calcular teóricamente el

punto de trabajo. ¿En qué región opera el transistor?. Montar el circuito y medir las
corrientes y tensiones en el transistor.
☺ Eny enesteconducción
caso, el valor de V indica si un transistor está en conducción o no. V
BE
en caso contrario.
BE ~< 0.3 V en corte

D) Con el valor asignado a RB2 en el apartado C), determinar teóricamente el valor de RB1
que haga entrar al transistor en conducción. Se supone que el transistor empieza a
conducir cuando IC~0.1mA Medir experimentalmente el punto de trabajo del transistor.
☺ Esclara,difícilperoestablecer el instante en el que el transistor entra en conducción. No existe una frontera
se puede fijar una corriente de colector relativamente alta para indicar que por el
transistor circula corrientes significativas. Con una corriente de colector baja se produce dos
efectos: la hFE es mucho menor que la hFE normal del transistor, y la corriente de base es
extraordinariamente baja.

II Polarización de un transistor JFET

☼ E) Variando el potenciómetro RS en el circuito de la figura

P1.2, obtener la gráfica que relaciona la ID con la VGS del
transistor JFET 2N5457. Comprobar ese resultado con
EWBMS. Realizar el montaje del circuito y obtener
experimentalmente esa gráfica. Estos resultados pueden
ser muy diferentes con respecto a los teóricos debido a la
fuerte dispersión de los parámetros de ese transistor.
☺ Uno de los problemas que presenta los transistores JFET es la
fuerte dispersión de la V . En las hojas de características del
P
2N5457, la VP representada como VGS(off) varía entre -0.5 y -
6.0 V. Esa divergencia puede originar una fuerte variación
entre los resultados obtenidos por simulación y los Figura P1.2

experimentales. Polarización de un JFET

F) Fijar los valores de las resistencia RS, RG y RD para que la ID tome el valor asignado y
comprobar el resultado realizando el montaje del circuito.
☺ Debido a la fuerte dispersión de los parámetros del JFET, la I que se exige se expresa en términos
D
de I experimental del transistor. Esta I se obtiene en el apartado anterior.
DSS DSS

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

A) Medición de la VCE.
B) Medición de la VCE.
E) Valor de IDS para RS=1kΩ

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 Laboratorio de Electrónica Básica

2.- Diseño y análisis de un amplificador mono-etapa

Objetivos

El objetivo de esta práctica consiste en diseñar, analizar y caracterizar una etapa

amplificadora basada en un transistor bipolar y en un JFET. Esta práctica tiene dos partes:
polarización y amplificación. En primer lugar es preciso determinar el valor de las resistencias
que fijen el punto de trabajo de acuerdo a unas condiciones impuestas y posteriormente se
realiza la medida experimental de los parámetros de ganancia de tensión y corriente, impedancia
de entrada y de salida que van a caracterizar la etapa justificando las desviaciones existentes con
los valores obtenidos de forma teórica.

I.- Análisis de un amplificador monoetapa basado en un transistor bipolar

A) Determinar el valor de las resistencias del circuito de la figura P2.1 para que la tensión
de colector VC tenga el valor especificado. Comprobar experimentalmente el resultado.

Figura P2.1. Amplificador mono-etapa.

☼ B) Determinar teóricamente la ganancia en tensión AV=vo/vi y AVS=vo/vs en el rango de

frecuencias medias. Comprobar esos valores con EWBMS. Verificar
experimentalmente estos valores, y compararlos con los obtenidos de forma teórica,
justificando, si fuesen necesarios, las desviaciones existentes entre ambos datos.
☺ lasEn lamedidas
configuración EC se observa un desfase de 180º entre la entrada vi y la salida vo. Y recuerda,
experimentales de pequeña señal se deben realizar con tensiones en alterna lo más bajas

☺ Para obtener el valor de V , conecta directamente el generador de señal al osciloscopio.

posibles.
s

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

¿Qué sucede en este caso con RS?

C) Determinar teóricamente la impedancia de entrada. Comprobar este valor en el

laboratorio de modo experimental, usando para ello el esquema de la figura P2.2.
☺ LaLa impedancia de entrada es independiente del valor de la resistencia R que se coloque a la entrada.
única condición es que R debe ser de un valor que permita una variación significativa entre v y
i
i
i1
vi2. Para obtener los mejores resultados se recomienda que Ri tenga un valor aproximado a la

☺
impedancia de entrada calculada de forma teórica.
El desfase entre vi1 y Vo debe de ser 180º. En caso contrario, modificar la frecuencia de entrada
hasta que se verifique esa condición.

v i2  v −v 
Zi Z R
'

= =
v i1 − v i 2
o o


o

 v '


L

Ri
o

Figura P2.2 . Montaje para calcular la impedancia de entrada y salida.

D) Retirar el condensador CS y conectar el generador de señal directamente. Medir el

punto de trabajo del transistor. Explicar qué ha sucedido en el circuito.
¿Por el generador de pequeña señal puede circular componentes en continua?

☼ E) Aumentar la amplitud de la señal de entrada hasta que se produzca recorte en la señal

de salida. Comprobar ese valor con EWBMS y justificarlo desde el punto de vista
teórico.

F) Determinar teóricamente la ganancia en corriente AI=io/ii y comprobar si coincide con

el resultado práctico. Para ello, colocar una resistencia R a la entrada como en la figura
i

P2.2, de forma que

v o

A =
R C
I
v i1 − v i 2

R i

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 Laboratorio de Electrónica Básica

☺ La manera más directa de verificar que este resultado es correcto es comprobar que A I = AV
Zi
RC

G) Medir experimentalmente la impedancia de salida utilizando el montaje de la figura

P2.2. Para ello, realizar los siguientes pasos:
● Medir la tensión de salida vo para una amplitud de entrada, con la llave abierta.
● Conectar una carga, de modo que RL ≈ Zo (Zo teórica), y cerrar la llave. Medir la
tensión de salida v’o. La Zo se obtiene a partir de ambas tensiones.
☺ desfase
Verificar que al cerrar la llave la señal de entrada vi del amplificador y la tensión en v’o tiene el
correcto; si esto no ocurriese se debe aumentar el valor de C , o bien la frecuencia de
L
trabajo.
Para medir Zo, se realizan dos medidas: uno con la llave abierta y otro con la llave cerrada. ¿Por
qué?

II.- Diseño de un amplificador monoetapa basado en un transistor JFET

☼ H) Diseñar un amplificador basado en NJFET 2N5457 que tenga las siguientes

características: Zi > 300kΩ, Zo > 4kΩ y |AV| del valor asignado. Comprobar ese valor
con EWBMS, realizar el montaje del circuito y obtener los resultados experimentales.
☺ Utilizar el circuito de polarización de la figura P1.2. Los pasos a seguir son los siguientes:
● La Z fija el valor de R .
i G
● Si rd >> RD, Zo fija el valor de RD.

☺
● AV fija el valor de gm, y éste, está definido por ID. ID fija el valor de RS.
La simulación se puede hacer sobre el fichero P2.2.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

B) Visualización en el osciloscopio de v y v . i o

H) Visualización en el osciloscopio de v y v . i o

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3.- Respuesta en frecuencia de un amplificador

Objetivos

Todos los amplificadores tienen limitación en frecuencia debido principalmente a los

efectos capacitivos. Generalmente, los condensadores externos, si existen, fijan la frecuencia de
corte inferior del amplificador, y los condensadores parásitos e internos a los dispositivos la
frecuencia de corte superior. El análisis en frecuencia de un amplificador permite fijar las tres
zonas de operación: frecuencias bajas, frecuencias medias y frecuencias altas. En esta práctica se
estudia el diagrama de Bode de un amplificador para caracterizar su respuesta en frecuencia y
establecer sus frecuencias de corte inferior y superior.

I.- Realización

En la figura P3.1 se muestra un amplificador con condensadores externos: CS y CE fijan la

frecuencia de corte inferior y CC la frecuencia de corte superior. CC se ha introducido de una
manera artificial para reducir la frecuencia de corte superior y que pueda ser medida con el
equipo de laboratorio; esta frecuencia es de 30MHz sin este condensador.

Figura P3.1. Amplificador monoetapa.

A) Calcular teóricamente el valor de CS que fije la frecuencia de corte inferior al valor

especificado para la práctica. Utilizar asociaciones de condensadores (no más de tres)
disponibles en el laboratorio para obtener ese valor.
☺ Comprobar que en este circuito, C va a fijar la frecuencia de corte inferior. Utilizar el método de
las constantes de tiempo.
S

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 Laboratorio de Electrónica Básica

☺ Cuidado: La tensión de alimentación V

electrolítico C debe ser la adecuada.
E
CC es negativa. Por ello, la polaridad del condensador
En este circuito, ¿Por qué CE es electrolítico a diferencia de CS que es cerámico? ¿Por qué CE tiene
una capacidad mucho más elevada que CS?

B) Calcular de manera teórica la frecuencia de corte superior.

☺ Considerar a C como el único condensador que fija la frecuencia de corte superior.
C

☼ C) Obtener experimentalmente la respuesta en frecuencia del amplificador y comprobar

los resultados con los obtenidos en los anteriores apartados. Dibujar la repuesta en dos
formatos: escala semi-logarítmica y escala logarítmica; utilizar las gráficas de las hojas
adjuntas. Describir como se identifican las dos frecuencias de corte en ambas gráficas.
Obtener el diagrama de Bode utilizando EWBMS.
☺ EWBMS posee un instrumento “Bode Plotter” que obtiene directamente la respuesta en frecuencia
del amplificador. Solo es preciso desplazar la línea vertical que se encuentra en la parte izquierda de
la gráfica. Las frecuencias de corte inferior y superior se obtienen identificando las frecuencias a las
cuales la ganancia del amplificador decae en 3db con respecto a la ganancia a frecuencias medias.
Por ejemplo, en el esquemático de este circuito, la ganancia a frecuencias medias es
aproximadamente de 35.50db. Si desplazamos la línea vertical hasta que la ganancia valga 32.5db

☺
obtenemos dos frecuencias, inferior a 1kHz y superior a 74.7 kHz aproximadamente.
Si necesitas más gráficas de este tipo, utiliza el programa LogPaper.exe que se encuentra en la
página Web de esta asignatura. Es de fácil manejo y permite generar cuadrículas de diferente escala.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

C) Diagrama de Bode donde se observe la frecuencia de corte inferior.

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Laboratorio de Electrónica Básica

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

4.- Amplificador multietapa: efecto de realimentación

negativa

Objetivos

Los amplificadores multi-etapa permiten obtener características de amplificación que no

es posible obtener con una etapa básica. Esta práctica tiene como objetivo el análisis de un
amplificador constituido por dos tipos diferentes de etapas básicas (EC y EC) conectadas en
cascada. La respuesta en frecuencia y limitaciones en la amplitud máxima serán también
consideradas. Por último, se añade a este amplificador una realimentación para estudiar su
efecto sobre las características amplificadoras del circuito.

I.- Análisis de un amplificador multi-etapa

A) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador multietapa de la figura P4.1 sin

incluir RF. Determinar teóricamente la VCE e IC de cada transistor.
☺ Obsérvese como el acoplo es directo entre las dos etapas. Una buena aproximación es despreciar
la I frente a la I de forma que I +I ≈I
B2 C1 C1 B2 C1

Figura P4.1. Amplificador multi-etapa.

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 Laboratorio de Electrónica Básica

☼ B) Calcular teóricamente la ganancia en tensión del amplificador. Comprobar el resultado

con EWBMS.
☺ Analizar individualmente cada etapa básica y obteniendo su modelo equivalente en tensión.
Calcula el modelo del amplificador completo.

C) Obtener de forma experimental el modelo equivalente en tensión.

☼ D) Determinar de forma teórica y experimental la frecuencia de corte inferior de este
amplificador. Comprobar el resultado con EWBMS.
☺ Identificar los condensadores externos y aplicar el método de las constantes de tiempo.

II.- Análisis de un amplificador realimentado

☼ E) Realimentar este amplificador multietapa con la red de realimentación formado por la

resistencia RF de 100kΩ. Medir la IC y VCE de los transistores y comparar estos valores
con los valores del apartado A). Medir experimentalmente la AVf y Zif; la Zof no es
posible medirla. Comprobar el valor de AVf con EWBMS.
¿Por qué R puede alterar el punto de trabajo de los transistores?
F

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

B) Visualización en el osciloscopio de vo y vi.

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

5.- Análisis de una fuente de intensidad: Carga activa

Objetivos

Las fuentes de corriente son unos de los circuitos de polarización más utilizados en
circuitos integrados. En esta práctica se van a analizar dos tipos de fuentes de corriente: un
espejo de corriente y una fuente de corriente Widlar. La primera proporciona niveles de
intensidad de salida más altos que la segunda, pero su resistencia de salida es mucho menor.
Estas limitaciones son observadas al medir experimentalmente las características de ambas
fuentes. Por último, se analiza un amplificador que utiliza un espejo de corriente como carga
activa que pone de manifiesto los problemas de polarización y la alta ganancia que se pueden
obtener con este tipo de estructuras.

I.- Espejo de corriente

☼ A) Realizar el montaje en el laboratorio el espejo de corriente de la figura P5.1. Calcular

R1 para que Io sea del valor asignado en la práctica. Comprobar ese valor con EWBMS.
☺ Utilizar como máximo dos resistencia (en serie o paralelo) para fijar R1.
☺ Importante: Es posible que se detecten discrepancias respecto a los valores teóricos debido a las
diferencias que pueden existir entre los transistores.

B) Utilizando una resistencia variable de 50kΩ, representar gráficamente la Io en función de

RL.
☺ El valor de RL no debe superar al de R1. Si esto sucediera el transistor de la derecha entra en
saturación y el circuito dejaría de comportarse como fuente de corriente.
¿Calcular el valor teórico de RL que hace entrar en saturación al transistor?

C) Calcular teóricamente el modelo equivalente Norton de la fuente. Medir

experimentalmente los parámetros del equivalente Norton a partir de dos puntos de
operación: Vo=1 V y Vo=10 V.
☺ Es necesario realizar dos medidas experimentales para extraer el modelo equivalente Norton ya
que éste está constituido por dos variables, la corriente y la impedancia equivalentes.

Pag. 16
 Laboratorio de Electrónica Básica

Espejo de corriente.
Figura P5.1. Figura P5.2. Fuente de Widlar

II.- Fuente de corriente Widlar

☼ D) Realizar el montaje en el laboratorio de la fuente de corriente Widlar de la figura P5.2.

Calcular R1 para que Io sea del valor asignado en la práctica. Comprobar ese valor con
EWBMS.
☺ Utilizar como máximo dos resistencia (en serie o paralelo) para fijar R1.

E) Utilizando una resistencia variable de 250kΩ, representar gráficamente la Io en función

de RL.
Obsérvese que esta fuente de corriente es mucho más estable para diferentes valores de RL. ¿Por
qué?

F) Comparar ambas fuentes de corriente y comentar sus ventajas e incovenientes.

III.- Amplificador con carga activa

G) Utilizando como parámetro la corriente de colector de todos los transistores asignada a

la práctica, determinar de manera teórica el valor aproximado de la tensión OFFSET
necesaria para la correcta polarización del circuito de la figura 5.3.

G) Realizar el montaje del circuito. Variando el potenciómetro DC OFFSET del generador

obtener una tensión DC en vo cercano a VCC/2; este ajuste resulta un poco costoso. A
continuación medir la componente en continua de la base del transistor NPN; este valor
debe ser próximo a la tensión OFFSET teórica obtenida anteriormente.

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

☺ El generador de señal permite añadir una componente DC a una señal alterna de salida a través

☺
del potenciómetro DC OFFSET.
Para reducir al mínimo la amplitud de salida en alterna, es necesario, además, pulsar el botón de
atenuación 20dB del generador de señal. No olvidar en el osciloscopio poner el conmutador en
DC para medir esa componente de salida DC.

Figura P5.3. Amplificador con carga activa

☼ I) En las anteriores condiciones medir la ganancia en tensión (vo/vi) procurando evitar el

recorte de la tensión de salida. ¿Cuál es la ganancia teórica aproximada de este
amplificador?. Comprobar el resultado con EWBMS.
☺ Se trata de un amplificador en EC con resistencia de emisor y carga activa.
☺ Este tipo de circuitos pueden lograr fácilmente ganancias de varios miles imposibles de medir en
el laboratorio con el material de instrumentación que se dispone. Para ello, se ha incluido la
resistencia RE que limita la ganancia del circuito.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

A) Medición de Io para Vo=VCC/2.
D) Medición de Io para Vo=VCC/2.
I) Visualización en el osciloscopio de vi e vo.

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 Laboratorio de Electrónica Básica

6.- Análisis de una etapa diferencial

Objetivos

El amplificador diferencial es un circuito muy versátil que sirve como etapa de entrada
típica de los amplificadores operacionales y en circuitos integrados tan diversos como en
comparadores y circuitos lógicos ECL. En esta práctica se realiza el montaje y análisis de un
amplificador diferencial sencillo donde se va a estudiar sus características de amplificación de
modo común y modo diferencial.

Figura P6.1 . Amplificador diferencial.

I.- Análisis de un amplificador diferencial

A) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador diferencial de la figura P6.1.

Calcular el valor de R1 para que vo1 y vo2 en DC tengan el valor asignado a la práctica.
☺
☺
Conectar v y v a masa y medir las tensiones de salida.
i1 i2

Un amplificador diferencial está basado en la simetría. Este amplificador realizado con

transistores discretos puede perder este factor y, por consiguiente, sus características tan
particulares. Los resultados de la práctica no sean los esperados debido a la divergencia en los
transistores y a la tolerancia de las resistencias. Por ejemplo, se puede observar que la tensión DC
de v y v se diferencie en unas pocas décimas de voltio.
o1 o2

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

B) Aplicar una tensión DC a la entrada (la otra conectar a masa) y obtener la VTC del
circuito tanto para tensiones de entrada positivas como negativas; representar el
resultado de ambas salidas en una misma gráfica. No superar la tensión de entrada los 6
V.
☺ La VTC o Voltaje Transfer Characteristic permite caracterizar la salida frente a la entrada. Para
ello, se utiliza la fuente de alimentación variable DC conectada a la entrada y se representa

☺
gráficamente la V frente a la V .
o i

En la VTC de un amplificador diferencial, los puntos de interés están localizados alrededor de

v =0, tanto para tensiones positivas como negativas. Si la fuente de entrada no proporciona la
i

☺
suficiente sensibilidad utilizar un divisor de tensión a la entrada.
No se debe superar la tensión de entrada de 6 V para evitar alcanzar la tensión de ruptura del
transistor. Si observamos las hojas de características del 2N3904, laV (BR)EB= es de 6.0 V. Este
parámetro corresponde a la tensión de ruptura en inversa de la unión BE. Si superamos este valor,
se produce un fenómeno de avalancha que puede dañar irreversiblemente al transistor.

☼ C) Calcular de manera teórica y práctica la ganancia en modo diferencial. Para ello, aplicar
una tensión a vi1 con vi2=0. La ganancia en modo diferencial viene dada

A d = v o1 − v o2
v i1
☺ Para poder obtener experimentalmente el numerador de esta ecuación, v -v , utilizar la
o1 o2

posibilidad que existe en el osciloscopio de restar dos señales analógicas. En el osciloscopio se

puede encontrar dos conmutadores: INV para invertir una señal y ADD para sumar las dos señales
que entran por ambos canales. De esta manera, ADD+INV, resta directamente dos señales de

☺
entrada.
Comprobar el desfase de v y v respecto a la entrada v .
o2 o1 i1

☼ D) Calcular teórica y práctica la ganancia en modo común. Para ello, conectar ambas
entradas a una misma tensión vs. La ganancia en modo común viene dada por

A c = vo1 = vo 2
☺
vs vs
Comprobar el desfase de vo2 y vo1 respecto a la entrada vi1.

E) Calcular la relación de rechazo en modo común (CMRR) definida en decibelios como

CMRR = 20 log10 Ad
Ac

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

C) Visualización en el osciloscopio de vo1 y vi1.
D) Visualización en el osciloscopio de vo1 y vi1.

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 Laboratorio de Electrónica Básica

7.- Análisis de un amplificador de clase B push-pull

Objetivos
Las etapas de salida de cualquier amplificador deben ser capaces de suministrar potencia
a una carga y deben además tener una resistencia de salida baja. La etapa de salida push-pull o
de clase B es una de las más utilizadas por su alta eficiencia y su bajo consumo de energía en
ausencia de señal de entrada. En esta práctica se analiza las características eléctricas de esta
etapa de salida, y su modo de operación estudiando las formas de onda de las tensiones y
corrientes en los transistores. El montaje de dos versiones diferentes de esta etapa permite
estudiar el efecto de la distorsión de cruce y técnicas de eliminación para obtener circuitos más
lineales.

I.- Realización

Las figuras P7.1 y P7.2 muestran dos tipos de polarización de una etapa de salida push-
pull o clase B formada por los transistores complementarios 2N3904 y 2N3906. La figura P7.1

corresponde a una etapa con distorsión de cruce, y la figura P7.2 una etapa clase AB con dos
transistores en configuración de diodo que eliminan ese problema. En ambos circuitos es
preciso ajustar el potenciómetro de forma que en ausencia de señal de entrada (nudo V i

desconectado) la salida sea nula (V =0).

o

II.- Análisis de una etapa clase B con distorsión de cruce

Para el circuito de la figura P7.1, se pide:

A) Representar gráficamente la VTC del circuito. Para ello, utilizar una fuente DC a la
entrada. Medir los niveles de tensión de entrada que producen distorsión de cruce. No
superar los 6 V en la tensión de entrada.
☺ La distorsión de cruce es un efecto no deseado en este amplificador. Se produce por que hay un
rango de tensiones a la entrada en el que ambos transistores están cortados.
¿Cuál es el rango de tensiones de entrada en el que los transistores de salida están cortados?

☼ B) Aplicar una señal senosoidal a la entrada de 5V de amplitud y visualizar Vo.

Representar gráficamente el resultado.
¿Cuál es la ganancia del amplificador y por qué?

Pag. 21
Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

C) Medir y representar gráficamente la iC1 e iC2.

☺ Para medir de manera aproximada las corrientes de colector en los transistores utilizar la caída de
tensión en las resistencias de 100Ω.

V CC
RC =100

RB1=50k

RB2=33k
RB1 RC
RL =1k

RS =600

V CC =12 V
2N3904
vo
vi

VS
RS 2N3906 RL

RB2 RC
-VCC

Figura P7.1 . Etapa clase B con distorsión de cruce. Figura P7.2 . Etapa clase AB sin distorsión de cruce.

III.- Análisis de una etapa clase AB sin distorsión de cruce

Para el circuito de la figura P7.2, se pide:

D) Calcular teórica y experimental la corriente de colector en reposo de cada transistor.

☺ Aplicar principios de simetría y considerar que en el circuito resultante los transistores forman un
espejo de corriente.

☼ E) Aplicar una señal senosoidal a la entrada de 5V de amplitud y visualizar Vo.

Representar gráficamente el resultado.

F) Comparar los resultados con los obtenidos en el apartado B).

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

B) Visualización en el osciloscopio de v y v . o i

E) Visualización en el osciloscopio de v y v . o i

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8.- Caracterización y aplicaciones básicas del

amplificador operacional

Objetivos
El amplificador operacional es un amplificador diferencial de altas prestaciones, con una
elevadísima ganancia en tensión cuando trabaja en lazo abierto (sin realimentación). Su uso está
extendido en una gran variedad de aplicaciones lineales y no lineales. Ofrece todas las ventajas
de los circuitos integrados monolíticos tales como pequeño tamaño, bajo precio, versatilidad,
etc. Uno de los objetivos de esta práctica es tomar contacto con los amplificadores operacionales
y comprobar sus prestaciones y limitaciones. Para ello, se analizan algunas configuraciones
básicas que van a permitir comprobar aspectos relativos a las tensiones de polarización, efecto
de las resistencias externas, limitaciones frecuenciales, “slew-rate”, etc.

I.- Realización

A) Realizar el montaje del amplificador inversor

basado en el AO 741 de la figura P8.1, utilizando
tensiones de polarización ±12 V. Las resistencias
R1 y R2 deben escogerse para que la ganancia del
amplificador tenga el valor asignado (R1,R2> 1kΩ).
El error de la ganancia debe ser inferior al 5%. No
utilizar más de dos resistencias en serie o paralelo.
☺ La ganancia de circuitos basados en AO están fijados,
en la mayoría de los casos, por las resistencias .
externas. Por ello, la ganancia de este amplificador
Figura P8.1

Amplificador inversor
debe ser muy próximo al teórico.

☼ B) Medir la ganancia de este amplificador a frecuencias bajas.

¿Cuál es su frecuencia de corte inferior? ¿Es capaz de amplificar una componente continua a la
entrada?

☼ C) Representar gráficamente la respuesta en frecuencia del amplificador y determinar la

frecuencia de corte superior. Comprobar que coincide esta frecuencia con la teórica.
☺ Para calcular la frecuencia de corte superior es necesario utilizar amplitudes de señales muy bajas.
Con ello se elimina el efecto del “slew-rate”.

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

D) Aplicar una onda senusoidal o cuadrada alrededor de 20kHz a la entrada y medir el

”slew-rate” del amplificador. Para ello, es necesario aumentar la amplitud de salida
hasta que se observe con claridad el ”slew-rate”.
☺ Utilizar los mandos del osciloscopio para obtener en la pantalla una ampliación de la pendiente de
salida. El cálculo de esa pendiente, ∆vo/ ∆t, proporciona directamente el “slew-rate” dado en
términos de V/µs. Observar que puede variar considerablemente respecto al indicado por el
fabricante en las hojas de características del µA741.

E) Demostrar teóricamente si la frecuencia de corte superior limita la frecuencia máxima

de operación del amplificador o es el “slew-rate”, en el caso de que la salida sea una
onda senosoidal de 5 voltios de amplitud y 10KHz de frecuencia. Comprobar estos
resultados experimentalmente.
☺ Recordar que el “slew-rate” no sólo depende de la frecuencia de señal, sino también de la
amplitud de la tensión de salida.

F) Colocar una resistencia de carga al amplificador de 100 Ω. Aumentar la amplitud de

entrada hasta que se produzca recorte en la tensión de salida. Calcular teóricamente la
resistencia mínima de carga para Vo=4 V y comprobarlo experimentalmente.
☺ El µA741 posee un circuito de protección que limita la corriente de salida a un máximo de 25mA,
tanto si es corriente entrante como saliente.
¿Cómo es este circuito de protección?

G) Montar el circuito de la figura P8.2 sin conectar el

potenciómetro y medir la tensión “offset” de
salida.
☺ El “offset” de salida es un desplazamiento DC de Vo
en ausencia de señal de entrada. Se produce por las

☺
disimetrías en el AO.
Observar cómo si se calienta el OA con el dedo se
produce un desplazamiento de Vo debido a su deriva
térmica.

H) Para eliminar los efectos “offset”, conectar el

potenciómetro de 250kΩ en las terminales 1 y 5
del AO tal como se muestra en la figura P8.2.
Figura P8.2.

Anulación de efectos “offset”.

Ajustar el potenciómetro hasta que Vo=0 V.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

B) Visualización en el osciloscopio de v y vo. i

C) Diagrama de Bode del amplificador

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9.- Comparador de ventana aplicado a una señal

rectificada

Objetivos

Los comparadores son circuitos no-lineales que permiten, como su propio nombre indica,
comparar dos señales para determinar cual de ellas es mayor o menor. El resultado de la
comparación es una señal binaria y básicamente se comporta como un convertidor analógico-
digital de 1 bit. Como aplicación típica de un comparador, en esta práctica se propone la
realización de un comparador o detector de ventana. Este circuito permite determinar si una
tensión de entrada está comprendida dentro de un rango de tensiones. La señal de entrada va a
ser obtenida a partir de un rectificador de media onda basado en un amplificador operacional. La
combinación de ambos circuitos es un ejemplo típico de realización de un sistema electrónico
complejo.

VA

−
R2
R1
Vi

Figura P9.1 . Rectificador de media onda y VTC

I.- Realización de un rectificador de media onda

La tensión umbral de un diodo de silicio, utilizado como detector de media onda, es a

veces prohibitiva sobre todo cuando se manejan señales pequeñas. En efecto, su 0.6-0.7 V de
caída de tensión en directa impide la detección de señales débiles. Un medio para paliar dicha
dificultad consiste en recurrir al montaje del circuito indicado en la figura P9.1. En este circuito,
la caída de tensión del diodo es dividida por la ganancia del amplificador operacional en lazo
abierto, y por consiguiente, es reducida al orden de mV.

Pag. 25
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☼ A) Realizar el montaje de este circuito P9.1 y comprobar que su ganancia es -R2/R1=-33.

Aplicar una señal senosoidal a la entrada de 1kHz y observar como es capaz de
rectificar señales de varias decenas de mV. Comprobar el resultado con EWBMS.
Realizar un análisis teórico del circuito e indicar que diodos conducen para el semiperiodo
positivo de la señal de entrada y cuales lo hacen en el semiperiodo negativo.

II.- Comparador de ventana

B) Realizar el montaje del comparador de ventana de la figura P9.2. Si R3=1kΩ, aplicar a la

entrada, VA, una onda senosoidal de 500Hz y 3 V de amplitud y observar la salida Vo.
Medir experimentalmente los valores de VTH y VTL y comprobarlos con los obtenidos
teóricamente.
☺ Observar que R2 tiene un valor muy bajo. Como resultado, VTH y VTL van a tener valores muy
próximos y la anchura del pulso que va a generar este circuito será muy estrecha.
VA
3V

T=1/500Hz

T t

Vo

12V

-12V

Td Td Td Td

Figura P9.2. Comparador de ventana Figura P9.3. Generador de pulsos

☼ C) Conectar los circuitos de la figuras P9.1 y P9.2. Aplicar una señal a la entrada del
circuito de 500Hz que genere una salida en el circuito rectificado de 3 V de amplitud.
Se desea generar dos pulsos desplazados un tiempo Td con respecto al paso por cero, tal
como se indica en la gráfica de la figura P9.3. Calcular el valor de R3 para obtener el
valor Td asignado en la práctica. Comprobar el resultado con EWBMS.
☺ El procedimiento para obtener este valor es el siguiente. Al ser VA(t)=3sen(2π500t), se calcula en
primer lugar el valor VA para t=Td. En este caso, VA(t=Td) = VTL. Una vez conocido VTL, se
calcula el valor de R3 solicitado.

D) Variar la frecuencia de entrada y observar su efecto en la salida.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION
A) Visualización en el osciloscopio de VA y Vi.
C) Visualización en el osciloscopio de Vo y VA.

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10.- Oscilador de puente de Wien

Objetivos

Los osciladores o fuentes de excitación senosoidal son piezas fundamentales en muchos

sistemas electrónicos. Un sistema realimentado oscilará si la señal transmitida a lo largo del
amplificador y red realimentación tiene desfase 0+2kπ, y si la ganancia en magnitud del
amplificador por el factor de la red de realimentación es ligeramente superior a 1. En esta
práctica se analiza un oscilador de puente de Wien constituido por un amplificador lineal a
tramos y una red basada en un puente equilibrado de Wien. Se analizarán individualmente
ambos circuitos y se comprobará que cuando se conectan (y se verifican las anteriores
condiciones) el circuito comenzará a oscilar con la frecuencia de oscilación establecida.

1N4007

R3

R2
1N4007
R1
-A741 vo
+
B A

C R R C
Red de
realimentaciòn

Figura P10.1. Oscilador de puente de Wien.

I.- Análisis teórico

La figura P10.1 describe un oscilador de puente de Wien constituido por una amplificador
lineal a tramos, para estabilizar y linealizar la onda senosoidal de salida, y una red de
realimentación en puente de Wien. La red de realimentación define la frecuencia de oscilación
como

Pag. 27
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1
ƒo =
2π RC (1)

Y el amplificador debe cumplir la siguiente relación

R1 + R 2 + R3
>≈ 3
R1 (2)

Esta ecuación se puede expresar de la forma

R 2 + R3 >≈ 2R1

En el circuito de la figura P10.1, los diodos del amplificador actúan cono limitadores que
fijan la tensión de salida a un valor Vpp (pico a pico). Esta tensión Vpp es definida mediante la
siguiente relación
R1 + R 2 =
Vpp
−1
R3 2Vd (3)

II.- Realización

☼ A) Realizar el montaje en el laboratorio del amplificador de la figura P10.1. Escoger los

valores de resistencia adecuados para que verifiquen las anteriores ecuaciones,
utilizando los valors de Vpp y la frecuencia de oscilación indicados para esta práctica.
Se recomienda que la resistencia R2 sea variable para ajustar las condiciones de
oscilación. Comprobar que el circuito empieza a oscilar a partir de un determinado
valor de R2 con la frecuencia establecida y amplitud pico a pico fijado.
☺ Demostrar las ecuaciones (1), (2) y (3).
☺ El criterio de Barkhausen establece las condiciones de oscilación: 1) la frecuencia de oscilación la
fija la red de realimentación de acuerdo a la ecuación (1), y 2) la ganancia del amplificador debe
cumplir los requerimientos indicados en la ecuación (2).
La expresión matemática de la ecuación (2) es R 1 + R 2 + R 3 = 3 . ¿Por qué se indica en esta
R1
ecuación que debe ser ligeramente mayor (>≈) a 3 ?

B) Retirar los diodos del esquema y observar la onda resultante. Comparar ambas señales
senosoidales. ¿Qué ha ocurrido? ¿Por qué?
¿Qué limita en este caso la tensión máxima de salida?

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C) Aislar el amplificador desconectando la red de realimentación del circuito. Representar

gráficamente la VTC de este amplificador considerando como entrada el nudo + del
OA y salida a Vo.

D) Aislar la red de realimentación del amplificador. Representar gráficamente el desfase y

la ganancia entre la entrada (nudo A) y salida (nudo B) en función de la frecuencia
(entre 100Hz y 20kHz).
☺ Aplicar una onda senosoidal a la entrada y medir el desfase de la salida con respecto a la entrada

☺
para diferentes frecuencias.
Comprobar que el desfase es de 0 a la frecuencia indicada por la ecuación (1).
¿Cuál es la magnitud de la ganancia de la red de realimentación a la frecuencia de oscilación?

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

A) Visualización en el osciloscopio de la señal de salida.

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11.- Generador de diente de sierra y cuadrada

basado en un disparador de Schmitt

Objetivos

La integración de la salida de un disparador Schmitt con retroalimentación es un circuito

que permite obtener simultáneamente una onda cuadrada y triangular; ésta última puede derivar
en una onda en forma de diente de sierra (onda triangular no simétrica). El objetivo de esta
práctica consiste en montar y analizar un generador de estas características en base a dos
circuitos muy comunes y de fácil realización con amplificadores operacionales: un disparador de
Schmitt y un integrador RC.

I.- Análisis de un disparador de Schmitt

- vo
TL084
En el circuito de la figura P11.1 se muestra un comparador +
regenerativo también denominado comparador con histéresis o R1
disparador de Schmitt. Para este circuito, se pide:
R2
A) Calcular su VTC teórica y experimental para los valores vi
R1 y R2 asignados a esta práctica. Medir la VOH y VOL y Figura P11.1.

compararla con le teórica. Disparador de Schmitt.

☺ El disparador Schmitt de la figura P11.1 es un comparador con dos tensiones de entrada de
disparo, una positiva y otra negativa. Para obtener ambas tensiones, es preciso aplicar tensiones
positivas y negativas a la entrada a través de una fuente variable DC. El cambio de polaridad en la
fuente DC se realiza intercambiando los cables cuando la tensión vale cero. Con este

☺
procedimiento, se evita cambios inesperados en el estado del disparador.
El TL081/2/4 es un AO de bajo costo y entrada JFET que tiene mejores características que el
clásico µA741. El TL081 encapsula un único OA, el TL082 2 AO y el TL084 hasta 4 AOs. El
conexionado se puede encontrar el las hojas de características de este dispositivo.

☼ B) Aplicar a la entrada del disparador una onda senosoidal de 10 V de amplitud y 1KHz de

frecuencia. Representar gráficamente el resultado y comprobar el resultado con EBW.
☺ Observar que los cambios en el estado del comparador se produce para las tensiones de entrada
obtenidas en el anterior apartado.

Pag. 30
 Laboratorio de Electrónica Básica

C) Repetir los apartados A) y B) retirando la resistencia R1 del circuito. Discutir las

diferencias obtenidas en ambos casos.
¿Explicar las diferencias que existen entre un comparador de Schmitt y un comparador simple?

II.- Generador de una onda cuadrada y triangular

Con el disparador de Schmitt anterior construye el circuito generador de diente de sierra y

onda triangular de la figura P11.2. Para este circuito se pide:

☼ D) Determinar el valor de R3=R4 para que el periodo de la señal T sea el asignado para la
práctica. Obtener la forma de onda teórica del circuito y las amplitudes de Vo1 y Vo2
☺ Considerar la caída de tensión de los diodos a la hora de establecer las ecuaciones de
funcionamiento de este circuito.

E) Comprobar el resultado experimentalmente y representar gráficamente Vo1 y Vo2.

F) Repetir el apartado E) en el caso de que R3 sea aproximadamente 2R4.

Figura P11.2. Circuito generador de diente de sierra y onda cuadrada.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

B) Visualización en el osciloscopio de Vi y Vo.
D) Visualización en el osciloscopio de Vo1 y Vo2.

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12.- Aplicaciones del temporizador 555

Objetivos

El circuito integrado temporizador 555 es utilizado para gran cantidad de aplicaciones y

configuraciones. Es un circuito relativamente complejo, contiene un total de 27 transistores, y a
nivel bloque está constituido por dos comparadores, un flip-flop RS y elementos de control. En
esta práctica se analiza las dos configuraciones más típicas de este temporizador, monoestable y
astable. En el primer caso se genera un pulso de duración fijada a través de una red RC externa a
partir de un pulso de disparado, y en segundo caso, se genera una onda cuadrada de periodo
fijado mediante elementos externos.

I.- Configuración monoestable

En el circuito de la figura P12.1 se muestra la configuración monoestable más sencilla. El

circuito de disparo detecta el paso por cero de la onda cuadrada y genera un pulso que dispara el
circuito. Para este circuito, se pide:

Figura P12.1 . Temporizador 555 en configuración monoestable.

A) Aplicar una onda cuadrada de 5 V de amplitud y observar el efecto del circuito de

entrada que genera la señal V de disparo del temporizador. ¿Por qué tiene que tener
i

esta forma?
☺ Para disparar el 555 se necesita un pulso negativo cuya amplitud debe ser inferior a 1/3 de la
tensión de alimentación. El circuito de entrada genera dicho pulso de disparo.

Pag. 32
 Laboratorio de Electrónica Básica

☼ B) Asignar valores a R y C para que T del monoestable sea el asignado a la práctica.

Modificar la tensión VCC y observar como el pulso de salida mantiene su duración.
☺ La duración del pulso de salida en configuración monoestable es constante y depende de la red
RC externa. Su valor es T=RCln3.

II.- Configuración astable

La configuración monoestable de la figura P12.2 permite obtener una onda cuadrada no

simétrica de periodo conocido.

☼ C) Asignar un valor a R1, R2 y C para que la frecuencia de oscilación tenga el valor

asignado a la práctica. Además, el “duty cycle” debe ser del 80%. Comprobar el valor
con EWBMS. Observar que ambos periodos son independientes de la tensión de
alimentación variando el valor de VCC.
☺ El inconveniente de la configuración básica mostrada en la figura P13.1 es que no permite generar
una onda cuadrada simétrica. El periodo en estado alto es T1=(R1+R2)Cln2 y el bajo es
T2=R2Cln2.

Figura P12.2 . Temporizador 555 en configuración astable.

ADJUNTAR IMPRESIÓN DE LOS RESULTADOS OBTENIDOS POR SIMULACION

B) Visualización en el osciloscopio de V y V . i o

C) Visualización en el osciloscopio de V y V . (2) o

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

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 Laboratorio de Electrónica Básica

HOJAS DE CARACTERÍSTICAS

DE LOS

COMPONENTES

UTILIZADOS EN LA

REALIZACIÓN DE ESTAS PRÁCTICAS

Componentes, Pag. 35
• 2N5457, Pag. 37
• 2N3903/04, Pag. 40
• 2N3905/06, Pag. 46
• µA741, Pag. 51
• LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302, Pag. 57
• TL081/82/83, Pag. 63
• NE555, Pag. 68
• 1N4007, Pag. 73

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Ingeniería Técnica de Telecomunicación (Sistemas Electrónicos)

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Laboratorio de Electrónica Básica

2N5457

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2N5457

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2N5457

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2N3903/04

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2N3903/04

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2N3903/04

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2N3903/04

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2N3903/04

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2N3903/04

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2N3905/06

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Laboratorio de Electrónica Básica

2N3905/06

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2N3905/06

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2N3905/06

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2N3905/06

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OA741

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OA741

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OA741

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OA741

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OA741

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OA741

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LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302

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LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302

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LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302

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LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302

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LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302

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LM139 /LM239/LM339/LM2901/LM3302

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TL081/82/83

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TL081/82/83

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TL081/82/83

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TL081/82/83

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NE555

Pag. 68
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NE555

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NE555

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NE555

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NE555

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