dispositivos

electronicos TOMO

Margarita Garcia Burciaga de Cepeda

Arturo Cepeda Salinas
/

..
 d ispositivos
1

electronicos
TOMO II

4a. edición

Margarita Garcia Burciaga de Cepeda

Arturo Cepeda Salinas
(Egresados de la Escuela Superior de
Ingenieria Mecánica y Eléctrica)

INSTITUTO 'S I O NACIONAL

Mexico, 1985
 A NUESTROS PADRES:

Maria de la Luz Burciaga R. Maria de los Angeles Salinas

E. Gabriel Garcia G. Edmundo Cepeda de la G.

For los valores, sacrificios y omor con que no: form aron.
A NUESTROS HIJOS:

Martha Lucia, César Arzuro y Mario del Mar.

Con la esperanza de que alcancen la realizacin y la pat de

espfrizu que la human Idad pers1,ue.
A NUESTROS HER MANOS:

Deseándoles bienestar, felicidad y éxito.

A NUESTROS MA ES TR OS:
Ing. Mario Vázquez Reyna,
Ing. Rodolfo Romero Carrera,
Dr. Hector Nava Jaimes,
Dr. Harold S. Dutton,
Frofr. J. Guadalupe Godoy Gonzalez, y
Profr. Federico Nava Garcia.
Quienes ihiminaron con su saber nuestro entendimiento y
no: mostraron con sus ensefianzas que solo es posible apren.
der lo que estd semidormido en el intelecto, mediante el
esfuerso y voluntad propias.

A NUESTROS COMFA1EROS:

Con u n cordial y profundo respeto.

A NUESTRA ESCUELA.
For su tradición y escuela.

Matgarira y Arturo.

Mexico D. F., 1985.

EROLOGO

Cada dia se tiene noticiá de nuevos dispositivos eiectrónicos, que aumen tan las
posibilidades de aplicación, y as( la incursion de ía eiectrOnica en todas las dreas
de la ingenierla. Los dispositivos electrOnicos se dividen en tres grandes dreas,
que son la de los dispositivos semiconductores o de estado sólido; la de los
dispositivos al vaci'o y la de los dispositivos gaseosos. En el presente trabajo se
pretende dar los fundamentos fz'sicos y eléctricos que permiten comprender el
comportamiento de los dispositivos electrOnicos, de manera que los que sur/an
en cualquiera de estas tres grandes areas enunciadas puedan ser fácilmente
asimilados y10 aplicados. Se presen tan los dispositivos electrónicos mds comin-
mente empleados, poniendo dnfasis en ci estudio de su comportamiento fisico
y eléctrico, y en las aplicaciones tIpicas y los modelos lineales de los mismos.
En la presente ediciOn se ha uniformizado ci tratamiento de los distintos
dispositivos, y se han resuelto ejemplos e incluido una reiaciOn de preguntas y
pro blemas en cada uno de los cap i'tulos.
En la escuela y en la vida, el estImulo mds importante del trabajo es el
placer en ci mismo; placer en su desarrollo, en su resultado y en el conocirnien-
to del valor de este resultado para la comunidad. Si la ciencia es ci esfuerzo
secular por presentar con/untamente, POT medio de la reflexión sistemdtica, los
fenomenos perceptibles de este mundo dentro de una asociación lo mds corn-
pieta posible, * recomendamos al lector que los conceptos aqui' vertidos sean
cuidadosa y cri'ticamente reflexionados, pues a través de ía reflexiOn sistemática
se logran los conocimienros duraderos y fructiferos.
La explosiva participación de la electrOnica en las actividades del ser huma-
no modifica su comportamiento social en la actualidad; esto es debido al bajo
costo de los dispositivos semiconductores (que en los zfltimos 30 años se ha

* Albert Einstein, De mis áltimos afios. Aguilar, S.A., Esp-aa 1951.

reducido cuando menos 100 veces) y a la diversidad de funcionamientos que se
pueden lograr, manejando en forma versátil las corrientes y señales eléctricas.
Estas virtudes de los dispositivos electrónicos incitan a la creatividad del inge-
niero y generan productos novedosos que invaden el mercado, cada vez, con
imis funciones y mayor agresividad.
Consideramos que el conocimiento profundo del comportamiento de los
principales disposirivos electrdnicos permitirá al lector la generación de produc-
tos, propuestas, proyectos y soluciones ingenierilmente viables, econOmicos y
confkibles, que le colocarán en un lugar destacado den tro de la comunidad.

RECONOCIMIENTOS

Esta cuarta edición de Dispositivos ElectrOnicos satisface una necesidad biblio-

grdfica en la formación de todo ingeniero en comunicaciones y electrónica o
rama afin. Reconocemos la progresista vision de la Dirección de Publicaciones
del IPN en apoyar la realización de la misma.

AGRADECIMIENTOS:

Toda obra requiere de la integraciOn de ideas, esfuerzos, constancia, dedicaciOn

y esmero. Estos atributos fueron administrados generosamente por el Ing. Mar-
tiniano Espinosa Rodriguez en la redacciOn y corrección de estilo; y los Sres,
alumnos de la carrera de ICE en la ESIME-IPN, Julio Islas Lápez, Luis Javier
Vargas, Raymundo Pulido y Alan BuitrOn, en diseño grdfico, a quienes extende-
mos un testimonio degratitudy hacemospatente nuestra másalraconsideración.

Atentamente:

Margarita Garcia Burciaga de Cepeda y Arturo Cepeda Salinas.

Mexico D.F., 1985.

CONTENIDO

Página

CAPITULO VI TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 15

Introducción 15
6.1 Transistor de efecto de canipo de union (FET
deuniOn) 16
6.1 .1 Conducción en una barra semiconductora 16
6. 1 .2 Barra semiconductora con uniones P-N 17
6.1.3. Caracterfsticas eléctricas 28
Capacidad de la compuerta 36
Voltaje de ruptura del transistor de efecto
de canipo de uniOn 36
Impedancia de entrada del FET de uniOn 37
6.1.4 SImboloempleado 38
6.1.5 Modelos empleados 38
Modelo dinámico 40
Modelo dinárnico a altas frecuencias 41
6.1.6 Caracterfsticas generales o parámetrosgenerales 41
6.1.7 VariaciOndeparámetros 43
VariaciOn de 'DSS con la temperatura 43
6.1.8 Métodos fundamentales de polarizar 45
Circuitos de autopolarizaciOn 46
6.2 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-
OXIDO-SEMICONDUCTOR (MOS-FET) 46
6.2.1 Estructura fundamental 47
6.2.2 Análisisdel transistor 48
Transco nductancia en La regiOn de triodo 56
Conductancia del canal para la region del triodo 57
Capacidad total de La compuerta 57
 Figura de Mérito del MOS-FET 57
6.2.3 MOS-FET de vaciamiento 58
Curvas caracterIsticas estáticas 60
6.2.4 SImbolos 61
6.2.5 CaracterIsticas y limitaciones 62
6.2.6 Variación de los parámetros 64
6.2.7 Circuito equivalente 67
6.2.8 Precauciones que se deben tomar en el manejo 69
Ejemplos 71
Preguntas 106
Problemas 110
BibliografIa 117

CAPITULO VII TRANSISTOR MONOUNION (UJT) 119

IntroducciOn 119
7.1 ConstrucciOn del transistor 119
7.2 Teoria de operación 121
Circuito equivalente del UJT para la region
de corte y de resistencia negativa 133
Curvas caracterIsticas 133
7.3 SImbolo 134
7.4 CaracterIsticas y limitaciones 134
Ejemplos 137
Preguntas 155
Problemas 157
BibliografIa 161

CAPITULO VIII DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS

OMASCAPAS 163
IntroducciOn 163
8.1 AnalogIa con dos transistores de un dispositivo
de cuatro capas 163
Comportamiento eléctrico de un dispositivo de
cuatro capas conectado corno diodo 167
8.2 DIODO CONTROLADO DE SILICTO (SCR) 169
CaracterIstica estática del SCR
8.2.1 Circuito equivalente 171
8.2.2 Caracterfstica y limitaciones 172
8.2.3 VariaciOn de los parámetros 175
Caracterfsticas de disparo del SCR 176
8.2.4 Construcción interna y sImbolo 180
 8.3 TRIAC 182
Los cuatro cuadrantes de operación de un TRIAC 183
8.3.1 Curvas caracterfsticas estáticas 184
8.3.2 SImbolo 184
8.3.3 Circuito equivalente 185
8.4 DIAC 185
8.4.1 Construcciôn y simbolo 185
8.4.2 Principio de operación y curvas caracterfsticas 186
8.4.3 CaracterIsticas y especificaciones 187
8.5 DIODO INTERRUPTOR BILATERAL (DIB) 187
8.5.1 ConstrucciOn y sImbolos 188
8.5.2 Principio de operación y curvas caracterfsticas 189
8.5.3 Caracteristicas y especificaciones 189
8.6 INTERRUPTOR DE SILICIO UNILATERALES Y
BILATERALES (SUS, SBS) 189
8.6.1 Construcción y simbolo 190
8.6.2 Principio de operación y caracterfsticas de los
interruptores de silicio 191
8.6.3 CaracterIsticas 193
8.7 INTERRUPTOR CONTROLADO POR
COMPUERTA,GTO 192
Ejemplos 194
Preguntas 230
Pro blemas 232
BibliografIa 237

CAPITULO IX DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS

DE ESTADO SOLIDO 239
Introducción 239
9.1 Celdas fotoconductoras (fo tore sistivas) 241
9.1.1 Fotoconductividad 242
9.1.2 Comportamiento eléctrico 243
9.1.3 SImbolo 246
9.1.4 Parámetros 246
9.2 FOTO-DIODO 247
9.2.1 Funcionamiento 247
9.2.2 Caracterlsticas 248
9.2.3 Simbolos 251
9.2.4 Parámetros 252
9.2.5 Circuito equivalente 253
9.3 DIODOS EMISORES DE LUZ (LED) 253
 9.3.1 Funcionamiento del dispositivo 253
9.3.2 Comportamiento eléctrico 254
9.3.3 SImbolo 258
9.3.4 Paránietros 258
9.4 FOTO-TRANSISTOR 259
9.5 DIODO CONTROLADO DE SILICIO ACT! VADO
POR LUZ (LASCR) 260
Ejemplos 262
Preguntas 277
Pro blemas 279
Bibliografia 289

CAPITULO X EMISION ELECTRONICA EN SOLIDOS 285

Introducci6n 285
10.1 EMISION TERMOJONICA 288
10.1 .1 Ecu aciOn de Richardson 293
10.1.2 Efecto de enfriamiento 295
10.1 .3 Gráfica de la ecuación de Richard so n-Du shman 295
10.1,4 EFECTO SCHOTFKY 298
10.2 EMISION POR CAMPO 303
10.2.1 Microscopic de emisión por campo 305
10.3. EMISION SECTJNDARIA 306
10.3.1 Variaciôn de la emisión secundaria con el
potencial de los electrones primarios 307
10.4 FOTOEMISION 310
10.4.1 Efecto fotoeléctrico 310
10.4.2 Eficiencia fotoeléctrica 313
Ejemplos 317
Preguntas 334
Problemas 337
BibliografIa 338

CAPITULO XI DISPOSITIVOS AL VACIO 339

Introducción 339
11.1 DIODOALVACIO 341
Introducción 341
11. 1.1 Relación de voltaje y corriente 342
11. 1.2 SImbolo 351
11.1 .3 Caracterfsticas y limitaciones 35 1
11.1.4 Circuito equivalente 353
11.1.5 VariaciOn de parámetros 355
 11.2 TRIODO AL VACIO 355
Introducciôn 355
11.2.1 SImbolo 356
11.2.2 Triodo piano paralelo frfo 357
11.2.3 Triodo termoiOnico 359
11.2.4 Curvas de corriente de Rejilla para un triodo
termoiónico 362
11.2.5 Caracteristicas y limitaciones 364
11.2.6 Circuito equivalente 367
11.2.7 Variacióndeparárnetros 371
11.2.8 Aplicaciones tIpicas del triodo 371
11.2.9 Potencia de disipación maxima 375
11.3 TETRODO 376
Introducción 376
11.3.1 SImbolo 380
11.3.2 CaracterIsticas y limitaciones 380
11.3.3 Circuito equivalente 381
11.4 PENTODO 384
Introducción 384
11.4.1 Sfmbolo y funcionamiento 384
11.4.2 CaracterIsticas y liniitaciones 388
11.4.3 Circuito equivalente 389
11 .4.4 Aplicaciones tipicas 392
11.5 FOTO-TUBOS 396
Introducción 396
11.5.1 CaracterIsticas de la fotoemisión 396
11.5.2 Celdas fotoemisivas 399
11.5.3 Fotomultiplicad ores 402
Ejemplos 412
Preguntas 445
Pro blemas 447
Bib liografia 451

APENDICES 453
A Método de WKB para determinar las transparencias
de las barreras de potencial 455
B Constantes fisicas 457
C Cuadipoios 458
D Propiedades de los semiconductores 475
E Propiedades del Ge, Si y GaAs a T = 300'K 476
F Tabla de conversion de factores 478
 G Curva normalizada de la funciOn error 479
H Principales dispositivos semiconductores discretos 480
I Cálculo de disipadores en funciOn del area de las
placas de alummio 498
J Teorema de circuitos 499
K Disipadores 509
Bib liografia de apéndices 518

INDICE TEMATICO 519

CapItulo 6
TRANSISTORES DE EFECTO
DE CAMPO.

INTRODUCCION

Los transistores que se usan en electrônica se dividen en dos grandes clases:

transistores bipolares y transistores unipolares. En el caso de los bipolares se
tiene conducción eléctrica dentro del dispositivo POT electrones y por huecos
a la vez (dos tipos de portadores), de ahi el término bi, mientras que en los
transistores unipolares se tiene conducción eléctrica dentro del dispositivo ya
sea por electrones o pot huecos (un solo tipo de portador), y en este caso se
dice que la conducción dentro del dispositivo se debe inicamente a los porta-
dores mayoritarios. i
El transistor de efecto campo de union es un dispositivo unpolarenel
cual la corriente clécjrica es controlada por un campo eéctricoglicado an
lasuperficie o en la fro ntera de la uniOn del dispositivo. Este es de los primeros
dispositivos semiconductores que se concibieron para poder controlar un flujo
de corriente eléctrica grande mediante sefiales pequeflas. Su concepción se
remonta a 1930 en los EUA por J. E. Lilienfeld y a 1935 en Inglaterra por
0. Heil, quienes en tales aflos presentaron sendas patentes en sus respectivos
palses. Sin embargo, no fue sino hasta 1952 en que Schockley* propuso un tran-
sistor de efecto de campo con un electrodo de control, el cual consistla de un
diodo polarizado inversamente. Este dispositivo demostró tener caracterIsticas
inte:esantes y reproducibles, por lo que rápidamente ocupó un importante
lugar dentro de las aplicaciones de la ingenierla electrônica. En fechas más
recientes (los afios 60) se desarrollaron nuevos tipos de transistores de efecto
de campo, con nuevas geometrIas y nuevas tecnologIas de fabricaciôn, y actual-
mente existen transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
(MOS-FET) y otros tipos más.

* Shockley, W.A Unipolar Field Effect Transistor. Proc. IRE, vol. 40 (nov 1952), p. 1365.
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET
6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

Para entender cômo opera un FET de union, se requiere ci conocimiento de:

a) conducción eléctrica en semiconductores; y
b) comportamiento de la union P-N polarizada inversamente.
Revisaremos brevemente estos puntos para estabiecer luego las relaciones
que gobiernan la operación del FET de union.

6.1.1. ConducciOn en una barra semiconductora

Cuando se tiene una barra semiconductora y se quiere pasar una corriente eléc-
trica a través de ella, se encuentra que este material presenta una conductividad
de la forma
0= e([Link] +

de manera que si ci material semiconductor se presenta en forma de paralele-

pIpedo rectánguio, como ci que se muestra en la Fig. 6.1, se puede encontrar
que la conductancia del material es:

____
G= crWH = e(np. +p,) WI,

Si la barra es tipo P, es decir, p > n,

G = ej.p WH (6.1.2)
L

Si la barra es tipo N, es decir, n > p

G = en WI' (6.1.3)
L

iiv
14 ;]( vI
L

Figura 6.1. Una barra semiconductora como resistencia.

r.
 6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE

Las relaciones (6.1.2) y (6.1.3) nos dan la conductancia de una barra semi-
conductora cuando la concentración de impurezas es uniforme a lo largo de
toda la barra.
Sin embargo, si la concentraciôn no es uniforme, por ejemplo si es uniforme
en el eje z y en el x pero varIa en el eje y (ver Fig. 6.1), se puede establecer que:

H
G—ep p(y)dy. (6.1.4)
L

6.1.2. Barra semiconductora con uniones P-N

Para formar el transistor de efecto de campo (FET) segün propuso W. Shockley,

es necesario introducir impurezas en una barra semiconductora mediante la
difusiOn para formar uniones P-N, como se muestra en la Fig. 6.2.
Este dispositivo asI construido constituye un transistor de efecto de campo,
en donde a una terminal se le denomina fuente, la otra recibe el nombre de
drenaje (en los extremos de la barra semiconductora) y a los contactos de las
regiones N cortocircuitados se les denomina compuerta. La region interesante
en cuanto al comportamiento eléctrico de nuestra barra semiconductora es
ahora La regiOn entre las uniones semiconductoras, la cual recibe ci nombre de
canal de conducción. En este momento ya es posible concluir que desde el
punto de vista eléctrico es indiferente cuál es el drenaje y cuál 1a fuente, es
decir, pueden intercambiarse entre si, sin que esto altere el comportamiento del
dispositivo.
Compuerta I
G '\ +1

-I -

itr .I
Figura 6.2. Barra semiconductora con uniones P.N para formar un FET de unidn.
 6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Si al construir el dispositivo FET de union se hace que laconcentraciónde

donadoresen las regiones N sea mucho mayor que laconcentración de acepro-
reTèn el canal p; las regiones de vaciamiento de las uniones P-Nformadas esta-
rá,j prácticamente den tro del canal y, debido a que en las regiones de vacia-
miento no hay portadores libres (ver tratamiento de la union P-N, cap Itulo 3),
el canal de conducciOn se reducirá en sus dimensiones fIsicas.

1ID
.04

LH
- I

- ' H' lk'D =0

(b) IG

Figura 6.3. Canal de conduccidn del FET de union: (a) sin considerar las uniones; (b) consi-
derando las uniones y la reducción del canal de conducción.

En la Fig. 6.3 se puede apreciar cómo el canal de conducción de la barra

semiconductora se reduce debido a las zonas de vaciamiento:
a) antes de introducir las regiones N ci canal de conducción tiene una altura
H, y
b) al introducir las regiones N y tener las uniones semiconductoras, el canal
tiene una altura efectiva /i, la cual es menor que H, donde:

h=H-

En las uniones P-N el espesor de las zonas de vaciamiento es:

2€ NA +ND 1/2
X. = (/O - V) (
'VD

y en el caso en que ND > NA , tenemos:

IN
 6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

X, [ — (ii - H*

H =II cuando VA =0,

donde H5 es el espesor de la zona de vaciamiento en función del voltaje de pola-

rización.
El desarrollo original rea]izado por Shockley presenta compLicaciones de
tipo mat emático que distraen de la finalidad de este trabajo; es por esto que
usaremos en este caso el tratamiento simplificado presentado por R. R. Bocke-
muehi de la General Motors.* Seg(in este análisis:
a) la construcción del dispositivo es simétrica respecto del eje horizontal SD
(fuente-drenaje);
b) tqdos imp ureza tanto en laregjón P como en la regón N están
ionizado.
c) la zona de vaciamiento dentro de las regiones N es despreciable, es decir,
ND > NA (regioñès deompuertà); y
d) se analiza inicainente la region entre las uniones y se considera el resto del
dispositivo como purãrnente resistivo.
Antes de iniàiar este análisis es conveniente ver qué sucede fIsicamente den-
tro del dispositivo cuando circula por él una corriente entre drenaje y fuente;
esto se ilustra en la Fig. 6.4.
El explicarnos la aparición de la zona de vaciamiento producida por la union
P-N es sendilo después de ver el análisis de la propia uniOn P-N (capItulo 3); lo
mismo sucede para la zona de vaciamiento adicional debido a la polarización
entre compuerta y fuente V. Sin embargo, para entender la formaciOn de una
zona de vaciamiento debida a la conducciôn de corriente eléctrica 'DS a través
del canal de conducción, es necesario observar la Fig. 6.4-b y ver que, al aplicar
un voltaje VDs con la polaridad indicada en dicha figura, la union formada entre
la compuerta y el canal de conducciOn estará más inversamente polarizada en el
extremo B de la compuerta que en el extremo A, por lo que Si el ancho de la
zona de vaciamiento aumenta a! aumentar la polarizaciOn inversa (ecuación
6.1.5) es lógico que la zona de vaciamiento sea mayor en el extremo B que en
el A.
Si se considera la simetrIa establecida, es suficiente con analizar la mitad del
dispositivo para obtener el comportamiento eléctrico del FET de uniOn, tal
como se muestra en la Fig. 6.5.

* Bockemuehi, R.R. Analysis of Field Effect Transistors with Arbitrary Charge Distribution, IEEE
Trans. vol. ED-b, pp.31-34, jan. 1963.

19
6 TRANSISTORLS DL I FECTO DL CAMPO

En la region de cargas fijas el comportamiento está regido por Ia ecuación

de Poisson, es decir:

V 2 V=—p/e. (6.1.6)

La densidad de portadores —Se considera la rnisma que La de Los jones en la

zona de vaciamiento— es:

p = ep(y),

ep(y)
2=_ (6.1.7)

Ds
D
VDS

VGSO

(b)

Em Zona de vaciamiento
en equilibrio.

Zona de vaciamiento
:VDS U420 cuando VGS*0.
VGS 0 Zona de vaciamiento
VDS *0 cuando VDS
'DS 0

(c)

Figura 6.4. Variacidn del canal de conduccidn al polarizar el dispositivo FET de union: (a) sin
polarización; (b) con corriente de drenaje I 0, pero V = 0; (c) con corriente de drenaje
JDS'fOY V0 O.

20
 6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

Hs = H5 (x)

ral
D 'S' =L

;---* x
z

Figura 6.5. Mitad del FET de union en la region del canal de conducción para el análisis del
comportamiento eléctrico.

Integrando por primera vez la ecuación (6.1.7), se tiene:

VV= - (6.1.8)
-- j p(y)dy + cte.

La integral
J 0
p(y) dy es el nUmero total de átomos inipureza en una unidad

de area medida sobre la superficie que presenta el dispositivo en la frontera

entre las regiones P y N, es decir sobre el piano (x, z):

en donde:

Q(y) = e
J0
p(y) dy. (6.1.9)

Q(y) es el ndmero total de cargas por unidad de area en la frontera de la

union sobre el piano (x, z). AsI entonces:

Q(h)=eJ p(y-) dy (6.1.10)

0

donde Q(h) es La densidad de cargas fijas por unidad de area en la frontera de la

union (en la zona de vaciamiento).

21
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE

Si la condiciôn de frontera para la ecuación de Poisson es que dV/dy = 0, e

y = Fi (frontera entre la zona de vaciamiento y el canal de conducción), y se
sustituye en la ecuaciOn (6.1.8), se obtiene:

O=
6 fo + cte,

=_ç_J h
entonces: cte p(y) dy,

en donde:
1h]
vv= fpy)d_

d e
= — j- [Q(v) — Q(h)] (6.1.12)

Integrando por segunda vez y tomando como lfmites de integración desde

y = 0 hasta y = h, se encuentra el voltaje que aparece en la zona de vaciamien-
to, el cual será la suma del voltaje aplicado entre la compuerta y fuente VGS, y
el potencial de contacto de la union P-N:

- h

V(h) = -f j Q(y) dy

V(h=-- [/zQ(h)
-_f Q()dY] . (6.1.13)

Recordando Ia integración por partes, se tiene:

f udv= uv— fvdu,

en donde E/(h) será:

V(h) =-fjyp(y)d. (6.1.14)

 6. 1. TRANSISTOR DE EFICTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UN

Derivando la ecuaciOn (6.1.14) respecto a h, se obtiene:

1J—=hp(h)f. (6.1.15)

ecuación que nos dice que el voltaje necesario para mover la frontera entre la
zona de vaciamiento y el canal de conducción aumenta con la distancia h y
depende de La densidad de carga en La frontera de la misma. De la ecuación
(6.1.14) y de la ecuación (6.1.15) es posible obtener la capacidad de la union
por unidad de area, la cual es dada por:

(6.1.16)
HdV I dhdV h
Otra información importante que se puede derivar de La expresiôn (6.1.14)
e relacionada con el voltaje necesario para que La zona de vaciamiento supe-
rior se toque con la zona de vaciamiento inferior no dejando canal de conduc-
cion para la corriente eIéctricJ A este voltaieA le llama voltaje de oclusiOn
(pinch-off en ingles)j
Luego, el voltaje de oclusiôn será:

KC/2
H H
Vp =V(h=--)=V(-2-)=-- yp(y)dy,
fo

expresión que se puede aproxiniar, segün Shockley, si se considera que elpoten-

cial de contacto se desprecia.

t1C12
e
V=7
I yp(y)dy; (6.1.17)

por ejemplo, si p (y) = p0 = cte (densidad de impurezas tipo P constantes, en

la region de conducción), entonces el voltaje de oclusión queda:

epo (+Hc—H) - ep0 H - ep0H

VP (6.1.18)
2€ - 8€ 8€

donde /,,, es el potencial de contacto de la union en equilibrio.

23
6 TRANSIST0R.S DII FtCTO DI CAMPO WIT)

Para evaluar el flujo de corriente en el canal del FET, es neeesario recurrir a

las ecuaciones deducidas para el dispositivo y a la ley de Ohm, la cual establece
que:
- a
(6.1.19)

donde la conductividad es La del canal de conducciôn (a = e,zp0 ); se supone

que no hay conducciOn eléctrica en la zona de vaciamiento.
Asi, la corriente 'DS será:
HC/2
IDS = W p(y)dy (6.1.20)
f
HC/2
dV
dx (6.1.21)
'Dsdx=2e-dhwJ
h p(y)dv,

donde el factor "2" se debe a Ia contribución de las dos mitades.

Sustituyendo la ecuaciOn (6.1.15) en la ecuación (6.1.21) se obtiene:
£ L fHC12
= 2 eWi (
'DS L 1DS dx jhp(h)dh py)dy, (6.1.2 2)
= o € o h

Hc /2

Si fp ( y)dy=[Q(H/2)—Q(h)] ; (6.1.23)

ypara x=0 , h.H,

x=L , h=HD

HD
= 2:Wii
entonces: js [Q (H12) - Q(h)]hp (h)dh. (6.1.24)
HS
Se puede considerar que si la caida de voltaje VDS está prácticamente en la
region donde están las compuertas, entonces:

H=H, +H1 (V03),

(6.1.25)
"D' +H2 (VDs — VGS),

24
 6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

donde H1 ( VGS) es la altura que aumenta la zona de vaciamiento en la terminal

de la fuente debido a la polarización entre compuerta y fuente, y H2 ( VS - VGS)
es la altura que aumenta la zona de vaciamiento en el lado del drenaje en fun-
ción de la diferencia de voltajes (VDS - VGS).
Si VGs = 0 y Hrpgxjma = Hc/2 a corriente que se obtiene se llama corrien
te de fuente-drenaje de saturación DSS Entonces:

Hcf2
2eW
'DSS = [Q(Hc/2)Q(h)]hp(h)dh. (6.1.26)
f
eL H,

Sin embargo, en esta expresión se tiene una conclusion paradójica pues si

h = H/2 es el limite superior se puede intuir que. [Link] conduc-
[Link]., y por lo tanto deberfa ser [Link], lo cual no es cierto en l realidad.. La
explicación de este fenómeno está en que a pesar de que en la ecuaciOn (6.1.25)
tenga el limite H/2, en la realidad HD no puede liegar a este valor aunque para
el cálculo la aproxm-iación propuesta no introduce errores apreciables.
Antes de proseguir con el análisis de este dispositivo tan interesante, afian-
zaremos los conocimientos hasta aquf derivados con un ejemplo.

Ejemplo 6.1. Se construye un transistor de efecto de campo de union sobre una

barra de silicio tipo P con las siguientes caracteristicas:
NA = 1022 atm/rn3 , e, = 11.8, W = 50,4m Q = 15 zm, H = 8 tm,
L= 5.0jm, x=3tm, ND = 1024 atm/rn3 , ji1,= 600cm2 /V-seg.
(1 [Link] = 10-6 m)

Figura E.6.1. Brra de siicio tipo P usada en la construcción de un FET de uniOn (JFET)
mostrando la regiOn de la compuerta.

Calcule;
a) el voltaje de oclusión; y
b) La corriente de drenaje-fuente de saturación.

25
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Solución:

a) Como primer paso es importante determinar el valor del potencial de con-

tacto de La union P-N, para lo cual se utiliza la expresiOn ya conocida de çli,:

KT ND NA

en donde K es la constante de Boltzman y n, es La concentración intrInseca

del silicio a la temperatura ambiente.

= 0.026 V y n1 = 1,63 X 1010 atm/cm3 ,

1018 x 1016
= 0.0-,6
2.6569 x 10 20

llIo = 0.81 V.

Para este caso Hc = H - 2x = 21A. De La ecuación (6.1.18)

ep0
8€

1.6 x iO' x 1022 x (2.0 x 106)2

J'P= —0.81,
8x 11.8 x8.854x10'2

VP = 6.847 V.

b) Para calcular La corriente 'DSS primero es necesario calcular Q(H/2) y Q(h),

considerando que p(y) = NA:

y HC/2

Q(y)= e p)dy = 1022 dy,

Cf

Q(Hc/2) = eNA(HC/2).

Q(h) = eNA h.

26
 6. 1. TRANSISTOR DE. EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

Sustituyendo esto en la ecuación (6.1.24) tenemos:

ND
2eW h)hNdh
'DS
eL f
HS
eN(&

2Wpe2N j (!_hdh_h2dh),
'DS =
eL 2
HS

2We2N HD
HC h2 h3 ]
eL Pf-- JH
2Wp.e2N HCHJ 1 3 HH?
'DS (E.6.1.1)
eL 4 4 3

Aplicando (6.1.25) tenemos:

Hs[-çr-(Vi0+ VGs)]u2

2€
CNA (V'0 + VDS + VGs)] 1'2

Si VGS = 0, se encuentra que:

H=H=3.25X 10 1 m,
I/
HD=3.59X 10 1 (V'0 + VDS)
Si:
V'0 + VDS = 7.657 V,
entonces:
HD= lx 1cr 6 m =4 (E.6.1.2)

Sustituyendo la ecuación (E.6.1.2) en la ecuación (E.6.1.1) tenemos:

2We2 ,z N H + H, HCH,
'DSS (---- (E.6.1.3)
eL 48 Th- - 4
27
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

de donde 'DSS queda:

10-4
2x 50x 10 6 x (1.6x l0_ 19 )2 X 1044X 600 X X 0.0156X 8X 10 18
'DSS =
[Link] 8.854x 10' 2 X5.0X 10 6

'DSS = 3.682 mA.

6.1.3. Caracter(sticas eléctricas

Hemos realizado el estudio de unaLbarra semiconductora con uniones P-N, lo

cual fIsicamente constituye un transistor de efecto de campo de unió) En esta
parte del trabajo extenderemos los conceptos anteriores para poder predecir
cómo se comporta un dispositivo de este tipo al variar tanto el voltaje entre
compuerta y fuente VGS como el voltaje entre drenaje y fuente VD.
La ecuación (6.1.24) nos da la corriente entre drenaje y fuente en función
de ]as densidades de carga Q(Hc/2) y Q(h); si se considera que la concentra-
ción de átomos aceptores es uniforme en el canal, entonces p(y) = cte = NA
(todos los átomos aceptores están ionizados). De acuerdo a las ecuaciones
(6.1.9) y (6.1.10):
Hc - eNAHC
(6.1.27)
2

Q(h)=eNAh. (6.1.28)

Si la concentración de impurezas del semiconductor tipo P es menor que la

concentraciôn de impurezas del semiconductor tipo N. se puede considerar que
la zona de vaciamiento está en el lado P y tiene un espesor:

- 1/2
-. 2e ' 'L' + 17Gs)]
H (6. 1 .29)
= eNA

1/2
HD= t eN (Ji + VDS + VGS)J , (6.1.30)

Hq,2e' 1/2
=( e N ) (6.1.3 1)

Aprovechando la deducción hecha en el ejemplo 6. 1, ecuación (E.6.1.3),

tenemos:
 6. 1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

2 N H JI, H
2 We2 HH
'DS (6.1.32)
eL ( 4 +------- 4 ).

Sustituyendo los valores de las ecuaciones (6.1.29). (6.1.30) y (6.1.3 1) se en-

cuentra que:
4 / —---. 3/2
IDS VDS_ [(+ VGS + 11bo) _(o +vGs)312 ]!

do nde: 6. 1.33)
WPeNJlHc
g—
L

La maxima carriente de drnje a fuent cuando 11D= 119J2 y se tiene

u1iiir el canal. Esto se obtiene de la ecuación (6.1.32) haciendo HD = H/2,
y se e ama corriente drenaje-fuente de saturación.

Si
Hc = 2 [ eNA (11' + V)]"2
entonces:
2We2Hcp
'DS (sat) [1 3
+V
+ _11'+
+ vVGS
—
3/2
(6.1.34)
48eL ip.+ v -
La [Link] puede ser directamente obtenida de la ecuaciôn
(6.1.33) como:
VDS
DS
gm
GS e

de donde laL scon uctancia ser

tran=

2 Wz V08 )1/2 I . (6.1.35)

HL (2eeNA )1' 2 E(VDS + V08 + 11')' — ( hJ1 +
—

De las ecuaciones (6.1.33) y (6.1.34) se pueden obtener las gráficas de este

dispositivo; en este caso lo haremos para el transistor propuesto en el ejem-
plo6.1.

Ejemplo 6.2. Dado el FET del ejemplo 6.1, grafique sus curvas caracterfsticas
VDSJDS dejando como parámetro a! voltaje V0 .

WE
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Para el caso del ejemplo 6.1 se tienen los siguientes datos:

L = 5 x 106 rn, Hc = 2 x 10-6 m, W = 50 x 10-6 rn,
e = 1.6 x 1019 coul, = 0.81 V, u = 6 X 10-2 m2 /V-seg, e, = 11.8,
= 8.854 x 10-12 f/rn , V, = 6.847 V A = 1016 atm/cm3 = 1022 atm/rn3 ,
f/rn = coul/(V-seg)

Solución:
312 GS)312
IDS =g{VDs_B[(VDs+VGs+lI1O) -(,D0+

donde B es una constante de valor:

2 )1/2 = 0.2409,
B
= 311 eNA
y
[Link]
g = - 1.92X 10 (cz)-1
L

Haciendo los cálculos para distintos valores de VDS y de VGS, usando la

expresión (6.1 33) se obtiene la tabla E.6.2.1.

Tabla E.6,2.1
s= 0 '" VGs 1V VGS =2 V VGS =3'" VGS = 5 V VGS 7 V
'ris(') IDS (A) IDS ( A ) IDS ( A ) IDS (A) IDS ( A) IDS (A)
o 0.000 0.000 0.000 0.000 0.000 0.000
0.5 0.604 0.462 0.353 0.261 0.106 -0.025
1.0 1.131 0.868 0.659 0.480 0.177 -0.080
1.5 1.593 1.221 0.920 0.660 0.216 -0.164
2.0 1.998 1.527 1.139 0.802 0.222 -0.276
2.5 2.352 1.788 1.319 0.908 0.197 -0.416
3.0 2.657 2.007 1.461 0.980 0.142 -0.583
3.5 2.919 2.187 1.567 1.018 0.058 -0.777
4.0 .138 2.329 1.639 1.025 -0.054 -0.996
4.5 3.318 2.435 1.677 1.000 -0.194 -1.241
5.0 3.460 2.507 1.684 0.945 -0361
5.5 3.566 2.545 1.659 0.861 -0,555
6.0 3.637 2.551 1.604 0.748 -0.774
6.5 3.676 2.526 1.520 0.608 -1.019

30
 6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UN

Tabla E.6.2.1 (cont..

s =OV VGS'' V0s= 2 V VGS •=3V VGs =5V i=7V

T'is(') IDS (A) IDS (A) IDS (A) IDS (A) IDS (A) IDS (A)
7.0 3.682 2.471 1.407 0.441
7.5 3.657 2.387 1.267 0.247
8.0 3.602 2.275 1.100 0.028
9,0 3.406 1.967 0.687 -0.486
10.0 3.098 1.554 0.173 -1.097
12.0 2.171 0.429 -1.143
14.0 0.856 -1.070

Y haciendo los ciculos con los valores adecuados en la expresión (6.1.34),

tenemos:
I1O + 1GS +2(° 1 3s 3/2 (6.1.36)
) ],
donde:
2W,te2 pHc
D= 4.9 X 10 A. (6.1.37)
48Le
En esta forma obtenemos Ia tabla E.6.2.2.
labia E.6.2.2

'DS (sat) 1GS

(MA) (V)
3.682 0
3.078 0.5
2.551 1.0
1.684 2.0
1.025 3.0
0.5449 4.0
0.2233 5.0
0.0458 6.0
1.46X 10' 7.0
-0.0813 8.0
-0.278 9.0
-0.585 10.0
-1,513 12.0
-2.829 14.0

31
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Graficando estos cálcuios en el mismo piano VDSIDS, dejando VGs como

parámetro, se obtienen las curvas caracterIsticas de un FET de union.

'DS
No contacto Contacto
de las zonas de las zonas de
de vacianiiento vacjamjento
I'iE1Frotera
- Vs=OV

3 -4. f
- P IV

Región, I
1 V activa: .
/: •\ \,GS =ov
-2V41V_ SV
'5V
3V
'
0 4\6 8\. 10\12\14 16 18 20 VDS(V)

Figura E.6.2.1. Gráfica compuesta de 's'D8 con VGs como parámetro, y de IDS (nt)

Dejando ünicamente las regiones válidas, se obtienen las curvas caracterfsti-

cas del transistor FET de union, las cuales dan una aproximación lo suficiente-
mente precisa para que se considere (comparando los resultados teóricos con
los experimentales) como válida La teorla desarrollada hasta este punto. Las
regiones gue se considerari cp reales de las c ashtenidas en esteLcaso son
donde existe contacto entre las zonas de vaciamiento, dentrQd.1 canal de con-
duccion,esto es, eiifOn denom inada reijo n delrioda.y enJaiegion4eno-
miriáda region activa, mientras en la region de impa i I ngthann tien
sentiic-
Basándose en los cálculos de 1D (ut) en términos de T', es posible deter-
minar que latransconductancia de este dispositivo es no-lineal.

32
 6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

41Ds(mA)

VGS=OV
6 ii I

activa

I I I I I I I I
6 8 10 12 14 16 18 20 22

Figura 6.6. Gráfica que arroja la teoria para el transistor FET de union propuesto.

$ 'is (mA)
8L
7 DSS

6t
Nocontactode Contacto de las
- laszonasde zonas de
• vaciainieflto. vacianiiento.
3

I I I 4 • -u- Vs ci")
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
V/2 VP

Figura 6.7. Curva de IDS -VGS que muestra la no lineabilidad de la transconductancia.

Si se analiza la gráfica de la Fig. 6.7, se vera que si se pretende utilizar este

jp2sivo_como amplificador, la zona más a ro sara [Link] re-
onactiva,regi6ffenTiu , si se epji1osefectos resistencia
de la barra semicohd tora (canal de conducciôn), la corriente que circula
eiWddporlaecuacion (6.1.34); sin embargo, es demasiado complicado tra-
bjar con esta ecuación para alguna aplicaciOn de estos dispositivos, razón por
la cual se ha buscado una aproximación que permite con mayor facilidad el uso

33
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

del dispositivo. A esta aproximaciôn se le conoce como la aproximacibn cuadrd-

tica o parabólica y se ilustra en la Fig. 6.8.

b'DS"DSS
1.0k

-
::_i G5 _2
0,4

I I LutmL_ I I VGS/Vp
0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Figura 6.8. Comparación de Ia gráfica de la ecuación (6.1.34) con la aproximaciôn parabólica.

El error al utilizar esta aproxjmacjôn es menor a 3 por ciento en todo el rango

de voltajes de control VGs .
Cuando VGs = 0, a la corriente 'DS (sat) se le denomina IDss , y se considera
que al usar la aproximación parabólica se puede establecer que:

\S(IDSS(1v)j (6.1.38

Aunque en un sentido más general, y debido a diferencias en los materiales

empleados, en las tecnologfas de fabricación, en la cantidad de impurezas, geo-
metrias empleadas y dimensiones fisicas de los dispositivos, la aproximación
cuadrática se puede generalizar por inducción a:

as + iJo
IDS (sat) = 'DSS(1 - VP
V (6.1.39)

donde n puede tener cualquier valor entero o fraccionario, aunque en la gran

mayorIa de los casos cae entre 1 <n < 3.
Para estos casos se tiene que:
nIDss Vcs+Po n-i
g=— (1— ) (6.1.40)
VP

34
 6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

y en el caso de n = 2,
21DS8 VG + o
g,7 = — ( 6.1.4 1)

y lag maxima es:

21DSS 21DSS
gmax=gmI
VGS =0
v v
Como 'DSS y Vp son de signos contrarios, g, siempre es positiva.
Si se utiliza la expresión (6.1.40) se puede establecer que:

'DS
, (6.1.42)
g=— T'[1—(VGs+/o)/T]
en donde:
IDS-- — ——+--VGS + —— ' (6.1.43)
gm n n n

y Si esta expresiôn se grafica contra 1', se obtiene la Fig. 6.9.

De esta forma, Si experimentalmente se encuentran dos puntos de esta rec-
ta, es posible obtener los valores [Link] de oclusiOn y del exponente n de la
expresión (6.1.39)

T--

Figura 6.9. Gráfica de V0 — 'DS para ilustrar la obtención gráfica de T y n de Ia ecuación

(6.1.39). g

35
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Capacidad de la compuerta

Un clato importante que resulta de este tratamiento es la capacidad de la com-

puerta CO3 entendiéndose con este valor la surna de capacidades interelectródi-
cas (CDG + CGS), y debido a que h = h(x) —valor en x de la zona de vaciamien-
to en la uniOn—, C'0 está dada por:

L_h(x)
dx
CC, - 2 e

y sustituyendo los valores encontrados anteriormente. obtenemos finalmente

que la capacidad de la compuerta es:

C'0 -
- (6. 1.44)

donde i es la movilidad de los portadores mayoritarios en el canal de condue-

ción. Este valor de C0 determina la frecuencia de trabajo maxima (frecuencia
de corte del dispositivo) para el FET.
El tratamiento realizado para el transistor de efecto de campo FET de canal
P esválido para el transistor de canal N.

c itaje de ruptura del transistor de efecto de campo de union

Es claro que al aumentar el voltaje entre drenaje y fuente, la zona de vaciamien-

to en la region cercana al drenaje aumenta pudiendo ocurrir el fenOmeno de
ruptura (ver capftulo de uniones sólidas) por lo que siempre se considera que
la ruptura ocurre en La regiOn cercana al drenaje. En este caso, y debido a la
construcciOn y mecanismo de operación del dispositivo, se puede establecer
que si VR es el voltaje de ruptura del diodo formado entre compuerta y canal de
conducciOn, en general se tiene:

VB = VR + VG S (6.1.45)

donde l' será el voltaje de ruptura con polarizaciOn y, como se ye, este disposi-
tivo puede variar su voltaje de ruptura con la polarización de compuertan La
Fig. 6.10 se ilustra la variación.

36
 6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

-1DS
2.4 T -2.0 v -
=0V
GS
._-
VC

I 0.2Y
1.6
canal
0.4V
1 2

0.6 V
0.8
0.8V
1.0V
1)4
i.2V

I I I - VDS(V)
01 5 10 15 20 25 30 35

Figura 6.10. Caracteristica de un PET de union donde se observa la variaciOn del voltaje de
ruptura con la polarizaciOn de la compuerta (FET canal P).

Impedancia de entrada del FET de union

La impedancia de entrada de un FET de union está caracterizada de la, misma

forma que la impedancia que presenta un diodo de uniOn polarizado inversa-
mente, es decir:

I=4(e 'GsmT_ 1), (6.1.46)

dl =1 eS/mKT _e (6 1 47)
dVGS ° mKT

I0,, 4-,eV0/mKT 1
-j + . 0

en donde:
dVCsR mKT
(6148)
dl - e(I+J0 )

Si 4 es del orden de 10b0 A a temperatura ambiente, para I = 0, se tiene

una impedancia del orden de 250 m2 y 6sta aumenta al polarizar inversamente
la union.

37
 6 TRANSISTORES DE EFET0 DE CAMPO (PET)

6.1.4. SImbolo empleado

El sfmbolo empleado para este dispositivo, al igual que la mayorIa de los utili-
zados para los dispositivos semiconductores, es producto de una similitud con
la construcción tcpica del mismo. Para el caso del transistor FET de union se
ilustra ci sfmbolo en la Fig. 6.11.

S D S

canal canal

(a) (b)

Figura 6.11: (a) detalle de construcción del FET par difusión; (b) sfmbolos empleados para
los transistores FET de union.

6.1.5. Modelos empleados

•/ Si se analiza el detalie de construcción del FET (Fig. 6.11-a), y se considera que

material del cual está construido presenta resistencia eléctrica, que puede ser
modulada por el voltaje VGS, se puede pensarque estas resistencias producen
cafdas de voltaje al circular corriente por ellas. /

Figura 6.12. Detalle de construcción del FET de union.

38
 6.1. TRANSISTOR DL EFFCTO DE CAMPO DE UNION (FET DL UNION)

Se puede establecer el siguiente modelo equivalente estático para el FET d

union conectado en configuracián de fuente com(n.

RT D2.

'DS
I
DS
I gm GS
1_os

Figura 6.13. Equivalente estático para el FET de union.

Para este modelo estátjco del transistor FET se calculan los valores de la si-
guiente manera:
a) de la curva caracterIstica del transistor, cuando VGs = 0, se toma el valor
donde se tiene la corriente de saturaciôn IDSS y se traza una ilnea recta al
origen, obteniéndose:
vP I
RT= , ° I ' ( 6.1.49)
1DSS ADSS I VGS —o
b) para la resistencia de entrada se puede hacer el cálculo de:
R. mKT
' (6.1.50)
e10

"DS

Figura 6,14. ObtenciOn de la resistencia entre drenaje y fuente para el FET de union.

mej
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

c) de la pendiente de las curvas del transistor FET en la region activa, se puede

obtener el valor de RDS, que incluye las resistencias Ps + RD de La Fig. 6.12.

Modelo dinámico

Para establecer el modelo dinámico de este dispositivo se requiere:

a) considerar La regiOn donde va a trabajar el dispositivo; y
b) tomar Unicamente el efecto de las fuentes dependientes o bien sus equiva-
lentes incrementales.
Si para este dispositivo trabajamos en La region activa, se ye que al dejar de
conducir el diodo D1 (entrar en la regiOn activa) La corriente de drenaje-fuente
está dada prácticamente por:

I s =IDs —gm V s +(VDs —VP —Po)/Rs, (6.1.51)

de manera que la variaciOn de 'DS respecto a VGS, que serla la variable de entra-
da, es negativa y de valor g:

dIDS I
= —g, (transconductancia), (6.1.52)
dVGS I
I VJs = cte
la cual es de signo contrario a la definición de transconductancia. Esto implica
que la fuente de corriente dependiente de voltaje para el modelo dinámico es en
sentido contrario a como estä establecida en el modelo estático.

G 1]

11 S

Figura 6.15. Modelo dinárnico del FET a bajas frecuencias (sefiales pequeflas).

Si se quiere considerar el modelo dinámico del FET de union a mds altas

re uencias, es necesario tomar en cuenta La intervención de Las capacidades
interelectródicas, quedando:

40
 6.1. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

G CDG
Fil

S S

Figura 6.16. Modelo equivalente dinámico del FET de union a frecuencias altas (señales
pequeflas).

En la nomenclatura usada internaciorialmente para estos dispositivos se

simboliza asf a las capacidades:

Gas = Ciss

CDG = (6.1.53)

CDS = COSS.

6.1.6. Caracterlsticas generales 0 parámetros generales

labia 6.1.

Parámetro Valor Definición

Voltaje de ruptura BVGSS Es el voltaje de ruptura del diodo formado

compuerta-fuente entre compuerta y fuente, cuando el dre-
naje se cortocircuita.
Corriente de saturaciOn 1GSS Comente de raturación inversa del diodo
compuerta-fuente entre compuerta y fuente, que se mide con
la fuente y el drenaje en cortocircuito.
Voltaje de oclusión V Voltaje para el cual el canal de conducciOn
se ocluye y la corriente entre drenaje y
fuente es prácticamente nula.
Voltaje de compuerta-fuente [,Gs = V0 Voltaje entre compuerta y fuente.

41
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FFT

labia 6.1. (cont.

Parámetro Valor Definición

Corriente de saturación 'DSS Corriente de saturación cuando la fuente y

para VGS = 0 la compuerta se cortocircuitan.

Capacidad de entrada Ciss Capacidad de entrada al dispositivo equiva-

lente a la
Capacidad de CrSS Capacidad de transferencia inversa equiva-
transferencia inversa lente a la CDG.
Capacidad de salida Capacidad entre drenaje y fuente.

Voltaje entre compuerta- VGSF Voltaje entre compuerta y fuente con el

fuente directo diodo polarizado directo.
Transco nductancia g ó dIDS
directa
FS dVGS 1• =
Resistencia RT Resistencia entre drenaje y fuente medida
drenaje-fuente en la region de triodo.

Corriente de drenaje 'DS = 'D Corriente de drenaje igual a IDs cuando el

diodo compuerta-fuerite está polarizado.
Temperatura de la union Tj Temperatura de la union del diodo com-
puerta-fuente.
Temperatura de operaciOn Temperatura de operaciOn del canal.

Voltaje entre VDS = VD Voltaje entre drenaje-fuente.

drenaje-fuente
Voltaje entre VD r, Voltaje entre drenaje-compuerta.
drenaje-compuerta
Potencia de disipaciOn PD Potencia que puede disipar el dispositivo
sin que se dafle.
Figura de ruido NF Figura de ruido cuya definición es:
NF= 202og[(S/R)/(S/R)0 ].

Corriente de fuga IDr,. Corriente de fuga del diodo compuerta-

compuerta-drenaje drenaje con la fuente abierta.

Corriente de fuga Corriente de fuga del diodo compuerta-

compuerta-fuente fuente con el drenaje abierto.

42
 6.1. TRANSISTOR D1 EFECTO DE CAMPO DE UNION (FET DE UNION)

6.1.7. Variación de parámetros

Al igual que en la mayorIa de los dispositivos semiconductores, la variación de

6-1osparámetros del transistor de efecto de campo FET se debe principalmente a
la temperatura, pues la movilidad de portadores, el potencial de contacto, la
concentración intrInseca, la zona de vaciamiento y otras caracterIsticas de los
semiconductores varfan al variar la temperatura.
7
Variación de 'DSS con la temperatura

Utilizando la ecuación (6.1.37), en la que se establece la corriente IDss en fun-

cion de la movilidad, de las impurezas y de las dimensiones fIsicas del disposi-
tivo, tenemos:
2 W/.Le2 N H
'DSS . ( 6.1.54)
48 e
Si recordamos que la movilidad se comporta en función de la temperatura,
de la siguiente forma, tenemos:
-3/2

de manera que se puede considerar que:

/2 = (6.1.5 5)

donde es la movilidad a la temperatura 7 (temperatura ambiente).

Considerando que en la ecuaciOn (6.1.54) ünicamente p es la que varla con
la temperatura, la variación de la corriente 'DSS con la temperatura será:

dIDss - 3We2NH
p0 T03 ' 2 T , (6.1.56)
dT -- 48cL

dIDss
dT - - _ IDSS(Ta)TTaT (6.1.57)

A continuación se muestran las variaciones de 'DSS 'D r y g tYf8 I COfl

la temperatura para un transistor de efecto de campo canal N (2N5 I 63 de Fair-
child).
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

20

16

12
:.
IflURRI!fl
,a_ AJ
4

16
LLL
VGS9
— - - - —1
< 12 090- .51V
-v - [Link]
B — — — — — -3.0
-1.5VV
-2.0V
2.5Vj
C
20 TA =1000 C T

16

12
L14I Ji
I __
8 0.5v'

YA

VDS () VGS (V )
Figura 6.17. Efecto de la temperatura so- Figura 6.18. Efecto de la temperatura so-
bre las caracterIsticas de drenaje de un bre (a) la corriente de drenaje ID; (b) la
JFET de silicio de canal n, tipo 2N5163 resistencia de drenaje a fiiente (o de canal)
(cortesia de Fairchild Semiconductor). Rr, y (c) la transconductancia directam de
un MET de silicio de canal n tipo 2N5 163
(cortesfa de Fairchild Semiconductor).

44
 6.1. TRANSISTOR DE EFICTO DF. CAM P0 DE UNION (FET DE UNION)

6.1.8. Métodos fundamentales de polarizar un transistor de efecto de campo

de union MET

VDD
1 DL)

VGG
VG(

Canal Canal P
Fuente comin. Fuentc comün.

Canal N Canal P
Drenaje comün. Drenaje comün.

S n S D

DD DL)

G6

Canal N Canal P
Compuerta comán. Compueita com(ln.

Figura 6.19. Métodos fundarnentales de polarizar un JFET.

45
6 TRANSISTORES DE [FECTO DE CAMPO (FET)

Además existe un método adicional básico que se denomina autopolariza-

don y que se ha pensado para usar una sola fuente para operar el dispositivo, en
lugar de dos como en todos los casos de la Fig. 6.19. En la Fig. 6.20 se muestra
cOmo quedan los circuitos anteriores con autopolarización para el caso del
canal N, y análogamente se pueden obtener para el FET canal P.

VDD

Fuente cOmün Drenaje comn

DD

Compuerta comOn

Figura 6.20. Circuitos de autopolarización con un transistor FET de union canal N.

6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO

SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

El transistor de efecto de campo metal-Oxido-semiconductor (el cual designare-

mos en lo sucesivo como MOS-FET) ha sido el desarrollo tecnológico más signi-
ficativo en dispositivos electrOnicos desde que se introdu/o el transistor bipolar
en 1948. Estos transistores se empezaron a desarrollar en forma comercial

46
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

desde 1964, a raIz del desarrollo de circuitos integrados cada vez más comple-
jos. El transistor MOS-FET tiene cada vez mayor importancia debido a que
ofrece caracterz'sticas de simplicidad en los circuitos, conflabilidad y facilidad
en la con cepción y diseflo de los mismos, razón POT la cual es de suma impor-
tancia estudiar cuidadosamente este dispositivo en sus variantes más comunes.
6.2.1. Estructura fundamental
La estructura fundamental del MOS-FET es La que se muestra en la Fig. 6.21,
estructura que surgió posteriormente al desarrollo de la tecnologfa planar.
Observe que el dispositivo consiste de dos regiones semiconductoras de tipo P,
las cuales constituyen La fuente y el drenaje, regiones que están separadas por
una region semiconductora tipo N, la cual es parte del subestrato.
En la parte superior de la region N que separa la fuente del drenaje, se crece
una capa de dióxido de silicio delgada ( de aproximadamente 1000 A de espe-
sor), La cual separa La compuerta del semiconductor, compuerta que normal-
mente es de aluminio.

compuerta
metal
semiconductor

fULfltc P

Drenaje

Subestrato

Fuente 6.21. Estructura fundamental de un transistor MOS-FET de canal P.

2 Cuando en la compuerta se aplica un voltaje negativo respecto del subestra-

to, debido a que se tiene un condensador entre compuerta y subestrato, se
inducen cargas positives entre el drenaje y la fuente, propiciando un canal de
conducción entre estos dos electrod7Se puede ver que por la construcciôn del
dispositivo el funcionamiento es iiiiétrico respecto a la forma en que se conec-
tan la fuente y el drenaje, es decir que se pueden intercambiar, y el transistor
funciona de igual manera. La teorfa del funcionamiento de este dispositivo se
desarrolla en base a la teorfa de la union PN y a La conducciOn de partfculas
cargadas en semiconductores.
47
6 TRANSISTORES DE EFEcTO DE CAMPO (FET)

6.2.2. Análisis del transistor

Se asegura un análisis en base a la estructura fundamental de un transistor MOS-

FET de canal P (Fig. 6.21) tendiente a obtener las curvas caracterfsticas de
comportamiento eldctrico de estos dispositivos. Se pondrá especial énfasis en lo
que ocurre dentro del subestrato cerca de la superficie de contacto entre el
semiconductor y el SiO2 .
Considere un MOS-FET de canal P como se muestra en la Fig. 6.22, en don-
de se representa el dispositivo ensamblado y los niveles de energIa antes de que
se ensamblaran, para estabiecer algunas definiciones que nos serán de utilidad
en el desarrollo subsecuente.

f. Nivet de vaclo

k
.-
Drenaje

Compuerta Subestrato
EFM
I xs I
Ec
._!'
8eV - _.__.._E,
Ev
s

Sr02 x Silicio
Mcta x
(a) (b)

Figura 6.22: (a) configuración del MOS-FET canal P, considerando todos sus electrodos
aterrizados; (b) consideracion sobre las bandas de energIa del metal-óxico-semiconductor.

Se define como:

MS = - , (6.2.1)
y se le denomina función de trabajo metal-semiconductor, y es la diferencia de
las funciones de trabajo del metal y del semiconductor.

= EFS - E1 , ( 6.2.2)

a 45F se le denomina funciOn de trabajo intrinseca y es la diferencia entre ci

nivel de Fermi real en ci semiconductor y ci nivel de Fermi intrmnseco que
tendrIa el mismo material semiconductor.
 A
k')( '
6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DL CAMPO METAL OXIDO SFMICONDUCTOR (MOS-FIT)

También se define:
Qss como la carga en La frontera del silicio con el dióxido de silicio, del ]ado
del óxido. (Depende de la pureza del óxido, de su técnica de crecimiento y
de la orientación cristalina del semiconductor.)
Qox como la carga en la frontera del metal de la compuerta y el diOxido de
silicio, del lado del óxido.
Analizaremos primero el caso de bandas planas, lo cual se logra invariable-
mente cortocircuitando todos los electrodos como lo muestra la Fig. 6.22, pues
al tener todos aterrizados, no existe movimiento o acumulación de cargas en
algunos de elLos, lográndose que los diagramas de bandas de energia no se defor-
men. A esta condición se le llama condiciOn de [Link]
Si se observa el diagrama de bandas presentado en la Fig. 6.22-b, se puede
ver que éste es un diagrama bidireccional pues se considera la direcciôn de x en
ci sentido perpendicular al óxido de silicio y hacia el semiconductor, conside-
rando el origen precisamente en la frontera del óxido-semiconductor.
Si se aplica un voltaje entre la compuerta y la tierra. y se dejan aterrizados
los electrodos de la fuente, drenaje y subestrato, este voltaje produce un campo
eléctrico sobre el semiconductor, que empieza a doblar las bandas de energIa en
La proximidad de la frontera Si02 -5i. obteniéndose —segün La polaridad y mag-
nitud de este voltaje— distintas condiciones, ]as cuales se ilustran en la Fig. 6.23.

'GB =

(e)
Ev

Figura 6.23: (a) acumulación; (b) vaciamiento; (c) intrInseco; (d) inversion (V1 es el voltaje
mtrmnseco).
6 rKANsIsT0RIs DI I -Il Ci() 1)1 (AMI'O (I:IT)

Para lograr deformar las bandas hasta que se tenga en la frontera SiO2-Si un
semiconductor aparentemente intrinseco. se requiere aplicar un voltaje V1 al
que se le denomina voltaje intrinseco, a partir del cual si se sigue disminudo
el voltaje aplicado en la cDffi-p—u—effa,se tiene una inversion; es decir, si el semi-
conductor originalmente es tipo N. se comporta 10 tipo P y viceversa. Sin
embargo, se considera efectivamente presente cuando en la frontera la posición
del nivel de Fermi respecto del nivel intrInseco está a la misma distancia que en
la condición de bandas planas pero invertido. Esto se logra cuando la deforma-
ciOn de las bandas total está dada por:

4=24 F . (6.2.3)

Cuandoe_satisfct laondiciOn (6.2.3) se considergc se establ!.4

canal d condm-c-QiQa—e-utre d!e y fuente.
Para mayor corn prehension de los fenómenos que vamos a estudiar, defi-
nimos:
1, la superficie del silicio, corno la regiOn del lado del semiconductor en que
las bandas no son planas; y
2. la front era SiO2 -Si, como la regiOn pequefia entre la red cristalina del silicio
y el SiO2 amorfo.

Caso 1.

Analizaremos el caso de la deformación de las bandas en la superficie del silicio

para el caso de MS = 0 y Q,ss = 0, con objeto de obtener más claridad acerca
del funcionamiento de este dispositivo. Como Las bandas se deforrnan a! aplicar
Un voltaje extemo VGB se puede pensar que el voltaje aplicado se reparte de la
forma siguiente:

VGB = Vox + (6.2.4)

donde:
VOx es La cafda de voltaje en ci óxido de silicio; y
es el voltaje a través de Ia superficie de silicio (equivalente al
potencial de contacto).

Si se considera que ci efecto de doblamiento de las bandas en la superficie

del silicio induce una cantidad de cargas Q9 (coul/cm2 ), el campo eléctrico en la
superficie del silicio será:
-* Qs
Es (6.21. 5)
s EO

50
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO \[Link] OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

El signo menos indica que va en sentido negativo del eje x para este transis-
tor (canal P).
Si se considera que el vector de desplazamiento eléctrico sat isface las condi-
ciones de continuidad, se debe cumplir que:

(6.2.6)

donde Eox es el campo eléctrico en el óxido, el cual se considera constante y

de valor:
- vox
E0 = . (6.2.7)
aox

Luego, sustituyendo esto en la ecuaciOn (6.2.5) se obtiene:

Q d0
VOA = - (6.2.8)
€0X €S

donde dox es ci espesor de la capa de Oxido en la regiOn de la compuerta.

Semiconductor
Oxido Ill
Metal
+ 41+1

Subestrato
CompueTta +1 -

P14 01
d0 x0 Lv
d0 . x0

Figura 6.24. Region de la compuerta y definiciOn de espesor de óxido y zona de vaciamiento.

Si se considera que la capacidad por unidad de area en la region de la com-

puerta está dada por:

€0X €0
Co = (6.2.9)
aox

51
6 TRANSISTORES DE EFE:cTo DE CAMPO

y Si se considera un capacitor de placas paralelas, esto es,

Q
Vox (6.2.10)
Co

sustituyendo esto en la condiciôn (6.2.4) se obtiene:

Q +--
41S ,
Vos =C- e (6.2.11)

El total de carga inducida en el semiconductor es por definición la suma

de los átomos donadores que permanecen ionizados (cargas fijas) y los huecos
que existen en la region de inversiOn. AsI:

Qs = Qj + Qp (6.2.12)

Considerando que ci espesor de la zona de vaciamiento (superficie del sill-

do) depende del voltaje VGB aplicado, se puede encontrar el valor de este espe-
sor cuando se considera que se tiene inversiOn, es decir:

Recordando el espesor de la zona de vaciamiento del capItulo 3, se puede

concluir que:
2E s E0 I 2 FI )1I2
X. = ( (6.2.13)
e2 /

Para encontrar el voltaje entre compuerta y subestrato necesario para ase-

gurar la inversiOn, y de esta forma asegurar un canal de conducción para el
MOS-FET bajo estudio, se puede establecer que:

QS=QB' Q=0,

=
en donde:
QB = Qs = eND x0 = ( 2ESeoPvI245F1)"2 (6.2.14)

y sustituyendo este valor en (6.2.11) se obtiene:

2ese0i\I2I
+ 2/ . (6.2.15)
Co

52
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MFTAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Caso 2
Se considera que Q 0 y que IMS 0 0.
En este caso es irnportante aclarar que se encuentra que Qss siempre es p0-
sitiva (no importa si el dispositivo es canal p o canal N) y depende básicamente
de la orientación cristalina del semiconductor en el plano de Ia frontera. En la
tabla 6.2 se presentan los valores promedios observados de Qss en funciOn de
la orientación cristalina.

Tabla 6.2.
Orientación cristalina en Q88
la frontera SiO2-Si QSS

111 8 X 10_8 coul/cm2 5 X 10I (1/em')

110 3.2 X 10_8 coul/ cm2 2 X 1011 (1/cm2 )
100 1.4 X 10-8 coul/crn2 9 X 10' (1/cm2)

El origen de la carga Qss aUn no se conoce con exactitud, por lo que resta
mucha investigación por hacer en este renglón.
Debido a la presencia de la carga Qss en Ia frontera SiO2-Si y que ésta siem-
pre es positiva, para contrarrestar su efecto y Ilevar el análisis al caso 1, se re-
quiere de un cierto voltaje negativo enla compuerta, voltaje al cual se Ic deno-
mina voltafe de bandas [Link] y se puede establecer corno:

= —(Qss/Co)

Si MS = - s' enonces se debe aplicar en la compuerta un voltaje

igual a I,S/C para que el análisis se realice en iguales condiciones al caso I.
Considerando ambos casos, el voltaje de bandas planas queda:

Vw' = (Q23 /c0 ) + (4Ms/e) . (6.2.16)

Considerando todo lo anterior se tiene que aplicar un voltaje VGB que Se

denomina wltajede umbra!, ci cual establece ci roltaie que se daplicar
entie compurta i sith [Link] el dipo5zt1J0 empuce q cqjjucirente
drenaje i jwntr (es decir, que se Ileve al dispositivo al caso de tener una region
de inversion). Luego:
QS +
- - . (6.2.17)

53
 6 TRANSISTORES DE Ffl•:CTO DI CAMPO

Para desarrollar las ecuaciones de comportamiento del MOS-FET aquf pro-

puesto, se deben hacer algunas consideraciones adicionales que permiten que ci
tratamiento matemãtico Sc simplifique: a saber:
a) el dispositivo está sin conducir entre drenaje y Juente, hasta que se aplica
suficiente volta/c enfre conipuerta •v subestrato para inducir una zona de
in version en la super/lcie del siiicio prOxfma al óxido;
b) el subestrato se cortocircuita a la fuente, es decir V = 0; y VGS = VGS;
c) para el tratamiento se considera queya Sc tiene la zona de inversiOn inducida;
d) QE se considera constante a lo largo del canal de conducciôn; v
e) la caida de voltaic en ci canal de conducción es lineal, es decir:
V(y) = —(VD/L)y.

SO
MMAMAMMAMMAN D •

I P'Qp(r)

V 0 y = L

Subestrato

L -

Figura 6.'S. Corte del MOS-FET trabajando normalmente.

La corriente que circula del drenaje a la fuente seri constante a lo largo del
canal, de manera que se puede estabiecer:

1V= IDs IR, (6.2.18)

donde AR es un valor diferencial de la resistencia del canal, valor que estará

dado por:
A=xW. (6.2.19)
A

donde W es el ancho del canal de conducción.

54
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXEDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Si Ia resistividad de un semiconductor está dada por:

(6.2.20)
= eP(v)
si: ep(y)x=Qp (6.2.21)

IDS AY 'DS Al .
(6.2.22)
ep(y).LWx QpW
Si Qs = QE + Q , , sustituyendo la ecuaciOn (6.2.12) en la ecuación (6.2.22)
queda:
IDS AY = (Qs - Q8)L WV. (6.2.23)
De las expresiones (6.2.11) y (6.2.17) se puede encontrar que:

Q (y) = — 00 [V, - VBP - "'S (Y) (6.2.24)

sustituyendo esto en la ecuación (6.2.23), se obtiene:

- IDS W
'DS &v = CO VG S - v I i.i h' V - Qa i.p Wi.X V, (6.2.25)

Si: r= , (6.2.26)
Cc e
integrando la ecuación (6.2.25) desde cero hasta L, se tendrá:

I. 4 dY_zWCoJ [VGs—+y)IdV(y),
Jo 0

donde V(y) = sy)/e es la diferencia de potencial en cada punto del canal de

conduccjón con respecto a la fuente (para la fuente aterrizada).

IDSL14 Wo[(VGsVu)VDs — ]. (6.2.28)

Sustituyendo ci valor de CO3 se obtiene:

- ,.te0e0W
IDS [(V - )V - 2 (6.2.29)
- d0 L
55
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

expresión que nos da el comportarniento del MOS-FET en la regiOn de triodo.

Para obtener el comportamiento en la region activa es necesario derivar la
ecuaciôn (6.2.29) y encontrar el máximo asi:

dIDS !2p ox o W
(VGS - VU - VDS) (6.2.30)
dVDS = 0 = d0L
ecuaciOn de la cual obtenemos:

VD = VG — V . (6.2.3 1)

Sustituyendo la ecuación (6.2.3 1) en la ecuaciOn (6.2.29) se obtiene:

At, €ox € 0 W (VGS

IDS (sat)= (6.2.32)
d0 L 2

l.L E.e0 w
Si al término (6.2.33)
d0 L
le liamamos t, entonces:
VDS
= E( VGS - T) V — ---] (regiOn de triodo o regiOn Ohmica), (6.2.34)
e
2
'DS (sat) = --(VGS - ) (regiOn activa). (6.2.35)

Derivando la ecuación (6.2.34), se define la transconductancia en la regiOn del

triodo como:
aIDS
=g., =IVDs L (6.2.36)
VDsCte

En la expresión (6.2.36) se considera el valor absoluto entre el voltaje de

drenaje a fuente VDS debido a que ga.,, debe ser positiva tanto para transistores
de canal N como de canal P.
La transconductancia del canal para la region activa se obtiene derivando la
expresiOn (6.2.3 5). AsI:
aIDS
FV- =g 5 =IV0— FI, (6.2.37)
VDS = cte
y Ia conductancia del canal para la region del triodo es:

56
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MO

aIDS i

aVDS =gDS =ls - - V,s I. (6.2.38)

Se puede demostrar que la respuesta en frecuencia de un dispositivo MOS-

FET está dada por:*
gms
(6.2.39)
= 2ITCG
donde CG es la capacidad total de la compuerra, de manera que sustituyendo
(6.2.33) y (6.2.37) en (6.2.39) se tendrá:

f , (6.2.40)
= 27r CG 27r[(e0e0/d0)WL]
de donde se obtiene:

[Link] IVGS _ V.
(6.2.41)
2irL2

Normalmente a la relación g. ICG se le conoce como figura de mérito del tran-

sistor, y a medida que ésta sea mayor el dispositivo puede trabajar en mds altas
frecuencias.
Si se considera que entre subestrato y fuente existe un voltaje diferente de
cero (V 0), se ye modificada la diferencia entre el nivel de Fermi y el nivel
intrInseco E1 (ver Fig. 6.23), equivaliendo esto a la modificación de las cargas
acumuladas o vaciadas en la superficie de silicio del lado del semiconductor, de
manera que la expresián (6.2.14) se modifica a:

= [ 2ESEOeND I2 I (6.2.42)
QB e +
donde:
V50 = VBS - VGS
cie manera que, seg(in Ia expresiôn (6.2.27), el voltaje de umbral se modifica a:
1/2
2'1F 12€SCO €ND [(12c1811e) + VBS ]J
VU'=VBp+----- (6.2.43)
Co
* C. T. Sah, IEEE, Electron Devices, ED-1 1: 324 (1964).

57
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

cion, el cual se va acrecentando a medida que se polariza la compuerta del dis-

positivo. Sin embargo, es posible construir un dispositivo que ya tenga un canal
sin voltaje de compuerta y que éste se pueda modular con la polarizaciOn de la
compuerta, como se ilustra en la Fig. 6.26.
A este dispositivo se le conoce como MOS-FET de vaciamiento y sus leyes
de comportamiento son similares a las ya deducidas pah el MOS-FET de acre-
centamiento, cambiando ünicamente el voltaje de umbral V.
Se pueden concebir cuatro tipos distintos de MOS-FET, tal como se mues-
tra en la Fig. 6.27.

G
G

MOS-FET de acrecentamiento MOS-FET de acrecentamierito

canal P. canal N.

. G G

MOS-FET de vaciamiento MOS-FET de vaciamiento

canal P. canal N.

Figura 6.27. Configuraciones básicas de los cuatro transistores MOS-FET que se pueden
lograr.

59
 6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

A continuación se establecen las curvas caracterIsticas estáticas para eStos

cuatro dispositivos, asI como una tabla en la que se estableceri, a manera de
resumen, los principales parámetros usados en el comportamiento fisico del dis-
positivo MOS-FET y sus valores respecto a! origen.

-IDS(mA)
IDS (mA)
9V
90 RegiOn VGS=_8V 90 Region :
de de VG-8V
70 triodo tnodo
V 70

_____ activa

i
o
-6V 50

30 5V
—4V
-3V
lafl 8 10 12 14 _VDS (V)
10

0
a :i7
2 4 6
__________3 V

8 10 12 14 VDS(V)

MOS-FET de acrecentanijento MOS-FET de acrecentainjento

canal P. canal N.

Ds (MA)
90 RegiO n 2V
90RegiOn
de -2V
odo tn do,'_L_g'O
70 70 j
VGS = 0 V
50 -
1V -lv
30 30
2V -2V
10 _ 3V
10 -3V
4V
I
0i 2 4 6 8 10 12 14 -VDS(V) 0 2 4 6 8 10 12 14
s)
MOS-FET de vaciainiento MOS-FET de vaciamiento
canal P. canal N.

Figura 6.28. Curvas caracterIsticas estáticas tIpicas de los transistores MOS-FET más em
pleados.

60
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MFTAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Tabla 6.3,

Parámetro Canal P Canal N

Tipo de subestrato N P

Polaridad de ]as terminaTes VGS. VDS - +

V Voltaje de umbral - +
QB Carga de los átomos ionizados en + -
la superficie del silicio
Qss Carga en el óxido en la frontera Si-SiO2 + +
F
EnergIa potencial del nivel de Fermi + -
intrinseco con respecto al nivel de Fermi

s Deformación de las bandas en la frontera - +

para el caso de inversion IDS 24 F=
s Diferencia de energa potencial entre el metal y - +
el semiconductor, usualmente aluminio-silicio

6.2.4. SImbolos
A continuación, en la Fig. 6.29, se ilustran los simbolos más empleados para los
cuatro MOS-FET básicos.

j D JD

G ..- B G
acrecentainiento
S S
canal canal

D D
B
vac jam jento
S S

Figura 6.29. SImholos más ernp!eados para los MOS-FET.

6 TRANSISTORES DE EFECT0 DE CAMPO (FET)

Como se observa, en los MOS-FET de acrecentamiento se simbolizan todos

los electrodos separados, mientras que en el caso de los de vaciamiento se une
la fuente con el drenaje tratando de representar la construcción ffsica del dispo-
sitivo (ver Fig. 6.29).

6.2.5. CaracterIsticas y limitaciones

Tabla 6.4.

Parámetro Valor Definición

Voitaje do umbral V,, @ IDs Es ci voltaje que se necesita aplicar entre compuer-
ta y subestrato para ilevar el dispositivo al caso de
bandas planas y formar in region de inversion.

Voltaje de ruptura BVDSn Es el voltaje de ruptura entre drenaje y fuente con

entre drenaje y fuente in compuerta cortocircuitada a in fuente.

Factor do conducciOn Es una constante quo depende de las concentracio-

ns de impurezas en ci subestrato y de Ins dimen-
siones fisicas del dispositivo.

Transconductancia 9M Es in transconductancia (6.237) cuando VGs = 0.

inicial en la regiOn
activa

Temperatura de T. Es In temperatura a in cual puede operar ci dispo-

operación sitivo sin danarse.

Temperatura de Ts Es in temperatura a in que so puede almacenar el

ahnacenamiento dispositivo, sin que 6ste sufra daflo.

Potencia de disipación PD Es In potencia maxima que puede disipar ci dispo-

sitivo en forma continua sin que este so dafle.

Frecuencia maxima f0 Es In frecuencia más grande que ci fabricante reco-

de operación mienda para usar el dispositivo.

Capacidad del óxido CO Es in capacidad por unidad de area que presenta la

capa de óxido entre ci subestrato y In compuerta.

Resistencia de RON Es in resistencia eiéctrica que so presenta entre

conduccidn drenaje-fuente cuando VGS> IV,, I.

62
 6.2, TRANSISTOR DI: EFECTO DL CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

Tabia 6.4. (cont.

Parámetro Valor Defmición

Corriente de fuga 'DSS En el caso de los transistores de acrecentamiento.

esta corresponde a unk pequefla corriente del
orden de nA, pero para el caso de los transistores
de vaciamiento es del orden de mA y es la corrien-
te entre drenaje y fuente cuando VGs = 0.

Capacidad entre CGS Es la capacidad entre la compuerta y la fuente.

compuerta y fuente

Capacidad entre CG Es la capacidad entre la compuerta y el drenaje.

compuerta y drenaje

Capacidad entre CDs Es la capacidad entre ci drenaje y la fuente.

drenaje y fuente

Resistencia del óxido R0x Es la resistencia entre la compuerta y ci subestrato

(es decir del óxido entre ellos), normalmente es del
orden de 1010 Q o mayor.

Tiempo de subida o t.,. Es el tiempo que tarda un dispositivo MOS-FET en

o encendido pasar de corte a saturación (10% a 90%) al excitarlo
con un puiso abrupto.

Tiempo de bajada o tf Es el tiempo que tarda un dispositivo MOS-FET en

apagado pasar de saturación a corte (90% a 10%) al excitarlo
con un pulso abrupto.

Voltaje de compuerta VGS = V Es ci voltaje entre la compuerta y la, fuente.

a fuente

Voltaje de drenaje a VDS VD Es ci voltaje entre ci drenaje y la fuente.

fuente

Voltaje entre VBS Es ci voltaje que se tiene entre el subestrato y la

subestrato y fuente fuente.

Corriente de drenaje 'DS = 'D Es la corriente de drenaje.

Voltaje de ruptura del BVPN Es ci voltaje de ruptura entre ci drenaje o fuente y
diodo SB o DB ci subestrato.

63
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

6.2.6. Variación de los parámetros

Los parámetros del transistor MOS-FET se yen afectados principalmente con la

temperatura, debido a que la movilidad, la concentración intrinseca, la función
de trabajo, el nivel de Fermi y el voltaje de umbral dependen de la temperatura
a la cual esté operando el dispositivo. Para ilustrar esto se presentan una serie de
gráficas que muestran las variaciones de algunos de estos parámetros.

- VG

6.08 A
[Link]

Figura 6.30. Conductancia del canal al variar la temperatura.

64
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR ([Link])

250
(110) orientación/
(110) diiección

I
isotropica
150
(110) orientaci6n
10)01
(100) direcci6n
IOU
(100 orientaci6n
isotropica
50
1
I
T=297° K
0 I I
10 15 20 25 30 35 40
-("GS - V) V

Figura 6.31— Variación de la movilidad de los portadores segin la orientación del piano del
siicio a temperatura ambiente.

1.6

1.4

C
'C 1.2

11.0

0.8

0.6

0.4
-55 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 TC)

Figura 6.32, Factor de conducción normalizado en funcián de la temperatura.

65
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE

Procso de fabricación estándar

0,5

-0.5 -50 0 50 100 150 200 T(°C)

Proceso de fabricación de bajo V

4
0.5

-0.5 -50 0 50 100 150 200 T( 00

Figura 6.33. Variación del voltaje de umbral con la temperatura.

66
 6.2. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

6.2.7. Circuito equivalente

En el caso de los transistores MOS-FET se pueden distinguir dos regiones im-

portantes que se han liamado regiOn de triodo y region activa, las cuales se pue-
den observar en la Fig. 6.28, luego, propondremos modelos o circuitos equiva-
lentes para estas regiones.
En la region activa los modelos son los de una fuente de corriente depen-
diente del voltaje VG de manera que se puede proponer:

p OD

I VG

so p
I _
DS

(a) acrecentamiento (b) vaciamiento

Figura 6.34. Circuitos equivalentes para el transistor MOS-FET con I = 0 en la region activa.

En este caso:

, (6.2.47)
gm = aVG IVDIIVG—VUI (regiónactiva)

RDS= . (6.2.48)
.0 = cte (region activa)

De acuerdo con (6.2.34), en la regiOn del triodo se tendrIa:

1D[(VG— J'j')V—(V/2)],

ID = - V) - (VD/2)} VD

lo que se puede aproximar a:

ID = - V€) V, . (6.2.49)

67
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) -

Si se ileva esta expresión a un modelo lineal equivalente, se observa que

todavIa se podrIa descomponer en dos términos:

IDVGVD — cVD,

donde Ve es un voltaje equivalente a:

T= V+ (VD /2),

donde VDI2 es el voltaje promedio escogido para la aproxirnación. AsI el mode-

lo serd:

ID
p OD

T
VG
IVD
'c IVDI
S0

Figura 6.35. Modelo equivalente del MOS-FET en in region del triodo,válido par T'

Para este modelo se cumple que 1a resistencia que se presenta entre el drena-
je y la fuente es:

Rivv1 (6.2.48)

y se introduce el concepto defuente dependiente de un producto de dos cant!-

dades eléctricas, es decir:

S
V V2

I
p
S

Figura 6.36. Fuente de corriente dependiente del producto de V1 y V2 .

68
 6.2. TRANSISTOR DE EFEcTO DE CAMPO METAL OXIDO SEMICONDUCTOR (MOS-FET)

6.2.8. Precauciones que se deben tomar en ci uso de los transistores MOS-FET

El metal de la compuerta en el transistor MOS-FET está aislado del resto del

dispositivo por la capa de óxido de silicio (Si02 ) que forma el dieléctrico entre
la compuerta y el subestrato. El SiO2 , como todos los materiales, soporta un
cierto campo eléctrico antes de que se perfore, at cual se le llama campo de per-
foración del dieléctrico.
Una vez que se produce esta perforación en el dieléctrico, se produce un
daflo irreparable at dispositivo, pues se cortocircuita la compuerta at subestrato
o a alguno de los electrodos (fuente o drenaje).
El campo de perforacion del dieléctrico para ci SiO2 es de aproximada-
mente 10 V/cm, y puesto que los espesores que se emplean entre la compuerta
y el subestrato son del orden de 1000 A- 1600 A, esto nos lieva a un voltaje de:
E critico doX = 101 (V/cm) X 1000 X 10-8 cm,
V= 100 V.
Luego, el voltaje de perforación fluctüa entre 100 y 160 V, razón por la
cual los fabricantes de estos dispositivos especifican que no debe aplicarse una
diferencia de potencial mayor de 60-80 V entre la compuerta y cualquier otra
terminal del dispositivo.
El tamaflo pequeño y el hecho que entre la compuerta y el subestrato se
tiene un capacitor casi ideal hace que este dispositivo sea muy susceptible a
dafiarse con descargas electrostáticas tales como las que se generan cuando se
usa ropa de fibras sintéticas (nylon, poliester, rayon, etc).
Para evitar que se perfore ci dieléctrico del MOS-FET, se deben tener en
cuenta los siguientes puntos:
a) tomar precauciones especiales para que la compuerta nunca esté expuesta a
descargas electrostáticas; y
b) incorporar en el transistor dispositivos de protección que automáticamente
eviten la perforación del dieléctrico.
Para el caso a) las medidas tIpicas son:
1) usar cautines con las puntas aterrizadas para que las fuentes con que se au-
mentan estos dispositivos no produzcan transitorios at prenderse o apagarse;
2) verificar que las mesas de trabajo y los chasises de todos los aparatos (osci-
loscopios, generadores de sefial, fuentes, etc) estén aterrizadas;
3) cuando el operario maneje el MOS-FET, deberá hacerlo con una sola mano
y con la otra deberá estar haciendo tierra;
4) cuando se manejen los dispositivos MOS-FET, se deberán tener cortocircui-
tadas todas las terminates.
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

5) el personal que maneje estos dispositivos no deberá usar ropa de nylon.

Para el caso b) se requiere tener algün dispositivo adicional, lo que necesa-
riamente reduce la impedancia de entrada del dispositivo. A continuación se
verãn algunos de los más empleados.

Dlnpuerta

(C)

Figura 6.37. Circuitos de protecciOn: (a) vista superior; (b) corte transversal por lmnea XX de
(a); (c) equivalente.

En el caso de la Fig. 6.37 se tiene en realidad entre la entrada y tierra un

dispositivo que tiene un voltaje de ruptura del orden de 60 V (en este caso
negativos), lo que protege en caso de tener un voltaje negativo de 60 V de mag-
nitud, y para el caso de voltajes pösitivos se presenta la caIda de un simple
diodo (union P-N, entrada-subestrato).

70
 EJ EM PLO S

EJEMPLOS

Ejemplo 6.3.
a) Demuestre que la transconductancia g de un FET de union está dada por
la expresiôn:
g = j?p (1DssIDs)"2 .
b) Si V=-5V e I s =lOmA,grafiqueg enfunciondeIDs .

SoluciOn:
a) Usando la expresiôn (6.1.38) se obtiene:
dIDsI 21DSS fJ ± I1

gm (1— ); (E.6.3.1)
= dV08 I = VP
VDS = cte

de la misma ecuación (6.1.38) se tiene:

VGS O) ( IDS )1/2

0 (E.6.3.2)
Sustituyendo la ecuaciôn (E.6.3.2) en la ecuación (E.6.3.1), obtenemos:
2 DS) 1/2 ;
g =- (E.6.3.3)
VP
como gm debe ser positwa seg(in su definiciôn, entonCeS:
1/2 (E.6.3.4
gm = -rr
(.IDssIDs)

b) Para graficar g en función de I se procede de la siguiente forma:

1/2, (E.6.3.5)
g. = 0.04 O'Ds)
entonceS: 'DS = 625g. (E.6.3.6)

71
6 TNS1STORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Graficando esta parabola en el piano (gm -IDs), so obtiene:

4 1DS (mA)

'DS gm 54— ---------

(mA) (m

5.0 2.8
4.0 2.5
3.0 2.19
2.0 1.79
1.0 1.26
-
01 1 2 3

Figura E.6.3.X Gráfica de (g,-IDS) para un transistor de efecto de campo FET.

Ejemplo 6.4. Demuestre quo:

-'DSS
a) 'Ds Inss - GS + Si Vos < VP
VP (V

[Link] Gs + i,1i 1/2

b) 'DS =
L
[1 - I VDS Para Ia region de triodo.
VP

Solución:
a) Dc la ecuaciOn (6.1.38) tenemos:

VGs+o 2
IDS 'DSS (1 - ) , ( E.6.4,1)

VGs±/o + VGS+/O 2
'DS 'DSS [I - 2 ) I. (E.6.4.2)
Si VGS << Vi,. entonces:

CS + l,11f 2 VG +
(E.6.4,3)
VP VP
luego:

-
IDS IDSS( 11 V -) (E.6.4.4)

72
 EJEMPLOS

'DS = 'DSS + 9 0 ( (E.6.4.5)

donde:
g,, 0 =g,
VGS = 0

b) Para este caso se tiene:

GS 00)1112.
(1'+ (E.6.4.6)
H—h=2H, =2x0 2[
eNA
La ecuación (E.6.4.6) se obtiene utiizando la ecuaciôn (6.1 .5) y la Fig. 6.3.
Haciendo uso de la ecuación (6.1.18), se tiene:

eNA Hc2
(E.6.4.7)

De la ecuaciôn (E.6.4.6) tenemos:

2 h 2 8€
H (1 - = —h- ( + 'o), (E.6.4.8)
Hc e

sustituyendo la ecuación (E.6.4,7) en la ecuación (E.6.4.8) obtenemos:

h 2 (E.6.4.9)
(VGs+lo)=VP(1--j --) ;

despejando h de esta expresión, tenemos:

GSO )112]
h=H[1 - (E.6.4.9)
VP

Si se considera que el voltaje entre drenaje y fuente VDS es pequeflo (regiOn

de triodo), se puede pensar que el canal de conducción es uniforme, es decir
h = cte a lo largo del canal, para un Vrs dado. Asf:

'DS = RDS VDS, (E,6.4.1O)

donde:
I
RDS = hWepl'IA (E.6.4.1 1)

73
6 TRANSISTORES DE EFECrO DE CAMPO (FET)

Sustituyendo el valor de h de la ecuación (E.6.4.9) en la ecuaciôn (E.6.4.10)

se obtiene:
[Link] [1 (VGS+10 )
'DS 1/2 1 VDS
L VP

Ejemplo 6.5.
a) Obtenga los modelos equivalentes estático y dinámico del transistor de efec-
to de campo 2N5263 de las Figs. 6.17 y 6.18, si éste opera en T= 25°C y
en VGS - -9
--[Link], VDS = 8V e = lox 10 A.

b) ZC6mo se modifican los modelos en las mismas condiciones de voltajes pero

a T= 100°C?

SoluciOn:
a) Para obtener g1,, en T= 25°C, se observan las curvas de (J's. IDs) en el pun-
to de operación que marcan los voltajes y se obtiene:

AIDS - (
6-2)mA =4.0rn(Z1.
g = V8 (l.52.5)V
VDS = cte 8V (E.6.5.1)
Si se considera la constante de fabricación m = 2, de la expresión (6.1 .50)
para R se obtiene:
mKT 2(0.26)
e10 = 10 10 ' (E.6.5.2)

R1 = 5.2 x 10 6

De la Fig. 6.18 se puede obtener que RT = 500 92.

El valor de RDS que se tiene de las figuras con que se cuentan en este caso
es prácticamente mfmito.
'DSS = 14.0 mA.

b) Para T=100°C;
'DS 2.0 mA 1
gm = [Link]
=2.0m(1Y1 . ( E.6.5.3)
GS
VDS = cte 8V

74
 EJEMPLOS

Si la corriente de fuga de un diodo de union varfa de acuerdo a la tempera-

tura, segün:

Jo = C1 T6 ee'G0 /mKT (E.65.4)

donde para el siicio, 6 = 1.5, m = 2, VGO = 1.21 V. Entonces a T= 25° C se

puede encontrar el valor de C1 para el diodo de compuerta-fuente, de ma-
nera que:
VGOImKT
1GS p e
= 716 (E.6.5.5)
= 2.455 x 10 A/(' K)3/2.

Luego, la corriente a T = 1000 C será:

'GSQ = 1.33 x 10A (E.6.5.6)

De la ecuaciOn (6.1.50) R. será

0.0647
R1= &=z486K7.
1.333 x 10'

De la Fig. 6.19-b, tenemos:

RT=8007, eID9=8mA.

Asf los modelos que se obtienen son mostrados en la figura E.6.5.

GO-
i4ii.t
4X io- v0s
2M D1
R ( J DSS
IgmVGS
4 I 4
So
a) Modclo estático a T = 25°C

Figura E.6.5.a. Modelos dinárnicos y estáticos del transistor FET 2N5163 en lascondiciones
establecidas.

75
6 TRANSISTORES DE EFEO DE CAMPO (FET)

800 c
________
GO D
X 10 gm VGS
486 j
kn D1 8 mA

so- 4 oS
b) Modelo estático a T = 100°C

GO-

512Mn 4X 10 -3 VGS

So—

C) Modelo dinámico a T = 25°C

Go 01)

486k 92 2X10 VGS

So pS

d) Modelo dinámico aTlOO°C

Figura E.6.5 .[Link]. Modelos dinámicos y estáticos del transistor FET 2N5163 en ]as con
diciones establecidas.

Ejemplo 6.6. Sea el amplificador con FET de union mostrado en la Fig. E.6.6.1,
que se pretende emplear en frecuencia,s altas obtenga:
b) la capacidad de entrada y;
a) la relaciôn del voltaje de salida al de entrada (ganancia en voltaje); y
c) ,cOmo varIa la ganancia en funciOn de la frecuencia?

76
 EJEMPLOS

Figura E.6.6.1. Diagrama del amplificador de

fuente-comin.

Solución:
a) Se hace el análisis diná.mico del amplificador, para lo cual se sustituye el
transistor por su equivalente en altas frecuencias, obtenidndose:

G CGDD

I1I cs
RD1 vs

Ve
GS g
m VGS
7DS RDS

TC
S

Figura E.6.6.2. Diagrama equivalente del amplificador de fuente comin en altas frecuencias

Aplicando el teorema de Norton al circuito de la figura E.6.6.2 se obtiene la

impedancia entre las terminales de drenaje y fuente, cortocircuito V y abriendo
gm VGS

- =Y=L+YDS +i_+YoD , ( E.6.6. l )

ZN RD RDS
donde:
DS = jWCDS Y GD =/WCGD (E.6.6.2)
Si se cortocircuita Ia salida entre drenaje y fuente, se obtiene que la corrien-
te que circula por el [Link] es:

77
6 TRANSISTORES DE EFECr0 DE CAMPO

1= —g VGS + )'GDVe = (—gm + YGD) 1 (E.6.6.3)

luego la ganancia en voltaje será:

V ZN!
A =-- = (E.6.6.4)

y sustituyendo (E.6.6.1,) (E.6.6.2) (E.6.6.3). Se obtiene:

—g,, + IWCGD
A= (E.6.6.5)
(1/RD ) + (1/RDS ) + jw os + /WCGD

b) Si la corriente que suministra la fuente de voltaje ye se divide en dos, se pue-

de establecer que:

(E.6.6.6.)

1e = YOS V. + (—vDS + 'GS ) GD (E.6.6.7)

61
V = VDS =AV
entonces:
= SVe + (1 - A) 'cDe (E.6.6.8)

dedonde:
= GS + (1 —A) YGD =--- (E.6.6.9)
Ve
expresión que se conoce como la admitancia de Miller y manifiesta que la
admitancia de entrada se incrementa con la ganancia del amplificador, es
decir:
Ce =Cos + ( 1 A)CGD (E.6.6.1O)
Para frecuencias bajas la expresión de la ganancia se puede aproximar a:

RD RDS
A = A0 = — gm RD IIRDS = (E.6.6.1 1)
RD+RDS

AsI la ecuación (E.6.6.5) puede quedar como sigue:

1 —jw(C/g)
A=A0 (E.6.6.12)
1 +jw(CDs+CGD) (RD //RDS )

78
 EJEMPLOS

expresión de la cual se puede concluir que cuando w tiende a infinito, entonces:

COD
A = CGD+ CDS ; (E.6.6.13)

(1 .—A)CGD
CDS = (E.6.6.14)
A

Debido a que CDS < CGD , de la ecuación (E.6.6.13) vemos que la ganancia
en voltaje tiende a ser unitaria cuando la frecuencia tiende a infinito. Y, por lo
tanto, la admitancia a la salida es aproximadarnente 1wCDS /wC0s .

Ejemplo 6.7. Se tienen dos transistores de efecto de campo FET de union canal
N con idénticas caracterfsticas, es decir gm y RDS iguales (ver Fig. E.6.7.1).
Obtenga el voltaje en funciOn de v1 y v2 en la resistencia RL.

SoluciOn.
Sustituyendo los transistores de efecto de campo por sus equivalentes dinámi-
cos, y considerando R1 grande, se obtiene la Fig. E.6.7.2.

VDD + DD
RL RL
JD2_',
G2 lida salida

2
,çu Qi D1

siSi I
Lr)vi
+f ®
Rj

Equivalente thevenin del FET

Figura E.6.7.1. Amplificador con FETS Figura E.6.7.2. Sustitución de Q1 por su

en serie. equivalente de Thevenin en C.A.
6 TRANSISTORES DE EFECO DE CAMPO (FET)

Si sustituiinos Q2 por su equivalente Thevenin en C.A., se obtiene la figura

E.6.7.3:

RDS2 I
G

D1 I RL
12 RDSI
"GS1 l
I
gR DS1 I. GS1
+

S1

Figura E.6.7.3. Circuito equivalente del amplificador con FETS en serie.

Dc la Fig. E.6.7.1 tenemos:

VGS = V1 , (E.6.7.1)

y de la Fig. E.6.7.2 se obtiene:

= v2 + gm I RDs1 V1 RDSI 1; (E.6.7.2)

además se tiene:

gR 1 =u y g,RDS 2 =U2. y ( E.6.7.3)

de la Fig. E.6.7.3 tenernos:

— (RL + RDS1 + R0 ) j - /1 1 GS2 +111 'GS1 =0. (E.6.7.4)

Sustituyendo las ecuaciones (E.6.7.1 ) y (E.6.7.2) en la ecuación (E.6.74).

se obtiene:

— [RL + RDS I (I + 92) + RDS, ] I = p r, + 9 1 (1 + p )r 1 . ( E.6.7.5)

 EJEMPLOS

Despejando i de la ecuación (E.6.7.5), queda:

!22 + Mi (1 + j1 2 )v 1
(E.6.7.6)
= 'L + RDS I (1 + 112) + RDs2

y finalmente el voltaje en la reistencia de carga RL es:

112w2+J21(1+!.L2)Vi
iRL RL (E667)
R,,+ RDS1 (1 + 112) + RD

De la ecuación (E.6.7.5) se puede Ilegar al circuito equivalente mostrado en

la Fig. E.6.7.4.
Si se compara el circuito equivalente final de la Fig. E.6.7.4 con, el de la Fig.
E.6.7.2, se ye que tanto la fuente de voltaje u I V 1 como la resistencia R,,
que se encuentran en la fuente del transistor Q2 se multiplican por un factor
(1 + 112) para construir el circuito equivalente final. Esta regla es válida para el
análisis de circuitos lineales con transistores JFET's, independientemente de
que el circuito conectado a la fuente sea activo o pasivo.
Para nuestro caso, en que los JFET's son idénticos, se tiene que el voltaje en
I a carga R L es:
- MV2 + A (1 + 9) V1
VRL --T R (E.6.7.8)
+(2+jA)RDS

y el circuito equivalente es mostradoen la Fig. E.6.7.5.

D2
RI 2

-r fR
V2 D,

1 +9)
'DD
GG1

Figura E.6.7.4. Equivalente final del amplificador de transistores JFET's en seric, en forma
de equivalente de Thevenin.
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FED

IVRL

Figura E.6,7.5. Circuito equivalente de la Fig. E.6.7.1 cuando 1osJFET's son idénticos.

Ejemplo 6.8. Se tiene el circuito de la Fig. E.6.8. 1, el cual se quiere que tenga
una ganancia de voltaje de 20 y que se polarice en 'DS = 5.0 mA, VDS = 4.0 V. El
transistor empleado tiene: 'DSS = 10 mA, RDS =30Kg y g = 3.0 m()'.

9 + DD
I D

canal IN
+ iIS VS
)ve Rs .JCsj_

Figura E.6.8. I. Circuito amplificador de fuente - comiin autopolarizado.

Solución:
Si se quiere que 'Ds = 5.0 mA y se considera g,,, constante, entonces en el caso
estático tenemos:

'DS ='DSS + g,, V g + VDs/RDS (E.6.8.1)

Despejando VGS, se tiene:

VG -- 'DS - 'DSS - VDRIRDS (E.6.8.2)

gm

82
 EJEMPLOS

Sustituyendo valores obtenemos:

5x 10 — lox 10 —(4/30X 10)
VQ5 V y
3x10-3
VGS = - 1.71 V

lo cual permite que se disefle el valor de R3, en la siguiente forma:

R VGS/RDS , ( E.6.8.3)

R5 = 1.71/5 X lO 2

RS =3402.

Al hacer el análisis en corriente alterna C5 se comporta como corto-circuito,

por lo tanto, es posible tener el equivalente mostrado en la Fig. E.68.2.
De la Fig. E.6.8.2 obtenemos:

= —g (RDS //RD ) VGS, (E.6.8.4)

en donde:
VS
A=---- = — gm (RDs//RD ), (E. 6.8.5)
GS
RDS RD
A=—g (E6.8.6)
RDS + RD

Si se quiere que la ganancia sea de —20 se tendrá que:

in in_
20=3 x lO (E.6.8.7)
.)UA1J

n 1
G D

F S
VGS

Figura E.6.8.2. Equivalente en CA del amplificado.

S
R DS RD

RN
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (PET)

en donde:
RD = 8571.5 E2. (E.6.8.8)

Asi, en el punto de operación se tendrá una calda en RD de:

VRD = RD IDS (E.6.8.9)

VRD =8571.5x 5.0X10 3 V,

=42.86 V.

Luego: VDD = VRS + VDS + VRD (E.8.i0)

VDD = (1.71 + 4.0 + 42.86) V,

VDD =48.57 V.

Ejemplo 6.9. Para ci circuito que se muestra en la Fig. E.6.9.1, obtenga:

a) el punto de operación:
b) la ganancia si se introduce una variaciôn ye entre compuerta y tierra: y
c) la ganancia Si se aplica la seflal en serie con

Caracteristicas del FET:

'DSS = 5.0 mA, g, 2.0 m(2), RDS = 5.0 K2. R1 = 00, R T = 0.

R =4OKc7

1GG = -5 V

Figura E.69.1. Circuito amplificador con polarización a 2 fuentes y resistencia de drenaje a

compuerta.

M
.
 EMPLOS

Solución:
a) Para obtener el punto de operación se sustituye el modelo estático y se
consideran las fuentes de seflal en cero, obteniéndose:

100 K

DD

Figura E.6.9.2. Circuito equivalente estático del amplificador de la Fig. E.6.9.1.

Como la impedancia que se ye entre drenaje y tierra por el camino de R 1

y R 2 es mucho mayor que por el camino de RDS //RD (140 Kn > 3.3 K n) se
puede modificar el circuito como se muestra en la Fig. E.6.9.3, el cual se
puede analizar en forma sencilla.

RD R//Rs
G A

47\__

VQ0 -
VGS •:•R5 VDD

VDDT
'DSS
T R DS +R

S Is

Figura E,6.9.3. Circuito equivalente modificado en base a las impedancias presentes.

85
6 TRANSISTORES DE EFECFO DE CAMPO (FET)

Luego: R 1 '7GG R 2 VDS

' ( E.6.9.1 I)
= - R1 + R2 + R 1 + R2

''DSS +gJ' (E.6.9.2)

en donde:
RDS VDD
- ( RD//RDs)I. (E.6.9.3)
VDS RDS + RD

Entonces:
- RDSVDD
DS - (RD//RDS) (JDsS + g V0). (E6.9.4)
RDS + RD

Sustituyendo la ecuaciôn (E.6.9,1) en (E.6,9.4) y despejando J', obte-

nemos:

RDS VDDI(RDS + RD ) — (RD //RDS) ['Dss — gR j VGG/(Rl +R2) J

VDS=
I + (RD //R)[gR 2 /(R l +R2 )] (E.6.9.5)

Sustituyendo valores en la ecuación (E.6.9.5) se tiene:

5x103x20 50 06 5X103— 2x10r3x105x5)

15 + 10 is x 103 140 X 103
V,
i + 50x 10 6 40x iO
(2X 10
15X103 140X 10 3

VDS =4.76 V.

Luego: VDD - VDS

ID (E.6.9.6)
RD

ID 20-4.76 A
lOx i0

ID = i.52mA.
 EJEMPLOS

Empleando la ecuación (E.6.9. 1) tenemos:

VGS =-2.21 V.

Si se introduce un voltaje de entrada entre la compuerta y tierra, y se apli-

can los resultados obtenidos en el ejemplo 6.6 acerca del Efecto Miller —esto
es, las ecuaciones (E.6.6. 10) (E.6.6.12)—, se puede obtener el circuito mos-
trado en la Fig. E.6.9.4.

G D
• 0

~R 2
91'e RDs ~RD RiAjS

Figura E.6.9.1: Equivalente dinámico para el caso del inciso (a)en don de VGS =

b) En este caso:

v —g,
A1 5 (E.6.9.7)
Ve (l/RDS) + (1/RD) + (1 —A 1 )/A 1 R 1

Despejando A I se obtiene:

— gm (l/R1 )
(E.6.9.8)
(1/RDS) + (1/RD) (1/R 1)
-

Sustituyendo datos en la ecuaciôn (E.6.9.8), tenemos:

—2 x 10 - 10 /100
A1
[1/5 + 1/10 - 1/100] X lO

A1 = —6.93

87
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

c) Para este inciso se debe considerar el voltaje de entrada en serie con R 2 , por
lo que basta encontrar el voltaje VGS, usar la formula de la ganancia (E.6.9.7)
y hacer una relaciOn en cadena:

VG S V V3
A2 = ______ ______ = ( E.6.9.9)
Ve VG s Ve

R1 /(1 - A 1 )
A2 = A1 (E.6.9.10)
R2 + R1 /(l —A 1 )

lO /(1+ 6.93)
A 2 =[ ]6.93
0-4 + 10 + 10/(1 + 6.93)

A2 = — 1.66

Ejemplo 6.10. Para el circuito de la Fig. E.6.1 0.1 obtenga las expresiones de
ganancia en corriente alterna en los puntos 1 y 2, considerando que hfe > 1,
gRn3 > l,YhieRD

RD Il j(> h, !
çRD

' 2

V2

it
(a) (h)

Figura £6.10. (a) amplificador de muy alta impedancia de entrada y ganancia indepen.
diente de los elernentos activos: (b) su equivalente dinámico.

88
Solución:
Para resolver este problema, lo primero que debe hacerse es sustituir cada uno
de los elementos por su equivalente dinámico, lo cual nos da el circuito mostra-
do en la Fig. E.6.l0-b, donde:

VGS =Ve - iRs . (E.6.10.1)

i•= it - h16j, . (E.6.10.2)

Si hie << RD, esto implica que la corriente de base de Q2 es igual a la corrien-
te de drenaje de Q1, es decir:

it (E.6.10.3)
luego:

.1=(l+h fe )1l (E.6.10.4)

y
VGS = V6 —(1 + h f6 ) i1 R8 . ( E.6.10.5)
Aplicando las leyes de Kirchoff a la malla del FET, tenemos:

/.LVGS = [ h, + RDS + Rs (I + h f6 )] it (E,6.10.6)

multiplicando la ecuación (E.6.10.5) por el factor u obtenemos:
LLVGS = jiv6 —(1 + h 6 )i1 R5 , ( E.6.10.7)

Igualando las ecuaciones (E.6.10.6) y (E.6.10.7), es posible despejar a i1 :

1.n
(E.6.10.8)
= h + RDS ± (1 + ) (1 + 16)R8

Considerando que;

hQ RDS y g,,, = h fe > 1 y p' 1, laecuación(E.6.10.8)

RDS
se reduce a:
grfl 'Ile
11 (E.6.10.9)
= +gm hfr R

89
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

luego
V, Rs i R8 ht, 1i . (E.6.10.10)

Sustituyendo (E.6. 10.9) en la ecuaciôn (E.6.10.10) se obtiene:

gheRs
(E.6. 10.11)
ye l+gh1.R3

Si gh e Rs 1,

entonces A 1 25 1.0,

V2 = V1 + RCi2, 12 = hf i1 , ( E.6i0.1 2)

gh (Rs +Rc)
(E.6.10.13)
= 1 + g, h, R8

Luego, si g hf e Rs > I

A2 (E.6.10.14)
Rs

R
A2 (E.6.1015)
R'

La ganancia A2 no depende de los elernentos activos involucrados. Q1 y Q2.

Ejemplo 6.11. Se construye un transistor MOS-FET canal P de acrecentamien-

to. en un material de silicio orientado en el piano iii y bajo las siguientes
condiciones:

1015 at/cm3 . QSS = 8 x 10 coul/cm 2 = — 0.29 eV,

d0 , = 1200 A. MS = — 0.35 eV. e = 25 . W 0.1 mm,
e0 =8.85X10 2 fIm. L = 0.025 mm pp =190cm2 /V-seg.
-
Obtenga las curvas caracterIsticas estáticas del transistor MOS-FET.

90
 EJEMPLOS

Solución:
La movilidad se obtiene de las curvas de la Fig. 6.32 como un promeclio, y la
cantidad de cargas superficiales del lado del Oxido en la frontera del Si02 ;
Qss le se obtiene de la tabla 6.4.

Cálculo de C0 de la expresión (6.2.9):

25 X 8.85 X 10_ 14
C0=
do 2 , (E.6.1l.l)
= 1200x108 f/cm

C,, =0.184j.f/cm2

Cálculo de QB:
De la expresiôn (6.2.14) se obtiene el valor de QB:

QB =(265 60 ND '2F 1)12 , (E.6.11.2)

QB=(2X12X 8.85X104X1015X 0.58)1/2 coul/cm2,

en donde:

QB = 1.40 X 10-8 coul / cm-

Cálculo de :
Para el cálculo del voltaje de umbral se emplea la expresion (6.2.17), sustitu-
yendo QB = Q; de manera que:

V cIMS Qss QB+ 2F , (E.6.11.3)

C'0 C.

sustituyendo datos, obtenemos

- 0.35 eV - 8 X 10 V - 1.40 X 10-8 V + —0.58 eV
V. -
-
e 1.84x 10 1.84x 10

I =-1.44V.

91
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Cãlculo de
Para calcular se emplea la expresión (6.2.33), obteniéndose:

/.L 0XW _190 x 25x 8.85X10-14x

102 cou1/(V -seg),
d0L - 2.5X 103X1200X10 (E.6.11.4)
10-4
= 1.4 X cou1/(V -seg),

De manera que, usando (6.2.34) y (6.2.35), se obtiene:

'D 1.4 X 10-4 [(Vo + 1.44) VD - (E.6.11.5)

La ecuaciOn (E.6.11.5) gobierna la regiOn de triodo del dispositivo y es válida

para V0 < — 1.44 V, pues de otra forma se obtendrIan corrientes negativas, lo
cual en la realidad no Se tiene:
)2,
IDs =0.7X 104(P + 1.44 (E.6.11.6)
La ecuaciOn (E.6.11.6) es válida para:

T' + 1.44 (region activa).

En este caso, si se observa la tabla 6.5, la polaridad de las terminales es negativa,

por lo cual tanto T4 como VG deben ser negativas.
Graficaremos (E.6,11,5) y (E.6.11.6) en el mismo piano, ya que cuando
una de ellas deja de tener validez, entra la otra. Se considera entonces que el
subestrato está cortocircuitado con la fuente, y se debe recordar que las expre-
siones (6.2.34) y (6.2.35) se dedujeron considerando —VD como voltaje de
polarizaciôn.
La transconductancia en este caso para la region activa ser:
()hl2(/J/)1'2
urns =2 = 0.0237 (1IDs I) 2 ('i)-'

Por ejemplo, para

VG =-8V, IDs = -[Link];

ento nces:
g, 8 = 1.3 x 10' (n)-'

92
 EJEMPLOS

Tabla E.6.1 1.1. Valores para la ecuación (E.6.11.5)

VD (V) J'= -2V VG =-4.0V

'D (A) 'D (A) 'D (A)

-0.5 -2.17 X 10 -1.60 X 10 4.41 X 10

-1.0 -8.40 X 10-6 -2.88 X 10 -8.48 X i0
-1.5 +3.99 X 10 -3.80 X 10 -1.22 X
-2.0 +1.23 X 10-4 -4.36 X 10 -1.55 X i0
-2.5 +2,40 X IT -4.58 X 10 -1.85 X IT
-3.0 -4.45 X 10 -2.12 X 10
-4i3 +8.06 X 10 -3.13 X 10 -2.55 X i0
-6.0 +3.69 X 10 -2.99 X 10
-9.0 -2.60 X IT
-12.0 -9.40X10 4

Tabla E.6.11.2. Valores para la ecuación (E.6.11.6).

VG=_2V VG= -4V VG= -8V

Ijç (A) 2.19 X 10 4.58 X 10 -3.0 X 10

93
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

'D (mA)

/
/ I
Region activa

( i V

VG —2v
-- .

+1

Figura E.6.1l.1. Gráfica del comportamiento del transistor MOS-FET propuesto en el ejem-
plo E.6.11.

Ejemplo 6.12. Si se conecta un transistor MOS-FET, como se ilustra en la Fig.

E.6.12. 1, cuá1 es ci comportamiento J/ - 'D para este arreglo?
=1.8X1tY 4 A/V2 , V, =-25V.

IDJ VD

Figura E.6.12.1. MOS-FET conectado para que VG = VD

021
 MPLOS

SolucjOn:
En este caso se cumple que VO y VD = VG.
Para decidir qué ecuaciOn emplear, es necesario saber si bajo ]as condiciones
establecidas el dispositivo estd trabajando en la regiOn de triodo o en la region
activa. Para poder decidir esto es importante sacar la expresión de la curva fron-
tera entre ambas regiones, para lo cual deberá recordarse la condiciOn (6.2.31):

VD=VG — . (6.2.3 1)

Si V < 0, entonces de la ecuación (6.2.31) se tiene que J' < VD , lo que

asegura que el MOS-FET se encuentra trabajando en la curia frontera entre am-
bas regiones (de triodo y activa), por lo que si VG = VD, el MOS-FET se encuen-
tra en la regiOn activa, como se muestra en la Fig. E.6.12.2. En esta forma la
expresiôn que se requiere usar es:

'D = 'DS =-4--(v - V)2 (6.2.35)

y ya que VG = VD, entonces para el MOS-FET canal P se tiene:

ID =IDS =_T (VD _). (E.6.12.l)

La ecuaciôn (E.6.12.2) también es graficada en la Fig. E.6.12.2.

Tabla E.6.12.2 Cont. Tabla E.6.12.2

V,(V) ID (A) VD (V) ID(A)

—4.50 —3,60X10 4
-2.5 0.0
—5.00 —5.62X10 4
—2.75 — 5.60 X 10
—6.00 —1.10X10 3
—3.00 —2,50X10 5
—7.00 —1.82 X 10
—3.25 —5.06 X10 5
—8.00 — 2.72 X10 3
—3.50 —9.00 )< 10
—10.00 —5.10x10_3
—3.75 —1.40 X 10
—12.00 —8.10 X 10-3
—4,00 —2.03 X 10

95
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

1D (mA)

-6 I

-5 -by
+ 1-.t--
,
-r /0 Ij
-9V

--8V
--7V
-6V

- 4 I
o -_ -10 -15 -20 -25 -'D'

Figura E.6.12.2. Gráfica del comportamiento del transistor MOS-FET de acrecentamiento

del ejemplo 6.12.

Ejemplo 6.13. Dados dos transistores MOS-FET de acrecentamiento canal N,

con un voltaje de umbra! de 3.5 V y curvas caracterIsticas como las que se
muestran en la Fig. E.6.13.1, obtenga la curva de transferencia VeVS para el
circuito inversor de la Fig. E.6.13.2.

W.
 EJEMPLOS

VD )

Figura E.6.13.1. Curvas caracterIsticas de los MOS-FET empleados para el análisis del circul-
to inversor con carga activa.
VDD =12V

L
G D
Figura E.6.13.2. Circuito inversor con carga activa
y transistores MOS-FET canal N.
TD Qi
vs

B
V

e il
S

97
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

La carga activa del transistor Q2 se puede representar por un comporta-

miento como el que se ilustra en la gráfica de Ia Fig. E.6.13.1 para VG = VD, el
cual se puede considerar en serie con la fuerite, y considerar una ilnea de carga
corno la mostrada en la misma figura; de aquf se puede obtener el comporta-
miento en forma grafica. Asi:

Tabla E.6.13.2

l'e (V) V (V) Vcarga ('1)

0.0 8.5 3.5

1.0 8.5 3.5 Vs(V)
2.0 8.5 3.5
3.0 8.5 3.5
3.5
4.0
4.5
5.0 7.0 5.0
5.5
6.0 6.0 6.0
V=VJJ-
7.0 5.0 7.0
8.0 4.0 8.0
9.0
10.0 2.8 9.2
11.0
12.0 2.2 9.8

Figura E.6.13.3. Tabla y gráfica de transferencia para el inversor analizado.

Observe que en este caso La pendiente de la curva de transferencia en la

region activa es (-1), lo cual es significativo por tratarse de MOS-FET idénticos,
 EJEMPLOS

Ejemplo 6.14. Dados dos transistores MOS-FET de acrecentamiento, uno canal

N y el otro canal P, conectados en simetrIa complementaria (COS/MOS),
obtenga la curva de transferencia de esta configuraciôn, silas curvas caracterfs-
ticas tipicas de los dispositivos transistores son las mismas que en el ejemplo
anterior.

Figura E.6.14.1. Inversor en simetrIa complemen

taria COS/MOS.

Para poder obtener la curva de transferencia de este circuito inversor es necesa-

rio ver que la corriente que circula es la misma por ambos canales y que Ve =
para Q1. mientras que v - VDD = VG para Q2. [Link], con estas consideraciones,
se puede realizar la tabulación y obtener la curia de transferencia.

Tabla E.6.14.2
I'S(V)
VG 1L Vs

\
14-
0.0 0.0 -12.0 12.0 12 1

2.0 2.0 -10.0 12.0

3.0 3.0 -9.0 12.0
1 E : i
3.5 3.5 -8.5 12.0
5.0 5.0 -7.0 11.6
- 6.0 6.0 -6.0 6.0
- 7.0 7.0 -5.0 0.4 r
t-- 4tH
0 2 4 6 8 10 12 14
8.0 8.0 -4.0 0.1
9.0 9.0 -3.0 0.0 Figura E.6.14.2. Tabla y grafica de transfe-
12.0 12.0 0.0 0.0 rencia del inversr COS/MOS.

Me
6 TRANSISTORISDI h1I-CTODI CAMPO (LET)

12 0 8 6 4 2 0
5Or - _750

40 40

30 30

- 20 20

10 10

-- 0 voItajde carga (V)

-
0 2 4 6 8 10 12

Figura E.6.14.3. Construcción para obtener la curva de transferencia del inversor COS/MOS.

Ejemplo 6.15, Obtenga anailticamente la expresión general de Ia ganancia para

el inversor de carga del ejemplo 6.13.

1 DD
r JD

GB
S Figura E.6.15.1. Circuito inversor de carga activa
ID ,S con MOS-FET canal P.
(r
p.T-
13
Q1
T

wo
 EJ EMPLOS

Soluciôn.
Recordando la expresión de la corriente de saturación (6.3.32) y temendo en
cuenta que para este caso 'DSQ = considerando que ambos transistores
trabajan en la region activa se tendrá:

Si VG2 = VDD - v, y (E.6.15.1)

entonces:
!APEOX€WI (e V)2 ,
IDSQ1 = (E.6.15.2)
ox1 1 -

0 e0 h2 j/ )2
(D -
'DSQ2 = /1c (E.6.15.3)
ox2 2

Igualando (E.6.15.2) con (E.6.15.3) obtenernos:

W2dOX1 L1 )112
, _ (V - v3 — V. (E6.15.4)

y la ganancia en voltaje será:

W1 d02 L )1J2
A =--=-( (E.6.15.6)
dv1 ,

Como Sc puede ver, silos transistores son idénticos la ganancia es unitaria,

coino sucecie en ci caso del ejemplo E.6.13: sin embargo, si Se quiere que ambos
transistores se fabriquen simultáneamente, es decir monoliticamente, entonces
se cumple que d01 =d02 . y la expresiOn de la ganancia se transforma en:

W, /L, )12
A1 , = - (E.6.15.7)
14//L2

lo cual iinplica que Ia relación de ancho a longitud del transistor excitador debe
ser mayor que la misma relaciôn para el transistor carga.

Ejemplo 6.16. Para tin transistor MOS-FET de acrecentamiento. obtenga:

a) La distorsión en la segunda armónica: y
b) la modulaciOn cruzada en tin amplificador de banda estrecha.

101
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

Solución:
a) Si la expresiôn que gobierna la corriente de drenaje en un MOS-FET de
acrecentamiento en la region de saturaciOn está dada por:

'D =4-(VG - V)2 (E.6.16.1)

y se considera una señal entre compuerta y fuente de:

VG = VQQ + Ve Cos wt, (E.6.16.2)

donde VGQ es el voltaje entre la compuerta y la fuente para el punto de

operacion.
Sustituyendo (E.6.16.2) en (E.6.16.1), y considerando la igualdad trigono-
métrica siguiente:
I + cos 2 wt
cos2 wt = (E.6.16.3)
2

se obtiene:
cos 2 wt
'D -[(l'oQ - V)2 + + 2 Ve VGQ coswt - 2Ve Vu coswt +
2
(E.6.16.4)

El ültimo término de (E.6.16.4) representa la contribución de la segunda

armónica de la seflal de entrada sobre la salida.
Esta contribuciOn puede calcularse, como la relaciôn en decibeles de la
magnitud de la componente de la segunda armOnica a la componente fun-
damental, de manera que:

v /2
D3 =20 log (E.6.16.5)
2Ve VGQ2Ve l'

ve
D2 =2O lo,g (E.6 16.6)
4 'GQ - 4 V

lo cual en realidad anda aproximadamente entre —30 Db y —60 Db.

b) Si se quiere una sefial de entrada entre compuerta y fuente, de la forma:

102
 EJEMPLOS

V0 = VG,, + J' COS w1 t + V2 (I + in2 cos W m t) cos W2t. ., (E.6.16.7)

donde:
J' es la amplitud de la portadora que se desea;
14 es la amplitud de la portadora que no se desea;
in2 es la profundidad de modulación de la senal dos:
W, es la frecuencia angular deseada;
W2 es la frecuencia angular de la seflal no deseada; y
Wm es la frecuencia de la seflal modulada de la portadora no
deseada.

Sustituyendo (E.6.16.7) en (E.6.16.1), y considerando que

2 Cos w1 t cos w2 t= cos (w1 +w2 )t+ COS (WI —w2 )t, (E.6.16.8)
se obtiene:

= - V) 14 COS WI t + 14 [COS (WI + w2 )t + COS (WI - w2 ) t] +

+----14V2 m2 COS Wm t [COS (WI + w2 )t + COS (WI w2) t].

Si se disefla la banda del amplificador para que sea capaz de discriminar

seflales como cos (w1 ± w2 ) t, entonces:

'D =(VGQ — 14)T4 COS w1 t, (E.6.16.9)

y no existe modulación cruzada o intermodulaciôn si se emplea un amplifi-

cador de banda estrecha y un elemento activo de respuesta cuadrática como
el MOS-FET.

Ejemplo 6.17. Suponga que se tiene un dispositivo MOS-FET como el que se

ilustra en la Fig. E.6.17.1, en el cual se ha sumergido una compuerta flotante
por donde se inyectan cargas por un proceso de avalancha.
Para una cantidad de cargas Q (coul/cm2 ) inducidas, obtenga el tiempo que
Se tardarla en bajar a la mitad de las cargas.

Solución:
Para este caso se tendrá el espesor del óxido, d la distancia entre la capa de
silicio que constituye la compuerta flotante, y la frontera SiO2 -Si. Por lo que la

103
6 TRANSISTORES DE [Link] DI; CAMPO

.j
S
B
E.
-
D

Figura £617.1. Construcciôn de tin MOS-FET de compuerta flotante.

capacidad por unidad de area es:

cc
C1; . E.6.17.1
=

Si la resistividad del Oxido es p0 , y se hace el sImil como se muestra en la

Fig. (E.6.17.2), entonces: R0 = f0 d0 .

r Figura E.6.17.2. SIinil eléctrico de descarga para

t
en la compuerta flotante.
Ro
T CO
El voltaje inicial del capacitor será:

de manera que el voltaje en cualquier tiempo es:

VC Qi
(E.6.17.2)
0

104
 EJEMPLOS

y nos interesa cuando:

Qi
2C0 '

10 cual implica que:

tR0 C0 k n2, (E.6.17.3)

t=0.69R0 ç.

Si para un caso tipico se tiene:

= 25, e, = 8.85 X 10' f/rn, d0 1200 x I 10 m. p0 = 1.8 x I O1

entonces R0 = 1.8 X 10 (2-m) X 1200 X 10b0 m,

R0 =21.600X 10'm 2 ,

25 X 8.85 x 10_12 =1.84X103f/m2,

0
1200x10'°
por lo tanto:
t = 069 x 21.6 x 1010 X 1.84 X 10' seg,

t = 27.4 X 107 seg,

tieinpo que corresponde a:

t = 8.7 años,

por Jo que puede considerarse que el canal de conducciôn estará durante todo
este tiempo. Esto hace a este dispositivo ideal para que Se utilice en sistemas
lôgicos en memorias programables EPROM (Electrically Programmable Read
Only Memory), pues existe la manera de descargar la compuerta fiotante me-
diante una fotocorriente que se produce entre la compuerta y el silicio del
subestrato o fuente o drenaje, al radiar ci dispositivo con luz ultravioleta o con
rayos X, Jo cual permite que se pueda borrar la inforrnación (Q1 , carga inducida)
almacenada.

105
 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

PREGUNTAS

6.1 ,Por qué a los transistores de efecto de campo se les conoce como unipo-
lares?

6.2 En un transistor FET de uniOn es más conveniente que la concentraciOn

de impurezas en el canal sea menor que en la compuerta. Por qué?

6.3 LPor qué en la regiOn de cargas fijas en un FET de uniOn es válida la

ecuaciOn de Poisson?

6.4 i,COmo se define el voltaje de oclusión de un FET de union?

6.5 LC6mo se define la corriente IDss para el transistor FET de uniOn?

6.6 En la Fig. E.6.2.1. de la gráfica de VDS - 'DS' con V como paráznetro,

explique en qué regiones son válidas las ecuaciones (6.1.33) y (6.1.34).

6.7 Explique por qué es posible hacer Ia aprox macion de la ecuaciOn (6.1.33).

6.8 Explique por qué debe aparecer el término n en la ecuaciOn (6.1.39).

6.9 ,C6mo se define la transconductancia maxima para un FET de union?

6.10 Grafique la ecuación (6.1.43) y explique cómo es posible encontrar gráfi-

camente el voltaje de oclusiôn Vp y la constante fl.

106
 PREGUNTAS

6.11 Explique cOmo se define la impedancia de entrada Ri de un FET de

union.

6.12 Dibuje Los sImboios empleados para ci FET de union.

6.13 Dibuje el circuito equivalente estático del FET de tinión.

6.14 Dibuje el circuito equivalente dinãmico en la regiOn activa para el FET

de union.

6.15 Dibuje el circuito equivalente dinámico en la regiOn activa para altas

frecuencias para el FET de uniOn.

6.16 La capacidad de entrada C 8 es equivalente a:

6.17 La capacidad de transferencia inversa c es equivalente a:

6.18 La capacidad de salida C099 es equivalente a:

6.19 ZQud significa la resistencia RDS?

6.20 ,COmo se define la temperatura de la uniOn T1 para el FET de union?

6.21 COmo se define La figura de ruido NF para el FET de uniOn?

6.22 COmo se define la corriente de fuga de cornpuerta-drenaje IDGO?

6.23 ,COmo se define la corriente de fuga compuerta-fuente

6.24 Z.C6mo afecta la temperatura a los parámetros del transistor FET de

union?

6.25 Dibuje los métodos fundamentals de polarizar el transistor FET de union.

6.26 Dibuje los métodos básicos de autopolarización para ci FET de union.

6.27 El transistor de efecto de campo FET de union se comporta como una

fuente dependiente:

6.28 Mencione aLgunas diferencias básicas entre ci transistor bipolar y el tran-

sistor FET de union.

107
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

6.29 ,Que pasa si la compuerta de un transistor FET de union canal N se pola-

riza positivamente? Explique.

6.30 La frecuencia de operaciOn del transistor FET de uniOn es liniitada fun-

damentalmente Lpor las capacidades interelectrôdicas o por los tiempos
de almacenamiento y recuperaciOn de las zonas de vaciamiento?

6.31 En la Fig. 6.17, cuáI debe ser el punto de operaciOn del transistor FET
de union para que éste permanezca inmôvil al variar la temperatura?

6.32 - Qu6 significan las siglas MOS-FET?

6.33 Cómo se define la función de trabajo (Pms?

6.34 COmo se definen las cargas en la frontera Qss y Qox?

6.35 ,A qué se le llama condiciOn de bandas planas?

6.36 i,Cudndo se dice que se tiene una zona de inversion?

6.37 Cuál CS el principio de operaciOn de un MOS-FET de acrecentamiento?

6.38 Cuál es ci principio de operación de un MOS-FET de vaciamiento?

6.39 -Por qué en el silicio Qss es constante y depende de la orientación crista-

lina?

6.40 (,Cômo se definen la transconductancia en la region del triodo g,.,, y la

transconductancia en la region de saturaciOn g g ?

6.41 i.C6mo se define la conductancia del canal en la region del triodo g?

6.42 Cómo se define la figura de mérito del transistor MOS-FET?

6.43 b Cómo se define el voltaje de umbral de un transistor MOS-FET?

6.44 1 Cuántos tipos de MOS-FET se pueden lograr?

6.45 Dibuje los simbolos de los transistores MOS-FET de acrecentamiento y

de vaciamiento.

108
 PREGUNTAS

6.46 Dibuje el circuito equivalente dinámico en la region de saturacidn para

un MOS-FET.

6.47 Explique el circuito equivalente propuesto para la region de triodo del

MOS-FET (Fig. 6.35).

6.48 Explique el circuito de protecciOn de la Fig. 6.37.

6.49 Mencione las cinco medidas tfpicas en la manipulación de los MOS-FET.

109
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

6.29 Qué pasa si Ia compuerta de un transistor FET de uniOn canal N se pola-

riza positivamente? Explique.

6.30 La frecuencia de operación del transistor FET de union es limitada fun-

damentalmente Lpor las capacidades interelectrôdicas o por los tiempos
de almacenamiento y recuperaciOn de las zonas de vaciamiento?

6.31 En la Fig. 6.17, ZcuM debe ser el pun to de operaciOn del transistor FET
de uniOn para que éste permanezca inmóvil al variar la temperatura?

6.32 Qué significan las siglas MOS-FET?

6.33 Cómo se define la función de trabajo IMS?

6.34 COmo se definen las cargas en la frontera QsS y Q?

6.35 A qué se le llama condiciOn de bandas planas?

6.36 ( Cu ándo se dice que se tiene una zona de inversion?

6.37 Cuái es el principio de operaciOn de un MOS-FET de acrecentamiento?

6.38 ,Cuã1 es el principio de operación de un MOS-FET de vaciamiento?

5.39 Por qué en ci silicio Qss es constante y depende de la orientaciOn crista-

lina?

.40 (,COmo se definen la transconductancia en la regiOn del triodo g, y la

transconductancia en la regiOn de saturación g j?

.41 Córno se define la conductancia del canal en la region del triodo g?

42 ,COmo se define la figura de mérito del transistor MOS-FET?

43 Cómo se define el voltaje de umbral de un transistor MOS-FET?

44 ,Cuántos tipos de MOS-FET se pueden lograr?

15 Dibuje los sImbolos de los transistores MOS-FET de acrecentamiento y

de vaciamiento.
 PROBLEMAS

2,4 I-

2.0 raiiii DC

Ara
1.6

1.2 all

0.8

0.4

5 10 15 20 25 30 35
VD (V)
Figura P.6.5. Gráflca del 2N2497 y circuito del amplificador.

6.5 Para el FET de union 2N2497 que se muestra en la figura, y el circuito

amplificador de fuente comün, obtenga;
a) los valores de VDD y Rs para que el dispositivo opere en VDS —15 V,

= 1.0 V;
b) el circuito equivalente dinámico; y
c) la ganancia v /Ve en form a gráfica.

6.6 Obtenga la diferencia maxima entre la ecuaciôn (6.1.34) y la aproxima-

cion (6.1.38), en términos de (V 8/Vp).

6.7 Si para un transistor de union I, = 10 mA, i,1i , = 0.9 V e 'DS (a) =

mA para VGS = 3.0 V:
obtenga:
a) el valor del exponente n, ecuaciOn (6.1.39); y
b) elvoltaje de oclusiOn Vp.

6.8 Para el transistor del problema 6. 1, obtenga la capacidad de la compuerta

Co .

111
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

PROBLEMAS

5.1 Sobre una barra de silicio tipo P se construye un transistor de efecto de

campo de union, con las siguientes caracterIsticas:
NA =5 x lO' at/cm3 , Cr= 11.8, W= lOUi'm, Q=20Mm,
L = [Link], x = 2.5 .&m, H= 8Mm, ND = 1018 at/cm3,
p,, =600cm2 /V-seg, 1io =0.82 V.
a) Calcule el voltaje de oclusiOn V;
b) calcule la corriente 'D' Y
C) grafique las curvas caracterIsticas VD8-IDS, con VGs como parámetro.

2 Para el transistor 2N5163, cuyas curvas caracteristicas se muestran en la

Fig. 6.17, obtenga los modelos estático y dinámico en las temperaturas
de 25°C, 100°C y 55° C, para el punto de operación VDS = 12V, VGS =
=-0.5 V.

3 Un FET de uniOn tiene IDsS = 15 mA. Si se tiene 1D5 = 8 m A para V8 =

= —2 V, con qué valor deberá polarizarse la compuerta para reducir 'DS a
la mitad (4 mA) y qué valor para que se considere prácticamente cero
(canal ocluido).

Si se tiene un transistor FET de union con un voltaje de oclusiOn Vp

= —6 V, Zqu6 voltaje de VDS se deberá aplicar cuando VGs = — 4 V para
que el transistor esté en la region de saturación?
 PROBLEMAS

VS

P.6.12. Circuito amplificador de emisor comün autopolarizado. (TA =25°C).

6.13 Para el circuito de la Fig. P.6.121. obtenga la ganancia del circuito i/ve
(considerando pequeña seflal y baja frecuencia).

6.14 Para el circuito de la Fig. P.6.14, los transistores que se emplean tienen
las siguientes caracteristicas:
RDS = 10Kg, g 8 =2m(1)-'
Empleando los circuitos equivalentes dinámicos, calcule:
a) la ganancia v0 /v1 , si v2 = 0 : y
b) la ganancia v0 /v3 , si v1 = 0.

6.1 5 En un material de silicio orientado en el piano 110 se construye un transis-

tor MOS-FET canal P de acrecentamiento, bajo las siguientes condiciones:

Figura 6.14. Circuito con dos transistores FET de union para el problema 6.14.

113
 TRANSISTORES DE EFECFO DE CAMPO

DD

igura P.6.9. Aniplificador de drenaje cornCin con transistor FET de uniãn canal N.

S.9 Dibuje el equivalente estático y dinámico para el circuito mostrado en la

Fig. P.6.9.

. 10 Dibuje el circuito equivalente estático y dinámico para el circuito mostra-

do en la Fig. P.6.10.

I I Si se usara el transistor 2N5 163 (Figs. 6.17 y 6.18) y se quisiera que el

punto de operaciOn del circuito en el cual se emplee no vane con la tern-
peratura, i,en dônde conviene [Link]?

12 Para el circuito que se muestra en la Fig. P.6.12, obtenga el punto do

operaciOn del FET de uniãn (auxiliese de las gráficas de las Figs. 6.17 y
6.18).

fl
RD

VDD
1-

ura P.6.10. Amplificador de conipuerta [Link] uti]izando un FET de union canal I'.
 PROBLEMAS

—30 V

vs

Fig. P.6.19. Amplificador autopolarizado empleando [Link] canal P de acrecen-

tamiento.

6.19 Usando el MOS-FET 2N4120 de la Fig. P.6.18 en el circuito de La Fig.

P.6.19, obtenga el punto de operación en T= 25° C. ,Cômo cambia este
punto en T = 125° C?

6.20 Para el amplificador de la Fig. P.6.19. obtenga La ganancia vs/ye en corriente

alt erna.

6.21 Para el circuito de la Fig. P.6.21 se empleatambiénel transistor MOS-FET

2N4120, cuyas curvas se dan en la Fig. P.6.18. Obtenga la expresión de
v8 en términos de v1
i en términos de v1 y v2 .

—30 V

5 Kz

BR = 10V

Fjgura P.6.21. [Link] canal P usado corno tetrodo.

115
) TRANSISTOR ES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

ND = 10's at/cm' —0.18 eV, 4MS =—O.4eV, W=0.1 mm,

L=0.025mm, d0 = 1500A, e =25, e0 =8.85 X 1O' f/rn,
gp =250cm 2 /V-seg.
Obtenga las curvas caracteristicas del transistor MOS-FET (Vns-ID).

16 Para un transistor de efecto de campo MOS-FET deduzca la ecuación que

rige la curva limit entre la region del triodo y la regiOn de saturación.
(Ver ecuaciones 6.2.29, 6.2.30, 6.2.3 1 y 6.2.32).

17 Para el dispositivo del problema 6.15 obtenga sus equivalentes estático y

dinámico, tanto en la regiOn del triodo como en la region de saturaciOn.

18 Para el transistor 24l20. el cual es mostrado en las grãficas de la Fig.

6.18 (MOS-FET de acrecentamiento canal P). obtenga los modelos equi-
valentes dinámico y estático tanto en la region del triodo como en la
regiOn de saturación a las temperaturas en que se dan las caracterfsticas.

10 10
ii: i 7 12SOC

E
VG

16 V

2 2 0
',

or —r--i--i---- 6 12 18 24 30
25°C'

Figura P.6.18. CaracterIsticas de drenaje en

fuente cornün de un MOS-FET de acrecenta-
miento de canal P tipo 2N4120. Observe que
los voltajes de compuerta y drenaje tienen Ia mis-
ma polaridad y son del mismo orden de magni-
tud (cortesla de Fairchild Semiconductor).
6 12 18 24 30
-VD(V)
 BIBLIOGRAI:IA

BIBLIOGRAFIA

CARR and MIZE. MOS-LSI Design and Application. Texas Instruments Elec-
tronics Series, McGraw-Hill.

MILLMAN, JACOB y HALKIAS, CHRISTOS C. Dispositivos v circuiros elec-

trónicos. Pirámide.

SEVIN, LEONCE J. Jr. Field Effect Transistors. Texas Instruments Electron-

ics Series, McGraw-Hill Book Co.

SZE, S.M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley International Edition.

J. TORKEL WALLMARK HARWICK JOHNSON. Field Effect Transistors.

Physics, Technology and Applications. Prentice Hall.

VAN NOSTRAND REINHOLD COMPANY. MOS Integrated Circuits. Theory,

Fabrication, Design and Systems Applications of MOS-LSI.

117
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

0+

JD B
G
LL ._Jt 4-'
•:-
VDD/2
I•1:
VS

0—
ve
B
4!

ira P.6.22. Circuitos inversores con cargas activas.

2 Para los circuitos de la Fig. P.6.22 obtenga la curva de transferencia VSVe,

si se emplean transistores cuyas caracteristicas son como las mostradas en
el ejemplo E.6.13 (Fig. E.6.13.1).
CapItulo 7
TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INTRODUCCION

El transistor inonouni6n es un dispositivo de tres terminales que presenta carac-

terIsticas de impedancia negativa entre sus terininales de emisor y base uno,
cuando una polarizacin positiva se aplica entre base uno y base dos. En algu-
nas de sus caracterIsticas eléctricas este transistor se parece al thyratrón, pero
en general sus caracterIsticas eléctricas son ünicas y no tiene comparación entre
los dispositivos de estado sOlido. En la mayorIa de Jas aplicaciones del transistor
se hace uso de una o más de sus cuatro particulares caracterIsticas:
1. Uii voltaic pico estable (el cual es una fracciOn del voltaje aplicado entre
bases):
2. toia corriente pico pequeiia:
3. una caracteristica de impedancia negativa (la cual Cs IIIUY uniforme de uni-
dad a unidad y estahie con la temperatura y el tiempo): y
4. capacidad de manejar alta corrielite en forma pulsante.

7.1. CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor monouniOn se construye de una barra de silicio de resistividad del

orden (le 20 -'200 (2-cm), la cual se monta sobre un disco de cerámica ranurada
cuyo coeficiente de dilatación térmica es igual al del silicio. Una peilcula de oro
se deposita en ambos lados dc la ranura (de 0.2 a 0.3 mm), tal como se inuestra
en la Fig. 7.1.
La union P-N se forma por un alambre de aluminio de diámetro 005 mm,
uniOn que es del tipo III rectificante y se muestra en la
Fig. 7.2.

119
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Bas
Depóslto de oro

UniónPN
formada
por el eon-
tacto recti-
ricante M-SC

Emisor
Aluminjo

SC

Base j:
V% I'eerinjca
uno
(a)

Figura 7.1: (a) sección transversal do Ia construcción de un transistor irionounión (UJT):

(b) detalle de su montaje sobre el disco de ceránhim.

- - -. —'
nivel de vaclo nivel de vacio

P;/,7,/BMa
%77/7?7/
cm
Nivel do Fermi Nivel de Fermi

Antes de la
9EMEMM union

semiconductor N
Metal aluminio -

EF

BV
Después de Ia union
Figure 7.2. Union metal-semiconductor rectificante (diodo de emisor-base uno).

Esta union normalmente se localiza cerca de la base dos (B2 ), asirnetrIa en

la construcción que es necesaria para optirnizar las caracterIsticas eldctricas
en la mayorIa de las aplicaciones.

120
 7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUN1ON

El uso del disco de cerámica en la construcción del transistor monounión da

como resultado las siguientes ventajas:
a) la rigidez mecánica del dispositivo se aumenta enormemente;
b) la conducción de calor entre la barra semiconductora y el encapsulado del
dispositivo se mejora, haciendo posible la disipaciôn de más potencia,
c) la posibilidad de falla debida a un ciclo térmico se reduce porque el coefi-
ciente de dilatación del silicio y La cerámica son iguales; y
d) las caracterIsticas eléctricas del dispositivo son más estables y reproducibles,
debido a que la estructura mecánica es uniforme.

7.2. TEORIA DE OPERACION

La operación del transistor monounión UJT está basada en la modulación de la

conductividad de la barra de siliclo, entre la union de emisor y la base uno (B1 ).
La conductividad de esta region está dada por la ecuaciOn siguiente:

a= e(un + [Link]). (7.2.1)

Para el caso de una barra de semiconductor tipo N se polariza B2 positiva-

mente respecto de B1 , y ésta se conecta a tierra; la corriente que circula entre
B1 y B2 hace que en la terminal de emisor aparezca un voltaje positivo con res-
pecto a B1 pero menor que ci voltaje en B 2 , voltaje al que normalmente se le
llama:
77<1.

Este voltaje VEB1 hace que la union P-N de emisor-base uno esté polarizada
inversamente para voltajes de emisor menores que 77 1'2B1 y la contribución de
la corriente inversa del diodo formado entre emisor-base uno ('Eo) es casi
despreciable, comparada con La corriente entre bases. A la 77 se le llama razOn
de apagado intrInseca o interna.
Si ci voltaje aplicado en ci emisor excede al valor de 77 VB.,B, por una canti-
dad igual o mayor a la calda VD de voltaje en el diodo de emisor, esto es:

VEB1 ' 77 B2B1 + VD (7.2.2)

se tendrá entonces una inyccción de huecos en la barra de semiconductor tipo

N. Debido al campo eléctrico dentro de La barra, los huecos tenderán a moverse
hacia B1 , aumentando asI La conductividad de la barra entre emisor y B1 , cum-
pliéndose en general las condiciones siguientes:
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Conductividad general Si 1EB1 <1 1R2 Si T EB >flin2B1 + T D

1

a = e (/l p p + jin) a= eJJ fl hZ a = e (IlpP + in)

p= L/1 1 1? P-e( ) p + in)

(Cuando el diodo estd polarizado directamente y la corriente de ernisor I

aumenta, ci voltaje VEB1 disminuye, ya que Ia conductividad entre emisor-base
uno presenta una region de inpedancia negarivJ como lo muestra la Fig. 7.3.
'B1 (V)
Punto pico

1IP

Regionivde Region de sat uraeión

RegiOn de iinpedai
apagado tiegativa
o de
corte
Pinto valle = 15V

VBl B2 = 0

aw
'E(TIiA)
Figura 7.3. Caracteristica estática de emisor de un UJT.

Los puntos más importantes para la aplicación de este dispositivo son los
que aparecen en la Fig. 7.3 como punto pico i punto valle, en los que la pen-
diente a la curva es cero. A in regiOn que estd a la izquierda del punto pico se le
liana regiOn de apagado; a la region que estd entre ci punto pico y ci punto
valle Sc le conoce como region de impedancia negativa: y a la region que estd a
la derecha del punto valle se le llama regiOn de saturaclon.
Otras caracterIsticas importantes en el transistor monouniOn son las carac-
terfsticas entre bases, en las cuales Sc grafican la corriente ('B2 2B1) para dis-
tintos valores de corriente de em isor 'E' tal COillO Sc muestra en la Fig. 7.4.

122
 7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

Figura 7.4. Caracteristicas estáticas entre bases para el transistor monounidn UJT.

La corriente de las curvas para una 'E = cte da como resultado la resistencia
dinámica entre bases:

avBI
REB=--- (7.2.3)
1E=etc
De la descripciOn del comportamiento del transistor puedededucirse un
circuito equivalente simple, con resistencias que simulan las dos porciones de la

4
barra de silicio y un diodo que representa La union P-N del emisor (Fig. 7.5).

BB Figura 7.5. Circuito equivalente estático del

transistor monounión en la region de corte o
apagado.
1 -~;
0- -

B1
En este circuito no se han considerado ni la resistencia negativa ni las limita-
ciones en frecuencia, por lo que solo resulta válido en La region de corte o apa-
gado.
Analizando el circuito equivalente propuesto (Fig. 7.5) se puede concluir
lo siguiente:

123
7 TRANSISTOR MONOUNJON UJT

RB1 B2 = RB1 + RB 2 , resistencias entre bases,

R 1
= RB1 + R81 (7.2.4)

V=VEB 1 =fr+ VD (7.2.5)

RB1
+ = 7 7 VB2 + (7.2.6)
RB1 -- RB2

en donde
RBI R8
17 =
R
(7.2.7)
RB2 = RB2B1

Analizando las curvas caracterIsticas de emisor en la regiOn de impedancia

negativa, se ye que a medida que la corriente de emisor aumenta ci voltaje dis-
minuye: asf el equivalente del transistor cuando el diodo emisor-base uno con-
duce está dado en la Fig. 7.6.
OB2

E IO.8VRB2
Figura 7.6. Circuito equivalente del UJT
cuando ci diodo emisor base conduce y se
presenta la impedancia negativa.
VE _R T ¶RB1 I
II —oB1

Debido a que el análisis con resistencias negativas es fuera de lo comUn,

conviene encontrar un circuito equivalente con elementos activos y pasivos
cuya impedancia de entrada sea negativa. Uno de los circuitos más simples que
cumple con este propOsito se muestra en la Fig. 7.7.

JE

VF
+R + :

Figura 7.7. Circuito equivalente para una resistencia negativa; R2 1 > I—RI.

124
 7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

'F = 'E + 11,

T' = R BI I ; Ii = ( 1— )IE

VF=RB1 (l — ö)IE
VE
R =---= RB I (I - : R será negativa para 6 > 1.

Asf entonces, el circuito equivalente del UJT queda finalmente como se

muestra en la Fig. 7.8.

B2
VD RB2
IE
RS

VIE

B1
o o-
Figura 7.8. Circuito equivalente del UJT para la region de corte y de resistencia negativa.

La fuente de corriente dependiente de corriente, HE, representa la ganancia

efectiva de corriente entre em isor-base uno, Ia cual resulta de La modulación en
La conductividad que previamente se describió. Si se supone que 5 es mayor que
uno, La ecuación para la caracteristica estática de emisor se define como se mdi-
ca enseguida.
Segün el circuito equivalente de La Fig. 7.8:

(7.2.8)

Para determinar la influencia de La corriente de emisor 'E y del voltaje de bases

VBIB2' sobre el voltaje V1 de La ecuación (7.2.8), aplicamos el teorema de super-
posición; esto es:

cuando 'E = 0 y VB1 B 2 = * 0, entonces, del circuito 7.8, tenemos:

V10 =1?VB I B 2 7VBB

125
7 TRANSISTOR MONOUNION LilT

y cuando 'E 0 Y BjB2 = 0, entonces obtenernos:

'E ='E + 1

= (1—

= R1R 2
lb RB1+RB2 (l — )IE

donde: 6 > I (efecto de impedancia negativa.

Yaque J? = Vla 1"ib

R81 RB,
V1 =
+ D (1 - . (7.2.9)
1 B1 +IB,

Además. recordando el equivalente del diodo rectificador en la region

directa, podemos escribir:

= + Rs IF . (7.2.10)

donde l' es ci voltaje de umbra] del diodo de ernisor base uno. y Rs es la resis-
tencia que presenta el diodo en esta region, la cual corresponde aproximada-
mente a la pendiente que se presenta en la regiOn de saturaciOn de las curvas IF
(ver Fig. 7.3).
Sustituyendo las ecuaciones (7.2.9) y (7.2.10) en la (7.2.8), obtenernos:

R B1 RB2
VE=??VB V+RS IE . ( 7.2.11)
+ RBI+RB2 (' — ) JE

En la ecuación (7.2.1 1), Si el valor de 5 es constante, VE se hace cero para

un determinaclo valor de 'E' lo cual prácticamente no Cs cierto ya que las curvas
del UJT presentan un voltaje minimo (voltaje valle), a partir del cual la resisten-
cia quc se presenta Cs positiva. En esta forma, para que las ecuaciones encontra-
das cuinplan con Ia realidad, se propone una variaciOn lineal de 5 con respecto
al voltaje de emisor: esto es:

=(VE——RsIE)ö,, (7.2.1 2)

126
 72. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

I.

donde So corresponde a un valor constante cuyas unidades son (V 1 . En este

caso se ye que 6 depende del voltaje VE y de la corriente. Aunque la dependcn-
cia de la corriente es pequefla, pues comünmente R8 es pequefia, sustituyendo
el valor de 6 (7.2.1 1) en la expresión (7.2.10), se obtiene:

RB I,.RB,IE
V= [(VE VU RSJE)6O
VU+nVB1B2 R +Ra2 +RsJE,

RB1 R 2
Si: RT=
RB1 +RB2

entonces, se puede concluir que:

V. + -a 1'BB + T6oRTIE + (RT + Rs)IE + RS6ORTJ

VE = I + 6Q RI2 -,
(7.2.13)

ecuación que se puede reducir a la forma:

T1 BB +(RT+ Rs ) JE+Rs6oRT4 ,
VE= ( 7.2.14)
+ l+6O RTIE

La expresión (7.2,14) rige el comportarniento del transistor monounión

desde el momento en que el emisor empieza a conducir QE > 0) y para cual-
quier corriente de emisor.
La pendiente de la curva de (yE - If) estará dada por la derivada de Ia
expresión (7.2.14) y esto nos da información sobre ci punto valle y la pendien-
te en la region de saturaciOn. AsI:

dV RT +Rs +2Rs 6o RT IE +6RRs I—nVBB 6ORT

(7.2.15)
dIE - ( l+6ORTIE)2
Se puede ver que esta expresiOn cumple razonablemente con las caracterIsticas
reales de un transistor monounión, de manera que:

00 1/6 6 0 R - R - R).
dIE I
=-
la cual debe ser negativa, es decir, que siempre se dcbe cumplir quc:

77 VBB (R1 +R). (7.2.16)

127
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

tim = urn RRs4

. (7.2.17)
'E4' WE 1E(l + OR7IE)2 =

La pendiente para corrientes de ernisor grandes es constante positiva y de

valor R, La cual es la resistenia del diodo de emisor, lo que implica que el dis-
positivo en corrientes de ernisor grandes se comporta como diodo.
El valor del voltaje de valle se encuentra en el punto en el cual La pendiente
a la curva se hace cero (y adernás se tenga el mInimo). En esta forma, igualando
la ecuación (7.2.15) a cero, tenernos:

RR5 '+ 2Rso RT IE +RT +Rs —nJ B 5o RT = 0.

Aplicando La solución cuadrática a La anterior ecuación, se tiene:

—25o RT Rs ± - 4RS R6(RT + R - P6ORT) I

IE = Iv
[Link]
(7.21. 18)

Reduciendo y considerando La condición (7.2.16), la corriente de valle queda:

J(RT/RS) 04VBB60 - 1) — 1
Jv= (7.2.19)
óORT

En este caso sOlo se ha considerado la raIz positiva, pues es la que tiene sen-
tido ffsico. Si además se considera que:

[(Rr IRS) (nVBBöO - 1)}12 ,

entonces:
'l?VBB 1
(7.2.20)
ORRT - &RTRS J1/2 ,

Sustituyendo la ecuación (7.2.20) en la ecuación (7.2.14), es posible encontrar

cuánto vale el voltaje de valle, quedando:

2flVBB + (RT + R5)J + RsRT60I,

vvvu+ (7.2.2 11
l+ORTIv

128
 7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

Mediante esta teorfa también es posible obtener el comportamiento entre

bases cuando la corriente de emisor se considera como parámetro, esto Cs:

IB2 RB2 — VBB 14, (vcr Fig. 7.6)

Si,
R22
entonces:
VBB — Vl
'B2 = (1— n)RBB (7.2.22)

Si
14 = frj. - RSIE

de la expresión (7.2. 11) se puede obtener:

VBB — [fl VBB ( 1)RT IF. ]

(l — n)RBB
dc clonde
IB - EB RTIE
(7.2.23)
RBB (l—) RBB

Para obtener la expresiOn definitiva se requiere sustituir ci valor de 6 segQn

la expresión (7.2.12), y en la 6 sustituir el valor de VE en términosde la 'E, se-
gun la expresión (7.2.14). obteniéndose:

I/BE + VBB + RSÔO IE + RSRT154 - I)RTIE

(I + 0 RTIE)(l — ??) R8B
(7.2.24)

Esta expresión cia las caracteristicas de bases para ci transistor monounión.

Teniendo 'E como parámetro. se observa que si IE = 0. entonces:

'B2 (7.2.25)

Ejemplo 7.1. Se tienc un dispositivo monouniOn construido con un material

semiconductor tipo N con resistividad de 200 92 • cm, de dirnensiones entre
bases de 2 mm, y area transversal de 1 11Im2 . Si ci diodo metal-semiconductor se
forma a 0.8 mm del extremo de la base dos y al polarizar el dispositivo se encuen-
tra que para VBB = 5 V ci voltaje de valic es de 2.0 V e 4 = lox iU- A,
a) calcule losvaiores de REB , RT, R. R131 , RB2 . 6o, y i, Si T' = 0.8 V;y

129
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

b) grafique ]as curvas del dispositivo de este ejemplo para.

(VE.—!E ) Y (VBB —JB2 ).
Ruse dos
Solución: 4

a)
RBB =P4_,
2 mm 2 mm
RBB = 200( 0.8 mi
cm) mm x I mm

RBB = 4000 2.
Lmisor

LlBase uno

Figura E.7.1.1. Detalle burdo de construcción del dispositivo

del ejernplo 7.1.

Para la determinación de RB1 y RB2 , se calcula segün las dimensiones en que

estd colocado el diodo metal-semiconductor.

Si: RBB = 4000 cz,

se establece una regla de tres simple para obtetier RB2 y RBI . AsI:

4000 cl 2 mm

x 0.8 mm.
entonces:
RB2 = 1600 92;
Y:
RB 1 = RBB - R R , = 2400

- RB1 - 2400_s
77
RB1 + R 1 - 4000 - .6,

RT = RB1 //RB,,

RT= 960&2.

130
 7.2. TEORIA DE OPERACION DEL TRANSISTOR MONOUNION

Luego, sustituyendo la expresion (7.2.20) en (7.2.14), se puede encontrar

que:
27/ VBB + (RT + RS) + RSRT 8 0 1112
Vv Vu. (7.2.21)
1 +80 RTIV

Sustituyendo datos, se obtiene:

-6
2.0 = 0.8 + 1 . x 5.0+ (960 +Rs)10X 10-1 + Rs 960 X 5,„ X 100X 10
1 + 960X 10 X
entonces: 14.4+ 0.01 Rs
(E.7.1.1)
6`) — 11.51 + 0.096 R s

11.525„ — 14.4
(E.7.1.2)
Rs — 0.01 + 0.096 So '

Sustituyendo el valor de Rs en la expresion (7.2.20) y despejando 50 , se

obtiene la ecuacion cithica skuiente:

1.1 52 — 1.9584 52 + 0.0360ô(, + 0.01 = 0.

Resolviendo por tanteos, se obtiene:

5„ 1.76 (V)-
31 :
Rs = 32.83 S2 .

Sustituyendo estos valores en la ecuacion (7.2.14), se tiene:

0.6 Ill's + 9 9 2.83 4.: + 55.5 X 10' //2.2 ..

= 0.8 + (E.7.1.3)
1 + 1689.6 ii;

y en la expresiOn (7.2.24

1;3B ( 7160 1:13B + Rs50IE + Rskr52 1112. -- 1 RT

pin3 0.647 (1113 + 57.78/s + 9.76 x 104 - 1

(E.7.1.4)
- 4000 + 1 + 1.689 X 10' /E

A continuacion se hacen dos tablas para los distintos valores de /E y 1/ B•

131
7 TRANSISTOR MONOUNION

TABLA 7.1

VE
NN 1`;313 VBB VBB VBB VBB litB

1E 0.0000 2.5000 5,0000 10.0000 15.0000 20.0000

0A 0.8000 2.3000 3.8000 6.8000 9.8000 12.8000
10 AA 0.8098 2.2848 3.7599 6.7101 9.6600 12.6100
100 /.1A 0.8854 2.1686 3.4518 6.0180 8.5850 11.1500
1.0 mA 1.1898 1.7475 2.3000 3.4200 4.5360 5,6514
5.0 mA 1.4723 1.6310 1.7900 2.1000 2.4250 2.7424
10.0 mA 1.6650 1.7487 1.8300 2.0000 2.1600 2.3354
15.0 mA 1.8400 1.8900 1.9530 2.0600 2.1800 2.2379
20.0 mA 2.0000 2.0500 2.0950 2.1800 2.2670 2.3537
30.0 mA 2.3400 2.3700 2.4000 2.4590 2.5170 2.5748
40.0 mA 2.6740 2.6960 2.7180 2.7610 2.8000 2.8488
50.0 mA 3.0000 3.0210 3.0400 3.0750 3.1100 3.1440
100.0 mA 4.6500 4.6580 4.6670 4.6850 4.7030 4.7200

TABLA 7.2

N.N.,....NI:B.N.N
2 VBB 'BB VBB I/BB
' VBB BB

'EIE 0.0000 2.5000 5.0000 7.5000 10.0000 15.0000

OA 0.0000 0.0006 0.0012 0.0018 0.0025 0.0037
5.0 mA 0.0009 0.0029 0.0048 0.0068 0.0087 0.0126
10.0 mA 0.0052 0.0072 0.0093 0.0113 0.0133 0.0173
15.0 mA 0.0124 0.0145 0.0165 0.0186 0.0206 0.0247
20.0 mA 0.0225 0.0246 0.0267 0.0287 0.0308 0.0349

En las tablas 7.1 y 7.2 los voltajes y 1438 estan expresados en V. y la

corriente /B2 en A.

132
 7.2. TLORIA DE OPFRACION DEL TRANSISTOR MONOUN ION

IE (m

Figura E7.1.2. Grafica de las caracteristicas de emisor, segan la teoria desarrollada para
el UJT.

(N)

Figura E.7.1.3. Grifica de las caraeteristicas entre bases para el UJT propuesto.

133
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Si se comparan las eurvas obtenidas en este ejemplo, se podra concluir que

la teoria desarrollada en este capitulo para explicar el comportamiento electri-
co del transistor monounion en base a los principios fisicos de la conduccion de
cargas en semiconductores es acertada, lo mismo que el model° establecido.

7.3. SIMBOLO

En este caso se hizo el an6lisis de un transistor monounion construido a partir

de una barra semiconductora tipo N. pero se puede hacer exactamente lo mis-
mo al construir el dispositivo a partir de una barra setniconductora tipo P. En
la Fig. 7.9 se muestran los simbolos empleadus para el transistor monounion.

1:
FH 8

Barra tipo N Barra tipo P

Figura 7.9. Simbolos del transistor monouniOn UJT.

Al transistor monounion construido a partir de una barra tipo P se k C0110-

cc C01710 transistor monounion completnentario, del UJT barra tipo N.

7.4. CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES

A continuacion se muestran los principales partimetros, la nomenclatura que se

emplea y la definiciOn de cada uno de ellos para el transistor nionounion UJT.

134
 7.4. CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES

TABLA 7.3

Parametro Nomenclatura Definicien

Voltaje en el VP or y base uno, para el cual

Es el voltaje entre emisor
punto pico la corriente de emisor empieza a aumentar brusca-
mente; este valor depende del voltaje entre bases.

Voltaje en el Vv Es el voltaje en el qUe para una curva de VBE = cte,

punto valle la dVE/d/E = 0 y se tiene el punto minimo de la
curva.

Voltaje entre VBB Es el voltaje que se tiene en cualquier momento

bases entre las bases del dispositivo.

Voltaje inverso VER Es el voltaje de ruptura del diodo de emisor-base

de emisor uno.

Corriente en el /P Es la corriente de emisor en el punto pico de la

punto pico caracteristica de emisor; depende normalmente de
La temperatura.

Corriente de iv Es la corriente de emisor en el punto valle de las

valle caracteristicas de emisor.

Corriente de / Bi Es la corriente en la terminal de la base dos.

base dos

Corriente de /B1 Es la corriente en la terminal de la base uno

base uno B1 = B 2 + IE •
B1
'

Razon intrinseca 17 Es la relacion de voltaje aproximado de Vp/VEB,

de apagado o la relacion de resistencias RBi IRBB '

Resistencia de RI31 Es la resistencia electrica que presenta la barra se-

base uno miconductora entre el diodo metal-semiconductor
y la base uno.

Resistencia de R.2 Es la resistencia electrica que presenta la barra Se-

base dos miconductora entre el diodo metal-semiconductor
y la base dos.

135
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

TABLA 7.3 (cont. . .)

Parametro Nomenclatura Defuncion

Resistencia RRB Es la suma de las resistencias entre bases

entre bases RBB = RBI + RB2' osea la resistencia de la barra
semiconductora.

Resistencia R'T Es el paralelo de las resistencia entre bases

paralelo RT -,--- R B1 IIRB2 .

Resistencia de Rs Es la resistencia que presenta el dispositivo entre el

satura eion emisor y la base uno cuando el voltaje entre bases
es nub.

Corriente de 'EM Es la maxima corriente que puede soportar el dis-

emisor maxima positivo entre emisor y base uno, sin que se dafie,
por un pequefio instante.

Potencia de PD Es is potencia maxima que puede disipar continua-

disipaciOn mente el transistor sin que se dafie.
maxima

Corriente IE Es el valor promedio de la corriente en el emisor.

promedio de la cual puede soportar continuamente sin que se
emisor dafie.

Temperatura de T1 Se refiere a la temperatura de la union del diodo

la union metal-semiconductor.

Frecuencia fju Es la frecuencia maxima que se recomienda para

maxima de trabajar el dispositivo como oscilador de relaja-
trabajo cion.

Corriente de fuga IEo En la corriente entre emisor y base uno con la base
de emisor dos abierta en polarizacion inversa.

136
 UI EM PLO S

EJEMPLOS
Ejemplo 7.2. Para el circuito mostrado obtenga sus ecuaciones de funciona-
miento.
1 .ti.

I p - -■• - --p- - -* - -■
R1

13' !
__L ,. ,
l• '
I1 R

I: it
L'
C k2 II. i
ip i E
V
Figura E.7.2.1, Circuito oscilador de relajaciOn simple y ciclo de relajacion para un UJT.

Solucion:
Funcionarrziento. El condensador de emisor se carga hasta un valor tal que hace
que el voltaje entre emisor y la base uno sea igual o mayor que el voltaje
logrando con esto que el transistor pase a operar en la region de impedancia
negativa o en la region de saturacion, haciendo que el condensador se descargue
bruscamente, hasta que se Ilegue a un valor en que no pueda suministrar la
corriente que el emisor demande y se pase nuevamente a la regi6n de corte,
repitiendose el ciclo y obteniendose una oscilacion, la cual se denomina en este
caso oscilacion de relajacion.

A ndlisis.

Del circuit° de la Fig. E.7.2.1, cuando = 0, es decir VE = 0, tenemos:

= R2 VB /(R2 + RBB.) (E.7.2.1)

137
7 TRANSISTOR MONOUNION UIT

y et voltaje entre bases sera:

VBB = RBB VB (R2 + RBB) (E.7.2.2)

For to tanto, para asegurar que el condensador se cargue y logre Ilevar al dispo-
sitivo a la region de impedancia negativa, se debe cumplir que:

VB - Vp - VB1 > Ip, condicion de disparo:

R,

y para que se apague se debe ciunplir que:

VB - - R2 k
R, <1V , condicion de apagado.

Luego en oscilacion el voltaje del condensador durante la carga variara de

acuerdo a:
(t/RIC)) *Vv
, + R2 Iv • (E.7.2.3)
ye = 043 Vv R2 /4(l — C

El tiempo que dure la carga del condensador sera hasta que el voltaje en el con-
densador alcance el valor suficiente para disparar al dispositivo, de manera que:

R, VB
(E.7.2.4)
VC = + VD+ RBB ±R2
es deeir:
R 2 VB
r VBI3 + VD + — R2Iv) (1 — 4- + R2/17;
R+
BB_ R 2 -
L _ (E.7.2.5)
de donde: RB2 VB
D + VD 'Ws Vv R2Iv) e-(tlai IC)
RBB + "2

Despejando el tiempo "t,", tenemos:

Vv R2/V
.ti = R, Cfln n (E.7.2..6)
./.82 vB [Link] -I- R2) VD
La descarga del condensador es a traves del emisor, el cual en conduccion
presenta una impedancia Rs , y a traves de R2 de manera que:
R2 VB ) t/(12B+ ROC ;
VC = ( VP ÷ p (E.7.2.7)
R2

138
 EJEMPLOS

luego, el condensador se descarga hasta que el voltaje alcanza el valor del voltaje
de valle. Asi:
R2 VI?
Vc = + R24 = (V, + )e- t2/(RS ÷ ROC
RBB + R2 (E.7.2.8)
Despejando el tiempo "t2" se obtiene:
+ R2 VB (Rga + R2 )
t2 = (RS + R2) CQn (E.7.2.9)
Vv+ RI
2v
frecuencia de oscilacion f= 11(4 + t2) . (E.7.2.10)

Las formas de onda que en este caso se obtienen son:

vc
— -21 + R 2 VD/(RBB + R 2 )
IV IV I
I I I
/7
I i s
1 I r i r
IT 1 , , 1
vB, r.:-...4.------.1
1 1 R2 (R, + n RBB) vB
Altura de la espiga I
1 (Rs + R2 ) (R2 + RBB)
1
I
R,I i 1
1 P_ T/ // J? .4..11.2,1
/2 -1
.•-2

Figura E.7.2.2. Formas de onda en el oscilador de relajacion simple.

Ejemplo 7.3. Con el circuit° del ejemplo 7.2 disefie un oscilador de relajaciOn
que tenga una frecuencia de oscilaciOn de 1 KHz y [Link] de 5 V de alto, si se
emplea un transistor 2N492 cuyas caracteristicas son:

RBB 6.0 KS2 f = O. MHz, = 0.56. PD 0.5 W.

/p = 4.0 p A , Rs = 50 ci . = 19 mA. FE R 60 V.

= 2.7 V. D = 0 • 8 V•

139
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Soluckin:
Debido a que lo mas importante es la altura de la espiga, se debe satisfacer que:

R2 VB ( R 2 nRBB
5— (E.7.3.1)
(Rs + R2 ) (R2 + RBB)
Se tiene esta ecuacion con dos incognitas, VB y R2 ; por lo [Link] puede propo-
ner R2 y calcular cual debe ser VB para la polarizacion del circuito oscilador.
Normalmente R2/v < 5 V, por lo que proponiendo R2 := 82 y sustituyen-
do datos en la ecuacion (E.7.3.1), obtenemos:
5 (Rs + R2 ) (R2 + Rim) ,
); —
1/
(E.7.3.2)
R2 (R2 + nRBB)

v._5 (50 + 82) (82 + 6000) v

— 87 (82 + 6000 X 0.56) '
11B = 14.22 V,
R BB VB
— R 2 + R BB

l';n3 = 14.03 V.

Vp n Vas
Vp 7.86 V.

Utilizando las condiciones de oscilacion y apagado se puede establecer que

RI esta acotada entre:

14.22 — 7.86 — 0.19

< Q l.542 ML, y
4 X 10-6

14.22 — 2.7— 1.56

R1 >
19 X 10-3 n= 524.2 : entonces:

542.2 < R1 < 1.542 M&2.

140
 EJEMPLOS

Si se propone que t2 = 50 gseg, de (E.7.2.9) se puede calcular C. Asi:

50X 10-6
C— f
132 kn [(7.86 + 0.19)42.7 + 1.56)] '

C = 0.6 pf .

Utilizando la ecuaci6n (E.7.2.5), y considerando que el period() de oseila-

cion es T = I inseg, es posible calcular el valor de R1 ; esto es:

t1 = (1000 — 50) mseg,

t, = 950 ttseg ;

950 X 10-6
R= ,
0.6 x 10-6 Qn [(14.68 — 2.7 — 1.56)46.37 + 0-8 )]

= 2530 f.1

Finalmente, el oscilador queda como se muestra en la Fig. E.7.3.1, con la

demostracion de sus respectivas formas de onda:
Vc (V)
14.68V 8.85 r - T

4.26

0 1 in sci 2 iii scg

V (V)

1.56

0.19
ii -

1 5011seg 50pscg
Figura E.7.3.1. Oscilador disenado y sus respectivas formas de onda en el condensador y en
la base uno.

141
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Por la forma en que opera, en este tipo de oscilador se requiere que el tiem-
po de descarga sea mucho ms pequerio que el de carga, por lo que si queremos
tener tiempos equiparables es necesario pensar en otro circuito.
Ademas se ve que R2 es mucho ms pequeria que RBB , por lo que la ecua-
cion (E.7.2.6) puede reducirse a:
VBB VV — R2 IV
= R i an
(1 — 17) Kr3 — VD )

Vp + R2 VB/RBB
t2 = ( Rs + R2 ) C2n (E.7.3.4)
Iry + R2 Iv

Ejernnlo 7.4. Para el oscilador de relajacion que se muestra explique su funcio-

namiento y obtenga las ecuaciones de su comportamiento.

Figura E.7.4.1. Oscilador de relajacion con

tiempos de conmutaciOn comparables y con-
trolados independientemente.

Solucion:

El condensador C se carga a traves de R I hasta que adquiere suficiente carga

para que el transistor monounion se dispare; en este momento el voltaje entre
emisor y base uno tiende a disminuir, obteniendose en consecuencia que el
diodo D se polariza inversamente y C empieza a descargarse a traves de R2 ani-
camente, hasta que se alcanza el voltaje de valle del emisor y entonces se apaga
este y se repite el

142
 EJEMPLOS

Operacion:

Condicion de disparo: Si el voltaje de conduccion del diodo externo se consi-

dera igual al del diodo de emisor base uno, se tiene:

R2 VB 7? RBB
> Vp pp, , condicion de disparo. (E.7.4.1)
R t + R2 .[Link] R 3

Ademas la condicion de apagado es que, cuando el emisor este conducien-

do, la corriente que circule sea mas pequefia que la de valle, es decir, que el dis-
positivo trabaje en la region de impedancia negativa. Asf:

Va , se considera VB > V,, condicion de apagado.

R, < I
Si se denomina con VI el voltaje inicial del condensador, entonces este se
carga desde i hasta Vp, de manera que:
R2 V8 g)(1 — e tAR ifilimc ) ; (E.7.4.2)
= + R2

luego, la carga dura hasta que el voltaje del condensador alcanza el voltaje pico,
es decir:
77 RBBVB R, VB tORI/ai2)c)+ FF .
VC = VI) =( V,) (1 —
RBB + R, R, +R2
(E.7.4.3)
Finalmente, "ti " queda:
R2 VLAR + R2 —
t, = (RI IIR2 )C12n irp , , (E.7.4.4)
4%2 'ABB . 3/

Luego, para la descarga del condensador, se tiene:

=V e(r/R2C)

y la descarga termina cuando se alcanza el voltaje V1 . Asf:

VP
t2 = 021z — (E.7.4.5)

Para que el circuito quede debidamente caracterizado se necesita encontrar

V1 en funcion de las caracterfsticas del dispositivo y de los elementos externos
involucrados; esto se hace en forma grafica, pues sino resulta muy elaborado.

143
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Ejemolo 7.5. Disefie un oscilador de relajacion con una frecuencia de oscilacion

de 7.5 KHz y con ticmpos de conduccion y carte en relacion 3t1 = t2 . Se usara
el transitor UJT 2 N494, cuyas curvas caracteristicas se anexan.
Obtenga los pariurietros de las curvas para despues hacer el diseno y obtener
las formas de onda del circuit°.

18 --r-- - 20 ! . .
16 m = 5°C2] 1 g LT
_A=H 25°C /E. = 50 mA
I I , -,Z ,di I I
1111 't -----1, 5 16, •111 40
> = ,
7. 11 V,BB w 14 3o
I Recta de carga eit10-- - Recta de carga
jAp
9 2 12
--: 10 para ia polarizacion
I _l_de cmisor base-uno 10 .„ r,ve —20 para la polarinciOn
7.0
c.)
8 1 1 20
= a. _ Aim.......p...---ie, bases
74 , 10 7-r—
-a
1
'' 8 a■ —■1.-- 10 5
''al link; PI I
i 4 .a■.■. Pb. 1. II
2 0 fl,,-
LTAXIII..
cd "!. ow"
'B = j.
02 4 6 8 1Q12 14 16 00 5 10 15 20 25 30 35 40
Corricnte de emision (mA) Voltaje entre bases (V)
(a) (h)

Figura E.7.5.1. Curvas caracteristicas del transistor monouniOn LLIT 2N494.

Solucion:
Sc usarti el circuit° propuesto en el ejemplo 7.4. Sc propone 17B — 40 V. y
R3 = 4 Kn.
Luego, observanclo la curva de la Fig. E.7.5.1-b, se puede obtener:
25V
R80
k= 0 - 2 mA
De la Fig. E.7.5.1-b yea el punto P3 , el cual permite determinar EBB, esto es:
RBB
2.6
VBB 40 --I-
D V= D —
16.5
rk. 3 -r n „BB

Y observando la curva de la Fig. E.7.5.1 se puede ver que para un VBB de aproxi-
madamente 30 V el voltaje pico corresponde a 15.5 V; y considerando VD = 1 V,
tenemos:

7? — 13B

17 = 0.48.

144
 • MMPLOS

En este transistor se puede considerar que la corriente de vatic es mayor que

16 mA, pues no se ye en las curvas caracteristicas que la pendiente sea positiva.
Asf, se debe cumplir la ecuaciOn (E.7.42).
1'1'3 40
— <I R,> .
' 16 x 10-3
entonces:
R, > 2500 S-2
y de la ecuacion ( E.7.4.11 se tiene:
RBB + R3 > 1
R "
entonces:
T/RBR 2

.•. 1.75 R2 > R, . (E.7.5.1

Si se propone R, = 5 K. de la grafica de la Fig. E.7.5.1-b se ye que la corrien-

,- te de emisor esta alrededor de 7.5 mA luego, interpolando en la Fig. E.7.5.1-b
se encuentra que 16.5 V, (ver punto P, ). Llevando [Link] el dato
• de Vi3r) on sobre Ia curva de la Fig. E.7.5.1-a, se cncuentra que /.7 V (ver
Punto P2 ); y tambi6n de la Fig. E.7.5.1-b se observa clue:
rim off = Ii113 = 30V. (ver punto P3 )
4= 0
Para calcular los valores de las resistancias, se hacen varios tanteos, pues a pesar
- de que r y t2 •pueden vaiiar en forma relativamente independiente, cuando se
pide que eumplan con una_rela.cian no es' facit conseguirlo. • .-
De la ecuacion (E.7.4.5), tenemos.: •
•
Si, / 2 = 100 Owe, = R2 CQ.,/ 14'5 • ••••
• 2.70 7.

entonces: R2 (= 59.49 X 10-6,.

Primer tanteo: • ,

Si, R2 = 1.5 Kf2 • . • •

entonces.: C 3.97 X 10-9 r:

sustituyendo en (E.7.4.4), se despeja a t,:

t, =-8.48 X IV seg. -• •

145
7 TRANSISTOR MONOUN1ON 111T

Segundo tanteo:
Si, R2 = 5 Ks7 ,

entonces: C= 11.9 nf ;
t, = 34.09 llseg.
Finalmente:
t, + t, = 134.09 pseg 133.3 Asee, valores que cumplen con la
frecuencia propuesta.
Aunque el valor de R2 satisface la condici6n dada, se recomienda que este tipo
deoscilador no se use para:
a) ti > 3.
—
t,

A continuacion Sc muestran las formas de onda y el circuito final.

VE
1 1
1
1 1 1 15.5V
• 40V
1 t I
I 1 -_2.7V1
4K SZ
. -..--...i
5K a V8 2 i It
l( tiscg)
. t _i _ .....„, 20V
/rE
/12
- ,
2N494 1 1 I
1 t
it I
1
Bi 1 I 1.7V

i 1 1 I rr(pseg)
1 2nr
VB, ,--1- - - - 1 - - - - - - ii30V
SKS-2
( 1 (2 i1
-- - 16.5V
1 I I. ( ltisegi
34 168 268 302 402

Figura E.7.5.2. Circuito oscilador de relajacion y formas de onda que se observan.

146
 ElEMPLOS

Ejemplo 7.6. Analice el circuito que se muestra y de sus ecuaciones de compor-

tamiento, asi como sus formas de onda (generador de diente de sierra). Los
transistores Q1 y Q2 estan apareados, es decir, sus caracteristicas son identicas.

n2

Q3

13 1
Figura E.7.6.1. Oscilador de relajacion
de diente de sierra lineal.

Solucidn:
Analisis: La parte del circuito formado por el condensador y el transistor mo-
nouniOn se comporta como el oscilador de relajacion mostrado en el ejemplo
7.2, por lo que unicamente interesa analizar la parte compuesta por Q, Q.2 y
RI . En este caso se tiene que al considerar:

VB VB.

1131 + ICI + IB2

=1,81 + 13 1 1

Si los transistores son iguales y la terminales de base-emisor estdn en paralelo,

entonces VEB I = VEB2 e /Bi = .432 por lo tanto:

It = (0 + 2)/B.,

+ I = ., ;
12 = 131B2 -
entonces:
12 = 11 •

A este arreglo de transistores se le conoce como espejo de corriente, y de esta

forma se obtiene:
= VB 1121 . (E.7.6.1)

147
 7 TRANSiSTOR MONOUNION WT

Luego. el voltaje en el condensador sera en el estado permanente:

/2 t
Vc = Vv +— C ' '
por to tanto, el tiempo en que el UJT esta en corte es el tiempo en que el volta-
je en el condensador alcanza el valor Vp:
tt
Vc = Vp = Vv + C
- '•

finalmente. el tiempo /*I sera:

Vp — Vv)C
= (E7.6.2)
12

y t2 se considera muy pequeno comparado con t, por no tener resistencia en la

base uno. Luego:

f 1 /2
= (v — Vv) C (E.7.6.3)

Sustituyendo el valor de /2 y de Vp en taTninos del voltaje de polarizacion. se

obtiene:
V8 /R 1
f - (V77 — Vv ) C C (71 — VvIVB ) V1)
(E.7.6.4)

Y si
,
entonces:

f = nRI C • (E.7.6.5

La condicion para que este circuito oscile es que:

< —R7 < , (E.7.6.6)

Si se quiere un oscilador de frecuencia de oscilacion de 5KHz y se sabe que

= 0.6, V,= 2.5 V. tv = 15 mA, /p = 2014A y VBE = 0.6 V; considerando
que VB = 25 V, la frecuencia de oscilacion estara dada por:

148
 EIEMPLOS

1
f= 5000 Hz = R I C(0.6 —0.1) Hz :

f= Hz
Rt C
Si,

—IT= 5 mA,

5x 103 = 5 Krz
entonces, Ri —

Y C = 80 nf.

Si se tiene un cambio en el volt* a 30 V. i.,ctilinto cambia la frecuencia?

1
f= Hz
5 x 103 X 80 X 10-9 [0.6 — (2.5/30)]

1= 4838.71 Hz.

A continuaciOn se muestra el circuito disenado y las formas de onda que se

obtienen.
+25V

2N3638

1 It
i It
2N492 il 1 I1
I 1 1

5K1
T 8Onf
1.5V .- - - - - 1- — —
1
2001iscg
i 1

, ...
400psq:1

(a) (h)

Figura E.7.6.2: (a) circuito oscilador diente de sierra de 5 Hz; (b) formas de onda en el con-
de nsador.

149
7 TRANSISTOR MONOUNION UIT

Ejemplo 7.7. Analice el generador de escalera que se mdestra en el circuito de la

Fitz. E.7.7.1 y disefie un circuito con 10 pasos y una frecuencia de 50 Hz.

+ VB

Tisanda

Figura E.7.7.1. Oscilador de escalera con dos transistores monounion.

Solucion:

Funcionamiento: El generador de espigas compuesto por Q i . C1 , R1 y R2 gene-

ra espigas de un voltaic fijo a la frecuencia y duracion que se disefte (circuito
similar al diseilado para el ejemplo 7.3). Cada vez que se tiene la espiga presen-
te, el transistor Q3 se va a saturacion, polarizando con esto el diodo Zener
en la region de regulacion; con esto se establece un voltaje constante entre la
base de Q4 y la fuente, que permite que:

VZ = VBE R5IE, VBE Rs Ic2 ,

entonces:
VBE
Rs cte (E.7.7.1)

Se constituye el transistor Q4 en una fuente de eorriente constante durante

el tiempo que dura la espiga.
Asf pues, durante el tiempo que dura la espiga se dice que Q4 bombea co-
rriente al condensador C2 , obteniendose un incremento en el voltaje de C.2 equi-
valente
t /
A — e2 • (E.7.7.2)

150
 EJ EMP

El voltaje del condensador se va incrementando hasta que alcanza el voltaje

pico del emisor de Q2 y se descarn bruscamente, iniciandose un nuevo ciclo de
operaci6n. Cada incremento de voltaje constituye un escalOn: t3 es el tiempo
que dura la espiga.

Diseno de 1111 circuito generadoe de escaleru de 10 pasos:

Si se tiene que Q i es igual a Q , con las caracterfsticas siguientes:

n =- 0.6, Vv = 3.0 V, VD = 0.8 V, RBB 6 K2, /p = 3.014A.
Rs = 20 SI, = 15.0 mA;

y que Q 3 = Q4 , con las caracteristicas siguientes:

(3 = 100, VBE = 0.6 V en conduccion:

y DI con un voltaje de Zener:

Vz = 5.6 V, /z min = 1 mA, IzT = 5 mA.

Si se quiere que la serial de escalera tenga 50 Hz, entonces el periodo sera de

20 mseg, y, si se quiere diez pasos, implica que el bombe° de corriente debera
repetirse cada 2 mseg, por lo que entonces la frecuencia de oscilacion del gene-
rador de espigas debe ser 500 Hz.
Utilizando los conceptos del ejemplo 7.2 y 7.3, y ya que se desea que el
tiempo de duracion de la espiga sea lo mas pequerio posible. se puede proponer
que VB = 20 V. R2 = 47 S7, se propone que la duracion de la espiga sea de
50 pseg. Luego, considerando la expresion (E.7.2.2) y la ecuacion (E.7.2.9), se
encuentra que:
t2
(Rs + R2 )211 [ Vp ± R2 VBARBB R2)]A + R2 /01

entonces: CI= 0.632 pf 0.64 $2f.

Y;
R BB VB
11.91 V.
VP Q I RBB ± R2 =

De (E.7.2.6) se encuentra el valor de RI , obteniendose, si t= 1950 pseg.

R i = 3757 E2 3900 E2 .

151
7 TRANSISTOR MONOUNION

y el valortdetvoltaje maxima en la espiga sera: (ver fig. E.7.2.21

• n RBE)
l—
;
(Rs + R2 ) (R2 + Raa)
V, = 8.46V:

Cuando ta eSpiga estd par terminar se tiene un voltaje de .11/ R2 siendo en este
easo del siguiente valor:
R2 /v = 0.71 V.
Luego, para asegurar que aun asi se tiene el transistor Q3 en saturacian, se ne-
cesita que:

R„ VB — Z. VCEQ 3 V,

entonces, 1/R.4 = 15 V, considerando que ./R4 -ZT Ya que )1' 'B424 ;

IR4 = 5 m A
de donde:
R, = 15
-- X 103,
5

R, = 3 KO..
= 100.

Y 18Q3mn = 1R4/13

entonces: 113(23 min = 50

R2 Iv VBE .18Q3 m
in
= 50 [Link],
R3

entonces: R3 < 0.71 — 0.6

50 X 10-6

R3 4. 2200 11 '
se propone:
R3= 1500c2 .

152
 EJEMPLOS

Si C2 = 0.1 X 10-6 f,

R6 = 2 Ka ,

esto implica que el voltaje entre bases se reduce a.

VBBQ = R-
BB VB
- 16V.
RBB
luego, el emisor se disparara cuando el condensador C2 alcance el voltaje de:

VC 2 = VP427 +VD -=TIVBBQ +VD 10.40 V,

En esta forma erVoltaje del condensador deberair desde el voltaje valle }last a
VC2 = 10.40 V, es decir, que la excursion total sera de:

V.= 10.40— Vv = 10.40 — 3.0 = 7.40 V.

Finalmente, el voltaje incremental por escalan sera:

A V,- 7,40 V 7.40 V

•-• 2 — 0.74 V.
# pasos 10
Usando la ecuacion(E.7.7.2) se tiene:

SO X 10-6 /
0.74=
0.1 x 10-6
de donde:
Ic = 1.48 X 10-3 A = 1.48 mA. -Le s

Luego, usando la ecuacion (E.7.7.1) se obtiene:

Vz VBE 5.6 — 0.6
R5 = = 33782;
1.48X 10'
entonces:
Rs = 3300 2.

con lo que el circuito queda disenado totalmente.

A continuacion se presenta el diagrama general y las formas de onda que se
obtendrian:

153
7 TRANSISTOR MONOUNION UT

+ 20v

= 3.9K17

Kalida

0.64 p

(a)

3.0

2111 seg
1-• 1
10
20 m seg

Figura E.7.7.2: (a) Circuito generador de escalera;(b) formas de onda.

154
 PREGUNT

PREGUNTAS
7.1 Explique brevemente cam° Sc construye el transistor monouniOn.

7.2 ;,Q1i6 t ipo de contact° rectificante se forma entre el emisor y Li base uno
del UJT?

7.3 [Link] el transistor UJT tambien es conocido como transistor de una

sola union?

7.4 Al polarizar directamente el diodo emisor base uno del UJT, se inyectan
portadores a la barra semiconductora lograndose un efecto de impedan-
cia negativa entre estas terminales. Explique esto.

7.5 Dibuie el circuit° equivalente estatico del transistor monounion en la

region de corte o apagado.

7.6 Explique la razon de la proposicion de la ecuacion (7.2.12).

7.7 Dip (mill es la ecuacion que riize el comportamiento del transistor mono-
union desde el moment() en que el emisor empieza a conducir. y para
cualquier corriente.

7.8 Diga cOmo es posible eneontrar el valor del voltaic valle y la corriente Va-
lle para el transistor Ulf a partir de la ecuacion (7.2.15).

7.9 Al gralicar la ecuaciom (7.2.24) es posible encontrar las curvas caracteris-

ticas de: .

155
7 TRANSISTOR MONOUN ION UJT

7.10 Dibuje los simbolos empleados para el transistor UJT.

7.11 Defina el voltaje pico VP' del UJT.

7.12 Defina el voltaje valle 4 del UJT.

7.13 Defina el voltaje inverso de emisor 1:kri

7.14 Defina la corriente pico /p del UJT.

7.15 Defina la corriente valle 4, del UJT.

7.16 Defina la razon intrinseca de apagado ..r/ del UJT.

7.17 Defina la resistencia de base uno.

7.18 Defina la resistencia de base dos.

7.19 Defina la resistencia entre bases.

7.20 Defina la resistencia paralelo RT.

7.21 Defina la resistencia de saturacion Rs .

7.22 Defina la corriente de emisor maxima.

7.23 Defina la corriente promedio de emisor.

7.24 Defina la temperatura de la union del UJT.

7.25 Defina la frecuencia maxima de trabajofm

7.26 Defina la corriente de fuga de emisor 1E0 .

7.27 Mediante la ayuda del ohmetro, diga como es posible identificar las ter-
minales de un transistor UJT.

156
 rROBLI-MAS

I 'I? 0 131.I.:N1.1S

7.1 Proponga un element° de dos terminales a base de fuentes de voltaje

dependientes de corriente que tenga una impedancia negativa.

7.2 Sc construye un transistor monounion con un material semiconductor

tipo N cuya [Link] es de 250 EL- cm. Las dimensiones de la barra
son: lirea transversal. 1.5 mm: longitud entre bases. 3 mm. El diodo
metal-semiconductor se forma a 1.2 mm del extremo de la base dos. Si al
variar el dispositivo se encuentra que el voltaje de valle es de 2.0 V. para
B = 5.0 V:
a) calcule los valores de RBB , RT , Rs, RB i , RB 2 + 6 0, n consideramio
VD = 0.8 V.
b) Grafique las curvas del dispositivo v — i Y VBB IR, •

7.3 Si el voltaje de valle para VEE = 5.0 V es de 2.5 V e tif = 5.0 inA, con
RT = 1000 a 6„ = 1.8 , considerando que d/v /dliia = 0. obtenga el
voltaje de valle para VBB = 15 V.

7.4 De la expresi6n (7.2.15), que nos da la impedancia dinamica del transis-

tor monounion, obtenga la pendiente negativa maxima y diga como
depende de /E .

7.5 Con el circuit° del ejemplo 7.3, diseiie un oscilador de relajacion simple
con una frccuencia de oscilaciOn de 1.75 KHz, con altura de las espigas
de 5.0 V. (Emplee el transistor 2N492.)

7.6 Para el circuit° mostrado obtenga las ecuaciones de funcionamiento y las

formas de onda en los puntos (1) y (2).

157
7 TRANSISTOR MONOUNION UJT

Figura P.7.6. Oscilador de relajacion simple con resistencia de base dos.

7.7 Para el circuito que se muestra en la Fig. P.7.7, obtenga las ecuaciones de
funcionamiento y las formas de onda en los puntos (1) y (2).

VB

Figura P.7.7. Oscilador de relajacion simple con resistencia en serie con el capacitor.

7.8 Disctie un oscilador de relajacion como el del problema anterior, con una
frecuencia de oscilacion de 2 KHz y altura de las espigas de 4.0 V.

7.9 Disene un oscilador de relajacion similar al del ejemplo 7.4, con una
frecuencia de oscilaciOn de 5.0 KHz y con una relacion de tiempos
3t1 = 0.8 t2 . (Use el transistor 2N494.)

158
 PROBLEMAS

7.10 Explique como funciona el circuito de la Fig P.7.10 y obtenga las ecua-
ciones de funcionamiento y las formas de onda en los pun tos (1) y (2).

Dz

VB

Figura P.7.10. Oscilador de relajacion de rampa lineal.

7.11 Para el circuito oscilador de pedestal y rampa que se muestra en la Fig.

P.7.11, obtenga:
a) las condiciones de oscilacion:
b) las ecuaciones de funcionamiento: y
c) las formas de onda en los puntos (1) y (2).

p1 R2

VB RA
0 0 _ Vs

R3 +R4

IC
R4

Figura P.7.11. Oscilador de relajacion de pedestal y rampa.

159
7 TRANSISTOR MONOUN1ON UJT

7.12 El circuit° que se muestra en la Fig. P3.12 constituye una sirena electro-
nica. El transistor LUTI oscila en baja frecuencia mientras que el transis-
tor UTT2 barre de frecuencias bajas a frecuencias altas:
a) analice el comportamiento del circuito:
b) establezca las condiciones de oscilacion:
c) obtenga las ecuacionts de funcionamientOfy
d) obtenga las formas de onda en los puntos (1), (2) y (3).

16(.2

Figura P.7.12. Sirena electrOnica con ajustes de baja frecuencia (PI ) y de alta frecuencia (P2 ).
UJ T1 = CJIT2 = 2N494: 01 =132 =133 = 150.

160
 B1BLIOGRAFIA

BIBLIOGRAFIA
• CRAWFORD R.T., DEAN. The How and Why of Unjunction Transistors,
Texas Instruments, Semiconductor Products Division.

• SOWA, WALTER A. & TOOK, JAMES M., Special Semiconductor Devi-

ces, Holt Rivehort, Winston.

161
Capitulo 8
DISPOSITIVOS DE CUATRO
0 MAS CAPAS

INTRODUCCION

Los dispositivos de cuatro o mas capas se construyen alternando regiones P y

regiones N y en total tienen cuatro o mas regiones distintas. En este capitulo
se pondra especial enfasis en el diodo controlado de silicio (SCR) y en el into-
rruptor triodo para corriente alterna (Tr-AC switch o TRIAC), aunque se des-
criben en forma somera otros dispositivos de esta misma familia tales como:
DIAC, SUS, SCS, GTO, PUT, SBS.
Los dispositivos de cuatro o mas capas son elementos que trabajan con am-
bos tipos de portadores (por lo tanto son bipolares) y su comportamiento se
puede comprender entendiendo los dispositivos bipolares de tres capas (tran-
sistores bipolares). Existen analisis complejos para los dispositivos de cuatro o
mas capas; sin embargo, Ebers* desarroll° una analogia con dos transistores
bipolares para explicar el comportamiento electrico de estos dispositivos, la
cual da resultados suficientemente cercanos a la realidad y la cual se puede
expander para el caso de dispositivos de cinco o mas capas.

8.1. ANALOGIA CON DOS TRANSISTORES DE UN DISPOSITIVO DE

CUATRO CAPAS

Para un dispositivo de cuatro capas existen tres uniones y cuatro posibles meto-
dos de presentarlo como elemento de circuito, tal como se ilustra en la Fig. 8.1.
El comportamiento electric° de un diodo de cuatro capas o diodo Schockley
(sin alimentacion en alguna compuerta) es, como se menciono anteriormente,

* J. J. 1-bers, Four Terminal PNPN Transistors, Proc. IRE, 40, 1361:1952.

I 63
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

dificil de obtener en forma teorica; sin embargo, es posible justificar los resul-
tados que se obtienen experimentalmente con analoglas relativamente sencillas.
En la Fig. 8.2 se muestran las caracteristicas y las analogias mencionadas.
a2
ce,
dnodo cd todo
A SI
M N nil N K A K
o— 1 I I N2
2 • • •
!ISM 11b.4141114M Sha N
CI U2 U3 UL . U2 U3
• • Compuertas
G2 G1 G2
(a) (b)
_ -
A K A \ §'s K
0— --0
N 1 P2N N2 P1 s IV3 P2 N2 —43
0 .
U1 U2 U3 U1 ti2 L13

G
(c) (d)
Figura 8.1. Las cuatro posibles presentaciones de un dispositivo de cuatro capas PNI'N como
elemento de circuit° electric°.

• A .A
•A
'.4 IB1

El

N1
as
I/
• Q1
G2

K P2
min i IC2
no V
N2 N2 C1

.-11, —110 Q2
• • 1G IB2
K K .i K
I
(a) (b) K

Figura 8.2. a) Curva caracterfstica de un diodo de cuatro capas. b) Analogia con dos transis-
tores bipolares de un diodo de cuatro capas.

164
 8.1. ANALOG1A CON DOS TRANSISTORES DE UN DISP. DL CUATRO CAPAS

En general, para un transistor bipolar se cumple que:

1B = (1 — ce)IE — 'Co. (8.1.1)

= cdE (8.1.2)

luego para el caso de la [Link] en la Fig. 8.2-b se observa que:

= (I /col (8.1.3)

1c 2 = a2 ICO2• (8.1.4)

Si para este caso,

IB1 7"" IC2 , = +

manipulando estas expresiones algebraicamente se obtiene:
a 2 + Ic02 +1C01
IA — 5 (8.1.5)
— (a 1 + a2
donde Ic; es la corriente en la compuerta del dispositivo; a l y a 2 son las relacio-
nes entre la corriente de colector a emisor para los transistores Q1 y Q2 respec-
tivamente; /col e ico2 son las corrientes de fuga de colector-emisor con la
base abierta para los transistores Q1 y Q2 respectivamente.
Si se observa la ecuaciOn (8.1.5), se puede ver que todo el nurnerador es pe-
quefio, pero que sin embargo /A crece en forma desmesurada cuando (a, + a2 )
tienden a la unidad; entonces se dice que el dispositivo ha alcanzado el voltaje
de conmutacion (I') y cambia de no conduccion a conduccion, es decir, pasa de
la region 01 a la region 23 (ver Fig. 8.2-a), pasando obviamente de forma brusca
por la regiOn de impedancia negativa 12.
Para tener una idea mas precisa del comportamiento interno de un dispositi-
vo de cuatro capas es util observar y meditar un momento acerca del diagrama
de bandas de energia de los mismos, el cual se ilustra en la Fig. 8.3.
En el estado de equilibrio cada una de las uniones tiene su propia zona de
vaciamiento (Fig. 8.3-a). Cuando se aplica un voltaje de polarizacion positivo
entre anodo y catodo del dispositivo, la union U2 estará polarizada inversamen-
te hasta quc la inyeccion de portadores debido a la ruptura de la uniOn permita
que las tres uniones queden polarizadas directamente y sobrevenga la conmuta-
ciOn (Fig. 8.3-b), momento en que la caida de potencial entre anodo y catodo

165
8 DISP. DL CUATRO 0 MAS CAPAS

estard dada por la suma algebraica de Las caidas de potencial en cada una de las
uniones; es decir:

VA K = V1 + V2 + V3

0A P1 (1 E
N1 P2 N2 ____K
p (a)
Condicion de equilibria
1 U2 U3
-77-N._ d--7.\___
i Ec

l
f 1
flm ... &.r v

+ v, + v2 _ + v3 -
A ill (14
A N
+ 4.1Mil N2
CondiciOn de apagado en sentido
EC direct° (polarizacion directa entre
anodo y citodo)

--\-----i p N.--
NI
+ VI- + v,_ + v3 _
c,4H (c)
PI M N1 M P2 M N2 I OK
_ Condicion de encendido en sentido
directo (polarizaciOn directa entre
-...-\ anodo y catodo)
N1 de--\21.E F
Err

Figura 8.3. Diagramas de bandas de energia para un dispositivo de 4 capas.

Para poder tener caracterizado perfectamente el comportamiento de estos

dispositivos se requiere conocer los valores de a, y a, con el voltaje aplicado, o
bien con la corriente que circula entre anodo y catodo. Esto ha sido realizado
previamente por Gentry*, mas sin embargo los resultados son muy complica-
dos, debido principalmente al concurso de tantas uniones y tantas concentra-
ciones de impurezas distintas. En la Fig. 8.4 se muestra el comportamiento elec-
tric° de un dispositivo de cuatro capas conectado como diodo.

*F. E. Gentry, Turn on Criterion for PNPN devices, IEEE Trans. Electron Devices, ED-l1, 74,1964.

166
 8.1. ANALOGIA CON DOS TRANSISTORES DE UN DISP. DE CUATRO CAPAS

aA

AK

Figura 8.4. Comportamiento electric° de un dispositivo de cuatro capas conectado como

diodo.

Observandc estas caracterfsticas es posible, mediante el mocedimiento de

prueba y error, proponer una funcion que se acerque a la caracterfstica en sen-
tido direct°, ya que en sentido inverso es exactamente igual que un diodo recti-
ficador.
La funcion propuesta es:
mKT
VA K = AO/A C - (A /°)+ 2n (— + 1); I
Io
0, (8.1.6)

donde el primer t6rmino corresponde a la zona TO (Fig. 8.4) y el segundo ter-

mino corresponde al comportamiento de un diodo rectificador polarizado en
sentido directo.
La constante m generalmente es mayor de 2 y depende fundamentalmen-
te de la fabricaciOn del dispositivo. Las constantes Ao, a y n dependen de las
caracterfsticas de las regiones con que se fabrique el dispositivo, es decir, de
la concentracion de impurezas; de si las regiones son abruptas o de otro tipo;
de la seccion transversal del dispositivo y de otras. Estas se pueden obtener
teniendo tres puntos de la curva caracterfstica del dispositivo.
La aproximacion aqui propuesta vale para corrientes de anodo mayores a
cero, pues en caso contrario el primer termino de la expresion 8.1.6 pierde sen-
tido ffsico.

167
8 D1SP. DE CIJATRO 0 MAS CAPAS

Ejemplo 8.1. Sea un diodo de cuatro capas de silicio del cual se quiere obtener
sus curvas caracteristicas; el diodo se trabajara a temperatura ambiente y las
constantes valen:

KTIe = 0.026V, m = 2.5, 1 = 5X 10-6 A, A0 = 3X 105 ;

a = 4.64 X 10" A, n = 0.9.

Solucion:

Sustituyendo estos valores en la expresion (8.1.6) se obtiene:

TABLA E.8.1 1.1 Cont. TABLA E.8.1

VAX IA VAX
.1A
mA V mA V

0.0 0.0 1.2 34.65

0.1 23.53 1.6 23.20

0.2 37.8 2.0 14.88

0.3 46.08 4.0 1.59

0.4 50.32 6.0 0.64199

0.5 51.8 8.0 0.4851

0.6 51.37 10.0 0.495

0.7 49.71 15.0 0.52

0.8 47.25 /0 0.54

0.9 44.31 30 0.5654

1.0 41.14 50 0.60

100 0.643

168
 8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Y graficando estos resultados se obtiene la curva caracteristica del diodo de

cuatro capas propuesto.

(n

Is AK

Figura 8.5. Grafica del diodo de cuatro capas propuesto en el ejemplo 8.1 cuando se trabaja
en sentido direct°.

8.2..DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Este dispositivo es un diodo de cuatro capas que tiene un electrodo adicional de

control, como se muestra en la Fig. 8.1-c, al cual se le nombra compuerta y que
modifica la caracteristica electrica del diodo de cuatro capas al circular corrien-
te por el. Para este dispositivo sigue siendo valida la analogia de cuatro capas y
la expresion (8.1.5). La expresi6n (8.1.6) se puede utilizar haciendo algunas
pequelias consideraciones:

_ (f A la ) mKT
VAK = (A0 — B1G)1,4e + 12n (— + 1), (8.2.1)
10
donde B puede eventualmente ser una funcion de la corriente.

169
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Ejemplo 8.2. Trazar las curvas caracteristicas estaticas de un SCR que tiene las
siguientes constantes:

m = 3, /0 = 10" A. KTIe = 0.026 V. n = 1.5,

a = 1.53 X 10-3 A, A„, = 5 x iO 2, B = 107 12/A.
Solucian:

Sustituyendo estos valores en la expresion (8.2.1), para distintos valores de IG,

se encuentra que:

TABLA E.8.2

1G (mA) 0 _ 1 10 20 40 50
VA K VAK VAK VAK
VAK VA K
IA (mA) (V) (V) (V) (V) (V) (V)

0 0 0 0 0 0 0
0.1 49.53 44.616 39.69 29.86 10.2 0.359
0.2 95.80 86.27 76.72 57.65 19.49 0.413
0.4 175.50 158.00 140.49 105.5 35.47 0.467
0.6 235.32 211.84 188.35 141.4 47.46 0.499
0.8 274.85 247.42 219.98 165.12 55.38 0.521
1.0 295.71 266.19 236.67 177.6 59.57 0.538
1.9 292.93 263.69 234.46 175.98 59.03 0.565
-
2.0 225.80 203.28 180.76 135.7 45.63 0.592
4.0 30.15 27.20 24.25 18.34 6.54 0.646
8.0 0.727 0.724 0.721 0.716 0.706 0.7010
12.0 0.732 0332 0.732 0.732 0.732 0.732
30.0 0.804 0.804 0.804 0.804 0.804 0.804
60.0 0.858 0.858 0.858 0.858 0.858 0.858
100.0 0.898 0.898 0.898 0.898 0.898 0.898

170
 8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Graficando estos datos se obtiene:

(mA
1:

1(

.0 mA

VAX (V)
50 100 150 200 250 300

Figura 8.6. Curva caracteristica estatica del SCR del ejemplo 8.2
8.2.1. Circuito equivalente

Este dispositivo se usa comimmente como conmutador (interruptor), y por lo

tanto el circuito equivalente que se emplea es la resistencia que presenta cuando
esta abierto y la resistencia cuando esta en conduccion; es decir:
i 1
jA IA A

ieL Ra
J,Rc
/
III 7 1
I-- -- —
S't ---- — ---- Ra
0 VIfV1 Vs K
K VAK *

(b) (a) (c)

Figura. 8.7. Circuitos equivalentes empleados en el SCR utilizado como interrumptor: a)

caracterfsticas electricas, y aproximacion segmento lineal, b) equivalente abierto, c)equiva-
lente en conduccion.

171
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Para el caso de este dispositivo se pueden calcular estos valores tomando:

R0 =
R (8.2.2)
Is

R — (8.2.3)
1,
Para el caso del ejemplo 8.2, tenemos que:

295
Ra – S2 = 295 K
1 X 10-3

0.804
Rc – S2 = 26.80 St ; /A = 30 mA.
30x 10-3

Observando la diferencia tan grande que existe en los Ordenes de magnitud

de ambas resistencias, se puede concluir que este dispositivo efectivamente
puede trabajar como interruptor.

8.2.2. Caracteristicas y limitaciones

Toda la familia de estos dispositivos que se encuentra en el mercado esti dise-

fiada para que trabajen como interruptores, encontrandose algunos SCR que
pueden trabajar con corrientes del orden de 1000 A, por lo cual es sumamente
importante al usar estos dispositivos el hacer el diselio de los disipadores que
deben acompanarlos y del tipo de SCR que se debe aplicar segnn la necesidad
que se tenga; asimismo se debe decidir si para que el dispositivo vaya a conduc-
cion se le debe introducir corriente en la compuerta o simplemente elevar el
voltaje entre anodo y catodo hasta que este tienda a sobrepasar el valor del
voltaje de conmutacion y entonces se dispare. En estos dispositivos son im-
portantes los tiempos de conmutacion, pues debido a su propia construccion
los tiempos de almacenamiento y recuperacion de los portadores son grandes.
En la tabla 8.1 se presentan los parametros para el SCR y sus definiciones.

172
 8.2, DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

TABLA 8.1. CARACTER1STICAS DE LOS SCR's

Parametro Literal Definicion

Voltaje inverso vi Es el voltaje instantaneo inverso aplicado al SCR.

Voltaje pico [Link] Es el voltaje maxim() inverso que se puede aplicar

inverso al SCR en forma repetitiva sin que Sc sufra deterioro
repetitivo (similar al de un diodo rectificador).

Voltaje pico VPP Es el voltaje maxim° inverso que se puede aplicar

inverso al dispositivo y una vez aplicado se requiere dejar
descansar el dispositivo.

Voltaje directo vd Es el voltaje instantaneo directo.

Voltaje directo VP Es el voltajc maximo directo que se puede trabajar

pico este dispositivo.

Voltaje de Vs Es el voltaje maxim° de anodo-catodo que se puede

conmutacion aplicar al SCR sin que conmute el dispositivo.

Voltaje VD Es el voltaje promedio directo; depende de la forma

promedio directo de la onda de la setial y sus variaciones en tiempo.

Corriente directa ic Es la corriente instantanea en la compuerta con

de la compuerta voltaje de compuerta positivo respecto al catodo,

Voltaje directo "G Es el voltaje entre compuerta y catodo instantaneo.

de la compuerta

Corriente de disparo 'CT Es la corriente minima con la cual se asegura que

de la compuerta invariablemente el dispositivo conmuta.

Voltaje de disparo riGT Es el voltaje minimo entre compuerta y catodo con

de la compuerta el cual el fabricantc asegura que el SCR conduce.

Corriente ID Es la corriente promedio directa; depende de la for-

promedio directa ma de onda o angulo de conduccion.

Corriente IPP Es la corriente maxima que se le puede pasar en

transitoria (surge) sentido direct() al SCR sin quc dste se daiie, pero
dejando descansar el SCR.

173
8 DISP. DL CUATRO 0 MAS CAPAS

TABLA 8.1 (cont.. .)

Paranaetro Literal Definic ion

Funcion Fusible /2 t Es una rnedida dc corriente maxima no repetitiva

en sentido direct°. cuyo valor permitido depende
del tiempo que esta circule Pt = cte.
'—
Voltaje inverso pico VGi Es el voltaje maximo inverso que se puede aplicar a
P
en la compuerta la compuerta sin que dsta se datie.
_
Disipacion de la PG Es la potencia promedio que puede disipar el diodo
compuerta entre compuerta y ckodo.
t--
Coniente de 'H Es el valor minim() de corriente para el cual se con-
sustentacion sidera que el SCR permanece conduciendo.

Tiempo de retardo tr Es el tiempo entre el instante en que se introduce

in pulso en la compuerta y que la corriente del
anodo alcanza el 10 por ciento de su valor final.

Tiempo de elevaciOn ts Es el tiempo que transcurre en que la corriente de

anodo pasa del 10 por ciento al 90 por ciento de su
valor final.

Tiempo de encendido te Es la suma de t,. + ts.

Tiempo de apagado ta Es el intervalo desde el moment° en que se tiene

corriente nula y el moment° en que aparece el vol-
taje de apagado.

Resistencia termica Rth Es la resistencia termica entre la union y el ambien-

te, o la union y el encapsulado, o el encapsulado y
el ambiente, dependiendo de los subindices que Sc
empleen.

Temperatura de T./ Es la temperatura del dispositivo. No es posible

la union establecer en cud, uni6n de las tres.

RazOn de subida dV Es la variacion en tiempo maxima del voltaje direc-

del voltaje directo dt • to que puede soportar el SCR sin que se conmute.

I di
Raz on de subida de Es la maxima variaciOn permitida de la corriente
la corricnte directa dt directa, sin que se datie ninguna de las uniones.
,

174
 8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

8.2.3. Variacion de los parcimetros

Al igual que la mayoria de los dispositivos semiconductores, los parametros del

SCR varian principalmente con la temperatura. A continuacion se muestran
algunas gralicas que demuestran esto.
1000 _
I I I
900 Min (T./ = 125°C) 1

800 Eff/1111A, Max (Tj = 125°C)

700
600 giMWMINE
E 500 VAAUU
400 rAMINE111111
300 AMINE mix (Ti= 15°C)
200
100

0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 VAX (V)

Figura 8.9. Variacion de las caracteristicas de conduccion con la temperatura.

300

41

.5 , ! ' !-:- 1; j I f - I- 1 Temperatura de la

cl ii3- 0: ■ .1 I 1 1 I li I LA I i l .1 I union (C).
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180-
Figura 8.9. RazOn de voltaje de subida dVIdt , que no dispara al SCR al variar la temperatura.

175
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

corriente de VG (V) 25°C

7
/ — voltaje de compuerta
compuerta 1.250 C minimo requerido para
minima i —65°C
N.., ,%.4. pduairnsiopda
sa rdaer st ojgli
cl aost ala 3
s v.
requerida
para disparar
todas las Region
trec.c _
unidades.
".1%.
.-- posibles dis
+ 125°C

--.\. . ,
F: -
\,
maxima
corriente de /
---- rG (A)
compuerta 0.05 \ 0.10 0.15
que no dispara Region de No disparo.
ninguna
unidad.
■
t, VG (V) [Link] voltaje de
compuerta que no
121 dispara ninguna
VG = 10 V (valor pico perrnitido) unidad.
-v-
10
Curvas de '
maxima disipacion
\ \e"-17::;-"en compuerta s ■-• 1.7%,11111111.11.1)

•tf 6. gOr'

. r7 4
% (del periodo de la
'" serial en compuerta)
25%
2. , 50%

/G (A)
01 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Corriente de compuerta

Figura 8.10. Caracteristicas de disparo tipicas de un SCR

14
7
„,r5a) 121 Limite de. prueba
Z.
V:1 „
8 • _

[ J• ;
20 40 60 80 100 120
Corriente pico directa (A)

Figura 8.11. Variacion del tiempo de apagado ta con la corriente pico, para un SCR.

176
 8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

12
0
MI . •-•'
frdi l.
OO
M
el 8 1.--- '
(0.

- -i •
II
0 i
o...-• 4. !.___. ! 1.
= to
'
-EZ, S '----- - i - ' - ',-• - - --
01 L _1_ !
_L__; ! (Ti (°C)
o 40 80 120
Temperatura de la union

Figura 8.12. Variacion del tiempo de apagado ta con la temperatura de la union Ti.

-- _
.,_
L-.._ 1-1. 4... .1
1000 1
1- --
1 '
2001

1001- ! —t-j..i•!),- ;

20 !

10!

0.2
0.1 0.2 1 2 10 20 100
Tiempo de encendido (11 seg)

Figura 8.13. Tiempo de encendido te en funcion de la corriente maxima permitida en el dis-

positivo y del voltaje previo de disparo.

177
8 D1SP. CUATRO 0 MAS CAPAS

70 71111iiiillf -f--i -T-F--. 1

60 1-- . 1 _ i 1 . I -I .
___ ...., \ç_ . _ - . I I '
; 180"
50r 120"'
--i' - -- - - 90" 1'
e 40 inguto de
...0
5 conduccion
_r _r__... . 60" I I I I ; I
.m-0- 30 - • 30- 1 1 1 1 r,. _LI'
i 1
-c)4) /' 7 .1 *angulo de
.= 20 ---- • ■ ' conduccipn
.=: .)
Cr 10 r -7 .
1 Temperatura dela union 1250C '
L ,_.. .„ - ■ i #
.... . ,- - - 4
0 -I- I- 4- I —I. Li I I. 1 ---L-
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36
Corriente promedio directa (A)

Figura 8.14. Disipacion de potencia directa en film:ion del angulo de concluccion.

140
FT— I I TI

13
.0
120 ,
...
1001—
. , -I
•j , 1, - .ir - 1
I ., .
1
- !"
1'___.__
1 I
1" _.1 dp.,
is ,
.
.-,I — N r
80 _____ '
*Ingulo de 1
E0 conducciOn ,
— . _ . :__ _ _ _ _.
... e 60.-- - • ■ . i , ---,
CI un I.--..—..
Ch CL, , , f - i. 1 • ---I
8 40 1 --L--!- 300* 600* 1 ■ _i_. _ -
1 L . DC ...1
1 : ' 1 , - 907. 180** -
201 _...,., 1
1--- 1 120°*-111 f-± .
1
07
[1 .- .. - i I]
i .._- •
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 *(ingulo de
Corricnte promedio directa (A) conducciOn)

Figura 8.15. Corriente promedio directa en funcion del angulo de conduccion y de la temp.
del encapsulado.

178
 8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

1001 , , --- I: --ht

_._-. -. - -.4 7-t- t- - I-
_._

@ -I
1
-- , -- 4'max (-40°C)
70 1 ,
—0 10 .
x =h.. . ._ ._... _ -7 .__- ----.._ I ..A
. , _
70 •• 1- I-- , 7 +- Max (25°C)
0 [ .
,g.
.a
0
_ ,
'A
„, . ...
. L. , ; i._ ', -• ._ • i
..
I
t 7-...7• _... min (-40°C) ,• -
. r• __ — I._... . min (25°C)
8 1
c..) i... i- -1--- I • ----t--,--1

0.11min (110°Ce
100 200 1000
_
10000
[Link]
Resistencia que se conecta entre compuerta-catodo (n)

Figura 8.16. Corriente de sustentacion o de Holding minima y maxima en funcion de la

temp. y de la resistencia que se conecta entre compuerta-catodo.

160

.2 1201— - . • I -i
o . . . ..
._ I-- - 1
`A' I [

0
.,,-.: g,,,, 40 1--- Temp. de la uni6n ---
d <, 1 de -65°C - +125°C
Op I I I IIIIIi I I I I t
1 2 10 60
Cielos de 60 Hz

Figura 8.17. Corriente transitoria surge, considerando uno o varios medios ciclos de 60 Hz.

179
 8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

8.2.4 Construccion interrza y simbolo

La construccion interna de estos dispositivos puede ser par cualquiera de los

procesos de fabricacion que se utilizan para los dispositivos semiconductores:
a) aleaciOn-difusion;
b) difusion;
c) proceso planar epitaxial.
Sin embargo se tienen cuatro geometrias para disponer las cuatro capas, las
cuales se ilustran en la Fig. 8.18.
A

N1

RL

(a) (b)

RG VAA

VG

2 '

Figura 8.18. a) Estructura basica y polarizaciem tipica de un SCR, b) Equivalente con dos
transistores bipolares cornplementarios.

P.

KG N2

(a)
(b)
Figura 8.19. a) Estructura de resistencia en emisor y polarizaciOn tipica de un SCR, b) equi-
valente.

180
 8.2. DIODO CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

AA

(a) (b)

Figura 8.20. a) Estructura de un SCR de union en la compuerta (SCR auxiliar) y polariza-

cion basica (compuerta negativa respect° al catodo), b) Equivalente.

RG

N3
A

N1

"2

VAA

2
(a) (b)

Figura 8.21. a) Estructura de un SCR de compuerta remota y polarizacion tipica, b) Equiva-

lente.

181
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

G
iI
8

:Wet NV WM,

1 I r
j .1 I G
ai
ser li o'
aor
mazoll0"
aemeslo
;;;;,• '4
food()
(a) (b)

Figura 8.22. a) Construccion externa, b) Simbolo de un SCR.

8.3. TRIAC

Cuando [Link] —...emplear_el SCR cada vez mas en el control de potencia

electrica, y debido a que la transmision de la energia electrica es senoidal (co-
rriente alterna, dos polaridades), se requirieron dos SCR para poder tener con-
trol sobre todo el ciclo de la seftal. Debido a esto es que los fabricantes se preo-
cuparon por encontrar una configuracion que perrnitiera crear un dispositivo
con las caracterksticas del SCR, pero capaz de met& eficier
_itementalL_ I forma
bidireccional y tenet,- que emplear Imicamente un dispositivo para el control de
Los 360' del _ciclo de corriente alterna. Este dispositivo se logra mezclando las
cuatro configur_aciones FEE CR's (Figs. 8.18, 8.19, 8.20 y
La Fig. 8.23 se muestra 11-c(
-34 basica del TRIAC.*

Figura 8.23. Estructura basica de un

TRIAC.

* Gentry, Scace and Flowers, Bidirectional Triode PNPN Switches. PROC. IEEE, vol. 53, No 4,
april 1965.

182
 8.3. TR IAC

Este dispositivo Eunciona_en_cuatralamasslistii_ itas, las cuales se pueden

establecer en un piano de cuatro cuadrantes, como se ilustra en la Fig. 8.24.

+ 1,

1G (corriente de
compuerta) positiva,
implica entrando;
negativa irnplica
21 saliendo en el
sentido convencional
de positivo
a negativo.
V21 (voltaje entre
las terminales dos
y uno).

Figura 8.24. Los cuatro cuadrantes de operaci6n del TR1AC.

Analisis de operacion del TRMC en los cuatro cuadrantes

Cuadrante I. En este caso el voltaje en la terminal 2 es positivo respecto a la

terminal 1 y la corriente en la compuerta es entrando, por lo que la. union
P2-N4 esta polarizada negativamente y se tiene PI -N3 -132 -N5 como un SCR con-
vencional, el cual se puede considerar en la estructura de resistencia de emisor
(Fig. 8.19).

Cuadrante II. Para este caso se tiene la corriente en la compuerta entrando, es

decir es positiva, mientras que el voltaje V21 es negativo, es decir, que la termi-
nal 1 es mas positiva que la terminal 2; luego, la union P2 -N, esta polarizada
directamente e inyecta electrones, que son recolectados por la union P2 -N 3 ,
con lo cual el proceso regenerativo comienza en el dispositivo de cuatro capas
formado por P2 -N3 -P1 -N2. Este es un metodo aün mas elaborado que el SCR de
compuerta remota.

Cuadrante Ill. Para este caso se tiene V21 negativa e /G negativa, es decir, salien-
do del dispositivo. Si /G es negativa, esto implica que la union P2 -N4 esta pola-
rizada directa, lo cual establece el metodo de compuerta remota descrito en la
Fig. 8.21 para el dispositivo de cuatro capas formado por P2 -N3 -P1 -N2 .

183
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Cuadrante IV. Para este caso se tiene V21 positivo e /G negativo, lo cual Ileva al
dispositivo a funcionar como en el caso del SCR de estructura de uni6n en la corn-
puerta, o SCR auxiliar, de manera que el SCR auxiliar se forma entre P, -N3 -P,
-N4 , mientras que el SCR de potencia se forma entre PI -N3 -P2 -N5 . Fig. 8.20.

8.3.1. Curvas caracteristicas estaticas

En la realidad un dispositivo TRIAC prcsenta caracteristicas electricas equiva-

lentes a colocar dos SCR encontrados, (Fig. 8.25), es decir:

'21

Fig. 8.25 Curvas caracteristicas estaticas de un TRIAC. las cuales muestran el concept° de
bidireccionalidad.

En las demas caracteristicas que se tienen, las difcrencias basicas con res-
pecto a un SCR son: que erts4. TRIAC se especificitn las corrientes de disparo
is ositi
far en los cuatro cuadrantes en que estec1ysLtuagagjaa., " asi como el vol-
u ra
7tEre—dYnstu —l s en sentido positivo y —1,1 en sentido ngativo. En cuanto a
VairaZiOn de paramirros se tienerdridamentalmente lo mismo que en el SCR.

8.3.2. Simbolo

El simbolo mas empleado para este dispositivo cuya construed& externa es

igual a la de los diodos controlados de silicio se muestra en la Fig. 8.26.

184
 Terminal dos
1T2

+1,r 1121 Fig. 8.26 Simbolo del TRIAC.

G
eompuerta T1
-/G
Terminal uno

- 833. Circuit() equivalente

- El circuito equivalente del TR

do en cualquier direccion presc mientras que si esti .apagaclo
- presenta alta resistencia.

8.4. DIAC

El DIAC es un dispositivo de dos terminales que se conoce como diodo de con-

- mutacion bidireccional. Este dispositivo se construye basicamente de tres capas
semiconductoras y utiliza el principio de ruptura de un transistor bipolar, aun-
- que se disefia de manera que al suceder la segunda ruptura del transistor el dis-
positivo no se dee y pueda conducir corrientes considerablemente mayores.

8.4.1. Construccion y simbolo

En la Fig. 8.27 se muestra la construccian fundamental y el simbolo quo se em-

plea para el DIAC.

An
' P •
T,
1-0 <

TT — pi
n T T2

(a) (b)

Figura 8.27, Construccion tipica del DIAC, (a) Estructura imam' (b) Simbolos.

185
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

En la construccion de estos dispositivos no se requiere que el transistor

tenga una ti (beta) grande, pues esto implica que el ancho de la base sea peque-
no (ver capftulo 5), lo que ocasionarfa que al pasar una corriente apreciable esta
se deara. Se requiere precisamente que el area transversal de las tres capas sea
igual y de preferencia grande para que el dispositivo pueda soportar corrientes
grandes y pueda aplicarse como dispositivo de disparo o proteccion.

8.4.2. Principio de operacion y curvas caracteristicas

La operacion del D1AC consiste fundamentalmente en Ilevar la estructura NPN

hasta un voltaje de ruptura equivalente al B I del transistor bipolar. Debido
a la simetria de construcciOn de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas
direcciones y debe procurarse que sea en la misma mapitud de voltaje. Una
vez que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el
voltaje de ruptura BlicE0 , presentando una region de impedancia negativa (si
se sigue aumentando la corriente puede Ilegar hasta la segunda ruptura), enton-
ces se logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
En la Fig. 8.28 se ilustran las caracteristicas electricas estaticas tipicas de
un DIAC.

Hiperbola
de maxima
• disipaeion

is
-
••• jI
I Is

Hip6rbola
de maxima
disipacion

Figura 8.28. Caracteristicas est4iticas del DI AC.

Como se ilustra en la Fig. 8.28, en este dispositivo se tiene siempre una pen-
dicnte negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de susten-
tacion.

186
 8.5. DIODO INTERRUPTOR BILATERAL

8.4.3. Caracteristicas y especificaciones

Los fabricantes normalmente dan las siguientes caracteristicas fundamentales

de este dispositivo:
Vs voltaje de ruptura, I Vs I = I -Vs I ± 10% ;
corriente en el punto de ruptura;
corriente de pico durante un cierto tiempo;por ejemplo 2 A durante 10 Aseg;
ep Voltaje pico de disparo en la salida, a continuacion se explica coin° se defi-
ne este parthnetro:

Por lo general, los fabricantes especifican un circuit° de prueba, que para

estos dispositivos es como el que se muestra en la Fig. 8.29:

DIAC
1A/ln

12(

Figura 8.29. Circuito de prueba para establecer el voltaje pico de disparo (ep ) del DIAC.

8.5. DIODO INTERRUPTOR BILATERAL (DIB)

El diodo interruptor bilateral es un dispositivo de dos terrninales, el cual se

construye usando el principio fundamental de un diodo Schockley de cuatro
capas, pero buscando una geometria de fabricacion que permita el flujo de
corriente de conmutacion en ambas direcciones. Norrnahnente este dispositivo
es capaz de manejar corrientes elevadas, pero solamente conmuta cuando el
voltaje entre sus terminales llega a ser igual o mayor al voltaje de ruptura del
mismo.

187
8 D ISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

8.5.1. ConstrucciOn y slmbolo

En la Fig. 8.30 se muestra la construcci6n tipica y el simbolo empleado mas

comunmente para el diodo interruptor bilateral DIB.

I T:

T2

(a) (b)

Fig. 8.30 a) Construecion interna del diodo interruptor bilateral D1B, Osimbolo.

Segim se observa en la Fig. 8.30, este dispositivo consiste de dos secciones

NPNP (diodo Schockley de cuatro capas), dispuestas en paralelo pero conecta-
das en forma invertida. De esta forma se consigue la bilateralidad, es decir, que
pueda conmutar en ambos sentidos.

8.5.2. Principio de operacion y curvas caractertsticas

Este dispositivo puede pasar del estado de corte a conducciOn pot dos me-
todos:
a) debido a que se exceda la razOn de subida del voltaje directo (dVIdt) que
establece el fabiicante;
b) debido a que se exceda el voltaje de ruptura del diodo de cuatro capas co-
rrespondiente.
Cuando la terminal T1 es positiva respecto a la terminal T2 se trabaja con el
diodo de cuatro cgpas P1 -N2-P2-N3 , mientras que cuando la terminal T2 es positi-
va respecto a la terminal T1 se trabaja con el diodo de cuatro capas P2 -N2 -P1 -N1 .

188
 8.6. INTERRUPTORES DE SILICIO UNILATERAL Y BILATERAL

Las curvas caracteristicas para este dispositivo se muestran en la Fig. 8.31.

2
■

Fig. 8.31. Curvas caracteristicas del diodo interruptor bilateral y sintbolo.

Como se observa, este dispositivo funciona exactamente como dos diodos

Schockley conectados en paralelo y en forma invertida.

8.5.3. Caracteristicas y especificaciones

Estos dispositivos se especifican en forma idatica que los TRIACs, excepto

que no se habla de ninguna compuerta o voltaje de compuerta o corriente de
compuerta; por lo demas queda igual.

8.6. INTERRUPTORES DE SILICIO UNILATERALES Y BILATERALES

(SUS, SBS)

•EtEl interruptor de silicio unilateral (SUS) es en si un_pequelio SCR que utiliza la

compuerta del lado del anodo en lugarvcre—E convencional del lado del catodo y
que_tiene un diodo Zener interconstruido entre la compuerta y el catodo que

estado sOlido de bajo voltaje de disparo (5-30 V).

-4> El interruptor de silicio bilateral (SBS). esta constituido. basicamente de dos
interruptores unilaterales (SU) conectados ent p u:alglo_y_enforina invertida,
de manera que se puede conmutar con voltajes pequerlos en ambas direcciones.
_ _

189
8 DISP. D. CUA112.0 0 MAS CAPAS

8.6.1. Constniccion y sirnbolo

En la Fig. 8.32 se muestra la construeci(n y los sirnbolos asi como los equivii-
lentes discretos de los interruptores de silieio unilateral y bilateral.

S'CR

'If)

SCR 2
CO)

Pn /nu/ dm SBS

Fig. 8.32 Construccidn, sinibolos y equivalentes con SCR y Zeners de los interruptores de
silicio unilateral y bilateral.

190
 S. INTERRUPTORES DI SILICIO UNILATERAL 'I BILATERAL

8.6.2. Prineipio de operacion y euracteristicas de los interruptores de silicio

Para el interruptor unilateral de silicio se requiere.. que la union N I P2 tenga un

voltaje de ruptura bajo, pues esta union ademds de formar parte del dis ositivo
de_____Laixo...ca
et ve el diodo Zener,.mediante el cua se obtiene un vo -
taje de ruptura pequeno que normalmente esta entre 5-30 V.
Ademas Sc requiere que el voltaje de ruptura de PI N,P, sea mayor que el
voltaje de ruptura de P., N, de manera que el diodo Zener tenga participacion
en la operacion del dispositivo. Considerando estas dos condiciones fundamen-
tales, se puede explicar ci funeionarniento del SUS como se indica en el siguien-
t e parrafo.
Al aplicar un voltaje posit ivo entre anodo y catodo, y dejar desconectada la
compuerta, la union P1 N1 se polariza directamente mientras que la union N,P,
queda polarizada en forma inversa. Si se sigue aumentando el voltaje se Regará
hasta un valor igual al voltaic de ruptura de la union NI P2 (diodo Zener),
logrando asi que se tenga conduct:ion entre anodo y eatodo. Cuando la corrien-
te es apreciable 1 mA). Sc establece el efecto regenerativo en el dispositivo
de cuatro capas, reduciendose bruscatnente el voltaje entre anodo y catodo, y
aumentando de igual manera hi corriente de anodo, obteniendose la curva
caracteristica que se muestra en In Fig. 8.33. Para el caso del SBS simplemente
se obtiene lo mismo que !lentos descrito para el SUS, pero en ambas direccio-
nes. La curva caracteristica tambien Sc muestra en In Fig. 8.33.
/A ..... •••• • •11,■ parelde

11,:t

Fig. 8.33 Caracteristicas estaticas para los interruptores de silicio SUS y SBS.

El voltaje de ruptura VR fundamentalmente esta dada por el voltaje de rup-

tura de la union Pi N t , pues al polarizar inversamente el SUS la union P21■11
queda polarizada directa y la union PI N, gobierna el voltaje de ruptura; se apre-
cia una caracteristica Zener en el momento de la ruptura y antes de la regenera-

191
8 D1SP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

cion, lo cual no se observa en un SCR convencional. Esta region normalmente

tiene una altura de unos cuantos miliampers (< 10 mA).
8.6.3. Caracteristicas

Los fabricantes de estos dispositivos establecen las siguientes caracteristicas

tfpicas de estos interruptores, ademds de otras que son comunes a esta familia
de dispositivos.
± Vs voltaje de conmutacion;
Is corriente de conmutacion;
Ill corriente de sustentacion;
VII voltaje de sustentacion;
VR voltaje de ruptura inverso;
Vp voltaje pico de salida.
El voltaje Vi,, se mide de la misma forma que el voltaje ep para el DlAC
(Fig. 8.29).

8.7. INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPLTERTA (GTO)

El interruptor controlado por compuerta es un dispositivo de cuatro capas,
semejante en su construccion a un SCR convencional pero con la particularidad
de que con la excitacion en la compuerta se le puede disparar y se-le puede apa-
gar; en-cambio, a -los SCR convencionales sorb se les pue1d-eilispariar-pep4a-coin
pirertaTpero apagarlos se rcquiere que la corriente de anodo sea menor que
la corriente de sustentacion.
Anodo
A A
B

Q
4 1c2 Fig. 8.34 Equivalente de un SCR con dos
compuerta
G• 1111.Q2 transistores bipolares.

1G K
cdrodo

Para poder justificar el porque es posible que un dispositivo de cuatro capas

se apague utilizando la excitacion en la compuerta, regresaremos al equivalente
de un SCR con dos transistores bipolares (Fig. 8.2), donde se obtuvo la condi-
ciOn:
°2 + IC 0 1 4- 'CO2 (8.1.5)
IA = 1— (a' oz,) •

192
 8.7. INTERRUPTOR CONTROLADO POR COMPUERTA

Si, _ 01 02
'Al 1+ — 4_ 0 2

y se considera que la corriente de compuerta es nula, se obtiene:

(1 + 13)(1 + 02 ) (ico + /co 2)

IA = • ( 8.7.1)
1 — 0102

Suponga que en este caso se tiene que (3, = 132. Esto implica que jci = /c2
y que la corriente lc proveniente del transistor Q i (PNP) se puede extraer por
algim medio fuera del dispositivo a traves de la terminal de la compuerta, lo que
hace que el transistor Q2 se corte al no tener corriente de base, obteniendose
asi que se apague el dispositivo. En este caso la corriente que se tiene que
extraer por la compuerta en el momento de apagar el dispositivo, y para garan-
tizar .el apagado, es /A /2 (debido a que 13 = 02 ). Entonces, a la razon de la
corriente de anodo circulando a la corriente necesaria para apagar el dispositivo
se le llama ganancia de apagado:

G — rIA (8.7.2)
A 'GA
Si,
01 = 02 ,
entonces:
IA
GA = 1,411 — 2. (8.7.3)

Para que el dispositivo sea mas eficiente en esta aplicacion es necesario

aumentar la ganancia de apagado GA , lo cual se logra haciendo j3 < 1; logran-
do asi: 1 < IC2. Sin embargo, solo si 132 > 1 se cumple 131132 = 1. Se puede
tener asi en la expresion (8.7.1) el efecto regenerativo del diodo Schockley.
Normalmente se obtienen ganancias de apagado del orden de 10 a 30.
*Los disnositivos GTO norrnalmente operan _biajas corrientesanodo,
debido a que si se pretende apagar un SCR disefiado para grandes densidades
de corriente I eccinrinsversales de las capas no permiten que Ta
puerta pueda extraer todos los portadores necesarios para que el dispositivo se
apague. Normalmente los SCR's de corriente de anodo de 1.0 A o menos son
factibles de apagarse utilizando estos principios. Sin embargo, al no estar disc-
iiados especificamente para esta operacion, las ganancias son pequefias, por lo
..que se requiere una corriente negativa grande en la compuerta para convertir_
un SCR en un GTe:---

193
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

EJEMPLOS
Ejemplo 8.3. Dado un SCR como el que se grafico en el ejemplo 8.2, y que ade-
mas- tiene las siguientes caracteristicas: Vpp = 400 V, ID = 10 A, IGT = 50 mA,
PG = 1 W, VGT = 3 V, R thj-a= 20° C/W, Rthi _c = 5° C/W,

se requiere construir un circuito que proporcione energla variable a una qu-ga

resistiva, proponiendose el siguiente circuito:

carga
RL = 5052

SCR

Fig. E.8.3.1 Circuito propuesto para gobemar la potencia suministrada a una resistencia
me diante un SCR.
Solucion:

Si de la tabla del ejemplo 8.2 se obtiene la variacion que se tuvo en el voltaje de

conmutacion Vs con la corriente de compuerta IG , es posible obtener la siguiente
ecuacian:

vs '= vs (1 ) , E.8.3.1)
IGT
donde Vs' es el voltaje de conmutaciOn medido cuando la corriente en la corn-
puerta es diferente a cero, para los datos de la tabla del ejemplo 8.2, Vs =
300 V e IG = 50 mA, por lo tanto:
Vs' = 300(1 — 20 /G). (E.8.3.2)

194
 EJEMPLOS

Si la suma de las resistencias es R, + P1 RL , se puede pensar que antes

que conduzca el SCR, toda la caida esta en las resistencias y circula corriente a
traves de la compuerta.
En este caso el voltaje de anodo esta en fase con el de la compuerta y la
corriente de compuerta tambien esta en fase con el voltaje, de manera que
cuando elyorfaje alcanza su maxim() la corriente tambien lo alcanza; luego,
para cuando se quiere que el SCR se dispare en el maxim° voltaje y que se ten-
ga la mas grande resistencia en la compuerta, se debe cumplir que:

150 = 300(1 — 20/G ),

de donde:
/G = 0.5/20 A,

= 25 mA.
Pero ademas:
150 V
RI + Pi max. — 6KS-2
25mA
Si el potenciametro esta al minimo, al conectar el circuito se debe proteger la
compuerta mediante la resistencia R 1. Por lo tanto:

150 PG 1
—
R, VG T 3
de donde:
R, > 450 2.
Se puede proponer que R 1 = 680 S2 y P1 = 6.0 Kn. Luego cuando el potencio-
metro este en 0 n, se cumplird que:

17e
=— ' y la conmutaciOn ocurrre cuando V =
RI
Luego, sustituyendo esta relacion en (E.8.3.2) se tiene:
0 CL'
Ve = 300(1 — Ve x 20), (E.83.3)
, r-
[Link];
(P, vo t
= 300
6000 V, p LA P r t re, r
680
K- 690)60vp,A) 4- 3 = 3 7.
= 30.54V. ; ( L./0"AD/ tib r

`i • :195
 8 D1SP, DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Esto quiere decir que en el presente circuito habra conducciOn desde V, = 30.54V
cuando el potencibmetro esta en OCZ esto es desde un angulo de:
30.54
0„ = sen' = 11.750 cuando F1 = 0 c,
150
hasta I = 150 V cuando Pi max = 5320 2 esto es para un angulo de:
150 – 90° cuando
0„ = serf' 150
—– Pl ma, = 5320 .

On es el Angulo de no conduccion del SCR.

Para P1 = 0 y R I = 680 2 se tendra la siguiente forma de onda en la carga:

Fig. 8.3.2 Formas de onda en la carga, cuando el angulo de no conduccion es O n = 11.75°

Para Pi = 5320 7 y R 1 = 680 7 se tendrd la siguiente forma de onda en la carga:

I 1
...– -
/ .-- -
.----
i
–01 On 14— I 1

Fig. 8.3.3 Formas de onda en la carga cuando el ingulo de no conduccion es O n = 900 .

Luego, la potencia que se surninistrara a la carga variard desde:

7' (150)2 sen2 OdO
PL. =1 1 (E.8.3.4)
2n. EL

196
 EJEMPLOS

p (15O) 10 sen 20
L 27rRL / 4 n

7r-0 sen 20 n );
= 71.62 ( 2 + 4 0„ = 11.75°

pLM = 71.62 (1.4682 + 0.0997) ,

Pnw = 112.3W,
PL,„ = 71.62 (0.7854) W; para = 90° ,
= 56.25 W.

La potencia que el SCR disipa en este caso es pequeila y no excede las

caracteristicas del dispositivo, pues la maxima corriente que circula por el SCR
es de 3 A cuando se tienen 150 V. Por lo tanto, la corriente promedio sera:

3.0 A - 0.954 A.
ID
7r
Si el voltaje promedio es de 0.6 V, entonces:
PD = 0.57 W.

Ejemplo $.4. )Analice el oscilador de relajacion que se presenta en la Fig.

E.8.4.1; obtenga las formas de onda y las variaciones en amplitud y frecuencia
de las mismas.
-I- 20V
VA
- 400V I VEE

R1 R4=3001.2
100KS2 12012
1000
A
SCR 3K2
R I 13=200
P1
0.1iif C1 Ro
1.2K fl

Fig. E.8.4.1 Oscilador de relajacion con excitaci6n de fuente de corriente para obtener la fre-
cuencia y amplitud variables.

197
 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

El SCR que se emplea en este ejemplo cumple con las siguientes caracte-
rIsticas:
Vs = 350 V, te 6 pseg, 'GT = 50 mA, 'H = 6 mA,
VH=[Link], IDSA.

Solución:
Andlisis. Si se considera nula la corriente de compuerta (I(,, = 0), se ye que el
condensador C1 tiende a cargarse a través de R1 y R2 hasta 400 V. y cuando
pasa par V = 350 V, el SCR se dispara, descargándose el condensador a tra-
yes de R2 . La corriente que circula par R1 en el momento en que el condensa-
dor C1 se descarga completamente, es:
Yr iT
7
rA—AK
'Rl R1
- (400-1)V —4
'Rl = mA,

la cual es menor que la corriente de sustentación 'H = 6 mA, par lo cual el SCR
se apagará. Al estar apagado el condensador empezará nuevamente a cargarse en
forma exponencial, obteniéndose entonces una oscilaciôn. Si ahora se considera
que la fuente de corriente suministra una corriente constante en la compuerta,
la cual depende de la posiciOn del potenciómetro, se podrá tener un voltaje de
conmutación V5' que variara de acuerdo a la siguiente expresión:

V5 ' (1— 'G ), (E.8.4.1 )

IG T
donde V5 es el voltaje de conmutaciOn para la corriente de compuerta 'G = 0.
Luego: Vs'350(1 20'G) (E.8.4.2)
Debido a que V11 < VA, es decir 1 400; y que R1 R2, sepuede considerar
que el voltaje de carga del condensador es:

Vcc= VA [l_ettRlc'], (E.8.4.3)

y el voltaje de descarga en el condensador es:

VCd = V Set/R2C. (E.8.4.4)

198
 EJEMPLOS

Asf, el tiempo que dura la carga mientras el voltaje del condensador alcanza el
voltaje de conmutacion es:

VA (1 – CtilRIC) = Vs ' (E.8.4.5)

entonces:
VA
= R, (E.8.4.6)
VA – Vs '
y el tiempo que dura la descarga es hasta que el voltaje del condensador alcance
el voltaje de sustentaci6n, es decir, VH = 1 V:
vll = vs,e-t2/R2c (E.8.4.7)
entonces: Vs '
t2 = R2 an (E.8.4.8)
VII
de manera que la frecuencia sera:
(E.8.4.9)
=1 1 1
R1 an [VA I(VA– Vs')] + R, (Vs'/V11)
La corriente en la compuerta varfa desde /Gm = 0, cuando el transitor Q, esta
en corte debido a que Ram = 120E2, hasta:
– VDE
'GM I
GM ='C
C — (E.8.4.10)
R4
donde: Ram
Vam – VEE
RaM+ R
(E.8.4.11)

Vam (3120) (20)

V – 14.44 V ,
3120+ 1200

14.44 – 0.6
entonces: 'Gm = A = 46.1 mA para Ram = 3120n .
300

Al sustituir el valor de /Gm en la ecuaciOn (E.8.4.2), encontramos que

V'sm = 27.30 V.

199
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

por lo tanto el voltaje de conmutacion varfa desde:

V'sm = 350 V, km= 0 para Ra = 12O2,

hasta V'sm = 27.30 V, = 46.1 mA para Ra = 3120 n.

Con Los valores de V'sm y Vs' m , determinamos la fm la fm respectivamente:

1
fm — (E.8.4.12)
RlCn[VA/(VAA — V'sm )] + R 2 C Qn (Fsm IVH )

1
Hz;
fm — 105 X 10-5 Qn (40010) + 102 X 10-5 Qn (350/1)
entonces fm = 47.95 Hz.

fm - (E.8.4.13)
[VA /(VA — V'sm )1 + R2 C (V'sm

fm = 1351 Hz.

Para la frecuenciafm = 47.95 Hz la amplitud de la sena' en el condensador sera:

Am = Vs 'm — VII , (E.8.4.14)

A m = (350— 1) V,

AM = 349V.

Para la frecuencia de fm, = 1351 Hz la amplitud de la senal en el condensaror sera:

Am =Vs'm — Vii , (E.8.4.15)

Am = (27.3 — 1) V,

Am = 26.3V.

200
 EJEMPLOS

A continuacian se ejemplifica el caso en qui! V = 100 V y se dibujan las

formas de onda en el condensador.

t i = 2.877 msev,, t = 46 [Link],

f= 342.13 Hz, A = 99 V.

IC

46pseg gop seg

Fig. E.8.4.2 Formas de unda del voltaje en el condensador.

Cuando el condensador se descarga a traves de SCR, la maxima corriente que
podra mandarle es:
V:sw
IAKm — R2 (E.8.4.16)

350
IAKNI — 100 A

IAK M = 3 - 5A •

El valor de 'AK
m = 3.5A esta por debajo del valor especificado por el fabricante,
por lo que el SCR podra trabajar en este circuito sin ningiin problema.

201
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAMS

Ejemplo 8.5. Con el circuito mostrado en la Fig. E.8.5.1 se pretende controlar

el angulo de conducci6n del SCR durante los 180° del semiciclo en que este
puede controlar.
a) Obtenga las condiciones para que esto suceda.
b) Obtenga la expresi6n del angulo de conduccion en funcion de la posicion
del potenciometro.

Vpcos wt
w = 2/rf
f = 60F12
P1
377 I'm

Fig. E.8.5.1 Circuit° RC — diodo simple para controlar 1800 de la serial senoidal.
So/ucion:

Para que el SCR pueda conmutar, debe cumplirse, que el voltaje compuerta-cd-
todo sea igual a VG T, la corriente que circula por (R 1 + P1 ) sea suficiente para
dispararlo y el voltaje anodo-catodo sea mayor que el voltaje de sustentaciOn.
Del circuito obtenemos que el voltaje compuerta-catodo esta dado por:

= Vc — VD (E.8.5.1)

Cuando el voltaje que suministra la setial senoidal es negativa, el diodo

carga el condensador C al valor pica de manera que a partir de ese valor en ade-
lante el voltaje del condensador tiende a aumentar, hasta que en algan tiempo
alcance el voltaje necesario para que el SCR se dispare ( VG T).
En realidad se tiene un circuito equivalente, como se muestra en la Fig.
E.8.5.2.

202
 t =0 R = R i +Pt +RI_

....-. V
P C
Vp COS WI C

Fig. E.8.5.2 Circuito equivalente de la situaciOn que prevalece al empe7ar a aumen tar el
voltaje de alimentacion de - VP a + VP.

Si se aplica la ecuaciOn en el tiempo que rige este circuito (para t = 0 se cie-

rra el interruptor Si ). se tendria:

1
Ri(t) + — i (t) dt = coswt • (E.8.5.2)
1:0
derivando se obtiene:
di(t) i(t)
— +— = — w sen wt ,
dt RC R
Si el factor de integracion es en/RC', entonces:

[e r/Rc )] _ R
VP W fetIR C sen wt dt , (E.8.5.3)

La integral se puede obtener por partes y queda:

e h /RC cos WI er/R c sen wt

f wer/R c se n wt dt — + B,
1 + (11wRC)2 wRC [1 + (11wRC)2
(E.8.5.4)

donde B es una constante de integracion.

Sustituyendo la ecuaciOn (E.8.5.4) en la (E.8.5.3), obtenemos que i(t) es:

203
8 DISP. DECUATRO 0

(Vp/R) cos wt Vp/R) sen wt

+ Be-tiRc (E.8.5.5)
I + (1/wRC)2 wRC [1 + ( 1 1wR0 2 ]

Si t = 0, la corriente en la malla debe ser nula pues se tiene igual voltaje de

excitacion que el voltaje al cual esta cargado el capacitor, de manera que:

11.1,1R
B— (E.8.5.6)
1 + (11wRC)2

El voltaje en el condensador es igual al yoltaje aplicado menos la caida en la

resistencia, es decir:

Pic = — Ri(t),
entonces;
Vp cos wt V sen 141 V e-(tIRC)
Vc = 13-COS WI' +
+ (11wRC)2 wRC [1 + (1IwRC)2 I 1 + (1/wRC)2
(E.8.5.7)
Haciendo reducciones y aplicando identidades trigonometricas se puede obtener:

V Vpe llRC
— cos (wt tg-1wRC) • (E.8.5.8)
[1 + (wRC)2 1 + (1/wRC)2

ecuacion que concuerda con lo que se esperaba. ya que cuando R = 0 entonces:

Vc = — V cos wt

y si R = oo, entonces V. =

esto es, el condensador se queda cargado negativamente.

Si el SCR se dispara para un cierto valor de VGT (norrnalmente del orden
de 0.7 — 3V). entonces el Angulo de conduccion estara dado por el valor de
VGT que satisfaga la condicion.

La wt para la serial —cos wt es igual a (rT/ 2 + n ) ver fig. (E.8.5.3),

entonces:

204
 EJEMPLOS

= 7/ 2 + 0„ 0„ es el angulo de no conduccion del SCR,

donde On = ir — ec

0,
y t =3 r _ _ (E.8.5.9)
2w w
Ademas del circuito dada sabemos que:

VGT VGT VD1 • (E.8.5.10)

Sustituyendo las ecuaciones (E.8.5.9) y (E.8.5.10) en (E.8.5.8) obtenemos:

VP cos [ (37112) — c — W RC] pe- ( 37rI2 - Oc )IWR C

'C;T
[1 4- (WRO2 j 112 I + (WRO2
(E.8.5.1 1)

Fie. E.8.5.3 Angulo de conducciOn y no conduecion de la serial semisenoidal.

Este problema tambien es posible resolverlo empleando transformadas de

Laplace y Las expansiones de Heaviside. (Ver Electric Circuits, Schaum Outlines
Series, problema 17.9).
Para tener una idea mas clara del uso y disefio de este circuito se presentan
las curvas normalizadas de la expresion (E.8.5.11), de donde se pueden interpo-
lar o extrapolar segim el caso.

205
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

wRC

Fig. E,8.5 .4 Gráfica normalizada de la expresiôn E.8.5 .11 para distintas relaciones de V'-/ "•

Como se ye de las gráficas de la Fig. E.8.5.4, la variación del ángulo de con-

ducción es abrupta; entre 0 - 0.2 para wRC lo mismo que para el término de la
curva, mientras que en la parte intermedia es bastante lineal. Sin embargo, se
aprecia que teniendo una variaciôn de wRC de 0 - 4 es factible controlar la p0-
tencia sobre RL independientemente del voltaje picode la sefial de exci-
tación. Esto se cumple para la mayorfa de los casos prácticos.

Eem lo8.6 Dado el circuito de la Fig. E.8.5.1 del ejeniplo anterior, y conside
rando un CR con las siguientes caracterIsticas:
F's = 300 V. VGT = 2.4 V 'GT = 5 mA, 'D = 5 A,
PD = 4W, RC = (resistencia entre ánodo cátodo del SCR en conducción) = 0.32
considerando que se excita con una seflal de 120 V rrns a 60 Hz,
a) disene el circuito para que se tenga control sobre la carga de RL = 50 D,
durante los 1800 del serniciclo;y
b) obtenga la potencia que se suministra a la carga en función del ángulo de
conducciOn O..

206
 EJEMPLOS

Solucion:

Si DI es de silicio, se eonsidera que VD en conducci6n es de 0.6 V: de manera

que:
VT' = VGT VD = (2.4 + 0.6) V = 3 V,

V,= 1200.7V = 169.71 V.

entonces:
Vp < Vs ,
luego:
VbT _ 3 =00177
Vp 169.71

Observando la grafica de la Fig. E.8.5.4, se requiere:

wRC= 4, para asegurar que el circuit° controlara los 1 80° del st-mn-
cido.

4 4
RC = — = - = 0.0106 seg,
w 2.7rf
RC= 10.6 x 10 seg.

Se requiere que en el momento en que el circuito este controlando para un

angulo de conduccion casi cero, la corriente por la resistencia (R1 + P1 ) sea
mayor o igual a la corriente /GT ; por lo tanto se puede pensar que si se asegura
que el control llegue hasta O. = 10°, se considere practicamente controlado
todo el semiciclo.
Luego, en ese momento el voltaje entre el anodo y el catodo del SCR sera:

VAK = 16931 sen 170°V = 29.47 V.

Entonces, para /GT = 5 mA tenemos:

'AK —V'G T R IGT

170°
"-P9• 47 –3.0
R = 5294 ,
5x 10-3
R< 5294

207
8 D1SP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Si despreciamos el valor de RL podemos proponer:

R = R1 + P1 = 5200 n,
10.6 X 10-3
C— 2X 10 f,
5.2X 103

2,uf-

La capacidad debe ser sin polaridad y capaz de soportar entre sus terminales un
voltaje mayor que el voltaje pico,

C= 2 pf @200 V.

Se quiere que la resistencia R1 , la cual sirve como resistencia limitadora,

haga su funci6n y no afecte en mas de 100 el angulo de conducciOn al inicio
del control. Observando la grafica de la Fig. E.8.5.4 vemos que se requiere que:

wR I C= 0.2,
pork) tanto:
.2
0
R1=
wC

R1 = = 265.26 S/,
27rfC

R, = 265.26 E2.

Se puede entonces colocar una resistencia de

R, = 270 &2 .
y en esta forma tenemos:

R = 270 Et 10 W; R = 50E2.
P, = 5 KE2 @ 5 W; C = pf 200 V.

D1 , D2 son diodos de silicio capaces de conducir 0.5 A y un voltaje de rup-

tura mayor de 300 V.

208
 LIEMPLOS

La potencia en la carga estard en funciOn del angulo de conducciOn, dada

por:

.2 sen2 0 de
Pp
PL— 71. RL
On

o n = 7r — ,

if 2 Tr
vp 10 sen 20
27RL 2 4 1

IT; 0 sen 2(7 — Oa)

- [ , (E.8.6.1)
4
En este caSo;
°c sen 2 0,
pL = 91.68(T + (E.8.6.2)
4 ).

Si en este caso aseguramos mediante el diseflo que O vane de 100 a 1700 , la

potencia en la carga puede variar entre:

0.16 W < < 143.85 W.

Ejemplo 8.7. Se desea disefiar un cargador para acumuladores de automOvil

(12-16 V), siendo la capacidad de estas baterfas de 136 A-h. Se requiere:

a) que el tiempo de carga sea menor de 24 horas considerando completamente

descargada la bateria;
b) que la corriente en la baterfa no exceda de 15 A en promedio, pues se pue-
de dailar el acumulador,
c) que al terminar de cargar la bateria se indique esto en forma luminosa:
d) que el circuito sea totalmente de estado solid°.
Suponga que la resistencia interna de la bateria es despreciable.
Suponga que el voltaje de la baterfa esta dado por:
Vcarga X (A-h) cargados
— V + capacidad del acumulador (A-h)
VB — (E.8.7.1)

donde 17„ es el voltaje de la bateria al iniciar la carga.

209
8 DISP. D1. CUATRO 0 MAS CAPAS

1.ear1 es el voltaje al cual se considera que el acumulador ya esti cargado.

Esto supone un regimen de carga lineal.
So/ucion:
13.6
(A41)eargados = 1/;) + 0.1 (A-4 • (E.8.7.2)
1/13 + 136

Se considera que un acumulador de plomo-acido tiene un voltaje nominal

por celda de 2.27 V, por lo que en el caso de tener 6 celdas el voltaje nominal
es de 13.6 V.
El circuito que se propane es como el que se muestra en la Fig. E.8.7.1.

R„
120 Vrms
60112

Fig. E.8.7.1 Diagrama propuesto del cargador de acumuladores.

Funcionamiento del circuit°. En el punto A se tiene una serial senoidal recti-

ficada de onda cornpleta la cual alimenta al SCR,. Si se considera que el SCR2
esta apagado, entonces el SCR, se disparard por la red R4D 3 , similar a lo trata-
do en el ejemplo 8.3, y de esta forma se introduce corriente al acumulador y este
va cargandose. hasta Ilegar al voltaje de carga (13.6 V) en el cual se tiene
en el acumulador un voltaje que es igual al voltaje de ruptura del interruptor de
silicio unilateral (SUS) mas el voltaje del Zener, circulando corriente a la corn-
puerta del SCR, mandando este a conducciOn. Al conducir el SCR,, la lampara
L, eneiende ind lea ndo clue Li bateria esta caraada:pero ademas se presenta entre
R4 y Rs un divisor de voltaje que aplica en la compuerta del SCR, un voltaje que

210
 Iii MPLOS

siempre es menor a 13 V. lo que asegura que el SCR, se apague y cese de entrar

carga a la baterfa.
La red de la compuerta del SCR2 con el SUS y diodo Zener (siempre
que: > + 1 ec; es para que el SCR2 se asegure en conduccion, es decir,
que se tenga una hist&esis que garantice que el cargador cese la carga cuando se
detecte que el acumulador ya se cargo.

Disefio:

Pam poder satisfacer los rcquisitos a) y b) se tienen parametros que se deben

interrelacionar. Estos son el voltaje de pico de la serial en el punto A y la
resistencia limitadora R , .
Si se tiene una serial senoidal rcctificada de onda completa el voltaje prome-
dio en el punto A sera igual a:

2 ( Vp VD) 2 Vp

siendo VD el voltaje de conducciOn de los diodos D, yD2 el cual se considera

desprecia b le.
En donde, la corriente promedio que entra a la baterfa cuando esta total-
mente descargada (peor de los casos) sera:

2(Vp — VD ) 2 1'
= < 15 A .
RI
Supongamos que se establecc que la corriente maxima sea de 10 A.

Entonces:
2 Vp
Ri (E.8.7.1)

Para satisfacer el requisito a) debemos establecer que si la carga fuesc de co-

rriente constante (no es el caso) se necesitaria una corriente promedio de:

136 A-li capacidad

/= = 5.67 A.
24h horas de carga

Si de acuerdo con (E.8.7.1)se empieza con 10 A, tenemos:

211
8 DISP. DL CUATRO 0 MAS CAPAS

I \I

Corriente promcdio si
carp fuera de corriente constante.

2
5.67 If
— —

I II.

(it)
24

Fig. E.8.7.2 Grafica de la variacion de la corriente promedio de carga si esta se considera

lineal.

Y considerando que las areas bajo la curva de corriente constante y la curva

de carga de corriente variable (este es el caso) deben ser iguales, se tiene que:

(10 — If)
24 + 24/f = 5.67 x 24= 136,

entonces; /I = 1.33 A.

La figura E.8.7.3 muestra en su parte achurada el area efectiva de carga en

la baterfa.

rip -

wt

Fig. E.8.7.3 El area achurada es la caida de voltaje en la resistencia R i y es el area efectiva de

carga.

212
 EJEMP

El voltaje del Area achurada se puede aproximar por:

( V p - Videos wt - VB = VB1 , O t <wt< 0, , (E.8.7.2)

donde:
VB
01 = - ang cos
Vp - VH

VB (E.8.7.3)
02 = ang cos ,
Vp - VH
de manera que la corriente promedio en el SCR, sera:

cos-I I va /( vp - vH )]
1
/scRi - .N,-,
, Tr [(Vi - VH ) COS W t - V8 ] dw t
cos-., 1. 1/81 vp-V)]

1 ,, -1 „ V K., V,
iscR 3 --= R or ‘r 12- V H ) 2 seri (Cos Y_P __B vii ) Ri-Ir (2cos-1 -
VP - 1 11
).

(E.8.7.4)
Sustituyendo el valor de R1 de la ecuacion (E.8.7.1), el valor de
VB = 13.6 V para la carga total, y proponiendo terminar con una corriente de
if = 2.0 A, se tiene:
1 136
. 136
2.0 = 10 sen (cos- )- cos..1 13.6
Vp
- 0 .8 VP 1'
P - 0• 8 •
(E.8.7.5)
Resolviendo por tanteos para frp", se obtiene:

Vp = 21.77 V.

y sustituyendo este valor en la expresion (E.8.7.1), queda:

2(21.77)
R1 = E2,
31.416
R I = 1.386 12,

R 1 = 1.38 SZ @100W.

213
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Tambien debemos conocer el voltaje en el secundario del transformador,

esto es:
V 21.77
Ve— P—
(2)1 / 2 (2)1 / 2 V (rms),

= 15.4 V (rms).
En esta forma el voltaje en el secundario sera de 15.4 V rms a 15 A y los diodos
y D2 deberdn ser capaces de conducir 15 A en corriente directa como, por
ejemplo, diodos de alternador de automovil.
Si queremos que al dispararse el SCR2 no se vuelva a disparar el SCR,, se
debe tener que:
R5
V < 13.6 V.
(E.8.7.6)
R, + Rs

Ademds se debe pedir que R4 sea tal que permita pasar la corriente sufl-
ciente a la compuerta del SCR1 con una pequeria diferencia de voltaje entre
dnodo y catodo.
Si se usan los siguientes dispositivos:

SCR,

IGT - 10 mA, r GT = 2.0 V. Vs = 100 V;

SCR2 ,

IGT = 3.0 mA, = 1.0 V, = 1.0 A. 100V;

SLIS,

= 4 V, = 2 mA, = 0.6 V. FR = 30V;

ZENER,

= 8 V. izT — 5 mA, = 1052.

214
 EJEMPLOS

Determinacion del valor de Ra:

En el peor de los casos, cuando el voltaje de la bateria VB alcanza el valor de

13.6 V, se pide que para una diferencia de voltaje de VAK = (Vp — VB )I2=
4.085 V en el SCR,., este pueda dispararse, es decir:

VR4 = VA
K I VGT, VD3 ,

VIM = (4.085 — 2.0 — 0.6) V = 1.485 V

la corriente debe ser igual o mayor que IGT 1 ,

ra4
— 10 x 10-3 A,
R,
en donde:
R4 = 148.5 SI 150 S2.

Haciendo uso de la expresiOn y proponiendo R, = 120 1-2 tenemos:

R s 1 1,
9.67 V < 13.6 V
R4 + R,

En este caso la potencia en R4 sera maxima cuando conduzca el SCR, y se tendra:

2(21.77 — 9.67) 12 1
1 R4 = [ Vir - 0.395 W.
77 150
Sc puede decir asi:

R4 = 150 2 @1 W,

R5 = 120 12 (6 I W.

La lampara L1 se puede escoger de automOvil como las que se usan para

alumbrar instrumentos, que consumen del orden de 200mA y para tener un
margen de seguridad, suponemos que en la lampara se caen 12 V.

21.77 X 2 12) 200x110-3

— 3.1416 — 2

R6 10 Si 6, 1W_

215
8 DISP. CUATRO 0 MAS CAPAS

La serie del SUS y el Zener nos dan una curva compuesta que es necesario
graficar para saber cOmo se usa.

2m

(a) (b)

Fig. E.8.7.4 (a) Curvas superpuestas del SUS y del Zeiler; (b) curva compuesta de los disposi-
tivos en serie.

Debe cumplirse que cuando la baterfa llegue a 13.6 V el punt° de opera-

clan pase de Q, a Q2 para asegurar que SCR2 se dispare.
Si el voltaje en VG7'2 = 1.0 V, /GT2 = 3 mA, y proponemos que por R3 cir-
cule I mA, entonces:

R3 = 1000f2,
luego,
(17/3 — rsus — vz — 17R 3 ) 13.6 — 4 — 8 — 1.0
R2 = 2 = 75
4;r2 + 1R3 4X 10'
y se asegura que el dispositivo se dispara y permanezca disparado, porque en el
moment° en que el SUS conmuta se tiene que:

Si, 1'GT2 = 1.0 V para /(;r = 3.0 mA,

quiere decir que el equivalente de la compuerta es una fuente de 0.7 V en serie

con una resistencia de 100 E2 .
Luego se tiene el siguiente circuito equivalente.

216
 EJEMPLOS

75 st G
•
--I.
+100 S2

v„-; 1 l'[. 1 () 3 cz.

--::— 07V

...._
Fig. E.8.7.5 Equivalente del circuit° de disparo del SCR2
1001/1000 X 1.6 1000//85x 0.7
=
85+ 100//1000 100+ 1000//85

T/6 = 1.14 V > ITGT2

1.14 0.7
/ A,
100

/G = 4.4 mA > /GT , .

con lo cual se asegura el disparo y queda totalmente diserlado el circuito, obte-

niendose:
D

1.38 D. ! u0 W
117V
0 rms I 15.4 V rms
— 10 A
60117 SCR I l(J s2/ I W
1 15.4 V rrns

D2
12012 /1W
--

Acurnulador seR2

Fig. E.8.7.6 Diagrama final del cargador de acumuladores (12 - 16) V.

217
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

pemplo_83. Dado el circuito de la Fig. E.8.8.1 en el que se tiene un control de

poi-
encia para la carga en los 360° del ciclo de CA, obtenga:
a) el angulo de conduccion del ciclo en funcion del potenci6metro y el con-
densador;
b) criterios de diseno de estos circuitos.

(carga)

TRIAC

Fig. E.8.8.1 Circuito cuadrac con TR1AC y DIAC para tenet control sobre los 3600 del ciclo
de CA.

Solucion:

a) Angulo de conduccion

El voltaje en el condensador esta dado por:

VP
= sen (wt - tg-' vvRC),
- [1 4. (w Ro2 ] i/ 2 (E.8.8.1)
donde R = R, +P1
En el momento en que el DIAC se dispara se genera un pulso de corriente
que dispara al TR1AC. Para conocer el momento en que el DIAC se dispara es
necesario que el voltaje en el condensador alcance el voltaje Vs de disparo del
DIAC, de manera que, si On = ir -O entonces;

VP
v - sen (6 - tg' wRC), (E.8.8.2)
s [ 1 + (wRCr r2

oc. = w Vs V 1 + (wRC)2
+ tj 1 %vRC]. (E.8.8.3)
Vp

218
 I [Link]

Graficando esta expresion en terminos de wRC y teniendo como parame-

tros 1.1i/Vp, se obtiene la curva de la Fig. E.8.8.2.

1 80° •
- 1"8
150e
• . .
N
100°
...
. . _
V
_ . .
0 OS

- • • :,.1:1 -1 • ' 1'. .■

wRC
0.01 0.1 1.0 10 100

Fig. E.8.2 Grtifica normalizada del comportamiento en fase del circuit° cuadrac de la Fig.
E.8.8.1.

b) Criterios de diseno:

—Normalmente el fabricante del D1AC establece un voltaje de conmutacion

minimo ep,
—El fabricante del TRIAC establece una corriente IGT de disparo, un tiempo de
encendido y un VGT de disparo.

aiterios:

Para una diferencia de voltaje C'p entre compuerta y terminal uno (T1 ), se tiene
una cierta corriente la eual descarga a C, de manera que:

/Gt

y se pide que si VG e /G estan dcntro del area de disparo, se tenga :

(ep - Vr."-)C
> t( E.8.8.4)
I GT

donde te es el tiempo en el cual debe haber corriente y voltaic suficiente en la

compuerta para que el TRIAC se dispare.

219
 DISP DL CATRO 0 MAS CAPAS

Esto da un criterio sobre el capacitor y en funcion de las graficas de la Fie.

E.8.8.2 se obtienen Los valores de R.
Ejemplo 8.9. Se tiene el circuito que se muestra en la Fig. E.8.9.1, el cual cons-
tituye un control de temperatura con angulo de fase sincronizado. Si se tienen
Los siguientes componentes con sus respectivas caracteristicas:

TR EAC-SC4513 de General Electric,

Vs= ± 200 V, 1D= 10 A, = 2.0 mA, VG7-= 2V, /GT = 50 mA;
UJT,
= 0.6. R BB = 5 K2. 1 = 3 - 0 V.•
Diodo ZENER,
= 15 V. r_ = 10 5-2 Pi) =

Termistor,
RT =, 1000 e(T
259/100. 11 (de coeficiente tt:rmico de temperutura
posit ivo
obtenga las ecuaciones de discfio y disefie un control para el rango de 25-300°C.
con una carga de 30 2. Si la disipacion del horno estti en funcion de su tempe-
ratura, PD = 60 + (T— 25°C) 0.8W.

acoplados
0 ® termicamente
R 1..fi ---- .
HORNO
—1
Mg 1 'carp
IR I
12-1
II
fiz T2
120 V 1111N
60 Hz
1); Hi 6 (11)TRU('
D., , rI - 111
Ti
I
1
I.
- • transformador
de pulsos
Fig. E.8.9.I Circuit° propuesto del control de temperatura.
220
 El EMPLO S

Funcionamiento. La seflal de 120 V, 60 Hz, se rectifica en el puente rectifi-

cador formado por D1 , D2 , D3 y D4, y el circuito regulador R1 , Dz1, la recorta
tal como se muestra en la Fig. E.8.9.2.

if

Fig. E.8.9.2 Formas de onda en los puntos A y B.

Se dice entonces que la operación del circuito de disparo, con ángulo de
fase sincronizado, se debe a que cada medio ciclo el condensador C se descarga
y comienza nuevamente la operación del circuito de disparo, constituido por
el oscilador de rela/ación con el transistor monounión y el transformador T.
Si se ajusta el potenciômetro P1 en un valor, se tendrá entre Rr + P1 Ufl
cierto valor de resistencia que establece el tiempo para el cual se obtiene el
primer pulso en el transformador que es el que dispara el TRIAC cada semici-
do. (Los pulsos que vengan después durante un semiciclo no influyen en la
operación del TRIAC.) Debido a que el termistor y la resistencia calentadora
del horno están acoplados té[Link], entonces la resistencia RT comienza
a aumentar, aumentando también el tiempo en que sucede el primer pulso del
semiciclo y reduciendo el ángulo de conducciOn del TRIAC, estabiUzando asi
la temperatura en un cierto valor y obteniéndose con esto el control deseado.

Solución:

Haciendo uso de las ecuaciones deducidas en el capftulo del transistor mono-

union y considerando que el tiempo empieza a contar en el momento en que el
punto A alcanza 15 V (corresponde a 5.10 en ci semiciclo), se tiene que:

Vc = V (I - c- t/RC)=nv (E.8.9.1)

221
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Luego,
t1 =R 2 an 1171 ' (E.8.9.2)
donde:
R2 = + P1 ,

y el tiempo de conducción del TRIAC durante ese semiciclo es:

to = (772) - ( t1 +t0),

siento t el tiempo que se invierte en alcanzar en el punto A el voltaje de iS V,

to = 8.3 X 10 - (t1 + 0.23 X 10),

to = 8.07 X 10 - t1. (E.8.9.3)

Para La temperatura de 25°C en el control, podemos calcular el valor del

potenciómetro P1 de la siguiente manera:
Si T= 25°C, entonces R 1000 E2,

y la potencia que debe estar surninistrando al horno para que se mantenga La

temperatura es:

PD = 60W,

de manera que al usar la expresión encontrada en el ejemplo 8.6, aunque en

este caso la potencia de la expresión E.8.6.2 se debe multiplicar por dos debido
a que el TRIAC conduce en ambos sentidos, tenemos:

J sen 2(7r - 6)
irR 2 4 1 -

En este caso, sustituyendo valores, se obtiene que O, es:

sen2(ir —6)
0.1963 =-- + 4 ' (E.8.9.4)

0c25 =0.3439 rad = 11.25°.

222
 EJEMPLOS

Si, T/2 = 8.33 mseg y equivale a 1800, 11.25° corresponden a t, = 0.5208 mseg,
por lo tanto el tiempo t1 es:

t j = (8.07 - 0.5208) mseg = 7.549 mseg.

Sustituyendo estos datos en la expresión (E.8.9.2), para T = 25°C se obtiene:

7.549X 10
R, C= seg,
Qn (1/0.4)

R 2 C= 8.21 X 10 seg. (E.8.9.5)

De manera semejante, si la temperatura es de T = 300'C,. entonces:

RT = 1000 e2751100 12 = 15642.6 7.

y
PD = 280W.

Sustituyendo estos datos en la ecuación (E.8.9.4), y calculando ci ãngulo de

conducciôn, se tendrá:
____ sen2(r -0) (E.8.9.6)
0.9163= 2
+
en donde,
= 1.8094rad= 103.67°.

En esta forma tenemos que:

103.67 x 8.33
(8.07— )mseg,
180
= 3.27 mseg.

Luego para este caso,

T= 300° C,

R 2 C= 3.56 mseg.

223
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Determinación del valor del potencfó?nerro. Si se considera que cuando el po-

tenciômetro está en 1000 S2, se tiene la maxima temperatura, entonces:

R 2 =RT +PI = 16642Z,

en donde:
3.56X 10-s
16642

C 0.22 j2f.

Si ahora sustituimos el valor de Cen la expresión (E.8.9.5), se obtiene:

8.21 X 10
R2 =
0.22X jØ6

R 2 = 37320l.

Pero para este caso Rr = 1000 n, por lo que se requiere P1 > 36320 92.
Para cubrir todo el rango, utilizaremos un potenciómetro de 40 KS2 en serie
con una resistencia de 1000 S2.
P1 =4OKca, C=0.22Mf.

El voltaje de disparo del emisor es aproximadamente:

VpIco=nVBO.6 X I5V=9.0V,

de manera que la energIa que libera el condensador hacia ci transformador es:

E=4-c(v,10_ Vv),
E = 0.5 x 0.22 x 106 x 72,

E = 0.79 X 10-' joules, lo cual es suficiente para disparar el

TRIAC.
La potencia liberada a la compuerta es igual a la energia almacenada en el
condensador entre el tiempo que ésta se libera, Si consideramos que el tiempo
de descarga del condensador es menor o igual a 50 zseg, entonces la potencia
seth;

224
 EJEMPLOS

0.79X 10
'1iberada 10-6 W = 0.158W,
50X

la corriente promedio en la compuerta, durante este tiempo de disparo será:

0.158
A=O.O79A=79mA>IGT .
VGT

Ia cual es suficiente para disparar el TRIAC.

Debido a que el ángulo de conducción resulta una ecuación trascendente. no

es posible establecer en forma explicita la ecuación que gobiema la temperatura
en función de la posición del potenciómetro. Sin embargo, se obtendrán tres
puntos intermedios para que se pueda trazar la curva, siendo éstos T = 125°C,
T= 200°Cy T= 250°C.
a) Para T= 125°C,
R = 2718 92, = 140W, O. = 0.877 rad = 50.25°,

de donde:
50.25 X 8.33
= (8.07 - ) mseg = 5.74 mseg,
180
= 5.74X 10-s
R2 = 28359.7Z,
an 2.5
P 1 = 28359.7 —Rr,
entonces, P1 25641.7 cz.

b) Para T= 2000 C,
RT 1000e175 25754&2, PD=200W,
= 1.2765 rad = 73.14°,
(8.07 - 73.14X 8.33
en donde: t1 ) seg = 4.69 mseg.
180
4.69x 1O
cl= 23148.4c2.
an 2.5
225
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

eritonces; P1 = ( 23 148.4— 5754l = 17394.4 Q.

c) Para T= 250°C,
RT = 1000 -25 a = 9487.7 92, PD = 240W.
= 1.541 rad= 88.29° .
88.29 X 8.33
de donde: ti = ( 8.07 - ) seg = 3.98 mseg,
180
= ( 3.98X 10
entonces; P1 —9487.7) 2 = 10 176.33 ci.
an 2.5
P1 (KZ)

30

25641,7cz

20

17394.4 n

10- --- 10176,33 a

I I

- -.-+ T
0 250 1000 2000 3000 4000
Fig. E.8.9.2 GráfIca del valor del potcnciómetro P 1 contra la temperatura del horno a con-
trolar.
Si la teniperatura del horno es de 25°C y se quiere lievar hasta 300° C, el

226
 FJEMPLOS

potenciOmetro se va a 1000 S2 y R tiene 1000 Q ; luego la corriente inicial por

el potenciómetro es de 7.5 mA y la corriente en las bases del UJT es VB /RBB =
= 15/(5x 10) A = 3 mA. Luego se requiere que en el peor de los casos la co-
rriente que consuma el circuito oscilador sea de 105 mA por lo que se disefiará
para que porR I circulen 12.0 mA cuando se tiene elvoltaje pico; de manera que:
=
R1 = l2Kc.
(169.7 -15)2
PR = 2.0W, R1 = 12K 92 @5W.
12x 10
El transformador Tr puede ser I I de pulsos, como por ejemplo SPRAGUE-
11Z12. Los diodos D, D2 , D3, D4, D5 deben ser capaces de rectificarsefiales
senoidales de 60 Hz, lo que implica un voltaje de ruptura de por lo menos 200 V.
y además ser capaces de manejar en sentido directo una corriente de 100 mA.
A continuación se ilustra un caso ficticio de temperatura T = 250°C, partiendo
de temeratura del horno igual a 25' C.
It' ye

1 81 I I I I p I
p

k k k ! h J
4
2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 4.1 4.24 4.25

Sc estabiliza
Fig. E.&9.3 Comportarnicnto del control de temperatura en el tiempo. Se observa la varia-
don del Angulo de conducciOn desde el inicio hasta que la temperatura del home se estabiliza
(esto está exagerado en el ticrnpo).

227
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Ejemplo 8.10.) Se quiere disenar un control de intensidad para una lampara de

a fiusada en la linea de corriente alterna, y se cuenta con un TRIAC
con las siguientes caracterfsticas:
VG =-(1.0+ SOIG)V, VGT= 2.0 V, 'GT= 20mA. t= 10useg;

y con un DIAC con las siguientes caracterIsticas:

Is=30V, Is=1001AA, e=3.5V.

SoluciOn:

Usando la teorIa desarrollada en el ejemplo 8.8, tenemos:

si i'=e,
- 3.5 —1.0 A
IG 50

= SOmA>IG T.

Usando (E.8.8.4), se obtiene:

(3.5-2.0)C> lox 106

50 io
1.5 C >500 x 10

C> 0.33 gf.

Se propone:
C=0.47uf @200V
La relación
30
VS/VP = 0.1768.
= 120(2)"
Luego,
Vs
wCR
VP

de la figura E.8.8.2 se obtiene;

wCR> 5.65;
se propone:
wCR = 6.0,

228
 EJEMPLOS

entonces 60
R= 0.47x x 2y
R = 33.4 KTZ.

Luego el circuito queda:

120 V
60

Fig. E.8.10.1 Circuito final del etciuplo E.8.I0.

229
8 [)ISP. D} CUATRO 0 MAS CAPAS

PRE(; u NTAS

8.1 ,Qué se entiende por un dispositivo de cuatro a más capas?

8.2 Los dispositivos de cuatro a más capas, Lson dispositivos bilateralcs a

unipolares?

8.3 ZPor qué es posible explicar el furicionaniiento de un dispositivo de cua-

tro capas en términos de un análogo con dos transistores bipolares corn-
pie me ntarios?

8.4 Explique el comportarniento del diagrania de bandas de un dispositivo de

cuatro capas (Fig. 8.3).

8.5 El comportamiento eléctrico de un dispositivo de cuatro capas Lpresenta

alguna region de impedancia negativa?

8.6 ZPor qué el modelo de un SCR en conducciôn es siniplernente una

resistencia?
8.7 ,Qué se entiende por corriente dc dispard de La cornpuerta?

8.8 LQuCl significa ci parárnetro 12t en el SCR?

8.9 Qué se entiende por corriente de sustentaciôn de un SCR?

8.10 ,Que se entiende par razón de subida de voitaje directo de un SCR

8.11 LQu& se entiende por razOn de suhida de la corriente directa de un SCR?

230
 PRLG1INTAS

8.12 i,Por qué en los SCR se tiene un tiempo de encendido relativamente

grande?

8.13 Describa las cuatro estructuras básicas de un SCR.

8.14 LCuái es ci sfmbolo de un SCR?

8.15 ,Cuái es la diferencia entre un SCR y un TRIAC?

8.16 Dibujc las curvas caracteristicas de un SCR y de un TRIAC.

8.17 iEl DIAC es un dispositivo de cuatro capas?

8.18 ZCuil es la diferencia fundamental entre un diodo interruptor bilateral

(DIB) y un TRIAC?

8.19 LD6nde se aplica ci DIB en lugar del TRIAC?

8.20 ,Cuá1 es el equivalente del SUS y del SBS en términos del SCR?

8.21 ,Por qué es posible apagar por compuerta un GTO. una vez disparado?

231
8 [Link]

i R ( ) RI. 1i\1 AS

8.1 Sc tienc un SCR para ci cual Sc conoce que: I,. = 2MA, in = 2, y se

encuentra que I = 350 V para J- = 0. I = 225 V para I(; 10 mA.
obtenga:
a) la ecuación que rige el comportamiento de este dispositivo y
b) la I..

8.2 Para ci SCR del prohlema 8. 1, que adernãs tiene las siguientes caracteris-
ticas:
pf, = 400 V, 1;r = 3 V, P = I W. 'D = 10 A. I = 3 mA.
Se construye un circuito como ci que se ilustra en la Fig. P.8.2 y se
pide diseñar los valores de R1 y P 1 , pan que se tenga un control de
O < 180' sobre ci JI1gUk) dc coniluci
cori.

1:, =2O

Fig. P.8.2 ('ircuito tith simple de un control dc potciicki pot iiiedio dc un SCR.

232
 PROBLEMAS

8.3 Se tiene un SCR con V = 100 V. Pam 'G = 0 e 'H = 4.0 mA, obtenga las
formas de onda del oscilador de relajación que se muestra en la Fig. P.8.3,
en los puntos 1 y 2.

t-k-------
+ 150 V
50K cz
® ê
A
too n
SCR 0.22 pf/200 V
G
K

Fig. P.8.3 Oscilador de relajaciOn usando el SCR como diodo de cuatro capas.
8.4 Se quiere ejercer un control de potencia sobre una carga de 25 2, con las
siguientes caracteristicas:
semiciclo positivo 0 < O < 180' (variable),
semiciclo negativo 180° (constante),
para Ia que se propone un circuito como el que se muestra en la Fig.
P.M.

121
60

Fig. P.8.4 Circuito RC con diodos para control bajo las condiciones establecidas.

Si VS =3OOV@IG =O:

'D 5.0 A, VGT = 2.6V, 'GT 5.0mA, Rc = 0.4 S2, "D' SW

a) obtenga el funcionamiento del circuito; y
b) disene R1 , P1 y C para satisfacer lo más cerca posible las condiciones
establecidas (yea ejemplo 8.5).

233
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

8.5 Se tiene un circuito como el que se muestra en la Fig. P.8.5, el cual se

excita con un tren de pulsos.
a) Obtenga su funcionamiento;
b) obtenga formas de onda en los puntos 1 y 2; e
c) indique para qué se podrfa emplear este circuito.

+50 V

R1 =1 Kci
tj 1 mseg
VGT3 V
V3 =200 V
2 Vc,TT11_fl IL 'H4 mA.
-.
I- t2
Ve
r=10mseg + I
- cR28K

Fig. P.8.5 Circuito de autoapagado de un SCR con capacitor en el cátodo.

8.6 Se tiene un circuito como el que se muestra en La Fig. P.8.6, el cual cons-
tituye un circuito de apagado de un SCR empleando otro.

V.,

Fig. P.8.6 Circuito de apagado de un SCR utilizando otro SCR.

a) Obtenga el funcionamiento del circuito:

b) obtenga las condiciones de operación; y
c) diga qué sucede Si V1 =

234
 PROBLEMAS

8.7 Para evitar que un SCR se dispare porque la variación de voltaje en el

ánodo respecto al cátodo exceda la caracterIstica d V/dt dada por el fabri-
cante, se conecta una red RC serie en paralelo con el dispositivo ilustrado
en la Fig. P.8.7.
+v

SCR R

Fig. P.8.7 Red RC serie para suprimir los disparos por dV/dt.

a) Obtenga las caracteristicas de La red RC para la supresión de dV/dt; y

b) disefie una red supresora, si dV/dt = 2.0 V/.tseg y La variación de La
seflal es de 4 V/pseg en una carga de RL = 15 R.

8.8 Para el circuito de la Fig. P.8.8,

a) describa su funcionamierito;
b) obtenga las ecuaciones de su funcionarniento; y
c) grafIque OC contra R 1 C

L AR2 r. ID1

A B2
I, E
SCR

Vp sen wt

Fig. P.8.8 Circuito de control de potencia por fase donde 00 <0 < 1800.

8.9 Se tiene un TRIAC con las siguientes caracterIsticas:

l= 1.0+60I, VGT= 1.5V, IGT-2OmA, te = [Link];
y un DIAC de las siguientes caracterIsticas:
Vs = 25 V, I = [Link], e = 4.0 V.
Disene un control de potencia por fase (cuadrac) para una carga excitada
por 120 V rms a 60 Hz, y carga foco de 700W.

235
8 DISP. DE CUATRO 0 MAS CAPAS

Para ci circuito de la Fig. P.8.9, obtenga:

a) el funcionamiento;
b) el ángulo de conducción por ciclo en función del potenciãmetro y el
condensador;
c) criterios de diseflo de estos circuitos; y
d) las desventajas que presenta este circuito con respecto al del ejem-
plo 8.8

'UAC

Fig. P. 89 Circuito de control de potencia por fase en ci que las resistencias (R1 + P ) con.
sumen menos potencia.

8.10 Se tiene ci circuito de la Fig. P.8.10, que tiene un control de potencia en

ci cual ci disparo se hace en uno de los semiciclos: pero debido a la ener-
gIa almacenada en el condensador se puede asegurar que habrá disparo en
el otro semiciclo.
a) Explique ci funcionamiento:
b) diga si se requiere D1 y, Lpor qué?,
c) obtenga las condiciones de disparo; y
d) obtenga los critenos de diseflo.

RL

VP Sen wt T,
TRIAC
Ve
SCR T2

Fig. P.9.10 circuito de disparo esciavo para un TRIAC

236
 BIBLIOGRAFIA

BIBLIOGRAFIA

ANKRUN, PAUL D., Electrônica de los se,niconductores, Prentice Hall

International, 1974.

SCR Manual. General Electric, 4th edition, 1967.

237
CapItulo 9
DISPOSITIVOS OPTO ELECTRONICOS
DE ESTADO SOLIDO.

INTR ODUCCION

Muy poca gente en el ramo electrônico conoce que, dentro de los dispositivos
electrómcos que se usan en la actualidad, de los primeros que se tuvo noticia
son algunos de los ilamados optoelectrónicos. En 1603 el aiquimista italiano
Cascariolo obtuvo Sulfato de Bario al que llamô lapis solaris (piedra solar) por
las caracterfsticas fosforescentes que presentó, constituyendo éste el primer
material luminiscente de que se tiene noticia. A mitad del siglo xix se observO
que en las barras de Selenio se producfan cambios en la resistencia, al hacer mci-
dir luz sobre ellas, obteniéndose asi una fotoresistencia.
A partir de 1957 se ha venido desarrollando toda una serie de dispositivos
optoelectronicos de estado sôlido, los cuales presentan caracterIsticas muy di-
versas y para muy distintas aplicaciones. En el presente cap Itulo se estudian
algunos de los dispositivos electrónicos más simples, poniendo especial énfasis
en su funcionamiento en base a las teorIas ya desarrolladas en los capitulos
anteriores.
Para entender cómo funciona un dispositivo optoelectrOnico, es necesario
considerar tanto la naturaleza de la radiación incidente (intensidad, frecuencia,
etc.) sobre el dispositivo, asi como las propiedades del material de que está
fabricado el mismo (función de trabajo, afinidad electrônica, nivel de Fermi,
etc.).
La Luz visible y otras formas de radiaciôn se comportan como ondas electro-
magnéticas que viajan a la velocidad de la luz (3 X 1010 cm/seg). En La Fig. 9.1
se muestran el espectro visible y algunas zonas cercanas en funciôn de La longi-
tud de onda y Ia frecuencia de las ondas radiadas (f A = c = 3 X 10l cm/seg).

239
9 DISP. OPT0ELFCrR0NIc0S DE ESTADO SOLIDO

10 5 X 1012 1015

Sol
ondas de mdio
- .L. 0
RayosX Rayoscósmlcos
infrarrojo
Luz visible uliravioleta

ultra- 4/
/ violeta
fraojo

- - 1 , / // l
3000 4000 5000 6000 7d00 940 - i000 sdoo A

Figura 9.1. Espectro de radiaciones electromagnticas.

La unidad básica para La intensidad de luz radiada es la candela (Se abrevia

cd), la cual es 1/16 de la intensidad luminosa que emite un centImetro cuadra-
do de radiador "cuerpo negro" a la temperatura en que ci Platino se solidifica.
La unidad básica para el flujo luminoso es el lumen (2m) y se dice que una
fuente de luz puntual de una candela emite 47rQm, por Jo que en general el
lumen es una medida de flujo luminoso por unidad de ángulo sôlido.
La unidad para medir la iluminación es el "lux" y se dice que una superficie
tiene una iluminación de un lux si sobre ella incide un flujo luminoso de un
lumen por metro cuadrado (x = km/ml). Existen además Las medidas de
pie-candela (foot-candle, Qm/pie2 ) y phot (km/cm').
El Sol en un dia luminoso da una iluminación de airededor de 80000 Rx,
mientras que una iluminación de 350-750 Qx es apropiada para una lectura nor-
mal. La iluminación de luna ilena corresponcle a 0.2 2x.
La luminancia de una superficie es igual al flujo luminoso irradiado, o bien
a la intensidad de luz por unidad de area, y se encuentran distintas unidades
para medir este parámetro: el nit (cd/rn2); el stilb (cd/cm2); la candela por pie
cuadrado (cd/pie2).
Se conoce como temperatura de calor a la temperatura a la cual se tendrIa
que llevar un radiador de "cuerpo negro" para que emita una distribución espec-
tral similar a la que se está observando. AsI, por ejemplo, un filamento de
Tungsteno a 2 800'K tiene una temperatura de color de 2 870° K.

240
 .1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS

9.1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS (FOTORESISTIVAS)

Las celdas fotoconductoras son elementos que normalmente se construyen a

base de un elemento homogéneo el cual modifica la concentraciôn de portado-
res o la movilidad de los mismos en función de la intensidad luminosa inciden-
te. Estos dispositivos modifican su conductividad por tres métodos básicos:
a) generación de pares electrón-hueco (fotoco nduct ividad intrinseca)
b) generación de electrones o huecos libres (fotoconductividad extrInseca);
c) variación de la movilidad de portadores debido a radiación electromagnética
de longitud de onda grande (incremento de temperatura), es decir, radia-
ción infrarroja o radio.
En la Fig. 9.2 se muestra la construcciôn tIpica de una celda fotoconduc-
tora, en la cual se puede apreciar que sobre el subestrato aislante se deposita un
material fotoconductor en una capa de algunas micras de espesor (normalmente
menor a lOOji), con elfin de que al ser la pelIcula delgada la radiaciôn penetre
en toda la muestra, obteniéndose un buen efecto fotoconductor. Ya en la pre-
sentacidn fisica del dispositivo (Fig. 9,2-b), se depositan en la parte superior del
material fotoconductor los contactos metálicos en forma de peine, con la idea
de abarcar la mayor area posible y que el dispositivo presente una mayor sensi-
bilidad.

Radiación

fotoconductor
metal metal

15gm
-r

Subestrato aislante

Figura 9.2. Construccidn tipica de una celda fotoconductora. (a) Detalle amplificado:
(b) presentación fIsica.

El aumento en la conductividad del material por la incidencia de la radia-

ciôn se presenta debido a distintos métodos de excitación o generación de por-
tadores adicionales a los que se disponen Cinicamente por efecto de la tempera-
tura, y también a distintos métodos de recombinaciôn o atrapamiento de los
portadores libres. En la Fig. 9.3 se ilustran estos efectos.

241
9 DIS?. OPTOFLECFRONICOS DE ESTADO SOLIDO

Bandideconducción /

Banda 00
" 6
1'rohibida E 1 4 E6
1
E4

Banch de valencia

Figura 9.3. Mecanismos de generacidn y recombinación de portadores en un semiconductor.

Mecanismos de generación y [Link]ón de porradores en un semiconductor

1. Excitaciôn de un electron de la banda de valencia a La banda de conducciOn,
generándose un par electrón-hueco. Se requiere tin fotOn de energIa mayor
oigualaEl .
2. ExcitaciOn de un electron de una imperfecciôn a la banda de conducción,
produciéndose tin electron libre en la banda de conducciOn y un hueco fijo
ligado a la imperfección. Se requiere de una energIa del fotOn excitador
mayor o igual a E2 .
3. TransiciOn de un electron de La banda de valencia a una iinperfecciOn, gene-
rándose un hueco libre y un electrOn fijo ligado a la imperfecciOn.
4. Un electron ligado se recombina con un hueco libre, liberándose una ener-
gIa E4 .
5. Un electrOn libre se recombina con un hueco ligado, liberándose una ener-
gia E5 .
6. Un electron libre se recombina con un hueco libre, liberándose una ener-
gla E6 .

9.1.1. Fotoconductividad
La conductividad de un semiconductor está dada por:
an = enz, semiconductor tipo N.
La carga del electrOn, e, es una constante invariable, de manera que La
variaciOn en conductividad dependerá ünicamente de la variaciôn de concentra-
ción n y de La moviidad An . AsI:
La fl = ep,n+e,iz,1 ;

242
 9. 1. CELDAS FOTOCONDUCTORAS

luego cualquiera de estas cantidades n, p,1 , que vane por efecto de luz mci-
dente, ocasionará un cambio en la conductividad del dispositivo y por lo tanto
una variaciôn en la resistencia entre sus terminales. Para mayores detalles en
este tema se recomienda repasar ci capitulo 2 del tomo 1.

9.1.2. Comportamiento eléctrico

La mayorfa de estas celdas se construye de peilculas de Sulfuro de Cadmio

(CdS) o de Selenium de Cadmio (CdSe). Para aplicaciones en el espectro visible
y cercano al infrarrojo, estos mateniales tienen un ancho de banda prohibida
grande (del orden de 10eV), por lo que en ocasiones se les denomina scmiaislan-
tes. Estos mateniales son compuestos 11-VI (es decir, que se forman con un ele-
mento de la columna II y un elemento de la columna VI de la tabla periódica) y
solamente se consiguen tipo N.
El comportamiento eléctrico de estos dispositivos no se puede precisar
como en el caso de las uniones, debido a que el material se tiene en forma cris-
talina y además los centros de atrapamiento y/o recombinación juegan un papel
sumamente importante en el proceso de conducción eléctrica en el dispositivo,
y esto es difIdil de predecir.
Los centros de atrapamiento producen una ganancia de cargas, lo cual en
consecuencia produce una eficiencia cuántica mayor a la unidad. Por ejemplo,
Si se produce un par electrén-hueco por la incidencia de un fotôn, y se tiene un
potencial aplicado entre los electrodos de la celda, es muy factible que el elec-
trón se mueva hacia el ánodo, pero sin embargo puede suceder que el hueco sea
atrapado por un centro de atrapamiento (mecanismo 2, Fig. 9.3), lo cual oca-
siona que el cátodo introduzca un electron al material Para establecer las condi-
ciones de carga; Si el hueco permanece atrapado un tiempo grande, permite que
entren varios electrones del cátodo que se mueven hacia el ánodo, y entonces
por un fotOn incidente se pueden tener varios electrones en el ánodo, efecto
que continua hasta que el hueco atrapado se libera, lo cual representa una
ganancia cuántica mayor a la unidad y depende de las imperfecciones del cristal
y de las impurezas que se agregan especialmente Para generar centros de atra-
pamiento.
Los fabricantes de estos dispositivos reportan un comportamiento represen-
tado por el modelo matemático heuristico que se da en la ecuaciOn 9.1.2:

R=AH, (9.1.2)

donde R es la resistencia del dispositivo en CD entre SUS terminales; A y a son

constantes, con unidades de 12-(mW/ cm2 ) y sin umdades respectivamente; y
H es la irradiaciOn en mW/cm2 .

243
9 DISP. OPTOELECRONICOS DE ESTADO SOLMO

En Ia Fig. 9.4 se da el comportamiento de una celda de sulfuro de cadmio

en función de la iluminaciôn tanto para la excitación en CD como en CA.
I (mA)

1000 mW/cm2
CD
CA(rms)
:: 100 mW/cm2

20 Hipérbob de diipación
constante 500 mW.

10 mW/cm2

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 V(V)

Figura 9.4. Comportamiento eléctrico de una celda fotoconductora.

1 flO

80

60
I-

. 40

20

0 Loe
4000 6000 8000 (A)

Figura 9.5. Respuesta espectral de una celda de CdS fotoconductora.

244
 9.1. CELDAS FOTOCONDUCrORAS

Temoeratura de color (2 854'K)

100 —
LS Temperatura
ambiente = 25°C
P!PIII
Periodo de excitaeión
2m seg.

C Se —--
___ U1111NT1111
-- U.

_iiui
••uiuiiui
• 111I11
1
111111 111111
2 10 20 100 (m seg)
Tiempo de decaimiento
Figura 9.6. Tienipo de decaimiento de celdas de US y CdSe.

Ternperatura de color (2 854°K)

200

C,
100
- 100 9-X
-
:9

CdS
C

20

l000Qx
10 9-x lOOQx
10- I
0 20 40 60 80 100 120
Temperature (°C)
Figura 9.7. Coeficiente de temperatura para in fotoconductividad de celdas de US y CdSe.

245
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SO LIDO

9.1.3. SImbolo

En Ia Fig. 9.8 se muestran la construcción tIpica y el sImbolo más empleado

para estos dispositivos.
Terminal uno T1

(a) (h)

Terminal dos T2

Figura 9.8: (a) construcción tpica, vista superior; (b) simbolo de una celda fotoconductora.

9.1.4. Parámetros

TABLA 9.1

Parimetro Valor Definiciôn

Resistencia en la RN Es la resistencia que presenta la celda cuando se tiene

oscuridad a] dispositivo en la más completa oscuridad; normal-
mente se establece mayor a un valor de 10 Mfl.

Resistencia en la RL Es la resistencia que presenta Ia celda cuando se tiene

luz en presencia de una iluniinación; normaimente se
establece 100-300 92 @ 1 000 Rx.

Razôn de rr Es la variación de resistencia en el tiempo cuando se

recuperación pasa de la luz a la oscuridad y se establece, por ejem-
plo, rr > 500 K/seg.

Capacitancia de C. Es la capacidad entre las terminaciones del disposi-

la celda tivo.

Potencia de PD Es la potencia que puede disipar el dispositivo sin que

disipación se dafe.

Voltaje piCo VP Es ci rnáxiino voltaje que se puede aplicar entre los

electrodos sin que se vaya a carbonizar el fotoconduc-
tor por arco entre los electrodos.

Longitud dc onda xP Es la longitud de onda de la radiación incidente, para

pico la cual se tiene la maxima sensibiidad.

246
 9.2. 1OTODIODO

9.2. FOTODIODO

Un fotodiodo consiste en esencia de una union P-N polarizada inversamente, en

Ia cual la corriente inversa de saturaciOn se modula por la generaciOn de pares
electrón-hueco en La vecindad de la zona de vaciamiento o dentro de la zona
misma, debido a La excitaciOn mediante fotones incidentes. Normalmente se
debe alirnentar La uniOn de manera que no suceda La ruptura. Dentro de estos
dispositivos se cuenta con una familia cuyo comportamiento es similar, y estos
son: ci fotodiodo PIN, el fotodiodo PN, el fotodiodo metal-semiconductor, ci
fotodiodo de heterounián. Consideremos brevemente el caso de un fotodiodo,
su respuesta en frecuencia, La variaciôn de la corriente inversa con la ilumina-
cion, la potencia disponibie (o manejable) y La relación sefial a ruido de estos
dispositivos.
En la actualidad estos dispositivos se fabrican de silicio o germanic.

9.2.1. Funcionamiento

Para explicar el funcionamiento de este dispositivo recurrimos at diagrama de

bandas de energIa de una union PN, considerando que la regiOn P es bastante
pequeña que permite que la generaciOn de pares eiectrOn-hueco ayude a aumen-
tar la corriente inversa. En La Fig. 9.9 se muestra este diagrama.
Zona de vaciarniento

Superficie
Banda tic valencia

Figura 9.9. Diagrama de bandas de un fotodiodo de uniOn polarizado inversamente.

Si se excita el dispositivo con un fotón de energIa hp y éste produce un par

eiectrOn-hueco, ci hueco será atraIdo hacia la terminal polarizada negativamen-
te (superficie del dispositivo), mientras que el electrOn generado se resbalará
por la banda de conducciôn hacia Ia terminal positiva.

247
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DE

Si se considera que a mayor intensidad de luz incidente Sc tiene una mayor

generación de pares electrôn-hueco y se sabe que auri en ausencia de radiaciãn
ya existe una corriente de fuga I, y además se puede prever que al aumentar La
polarización inversa la corriente aumentará debido a que se reduce la razón de
recombinación de los portadores generados, se puede proponer un modelo ma-
temático que cstablezca el comportamiento de estos dipositivos, como sigue:

I=I0 +kH+HV, (9.2.1)

donde:
I es la corriente de fuga en la oscuridad;
II es la irradiación dentro de un rango de frecuencias;
k es una constante de proporcionalidad de iluminación; y
es una constante que da la variaciôn de I con el voltaje para
una irradiación constante.

Los valores de k y dependen de la longitud de onda con que se radie el

dispositivo.

9.2.2. Caracteristicas

En las siguientes gráficas se muestran las caracterIsticas de un fotodiodo tIpico

de union difundida, de silicio.

4 5 6 7 8 9 10 11 12X(103 A)
100

'° 80

60

1 40

20

0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 x (rnicras)

Sc considera igual valor dc irradiación en todas las frecuencias

Figura 9.10. Respuesta espectral de un fotodiodo de siliclo.

248
 9.2. lOTODIODO

La respuesta espectral de un dispositivo optoelectrônico nos muestra la

respuesta relativa del mismo a distintas longitudes de onda. Por ejemplo, con
igual intensidad de luz incidente en el dispositivo responde al 50 por ciento
tanto en 6000 A como en 9 800 A, es decir, dará la niitad de la corriente para
el mismo voltaje de polarización.
400

350 II\bIII_
30C

- lrradiaciôn en un raneo de
—0.7 micras a 1.1 micras.

- segün filtro CS7-69 de

Corning a T = 25°C

MI
4 n,W /cni

50

c IIIITT'2
10 20 30 40
_
50 (V)
voltaje de polarización
Figura 9.11. Variaciôn de la corriente inversa del fotodiodo de union en funciôn vertical de
la polarización y de la irradiaciôn L..

La irradiación dentro de un rango de frecuencia se define comb:

W. £1 (9.2.2)
=

donde W, es la potencia (W/m) radiada en ci pequeflo ancho de banda dX y

normalmente clepende de X, y A es el area sobre la que se está radiando. Por
ejemplo, en el caso de la Fig. 9.11 se tiene una irradiación entre 7000 A y
11 000 A, lo cual nos da A1 y A2 , y el area es de I cm2 ; por eso las unidades de
Er son mW/cm2 .

249
9 DISR OPTOELLCTRONICOS DE ESTADO SO LIDO

600
•uiiiiiugi
500

400 MEMIN MEMO Filarnento de Tutisti') operado

en 2 870°K de tetnperatura de color
MMjAMES
40AM
30( ME ummomm-MA ,,
-i
20( •uuriuuia
MEREERWEEN
IN
WWSMMMIMIMMMI
..iuuuuua
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Irradiaejón (mW,'cm 2

Figura 9.12. Variación de la corriente del fotodiodo con la irradiacidn y con el voltaje de
polarización aplicado.

105

102—

'°
004

[Link] I
-100 -50
/
ti
0 50 100
Tcmperatura (°C)
150 200

Figura 9.13. Variación de Ia corriente en la oscuridad con la temperatura.

250
 9.2. FOTODLODO

0 111111MINHIM11111110
IIIIIIhUIIIIIflhIIIIiG!U
—2 uuInoIuIrnIIIIIuuulIIIIILl
—3 UIIIIIHlIIHIIllhIIllhIIII
—4 IIINIHIIINIII!UUIHhIIi!
kta~ff

j:[Link] de la inodulación lurninosa (ciclos/seg)

Figura 9.14. Respuesta en frecuencia de un fotodiodo de union tipica (frecuencia de corte

20 KHz).

9.2.3. SImbolo

En la Fig. 9.15 se muestra en detalle la construcciôn de un fotodiodo de union

y el sImbolo mds empleado para representarlo.

Ientt oT1
A
I

I':
LI
K
sdilado de vjdrjo terfl)inales

(a) (h) (c)

Figura 9.15: (a) construcción tIpica de un fotodiodo; (b) srnbo10 del fotodiodo de union
(cuidar polaridad); (c) simbolo del fotodiodo doble (no importa polaridad).

251
9 DISP. OPTOELECRONICOS DE ESTADO

9.2.4. Parámetros

TABLA 9.2

Parirnetro Valor DefInición

Corriente en La J, Se define como La corriente de saturación inversa del

oscuridad diodo formado y se mide en completa oscuridad.

Corriente con iuz IL Se define como La corriente con una cierta irradiación
de luz y a un voltaje de polarización dado. For ejem-
plo. 'L = LOO MA, E = 9 mW/cm2 @ 10 V.

Capacidad total CT Es La capacidad que se mide entre las terniinales del

dispositivo; se especifica la frecuencia a la cual se mi-
de y el voltaje de polarización.

Voltaje de ruptura Vn Es el voltaje de ruptura de la union PN que forma el

dispositivo; se mide con la irradiación nula.

Tiempo de subida tr Es el tiempo en que la corriente pasa de la corriente

en la oscuridad a 90 por ciento de Ia corriente final
(seg(in la irradiaciOn).

Tiempo de bajada If Es ci tiempo que tarda en pasar de 90 por ciento de

la corriente que tenIa el dispositivo a 10 por ciento
de ésta, al suprirnir la irradiaciOn.

Potencia de D Es La potencia que puede disipar el dispositivo sin

disipaciOn daflarse.

Ganancia de GF Es La razón de la corriente en voltaje alto a la corrien-

fotocorricntc te en voltaje bajo para una misma irradiación.

Sensibilidad a La S1 Se define como la variación de corriente con la irra-

irradiación diación para un voltaje de polarizaciOn constante.

at
SI
=

252
 9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

9.2.5. Circuito equivalente

En este caso, para poder establecer un circuito equivalente para este dispositivo,
es necesario trasladar el concepto de corriente por una fuente de corriente
dependiente de la irradiaciôn, es decir:

(+) K
cátodo

Figura 9.16. Equivalente de un fotodiodo,

dnodo
donde: RFD=
-) .4 Ercte

9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

El dioc3o emisor de luz o LED toma su nombre del idioma mglés (Light Emit-
ting Diode) y, como su nombre lo indica, es un dispositivo que al polarizarse en
sentido directo emite radiaciôn electromagnetica, que va desde el infrarrojo al
visible, dependiendo del ancho de la banda prohibida de los semiconductores
empleados al hacer La union P-N.
Estos diodos constituyen la primera lámpara de estado sôlido de que se
tiene noticia y presentan caracteristicas muy interesantes, para que en el futuro
se pueda ahorrar energIa eléctrica en La producciOn de energIa luminosa.

9.3.1. Funcionamiento del dispositivo

Al tener una uniOn PN polarizada directatnente, sucede un fenOmeno de con-

ducciOn en el cual se inyectan portadores a través d la zona de vaciamiento
hacia La region opuesta y al ilegar a ésta se recombinan, tal como muestra la
Fig. 9.17.

N --

Figura 9.17. Una uniOn PN polarizada directamente con una alta razón de rccombinación.

253
9 DISP. OPTOELECFRONICOS DE ESTADO SOLIDO

Un electron (portador mayoritario) del lado N (punto A) se mueve hacia el

lado P por la polarizaciOn aplicada. Al difundirse en el semiconductor P es fácil
que se recombine, debido a que en este lado pasa a ser un portador minoritario.
Al suceder la recombinación se tiene una ernisión espontdnea de radiaciOn de
valor,
hu = E. (9.3.1)

Si se disefla el semiconductor empleado de manera que la longitud de onda

de la radiación emitida caiga en el espectro visible, la radiaciOn se podrá ver
Asimismo se requiere que en este caso el semiconductor P se encuentre muy
cercano a la superficie para que la radiaciOn pueda salir fuera del dispositivo.
AsI, si se analizan las caracteristicas que dan los fabricantes, se puede con-
cluir que al aumentar la corriente en el dispositivo aumenta la intensidad lumi-
nosa de radiaciOn, siguiendo una ley casi lineal, es decir

11=10 + kIF, (9.3.2)

donde:
k es una constante de proporcionalidad;
1 es la corriente inicial;
11 es la intensidad luminosa relat iva: e
Ip es la corriente en sentido directo que pasa por el dispositivo.

Estos dispositivos se yen seriamente afectados por la temperatura, es decir,

que at aumentar ésta la intensidad luminosa de salida disminuye, siguiendo una
ley de la forma:

H= H0e t .250)15 , donde 1J, es medida a T= 25°C. (9.3.3)

La eficiencia de un LED a temperatura de 25°C es del orden del 10 por

ciento, por lo que es necesario Ilevar los dispositivos a temperaturas muy bajas
para que la eficiencia aumente y entonces prácticamente toda La energia eléc-
trica se convierta en energIa luminosa.

9.3.2. Comportamiento eléctrico

ilustramos el comportamiento eléctrico de estos dispositivos mediante gráficas

que los fabricantes de los mismos proporcionan..

254
 9.3. DIODOS EMSORES DE LIJZ (LED)

1.2 -1------r-- -.
respuesta -J- TJ TungSteno

os_ h ÜLED O 21__.4

/ rf---- 9-\----i---
0.4-- respuesta de

I TIL2
de Silicio

0.3 0.4 0.5 0.6 07 0.8

H
0.9 1.0 111 1.2
(micras)

Figura 9.18. Respuesta espectral relativa del ojo humano, LED visible, LED infrarrojo, foto-
diodo de Silicio, y filamento de Tungsteno.

1
/ L --
0.7
• °• - -
0.6
0.5
0.4
—
05k J
0.4 .—,t
--
---fL
L
v-
.- I f
O.3 ._
-- . 0..3

0.2 0.2
0.1
:_vIJ__ _
6000 6200 6400 6600 6800 7000 5400 5500 5600 5700 5800 5900

(a) ?(ft.) (h) X(A)

Figtira 9.19. Respuesta espectral relativa de: (a) LED visible rojo;(b) LED visible verde.

255
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DL

rz

0.01

Corriente directa IF (mA)

Figura 9. 20. Intensidad luminosa relativa respecto a la corriente en el diodo (T= 25°C).

4
1F'00 mA
75mA
1.0

0 mA
0
•0 0.1
0 10
0

0.01
5 125
Temperatura del encapsulado 7 (°C)

Figura 9.21. Variación de la intensiclad Iurninosa relativa (potencia luminosa) en funciôn de

la temperatura a distintas corrientes del diodo.

256
 9.3. DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

100

! 10

0.1
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Voltaje directo VF (V)

Figura 9.22. CaracterIsticas en sentido directo de un diodo emisor de kiz (LED) de arseniu-
to de galio (GaAs) en sentido directo.

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4
=
0.2

0
300 200 100 0° 100 20° 30°
Desplazamiento angular 0 LED

Figura 9.23. Intensidad luminosa relativa respecto de la desviación del eje óptico del dispo-
Sitivo.

257
9 DISP. OJ'TOELECrRONICOS DE ESTADO SOLIDO

9.3,3. SIwbolo

La construcción tipica y ci sfmbolo más usado para este dispositivo se muestran

en la Fig. 9.24.

a dia ción
\\ t /77
ante

ánodo ctodo
(a)

Figura 9.24: (a) construcción tIpica dc un LED; (b) su simbolo más empleado.

9.3.4. Parámetros

TABLA 9.3

ParImetro Valor Definición

Voltaje inverso Es el voltaje rnáxirno que se puede aplicar inversa-

niiximo mente al diodo sin que se dane.

Corriente en sentido I. Es la corriente promcdio que se puede aplicar con-

directo promedio tinuamente sin que se dane el dispositivo.

Intcnsidad H, Se especilica en candelas y se da el dato pam una

luminosa . cierta corricntc. Por ejcmplo:
H=5mcd@ 1F= 25

258
 9.4. [OTOTRANSISTOR

TABLA 9.3 (cent...)

Parámetro Valor Definición

Longitud de N J, Es la longitud de onda para la cual el diodo da mayor

onda pico intensidad luminosa.

Corriente inversa fill Es la corriente en sentido inverso en el diodo se espe.

cifica para qué voltaje. Pot ejemplo:
IR = [Link] @ VR = 3.0 V.

Voltaje directo VF Es el voltaje tIpico directo y se especifica a qué co-

rriente. Pot ejemplo:
VF=! 1.6V @ IF=2Om1\

Tiempo do trL Es el tiempo que tarda el impulse luminoso en ir del

subida del 10 por ciento al 90 per ciento del valor final de La
impulse luminoso intensidad Iuniinosa.

Tiempo de tIL Es el tiempo que tarda el impulse luminoso en decre-

caida del cer del 90 por ciento al 10 per ciento de La intensidad
impulso luminoso a la que estaba funcionando.

Capacidad del LED CL Es La capacidad que presenta entre sus terminales.

Corriente pico 4 Es la maxima corriente que so puede [Link] al

LED sin que éste so dafie. Antes de repetir la dosis so
debe dejar enfriar.

Potencia de PD Es la potencia que puede disipar el LED sin dañarse.

disipación

9.4. FOTOTRANSISTOR

El fototransistor es básicamente un fotodiodo que alimenta la base de un tran-

sistor bipolar, conjugando asi las caracteristicas del fotodiodo con la ganancia
de corriente que proporciona el transistor bipolar. En La Fig. 9.25 se ilustra el
equivalente del fototransistor, su construcción interna y su sImbolo.

259
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO

Por lo tanto, comprendiendo cómo funcionan un fotodiodo y un transistor

bipolar, es sencillo entender el comportamiento de este dispositivo: lo niisrno
que entender las hojas de especificaciones y caracterfsticas que dan los fabri-
cantes.

hi
Th

(a) (c)

(I)

Figura 9.25: (a) equivalente de un fototransistor con un fotodiodo y un transistor bipolar;

(b) sImbolo de un fototransistor con base exterior; (c) sImbolo de un fototransistor sin base
exterior; (d) construcción tIpica de tin fototransistor.

9.5. DIODO CONTROLADO DE SILICIO ACTIVADO POR LUZ (LASCR)

El diodo controlado de silicio activado por luz, o LASCR, toma su nombre del
inglés (Light Activated Silicon Controlled Rectifier) y consiste fundamental-
mente de un SCR comUn con un fotodiodo interno que conecta las partes
internas del disposirivo activado por medio de la luz incidente en la compuerta
de éste, lleváridolo a saturaciôn. En la Fig. 9.26 se muéstra esta equivalencia. la
construcción interna y el sImbolo de este dispositivo.
Los datos adicionales que da el fabricante en estos dispositivos son: Ia res-
puesta espectral y la irradiación minima que asegura el disparo.

260
 9.5. DIODO CONTROLADO DE SILICTO ACTIVADO POR LUZ (LASCR)

kG
radación
comp cátodo 9 inodo

hi, 9

F otodiodo

uer1i

'K

Kt0d0

(a) (b) (c)

Figura 9.26: (a) construcción interna del LASCR; (b) equivalente del LASCR con dispositi-
vos discietos y fotodiodo; (c) sfmbolo del LASCR.

pm
9 DISP.O]vFOELECrRONICOSDEESTADOSOLlDO

Li [;MPLOS

Ejemplo 9.1. Se tienc una celda fotoconductora de US que presenta una resis-
tencia de 100 K2 cuando la irradiación es de 0.5 mW/cm2 . y una resistencia de
20 KR cuando la irradiación es de 20 mW/cm2 . Obtenga el valor de la resisten-
cia que presentará el dispositivo para cuando la iluminación sea de 200 mW/cm2 .
Grafique la variación de Ia resistencia, si la celda puede disipar 750 mW.

Solución:

Utilizando el modelo matcmático dado en la expresión (9.1.2) se pueden obte-

nerA y:
100 K2 = A(0.5)- 2,
20 K&2 = A(2O)-aa.

Entonces: 10
14
(0.5)
sustituyendo, se obtiene:

20X io ( 20 -a
0.5 )
Qfl5
=0.44.
n 40
sustituyendo el valor de a en 1a ecuación de .1 obtenernos:
A = 7371346(mW )'.
MW
262
 EJEMPLOS

Luego, en general, la resistencia del fotoconductor es:

R = 73 713.46 H0A4

AsI, para H = 200 mW/cm2

R = 7 162 U.

Tomando distmtos valores se puede obtener Ia gráfica de La Fig. E.9.1

Figuza E.9.1. Gráfica de La variaciOn de la resistencia con Ia mtensidad de la Iuz incidente

en La celda fotoconductora.

Ejemplo 9.2. Dados La celda fotoconductora del ejemplo anterior y el circuito

que se muestra, calcule La potencia que se disipa en ci foco en funciOn del voltaje
aplicado, considerando que el foco tiene una resistencia óhmica de 50 S2 y una
eficiencia de conversion de energIa eléctrica a energia luminosa de 10 por cien-

263
9 DISP. OFrOELECrRONICOS DE ESTADO SOLIDO

to, que es una fuente puntual de energIa y que la celda está separada 2 cm de la
fuente luminosa.
-I- 2 cm
4 pi

R
50 n/800 w

50 K luente puntual

= 100

(a)

Figura E.9.2.1: (a) diagram a de un regulador luminoso ; (b) esquema áptico siinuLado.

Solución:

Para obtener La irradiación sobre la celda se necesita que de la potencia eléctrica

que está disipando la lámpara se obtenga la potencia lummnica en W, y de
ahf, en función del area de La esfera de 2 cm de radio, se obtenga la irradiación
en W/cm2 .

Luego: P= RI2 = 50/ 2 (E.9.2.l)

La potencia luminica será 10 por ciento de la potencia eléctrica, es decir:

PL= 0.1P= 5J2 ; (E.9.2.2)

entonces, la irradiaciôn H estará dada por: (E.9.2.3)

- 12
4irr2 - 47rr2

112 0.099512 W/cm2 (a r= 2cm,

= ( E.9.2.4)
112 995/2 mW/cm2 .

264
 EJEMPLOS

La corriente de base estará dada por:

t;1B4Q R,h = R//Rx.
/ ______

T Vth th
R + R Ic
de donde:
V-
IB (E.9.2.5)
Re,,
RxV/(Rx+ R)— V
'B = RR/(R + R)
Vcc i 1
12 = R - + -a-) VBE. (E.9.2.6)
-a
Tomando en cuenta que 1c = 13I I, y que RX = AH = A(99.512 )-a , y susti-
tuyendo en la ecuaciOn (E.9.2.6), obtenemos:
_______
= j3 -p---
vcc IA(99.512 1a + +113T'E = 1, (E.9.2.7)

P= RI (E.9.2.8)

Luego, el procedimiento para obtener I será utilizar m&odos iterativos en la

ecuaciôn (E.9.2.7) y sustituir este valor en la ecuación (E.9.2.8), quedando
resuelto el problema. En esta forma se tienc Ia siguiente tabla:

Vcc(') 1(A) para 2 cm P(W) para 2 cm 1(A)para 1 cm P(W) para 1 cm

10 0.20 2.0 0,190 1.80
20 0.39 7.6 0.370 6.84
40 0.77 29.64 0.730 26.64
60 1.15 66.12 1.090 59.40
80 1.53 117.0 1.460 106.60
100 1.91 182.4 1.820 165.62
150 2.86 409.0 2.740 375.38
200 3.82 729.6 3.660 669.78
= 5f 2 = 397.9 12
4.2 mW/em2 @ r= 1 cm. (E.9.2.9)

265
9 [Link]'FOELECrRONICOSDEESTADOSOLIDO

Se aprecia en este sistema que al acercar la celda fotoconductora al foco se

reduce La potencia del mismo.

&

rn
4

2(

(V)
10 50 100 150

Figura E.9.2.2. Gthfica del eomportamiento del circuito del ejemplo tratado.

Asiinismo se observa que, si se quiere tener un mejor control, se requiere de

una celda de mayor sensibilidad que la que se está empleando.

Ejemplo 9.3. En un proceso industrial se tiene una máquina de secado de pin-

tura por radiación, tal como se muestra en la Fig. E.9.3.1:

Placa con
pintura frcca

Figura E.9.3.1. Proceso de secado de pintur4.

Si los operarios dejan la placa durante un tiempo fijo, sucede que en ocasio-
nes no se tiene La misma calidad porque la Ilnea que alimenta La lámpara está
variando mucho. Por tanto, se quiere diseflar un circuito que apague la lámpara
cuando se haya satisfecho la cantidad de irradiaciôn necesaria para Ia calidad
que se necesita y avise mediante una alarma luminosa. (Los tiempos de secado
varlan de 10 segundos a 60 segundos.)

266
 EJEMPLOS

Solución:
Filosofla del disego. Se sabe que una celda fotoconductora varfa su resistencia
con la irradiación que Ia excite. La irradiaciön cstá en funciôn cuadrática de las
variaciones del voltaje de la Ilnea y to que el sistema electrônico deberá contro-
tar es el tiempo que dure la irradiación; es decir, debemos mantener el producto
de irradfación por tiempo independiente del voltaje de linea. 0 sea:
I-Ipt = cte,
donde:
H es la irradiación sobre la pintura a secar.

Si la fotocelda se utiliza para cargar el condensador de un oscilador de rela-

jaciôn UJT, se puede pensar que:

iT

R2

Figura E.9.3.2. Circuito fundamental de un oscilador de relajación UJT (ver capItulo 7).

Del capltulo 7, considerando que el condensador se carga a partir de 0 V.

podemos escribir:

vc= V(1_eth1 C) (E.9.3. 1)

Cuando V. = q VBu + VD + VR 2 , entonces t = tc . Por lo tanto, sustituyendo
en la ecuación (E.9.3.1), obtenemos:
VB
tc = RCQn 1 (E.9.3.2)
- 77 - VD -
Si es la eficiencia luminica, es decir, qué tanto por ciento de la potencia
eléctrica en la Iárnpara se convierte en radiaciôn ütil sara ci proceso (pudiendo
ser radiación infrarroja o visible), RI, es hi resistencia de la lámpara al voltaje de
operaciOn i (se considera RL = cte) y aden'iãs se conoce que Ia intensidad de
irradiación es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia entre la

267
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SOUDO -

fuente lumiriosa y el objeto: entonces. la irradiación sobre La placa de pintura

sera; Ti 2 2
I -
H - E933
- " 47rd2 - 47rd2 RL •
Luego, para que Hptc sea una constante, se requiere que R vane inversa-
mente a V para que al efectuar el producto el voltaje de la lInea se cancele y
quede una constante.
En general la irradiación sobre la celda fotoconductora será:

Hc__ RI,—72 47rr2

(E.9.3.4)

donde 2 es la eficiencia luminica apropiada para la celda (normairnente

R, es la resistencia de la lámpara y VL es el voltaje de alimentación.
Luego:
- V2 - K.
R= Af-4 = A 72 RL 41rr2 =
( E.9.3.5)

Pci lo tanto se requiere buscar una celda fotoconductora que tenga un ex-
ponente ci unitario, lo cual no es tan difIcil dentro de celdas comerciales de
sulfuro de cadmio en que Ilegan a tener exponentes hasta de valor cuatro, expo-
nente que norrnalmente depende de la qulmica y la geometria del dispositivo.

Diseño. Se propone el siguiente circuito:

Il'-- -
Figura E.9.3,3. Circuito propuesto para ci control de secado de pintura.

268
 EJEMPLOS

110

Ldmpara

celda
fotoconductora
posidón
movd

Figura E.9.3.4. Montaje del proceso de seado de pintura.

En el montaje se puede cambiar la posiciôn de la celda fotoconductora,

cambiando con esto la resistencia que presenta la misma y variando en conse-
cuencia el tiempo de secado; sin embargo, al cambiar la posición se tendrá un
producto Hptc que permanecerá constante.
En este caso se diseflará la parte correspondiente al circuito donde se en-
cuentra la celda fotoconductora; el resto el lector puede hacerlo considerando
que en los capitulos anteriores se han dado las bases.
Si el UJT que se emplea tiene las siguientes caracteristicas-

77 = 0.65, RBB = 5 Kf2, VD = 0.8 V;

ci diodo Zener:

VZ =l5V@[Link] =[Link] =5Z,

Y la celda fotoconductora:
A=25ocl(W)a.
cm2
= 0.4, 72 = 0.05.

Para el circuito se propone R2 = 100 E2 .

En condicionesnormales VL = 120 V;R, = 13 Q yd= 20 cm.

269
9 DISP. OPTOELECRONICOS DE ESTADO SO LIDO

Por condiciones mecánicas y térmicas la rmmn jma es de 10 cm (ver Fig. E,9,3.4)

y el tiempo tcmffljmo que se desea es de 10 seg. Por lo tanto, determinando La
Rx de la fotocelda, en este caso tenemos:
(120)2
250
[0.05 13 X 47r X 10 2

R x = 5672.0 2.
De la ecuación (E.9.3.2) calculamos ci valor de C que nos permita tener on
ticmpo tCmInimo de 10 seg:
tCmmnimo
RQn [VB/(VB - - - V2)] ' (E.9.3.6)

Ya ue RBB > R2 , podemos considerar que r' 0.

[Link]: 10
C
= 5672 £n [151(15 - 0.65 X 15 - 0.8)] f

C 1450 ef se propone C= 1500 jLf@ 16 V.

Para que el tiempo sea de 60 seg, necesitamos que R sea 6 veces mayor a la
que se tiene (5672fl); esto se logra modificando la distancia entre la lampara
y la celda fotoconductora, es decir:
-1/2
r = 10(6) cm = 24.49 cm;

con lo cual se satisface el problema.

La potencia disipada en la lámpara es:

'L = VI/RL (E.9.3.7)

FL = (1202/13) W = 1107W.

Dc la ecuación (E.9.3.3) determinamos la irradiación H sobre La pintura: esto

es:
- 0.4(1107) W/cm
H 2 = 88 mW/cm2 .
4ir(20)2

La irradiación ya en La práctica se debe mejorar enormemente con reflecto-

res, con lo cual se lograrla un secado más rápido y uniforme.

270
 EJEMPLOS

Al operar el circuito, y debido a que los interruptores de botôn J e 12 están

conectados a la misma flecha (puede ser un solo interruptor de 2P1 T), se apaga
el SCR y se descarga C simultaneamente.

Ejemplo 9.4. Para el fotodiodo cuyas caracteristicas se muestran en la Fig. 9.11,

obtenga la ley de comportamiento (9.2.1) y verifique los resultados.
Solución:
Debido a que la expresión (9.2.1) tiene tres incógnitas, k, 4 y , haremos una
serie de ecuaciones simultãneas para encontrarlas, usando Los puntos:
a) V= 20V, 11= 9 mW/cm, 1= 200 x 106 A;
b) V= IOV, 11=9mW/cm2 , 1= 170X 10 A;
c) V= 40 V, H= 4 mW/cm2 , 1= 100 X 106 A;
d) V= 40 V, H= 2 mWk.m. 1= 57 X 10-6 A.
Luego, sustituyendo los puntos a) y b) en Ia expresión (9.2.1). obtenemos:
200 X 10 A = 4 + 9() (20) + 9k, (E.9.4.1)
170 X 10.4.= 4 + 9(r) (10) + 9k. (p.9.4.2)
Restando (E.9.4.2) de (E.9.4.1), queda:

30 X = 90
de donde:
= 0.33 x 10 6 (A-cm2 /mW-V).

Sustituyendo los puntos c) y ci), tenemos que:

100 x 106 = 4 + 4() (40) + 4k, (E.9.4.3)
57 X 10 = 4 + 2(r) (40) + 2k. (E.9.4.4)
Multiplicando (E.9,4.4) por dos y restando de (E.9.4.3), se obtiene:
= 14X 10-6 A.
Sustituyendo los valores de e 4 en (E.9.4.2), tenemos:

X 10 6 (A-cm2 JmW),
9
k= 14X 10 6 (Ac1n2 /mW).

271
9 [Link]

Luego, la ley que rige el comportamiento del diodo formado será:

1= (14X 10 6 + 14X 106 H+0.33X 106 HV)A.
Si checamos en algUn purito que no se haya considerado para el análisis se
obtendrá, por ejemplo:
H = 9 mW/cm2 , V = 30 V. I = 229)< I 0 A.
lo cual concuerda serisiblemente con la cm-va mostrada en la Fig. 9.11 y demues-
tra que el modelo matemático propuesto en la ecuaciôn (9.2. 1) es razonable-
mente aproximado.

Ejemplo 9.5. Se tiene un fotodiodo cuyas caracteristicas se muestran en la Fig.

E.9.5.1 y se quiere emplear este dispositivo como detector de información que
viene contenida en un haz luminoso de las siguientes caracterIsticas:
H = (4 + 2 sen wt) mW/cm2 ,
y se quiere obtener un voltaje pica de 10 V. Si w = 100,000 rad/seg. calcule Ia
impédancia de carga y el voltaje al cual se debe polarizar el diodo.

(&A)

450
400
16mWIcm
350

300
V

250
m W/cm 2
200
4-

c 15C 7.t -

100 -
_______ ______ _______ ______ - 4 mW/cm2

________
I
2 mWd
50 .kj-2 - - I

01 10 20 30 40 50 60 (V)

Vottaje de polarización

Figui-a E.9.S.1. Caracteristicas del fotodiodo a emplear.

272
 EJEMPLOS

Solución:

Proponiéndose inicialmente 30 V. el dispositivo debe polarizarse de la siguiente

forma:
VL = 30 V

Figura E.9.5.2. Polarizaciôn del fotodiodo para detección de la senal alterna.

Al observar las gráficas de Ia Fig. E.9.5. 1, se puede concluir que para tener una
salida pico de 10 V, con una variaciOn de 2 mW/cm 2 en la irradiación, esto es:
Si VD = 10 V, I= 67 IAA, H = 4 mW/cm2 ,

y VD = 20 V. I = 42 IAA, H = 2 mW/cm2 ,

entonces se requiere una resistencia de carga de:

-)O— 10
R= 12,
(67- 42) 10-6
R=400KTZ.

Si la impedancia R es solo de 400 K2 resistivos, entonces, para una fuente de

30 V, la recta de carga dana:

A.
400)< iO
1=75x 10r6 A.
Esta recta de carga se ye trazada en la Fig. E.9.5.1 y se puede apreciar que
no es convemente, pues dana mucha distorsiOn por la localizaciOn del punto de
operación. Para resolver el problema se propone situar el punto de operaciôn en:
VD = 20 V. I = 77 x 10-6 A. H = 4 mW/cm2

273
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SOLIDO

Finalmente, el voltaje 1'j de la fuente será:

VL = V+RI,
'j= (20+400000X 77x 10 6 )V,

entonces: l'j = 50.80 V.

Luego ci circuito final queda:

1, =50 V
I 11

400 Kc2

p
(20 + 10 sen wt) V

He -'

Figura E.9.5.3. Circuito final del detector a fotodiodo.

Ejemplo 9.6. Se tiene un circuito disenado para que la lánipara Sc encienda en

el momento en que la iluminaciOn empiece a decacr, de manera que cuando se
tenga maxima oscuridad la lámpara esté totalmente encendida. El fototransistor
empleado es el de la Fig. E.9.6.1, cuyas caracteristicas se muestran en la Fig.
E.9.6.2.

Lámpara

1+
1,13 = 20 V -
UJT
Ti
120 'rms
TRIAC 60 H.,
T11
Ti

Fob
I transistor

Figura E.9.6.1. Circuito de encendido proporcional a la ausencia de iluminación.

274
 EJEMPLOS

(mA)
10

de

09
2

1 Q1
110 mW/cm

Voltaje de colector-emisor
(NI

Figura E.9.6.2. CaracterIsticas estiticas del fototransistor empleado en el circuito de la Fig.

E.9.6. 1.

Solución:

Se puede diseflar ci circuito para que cuando se tenga oscuridad la frecuencia

del oscilador de relajaciôn sea elevada (comparada a los 60 Hz de la Ilnea de
a1imentaci6n) por ejemplo de 5 KIiz.
Si para el transistor UJT se tiene:
,=0.6, V0 =0.8V. V=3V

yyaque: Vpr1V B .

entonces: V, = 0.6 x 20 V= 12 V.
Si se quiere que la Iámpara esté siempre apagada cuando la irradiación sea de
10 mW/cm2 o mis, entonces La cafda en ci transistor Q debe ser de 12 V o
mis para no permitir que ci condensador se carguc mis arriba del voitaje pico y
cese La oscilación. Si se traza una recta de carga sobre las curvas del fototransis-
tor, con estos datos se obtendri:

'BB
J_to_
I

4x103 =s000a

Usando las expresiones del ejemplo 7.2 (capItulo 7), se tiene:

BB v/flaa — D

275
9 DISP. OPTOILECFRONICOS DE EST ADO SO LIDO

dedonde:
RJ2n[(V -
C= 95 X 10 f.

Se propone C= 0.1 Mf@ 25 V.

Para obtener la potencia en la lámpara al variar la irradiación se tiene que

sustituir ci fototransistor por su equivalente, obtenléndose para el circuito de
carga del condensador C, lo siguiente:

VB =20 V
_Lt VB - F/KR

= 0.! f
( 0.1 pt.

Fig. 9,6.3: (a) equivalente de carga para el condensador del oscilador de relajaciOn:(b) equi-
valente del circuito de (a) eliminando la fuente HK.

En la Fig. E.9.6.3-b se observa que el voltaje en ci condensador es:

VC = (V - HKR - V) (1 - e ('1?)+ VT ,, (E.9.6.1)

donde V, es el voitajc dc valle para ci transistor inonounión que se emplea en ci

oscilador de relajación.
Teniendo la ecuación (E.9.6.1) se puede obtener la frecuencia de oscilaciOn
en función de la irradiaciOn, y con esto el lector puede obtener la dependencia
de la potencia alimentada a una Idmpara dada en función de la irradiación sobre
el fototransistor.

276
 PREGUNTAS

PREGUNTAS
9.1 ,En qué consiste la fotoconductividad?

9.2 LCudles son los fenórnenos que se presentan en los materiales fotocon-
ductores que permiten la existencia de fotoconductividad?

9.3 A las radiaciones elect romagnéticas de frecuencias más pequeflas que las
correspond i ent es al espectro visible se les llama:

9.4 A las radiaciones electrornagnéticas de frecuencias rnás elevadas que las

del espectro visible se les llama:

9.5 ZCuAI es la unidad básica de intensidad lurninosa?

9.6 CuáI es la unidad básica de flujo luminoso?

9.7 ZCudl es la unidad básica de iluminación?

9.8 ZQu6 se entiende por iluminaciôn?

9.9 ZQu6 se entiende por irradiación?

9.10 ZCuAl es el sImbolo de una fotoresistencia?

9.11 LCuAl es la ley de corn portamiento de una fotoresistencia?

9.12 j,De qué depende la respuesta espectral de una celda fotoconductora?

277
9 DISP. OPTOELECTRONICOS DE

9.13 ,Es lo mismo fotoresistencia que celda fotoconductora?

9.14 LQu es la longitud de onda pico Xp?

9.15 ZCuAl es la [Link] fundamental en ci funcionamiento básico de una

celda fotoconductora y de un fotodiodo?

9.16 ZC6mo varla la corriente en un fotodiodo con la irradiacidn?

9.17 ,Cuá1 es la variación de corriente en un fotodiodo con ci voltaje de pola-

rizaciôn?

9.18 ZQu6 se entiende por corriente en la oscuridad en un fotodiodo?

9.19 ,Qué ventajas presenta un fotodiodo doble?

9.20 LQu6 es la sensibilidad a la irradiación?

9.21 1Cuál es la diferencia en el funcionamiento entre un diodo emisor de luz

y un fotodiodo?

9.22 ,Qué se entiende por un dispositivo de radiaciôn direccional?

9.23 Describa ci funcionamiento de un fototransistor en términos de tin foto-

diodo.

9.24 LQu& es un diodo controlado de silicio activado por iuz (LASCR)?

 PROBLEMAS

PROI3LIEMAS
9.1 Se tiene un circuito como el mostrado en La Fig. P;9. 1, cuyas caracteris-
ticas estáticas también se muestran. Calcule:
a) la intensidad de luz que se necesita para que V = 20 V;
) la potencia que disipa la celda fotoconductora, si 1', = 20 V.

R (n)
io

RI. =4K&2
iO

Vol
( ') I
io

102

10
1 10 102 103 104 cd-pie
(a)
(h)

Figura P.9.1 a) Circuito sirnF.c de excitación a una celda fotoconductora; (b) curvas carac-
teristicas de la celda fotoconductora.

9.2 El diodo cuyas curvas caracteristicas se muestran en la Fig. P.9.2-a, se co-

necta en el circuito que se muestra en la Fig. P.9.2-b. Calcule La curva de
transferencia de:
a) corriente contra intensidad luminosa;

279
9 [Link]-TOELECrRONICOS DE ESTADO SOLIDO

b) voltaje en el diodo contra intensidad luminosa, si RL = 10 2,

5 x 10 2, 2 X 104 g2, 0 2.

800

F.

0
VU
2000 40 V

U0
o II I -- corriente en la
obscuridad
0 10 20 30 40
voltaje inverso (V)
(a) (h)

Figura P.9.2. (a) Curva caracterIstica estática de un fotodiodo; (b) circuito simple con
fotodiodo.

9.3 Un fotodiodo con las caracterIsticas de la Fig. P.9.2-a, se utiliza en el cir-

cuito mostrado en la Fig. P.9.3. Calcule:
a) la iluminación necesaria para que I- = I mA;
b) la corriente J cuando Ia iluminación sea de 2 X 10' cd/pie2 .

V8 = 30 V

"IC

100

;jlicio

RL =50K
R L = 10 K

Figura P.9.3. Circuito polarizado con fotodiodo.

WK
 PROBLEMAS

9.4 Se tiene un fotodiodo que funciona de acuerdo con ]as caracteristicas

que se muestran y un circuito de comunicaciOn optica
(mA) maxima disipación de potencia
10 1 t I d

8 __
40 U\41
1 sen wt

- 2.5Kcz

-2 \ i+
MW;CM.2

10 MW/cM
19
4 8 12 16 20(V)

Figura P.9A.1. Curvas caracterlsticas del fotodiodo detector y del circuito empleado.

Considere que la energIa luminosa es el 20 por ciento de la energIa eléc-

trica que consume la lampara y que la fuente luminosa es puntual.
a) Si se quiere que el punto de operaciOn esté en V,, = 10 V, La qué dis-
tancia Sc deben colocar la lámpara y el fotodiodo?
b) Si el circuito polarizado segn el punto a) se excita con un
Ve sen wt = 2.5 sen 1207rt, ,cômo es V0 ?
c) Si se coloca un reflector tipo callón en la Iámpara, como se ilustra en
La Fig. P.9.4.2, que tenga una eficiencia de 80 por ciento y un dngulo
de dispersion de 100, hasta qué distancia se debe colocar La Iámpara
para que tenga el mismo punto de operación?
d) Para el caso c), si la sefial de excitaciôn es de 2.5 sen I 20irt, ,cómo
es

V. sen wt Reflector
it
call 11

20V
ION -
100

Figum P.9.4.2. Sistema de comunicacidn óptica con reflector.

281
9 D!SP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SO LIDO

9.5 Determine el valor de [Link] que encienda el

LED (1. = 1.7V; I,, = 20 mA).
Para el transistor bipolar 9 = 100: VBE = —0.6 V. 'Co = 0.

F
-J" LED

Fig P.9.5. Circuito excitador de LED piloto

9.6 Explique cOmo funciona el circuito de Ia Fig. 9.6 y determine los valores
adecuados de RR y Rc para quc la lámpara pueda encender cuando se
tenga ci pulso de S V en la entrada. Considere j3 = 100; ICO = 0;
V E.=O.7V;Jp =lOmA;L?.=1.7V;F'.E(S3) =O.3V.

+5V
+75 V

5 -410 Q2
C
0rL c : JLED
K
El

Ve ' L -------------I
B
F
I F
opto acoplador ) lAmpara
L (75 V. iOO mA)

Fig. P.9.6. Umpara de CD actuada por fotoacoplador.

282
 PROBLEMAS

9.7 a) Explique el funcionamiento del circuito de la Fig. P.9.7.

b) Determine los valores de las resistencias para que el circuito funcione
como se explicó en ci inciso a).
C) Proponga una aplicaciôn en la cual pueda utilizarse este circuito.
Vcc =5 V

R -------------- 1 I Rc

IV c 1
C LED2

T 2
/1J R '6

Fig P.M. LED de alarma actuada por interruptor de botón y fotoacoplador.

Considere p = 100, ! = 0, V at = 0.2 V. IF = 20 mAy VF = 1.7 V.

283
 DISP. OPTOELECTRONICOS DE ESTADO SOLIDO

RI BLIOGRAFIA

. DANCE, J. B. Photoelectronic Devices, London Iliffe Books Ltd. 1969.

. LARACH. SIMON. Photoelectron ics Material and Devices. Van Nostrand

Co. Inc. 1965.

• MILLMAN Y HALKIAZ. Dispositivos y Gircuitos Electrónicos, Editorial

Pirám ide.

a TEXAS INSTRUMENTS INC. The Optoelectronic Data Book.

284
Capitulo 10
EMISION ELECTRONICA EN METALES.

INTRODUCCION

Por lo general los metales son buenos conductores de la electricidad, y esto se

debe a que existe una gran cantidad de electrones libres dentro de ellos. En
todos los materiales los electrones que más contribuyen a la conducción de
electricidad son los de valencia, es decir, los que se encuentran en La Ultima
órbita; por ejemplo los de la plata y el cobre. Desde que se empezaron a realizar
experimentos en el siglo XIX, a los investigadores les preocupó encontrar algin
material en el que pudieran, mediante la acciOn de campos eléctricos y/o mag-
néticos, controlar el flujo de corriente eléctrica. Esta idea de un flujo controla-
ble les fascinaba por el gran potencial de aplicacior, que ya entonces Ic pronosti-
caban a un dispositivo de tal naturaleza, y precisamente el logro de estos dio
origen at campo de la ingenierIa conocido como elect rónica.
El primer paso importante en ci logro de un dispositivo de flujo electrónico
controlable fue dado por Thomas Alva Edison a fines del siglo XIX, cuando
construyô una iámpara incandescente e introdujo un electrodo, al que llamô
placa. —Teniendo mcandescente el filamento— aplicó una diferencia de poten-
cial entre dste y La placa, y pudo observar una corriente eléctrica. Edison no
lograba explicarse este fenómeno ya que sabia que la corriente eléctrica siempre
circula en un circuito cerrado y no habla ninguna conexión fIsica entre filamen-
to y placa. Este efecto es conocido como efecto Edison (Fig. 10.1).
Algunos aflos mãs tarde, H. Thomas desarrolla una teorfa que explica el
efecto Edison y da pie al desarrollo de los dispositivos que emplean este princi-
pio. AsI J. H. Fleming desarrolla ci diodo (que consiste de un filamento y una
placa); despuôs Lee de Forest introduce un tercer electrodo destinado a contro-
lar el flujo electrónico por medio del campo eléctrico aplicado.

285
10 EMISION ELECrRONICA EN META LE S

Figura 10.1, llustraciôn del efecto Edison.

Observando estos avances tecrioiôgicos, se piensa que debe haber alguna

forma de poder sacar electrones de un metal, y se encuentran varias, basadas
principalmente en los conceptos de la mecánica cuántica, desarrollada a princi-
pios de este siglo, las cuales originan [Link] que aumentan las aplicaciones
electrónicas.
Si se piensa en un material, en particular metálico, constituido por átomos
ligados que fornian moléculas y se piantea ci problema de cómo sacar electro-
nes de dste, casi inmediatamente se encuentran dos métodos.
a) For choque, es decir, ianzar una particula con mucha energia cindtica con-
tra el material, de manera que si dicha particula choca con algün electron,
lo saque de su Orbita y posiblemente del material.
b) Par radiación, Si se piensa que existe la dualidad onda-particula y que un
fotôn de energIa equivale a una particula con cierta energIa que viaja a la
velocidad de la luz.
Si se piensa que los electrones son partIculas cargadas negativamente, y se
considera la icy de Coulomb, de interacción entre partfculas, surge un tercer
método.
c) Par campo eléctrico, es decir, si a un metal se le coloca cerca un electrodo
que presenta una diferencia de potencial positiva muy grande respecto del
metal (cátodo), la fuerza coulombiana puede ser suficientemente grande
para que eventualmente atraiga algün o aigunos electrones del metal.
Ya que a OK los electrones no se rnueven dentro de la materia y que a
medida que la temperatura aumerita el movmiento de éstos tambiën aumenta.
se tiene un cuarto mdtodo de emitir electrones.

286
 INTRODUCCION

d) For ernisiôn térmica, es decir, al calentarse un material (metal) a una tempe-

ratura elevada, los electrones adquieren dentro de éste suficiente energfa y
pueden eventualmente escapar del metal.
Estos cuatro métodos de emisión electrOnica se conocen respectivamente
como:
a) emisión secundaria;
b) emfsjón fotoeléctrica;
c) emisión pot campo; y
d) emisión térmica o ter7noz6nica.
Los cuatro tipos de emisiôn se presentan en forma general en la Fig. lO..

Metal

etc Placa Metal

I I
II II.—.. Ae
Placa

Y
ctroncs
primarios I I w
'
I I

electrones
secundarios

4± T -III+

Emlsjón Emisión
Secundaria Fotoeléctrica

Metal Placa Metal Placa

i'I I
)1 I

t.1 I

calor
Emisiôn Emisión
por canipo Tcrmoiónica

Figura 10.2. Los cuatro métodos más comunes de emitir electrones tie un metal.

287
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES
En este capftulo se estudiarán con detalle estos tipos de emisiOn en el orden
siguiente: I) emisión termoiónica, 2) emisión por campo. 3) emisión secundaria
y 4) emisiôn fotoeléctrica.

10.1. EMISION TERMOIONICA

La emisiôn termoiónica es el proceso por medio del cual los electrones libera-
dos por efecto térmico escapan de la superficie de un material. Este fenómeno
es semejante a la evaporación del agua en el cual se despreriden o escapan mole-
culas de vapor de agua de la superficie de la misma cuando Csta se calienta.
La emisión termoiónica se presenta normalmente en metales, debido a que
por su constituciôn molecular tienen una gran densidad de electrones libres.
Cuando un metal se calienta. la densidad de electrones libres dentro de él
aumenta asi como la energIa cinética de los mismos, y puede presentarse el caso
estad Istico de que algunos electrones adquieran suficiente energfa para escapar
de Ia superficie del metal: si esto sucede, ci electron que escapa deja en el metal
un exceso de carga positiva conocida como carga imagen (Fig. 10.3). la cual
atrae al electrOn recién escapado y es necesario que la energia cinética del elec-
trôn venza la barrera de potencial electrostático para que se considere un
electron emitido.

Carga
imagen

0
Metal
01 electron
emitido

Figura 10.3. Electron al escapar de un metal. (a) Efecto de carga imagen; (b) potencial elec-
trostático cerca de la superficie.

Para analizar La emisión termoiOnica en metales se recordará el diagrama de

bandas de energfa de un metal (capItulo 2) tomo 1 tal como se muestra en la
Fig. 10.4.

288
 10.1. EMISION TERMOIONJCA

WO Tope de la banda de Valencia (B I')

• ;.-- :. :•: .•. Nivel de Fermi

E

Fondo de la banda de
conduccion (BC)

Fondo de La banda
de valencia

Figura 10.4. Diagrama de bandas de energia de un metal, donde se muestran Los mveles de
vacIo y de Fermi, las energIas se miden con respecto al fondo de La banda de conduccidn.

El fondo de la banda de conducciôn representa la energfa de un electron en

reposo dentro del metal y el nivel de vaclo representa la energia del electrOn
en reposo fuera del metal.
La diferencia de energIas entre el nivel de vac lo y el fondo de la banda de
conducciOn se conoce como W0 . El nivel de Fermi representa en metales a
T = 0 el más alto nivel energético ocupado, y a la energia minima necesaria
para extraer a T = 0 un electron del material —en este caso metal— se le llama
funciOn de trabajo 4. Por to tanto, puede decirse que:

h0 = 4) + E ,j . (10.1.1)

Para establecer el tratamiento matemático de la emisiOn termoiónica ana-

lizaremos ci caso idealizado simple, seg(tn lo propuesto por Richardson-flush-
man, el cual establece como puntos importantes los siguientes:
a) no se considera el efecto que produce una intensidad de campo sobre ci
cãtodo (efecto de carga imagen);
b) los electrones en ci metal se consideran dentro de un pozo de potencial de
altura finita R', tal como se muestra en la Fig. 10.5:

289
10 EMISION ELEeFRONICA EN METALES

E
S
Vx
e
e I Nivel de vaclo

h
Pozo de potencial
sin efecto de caiga
WO
IA
Pozo de
ünagen sobre el
metal.

potencial
//f/
considerando
EF ° el efecto de carga imagen
_____ sre el me. - -low x
p0

Figura 10.5 Pozo de potencial del Metal.

C) la superf"icie se considera homogénea, esto es, la funciân de trabajo en cada

pun to de ésta tendrá ci mismo valor;
d) todos los electrones con velocidades dentro del rartgo de velocidades de
escape son ernitidos del metal, esto es:

lfl 1, = W0 + mo v.

_ 1 (10 1 'I
- _- rrz0 v

I - I
-m0 v: = - m0 v

donde:
. :, v son componentes de velocidad para los electrones
dentro del cátodo,
'. i.. v son componentes de velocidad de los electrones fuera
del cátodo. y
filo Cs la masa del electron fibre.

290
 10.1. EMISION TERMOIONICA

Además es posible asegurar que:

WO —E=,
donde:
1 es del orden de eV, y
KT es del orden de meV:

por to tanto se puede tener:

W0 — EKT. (10.1.3)

Recordando de mecánica estadIstica que el nümero de estados permitidos

para los electrones dentro de un rango de velocidades igual a P. - (v + dv);
v - (vJ) + dv,) ;v - (v + dv),es:
y
2A0 vdt m
dS= dv,'dvdv. (10.1.4)
h3

Multiplicando la densidad de estados por la probabilidad de que estén ocu-

pados, es posible encontrar el námero de electrones dN dentro del rango dife-
rencial de velocidades que alcanzan un area A0 de La superficie en un tiempo dt,
con una velocidad v en la direcciôn x:

2 A0 m 3 v dt dv dv dv
dN=
V [1 + e(E - EF)KT]

Es conveniente considerar que Los electrones dentro del pozo tienen sOlo
energIa cinética, esto es:

(v +v +v). (10.1.6)

Sustituyendo las ecuaciones (10.1.2) y (10.1.6) en la ecuación (10.1.5),

todo en térrninos de la velocidad de Los electrones fuera del cátodo, se encuen-
tra que:
2 A0 m03 dt v, dvx dv dv,
dN =
h 3 [1 + e(mo m0 v +m0 v)/2KT e',, p)/'(Tj (10.1.7)

29
10 EMESLON ELECrRONICA EN MErALES

Considerando las expresiones (10.1.1) y (10.1.3) e integrando la ecuación

(10.1.7), se liega ala ecuaciôn siguiente:

f =
V
dN 2rn
A0 dt h3 eKT j Pe- m012KT dvr

Vy
eo 2KTd vy
f eo 1 ''

(10.1.8)

Al integrarla ecuación (10.1.8) se puede encontrar:

r_dN 2m eMT ( KT)(2KTir )J/2 (_2KTir )I2

JA0 dt = h 3
V
MO m0 MO

y finalmente tenemos:
f dN
A 0 dt =
4m0iiK2T2

Ii
e.
/KT (10.1.10)
V

La densidad de corriente electrónica es:

dN
is
f A0dt

is em0T2 C -/KT
= h3
(10.1.12)

La expresiOn (10. 1. 1 2) da precisamente la densidad de corriente termoióni-

ca deducida por Richardson-Dushman, conocida por lo tanto como ecuación de
Richardson-Dushman.
La ecuación (1 0. 1. I 2) resulta comn encontrarla expresada de la siguiente
forma:
= dA
-
Js — TT (•/XT
-lTJ (10.1.13)

292
 10.1. EMISION TERMOIONICA

donde:
4mirK 2 , A
= 1.2X 106 [ (10.1.14
h °K2 —m 2
La ecuaciôn (10. 1. 13) puede escribirse en forma más general considerando
que el coeficiente de transmisión de los electrones es diferente de uno y que
ademds la masa del electron m no siempre corresponde a La masa del electrOn
libre. Asi:
M*
Js = AT (—) r T' e 1t'T (10.1.15)
MO

10.1.1. Distribución de velocidad de los electrones emitidos

De las ecuaciones anteriores es posible determinar el nimero de electrones emi-

tidos por segundo con componentes de velocidad en cada una de las direcciones
x, y y z. De esta forma tenemos:

4mzrKT 2
- 2 P)/2 KT dvx,
dN = J3 (10.1.16)

MO V,
2
dN = -- em
is KT
d(_ (10.1.17:)
e 2KT

m0
dN = e_moj/2 KT dv • (10.1.18)
e 2KTir

dN = --- ) eoI KT dv: . (10.1.19)

e 2KTir

Conocidas las distribuciones de velocidades es posible determinar las veloci-

dades promedic de los electrones emitidos. utilizando la definición del valor
promedio de una funciOn fdentro de una distribución continua.

fdV
fN
(10.1.20)
dN
N
f
293
10 EMISION ELECRONICA EN METALES

AsI por elemplo, para determinar el valor promedio de la velocidad v, tenemos:

- = I e_m02KT
d(m0v

pnop
2KT
(10.1.21)

d()
2KT
j

2 KT ) 1l2
11 (10.1.22)
MO

Dc manera semejante pueden calcularse los valores de las velocidades:

-iy, i5z, vx, .

Con estos valores de velocidad promedio es posible calcular las energias

promedio de los electrones emitidos, teniéndose:

- 1 - 1 2
E =- m0 v --m0 vx (10.1.23)

En la ecuación anterior el resultado se explica considerando que en la direc-

ciôn de x la distribución no es maxweliana, ya que en esta dirección los electro-
nes más rápidos tienen mayor efecto que los lentos. En la dirección y y z las
distribuciones de velocidades si son maxwelianas, entonces:

- I - 1 2
— m0i',= — rn0 vy , (10.1.24)

F2 =- (10.1.25)

obteniéndose asi:

E=KT, E1 =-1—KT, E, KT, ET=2KT. (10.1.26)

294
 JUl. IMISION TERMOIONICA

Otra explicaciôn para lo anterior es la siguiente: en las direcciones y y z los

electrones se mueven en todo el espacio de -°° a + 00. mientras que en la direc-
ción x los electrones solo se mueven en la direcciOn de v, = 0 a +e, movimien-
to semiinfinito.

10.1.2. Efecto de enfrianiiento

Siempre que una superficie metálica esté emitiendo electrones, sufrirá de un

efecto de enfriamiento, ya que se requiere de una energia cleterminada para
extraer un electron de la superficie hasta el exterior. En esta forma, la potencia
total necesaria para extraer un nümero de electrones (Isle) de la superficie
metálica al exterior con una energfa promedio de 2 KT es:

Is (10.127)
PT= — ('1+2Kfl,

donde cada término de la ecuaciôn (10.1.27) significa:

(-i--) 1 Potencia necesaria para extraer (15 /e) electrones/seg con

energia nula.

Is 2 KT potencia debida a los electrones que no abandonaron

(—)
e Ia superficie metálica con encrgia nula. sino con energia
promedio de 2KT
PT potencia total.

Si la temperatura de la superficie metálica se mantiene constante, habrá que

suministrar una potencia de calefacciOn extra cuando empieza a emitir electro-
nes. Este efecto es observable a grandes corrientes de emisiôn termoiOnica y
frecuentemente es utilizado para medir funciones de trabajo en superficies
metálicas.

10i.3. Gráfica de la ecuaciOn de Richardson-Dushman

La ecuaciOn (10.1.13), conocida como ecuaciOn de Richard son-Dushman, que

sigue una Icy exponencial, es posible graficarla sobre papel semilogaritniico, y
de esta forma conocer indirectamente los valores de la funciOn de trabajo y de
la constante AT, involucrada en la ecuaciOn.

295
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES
AsIia ecuación (10.1.13) puede serexpresada en la forma siguiente:

(10. 1.28)
QnA
KT

La grafica de la ecuaciôn (10. 1.28) se muestra en Ia Fig. 10.6.

Js

Rango de temperatura donde es v1ith la

ccuación de Richardson, y cuyos valores
[Link] se obtienen on forma prictica.

- I

1/Ti I/T2 KQflAT/ - l/T

Figura 10.6. Gráfica de la ecuaciOn de Richardson-Dushman en un piano semilogarItmico.

En la ecuación de Richardson-Dushman ci valor teórico de la AT —ecuaciOn

(10.1.14)— no siempre coincide con el valor medido prácticarnente;una de las
razones fundarnentales de esta discrepancia se debe al efecto que produce una
variaciôn de temperatura en ci valor de la funciôn de trabajo, ademãs de que
resulta conveniente recordar que esta ecuaciôn se deduce en condiciones "casi"
ideales.
Por lo tanto, podemos proponer una variaciôn del valor de la función de
trab*jo con respecto a la temperatura, ci cual pueda ser considerado en la ecua-
cion de Richardson-Dushman para reducir al minirno ci error que se comete al
considerar ci valor de la constante AT .= 1.2 X 106 [A/(°K2 -m2 )]. Entonces:

'1'= o +eTct. (10.1.29)

dojxje:

296
 10_1. EMISIONTERMOIONICA

cPO es la función de trabajo medida a una cierta temperatura T0 ,

cD es la función de trabajo medida a La temperatura T.
es el coeficiente de temperatura, el cual puede ser negativo o
positivo, dependiendo del material de que se trate.

La ecuacjôn propuesta (10.1.29) solo es válida dentro de cierto rango de

temperatura, el cual se encuentra airededor del punto T0 . La Fig. 10.7 muestra
la variaciOn de La funciOn de trabajo con respecto a la temperatura.
Si sustituimos la ecuación (10.1.29) en Ia ecuación (10.1.13). es posible
tener la ecuaciOn de Richard son-Dushman considerando la variaciOn que tiene
la funciOn de trabajo con la temperatura T, quedando:

• eTO)/KT ,
JS = AT T 2 e( ( 10.1.30)

4 =AT T 2 eo r. (10.1.31)
donde:
A_Ae-ea/K . (10.1.32)

En la ecuación (10. 1.3 1) los valores de la constante A dependerán del

material usado.

en ci rgo de temperatura
T0 , la dcpendencia de
-- b con la temperatura
r puede aproximarse a
una forma lineal.
/ I
/ I

0 T(°C)

Figura 10.7. Dependencia de La funciôn de trabajo Dcon la temperatura. T.

297
10 EMISION ELERON1CA EN METALES
10,1.4. Efecto Schottky

Al deducir la ecuación de Richard son-Dushman no se tomó en cuenta el efecto

que producen la presencia de una carga imagen y un campo externo aplicado
sobre la superficie rnetálica (cátodo) sobre la barrera de potencial que yen los
electrones que son emitidos.
La variación en la barrera de potencial debido at efecto de la carga imagen
se presenta cuando un electron —e que sale de la superficie metálica (câtodo)
y se encuentra a una distancia x de la misma, sufre una atracciOn debido a la
existencia de una carga imagen +e presente a una distancia —x de la superficie.
La barrera de potencial debido a la carga imagen y la creaciOn de la misma carga
se muestran en las Figs. 10.8 y 10.9, respectivamente.
E Nivel de vaco (NV)

Variacion dc la
barrera de potencial
/

I E.

• — — — — — — — — — — — — — — — — ..
0

Figura 10.8. Variación de la barrera de potencial debido a la presencia de Ia carga imagen.

/ Metal

-e

Figura 10.9. Creaciôn de una carga imagen +e cuando se emite un electron —e de una super-
ficie metãlica caliente (cátodo).

298
 10. 1. EMISION TIRMO1ONICA

Si aplicamos un campo eléctrico externo sobre La superficie metálica, Ia

variación de la barrera de potencial puede ser aUn mayor, tal como se muestra
en las Figs. 10.10y 10.11.
En la Fig. 10.10 el campo eléctrico aplicado es tal que permite Ia reducciOn
de la barrera de potencial de los electrones emitidos, y en consecuencia Ia
reducciôn aparente de La función de trabajo de La superficie metálica, creando
un aumento en la densidad de corriente emitida por La misma.

E
Superficie ' Plam
NV methllca
- -
- -

CModo

1111+
.1'

() x VP
flh.i

Figura 10.10. Dismiriuciôn de la barrera de potencial debido a La presencia de un campo

e1ctrico aplicado. (Ver la reducción aparente que presenta la función de trabajo.)

En la Fig. 10.11 se muestra cómo se afecta La barrera de potencial cuando

el campo eléctrico aplicado crea una fuerza aceleradora hacia la superficie metá-
ljca (cátodo).

F o(x) -.

I:h11
- -- 4 ,'__\
[ Catodo
Wa
EF H
VP
0

Figura 10.11. Aumento de la barrera de potencial cuando se aplica un carnpo eIctrico exter-
no on of sentido de atracción de los electrones por la superficie metálica (citodo).

299
 0 EMISION ELECFRONICA EN METALES
Analizando el caso de la Fig. 10.1 0. en que existe una reducciôn de la barre-
ra de potencial en ancho y en altura, se tiene que la fuerza creada por la carga
imagen es:

e2
FE= 4ie (10.1.33)
0 (2x)2

En esta forma el trabajo necesario para ilevar un electrOn desde la superficie

hasta el infinito (lugar donde el cátodo ya no ejerce acciOn o efecto sobre ci
electron emitido) es:

e2 2
FEdX ()2
dx= . (10.1.34)
4e0
IX0 16e0x0

Es necesario aclarar que el ilmite inferior de la integral deberfa ser cero

(x = 0) y no (x = x0 ). Este cambio se debe a que al ser x = 0, resultarfa que ci
trabajo necesario para ilevar ci electron hasta infinito es infinito; para evitar
esto se utiiza un valor de x0 donde x0 tiende a cero, debido a que la carga ima-
gen al escapar ci electron no se presenta necesariarnente en la superficie.
De la ecuación (10.1.34) tenemos:

(10. 1.35)
- l6ire0 x0

De la Fig. 10.10 se tiene que:

+0 (x) es la barrera de potencial de los electrones sin campo externo apli-

cado, pero considerando la carga imagen;
4)(x) es la barrera de potencial de los electrones cuando se aplica un
campo externo sobre la superficie metãlica:
4) es la barrera de potencial de los electrones cuando no se considera
la carga imagen ni existe campo eléctrico aplicado;
4)mix es la función de trabajo (aparente) máxinia del cátodo cuando es
aplicado un campo electrico; y
Xmax es la distancia maxima en que ci electrOn ya no está bajo la atrac-
cion de La superficie metálica, cuando es aplicado un campo eléc-
trico externo.

300
 10. 1. EMISION TERMOIONICA

En esta forma Ia barrera de potencial que encuentran los electrones sin cam-
p0 externo aplicado es:
e2
(x)= 10 — (10.1.36)
l6ire0x

La ecuación (10. 1.36) cumple con ]as condiciones limites siguientes:

e2
paraxx0 , 4 0 (x)=4'— =0,
16 ir c0 x
e2
parax>x0 , (Do (x)=4-
l6ire0 x
parax=°°, 4 0 (x)=4.

Cuando se aplica un campo externo E. se tiene:

x)= D, (x) + 4)Ep (x), (10.1.37)
donde:
Ex) — —eXEp. (10.1.38)

Sustituyendo las ecuaciones (10.1.38) y (10. 1.36) en La ecuación (10.1.37),

queda:
e2
ct(x)=cF— —eEx. (10.1.39)
l6irc0x

Si derivamos la ecuación (10.1.39) y La igualamos a cero, será posible encontrar

un valor máximo de x en la cual La superficie metálica caliente deja de tener
influencia sobre el electron emitido:

d4 (x) e2 -~

.4 2
—eEx. (10.1.40)
Iulreox max

despejando de La ecuaciOn (10. 1.40) a xm i,, tenernos:

e 1/2
Xm( -) (10. 1.41)
I 6ire0 E

301
10 EMISION ELECrRONICA EN METALES
Al sustituir la ecuaciôn (10.1.41) en la ecuaciôn (10.1.39). pod emos calcular el
valor de Iax :
e eE
= Xmj= - ( ) (10.1.42)
2 7r C,

Analizando esta ecuación podemos concluir que la función de trabajo máxinia,

cuando existe un campo eléctrico aplicado, es menor que la función de trabajo
real del cátodo por un término proporcional al campo elctrico aplicado.

Si Ep =O, 4,=4'.

Sustituyendo La ecuaciôn (10. 1.42) en La ecuaciôn de Richardson-Dushman,

es posible deterrninar la densidad de corriente de emisiôn de una superficie me-
táLica caliente cuando existe un campo eléctrico aplicado sobre éste:
c
-(----)"2]/KT
Js = AT T2 ehu/KT = AT T 2 e[m
-
JS = AT T 2 e'mx/KT (e/2 KT) (eEp/,€o) "2 (10.1.43)

Si al término AT T 2 emáxIKT = J, le Ilamamos densidad termoiônica de

corriente con un campo eléctrico aplicado, y lo sustituimos en la expresiôn
(10.1.43), tenemos:

jSE ireO:,"2 ,
is ( 10.1.44)

sustituyendo constantes en La ecuación (10. 1.44) se tiene:

I (e)112 112
=0.44°K/(V/m) . ( 10.1.45)
2K ire0

Despejando SE de La ecuación (10.1 44) queda finalmente:

J e'(e12IcT) (eEp/iro)1'2
is = (10.1.46)
donde
JSE es la densidad de corriente termoiónica con un campo eléctrico
aplicado, observándose que la densidad de corriente aumenta at
aurnentar el campo aplicado E.

302
 10.2. EMISION POR CAMPO

10.2. EMISION POR CAMPO

Cuando La intensidad del campo eléctrico externo aplicado es rnuy grande, del
orden de 10' V/rn, se observa que el cátodo empieza a ernitir a la temperatura
ambiente. Este efecto es una consecuencia del carácter ondulatorio del electrOn.
Cuando Ia intensidad de campo eléctrico aplicado es rnuy grande, se modifi-
ca La barrera de potencial, tendiendo a disminuir apreciablemente el ancho de la
misma; debido a esto se presenta una probabiidad finita de que los electrones
atraviesen la barrera en lugar de remontarla. Este efecto es conocido corno efec-
to tune! (ver capItulo 3, torno I).

Figura 10.12. ModfficaciOn de la barrera de potencial cuando se aplica un campo elécti-ico

externo muy grande.

Sin considerar el efecto de carga imagen, el análisis se simplifica grandernente.

Los electrones en cualquier nivel tienen probabilidad finita de atravesar La barrera
de potencial; por esta razOn, y para un análisis más general, consideramos que
todos Los electrones con energias E pueden atravesar La barrera de potencial entre
XI y x2 cuyos valores son:

E(x 1 )=E ; x=x1 =0

E(x 2 )=E ; x=x 2

La aLtura de la barrera de potencial es:

4(x)= W0 — eEp x (10.2.1)

303
10 EMISION ELECFRON!CA EN METALES
En este momento la energfa que debe tener el electron para atravesar la
barrera es proporcionada por la atracciOn que emite el electron —e debido a
la fuerza creada por el Campo E aplicado.
De la Fig. 10.12 podemos obtener que 4 (x2 ) = E (x2 ) = E, por 10 tanto
sustituyendo en (10.2.1), se tiene:
W0 —E
X2 = -e (10.2.2)
eE

Mediante la teorfa WKB* se determina el coeficiente de transparencia de barreras

de potencial, en la forma:

r = exp[ -2 1 F(x)dx], (10.2.3)

J xi '/
donde: I (x) es Ia energfa potencial de la barrera comprendida entre x1 y x2 .
Dc la figura 10.13 tenemos.
4'(x)= W0 —E —eEx (10.2.4)

11

Figura 10.13. Barrera de potencial 4 (x) donde puede existir transparencia de la barrera para
os electrones.

A. Van dci ZkI, Solid State Physical Electronics.

304
 10.2 EMISION POR CAMPO

Para cualquier energfa E, W0 - E = CLI' es energfa potencial que tienen los

electrones que remontar sin considerar la debida al campo, sustituyendo la
ecuación (10.2.2) en laecuación (10.1.3) e integrando obtenemos:

W0 —
-+
E )3/2
I- = exp [-j J (10.2.5)
h2
eEp

De forma análoga a lo que se hizo en la ecuaciOn de Richard son-Dushman,

obtenemos la densidad de corriente de electrones emitidos por campo eléctrico
intenso, esto es, se tiene la densidad de estados en términos de la cantidad de
movimiento (dentro de un rango de momentos en que los electrones pueden
atravesar la barrera). Multiplicando esta densidad de estados por la probabilidad
de que ellos crucen la barrera, o sea por el coeficiente de transparencia y con-
siderando la dirección x e integrando, obtenemos la densidad de corriente de
electrones que atraviesan la barrera de potencial:

2e -
J= ____ r (ps) dp dp dp (1 0.2.6)
m0

eEp 4 2m0
) 1/2
(LI 1312
exp - 1 (10.2.7)
- 87rh43 [--j h2
eE

Cuando se consiclera el efecto de carga imagen se observa que La ecuación

(10.2.7) es aCm más complicada.

10.2.1. MICROSCOPIO DE EMISION POR CAMPO (APLICACION DIRECTA

DE LA EMISION POR CAMPO)

En este microscopio se aplica una tensiOn del orden de 10-20 KV entre una fina
punta metálica de radio r y una pantalla fluorescente de radio R, siendo r con-
céntrica a R. La distribuciOn de potencial es esférica y los electrones emitidos
por la punta metálica se mueven radialmente. La geometrIa esférica da un factor
de amplificaciOn de R/r. logrando gran poder de resoluciOn, lo que permite
observar moléculas individuales.

Este microscopio es muy Citil en el estudio de superficies, y además permite

la mediciOn exacta de funciones de trabajo de casos cristalinos individuales, lo
cual se realiza en Ia siguiente forma: los átomos existentes en el medio se ionizan

305
10 EMISION ELECfRONICA EN META LES

con los electrones que viajan, estos átomos ionizados chocan con la superficie
metálica siendo absorbidos por ella y, dependiendo de su funciOn de trabajo,
reducen o aumentan la funciOn de trabajo de la superficie. Ya que un leve
carnbio en Ia funciOn de trabajo provoca un camblo apreciable en La densidad
de corriente J. se pueden observar en La pantalla puntos de mayor o menor
intensidad.
ip
A
*
III

Punta - - - - -
metálica R
- - -
Pantalla
fluorescente

Figura 10.14. flustración del concepto de microscopio de emisión por campo.

10.3. EMISION SECUNDARIA

Otro tipo de emisión que ocupa un papel importante en el comportamiento de las

válvulas al, vaclo es La emisión secundaria, la cual ocurre cuando una superficie
es bombardeada con electrones o jones de velocidad apreciable. Un electron o
ion al cizocar con la superficie puede liberar uno o rnás electrones secundarios,
sin que esto viole las leyes de conservaciOn de la energia, pues los electrones
secundarios tienen por lo general una velocidad menor que los electrones inciden-
tes o priPnarios.
Las caracterfsticas de emisión secundaria de los materiales se miden con un
aparato similar al que se muestra en la siguiente figura 10.15.
- (4)
K ::(2)

I-
(I) Placaaceleradora
fJ: 4 (2) Electrones primaxios
(3) Electrones
(4) Material
'KA
1'3
Tl +'K 1 '3•
2LI i
VR

Figwa 10. IS. Aparato para medir las caracteristicas de emisiôn secundaria en materiales.

KO
 10.3. EMISION SECUNDARIA

Se define como S a la razón de emisión secundaria, y está dada por:

- corrente de electrones secundarios.
- corriente de electrones primarios
= corriente de electrones secundarios,
'K - 13 corriente de electronesprimanosque alcanzan el material bajo prueba,
12
S= (10.3.1)
'K 13

0.3.1. Variación de Is emisión secundaria con el potencial

de los electrones primarios
Es lógico pensar que a medida que el potencial de los electrones primarios
aumenta, la cantidad de electrones secundarios emitidos por el material en
estudio tainbién aumenta; sin embargo esta hipótesis serfa siempre válida silos
electrones incidentes tuvieran colisiones sOlo en la superficie, pero sucede que a
medida que éstos Began a! material con mayor velocidad, penetran a mayor pro-
fundidad dentro de éste, y los electrones que liberan en ocasiones no Began a la
superficie con la suficiente energf a para salir, pudiéndose presentar los siguientes
casos (fig. 10.16).
a) colisiOn superficial, se pueden emitir uno o varios electrones secundarios.
b) colisión poco profunda, hay probabilidad de que los electrones sean
emitidos, y
c) colisiôn profunda, los electrones secundarios tienen poca probabilidad de
salir y su energf a se transforma en calor por mUltiples colisiones dentro
del material.

electthn electron electrOn

/ emitido / emitido no emitido
BICD CD
CD
CD
D 88'8
cc D
(a) (c)

Figura 10.16. Casos de colisiones de electrones a alta velocidad.

La Fig. 10.17 muestra las caracterfsticas de emisión secundaria de diferentes

materiales en donde se puede apreciar un aumento y luego una disminuciôn
debida a los electrones de muy alta velocidad.

307
10 EMSION ELECTRONICA EN METALES
De Las caracterfsticas de emisiOn secundaria (Fig. 10.17) vemos que el
coeficiente S es mayor que uno para algunos materiales y ciertos potenciales, lo
que quiere decir que un electron incidente puede dar lugar a varios electrones
emitidos pero debe hacerse notar que la fuente de electrones secundarios es la
superficie del material, por lo que puede concluirse que también existirán varia-
clones de la emisiOn secundaria con el ángulo de incidencia del haz de electrones
primarios, debido a que estará variando la profundidad de penetraciOn.

2.5
'0
: 2.0

1.5
C Tungsteno
.9 -
C,
1.0 bZ— oore
I
Hierro
0.5 n------ carga del
I
- 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
electrwi
(eV)
EnergIa de electrones primarios

Figura 10.17. Caracteristicas de emisión secundaria para materiales al variar el potencial de

los electrones primarios.

La Fig. 10.18 muestra cómo el ángulo de incidencia del haz primario afecta
a la cantidad de electrones secundarios emitidos.

ángulo
2.0 900 de
700 J."incider
1.5
600
1.0 8
480

0.5 00

Superficie
200 400 600 800 1000 1200 1400 (eV)

Figura 10.18. Variación de La crnisión secundaria con el ángu!o de incidencia.

308
 10.3. EMISION SECUNDARIA

La vanación de Ia emisión secundaria con el dngulo de mcidencia, se ha

encontrado que sigue una ley exponencial de la forma:

S= S j(' -cosø) paraE> 200e (10.3.2)

donde:

S0 es la razón de emisiOn secundaria para e = 0,

S en la razón de emisión secundaria, y

P es el coeficiente que aumenta con la energfa de los electrones

primarios y es proporcional a su penetración.

La Fig. 10.19 muestra la variación del coeficiente de emisiOn secundaria

con respecto al porcentaje de energfa de los electrones secundarios. En esta
figura la energfa de los electrones secundarios se expresa como un porcentaje de
Ia energIa de los primarios:

Figura 10.19. Variación de la emisión secundaria con la energfa de los eIectronessectiiidario.

I. Un 90 por ciento de los electrones emitidos tienen energias menores a

20 por ciento de la energfa de los electrones primarios.
11. Un 7 por ciento tiene energfas comprendidas entre 20 y 98 por ciento
de Ia energfa de los electrones primarios.
III. Un 3 por ciento de electrones secundarios tiene energIas niayores al
98 por ciento de la energfa de los electrones primarios (esto se debe a
que en realidad no son electrones secundarios sino electrones primarios
que rebotan en la superflcie).

309
10 EMISION ELECI'RONICA EN MrTALES

10.4. FOTO EMISION

10.4.1. Efecto fotoeléctrico

Cuando una radiación efectromagnética (luz visible, rayos X, rayos infrarrojos,

luz ultravioleta, etc.) incide sobre un metal que se encuentra en el vacIo, se
puede lograr la emisión de electrones, los cuales pueden recolectarse mediante
una placa, como Jo muestra la Fig. 10.20.

Radiación
incidente
A
I
PISCS
C====— I
.1 Vg
+
—s— ,
Rejai ip

t'kr1"f
CItoclo
J electrones
emit idos

Figura 10.20. Diagrama esquemático de un aparato usado para la determinación y estudio

del efecto fotoeléctrico.

Experimentairnente se observó que algunos metales no emiten electrones

con luces rojas, mientras que con luces azules y violetas si, aunque la intensidad
de los tres fuera Ia misma; este fenOmeno no se pudo explicar hasta 1905, en
que Albert Einstein, haciendo uso de los postulados de la mecánica cuántica,
propuso un modelo como el que se ilustra en la Fig. 10.2 1, en el cual se considera
que el electron dentro del metal tiene una energIa menor que si estuviera en el
vacfo.

rfj

Figura 10.21. Modeto propuesto por Einstein para explicar el efecto fotoeléctrico.

310
- 10.4. FOTOEMISION

Luego, la energfa que un electrOn debe absorber del fotOn para podervencer
La barrera de potencial es:
h
2ir
Asi, cuando La radiaciOn es de mayor frecuencia (violenta mayor que rojo)
aumentará La cantidad de electrones fotoemitidos. La energfa con que los
electrones son fotoemitidos será La que el electrOn mantenga despus de vencer
la barrera de potencial, es decir:

h h
K0 =--- w-40 =----( w—w0 ). (10.4.2)
27r

Si Sc quiere determinar el valor de La funciOn de trabajo del metal bajo

prueba, es sendilo lograrlo con el dispositivo mostrado en La Fig. 10.22. Se
aplica un voltaje V1 de un valor tal que La corriente de La placa sea cero, el vol-
taje V1 es proporcional a la frecuencia (w - w0 ); si se conoce w (frecuencia
incidente), es posible determinar el valor de la frecuencia w0 , y asi el valor de la
funciOn de trabajo (I;

hw Jiw0
(10.4.3)
2,r
Después de lograda la emisiOn, el aumento de Ia corriente de placa dependerá
de La mtensidad o del nümero de cuantos del rayo incidente, como lo ilustra La
Fig. 10.22.

(CV)

Figura 10.22. Efecto de La corriente de placa al aplicar el voltaje de reja Vg.

311
10 EMISION ELECrRONICA EN METALES
El proceso de fotoemisión puede dividirse en dos partes que deben trararse
en forma separada:

1) el proceso de producción, en el cual la energfa del fotón es transmitida

a los electrones del cristal: y
2) el proceso de escape, en el cual los electrones de la red cristalina que
poseen un exceso de energfa (E> 4k,) pueden escapar de la superficie,
siempre que ileven una componente de velocidad normal a ésta.

Es importante conocer la cantidad de impulso que es absorbido por la red

cristalina y por Ia superficie del cristal. Para poder determinarlo se considera
que los electrones son libres, es decir, un electron que viaja hacia la superficie
del cristal tendrá una energfa cinética igual a:

E=41— m0v (101.4)

y su cantidad de rnovimiento será:

p=mov. (10.4.5)

El mismo electron al salir del cristal tendrá una velocidad distinta i' de la
que inicialmente trafa. Luego:

= E - W0
= ~ rn0v$ (10.4.6)

vr
P'm0 (104.7)

v 2 =--(E—W0) (10.4.8)

= [2,iz (E— W0 )J 1 ' 2 . (10.4.9)

AsI ci carnbio de movimiento al salir de la superficie es:

p - p= (2m0E)"2 - [2m0 (E - W0 )]"2 . (10.4.10)

312
 10.4. FOTOEMISION

Este cambjo de movimiento es el impulso absorbido por la red cristalina y

varIa,

desde np = ( 2m0 E)"2 , para E

hasta: Ap - 0, para E -*

10.4.2. Eficiencia fotoeléctrica

Se entiende por eficiencia Jbtoeléctrica la can tidad de electrones emit/dos por

cuanto incidente. AsI, Si Ufl material emite 30 electrones por cada 100 cuantos
incidentes, se dice que tiene una eficiencia fotoeléctrica del 30 por ciento.
La cant/dad de electrones emit/dos de un material está compuesta de los
emttidos superficialmente mds los emit/dos volumétricamente. La emisiOn super-
ficial depende de la polarizaciOn de la radiaciOn incidente; las superificies
compuestas tienen eficiencias entre 10 y 30 por ciento, mientras que los materia-
les sencillos Regan hasta un 2 por ciento solamente.

hw 11 IV

electron
emitido electrOn
- emitjdo

Metal Metal
EmisiOn superficial EmisiOn volumOtrica

Figura 10.23. Emisión fotoeléctrica superficial y volumétrica.

En Ia emisión volumtrica se ye que la velocidad con la que sale el electron

no es igual (ni en direcciOn m en magnitud) a la que ci mismo electrOn tiene al
Ilegar a la superficie. La emisiOn fotoeléctrica debida a la fotoemisiOn volume-
trica es siempre menor a 50 por ciento, porque igual probabilidad existe para
un electron de viajar a la superficie que hacia adentro del material. Para que un
electrOn salga de la superficie es necesario que:

E=m0 (v 2 +Vy 2 +v 2 ); 10.4.11)

313
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES

entonces:

-i-- m0 v 2 > W0 .

Si la velocidad del electron tiene un Angulo 8 con la. superficie,

=V case (10.4.12)

i_m0v2 cos2 q> WO (10.4.12)

(10.4.13)

Podemos definir un ángulo lImite 80 tal que:

Cos 90= (..!Q.)1/2 (10.4.14)

E
La condiciOn se reduce a:

cos 0> cos 0, porlo que 8<80 . ( 10.4.15)

Por lo tan to escaparán aquellos electrones que Regan a la superficie con una
energfa cinética E y un angulo menor a 00, tal que:

8<80 = ang COS (__)h/ 2 (10.4.16)

E

Dado que los electrones que ilegan a Ia superficie tienen una distribuciOn
uniforme en cuanto a dirección se refiere, es entonces necesario saber qué por-
centaje de la superficie cae dentro de esta condiciOn. Asf considerando el area
del angulo sOlido de la figura 10.24 tenemos:

A8 = longitud del arco en radianes.

area = d 12 = r sen e de d

314
 10.4. FOTOEMISION

Area

Figura 10.24. Area del ingulo sólido, donde r dO es la longitud del arco en radianes.

Si se escoge un cfrculo de radio unitario,

f fO'
e
dS= senOd8
J 0
d4= 2ir (1 —cos90 ); (10.4.17)

El porcentaje del area total será:

Area del ángulosalido 2 i (1 — Cos e0 )

1 - cosO4 , ( 10.4.18)
area del hemisferio = 2w

Encontrándose que Jos electrones que ilegan a la superficie con una energfa
cintica E> W0 tienen una probabilidad de escapar de:

P(E)= I — COS O0 = [ 1 —(W0 /E)1' 2 J (10.4.19)

Esta ecuación se comprueba para los casos limites, esto es:

P(E)-'0; cuandoE=W0
P(E)-1 ; cuandoE=o

315
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES
Ejemplo:

Si,W0 = 10eV, E—W0 = 1eV,

P(E)= [I —(10/1l)'],

P(E) = 0.047.

En conclusion, se ye que la probabilidad es grande sOlo con energfas grandes;

por lo general, la eficiencia fotoeléctrica en el efecto volumétrico es pequefia.

Ir
 ['JEMPLOS

EJ EMPLOS

Ejemplo 10.1 ZCuintoseV debe cambiar la Iunción de trabajo de unasuperficie

para que se produzca una reducción del 17 por ciento en la emisión termoiônica
a una temperatura de 2 000° K?

Soluc iOn
Utilizando la ecuaciôn de Richardson-Dushman, tenemos:

is 1 = AT 72 e1T (E.10.1.1)

AT T2 e2T , ( E.10.1.2)

sustituyendo (E. 10. 1) en (E.10.1.2) ten emos:

AT T2 e2/T = 0.83 AT T2 el/KT (E.10.1.3)

Js2 =

e2T,
J2 = 0.83 Js, = Ar T2 (E.10.1.4)

Despejando - 4) 2 de la ecuación (E.10.1.4), tenemos:

12
= Qn 0.83, (E.1O.1.5)
KT

317
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES

I - 2 = KT fn 0.83, ([Link].l.6)

- - 8.62 X 10 X 2 X 10 n 0.83 eV

4 —4 2 =- 0.0328eV,

Aib = - 0.0328 eV. (E.l0.17)

Del resultado de la ecuación (E. 10. 1.7) se observa que Ia función de trabajo
12 es mayor que la funciOn de trabajo , lo cual es lOgico ya que 0 2 causa
una reducciOn en la emisión termoiónica.

4 + 0.0328 eV. (E.10.1.8)

Ejemplo 10.2. ZQu6 fracción de Los electrones emitidos de una superficie metálica
tiene velocidades perpendicutares a ésta y energias menores que la energfa
promedio KT?

Solución

Si dN es La fracciôn de electrones emitidos por segundo con una compo-

nente de velocidad en La direcciôn x entre v y v + dY,

dN - 2
emo l x t2KT
d( 2KT
my2
(E.10.2.1)

La fracciôn de electrones emitidos en la dirección x con energias menores que

KT se obtiene integrando la ecuaciOn (E.I0.2.I). desde v = = 0 hasta
)1/2.
= (2KT/m0

f
(2KT/ m0 )U' 2
j5 tfl°V 2
d(_
Nx 2KT
00
-
'2
(E. 10.2.2)
fl (J V -.

d( 2KT

318
 EJEMPLOS

Integrando La ecuaciOn (E. 10.2.2) y sustituyendo limites de integraciôn obtene-

mos:

- 16,1"OvX12KT
Jo
1(2KT/m0)1'2
(E. 10.2.3)
[emo12KTj 00

e 1 —e°
= =1—e 1 ,
N e— e 1 (E. 10. 2.4)

iV 1
= 1 -- = 0.63
NI r e

Ejemplo 10.3. Un cátodo tiene un area de 0.10cm2 yes operado a T= 1000°K

obteniéndose una corriente continua de 0.5A. Suponiendo una funciOn de tra-
bajo de 1.5 eV, calcular la potencia de calefacción extra necesaria para compen-
sar Ia pérdida de calor debida a La emisión de electrones.

Solución:
4) 2K?'
), (E.10.3.1)
e e

Sustituyendo los datos en la ecuación (E.10.3.I) obtenemos:

P=0.5(1.5+2X 8.62X 10 X 10)

P= 0.84W.

Ejemplo 10.4. Un cierto citodo a temperatura de 1 700'K proporciona una den-

sidad de corriente de 0.5A/cm' ; ,..uando La temperatura se aumenta a 2 500'K,
la densidad de corriente cambia a 4 A/cm2 . Determine la funciôn de trabajo
promedio del cátodo y el coeficiente de temperatura.

319
10 EMISION ELEcFRONICA EN METALES
Solucióii:

Utilizando la ecuación de Richardson-Dushman y tomando en cuenta la

variaciOn que tiene la funciôn de trabajo con la temperatura, tenemos:

is = AT T
c41KT1 = AT T e0T1 eK (E.l0.4.l)

e1K
J 2 = '4r T eX2T2 = AT T (E. 10.4.2)

Usando las ecuaciones (E.10.4.1) y (E.10.4.2) obtenemos un sistema de 2

ecuaciones con 2 incOgnitas, cF0 y a.

J1 =A Ti &c)o/KTj , ( E. 10.4.3)

JS2 =A T2 e01!CT2 ([Link].4.4)

donde:

A. =AT e (E.10.4.5)

Relacionando las ecuaciones (E.10.4.3) y (E.10.4.4) se tiene:

= Js1
T_ )2 eT2 -
(_
T1) 410/(T2 Ti)K

(E. 10.4.6)
De la ecuaciôn (E. 10.4.6) despejamos la funciôn de trabajo 4:
KT, T2 •'S2 T1 (E.10.4.7)
° = Rn
T2 —T1 1
J 1 7
y sustituyendo datos en la ecuaciôn (E. 10.4.7), se obtiene:

8.62X 10 X 1.7X 103 X 2.5X 10 4(1.7X 103)2

21. eV.
2.5X 10 - 1.7X 10 0.5(2.5X 103)2

320
 EJEMPLOS

0.6138 eV. (E.10.4.8)

De la ecuación (E. 10.4.3), despejanios A en función de :

is I
A. = - e (E.10.4.9)

Con las ecuaciones (F. 10.4.5) y (E.10.4.9) podernos determinar el valor de a:

a=—K(Qn + ); (E.10.4.10)
AT fl Kr1
sustituyendo datos en la ecuaciôn anterior, tenemos:

0.5 0.6138
Cl = —8.62X 10 [Qn + eV,
120x (1.7X 103)2 8.62x 1 x 1.7x l0

a= 1.39X 10-s eV/'K. (E.l0.4.1 1)

Pot Ultimo, resulta conveniente calcular los valores de 4,1 y F2 :

= <F0 + a (E. 10.4.12)

<F =(0.6138+ 1.39X 10 X 1.7X 103 )eV,

= 2.98 eV.

= <F +a (E. 10.4. 13)

(0.6138 + 1.39 X 10 X 2.5 X 10) eV,
4)2 = 4.09 eV.
En este problema es posible observar que la temperatura puede niodificar
bastante el valor de la funcion de trabajo del cátodo.

321
10 EMISION ELECrRONICA EN METALES
Ejemplo 10.5. Calcular la emisiôn termoiônica teôrica (densidad de corriente)
para ci tungsteno a 2 500'K y compare con el valor prãctico de J = 0.5 A/cm2 .
La función de trabajo del tungsteno es igual a 4.5 eV.

Solución:

Js=ArT 2 e (E.I0.5.l)

donde:

AT= 1.2X 102 A/(°K— cm' ),

sustituyendo datos, tenemos:

1 03 )2 e-451(2.5 X 103 X 8.62 X 10) A/cm2

's = 1.2 X 102 X (2.5 X

Is = 0.64 A/cm2

El valor calculado teOricamente resulta mayor que el experimental, debido

a que en Ia ecuaciOn de Richardson-Duslunan no se ha introducido el efecto del
coeficiente de temperatura sobre la funciôn de trabajo.

Ejemplo 10.6. Considere un cierto cátodo a T = 3 000° K, y determine el valor

de La función de trabajo de la superficie catôdica si a esta temperatura tiene una
emision 8 000 veces mayor que a T = 2 000° K.

SoIuciOn:

-/K Ti
is e , (E.10.6.1)

donde:

-0/K
'1T =A e , (E.10.6.2)

di
./KT2
i2 = 8 x I0 = A;. e , ( E.10.6.3)

322
 EJEMPLOS

Relacionando la ecuación (E.10.6.1) con la (E.10.6.3), se tiene:

-4'/KT1 -4'/KT2
(8X 103 )A. T e = A fl e , (E. 10-6.4)

y despejando 4 de Ia ecuación (E.10.6.4), obtenemos:

KT, T, T
4= 2n18X IO (__)2]. (E.10.6.5)
T2 —T j T2

Sustituyendo datos en la ecuaciOn (E.10.6.5), tenemos:

8.62X 10 X 6X 106 2x 103 )2

Qn(8X 10 J eV,
103 3X 10

4 = 4.25 eV.

EjempLo 10.7. Si la temperatura de un filamento de tungsteno cambia de

2 0000 K a 2 100' K, ,qué tanto pot ciento cam biará la corriente de emisiôn?
Solución;

-4/KT1
is I = A j fl e , (E.I0.7.I)

is = A. i' (E.10.7.2)

Relacionando las ecuaciones (E.10.7.l) y (E.10.7.2), se tiene:

is 1 - -4(T1 - T2)fKT1 T2 ,
(T1 1T 2 )2 e (E.10.7.3)
is -

323
10 EM1S0N ELECFRONICA EN METALES
y sustituyendo datos se tiene:

is 2 X 10
e
4s X 10 X 4.2X 106
2.1X103
JS 2

i
s = 0.26, siendo Js el 26 por ciento del valor de 1s 2 .
Js2

is2
3.82, siendo JS el 382 por ciento del valor de
is'

Ejemplo 10.8. Un diodo tiene un cátodo de recubrimientos de óxidos que tra-

baja a una temperatura de 1000* K, con una tensiOn de placa igual a cern, siendo
la corriente de placa prácticamcnte nula, mdicando esto que el potencial de
contacto es suficientemente elevado como para, impedir que la mayorfa de los
electrones ileguen a la placa. Si se aplica una tensiOn progresiva hasta que aparece
una pequefia corriente, demuestre que la corriente aumenta haciéndose 10 veces
mayor por cada 0.2V de incremento en el potencial de placa.

Solución:
En la emisiOn termoiOnica un potencial de placa aplicado puede tener un efecto
de aumento o reducciOn de la barrera de potencial de los electrones de cátodo;
asf, si aplicamos la ecuaciOn de Richardson y considerando el campo en el
cátodo debido al potencial de placa, podemos escribir:

-(4' . eV)/K7'
Js = AT T 2 e (E.10.8.1)

En esta forma resulta sencillo conocer la influencia que el potencial aplicado

tiene en la corriente de emisiOn: para V = 0 la emisiOn resulta ser cero, debido
a que la temperatura no es suficiente para lograr que los electrones emitidos ile-
guen a la placa; a medida que el potencial en la placa empieza a aumentar, los
electrones pueden ilegar a ella.

-4'/KT eV/KT,
= AT T 2 e e ( E.l0.8.2)

324
 EJEMPLOS

eV/KT
e (E.10.8.2)

eV/KT
= e , (E.10.8.3)
is

JS V 0.2/(862 X 10 -' 10 )
----=e
is

is
= 10.18 10.
is

Ejemplo 10.9. Un diodo consiste de placas paralelas separadas 0.01m, con una
diferencia de potencial aplicado de 1200 V. Encuentre:

a) el campo en el cátodo;
b) la distancia x,,.,
c) la cantidad que disminuye la función de trabajo debida at campo externo

d) el porcentaje de incrernento en la corriente emitida a T = 1 500° K.

SoluciOn:

-* VP
a) E= d (E. 10.9.1

-e 1200
EP = 10-2 V/rn,

E= 1.2X 10 V/rn.

325
10 EMIStON ELECfRONICA EN MFrALES
e )112 ,
b) =( (E. 10.9.2)
16 7r e, Ep
1.6X IO )I/
XmjX
16X 8.85X 102 x 3.14x 1.2X 10

x,,,dx 10-8 m.
-
e eEp I2
C) - móx ) , (E. 10.9.3)
=

1.6X 10 X 1.2X io
- mix = eV,
4 X 3.14 x 8.85 X 1012 )h/2

41 - •,O.Ol3eV.

0.44 (Ep) 12/T

1SE 1S C ([Link].9.4)

i
s -O44(E)13 IT
=e
JSE
0.44(1.2X 105)U2/1300
is
=e
1SE

is
= 0.8894
SE

JS es el 88.94 por ciento de 1Sf•

326
 EJEMPLOS

Ejemplo 10.10. Encuentre el campo Ep en la superficie de un filamento de

tungsteno a T = 2500 K, que hace decrecer 8 por ciento La función de trabajo.
Determine el aumento en por ciento de la comente termoiômca y la maxima
distancia que ci electrén puede recorrer sin poder escapar de la influencia del
catodo.

SoIucIón

e eE )1/2
, (E.10.10.1)
ire0

-+1/2 •_ 'mäx
E (E.10.10.2)
=

(A 0)2
E ' (E.10.I0.3)
(e/2)2 (c/ire0

(45 414)2 (1.6 x 10.19)2

V/rn,
Ep = (1.6 X 10.19 /2)2 (1.6 x 10 19 /3.14x 8.85 x 1(.12)

E=9.0O5x 107 V/rn.

Sustituyendo el valor de Ep en La ecuaciôn de la densidad de corriente 1SE'

tenernos:

0.44 (EP) 112 IT

1SE=1S e , (E.10.i0.4)

0.44(9.005 x 107)1/2,2.5 X 103

1SE =1e

1SE = 5.31 J

327
10 EMISION ELECTRONICA EN MErALES

SE aumenta Un 531 por ciento con respecto aJs cuando es aplicado el campo
eléctrico E,

e 1/2
Xmdx = ( _ (E.10. 10.5)
16ire0 Ep

1.6x 1019 )I/2 In,

Xmax
16 x 3.14 x 8.85 x 10 x 9.005 x 10

Xmdx = 2 X 10 m.

Para distancias menores a Xmáx = 2 X 10 rn, el electron está bajo la in-

fluencia del cátodo.

Ejemplo 10.11. El cátodo de una fotocelda es iluminado con longitud de onda

de 5860A. Si se aplica un potencial de placa de 1.2V (negativo con respecto al
cátodo), se logra una corriente en la placa de OA.

a) calcule la funciOn de trabajo del cátodo;

b) si la placa es positiva con respecto al cátodo, ,cuá1 Cs la maxima longitud de
onda que puede producir comente en la fotocelda?

Solución:

a)

X= 5860A= 5.86x 107 in,

Xv = C. (F.b.I 1.1)
C
(E.I0.I 1.2)

- 3X108
Hz= 5.1 X 1014 Hz,
5.86X 10

E + hu = W0 + EC , (E.. 10. 11.3)

328
 EJEMPLOS

donde:

Ec es la energIa ciri&ica de los electrones fuera del cátodo:

Ec + 4) = h v. (E.10.11.4)

Despejando de La ecuaciôn anterior a la funciOn de trabajo:

(E. 10. 11.5)

(D = E(6.64X 10 X 5.1 X 1014 )/1.6X 10" —1.2] eV,

b)

Sihv=4)

entonces:
Ii C
A

despejando X , tenemos:
Ii C
(EAO.1l.6)

4.14x 10's x 3x 10 A
0.91

X = 13.65 x 10 m = 13650A

X = 13.65>< 10" m = 13650A

Ejemplo 10.12. Una fotocelda tiene electrodos de diferentes metales; luz mono-
cromãtica de longitud de onda de 3000A incide en ci electrodo A y requiere de
un potencial de 1.7V para que la corriente que fluya sea cero; si incide sobre B,
el potencial necesario para esto es de 1.25V. Determine Las funciones de trabajo
de ambos metales e ilustre las relaciones de energia en forma gráfica.

329
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES
Solución:

A = 3000A = 3 X 10 m,
C
U =-,
A
3 x 108
V Hz,

v = 10 Hz,

ki = hv — EcA , (E.10.12.1)

= It u - ECB. (E. 10. 12.2)

Sustituyendo datos en las ecuaciones (E. 10.12.1) y (E. 10.12.2), tenemos:

(4.14— 1.7)eV,
4)4 = 2.44 eV,

= (4.14— 1.25) eV,

= 2.89 eV.
h
\V NV NV

w Nivelde
Fermi

J Ni
z.

B> 'A

Figura E.1O.12. Diagramas de energia de los metalesA yB.

330
 EJEMPLOS

Ejemplo 10.13.

Determinar la velocidad maxima con que serail emitidos los fotoelectrones (en
caso de serlo), cuando se hace incidir una radiacion de 5893A sobre:

a) Una superficie de cesio, cuya funciOn de trabajo es de 1.8 eV.

b) Una superficie de plutonio, cuya funcion de trabajo es de 6 eV.
C) Repetir los calculos anteriores cuando la radiaciOn incidente es de 743A.

Solucion:

eV= hu —(1) , (E.10.13.1)

La ecuacion (E.10.13.1) nos indica cual es la energfa con que los electrones
son fotoemitidos y de esta es posible calcular la velocidad con que escapan;
sustituyendo valores, se tiene:

a) Para el caso del cesio: eVcsi = hf1 — 'tics (E.I0.13.2)

4.14 X 10' s X 3X 108

1.8) eV = 0.31 eV
5.893 X 10-7

eVcsi = 0.31 eV

Conociendo la energia de los electrones fuera del catodo podemos deter-

mnar la velocidad de estos de la forma siguiente:

2
M o V es
_ (E.10.13.3)
2

2e Vcs,
vcs = (E.10.13.4)

331
10 EMISION ELECTRONICA EN METALES

2 X 0.31 X 1.6 X 10'9

vCs, = )v2 m/seg.
9.11 X 10'

Cs I = 0.33 X 106 m/seg.

h) Como puede observarse, Ia energia hf 1 = 2.11 eV, no es suficiente para

lograr que la superficie del platino emita.

c) Para A2 = 743A = 743 X 10-'°m.

Para el cesio:

e 1 s 2 = 111'2 (E. 1 0.13.5)

4.14x 10" X 3X 108

e 1 C2 1.8) e_V = 14.92 eV
743 x 10'

e V, = 14.92 eV

La velocidad vcs para esta frecuencia sera:

2e Pc's,
— (E.10.13 .6)

2x 14.92x 1.6x 10'9

cs 2 = (• )" m/seg.
9.1 X 10-3i

cs 2 = 2.29 X 106 m/seg.

332
 LIEMPLOS

Para el caso del platino esta longitud de onda X2 = 743A sf logra emitir
electrones, asf entonces la velocidad de los electrones fotoemitidos sera:

eVpt Ilf2 cPpt (E.10.13.7)

4.14X 10's X 3X 108

— 6.0 ) eV = 10.76 eV
743X 10-1°

eVpi = 10.76 eV e Vpr = 10.76 eV

por lo tanto la velocidad de los electrones emitidos para el platino sera:

Vpt
Pt = ( 112
) (E.10.13.8)
in

2 X 10.76 X 1.6 X 10-"

v—( )2m/seg.
9.1 X 10-3'

6
pt = 1' 95 x 10 m/seg.
P

333
10 EMIS1ON ELECTRON1CA EN METALLS

PREGUNTAS
10.1 LQue importancia tiene la ecuaciOn de Richardson-Dushman en la emisiOn
termoionica?
10.2 LA que se debe la modificaci6n de la barrera de potencial en el efecto
Schottky?
10.3 LPor que resulta necesario suministrar energfa a un catodo en emisi6n?
10.4 ,De que formas es posible medir experimentalrnente la funciOn de traba-
jo de un material?
10.5 Mencione las causas por las cuales el valor de la constante AT de la earn-
cion de Richardson varfa.
10.6 LQue consideraciones se toman en cuenta en el efecto Schottky?
10.7 ,Como se afecta la densidad de corriente de un material en emision cuando
se aplica un campo extern° Ii?
10.8 LComo afecta la funciOn de trabajo de un material a la densidad de
corriente termoionica?
10.9 Si desea construir un dispositivo con una determinada densidad de corrien-
te maxima. Lque criteria debera, de emplear para escoger el material del
catodo?
10.10 Lamm se ye afectado un catodo en emisi6n Si no se encuentra al vacfo?
10.11 ,En que consiste la emisiOn secundaria?
10.12 Defina el coeficiente de emision secundaria.
10.13 Explique, Lpor que los electronos que mas contribuyen a la emisiOn secun-
daria son los de la superficie del material en emisiOn?
10.14. LEn que consiste la emisiOn fotoelectrica?

334
 PRI,GUNTAS

10.15. zQue es el efecto fotoelectrico?

10.16 Defina la eficiencia fotoe16ctrica.

335
10 EMISION ELECTRON ICA EN METALES

l'ItORL EM AS
10.1 Determine el campo electric° aplicado que reduce la funciOn de trabajo
de una superficie metalica en 0.25 eV.
10.2 i,Cual es la fracciOn de electrones que son emitidos de un metal con
velocidades normales a la superficie y energfas- mayores que la energfa
promedio KT?
10.3 Si la funciOn de trabajo varfa de la forma 43= + aT, determine el valor
de a que hace que la emisiOn termoiOnica se reduzca en un 27%.
10.4 Un catodo de una fotocelda tiene una funcion de trabajo (I) = 4.5 eV.
Cual es la velocidad maxima de los electrones emitidos cuando la celda
se radfa con luz de frecuencia igual a 4 X 10'5 Hz.
10.5 i,Cual debe ser la intensidad de campo electric° aplicado a un catodo de
tungsteno que se encuentra trabajando a 2 300°K para que la funciOn
de trabajo se reduzca en un 5%? Sual sera el porcentaje de aumento en
la emision termoionica bajo estas circunstancias? i,Cual es la distancia
maxima perpendicular a la superficie que el electron emitido puede via-
jar sin que se asegure que este ha sido realmente emitido?
10.6 Pruebe que el enfriamiento de un catodo termionico debido a la emisiOn
de electrones esti dado por (I/e) ((I) + 2 KT).
10.7 i,Cuanta potencia debe suministrarse a un catodo que tenga una funciOn
de trabajo de 2eV, para mantenerlo a 1 200° K, si el area del catodo es de
1.8 cm2 y se considera el caso ideal en que los electrones con energfas
iguales o mayores que E + (I) puede escapar de este?

336
 PROBLEMAS

10.8 Encuentre la maxima velocidad con la cual los electrones serdn emitidos
(si es que existe la emisiOn) cuando una radiaciOn de longitud de onda
de 6 000A incide sobre:
a) Una superficie de cesio con una fund& de trabajo de 1.8 eV.
b) Una superficie de platino para la cual la funciOn de trabajo es de (.0
eV.
10.9 Una cierta superficie metalica tiene sensitividad espectral de 6 mAJW
cuando incide radiacion "e 2 000A. LCudntos electrones seran emitidos
fotoelectricamente por un pulso de radiacion de 25 000 fotones de la
longitud de onda mencionada?
10.10 Para remover un electron de un material metalico se requiere que este
tenga una energia cinetica de 10e\'. a) Si un electron tiene el 90% de
estd energfa. LQue tan lejos llegara de la superficie?
10.11 Calcule la densidad de corriente de una superficie frfa de tungsteno,
emitida por el efecto de campo electric° aplicado:
a) Si el campo electric° aplicado es lOg Vim.
b) Si el campo electrico aplicado es 109 Wm.
e) Si el campo electric() aplicado es 10") Wm.
Considere que la funcion de trabajo del tungsteno es de 501.
10 EMISION ELECTRON ICA EN METALES

BIBLIOGRAFIA

• C.L. HEMENWAY, A.W. HENRY, M. CAULTON; MILEY, Physical Electro-

nics.
• ALDERT VAN DER ZIEL, Electronica del estado solid°. PHI (1972).
• JACOB MILLMAN, PH. D., SAMUEL SEELY, PH. D., Electronics, second
edition, International Student Edition, McGraw-Hill.
Capitulo 11
DISPOSITIVOS AL VACIO

INTRODUCCION

Se ha dicho que al igual que los alquimistas de la Had Media buscaban afanosa-
mente la "piedra filosofal" para convertir cualquier metal en oro, los primeros
investigadores en materia eléctrica buscaban tener un dispositivo al que le pu-
dieran controlar ci flujo dc corriente eléctrica mediante la aplicaciôn de alguna
excitaciôn externa (campo eléctrico. campo magnético, radiación, etc). Con el
estudio del fenóm'mo de emisión termoiónica se desarrollaron los tubos al
vacio (válvulas al vacIo), pues se considerô que si era posible emitir electrones
de un metal al calentarlo y éstos tenfan que viajar una distancia para encontrar
el electrodo positivo que los atrala (placa), en el espacio interelectródico se
podrfa de alguna manera controlar el flujo, lo cual resultó cierto y se desarrollO
la recnologfa de los dispositii'os a! vacz'o.
Los electrodos que forman tin tubo al vacio se encuentran encerrados en el
interior de un recipienle de vidrio al que se le ha practicado un alto vacio
(aproximad amen te 10 mm, de mercurio).
Uno de los electrodos, Ilamado cdtodo (metal que al calentarse emite electro-
nes), puede ser de calentamiento directo o indirecto. En el primer caso puede ser
wolframio, tungsteno puro, wolframio toriado, niquel o una de sus aleaciones
recubiertas de óxido de barb. estroncio o 6a1cio. Las temperaturas de operaciôn
están airededor de 15000 K. las cuales se logran haciendo pasar una corriente a
travs del cátodo. En los tubos de calentamiento indirecto el cátodo no es re-
corrido por la corriente de calefacciOn, sino que ésta circula por Ufl filamento
aislado del cátodo, denominado filamento calefactor Fig. 11 .I; este filamento
1

queda rodeado por un cilindro de nfquel sobre el que se deposita la capa emisiva
(ôxidos de barb, estroncio, etc.), que constituye el cátodo propiamente dicho.
Los tubos de calefacción indirecta tienen un mejor rend imiento y una inercia
aIorffica más pequel"ia, siendo casi instantánea su emisión; desgraciadamente a

339
 DISPOSITIVOS AL VACIO

veces provocn zumbidos debidos a la red, cuando se alimenta ci filamento emi-

sor con corriente alterna, por 10 cual se utilizan raramente en los aparatos alimen-
tados por corriente alterna (CA). Par el contrario, son frecuenternente usados en
aparatos alimentados por bateria, a pesar de que en este caso es preciso compensar
la desigualdad de potencia en ci câtodo como consecuencia de la caida de tension
en el filamento. Esta Cs una de las razones por las cualesla tension de calefacción
se mntiene en un valor tan reducido como sea posibie (varIa entre 1.4 y 2 V).
La Fig. 11.2 muestra las representaciones simbôlicas de estos dos tipos de
citod OS.
L'atOdo

IF F1
()
catodo
,t N

[:jl ameflto
caicta etor

(b)

T Figura 11.2: (a) cãtodo de calentamiento

directo; (b) cátodo de calentamiento in-
Figura I.I. Cátodo de calentamiento indirecto directo.

En el desarroilo de este capitulo utilizaremos sOlo citodos de calentamiento

indirecto, donde el filamento calefactor F1 y F2 no se representará, siendo nor-
rualmente alterna la tensiOn que se aplica. Ia cual viene dada por el fabricante
(normalrnente 6.3 V en valor eficaz. (Ver Fig. Ii .3.)
aItodo (K)

Fgura 11.3; (a) tension aplicada al fiiamento calefactor; (b) representaci6n normalmente
usada para ci cátodo.

340
 I LI. DIODO AL VACIO

La placa de la Fig. 11.4 es una envolvente metálica cuya rnisiôn es la de reci-

bir todos los eleLtrones que puedan liegar hasta r1la. donde la energia cinética
de éstos se transforma en energIa calorifica. La placa no debe sobrecalentarse Iii
mucho menos ponerse al rojo vivo, ya que en este caso se producirfa una emisión
secundaria que siempre es preciso evitar. Debido a esto. las placas se hacen de
metales que radien fácilmcnte el calor, tales como tántalo y molibdeno, que
pueden disipar de 2 a 3.5 W/cm2 . Para los tubos de gran potencia, las placas van
provistas de aletas de refrigeraciOn que aunientan la superficie de disipacidn del
calor puede también usarse una circulaciôn de agua destilada que aumenta la
disipaciOn en vanas decenas de W/cm2 .

p :odo

fflanierit

Figura 11 .4. Muestra del cátodo, filarnento calefactor y placa de un tubo al vacfo.

11.1 DI000ALVACLO

introducción

El dispositivo al vacfo mais simple que se conoce es ci diodo al vacfo, ci cmii

consta de dos electrodos Ilamados diodo y placa. Cuando ci cátodo del diodo
está frio, los elcctrodos constituyen una pequefla capacitancia (de unos cuantos
zf). ('on el cdtodo caliente y la polarizaeiôn debida. la placa conduce con carac-
terfstica no-lineal, aun para corrientes de placa considerubleniente meriores a su
valor de saturaciOn. Esta no-linealidad es resultado de una nube de electrones
(liamada carga espacial) que se acumula cerca del cätodo y reduce ci potencial
cercano a éste, a un valor igual o menor que ci del cátodo.
El análisis del diodo es sencillo, cuando se considera que ci cdtodo y la pla-
ca son superficics planas, paraletas poco separadas, en donde ci campo eléctrico
es perpendicular a todos los puntos de los ekctrodos. Este andlisis resu]ta vãlido
para geometrias más complicadas.

341
11 DISPOSITIVOS AL
1 .1 .1. Rdaciones de voltaje y corriente

La Fig. 11.5 muestra la geornetria de un diodo planar; elpotencialencadapunto

entre el cátodo y la placa dependera de x,hajo diferentes condiciones de opera-
don.

Figura 11.5. Diodo piano paral&o.

Si el cdtodo estd frfo, la emisión termoidnica es despreciable y la densidad

de carga espacio p entre cdtodo y placa es cero.
La ecuaciOn de Poisson relaciona la variación del potencial con la densidad
de carga que éste genera; recordando esto, podemos calcular la variación del
potencial entre cátodo y placa cuando no existe emisión de electrones y cuando
SI existe.
d2V(x) &_;
dx

Si: p = 0 (emisión electrónica nula, cdtodo frio)

d2 V(x)
=0,
dx2

dV(x) -
dx

V(x)=C'x. (11.1.3)

Para determinar la constante C habrá que aplicar condiciones de frontera:

,ara x=0 . v=o.

x=d V= V,,

342
 ill. DODO AL VACIO

Aplicando estas condiciones de frontera en la ecuaciOn (11.1.3.i queda:

V(x)= VpK ==a: (11.1.4)

sustituyendo el valor de la constante en la ecuación (11 .1 .3),

VPK

La gráfica de la ecuación (11.1.5) es lineal y se presenta en La Fig. 11.6.

Figura 11.6. VariaciOn del potencial

entre ctodo y placa de an diodo
planar al vacfo cuando no existe
emisidn electrdnica.

Las relaciones de voltaje y corriente de un diodo planar en el cual SI existe

carga eléctrica entre cátodo y placa se determinari mediante un tratamiento
matemático simple, el cual es una aproxiniación de la solución rigurosa a La
ecuación de Poisson.
En La deducción de la expresiôn de la corriente de un diodo planar al vacIo
tendremos en cuenta los siguientes puntos;
a) ía ecuaciOn de Poisson,

d2V(x) -- p(x)
dx2 - p(x) O;

b) ía ley de conservación de ía cnerg(a,

eV(x)=___mv2(x)

c) la icy de conservación de la corriente o flufo constante Na densidad de co-

rriente es independiente de x)
J= p(x)v(x) (1 1.1.8)

343
11 DISPOSITIVO AL V ACIO

ci) (as condiciones de frontera, las cuales pueden establecerse en cuarro distintos
('lSOS,

0 d V00 0, (11.1.9)
1) x .
x=d,

x=0 . 11=0. VJ.J

7> dV(x)
11)
dx >0. (11.1.10)
-. A r._.
- '-
r X —0
V PR
111) x= 0. V=0, dV(x)
(11.1.11)
dx
xzd. V=V1.
IV) x=0 4 V=0, dV(x) TIPK
dx > d . (11.1.12)
x=0
x=d,

Usando Las ecuaciones (11.1.6), (11.1.7) y (11.1.8). y las condiciones de

frontera (11.1.9), se obtiene:
de la ecuación (11.1.7),
V(X)1112
v(x) - [(2e/m)
sustituyendo en (11.1.8), se tiene
1/2
.1 = p(x) [(2e/ni) V(x)]
de donde:
= J
P(X)
[(2dm) V(x)1

SuctitLlyendo Ia eeuación (11.1. 14) en la (11.1.6).

d2 V() J
dx 2 = - €0 [(2e/m)V(x)}
Si Ilamarnos q = c/rn
dV(x)
dv 2 [2 71

344
 ill. DIODO ALVACIG

Multiplicando ambos miembros de la ccuación (11.1,15) por el térrnino

2dV(x)/dx, e integrando eon respecto a x, se tierie:

2dV(x) - 2J dV(x)
1/2 '(x)112
dx dx2 - eo dx

d r dV(x) ]2 = - 2J
d [2V(x'l"2]
dx dx e0 (2rj)112

dV(x) 2 4f - 1/2
1/2 1'(x) +C 4
dx e0 (2)

iso I. Region limitada por la carga espacio

Aplicando las condiciones de frontera (11. 1.9) ala ecuaciOn 11.1.16), tenemos:

x=O, V=O,

= 0, dV(x) I
x=0 dx

y por lo tanto La constante C1 resulta ser cero. En esta forma:

dV(x) 4J
V(x)114
112
dx = 1- e0(2)1/2
I
integrando nuevarnente La ecuaciôn (11.1.17),

]1/2
V(x) / 4 dV(x) = F- (2)12 dx ,
e,,, (277)

)31
4. V(x 4 ()
j 1/2 } 1/2 X+ (' 2

Aplicando nuevamente condiciones de frontera a La ecuación (11.1.18),

x = 0, V = 0, se tiene que C2 = 0
asf, La ecuación (11.1.18) queda

)3/4 - 4J 1/2
V(x- - 1- 1/2 1 x
e(2ii)

345
11DISPOSITIVOS AL VACTO
De l.a ecuaciOn (11.1.19) despejarnos la densidad de corriente J que existe en-
tre cátodo y placa,
4€ 3,2
12 V(x)
J=— (21)

Si sustituirnos los valores de las constantes y efectuamos Las operaciones, se tiene:

3/2
J=-2.33x 10_6 '(x) (A/rn2 ). (11.1.21)

Esta Ultima ecuaciOn 0 1. 1 .21) se conoce como ecuación de Langmuir-Child.

El signo de la ecuación (11.1.21) significa que la corriente convencional
fluye en la dirección de —x.
La densidad de corriente en la placa será:

V(x) PK , x=d;
1 x= d =V TI 3 12
rpx
J=-2.33X 10_6 (A/rn 2 ).
d2

De las ecuaciones (11.1.21) y (11.1.22) es posible obtener el potencial

corno una funciôn de x. cuando La densidad de carga espacial es difèrente de
cero y la densidad de corriente es constante:

X 4/3
V(x) =(---) VPK (11.1.23)

Si graficamos la ecuación (11.1 .23), se obtiene Ia Fig. 11.7.

£ V(x)

Figura 11.7. Gráfica del potencial cuando hay densidad de [Link] entre cátodo y placa
de un diodo planar al vacfo.

346
 11.1. DIODO AL VAC!0

Al observar la ecuaciOn (11.1.22), se tiene que Si V - , entonces4K 00,

lo cual no es posible puesto que la fuente de electrones es el cátodo y la maxima
densidad de corriente que se le puede extraer está dada por la ecuaciôn de Ri-
chardson-Dushman. Por Jo tanto:
v K3/2 '1s = ATe1'1(T).
JPK--2.33X 106 (11.1.24)

En un tubo diodo al vacIo de caracteristicas comerciales se tiene una geo-

metrIa de construccjOn ya establecida y el valor de d2 es constante; por lo
tanto, la ecuaci6n(11.1.24) se puede escribir como:

PK = —k 2 = AT 2 etcT). (11.1.25)

Graficando la ecuación (11.1.25), voltaje contra corriente (considerando

una unidad de area), se obtiene la Fig. 11.8.

'PX ,.. Region limitada por

/ la ecuaciOn
II Ic
-7
de saturaciOn
de Richaxdson-
I P - Dushmann

RegiOn limitada por

laecuación
de Langmulachild

--
vFK
0

Figura 11.8. Caracter(stica de V-I para un diodo tipico a! Vaciu, para diferentes temperaturas.

Caso III. Velocidad inicicii finita

Si en la ecuaciôn (11.1.16) aplicamos las condiciones de frontera para ci caso III
(11.1.11), se tiene:
dV
x=O, V=O, i- =—a, (11. 1.26)
X
x=O
x=d, VPK

347
 DISPOSITIVOS AL VACIO

La constante c1 resulta ser C1 = a2

dV(x)
{E - e0 (Lfl) F (x )1 1/2 + a2 } 1/2 , (11,1.27)
dx =

dV(x) = [C 3 V(x)t" 2 + a2]2 , donde C3 = - 4J (11.1.28)

dx E(217)

Aplicando el método de integración de variables separadas y efectuando un

112
cambio de variable u = V(x) , se tiene:

2u du (11.1.29)
=dx.
(C3 u +
Integrando la ecuación (11.1.29), queda:
A. (C3 u_2a2)(C3 u+a 2 )' 2 =x+ C2 (11.1.30)
3C3
y sustituyendo el valor de u = V(x) 12 y las condiciones de frontera (x = 0,
V(x) = 0), obtenemos el valor de la constante C2 :
8a3
C2 - F .
sustituyendo (11.1.31) en (11.1.30) queda:
9x2C_16C3V(x)3 - [48xa3 +48a 2 V(x)]=0;

despejando a C3 , se tiene:
1/2
= —16 V(x)3' 2 ± 256 V(x)3 + 36x2 [48xa3 + 48u2 V(x)1
18X2
(11.1.32)
igualando con C3 de la ecuación (11.1,38);
4'
C3
= - EO (27?)12
entonces:
± (16V(x)3 + 108x2 [xa3 + a2 Vx)J2 }
.1 = e(')"2 <I4V(x)
18x2 18x2
(11.1.33)

348
 IIJDIODO ALVACIO

Se debe tomar el signo menos para el radical ya que es el que satisface la condi-
ción de:
3/2
4 ii V(x)
a= 0, j=- 0() ; ( ll.L.,4)

entonces
V(x)312 + /_V(x)3 + 6.75 x2 [xa +a 2 V(x)]
J = - 2.33 X 106 1 2
(11.1.35)
En este caso el valor de:
dV(x) I
dx I
Ix = 0

será el campo eléctrico sobre el cátodo, de manera que Si ü < 0, se tiene un

campo que repele a los electrones que están por emitirse, lo cual establece una
barrera de potencial y solo aquellos electrones que sobrepasen la velocidad de
escape podrán Ilegar a la placa.
Si a> 0, se tendrá un campo eléctrico que atrae Los electrones que están
por emitirse, lo cual implica una reducciOn en la barrera de potencial aumentan-
do en consecuencia la densidad de corriente termoiónica.
Si se quiere encontrar una relaciôn entre V(x) y x, es necesario recordar
que la densidad de corriente se conserva; es decir:

J(x) = .4(d);

lo cual implica que:

j,r3/2
V(x)312 -T V(x)3 + 6.75 x2 [xa3 + a2 V(x)] 1/2
d2 x2 - x4
5
- f V -4-6.75d2 [da3
d4
f (11.1.36)

El graficar la expresión (11.1.36), ya sea para a> 0 o para a < 0, nos arroja
informaciOn sobre los casos II,, III, IV, pero resulta diff cii pues tiene que hacer-
se por tanteos o aIgi&n método de cálculo numérico.
Se considera que el valor de a depende de la temperatura a la que se tenga
al cátodo, de tal manera quc a temperaturas bajas a> 0, y a temperaturas eleva-

349
 DOSITIVOS AL VACIO

das a < 0, existiendo un valor intermedlo de temperatura en que a = 0. Los

fabricantes de dispositivos diseñan por Ia general la geometria y la temperatura
del dispositivo para que trabaje en la condiciôn de a = 0, aunque existen algu-
nos dispositivos (por ejemplo el nubistor) que trabajan en la condicion de < 0,
esto es, con una carga espacial muy densa.
Debido a que no se dio mnguna condiciôn sobre el valor o el signo de a,
se puede concluir que ]as expresiones (11.1 .35) y (11.1.36) rigen el comporta-
miento de cualquier tipo de diodo, inclusive la condición en que a = 0.
En este trabajo se usa como buena aproximación para estudiar el compor-
tamiento del diodo al vac(o el caso en que existe carga espacial entre cátodo y
placa, y se cumple que:

dV(x)
-0.
a— dx
x= 0

Graficando los distintos casos que se han establecido, se tienen las siguien-
tes figuras:

V(x) V(x) V(x)

VPK VPK VjK

J
dV =

(b) (a) ft.)

Figura 11.9. Variaciones de potencial entre ctodo y placa: (a) condiciOn limitada por la
temperatura; (b) condición limitada por la [Link] (campo e1ctrico nulo sobre ci
cátodo); (c) condición limitada por In carga-espacia (campo eInctrico positivo para el cátodo;
velocidad inicial finita para los electrones).

En el caso de La Fig. 11.9-a la densidad de carga espacial p entre los electra-

dos del diodo es pequefla y los electrones que salen del cátodo alcanzan la placa
limitados solarnente por la temperatura (ecuaciôn de Richard son-Dushman).
En el caso de la Fig. 11.9-b, la temperatura es suficientemente clevada, para

350
 I 1.1. DIODO ALVACIO

que Ia densidad de corriente sea grande y es el caso unite en que la densidad de

carga espacio afecta con un campo sobre el cátodo de a = — dV(x)/dx = E =
por lo que no se opone ninguna barrera de potencial extra a la del propio mate-
rial del cátodo para que los electrones puedan ser emitidos. Este caso se consi-
dera promedio y es el más cercano a la, realidad.
En el caso de la Fig. 11.9-c, la temperatura es muy elevada y la densidad de
carga espacial p es muy grande, lo cual produce un campo eléctrico positivo
sobre el ctodo que repele a los electrones de energfa cinética pequefla, presen-
tándose una barrera de potencial cerca del cátodo. Por lo general un tubo traba-
.Iando en estas condiciones es ruidoso por el ir y venir de los electrones en las
cercanfas del cátodo.

11. 1.2. Simbolos

El sfmbolo más empleado del diodo al vacfo es mostrado en la Fig. II .10.

Placa K

Fi lamentos P
A
ciodo

(a) (P4 (c)

Figura 11.10. Simbolo y construcción t(pica de: (a) tubo diodo de cátodo de calentamiento
indirecto;(b) tubo diodo de cátodo de calentamiento directo; y(c) construcción tfpica.

11.1.3. Caracteristicas y lirnitaciones

En la tabla 11 . I se muestran los parámetros, las literales y las definiciones que

se emplean en Los diodos al vacfo.

351
TABLA 11.1

Parámetro Valor Definición

Voltaje de V Es ci voltaje que se debe aplicar a las terminales de

filamentos los filamentos para proporcionar la temperatura
adecuada at cátodo del tubo; este voltaje es un valor
eficaz, rms o prornedio.

Corriente de I. Es la corriente que circula por los filamentos para

filamentos que se tenga Ii temperatura adecuada en ci ctodo;
normalniente Cs un valor rms o prornedio.

Voltaje de pico Vip Es ci voltaje inverso máximo que se puede aplicar

inverso de placa entre placa y cátodo, sin que se We el dispositivo.

Corriente directa 'PK Es la corriente directa promedio qua puede propor-

promedlo cionar el dispositivo en ci estado permanente.

Corriente pico 'PKT Es la corriente pico que en forma repetitiva puede

repetitiva soporar ci dispositivo sin daflarse.

Corriente pico 'PKR Es la corriente pico que en forma transitoria puede

transitoria soportar ci dispositivo sin daflarse. Para poder repo-
tin esta corriente nuevamente se requiere que estos
picos estn distantes en el tiempo.

Voltaje placa cdtodo VPK Es un voltaje que da el fabnicante y se especifica la

caracterIstico @ 'PK corriente de placa para ese voltaje, lo que da una
idea clara de por dónde pasa Id curva caracterstica
en caso de quererse graficar de la ecuaciOn de
Langmuu-Child.

Capacidad entre placa CPFIC Es la capacidad que se tiene cortocircuitando la pla-

y caiefactor-cátodo ca y ci filamenito con ci cdtodo del diodo a! vacio.

Corriente instantánea i ph Es la corriente entre placa y cátodo instantánea.

de placa.

Capacidad entre cátoth CKFP Es la capacidad qua se tiene cortocircuitando el

y calefactor-placa cátodo y los filamentos con la placa.

Capacidad entre C71. Es la capacidad que se tiene cntre el filamento y el

fuianiento y cdtodo cdtodo.

352
 [Link] ALVAcIO

TABLA11.1 (cont ... )

Parámetro Valor Definición

Potencia de disipaciOn ! Es el valor pro medio rnáximo que puede disipar la

de placa placa del diodo sin que el dispositivo se deteriore.

Voltaje pico entre VF,, Este voltaje se especifica como un máximo y se da

fliamento y cátodo considerando el cátodo positivo respecto al filamen
to y considerando el cátodo negativo respecto al
filamento.

Tiempo de T. Es el tiempo que los fabricantes especifican para que

calentamiento Sc considere que la temperatura del cátodo alcance
su valor de trabajo (warm-up).

Tipo de montaje Ejemplo: Normalmente el fabricante indica ci tipo de montaje

y de base 19 y tipo de base que tiene en particular cada tubo yb
STI4 refiere a una tabla que los manuales traen.

11.1.4. Circuito equivalente

La Fig. 11.11 muestra una aproximaciôn segmento lineal de la curva caracterfs-

tica del diodo al vaclo, donde la recta de pendiente i/RD es tangente a la curva
en el punto D, y la recta de pendiente 1 /R es tangente a la curva en un pun-
to B; estas dos rectas se cortan en el punto M, cuyas coordenadas son VM e

D
IM 1PK
Is
M
;

7T
0V0 VQ VD VM
Figura 11.11. Curva caracteristica
estitica del diodo al vacIo y su apro.
VPK ximación segmento lineal.

353
 DISPOSITIVOS AL VACIO

En la Fig. 11 .12 se propone un circuito equivalente para la Fig. 11.11.

'PK
—+
L_fJ Rp
Di
Figura 11.12. Circuito equivalente esttico
2
del diodo al vacio, donde:
+
VPK D VPK - V
R= (11.1.37)
'PK
RS>>RD. (11.1.38)

En la Fig. 11.13 se muestra el circuito estático del diodo al vaclo para la re-
giôn de Langmuir-Child, considerando al obtener el modelo un punto de coor-
denadas (VD ,ID) por donde se traza una tangente a la curva que parte del punto
(Vol 0).

'PK

Figura 11.13. Aproximación segmento lineal y circuito equivalente estático, para el diodo en
la region de Langmuir-Child.

Cuando VPK > T', el diodo conduce y

VPK =RpIpK + V. (11.1.39)

donde: v - V, u

PK

354
 11.2. TRIODO AL VACIO

Recordando que en esta region domina la ley de la potencia a la 3/2, es posible

determinar ci valor de V,, en términos de V, es decir:
I i.,312
JPKAYPi (11.1.40)

dVPK VD -1'
- (11.1.41)
RI dIPK , r ID
VD, 1D

2 V
(11.1.42)
RP MD

VU — (11.1.43)

El circuito equivalente dinámico de la Fig. 11.1 3 es:

—b 1PK

Figura 11.14. Circuito equivalente dinámico del

diodo en la region de [Link], para ci
Rp
VPK punto de coordenadas (VD ,ID), donde:
2 V
p D

11.1.5. VariaciOn de parámetros

Dentro de los tubos al vacz'o, en este caso para el diodo, la temperatura del fila-
mento afecta ci comportanfento eléctrico en corrientes cercanas a los li'mires
máximos de operación, pues se modifica la corriente de saturaciOn por tempera-
tura (region de Richardson-Dus/zman); sin embargo, no se tiene claramente tipi-
ficado, pues inrervienen otros pardinetros, como son los rnateriales del cdrodo y
el tie,npo dc operaciOn de la vdivula, por lo que en realidad en los tubos al 'a-
do no se ton1a mucho en cuenta la variacion de sus pardmerros a! utilizarlos

Ii 2. TRIODO AL VACIO

Introducciôn

El triodo al vaci'o es generaimente un diodo al vaci'o con un elelnento de con-

trol, 11anado re/lila, interpuesto enfre el cátodo y la placa. El control de la

355
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
corriente de placa se logra modifjcando ía distribución del potencial entre cdro-
do y placa. El voltaje aplicado a ía rejilla con relación al cdtodo pro porciona el
mecanismo para variar esta distribución de potencial.
Los triodos al vacfo tienen una gran variedad de tamafios y diferentes confi-
guraciones en sus electrodos. Por ejemplo, un tubo subminiatura es de cerca de
3 cms de largo con un diámetro comparable al de un lápiz'ordinario, mientras
que las dimensiones de un tubo de los usados en transmisores son más fácilmente
expresables en metros. El tamafto está determinado principalmente por los nive-
les de potencia y voltajes requeridos en una aplicación dada. Los triodos son clasi-
ficados como dispositivos de control y para la gran mayorIa de las aplicaciones
operan con mveles de potencia de unos cuantos h. Los tubos grandes de alta
potencia usados en transmisores de radio pueden manejar KW de potencia.

11.2.1 Simbolo

En la Fig. 11. 15 se muestra la estructura tIpica de los electrodos en el triodo

y en La Fig, 11 .16 se tienen los diferentes sImbolos para el triodo.

0 00 0000000 ____Reja(G)
—.Cátodo (K)

i1arnentOS
Figtira 11.15. Estructura tipica de los electro-
F1 F2 dos en el triodo.

Placa (P)

Reja

Filamen
F1 F2
(a)
(K)
4
K F1 F2
(b) (c)

Figuia 11.16. Sfmbolos del triodo: (a) sfmbolo del triodo con cátodo de ca!efacciôn directa;
(b) simbolo del triodo con cátodo de calefaccidn indirecta; (c) sfmbolo del triodo normal-
mente usado.

356
 11.2. TRIODO AL VACIO

11.2.2. Triodo piano paralelo frIo

C'uando se aplica un vo lra/e de re/il/a, se ye afectada la distribución del potencial

elEctrico en el espaclo interelectródico y de ese modo se modifica elfiujo de elec-
rrones del cdtodo a la placa. Para dar una explicación detallada de este efecto,
examinaremos primero la distribuciôn del potencial eléctrico dentro de un triodo
"frno" (cdtodo frio), de tal manera que el cdtodo no emite electrones. El tubo
frlo, que no tiene carga espacial interelectrOdica, puede pensarse como un arre-
glo, de condensadores entre los electrodos en el que los carnpos eléctricos inter-
electrOdicos están gobernador por leyes electrostáticas lineales. Losvoltajesapli-
cados determinan los campos interelectrOdicos del tubo frfo, de los cualespode-
mos deducir algo acerca de la cantidad de corriente que fluye cuando ci cdtodo se
a1ienta. Por sencillez escogemos una geometrfa plana paralela con electrodos de
extension infinita. El cátodo y la placa serãn pianos metálicos, y La estructura
de la rejilia será de varillas o alambres paralelos (Fig. I 1.17-a);losalambresde
la rejilla estarán espaciados una distancia s entre sI y tendrn un diámetro d.
Los alambres de la rejilia están fijos a un potencial VG con respecto al cá-
todo y la placa a un potencial VPK con respecto a este mismo, como demues-
tra la lmnea punteada V de la misma Fig. 11.17-b.
Con ci alambrado de la rejilla, el potencial (x, y, z) disrninuye bruscamente
en la vecindad de cada alambre (Fig. 11.17-b). Cuando se aplican los voltajes V,
V (Fig. 11.8-a) aparecen cargas inducidas QK. QG' QPK sobre los electrodos.
Dado que las relaciones de carga y voltaje son lineales, siempre podemos
representar al triodo frIo como el sistema de tres condensadores (Fig. 11 .1 8).
Este es el modelo general de circuitos para cualquier configuraciOn de tres con-
densadores perfectos en ci espacio libre, uno a tierra y los otros dos excitados
por voltajes de corriente directa.

V(x) I
XG I , vpx
o.k 'I
nos
M o- C
/
C.) /
I, F

o
o - x
x
1 4
(a)
VG XG
(b)

Figura 11.17. Distribución de potencial de un triodo piano de cdtodo fib.

357
11 DISPOSITIVOS AL VACTO
QK QG Qp
4
K CPK p

I
rc
CGK
QK = (CGK VG + CPK VPK)

Vc QG CGK VG +CPG (VG _ VPK)

- +
QPK = CPK VPK +C .c (VFK_ VG)
+
(a) (b) (C)

Figura 11.18. Modelo electrosttico del triodo frno: (a) potenciales; (b) capacitores; (c) ley
de comportamiento.

SupongamoS ahora que QG = O(sin carga de re/lila); esta resulta eléctrica-

menre transparente y la curva de potencial tiene una pendiente VpK/Xd mostra-
da en la Fig. 11.17-b. Además, si la variación de la carga QG con respecto al
voltaje V de la reja se hace cero, se puede obtener:
' SiQQ = 0, estoimplica que:

____

Fig. 11.19 modelo del triodo mostrando el caso en que Q = 0 (reja transparente).

Si nos interesa obtener A VpK /A V, se encuentra que:

CPU VpK ,
GGKVG+C= ( 11.2.2)

.VPK G K + C,

358
 11.2. TRIODO AL VACIO

Cuando se cumple la condiciOn de carga QG = 0, es posible tener que:

CpG CGK
C'PK ;sustituyendo (11.2.4) en (11.2,4)
= + (11.2.3),tenemos:
_ K =— GK 11
(11.2.5)
VC, PK

término al que se denomina '1e y se le llama factor de amplificación estático.

11.2.3. Triodo termoiOnico

Cuando el cátodo se calienta a la temperatura de operación, la emisiOn termo-

iónica proporciona un gran nimero de electrones libres entre cdtodo y placa.
Como en el caso del diodo al vaclo, la corriente de placa del triodo en opera-
ción normal está limitada por la carga espacial (JFK = KV 2 ) más que por la
saturación de ternperatura (ecuación de Richardson). La carga espacial debida a
la nube de electrones en el espacio interelectródico modifica la distribución del
cátodo frfo (ver la Fig. 11.20).
1 V

' I I,VPK
II -
0 /
/ I
I-
0.
0 0 /
0
/ I
I
I I,, I
I I I

T --'XG tv Xd-

Figura 11.20. Distribu ion de potencial en el triodo termoiOnico.

Si se considera que la condición de transparencia en rejilla QG = 0 prevalece

en el triodo termoiOnico, es posible establecer una equivalencia entre ci diodo y
el triodo en operaciôn, de Ia forma mostrada en la Fig. 11.21.

359
 DISPOSITIVOS AL VACJO

ove P
Diodo equivalente

--- CPK

T
VG VPK
IF IF

'PKD

p (b) K ()

Figura 11.21. Equivalencia del diodo y triodo al vaco en funcionamiento, considerando que
41cD'PKT

Si se satisface la condición de equivalencia 'PKD = 'PKT' y se conoce la rela-

ciôn entre (V) y ("K' V) —para lo cual recurrimos a las ecuaciones de carga
previainente establecidas—, de la ley de comportamiento (Fig. 11.18-c) tenemos:

QPK = CPK VPK +c - VG ); ( 11.2.6)

y como los dispositivos son equivalentes, se debe cumplir que,

QPK = CPK VK
es decir:
CPK VIK = CPK VPK + CPG ( VPK - VG). (11.2.7)

De la misma ley de comportamiento de la Fig. 11.18-c, cuando Q, = 0 ten ía-

mos;
- VG)= CGK VG. (11.2.8)

Sustituyendo (11.2.8) se tiene:

CPK VK= CPK VPK +GGK VG . (11.2.9)

dividiendo por CPK

CGK
T'K = VP V( . (11.2.10)
CPK

360
 11.2. TRIODO AL VACIO

Dc la ecuac!On (11.2.5) tenemos que u,, QK/CPK. Entonces:

VpX = Vp+V. (11.2.11)

Si de la ecuación del diodo termoiônico se sabe que:
,3/2
'PK.D = K VPK 'PKT = 'Plc ' (11.2.12)
sustituyendo el valor de V;,K de la ecuación (11.2.11) se encuentra:
F - ViTI .i.
'PK - 4rpç 1Le Ti'3I2
GI (11.2.13)

y a esta ecuaciOn se le conoce como ecuación del triodo termoiónico, la cual

también se puede expresar de la forma siguiente:
'Plc
P e V+ VPK = () 3/2 (11.2.14)

ecuación que representa a un diodo termoiónico en serie con una fuente de

voltaje de valor p 1'. Analizando la ecuaciOn (11.2.13) se puede ver que al gra-
ficar; las curvas que se obtienen son iguales a la curva del diodo termoiónico, re-
corridas en el eje de VPK por una cantidad (-p, Va ), tal como se niuestra en la
figura 11.22.

1px(k)

VpK(V)
(a)

Figura 11.22. Gráfica y equivalente de un triodo termoiónico basándose en las ecuaciones

11.2.13y 11.2.14.

361
 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sin embargo, en la realidad las curvas del dispositivo triodo discrepan de las
teôricas como se muestra en la Fig. 11.23.

1PK

- prácticas
2V 0 'A - teôricas
Or / IVG -_ ov divisorias
-lv
-2V

-5v
/

/-4v
0 VpK(V)

Figura 11.23. Discrepancia entre las curvas reales y las teóricas para un triodo termoiónico al
vacIo, donde g = 1e

Dentro de la region central contenida entre las llneas OA y OB (Fig. 11.23),

Las curvas experimentales siguen muy bien a las curvas teóricas. Esta regiOn es la
que normalmenre se utiliza al operar ci dispositivo y se le denomina region activa.
Arriba de la linea OA la corriente de placa real es menor que la obtenida
teOricamente pues la distribución de potencial entre La placa y el cátodo se ye
modificada por la presencia de carga espacial entre rejilla y placa; a esta region
se le denomina regiOn de saturaciOn, Abajo de la imnea OB la corriente real es
mucho mayor que la corriente teórica,.lo que puede atribuirse principalmente a
inevitables fallas en la uniformidad del espaciamiento entre rejilla y placa; a esta
regiOn se le denomina regiOn de corte. Asi es posible construir triodos de carte
remoto en los cuales el espaciamiento entre los alambres es intencionalmente
no uniforme: y triodos de corte rápido eu los cuales el espaciamiento entre los
alambres de la rejilla es uniforme. Los triodos de corte remoto se usan extensa-
mente en aplicaciones en las cuales se desea el control de ganancia par media de
la polarizaciOn (Fig. 11.24).

11.2.4. Curvas de corriente de rejilla para un triodo tipico

La rejilla (ilamada en muchas ocasiones reja) y el cátodo forman un diodo que

conduce corriente para valores positivos de voltaje de reja (Fig. 11.25).

362
 11.2. TRIODO AL V.

En la Fig. 11.26 se presenta otra forma de graficar los mismos datos.

i'-" LUU .V'. Ivv J1 V)

Triodo de corte remoto Triodo de corte rápido VpKr)

Figura 11.24. Comparacióri de las curvas caracterfsticas estdticas de placa de triodos de

corte remoto y corte rdpido.

V
PK(V)

Figura 11.25. Curvas caracterIsticas estáticas del diode de reja-cdtodo con VPK corno para.
metro.

363
 DISPOSITIVOS AL VACIO

Figura 11.26. Curvas caracterfsticas estáticas del diodo de reja-cátodo con VG como pará-
metro.

11.2.5. Caracterfsticasyliffdtaciones

En la tabla 11.2 se muestran las principales caracterfsticas y limitaciones del

triodo a! vacIo.

TABLA 11.2

Parámetro Valor Defjnición

Voltaje de Jj. Es el voltaje nominal rms o promedio que especi-

filamentos fica el fabncante para alimentar los fliamentos.

Corriente de IF Es la corriente que debe circular por los filamentos

filamentos par que Se tenga la temperatura adecuada en el
cátodo del triodo.

Voltaje entre placa VPK Es el voltaje estático promedio entre placa y cáto-
y ctodo promedio do del triodo.

Voltaje entre placa Vpjw Es ci voltaje mxJmo que se puede aplicar entre
y cátodo máximo placa y cátodo de un triodo, sin que dafle (polari-
zaciôn).

364
 11.2. TRIODOS ALVACIO

TABLA 11.2 (cont...)

Patmetro Valor Definición

Voltaje entre placa y vph Es el voltaje en algIin instante que aparece entre
cátodo instantáneo placa y cátodo del triodo.

Corriente promedio 'PK Es la corriente estática promedio entre placa y

entre placa-cátodo ctodo del triodo.

Corriente instantánea 1k Es la corriente en a1g6n instante entre placa y

entre placa-cátodo cátodo.

Voltaje de VG Es ci voitaje estático promedio que se aplica entre

reja-cátodo promedio la reja de control y el cátodo del triodo.

Voltaje de reja-cdtodo v. Es el voltaje en algün instante que se aplica entre

instantáneo reja de control y cátodo de un triodo.

Corriente de reja- IG Es la corriente promedio entre reja de control y

control promedio cätodo o entre reja de control y placa.

Voltaje maxima de VGM Es el voitaje maxima permitido que se puede apli-

reja-control car entre la reja de control y ci cátodo.

Corriente maxima 'GM Es La corriente maxima de reja de control permiti-

de reja da sin que se daile el dispositivo; normalmente
cuando VG >0.

Potencia de PD Es la potencia de disipación en La placa que el dis-

disipaciOn positivo es capaz de disipar permanentemente sin
sufrir dana; normalmente PD = 'P11 V.

Factor de Se define el factor z coma:

ampliflcación de dvpk
voltaje - dv 'pk = cte

Transconductancia g,, Se define la transconductancia como:

- diph
g,,— dVg
VPk=cte

365
11 DISPOSITNOS AL VACIO
TABLA 11.2 (cont...)

Paris metro Valor DefIniciôn

Resistencia de placa r9 Se define la resistencia de placa como:

dvpk
1pk V = cte

Capacidad entre reja CGP Es La capacidad que se tiene entre la reja de control
de control y placa y la placa, can ci cátodo desconectado y sin blin-
daje.

Capacidad entre reja CGK Es la capacidad que se tiene entre La reja de control
de control y cátodo y el cátodo, con la placa desconectada y sin bun-
daje.

Capacidad entre CPK Es la capacidad que se tiene entre In placa y el cá-

placa y cátodo todo, con La reja de control desconectada y sin
blindaje.

Tiempo de T. Es el tiempo que los fabricantes especifican para

calentamiento que se considere que la temperatura del cátodo
alcance su valor de trabajo ([Link]-up).

Tipo de montaje Ejemplo: El fabricante ofrece Los tubos en diferentes monta

y de base T9 jes normalizados, los cuales se conocen segün cier-
ST1 4 ta nomenclatura y en los nianuales aparecen estas
T6112 y sus dimensiones fIsicas.
T5'2
MIS
MTI 2
112

Voltaje de VFK Es la diferencia de voltaje que puede existir entre

filamento a cátodo el filamento y el cátodo sin que se tenga una
corriente apreciable.

Tiempo de tM Es ci tiempo on que se considera que ci tubo puede

vida medio dar un servicio confiable; normahnente los fabri-
cantes lo especifican en horns de operación.

366
 11.2. TRIODOS AL VACIO

11.2.6. Circuito equivalente

Debido a que ci triodo es un dispositivo triterminal, se puede caracterizar plena-

mente con V,K, VG , 'PK' 'G Una representación funcional para ser usida en cir-
cuitos eléctricos es un cuadripolo de mallas separadas, el cual queda caracterizado
precisamente por dos voltajes y dos corrientes (ver apéndice Q. En la figura
11.27 se muestra el smbo10 del triodo representado como cuadripolo en con-
figuración de cátodo comün; igualmente se puede pensar en otras dos configura-
ciones, como son: reja de control comUn y placa com(in.
----- 1
K
G i LK
I. ____
i-
t I I
0— G p
GL_ p L_____..
ctodo comün reja de control comün placa cOmün

Figura 11.27. SImbolo del triodo al vacio y su representaciOn en cuadripolo para las distintas
configuraciones.

Asf, analizaremos primero el caso de cátodo comün. Si anteriormente se

obtuvo el equivalente lineal de un diodo al vacfo y en esta sección se ha con-
cluido que entre reja y cátodo se tiene un diodo, y que el comportamiento de
placa-catodo es como se muestra en la Fig. 11.22-b, se puede establecer que un
triodo es equivalente al arreglo mostrado en la Fig. 11.28.

MER
U VG

Figura 1128. Equivalente con diodos de un triodo al vacmo, en conflguraciôn de cátodo

comUn.

367
 DISPOSITIVOS AL VACIO

Si se hace usc del equivalente del diodo al vaclo, se puede establecer:

P
'PK
P

L
1+
D2
Rp

E
VG = OV

-2V
oI
-3V
MVG -4v
K

R ±w-t El 01
11t/tL'
,Iiv2 34 4M 5P
I
61
-5V

VPK

(a) K
(b) (c)

Figura 11.29. Equivalente estático de un triodo at vacIo y su aproxiniación a las curvas reales:
(a) s(mbolo; (b) equivalente lineal; (c) aproximación segmento lineal de sus caracteristicas.

Para que el equivalente sea rnás simple, normalmente se hace E2 = E1 = 0,

lc que hace que el circuito equivalente en cátodo comin quede:

P 'PK R D2

Lo
VQOV G

lv
4-
'PK
I'GVPK 4
-2V °}
_______________________

—3V 1 K (b)

(a)

___
0 A 2, 3 VPK

(c)

Figuni 1130. Equivalente estático simple del triodo y su aproximación a las curvas reales:
(a) sImbolo del triodo; (b) equivalente estático del triodo simplificado en configuración de
cátodo comün; (c) aproximación segmento lineal.

368
 11.2. TRIODOS AL VACIO

Debido a que en la mayorfa de las aplicaciones la reja de control está polari-

zada inversamente, D1 no conduce y se puede establecer el euivalente siguien-
te (Fig. 11.3 1), el cual es el más empleado. En todos los análisis y equivalentes
que se han trabajado, no se ha considerado el signo de J', de manera que Si
VG <0 la polaridad de la fuente p VG debe cambiar respecto a lo indicado en las
figuras anteriores.
'PKQ
r
Rp
+
OK VG (5L VG
VpKI

K Kg
g
(a) (b)

Figura 11.31. Equivalente lineal más simple para un dispositivo triodo al vacfo en configura-
ción de cátodo comCin: (a) simbolo del triodo a! vacfo; (b) equivalente sirnplificado en confi-
uración de cátodo comtin. g

Observando el Ultimo equivalente del triodo (Fig. 11.31-b), se ye que este

dispositivo se comporta como una fuente de voltaje real dependiente de voltaje,
con p > 1, lo que hace pensar que este dispositivo opera como un amplificador
de voltaje.
Si se analiza la red de placa y cátodo, se puede establecer que:

VPK=PVG +RI, (11.2.15)

I'PK /A
-= - + FK'
R R '
PK 'G (11.2.16)
R
De la ecuación (11.2.15) se tiene:

1'vPK
Rp — MPK
G lIpK=cte V=cte

y el térrnino g,,, = p/R,,, conocido como transconductancia, el cual se mide en

mhos (fl)'.

369
 DISPOSITIVOS AL VACIO

De acuerdo con el teorema de Norton, haciendo uso de La relaci6n(1 1.2.16)

se puede establecer un nuevo equiva!ente para el triodo. como se ilustra en la
Fig. 11.32.
op G 4- 1PK P
-o

VG
Rp1
\mvG __- IPK
K
p -o K
(a)
(b)

Figura 11.32. Equivalente del triodo con fuente de corriente: (a) sImbolo del triodo. (b) equi-
valente simplificado con fuente de corriente para untriodo en configuración de cátodo cornün.

Considerando las capacidades interelectródicas, ci circuito equivalente que-

da mostrado en la Fig. 11.33.
G CpG 'PK
4—
OP

L
RpV6~i

CGKCPK Figura 11.33. Circuito equivalente del

VGI
triodo al vacio en altas frecuencias en
0 configuracion de cátodo comUn.
K K

En la Fig. 11.34 se muestran los equivalentes del triodo para las con figura-
ciones de reja y placa comón.
pm VPK siI

KP
PVC
p VG 'PK

\(c +

(a)
—0 p G°
(b) C

Figura 11.34: (a) equivalente simplificado de placa comCin: (b) equivalente sisnplificado de
reja conin.

370
 11.2. TR1ODOS AL [Link]

11.2.7 VariaciOn de parametros

En este caso los parametros varfan bruscamente al variar la temperatura del ca-
todo, ya sea por variacion en la alimentacion del mismo o por envejecimiento
del dispositivo, pero esto, al igual que en el caso del diodo al vacio, es dificil de
caracterizar. Sin embargo, en el caso del triodo, si se considera que la alirnenta-
cion es inalterable se tendra variaci6n en algunos de los pararnetros al variar el
punto en que se opere el dispositivo. Esto se ilustra en la Fig. 11.35.

50 -3
8
30
10

7000
8
6000
5000
4000 Br'
3000 F,
2000 4,
1000 8

—10 —8 —6 —4 —2 0
Voltaje de reja de control VG(V)

Figura 11.35. Variaci6n de los parametros del triodo, considerando la temperatura del cato-
do constante, en funcion del punto de operacion del mismo.

11.2.8 Aplicaciones tipicas

Circuit° bdsico de wz amplificador

En la Fig. 11.36 se muestra el circuito basic° de un amplificador con triodo, en

donde VGG es la fuente de polarizaciOn de reja de control que nos da la curia

371
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

de VG = cte, en donde trabajara el triodo; Vpp es la fuente de polarizacion de placa,

La cual junto con RL (cuadro con linea punteada) nos da una recta en el piano
VpK IpK ; a RL se le denomina resistencia de carga y ye es el voltaje de excita-
cion el cual se quiere amplificar.

4— ipic r— —. — — — —1
PI I
I I
G I I
1
RL 1
\ 0 VpK :
str 0 G I
VGG V I I VPP
I
– + K K L___. 1._ i

Figura 11.36. Circuito basic() de amplificador de voltaje con triodo al vado.

Haciendo un analisis grafico del amplificador, se puede encontrar la ganan-

cia y el punto de operacion del mismo.

RepresentaciOn grifica de los

elementos comprendidos en Is
¢". lines segmentada de la rig.
(11.36).
(Recta de carp)

-0
0

a
14— VPKQ Wj4 VR L V PP

Voltaje de placa V pK (V)

Figtua 11.37. Analisis grafico del amplificador trazo de la recta de carga y del punto de ope-
racidn.

372
 11.2. TRIODOS AL VACIO

Cuando se tiene un cierto valor de VGG dado (por ejemplo —2 V) y el volta-

je de excitaci6n ve = 0, se obliga al dispositivo a trabajar sobre la curva de VG =
= —2 V, de manera que solo existe un punto posible de operaci6n, el cual se
encuentra en la intersecciOn de la recta de carga con la curva del triodo VG =
= —2 V, al cual se le llama punto de operacion Q (ver Fig. 11.37). En este punto
se tiene una corriente Q entre placa y catodo y un voltaje VpKc2 entre esos
mismos electrodos.
Si a partir de tener el punto de operaciOn del dispositivo se varia VG de
acuerdo al voltaje de excitacion, tenemos:

VG = — VGG Ve• (11.2.18)

I
s I

=
- 4 sen wt

IPKQ

PP
VPK (V )

Figura 11.38. Movimiento del punto de operacion de acuerdo con el voltaje de excitaciOn
(triodo 8CS7).

373
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

El punto de operacion tambien se movera haciendo que haya variaciones en

la corriente y el voltaje de placa, como se muestra en la Fig. 11.37. Si /./ > 1 es
obvio que las variaciones de Vpg son mayores que las que se tienen de excita-
ciOn, observandose entonces una ganancia del dispositivo. Haciendo la relaciOn
de la excursion de Vpg con la excursi6n de ve = 8 V, se obtiene la ganancia del
circuit(); observe que al aumentar Ve disminuye 1'K' por lo que la ganancia
tiene signo negativo, implicando que la sefial de salida se encuentra defasada
180° de la serial de excitacion. Para el ejemplo tratado la ganancia tendra un
valor aproximado de A = —(90/8) = —11.25.

Ancilisis lineal del circuito amplificador de voltaje

Si se hace la sustitucion del dispositivo triodo por su equivalente lineal (usar el

equivalente de la Fig. 11.31) se tendra:

p RL
G
I PK
\ R P .
4-
0 + -■
rp
%\

4-
Figura 11.39. Circuit° equivalente
A"
lineal del amplificador de voltaje
basic° con triodo al vaclo.

Del circuito de la Fig. 11.39 se puede establecer:

Vc = Vcc yr, (11.2.19)

rc,p = (R, + Rp ) !plc — (11.2.20)

sustituyendo (11.2.19) en (11.2.20), se obtiene:

Vpp = (R L Rp ) Inc + 14— VGG 1'e ) (11.2.21)

de donde:

Inc —
VPP A VGG PVe
(11.2.22)
L Rp

374
 11.2. TR1ODOS AL VACIO

LueL.o: IPKQ = IPK

=0

I we, — VPP VGG (11.2.23)

R +R

VPK= VPP —RLIPKQ •

Sustituyendo la ecuacion (11.2.22) en la anterior expresi6n, se loga:

Vpic= VPP
RL
Vpp At Pe
AVGG (11.2.24)
.4- R p Rp
Si
VPKQ = VPK
= 0
entonces:
RL (vrtp _
VPKQ = VPP VGG); (11.2.25)
Rp

y por lo tanto la ganancia estara dada por:

dVpK
Av dvc, = (11.2.26)
+ Rp .

En este analisis lineal se puede apreciar dm° el uso de los equivalentes

arroja la informacion con mas rapidez que los metodos graficos. por lo cual
estos metodos son los mas empleados cuando se trata de disenar un aparato.
De la ecuaci6n (11.2.24) se puede ver que el voltaje de placa contiene una
componente de corriente directa (valor promedio 1/Fico ) y un termino de
corriente variable en el tiempo igual a Avve .

11.2.9. Potencia de disipacion maxima

Todo dispositivo electronico, debido a sus dimensiones Micas y a los materiales

con que estd construido, puede disipar una potencia maxima en estado perma-
nente sin que se cause un deterioro cipreciable en su funcionamiento ylo carac-
teristicas; este regimen maximo siempre es data de fabricante (Fig. 11.40).
Si la potencia en cualquier instante esta dada por:
No= poli (t)

375
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

y se denomina PD a la potencia maxima de disipacion, se puede establecer que:

PD = cte = VI. (11.2.27)
Esta expresiOn graficada en el piano de V-I da una hiperbola equilatera, la
cual al ser tra7ada junto a las curvas caracterfsticas del dispositivo da el contorno
de maxima disipaciOn y las regiones de operaciOn y no operaciOn (Fig. 11.40).

Zr.

curva maxima
de disipaciOn

50 100 150 200 250

Voltaje de placa VpK(V)

Fig. 11.40. Curva de maxima disipaci6n de potencia y las regiones de operacion de un triodo
al vacfo.

11.3. TETRODO

Introduccien

El desarrollo del tetrodo (diodo con dos re/as adicionales: reja de control y reja-
pantalla) nacio del deseo de veneer ciertas desventajas inherentes al triodo al va-
cio. La Fig. 11.41 muestra un amplificador de triodo sencillo con la capacitan-
cia interelectrodica de reja a placa puesta como un element() de circuito. En altas
frecuencias la susceptancia de esta capacidad resulta apreciable. La pdrdida de
anzplificaciOn se agrava por el llamado efecto Miller (ver ejemplo 11.6). La esen-
cia de este efecto es: para 1 V de serial de corriente alterna en la reja de control,
aparece una serial considerablemente mayor en la placa, digamos de A V, y la
polaridad de la serial en la placa es opuesta a la serial en la reja de control, siendo
entonces el voltaje a traves de la capacitancia Cpc mayor que la serial en la reja
de control por un factor de (1 + A v ) y la corriente capacitiva (1 + Av ) veces

376
 11.3. TETRODO

mayor que lo que serfa con la misma capacitancia conectada entre la reja de
control y el catodo; la capacitancia CpGi tiene asf un efecto comparable al de
una capacitancia de (1 + Av )Clui . De este modo vemos que la CpG1 limita seve-
ramente la operacion del triodo al vacfo como amplificador de voltaje en altas
frecuencias.

ei
CPG‘ R
RG t
G2
(11
G2

GI 1Vpx G1 ...
121 Pe K
TrGG2

II + K
vGGi
(a) (b) (c)

Figura 11.41. Transicion del triodo al tetrodo: (a) capacitancia interelectrodica Civ1 que
reduce la ganancia del triodo a altas frecuencias; (b) introduccion de una reja-pantalli para
aislar la placa de la reja de control; (c) adicion de un voltaje de polarizacion en la reja-pantalla
pata mantener el flujo de la corriente de placa.

La CF,Gi puede reducirse grandemente por medio de la insercion de un blin-

daje electrostatic° o pantalla electrostatica entre la reja de control y la placa
(Fig. 11.41-b). Este blindaje, desde luego, no puede ser una hoja solida ya que
no permitirfa el flujo de corriente entre catodo y placa.
De aqui que se use una pantalla perforada que es Ramada reja-pantalla. Si
experimentamos sobre el circuito mostrado en la Fig. 11.41-b, encontramos
que la CpG, es en verdad pequena pero que diffcilmente puede Mir cualquier
corriente de catodo a placa, a menos que el voltaje de placa se eleve a un valor
tremendamente alto. La razon es que la reja-pantalla conectada al catodo no
solamente protege a la placa de la reja de control, sino que ademas la protege
del catodo, eliminando la fuerza motriz para el flujo normal de corriente de
placa en el dispositivo. Asf, para evitar este efecto, la reja-pantalla se mantiene
a cierto potencial positivo fijo con respecto al catodo, el cual produce la misma
cantidad de campo electrico en la region entre la reja-pantalla y el catodo,
como si se tratara de un triodo.
El catodo, la reja de control y la reja-pantalla son de hecho un triodo (un
triodo con agujeros en su placa). La gran mayorfa de los electrones pasan a tra-
yes de las aberturas entre los alambres de la reja-pantalla y son recogidos por la
verdadera placa del tubo. Este tubo (Fig. 11.41-c) tiene cuatro electrodos y por
esa razton es llamado tetrodo.
La Fig. 11.42-a muestra la variacion del potencial electric° entre catodo y
la placa de un triodo piano paralelo.

377
 DISPOSITIVOS AL VACIO

I (x)
entre los /3/C
A1
corriente de
alambres •
-6- de la reja I
catodo V02
G2 = cte
....1
gi I rig< k__. , _ --- - - -v, =0
t
VGG2 -- corriente de placa
_ _gl- -
.c.s f cc, •
V
,- 1 31 'ili-
C % emision secundaria de placa
-0 g0.•1 8
. ,
%..,
'11 41 (a) .. corriente de reja dos
.$
T.'
...11
17PK
I PK VGG2 11,K
a traves de los alambres de la reja (b)

Figura 11.42: (a) potencial eldctrico de un tetrodo piano paralelo; (b) curva caracteristica de
voltaje de placa contra corriente de placa, para VG1 = 0 y 1702 = V02G2 = etc.

En la Fig. 11.42-a se muestra la curva caracterfstica del voltaje de placa con-

tra corriente de placa para un potencial cero de reja de control; observando esta
grafica se ve que la corriente de reja-pantalla /02 disminuye cuando el voltaje de
placa aumenta, debido a modificaciones en el modelo de campo electric° cerca
de los alambres de la reja- pantalla. Cuando la placa atrae mas fuertemente, los
electrones no son tan facilmente capturados por la reja-pantalla. De aqui que la
corriente de placa aumente ligeramente cuando aumenta el voltaje de placa,
mientras que la corriente catodica permanece esencialmente sin cambio.
La energia cinetica de un electron es proporcional a la altura de la curva de
potencial V;Ic (Fig. 11.42-a); de aqui que los electrones chocan con la placa con
velocidad considerable. Cuando un electron entra en la placa con esta velocidad
puede salpicar algunos electrones fuera de la placa (emision secundaria), erni-
tiéndose estos con menos energfa cinetica que los electrones primarios, pero
esta energfa libera a los electrones de la atraccion de la placa.
Si el voltaje de placa se reduce de Vp'K a un valor menor Vp"K (ver Fig.
11.42-b), los electrones secundarios se mueven hacia arriba a lo largo de la
curva de potencial y son recogidos eventualmente por la reja-pantalla, resultando
una reduccion en la corriente de placa. Si el potencial de placa es mayor que el
potencial de reja-pantalla, los electrones secundarios se encuentran dentro de
un campo electric° que rapidamente los acelera nuevamente hacia la placa.
Cuando el potencial es aun mas bajo, los electrones son grandemente des-
acelerados en el espacio entre reja-pantalla y placa, llegando a la placa con ener-
gia insuficiente para producir emisi6n secundaria apreciable. Finalmente, con-
forme el voltaje de placa se reduce a cero, la corriente de placa se corta y los

378
 11.3. T

electrones son desacelerados y regresados de la placa hacia la reja-pantalla. Si la

energia cinetica con que son regresados a la reja-pantalla es grande, puede tener-
se oscilacion a trav6s de la pantalla muchas veces antes de que los electrones
puedan ser recogidos. La nube electronica produce una carga espacial negativa
relativamente considerable, que reduce la curva de potencial y disminuye la
corriente de placa-catodo. La Fig. 11.43 muestra las curvas caracterfsticas esta-
ticas de un tetrodo, donde se puede observar que la region donde se presenta la
emision secundaria existe una pendiente negativa, caracteristica del tetrodo que
tiene varias aplicaciones importantes, tales como, osciladores, controles auto-
maticos de volumen, etc.
Cuando el voltaje de polarizackm de reja-pantalla disminuye de valor, el vol-
taje pico disminuye y el voltaje valle aumenta. En la misma forma, si VG2 aumen-
ta el voltaje pico aumenta y el voltaje valle disminuye, de manera que varian-
do VG2 se puede variar la pendiente negativa.
c, NI
Ir--- -
16 • si 0
PI vF= 6.3V , 1 r(; 2 = 80 V

i'-'•12.' A.:41111 1-1.0v

0
I 1-1.—
_§ IIralliRPONI
MAIER , 1
Pill"-c, PAre.
o 8

k4,
- 4 1 -J,',- -' ,,, i i _2,0vi__
?.v I. _ 1. -2.5V1

v 100 200 v (v)

I valle PK
-
121C0
I

Figura 11.43. Curva caractertstica del tetrodo para un potencial de polarizaciOn fija de reja-
pantalla.

El tratamiento teorico del funcionamiento de un dispositivo tetrodo, que

nos darta la ley de comportamiento del mismo, es muy elaborado debido a
que participa la geometria de los materiales de que esten fabricados, tanto el
cdtodo como la placa ( por lo que distintos materiales tienen distintos coecien-
tes de emision secundaria); la temperatura; la separacion de los alambres de que
se construyen las re/as y otros pardmetros. Debido a que estos dispositivos estdn
cayendo en desuso, no se harci dicho tratamiento. concretdndonos a establecer
el comportamiento electric° basdndonos en las curvas caracteristicas que pro-
porcionan los fabricantes.

379
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

11.3.1. Simbolo

En la Fig. 11.44 se muestra el simbolo normalmente empleado para el tetrodo;

como se puede observar, este sfmbolo es una extension del sfmbolo del triodo.
Asf

G2 •■••0...
G1

Figura 11.44. Simbolo comunmente usado

K Pi F2 para el dispositivo al vacio tetrodo.

11.3.2 Caracterfsticas y limitaciones

El dispositivo al vacfo, tetrodo, se caracteriza fundamentalmente por los mis-

mos parametros que el triodo; sin embargo, el hecho de tener una reja mas im-
plica que se tengan algunos parAmetros distintos. En la tabla 11.3 se establecen
anicamente los parametros quc son distintos de los parametros del triodo.

TABLA 11.3

Parimetro Valor Definicion

,
Capacidad de Es la capacidad entre la placa y la reja I (control), con
placa a reja I. los dernas electrodos desconectados.

Capacidad de cpG 2 Es la capacidad entre la placa y la reja 2 (pantalla) con

placa a reja 2. los dernis electrodos desconectados.

Corriente de reja 2 'G 2 Es la corriente estatica en la reja 2 (pantalla).

Corriente de reja 2 1g2 Es la corriente en la reja 2 en algUn instante.

instantinea
Voltaje de reja 2 VG2 Es el voltaje entre reja 2 y catodo.

Voltaje de reja 2 Es el voltaje entre reja 2 y catodo en algtin instante.

instantaneo

Potencia de P
02 Es el product° del voltaje de reja 2 por la corriente de la
disipacion misma,PD2 = VG2/G2, y establece la rnixirna potencia que
de reja 2 puede disipar en la reja 2 el dispositivo, sin dafiarse.

380
 11.3. TETRODO

11.3.3. Citcuito equivalente

La Fig. 11.45 muestra una aproximacion segment° lineal de las caracterfsticas

estaticas del tetrodo, de las cuales se puede proponer un modelo equivalente
que se muestra en la Fig. 11.46.

1V
e'
. 10 = IS 1
.... VG.' = 0

—E I
k _ _ —1 V
,
. ...
. 1 ....
... ..•
I . e
I
I I
1 1
I
•••
Vpi Vv VS V pK (V)

Figura 11.45. Aproximacion segmento lineal de las curvas caracteristicas esniticas de un

tetrodo.

R2 _
0I- 4111 'III 1
G T VP/ D 1 41-- PK• p
"—AI + 4
R3
OP 0 I D i VP K
G1 #PI-
iv

D3
23 V
R0 g n, VG 1

"K

Figura 11.46. Circuito equivalente estatico propuesto para la aproximaciOn segment° lineal
propuesta de la Fig. 11.45 para el tetrodo en configuracion catodo cormin.

381
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

Del circuito de la figura 1 1.46, se tiene:

I PK = I
r
g V
m G1 (11.3.1)
IT = 1120 4- (1-a) /D +/D2 (11.3.2)

IT = 3 + 10 — 3 (11.3.3)

Vp c = VRQ VR 3 (113.4)

1R3 = VD 3 (11.3.5 ■

VRO VDI Vpi R1 ID (11.3.6)

VR 0 = VD 2 -4- VV -4- R2 ID2 ( I 1.3.7

El diodo D3 conduce siempre que Jr < 4,, por lo que los puntos de inflexion
de los diodos D y D2 seran:

P.1,1) I (V 1 :I 1 ) donde: Ipi =

Vpi + g (11.3.8)
Ro
PLC), (Vv ; Iv ) , donde: (1-a) + g, VGi (11.3.9)
Ro RI
el punto de inflexion para el diodo D3 es:
P,111,3 (Vs, /s ) , donde: Vs = Ro (Jo +g,, VG ) (11.3.10)

's = 'o + gm VG (11.3.11)

Cuando; VpK < Vpi, el diodo D3 conduce y los diodosD1 y D2 estanabiertos,
por lo tanto:

/PK = VRo
PK
gM v (11.3.12)

Cuando; Vpi < VpK < Vv , el diodo D3 y D1 conducen y el diodo D2 esta

abierto, por lo tanto:
1 1-a VPi
W (11.3.13)
Ij

Cuando; Vv < VpK < Vs, los 3 diodos conducen, por lo tanto:

382
 11.3. TETRODO

1 1-a 1 Ci ITV
PK
I = VpK — ( .-a ) — — — gn •Gi
v
(11.3.14)
Ro t
R R2 RI R2
Cuando: VpK , los diodos D y D2 conducen y el diodo D3 se abre, Y
debido a las pendientes que se observan en la Fig. 11.45, es posible considerar
que Ro , R, y R/ son mucho menores que la R3 por lo que la corriente 4,K es
171,K ris
aproximadamente igual a: I pK = + /0 + g 1 I/GI (11.13.15)

Estas ecuaciones describen totalmente el comportamiento de la aproxima-

ciOn de la Fig. 11.46.
Si se desea trabajar el tetrodo en la region activa, el model° equivalente de
La Fig. 11.46 se reduce a la forma:
G1

Figura 11.47. Modelo equivalente estatico para aproximar el tetrodo en la region de satura-
don, donde Rp = R3.

Si se quisiera emplear el tetrodo en la region de impedancia negativa, es

decir, donde se cumple la ecuacion (11.3.13), se tendni el siguiente circuito
equivalente:
'pis 4--

PK

Figura 11,48. Circuito equivalente dinamico para el tetrodo en la regiOn de impedancia nega-
tiva.

383


1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

11.4. PENTODO

IntroducciOn

El efecto de la emisien secundaria presente en el tetrodo, que hace que Las

curvas caracterfsticas del mismo presenten una region de tmpedancia negativa,
impide que este dispositivo se pueda emplear como amplificador para voltajes
pequenos de placa-catodo ( Vpic ( 60 V. normalmente), haciendo que los ampli-
ficadores que se realicen con tetrodos sean ineficientes e inestables (pues debi-
do a la zona de imp edancia negativa es facil que se ponga a oscilar el amplifica-
dor). Se evita este efecto introduciendo una tercera reja entre la rejilla-pantalla
y la placa, a la que se le denomina rejilla supresora (debido a que suprime la
emision secundaria de la placa).

11.4.1. Simbolo y funcionamiento

La rejilla supresora normalmente se polariza a un voltaje bajo, es decir de algu-

nos V respecto del catodo, o bien se polariza a ) V y el fabricante mismo
lo vende con la conexi6n interconstruida. tal como se muestra en la Ficr 11 40

reja supresora -
P nlaca . p
reja G3
G3
a =I am ow ... pantalla ■ II=

AM ■••• May •
••• il■ AM i■ •

G 2G2
.___ 2
G1
II OW OM. Wm

G1
reja control K
citodo
—K
,. ...
•

(a) (b) (c)

Figura. 11.49. Simbolos del pentodo: (a) pentodo general; (b) pentodo con voltaje de rejilla
supresora nub; (c) pentodo con electrodos formadores de [Link] al catodo.

El voltaje pequeno o nub o con que se polariza la rejilla supresora desacelera

los electrones provenientes del catodo, logrando que la energfa cinetica de los
mismos se reduzca; ademas se establece una diferencia de potencial siempre
negativa entre rejilla tres y placa, lo que hace que cualquier emisi6n secundaria
de la placa sea repelida nuevamente hacia esta, suprimiendo asf casi en su
totalidad este efecto.

384
 11.4. PENTODO

En la Fig. 11.50 se muestran las curvas de potencial entre catodo y placa,

donde se puede apreciar la supresion del efecto de emision secundaria.

—
c.. — I a traves de los
electrodos
72' I — cl
'.....
4
V
G2 .
.. .. S
.....' a • -r.
entre los alambres
...0 u. de las rejilLds
ed • a1
45 I Z I
73

f /
Is
0 / I
"0

SI.1

Figura 11.50. Curvas de potencial presentes en un pentodo de reja supresora cortocircuitada

al catodo.

En la Fig. 11.50 se observa que los electrones que pasan de la rejilla de con-
trol en su viaje hacia la placa llegan practicamente todos a ella, y si la energfa de
los electrones emitidos en forma secundaria por la placa es menor que e 3 ,
entonces todos quedan o se regresan a la placa, lo que efectivamente suprime
casi en su totalidad el efecto de la emisiOn secundaria.
El pentodo con electrodos formadores de haz es otro metodo de suprimir
este efecto, el cual consiste en formar un liar de electrones en la corriente de
eatodo a placa, aumentando la densidad de carga espacial dentro de la corriente
electronica y disminuyendo en consecuencia la curva de potencial (ver Fig.
11.51). Ademas se alinean los alanibres de la rejilla de control con los de la
rejilla-pantalla, lo cual reduce el choque de las partfculas con los alambres de las
rejillas.
El comportamiento electric° de un pentodo se puede explicar en base a los
comportamientos ya estudiados del triodo y diodo al vacfo, y haciendo reflexic-
nes sobre la variacion de las curvas de potencial entre catodo y placa al variar
el voltaje entre 6stos. Revisando la Fig. 11.50 se puede ver que al reducir-
se I1,, el voltaje virtual VG'3 se reduce tambien, ocasionando con esto gue los
electrones que provienen del catodo se desaceleren, agrupandose estos a manera

385
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
de carga espacial en la vecindad de la rejilla-pantalla (G2 ), COD 10 cual se dismi-
nuye mas la curva dc poten1a1. lo que desaeelera Inas a los electrones, sigui6n-
dose un proceso acumulativo hasta que el voltaje VG; sea nub. Los electrones
acumuLdos en G, dinulan un cOtodo y se dice que el comportamiento entre
rejilla tres y placa es cotno an diodo al vak:io, el cual pant voltajes pequetios de
placa detnanda menor nattier° de electrones de los que estan aeumulados, pero
para vollajes mas grandes se demanda mas de lo que el catodo virtual (g) puede
dar. por lo que en este easo In eurva se semeja a In de un diodo en saturacion.

de nntroI

Nntalla

li;:
placa
(h)

(a)

Figura 11.51. (a) camas de potencial en el pentodo de formadores de haz;(b) constmecion

Fisica de un pentodo con electrodos formadores.

Para Owner lus ecuacioncs aproximadas que rigen el comportamiento de

estos ciispositivos, se puede pensar que Sc tiene un triodo entre eltodo rejilla
uno y rejilla dos, y un diodo entre rejilla tres y placa.
De acuerdo con (11.2.13) en este modelo se tendra:

417,
23 = a (VG 2 + P21 VG1 (11.4.1)

donde iL21 es el factor de ganancia equivalente para el triodo virtual entre alto-
do y rejilla dos.

386
 11.4. PENTODO

En este caso:
din, 3
V + 1121 17 )112 1/21 •
"I G2 (11.4.2)
d VG —

Si ahora se considera la respuesta de un diodo al vacio virtual entre 63 y placa,

de la ecuacion (11.1.22) se obtiene:

1PD =blpG 3 (11.4.3)

Luego. el dispositivo sigue la ley del diodo (11.4.3) hasta que alcance la
corriente del triodo (11.4.1). de manera que se puede pensar en las caracteris-
ticas del pentodo como una curia similar al diodo al vacfo, hasta que el diodo
virtual se sat ure en la corriente f , tal como se muestra en la Fig. 11.52.
En dicha figura se puede apreciar que la scparacion entre las corrientes de
saturacion (horizontales) es constante; es decir, d121 3 Id 1,,- = cte, lo cual imp lica
que la separacion ya en la realidad no es equidistante. En la Fig. 1 1.53 se aprc-
clan las curvas reales de un pentodo.

2/3

G2 GG2 =
PK [Link] GC:

=0 V

5V

()V
10V
V

PK
PK

(a) (h)

Figura 11.52: (a) curvas idealizadas de un pentodo VpK — /43 para una polarizacion de rcjilla
j2 para una polarizaciOn de rejilla dos
dos; (b) curvas idealizadas de un pentodo VPK —
menor que en el caso (a).

387
11 D1SPOSITIVOS v

11,K (al A)

Bair 1 25V
+ 2.5V "'"."
•• • =
_
I "GI

- -
• ;.

•- _ * :10Vi
,
I Z.J
I!
0 47n-n • ,11111
100 200 300 400 SOO
1‘14(V)

Figura 11.53. Familia de curvas de placa de un pentodo con VG2 = 125 V.

11.4.2. Caracterfsticas y limitaciones

El pentodo se caracteriza fundamentalmente por los mismos parametros nue los

del tetrodo; sin embargo. el hecho de tener una rejilla anis introduce algunos
pardmetros adicionalcs. los cuales se muestran en la siguiente tabla:

TABLA 11,4

Parametro Valor Definicion

Transconductancia gm Es la variacion de la corriente de placa con respecto al

voltaje de reja [Link], =

Capacidad de C'G3 p Es la capacidad de la rejilla supresora a placa.

rejilla tres a placa

Capacidad de Cr:3K Es la capacidad de la rejilla tres a cdtudo.

rejilla tres a catodu
1

388
 11.4. PENTODO

11.4.3. Circuito equivalente

Un model° segment° lineal que se aproxima al comportamiento del circuit° de

placa del pentodo, con la rejilla supresora conectada al catodo, se muestra en la
Fig. 11.54.

Jo F
IPIC (MA) V VGi

— --. I Rp ....."."°.... —2

_.. . -5
. _
V
—3 V
—4 V
V
VG2 = cte

0 VPK (V)

Figura 11.54. Aproximacion segmento lineal de las curvas caracteristicas estaticas del pentodo.

El modelo equivalente que se propone es similar al del tetrodo en la regiOn

activa, esto es:

Figura 11.55. Circuito equivalente estatico del pentodo en la regi6n activa.

389
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Debido a que Rp R, el circuit° de la Fig. 11.55 para la region activa puede

reducirse a la forma:
G
.P

t
g nt VGJo)

Figura 11.56. Circuit° equivalente del pentodo para la region activa (equivalente estitico).

La corriente /0 es medida para VG , = 0.

De la Fig. 11.56 se observa que el pentodo se comporta como una fuente
de corriente real dependiente de voltaje.

G1

Figura 1137. Circuit° equivalente dinainico en la region activa.

'
dlPk
r =- (11.4.4)
-pk
8 I
= cte

dipk
(11.4.5)
ch,g 1,Pk = etc

390
 11.4. PENTODO

El valor de 4, sOlo depende del voltaje de rejilla dos "2 ya que se mide
para I' I = 0. AsI entonces:

6R'G2 =g 22. ( 11.4.6)

Del circuito equivalente del pentodo puede verse que la corriente de placa
es función del voltaje de rejilla dos, del voltaje de rejilla uno y del voltaje de
placa, esto es:

IP — IPK(VPK,VGJ'); (11.4.7)

la corriente de placa del pentodo en la region activa es:

%,k dVg1 + a
dk = __%k dvk + a 1pk dVg2.
(11.4.8)
'pk avg2

Dc la ecuación (11.4.8) tenemos:

conductancia de placa,
V9 = cte

transconductancia de re/a uno,

Vk — cte

transconductancia de re/a dos:

V9 = cte
y además se definen:

Al =gmj rp

112 =g 2 rp

de manera que cuando se trabaje el pentodo con seflales alternas la ecuaciOn

(11.4.8) puede quedar de la siguiente forma:

1
1pk 9,, 1 + 9 fl,2 v92 . ( 11.4.9)
rp

391
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
11.4.4. Aplicaciones tipicas

Circuito c,rnpljficador con pentodo

En la Fig. 11.58 se muestra un circuito atuplificador con pentodo, donde los

condensadores C'K y cG2 se supone que presentan una impeclancia despreciable
para todas Ia frecuencias en las cuales va a trabajar ci circuito amplificador.
En un circuito tal, ci pentodo opera como amplificador de voltaje a alta
frecuencia. El pentodo presenta una dcsventaja con respecto al triodo, ya que
en ci primero Ia corriente de cátodo se divide en una fracciOn de corriente de
rejilia-pantalla y ci resto va a la placa. La ligera fluctuaciOn inherente en esta
division produce fluctuación adicional en la corriente de placa que no esti pre-
scntc en la con iente catóclii.a, componente extra de la corriente de place que es
[Link] ruido de separación y hace que ci pentodo sea más ruidoso que el trio-
do de esta manera eI pentodo es usado fundamentalinente en aitas frecucncias.

G3
G RL

PS

RG R,,
VG
__
RK - vPP
T

Figura 11.58. Amplificador de pentodo tIpico que opera con una sola fuente de voltaje
(auto poi arización).

En algunos pentodos la terminal de rejilla supresora es accesible en forma

externa. 1ogrndose variar las caracterfsticas de placa. Si el voltaje de rejilia
supresora se hace algunos V negativos con respecto al cátodo, empieza a
cortar ci fiujo de corriente de place: asi, existe una regiOn donde la rejilia supre-
sora actüa como una rejilia de control. En esta forma una seflal suficientemente

392
 11.4. PENTODO

negativa puede interrumpir el flujo de seflal de rejilla de control a la placa en un

amplificador con pentodo.

VG

VG I
1PK

/)
Region de öontrol de la
reja supresora

Figura 1 1.59. (a) pentodo que tiene la terminal de la rejilla supresora accesible al exterior;
(b) region de control para valores negativos del voltaje de la rejilla supresora.

Andlisis del amplificador ti'pico con pentodo

Para analizar el circuito de polarizaciOn del pentodo, sustituimos ci pentodo

de la Fig. 11.58 por un circuito equivalente estático. Dc la Fig. 11.58, Ia ley de
comportamiento Si 'PK =VPK = VP sera:

VPP — RL Ip+ VP+RKIK , (11.4.10)

(11.4.11)

VP=RG2IG 2 f V(.+RKJK , (11.4.12)

1 cGl =RKI K =RK(lp +IQ2 ), (11.4.13)

D -- VG
"K - r j i
'P '

393
 Cuando se hace el análisis del circuito amplificador con triodo o pentodo,
se observa que la frecuencia de corte baja del amplificador está determinada por
CK y CG2 . Asi entonces:

1
CK (11.4.15)
= 27rfORK '

CG2 (11.4.16)
27rfQRG

De la sustitución del pentodo por un equivalente estático (Fig. 11.60) es

posible calcular los valores de RL , RK y RG2 .

VG=VRK(Ip+IG)Ve VGG1 (11.4.17)

V.= VPP — RLIP — VGG I (11.4.18)

J)
'P
F 1VG1I
VGI
Op 1oRp
qj e 1 ' L

VGGlt RK r:vpp

Figura 11.60. Equivalente estático del circuito ainplificador con pentodo.

De la Fig. 11.60, tenemos:

VP
Ip= _+g 1 J' +10 (11.4.19)
14
Sustituyendo (11.4.17) y ( 11.4.18) en (11.4.19) y considerando que M,=
= gm 1 14, tenemos:

VPP - Gi (1 14o
' ( 11.4.20)
R+R

394
 11.4. PENTODO

en donde 'PQ (corriente en el punto de operación Q) será:

VpJ) - 'GG1 (1 + Ui) + RI0
IPQ=IP (11.4.21)
=0 Rp+ RL

Vp= Vpp R1I— T1GG1 (11.4.22)

VpQ = VPP (1 +plj+RpIo]RL

= 0 = PP - VG G -
Rp+RL
de donde J' (voltaje de placa en el punto de operación Q) es:
(V — g,R 1" Gi +RpJo)RL
VpQ =p — (11.4.23)
-- Rp+RL
En nuestro caso para corriente alterna ci voltaje de salida (vs) es igual al vol-
taje en la placa (Vt ); por to tanto, la ganancia en voltaje será;

dv8 ______
=- (11.4.24)
dVe R+R1
De la definiciOn de la resistencia de placa, y observando las caracterfsticas
estáticas del pentodo, podemos ver que en general la resistencia de placa es
mucho mayor que la resistencia de carga; por lo tanto, la ecuación (11.4.24)
puede reducirse a la forma:

AV —gR . (11.4.25)

En un tubo pentodo las curvas de placa se obtienen para un determinado

valor de G; 2
cuando este valor se cambia por B VGG2, los valores de las curvas
se cambian por BV, BVGI, y B213 1, ya que la dependencia de la corriente de
placa es:
IP (1+J1)312

Cuando en las curvas del pentodo solo se conoce una de las curvas de 'G2
se desea conocer el valor de otra curva para un diferente se hace lo siguien-
te: la corriente de placa está relacionada con la corriente de rejilla de control
por un factor de fabricaciOn p de la forma:

2
pip , considerando = ete;

395
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
p varfa entre 0.3 y 0.5 para pentodos pequeños, y este valor depende funda-
nientalmenie dc la construcción del tubo.

11.5. FOTOTUBOS

Introducción

La emisiOn de electrones en la materia, debido a la incidencia de radiaciOn elec-

tromagnética, se conoce como efecto fotoeléctrico (fotoenisión). Este efecto
fue descuhierto por Hertz en 1887 y el soporte teórico fue dado en 1905 por
Albert Einstein, pero empezó a aplicarse en forma práctica hasta 1928, cuando
se desarrollaron los primerosfototubos para las pelIculashabladas(cinesonoro):
naturalmente, at aumentar la calidad de estos dispositivos, las aplicaciones
aumentaron.
Existcn trcs fenórnenos fotoeléctricos que dan lugar a los dispositivos foto-
eléctricos at vaclo:
a) la ernisiôn de electrones por radiación electroniagnética:
b) la generación de una fuerza electromotriz por reacciones qui micas produci-
das por radiación electromagnética: y
c) canibios en la conductividad eléctrica de un material con la radiación dcc-
troniagnética incidente.
En cstc capItulo solo trataremos a los dispositivos cuyo funcionamiento
está basado en ci primero de los fenómenos fotoeléctricos aquf enunciados.

11.5.1. CaracterIsticas de la fotoernisiôn

A continuación enurneranios los hechos experimentales que caracterizan el fenó-

meno de fotoemisión dentro de un arreglo at vacfo con un cátodo y una placa:
1) Los electrones emitidos de un metal por fotoemisión salen dentro de un
rango de velocidades que van desde cero hasta una vmg,, de manera que si se
aplica un potencial negativo a la placa, ésta tiende a frenar a los electrones
emitidos, al grado que se puede encontrar un voltaje de rctardo J' que haga
que la corriente sea cero: es dccir:

inv.
' j.
=eV. (11.5.1)
2

A partir de - I', at ft aurnentando ci potencial entre placa y ctodo, va

aumentando la corriente hasta que se logra la saturación. En la Fig. 11.61 se
muestra la variación de la corriente de fotoemisión IF contra ci voltaje entre
placa y cátodo, teniendo la intensidad de Iuz como parthnetro.

396
 11.5 FOTOTUBOS

VPK

Figura 11.61. Corriente de fotoemisión contra voltaje entre placa y cátodo con la intensidad
como parámetro (radiaciOn monocromática).

2) Si la corriente de fotoemisiOn se mide para una intensidad luminosa cons-

tante, pero a distintas frecuencias de radiación, se observa que ci potencial
de retardo (J'ç) es distinto para cada frecuencia, encontrándose que el poten-
cial de retardo y la frecuencia guardan una relación lineal. Los resultados se
muestran en la Fig. 11.62.

f-, > f3
> V.3

H - etc

VPK

Figura 11.62. Corriente de fotoemisión contra voltaje entre placa y cátodo teniendo como
parámetro la frecuencia de la radiación incidente.

397
 DISPOSITIVOS AL VACIO

3) Si la corriente de saturación se grafica como funciOn de la intensidad lumi-

nosa, se encuentra que al aumentar la intensidad luminosa aumenta la co-
rriente de saturaciOn (ver Fig. 11.61).
4) Se observa que las caracteristicas fotoeléctricas mencionadas no varIan con
la temperatura (excepto por la variación de la funciOn de trabajo con la
temperatura).
5) Los electrones son fotoemitidos inmediatamente al entrar la radiación en
contacto con el fotocátodo (se encuentran retardos experimentales del
orden de 3 X iO segundos).
6) Los fototubos son dispositivos selectivos, es decir, para una intensidad de luz
dada se emitirán distintos nümeros de electrones si la radiación es de color
rojo o violeta, o sea que la eficiencia fotoeléctrica dependerá de la frecuen-
cia de la radiación. En la Fig. 11.63 se muestra la respuesta espectral rela-
tiva de los metales alcalinos.

espectro
de sensitivic

I.

Figura 11.63. Respuesta espectral de los metales alcalinos usados como fotocàtodos.

La emisión fotoeléctrica está Intimamente ligada con la función de trabajo

del fotocátodo, es decir:

-- (11.5.2)

donde v es la velocidad con que salen los electrones del metal: b es la fun-
ciOn de trabajo y v es la frecuencia dc la radiaciOn. En la tabla 11.5 se da

398
 11.5._FOTOTUBOS

una lista de funciones de trabajo y longitud de onda maxima de radiación, don-

de la longitud de onda maxima se obtiene cuando la velocidad con la cual son
fotoemitidos los electrones es igual a cero, porlo tanto, de la ecuación (11.5.2)
se tiene:

hv0 =d,v=v0 @ v=O

C he
entonces X. (11.5.3)
X0
G, q) 0

TABLA 11.5. Elementos y sus funciones de trabajo

flemento (eV) Elemento (eV) X0(A)
Ag 4.70 2610 Li 235 5300
Al 4.08 3560 MO 4.20 2960
Au 430 2600 Na 2.28 5000
Ba 2.48 5000 Ni 5.03 2450
C 434 2850 Pt 6.30 1950
Ca 2.70 4600 Rb 2.10 5800
Cs 1.80 6600 Sb 4.03 3000
Cu 4.30 2900 Sr 2.74 4530
Fe 4.60 2700 Ta 4.13 3000
Ge 4.50 2750 Th 3.38 3670
K 2.24 5600 W 4.53 2650
Zn 380 3720

En la tabla 11.5 se nota que los materiales alcalinos son los que presentan
funciones de trabajo más pequenas, y por lo tanto son los que más se emplean
como fotocátodos.

11.5.2. Celdas fotoemisivas

Los elernentos esenciales de una celda fotoernisiva sun una superficie catddica
grande (de algin material de pequefla función de trabajo) y una placa colectora
que no interfiera la incidencia de la radiación, ambos contenidos en un bulbo
de vidrio at vaclo. El cáodo y la placa pueden mostrarse de numerosas mane-
ras. En las celdas más antiguas se plateaban las paredes internas del bulbo de
cristal y sobre esta pelIcula de plata se depositaba qufmicamcnte el material
fotoemisivo, normalmente algQn metal alcalino (generalniente cesio), y la placa
era algCin alambre colocado en el centro del bulbo para que obstruyera un mIni-
mo el camino de la radiaciOn.

399
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

Actualmente las celdas fotoemisivas consisten de una Iárnina rnetálica en

forma semicilmndrica, en donde se ha depositado por evaporaciOn o algün otro
método la capa fotoemisiva. La placa es un alambre eue generalmente es con-
céntrico con ci cátodo semicilfndrico. Celdas fotoernisivas de disefio ms mo-
derno se muestran en la Fig. 11.64.

Figura 11.64. Celdas fotoemisivas más comunes.

Las caracteristicas de las celdas fotoemisivas son muj; parecidas a las de un

pentodo, solo que en este caso ci pardrnetro de control es la intensidad de radia-
ción incidente. En la Fig. 11.65 se muestran las caracteristicas eléctricas de una
celda fotoemisiva tipica.

IPK(mA)

25
-
LH
208 bujla pie
20 --
156 bujIa - pie

104 bujia - pie

S2bujca—pie

I L.
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 VPK(V)

Figura 11.65. CaracterIsticas eléctricas estáticas tIpicas de una celda fotoemisiva.

 [Link]

El simbolo que se emplea para este dispositivo es el mostrado en la Fig.

11.66.

catodo

# IPlaca (b)
catodo placa
(a)

Figura 11.66: (a) construcciOn de una celda fotoemisiva; (b) simbolo mas connln.

El modelo que se puede establecer para este dispositivo es muy similar al

del pentodo, solo que en lugar del voltaje de control se usara la intensidad lumi-
nosa o de radiacion como parametro. En la Fig. 11.67 se muestra este modelo.

catodo 4—I PK

77 PK

plaCA (b)
(a)

Figura 11.67: (a) sfmbolo de la celda fotoemisiva; (b) modelo mas usado oansiderando la
corriente electrica en el sentido convencional.

En este caso:
A IpK
3 (11.5,4)-
g = I-1 V
pK = cte

A VpK
Rc (11 .5.5)
= cte

401
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

11.5.3. F otomultiplicad ores

[Link]. Generalidades

Estos dispositivos se crearon para poder detcctar adecuadamente y con un bajo

nivel de ruido seflales de intensidad luminosa muy pequetia. Los fotomultiplica-
dores conjugan en sus funciones dos fenomenos de emision: a) fotoemisiOn de
un catodo semitransparente y b) emisiOn secundaria.
Un catodo semitransparente, como su nombre to indica, es un material
capaz de emitir electrones al incidir una radiacion sobre el, pero no obstruye
completamente el paso del haz de radiacion. En la Fig. 11.68 se muestra una
celda fotoemisiva construida bajo este principio.

electrones
radiacion
placa

vidrio
citodo semitransparente depositado sobre el bulbo de vidrio

Figura 11.68. Celda fotoemisiva de catodo semitransparente.

Existen algunos materiales o compuestos de materiales que pueden servir

como catodos semitransparentes, como son el Cs-Sb-Cs 0- Ag, Sb-K-Na-Cs,
K-Cs-Sb y Cs-Te. En la Fig. 11.69 se dan Las caracterfsticas de fotoemisiOn para
estos materiales.
Para tenet un fotomultiplicador se tiene un fotocatodo semitransparente de
arca grande para que reciba el mayor namero de fotones posibles, y lu,ego es
necesario llevar los electrones fotoemitidos hacia el multiplicador, to cual hace
necesario un sistema electro-optico consistente de un campo electrico o magne-
tico, o ambos. Las caracteristicas que este sistema debe satisfacer son:
enfocar tantos electrones como sea posible hacia la primera etapa del mul-
tiplicador: y
— el tiempo que transcurra entre el cdtodo y la primera etapa del multiplica-
dor debe ser independiente del punto en que el electron haya sido emitido
en el fotocatodo.

402


11.5. FOTOTUBOS

La Ultima condiciOn es muy importante en fotomultiplicadores para sefiales

rapidas, como es el caso en algunas aplicaciones nucleares (esto implica que no
hay defasamientos o retardos).

100 ::..".
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0,
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I'lIIIl ;
k " IIE I Iiihniiiiiit 11 n iiiiihillillininn
K-Cs-Sb I PROMMAIIIIIIIIIMIMIIIIIIi

0.1 MIMI I I IHIMIIIIIII II M110111111111111111

7nno 4000 6000 8000 10000 120 w X (A)
L ___ it ____ _
f----1
ultra violets -."4(.,- 5'
..
.... . . -.

0E. ly'

Figura 11.69 Respuesta espectral de fotoemisiOn para algunos materiales empleados como
fotocatodos semitransparentes.

Los fotomultiplicadores mas sencillos (clasicos) usan un sistema electroop-

tico que consiste de un electrodo cilindrico, el cual se conecta a tierra, y un
electrodo acelerador que es parte de la primera etapa del multiplicador.
En la Fig. 11.70 se muestra esta construccion con Las limas equipotenciales
y los caminos que siguen los electrones para Ilegar a la primera etapa del multi-
plicador.

403
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

A las etapas del multiplicador se les llama dinodos y el sistema multiplica-

dor consiste de una serie de dinodos (electrodos de emision secundaria) conec-
tados en cascada y al final una placa colectora. En general el sistema multiplica-
dor debe satisfacer estas caracterfsticas:
— produccion de suficientes electrones secundarios; y
— los electrones secundarios deben ser dirigidos eficientemente hacia el dino-
do siguiente.
Para poder satisfacer estas condiciones, el material del cual esta fabricado el
dinodo debe cumplir los siguientes requisitos:
— factor de emision secundaria grande;
— efecto de emision secundaria estable (t,T); y
— emisiOn termoiOnica muy baja.
Ifneas equipotenciales
e
,
("Cs / electrodo acelerador
primer dinodo

rs trayectoria de los electrones

electrodo de enfoque

Figura 11.70. Construceion clasica del sistema electrooptico de un fotomultiplicador.

Normalhaciite los dinodos se fabrican de una aleacion de Ag-Mg sobre la cual

se deposita algun material que tenga un factor de emision secundaria grande.
El ntimero de dinodos que se deben emplear depende de la ganancia que se
quiera y del voltaje de alimentacion. Para calcular el flamer() de dinodos se debe
considerar:
— que cada dinodo tenga el mismo voltaje Vs con respecto al dinodo prece-
dente y, que las caracterfsticas de emisiOn secundaria de todos los dinodos
sea la misma; y
— que las caracterfsticas de emision secundaria puedan representarse por una
nea recta de pendiente K que [Link] por el origen.
De esta manera la ganancia del fotomultiplicador es:

G = 6" = (KVs)n . (11.5.6)

El voltaje disponible se debe repartir en los dinodos:

VB= n Vs = (G)" . (11.5.7)

404


11.5 FOTOTUBOS

Si se quiere obtener el valor de Vs minima , es necesario derivar Vs con res-

pecto a n y encontrar el minim°. Asf:

d VB n 1
G / n RnG ;
-2
1 — (11.5.8)
dn L-r K

Si: dVB
— 0 entonces n = QnG = QnSn , (11.5.9)
dn

n = ni2n5 , (11.5.10)

por lo tanto kn8 = 1 y 5 = e. 11.5.11)

Usando (11.5.5) tenemos:

Vs = e K ; (11.5.12)
entonces:
VB min = (e1K)IinG,

La condicion 6 = e es satisfecha por los factores de emisi6n secundaria de la

mayorfa de los dinodos practicos.
En la Fig. 11.71 se muestra la dependencia de la ganancia cone! nutnero de
dinodos y con el voltaie de alimentacion.
V)
F13(
Cu•Be
Vs(V)
•,..........2...; 109 A -M
2000: 2000 _ g g
4\,,N,..___,...;. 106

' . G = 1 06
''' - - - - --•—•--,- - . - -•-• 1 0 7 N......,..•
t 1500 - ..............2,107
1500- \....................
10° t
• ........,.....„.......,... 106
. f
I'

- 10 15 n 10 15 20 n

Figura 11.71. Dependencia de la ganancia con el ntimero de dinodos y con el voltaje de

alimentacion.

405


1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

En la Fig. 11.72 se muestran las disposiciones normales de los dinodos,

dinodos dinodos • • • eir.. reja aceleradora
•••• *
• 11, • • ..—.—
....■ A74/4•4M-ZF//
•
...MIMI
- •■■
0
.••I• *

0
0
• 16710Mikkt11111 I k
O 0
■ Ir ■•■

(a)

Figura 11.72 Configuracion de dinodos ma's empleados: (a) dinodos tipo cierre;(b) dinodos
ciego veneciano: (c) conflguracion circular; (d) configuracion en caja; (e) dinodos con foco
lineal.

Un gran nOmero de los multiplicadores que se encuentran comercialmente

emplean dinodos con foco lineal. En la Fig. 11.73 se muestra cOmo quedarfa un
tubo fotomultiplicador en cone, donde:
n, (X) es la diferencia cuantica de la longitud de onda de la energia ra-
diante,
hu es la energfa de los fotones incidentes;
es la carga del electron.

406
 11.5. FOTOTUBOS

fotoccitodo

sistema Optic° de entradapara los elec

electrodo de anti
multiplicador
primer dinoc

anoC

Figura 11.73. Fotomultiplicador con dinodos con foco lineal.

La sensibilidad del cdtodo serd:

nq (X)e
(11.5.13)
hv
Nonnalmente los manuales dan la sensibilidad maxima, es decir, en la longi-
tud de onda en la cual NK es maxima, la cual se expresa en mA/W.
En la Fig. 11.69 se muestran la sensibilidad contra la longitud de onda para
algunos materiales que se emplean como fotocatodos.

Ganancia y sensibilidad del dnodo:

La ganancia de un fotomultiplicador se define como la relacion entre la corrien-
te de anodo y la corriente de catodo:

G = IplIK ; (11.5.14)

por lo tanto, usando (11.5.13) tenemos:

lp = GNK P (11.5.15)

[Link]. Caracteristicas de los fotomultiplicadores

En esta seccion se estableceran las caracterfsticas mas importantes de los foto-

multiplicadores y las causas y consecuencias de estas caracterfsticas, cuando
esto otorgue algOn beneficio practico.

407
11 DISPOSITIVOS AL VACIO
a) Sensibilidad catddica

Si una energfa luminosa incide sobre la superficie del fotocatodo de magnitud

"P" W, la corriente catOdica sera:

(11.5.16)
= n'q (X) 7tT
1 e'

ecuacion en la cual se ye que la sensibilidad de la placa es igual al producto de

la sensibilidad del catodo por la ganancia (las ganancias de los fotomultiplicado-
res son iguales a 106 ).

b) Corriente en la oscuridad

La corriente en la oscuridad es la corriente que fluye entre catodo y placa cuan-

do se tiene iluminacion nula, corriente que se origina por varias razones:
1) emisi6n termoionica de los dinodos o fotocatodo;
2) corrientes de fuga:
3) fenomenos de ionizacion;
4) emisi6n por campo.
Para la corriente en la oscuridad no existe una teoria debido a que las cau-
sas que la producen dependen mucho de los materiales utilizados en la fabrica-
cion del dispositivo y de su distribucion ffsica dentro del dispositivo.

c) SImbolo mcis empleado

El sfmbolo que mas se emplea para representar un fotomultiplicador conjuga

los conceptos de fotoemision y emision secundaria. En la Fig. 11.74 se muestra
este sfmbolo.

inodo o placa

ID 2D 3D 4D SD 6D 7D 8D

Figura 11.74. Simbolo de un fotomultiplicador al vacio.

408
 11.5. FOTOTUBOS

[Link]. Aplicaciones tIpicas

a) Compensacion de la corriente en hi oscuridad

Para no obtener lecturas era:II-leas es necesario compensar la corriente en la

oscuridad, es decir, si la intensidad luminosa incidente es nula, la corriente de
placa debe ser cero. El circuito mas sencillo para compensar este efecto es el
que se muestra en la Fig. 11.75, en el cual se emplea una fuente de corriente
directa y una resistencia variable.

eondiciOn de compensacion
—1 4 = /at)
17
.-14
I I I
alimentacion.=
del fototubo T-

Figura 11.75. Circuito mas simple para compensar la corriente en la oscuridad en un foto-
multiplicador.

b) Aplicackin en un amplificador de video

En la Fig. 11.76 se muestra la aplicacion de un fotomultiplicador en un ampli-

ficador de banda ancha.

Figura 11.76. Aplicacion de un fotomultiplicador a un amplificador de banda ancha acopla-

do mediante un cable coaxial de 100 S2 (cortesfa de Phillips).

409
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO
c) Contadores de centelleo

Una de las aplicaciones mas comimmente empleadas para los tubos fotomulti-
plicadores es la de contadores de centelleo, aplicacion en la cual se coloca ade-
lante del fotocdtodo una sustancia centelleante (material que convierte la ener-

guia de 1117

.1centellador

fuente de77... MO, _00

—•
radiaciOn

guia de luz
discriminador de
amplificador principal Ilmite superior
centellador
circuito de anticoincidencia
fuente de radiacion
r2 escalador

discriminador
de limite inferior

anodo
cubierta opaca fotocado
dinodos Ultimo dinodo
or,,,,,,.., , ,... „.... e : de , segu idor
. catodico
' .
centella $ .1ii lli salida
We" I
..--si,--.
centellador multiplicador

Figura 11.77. AplicaciOn de fotomultiplicador en contadores de centelleo.

410
 11.5. FOTOTUBOS

gia radiante en centelleo luminoso de duraciOn de 1 liseg o menos), como las

sustancias que sc emplean en los tubos fluorescentes. Un material centelleante
adecuado debe tener buen coeficiente de absorcion y tener la misma respuesta
espectral que el fotocatodo al cual se va a acoplar.
Los materiales centelleantes deben escogerse para cada aplicacion en particu-
lar, pero los empleados son el sulfuro de zinc y el sulfuro de cadmio.
Se debe usar un adaptador entre el material centelleante y el fotocatodo,
normalmentc alguna grasa de silicon o accite que tenga un coeficiente de refrac-
cian intermedio entre el coeficiente de vidrio del fototubo y el coeficiente del
material centelleante.
En la Fig. 11.77 se muestra una aplicacion de los fotomultiplicadores como
contadores de centelleo. Un contador de centelleo contiene fundamentalmente:
una camara de radiacion. un material centelleante, un fotomultiplicador, un
preamplificador y un equipo contador (el cual puede ser analOgico o digital).

411
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

EJEMPLOS
Ejemplo 11.1. Un diodo de placas paralelas es operado con un voltaje de placa
de 10 V. Calcule la velocidad de un electron a la rnitad del camino entre ciltodo
y placa,
a) cuando la corriente estci limitada por la carga espacio;
b) cuando la corriente estd limitada por la temperatura; y
c) diga a que distancia del catodo estc1 el potencial de 5 V en cada caso, si la
distancia entre catodo y placa es de 1 cm.

Solucion

a) Para la condiciem limitada por la carga espacio,

X 4/3
V(X) = d413 VP (E.11.1.1)

V
Para x=—; V= (E.11.1.2)
2 24/3

De la expresion de la velocidad:

v2 (x )= 2n v(x ) , (E.11.1.3)

412


EI EMP LOS

n vp )1,2
Para x = — ; v= (E.11.1.4)
2 2"3

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.I 1.1.4), obtenemos:

v (0.5 cm) — ( 1.76 X 10" X 10

)112 m/seg ,
1.26

v (0.5 cm) = 1.18 X 106 m/seg .

b) Para la condicion limitada por la temperatura,

< Vp
dV(x) (E.11.1.5)
dx 0 d

X "
V(x) =-
, (E.11.1.6)

1
y ya que e V(x) = — mv2(x) entonces,
2

V(x)= (E.11.1.7)
2n

Usando las ecuaciones (E.11.1.5) y (E.11.1.7) se tiene;

V 2 (X) VP X . (E.11.1.8)
2n < d

para x --,-d—, v = (ri Vp)" (EA 1.1.9)

2

413
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.11.1.9), se obtiene:

v (0.5 cm) < (1.76 X 101 X 10 )' m/seg

v (0.5 cm) < 1.33 X 106 m/seg.

c) Para la condiciOrzlimitada por la carga espacio, usamos la ecuacion (E.11.1.1),

para despejar a x, esto es:

V(x ) 3/4
X = d, (E.11.1.10)
VP

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.11.1.10) para x = 1 cm, tenemos:

X = (- 5 ) 3 / 4 M( 1C
) ,
10 \ /

x = 0.59 cm,

Para la condicion limitada por la temperatura, usamos la ecuacion (E.11.1.6),

despejando x:

x V(x) (E.11.1.11)
VP u

Sustituyendo datos en la ecuacion (E.11.1.11) para x = 1 cm, tenemos:

/ 5 A
\/
x 1 ) cm'
x = 0.5 cm.

414
 EJEMPLOS

Ejemplo 11.2. La curva caracterfstica de un diodo al vacfo responde aproxima-

damente a la ley /p = k Vp" . Se sabe que para /p = 120 mA, Vp = 30 V.

a) Determine k.
b) Trace Vp - /p en el rango de Vp (0 - 30 V).
c) Aproxime el diodo real por un modelo equivalente de la forma.
Calcule el valor de r en la region de interes.
.1 D A rp
")11 e

d) i,Cual es la magnitud maxima de error, expresada en porcentaje de la co-

rriente maxima del diodo en la region de interds?
e) Si este diodo se conecta en la siguiente forma:

V1 'PD
R,
0-500 V VpD

Grafique V1 - V2 para R L = 2000 SI en el rango de V1 (0 - 500 V).

f) Repita la parte e) cuando el diodo se reemplaza por su model° equivalente
calculado en c).
g) i,La aproximacion introduce un error apreciable? explique resultados y pro-
ponga otra solucion.

Solucions

a) /p = k lip 3/2 , (E.11.2.1)

lp
k= (E.11.2.2)
VP 3/2

415
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

Si, II, = 120 mA, y Vp = 30 V, entonces

120X
k — 10-3 (A/V31 2 ),
(30)3/2

k =--- 7 5 X 10-5 (Air/ 2 ).

b) Ip = 75 X 10-5 Vp3r2 - (E.11.2.3)

Graficando la ecuacion (E.11.2.3) se tiene:

Vp (V) /p (A)
lp (mA)
0.0 0.0 M( Vpm - /p,n)
-
1.0 0.75X 10-3
--.' 120
2.0 2.1 X 10-3
100 .
3.0 1.37X 10-3
80.
4.0 6X 10-3 Ip= KVp312
10.0 24.75 X 10-3 60.
. P,I 1 111
15.0 41.25X 10-3 40"" - - - - - a
I 1
25.0 93.75 x 10-3 20-'' - - - i r 1I 1
1
30.0 120X 10-3 .
01 5 10 15 20 25 30 V(V)

Figura E11.2.1. Curva caracteristica del diodo al vac(o del ejemplo 11.2.

c) Para deterrninar Rp del modelo segment° lineal equivalente trazamos una

recta del origen al punto de coordenadasM (Vpm , /pm ) en la curva caracte-
rfstica del diodo (Fig. E.11.2.1).

Vp„,
Rpm = ;
'Pm

416
 EJEMPLOS

30
Rpm
120X 10

Rpm= 250 2.

por lo tanto el circuito equivalente será:

'Pm D Rpm =25Os:2

PO
44
N --
Vpm
n K

d) Para determinar el error que introduce el anterior modelo segmento lineal

del diodo, comparamos las siguientes dos ecuaciones:

= 0.75X l0 VP 312 (E.11.2.4)

'Pm = __ VPm (E.1l.2.5)

R pm

La ecuaciôn (E. 11.2.4) es la corriente proporcionada por la ley del poten-

cial a la tres medios, mientras que la ecuación (E. 11.2.5) es debida al modelo
segmento lineal equivalente. Considerando el punto en que V = Vpm y relacio-
nando las dos ecuaciones anteriores; tenemos:

'Pm Vpm
F]

'P 75 X l0 5 Rp Vp 312

'Pm = 54 —l/2 (E.l 1.2.6)

'P

417
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

De la ecuacion (E.11.2.6) es posible calcular los porcentajes de error para la

grafica (E.11.2.1).

I
= 2.5, 150 porciento de error;
IP I Vp = 4 V

'Pm I
= 1.68, 68 porciento de error;
ip Vp 10V
=

I = 1.2, 20 porciento de error;

IP Vp = 20 V

/p 1 V = 25 V = 1.08, 8 porciento de error;

Se observa que el error disminuye a medida que nos aproximamos al punt°

M ( Vpn, , 'Pm ) usado para la aproximaciOn segment° lineal. Concluyendo que
este modelo acarrea bastante error a bajos voltajes.

RL= 2 K12

V1=Vp+ V2
V2 = RI, II,
1/1 . (0 — 500 V)
(a) (b)

Figura E.11.2.2. a) Circuito serie con diodo al vacio; b) ley de comportamiento.

418
 EJEMPLOS

Graficando el circuito de la Fig. E.11.2.2 se ye que RL (recta de carga) se

desplaza recorriendo toda la curva del diodo. Para trazarla escogemos uno de los
posibles valores de V, , tal como V, = 100 V asi*:

I, - v1
RL '

1P -
100
A,
2X 103

ip = 50 mA .

El desplazamiento de RL se debe a que V, cambia de valor.

A ip(mA)
200

150
-5 V. 3/2
/ P= 75 P
X 10
100

50
1

I --T, A --1.. • 10. V(V)

50 100 150 200 250

Figura E.11.2.3. Grafica de la recta de earga RL .

Utilizando la ley de comportamiento, tenemos:

I7 1 = Vp + Ri, (75 X 10-5 ) Vp"2 ,

V, = Vp + 1.5 Vp" , V2 = 1.5 Vp 312 • (E.11.2.7)

En la figura E.11.2.4 se muestra la gralica V, — V, cuando no se usa ningu-

na aproximaciOn lineal para el diodo, ecuaciones (E.11.2.7)

419
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

V(V) V (V) V2 (V)

V2 (V)
0.0 0.0 0.0
1.0 2.5 1.5 500
10 57.43 47.43
20 154.16 134.16
30 276.48 246.48
40 419.47 379.47
. 45 497.80 452.80
111 (V)
50 580.33 530.33
- 100 200 300 400 500 600

Figura El 1.2.4. Grafica de V1 — V2 cuando se usa el diodo sin aproximacion lineal.

f) Si graficamos V, — V2 empleando el circuit° equivalente propuesto, tenemos:

Rp,„ = 250 11

44#* 4.211IN
1 Iv,

Figura E.11.2.5 SustituciOn del diodo por el circuito equivalente propuesto.

La ley de comportamiento de la Fig. E.11.2.5 sera:

V1 = Vpm + V2 = Vpm
'Pm

Vpm =Rpm lp m 45V

420
 EJEMPLOS

VI = Vprn + Vpm

Rpm

V, = Vp„, + 8 Vpm = 9 VPm ; V2 = 8 Vpm (E.11.2.8)

Graficando la ecuacion (E.11.2.8) encontramos el comportamiento de

— V, del circuito de la Fig. E.11.2.2 cuando se utiliza el circuito equivalente
propuesto.

V, (V)
600
Vpm (V) V I (V) V2 (V)
1 500
. 0.0 0.0 0.0
0.28 2.5 2.22 400
6.38 57.43 51.048
17.128 154.16 , 137.03 300
. 30.72 276.48 245.766 200
46.60 419.47 . 372.86
' 55.31 497.80 . 442.48 100
64.48 580.33 515.84
0
100 200 300 400500 600 V2 (V)

Grafica E.11.2.6. Grafica VI - V2 cuando el diodo se sustituye por el circuito equivalente pro-
puesto.

Ana117ando las graficas de V, — V2 puede verse que el error que se presenta es

considerable. Esto se debe a que el modelo equivalente que se utiliza es poco
aproximado y por lo tanto, poco recomendable. Como solucion inmediata
puede sugerirse para el analisis un modelo segmento lineal con mejor aproxima-
cion, tal como el mostrado a continuacion:

421
 DISPOSITIVOS AL VACIO

i
/
( Vpm , 'pm ) 'Pm RP Vu
/ a---
pH::+_osir_Hilt___4"
/ 1
/
Rpm
10--- Vpm --04
1
A K
1 1
6.., Rp ow Rp = 2 Rpm/3
0 VP
V, = ilpmp

Figura E.11.2.7. Modelo segmento lineal mas aproximado y circuito equivalente para el diodo
del ejemplo 11.2.

Sustituyendo nuevamente el circuito equivalente del diodo en el circuito de

la Fig. E.11.2.2, se tiene:

Vpm = Vo + Rp ,

= Vo + Rp Ipm + RL 'Pm
V2 = R1 IPM

RL
= Vpm + — (Vpm -
Rp

= 'Pm + 12 (Vpm - ).
R p = 166 fl Vu = 10V
1I

I
vt 0_ 500V
R2 . 2 Kn
_
V2

Figura E.11.2.8. a) circuito equivalente del diodo con mayor aproximacion; b) ley de corn-
portamiento.

422
 EJEMPLOS

De la ley de comportamiento, se tiene:

= Vpm + 12 ('pm - V). (E.11.2.9)

Graficando la ecuaciOn (E.11.2.9) obtenemos el comportamiento V, - V2 ,

con un modelo segmento lineal 'rids aproximado.

V, (V)
Vpm (V) VI (V) V2 (V)

0.0 0.0 0.0

10.23 13 2.77 500
13.65 57.43 43.78
21.09 154.16 133.07 400
30.50 276.48 245.98 300 _ _ _ _
41.50 419.47 377.97
200 II I
47.52 497.80 450.28 __
i
53.87 580.33 526.46 1
100 171(V)
I !
0 100 200 300 400 500 600 700

Figura E.11.2.9. Grafica de VI - , cuando se usa el circuit° equivalente mis aproximado.

Esta aproximacion introduce un error menor en los calculos, el cual se corn-

prueba analizando la Fig. (E.1 1.2.9) y con las siguientes ecuaciones:

V -V
Pin = Pni " (E.11.2.10)
Rp

I. = 75 X 10 VI,' (E.11.2.11)

De las ecuaciones (E.11.2.10) y (E.11.2.11) encontramos el nuevo porcen-

taje de error.

'Pm VPm Vu Vpn, — 10

= 8
/p 75X 10' Rp Vpm 3'2 V "2 (E. 11.2.12)

423


1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

= 0.22, 78% de error;

V = 11V

IPm
= 0.89, 11% de error: > 1pm
V = 20V
IPm
IP = 0.96, 4% de error;
VP = 15V
Comparando estos resultados con los anteriores, se ye que el error se redujo
grandemente, en esta forma podemos ir encontrando modelos cada vez mas
aproximados. En la mayoria de las aplicaciones practicas el porcentaje de error
del circuito equivalente anterior se considera de pequena importancia.

Ejemplo 11.3 Dado el circuito de la fig. E.11.3.1, determine el punto de opera-

ci6n del diodo al vacio.

+
RI IR 2
R1

V vp
R2
1I

Figura E. 11.3.1. ConexiOn de elementos lineales no-lineales, serie paralelo.

Solucion:

t I R]
V R I R2 V — R1 'R1 = Vp ,
R
R2 1R 2 = VP (E.11.3.1)

+ IR 2 = .
(a)

424
 EJEMPLOS

r
rT

RT=R1R2/(Rl +R 2 ), (E.11.3.2)

Vpp V/(R1 +R2 ).

F

I (b)

Figura E.1 1.3.2. Transformación del circuito serie paralelo al circuito general de polarización
de un diodo: a) circuito serie paralelo y su ley de comportamiento, b) circuito general de
polarizacion de un diodo para el caso del ejemplo 11.3 y su ley de comportaniiento.

Para trazar la recta de carga y localizar el punto de operación Q, tenemos:

VPP = Vp + R 'PQ (E.1 1.3.3)

V
PP =V
Si; V=O , I=
. (E.11.3.4)
R2
Si; J, =O , V= vpp =
+ R2 (E.11.3.5)

Graficando (E.11.3.4) y E. 11.3.5, obtenemos la siguiente figura:

1PQ

VP
VpQ

Figura E.11.3.3. Recta de carga y punto de operación del diodo de la figura E.11.3.1.

425
11 DISPOSMVOS AL VACIO

Ejemplo 11.4. Obtenga los parametros Rp, g, y p para el triodo (tubo 6C4).
Las caracterfsticas estaticas de placa del 6C4 se presentan en la siguiente figura.

150

Voltaje de placa (V)

Figura E.11.4.1. Curvas caracteristicas estaticas de placa del triodo 6C4.

Solucion:

Para determinarRpescogemos la curva de VG1 = 10 V,

6 V = (200 — 100) V = 100 V,

Alp = (70 — 45) mA = 25 mA,

A Vp
Rp — = 4K SI,
'P VG1 = 10 V

Para la determinaciOn de gm , escogemos VI, = 150.

AVG1 = (15 — 5)V= 10V,

A lp = (80 — 40) m.4 = 40 mA,

A lp
gm = = 4 X 10 (S2)-1 ,
[Link] i
17P
gm = 4m02 )'.
Rpg„, = 4 X 103 X 4 X 10-3 = 16.

426
 EJEMPLOS

Determinacion de p en forma grafica:

AV
A VG1
IF

Si escogemos /p = 70 mA, tenemos:

A V = (200 —100) V= 100 V

VG = (15 — 10)V= 5 V

entonces,

p = 20.

Sabemos que la variaciOn de la p se debe principalmente a la no linealidad

que presentan los dispositivos al vacio.

Ejemplo 11.5. Dos triodos al alto vacio tienen el mismo espacio entre reja y
placa, pero el diodo B tiene mayor espaciarniento entre catodo y reja que el
triodo A. z,Cuales son las diferencias cualitativas entre sus curvas caracteristicas
estaticas de placa?

Solucio n:
dA = dB = d, area catodo = area placa, Art = A rB .

Figura 11.5.1. Triodos al vacfo con diferentes espaciamientos entre reja y catodo.

427
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Usando las expresiones para la capacidad, tenemos:

CG K e Ar CG K CPG
C= ° Cpft = r_
s-1,;1( s-PG

En esta forma podemos determinar el valor de me para cada uno de los dos
triodos:

CGKA CGKA (CGKA CPGA)

PeA r,
"PK A CPGA CGKA

e oArA
GKA = 1 4. 9,1 I +dA
= 1 +- (E.11.5.1)
CPGA
e ArA A
dA

Ahora, para el triodo B tenemos:

dB
• (E.11.5.2)
Pee = I +

Ya que dA = dp , entonces:

dA
PeA = -4-
1 — 0 ' (E.1 1.5.3)

, dA
PeB (E.11.5.4)

Finalrnente, debido a que B > 12 A' se tiene:

P eA > PCB • (E.11.5.5)

De esta forma podemos proponer la forma de las caracterfsticas estaticas de

placa de ambos triodos, las cuales se presentan en la siguiente figura:

428
 EJEMPLOS

1p (mA) Triodo A
)
cv Triodo B — —
c, /
N I ".
s I /
; b
1 !
1 1 I c/b
III]
/ I 1 /
I I 1I

/
J ill
/
I/ II,
0 Ms M V (V)
A

Figura E.11.5.2. Curvas caracterfsticas estaticas de placas de los triodos A y B, donde se

aprecia la difereneia eualitativa entre ambos triodos.

Ejemplo 11.6. Calcular la capacidad entre reja y [Link] de un triodo al vacio

utilizado como amplificador (efecto Miller).

Soluciall

Si se considera el equivalente dinamico y las capacidades interelectr6dicas del

triodo, en el circuito basico de amplificador con triodo, podemos obtener la
siguiente figura de la cual es posible calcular la capacidad de Miller:

R
S VG!

---8.
11 13 2
Rp R
3

TeG'K - V
G

Figura E.11.6.1. Circuit° equivalente del triodo considerando las capacidades interelectr6-
dicas del mismo.

/ I + /2 = 13 , (E. 1 .6.1)

= SCK VG , C
- K = CG K • (E.11.6.2)

429
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

12 -= SCp (V s — VG 1 ) ; CF = CpG, , (E.11.6.3)

ve — VG i
- A VG , , (E.11.6.4)
RG

de donde:

lie — VG ,
— (1 + A) SCe P*Gi = SCK VG , (E.11.6.5)
RG

e
VG —
RG [SCK + (1+ A) SC] + E.11.6.6)

= 2ir RG CG (E.11.6.7)

ve
VG + SCPG RG (E.11.6.8)

Esto implica que la frecuencia de corte alta se reduce debido al aumento de

la capacidad de reja placa.
En esta forma la capacidad que se ye entre reja y placa es:

C pG = CK (1 + A) Cp (Capacidad Miller)

De estos resultados podemos concluir que para el triodo al vacfo habil un

compromiso entre la ganancia del amplificador y la frecuencia de corta alta del
mismo, ya que a mayor frecuencia de trabajo la ganancia debera disminuir, para
evitar que afeete demasiado a la capacidad entre reja y placa.

Ejemplo 11.7. Una serial de CA de I., = 2 sen wt, se aplica a un triodo al vacio
con:

430
 EJEMPLOS

= 20 y Rp= 7.5 X 103 s-2. Si RL = 15 X 103 ft, determinar:

a) la corriente de placa CA;

b) el voltaje de placa;
c) la ganancia del amplificador; y
d) la potencia CA en la resistencia de carga RL.

RL

VP?

Figura E.11.7. Circuito basico de un amplificador con triodo.

SoluciOn:

Al sustituir el triodo por su circuito equivalente, se encontr6 que:

VPP P VGG ;Ave

= (11.2.22)
RL + Rp RL + RP

RL R
Y VP = VPP — (VPP — P 'G ) — L ii i1e (11.2.24)
RL +14 RI, + 14

a)

En esta forma la corriente de placa CA sera:

Ave
/PcA (E.11.7.1)
RL + 14

431
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sustituyendo datos tenemos:

20 X 2 sen wt
IPCA= A,
7.5 X 103 + 15 X 103

/pcA = 1.78X 10-3 sen wt A,

ipcA = 1.7 sen wt mA.

Asi, para el volt* de placa CA se tiene:

RL
VPCA = AiVe •
RL Rp (E.11.7.2)

Sustituyendo datos tenemos:

15 X 103 X 20 x 2 sen wt
VPCA V,
15 X 103 + 7.5 X 103

liPcA = — 26.67 sen wt V.

c)

La ganancia esta dada por:

a TiPCA =_ gRL ,
A= (E.11.7.3)
a ye RI, + Rp
entonces:

20x 15 X 103 300

A— = — — — 13.
22.5x 103 22.5

432
 EJEMPL(JS

d)

La potencia CA en ia rrsiftencia de cargo RL

LCA Rt, riPcA 12 , (E. 11.7.4 )

donde (fpcA J es el valor mu de corriente de placa el cual Sc calcula de la si-

guiente forma:

(1.7 X 10-3 )2 sen we d " . (L.11.7 5)

1.7
tircAl= niA (E11.7.6)
V2

Sustituyendo en la ecuacion (E.11.7.4), se Ilene:

15 )< 103 X (1.7 X 10' )2

P = W = 21.68 X 10 Vv.
1.C4

Ejemplo 11.8. El triodo mostraclo en la fig. E.11.8.1 pude rcpresentarse por

caracterfsticas linealcs de p -= 20 y rp = 10KR. ademas deben cumplirse las
siguientes [Link]:

a vp
Para -10 V < VG < -5 V
a vc

a Vf,
para -5 V< VG < OV ; A= = -10.
3 VG
Suponiendo que el diodo es ideal, determine los valores de RL . R, y R2.

433
11 DISPOS1TIVOS AL VACIO

-1- YPP 200V

R1
R
D
_=_ vpp
p
1 VG
R2 R2
+ AS G
IVG

E.11.8.1. Amplificador de ganancia variable y su equivalente.

Soluci6n:

La ley de comportamiento de la Fig. E.11.8.1 es:

R2
Vi — Vep , Si el diodo esta polarizado inversamente, es decir,
R + R2 Vp >

Usando la ecuacion (11.2.22) se puede encontrar Vp :

RL RL
R
Vp _ pp + AVG , (11.2.22)
VPP + Rp
+RPTi

y la ganancia estara dada per:

A, = — RL t I (R L + Re). (E.11.8.1)

Si consideramos al diodo ideal y en conduccion el circuito se puede llevar a

un equivalente (mostrado en la Fig. E.11.8.2)

434
 EJEMPLOS

R
rh

R
R1
Re v
P
V
1).13 th
Rp
VG1 AtV
G
R2
VG

Figura E11.8.2. Equivalente del amplificador de ganancia variable cuando el diodo D con-
duce y se considera ideal.

donde;

Rd, = R i HR2HRL , ( E.1 l.2.2)

R 2 (RI, + R I )Vpp
Vrh (E.11.2.3)
RL R, +RL R 2 + R1R2
En este caso la ganancia esta dada por:
gRth
(E.11.8.4)
A 2 —
Rm Rp

Debido a que = R 1 I1R 2 IIRL < RE , entonces la ganancia A1 > A2 y si se

establece que el voltaje de control que hace que la ganancia cambie sea de -5 V,
tendremos:
R2 RL RL p Vc
V, - V=V n - V„„ + (E.11.8.5)
+ R2 PP 13' + Re RL + Re '

Usando las ecuaciones (E.11.8.1), (E.11.8.4) y (E.[Link]), podemos deter-

minar los valores de /2,, R2 y RL :
RL
At - = - 15, (E.11.8.6)
RL + 14

435
1 1 DiSPOSITIVOS AL VACIO

j/
A2 -= - = - 10. (E.11.8.7)
Rth Rp

Puesto que p. Rp y 17pp son datos, las ecuaciones (E.11.8.5), (E.11.8.6) y

(E.11.8.7) constituyen un sistema de tres ecuaciones con tres incOgnitas: por lo
tan to, resolviendo este sistema de ecuaciones se encuentra que:

R = 301CS2,

R, = 24Kn, y

R2 = 40K.U.

Ejempio 11.9. De las caracterfsticas estaticas de placa del tubo 6AU6A (pentodo
de corte neto), determine los parametros g , R y

12 1. I
p I P
F 6
•3V

s
1 .

• I
—0.5V
V = 00
I V
i
1 _ i
# = —1V- G2
VG 1
,
A'a 2
1 p.m...71.5V I
erilli• -2.0V
— mom. —2.5V I I
0 mill= Mr —.3_ i
100 200 300 400 500 600

Voltaie de placa (

Figura E.11.9.1. Curvas caracteristicas estaticas del pentodo 6AU6A.

Solucian:

Para VG i = — I V,

Vp = (300— 200)V = 100V,

= 15.3 — 5.0) X. 10-3 A = 0.3 x 10-3 A,

436
 EJEMPIOS

AVp
RP =- E.11,9,1)
kip
V(.71

100
R=
P 3 X 10-4

Rp = 333KS2

Para J,= 300V,

A VG = (-0 .5 — (-1.0) )V = 0.5V,

6Ip = (7.5— 5.1) X 10 A= 2.4X 10 -3 A,

AI
gm = (E.11.9.2)
VG1
VP

2.4X 1C0
grn 0.5 (nr

= 4.8 X 10-3 .

= Rp gm ,
(E.11.9.3)
Pi = 0.33 X 10' x 4.8 X 10-3 — 1600.

Mi = 0.33 X 106 X 4.8 X 10-3 = 1600.

Ejemplo 11.10. Usando las caracterfsticas de placa para el pentodo de la Fig.

E.11.10.1. determine los valores y signos apropiados de las consta_ntes to , , v

437
11 DISPOSITIVOS AL VACIO

rp , tales que el circuito equivalente lineal de la Fig. E.11.10.2 represente estre-

chamente al tubo real en la vecindad del siguiente punto de operacion:

VG 2 — 100 V, VG 3 = 0 V, VG 1 = — 1.0 V, Vp= 250V.

'P
10
I
—0.5V
I
8
ca.< 6
I Q —1.0V
-o ,..... , . V =0V
...
'c wa
o GI ———
fa
-= 4 4 —1.5V
8
o >,
e.
—2.0V
—2.5V
—3.0V
(V)
100 200 300 400 500

Voltaje de piaca

Figura E.11.10.1. Caracteristicas estaticas de placa del tubo 6AU6A.

G1

v o RP
TVG 1
g v
mi G1

Figura E.11.10.2. Circuito equivalente del pentodo (estatico).

Solucion:

VP
= gm VG 4- — (E.11.10.1)
Rp

438
 EJEMPLOS

donde:

A.&
gm — (E.11 .10 .12)
AV G VP = cte

A Vp

Rp = (E.11.10.3)
VGI = cte

gm 2 VG2= lp,cuando VG , = 0 y Vp = Vp(i . (E.11.10.4)

En esta forma, utilizando las caracteristicas estAticas del pentodo, encontra-

mos los valores de gm 1 , 10 , Y RP.

Para V = 250 V,

Aip = (7.6 — 3.2) X 10-3 A = 4.4 X 10'3 A,

AVG =(0'5 — (-1.5) I V= 1.0 V,

4.4X 10-3
gm —
1.0

gm = 4.4 X 10'3 0-0-1

Para VG = — 1.0V,

A Vp = (300 — 200) V = 100 V,

Alp = (4.2 — 4.0) X 10 3 A= 0.2 X 10-3 A,

Rp = 500Ka,

10 = Ip = 10.2 X 10-3 A.
(VGI = 0, Vpo = 250V)

439
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Con los valores calculados detenninamos IPQ y comprobamosgyaficamente:

PQ
IPQ --- 0 -I- g Ill t G
+
.Rp
250
'PQ 110.2 X 10-3 4- 4.4x 10-3 (-1) + SOO X 103 IA

= 6.3 X l0-3 A.

De la grafica se cbtiene /pQ = 5.2 X 10-3 A.

La diferencia en los valores de 49 se debe principalmente a que las curvas

siguen la ley de potencla a la tres medzos, mientras que el modelo equivalente es
Estos calculos comprueban ademas que la Ip (tebrica) es siempre mayor
que la f p (real) para voltajes de reja de control negativos. Los signos presentados
en el circuit° equivalente de la Fig. E.11.10.2 son los adecuados.
Ejemplo 11.11. El pentodo 6AU6A Fig. E.11.9, es usado como amplificador de
voltaje Fig. E.11.11. La fuente de voltaic Vpp = 300 V, la resistencia de la reja
de control R = I M52. El pentodo debe de polarizarse de manera que el punto
. f
de polanzacion se tenga en VpQ = 100 V, VG 2 = 100 V, Ip = 5 mA. Bajo estas
condiciones 4 . 2 = 2.1 rnA. Determine los valores requeridos para RK, RG 2 y RL

vs

Figura E.11.11. Amplificador de voltaje con pentodo.

440
 EJEMPLOS

lucion:
Ley de comportamiento en corriente directa (CD):
VPP = R L 4Q -1-VPQ + R K [IC Q.' (E.11.11.1)

VPP =RG 2 IG 2 Q +VG2Q +RK IKQ' (E.11.11.2)

VGiQ = — R K IKQ = —(1PQ + IG2Q )R K . (E.11.11.3)

La ganancia de corriente alterna es:

Rp 14,
A= — (E.11.11.4)
RL, + R

Del circuit° equivalente del pentodo (estatico) se sabe que:

Vpe
/PQ /0 gmi IQ + • (E.11.11.5)

Sustituyendo datos en las ecuaciones anteriores. es posible deterrainar los valo-

res requeridos:
300V= (5 x 10-3 X Rt + 100± 7.1 X 10-3 RK )V,

200V = (5 X 10-3 RL + 7.1 X 10-3 RK )V, (E.11.11.6)

300V= (2.1 X 10 -3 Rc 2 + 100 + 7.11 X 10-3 RK )V

200V= (2.1 X 10-3 RG2 4- 7.1 X 10 RK )V, (E.11.11.7)

—1.0V= —7.1 X 10-3 RK V. (E.11.11.8)

DespejandoRK de la ecuacion anterior tenemos:

R K = 140.82.

441
1 1 DISPOSITrVOS AL VACIO

Restando la ecuaci6n (E.11.11.6) de la ecuacien (E.11.11.7), tenemos:

R L = 0 • 42R G 2• (E.11.11.9)

Sustituyendo RK en la ecuaciOn (E.11.11.7) es posible obtener el valor de RG 2

RG 2 = 95ICS2•

RL = 39 91(.11
•
Ejemplo 11.12. Un par de fototubos se usan en un circuito divisor (Fig.
E.11.12.1) para obtener una respuesta de salida dependiente de la posici6n de
un rayo luminoso; cuando el rayo esti colocado centralmente, el voltaje de sa-
lida es cero. Supongase que el rayo se desplaza de tat manera que caen 0.10 Rrn
sobre el fototubo superior y el resto, 0.06 Vnt caen sobre el fototubo inferior.
Determinar la magnitud del vottaje de salida y su polaridad con respecto al
potencial de tierra.

Caracteristicas de los fototubos:

gf = 20 X 104 (A/km) y Rc = 40K n.

45V
Rayo de
luz (0.16 Qin)

45V

Figura E.11.12.1. Puente de fotogelda.

Solucion:
Sustituyendo los fototsbes (fotoceleta) por sus equivalentes, el circuito de la
Fig. E.11.12.1 queda:

442
 EJEMPLOS

111
45V

45V V2

E.11.12.2. Circuito equivalente del divisor de fotoceldas emisivas.

a)

Si Ji = J2 y g ft = g12 , se tiene que la caida de voltaje entre las terminales A y

B es nula, debiao a que el puente esti balanceado.

b)

SiJi * J2 ,g 1 = gf2 , y RT = = 8 KS2 , entonces:

V2 V1
(E.11.12.1)
g f 2 .12 + 8X 1O = g f 1 '11 + 8X 103

Ademas:

V1 + V2 = 90V. (E.11.12.2)

Por to tanto:

90+ 8000 (gf2 -2 — gfl J1)

V1 —
2

Luego el voltaje entre los puntos A y B es:

VA B = - 45 + V1 .

443
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

Sustituyendo valores (J1 = 0.10 2m .12 = 0.060 ern), tenemos:

90 + 8000 [ ( 20 x 10-3 (0.06 — 0.1) ]

- 45 + v,

VA B (-45 + 45 —0.04 X 160/2), V

V AB = — 3.2 V.

444
 PREGUNTAS

PREGUNTAS
11.1 ,De que depende la corriente de saturacion de un diodo al vacfo?
11.2 i,Como se define la resistencia estatica y dinamica de un dispositivo
no-lineal?
11.3 Explique los efectos de la limitacion de corriente por carga-espacio y por
temperatura en un diodo al vacfo.
11.4 Encuentre a1gin otro circuito equivalente valid° para el diodo al vacfo.
11.5 Defma los parametros de un triodo al vacfo.
11.6 LPor que un triodo al vaclo no es buen ampLificador de voltajes a altas
frecuencias?
11.7 El triodo se comporta como una fuente de voltaje real, dependiente de.. .
11.8 Si en un triodo la reja de control se hace muy negativa, zque sucede?
11.9 LCOrno se especifica la potencia de disipaci6n de un dispositivo?
11.10 lixplique por que es posible representar a1 triodo con un circuito equiva-
lente de la forma:

41/

P V

4-

Circuit° equivalente dinamico del triodo

445
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

zEn clue regiones del piano ( Vp — VG 1 ) no es valida la aproximaciOn

4 = k (Vp + g VG 1 )3 ' 2 , en donde k y p son constantes para un triodo,
y por que? Considere el piano completo.
,Para que se usa la reja pantalla en un tetrodo?
i,Para que se usa la reja supresora en un pentodo?
zamo puede usarse una impedancia negativa?
,Como se define una impedancia negativa?
i,Por que se presenta la emisiOn secundaria en los tetrodos?
El pentodo se comporta como una fuente de corriente dependiente de. . .
zQue ventajas o desventajas puede nombrar acerca del pentodo con res-
pecto al triodo?
11.19 Investigue algunas aplicaciones de los fototubos.

446
 PROB LEMA S

PROBLEMAS
11.1 Grafique las curvas de ( Vp — /p)para cada uno de los arreglos de la figura
P.11.1.

I p P IP
K K

K
VP
VP
l'i •f

VP

Figura P.11.1

447
1 1 Disposrrivos AL VACIO
11.2 Dada la caracterfstica de an circuit° diodo, determine eI valor de VpQ y
/1' Q (Fig. P.11.2.1)

R, 5 kn

200V

p (A)
50 100 150 200

Figura P.11.2

11.3 Demuestre que cuando existe la limitacion de carga-espacio en un diodo

de electrodos paralelos, el campo electric° en la placa es de 4/3 del valor
que existe cuando no fluye corriente.
11.4 Consulte manuales de tubos al vacfo y determine los parametros gm , rp
y g del 12AU7, 6J6 y 6AU6.
11.5 Trace (V1 — 12) para el circuito de la siguiente figura, en que la caracte-
rfstica del diodo es mostrada en la misma. Cubra el rango de —100V < V I
<10y.

/p(nA)

v 3/2
I2
66.7 P— P

V )
100

Figura P.11.5.

11.6 Consulte el manual de tubos al vacio (triodo o pentodo) para que deter-
mine los valores adecuados de un amplificador de voltaje con una ganan-
cia de A = 40, usando una fuente de polarizacion de Vpp = 300 V.

448
 PROBLEMAS

11.7 Usando dos triodos en paralelo, determine la Rp y la gm equivalente de la

combinaci6n de ambos, en terminos de los parametros individuales de
cada uno de ellos.

Figura P.I1.7.

11.8 La resistencia de placa de un tetrodo en particular es de 1 50ics2 y se

reduce a 91(S1 cuando el tubo esta operado como triodo (reja pantalla
desconectada). Suponga que la reja pantalla tiene una corriente de (1 A.
igual es la conductancia gM 2 resultante de reja pantalla a placa, si la
reja de control es mantenida a un voltaje de polarizaciOn constante y la
reja pantalla se hace el electrodo de control?
11.9 Se tienen dos triodos, siendo el triodo B exactamente dos veces mas
grande que el triodo A en todas sus dimensiones. 4Cuales son las diferen-
cias cualitativas entre sus curvas de placa?
11..10 Las caracteristicas de Vp — hp de un triodo son dadas en la siguiente ex-
expresion:

= 2 X 10-5 (Vp + 15 VG , )3/2

a) Dibujar la familia de caracteristicas de placa para este triodo sobre la

regi6n:

0 < VP < 500V,

0 < /p < 16X 10 A,

VG = 0,— 2, —4— 16 V.

449
1 1 DISPOSITIVOS AL VACIO

b) De b grafica de la parte a) determine los valores de los parametros

del triodo en los siguientes puntos de operaci6n:

1) Ip = 3.0 mA, 2) Ip = ?, 3) /p = 13 mA,

V = 300V, Vp = 240V, Vp = ?,

VG = '
V = —8V,
G
VG = OV.

zSe cumple p = g,, Rp en cada punto?

11.11 Cuando en un amplificador de voltaje se usa un pentodo en lugar de un

triodo, ique consideraciones diferentes se deben hacer?

450
 BIBLIOGRAFIA

BIBLIOGRAFIA

• C.L. HEMENWAY, R.W. HENRY, y M. CAULTON, Physical electronics,

Wiley.
• [Link], Electronics circuits, McGraw-Hill.
• JACOB MILLMAN y SAMUEL SEELY, Electronics, Secon edition, McGraw-
Hill.
• HENRY J. ZIMMERMANN, SAMUEL J. MASON, Teoria de circuitos
electronicos, Compania Editorial Continental, S.A.

451
APENDICES
METODO DE WKB PARA DETERM. LA TRANSPARENCIA DE LAS BARRERAS DE POTENC1AL

Apendice A
METODO DE WKB PARA DETERMINAR LA TRANSPARENCIA DE LAS
BARRERAS DE POTENCIAL

Para calcular la transparencia de las barreras de potencial de las particulas ato-

micas, a menudo se usa un metodo de aproximacion llamado metodo WKB.
Sea una onda de particula descrita por la ecuacion de onda siguiente:

d2
f (x) = 0 , (A-1)
dx2

donde f (x) es positiva para x1 < x <x2 (Fig. A.1), rango de x en el cual se
satisface la solucion para:

0(x) = (A.2)

Sustituyendo (A.2) en (A.1), tenemos:

0("(X) -4- [Ce (x)]2 —f (x) = 0. (A.3)

Suponiendo que (x) es una funcion que varfa lentamente con x, tenemos:

a" (x) < [a' (X)]2 .

En esta forma la ecuacion (A.3) tiene como solucion aproximada:

X2
ce(x) = [f (x)] dx , xi < x < x2 (A.4)
J,1

455
 METODO DE WKB PARA DETERM. LA TRANSPARENCIA DE LAS BARR ERAS DE POTENCIAL

El signo negativo se considera ya que interesa una onda que viaja de izquier-
da a derecha. Por consiguiente, la transparencia de la barrera es:

2 00 0/2 diel
If
T= 00* =e ix, (A.5)

Para el caso de una barrera de potencial V(x), tenemos:

2m
f (x)= h2
— [V (x) — El , (A.6)
donde
V(x) es una energia potencial; y
es la energia del electron.

Por lo tanto:
2m 1/2
T= expl-2 (—) f [ V(x)— E]"2 dx ( A.7)
h2 F

Figura A.1. Barrera de potencial para calcular el coeficiente de transparencia T

456
 CONSTANTES MICAS B

Apendice B
CONSTANTES FISICAS

Constante Sfmbolo Valor

Velocidad de la luz c 3 X105 m/seg

Constante de Planck h 6.63 X10-34 J-seg
11127 h 1.05 X10-34 J-seg
Constante de Boltzman K 1.38 X 10-23 J/°K
Constante de Boltzmann K 8.62 X10-5 eV/°K
Carga eldctrica e 1.6 X10-19 COUI

Masa atOmica unitaria mau 1.66 X 10-27 Kg

Numero de Avogadro No 6.02 X1026 mau/Kg
Ntimero de Avogadro No moleculas/Kg-peso molecular
Masa del electron mo 9.11 X10-31 Kg
Razor) de carga a masa para 71 1.76 X1011 coul/Kg
el electron
Masa del proton ma ,. 1836 mo = 1.67 X10-12 Kg
Permitividad del vacio en 1
= 8.85 X10-12 "22
36 r X109 rica-m
Permeabilidad del vacio Po 4.7r X10-7 = 1.26 X10-6 nw/A2
Radio de la primera orbita de an 5.29 X10-11 m
Bohr en el atom° de hidrogeno
_

457
C CUADRIPOLOS

Apendice C
CUADRIPOLOS

Sc define como cuadripolo a cualquier circuito que presente cuatro terminales

al exterior. Un ejemplo se muestra en la siguiente figura.

11 4,--
12

1/11 V2

Figura Cl. Cuadripolo.

El interior del cuadripolo puede consistir de:

a) elementos pasivos;
b) elementos activos; y
c) elementos no lineales y dependientes.

Dicho cuadripolo queda completamente caracterizado por , 1.72 , e 12.

Las interrelaciones entre estos parametros nos dan seis posibilidades:

Parametros Z Parametros Y

vi= , 12) 11= RI , v2)

V2 = I (II 12) 12 = f(, V2)

458


CUADRIPO I OS C

Parametros h Pardmetrosg

=f , V2 ) V2= firl,12)

= f (11 , V2 ) /1 = f(fr , 12 )

Parametros a Parametros

= f(,12) v2= R171,10

= f(V2,12) 12= f(ri,h)

Ahora el anAlisis se hara suponiendo que el cuadripolo es lineal.

Si de nuestros cuatro parametros , /1 , V2 , /2 ), que caracterizan al cuadri-
polo, suponemos que h e /2 son las variables independientes, y que y V2 son
las variables dependientes, entonces obtenemos las siguientes relaciones.

Parcimetros Z

= z1I J1 + z12 12 , (C.1)

1'2 — Z21 11 + Z2212 • (C.2)

En forma matricial se tiene:

Z11 Z12 I /31

Z21 Z22 /2
I

(10 ode
III I/;
ZI I = -, , Z12 .---, -
" 1, = 0 1 2

Z21 = - , z22=
,
ii 12 = 0
12 li = 0

459
C CUADR1POLOS

a VI a vi
• Z11 =
012
ul ' /2 = cte = cte

a v2 a r";
Z21 = r 012
'ill = cte = cte

Al primer grupo de parametros Z se le llama parametros Z estaticos, y al

segundo grupo parametros Z dinamicos.
Cualquier cuadripolo caracterizado por los parametros , , , A puede
ser llevado a la forma general de la Fig. C.2.

1, ,
, , /2
,_
_. . , _ co+ 1

V1 z, ,./.2

Figura C.2. Cuadripolo con parametro Z.

Analizando por el metodo de mallas, tenemos:

= (ZA + 4) 1j + 4/2 , (C.3 I

V2 = (ZB 4) /2 + Vt. . (C.4)

De la ecuacion (C.3) tenemos:

z,1 =— = ZA + 4 • IC .5 ■

Z — (C.6)
A2 = = 4.

460
 CCADRIPOLOS C

De la ecuacion (C.4) tenemos:

1,12. V
Z,, = = Zc + — (C.7)
1, = 0

V
Z22 - = Zil ZC (C.8)
/2
=- 12 •

--op Irmo 0 ..--

• III•1 + •
4 1,
r,I IA zci Iv,
7,
6 •

(a) (b)

Figura C.3. Cuadripolo con paranietros Z: (a) hacienda /2 = 0; (b) hacienda h = 0.

El paso siguiente sera encontrar los valores de ZA , 4,4. y Vi en terminos

de las impedancias Z11 , Z12 t Z21 , Y Z22 .
De la ecuacion (C.6) tenemos:

4= Z12 • (C.9)

Sustituyendo la ecuacion (C.9) en la ecuacion (C.5), se obtiene:

ZA= Z11 — Z12 • (C.10)

Sustituyendo la ecuacion (C.9) en la ecuacion (C..7) tenernos:

= (Z21 - Z12 ) 1 • (C.1 1)

Sustituyendo (C.11) en (C.8), y considerando quel1 = 0, se tiene:

4= Z22 Z12 . (C.12)

En esta forma, cualquier cuadripolo en que se conozcan los valores de Z11 ,

Z12, z2 1 , y Z22 puede ser representado o sustituido por un cuadripolo de la
forma general mostrada en la Fig. C.4.

461
C CUAD R IPO LOS

b
•••••■• ' 41.--t
• MIMI NMI • + I •
1 ZI1 -Z12 Z22 -ZI2 (Z21 - Z12) II I
I I
VI I V2
I Z12 I
I I
I I
• a
1

Figura CA. Cuadripolo reprensentado por los parametros Z.

Pardmetros Y o pardmetros admitancia

l'i = Yii V, + Y12 V2 7 (C. I 3)

12= Y21 V1 + Y22 1' . (C.1 4)

En forma matricial se tiene:

II IY11 Y12 I [ vi I
= ,
[ /, I Y21 Y22 V2

donde tenemos los parametros estaticos Y:

It ii
Yii = — , YI2 = —
77
V
.'
E v2 = 0 2

/2 /2
V2 ji = 0

y los parametros dinamicos Y:

ah ah
Y1 i = A y • Y12 = —
3 V2
-.
V2 = cteVI = ct e

ah
Y21 =
a v, 7 Y2 2 =
a
•
V2 = ct e = cte

462
 ADRLPOLOS C

La representaciOn general se presenta en la Fig. C.S:

.'- - 7B- - - - - -',JL_

1 1
1 1

Figura C.5. Cuadripolo con parametros admitancia Y.

Analizando la Fig. C.5 por el metodo de nodos, se tiene:

It = IA 4- IB ,

IA = YA F;,
IB = (v, — v2)Y13 ,

i, = (YA + YB)K — YB V2 , (C.15)

/2 = — /13 + /c• — 'I ,

— /B = (V2 — K) YR ,

/c = YC 72 3

/2 = — YB vi + ( YE + Yc) V2 — I f . (C.I6)
De la ecuacion (C.15) se tiene:

If _ it
(C.17)
' E72 = 0

/1
= — YB • (C.18)
Yi 2 — V
2 VI = 0

463
C CUADRIPOLOS

De la ecuacion (C.I 6) se tiene:

}72 12 ,
= — -IT • (C.I 9)
V1 v2 = 0

Y22 = YB Yc — (C.20)
- =0

De la ecuacion (C.18) se Gene:

YD Y12 • (C.21)

Sustituyendo (C.21) en (C.17) se obtiene:

YA = Y11 + 3/12 (C.22)

Sustituyendo (C.21) en (C.19) se obtiene:

(C.23)

Sustituyendo (C.23) y (C.21), y considerando = 0, en (C.20), se tiene:

Yc = Y22 + Y1 2 • (C.24)

La representaciOn general del cuadripolo con parametros Y se muestra en la

Fig. C.6.

- Y12
IV2
+ Y12 1'22 + Y12
(Y12 Y21) VI

0 0

Figura C.6. Cuadripolo con parametros Y.

464
 CUADREPOLOS C

Parcimetros a
V; -= a11 P; - a1212 • (C.25)

/I = a21 V2 —a22 12 • (C.26)

En forma matricial se tiene:
.. _
I, 1 an a
= .
/I a21 an i —12

De la ecuacion (C.25) se tiene los siguientes parametros estiticos a:

K (C.27)
,
V2 12 = 0

i;
(C.28)
a12 —h V2 = 0
y de la ecuacion (C.26) se tiene estos:
11
a21 (C.29)
12 =0

-1
a2 2 = (C.30)
12 V2 = 0
Tenemos tambien los siguientes parametros dinamicos a:
a vi
a ll =
/2 cte
a VI

a" = a (-12) v,= cte

a
a21 =
cte

465
C CUADRIPOLOS

ah
a22 — a (_/2)
cte

Este tipo de parametros resulta muy fitil en el estudio de cuadripolos conec-

tados en cascada.

Pardmetros b

= bil — b1211 , (C.31)

/2 = b21 — b22 . (C.32)

En forma matricial tenemos:

b n 1)1
(C.33)
b21 b22

De las ecuaciones (C.31) y (C.32) obtenemos los parametros estaticos b:

— V2
b 12 — = 0 5 (C.34)
11

1;1
b12 (C.35)

621 = v
12 (C.36)
" 11 = 0

b22 = 12y (C.37)

0 '

y los parametros dinamicos b:

av
b11 — „.
'Jr]. I1 cte

466
 CUADRIPOLOS C

ay,
b—
ac—h = cte
a/2
b21 = —
avi = etc
al2
b22 =
vi= cte
Parametros g:

= g11 + g12 (C.38)

= g" v, + g2212 . (C.39)

En forma matricial tenemos:

i v2/1 1 [ g11 g12I

= (C.40)
g21 g22 /2

El cuadripolo con parametros g se tratard de llevar a la forma general de la

Fig. C.7:
j_Lo I AI-

gs I I

V2
VI( ga Ovr

4 I

Figura C.7. Cuadripolo con parametrosg.

g v
De la ecuacion (C.38) obtenemos Los parametros estaticos .11 :

/I
(C.41)
g" 12 =

467
C CUADR1POLOS

11
g12 =
42 = 0

y d 2 la ecuacion (C.39) tenemos:

172
g21 = -

1 12=0 '

V2
g2 2 =
.2 0

Tambien tenemos los parametros dinarnicosg:

ah
g" = a - = cte

al,
= ah- = cte

a Pi
gn = VI
r2 = cte

a J/2-
g" ah = cte

De la Fig. C.7, tenemos:

= + rit = + gA ,

V2 = + gB 12

De la ecuacion (C.45) tenemos:

If
g11 = gA v

468
 CUADRIPOLOS C

g12 = -• (C.48)

De la ecuacion (C.46) obtenemos:

g_. (C.49)
"

(C.50)
g22 gB /2

De la ecuaci6n (C.48) obtenemos:

— g12 12 (C.51)

De la ecuacion (C.49) obtenemos:

=g21 . (C.52)

Sustituyendo (C.51) en (C.47), y considerando que (C.47) vale para /2 = 0,

obtenemos:
= g11 • (L.D.5)

Sustituyendo (C.52) en (C.50), y considerando que (C.50) vale para v, = 0,

tenemos:
gi3 = g 22 (C.54)

En esta forma, la Fig. C.7 queda asi

li ----- - - - - - - - - - - - - - - ---
0_.... ..._,_,
/1I
1 4_ g.,-
, Vg12/2 I gii g2 1 Fl
V2
_

0-
L J

Figura C.S. Cuadripolo con pararnetros g.

46 9
C CUADRIPOLOS

Parametros h:

= h11 11 + h12 V2 , (C.55)

13 h2111 +h23 1' • (C.56)

En forma matricial tenemos:

ic 1 1211 /i n I
(C.57)
/, 121 h2 V2

El cuadripolo de parametros h se llevara a la forma de la Fig. C.9.

43.-
.
it r
rizzi
T /2
1 '11-
40
I
+ 1

VII 0Vf VI it [II hB :

1
iv2
i
o 1 o
1

Figura C.9. Cuadripolo con parametros it.

De la ecuacion (C.55) obtenemos los parametros estaticos h:

7
h — —VL (C.58)
— .1 v2 = 0

h12—
— 171 0' (C.59)

De la ecuaci6n (C.56) obtenemos:

12
h21—— 1 172 = 0 (C.60)

470
 CUADRIPOLOS C

h — 4 (C.61)
22 V2 It = 0 •

Tambien obtenemos los parametros dindmicos h:

h Li = —
a vi
ar, V2 = cte

a V,
h 12 = —
a V2 = cte

ar,
h21 —
" V2 = ct e

312
h22 = a V2
= cte

De la Fig. C.9 tenemos:

(C.62)

(C.63)
rig

De la ecuacion (C.62) obtenemos:

VT
h i l = hA + (C.64)

Vt
(C.65)

De la ecuacion (C.63) obtenemos:

h2 = (C.66)

47 1
C CU AD RIPO L 0 S

h_ If 4_
(C.67)
" V2 hB

De la ecuaciem (C.65) tenemos:

= 1112 V2 - (C.68)

De la ecuacion (C.66) obtenemos:

If = /121/1 • (C.69)

Sustituyendo (C.68) en C.64), para V2 = 0 tenemos:

hA = 1111 • (C.70)

Sustituyendo (C.69) en (C.67), para I = 0 tenemos:

1
(C.71)

En esta forma la Fig. C.9 queda asf:

11 r- - - - - - - - - -----
.•--
h11
1'12 V2 0 Vh2111 0722 V2

Figura C.10. Cuadripolo con parametros h.

Puesto que la red de cuatro terminales es unica, puede ser representada por
cualquiera de los parametros mencionados; por lo tanto, existe la forma de
intercambiar de un tipo de parametros a otro tipo de parametros. Esto se mues-
tra en la tabla C y se presenta un ejemplo de cam° hacerlo.

Ejemplo C.1. Encuentre los parzimetros h en funciOn de los parametros Z.

472


CUADR IPOLOS C

Solucion
Usamos las ecuaciones (C.1) y (C.2). es decir:

= Z„ [2 + Z1212 , (C. I

V2 Z,1 11 + Z221, (C.2)

y las ecuaciones (C.55) y (C.56), es decir:

14 = /111 11 + //12 1 2 (C.55)

/2 = h21 11 + h22, V2 (C.56)

De la ecuacion (C.2) despejamos 12 y la sustituimos en (C.1):

14— Z21 /1
/1 4- Zi2( )•
4, 22

ZI2Z21 Z12
,
L.,22 Z22

Z„ Z22 Zi 2 Z21 Z1 2
171 = i+
.7 13 . (C.72)
Z 22. L.22

Comparando la ecuaciOn (C.72) con la (C.55), y debido a que las variables

son linealmente independientes, tenemos:

LZ ZI2
h11 =7 , h 1 2 - , donde AZ =Zil Z22 Z12 Z21 -
.4.22 Z22

De la ecuacion (C.2) despejamos 12

12 = + 1
z-, 22 Z22

y la comparamos con la ecuacion (C.56):

Z21 1
/1 21 = , 11/2
Z22 1-.22

473
C CUADR IPO LOS

Tabla C. Tabla de conversion de parametros

De A B A' B'

Z r h g C D C' D'

A a ,-- AD-BC A ' = AD' -B t"

ZI1
Y22 -YI2 1M 1212 1 -gn A a D' I
ZI2 —
I YI IY1 h22 h22 $11 811 C C C' C'
Z
-Y22 Y21 -h22 1 gm Igl 1 D A' A'
41 42
Iv Ir I 42 h22 Su gn C

42 -Zi2 11 y2 I -kz Igl A2 D -A A' -1

IZI IZ I hi , hu gn gn B B B' B'
Y
-z21 ZU y 1221 Ihi -gm 1 -1 A -A' D'
IZI IZI 21 Y." hli hil 822 gn B B B' B'

IZI
__ 42 1 -K2 gn -8.22 B A B' 1
h11 h12 —
Z22 Z22 Yll Yu Igl 151 D D A' A'
h
-Z21 1 Y21 JX.L h21
h22 -g21 gil 1 C -A' C'
42 42 Yta iii Igl Igl D D A' A'

1 -Z12 IYI Yt2 h22 -h12 C -A C' H

Z11 Z11 Y22 YT2 lh I lh I gn 812 A A D' D'
S
Zu IZI -r„ I -kin /211 I B A' B'
Z11 Z11 122 Y21 I/1 I lid gal g" A A D' D'

A e z" 1 g22 A
Z21 B
Z2I Y21 Y21 1121 h21 821 Si A' A'

C D
I
—
Z22
..,--
-WI -Yil -1122 I- 81 , Igl C' A'
—
,. --
., C D
Z21 421 Y21 Y2I h2l n2I 521
.21 52, A' A'
62,

A' B' Z2
n, 2
IZI -Yu -1 I hi] -Igl -g22 D B
A' B'
L12 Z12 Y12 1'I2 h12 h12 512 512 a A
, 1 Zil -IYI -Yn hn Ihl -gli -1 C A
C' LI' —
, — C' D'
L/2 Z12 Yll YI2 h12 /In $12 512 A A

474
 PROP1EDADES DE LOS SEM1CONDUCTORES D

Apendice D
PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES

Semiconductor End& prolulsida =E, Morilidad a 300°K Masa ekctin Constante Dietrocia
(eV) cm2/(V-seg) (?n/me) dielectrics I:aerator:nes
300°K 0°K avatar:les Instead di:drams homes a 300°K

C (dismal:1z 11) 5.47 531 1800 1600 0.2 0.25 5.5 3_56679

1.6 nit, = 0.04 16

Ge (gemtanio) 0.66 0.75 3900 1900 5.65748

•
m; =0.97 m2,,, =0.16 11.8
Si (silicio) 1.12 1.16 1500 600 5.43086
ner=0.19 mt„ =0.5

Grupo 111-V
GaAs 1.43 132 8500 400 0.668 03 10.9 5.6534
(araeniuro de galio)

Grupo 11-1V
CdS 2.42 2_56 300 50 0.17 0.6 10 5.832
(sulfur° de cadmio)

Grupo IV-V1
PbS 0.41 0.34 600 700 0.66 0.5 17 5.935
(sulfur° de plomo

475
E PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T = 300°K

Apendice E
PROPLEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300° K

Propiedades Ge Si GaAs

atomoskni3 4.42 X1022 5.0 X 1022 2.21 X1022

Peso atOmico 72,6 28.08 144.63

Campo de ruptura
105 3 X 105 4X105
(V/cm)

Estructura cristalina diamante diamante zinc-blenda

Densidad (g/cm3) 5.3267 2.328 532

Constante dielectrica 16 11.8 10.9

Densidad efectiva
de estados en la
1.0 X1019 1.02 X 1019 7.0 X1015
banda de conducciOn
Nc(cm-3)

Masa efectiva m*firio

electrones nl= 1.6, 4= 0.082 m=0.97, m= 0.19 0,068
huecos m24.h =0.04, mh*h =0.3 rnith =0.16, mh*h =0.5 0.12, 0.5

Armidad electronica
4.0 4.05 4.07
X(V)

476
 PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300° K E

PROPIEDADES DEL Ge, Si y GaAs a T= 300'K (cont. . .)

Propiedades Ge Si GaAs

Banda prohibida (eV)

0.66 1.12 1.43
a 300`K

Concentracion
intrinseca de 2.4X10!3 1.6 X1016 1.1 X 107
portadores (cm-3)

Distancia
5.65748 5.43086 5.6534
interatOmica (A)

Coeficiente lineal de
expansion termica 5.8 X 10-6 2.6 X10-6 5.9 X10-6
(AL/L AT) (°C-1)

Punta de fusiOn (°C) 937 1420 1238

Tiempo de vida de
-3
portadores 10-3 2.5 X10 ^''' 10-8
minuritarios (seg)

Movilidad (cm2 /V-seg)

mr, (electrones) 3900 1300 8500
pp (huecos) 1900 600 400

Calor especifico
0.31 0.7 0.35

Conductividad
termica a 300°K 0.64 1.45 0.46
W/(c-m-° C)

Difusion terniica
(ariziseg) 0.36 0.9 0.44

FunciOn de trabajo (V) 4.4 4.8 4.7

Presion de vapor 10-3 a 1270°C 10-3 a 1600°C 1 a 1050°C

(Torr) 10-8 a 800°C 10-s a 930°C 100 a 1220°C

477
F TABLA DE CONVERSION DE FACTORES

Apendice F
TABLA DE CONVERSION DE FACTORES

1 radian = 57.3° = 0.159 rev.

1 grado = 0.0175 radian.
1 slug = 32.2 lb (masa) = 14.6 Kg.
1 kilogramo = 2.21 lb (masa).
1 libra (masa) = 0.454 Kg.
1 unidad de masa atomica = 1.66 X 10-27 Kg.
1 metro = 39.4" =3.28 pies.
1 pulgada = 2.54 cm.
1 milla = 5 280 pies = 1.61 Kin.
1 unidad angstron (A) = 10-'0 m = 0.1 mp.
1 milimicra = 10-9 m.
1 dfa = 86,400 seg.
1 afto =3.16 X 10" seg = 365 dfas.
1 milla/hora = 1.47 pies/seg = 0.446 m/seg.
1 libra (lb) = 4.45 newton.
1 newton = 0.225 libras.
1 calorfa = 4.19 joules.
1 joule = 0.239 calorfas = 2.78 X 1 0-7 KW-h.
1 electron-volt= 1.6 X 10-'9 joules.
1 caballo de fuerza = 550 lb-pie/seg = 746 W.
1 BTU= 778 lb-pie = 252 cal = 1060 joules.
1 atmosfera = 29.9 pulg de Hg.
1 atmosfera = 76 cm de Hg.
1 atmosfera = 1.01 X 105 newton/m2 .

478
 CUR VA NORMAL1ZADA DE LA FUNCION ERROR COMPLEMENTAR1A Y... G

Apendice G
CURVA NORMAL1ZADA DE LA FUNCION ERROR
COMPLEMENTARIA Y LA DISTRIBUCION GAUSSIANA

10-1

2
-x

-8
;f 10

1 0°
0.5 1.0 1.5 2.0 z.s 3.0 i .3 4 4.5 5.0

479
 •
PRINCIPALI S DTSPOSITIVOS SEM ICONDUCTORES D ISCRETOS

Apendice I I
PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

H.1. Diodo rectificador

. 1 ' 4,
LA i Ih
/ = 10 (ce VImKT _ I)

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Sim bolo
de uniones electrica matemitico

Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es presentar baja resistencia al paso de la
corriente cuando se polariza directamente (positivo el anodo y negativo el cato-
do), y alta resistencia al paso de la misma en polarizacion inversa (negativo el
anodo y positivo el catodo).

Aplicaciones tipicas:
Rectificadores; demoduladores; compuertas logicas; formadores de onda; suje-
tadores.

Valores mciximos:
Voltaje de ruptura VR = 30,000 V.
Corriente promedio en sentido direct° 1/) = 1500 A.
Temperatura de la union 7; = 150°C.

480
 PRINCIPALES DISPOSITIVOS SE M ICONDUCTORES DISCRETOS H

H.2. Diodo Zener

ri,.ct. ,A
MGM Vi
=UM —ri
Vu v
T A„
Esquetna tipicit Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica matemiitico
Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es la region de ruptura Zener, la cual es
abrupta, perrnitiendo que este dispositivo funcione omo referencia de voltaje
confiable. Este fenOmeno de ruptura se presenta itasta voltajes alrededor de
50 V; sin embargo, se disetian diodos cuya ruptura es mayor a los 50 V (ruptura
de avalancha), los cuales pueden trabajar permanentemente en dicha region.

Aplicaciones t !picas:
Reguladores de voltaje; limitadores; circuitos de proteccion: celdas de referenda.

Valores mciximos:
Voltaje de Zener Vz =-• 200 V.
Pot encia de disipacion maxima PD = SOW.

H.3. Diodo tanel

43 ,_,,i,.,,, ,,,, 1.C, ,(v,_ V)2 , jo (eeVIrnKT-- 1)

TV — V
donde:
1 Vp Vy C1 es una constante que &pen& de las
1K
imputezas del diodo

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Sirnbolo
de uniones clectrica matematico

Caracteristica funcional:
Su principal caracterfstica funcional es la presencia de una impedancia negativa
en sentido direct°, entre el voltaje pico y el voltaje valle.

Aplicaciones tipicas:
Convertidores; circuitos logicos; circuitos de microondas; detectores de nivel;
formadores de onda.

481
H PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Valores maximos:
Corriente pico /p = 100 mA.
Frecuencia de corte resistiva f = 40 GHz.

H.4. Diodo varactor

VR 10
■ 4 V
PN • .v 1=10 (eeVImKT — 1)
rr— Vu

SImbolo Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

de uniones electrica matematico

Caracteristica funcionak
Su principal caracteristica funcional es que al polarizarse inversamente en la
region de saturacion inversa, varia la capacidad de la union al variar el voltaje
inverso.

Aplicaciones tipicas:
Circuitos de sintonfas de radio y TV; filtros activos; osciladores controlados por
voltaje.

Valores maximos:
Cm
Razor' de capacidad — 15.
Factor de calidad Q = 600.
Capacidad de la union maxima Cf .800 pf.

H.5. Diodo Schottky

.11

SCN VR 1 = io (eeT/ImKT _ 1)
■V
Vu
(

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Simbolo
de uniones electrica matematico

482
 PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS H

Caracteristica funcional:
Su principal caracterfstica funcional es el permitir rectificar sefiales con fre-
cuencias arriba de los 300 MHz. En estos dispositivos los tiempos de conmuta-
cion son menores a los 10 nseg, pero sus voltajes de ruptura son pequeffos
comparados con los rectificadores normales. El diodo Schottky esti construido
mediante un contacto metal-semiconductor; el metal corptinmente es de oro y el
semiconductor esta altamente impurificado y es tipo N, lo cual permite que la
regiOn de vaciamiento sea muy pequefia, presentandose Las caracterfsticas arriba
mencionadas.

Aplicaciones tipicas:
Ciscuitos logicos de alta velocidad; moduladores y demoduladores en microon-
das; fuentes de alirnentacion conmutadas.

Valores mciximos:
Corriente promedio en sentido directo ID = 75 A.
Voltaje de ruptura VR = 45 V.
Temperatura de la uni6n Ti = 150°C.

H.6. Diodo inverso (back)

(1.; • A
1 =10 (eeVIrn/CT_ 1),V
NM= .- I' 0;
ME=
T •ic
I =V114 , V <0 ,Ri <100 St

Esquerna tipico Caracteristica Comportamiento

Simbolo
de uniones electrica matematico
Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es la semejanza que tiene con un diodo
timel polarizado inverso en el cual los valores de voltaje pico y voltaje valle son
casi iguales. En sentido directo presenta voltaje de umbral muy pequeflo.

Aplicaciones tipicas:
Osciladores de baja potencia; mezcladores en microondas.

Valores maximos:
Corriente promedio en sentido directo = 5 mA.
Voltaje de umbral = 40 mV.

483
H PRINCIPALES D1SP0SIT IVO S SEMICONDUCTO RES D1SCRETOS

H.7. Diodo trirector (back to back)

.. r 1
•7.3.
47)
-,
MG= t I I
MUM —11
,R 1 jf.. r 1 o; IVI=VR
,-/
VR I/1> 4 ; Ivi> vR
T2 MGM
T2

Esquema tipico Caraeteristica Comportamiento

Simbolo
de uniones eldetried matematieo

[Link] fUncional:
La principal caracteristica funcional es que en ambos sentidos la corriente se
incrcmenta bruscamente al exccderse el voltaje de ruptura VR , similar al folio--
men° de avalancha. Esto resulta semejante al comportamiento de dos diodos
rectificadores conectados en serie catodo con catodo.

Aplicaciones t
Circuitos de proteccion contra transitorios de voltaje: circuitos matachispas.

Valores inciximos:
Pulsos /vice, = 70 A.
Corriente entre terminal 1 y 2 1= 0.5 A.
Voltaje de ruptura VR = 300V V.

H.8. Diodos reguladores de coniente (field effect current regulator diodes)

KK• A
N

Esquema tipico
Sirnbolo de uniones

( IDS
I =IDS V VDS
— VP 1 d.
Vp = V CVDS
- IDS

Caracteristiea Cornportamiento
eldctrica matemkieo

484
 PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTOR IS DISCRI:TOS H

Caracteristica funcional:
Su principal caracteristica funcional es que despu6 de cierto voliaje alcanza
la corriente de saturacion, y aunque el voltaje aumente, la corriente permanecc
constante. Este diodo esta construido de manera semejante a un JFET con
la compuerta cortocircuitada con la fuente.

Aplicaciones tzPicas:
Limitadores de corriente; reguladores de corriente; cargadores lineales de capa-
citores; generadores de dientes de sierra.

Valores maximos:
Voltaje al cual alcanza la saturacion
(semejante al voltaje de oclusion de un JFET) Vp = 3.5 V.
Voltaje de ruptura VR = 100 V.

H.9. Diodo supresor de tra usitorios (transient suppressors)

A lk °
K HINK:
,L..,„r/

,=4 (ell/pa
rr_ I)

Esquenta tipico Caracteristica Comportamicnto

Simbolo
de uniones electrica matematico

Caracteristica funcional
Este dispositivo es fundamentalmente un diodo Zener, disenado para soportur
corrientes transitorias alias en sentido inverso, que permitan proteger circuitos
o dispositivos electronicos en peligro de destruccion por transitotios de voltaje
de alta energia.

Aplkaciones tipicas
Proteccion de lineas telefonicas; protecciOn de equipo automotriz; protecciOn
de sobrevoltaje.

Valores mciximos
Voltwe de ruptura VR = 200 V.
Disipacion de potencia durante un mseg PD = 8000W.

485
H PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES D1SCRETOS

H.10. Diodo PIN

cj
it

=10 (eeV/mICT _1)

P I NE

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Simbolo
de uniones electrica matematico
Caractertstica funcional
Debido a la regi6n intrinseca entre las regiones P y N, la zona de vaciamiento se
hace mayor, con lo que la capacidad de union se reduce, permitiendo que se re-
duzcan considerablemente los tiempos de almacenamiento de subida y bajada,
por lo que este dispositivo puede trabajar en altas frecuencias y aceptar voltajes
de ruptura mayores que los diodos convencionales.
Aplicaciones tipicas
Diodo de conmutaciOn; diodos damper de alto voltaje; rectificadores de alta
frecuencia; aplicaciones en microondas, moduladores y demoduladores.
Valores tntiximos
Corriente entre anodo-catodo 'AK = 3 A.
Voltaje de ruptura VR = 2500 V.

H.11. Fotodiodo
jr: /A =10 + KH + tHVAK donde:
ri; ise IIA 10 es la corriente en la oscuridad,
H2 H es la intensidad de luz,
/ ., K es constante de proporcionahdad de
rAIC iluminacion,
es constante de corriente de saturaciOn.
Esquema tipico Caracteristica
Simbolo Comportamiento
de uniones electrica
matematico
Caractertstica funcional
Este es un diodo al que se le hace una ventana para que incida luz en la union
P-N, y al suceder esto la corriente de saturacion inversa se modifica, teniendose
una respuesta proporcional a la intensidad luminosa incidente.

Aplicaciones tipicas
Alarmas; contadores de material; control industrial; control remoto ; controles
fotoelectricos; apertura de puertas; comunicacion por fibras Opticas; ignicion
transistorizada.

486
 PRINCIPALES DLSPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS H

Valores mdximos
Potencia de disipacion PD = 0.4W.
Corriente entre anodo-catodo 14 = 500 mA.
Voltaje entre anodo-catodo VAK = 100 V.

H.12. Diodo LED (Light Emitting Diode)

A
If,r
'A

0 ' II • I •VAK H=.43+K/A

1.2
tc
Esquema tipico Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica matemitico

Caracteratica funcional
Este dispositivo tiene la particularidad de emitir luz ya sea en el rango infra-
rrojo o en el espectro visible; tiene la ventaja de ser un foco indicador con muy
poca energia de excitacion ya que aprovecha la energia que se libera cuando se
recombina un electron con un hueco. La frecuencia de la radiacion esta en fun-
cion del ancho de la banda prohibida del semiconductor que se emplea.

Aplicaciones tipicas
Foco piloto; emisor infrarrojo; comunicaciones por fibras Opticas; controles
fotoelectricos; igniciones transistorizadas; contadores; controles industriales.

Valores maximos
Voltaje de ruptura VR = 5 V.
Corriente en el anodo 14 = 2 A.

H.13. Transistor bipolar NPN

•c 1.135 ic=PlB÷(01-1) 1co
iice?E
c ki
vc mzm 434 IE =1c 4- 41
1B,
BO - WIG= 1132 VCE = VO3 + VRK
B NW= 41C
431 a= F-
E Vcs AIR ' A113

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Simbolo matematico
de uniones electrica

487
H PR1NCIPALES DISPOS1TIVOS SEM1CONDUCTORLS D1SCRETOS

Caracteristica funcional
La corriente de colector es constante, para un valor constante de corriente de
base.
Aplicaciones tipicas
Amplificadores: osciladores; convertidores de energia; salidas de potencia: etc.
Valores rndximos
Corriente de colector = 300 A.
Voltaje de colector-emisor FCE = 1500 V.
Potencia de disipacion PD = 500W.
Frecuencia de transicion Jer = 5 GHz.

H.14. Transistor bipolar PNP

VcE ic =a1B +(a+i)ko
In
."\ a
M= =1.c. IB
=MI 433 VCE = vCB+ VBE
ili11 iu
(11r.c
1B, a=Atclak .13 .4,16/4,18
Ic
Simbolo
Esquema tfpico Caracteristica Comportamiento
de uniones electrica matematico

Este dispositivo es complementario del transistor bipolar NPN y tiene las mis-
mas ecuaciones, funcionamiento, aplicaciones y valores maximos que este.

H. 15. Fototransistor = 01B+ ((1 + 1) 'co

_Lc
=IC+ IB
P H4 Vg = VCB+ VBE
B 0 H3
N a= a 'CAVE 0 = 'C/ 'B
• 'Ice In
t
Esquema tipico Caracteristica Comportamiento
SImbolo de uniones electrica matematiCo

Caracteristica funcional
En este dispositivo la luz incidente actita como la corriente de base, y se puede
decir que se tiene una corriente de colector constante para una intensidad de
luz incidente constante (H).

Aplicaciones tipicas
Detectores de intensidad luminosa, contadores, detectores de proximidad,
detectores de nivel, alarm as, ignicion transistorizada.

488


PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS H

Valores mdximos
Voltaje de ruptura I;? 100 V.
Corriente de colector 1c, =400 mA.
Potencia de disipaciOn PD =

H.16. Optoacoplador

A I-
0--f---i 1 tic
a 4.=10 = TR X IF
I u , p 1

IN I B
IF =6 donde:
N
I TR es constante de
IF=2
li proporcionalidad
VCE
Esquerna tipicO Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica maternatico

Caracteristica funeional
Este dispositivo involucra internamente un diodo LED y un fototransistor, y

sirve para acoplar dos sistemas independientes ya que se transfiere la informa-

- don desde el LED hasta el fototransi-Stor.

Aplicaciones tipicas
Circuitos de disparo; conmutacion; interfases digitales, y con las lineas telefoni-

- cas; control digital.

Valores mciximos
Voltaje de aislamiento VA = 20KV.
Potencia de disipacion PD = 500 mW.

Voltaje colector-emisor Vex = 60 V.

Corriente directa del LED IF = 200 mA.

Corriente en el colector /c = 500 mA.

H.17. Transistores de efecto de campo de union

D (drcoale) • (; ilD t1 VGS ln

ID ... IDSS k 1 ---i, -..1
IDSS -
VGg =0 r pp
G VGs = — 2 donde n es
3. 11dgik
liglir
111E D
(compuerta 1 norrnalrnente 2
- S (filen tc) VGS = VPG
VDS
Esquema tipico Caracteristica Comportamiento
Sim bolo matematico
de uniones electrica

489
H PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Caracteristica funcional
Se tiene un canal semiconductor el cual modula su seccion transversal conduc-
tora mediante la aplicacion de un campo electrico al polarizar inversa la union
entre la compuerta y el canal, obteniendose de esta forma una resistencia varia-
ble entre drenaje y fuente.

Aplicaciones tipicas
Preamplificadores de audio; amplificadores de alta impedancia de entrada; ins-
trumentacion, medidores de PH; reguladores de corriente.

Valores maximos
Corriente /Ds = 1 A.
Voltaje de ruptura irDs = 200 V.
Potencia promedio PD = 25W.

11.18. Transistores de efecto de campo de acrecentamiento (MOS)

S14:rispr _ E t, ,Gs Ti 1
IDS — -i-
v
Vas =0 - •u.,2
subestrato iDss -
4 N VOs = 1
donde Vu es el
Vc1.8 = Vu
s Ts'ubestrato voltaje de umbra!
Sfmbolo Esquema tipico Caracteristica VDs Comportamiento
de uniones electrica matematico
Caracteristica funcional
Se tiene un canal de conduccion el cual se incrementa o decrementa por efecto
capacitivo al aplicar un voltaje entre la compuerta y el subestrato (normalmente
el subestrato se cortocircuita con la fuente); este dispositivo presenta muy alta
impedancia y es muy sensible a danarse debido a la estatica al manipularlos, por
to que debe tenerse precaucion.

Aplicaciones tipicas
Circuitos logicos; amplificadores y preamplificadores de audio; instrumenta-
cion ; amplificadores de potencia.

Valores mciximos
Corriente entre drenaje-fuente /Ds = 10 A.
Voltaje entre drenaje-fuente VDs = 800 V.
Potencia de disipacion PD = 100W.

490


PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

H.19. Transistor monounion (UJT)

{ 982
•
,132 Yp
o I Vp=qVBB+ V8
E-73 i
I RB
oBi B1
n= -5, --L ; Rim =RBI + RB2
•1111.7- .. 1E 1,B8
'ply
Esquema tipico Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica matematico

Caracteristica fun cional

La corriente de emisor es pequefia; hasta que el voltaje de emisor a base alcanza
al voltaje pico entonces la corriente crece sUbitamente, presentando el disposi-
tivo una caracterfstica de impedancia negativa que es muy titil en osciladores de
relajacion.

Aplicaciones tipicas
IntervalOmetros; timers; osciladores de relajacion; detectores de nivel de voltaje;
dispositivo de disparo para SCR's y TRIAC's.

Valores maximos
Utiles hasta frecuencias de 1 MHz.
Voltaje entre bases VBB = 60 V.
Potencia de disipacion P = 0.5 W.

H.20. Transistor monouniOn complementario

•al
ir i.___,..,..
Vo li
RI
Wl
RI V+ VD
Vp =nB8
EMI
Ma R1
re WO
R2o B2 n = RI + R2
i • 132 /
1

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Simbolo
de uniones electrica matemitico

Caracterestica funcional
Este dispositivo es complementario del transistor monounion; sus aplicaciones
y valores maximos son los mismos que los de su complementario.

491
H PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

H.21 Diodo controlado de silicio (SCR)

4
.A
iii .7 1 IG
P IGT
IMMO
5. J:tx
p--7 donde
El
li (-------"--
K• .G Vs es el voltaje de disparo
para una /0 dada.
Esquenla tipico Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica matematico

Caractertstica funcional
Cuando el voltaje de anodo-catodo es positivo, el diodo controlado de silicio
puede ser disparado al introducir una corriente en la compuerta, permanecien-
do en conduccion hasta que la corriente de anodo se hace muy pequena o es
reducida a cero.

A p licacio nes t !picas

Convertidores (AC-DC)/(DC-AC); control de potencia: control de fase; inverti-
dores; fuentes de poder; limitadores de potencia.

Valores mciximos
Corriente anodo-catodo /AK = 1700 A.
Voltaje anodo-catodo VAK VG = 0) = 2500 V.

11.22. TRIAC
•T [Link] iG

Vs donde
8' —Trz tjal Vs es el voltaje de disparo
G • T2 11 para una IC dada.

Esquema tipico Caracteristica Comportarniento

Simbolo
de uniones electrica matematico

Caracteristica Ancional
Funciona de forma similar al diodo controlado de silicio, pero este dispositivo
es simetrico y puede conducir en ambos sentidos y ser disparado tanto con vol-
tajes positivos como con voltajes negativos en la compuerta.

492
 PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS H

Aplicaciones tipicas
Invertidores; cicloconvertidores; controles de fase; controles de velocidad; regu-
ladores de CA; controles de potencia.

Valores máximos
Corriente ánodo-cátodo 'AK (rms) = 40 A.
Voitaje ánodo-cátodo VAK (AG =0) = 800 V.

H.23. DIAC (trigger)

TI TI

47T 2
L1 T2
VR

T
N/A

Esquenia tIpico Caracteristica Comportamiento

Sfmbolo
de uniones eléctrica matemático

Caracteristica funcional
Cuando el voltaje entre terminales en cualquier sentido alcanza el voltaje de dis-
paro (airededor de 35V) la corriente aumenta bruscamente y el voltaje decae
hasta 10-12 V.

Aplicaciones t(picas
Control do disparo para SCR's, TRIAC's; reemplazo de relevadores; control por
fase; detectores de nivel; circuitos de protecciôn.

Valoresmdximos
Voltaje entre terminales Vterminaies 40 V.
Corriente 12A.

H.24. Interruptor de siicio unilateral (SUS)

G
N
GRB {14 NJ I
N/A
oK
IK
Esquerna tIpico CaracterIstica Comportamiento
SImbolo
de uniones cléctrica matemático

493
H PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Caracterz'stica funcional
Este dispositivo es similar al SCS, pero se ha agregado una union Zener en la
compuerta del anodo, por lo que el voltaje de disparo esta fijo; sin embargo,
tambien puede dispararse con un voltaje negativo en la compuerta.

Aplicaciones tz'picas
Circuitos de conmutacion; detectores de nivel; contadores; disparo de SCR's;
osciladores.

Valores mciximos
Potencia de disipacion PD = 0.5 W.
Corriente entre anodo-catodo 'AK = 0.5 A.
Voltaje de disparo Vsz = 10 V.

11.25. Interruptor de silicio bilateral (SBS)

•G •A /
•A
g IDA LIMIER R B — VSZ L_ VAK N/A
G ‘1117
.K 6s1
RD LI
UI El ) VS
•K

Simbolo Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

de uniones electrica matematico

Caracteristica funcional
Este dispositivo es una version simetrica del SUS, ya que rompe en ambos senti-
dos, de acuerdo a las rupturas Zener de los diodos interconstruidos; se garantiza
buena estabilidad.

Aplicaciones tipicas
Circuitos de disparo para SCR y TRIAC's; controles de fase; controles excitado-
res de display.

Valores mciximos
Potencia de disipaciOn PD = 0.5 W.
Corriente entre anodo-catodo 'AK = 0.5 A.
Voltaje de disparo I 1/81= 10 V.

494
 PRINCIPALES DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS H

H.26. Transistor monouniton programable (PUT)

A_. .A .TA
A
1 ....„...4::IE
Elmo
[Link] . RI c R2 G ( VAK - Vcdr) >0.6
R1 +R2

T
G
MO= G
WAN punto pico se programa el comportamientode
acuerdo con los valores de R1 y R2

Esquema tipico Caracteristica Comportamiento

Simbolo
de uniones electrica matematico

Caracteristica funcional
Mediante la relacion de las resistencias RI y R2 se programan los valores de /p.
Vp,1v y el dispositivo tiene basicamente el comportamiento de un tipico tran-
sistor monounion.

Aplicaciones tz'picas
Las mismas del transistor monounion.

Valores mciximos
Voltaje entre anodo-catodo VA K = 60 V.
Potencia de disipacion PD = 0.5 W.
Corriente entre anodo-catodo 'AK = 0.25 A.

H.27. Interruptor controlado de silicio (SCS)

.A 4, ±
oA
.......G1 MIMI GI Vs = Vso (1 — , --
)
mi • ---- AGT
• MMII VAK donde Vs es el
G2
6K G2 IMAM
G2 voltaje de disparo
• K K para una /6 dada.

Esquema tipico Caracterist ica Comport amiento

Simbolo matemitico
de uniones electrica

Caracteristica funcional
Cuando el voltaje de anodo-catodo es positivo el interruptor SCS puede ser dis-
parado al introducir una corriente en la compuerta de catodo o bien at sacar
una corriente en la compuerta de anodo, permaneciendo en conduccion hasta
que la corriente de anodo se haga cero.

495
H PRINCIPALES DISPOSITNOS SEMICONDUCTORES DISCRETOS

Aplicaciones t (picas
Las mismas que los SCR's y ademas coma contadores, excitadores de displav.
y marquesinas.

Valores mciximos
Voltaje entre anodo-catodo VAK = 200 V.
Corriente entre anodo-catodo 'AK = 500 in A.

H.28. Diodo controlado de silicio (activado por luz)

•A Ha
H , /A Vs —
— Vso ( 1 )
a\4 MANI 1GT
MEM ---- vAir donde:
H es la intensidad luminica
Vs es el voltaje de disparo
K • tr .G para una Hot dada.
Esquema tipico Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica matemdtico

Caracteristica funcional
Funciona de forma similar al diodo controlado de silicio (SCR) pero tambien
puede ser disparado mediante un haz de luz intenso que incida sabre el dispo-
sitivo.

Aplicaciones tip icas

Fundamcntalmente las mismas que Las del SCR, pero en menor potencia y puede
aplicarse cuando se requiere que el dispositivo este galvanicamente aislado.

Valores mdximos
Corriente entre anodo-catodo 'AK = 3.0 A.
Voltaje entre anodo-catodo VAK = 400 V (para I = 0, 1J = 0 I

H.29. Fotocelda
radiacion (H)
11
11/
(I)A
fotoconductor 114 I/3 R =AH-Ci
1/2 donde:
IIM=1 A y a son constantes
V es la radiacton.
subestrato aislante
Esquema tipico Caracteristica Comportamiento
Simbolo
de uniones electrica maternitico

496
 PRINCIPALS DISPOSITIVOS SEM ICONDUCTORIS DISCRElos H

Caracteristica functonal
Est c es un dispositivo cuya caracteristica fundamental es que rnodifica su resis-
tencia electrica, con la intensidad de luz que incide sobre el; al incidir mas luz
la resistencia baja.

Aplicacione. tepicas
Detectores de proximidad; alarmas; contadores; sistemas de -protecciOn indus-
trial; controles fotoelectricos: a ..zura de puertas.

Valores máximos
Potencia de disipacion PD = 21V.

497
 CALCULO DE DISIPADORIS EN FUNCION DEL AREA DE LAS PLACAS DE ALUMINIO

Apendice I
CALCULO DE DISIPADORES EN FUNCION DEL AREA DE LAS PLACAS
DE ALUMINIO
En la grafica se presenta la resistencia termica del disipador al ambiente (Rthd.a),
en funcion del area de placas verticales de aluminio de 1 mm y de 3 mm de
espesor.
Una vez que se ha calculado el valor apropiado de resistencia termica del
disipador al ambiente, se puede cscoger el area necesaria de disipador, eligiendo
el espesor de la placa que se desea usar.

Rthd-a

Grafica de Rthd.a contra area (cm2 ) para placas paralelas de alum inio colocadasverticalrnente.

498
 TEOREMAS DE CIRCUITOS J

Apendice J
TEOREMAS DE CIRCUITOS

Los metodos de mallas y nodos que se estudian en teoria de los circuitos elec-
tricos establecen procedimientos generales de analisis que son aplicables a cual-
quier red electrica; sin embargo, dada su misma generalidad, el analisis de un
circuito por este camino no siempre da toda la luz que se desea sobre el funcio-
namiento del mismo, ni es el camino mas sencillo. Existen algunos teoremas
aplicables al analisis de circuitos electricos con elemcntos R, L, C y fuentes de
voltaje o de corriente independientes, los cuales revisaremos en este apendice
considerando ademas que dentro de la red electrica bajo analisis existen fuentes
dep end ient es.

Principio de superposicion

El principio de superposicion en una red electrica con fuentes independientes

establece lo siguiente:
— el voltaje en un elemento de un circuito que contenga varias fuentes es igual
a la suma de voltajes que produce cada una de las fuentes en forma indepen-
diente sobre el elemento, considerando en cada caso nubo el efecto de las
demas fuentes;
— la corriente que circula en un elemento de un circuito que contiene varias
fuentes es igual a la suma de las corrientes que produce cada una de las fuen-
tes en forma independiente sobre el elemento, considerando en cada caso
nubo el efecto de las demas fuentes.
Debido a la generalidad de este principio, resulta aplicable tanto en el caso
de tener fuentes dependientes como en el caso de fuentes independientes.

499
J ITOREMAS DL CIRCUITOS

J.2. Teorema de sustitucion

Suponga una red electrica cualquiera N, que presenta una corriente i (t) en sus
terminales A y B, y que tiene conectada en dichas terminalcs una fuente de
voltaje dependiente de corriente ai (t), donde a puede ser cualquier valor real
o complejo y la corriente fluye en el sentido de la caida de potcncial. Sc dice
que "La fuente dependiente ai (t) puede ser sustituida por una impedancia de
valor a sin que se alteren las corrientes y voltajes dentro de la red" (Fig. J. l -a).

Figura .1.1: (a) fuente de voltaje dependiente de corriente, en la cual puede aplicarse eI teore-
ma de sustitucion; (b) fuente de corriente dependiente de voltaje en la cual puede apliearse el
teorema de sustitueion.

Si se tiene el dual, es decir, una red N que presenta entre sus terminates un
voltaje (t) arbitrario, y una fuente de corriente dependiente de voltaje gv (t), si
la corriente fluye en el sentido de la caida de potencial (de + a —), se dice que:
"La fuente dependiente gv (t) se puede sustituit por una conductancia de valor
a mhos, sin que se alteren las corrientes y voltajes dentro de la red".

J.3. Teorenaa de reduccion para fuentes dependientes

El teorema de reduccitin para fuentes dependientes es en si una extension del

teorema de sustitucion y es aplicable a fuentes dependientes que se encuentren
colocadas en medio de dos redes electricas cualesquiera. En la Fig. J.2 se ilustra
este concepto.

500
 TEOREMAS DE CIRCUTTOS

I.1 4-a)
ii I
A

N,

A. 1 4 ac
ii
N2

Figura J.2. IlustraciOn de la aplicaciOn del teorema de reducciOn de fuentes dependientes.

(a) Fuente de voltaje [Link] de voltaje; (b) fuente de corriente dependiente de corriente.

Si:
- - N1 es cualquier red lineal electrica que presenta en sus terminales A y B un
voltaje v (0;
- N2 es cualquier red electrica lineal; y
— se tiene una fuente de voltaje dependiente de voltaje av (t) entre sus termi-
nales B y D (ver Fig. J.2):
entonces el teorema de reducciOn establece que: "Todos los voltajes y corrien-
tes en N1 y N2 permanecen inalterables, si la fuente de voltaje avi (t) se reem-
plaza por un cortocircuito; y ademas:
I. cada resistencia, inductancia, elastancia (S = 1/C) y fuente de voltaje en
N1 es multiplicada por (1 + a); y
2. cada resistencia, inductancia, elastancia y fuente de voltaje en N2 es dividi-
da por (1 + a)".
lntuitivamente se puede ver que si en la red elactrica N1 cada resistencia,
inductancia y elastancia se multiplica por (1 + a) y las fuentes de voltaje tam-
bien por (I +a), las corrientes permanecen inalterables; lo mismo es valid.° para
el caso de N2 •
Si:
- N1 es cualquier red electrica lineal en que se tiene interconectada a la sada
entre sus terminales A y B una fuente de corriente i (t); y
- N2 es cualquier red electrica lineal,
entonces el teorema de reduccion estabIece que: "Todos los voltajes y las co-
rrientes en NI y N2 permanecen inalterables si la fuente de corriente ai1 (t) se
sustituye por un circuit° abierto, y ad emas:

501
 TEOREMAS DE CIRCUITOS

1. todas las conductancias, capacitancias, inverso de la inductancia y fuentes

de corriente en N1 se multiplican por (1 + a); y
2. todas las conductancias, capacitancias, inverso de la inductancia y fuentes
de corriente en N2 se dividen por (1 + a)".
En la aplicacian de este teorema se debe cuidar que:
a) el voltaje terminal v1 (t) o la corriente i1 (t) de la red identificada como
N, debe ser la variable que controle la fuente dependrente a reducir; y
b) ninguna corriente debe entrar o salir de N1 y N2 por alguna terminal, excep-
to A. B, C o D (ver Fig. 3.2).

3.4. Teorema de Thevenin

Cuando se usan fuentes dependientes el teorema de Thevenin se puede resumir

como sigue: "Una red N que contenga fuentes dependientes e independientes se
puede llevar a un equivalente de Thevenin, fuente de voltaje en serie con una
resistencia, si:
1. se anulan todas las fuentes independientes (solo las independientes, las de-
pendientes no) y se obtiene la impedancia entre las terminales A y B desco-
nectando R, impedancia que constituye la impedancia de Thevenin (RTH ); y
2. desconectando R, se encuentra el voltaje que aparece entre A y B, vol-
taje que constituye el voltaje de Thevenin—.

Rfh
A
• •

1V 1LIR • I i h

• •

Figura 3.3. IlustraciOn del equivalente de Thevenin.

3.5. Teorema de Norton

El teorema de Norton se ilustra en la Fig. J.4 y se puede tratar su aplicaciOn

hacienda una similitud con el teorema de Thevenin.
"Una red N que contenga fuentes dependientes e independientes se puede
llevar a un equivalente de Norton, fuente de corriente en paralelo con una resis-
tencia, Si:
1. se anulan todas las fuentes (solo las independientes) y se obtiene la impe-
dancia entre las terminales A y B desconectando R, impedancia que consti-
tuye la impedancia de Norton RN; y

502
 TEOREMAS DE CIRCUITOS J

2. cortocircuitando R se encuentra la corriente que circula entre las tenninales

„st
A y B; corriente que constituye la corriente de Norton IN" .

• I
N • t

Figura J.4. IlustraciOn del teorema de Norton.

J.6. Teorema de bisecciOn

A muchos circuitos que emplean dispositivos electronicos se les da deliberada-

mente una forma simetrica, pues esto da ciertas caracteristicas de operacion en
modo diferencial y en modo comUn que permite algunas aplicaciones muy inte-
resantes.
En la Fig. J.5 se ilustra este teorema, el cual se aplica en dos formas distin-
tas a modo comian y a modo diferencial.

Ia
• I
1 i ,
• . ' •
• 12..1 .
I
N N .
Vi (12 i3 I
. 7°1 •
__
I
l a,
(a)

Figura J.5. Ilustracion del teorema de bisecci(m. (a) PresentaciOn de dos redes iguales simetri-
cas:(b) modo coman:(c) modo diferencial.

Para la aplicacion de este teorema se requiere que:

a) las redes N (Fig. J.5-a) sean simetricas, es decir, que si se tiene un giro de
180° , tomando como eje de rotacion el eje de simetria aa', la configuracion
electrica permanezca inalterable; y
b) dentro de las redes N no existan fuentes independientes (solo fuentes de-
pendientes).

503
J TE3REMADE CIRCUITOS

El teorema de bisección ch1ece que:

"1. en mode corndn (J' = P1 = V0 ) las eorrientes y los voltajes en cualquiera de
las dos redes N no se alteran silas inlerconexiones entre las dos redes Sc
cortan es decir, sc separan las dos redes y se analizan por separado); y
2. en modo diferencial (KI= --- 1'1' =) las corrientes y voltajes en cualquiera
de las dos redes N no se alteran silas intcrconexiones entre las redes N se
cortan y se intercambian entre Si".

La simplilicaciôn que Sc obtienc on los circuitos electrônicos con ci uso de

los teoremas cquivalc a tin rearreglo de las ecuaciones que lo caracterizan; sin
embargo, ci trabajar con estos permite al ingenicro obtener mayor claridad on la
operación del circuito bajo análisis.
Para obtener un mayor entendimiento de estos teoremas los aplicaremos en
la simplificacôn de los siguientes ejemplos.

Ejemplo J.1. Obicnga ci circuito dindmico más simple del amplificador cascode
con tubos triodos que se presenta en la Fig. E.J. 1. 1, y la ganancia del mismo.

- (a) (b)
Figura E.J.1.1; (a) circuito amplificador con triodos (caseode); (b) equivalente diiámieo
do (a).

Solución:
Si V —J'+R31,
-

entonces Sc puede sustituir la fuente Pi J' por dos fiientes en serie, una de
valor p. J' y otra de valory, R3 i, lo cual se ilustra en la Fig. E.J.1 .2-a.

504
 TEOREMAS DE CIRCUITOS J

1 R3 r
■,vin -
r _ _

(a) ', R3

Aplicando el teorema de sustitucion se obtiene:

r 112
Yi rpi
AiR3 ÷ 4111 - - 1+
-ti VI

(b) Ri B3 lig2

•
-I

Aplicando el teorema de reduccion se obtiene:

m1(1+142)171

(c)
(1+ Ai l) (1+#2)R3

Figura E.J.1.2. Reduccion mediante tcoremas de sustituciOn y reduccion del amplificador

cascade.

Luego, la ganancia del circuito sera:

V ill (1 + 112) [R21(1+ ii2)]

A =—s- = „
ki+ (1+ m2)R3 + rei (1+ + rp2 1(1+ tt2 ) + R2 /0 +

Ejemplo 3.2. Para el caso del circuito que se muestra en la Fig. E.J.2.1, median-
te el uso de los teoremas obtenga el equivalente de Thevenin y el equivalente de
Norton.

505
 TEOREMAS DE CIRCUITOS

+?VDD

V1
I

Figura E.J.2.1. Amplificador con FET.

R1 R3
H
Solución:

(a)

R2//(R + R3 +gRR3)

gmIRVR8/(R2 + R3 + R)

(b)

gm R;VQ/(R2 + R3+ R

(c)

Figura E.J.2.2. Ilustración de la aplicación de los teoremas de Norton y Thevenin para el aná-
lisis de un amplificador con FET. (a) Equivalente lineal; (b) equivalente Thevenin; (c) equiva-
lente Norton.

506
 TEOREMAS DE CIRCUlTOS J

Ejemolo J.3. Aplique el teorema de bisecciOn para encontrar la ganancia del

circuito de un amplificador diferencial con transistores FET.

Soluc • eje de simetria

•
7' "--
RD
Rm/2 Rm /2 RD

gnAS R v gn1 VGS2

V . • V;
• DSI

R 1 Ri
2R2 11111 2R 2
(a) . (b)
-

(c) (d)
-• •

Figura E.J.3.1. Reduccion de un amplificador diferencial con FET, usando teoremas. (a) Am-
plificador diferencial; (b) equivalente simetrico dinamico; (c) equivalente en modo coman:
(d) equivalente en modo diferencial.

Luego, la ganancia en modo comUn sera:

gmRDs VDs
P\ AJ<TM

Figura E.J.3.2.

507
J TEOREMAS DE C1RCUITOS

Sustitucion:
gmRDSVC

Figura E.J.3.3

De donde, la ganancia en modo corman sera:

gm RDS RD
Ac =
RDS + RD + 2R2 (1+ gm RDs)

La ganancia a modo diferencial se obtiene de la Fig. E.J.3.1-d, quedando:

gnr RDs Rm / 2 An

Figura EJ.3.4.

Ad = — grrt RDS I I 0.5 Rrn // RD

508
 DISIPADORES K

Apendice K
DISIPADORES

La generacion de calor por efecto Joule en cualquier dispositivo no puede

pasarse por alto al momento de disetiar un circuito electronic° y el ingeniero
disefiador debera ser capaz de seleccionar tanto los dispositivos electronicos
como los disipadores mas adecuados para la aplicaciOn que pretenda. Un disefio
termico inadecuado reduce la vida atil de los dispositivos e inclusive puede
Ilevar a todo un sistema a fallas continuas o intermitentes.
Un disipador es un dispositivo, generalmente mecanico, que permite que las
calorias generadas en los dispositivos fluyan hacia el ambiente con facilidad.
La transferencia de calor generado en un dispositivo electronic° general-
mente se divide en tres partes:
a) la transferencia de calor de la union en que se genera hacia el encapsulado
del dispositivo;
b) la transferencia de calor del encapsulado hacia el disipador; y
c) la transferencia de calor del disipador hacia el ambiente.
En el caso (a) los fabricantes de dispositivos electronicos deberan poner
cuidado en vigilar que dicha transferencia sea lo mayor posible.
Para transferir el calor de un dispositivo existen diversos metodos:
1. radiacion y conveccion natural;
2. ventilacion forzada;
3. circulacion de liquidos; y
4. evaporacion.
En la Fig. K.1 se muestra la cantidad de W/cin` que se obtienen de transfe-
rencia por estos cuatro metodos.

509
K DISIPADORES

ventilaeicin forzada

circulacion
de liguidos I

evaporacion
(W/cm2 )
0.02 0.2 2 20 200

Figura K.1. Calor transferido en W/cm 2 por los cuatro metodos de transferencia de calor mas
empleados en circuitos electronicos.

K.1. Enfriamiento por radiacien y convecciOn natural

En este metodo la cantidad de calor transferida del disipador al ambiente es la

suma de los calores transferidos por radiacion mas conveccion, es decir:

QT = QR + QC (K.1)
En general:
QR = hR AnAT , (K.2)

Qc = heilnA T + S ; (K.3)
donde:
hE es el coeficiente de transferencia por radiacion W I(cm2 C)
hc es el coeficiente de transferencia por conreccion W/(cm 22 C);
A es el area del disipador (cm2 ):
n es el factor de eficiencia;
AT es la diferencia de temperatura entre el disipador y el ambien-
te (° C); y
S es el factor de altitud.
Experimentalmente se encuentra que:

Td TA
hR = 2.278 X 10-11 e (1 — F) ( + 273)3 W/(cm2 -° C) , (K.4)

expresion que es valida entre —50° C y +300° C;

510
 DISIPADORES K

donde: e es el coeficiente de emisividad;

F es el factor de forma; F= 1 si es una placa individual;
Td es la temperatura del disipador; y
TA es la temperatura del ambiente.
To (°C)
temperature promedio
emisividad = 0.9 hr Tsuperficie+ Tambiente
alata -3 wicni2)
(X 10 2
—180
-160
-140
Na0.8 -12o
-0 -g
.0.4 .
0

-0.2 a -60
-40
-20
'4).008 —0
1 100 100
dimension mis pequetia o diametro de la aleta
.6 .8 1 6 8 10 20
• •/ distancia entre aletas
cD
Figura K.2. Nomograma para el calculo del coeficiente de transferencia de radiacion h R ,
ecuacion (K.4).

La tabla K.1 muestra distintos factores de emisividad en funcion del mate-

rial de que se trate.

labia K.1.
Material superficial e
Aluminio pulido 0.05
Alurninio anodizado 0.7 - 0.9
Pintura de aluminio 0.27 - 0.67
Cobre pulido 0.07
Cobre oxidado 0.70
Acero rolado 0.66
Laca (cualquier color) 0.85 - 0.91
Pintura de aceite (cualquier color) 0.95
Barniz 0.85 - 0.93
Acero inoxidable 0.17

511
K DISIPADORES

Experimentalmente también se encuentra que:

(T)O.2$ W/
h = 2.715 X 10 (CM 2 -° C), (KS)
donde:
AT es la diferencia de temperatura entre la superficie del disipa-
dor y el ambiente; y
L es la longitud del disipador en sentido vertical en centIrnetros
(cm).

En la Fig. K.3 se muestra la expresión (K.5) en forma de nomograrna para

el cálculo de h.
OC W/(cm2-°C) cm
140- -2

120-

ioo .001-
-
60- -6
40- 0006- -8
2- .10
.0004-
10. -
.20
TD - TA coeficiente de convección longitud vertical de la aleta

Figura K.3. Nomograma para el cálculo de h.

La cantidad de calor que se transfiere por convecciOn natural se ye afectada

por la altitud sobre el nivel del mar a que se encuentra el disipador y se tiene
que el factor S de altitud está dado por la gráfica de la Fig. K.4.

T4flt
__

0. I

OJ

0.1
41

0.

Figura K.4. Factor S de altitud. altitud (Km)

512
 DISIPADORES K

K.2. Enfriamiento por ventilación forzada

El coeficiente de transferencia de calor por ventilaciOn forzada es:

1/2
L_)
hF=3.87(_ V (W/cm2-°C), (K.6)
donde:
V es el flujo laminar de aire en rn/mm; y
L es la longitud del disipador paralela al sentido del flujo.

Se pide que el espacio mInimo entre aletas de un disipador sea:

(4_)h/2
6mmn = 11 (K.7)

En la Fig. K.5 se muestra el nomograrna para la obtención del coeficiente

de transferencia de calor por ventilaciôn forzada.
V hF
L velocidad coeficiente de
longitud de las aletas del aire convección forzada
(paralela al flujo de aire) (rn/mm) W/(cm2-°C)

100

io-1
.1 _-. 100.1 •__ WOW
-

_ -.
60-1
.001
401
41

io'I .000

válido al nivel del mar

Figura K.5. Nomograma para la obtención del coeficiente de transferencia por ventilaciOn
forzada.

513
K DISIPADORES

Ejemplo K.1. Se quiere obtener la potencia que puede transferir un disipador

de aluminio anodizado con un factor de emisividad de 0.75 y diniensiones de
7.62 cm X 7.62 cm, si el disipador está a 100°C y la temperatura ambiente es
de 40°C:
a) utilizando separación de 2.54 cm entre placas, y radiación y convecciOn
(a 2000 msnm);
b) utilizando una sola placa y radiación y convecciOn (a 2000 msnm);
c) utilizando separaciOn de 2.54 cm entre placas, y una velocidad del flujo
laminar de V= 100 rn/mm;
d) ,cuál es la resistencia térmica que se presenta entre el disipador y el am-
biente en los casos anteriores?

Solución:
a) Para este caso utilizamos en primer lugar el nomograma de la Fig. K.2,
siguiendo la secuencia (1) a (7), obteniéndose:

Td — TA
= 60 °C=30°C;
luego:
= 3.875 X 10 W/(cm2 -° C).

Debido a que la emisividad para la cual está calculado el nomograma es de

0.9 y la emisividad del disipador que se está empleando es 0.75, se tiene un
coeficiente de transferencia por radiaciOn de:

QR =hjAiT,

QR = [ 3.23 X 10 X
(7.62)2 (2 lados) X 0.9 X 601 W/placa,

QR = 2.03 W/placa.

Utilizando el nomograma de la Fig. K.3 se puede encontrar el valor de h,

considerando IT = 60°C y L = 7.62 cm:

= 7.20 X 10 4 W/(cm2 -° C),

Qc = hc AflLTS,
= [7.20 x iO X (7.62)2 (2 lados) X 60 X 0.9 X 5] W,
= (4.52 X S) W;

514
 DISIPADORES K

Luego:
Qc =3.98W,
por lo que en este caso:

QT = QR + Qc =6 W/placa.

b) Si se utiliza una sola placa, se debe utiizar el punto marcado como placa
simple en el nomograma de la Fig. K.2, obteniéndose:

hR = 8.37 X 10 W/(cm2 -°C),

de donde:
8.87
h= X0.75W/(cm2 -°C),

h =6.975 X 10 W/(cm2 -°C),

de donde:
QR =hAtT,

QR = [ 6.975 X 10 X
(7.62)2 X (2 lados) X 0.9 x 601 W,

QR =4.37W.

Luego, en el caso de una sola placa se podrá transferir:

QT= 8.35W = (4.37 + 3.98) W.

c) Para calcular la cantidad de calor que se puede transferir por ventilación

forzada, se utiiza el nomograma de la Fig. K.5, obteniéndose:
si: L = 7.62 cm, V= 100 rn/mm, y hF = 1.736 X 10 3 W/(cm2 -°C),
entonces:

QF =hFAnLT,

QF = [ 1.736 X iO X (7.62)2 X (2 lados) X 0.9 X 60] W,

QF = 10.89W.

515
K DISIPADORES

d) La resistencia térmica de un material está dada por la diferencia de tempera-

tura entre los puntos que se quiere conducir el calor, dividido entre la p0-
tencia que se transfiere.
- Para el caso (a) se tiene que la resistencia térmica del disipador al am-
biente es:
100 - 40
Rthd.O =
nX6

Rthda
(J) °C/W,
n
donde:
n es el nUmero de placas de que se componga el disipador, sepa-
radas entre ellas 2.54 cm.

- Para el caso (b) tenemos:

100 - 40
Rthd=( ) °C/W,
8.35

Rthd0 = 7.19 °C/W.

- Para el caso (c) tenemos:

100 - 413
10.89 ociw
Rthd.0 =\ )

R thd-a = 5.51 °CIW

K.3. Materiales empleados para fabricar disipadores

En los puntos anteriores se trabajó sobre el entendidoque todo el material del

disipador está a temperatura constante; sin embargo, la transferencia de calor
en el material que constituye el disipador es por conducción de calor, por lo
que la suposiciOn anterior será cierta entre mejor conductor de calor sea el ma-
teria'l de que se trate (en la tabla K.2 mostramos las distintas conductividades
térmicas segün el material de que se trate).
Por esto se procura que los disipadores sean de cobre o aluminio, pues cons-
tituyen buenos disipadores, y de preferencia oxidados y pintados con pintura
de aceite.

516
 DIS1PADORES K

Tabla K.2. Conductividad t6rmica en W/(cm29C) para distintos materiales

Material Conductividad termica a 100°C (W/cm2 -°C)

Aluminio 2.17
Berllio 1.77
Cobre al berilio 1.03
Laton (70% cobre, 30% zinc) 1.22
Cobre 3.94
Oro 2.90
Niguel 0.905
Plata 4.16
Acero inoxidable 321 0.146
Acero inoxidable 410 0.24
Acero al carbon 0.67
Estelo 0.63
Zinc 1.02
Silicon puro 1.46
Silicon con impurezas para
una resistividad de 0.0025 a-cm 0.98
Aire 0.00028
Alumina (99.95%) 0.285
Bertha (99.5%) 1.98
Epoxy 0.002
Epoxy conductora de calor 0.08
Epoxy con carga de oxidos mettilicos 0.004
Mica 0.007
Mylar 0.002
Grasa de silicones 0.002
Teflon 0.002

517
 BIBLIOGRAFIA DE LOS APENDICES

BIBLIOGRAFIA DE LOS APENDICES

• ANGELO, JR., E. J. Electronic Circuits. McGraw-Hill (1964)

• GENERAL ELECTRIC. SCR Manual. Fourth edition (1967).

• SANCHEZ TEJADA, JOSE N. D. Soluci6n a problemas termicos en el

diserio de circuitos electranicos. Tesis profesional ICE-ESIME (1977).

.518
INDICE TEMATICO
A ConducciOn en una placa semiconductora
16
Alarma, circuito con led 283 Condicien de bandas planas 49
Amplificador ConservaciOn de la energia, ley de 343
— con fets en serie 79 ConservaciOn de la corriente, ley de 343
— de fuente comitn, autopolarizado 82 Constantes fisicas 457
— de muy alta impedancia de entrada 88 Contenido 9
— de voltaje, analisis lineal del circuito 374 Control, rejilla de 355
— con pentodo, circuito 392 Control
Analogia con dos transistores de un — de potencia 194, 202, 228
dispositivo de cuatro capas 163 — de temperatura 218
Angulo — de secado de pintura 268
— de conduccion de un SCR 196, 205 Conversion da factores, tabla 480
— de no conducciOn de un SCR 196, 205 Corriente
Anodo 164 — de disparo en la compuerta 173
Apagado de un SCR, circuito de 234 — de saturacion IDss 25
— de sustentaciOn 174
— de valle 128
Cuadrac 218
Barra semiconductora con uniones P-N 17
Cuadratica, aproximaciOn 34
Barrera de potencial 304
Cuadripolos 458
Base uno y dos de un UJT 119

Canal de conduccion 17, 47 Densidad de corriente termoi6nica 302

Capacidad de la compuerta de un FET 36, 51 Detector de serial alterna, circuito 273
Caracteristicas de disparo de un SCR 176 DIAC 185
Cargador para acumuladores 209 — construcciOn y simbolo 185
Carga espacio, regiOn limitada por la 355 — principio de operaciOn y curvas
Carga imagen 289, 298 caracteristicas 186
Catodo 164, 339 — caracteristicas y especificaciones 187
Celdas fotoemisivas 399 Dielectric°, campo de perforaciOn 69
— simbolo 401 Diodo controlado de silicio SCR 169
— circuito equivalente 401 — circuito equivalente 171
Celdas fotoconductores 241 — caracteristica electrica 171
— fotoconductivas 242 — resistencia de conducciOn 172
— comportamiento electric° 243 — resistencia de no conducciOn 172
— simbolo 246 — caracteristicas y limitaciones 172
Compuerta 17, 47, 164 — variaciOn de los parametros 175
— comiin 46 — caracteristicas de disparo 176
— flotante 103 — construcciOn interna y simbolo 180
519
INDICE TEMATICO

— activado por luz LASCR 260 Emisor 119

Diodos emisores de luz LED 253 Espectro de radiaciones electromagnetims 240
— funcionamiento del dispositivo 253 Espejo de corriente 141
— comportamiento elOctrico 254
— respuesta espectral 255
— desplazamiento angular 258
— simbolo 258 Factor de amplificaciOn 391, 359, 369
— parametros 258 Factor de conducciOn 56, 65
Dispositivos optoelectrOnicos 239 FET de union 16
Diodo Schockley 163 Figura de merit° 57
Diodo at vacio 341 Figura de ruido 42
— relaciones de voltaje-corriente 342 Filamento 339
— ecuaci6n de Langmuir-Child 346 Fotoconductividad
— simbolos 351 — intrinseca 241
— caracteristicas y I imitaciones 351 — extrinseca 241
— circuito equivalente 353 Fotodiodo 247
— variacion de parametros 355 — funcionamiento 247
Disipadores — caracteristicas 247
— en funci6n del area de las placas de — simbolo 251
aluminio, calculo de 500 — parametros 252
— materiales empleados en los 518 — circuito equivalente 253
Dispositivos de cuatro o mas capas Fotoelectrico, efecto 396
163, 198, 200 Fotoemision 310
Drenaje 17, 47 Fotoresistencia 239
— coman 46 Fototransistor 259
Fototubos 396
— caracteristicas de fotoemisiOn 396
— respuesta espectral 398
Efecto Edison 285 — celdas fotoemisivas 399
Efecto fotoelectrico 310 — Fotomultiplicadores 402
Eficiencia fotoelectrica 313 Frecuencia de un MOS-FET, respuesta 57
Electrodos 356 Fuente 17, 47
Emision electronica en metale,s 285 — comun 46, 77
&Elision — de corriente constante 150
— por choque 286 Funcion de trabajo 289,296, 300
— por radiaciOn 286
— por campo electric° 286
— por emisiOn tdrmica 287
— secundaria 287, 306, 378 Generacion de pares electron-hueco 241
— fotoelktrica 287
— por campo 287, 303
— termoionica 287, 288 Impedancia de entrada JFET 37
520
 INDICE TEMATICO

Impedancia negativa 122

Interruptor controlado por compuerta GTO
192 Parabolica, aproximaciOn 34
Interruptores de silicio unilateral y bilateral Pendiente negativa 379
189 Pentodo 384
— construccion y simbolos 190 — simbolo, funcionamiento 384
— principio de operaciOn y caracteristicas — caracteristicas y limitaciones 388
191 — circuit° equivalente 389
InversiOn 49, 52 — aplicaciones tipicas 392
Inversor con carga activa 96 Placa 339
Inversor con simetria complementaria Poisson, ecuaciOn de 343
COS/MOS 99 Punto de operaciOn 373
Pozo de potencial 290
Principales dispositivos semiconductores
discretos 482
Langmuir-Child, ecuaciOn de 346 Prolog° 7
LED 253 Propiedades del Ge, Si, GaAs a T 300°K 478
Lumen 240 Propiedades de los semiconductores 476
Lux 240

Raze') de subida
ModulaciOn cruzada en un amplificador de— del voltaje directo 114
banda est recha 101 — de la corriente directa 114
Metodo W KB para determinar la RazOn intrinseca de apagado 135
transparencia de las barreras de potencial 455
Richardson-Dushman, ecuaciOn grafica
Microscopio de emisiOn por campo 305 de 295, 347
Miller RecombinaciOn 242, 254
— admitancia 78 Rectificante metal-semiconductor 119
— efecto 346, 429 RegiOn
MOS-FET 46 — impedancia negativa 122, 186
— de vaciainiento 58 — triodo JFET 32, 56, 67
— de acrecentamiento 59 — activa JFET 32, 56, 67
Movilidad 43 Regulador luminoso 264
Recta de carga 372
0 Reja 355
— de control 355, 376
Oscilador — pantalla 376
— de esealera 150 — supresora 384
— de relajaciOn de diente de sierra 147 Resistencia de placa 369, 390
— de relajaciOn simple 137, 197 Respuesta espectral

521
IND ICE TEMATICO

— de una celda fotoconductora 244 — variaciOn de parametros 371

— de un fotodiodo de silicio 248 — aplicaciones tipicas 371
— de un LED 255 — potencia de disipaciOn maxima 371
Transconductancia 29, 365, 391
Transistores
— bipolares 15
Schottky, efecto 298 — unipolares 15
SCR 169 — de efecto de campo de union JFET 15
Sim iaislantes 243 — caracteristicas electricas 28
Sirena electrOnica 160 — capacidad de la compuerta 36
Subestrato 47 — voltaje de ruptura 36
— impedancia de entrada 37
— simbolo 38
— modelos 38
Teoremas — modelo dinamico 40
— de circuitos 501 — modelo a alias frecuencias 41
— de reduccion de fuentes dependientes 502 — caracteristicas generales 41
— de Thevenin 504 — variaciOn de parametros 43
— de Norton 504 — variacion de la 1scon la temperatura
— biseccion 505 43
Terminales 182 — metodos fundamentales de polarizacion
Tetrodo al vacio 365, 391 45
— simbolo 377, 380 — circuito de autopolarizacion 46
— emision secundaria 378 — de efecto de campo metal-oxido-
— pendiente negativa 379 semiconductor MOS-FET 46
— caracteristicas y limitaciones 380 — estructura fundamental 47
— circuito equivalente 381 — analisis del transistor 48
Triodo virtual 386 — MOS-FET de vaciamiento 58
Triodo al vacio 355 — simbolos 61
— simbolo 356 — caracteristicas y limitaciones 62
— triodo piano paralelo frio 357 — variacion de los parametros 64
— capacidades interelectrodicas 358, 370 — circuito equivalente 67
— triodo termoiOnico 359 — precauciones que se deben tomar en el uso
— ecuacion del triodo termoiOnico 361 de los transistores MOS-FET 69
— curvas de corriente de rejilla 362 — monounion UJT 119
— regiOn activa 362 — construcci6n del transistor 119
— corte remoto y cone rapid° 363 — teoria de operacion 121
— caracteristicas y limitaciones 364 — caracteristicas y limitaciones 134
— catodo comun, placa comUn, reja comun TRIAC 182
367,370 — estructura basica 182
— circuito equivalente 367 — cuadrantes de operaciOn 183

522
 INDICE TEMATICO

— curvas caracteristicas 184 Voltaje

— simbolos 184 — de oclusiOn 25, 35
— circuito equivalente 185 — de ruptura JFET 36
— de umbral MOS-FET 53
U — pico 122, 379
— valle 122, 128, 379
UJT 119
— de emisor base uno 125
✓ — de disparo de la cornpuerta 173
— de retardo 396
Valvulas al vacio 339

523
Impreso en lOs Talleres Graficos
de la Direccion de Bibliotecas y Publicaciones
del Instituto Politecnico Nacional
Tresguerras 27, 06040 Mexico, D.F.
Diciembre de 1985. Ediciem 3,000 ejemplares
-A1tener en una bombilla incandescente una placa metalica, se encontro
que se podia tener una corriente electranica entre el filament° y la placa,
siendo el medio el vacio...-. El descubrimiento fue hecho por Thomas
Alva Edison y da nacimiento a la electranica. Esta se consolida como
una nueva rama de la ingenieria con la contribucian de Lee De Forest en
la invencian del triodo, que incluye una rejilla entre el filament° y la pla-
ca. Con estos dispositivos se tuvieron sorprendentes avances en comu-
nicaciones, control, entretenimiento y defensa, obteniendo la electrOni-
ca un papel preponderante en los cambios sociales que se gestaban. En
1947, con el advenimiento del transistor, se genera una nueva ciencia
que en la actualidad se conoce como electronica del estado salido, y con
esas bases de teona y comportamiento de los materiales se suscito toda
una avalancha de nuevos dispositivos que han venido a revolucionar las
aplicaciones de la electranica y sus implicaciones sociales.
El conocimiento profundo de los dispositivos electronicos es la
piedra angular para que un estudioso de la electranica puecia aplicar su
imaginacian e inventiva a la realizacion de equipos y sistemas novedosos
que coadyuven al fortalecimiento de la industria electronica nacional.
Por su versatilidad y dinamismo, la industria electranica es la unica
que en la actualidad crece a un ritrno de 16% anual en el mundo, y es al-
tamente resistiva a problemas econamicos y recesivos, lo que hace que
en Mexico y en todos los paises se le considere coma de alta prioridad.
Esta obra de dispositivos electrOnie os se ha nreparado con la
firme conviccian de que solo con el conocimiento detallado y profundo
del comportamiento de los mismos se logra obtener buenos disenos
-capaces de competir en cualquier foro- y, a traves de esta experiencia,
establecer la tradician de realizacion y desarrollo que en esta estrategica
rama se demanda,