Está en la página 1de 5

NOMBRE DE ASIGNATURA ELECTRONICA 1

SEMANA 6

Nombre del estudiante Eric Paredes


Fecha de entrega
Carrera Ingeniería automatización y control
INTRODUCCION
A continuación realizaremos la actividad evaluada de la semana 6 , como ya sabemos y hacemos todas las
semanas emperezaremos estudiando el contenido dela semana y trabajando con los recursos adicionales
interactivos además nos apoyaremos con las herramientas tecnológicas de YouTube y, Google académico.

DESARROLLO
1-En primer lugar, un cliente necesita comprender la curva característica de drenador del transistor FET, a
fin de tener esto en cuenta al momento de utilizar este dispositivo en sus diseños, por lo que te pide le
expliques los siguientes puntos, relacionado con la figura 1:

A-¿Por qué la corriente de drenador solamente circula cuando el voltaje entre puerta y fuente (VGS) se
hace negativo?

-cuanto más negativa sea la tensión VGS antes se alcanzará la condición de saturación, o de otra forma, el
canal se “estrangulará” para valores menores de la tensión VDS, lo cual parece lógico ya que cuanto más
negativa sea VGS menor es el canal de partida que tenemos. El canal se estrecha cada vez más,
especialmente cerca de la zona del drenador, hasta que ambas zonas de deplexión se tocan La tensión
VDS para la cual se produce el estrangulamiento del canal se denomina VDSsat . Para tensiones VDS
aplicadas superiores a este valor, la pendiente de la curva (ID - VDS) se satura, haciéndose
aproximadamente cero, manteniéndose la corriente ID prácticamente constante a un valor denominado
IDSS (Corriente drenador - fuente de saturación) que es la máxima corriente que podemos tener para un
determinado FET.

B-Dado que la corriente de drenador (ID)se hace máxima cuando el voltaje entre puerta y fuente (VGS) se
hace cero, ¿qué sucede con la corriente de drenador (ID) cuando el voltaje entre puerta y fuente (VGS)
pasa de cero y se hace positivo?

-lo que sucede es que el canal se empieza a anchar o se abra sucede todo lo contrario entre más ancho
menor es el voltaje es decir entra en la Región inactiva (en esta región, la corriente que fluye a través del
transistor es muy pequeña).

Fundamenta ambas respuestas.


2- Lo siguiente que te pide tu jefe es que puedas explicar a tus compañeros de trabajo al menos 3
diferencias entre la polarización de una sola fuente o por división de tensión, para los amplificadores de
fuente común, considerando la forma en la que estos se conectan.

En los amplificadores de Fuente común con polarización de una sola fuente: produce una alta
impedancia a la entrada y a la salida, su rendimiento es alto y limpio es una de los más utilizados, utiliza
una etapa de amplificación de corriente constante para minimizar las pérdidas en el circuito, se alimenta
mediante una única fuente, lo que permite un mayor rendimiento.

En cuanto a la polarización por divisor de tensión: este circuito permite obtener niveles de corriente
análogos a la polarización con una sola fuente con una mayor resistencia RS, disminuyendo el efecto de la
dispersión al disminuir la pendiente de la recta de polarización, sin embargo, la impedancia de entrada se
ve limitada por el valor de las resistencias utilizadas para el divisor de tensión, es un amplificador que se
usa en aplicaciones de baja tensión y baja corriente, tiene una fuente común conectada a la puerta del
transistor FET, La conexión de la fuente común a la puerta del transistor FET hace que tenga una ganancia
muy alta, La fuente común está conectada a una resistencia en serie con el transistor FET. La resistencia
se usa para polarizar el transistor FET.

3-Por último, se te consulta sobre la ganancia de un amplificador, para lo cual se te pide hallar el valor del
punto Q (VGSQ, IDQ, VDSQ) en el circuito mostrado.
COMENTARIO FINAL
Esta semana aprendimos lo que son los amplificadores de señal con FET el transistor FET es una excelente
opción para amplificar señales pequeñas .Además aprendimos los tipos de transistores, sus tipos de
polarizaciones, la curva característica de drenaje, en la forma en que se ocupan , donde se ocupan .

Es importante entender que los transistores FET son muy sensibles a la temperatura dicho esto es obvio
que este transistor debe tener una buena ventilación para evitar el sobre calentamiento, también son
sensible a la tensión por esto se debe tener una fuente de alimentación estable y de calidad.

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
IACC (2023). Amplificadores de señal con FET. Electrónica I. Semana 6

Verdines, D., Canal Diego Verdines. (18 de Junio de 2020). Curvas Características del FET [clase online].
YouTube. https://www.youtube.com/watch?v=jiFr-YZwxmk

También podría gustarte