Boylestad - Electronica Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos PDF

Electronica: feora de circuifos y disposifivos electronices OCTAVA EDICION.ei arate ae nce niece ee te acateaaee 15. Amplificadores de potencia Potencia de entrada: P, = Vecle 7 Potencia de salide: P, = Veele = I2Re = VEe/Rerms : OCTAVA EDICION 12/2)Re = Vee/{2R¢) pico Vertel’ Veele/8 = (I2/8)Re = Vee/(8Re) pico a pico eficiencia: %y = (P,/P;) X 100% : > ‘es sn ce oe 28 ELECTRONICA: ne a = (Ma/N,)'Ri; salida de potencia TEORIA DE CIRCUITOS Y Pal = (P, ~ PI ms 2 o/akas maxima P; = 2Vi¢/mRjs méxima P,, = 2VE¢/a?R,, éni Par Ratnam SVR nr aid cK cn DISPOSITIVOS [(Dy X 2 + D, X24 DX BH L.1R,C; VCO: f, = (2/R, atv selaciones de transformador: V/V, amplificador de potencia clase B: P; = Vecl(2/-*YIpeals Pp = Vilpico)/(2R,): % 0 = (m/4)LVitpico)/Vec] X 100%: libre); Po = (Ty — TAO ye + Ocs + Osa) 4 ELECTRONICOS.. 12m) V2mf,/3.6 X 10), 16 Circuitos integrados (CI) lineales digitates Red de escalera: V, = Dy X 2)/2" Was 555 oscilador 44(R, + 2Rp)C; 555 monoestable: Tay = Vo)/* J:lazo de seguimiento de fase (PLL): f, = 0.3/R,C. fi = *80/¥. fe = 17 Retroalimentacién y circuitos osciladores 4,= A/(1 + A); etroalimentacién en serie; 2y = Zi + BA); tettoalimentacidn en paralelo: 2y = Z,/(1. + BA); retroalimentacién de voltaje: Z,y = Z./(1 + BA): 4, rettoatimentacién de comiente: Zy = Z,(1 + BA); estabilidad de ganancia: dA,/A,= 1/1 + BAI)(dA/A); oscilador; ROBERT L. BOYLESTAD BA = 1; comimiento de fase: f= 1/2nRCV6, B = 1/29, A > 29; corrimiento de fase FET |A| = gnRy, Ry, = Rptal(Rp + 14); comimiento de fase del transistor: f= (1/2nRC)[1/V6 + HRC/R)}, hy, > 23 + 29(Re/R) + LOUIS NASHELSKY A(R/R¢); puente de Wien: Ry/Ry = Ri/Ry + C2/Cy fy = W24 VRC RIC sintonizador: f, = V2" VEC Cosunta = C1C2M(C, + C2), Hartley: Lessin = Ly + La + 2M fo = V2 V secre 7 . + ‘TRADUCCION: 18 Fuentes de alimentacién (reguladores de voltaje) Filtros: r = V,{rms)/V4, x 100%, Carlos Mendoza Barraza VR = (au — VV, X 100%, , Ingeniero en Sistemas Electronicos Vgc = Vn. ~ V- (p-p)/2, Vftms) = V,(p-p)/2V3, V,{rms) ~ (Iu./4V3)(Vie/Va); onda completa, carga ligera Hegecan Vrms) = 2ALae/C, Vac = Vy ~ 41 Tye/C, F = (24lyCV4) X 100% = 2.4/R,C X 100%, Icy = T/T, X lagi RC RC: Vig = Ry Vag/(R + Ry), Xe = 2.653/C (media onda), X- = 1.326/C (onda completa), Vi(rms) = (Xo/ VR? + XE REVISION TECNICA: reguladores: JR = (a ~ Ire)/Tez 100%, Vy = Vo{1 + Ri/Rz), Vo = Var{l + Ro/Ri) + hea Re M. en C. Agustin Sudrez Ferndndez Departamento de Ingenieria Eléctrica Universidad Auténoma Metropolitana 19 Otros dispositivos de dos terminales Diodo Varactor: C, = C(O)/(1 + [V/V Plantel Ietapalapa, México, DF. Te, = (MC/CT, ~ T,)) X 100%; fotodioda: W = Kf!-A = v/f, Lim = 1.496 x 107! W 20 Dispositivos pnpn y Otros UIT: Kap = (Ra, + Ra)in-o Va, = WVesly-o 9 = Ra/(Ro, + Rr) Vp = Veo + Voi forotransistor Le = heli PUT: 7 = Ro/(Rs, + Ras Ve = nVas + Vo 4 Espafa © Guatemala + Paonm « Per + Puerto Rico * Uruguay *VenezuGeorge Fredericks ED, Faller Phil Golden Joseph Grabinski ‘Thomas K. Grady Mohamed S. Haj-Mobamadi William Hill Albert L, Lekstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E, Kent Donald F. King Charles Lewis Donna Liverman William Mack Robert Martin George T. Mason William Maxwell Abraham Michelen John MacDougall Donald F, MeMillan ‘Thomas E. Newman Byron Paul Dr. Robert Payne Dr. Robert A. Powell EE Rockafellow Saeed A. Shaikh Dr. Noel Shammas Ken Simpson Jerry Sithon Eric Sung Donald P, Szymanski Parker M. Tabor Peter Tampas Chuck Tinney Katherine L. Usik Domingo Uy Richard J. Walters Latry J. Wheeler Julian Wilson Syd R. Wilson Jean Younes Charles E. Yanghans Ulrich E. Zeisler Colegio Tecnolégico de la Comunidad dle} Estado del Noreste Colegio Eumber Instituto de Teenologia DeVry Colegio Tecnolégico del Estado de Hartiord Univeisidad de Washington Occidemal Universicad del Estado de Carolina del Nomte A&T Institut Tecnologico ITT Colegio Mesa de San Diego Universicised de Mercer Tektromis Ine: Institut Tecnologico DeKalb Insttato Tecnologico ITT APPLIED MATERIALS, INC. paments Ine. 0 de la Comunidad del Area de Harrisburg Colegio de la Comunidad de Virginia del Norte Colegio Tecnolégico Vocacional de Indiana Institute Tecnolégico del Estado de Nashville Colegio de la Comunidad del Valle Hudson Universidad del Oeste de Ontario Universidad del Fstado del Suroeste Instituto Tecnolégico-Vocacional L. H. Bates Colegio del Estado de Bismarck Universidad de Glamorgan Colegio de la Comunidad de Oakland Instituto de Teenologta del Sur de Alberta Colegio de la Comunidad de Miami-Dade Fscuele de Ingenienta Colegio de Teenologia del Estado Stark Colegio de la Comunidad de Queensborough Comnputronies Technology Inc Colegio Técnico Owens Colegio Tecnico de Greenville Universidad Tecnoligica de Michigan Universidad de Utak Colegio Mohawk de Artes y Tecnologias Aplicadas Universidad de Hampton. Instituto de Tecnologia DeVry PSE&G Nuclear Colegio dle Tecnologia del Sur Motorola Inc Instituto Técnico ITT Universidad del Oeste de Washington Colegio de la comunidad de Salt Lake “Texas Agradecemos a las siguientes personas par su ayuda en el proceso de revision de esta octava edicton: Joseph Booker Charles E Bunting Mauro J. Caputi Kevin Ford David Krispinsky William Mack John Shertick xii Agradecinientos Instituto de Tecnologia DeVry Old Dominion University Universidad Hofstra Colegio de la Comunidad de Alvin Instituto de Teenologia de Rochester Colegio de la Comunidad de! Area de Harrisburg Instituto de Teenologia de Rochester Contenido PREFACIO AGRADECIMIENTOS 1 DIODOS SEMICONDUCTORES LI Introduceién 1 12 Eldiodo ideal 1 1.3 Materiales semiconductores 3 14 Niveles de energia 6 1.5 Matetiales extrinsecos: tipo n y tipo p 7 1.6 Diodo semiconductor 10 1.7 Mathead 17 1.8 Niveles de resistencia 20 19 Cireuitos equivalentes para diodos 26 1.40 Hojas de especificaciones de diodos 29 LIL Capacitancia de transicién y de difusién 33 1.12 Tiempo de recuperacién inverso. 34 1.13. Notacién de diodos semiconductores. 34 114 Prueba de diodos 35 115. Diodos Zener 37 1.16 Diodos emisores de luz (LEDs) 40 LIT Arreglos de diodos: cireuitos integrados 45 1.18 Resumen 46 1.19.” Andlisis por computadora 47 2 APLICACIONES DE DIODOS 21 Introduccién 55 2.2 Analisis por medio de ta recta de carga 56 2.3 Aproximaciones de diodos 62 553 32 33 34 35 36 37 38 39 3.10 3.11 32 313 Configuraciones de diodes en serie con entradas de. 64 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69 Compuertas AND/OR 72 Entradas senoidales; rectficacién-de media onda 74 Rectificacién de onda completa 77 Recortadores 81 Cambiadores de nivel 88 Diodos Zener 92 Circuitos multiplicadores de voltaje. 98 Aplicaciones précticas 100 Resumen 112 Analisis por computadora 113 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 13) Introduceién 131 Construccién del transistor 132 Operacién del transistor 132 Configuracién de base comin 134 Accién amplificadora del transistor 138 Configuracién de emisor comin. 139 Configuracién de colector comin 146 Limites de operacién 147 Hoja de especificaciones de transistores 149 Verificacién de transistores. 153 Encapsulado de transistores e identificacién de terminales 155 Resumen 156 Anélisis por computadora 158 POLARIZACION DE DC PARA BJTs 163 4.1 Introduccién 163 4.2 Punto de operacién 164 43° Circuito de polarizacién fija 166 44 Circuito de polarizacién estabilizado en emisor 173, 45 Polarizacién por divisor de voltaje 177 4.6 Polarizacién de con retroalimentacién de voltaje 186 7 Diversas configuraciones de polarizacién 189 48 Operaciones de disefio. 195 49 Redes de conmutacidn con transistores 201 4.10 ‘Técnicas para localizacién de fallas 206 4.11 Transistores PNP 209 4.12 Estabilizacién de la polarizacién 210 4.13 Aplicaciones précticas 220 4.14 Resumen 228 4.15. Anélisis por computadora 231 Contenido Sa 52 33 54 55 56 37 58 5.10 ul 12 1B 4 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6.10 6.1L 6.12 613 6.14 615 mW 12 13 14 18 16 17 18 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. 245 Introduccién 245 Construccidn y caracteristicas de los JFETs 246 Caracteristicas de transferencia 253 Hojas de especificaciones (JFETs) 259 Instramentacién 261 Relaciones importantes. 262 MOSFET de tipo decremental 263 MOSFET de tipo incremental 269 Manejo del MOSFET 276 MOS 277 CMOS 278 Tabla de resumen 280 Resumen 281 Analisis por computadora 282 POLARIZACION DEL FET 289 Introduecién 289 Configuracién de polarizacién fija 290 Configuracién de autopolarizacién 294 Polarizacién por divisor de voltaje 301 MOSFETs de tipo decremental 307 MOSFETS de tipo incremental 311 Tabla de resumen 317 Redes combinadas 319 Disefio 322 Localizacién de falas. 324 FETs de canal-p 325 Curva vniversal de polarizacién para JFET 328 Aplicaciones précticas 331 Resumen 343 Anilisis por computadora 344 MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES 355 Introduccién: 355 Amplificacién en el dominio de ac 355 Modelaje de transistores bipolares 356 Los pardmetros importantes: Z, Z Avy A; 358 El modelo r, del transistor 364 Modelo hibrido equivalente 371 Determinaci6n grifiea de los pardmetros-h 377 Variaciones de los pardmetros del transistor 381 Contenidoxvi 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9.10 9.1 9.12 9.13 9.14 9.15 9.16 9.17 1 ANALISIS A PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR 389 Tatroduceién 389 Configuracién de polatizacién fija con emisor comin 389 Polarizacisn por divisor de voltaje 393 Configuracién de polarizacién en emisor para emisor comin 396 Configuracién de emisor-seguidor 404 Configuracién de base comiin 409 Configuracién de retroalimentacién en colector 411 Configuracién de retroalimentacién de de en colector 417 Circuito equivalente hibrido aproximado 420 Modelo equivalente hibrido completo 426 ‘Tabla de resumen 433 Localizacién de fallas 433 Aplicaciones pricticas 436 Resumen 444 Andlisis por computadora 446 ANALISIS A PEQUENA SENAL PARA FET 461 Introduccién 461 Modelo de pequefia sefial para el FET 462 Configuracién de polarizacién fija para el JET 469 Configuracién de autopolarizacién para el JFET 472 Configuracién de divisor de voltaje para el IFET 479 Configuraciéa fuente-seguidor (drenaje comin) para el JFET 480 figuracién de compuerta comtin para el JFET 483 MOSFETs de tipo decremental 487 MOSFETs de tipo incremental 489 Configuracién de retroatimentacién en érenaje para el E-MOSFET 490 Configuracién de divisor de voltaje para E-MOSFET 493 Disefio de redes de amplificador FET 494 Tabla de resumen 497 Localizacién de fallas. 500 Aplicaciones précticas 500 Resumen 510 Analisis por computadora 512 APLICACION DE SISTEMAS: EFECTOS DE R, Y R, 525 10.1 Introduceién’ 525 10.2 Sistemas de dos puertos 525 10.3 Efecto de una impedancia de carga (Ry) 527 10.4 Efecto de la impedancia de la fuente (R,) 532 10.5 Efecto combinado de R, y R, 534 10.6 Redes BJT de emisor comiin 536 10.7 Redes emisor-seguidor de BIT 542 10.8 Redes BIT de base comin 545 Contenido 10.9 Redes FET S47 10.10 Tabla de resumen 550 10.11 Sistemas en cascada 554 10.12 Resumen 555 10.13 Analisis por computadora 557 1 RESPUESTA A LA FRECUENCL DE TRANSISTORES BJT Y JFET 569 TLL Introduceién 569 11.2 Logaritmos 569 11.3. Decibeles $73 11.4 Consideraciones generales sobre la frecuencia 576 11.5 Analisis de baja frecuencia: Grafica de Bode 579 11.6 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador BIT 586 11.7 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador FET 594 11.8 Capacitancia de efecto Miller 600 11.9. Respuesta a alta frecuencia: Amplificador BJT 602 11.10. Respuesta a alta frecuencia: Amplificador FET 609 LLIL Efectos de frecuencia en multietapas 613 11.12 Prueba de onda cuadrada 615 11.13 Resumen 617 11.14 Andlisis por computadora 620 1 2 CONFIGURACIONES COMPUESTAS 627 12.1 Introduccién 627 12.2 Conexién en cascada 627 12.3 Conexidn cascode 632 12.4 — Conexién Darlington 633 12.5 Parde retroalimentacién 638 12.6 Circuito CMOS 642 12.7 Circuitos de fuente de cortiente 644 12.8 Circuitos de espejo de corriente 646 12.9 Circuito amplificador diferencial 649 12.10 Circuitos amplificadores diferenciales BIFET, BIMOS y CMOS 657 12.11 Resumen 658, 12.12 Anilisis por computadora 660 I 3 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 675 13.1, Introduecién 675 13.2. Operacién en modo diferencial y en modo comin 677 13.3 Fundamentos del amplificador operacional 681 13.4 Cireuitos précticos con amplificadores operacionales 685 13.5 Especificaciones del amplificador operacional: Pardmetros de desvio de de 691 13.6 Especificaciones del amplificador operacional: pardmetros de frecuencia 694 Contenido13.7 Especificaciones para el amplificador operacional tipico 698 13.8 Resumen 704 13.9 Anilisis por computadora 705 1 4 APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL 715 14.1 Multiplicador de ganancia constante 715 14.2 Sumador de voltaje 719 14.3 Acoplador de voltaje 722 144 Fuentes controladas 723 14.5 Circuitos de instrumentacion 725 14.6 Filtros activos 729 14.7 Resumen 733 148 Anélisis por computadora 733 1 5 AMPLIFICADORES DE POTENCIA 747 15,1 Introduccién: definiciones y tipos de amplificadores 747 15.2 Amplificador Clase A alimentado en serie 749 15.3 Amplificador Clase A acoplado por transformador 754 15.4 Operacién del amplificador Clase B 761 15.5 Circuitos amplificadores Clase B 765 15.6 Distorsién del amplificador 772 15.7 Disipacién de calor del transistor de potencia 776 15.8 Amplificadores Clase Cy Clase D 780 15.9 Resumen 782 15.10 Anélisis por computadora 784 1 6 CIRCUITOS INTEGRADOS CIs LINEALES DIGITALES 791 16.1 Introduccién 791 16.2 Operacién del comparador 791 16.3 Convertidores digit al6gicos 798 164 — Operacién de la unidad temporizadora de CI 802 16.5 Oscilador controlado por voltaje 805 166 Lazo de seguimiento de fase 808 16.7 Circuitos de interfase 812 16.8 Resumen 815 16.9. Andlisis por computador 815 l RETROALIMENTACION Y CIRCUITOS OSCILADORES 821 IL.1 Conceptos de retroalimentacién 821 17.2 Tipos de conexién de retroalimentacién 822 Contenido 113 14 175 n6 117 178 179 17.10 ql 17.12 Cireuitos pricticos de retroalimentacién 828 Amplificador con retroalimentacién: consideraciones de fase y frecuencia 835 Operacisn det oscitador 837 Oscilador de comrimiento de fase 839 Oscilador de puente Wien 842 Circuito oscilador sintonizado 843 Oscilador de cristal 846 Oscitador monounién 850 Resumen 852 Analisis por computadora. 853 1 8 FUENTES DE ALIMENTACION 18.1 18.2 183 18.4 18.5 186 18.7 188 18.9 1 (REGULADORES DE VOLTAJE) 859 Introduccién 859 Consideraciones generales de Ios filtros 859 Filtro de capacitor 862 Filtros RC 865 Regulacién de voltaje con transistor discreto 868 Reguladores de voltaje de CI. 875 Aplicaciones pricticas 880 Resumen 883 Analisis por computadora 884 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 889 19.1 Introduccién 889 19.2 Diodos de barrera Schottky (portadores calientes) 889 19.3 Diodos varactores (varicap) 892 19.4 Diodos de potencia 897 19.5 Diodos tinel 898 19.6 Fotodiodos 902 19.7 Celdas fotoconductoras 906 19.8 Emisores IR (infrarrojos) 908 19.9 Pantallas de cristal liquide 909 19.10 Celdas solares 912 19.11 Termistores 916 19.12 Resumen 918 20 DISPOSITIVOS pnpn Y OTROS 923 20.1, Introduceién 923 20.2 Rectificador controlado de silicio 923 203 Operaci6n bisica del rectificador controlado de silicio 923 204 Caracterfsticas y valores nominales del SCR 925 205 Construccién e identificacién de terminales del SCR 927 20.6 Aplicaciones del SCR 928 Contenido xix207 208 208 20.10 20.11 20,12 20.13 20.14 20,15 20.16 20.17 Intetruptor controlado de silicio 982 Intetruptor controlado en compuerta 934 SCR activado por luz, 935 iodo Shockley 937 DIAC 938 TRIAC 940 Transistor monounién 941 Fototransistores. 950 Optoaisladores 952 Transistor monounién programable 955, Resumen 960 2 1 EL OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICION 21.1 Introduccién 965 21.2 Tubo de rayos catédicos: teorfa y construccién 965 213. Operacién del osciloscopio de rayos catédicos. 966 21.4 — Operacidn de barrido de voltaje 967 215 Sineronizaciéa y disparo 970 21.6 Operacién de multitrazo 974 21.7 Medicin mediante escalas calibradas del CRO 974 218 — Caracteristicas especiales del CRO 979 21.9 — Generadores de sefial 980 21.10 Analisis por computadora 982 APENDICES A FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS QUE MUEVEN AL MUNDO B PARAMETROS HiBRIDOS: ECUACIONES DE CONVERSION (EXACTAS Y APROXIMADAS) ic CALCULOS DEL VOLTAJE Y DEL FACTOR DE RIZO D TABLAS E SOLUCIONES A PROBLEMAS NONES SELECCIONADOS INDICE Contenido 965 984 996 998 1005 1007 1013 Diodos 1.1 INTRODUCCION E123 de diciembre de 1947, hace ys més de 50 aiios, se desarroll6 el primer transistor. Para aquellos de nosotros que vivimos la evolucin de los tubos de vacfo hacia la era del estado s6- lido, parecieran s6lo unos cuantos afios. La primera edicién de este texto contenia una amplia ccobertura sobre los tubos de vacfo, y para ediciones posteriores se tuvo que tomar Ia decision centre el nivel de eobertura dedicado a los bos y el dedicado a los dispositivos semiconductores. En este momento ya no es vélido siquiera mencionar los tubos de vacfo ni mostrar las ven tajas de uno sobre el otro, ya que estamos situados firmemente en la era del estado soli, La miniaturizacién de los componentes que se ha originado, abre cuestionamientos acerca de hasta dénde legardn su limites. Ahora es posible encontrar sistemas completos sobre obleas de silicio que son miles de veces més peque'fas comparadas con un solo elemento de los primeros sistemas, Los circuitos integrados (C1) de hoy, cuentan con mas de 10 maitlones de transistores cen un rea no mayor als ufta de un pulgar.* Cada semana surgen disefos y sistemas nuevos. Para el ingeniero esto implica una limitacién en cuanto a su conocimiento sobre la amplia ga- mma de avances tecnoldgicos; simplemente poder mantenerse actualizado sobre los cambios en un Grea de investigacién o desarrollo ya es de por sf complicado, Ademés, hemos licgado a un punto en el que el objetivo primario del encapsulado de un componente es el de servir s6lo co- ‘mo un medio para manipular el dispositivo o sistema y para proveer un mecanismo que permita acoplarlo al resto del sistema o red. La miniaturizaci6n parece estar limitada por tres facto res (los cuales revisaremos durante el texto): la calidad del propio materia semiconductor, fa técnica de! disefio de la red y la limitaciones en el equipo de manufactura y procesamtento, 1.2 DIODO IDEAL EL primer dispositivo electrénico que revisaremos se denomina diado, el mis simple de tos dispositivos semiconductores, pero con un papel fundamental para los sistemas electrénicos ya {que cuenta con caracteristicas que lo asemejan a un intertuptor sencillo, Lo encontramos en una amplia gama de usos aplicaciones desde Tas mas simples hasta las ms complejas. Ademds de presentar los detalles acerca de su fabricacién y de sus caracterstcas, presentaremos los datos Y las grificas relevantes que se encuentran en las hojas de especificaciones para asegurar Ia ‘comprensién de la terminologta utilizada y para demostrar la abundancia de inforinacia dis- Pponible proporeionada por los fabricantes El término ideal se emplearé de manera frecuente en este texto a medida que nuevos dispositivos se vayan presentando, y se refiere a cualquier dispositivo o sistema que posea caracteristicas ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido. Esto sitve como base para compara: cones y muestra dénde es todavia posible realizar mejoras. El diodo ideal es un dispositive de dos "Si el tempo to permite, lea el Apéndice A, "Fabricacién de fos Circuitos Integrados que Mueves al Mundo 3p ope CAPITULO » Figura 1 bolo; @) Dido Ideal (a) simterminales que se representa por ef figuras Ila y 1.1, respectivamente Ds forma ideal, un diodo conduciré corriente en la direc definida por ta flecha que se muestra en el simbolo y actuaré como un circuito abierto ante cualguer intento por estshlecer cortiente en la direccién opuesta, En esencia: imbolo y posee las caracteristicas que se muestran en las Las aracterstcas de wm diodo ideal son las mismas que as de un intrruptor que sao pr ‘ite la conduecion de corriente en una sala diveccion Para Ta deseripcién de los elementos siguientes, es muy importante defnir los distintos snr boos de letras, polaridades de voltaje y direceiones de corriene Sil plaid dl voltae api ado es consistente con las caracterfstieas que se muestra en la figura Ila, deberdn considera, ‘las patculridades de la parte derecha del ej vertical del plano de la figura I-1b. Si el voltaje aplicado se inviete, las caractefsticas pertinentes serdn las de la parte izquierda Si la corie. te a través del diodo presenta la direccidn indicada en la figura I.La, la patte de las carseterls, Lcas a considerase son ls que se encuentran en la parte superior del ee horizontal, mints que ‘una direccién inversa de Ia corriente requiere utilizar las curacteristcas que se encuentean ee la parte inferior de este eje, Para la mayoria de las earactertsticas de los dispositivos presentados en xe Hiro, el ee de las ordenadas (0 eje “y”) ser el efe de I corrinte mientras qu el ee de las abscisas (0 eje “x") sera el eje del voltaje {Uno de los parsmetros importantes de un diodo es la resistencia que presenta en el punto 0 reaién de operacin. Si consderamos a regin de conduction defnida por la divecién de [, y le polaridad de Vp en ta figura I.ta (cuadrante superior derecho de la figura 1.1b), veremon Gue el valor de la resistencia directa Rp, queda definido por medio de Ia ley de Ohta como Ve ov Rea Te” =00 (i tr 2,3,mA,..., 0 cualquier valor positivo ~ 0% (Cieuito cerrado) onde Vp es el veluje de polarizaciin directa sobre el diodo e Fes ta coniente através del mismo. Porto tanto, el iodo ideal representa wn circuito cerrado en la reid de conduccidn Considere la regién donde se aplica potencial negativo (tercer ‘cuadrante) de la figura 1.1, Vs 0 cualquier potencial de polarizacién inversa Rat eee © ito aber e oan ® (cirevito abjento) donde Vi es el voltae de polarizaciGn inversa sobre el diodo ¢ Ip es la cortiente en ef mismo, Por lo tanto, ef diodo ideal representa un circuito abierto en ta regiin de no conduccién En resumen, aplican las condiciones mostradas en la figura 1.2. + Yo Circuito cerrado ee 1 “Teetinitads po om @ = vo Circuito abierto st eat Ip=0 : ) Per ae tele e @ conduccion y (6) no eenduccn parz un dodo ideal detrminados segun la polarizacion aplicada, En general, es elativamente fil determinar si el diodo se encuentra en la reién de con duccién o en la de no conduccién mediante la simple observacién de ladireccién dela cortien: X¢ Zo que establece el voliaje apicado, Para el caso del flujo convencional (puesto al él jo de electrones), sia conenteresutante del diodo tiene la misma drecein que la punta de fe. Capitulo 1 Diodos semiconductores cha éel simbolo del diodo, éste se encontraré operando en la regién de conduccién como se muestra en la figura 1.3a, Sila corriente resultant tiene la direccidn opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, serd apropiado considerarlo el equivalente de un circuito abierto, Ph o 2 @ Figura 13 Fstados de (con. Phe 2 ion 0 condocson para — Ins und el eter to -segtin la direccion de la cortiente & Civereon! tieesiec he Como se express anterionmente, el propésito principal de esta seceién es mostrar ls crac- teristicas de un dispostivo ideal en relacién con las caracteristcas de la distintas variedades comerciales. A medida que avancemos a través de las siguientes secciones, mantenga presen tes las siguientes preguntas Que tan cercana serd ta resistencia en polarizacion direca o resistencia de “encendiio” de un diada real en comparacion con el nivel deseado de 0.0? dla resistencia en polarizacion inversa serd lo suficientemente grande como para permitir tna aproximacion a wn circuito abierto? 1.3. MATERIALES SEMICONDUCTORES La denominacién semiconductor advierte en sf{ misma sus caracteristicas: El prefijo semi es aplicado,normalmente a un rango de nivel entre dos Ifmites. El término conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo gencroso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales. Un aislante 0 dietéctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de conductividad cuando se encuentra bajo la presion de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee wn nivel de conductividad que se localiza entre tos extremias de un dieléctrico y de un conductor. Inversamente relacionado con la conductvidad de un material, se encuentra Ia resistencia al flujo de eargao corrente, es decir, mientras mayor sea el nivel de conductvidad, menor se- tel nivel de resistencia, En tablas de referencia, el témino resistvided (p, eta greg tho) se utiliza muchas veces al comparar varios niveles de resistencia de materiales, En unidades métcas a esistvidad de un material se mide como Q-cm o como Q-m, Las unidades Qem proceden de la sustitucidn de 1as unidades para cada cantidad de la figura 1.4 en Ta siguiente eacin (drivada dela ecuacin basica de resistencia R= pl/A): 2 #4 Olen) 08m ap T em ‘De hecho, si el drea de la figura 1.4 es de 1 cm® y la longitud de 1 cm, la magnitud de la resistencia del cubo de la figura 1.4 seré igual a la magnitud de la resistividad del material eomo se demuestra a continuacién: (Lom) (rem) Serd de utilidad recordar este hecho a medida que comparemos los niveles de resistividad en las explicaciones siguientes. Iplohms ee 8 oS aos) ? Alem? f= tom Figura 1.4 Definiclos de Jas unidades metreas de lx resistividad,i Figura 15. Esruotra de rmonoetistal del Ge y el Si TABLA L.1 Valores representatives de resistividad Conductor a8 Semiconductor Duelectrico p10 Dem 50% 10° Qe (alco) (rica) 10°" fem (0 50 fem (german (cotrey e Fa Ia tabla 1.) se muestra los valores representativos de Ja resistivided para tres catego ras amplias de materiales. A pesar de que usted estéfamiliaizado von las propiedades eléetr as del cobre y de la mice gracias e sus estudio anteriores, las caracterfsticas de los mtateriales Semiconductores como e! germanio (Ge) y el silicio (Si) podrian tesultarle nuevas. Como usted verd en los siguientes capitulos, éstos no son los tnicos dos materiales semiconductores, sin enibargo, son los dos matericles que han recibido el grado més amplio de interés para el desa. rrollo de dispositives semiconductores. En afos recientes se ha observado un desplazamiento hacia el silico, sin embargo, el germenio continia produciéndose de forma modest Observe en Ja tabla 1.1 el enorme rango de valor entre el material conductor y el dieléetri- 9 para el caso del material con una longitud de { em (con fea de | cm?). Son dieciocho fuga- res lo que separa el lugar det punto decimal entre un miimero y ef otro. Existen numerovas ra, Zones que explican I atencién que han recibido el Ge yel Si, una consideracn especial es el hhecho de que pueden ser fabricados hasta llegar a un grado de pareza muy alto, De hecho, avan- es recientes han reducido os nveles de impreza en el material puro hasta de una parte por «cada diez mil millones (1:10,000,000,000). Cualquiera podria preguntarse si es realmente necesario un aivel tan bajo de impureza, Ciertamente sf lo es, si se considera que la incorporacién de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millén, en una oblea de silicio puede alterae este material para convertitlo de un conductor deficente de electricidad a un buen conductor de ella, Obviamente, cuando hzblammes del medio semiconductor estamos tratando con un espec- tro nuevo en cuanto a niveles de comparacién, La habilidad para transformar significativamen. te las caracteristicns del materia través de un proceso como éste se conoce como “dopada” y Esta es otra de las razones por la cual el Ge y el Si han recibido mayor atenci6n, Otros motivos incluyen el hecho de que sus earactersticas pueden ser alteradas de forma importante median, {Ia aplicacién de luz 0 de calor, lo cual es una consideracién bésica para el desarrollo de di Positivos sensibles a la luz o al calor Algunas de las caracterstcas Gnicas del Ge y del Si, que se mencionaron antes, on el resultado de su estructura atémica. Los stomos de ambos materiales organizan un patron bien de. finido que por naturaleza es perisica, es decir, se rept continuamente. Un pattn completo se OV) y polarizacién inversa (Vp < 0 V). Cada posibilidad es una condicién que implica una respuesta, ésta se debe entender claramente por el usuario si es que se desea aplicar €l dispositivo de manera efectiva, Capitulo 1 Diodos semiconductores 7 Flujo de peetadores minovitaros — | ee a h — LP |" ~~ Flujo de portadares mayors Regidn de agotamiento (Gin potarizaeién) Sin aplicacion de polarizacion (Vp = 0 V) Bajo condiciones sin polarizacién (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario (lueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la regiGn de agotamiento fluird directamente hacia el material tipo p. Mientras més cercano se encuentre el portador minoritario a la unin, mayor seré la atraccién hacia la capa de iones negativos y menor Ja opo- sicién de los iones positives de la regién de agotamiento del material tipo n. Con el propésito de servic para exposiciones futuras, tendremos que asumir que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentren en la regién de agotamiento por 1a de su movimiento aleatorio, fluirén directamente hacia el material tipo p. Una expo- sicién similar puede aplicarse para el caso de los portadores minoritarios (clectrones) de un material tipo p. Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores. minoritarios de cada material. Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo m deben superar tanto a las fuerzas de atraccién de la capa de jones positivos de material tipo n como al escudo de iones negativos del material tipo p, para poder migrar al érea del material tipo p que se encuentra més alld de la regidn de agotamiento. Sin embargo, dado que el ndimero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n, existiré invariablemente un ndimero pequefio de portadores mayoritarios con suficiente energfa cinética para pasat a través de la regién de agotamiento hacia el material tipo p. Nuevamente el mismo razonamiento se aplica a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante por los portadores mayoritarios también se muestra en la figura 1.14. Una observacién mas cercana de la figura 1.14 nos revela que las magnitu de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto en cualquier direccién es cero, Esta can- celacién de los vectores se indica mediante las Kineas cruzadas. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujé mayor que la det flujo de electrones para demostrar aque la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que puedan cancelarse y que ademis, los niveles de dopado de cada material pueden ocasionar tn flujo desigual de huecos y de electrones. En resumen, entonces: 2 relativas En ausencia de un voltaje de polarizacién aplicado, el flujo neto de carga en cualquier dt reccidn para un diodo semiconductor es cero, 1.6 Diodo semiconductor Figura 1.14 Unig p-nsin ppolanzscién externa tht ihFigura 115 Sites polancacién para un died TOpresto) Figura 1.17 Situation de pols rizicion inversa pars un iodo semiconduct 2 la figura 1.15 se repite el sfmbolo de un diode pero ahora éste muestra sus regiones tipo n y tipo p asociadas. Observe que Ik flecha se asocia cen el componeitte tipo p y que Ja barra con la rezién tipo n. Como se indic6, Vp ~ OV y la cortiente en cualquier di recci6n es 0 mA. Situacion de polarizacién inversa (V) < 0 V) Si'se aplica un potencial extemo de V volts a través de fa unidn p-» de tal fora que la terminal positiva se conecta al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p coma se muestra en la figura 1.16, ef miimero de iones descubicrtos positivos en la regidn de agotamiento del material tipo m se incrementaré debido al gran nimero de electrones “tibres” atrafdos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, el ntimero de jones descubiertos negatives se incrementard en el material tipo p. El efecto neto seré, por Jo tanto. un crecimiento det rea de agotamiento, con lo cual también se estableceri na barrera que detendri el paso de los portadores mayoritarios, lo que da como resultado una re- duccién a cero del flujo de éstos como se muestra en la figura 1.16. A 1, Five ue portadores minorttios BERRA EEOREN Cece $1 Figura 116 Union pox Vp bajo polarzacion inversa ‘Sin embargo, el ntimero de portadores minoritarios que entran en In regién de agotamiento no cambia, con lo que resultan veetores de flujo de portadores minoritatios que tie nen la misma magnitud, como se indica en la figura 1.14, sin voltae aplicade, La corriente que se forma bajo una sitwacion de potarizacion inversa se denomina corriente de saturacién inversa y se representa por ly La contiente de saturaci6n inversa rara vex es mayor a unos cuantos microamperes excepto para el caso de dispositives de alta potencia, De hecho, en afios recientes su nivel se encuentra en el rango de los nanoamperes para los dispositivos de silicio y en el rango ba- Jo de los microamperes para el germoanio. El término saturacién proviene del hecho de que alcanza ripidamente su méximo nivel y de que no cambia de forma importante con incre- ‘mentos del potencial de polarizacién inversa, como se muestra en las curacterfsticas del diodo de la figura 1.19 cuando Vp < 0 V. Las situaciones para una polarizacién inversa se muestran en la figura 1.17 tanto para el simbolo del diodo como de la unisn p-n. Ob- serve en particular que la direccién de J, es contraria ala flecha del sfmbolo, Advierta tambign que el potencial negativo se encuentra conectado al material tipo p y que el potencial positivo al material tipo n, la diferencia en las letras subrayadas de cada regién indian la ‘condicién de polarizaci6n inversa. Situacion de polarizaci6n directa (V) > 0 V) Se establece una situacién de polarizacién directa o de “encendido” cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo p y un potencial negativo a un material tipo n como se muestra en la figura 1.18. Entonces, como regla futura Un diodo semiconductor se encuentra en polarizacion directa cuando se establece una aso- ciacién tipo p con positivo y tipo n con negativo Capitulo 1 Diodos semicanductores Figura LIB Voion p-n bajo La aplicacién de un potencial con polarizacisn directa Vp “presionard” a los electro- ries del material tipo n y a Jos huecos del material tipo p para que se recombinen eon los jones cercanos a la frontera y para reducir el ancho de la regiGn de agotamiento como se muestra en la figura 1.18. El flujo resultante de portadores minoritarios del material tipo p hacia el material tipo m (y el de los huecos del material tipo m hacia el material tipo p) no (6 en magnitud (ya que el nivel de conduccién se controla principalmente por el nivel de impurezas en el material); sin embargo, la reduecidn en el ancho de la regién de agotamiento provoca un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unin. Un electtdn del material tipo m ahora “advierte” una barrera més reducida en la uniGn debido @ una regién de agotamiento reducida y una fuerte atracciGn ocasionada por el potencial positive aplicado al material ipo p. A medida que la magnitud de la polarizaci6n aplicada se incrementa, la region de agotamiento continuard disminuyendo su amplitud hasta que un grupo de electrones pueda atravesar la unin, con un incremento exponencial de la corriente come resultado, de la forma en que se muestra en la regién de polarizacién directa en las caracteristicas de'la figura 1.19. Observe que el eje vertical de la figura 1.19 se expresa en miliamperes (aunque existen alguios diodos semiconductores que poseen ejes verticales ¢x- presados en amperes) y que el eje horizontal para la regién de polarizacidn directa tiene un nivel maximo de 1 V, sin embargo, normalmente el voltaje a través del diodo bajo polari- aaci6n directa seré menor que | V. Observe también la rapidez con la que se incrementa la corriente una vez que se pasa el punto de inflexién de la curva. Es posible demostrar mediante el empleo de la fisica del estado sdlido que las caracteristicas generales de un diodo semiconductor se pueden definir con la siguiente ecuaci6n, tanto para la regiGn de polarizacién inversa como para la directa: = Let ~ 1) as) donde 1, = corriente de saturacién inversa k = 11,600/n donde 7 = 1 para el Ge y 1 = 2 para et Si para niveles relativamente bajos de corriente de! diodo (en 0 abajo del punto de inflexién de Ta curva) y 7 = 1 tanto para el Ge como para el Si para niveles mayores de corriente del diode (para la seccién de répido crecimiento de la curva) Te + 218° En la figura 1.19 se presenta una grética de la ecusci6n 1.4. Si expandimos la ecuacién 14 de la siguiente forma, los componentes de cada regién de la figura 1.19 se podrin describir de forma més fécil. Ip = hel 1, Para valores de Vp positivos, el primer término de la ecuacién anterior crecerd de forma muy répida y sobrepasaré el efecto contrario del segundo término, El resultado de es- to es que para valores positivos de Vp, fp sera positiva y crecerd a un ritmo equivalente de y= €* que aparece en la figura 1.20, Para el caso cuando Vi = 0 V, la ecuacién 1.4 se convierte en fp = 1, (€°— 1) = J, (= 1) = 0 mA como aparece en la figura 1.19, Para el caso de valores negativos de Vp, el primer término de la ecusci6n répidamente caerd hacia niveles 1.6 Diodo semiconductor 13Figura 119 Caracteisteae del diode semiconductor de silo ‘Simitar) Figura 1.21 Situacion de pola rizacion directa para un diodo se- ‘miconductor. 14 a SOL Seer Wp 20V. tp > my xintccn | j Tw inferiores de /, con fo que se obtiene: Jp = ~L, lo cual se representa con la linea horizontal de la figura 1.19. La discontinuidad para la condicién Vp = 0 V aparece de esa forma en la grafica debido al cambio dramitico de escala de mA a nA. Observe en la figura 1.19 que el dispositivo comercialmente-disponible tiene sus'ca- racieristicas desplazadas hacia la derecha con una magnitud de algunos décimos de volt Esto se debe a la resistencia interna del “cuerpo” del diodo y a la resistencia externa del “contacto” del mismo. Cada una de éstas resistencias contribuye a obtener un voltaje ad cional con el mismo nivel de corriente como to determina la ley de Ohm (V = IR). Con el tiempo, y a medida que los métodos de fabricacién mejoren, esta diferencia ser menor y las caracteristicas eales se aproximardn a fas de la ecuaci6n 1.4 Es importante prestar atencidn al cambio en la escala del eje vertical y el horizontal Para valores positivos de {p la escala se encuentra en miliamperes y la escala bajo el eje en microamperes (o posiblemente en nanoamperes), Para et caso de Vp, la escala para los valores positivos se encuentra en décimos de volt y para los valores negativos en decenas del mismo. A simple vista, la ecuacién 1.4 podria parecer compleja y alguien podrfa temer que su utilzacién sea necesaria para todas las aplicaciones subsiguientes del diodo; sin embargo, pposteriormente en esta seccin se realizardn varias aproximaciones, que evitarin el uso de esta ecuacién, y nos facilitarén una solucidn con un minimo de dificultad matematica, ‘Antes de abandonar el tema del estado de polarizacién directa, se repite en la figura 1.21 la situacién de conductividad (estado “encendido”) con las polaridades requeridas y la direccidn del flujo de portadores mayoritarios resultante. Observe en particular la forma cen que la direccién de la conduccisn es la misma que la que indica la flecha del simbolo {egtin se mostr6 para el diodo ideal). Region Zener A pesar de que la escala utilizada en la figura 1.19 se encuentra en decenas de volts para Ja regién negativa, existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de vollaje se ocasiona un cambio dristico en las caracteristicas, como se muestra en la figura 1.22. En este punto, la comriente se incrementa a un ritmo muy rapido con una direcci6n opuesta ala que tiene la regién de voltaje positivo. El potencial de polarizacién inversa que provoca este Capitulo 1 Diodos semiconductores | Figura 1.22 Repon Zener peter cambio dramético de las caracteristicas del diodo se denomina potencial Zener y se le asig- pa el simbolp Vz. ‘A medida que el voltaje a través det diodo se incrementa sobre la regién de polarizacin inversa, tambign se incrementa la velocidad de los portadores minoritarios que son !os, responsables de la corriente de saturaciOn inversa /,. En algunas ocasiones, su velocidad y su energfa cinética asociada (Wy = }v?) serdn lo suficientemente grandes como para li- berar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras atémicas que en otro ca 0 serfan estables, Esto es, cuando los electrones de valencia absorban tanta energfa como ppara abandonar su étomo, se provocaré un proceso de ionizacién. Estos portadores adicionales pueden entonces apoyar al proceso de ionizacién al punto donde se establezca un al- tacorriente de avatancka y se determine la regién de ruptura en avalancha. La regidn de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical mediante el ineremento en los niveles de dopado tanto para el material tipo n como para el tipo p. Sin embargo, a medida que Vz disminuye a niveles muy bajos, como ~5 ¥, existe otro mecanismo llamado ruptura Zener, el cual contribuiré al cambio Severo en la caracteristica. Esto sucede debi- doa que existe un campo eléctrico fuerte en la regiGn de unidn que es capaz de romper las fuerzas internas de enlace del dtomo y “generar” portadores. A pesar de que el mecanismo de ruptura Zener contribuye de manera importante slo a bajos niveles de Vz, este cambio severo en la caracteristica en cualquier nivel se denomina regién Zener, y los diodos que aprovechan esta porcién tinica de la caracteristica de la unin p-m se designan como diodos Zener, los cuales se describen en Ta seccién 1.15. La regiGn Zener descrita para un diodo semiconductor deberd de evitarse si la respues ta det sisterna no debe ser completamente alterada por el cambio severo en las caracteri ticas para esta regidn de voltaje inverso. El potencial maximo de polarigacion inversa que puede aplicarse antes de ingresar en la re ‘gion Zener se denomina voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV, por las inicates en inglés de Peak Inverse Voltage) o como voltaje PRY (por las inciales en in- sles de Peak Reverse Voltage). Si una aplicacin espectfica requiere un nivel de PIV mayor que el que puede ofrecer una sola unidad, es posible conectat en serie un conjunto de diodos con tas mismas caracteristicas. Los diodos también se pueden conectar en paratelo con el objetivo de incrementar la capacidad para conducir corriente ‘Comparacion entre el silicio y el german Por lo general, los diodos de silicio cuentan con uly ‘un indice de corriente mayores, as{ como un rango de temperatura més amplio que los diodos de germanio, Los niveles de PIV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 ¥, mientras que el valor méxi- ‘mo para el caso del germanio se encuentra alrededor de 400 V. El silicio puede utilizarse ppara aplicaciones en las cuales la temperatura puede elevarse hasta 200°C (40°F), mi tras que el germanio posee un nivel maximo mucho menor (100°C). La desventaja que tiene el silicio comparado con el germanio, como se indica en la figura 1.23, es la del mayor 1.6 Diode semiconductor 15i+ Figura 1.23 Comperacion entce diodes semiconduet e Ge 16 es de Si Vas tees) 189 voltaje en polarizacién directa que requiere para alcanzar la regién de conducci6n, Este voltaje se encuentra alrededor de 0.7 V para diodos de silicio comercialmente disponibles y de 0.3 V para los diodos de germanio, con valores redondeados al décimo de volt més cercano. La diferencia mayor para el caso del silicio se debe principalmente al factor 7 de la ecuacién 1.4. Este factor juega un papel importante en la determinaci6n de la forma de la curva pero s6lo para niveles muy bajos de corriente ya que una yez que la curva inicia su crecimiento, el factor m baja.a I (cl valor continuo del germanio). Esto se demuestra por las simifitudes en las curvas una yez que el potencial de conduccién se alcanza, El potencial en el que inicia este crecimiento de la curva se denomina comnmente como potencial de conduccién, de umbral o de disparo. Con frecuencia, se utiliza la primera letra del término que describe a una cantidad particular para la notacién de dicta cantidad, Sin embargo, para asegurar un grado mfnimo de confusi6n con otros términos, como el de volta- Je de salida (V,, por su inicial en inglés, ouput) y el de voltaje directo (Vp, por su inicial cn inglés, forward), se adoptard la notaci6n Vz para este término (umbral del inglés threshold) a to largo de este libro. En resumen: Vp 0.7 (Si) Vp 0.3V (Ge) Obviamente, el diodo se acercard més a la condicién “ideal” mientras més cercano se encuentre el desplazamiento ascendente, excursidn, al eje vertical. Sin embargo, son las otras caracter(sticas del silicio las que lo hacen ser el elegido entre la mayorfa de las unidades comercialmente disponibles. Efectos de la temperatura La temperatura puede ejercer un efecto marcado sobre las caracteristicas de un diodo semiconductor de silicio, como podemos observar para el caso de un diodo de silicio tipico en la figura 1.24, De forma experimental se ha encontrado que: La magnitud de la corriente de saturacion inversa I, se incrementard en una proporcion do ble por cada incremento de 10°C en la temperatura, Capitulo 1 Diodos semiconductores Oi No es poco frecuente que un diodo de germanio con un J, del orden de 102 pA a 25°C mantenga una fuga de corriente de 100 4A = 0.1 mA a una temperatura de 100°C. ‘Tales magnitudes de niveles de corriente para la rexi6n de polarizacién inversa seguramen- te nos harin cuestionamos acerca de la validez. de la condicién deseada de circuito abierto para la regién de polarizacién inversa.|Para el silicio, los valores tipicos de /, son mucho menores que para el germanio a niveles de cortiente y de potencia similares como se muesira en la figuta 1.23. El resultado de esto es que incluso a temperaturas aitas, fos niveles de I, para los diodos de silicio, no llegan a alcanzar los elevados niveles obtenidos det germanio, lo cual es una razén muy importante por la cual los dispositivos de silicio disfru- tan de un mayor nivel de desarrollo y de utilizaciGn en el disefio. Fundamentalmente, a cual uier temperatura, se obtiene un equivalente mejor de cireuito abierto para la regign de polarizacién inversa mediante el silicio en lugar del germanio. Los mayores niveles de /,, como resultado del incremento de temperatura, son responsables de los niveles bajos del voltaje de umbral como se muestra en la figura 1.24. Obser- ve que al incrementar el nivel de /, en la ecuaci6n 1.4 existiré un increment répido en ta cortiente del diodo. Desde luego, el nivel de Tx también se incrementaré en la misma ecuacin; sin embargo, el nivel creciente de J, se sobrepondré al menor cambio porcentual de T . A medida que la temperatura se incrementa, las caracteristicas en polarizacién directa se vuelven més “ideales”; sin embargo, cuando anaticemos las hojas de especificactones, veremos que temperaturas superiores a los rangos normales de operacisn pueden ejercer un efecto muy nocivo en los niveles maximos de potencia y de corriente del diodo. Para la regién de polarizacién inversa el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pero también advierta el incremento inconveniente en la cortiente inversa de saturaci6n. 1.7. MATHCAD ‘A Jo largo del texto utilizaremos un paquete de software matemtico denominado Math- ccad® para familiarizar al estudiante con las diversas operaciones que este popular paquete puede desempefiar y con las ventajas asociadas a su utilizacién. No es necesario adqui- rir una copia del programa de software, a menos que usted se sienta interesado en aprendetlo y utilizarlo después de esta breve introduccién. Sin embargo, por lo general la cobertura ofrecida se encuentra a un nivel basico para presentar el alcance y el poder del paquete. Todos los ejercicios que aparecen al final de cada capftulo se pueden resolver sin cl apoyo de Mathcad, 17 Mathcad Figura 124 Voriaior arse ombios de temperatur _ 7Figura 1.25 de Mathcad orde Panvally principal Feamata de computation inde Ise operaciones figura 1.26 Definicidn del teas paca Mave 20-28 = 17.333 6 ign 18 wa 127 ica bisica Operscion mate- La.utilidad de Mathcad supera fécilmente « la de una calculadora cientifica porttil ya {que puede desplegar grificas, efectuar operaciones alzebraicas matriciales, permite la adi cidn de texto a cualquier célculo, comunicarse con cualquier otra fuente de datos como Ex- cel?, MATLAB® o Internet, almacenar datos e infomaci6n, etcétera: Ia lista de facilida des es muy extensa e impresionante. Mientras més conozca el paquete més usos encomtraré en su utilizacién cotidiana Lie Ea ie Pt fom Bo Sra Yom te O38 BAe eion mt ise BOAT AOE Pen ie Una ver que el pauete se ha instllado, todas las operaciones inician con Ix pantalla principal de la figura 1.25; se han affadido rétulos a esta pantalla para identificar sus partes. Por lo general, todas las operaciones matemiiticas se efectiian en la secuencia espeetfica que se muestra en la figura 1.26, esto es, de izquierda a derecha y de artiba abajo. Por ejemplo, si cen la linea 2 se operand sobre una variable, el valor de la variable deberd estar definido a la izquierda en la misma linea 0 en la tinea 1, Observe que Mathcad es muy sensible al orden de las cosas, Por ejemplo, si usted define una serie de cantidades en una misma linea, pero coloca una de ellas un poco por encima de las otras, éta no seré reconocida por las dems variables si resulta que son parte de su definicidn, En otras palabras, cuando escriba sobre tuna misma Ifnea, asegdrese de que permanece en la misma Ifnea para cada entrada nueva, ‘Afortunadamente, Mathcad esté bien equipado para avisarle si algo es incorrecto, Cuando usted comitence a utilizar el programa por vez primera, le cansaré ver tantas cosas en color rojo, loque indica que algo no se ingres6 bien o se encuentra mal definido, Pero con el tiem po, a medida que su aprendizaje avance, usted se sentiré c6modo con el software. Para efectuar una operacién aritmética bésica, solamente haga clic sobre cualquier punto de la pantalla para establecer una cruz sobre el dea de trabajo (et lugar donde co- ‘menzari la captura). Si decide que no le agrada ese lugar, simplemente mueva la flecha a otro lugar, vuelva a hacer clic y la cruz se reposicionaré, Luego, ingrese la operacién matematica 20 — 2 X 8/6-como se muestra en la figura 1.27, En el momento en que se te- Clee el signo de igualad, el resultado aparecerd comio se muestra én la figura 1.27. El sig. no de igualdad se puede ingresar directamente desde el teclado o mediante la barra de ‘meniis de Is parte superior de la pantalla. De hecho, al utilizar Ia secuencia de mens View-Tootbars-Caleulator (Ver-Barras de Herramientas-Calculadora), usted puede -apturar la expresién completa y obtener el resultado utilizando el ratén en lugar de su de- do como ta harfa con una calculadora comin. Ademis, todas las operaciones matematicas tales como exponenciales, rafz cuadrada, seno, tangente, etcétera, que normalmente se encuentran en cualquier calculadora cientifica también se encuentran disponibles aqut Capitulo 1 Diodos semiconductores 1K C4273 was Figura 1.28 Deierminacien de la comenie del diodo ip Go tx ecuacion 1.4 Wo = 54ssei0"? Para practicar la utilizaci6n de variables, calculemos la corriente del diodo utilizando la ecuacidn 1.4, Para las ecuaciones, primero se escribe la letra 0 simbolo que se aplica a la variable seguida por un signo de dos puntos, como se muestra en la figura 1.28. Cuando se teclee el signo de dos puntos, aparecerd un signo de igual como se muestra en la mis: ma figura, luego se podrét ingresar el valor de la variable que se utilizard para la primera setie de cileulos. Posteriormente, continée capturando las siguientes variables en la misma linea para después calcular en Ia segunda linea las variables adicionales que se encuentran cn funcién de las previas. Observe que x requiere que k, TK y VD sean definidas antes, ya sea en la Iinea antetior 0 a la izquierda de la misma linea. En la linea siguiente es posi bie obtener el valor de x simplemente tecleando x seguida de tn signo de igualdad, con lo {que aparecerd inmediatamente 11.6 como respuesta correcta, Ahora tendremos que captu~ rar la ecuacién 1.4, y al momento de ingresar cada cantidad, aparecerd un corchete alrededor de cada una de ellas que define la suma que se esté capturando, con el tiempo esto se convierte en una casacteristica dtl. La multiplicacién se realiza utilizando el asterisco que se encuentra en lt parte superior de la tecla del nimero 8 del teclado y los exponenciales se ingresan mediante'e! signo de exponeneiacién sobre la tecla del niimero 6. Una vez que la ecuacién se ha registrado de formna correcta, se puede escribir ID en la siguiente linea (0 a la derecha de la ecuacién) y el resultado 5,455 mA aparecers directamente después de que el signo se haya seleccionado. El resultado indica que para un voltaje de 0.6 V la corriente del diodo seri de 5.455 mA. La belleza de Mathcad se puede realmente demostrar ahora si cambiamos el valor de VD 405 V. ya que en el instante en que el valor se intercambia, los nuevos valores de x y de ID aparecerdn de forma automatica como se muestra en la figura 1.29. Obviamente, una reduccisn en VD ha reducido fa corriente a 0.789 mA. No hay necesidad de capturar la secuencia completa de operaciones nuevamente o de calcular todas las cantidades otra vez. con una ealculadora, ya que los resultados aparecen de forma inmediata Is-=50.107 11600 k= 11600, 667 (1) a 1.29 Demostracisn del cfecro del cambia de un pari metro de fx ecuacidn 1.4 I= 7.891810" A lo largo de este texto aparecerin ejemplos adicionales por medio de Mathcad, sin embargo, tenga en mente que no es necesatio convertirse en un experto para aprovechar el ‘material de este libro, nuestro propésito solamente es presentar el software disponible. 17 Mathead 191.8 NIVELES DE RESISTENCIA ‘A medida que el punto de operacién de un diodo se desplaza de una regisn a otra, la resis tencia del diodo también cambiaré debido a la forma no lineal de fa curva caracteristica, En los siguientes parrafos, se demuestra que el tipo de voltae 0 sefial aplicada define el nivel de resistencia de interés. En esta seccién se presentarén tres niveles diferentes, los cuales seguirdn apareciendo en cuanto revisemos otros dispositivos: por lo tanto, la comprensién clara de st definicign es muy importante Resistencia de DC o resistencia estatica La aplicacign de un voltaje de de a un circuito que contiene un diodo semiconductor ten~ dra por resultado un punto de operacién sobre la curva caracteristica que no varfa con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacién puede encontrarse ficilmente lo: zando primero los valores correspondientes de Vp y de Ip como se muestra en la fig ra 1.30 y aplicando posteriormente la siguiente ecuacin Vo R=? | (1s) to [ (aay by 1 Figura 1.30 Deterinscisn dela resistencia de de de un iodo en un punta de oper ign en panicular La resistencia de de en el punto de inflexién de la curva y por debajo de él, seri mayor que los niveles de resistencia que se obtienen sobre la seccién de crecimiento vertical de las caracterfsticas, Los niveles de resistencia para la regién de polarizacién inversa na- (uralmente serdn muy altos. Ya que los Ghmetros utilizan por lo regular una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia que determinen serd la del nivel de corriente predeterminado (comiinmente unos euantos miliamperes) Por lo tanto, en general, a menor corriente a través det diado mayor sera el nivel de resistencia de de 20 EJEMPLO 1.1 Determine los niveles de resistencia de para el diodo de la figura 1.31 utilizando los siguientes valores: @ Ip=2mA (6) Ip = 20mA (©) Vp = -10V Solucién 0.5 V (de la curva) y Yo _ OSV Ty 2mA (b) En Jp = 20 mA, Vp = 0.8 V (de la curva) y a 250.0 Capitulo 1 Diodos semiconduetores Ipima) 30) [sic ahaa Figura 1.3L Ejemplo 1.1 (c) En Vp = ~10V, Ip = —Z, = — 1A (de la curva) y Vp _ 10V Ty HA con lo cual se sustentan las observaciones anteriores con respecto a los niveles de resis~ tencia de de de un diodo ema ee 10MQ. Resistencia de AC o resistencia dinamica A partic de ta ecuacidn 1.5 y del ejemplo 1.1, resulta obvio que la resistencia de de de un diodo es independiente de la forma que tenga la caracteristica para la regiGn que rodea al punto de interés. Si en lugar de aplicar una entrada de de, se aplica una entrada senoidal, la situacin cambiar por completo. La variaci6n de la entrada desplazaré al punto de ope- racién instanténeo hacia arriba y hacia abajo a una regiGn de las caracterfsticas y de esta forma definirs un cambio especitico en la corriente y el voltaje como se muestra en la fi- ¢gura 1,32, Sin la aplicacién de una sefial con variaciGn, ef punto de operacién estable se~ ria cl punto Q que aparece en la figura 1.32, detertinado por los niveles de de aplicados, La designacién de punto Q se deriva de la palabra estable (del inglés quiescent), que significa “quieto o sin variacién”” aractttcs del dod c NN Puta Q operas en) gara 1.32 Delinicion de le resistencia dinamica o resistencia de ae 18 Niveles de resistencia aay 21Punwof | pat Figura 1.33. Deccrmina dela resistencia de ac para un punto @ EJEMPLO 1.2 22 Si se dibuja una linea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se muestra en ta figura 1.33, se definiré un cambio particular en el voltae y en la corriente que se puede utilizar para determinar la resistencia de ac o dindmica para esta regién de las caractertsticas del diode. Se deberd efectuar un esfuerzo para mantener el cambio en el voltaje y en la corriente lo mas pequeiio posible y equidistante de cada lado del punta Q. En forma de eeuacién, : donde A significa un cambio finito en Ia cantidad. (1.6) Micntras mayor sea Ia pendiente, menor seré el valor de AV, para el mismo cambio en Aly ¥ menor serd la resistencia, La resistencia de ac para la regién de crecimiento vertical de |e caracteristica es por lo tanto muy pequetia, mientras que la resistencia de ac es mucho ‘mayor para niveles bajos de corriente Por Io tanto, en general, mientras menor sea el punto de operacidn Q (corrente mas pe queha o voltaje mas pequefo) mayor serd la resistencia de ac Para las caracteriticas de la figura 1.34: (@) Determinar la resistencia de ac cuando Ip = 2 mA. (b) Determinar fa resistencia de ac cuando Jp = 25 mA. (©) Compaar los resultados de fos incisos (a) y (b) con la resistencia de de en cada nivel de corriente. Jota) Vow ay a, Figura 134 Bemplo 1.2 Solucién (a) Para el caso Ip = 2 mA; se dibujé la linea tangente en Ly = 2 mA como se muestra en la figura y se eligié tna excursién de la sefal de 2 mA por encima y por debajo del nivel de corriente especificado para el diodo. En el punto Jy = 4 mA, Vp = 0.76 V. y en Ip = OmA, Vn = 0.65 V. Los cambios en ta cortiente y el voltaje que resultan son Al, = 4mA —0mA=4mA uy AV, = 0.76 V = 0.65 V = 0.11 Capitulo 1 Diodos semiconductores y ta resistencia de ac: AVy _ OILY Al 4mA (b) Pata el caso Jy = 25 mA, se dibujé la linea tangente en If) = 25 mA como se muestra cn la figura, con una excursiGn de 5 mA por encima y por debajo del nivel de cortieate elegido para el diodo, Enel punto Ip = 30 mA, Vp = 0.8 V,y en Ip = 20 MA, Vo = 0.78 V. Los cambios en fa corriente y el voltaje que resultan son Al, = 30 mA ~ 20mA = 10mA 08 V ~ 0.78 V = 0.02V " = 2750 y y la resistencia de ac es (©) Para el cas0 Ip lo eval excede por mucho a la ry de 27.5 0. Para el caso Ip = 25 mA, Vp = 0.79 Vy Vy _ 0.79 = END 2 Ty SMA lo cual excede por mucho a Ja r, de 2 0. Caledlamos Ia resistencia dindmica de forma grifica, sin’ embargo, existe una defiai- cin basica en célculo diferencial que establece lo siguiente: La derivada de una funcion en un punto espcifico es igual a la pendiemte deta linea tangente dibujada en ese punto. Por lo tanto, la ecuacién 1.6 como se definis en ta figura 1.33, es equivatente a calevlar ta > en la seccién de la pendiente vertical de las caractersticas y al, dy i Wo Tx Al sustituir7) = 1 para el caso del Ge y del Si para la seceién de crecimiento vertical en Jas caracteristicas, obtendremos 11,600 11,600 ee 11,600 7 1 18 Niveles de resistencia 23fi 24 ya temperatura ambiente, Ty = Te * 293° = 25° + 273° = 298° & _ 11,600 og 38 aly y ay, 7 38530 Alinvertr ef resultado para definir un indice de resistencia (R = V/M, se obtiene Vp _ 0.026 : ‘dp Ip a7 oes El significado de la ecuaci6n 1.7 debe entenderse claramente, ya que implica que la resistencia dindmica puede calcularse de forma simple al susttuir el valor de la cortiente en el punto de operacién del diodo en la ecuacién, No hay necesidad de tener disponible las caracterfsticas 0 de preocuparse por trazar Ineas tangenciales como se definié en la ecuacién 1.6, Sin embargo, es importante tener en mente que la ecuacidn 1.7 es exacta solamente para valores de /y que se encuentran en la seccién de ctecimiento vertical de la curva. Pa: ta valores menotes de Ip, 1] = 2 (silicio) por lo que el valor de rp obtenido se debe multiplicar por un factor de 2. Para valores pequerios de Ip que se encuentran por debajo del punto de inflexién de la curva, la ecuacién 1.7 resulta inapropiada. “Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora se han definido para la unin p-ny no incluyen la resistencia del material semiconductor en s{ (denominada resistencia de cuerpa) ni la resistencia presentada por lt conexiGn entre el material semiconductor y el conductor metilico externo (denominada resistencia de contacto). Estos niveles adicionales de resistencia pueden incluirse en fa ecuaci6n 1.7 al agregarle Ia resistencia denotada por 7g Como se muestra en la ecuacién 1.8, Por lo tanto, fa resistencia r’, incluird tanto a la resistencia dindmica definida por la ecuacién 1.7 como a la resistencia rq recign presentada, 26 mV +19 ohms (1.8) ab El factor ry puede tener un rango de valores tipicos que van de 0.1 @ para el caso de dispositivos de alta potencia, hasta de 2.0 para el caso de algunos diodos de baja potencia de propésito general. Para cl ejemplo 1.2, Ia resistencia de ac para el nivel de 25 mA se calcul6 en 2.0, Al utiizar ahora la ecuacién 1.7 obtenemos 26mV _ 26 mV Ty 2SmA La diferencia de aproximadamente 1 {2 posirfa tomarse como la contribucién debida a rg Para el ejemplo 1.2, la resistencia de ae para el nivel de 2 mA se calcul como 27.5 0. ‘Ahora imediante Ia ecwacién 1.7 pero multiplicando por un factor de 2 para esta regidn (ya que en el punto de inflexién de la curva 1) = 2), 26 my 26 mv m= (2 i ) = 2. enw) = A130) = 62 04 2 ye La diferencia de aproximadamente 1.5 02 podrfa tomarse como la contribucién debida a ry En realidad, el cdlculo de rg con un alto grado de precisiOn a partir de la curva carac~ terfstica mediante la ecuacién 1.6 es un proceso dificil, cuyos resultados deben manejarse ‘con cuidado en el mejor de Jos casos. A niveles de corriente bajos del diodo, et factor rp normalmente es lo suficientemente pequefio en comparacién con r,como para permitir ig- Capitulo 1 Diodos semaiconductores norar su impacto sobre la resistencia de ac del diodo. A niveles altos de corriente, el nivel de rp puede acercarse al de ry, pero debido a que con frecuencia existiran otros elementos resistivos con magnitudes mucho mayores en setic con el diodo, se asumiré en este libro que la resistencia de ac se determina tinicamente por Fy. ignorando el impacto de ry'@ meiios ue se indique lo contrario, Las mejoras tecnolégicas de los tltinos afios sugieren que el 1 de rp continuara disminuyendo en magnitud y que eventualmente ser un factor que pueda ignorarse con seguridad al compararse con ra. ; 5] andlisis anterior se centré Gnicamente en a regin de polarizacién directa, para la regién de polarizaci6n inversa, asumiremos que el cambio en la corriente sobre la linea de 1, es nulo para la regién que va de los O V hasta la zona Zener por lo que Is resistencia de ac que resulta al aplicar la ecuacién 1.6 es lo suficientemente grande como para permi tir la aproximacién del circuito abierto, Resistencia de AC promedio Si la sefial de entrada es lo suficientemente grande para producir una excursién amplia co- ‘mo en la figura 1.35, la resistencia asociada con el dispositivo pars esta regién se denomina resistencia de ac promedio, la cual es, por definicién, la resistencia determinada por una linea recta trazada entre Tas dos intersecciones establecidas por los valores mfnimos y md ximos del voltaje de entrada. En forma de ecuacién (observe Ia figura 1.35), a9) Figura 135 _Determins. t 5 ee SPATE TOF Os G6 GTO OTT yyy idm de a resistencia d . promedio entre los limites avy indicados, Para la situacién indicada por la figura 1.35 Al, = 17mA — 2mA = 15 mA y AV, = 0.725 V ~ 0.65 V = 0.075 V AV, — 0.075 V = fe ES = 50 aa Ay sma Si Ja resistencia de ac (r,) se determinara cuando fy, = 2 mA su valor serfa mayor que 5.0, y si se determinara a 17 mA serfa menor. En medio, la resistencia de ac efectuaria la iransicién del valor alto en 2 mA hacia el valor bajo en 17 mA. La ecuacién 1.9 define un 18 Niveles de resistencia26 valor que se considera un promedio de loy valores en ac de 2a 17 mA. El hecho de que un nivel de resistencia pueda emplearse para un intervalo tan amptio de caracterfstieas demos- (raré ser algo muy ttl en la definicién de cizcuitos equivalentes para un diodo en una sec- in posterior. Para ambos niveles de resistencia de de y de ac, mienttas menor sea el nivel de corrienie tutiizado para determinay la resistencia promo, mayor ser et nivel de resistencia Tabla de resumen La tabla 1.2 se desarroll6 para reforzar las conclusiones importantes de las tiltimas pag nas y para enfatizar las diferencias entre los distintos niveles de resistencia. Como se indi antes, el contenido de esta seccidn seri el fundamento para una gran cantidad de célculos de resistencias que se realizarin en secciones y capftulos posteriores. TABLA 1.2 Niveles de resistencia Caractersticas Definicion Tipo Ecuacion especiales DeDCorsitica Ry = 5 ‘Se define como un punto sabre fp las caracteristicas Punto Q De ac ‘odindiea Se define por una tinea tangente, £0 enc punto 0 By Ip Se define por una tines ae ety tects ene los lites de operacién 1.9 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS. Un cireuito equivalente es una combinactén de elementos elegidos de forma apropiada para representar de la mejor manera las caracteristcas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para wna region de operacién particular. En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible eliminar el simbolo del dispositivo de un diagrama y susttuirio por el circuito equivalente sin afectar de forma importante el comportamiento reat del sistema. El resultado a menudo es una red ‘que puede resolverse mediante las téenicas tradicionales de andlisis de circuitos. Capitulo 1 Diodos semiconductores Cireuito equivalente de segmentos lineales Una téenica para obtener un citcuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las catacteristicas det dispositivo utilizando segmentos de Iineas rectas, como se muestra en la figura 1.31. Al circuito equivatente resultante se te denomina, como es natural, circuito cequivalente de segmentos lineales. Debe resultar obvio al observar la figura 1.36 que los segmentos de lineas rectas no representardn una copia exacta de las caracteristicas reales, especialmente en la regién del punto de inflexién; sin embargo, los segmentos resultanies son lo suficientemente aproximados a fa curva real que es posible establecer un circuito equivalente que proporcionard una primera aproximacién excelente al comportamiento real del dispositivo, Para la seccién con pendiente del equivalente, el nivel de resistencia de ac promedio que se presentd en la secciGn 1.7 seri el nivel de resistencia que aparece en el circuito equivalent de la figura 1.37 posterior al dispositivo real, En esencia, define el nivel de resistencia del dispositivo cuando éste se encuentra en el estado de “encendido”. El iodo ideal se incluy6 con el objetivo de establecer que s6lo existe una direccién de con- duccién a través del dispositivo y que una condicién de polarizacién inversa para el dispositivo ocasionaré el estado de circuito abierto. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no aleanza el punto de conduccién sino hasta que Vp llega a 0.7 V bajo polarizacién directa (como se muestra en la figura 1.36) deberd existir en el circuito equivalente una ba- torfa Vr que se oponga a la direccién de conduccién como se muestra en la figura 1.37. La baterfa solamente indica que el voltaje a través del dispositivo deberd ser mayor que el voltaje de umbral de la baterfa antes de que pueda establecerse una conduccidn a través del dispositivo en la direccién determinada por el diodo ideal. Cuando la conduccién se establezca, la resistencia del diodo serd el valor especificado de ray ‘Sin embargo, recuerde que Ven el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltimetro sobre un diodo en particular encima de una mesa de laboratorio, no se obtendré una lectura de 0.7 V. La baterfa solamente representa el des- fasamiento horizontal en las caracteristicas que deberdn superarse para poder establecer la conduccién, Figura 1.36 Definicion del circulto equivalente de segmentes tinealesutiizando segmentos 07V OSV Vo(¥) de tineas ects para aproximar Wp Ta curva caractetstic + Yo 2 Diode ideat ee Vr e a —B > 4 > ory 8 ib Ib Figura 1.37 Componentes del cireuto equivalente de segmentas lineales 1.9 Circuitos equivalences para diodos Pe)28 El nivel aproximado de ray puede determinarse generalmente a partir de un punto de operacién que se describe en la hoja de especificaciones (que se discutiri en la seccién 1.10). Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio, si ly = 10 mA (una corriente de conduccién directa pata el diodo) cuando Vi = 0:8 V, sabemos que para el silicio se re- queriré un desplazamiento de 0.7'V para que la curva caracteristica se eleve y Av, O8V-~07V _ O1V AL, Vpunoasene WMA = OmA 10 mA 1 =a segtin se obtovo para la figura 1.36. Circuito equivalente simplificado Para la mayorfa de aplicaciones, la resistencia ry es lo suficientemente pequefia al compa rarla con los otros elementos de la red, como part poder ignorarla. La eliminacién de ry del circuito equivalente es similar a afirmar que las caracteristicas del diodo son las que se ‘muestran en la figura 1.38, Por cierto, esta aproximacién se utiliza frecuentemente en el ‘andlisis de circuitos semiconductores como se veri en el capitulo 2, El circuito equivalente reducido se muestra en Ia misma figura, y manifiesta que en un sistema electrénico, un iodo de silicio polarizado directamente, bajo condiciones de corriente de tended una cada de 0.7 V a través de él, en el estado de conduccisn a cualquier nivel de cortiente del diodo (por supuesto, dentro de los valores nominales) to + Vp S be vy=07¥ a 1D iodo idea 0 ¥=07V vy Figura 1.38 Circuito equivalene simplifcado pata el diodo semiconductor de silico. Circuito equivalente ideal Una vez que se ha eliminado r,, del circuito equivalente vayamos un paso adelante y establezcamos que un nivel de 0.7 V normalmente puede ignorarse cuando se compara con el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el cireuito equivalente se reduciré al de un diodo ideal con sus caracteristicas como se muestra en Ja figura 1.39. En el capitulo 2 veremos que es posible utilizar esta aproximacién sin una pérdida considerable de precisién. En la industria, una popular sustituciéin de la frase “circuito equivalente de diodo” es ‘modelo de diodo, un modelo por definicién es una representacién de un dispositive, obje- to, sistema, u otro existente, De hecho, esta terminologfa alternativa serd utilizada de forma casi exclusiva en los capitulos siguientes, to oY, Figura 1.39 Diode ideal y sus cavacterstcas. Capitulo 1 Diodos semiconductores Tabla de resumen Por claridad, los modelos del diodo que son utilizados para la variedad de parmetros y aplicaciones se presentan en la tabla 1.3 jomto con sus caracteristicas de sezmentos linea tes. Cada una de elas se revisard con mayor detalle en el capitulo 2. Siempre existen ex- cepciones a la regla general, sin embargo, es seguro afirmar gue el modelo equivalente simplificado se utilizar de manera mis frecuente en e! andlisis de sistemas eleetr6nicos inientras que el diodo ideal se aplicard con mayor egalaridad en el anilisis de sistemas de fuentes de alimentacién donde existen voltajes mayores. TABLA 1.3 Circuitos equivalentes de diodos (modelos) Modelo Caracteritens b Madelo de segmentosfncales dh ta, » Modelo siniplficndo Ray ® Fu th aE, (eet Dispsitvoideat Rah te 4 - eae he io "at 1.10 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS Los datos sobre especificaciones de dispositivos semiconductores son proporcionados nor- rmalmente de dos maneras por el fabricante, La forma mas comtin es mediante una breve descripeidn que se limita a una pagina como méximo. La otra manera es por medio de una revisién de las caracteristicas utilizando grificas,ilustraciones, tablas, etegtera, En cual- ‘quier caso, existen conjuntos de datos especificos que deben incluirse para una utilizacién correcta del dispositivo, ¢ incluyen: EL voltaje directo Vi (para una corriente y temperatura definida) La corriente directa méxima Jy (para una temperatura definida) La corriente de saturacién inversa Jy (para un yoltaje y temperatura definidos) El nivel de voltaje inverso [PIY, PRV 0 V(BR), donde BR proviene del término “ruptura” (del inglés breakdown) (para una temperatura definida)] El nivel de disipacién para la maxima potencia en una temperatura particular Los niveles de capacitancia (como se definirén en la seccién 1.11) El tiempo de recuperacién inverso #,, (como se definird en la seceién 1.12) El rango de temperatura de operacién Segin el tipo de diodo que se considere, se pueden proporcionar datos adicionales, co- ‘mo son: rango de frecuencia, nivel de nuido, tiempo de conmutaci6n, niveles de resisten- 1.10 Hojas de especifcaciones de diodos 2930 cia térmica y los valores pico repetitives. Para una determinada eplicacién, el significado de los datos serd autoevidente. Si se proporciona la méxima potencia o valor de disipacién se entiende que serd igual al siguiente producto: Poinis ty 10) donde Ip y Vp son la cortiente y el vottaje del diodo en un punto de operacién panicular, Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacién particular (un caso comin), podemos sustituir Vp) = Vr = 0.7 V para un diodo de silicio en Ia ecuacidn 1.10 y deter- sigade = (0.7 Vln aay En las figuras 1.40 y 1.41, se proporciona una copia exacta de los datos de un diode de alto voltaje y bajo nivel de fuga. Este ejemplo representa el caso de la lista expandida de datos y caracteristicas, El térmnino recuificador se aplica a un diodo cuando éste se utiliza ‘con frecuencia en un proceso de rectificaciin como se describe en el capitulo 2 minar la disipacién de potencia resultante para compararla contra el valor de maxima potencia. Esto es, DIFUSION PLANAR DE SILICIO. PERF DOS rt. ect — Lye "Range de Tener B i +15, } ‘Temperature dela Cones Ge eer _ Disipacin de Potencla (Nota 2) iad ic ‘isipacis de Pensa Macing Toa ee Aabienie &e 25°C 777 “S00 TAW? wa Factor Lineal de Decrement de Disipacion de Ptencia 3. 33mWPC, Voltas y Corrientes Minimos wiv) Voll Inver de Tiakajo BAYS lo Corriente promedio etifieada D—}———fp. Come Canna Dinota y ‘Grsiente Direct de Pio Repetto igetecana) Cotton pic directa en sobvearga ‘Anche de pula = 15 ‘Ancho de puso = | ps l ov i pons wae eae oe 5, Se oa | Geese ate ‘lade Epes et pages de 4 gas ‘CARACTERISTICAS ELECTRICAS (25°C de temperatura ambient, a menos ques ndigue lo contrat) CURVAS TIPICAS DE CARACTERISTICAS ELECTRICAS, (2 wmperatura ambiente de 25°C, a menos que s indique lo contrary (CORRIENTE DIRECTA VERSUS. (COEFICIENTE DE TEMPERATURA ‘CAPACITANCTA VERSUS VOLTAJE INVERSO, 50 a < < ro — = 100) zg i E 0.01! 0.01, , = dt oF Os 06 08 1012 ‘0 05 46 15 20 25 50 yao 80H p= Woe dro ~ vols ‘TC ~Coxfiieme de temperatura ~ mVPC Yp— Wola ner vols VOLTAJE INVERSO VERSUS, CORRIENTE INVERSA VERSUS IMPEDANCIA DINAMICA VERSUS ‘CORKIENTE INVERSS ‘COFFICIENTE DE TEMPERATURA ‘CORRIENTE DIRECTA z 5K, 109 z 2K é fotki 3 2 1d He Fy =O. 2 2 f 109) = & E 5 E i i Bay 1 02830 75 100 125 150 Ty~ Temperatura ambiente °C Vg Voltyjeinverso vols oot 010 10 100 aK 10K ~ fnpedanciainnien 2 maT wnt : {ONES DE PRUE |s{MBOLO| CARACTERISTICA Mis, [Max | DADES. CONDICIONES DE PRUEBA Te Wi bie {038°} co 4 tar | ose 7s | oxe oa | oan er | 078. r {0.607 }-0.68" G Ie ‘Corriente Inversa } 500: 3 eee Vp= 180V" YEN, t0rc iy | ieee = ips lak 4 TF caps Bets TTT 1 oP Tiempo de Remap S10 Ne= SY Teno =I say GEHOREANS ons [VE ses soles ine, pr ein seuss I capaci etic del dito vera tera, 2 Eamon ise nad eabie Debersconte ona Se nase que olen pS ‘open le deta ape Figura 1.40 Caracteisicas electicas de un diodo de alto volte y bajo nivel de fuga Capitulo 1 Diodos semiconductores CCURVA DE DECREMENTO DE DISIPACION DE POTENCTA P= Pisipacin de potencia mW % 25.50 75 100125 180175200 1 Temperatura anbiene -*C Figura 1.41 Carsetristicas térmicas para un diodo de alto votaje CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO YY CORRIENTE DIRECTA VERSUS, ‘TEMPERATURA AMBIENTE 1 Comreme ma Ql ‘0-25 30 75 100125180 175200 T,~ Tempereor ambiente °C 1.10 Hojas de especificaciones de diodes 3132 Se resaltaron con letra cursiva los pirrafos de determinadas cificaciones que corresponden a la siguiente descripeién: 1g05 de la hoa de espe- A: Los voltajes de polarizacisn inversa’mfnimos (PIV) para un diodo a una corriente de-saturacién inversa determinade. B: Caracteristicas de temperatura sewn se indies. Observe el empleo de la escala de Celsius y el amplio rango de utilizacién [recuerde que 32°F = 0°C = punto de congelacién (HO) y que 212°F = 100°C = punto de ebullicién (H,0)}. C:_ Nivel maximo de disipacién de potencia Pry = Vp = 500 mW. El valor de potencia maxima disminuye a una proporcidn de 3.33 mW por cada grado de tem- Peratura que se increments por encima de la temperatura ambiente (25°C), ct mo claramente se muestra en la curva de decremento de disipacién de potencia de la figura 1.41 D: Corriente directa continua maxima fy. = 500 mA (observe la comparacién de Ip versus temperatura en fa figura 1.41), EB. Rango de valores para Vp-cuando Ip = 200 ma. Observe que excede Vp = para ambos dispositivos. F: Rango de valores para Vp cuando J: = 1,0 mA. Observe como, en este caso, cl limite superior se acerca a 0.7 V. G:_ Bn el nivel Vp = 20 V y a una temperatura de operacién tipica, [y= 500 nA = 0.5 WA, mientras que a un voltaje inverso mayor fy cae a5 nA = 0.005 iA. H: El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo cuando Vz = Vp) = OV (sin polarizacién) y con un frecuencia aplicada de | MH. 1 Eltiempo de recuperacién inverso es de 3 jas para la lista de condiciones de ope- racién, LTV Algunas de las curvas de la figara 1.41 utilizan una escala logarftmica; una rpida lectura de la secci6n 11,2 ayudard a la lectura de estas grificas. Observe en la figura superior inquierda como V» se increments desde un valor de 0.5 V hasta més de 1 V, ¢ medida que 4 se increments de 10 j2A hasta mas de 100 mA. En la figura inferior, vemos que la co- Tiente de saturacién inversa se modifica ligeramente con los niveles erecientes de Vp, pe- Fo permanece a menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta niveles de Vp = 125 V. Sin embargo, como se indica en la figura adyacente, observe la rapidez con que la cortiente de saturacién inversa se inrementa en relacién con los incrementos en la temperatura (como lo habjamos pronosticado anteriormente). En la figura superior derecha vemos como disminuye la capacitancia a medida que se incrementa el voltaje en polarizacién inversa, y en la figura inferior observamos que la resistencia de ae (rq) es tan s6lo de 1 Qa 100 mA y que se incrementa a 100 0 para cortientes menores de 1 mA (como se sabia por las explicaciones anteriores). Lacomtiente promedio rectficada, la corriente directa pico repetitivo y la comiente pico en sobrecarga directa que se muestran en la hoja de especificaciones se definen como: |. Corriente promedio rectificada. Una sefial de media onda rectificada (como se describe en la seccién 2.8) posee un valor promedio definido por fy = 0.318 Ipie. El valor de la cortiente promedio es menor que el valor de las corrientes directas contiinias 0 de pico repetitivo, ya.que una forma de,onda de corriente de media onda tendr4 valores instanténeos mucho mayores que el valor promedio. 2. Corriente directa pico repetitive. Este es el valor instanténeo maximo de la corriente directa repetitiva. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un periodo breve, su nivel puede llegar a ser mayor que el del nivel continuo, 3. Corriente pico en sobrecarga directa, En ocasiones, durante el encendido, los proble- ‘mas de funcionamiento, etcétera, aparecen corrientes muy altas a través del dispositive Por intervalos de tiempo muy cortos (que no son repetitivos). Estos indices definen el valor maximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas en el nivel de corriente Capitulo 1 Diodos semiconductores Mientras mas se familiariza uno con las hojas de especificaciones, més féciles de usar se vuelven, especialmente cuando se comprende de forma clara el impacto de cada pard- ‘metro para la aplicacién bajo investigacién, 1.11 CAPACITANCIA DE TRANSICION Y DE DIFUSION Los dispositivos electrdnicos son muy sensibles inherentemente a las alts frecuencias. La ‘mayoria de los efectos capacitivos pueden ignorarse a bajas frecuencias, ya que su reactancia Xe = 1/2afCes ry ala (equivalents «un crete aber.) Eso, sin rang. rope de ignorase prac sso de frecuencia ny alas, debi # que Xe s volver ose. iene pequ, gracias al ao valor de cons par truer una tayectori en corto” de baja reactancia, En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos capacitivos que debern considerarse. Ambos tipos de capacitancia se presentan tanto para la regiGn de polarizacion directa como para la inversa, pero dado que siempre una de ellas supera por mucho a la otra en cada regién, consideraremos los efectos de solo tna de ellas para cada regiGn, fn ta region de plarizcion invers, se presnta te capactanca de arson Cx) @ de regidn de agotamiento, mientras que para la regién de polarizacian directa tendremos ta capacitancia de difusion (Cp) 0 de abwacenamiento " én bésica para la capacitancia de un capacitor de placas para- res ‘eter C Seal A, done esa permiividad del dieécico (aistante) entre las placas con érea A que se encuentran separadas por una distancia d. Para ta regién de pola- rzacin iver existe una region de agotamient libre de portadoes) que esencialment se comporta como un aislante entre las capas de cargas opuestas. Debido a que ta amplitud acho del egin de agotamiento (se inerementa al aumentr el penta de pla rizacién inversa, Ia capacitancia de transicién resultante disminuiré, como se muestra en la figura 1.42. El hecho de que la capacitancia sea dependiente del potencial de polarizacion inversa tiene aplicaciones para numerosos sistemas electrnicos. En el capitulo 19 se pre sentard un diodo cuya operacisn depende completamente de este fenémeno. con — © 2 2 as 0 fusién en funcion de la poatiza- Figura 1.42 Copacitancias de tansiclon de dius ign aplicada para un diodo de siici. Aunque el efecto descrito anteriormente también se presenta en la regi6n de polariza- ci6n directa, éste es mucho menos que el ensombrecido por el efecto de capacitancia que es dependiente directamente de la Velocidad a la cual se inyecta la carga en las regiones jus- to fuera de la regién de agotamiento, El resultado es que-niveles crecientes de corriente provocardn niveles crecientes de capacitancia de difusién, Sin embargo, niveles crecientes de corriente, provocan niveles reducidos de resistencia asoeiada (la cual se demostraré mis adelante), y que la constante de tiempo resultante (t = RC), muy importante en aplicacio- locidad, no se vuelve excesiva i? Uosetecee capacitivos deseritos antes, se representan con un capacitor en paratelo con «el diodo ideal, como se muestra en la figura 1.43, Sin embargo, para el caso de aplicaciones de baja o mediana frecuencia (excepto en el drea de potencia), el capacitor normalmente no se incluye en el simbolo del diodo, 1.11 Capacitancia de transteion y de difusion G00 Figura 1.43 focorporaeion det efecto de capactancia de transi- clon o difusion en el diedo seni conductor ce34 1.12 TIEMPO DE RECUPERACION INVERSO. Existen ciertos datos que comtinmente los fabricantes proporcionan en las hojas de espe cif le Los diodos; una de estas cantidades que ain no hemos revisado, es el tiem po de recuperacién inverse, representado por i, Ateriormente se mostr6 que en el estado de polarizacién directa, existe una gren cantidad d& electrones que se miseven del material é& tipo m hacia el material de tipo p, y una gran cantidad de huecos en el material tipo p ha cia el material tipo 1, fo cual es un requisito para que exista Ia condaccidn, Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden a través del material tipo n establecen un gran eto de portadores minotitatios en cada material. Si el voligje aplicado se debiera in vertir con el objetivo de establecer una situacién de polatizacién inversa, idealmente veria ‘mos que el diodo cambia de forma instantinea de un estado conductive a uno no conduc tivo. Sin embargo, debido af alto nimero de portedores minoritarios en cada material. Is corriente del diodo sencillamente se invierte como se muestra en la figura [.44, y se mantiene en este nivel perceptible, durante un periodo f, (tiempo de almacenamiento), que re quieren les portadores minoritarios para regresara su estado de portadores mayoritatios en cel material opuesto. En esencia, el diodo permaneceri en el estado de circuito cerrado con tuna cortiente Jinyesy determinada por los pardmetros de Ia red. Eventualmente, cuando esta fase de almacenamiento termine, la corriente reducira su nivel hasta alcanzar aquel asociado con el estado de no conduccisin, Este segundo periodo se representa por f (inter valo de transicién). El tiempo de recuperacién inverso sera la suma de estos dos interve- Tos: tye = t,+ te Naturalmente, este valor es una consideracién muy importante en aplice ciones de conmutacién de alta velocidad, La mayoria de los dicdos de conmutacién disponibles comercialmente, poseen un ¢,, €n rangos de unos cuantos nanosegundos hasta | ys, Sin embargo, existen unidades disponibles, con un ¢,, de s6lo unos cuantos cientos de picosegundos (10°), Ho Cambio equerid de estado L / feenida + apagag ef _ Respuesta deseada 1, Figura 1.44 Delinicion del dempo de recuperacion inve 1.13 NOTACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES Las notaciones que de manera més frecuente se utilizain para los diodos semi¢onductores, se proporcionan en la figura 1.45. Para la mayorfa de los diodos, se presenta una marca como un punto o una banda en la terminal del cétodo. La terminologia de énodo y edtodo es un legado de la notacién de los tubos de vacfo. El dnodo se asocia con el potencial mayor el positivo, y el cétodo con la terminal con et potencial menor o negativa. Esta combina- cidn de niveles de polarizacién provocaré una polarizacién directa para el diodo o condicién de “encendido”, En la figura 1.46 se muestran vatios diodos semiconductores comiercial- mente disponibles. Algunos detalles acerca de la fabricacién real de dispositivos como los due aparecen en la figura 1.46 se proporcionan en los capftulos 12 y 19. Capitulo 1 Diodos semiconduetores 0+, K, etcetera p Figura 1.45 Notaciones de diodes serleonductores. Figura 1.46. Varios tipos de diodos de unin. [(a) Coresia de Motorola tne; (b) y (©) Contesia de Intercational Rectiler Corporation| 1.14 PRUEBAS DE DIODOS. Bl estado de un diodo semiconductor puede determinarse de forma rpida mediante: (1) un multimetro digital (DDM, por sus siglas en inglés digital display meter), con funcién de verificacién de diodos, (2) la funcién de Ghmetro de un multimetto, 0 (3) un trazador de curvas. Funcién de verificacién de diodos En la figura 1.47, se muestra un multémetro digital con capacidad de verificacién de diodos. Observe el pequefio simbolo de diodo en una de las opciones de la perilla selectors. Cuarido se coloca en esta posicién y se conecta como se muestra en la figura I 48a, el diodo deberd estar en el estado de “encendido” y la pantalla indicard el voltaje en polarizacion directa tal como 0.67 V (para el Si). El multimetro cuenta con una fuente constante de corriente (aproximadamente de 2 mA) que definird el nivel de voltaje de la misma forma que se indica en la figura 1.486, Un mensaje de OL en la pantalla cuando se conecta, como en Ja figura 1.48a, indica un diodo abierto (defectuoso). Si se conecta de forma invertida, el mensaje OL se deberd a Ia equivalencia de circuito abierto que se espera. En general, por lo tanto, si aparece e! mensaje OL cuando el diodo se conecta en ambas direcciones, esto serd indicativo de un diodo abierto 0 defectuoso. 1.14 Pruebas de diodos 35(Ohmetr) relaivamente baja “Termin Tein ja) Jose (COM) + ~ @ -relatnamente ae, Tenia “emia sericono] | sey ppt Figura 1.49. Verificaeién de un diodo mediante un shes 36 Figura 1.47 Multimetro digital con. eu picidd de vevifieacion de diodos. (Cor es Technology: Ine.) esa de Compt Terminal Terminal soja (VD) negra (COM) Figura 1.48 Verieacion de un diodo en estada de pola © zacion directa, Prueba con un 6hmetro En Ja seccién 1.8 vimos que Ia resistencia en polarizacién directa de un diodo semicondue. tor es muy baja en relacidn con el nivet en polarizacién inversa, Por esto, si medimos la resistencia de un diodo utilizando las conexiones indicadas en la figura 1.49a, podemos es perar un nivel bajo relativo. El valor que indica el Ghmetro serd una funcién de la corriente que establece a través del diodo la baterfa interna (generalmente de 1.5 V) del eircuito del Ghmetro, Mientras més alta sea la corriente, menor seri el nivel de resistencia. Para la situaci6n de polarizacién inversa, a lectura que aparece deberd ser muy alta, por lo cual se requeriré de una escala grande de resitencia en el multimetro, como se indica en la figara 1.49b, Obviamente, si se obtiene una lectura que muestra un nivel alto de resistencia en ambas direcciones, se tratard de una condicidn abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una Tectura que muestra un nivel muy bajo de resistencia en ambas direcciones indicard que probablemente se trata de un dispositivo en corto Trazador de curvas El trazador de curvas de la figura 1.50 puede desplegar las caracteristicas de una variedad de dispositivos, incluso las del diodo semiconductor. Al conectar de forma apropiada el diodo al tablero de prucbas en la parte baja central de la unidad y al ajustar los controtes, se obtiene Ia imagen de la figura 1.51. Observe que la escala vertical es de | mA/div, con lo que se obtienen los niveles indicados. Para el caso de la escala horizontal se utiliza 100 mVidiv, con to cual también se obtienen los niveles de voltaje que se indican. Para un n vel de 2mA como el utilizado con el multimetro, el nivel resultante serfa de aproximadamente 625 mV = 0.625 V. Aunque el instrumento inicialmente podrta parecer complejo, el ‘manual de instrueciones y algdn tiempo de préctica hacen que sea posible obtener los re- Capitulo 1 Diodos semiconductores e a : Figura 1.50 is REE (Cones de kien. nc) mr on i ‘eee bo T —) ine nf} = ba | | sorta 4 ct iconv a TPA (rae sa HH ee mt ttt = a : ree] gua 131 Sep del i division | trazador de curvas para el OAs Ev 020 AAV DAV OSV O6V ON OVO IOV iodo de siicio 1N4007 sultados buscados sin una gran cantidad de tiempo y esfuerzo. Este mismo dispositive apa recerd en mis de tna ocasin en los capftulos siguientes a medida que revisemos las earacterfsticas de los diversos dispositivos. 1.15 DIODOS ZENER En la secci6n 1.6 analizamos con cierto detalle la regién Zener de ta figura 1.52. En la que se aprecia la cafda en una forma casi vertical de la caracteristica bajo un potencial de pola rizacién inversa denotado como Vz, BI hecho de que la curva eaiga alejada del eje horizon. tal en lugar de que se eleve alejada de Ia regis positive Vp indica que la corriente en la re- i6n Zener mantiene una direccién opuesta a aquélta de un diodo en polarizacién directa Esta regién de caracteristicas tnicas se utiliza en ¢l diseiio de los diodos Zener, los cuales tienen el simbolo grifico que aparece en ta figura 1.53a, Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se entienda claramente la direccién de la corriente en cada uno, junto con la polaridad requerida para el voltaje aplicado, Para el diodo semiconductor, el estado de “encendido” resistiré tuna cortiente en direccién de la fecha del simbolo, Para el diodo Zener, la direccién de conduccién es opuesta a la flecha de su simbolo como indicamos en la parte introductoria de esta seccién. Observe también que la polaridad de Voy de V, son las mismas que las que se hubieran obtenido si ambos fueran elementos resistivos. 1.15 Diodos Zener Figura 1.52 Observacisn de la repion Zener @ © Figura 1.53. Dissccion de la a: (a) iodo Zener micondluctor ey)@ © Figura 1.54 Cicuite equivalen te Zener (a) completo: (@) aprox mado, La localizacién de la regién Zener puede controlarse mediante la variacién de tos niveles de dopado, Un ineremento en el dopado, que produce un ineremento en el niimero de impurezas afiadidas, disminuye el potencisl Zener. Existen diodos Zener disponibles con potenciales Zener de 1.8.a200 V con valores de potencia $ a 50 W. Det cidad para soportar temperaturas y-corriente mayores, se prefiere utilizi el si bricar diodos Zener. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regi6n Zener incorpore una pe- r ce [a impedancia dinémica en este nivel de corriente. La impedancia maxima en el punto de inflexién ocurte en la cortiente del punto de inflexién f,,. Se proporciona ademas la corriente de saturacién inversa para un nivel potencial particular, ¢ fry es la cortiente méxi- ‘ma para la unidad de 20%, El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual de V, con respecto a la tern= peratura, y se define por la ecuacién IC (1.12) ype 125A aw 32 mA Figura 1.55 Cancteris teas de prueba de Zener TABLA 1.4 Caracteristicas eléctricas (25°C de temperatura ambiente a menos que se indique lo contrario) Voliaje Conriente——Impedancia Impedancia Comrente Volaje Comrente Zener de Dindmica Maxima en el Inversa de Reguladora Coeficente Nomina, Prueba, Maxime, punto de inflexiin, Maxima, Prucba, Méxina, Tipico de ley Zar dler 2a a Ieg ha Vp Vp a Temperatura (ma) o QnA) (ua) 2) (nd) ero) 0 ns as 100025 10 12 2 +007 Capitulo 1 Diodos semiconductores donde AV; es el cambio en el potencial Zener, resultado de Ia variaciOn de temperatura, Ob- serve en la figura 1.56a que el coefiviente de temperatura puede ser positivo, negativo e in= cluso cero para los distintos niveles Zener, Un valor positivo indica un ineremento-en Vz co- ‘io resultado de un ineremento de temperatura, mientras que un valor negativo indica un docremento-en el valor cuando ta temperatura se increments. Los niveles de 24 V, 6.8 V y 3.6 V se refieren a tres diodos Zener que cuentan con estos valores nominates dentro de una misma familia de Zeners, La curva para el Zener 10 V naturalmente se encontrarfa entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V y de 24 V. Regresando a la ecuacion 1.12, T, ¢s la temperatura a fa cual V se suministra (normalmente a temperatura ambiente de 25°C), y 7; es cl nuevo nivel. El ejemplo 1.3 demostrard la utilizacién de la ecuacién 1.12. Inpedancia dinsmmica versus corriente Zener Coefieiente de temperatura ‘versus corriente Zener 1a a™ ay 200 2 008 = 10 2 — so! Boo 2 e 2 2-008 pe i a § 008 7 é i 24V oC 1 “Ror oosor ost 510 s0i00 0102 05:1 2 $1020 50100 Cette Zens) Comet Zone f(A) © Figura 1.56 Caractersticas eléctricas de un dodo Zener de 10 V, 500 mW, Determine el voltaje nominal del diodo Zener de la tabla 1.4 a una temperatura de 100°C. Solucién, A pantir de Ia ecuacién 1.12, TW, AMVs = 5g (Ti ~ To) Al substituir valores de la tabla 1.4 tenemos. (0.072)(10 V) Sarr eth n= Tg (HOC ~ 25°C) (0.0072)(75) 0.54V xy dado que el coeficiente de temperatura es positivo, el nuevo potencial Zener definido por Vi, es =V, + 054V 10.54 En la figura 1.56b, se muestra la variacidn en Ia impedancia dindmica (fundamentalmente, st resistencia en serie) a cambios en la corriente. De nuevo, el diodo Zener 10 V oe EJEMPLO 1.3 3940 aparece entre los Zeners 6.8 V y 24 V. Observe que mientras mis fuerte es la cotriente (0 mientras mas arriba de la curva en crecimiento vertical se encuentre en la figui ‘or serd el nivel de resistencia, Observe también que a medida que se cae por debajo del punto dé inflexién de la curva, la resistencia se incrementa a niveles considerables, En la figura 1.57 aparecen tanto la identificacién de las terminales como el encapst lado para distintos diodos Zener, La figura 1.58 es una fotografia real de una variedad de instrumentos Zener. Observe que su apariencia es muy parecida a la de los diodos semicon. uctores, En ef capitulo 2 se revisardn algunas reas de aplicacién para los diodos Zener. [Fagus 137 tenuizcon terminaes y simbolos del Zen Figura 1.58. Diodos Zener, (Comesia de Siemens Compo- ratian), 1.16 DIODOS EMISORES DE LUZ La utilizacién creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en toda forma de instrumentacién ha contribuido al amplio interés actual en estrueturas que puedan emit luz cuando se polarizan de forma apropiada. Las dos formas que comtinmente se utilizan en la actualidad para realizar dicha funcién son los diodos emisores de luz (LED det in- glés: Light Emitting Diode) y la pantalla de cristat tiquido (LCD del inglés: Liquid Cris tal Display). Debido a que el LID esté dentro de la familia de dispositivos de unin p-n y que aparecerd en algunas de las redes de los siguientes capitulos, se presentaré en este ca pitulo, La pantalla tipo LCD se describe en el capitulo 19. Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que es capaz de ‘emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier unin p-n con polarizacién directa exis te, dentro de la estructura y prineipalmente cerca de Ia unién, una recombinacién de huecos y electrones. Esta recombinacién requiere que la energfa poseida por el electrdn libre sin enlace sea transferida hacia otro estado, En todas las uniones de semiconductor cierta cantidad de esta energia se. desprendera en forma de calor y otra en forma de fotones. En el caso del silicio y del germanio, el porcentaje mayor de energia que se'despren- dees en forma de calor y en una medida insignificante, se desprende luz emitida. En otros materiales, como el fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) o el fosfuro de galio (GaP), el rndimero de fotones de energia luminosa emitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible. Al proceso de emisién de luz mediante ta aplicacion de una fuente de energia eléctrica se le denomina electroluminiscencia. Como se muestra en la figura 1.59 con su simbolo grafico, la superficie conductora que se encuentra conectada al material p es mucho més pequefia, con el objeto de permitir la Capitulo 1 Diodos semiconduetores Ler visible Contacte metlico emisién det méximo mimero de fotones de energia turninosa, Observe en la figura que Ia recombinacién de los portadores inyeetados, debido a la unién con polarizacién disecta, provoca una emisién de luz en lugar de fa recombinacién. Desde luego, puede existr cierta absoreidn de los paguetes de energia fotdnica en la misma estsuctura, sin embargo, un alto porcentaje sera capaz de escapar, como se seffala en la figura, La apariencia y caracteristicas de una Kimpara subminiatura de estado solido y alta eficiencia que fabrica Hewlett-Packard se ejemplifica en la figura 1.60. Observe en la figura 1.606 que la corriente pico directa es de 60 mA, mientras que 20 mA es la corriente directa promedio tépica. Sin embargo, las condiciones de prueba listadas en la figura 1,60e, son rael nivel de corriente de 10 mA. El nivel de Vp bajo condiciones de polarizacién directa se dica como Vy y se extiende desde 2.2 hasta 3 V. En otras palabras, es posible esperar una corriente de operacién tipica cerca de 10 inA ®2.8 V para una buena emisién de luz. Existen dos cantidades indefinidas atin, debajo del encabezado de Caracteristicas Elée- tricas/Opticas cuando T, = 25°C. Estas son la intensidad luminosa axial (Iy) y la eficiencia lumminosa (m,). La intensidad de Ta luz se mide en candetas. Una candela emite vn ujo de luz de 4zr Kimenes y crea una iluminacién de | candela/pie sobre un érea de I pie cuadra- do a una distancia de un pie de Ia fuente de luz. A pesar de que tal vez. esta descripcién no proporcione un entendimiento claro de Ia candela como tnidad de medida, ciertamente, su nivel puede compararse con otros dispositivos similares, El término eficiencia es por defi- nicién una medida de la habilidad que tiene un dispositivo para producir un cierto efecto. Para el caso del LED, la eficiencia es la raz6n entre el némero de lumenes generados por ‘watt o energfa eléctrica aplicada. La eficiencia relativa se define como la intensidad Iumi- rosa por unidad de corriente, de la forma en que se sefiala en Ia figura 1.60g. La intensidad relativa de cada color en funcién de la longitud de onda se muestra en la figura {,60d. Debido a que el LED es un dispositivo de unin p-n, asumiré una caraeterfstica de po- larizacién directa (figura 1,60e), similar a la curva de respuesta del diodo, Observe el incremento précticamente lineal de la intensidad luminosa relativa en funcién de la corriente directa (figura 1.608). La figura 1,60h muestra que mientras mayor sea la duracién del pulso d una frecuencia particular, menor sera la corriente pico permitida (después de haber pa- sado el valor de ruptura de f,): La figura 1.60i simplemente sefiala que la intensidad es la mayor a 0° (visto desde el frente directamente) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lado). ‘Actualmente las pantallas de visualizacién de LED se encuentran disponibles en mu- has formas y tamafios. La regin de emisién de luz esté disponible en longitudes que van desde 0.1 a 1 puilgada. Es posible representar niimeros mediante segmentos como se indica en la figura 1.61. Al aplicar una polarizacin directa al segmento de material tipo p apropiado, es posible desplegar cualguier nmero del 0 al 9. ‘También existen kimparas de LEDs de dos terminales, las cuales contienen dos LEDs, dde manera que una inversién en la polarizacién cambia el color de verde a rojo o vieeversa. 1,16 Diodas emisores de luz WS cM Figura 159) Prove €@) simbolo grafico, at“i =) ro Actualmente es posible encontrar LEDs en color rojo, verde, amarillo, naranja y blanco, Préximamente también estaré disponible comercislmente el color blanco con azul. En general los LEDS operan en rangos de voltaje de 1.7 4 3.3 V, lo cual los hace completamente compatibles con los circuitos de estado sdtido, Cuentan con tiempos de respuesta ripidos (nanosegundos) y ofrecen indices buenos de contraste para mejor visibilidad, Sus requeri- ‘mientos de potencia son tfpicamente de 10 a 150 mW con tiempos de vida de mnés de 100,000 horas y ademés, su construccidn de semiconductor les afade un factor de signifi- ccativa durabilidad Valores nominates absolutes mixinios a 7 5 GD Rojo ie alta Parimetr im FER Ty sed piled sg oe 1 eco 650 LLoncitad de ondara ni cr eae seOL UL asin = aa, K TY Te a or | J Py =eth — \ 1.17 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS Goo + ales de los cccuiis inteprados se presentan én al Apéndice A, Las caractersticas princi occur Fabricaci6n de los ctcuitos inlegrados que mueven al mundo”. cuyo contenido merece I tuna lectura cuidadose, cuando el tiempo To permita, de manera que se obtenga un entendi- ' mniento amplio del proceso de manufacture, Se dard cuenta de que el cireuito integrado no oatoo Tip. al Le 5 un dispositivo tinico que cuente con caractersticas completamente diferentes de aque las que hemos revisado en estos capitulos introductorios, Simplemente es uoa técnica que permite una reduccién importante en el tamafo de los sistemas electrénicos. En otras pa Jabras, dentro det cizcuito integrado se encuentran sistemas ¥ dispositivos discretos que ya estaban disponibles mucho tiempo antes de que el circuito integrado, como hey lo cono- ccemos, fuera una realidad nla figura 1.62 (vea pigina 44) se muestra un arreglo posible. Observe que dentro del anreglo de diodos se encuentran ocho. Esto es, en el encapsulado que se muestra en Ta fie Jacke St. Cla Kilby, verse ura 1.63 se hallan los diodos sobre una sola oblea de siicio que tienen todos los énodas ict tegrada y co-n | 1 b—a.803"—4 figura 1.61 fantalls de segmentes Lit ARREGLO MONOLITICO PLANAR DE DIODOS AISLADO POR AIRE + Cs. 0 9F (MAX) conectados a la terminal 1 y los edtodos de cada uno, a las terminales 2a la 9. Observe en la misma figura que la terminal } puede localizarse a la izquierda de una pequefia protu- de fs eateulados tatl (Conesia de electromen por — een ,,rr~—r—.—C..—__.__—:—Ci‘CSCOUSCOCiaCOriaCOzasCiCOCiC¥CiC'CCCzi¥isD ae DIAGRAMA DE CONEXION nal seguiran al primero en orden secuencal, Si se requiriera utilizar un solo diod, enton- eee ona ee rons ces dinicamente se empleardn las terminales 1 y 2 (0 cualquier otra del 3 al 9). Los diodos Wisconsin, Director de Ingen Temperatura Maxima de Operacien de ta Unién Fist Z restantes quedarfan desconectados y no afectarfan a la red donde se encuentren conectados las. Tecnologia del Components Temerataen la Coes Sar terminales 1 y 2. Group Asocade de IEEE por Dspace poten (Nata 2 ¥ En la figura 1.64 se presenta otro areglo de diodos. En este caso, elencapsulado es di- "6 $ Tess Instments ‘VALORES NOMINALES ABSOLUTOS MAXIMOS (Nota 1) | ‘isipaein Maxims dea Unidn a 25°C de Temperature Ambiente 400 mW ferente, sin embargo, la secuencia de numeracién aparece en el esquema, La terminal | es Sees por Encapsulido @ 25°C de Temperatura Ambiente. 600 mW Ja que se encuentra directamente arriba de 1a pequefia muesca que se ve desde la parte su- a peg 4 P Fsetor de Disipacidn Lineal (a partir de 25°C) en la Unin 32 mWrc | perior del encapsulado. nel Encpaaide samwec CortientesyVoltajes Mixa | 2 WIV Abtaje fer de Tabajo sv | ma cues 1 Content Cota en Poa Dirt 3s0mA sept \ectcagn Comte Peon Sobecpa en POlarizan Dieta de pile “Amit del pcos £0 toa Ie rele ‘Amplid det putso = £0 jus 20A | eee hate! \ HU osor : = MOT 0 3 Nos: CARACTERISTICAS ELECTRICAS (A 25°C de temperatura smblentea menos que se ndiqueo contrario) i wun Wf Vitro ‘Temas Koa, taped cere wnbetee : — , | snore Faget slo siMBOLO CARACTERISTICA ‘MiNIMO | MAXIMO | UNIDADES CONDICIONES DI heemticumente, con a pesode 1.32 gros El primer cireuitointegrada, un E PRUEBA, agra Rope aT a ge eA toscllador de desplssamiento def ‘Vola en Plaraacon Deca Now) Zz yp | Piguea 1.65 Equal ens TO.96 ge comsponds nam ae de diodos. Todas se, inventado por Jack 5. Kilby en i | ee los medidas estan en pulgadss re Ce ee — 10 V | tee 100 ma | ments, Inc) te Corieie Tavers 100 wae Ty = 150°C) 100 BA =a 30 °F Voliaje Pico en Polarizacidn Directa | Tempo de Recuperaciia Dieto | e Tempo de Recuperacign verso av escripcisn del encapsulado TO-116-2 Tae Dosesipeiin del encapsulado BOA, te (Ons 0785" 1 | = ree pose! rth s 7 | [ os | mf ii | : ‘ ae Th, wrt 4 juste de Voltaje Directo Novas: Nomas: 1, Esto abies son aloes ites, penn de oe ts se vera daa el deserve spsitv, 2. Estos Son limites en estado enable, Debt consulta la rex paraspiaones qe volte open on plus co ils de taba ta. 3. Ves mie and un palo de 8 200 t j ‘Alea de 42 terminates, | chapa de esaho Disponible con terminates de chapa de oro Encapsuld de ceranica sellado hermieamente Figura 1.62 onolitico de diodes Figuea 1.64 Arteglo monolitico de diodos, Todas las medidas se encuenttan en pulgadas. 44 Capitulo 1 Diodos semiconductores 117 Arreglo de diodos:cireutos integrados 4546 1.18 RESUMEN Conclusiones y Conceptos Relevantes 1. Las caracteristicas de un diodo ideal se asemejen mucho » as de un interruptor simple, excepto por el hecho importante de que un dicdo ideal puede conducir en una sola direceién. diodo ideal actia como un circuito corto en la regién de conduccién y como un circuito abierto en la regién de no conduccién. 3. Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad situado entre el de un buen conductor y el de un aisiante. Al enlace de dtomos, reforzado por eleetrones compartides entre se le denomina enlace covalente. Los incrementos en la temperatura pueden causar un incremento importante en el némero de electrones libres en un material semiconductor. 6. La mayorfa de los materiales semiconductores que se utilizan en la industeia eleetré nica, poseen coeficientes de temperatura negativos; lo que significa que la resis tencia desciende cuando la temperatura se incrementa Los materiales intrinsecos son aquellos semiconductores que tienen bajos niveles de impureza, mientras que los materiales extrinsecos son los semiconductores que han sido expuestos a un proceso de dopado, 8. Un material tipo n se forma al afiadir Stomos donores que cuentan con eineo electrones de valencia de forma que se establezca un alto nivel de electrones relativamen: te libres. En un material tipo n, el electrén es el portador mayoritario, y el hueco es el portador minoritario. 9. Un material tipo p se forma al afiadir dtomos aceptores que cuentan con tres elec- tones de valencia de forma que se establezca un alto nivel de huecos en el material En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario, y el electeén es el portador minoritario 10. La regién cercana a la unidn ei un diodo que contiene muy pocos portadores se fe denomina regién de agotamiento, 11, Bn auseneia de cualquier polarizacién externa aplicada, la coriente de un diodo es cer. 12, En la regiGn de polarizacién directa la corriente del diodo se inerementars de for- ‘ma exponencial con incrementos en el voltaje a través del diodo. 13. En la regién de polarizacién inversa, la corriente del diodo se mantiene en In muy pequefia corriente de saturacién inversa hasta que la ruptura de Zener se aleanza y la corriente comierza a fluir a través del diodo en direecién opuesta 14. La comriente de saturaci6n inversa J, $e incrementaré en proporcién cercana al doble por cada ineremento de 10 grados en la temperatura, 15, La resistencia de de de un diodo se determina por la raz6n entre el voltaje de diodo y la corriente en el punto de interés y no es sensible a la forma de la curva. La re~ Sistencia disminuye con el incremento en el voltaje o la corriente del diode 16, La resistencia de ac del diodo es sensible a la forma de la curva para la regién de in- terés y disminuye para altos niveles de corriente o voltaje del diodo. 17. El voltaje de umbral es cercano a 0.7 V para el caso de los diodos de silicio y de 03 V para el de los diodos de germanio. 18, 1 nivel méximo de disipacién de potencia de un diodo es igual al producto del voltaje del diodo por la corriente. 19. La capacitancia de un diodo se incrementaré exponencialmente con el incremento del voliaje en polarizacién directa. Sus niveles més bajos se encuentran en la regién de polarizacién inversa, 20. La direccién de conduecién de un diodo Zener es opuesta a la que indica la flecha de su simbolo, y el voltaje Zener tiene una polarizacién opuesta a la del diodo en po- larizacién directa 21, Los diodos emisores de luz (LEDs) emiten luz bajo condiciones de polari reeta pero requieren de 2 a 4 V para una emisién conveniente. tomos vecinos, ion di- Capitulo 1 Diodes semiconductores | | t Ecuaciones 11,600 1) a Te = Te + 23 V; = 0.7 V(Si) V, = 0.3 V (Ge) Me | pes re Poe. = Volp 1.19 ANALISIS POR COMPUTADORA La computadora se ha convertido en una parte integral de la industria electt6nica de tal manera que las caracteristicas que ofrece esta “herramienta” de trabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en la computaciSn, existe al principio un temor comtin hacia este sistema poderoso y aparente- ‘mente complicado. Tomando esto en cuenta, se disefié para este libro la seccién de andlisis por computadora, de manera que los sistemas de cémputo se volvieran més faciles de usar mediante la presentacién de la relativa facilidad con la que éstos pueden ser aplicados para la ejecucién de algunas tareas especiales que pueden ser muy ditiles con un consumo rninimo de tiempo y con un alto grado de precisién. El contenido de esta seecién se desa- rrollé asumiendo que el lector no cuenta con experiencia en cOmputo previa ni con una fa- iniliarizaci6n con la terminologia que se aplica, Esto tampoco sugiere que el contenido de este libro sea suficiente como para permitir un completo entendimiento de los “cémos” ni de los “porqués” que surgirdn. Fl prop6sito aqui, es Gnicamente el de ofrecer una introdue- cidn a la terminologia, revisar algunas capacidades, descubrir las posibilidades disponi bles, experimentar algunas de sus limitaciones y demostrar su versatilidad mediante un cierto ntimero de ejemplos cuidadosamente seleccionados, En general, el anslisis por computadora de sistemas electrnicos puede reslizarse mi iante uno de dos enfoques: ya sea empleando un lenguaje de programacién como C++, Pascal, FORTRAN, 0 QBASIC; o mediante la utilizaci6n de un paquete de software como PSpice, Electronics Workbench (EW), MicroCap I, Breadboard o Circuit Master, por nombrar algunos. A través de tna notacién simbélica, un lenguaje de programacién crea tun puente entre el usuario y 1a computadora para permitir un didlogo entre ambos con el objetivo de establecer las operaciones que se efectn En ediciones anteriores de este texto, el lenguaje de programacién seleccionado fue BASIC, debido principalmente a la utilizacién que hace de palabras y frases familiares con las del idioma inglés, que revelaban en s{ mismas la operacién que se realizaria, Cuando se emplea un lenguaje de programacién para analizar un sistema, es necesario desarrollar tun programa donde se definan de manera secuencial las operaciones que se efectuarsn, en tun orden muy similar al que se utiliza para realizar el mismo andlisis a mano. De la misma forma que en este Gitimo método, si se comete un error en un paso espectfico, el resultado que se obtiene puede no tener ningtin sentido, Es obvio que un programa desarrolla do con tiempo y esmero representaré un camino mucho mas eficiente para llegar a una solucién, Una vez establecido en su “mejor” forma, se puede catslogar para una utiliza- ci6n futura, Una ventaja importante del enfoque por medio de lenguaje de programacién es que éste puede ser configurado para cubrir las necesidades especiales del usuario. Per- ‘movimientos” creativos por parte del usuario que pueden generar impresiones de da- (0s de una manera informativa e interesante. 1.19 Ani sis por computadora, =Figura 1.65 Paqueve Mathet 2000, Figura 1.66 Pagucte de Diseno pice (Conesta de OrCAD Mi rosin Corporation), Figura 1.67 Electronics Workbench, Version 6.2 48 El enfogue altemativo que se mencioné antes es ef del empleo de un paquete de sofi- ‘ware que permita realizar la investigacién deseada. Un paquete de software es un progra- sma desarrollado y probado durante un petiodo, el cual esté disefiado para realizar un tipo particular de andlisis 0 sintesis de una manera eficiente conun alto nivel de precision. El paquete en s{ mismo, no puede ser alterado por el usuario, y su aplicacién se limita a las operaciones incorporadas en el sistema. Un usuario debe adecuar su necesidad de informa- cién requerida al rango de postbitidades que ofrece el paquete. Ademis, el usuario debe capturar Ia informacién exactamente de Ja forma en que lo solicita el paquete o de lo contrario los datos pueden malinterpretarse. Los paquetes de software disponibles actualmente son muy amiplios en cuanto a su cobertura y rango de operaciones, de tal forma que ahora se requiere de una prictica extensa para ser en realidad competente en su utilizacién. De hecho, una importante fuente de informacién para principiantes es la cercanfa con colegas que posean tina mayor experiencia en un paquete en particular. El apoyo que un colega de este tipo puede brindar casi siempre es invaluable debido al tiempo y esfuerzo que puede ahorrar. Pero siempre tenga en mente que en algiin momento, este experto también deberd acudir a los manuales pro- porcionaclos y a fuentes de ayuda para poder completar una labor. Para convertirse en una persona habil en el uso de cualquier paquete s6lo se requieren muchas horas de préctica, ademas de la habilidad para hacer preguntas y buscar ayuda cuando se requiera. En este texto, son tres los paquetes que se utilizarén ampliamente. No obstante que, como es natural, su cobertura es introductoria, la guia que se proporciona en este texto y en os manuales del software deberd ser més que suficiente para que los lectores puedan entender de forma clara los ejemplos y puedan trabajar en los ejercicios. En la seccisn 1.7 se presenté una introduecién de Mathead para erear un conacimiento acerca del tipo de apoyo matemético disponible y que va mds allé de la capacidad de una calculadora cient fica comiin, A pesar de que el paquete MathCad 2000 que se muestra en la figura 1.65 sea el utilizado en este texto, el nivel de cobertura es tal, que todas las operaciones pueden efectuarse en versiones anteriores de Mathcad, Para el caso de las redes electrénicas que revisaremos en este texto, se utilizaron dos paquetes de software: PSpice* y Electronics WorkBench. En la figura 1.66 se presenta unia fotografia del paquete de la versién 8.0 de PSpice en: formato CD-ROM (también disponible en formato de discos de 3.5”). Existe tuna versién més sofisticada con amplia difusi6n en la industria, denominada simplemente como SPICE. En la figura 1.67 se presenta el paquete de la versién 6.2 de Electronics Workbench, De nueva cuenta mencionamos que la cobertura en este texto es tal, que es posible utilizar versiones anteriores para realizar los ejercicios. Para el caso de todos los paquetes de software, se hizo un esfuerzo por proporcionar un detalle suficiente en el texto que permitiera guiar al lector a través de cada paso en el proceso de andlisis. Si surge alguna duda, primeramente consulte con su instructor y en los manuales del software y por tilti- ‘mo, utilice la aytida en linea que se proporciona con cada paquete. PSpice Windows Al utilizar PSpice para Windows, se dibuja en primer lugar la red en la pantalla, seguida de ‘on andliss ditigido por las necesidades del usuario, Durante este texto, se utilizaré la Ver= 8.0, aungue las diferencias entre ésta y las anteriores versiones de Windows, son pocas y relativamente pequefias para este nivel de utilizacién, no deberd preocuparse si se utiliza ‘una versi6n anterior, El primer paso, por supuesto es instalar PSpice en el disco duro de su computadora, siguiendo las instricciones proporcionadas por MicroSim. Luego, deberii ob- (enerse la pantalla de Esquemas utilizando un mecanismo de control como Windows 95, Una ver establecida, seré necesario obtener los elementos de la red y colocarlos en la pantalla para construir la red, En este texto, se describirs el procedimiento necesario para cada cle- ‘mento una vez que se presenten las caracteristicas y analisis de cada dispositivo, ‘Ya que hemos concluido con la cobertura a detalle del diodo, se mostrara el procedi- rmiento para localizar los diodos que se encuentran almacenados en las bibliotecas del pro- gram, asf como el método que se utiliza para colocarlos en la pantalla. En el siguiente ca- “PSpice es una marca regstrada de OrCAD-MicroSim Corporation, Capitulo 1 Diodos semiconductores pitulo, se presentard el procedimiento para analizar una red de diodos completa utilizando PSpice, Existen muchas maneras que comenzar, pero el camino més répido es hacer clic en el dibujo del icono de binoculares en la parte superior derecha de Ja pantalla de esque mas. A medida que se acerca el apuntador al recuadro, por medio del ratdn, se desplegard lun mensaje Get New Part (Obiener tna parte nueva). Haciendo clic izquietdo sobre el simbolo apareceri un recvadro de dislogo con el mensaje Part Browser Basie (buscador basico de partes). Al seleccionar la opcién Libraries (hibliotecas), apareceré un recuadro buscador de bibliotecas (Library browser) y debera seleccionarse la biblioteca EVAL.sIb. ‘Cuando esto se haga, aparecerin todas las partes disponibles bajo esta biblioteca en el Tis- tado de partes (Parts). Lucgo, revise la lista de partes y seleccione el diodo DIN4148, El resultado de esta accién es que el titulo de Part Name (nombre de la parte) aparecend arriba ¥y que Ia descripeién (Description) indicars que se trata de un diodo. Una ver seleccionado, hhoga clic en OK y el recuadro del buscador bisico de partes (Part Browser Busic) reapare- ‘cera con la descripcién completa del elemento seleccionado, Para colocar el dispositivo en la pantalla y cerrar el recuaciro, simplemente haga clic en la opcién de Place and Close (colo car y cesrar), Como resultado de esto el dicsto aparecerd en la pantalla y podré ser colocado en un lugar haciendo clic con el botén Izquierdo del ratén, Una vez que se ha colocado, aparecerin dos etiquetas, una de ellas indicard euantos diodos se han eolocado (D1. D2, D3, y asi sucesivamente) y la otra con el nombre del diodo seleccionado (D1N4148), Este mismo diodo puede colocarse en otros lugares en la misma pantalla, simplemente moviendo el apuntador y haciendo un clic con el botén izquiero con el rat6n. Este proceso se termina cuan- {do se hace un solo clic con el bot6n derecho del ratén. Es posible eliminar cualquiera de fos diodos con s6lo seleccionarlos para coloreartos de rojo y presionando luego la tecla de De- Iete (borrar). Si se prefiere, también se puede elegir la opcién Edit (cditar) de ta barra de ‘ment de la parte superior de la pantalla, seguida del uso del comando Delete. iro camino para obtener un elemento es el de escoger Draw (dibujar) en la barra de mend, seguido por Get New Part (obtener una parte nueva). Una vez seleccionada, apare~ ceri el didlogo Part Browser Basie y se podrd continuar con el mismo proceso, Ahora que sabernos que el diodo DIN4148 existe, es posible obtenerlo direetamente tuna ver que el dilogo Part Broker Basic apareve. Simplemente teclee DIN4148 en el recuadro Part Name, seguido de Place and Close y el diodo aparecers en ta pantalla. Sil diodo se ha movida, solamente haga un solo clic con el botén izquierdo sobre él, de manera que se coloree de rojo. Luego, haga otro clic nuevamente sobre él y sostenga el bot6n del rat6n presionadlo. Al mismo tiempo, mueva el diodo a cualquier lugar que prefiera y cuando cesté posicionado en el lugar deseado libere el bot6n, Recuerde que todo lo que aparezca en rojo puede operarse, Para eliminar el estatus de lo que aparece en rojo, simplemente quite el puntero del elemento y haga un clic sobre él, El diodo se colorearé de verde y azul, lo que in- dca que su posicién e informacién asociada ha sido almacenada en la memoria, Para todos Jos capitutos sigaientes, si resulta que usted posee una pantalla monocromitica (blanco y ne- eo), simplemente tendr que recordar si el dispositivo esta en el estado activo, ‘Si Ia etiqueta o los pardimetros de! diodo estin cambiados, simplemente haga un solo clic sobre el elemento (hasta hacerlo rojo) y escoja Edit seguido por Model. Aparecer un recuadro Edit Model (Ezitar Modelo) con la opcién de cambiar el modelo de referencia (Model Reference) (DIN4148), el texto asociado con cada parémetro, o los parametros ‘que definen las caracteristicas del diodo. ‘Como se mencioné anteriormente, se realizarén comentarios adicionales referentes al uso del diodo en los capitulos siguientes. Por el momento, al menos estamos concientes de cémo localizar y colocar un elemento en kt pantalla. Si el tiempo lo permite, revise los ‘oltos elementos disponibles dentro de las distintas bibliotecas con el objetivo de preparar- se pata el trabajo que sigue Electronics Workbench (EWB) Afortunadamente, existen variar similitudes entre PSpice y Electronics Workbench (EWB). Por supuesto, también existe un amplio nmero de diferencias; sin embargo, cl punto aquf es que una vez que usted se Vuelva hdbil en el uso de un paquete de software, le sera mucho més facil aprender otro, 1.19 Analisis por computadora 49i Figura 1.68. Penuslla principal de Moltim (Eleetzonies Work bench) Figura 1.69. Barra de hers: rentas con las Eamilias de ‘componenies de Electronies Workbench. 50 feet ~ we? Una vee que se selecciona el icono de Multisim, apareceré la pantalla dela figura 1.68. A primera vista, las barras de mens parecen muy extensas. De hecho, solamente el fa Tiarizarse con la gama de opciones disponibles, puede evar algin tiempo, Sin embar- 20, tenga en mente que para cada objeto en la barra de mens probablemente existiré un subconjunto para seleccionar, por lo que la lista de opciones disponibles es muy ampli, En primer lugar, observe que en la parte superior de Ta pantalla, la barra de ment se divide en cince secciones diferentes. La barra de herramientas del sistema (system toolbar), que incluye'a lus primeras cuatro secciones, comenzando por la izquietda, deberd parever algo familiar pues es simiar a las de otros paquetes como Microsoft Word. El conjunto restante de botones (nueve en total) se denontina la barra de disefio Multisim (Multisim design bar), y esté disefiado especfficamente para Electronics Workbench. El primer borén de la barra de disefio, presenta el dibujo de custro elementos diferentes que indican que éste es el origen de los componentes para cualquier disefio. Cuando se inicia EWB, es probable [=>] feed 1, JO] 3. Jae | 3 Joe] CUES BSCS 01 G13): 9] 0/1] 91/5] 01). any ‘me? Capitulo 1 Diodos semiconductores ‘que este botdn se encuentre presionado de manera que se muestre Ia barra de componentes de fa parte izquierda de la pantalla, Observe la variedad de componentes disponibles, ¥y note que el diodo es el tercer elemento hacia abajo, La barra de Componentes puede eli- inarse 0 insertarse mediante el uso del botén de componentes (component) de la barra de diseifo. Para agregar elementos a Is lista de componentes, solamente posicione el cur sor sobre el componente resistivo de Ia bandeja de partes. El resultado es una lista expan- «ida de componentes como se muestra en la figura 1.69. Et botGn a la derecha de le bandeja de componentes recuerda a un capacitor. Su pro- Pésito es permitir la modificacién (modification) de los componentes. El siguiente botén permite la seleccidn de una variedad de instrumentos (instruments) gue pueden insertat= se en la red al momento de construirla, De hecho, son once los instruments disponibles, {que van desde un simple multimetro hasta un osciloscopio. El siguiente botGn es una cuadricula de Tineas y components, llamado ment de elementos de simulacién que controlan el andlisis que se reatiza. Entre sus opciones se encuentran RUN/STOP (comenzaridetener) 0 PAUSE/RESUME (pausa/continuar). El siguiente botén controla el tipo de andlisis Canalisis) que se efectuard, que va desde de hasta cl andlisis de figuras de ruido. Los botones restantes se dejan a Ia investigacién del lector, ya que no serdn necesarios para la cobertura prevista de este libro. El siguiente paso kigico, que serfa la construccién real de un circuito simple y la rea lizacién de un anilisis, sera visto en el siguiente capitulo cuando se aplique potarizacién de de a redes de diodos, § 1.2 Diodo Ideal 1. Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositivo o sistema, 2. Describa con sus propias palabras las caracteristicas de un diodo idea! y eémo se determinan los estados de “encendido” y “apagado” del dispositive. Es decir, describa por qué son adecuss dos los equiVatentes de circuito cerrado y de cireuito abiert. 3B {CuK iodo el la principal diferencia entre las caracteristias de un interruptor seneillo y aguellas del leal? § 13 Materiales Semiconductores 4. Con sus propia palabras, defina los tétminos semiconductor, resistvidlad, resistencia de ol ‘men y resistencia de contacto dhmico 5, (a) Utlizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silico con un dzea de 1 com? y una Yongitud de 3 em. (0) Repit ef inciso (@) si ahora ta longitud es de 1 cm y el rea de 4 em? {6} Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de 8 em y el frex de 0.5 em’ (@) Repita Ia inciso (a) para el easo del cobre y compare Ios resultados. 6, Dibuje la estructura atémica del eobrey discuta por qué se trata de un buen conductor y de qué forma su estructura es diferente a la del germanio y del silico 7. Con sus propias palabras, defina un material intrinseco, un coeficiente de temperatura negati- voy un enlace covaleme, 8, Consute su biblioteca y localice tres materiales que pasean coeficientes de temperatura nega tivos tes con coefcientes de temperatiea postivos 8 14 Niveles de Energia 9. ,Cuinta energia medida en joules se requiere pare mover una carga de 6 C a través de una diferencia de potencial de 3.V? 10, Si se requieren 48 eV de energia para mover una carga a través de una diferencia de potencial de 12 V, determine fa carga involucrada. 11. Consuite en su biblioteca y determine el nivet de E, para et GaP y el ZnS, dos materiales semiconductores con valor practico. Ademés, determine el nombre completo de cada materia Problemas PROBLEMAS bil52 § 1.5 Materiales Extrinsecos Tipo 1 y Tipo p 12, Deseriba las diferencias entre las materiales semiconductors tipo y tipo p. 13, Deseriba las diferencias ent ls impurezas donoras y aceptors 14, Deserba las diferencias wre portadores mayoritarios y minoritaios, 15, Dibuje Ia estructura atémice del silico e inserte una impureza de arsénico como se demiostns cen ef caso del silicio de la figura 1.9, 16, Repits el probleme 1S pero ahora inserte una impureza de indio. 17, Consulte su biblioteca y encuente otra explicacién para el flujo de huecos versus el de elec tone. Empeando ams desrpioes, dese con i popes palabras el proseo de on § 16 Diodo Semiconductor 18, Deseriba con sus propias palabras ls condiciones que se establecen a causa de condiciones de Felts desta ¢ lve sobre una unin pon d wn dodo y fimo eve acetal co- 1, Deseriba e6imo podria recordar Ios estados de polarizacién inversa y directa para el diodo de ‘unidn p-n. Es decir, ;e6mo recordaria el potencial (positive o negative) y Ia terminal sobre Ia ‘que se aplica? 20, Utilzando la ecuacién 1.4 determine la corriente de diodo a 20°C para el caso de un diodo de siticio con /, = 50 nA y una polarizacin directa apficada de 0.6 V. Repita el problema 20 para T = 100°C (punto de ebullicién del agua). Asuma que Js se inerement a 5.0 pA. 22, (a) Utlizando la ecuacién I.4, determine ta cortiemte de diodo a 20°C para un diode de silicio con J, = 0.1 LA bajo un potencial de polarizacion inversa de ~10 V. (b) cEL resultado €s el esperado? {Por que? 23. (a) Grafique la funcién y =e para un valor de x de 0 a5. (b) {Cua est vilor de y =e éuando x = 02 (©) Con base en el resultado del inciso (), gpor qué es importante ef factor ~ 1 en Ia ecuacién 1.4? 24, En Ia cegi6n de polarizacién inversa, la eorriente de saturacién de un diode de silicio es cerea nv a0.1 wA (T= 20°C), Determine su valor aproximado si la temperatura se inerementa a 40°C. 25, Compare las earacteristicas de un diodo de silicio con las de un diodo de germanio y determi= ne cul preferiria utilizar para la mayorta de las aplicaciones prieticas, Proporcione algunos detalles. Consulte un listado de especificaciones del fabricante y compare las caracteristias del iodo de silicio y de getmanio cow valores nominales mximos similares. m, 26, Determine la calda de voltaje directo a través del diodo cuyas caracteristicas aparecen en la fi= ura 1.24 para temperaturas de ~75, 25, 100 y 200°C, con na cortiente de 10 mA, Para eada temperatura, determine ef nivel de Ia cotriente de saturacién, Compare los extremos de cada un y comente sobre la relacién de a " § 1.8 Niveles de Resistencia 27, Determine la resistencia esttie 0 de de del diodo comervial de la figura 1.19 para una coniente en polarizacién ditecta de 2 mA. 28, Repita el problema 26 para una corrients en polarizacién dircota de 15 mA y compare los resultados, 29, Determine la resistencia esttica 0 de de del iodo comercial de ke figura {19 para un voltae ie verso de“=10 V. ;Céinio se'compara con el valor determinadlo para un voltae inverso dé ~30 V? 30, (a) Determine la resistencia dinsiiea (ae) det diodo de la figura 1.34 bajo una cortiente de 10 mA utiizando fa ecuaciGn 1.6. (b) Determine la resistencia dina ‘mA utilizando Ja ecuacién 1,7 (©) Compare los resultados de los incisos (a) y (6). (ae) del diodo de Ia figura 1.34 bajo una corriente de 10 31. Cafcule las resistencias de ac y de de parm el diodo de fa figura 1.34 bajo una cortiente en poe Tarizacin directa de 10 mA y compare sus magnitudes, Capitulo 1 Diodos semiconductores 32, Utilzande la ecuacién 1.6, determine Ia resistencia de ac para una corriente de { mA y 15. mA. para ei diodo de la figura 1.34, Compare los resultados y desarrolle una conelusién general con respecto a la resistencia de ac y al incremento en los niveles de Ja coriente det diodo, 33. Uiizando la ecuscién 1,7, determine Ja reNistencia de ac para una cofriente de I mA y ES mA para ef diodo de la figuts 1.19, Modifique las ecuaciones si lo requiere para niveles bajos de corriente del diodo. Compare con Ia solucidn obtenida en el problema 32 34, Determine la resistencia de ne promedio del diodo de fa figura 1.19 para la regisn entre 0.6 y Oo, Determine la resistencia de ac del diodo de ta figura 1.19 a 0.75 V y compare con la fesistencia de ac promedio obtenida en el problema 3. § 1.9 Circuitos Equivalentes para Diodos 36, Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de Ie figues 1.19. Usilice ‘un segmento de linea recta que eruce el eje horizontal en el valor de 0.7 V y que mejor se apro- xime a la curva para la regién mayor que 0.7 V. 37, Repita el problems 36 ahora para el diodo de ta figura 1.34, § 1.10 Hojas de Especificaciones de Diodos 438. Grafique Jp contra Vpulitzando escalas tineales para et diodo de la figura 1.41, Observe que Ja evifica proporcionada utiliza una escala logariimica para el ee vertical (las esealas logarit- micas se cubren en las sevciones 11.2 y 11.3), 39, Discuta el cambio en el nivel de eapacituncia debido al inetemento en el potencial de polari- zacién para el diodo de fa figura 1.41 440. ;Canvbia de forma importante la magnitud de ta cortente de saturacién inversa de! diodo de la figura 1.41 para potenciales de polarizacion inversa en el rango de ~25 a ~ 100 V? 441, Para el diodo de la figuea 1.41, detcrmine ef nivel de ga temperatura ambiente 25°C) y a la temperatura de ebullicidn del agua (LO0°C). ZEl cambio es importante? .Précticamente se du- ‘lica el nivel por eada incremento de 10°C en la temperatura? 42. Para el diodo de ta figura [41 determine ta resistencia de a (dinéoniea) maxima para una corriente en polarizacin directa de 0.1, 1.5 y 20-mA. Compare los niveles y discuta silos resul- {ados cospaldan alas conclusiones derivadas en las anteriores secciones de este capitulo, 43, Utilizando las caracterstcas de In figura 1.41, determine los niveles méximos de disipacign de potencia para el diodo a temperatura ambiente (25°C) y para 100°C, En el supnesto de que Vp permanecira fijo en 0.7 V, zeGmo cambié el nivel maximo de Jp entre los das niveles de temperatura? 44, Unilizando las caracteristicas de las figura 1.1, determine la temperatura la cua, Ja corriente del diodo serd de 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C), § LAL Capacitancis de Transicién y de Difusién 445, (a) Utilizando como referencia Ia figura 1.42, determine la capacitancia de transicién para un potencial de polarizacidn inverso de ~25 y ~10 ¥, ;Cudl es el midio det cambio en Ta ca pacitancia para el cambio en el voltaje? (h) Repita et inciso (a) para potenciales de polarizacién inversos de ~10 y ~1 V. Determine la proporcida de cambio en fa capacitancia al cambio de voltaje (©) {.Cémo se comparan las proporciones determinadss en los incisos (a) y (5)? {Qué le indi- ‘ca esto sobre eull rango tendrat mis dreas de aplicacisn préctica? 46, Com referencia a la figura {.42, determine la capacitancia de difusion a 0 y 0.25 ¥. 47. Deseriba con sits propias palabras, emo difieren las capacitancias de difusién y de transicidn ene sf 48, Determine la reactancia que presenta un diodo que cuenta con las caracterfstiens de la Figura 1.42 para un potencial en polatizacién directa de 0.2 V y para uno en polarizacion inversa de =20 V si la frecuencia aplicada en ambos easos es de 6 Mitz Problemas. ek§ L12 Tiempo de Recuperacion Inverso 49. Dibuje la forma de onda part i en la red de la de recuperacin es de 9 ns ra 1.70 sit, = 2, ¥€l tempo inverso total 4 won sh Figura 1.70 Problema 9 3 1.15 Diodos Zener 30, Se detallan las siguientes caracteristicas para un diodo Zener particula: Vz ~ Vi ler = WOWA, Ip = 20 wA e Lay = 40 mA. Trace ta curva carscteristica ‘que se hizo en la figura 1S. © S1. {A qué temperatura tendri el dieda Zener de la figura 1.55 un volte nominal de 10.75 V? (Sugerencia: observe los datos de la tabla 1.4.) '52, Determine ¢] coeficiente de temperatura de un diodo Zener 5-V (a uns temperatura de 25°C) sel voligie nominal cae a 4.8 V a una temperatura de 100°C, 29V.Vp = 16.8 ix misma forma '53. Utilizando las curvas de la figura 1.56a, eu serfa el nivel esperado del eoeficiente de temperatura para un diodo 20 V? Repita para un diodo 5 V. Asima ua escola lineal entre los nive- Jes de voltaje nominal y un nivel de comriente de O.1 mA. 4, Determine la impedancia dindmica para el diodo 24 V cuando fz = 10 mvA en la figara 1 56b Considere que se yata de una escal logaiimica. » 85, Compare los nveles de inipedancia dindmica del diodo 24 V de la gar 1.566 para niveles de comiente de 0.2, Ly 10 mA. ;Cémo se relacionan los resultados con la forma que poseet las caracteristcas en esta repin? § 1.16 Diodos emisores de luz 86, Bn referencia aa figura 1 60e, ,culserfa un valor apropiado de Vr para este dispositive? ¢Co- mo se compara eon el valor de Vr de silicio y germanio? 57, Usilizando la informacién proporcionada en la Figura 1,60, determine el voltae en polarizacign directa através de diodo si lx intensidad luminosa reltiva es de 1. © $8 (a) {Cuil es incremento porcentual en eficiencia relativa del dispositivo de In figura. 1.60, sila Corriente pico se incrementa de S a 10 mA? () Repita et inciso (a) para 30 a 35 mA (el mismo ineremento en corient). (©) Compare el incremento porcentwal de los incisos (a) y (B). En qué punto de ta curva di- sfa usted que la ganancia es minima si se continéa incrementando la coriente pico? “*59, (a) Con referencia a la figura 1.60h, determine ta conrente pico maxima tolerable si el petiodo de duravién del pulso es de J ms, la frecuencia de 300 Hz y Ia comriente de méxima tolerable es de 20 mA. (6) Repita el inciso (a) para una frecuencia de 100 Hz. 460, (a) Sila intensidad Juminosa para un desplazainiento angular de 0° es de 3 mc para el Uispo- sitivo de la figura 1,60, cual ser el ngulo en el que esta canted sea 0.75 med? (8) {Cutt es el dngulo en el que fa pérdida de luminosidad desciende por debajo del nivel de SO? 461, Dibuje la curva de decremento de cortiente promedio en polarizacidn directa para el LED rojo de alta eficiencia dela figura 1.60, en fimcién de la temperatura. (Observe tos valores absolutos nominates mvéximos.) Los asterises indican problemas de mayor dficulad Capitulo 1 Diodos semiconcductares | | | Aplicaciones de diodos CAPIT ULO 2.1 INTRODUCCION La construccién, caracterfsticas y modelos de los diodos semiconductores se presentaron en el capitulo 1. El objetivo primordial de este capftulo es desarrollar un conocimiento prictico del diodo dentro de una variedad de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados para el drea de aplicacién, Al final del capitulo, se deberd comprender con claridad el patréin Fundamental de comportamiento de los diodos en las redes de de y de ac. Los conceptos que se aprendan en este capitulo aparecerdn de manera recurrente en los capitulos siguientes, Por ejemplo, los diodos se emplean a menudo en la descripeisn de la construccién bisica de los transistores y en el andlisis de Ta redes de transistores en los dominios de de y de ac, El contenido de este capitulo revelard un aspecto interesante y muy positivo acerca del estudio del campo de los dispositivos y sistemas electrénicos. Una vez que se comprende el comportamiento bisico de wn dispositivo, se pueden determinar su funciGn y respuesta dentro de ‘una Variedad infinite de configuraciones. El rango de las aplicaciones no tiene fin; no obstan- (c, las caracteristicas y los modelos permanecen iguales, El andlisis abarca desde el empleo de las caracterfsticas reales del diodo hasta el uso, casi exclusivo, de modelos aproximados. Es importante que sin necesidad de repasar continuamente procedimientos mateméticos prolon- zxdos, se entiendan en el papel la respuesta de los elementos de un sistema electrénico, Por lo general, este procedimiento se Hleva a cabo a través de un proceso de aproximacién, el eval, por sf mismo, puede considerarse como un arte, Aunque los resultados gue se obtienen me- dante el uso de las earacteriticas reales pueden ser un poco diferentes de aquellos que se obtienen a través de una serie de aproximaciones, es importante considerar que las caractetisticas oblenidas a partir de una hoja de especificaciones pueden diferir un poco de las que se obtienen a partic del uso real del dispositivo. En otras palabras, las caracteristicas de un diodo semiconductor IN4O01 pueden variar de un elemento a otro dentro del mismo lote. La v sincién puede ser ligera, pero a menudo serd suficiente para validar las aproximaciones empleadas en el andlsis. También se deben tomar en ctienta los otros elementos de la red: ges la resistencia marcuda con un valor de 100 exactamente 100 2, ces el voltae aplicado exactamente igual a 10 V 0 quizd a 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a fa creencia di- fundida de que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones: pueda, por Jo general, ser tan “precisa” como sucede en el caso de una que utiliza las caracs teristicas completas. En este libro el Enfasis se basa en el desarrollo de los conocimientos pric ticos de un dispositivo a través del uso de las aproximaciones apropiadas, con lo que se evita ‘un nivel innecesario’'de complejidad matemética. Sin embargo, por lo regular, se provera el detalle sufieiente como para permitir un andlisis matemstico minucioso para quien ast Io desee, 55@ Jp(ma) YI ) Figura 2.1 Configurcion de dodo en serie: @) creuto; (b)« raetersiens 56 2.2 ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA Por lo general, la carga aplicada tended un impacto importante en el punto o regién de opera- de un dispositivo, Si-el andlisis se realiza de forma gréfica, se puede dibujar una linea recta sobre las caracteristieas del dispositivo que represente la carga aplicada, La interseccién de la rect de carge con las caractersticas determinaré el punto de operacidn del sistem. Tal andlisis es Hamado, por razones obvias, andlisis por medio de la recta de carga, A peser de ‘que la mayorfa de las redes de diodos que se analizan en este capitulo no emplean el enfogue de la recta de carga, la técnica es una de las que se utilizan de forma més frecuente en los capitulos subsecuentes, y esta introduecién oftece la aplicacién mas simplificada del método, De igual forma, permite una vatidacisn de la técnica de aproximacién descrita a través del resto de este capitulo, ‘Considere la red de Ia figura 2.La, la cual emplea un diodo que posee las caracterst cde In figura 2.1b, Observe que en la figura 2.14 la “presién” de la bateria tiene como finalidad esiablecer una corriente a través del citcuito en serie en direccién de las manecillas del relj. El hecho de que esta corriente y la direccién de conduccién definida del diodo “coincidan”, revela que el diodo se encuentra en el estado de “encendido” y que la conduecién se ha establecido. La polaridad resultante através del diodo sera la mostrada y el primer cusdrante (Vy € ln positives) de Ja figura 2.9 serd la sepicn de interés la regi6n de polarizacin directa, Mediante ta aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de te figure 2.1u el resultado seré E-Vp~V,=0 ° EB=Vp+ ik Qa) Las dos variables de la ecuacién (2.1) (Vp € fp) son las jes del diodo de la figura 2.16, Esta similitud permite una bre las mismas caracteristicas de la figura 2.1, Las intersecciones de la recta de carga sobre las caracteristicas se pueden determiniar f&- cilmente si se tiene en cuenta que en cualquier lugar del eje horizontal fy = 0A y que en cualquier lugar del eje vertical Vp'= 0 V. Si establecenios que Vp=0'V et la ecuacién (2.1) y se resuelve para /p, tendremios fa mag- itd de Ip sobre el eje vertical. Por tanto, con Vp = 0 Y, Ia ecuacisn (2.1) se convierte en E= Vp +R OV + IR ismas que las variables de los ralicacién de la ecuacién (2.1) s0- (2.2) R vorov como se muestra en la figura 2.2, Si establecemos Ip para Vp, obtenemos la magnitud de Vp sobre el eje hor cecuacidn (2.1) se convierte en ‘A en Ia ecuacién (2.1) y resolvemos fontal. Pot tanto, con fp = OA, la E=Vyt bR Vp + (OA)R y Vp = Eliy-on 23) ccomo se muestra en la figura 2.2. Una linea recta dibujada entre los dos puntos definiré la recta de carga como tx deserts en la figura 2.2. El cambio en el nivel de R (la carga) cambiar la interseccién sobre el eje vertical. El resultado serd un cambio en la pendiente de la recta de ccarga, y un punto de interseccidn diferente entre la recta de carga y las caracteristicas del dispositivo. Ahora tenemos una recta de carga definida por la red y una curva earacterfstica definida por el dispositive, El punto de interseccién entre los dos es el punto de operacién para este Capitulo 2 Aplicaciones de diodos to _- Caractersioss (gpositivoy Punto Q Yo Figura 2.2 Dibujo de lk wets de carga para encontrar el punto de operscion citcuito, Al dibyjar simplemente una linea recta hacia abajo en direecién al eje horizontal, puede determinarse el voltaje del diodo Vig, mientras que una Mfaea horizontal proveniente del punto de interseccién hacia el eje vertical proporcionaré el nivel de Ip,, La corriente fp es cn realidad la cortiente a través de toda la configuracién en serie de Ia figura 2.1a. Por lo general, el punto de operacién se denomina punto de operacidn estable (“Q-pt”, abreviactén derivada de su nombre en inglés Quiescent point) debido a las cualidades de “estabilidad e in- movilidad”, segin lo definido por una red de de. La soluein que se obtiene en la interseccidn de tas dos curvas es la misma que se podria ob- ‘ener por una solucin matemtica simultnea de tas ecusciones (2.1) y (14) Uo «fs @¥9™- 1)} como se demuestra posteriormente en esta secciéa en un ejemplo de Mathcad, Dado que la curva para un diodo tiene caracteristicas no lineales, las matemiticas involucradas requerirn del uso de téenicas no Tineales que estén fuera de. las necesidades y aleance de este libro, El andlisis por medio de la recta de carga que se describié anteriormente, provee una solucién con uit esfuerzo minimo, y una descripeién “pictérica” de cémo se obtuvieron los niveles de solucién para Vp, € Ig Los siguientes dos ejemplos demostrarén ls técnicas que se presentaron previamente, y también la facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga mediante el uso de fas ecusciones (2.2) y (2.3) Para la configuracién del diodo en serie de ta figura 2.3a y utilizando las caracteristicas del iodo de Ia figura 2.3b determine: (@) Voge log. (d) Ve. ee oS coe ® jgura 2.3 (a) Circuito; (b) coractersti 2.2 Analisis por medio de la recta de carga EJEMPLO 2.1 57bt Solucién E 10v Rhyoy TRO Eevacisn (2.3). Vp = Elj, 0.7 V para el silicio y Vp 2 0.3 V para el germanio, Para cada configuracién, se reemplazarin mentalmente los diodos con elementos resistivos y se observari la direccién de la corriente resultante como la establecen los voltaes epli- ‘cados (“presién”). Sia direccién resultante “coincide” con la ftecha del simbolo del diodo, la conduccisn a través del diodo ocurrird y el dispositivo estard en el estado “encendido”. La des- cripcién anterior es, por supuesto, dependiente de que la fuente proporcione un voltaje mayor ‘que ef voltaje de “encendido” (V7) de cada diodo. Sieeldiodo se encuentra en el estado “encendido”, se puede colocar la caida de 0.7 V a tra- vés del elemento, 0 se puede dibujar nuevamente la red con el circuito equivalente Vp como se definié en la tabla 2.1. Con el tiempo probablemente se preferrd simplemente incluir fa cafda de 0.7 V a través de cada diodo “encendido” y dibujar una linea a través de cada diodo en el estado “apagado” o abierto, Sin embargo, al principio, el método de sustituciGn se utiizard pa- +a avegurar que se determinen los niveles de voltaje y de cortiente corrects. El circuito en serie-de 1a figura 2.12 que se describe con mayor detalle en la seccién 2.2 se utilizaré para demostrar el enfoque descrito en parrafos anteriores. El estado del diodo se determina primero por el reemplazo mental del diodo con un elemento resistivo como lo de- muestia Ia figura 2,13. Le direccidn resultante de J coincide con la flecha en el sfmbolo del diodo, y dado que E> Vz el diodo se encuentra en el estado “encendido”. La red entonces se ibgja nuevamente como se demuestra en la figura 2.14 con ef modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio en polarizacién directa. Para referencia futura, observe que la polaridad de Ves la misma que resultaria si el diodo, de hecho, fuera un elemento resistivo. El vol taje y los niveles de cortiente resultantes son los siguientes: oe ea) a 26) Enla figura 2.15 el diodo de la figura 2.12 se invirti6, Mentalmente, el reemplazo del diodo por un elemento resistive, como lo muestra la figura 2.16, revelart que la dineccién de la Corriente resultante no coincide con la flecha en el simbolo del diodo. El diodo esté en el es- {ado “apagado”, lo que da como resultado el circuito equivalente de la figura 2.17. Debido al circuito abierto, la cortiente del diodo es 0A y el voltaje a través de la resistencia R es el siguiente: Va = Ig = IpR = (0 ADR = 0V El hecho de que Vj_=0 V establecerd E volts através del circuito abierto como lo define la ley Capitulo 2 Aplicaciones de diodos S 7 4 + inacidn del Figura 2.15 oversion del dio- Figura 216 Dewmincon del do de la figure 2.12. estado del dodo de lB r et que bajo cualquier circunstancia (valores ins de voltaje de Kirchhoff. Tener en cuenta siempre que bajo cuala i tantinens de de, de 2c, pulos,etstera), deberd satsfcerse Ia ley de vole de Kircho Figura 2.7 modelo equivalent pat spagado de la figuts 21 Para la configuracién de diodos en serie de la figura 2.18, determine Voy Vx ¢ Fo» Solucién Dado que el voltae aplicado establece una corriente en direecin de las manecillas del reloj para coincidir con la flecha del simbolo y que el diodo estéen el estado “encendido”, Vp= 07 8V-07V=73V EJEMPLO 2.6 Figura 2.18 Circuito del ejem= plo26 Repita el ejemplo 2.6 con el diodo invertido, Solucién ccién de [es opuesta a la flecha en el simbolo Al remover el diodo, encontramos que la direccién de I es opuest del died y que el equivelente del diodo es el circitoaberto sin importer cuales el modelo {que se utiliz6, El resultado es la red de Ia figura 2.19, donde fp =0 A debido al cicuito abier- to, Dado que Vp = IgR, Vp = (O)R = OV. Al aplicar la Tey de voltje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado resulta E-Vy~V y Vp = E- Vp= E-O=E=8V ee — Observe, particularmente en el ejemplo 2,7, el alto voltae a través del diodo a pesar de aque se encuentra en estado “apagado”. La cortiente es cero, pero el voltae es significative. Con propésitos de repaso, tenga en cuenta el anilisis siguiente: 1. Uncireuito abieito puede tener cualquier volije a través de sus terminales, pero la corrien- tees siempre 0 A. 2, Un circuito cerrado tiene una caida de 0 V a través de sus terminales, pero la corriente estard limitada Gnicamente por la red que la rode és ear para el voltaje aplica- En el siguiente ejemplo ta notacién de ta figura 2.20 se empl “ do, Esta es ona _ comin en fa industria, con la que el lector debe 7 ‘Tal notaci6n y otros niveles definidos de voltaje se tratarin con mayor profundidad en el capitulo 4. 24 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC EJEMPLO 2.7 [p20 4 goes + RQ22KO Vy tf Figura 2.19 Determinscion de Jas cantldades desconocidas para ‘el jemplo 27. 65E=+10Ve rr Solueién : Un provedimiento similar al que se aplicé en el ejemplo 2.6 revelaré que la corriente resultan te Gene la misma direccién que las puntas de flechas de los simbolos de ambos diodos y que Ll la red de la figura 2.24 es el resultado debido a que E = 12 V > (0.7 V +03 Vj=1V. Ob- Figura 220 Netecion de la fuente serve que la fuente dibujada nuevamente es de 12'V y la polaridad es de Vp a través de fa ro sistencia de 5.6 kQ. El voltje resultante V,=E- Vy, ~V;,=12V-07V-03V=1V EJEMPLO 2.8 Para la configuracién de diodos en serie de la figura 2.21, determine Vp, Vp € Ip. 0 e Ibp= k= = 1.96 mA R += fi | ¥ Si ee ett Te y a fi ov oav + - 7 Seka ¥, Figura 221 Circuito del = Figura 2.24 Determinscin de en sere para el ejemplo 2.8 las canidades desconacidas para + el ejemplo 29, Solucién A pesar de que la “presign” establece una corriente con la misma direccién que la del simbo- Determine fp. Vo, y Vo para el circuito de la figura 2.25, EJEMPLO 2.10 lo de la flecha, el nivel de voltae aplicado resulta insuticiente para “encender” el diodo de sic licio, El punto de operacién sobre las caractrfsticas ge mugstra en Ia figura 2.22 y establece el equivalente del ciruito abierto como Ia aproximacién apropiada. Por lo tanto, el voliaje y * to los niveles de corriente resultantes son los siguientes: se | anv: ve I= 0A acl te | Ds Vg = [eR = IpR = (OA)L.2KN =0V } 56 kD y Vp =E=05V Figura 2.25. Cireuto del ejem- = plo 2.10 lp Solucién Al eliminar los diodos y sl determinar la drecci6n de la corriente resultante 1 el resultado se- rel circuito de la figura 2.26, Existe una coincidencia en la direccién de la coriente para el iodo de sitcio, mas no para el de germanio. La combinacién de un circuito cerrado en serie con un eireuito abierto siempre daré como resultado un circuito abierto ep = 0-A, como lo muestra la figura 2.27. of anv ¥ Yigura 222 Posto de ops oe -k A- 2 cin con E603 V ae ae 7 + + EJEMPLO 2.9 Determine V, ¢ fp part el circuito en serie de la figura 2.23 z T RYsoxa y, by 50 kD V, ¥ 1 = oe Figura 2.26 Determinacidn del Figura 227. Sustitucion del estado any. oy ‘estado de los diodos de la figura eaquivalente para et dodo abiero = 2235 ty soko La pregunta que queda por contestar es, {qué sustituir en lugar del diodo de silicio? Para Figura 2.23 Circuito pa- el anilisis siguiente, tanto en éste como en los capitulos subsiguientes, simplemente se tlenen rel gempla 29 {que recordar, para el diodo préctico real que cuando fp = 0 A, Vn = OV (y viceversa), como Capitulo 2 Aplicaciones de diodos 24 Configueaciones de diodos en serie con entradas de DC 6768 se describi6 para Ia situacién de no pol por fp = 0A y Vp,= 0'V se indican en la ftulo 1, Las condiciones deseritas Vp, =0¥ =A t + ve 56KO Vy = Figura 2.28 Determinacicn de las eantldades desconocids del ieeuito del ejemplo 2.0. (AR =0V y =Rv Vp, = Veisesto steno Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en ta direceién de las manecillas del reloj resulta E~Vp,~ Vp,-V,=0 y =E-Vp,-Vy=12V-0-0 =RV con ov EJEMPLO 2.11 Determine J, Vi, Vay Yo para la configuracién de de en serie de Ia figura 2.29. +ye aR a1 ana 'S} Figura 2.29 Circuito para el cjemplo 2.11 Solucién Las fuentes se dibujan y la ditecci6n de la corriente se indica en la figura 2,30. El diodo se indicar este estado, Observe que el estado “encendido” se identifica mediante el Vip adicional en la figura, Esto elimina la necesidad de volver a dibujar la red y evita cualquier confusién que pueda resultar debido a la aparicién de otra fuente, Como se indied en la intro duccidn a esta seccién, éste seré probablemente el camino y la notacién que se tomard cuan- =e y= ¢ ogy — s : 5 : 2.2 k + t + i? Figura 2.30 Determinacidn del estado el diodo de la figura 2.29, dees Figura 231 Determinacin des cams desconclas pra Ja ted de Is figura 2.29. 7 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos do se tenga un nivel de confianza mayor en el anilisis de configuraciones del diodo. Con el tiempo, el andlisis completo se desarrollara simplemente mediante la referencia a la red origi nal, Recuerde que un diodo con polarizacién inversa puede ser simplemente indicado mediante una ifnea a través del dispositive, La corriente resultante a través del circuito es, pm Fit Ban Vp _ OV +SV ~OTY _ 143 R, +R 47K + 22K — 69K 2.072 mA. y los voltajes son V, = IR, = (2.072 mA)(4.7 kQ) = 9.74.V Vz = IR, = (2.072 mA)(2.2 kA) = 436 V Mediante Ia aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccién de salida en direec las manecillas del reloj, resultard ion de -E,+V,-V,=0 y V, = Vz— BE, = 4.56V-5V = -044V El signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuestaa la que aparece en la figura 2.29. 2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO Los métodos aplicados en la secciGn 2.4 se pueden extender al andlisis de las configuraciones ‘en paralelo y en serie-paralelo, Para cada rea de aplicacién, simplemente se hacen coincidir las series secuenciales de pasos aplicados con las configuraciones de diodos en serie. Determine Vo 11, In, € /o, para la configuracién del diodo en paraleto dela figura 2.32. EJEMPLO 2.12 A, oa3xa Figura 232 Red para el ejemplo 2.12. Solucién Para el voltaje aplicado Ia “presién” de la fuente es para establecer una corrente « través de ‘cada diodo en la misma direccisn que fa que se muestra en la figura 2.33. Dado que la ditec- cin de la corriente resultante coincide con la flecha de cada simbolo del diodo y que el voltaje aplicado eS mayor que 0.7 V, ambos diodos se encuentran en el estado “encendido”. EL voltaje a través de los elementos en paralelo es siempre el mismo y v,=07V La corriente lov 07 a = 28.18 mA 0330) " 2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69Figura 2.33 Dererminasion la red del ejemplo 2.12 Si suponemos diodos de caracterfsticas similares, tenemos 2BIRMA 14.09 mA £l ejemplo 2.12 demostré una razén para colocar diodos en paralelo, Si la corriente no- ‘minal de tos diodos de la figura 2.32 es s6lo de 20 mA. una cortiente de 28.18 mA dafacia a tun solo dispositivo en la figura 2.32. Mediante la colocacién de dos en paralelo, la corriente est limitada a un valor seguro de 14,09 mA con el mismo voltaje en las terminales EJEMPLO 2.13 Determine ta corriente J para la red de Ia figura 2.34. Si 1 Dt + >, Eya4V Ww t—*. Ey=20V 22k Dd #4 Figura 2.34 Red para et si ejemplo 2,13, Solucién Al dibujar de nueva cuenta la red como se sefiala en la figura 2.35, se demuestra que la direccidn de corriente resultante es tal que puede encender el diodo Dy y apagar el diodo Ds. La corriente resultante J es entonces E-V, Figura 2.35. Determinacion de la cantidades desconoc\- as para la red del ejeraple 213, EJEMPLO 2.14 70 Determine el voltaje de Vo para la red de la figura de 2.36. Solucién Tnicialmente pareceria que el voltaje aplicado “encenderfa” a ambos diodos. Sin embargo, si amos estuvieran “encendidos”, la cafda de 0.7 V a través del diodo de silicio no coincidinfa Capitulo 2 Aplicaciones de diodos tus cantidades desconocidas para con los 0.3 V a través del diodo de germanio como se requiere por el hecho de que el voltaje a través de los clementos en paraleto debe ser el mismo. La acciGn resultante se puede expli car s6lo con notar que cuando la fuente se enciende se incrementard de 0 V a 12 V en un instante, aunque éste quizé pueda medirse en milisegundos. En el instante durante el ineremento en que se establece 0.3 V a través de! diodo de germanio, éste “prendera” y mantendré un nivel de 0.3 V. El diodo de silicio nuncs tendré la oportunidad de capturar sus 0.7 V requeridos, ¥ por tanto permanecerd en su estado de circuito abierto como se muestra en la figura 2.37 i El resultado: V,=12V-03V=IL7V nv si 93 i foe Vp ar OaV Orv | v., 22 ko Figura 2.37. Determinacion de Vo para la red dela figura 2.36, Determine las corti tes Th J2€ Poy para la red de Ta figura 2.38 Solucién El voltae aplicado (presién) es tal que enciende a ambos diodos, como se observ6 por las direcciones de cottiente resultantes en la red de Ta figura 2.39. Observe que el uso de a notaci6n abreviada para los diodos “encendido” y Ia solucién, se obtienen a través de una aplicacién de | las técnicas aplicadas para las redes de de en serie-paralelo Vn _ O7V RL 33k0 j = 0.212 mA Figura 2.39 Determinacion de las cantidades desconact vy + das del ejemplo 2.15 Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccién del sentido de las manecillas del reloj resulta: “Vy + B= Vy, Vz, = 0 y Vy = E~ Vz, ~ Vp, = 20V -0.7V - 07V = 186V 2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo Figura 2.36 Red del e 2. EJEMPLO 2.15 % si a3ka SOK Figura 2.38 Red para ol ejem plo 2.15, a7si () F=10Ve— Figura 2.40. Compuerta OR Ae Ligies positva Loy, oy 8 Ijth=h = 3.32 mA ~ 0.212 mA = 3.108 mA 2.6 COMPUERTAS AND/OR Las herramientas para el andlisis estin ahora a nuestra disposicién, y la oportunidad de inves: tigar una configuracién de computadora es una de las que nos demostrardn la gama de aplicaciones de este dispositivo relativamente sencillo. Este andlisis estar limitado a determinar los niveles de voltaje y no inclviré una discusién detallada acerca del lgebra booleana o de la 16- «gia positiva y la negativa La red que se analizard en el ejemplo 2.16 es una compuerta OR de I6gica positiva. Es- to es, que el nivel 10 V de Ia figura 2.40 se asigna al “I” del dlgebra booleana mientras que la entrada 0 V se asigna al “0”. Una compuerta OR es tal que el nivel de voltaje de salida se- 14 de 1 si alguna o ambas entradas es un 1. La salida es un O si ambas entradas estin en el nivel 0 EI andlisis de las compuertas ANDIOR se leva a cabo de forma més ficil, en cuanto a ediciones se refiere, mediante el empleo del equivalente aproximado para un diodo, en lu- ‘gar del ideal, debido 2 que puede estipularse que el voltaje através del diodo debe ser de 0.7 V positivo para el diodo de silicio (0.3 V para Ge) para cambiar al estado de “encendido”. En general, el mejor enfoque es simplemente el de establecer un sentido “intuitivo” para el estado de los diodos mediante la observacién de la direccién y de la “presién” establecidas por los potenciales aplicados. El andlisis entonces verificaré 0 negaré los supuestos iniciales. EJEMPLO 2.16 oe a Loy Bp . | Figura 2.41 Red recibujads de la figura 2.40, 2 Determine Vp para la red de la figura 2.40, Solucion. ‘Observe en primer lugar que existe slo un potencial aplicado; 10 V en la terminal 1, La terminal 2 con una entrada de 0-V es esencialmente un potencial de tierra, como se muestra en la red nuevamente dibujada de la figura 2.41. La figura 2.41 “sugiere” que D, esti probablemente en el estado “encendido” debido al 10 V aplicado, mientras que de D2 con su lado "positivo” en 0 V esté posiblemente en “apagado”, La suposicin de estos dos estados daré por resultado la configuracién de la figura 2.42. El siguiente paso es slo para verificar que no existe contradiccin en nuestras suposiciones. Esto es, observe que la polaridad através de Des suliciente como para encenderlo y que la polaridad a través de D3 ¢s sufciente como para apagario, Para Dy el estado “encendido” estable- % v ’ Figura 2.42 Estados supuestos = = del iodo pars la figura 2.40, = Vo= Vaal Capitulo 2 Aplicaciones de diodos cee Vo cuando Vp = E~ Vp = 10 V ~ 0.7 V = 9.3 V. Con 9.3 V en el lado del citodo (-) de Ds y con 0 V en el lado det dnodo (+), Dy se encuentra definitivamente en el estado “apazado”. La di reccién de la coriente y la.trayectoria continua resultante para la conduccién, confirma nuestro supuesto de que D; esté conduciendo, Nuestras suposiciones parecen confirmarse con Ia corti te y los voltajes resultantes y puede asumirse que nuestro andlisis iniial es comeeto, El nivel de voltaje de salida no es de 10 V como se definié para la entrada de 1, pero 9.3 V es suficientemente grande como para ser considerado nivel 1. Le salida, por tanto, se encuentra en el nivel 1 con sélo una entrada, lo que sugiese que la compuerta es una compuerta OR. Un andlisis de la misma red con dos entradas 10 V dard como resultado que ambos diodos se encueniren en el estado “encendido” y que la salida sea de 9.3 V. Una entrada de 0 V en ambas entradas no propor cionari ef nivel 0:7 V que se requiere para encender los diodos, y la salida seré de 0 debido al nivel de salida 0 V. Para la red de la figura 2.42 el nivel de cortiente esta determinado por ~Vp _ 10V-0.7V R 1K, 9.3mA i Determine el nivel de salida pars Ia compuerta lgica AND positiva de la figura 2.43, Solucién Observe que en este caso una fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red. Debido a las razones que pronto sern obvias, se elige en el mismo nivel que el del nivel 1ogico de entrada. La red se vuelve a dibyjar en la figura 2.44 con las suposiciones ini ciales relacionadas con el estado de los diodos. Con 10 V en el lado del cdtodo de D, se asu- ime que D, se encuentra en el estado de “apagado” a pesar de que haya una fuente de 10 V conectada al fnodo de D, a través de la resistencia, Sin embargo, hay que recordar lo que se mencioné en Ia introduccién de esta seccién en lo referente a que el uso del modzlo aproximado seria una ayuda en el andlisis, Para Dy, ade dénde provendran los 0.7 V si los voltajes, de entrada y la fuente se encuentran en el mismo nivel y crean “presiones” opuestas? Se asume que Dz se encuentra en el estado “encendido” debido al bajo voltaje en el lado del edtodo y la disponibilidad de Ia fuente de 10 V a través de la fesistencia de | KO. Para la red de la figura 2.44 el voltaje en Vp és de 0.7 V debido al diodo D, que esté polarizado directamente. Con 0.7 V en el dnodo de D, y 10 V en el eétodo, Dy esti definitivamente en el estado de “apagado”. La corriente I tendré la direccién indicada en la figura 2.44 yuna magnitud igual a E-Vp_1V-07V 1ka 93mA Figura 2.44 Sustiueion de los cestados supuestes pita los diodes dela gues 2.43, Por lo tanto, el estado de los diodos se confirma y nuestro andlisis anterior fue corzecto, ‘Aunque no existieron 0 V como se definié anticipadamente para el nivel 0, el voltae de salida es suficientemente pequefio como para ser considerado un nivel 0. Para la compuerta AND. por tanto, una sola entrada resultars en un nivel O de salida. Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinarén en los problemas al final del capitulo, 2.6 Compuertas AND/OR EJEMPLO 2.17 © si F210 Veh oF o Si —ev, Rika Ea Oy Fignea 2.43 | Compuerta logics AND positiva & 3i. 2.7. ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA ET anélsis del diodo se afpliaré para incluir funciones con variacién en el tiempo, tales co ‘mo La forms de onda senoidal y la onda cusdeada. No hey duda de que el grado de dificulad se inerementaré, péro una vez. que algunas meniobras fundsmentales se entiendan, el andlisis sed francamente directo y seguiré un procedimiento comin Las redes més sencillas para examinar bajo una seis! con varizcién en el tiempo apare- ‘cen en fa figura 2.45. Por el momento usaremos e! modelo ideal (obsérvese la ausencia de la ‘tiqueta del Si o del Ge para denotar al diodo ideal) para asegurar que el enfoque no se em- patie debido a la complejidad matemstica adicional Figura 245 Reciflcador de media onda Sobre un ciclo completo, definido por el periodo T en la figura 2.45, el valor promedio (la suma algebraica de las dreas por encima y por debajo del eje) es cero. El circuito de la figura 245, llamado rectificador de media onda, generaré una forma de onda v., que tends un vi Jor promedio de uso particular para el proceso de conversién de ac a de. Cuando un diodo se emplea en el proceso de rectificaciGn, es comiin referirse a él como rectificador. Sus valores nominales de potencia y eorriette son, por lo comin, mucho més altos que aquellos diodos cempleados en otras aplicaciones, tales como los sistemas de cémputo y de comunicacién Durante el intervalo's = 0 —+ 7/2 de la figura 2.45'la polaridad del voltae aplicado ¥ es tal ‘como para establecer “presién” en Ja direccién indicada y encender el diodo con la polaridad ue aparece artiba de él. Al sustituir el diodo ideal por la equivalencia de crcuito cerrado da- £4 como resultado el circuito equivalente de la figura 2.46, donde es muy obvio que la sefial, de salida es una réplica exacta de la seftal aplicada. Las das terminales definen el voltaje de salida y estén concctadas directamente a la sefial aplicada mediante la equivalencia de circui- to cerrado del diodo, Figura 2.46 Region de conduccisn (0-+ 12) Para el periodo 1/2 7, la polaridad de Ia entrada v; es como lo demuestra la figura 2.47 y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado “apagado” con un equiva lente de circuito abierto, El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga yquev, (O)R = OV para el periodo 1/2 7. La entrada v; y la salida y, se dibujaron juntas en la figura 2.48 con el propésito de establever una comparacin, Ahora, la sefial de si Jida va tiene un drea neta positiva arriba del eje y durante un periodo completo, y un valor promedio deterniinado por Capitulo 2 Aplicaciones de diados Figura 2.47 Region de no canduecion (T/2 + D. Figura 248 Setal rectiieads de media onda, D318Vie }- masisonta (27) El proceso de eliminacién de un inedio de Ia sefial de entrada para establecer un nivel de de tiene el nombre idbneo de rectificacién de media onda. El efecto del uso del diodo de silicio con Vr-= 0.7 V se demuestra en la figura 2.49 para la regién de polarizacién directa. La sefal aplicada debe ser ahora al menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda “encenderse”. Para niveles de v, menores que 0.7 V, el diodo atin se encuentra en un estado de circuito abierto y v, = 0V como se muestra en la misma figura, Cuan do se encuentran en estado de conduccién, ta diferencia entre v, y vj es un nivel fjo de Vp=0.7 V Y¥ V2 = vj Vy como se muestra en la figura, El efecto neto es una reduccién en el drea por encima del eje, lo cual reduce naturalmente el nivel de voltaje dc resultant. Para las situaciones en donde V,, >> Vp, ta ecuacién 2.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisidn 318(Vin — Vz) (2.8) plait ‘ebido a Vp Figura 2.49 Eleco de Vz sobre la seal retficads de media onda, 2.7 Entradas senotdales; rectificacion de media onda 75De hecho, si Vy fuera stficientemente mayor que V,, la ecuacién 2.7 se aplicarfa més cuentemente como primera aproximacicn a EJEMPLO 2.18 (a) Dibuje ta salida vp y determine el nivel de de de la salida para ta red de la figura 2.50, (by Repita et inciso (c) si el diodo ideat se reemplaza por un diodo de silcio () Repita los incisos (@) y (6) si V,, Se incrementa a 200 V y compare las soluciones median: te las ecuaciones (2.7) y (2.8). Figura 2.50 Red del eemplo 218. Solucién (@) Enesta situacién el diodo conducirg durante la parte negativa de la entrada como lo muestra la figura 2.51, y vp apareceré como también lo sefiala In misma figura. Para el periodo completo, el nivel de de es Vigo = ~0.318¥,, = -0.318(20 V El signo negativo indica que fa polaridad de Ia salida es opuesta a la polaridad definida de la figura 2.50, -6.36V PIV (PRY) 1 valor nominal del voltae pico inverso (PIV)fo PRV (voltae pico en reversa) del diodo tie- re una importancia primordial en el disefiode sistemas de rectficacién. Es indispensable recordar que éste es el valor nominal del voltaje que no debera excederse en la regién de pols jn inversa o e} dicdo entraria en Ta regién de avatancha Zener, El valor nominal que st requiere de PIV pata el rectficador de media onda se puede determinar sen In figura 2.53, Ja cual muestra el diodo con polarizacién inversa de Ia figura 2.45 con el voltaje méximo apli ado, Al aplicar la ley de vokaje de Kirchhoff, es obviv que el velor nominal del PIV del diodo debe igualar o exceder el valor pico del voltaje aplicado. Por tanto, [valor nominal PIV 2 Voy | secfcator de meds onda (2.9) v,=R=@)R=0V Figura 2.53. Detersinacién del valor nominal del PIV requer do pata el weetficador de median + P onda. 2.8 RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA Puente de diodos El nivel de de obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante le utiliza- cin de un proceso llamado rectificacidn de onda completa La red més familiar para desarollar tal funcién aparece en la figura 2.54 con sus cuatro diodos en una configuracién de puente. Du- rante el periodo ¢= 0 a 7/2, la polaridad de la entrada es la que muestra Ia figura 2.55. Las polaridades resultantes a través de los diodos ideales también se muestran en la figura 2.55 pare demostrar que D, y Destin conduciendo, mientras que D, y Dy se encuentran én ef estado “apa ado”. El resultado neto es la configuracién de la figura 2.56, con su corriente y polaridad indicadas a través de R. Dado que los diodos son ideales, el voltaje de carga es vp = vj como se muestra en la misma figura, Para la regidn negativa de la entrada, os diodos conductores son Dy y Dy, con lo que se produce 1a configuracién de la figura 2.57. El resultado importante es que Ia polaridad a tra- | ‘ Figura 2.51, resultante para el cireuto del ejeraplo 2.18. WT i fe Vo ra ‘een Apagai wa 2.55 Red de bs Bgura 2.54 pars el periodo 0 -~» T?2 del voltsje de entrada (©) Al utilizar un diodo de siticio, ta salida tiene el aspecto de la figura 2.52 y | Vag # -0.318(Vq, — 0.7 V) = ~0.318(19.3 V) = -6.14 V 1a cafda resultante en el nivel de de es de 0.22 V 0 aproximadamente 3.5%. —0318Vq, 318(200 V) = -63.6V =0.318(Vq, ~ V3) = -0.318(200 V - 0.7 V) ~(0.318)(199.3 V) = -63.38.V Lo cual es una diferencia que puede ser ignorada para la mayoria de las aplicaciones, Para ka ida y el desplczamiento en la amplitud debido a Vp no seria discernible en un osciloscopio tipico si el patrén completa se desplegara, TT \ (©) Beuacin (2.7): Vy. CAIN Ecuacién (2.8): V, Figura 2.52. Efecto de Vy en ls salida de le figura 2.51 i Figura 2.56. Tryectoria de conduceién para la region postva de v, 16 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos 2.8 Rectifieacion de ona completa 778 vés de la resistencia de carga R es fa misma que en Ta figura 2.55, al establecer un segundo pulso positive como fo sefala la figura 2.57, Sobre un ciclo completo los voltajes de entrada ¥ de salida aparecerin como Jo muestra Ie figura 2.58, Figura 2,58. Formas en on ade entrada y de salida para un rectlicadlor de onda com- peta Dado que el érea por encima del eje para un ciclo completo es ahora el doble de lo obtenido para un sistema de media onda el nivel de de se ha duplicado también y Voc = Accuacién 2.7) = 2(0.318V,,) onda cept 2.10) en lugar de los diodos ideales se emiplean de silicio como lo muestra la figura’ 2.59, la aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff darfa como resultado %- Vp Ve~ Vr= 0 y Mo = ¥) ~ 2Vy el valor del pico del voltaje de sala v, es por tanto: Vaan = Vm ~ Vz Para situaciones donde V,, >> 2V;, puede aplicarse la ecuacién (2.11 para el valor promedio con un nivel relativamente alto de precision, Va 636(Vq ~ 2Vs) uy De nuovo, si Vy, es suficientemente mayor que 2V7, entonces fa ecuacidn (2.10) se aplica de ‘manera frecuente como una primera aproximacidn para Vac Figura 2.59 Determinacion de Voge pata diodas de sileto cen la Configuracian de puente Capitulo 2 Aplicaciones de diodas Pv EI PIV requerido para cada diodo (ideal) puede determinarse por medio de ta figura 2.60 obtenids em el pico de la regién positiva de {a sefial de entrada. El voltae maximo para ta ma- Ha indicada a través de R es Vy el valor nominal de PIV se define por PIV ¥, m_| Pace rtiintve Se od compete Qin Figura 2.60 Derminacien cel PIV requerido para ls configure Un segundo rectificador popular de onda completa aparece en la figura 2.61 con Gnicamente —ciom de pute cectlicadet. dos diodos pero con el requerimiento de un trensformador con dexivacién central (CT del in- és center tapped) para establecer la sefal de entrada a través de cada seccin del secundar del transformnador. Durante la parte positiva de y, aplicada al primario det transformador, la red aparecerfa como se sefala en la figura 2.62. D; asume ef equivalente de circuito cerrado y Dy el equivalente de circuito abierto, como lo determinan los voltajes secundarios y las dinezcio- nes de cotriente resultantes, El voltaje de salida aparece como se muestra en Is figura 2.62. Transformador con derivacion central Figura 2.61 Rectifieador de ‘onda completa com transforma or con derivacion central Figuea 2.62 Condiciones dle red para la region positiva de s, Durante la parte negativa de la entrada, la red aparece como se muestra en la figura 2.63, all invertr las funciones de los diodos pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje tra- vés de la resistencia de carga R. El efecto neto es la misma salida que aparece en la figura 2.58 ‘con los mismos niveles de de. Figura 2.63 Condiciones de la red para la region negativa dev, 2.8 Rectificacion de onda completa 79Figura 2.64 terminacion del PIV para los died del ual rectificador de onda complet EJEMPLO 2.19 te v\ igura 2.68 Salida resutan para el ejemplo 2.19. 80 wa 2.66 Red de I figura 2.65 para la rezién positiva de Ply _ Lared de la figuta 2.64 nos ayudaré a determina el PIV neto para cada diodo de este ree- tificador de onda complete. Al aplicar el voltaje méximo para el voltae secundario y para Vp como lo establece I malla edjunta, dard como resultado: PIV = V, ‘camaro + Vg Vat Vi rarer CT, ete eo completa 2.13) Determine Ja forma de onda de satida para Ia red de la figura 2.65 y calcule el nivel de de de la salida y el PLY requerido para cada diodo. ¥ o ov at 7 oO r\ [te | 2 2k Figura 2.65 Red de puente para et gemplo 2.19, Solucién La red apareceré como lo seflala la figura 2.66 para la regidn positiva del voltaje de entrada. Al dibujar de nuevo la red el resultado serd fa configuracin de la figura 2.67, donde v, = }y, © Vase = Viz, = {(10 V) = 5 V, como lo-muestra la figura 2.67. Para la parte negativa de la cit, Jas funciones de los diodos se intercambiarsn y v, aparecera como lo muestra la fie gura 2.68 2423 % ay % - Saka 2.9 RECORTADORES Existe una gran variedad de redes de diodos Hamadas recortadores que tienen Ia hebilidad de *recortar" una porcién de la sefal de entrada sin distorsionar la parte restante de Je forina de om da altemnante, El rectificador de media onda de la seccién 2.7 es un ejemplo de ta forma més simple de recortador de diodo (una resistencia y un diodo). Dependiendo de la orientacién del iodo, la regi6n positiva o negativa de Ia sefial de entrada es “recortada” Existen dos categorfas generales de recortadores: en serie y en parclelo, La configuracién en serie se define como una donde el diodo estd en serie con la carga, mientras que la varie dad en paralelo tiene el diodo en una rama paralela 2 la carga. En series La respuesta de las configuraciones en serie de la figura 2.694 ante una variedad de formas de ‘onda alternantes la proporciona la figura 2,696. Aunque primero se introdujo como rect dor de media onda (para formas de onda senoidales), no hay limites en el tipo de sefiales que se pueden aplicar a un recortador. La adicién de una fuente de de tal como la que se muestra en la figura 2.70 puede tener un gran efecto sobre la salida de un recortador, Nuestra discusin inicial estaré limitada a los diodos ideales, con el efecto de Vz reservado para un ejemplo concluyente. No hay un procedimiento general para analizar las redes como las del tipo de la figura 2.70, pero hay algunos aspectos para tener en mente conforme usted trabaja en busce de una solucién, 1. Haga un esquema mental de la respuesta de la red basado en la direccion del diodo y de los niveles aplicados de voltaje. Para la red de la figura 2.70, la direeciGn del diodo sugiere que la sefal v; debe ser posi tiva para encenderlo. La fuente de de ademds requiere que el voltaie v sea mayor que V volts para encender el diodo. La regiGn negativa de la seal de entrada esté “presionando” al diodo hacia el estado de “apagado”, apoyado ademés por la fuente de de, En general, por Io tanto, podemos estar seguros de que el diodo es un circuito abierto (estado “apagado”) por la region negativa de Ta sefal de entrada, aka ¢ Figura 2.67 Redibujo de la red de la figura 2.66 El efecto de Ia eliminacién de dos diodos de la configuracién de puente fue la reduccién del nivel de de disponible al siguiente: Vjc = 0.636(5 V) = 3.18V © el disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada, Sin embargo, el PIV ‘como se deriva de Is figura 2.60, es igual al voltaje méximo a través de R, el cual es de 5 V, © la mitad de Jo requerido para un rectificador de media onda con la misma entrada, eee Capitulo 2 Aplicaciones de diodos + + 4 RY @ y| y| | vhs ve stot a 7 7a | 7 | | : © Figura 2.69. Recortador en seve Figura 2.70 Recortador en serie com una fuente de de 2.9 Recortadores 81Figura 2.73 Detetminacion de los niveles de ¥,. wee 2. Determine el voliaje aplicado (voltaje de transicién) que causara un cambio en et estado del diodo. Para el diodo ideal Ia transicidn entre los estidos ocurirs en el punto sobre tas caracteristicas donde vy = 0 V e ig = 0 A. Al aplicar Ia condicién iy = 0 y vy = O'a la red de la figura 2.10 daré como resultado la conliguracién de la figura 2.71, donde se reconoce que el nivel de vj que causard una transicién en el estado es: (aay id =1R= OR=0V Figura 2.71 Determinacion del nel de transicion. para el circuit de is fguea 2,70 Para un voltae de entrada mayor que ¥ vols, el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado, mientras que para los voltajes de entrada mienores que V volts éste estén el estado “apagado” o de circuito abiert. 3. Estar concientes continuamente de las terminales definidas y de la polaridad de v,. Cuando el diodo esté en el estado de circuito cerrado, como lo muestra la figura 2,72, el voltaje de salda v, se puede determinar mediante la aplicacién de la ley de voltaje de Kiteh- hoff en la direccién de las manecillas del reloj V ~ v, = 0 (direccién de las manecitlas del reloj) vs y way TY (2.15) 4. Puede ser wil dibujar la senal de entrada por encima de ta de salida y determinar Ta salida a valores instanténeos de ta entrada. Es entonces posible que el voltaje de salida pueda dibujarse con hase en los puntos de datos resultantes de v, como se demuestra en la figura 2.73. Tener en mente que para un valor instanténeo de vs la entrada puede tratarse como una fuente de de de aquel valor y el correspondiente valor de de (el valor instantineo) de Ia salida determinada, Por ejemplo, en v, = Vi para la red de fa figura 2.70, la red a analizar aparece en ta figura 2.74. Para V,,> Vel diodo se encuentra en el estado de citcuito cerrado y v,= Vm ~ V, como lo demuestra Ia figura 2.73. En j= V los diodos carabian de estado; en vj = “Vy, Yo =0 Vs y la curva completa para v, puede dibujarse como lo demuestra la figura 2.75 = Vos dedos cambian de esto) Figura 2.74 Determinacin de vy cuando ¥j= Vu Figura 2.73 Dibujo de ¥, EJEMPLO 2.20 82 Determine 1a forma de onda de salida de la red de ta figura 2.76, Solucién La experiencia pasada sugiere que el diodo se encontraré en el estado “encendido” para a re= gin positiva de v, especialmente cuando notamos el efecto de ayuda de V = 5 V. La red en- Capitulo 2 Aplicaciones de diodos i Figura 2.76 Recontdor ‘ene para el ejemplo tonces apareceri como se muestra en fa figura 2.77 y v, = vy +5 V.Al sustiuir éy = O.en vy = para los niveles de trunsicién, obtenemos la red de fa figura 2.78 y v,=-5V, Figura 2.7, con l diedo ea el estado “encendde' = 1p =igR=iyR=(OR=0V ene : Figura 2.78 Dererminaclon del nivel de transcign pata el recor dor de la figure 276, Para v; mas negativos que ~5 V el diodo entrard en su estado de circuito abierto, mientras que para voltajes mas positivos que -5 V, el diodo se encontrard en el estado de circuito cerrado. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.79, vas Volaje de ce -SV4SV=0V P\t 7 Figura 2.79 ibujo de vp para el ejemplo 2.20, EE] anilisis de las redes recortadoras con entradas de onda cuadrada, es realmente més cil que para entradas senoidales debido a que sélo se deben considerar dos niveles de voltaje. En ‘otras palabras, la red se puede analizar como si tuviera dos entradas de de con la salida resultante v, graficada dentro el mateo apropiado de tiempo. Repita el ejemplo 2.20 para la entrada de onda cuadrada de la figura 2.80. el ejemplo 2.22 2.9 Recortadores Figura 2.80 Senal aplicada para EJEMPLO 2.21 83Solucién Para v, = 20 V (0 ~+ 772) resultard la red de la figura 2.81. E! diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado y v, 25-V. Para v 2.82, mediante la colocacién del diouo en el estado “ap tuje de salida resultante aparece en te figura 2.83, Figura 2.81 y, cuando v, = +20. Figura 2.82», cusndo = ~10V. Figura 2.83. Esquesat de ve para el ejemplo 2. Observe en el ejemplo 2.21 que el recortador no sélo rezorta 5 V de Ia amplitud total sino que levanta el nivel de de de la sefial por 5 V. En paralelo La red de la figura 2.84 es la més simple de las configuraciones de diodos en paralelo con las salidas para las mismas entradas de la figura 2.69. El andlisis de las configuraciones en paralelo es muy similar a las aplicadas a las configuraciones en serie, como lo demuestra el si- suiente ejemplo, eo py Figura 2.84 Respuesta de un recortadar en paral. EJEMPLO 2.22 Determine v, para la red de la figura 2.8. Ejemplo 2.22 84 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos Solucién La polaridad de Ia fuente de de y la direccién del diodo sugieren fuertemente que el diodo estard en el estado “encendido” para la regién negativa de la sevial de salida, Para esta fegién la red apareceri como se sefiala en Ta figura 2.86, donde Ins terminales definidas para v, requieren que v= V=4V. . Figara 2.86. y, pars la egn — 5 regativa de El estado de transici6n se puede determinar a partir de le figura 2.87, donde la condicion ig=0A cuando vy =0 V ha sido impuesta, El resultado es ¥,(transicién) = V= 4 V. Dado que la fuente de de obviamente se encuentra “presionando™ al diode para permanecer en el estado de circuit cerrado, el volaje de entrada debe ser mayor que 4 V para que el diodo se encuentre en el estado de “apagado”. Cuslquier voltaje de entrada menor que 4 V da ri como resultado un diodo en circuito cerrado, Para el estado de circuito abierto, la red aparecers como se muestra en Ia figura 2.88, donde vy = ¥;. Al completar el dibujo de v, resulta Ia forma de onda de la figura 2.89. v v0 poe ee oe ve Figura 2.87, Dererminacién de wansicion para ol ejemplo 2.22 Figura 2.89. Dibujo de vo para el ejemplo 2.22 —_—_ Pora examinar los efectos de Vp en el voltae de salids, et siguiente ejemplo especificar, en Iugar de un diodo ideal equivalente, un diodo de silico. 2.9 Recortadores 85Recortadores simples en seri (diodos idestes) EJEMPLO 2.23 Repita el ejemplo 2.22 empleando un diodo de silicio con Vp = 0.7 V. = e NEGATIVOS POSITIVos Solucién ltaje de transici6n se puede determinar primero aplicando la condicién ij = 0 A cuiando 1a = Vo = 0.7 V y obteniendo la red de la figura 2.90. Al aplica la ley de voltae de Kirch hoff alrededor de la matla de sade en dreccidn de las manecillas del rele, encontramos que i yt Vy-V=0 y y= V=Vp=4V~0.7V=33V (Reov = ~th-¥) Ve BO), + Figura 2.90 Determinacion del . AV vel de tsansicion par la ced de % Ye _—— ee oe oo + Para los voltajes de entrada mayores que 3.3 V, el diodo serd un circuito abierto y v, = vy. ” R % aN Para los voltajes de entrada menoes que 3.3 V, el diodo estard en estado “encendido” y daca | . Sy vE AY como resultado la red de Ia figura 2.91, donde o-— ° : 4V-07V ' =h-¥) ales) + Figura 2.91 Determinacion de - att el diode de Is figura 285 en e175 dest “encendido I La forma de onda de salida resultante esté en la figura 2.92. Observe que el tnice efecto de Vz fue el de la cafda det nivel de transicién de 4 Va 3.3, Figura 2.92 _Dibujo de v. pa | ° ie ss el gjempla 223 SS i No hay duda de que al incluir os efectos de V; complicarfamos un poco el andliss, pero ‘una vez que el antlisis se ha entendido con el diodo ideal, el procedimiento, incluyendo tos efectos de Vz, no habré tal dificultad, vr Malolval Resumen i % 7 cyt a Vopmese 2 Una varied de recortadores en sere y en paaleto, con la sald resultant para a entrada se- ee een nodal se proporciona en la figura 2.93. En particular, observen la respuesta de la iiltima con- Figuracién, con su habilidad para recortar una seccin positiva y una negativa como lo deter- Figura 2.93. Circuitos recortadores mina la magnitud de las fuentes de de Capitulo 2 Aplicaciones de diodes 29 Recortadores 87Figura 2.95 Diodo “encendido” y-el capacitor cargando a V vols Figura 2.96 Deterininacion de v, con el diodo “apagado" avl— Figura 2.97 Dibyjo de », para la red de la figura 2.94 88 2.10 CAMBIADORES DE NIVEL La ted cambiadora de nivel es aquella que “cambia” una sefial 2 un nivel diferente de de. La red debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo, pero ésta puede también emplear tuna fuente independiente de de para introducir un desplazamiento adicional. La magnitud de R YC debe elegirse de tal modo que la constante de tiempo t= RC sea fo suicientemente grande como para asegurar que el volts a través del capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en que el diodo no esti conduciendo. A través del andlsis supondremos gue para todos los propésitos préeticos el capacitor cargaré o descargard completamente en cinco constanies de tiempo. La red de la figura 2.94 cambiard de nivel la sefal de entrada al nivel cero (para diodos ideales). La resistencia R puede ser la resistencia de carga o una combinacién en paralelo de la resistencia de carga y una resistencia disefiada para proporcionar el nivel deseado de R. Figura 2.94 Camblador de vel Durante el intervalo 0 —> 7/2 ts red apareceré como lo muestre la figura 2.95, con el diodo en el estado “encendido” efectivamente pone en “corto circuito” fa resistencia R. La constante de tiempo RC resultante es tan pequefia (R se determina por la resistencia inherente de la red) que el capacitor cargaré a V volts répidamente. Durante este intervalo el voltaje de salida esté ditectamente a través del corto circuito y v= 0V. Cuando la entrada cambia al estado -¥, la red serd la de la figura 2.96, con el equivalente de circuito abierto para el diods determinado por la sefal aplicada y el voltae almacenado a través del capacitor ~ambos~ “presionando” la cortiente a través del diodo del cétodo al éno- do, Ahora que R regresé a la red la constante de tiempo determinada por el producto RC es suficientemente grande como para establever un periodo de descarga St mucho mayor que el periodo 712 —+ 7, y puede astmirse sobre una base aproximada que el capacitor mantiene toda su carga y, por tanto, al voltaje (dado que V = Q/C) durante este periodo, Debido a que v, esté en paralelo con el diodo y con la resistencia, también se puede di- bbujar en una posicién alternativa como fo muestra la figura 2.96. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada daré como resultado =O y vy = -2 El signo negativo resulta del hecho de que Ia polaridad de 2V es opuesta a la polaridad definida para y,, La forma en onda de resultante en la salida aparece en Ia figura 2.97 junto con 4a sefial de entrada, La sefal de salida se cambia de nivel a 0 V para el intervalo 0 a 7/2 pero ‘mantiene la misma excursién de voltaje total (2V) de la misma forma que ta entrada. Para la red cambiadora de nivel: -V-v La excursion total de la salida es igual a la excursion total de la senal de entrada. Este hecho es una herramienta excelente de verficacién del resultado oblenido, En general, los pasos siguientes pueden ser tiles cuando se analizan redes cambiadoras de nivel: 1, Comenzar el andlisis de redes cambiadoras de nivel constderando la parte de la se ftal de entrada que polarizara directamente al diodo. El enunciado anterior puede requerir del saltarse un intervalo de la sefal de entrada (como se demuestra en el ejemplo siguiente), pero el ansisis no se extenders mediante una medida in- necesaria de investigacién. Capitulo 2 Aplicaciones de diodes 2. Durante el periodo en que et diodo esté en el estado “encendido”, suponer que el capacitor cargard instantdneamente al nivel de voltaje determinado por la red. 4. Suponer que durante el periodo en que el diodo estd en el estado “apagado” el capacitor mantendrd su nivel de voltaje establecide 4. A través del andlisis mantener una conciencia continua de ta localizacién y de la polaridad de referencia para vp para asegurar que los niveles apropiados para vo se obtienen. Tener en mente la regla general de que la amplitud de la salida total debe coincidir con la amplitud de ta senal de entrada. Determine v, para la red deta figura 2.98 para la entrada indicads, Figura 2.98 Senal aplicada y red del ejemplo 2.24 sistencia R no se encontrari en corto ci dc vvalente de tal poreién de Ja red que incluye la bateriay la resistencia resultard en Ryy efecto sobre v,, Al uplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla exterior de la red resulta ducto RC y tiene la magnitud: EJEMPLO 2.24 Solucién Observe que la frecuencia es de 1000 Hz, con lo que se provoca un periodo de I ms y un intervalo de 0.5 ms entre niveles. El andlisis empezard con el periodo t) — de la trada, dado que el diodo esté en su estado de circuito cerrado como lo recomend el comen: I de en. tario I. Para este intervalo fa red aparecerd como se muestra en la figura 2,99, La salida esté cE a través de R, pero ésta se encuentra también directamente a través de la bateria de.5 V sius- gf ae ted sigue la conexién directa entre las terminales definidas para v, y las terminates de la ba- ve + fa, Bl resultado es v, = 5 V para este intervalo, Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al- : rededor de la malla de entrada dard como resultado: rv +7 RQi0K0 % -20V +Ve-SV=0 Ve = 25V on de Figura 2.99 Determin El capacitor, por tanto, eargaré a 25 V, como Jo afirma el comentario 2, En este caso Ia te con el dio en el esado vito a causa del diodo, pero un circuito Thévenin equi- —“encendido” 0Qcon V = 5. Para el periodo > f la red apareceré como to muestra la figura 2,100. " El equivalente de circuito abicrto para el diodo evitard que la baterfa de 5 V ejerza algdin +10V +25V~ v= 35V La constante de tiempo de la red de descarga de la figura 2,100 se determina por el pro- a ‘con el diodo en el estado ado" 7 = RC = (100 k1)(0.1 pF) = 0.01 s = 10 ms El tiempo total de descarga es por fo tanto 5¢ = 5(10 ms) = 50 ms. 2.10. Cambiadores de nivel 89Figura 2.101 bisdor de nivel Dado que el intervalo fy» t, s6lo durard 0.5 ms, &te es ciertamente una buena aproximacién, de que el capacitor mantendr su voliaje durante et periodo de descarga entre los pulsos de la sefial de entrada, La salida resultante aparece en ia figura 2.301 con la sefial de entrada, Ob- serve que la amplitud de salida de 30 V coincide con fa amplitud de entrada como se advier- teen el piso 5, Figura 2.102 Detetminacion de voy Ve-eon el diedo en et estado encendito™ 90 Repita el ejemplo 2.24 empleando un diodo de silicio con V; = 0.7 V Solucién Para el estado de cirouito cerrado [a red ahora toma el aspecto de la Figura 2.102 y vse podr determinar por la ley de-voltaje de Kirchhoff en la seccion de salida, +5V.-07V -¥,=0 y w=5V-07V=43V Para la sevcidn de entrada, fa ley de voltaje de Kirchhoff daré como resultado: -20V + Ve + 0.7V -5V=0 y Vo = 25V-0.7V =243V Para el periodo fy ty la red ahora tendré el aspecto de la figura 2.103, con el nico cambio del voltaje a través del capacitor. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff resulta: +10V +243 - y v= 343V La salida resultante aparece en la figura 2.104, con lo que se confirma el enunciado de que la amplitud de salida y de entrada son las misma. Figura 2.103 Deerminacion de vy con et diode en estado abierto Capitulo 2 Aplicaciones de diados Figura 2.104 Dibujo de vy pata igora el cambiador de nivel de 2.98 con uz diode de silico, Un gran mimero de circuitos cambiadores de nivel y su efecto sobre Ia seiial de entrada se muestran en Ia figura 2.105, A pesar de que todas las formas de onda que aparecen en la figura 2.105 son ondas cuadradas, las redes cambiadoras de nivel trabajardn igualmente bien para las sefales senoidales. De hecho, un enfoque del andlisis de las redes cambiadoras de nivel con entradas senoidales es el de reemplazar la sefal senoidal por tuna onda cuadrada de los rmismos valores pico. La salida resultante tendrd wna forma envolvente para la respuesta send dal como fo muestra la figura 2.106 para una red que aparece en la parte inferior derecha de Ia figura 2.105. Ts ee i eS LJ LL t 7 TWh HL Figura 2.105 Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (St = SRC 8 172) 2.10 Cambiadores de nivel oh 9o1VV | 20 Figura 2.106 Red cambiadors de nivel con une encreda senetdst 2.11 DIODOS ZENER E] anzlisis de las redes que emplean los diodos Zener es muy similar a aquel que se aplicé al anilisis de los diodos semiconductores en las secciones previas, En primer lugar, el estado del dioda debe determinarse seguido por una sustitucién del modelo apropiedo y una determing- cin de las demés cantidades desconocidas de la red. A menos que otra cosa se especitique el modelo Zener a emplearse en el estado “encendido” seré como el que muestra la figura 2.107a, Para el estado “apagado” como lo define un voltaje menor que Vz pero mayor que OV con la potaridad indicada en ta figura 2.107b, el equivaente del Zener es el circuito abier. to que aparece en Ja misma figura, + |. + 4 : -F — ey ae Se ands fe pel eats “ce” ‘ween’ (GM pa) ape @ o gad’ : Viy R fijas Las redes més simples con diodo Zener aparecen en la figura 2.108. Bl voltae de de aplicado es fijo, como loes la resistencia de carga. El andlisis puede fundamentalmente dividirse en dos tapas. 1. Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminacién de la red y por me- dig del céleulo del voltaje a través del circuito abierto resultante Alaplicar el paso 1 ala red dela figura 2.108 dard como resultado la red de fa figura 2.109, donde una aplicacién de la regla del divisor de voltaje resultaré en Figura 2.108 Zener. Regulader bésico (2.16) Si V2 Vz, el diodo Zener esté en “encendido” y el modelo equivalente de Ia figura 2.107a puede sustituirse, Si V < Vz, el diodo.esté en “apagado” y la equivalencia de citeuito abierto de la figura 2.107 es sustituida, R, 2. Sustitur el circuito equivalente apropiado y resolver para las incdgnitas deseadas. Para la red de la figura 2.108, el estado “encendido” dar como resultado la red equivalente de la figura 2.110. Dado que los volajes a través de los elementos paralelos deben ser los mismos, encontramos que: Figura 2.109 estado del diodo Zener Determinacién del Qa 92 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos La corriente del diodo Zener se debe detei Kirchhoff, como sigue’ 1ar par una aplicacién de la ley de corriente de e+ he donde hp=-t= La potencia disipada por el diodo Zener se determina por: 2 = Vale (2.19) la cual debe ser menor que la Pzy especiticada para el dispositivo ‘Antes de continuar és particularmente importante notar que el primer paso se emple6 sé. | lo para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener esté en el estado “encendido”, el voltaje a través det diodo no es de V volts. Cuando el sistema se enciende, el diodo Zener “encendera” tan pronto como el voltaje a través del diodo Zener sea de Vz volts, Este entonces “se bloquearé” en este nivel y munca alcanzard el nivel més alto de V volts | Los diodos Zener se utilizan més frecuentemente en redes regidladoras 0 como un voltar | je de referencia, En la figura 2.108 aparece un regulador sencillo disefiado para mantener un nivel de voltae fijo a través de la carga R,. Para valores del voltaje aplicado mayores que los requeridos para “encender” el diodo Zener, el voltaje a través de la carga se mantendré en Vz volts. Si el diodo Zener se emplea como un voltaje de referencia, éste proporcionaté un nivel para comparacién contra otros voltajes. (a) Para la red de diodo Zener de la figura 2.1, determine Vz, Ve. Izy Pz (6) Repita el inciso (a) con Kz = 3 KO. | | + Mem | R Tea Jie ‘ VE I6V ve10¥ RQ12KD Fay = 30m Figura 2.111 Regulador el diodo Zener para el ejemplo 2.26. Solucién (2) ‘Siguiendo el procedimiento sugerido, lared se vuelve a dibujar como lo muestra la figura 2.112. Figura 2.112 Determinacion de V para el regulador de fa figera 2a, 211 Diodos Zener eh 18) * Figura 2.110 equivalente Zener para la EJEMPLO 2.26 del 93 4 mYFigura 2.113 Punto de opera cin resttante pats la ved de Ie gu = 2M. iz (ma) Aplicando ta ecuacién (2.16) resuka RW, __1.2kN(16V) R+R, VRE TIED Dado que V = 8.73 V es menor que Vz = 10 V. ef dicdo esta en el estado “apagado” co ‘io lo. muestran las earacteristicas de la figura 2.113, AL susttur ef equivalente de cireuito abierto dard como resultado la misma red de Ta figura 2.112, donde encontramos que: BV 7 8.73 Ve = Vi — Vi = 16V — 8.73 V = 7.27 h=0A y Pz = Vil, = V0 A) = OW (b) Aplicando la ecuacién (2.16) ahora resultard en: RW; 3kN(16 V) Dado que V = 12 V es mayor que Vz= 10 V, el diodo esté en estado “encendido” y resulta Ja red de la figura 2.114, Aplicando la ecuacién (2.17) resulta v= V,=10¥ y Ve = Vi-V.= 16V~10V=6V lov = VL, con Tea 7 333mA 6v oo e Teg 78m asf que Jg.~ Te [Ecuaci6n (2.18)] = 6 mA — 3.33 mA = 2.67 mA Potencia disipada, Pz = Volz = (10 V)(2.67 mA) = 26.7 mW lo cual es menor que la especificacién Pzyy = 30 mW, & WA iy iG . ley % 3k, Woy Figura 2.114 Red de fs figura 211 en el estado “encendido” V; fija, Ry variable Debido al voltaje Vz, existe un rango especifico de valores de resistencia (y por tanto de corriente de carga) que asegurard que el Zener se encuentre en el estado “encendido". Una resistencia de carga R, demasiado pequefia ocasionard wn voltaje Vz a través de la resistencia de ‘carga menor que Vz, y el dispositivo Zener estard en el estado “apagado”. Capitulo 2 Aplicaciones de diodos Para determinar la resistencia minima de carga de Ia figura 2.108 que encenderé el diode Zener, simplemente se calcula el valor de Ry, que ocasionard un voltaje de carps V, = Vz. Esto es, RV, R+R Resolviendo para R,, tenemos, (2.20) Cualquier val 1d que el diodo Zener se encuentre en el estado “encendida” y que el diodo se pueda recm- plazar por su fuente Vz equivalent La condicién definida por la ecuaci6n (2.20) establece la R,,tofnima pero a cambio especifica laf, maxima como de resistencia de carga mayor que R, abtenido de fa ecuacién (2.20) asegura- 21) Una vez que el diodo se encuentra en el estado “encendido”, el voltaje a través de R perma- neve fijo en Ve = Vi- (2.22) € Ie permanece fijo en Ve z (2.23) La corriente Zenet Ip~ he (2.24) dando como resultado un J, minimo cuando /,, es un méximo y un J méximo cuando J, es un valor minimo dado que fy es constante. Dado que 1, estd limitado a Iz,,como se proporciona en la hoja de datos, afectaré ef ran- g0 de R;_y por tanto J, Sustituyendo Lys, por J, se establece la J, minima como Fh = I~ Nese (2.25) y la resistencia de carga méxima es (2.26) (@) Para ta red de ta figura 2.115, determine el rango de Ry: y-de fz que ocasionan que Vaz se mantenga en 10 V. (b) Determine el valor nominal méximo de Ja potencia en watts del diodo. Solucién (@) Para determinar el valor de Ry, que encenderé el diodo Zener, se aplica la ecuacién (2.20) RV, _ (1RO\IOV) 10K 7 = 250.0 Roa Vi-Vz SOV-10V 40. 2.11 Diodos Zener EJEMPLO 2.27 95bh Figura 2.115 Regulader de vol tnje pata el ejemplo 2.27 El voltaje a través de fa resistencia Besté entonces determinado por la ecuacién (2.22) Vp= Vi~ Vp=50V - 10V =40V 4 la ecuacién (2.23) proporciona la magnitud de Ty: El nivel minimo de f, esté determinado entonces por la ecuacisn (2.25): 1... = Ie ~ lag = 40 A ~ 32 mA = BMA ‘con la ectacidn (2.26) se determina el valor maximo de R;: Una gritica de Vp en fiuncién de Ry aparece en la figura 2.116a y una para V; en funcién de 1,,en la figura 2.1166. 0) Prix = Ve low = (10 V)(32 ma) = 320mW M, ' 1 1 1 © © [Figura 2.116 Vj enfancon de Ry ¢ pra el roulador de fa figura 2.115 Se SES R, fija y V; variable Para los valores fijos de R,, en la figura 2.108, el voltae V; debe ser suficientemente grande co- ‘mo para encender el diodo Zener. El voltaje minimo de encendido V;= V; nie determina por RW, 96 Capitulo 2 Aplicaciones de diados Dado que 1, esti fija en Vz/Ry € Izy el valor méximo de Fz, la ¥; maxima se define por Vis, = Vig + Ve _R + Vz (2.29) Determine el rango de valores de V, que mantendré el diodo Zener de la figura 2.117 en el estado “encendido” Figura 2.117 Regulador po- acl ejemplo 2.28, Solucién _ (Ri, + RYVe _ (1200.0 + 220 0)(20 V) Ecuacién (2.27): V,,, = 23.67 12000 20V a Ren RT Tang 7 1667 mA Ecuacién (2.28): Ip... = ay + 1, = 60 mA + 16.67 mA 16.67 mA Eeuacién (2.29): Vi, = Ie + Ve = (16.67 mA}(0.22 kM) + 20V 6.87 V + 20 = 36.87V En la figura 2.118 se proporciona una grfica de V,,en funcién de Vi Los resultados del ejemplo 2.28 revelan que para la red de Ja figura 2.117 con una Ry f- ja, el voltaje de salida perinaneceria fijo en 20 V para ui rango del voltaje de entrada que se ‘entienda de 23.67 a 36.87 V. De hecho, la entrada podria apasecer como se muestra en la figura 2.119 y la salida de- berfa permanecer constante a 20 V, como lo demuestra a figura 2.118. La forma de onda que aparece en la figura 2.119 se obtiene al fltrar una salida de media onda o de onda completa rectificada; un proceso descrito 4 detalle en el siguiente capitulo. El efecto neto, sin embargo, es el estublecimiento de un voltaje de de estable (para un rango definido de V;) tal como lo ‘muestra la figura 2.118 de una fuente senoidal con un valor promedio de 0. 211 Diodos Zener EJEMPLO 2.28 6 2367 3687 Pigura 2.118 ¥, en funcide de ¥, para el repulador de la figura 2.117, 9798 > cy Diodo Dy no conductor Diode D, wondactor Figura 2.119 Form de onda feherada por una senal 7 FP fieads 2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE Los circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener el voltje pico de un trans: formador relativamente bajo, mientras se eleva el voltaje de salida pico hasta dos, wes, cuatro, ‘© més veces el voltaje pico rectticado. Doblador de voltaje La red de la figura 2,120 es un doblador de voltaje de media onde. Durante el medio ciclo de voltaje postivo a través del transformador, el diado del secundario Dy conduce (y el diodo Dy estd en corte), mientras carga al capacitor Cy hasta el voltaje pico rectificado (Vj). El diodo Dy ¢s idealmente un circuito cerrado, corto, durante este medio ciclo, y el voliaje de entrada carga al capacitor C; hasta V, com la polaridad que se muestra en la figura 2.121a, Durante el medio ciclo negativo det voltaje secundario, el diodo Dy esti en corte y el diodo Dz se encuentra conduciendo y cargando al capacitor C;. Dado que et diodo Ds actia como un circuito ce- trado durante el medio ciclo negativo (y el diodo D, esta abierto), podemos sumar los volta jes alrededor de ta malta exterior (er figura 2.121): ~V~ Ve, + Vo, = 0 ~V~ Vu + Ve, = 0 de Ta cual Figura 2.120 Doblador de voltaje de media onda, Diode D, conductor Diodo D, ro condctor Figura 2.121 Operacion d Iindicando cada media cicio de ‘pperacién (a) medio elo posite o v0; ) Se, Capitulo 2 Aplicactones de diodos En el siguiente medio cielo positivo, ef diodo D; no esté conduciendo y el capacitor Cy descar- de la carga. Si ninguna carga esté conectada a avés del capacitor C2, ambos ¢a- .2V,,. Si, como se pudlera esperar, hay una ca gard a trav pacitores permanecerin cargados: C, a Vy C2 ‘ga concctada a la salids del doblador de voltae, el voltaje através det capacitor Cy caer durante el medio ciclo positivo (a a entrada) y el capacitor se recargard hasta 2V,, darante el medio ciclo negativo. La forma de onda de salida a través del capacitor Cy es la de una sefal de media ‘onda fiftrada por un fitso capacitor. El voltaje de pico inverso a través de cada diado es 2¥,, tro cireuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 2.122, Durante el medio ciclo positivo del voltaje del secundario del transformador (ver figura 2.123a) el diodo Dy conduce cangando al capacitor C, hasta un voltaje pico V,,. El diodo D3 no ests conduciendo en este momento. 3) Figura 2.122 Doblador de vol taje de onda complet, _ No conduciendo D; 2 No conduciendo Condusiendo @ © Durante ef medio ciclo negativo (ver figura 2.1236) el diodo Dy conduce, cargando al capacitor C3, mientras que ef diodo D; no esté conduciendo, Si la carga. no consume corriente del cireuito, el voltae a través de los capacitores C; y Cz es de 2V,,. Si la carga consume corriente del circuito, ef voltae través de los capacitores Cy y Cz es el mismo que a través de ‘un capacitor alimentado por un cireuito fectficador de onda completa. Una diferencia es que la capacitancia efectiva serd Ia de C, y Cy en serie, que es menor a la capacitancia de C, y C3 independientes. El valor menor del capacitor ofrecerd una accién de filtrado més pobre que el circuito de filtro con wn solo capacitor El voltaje pico inverso a través de cada diodo es de 2V,, asf como lo es para el circuito de filtro de capacitor. En resumen, los circuitos dobladores de voltaje de media onda o de onda completa proporcionan a su salida el doble del voltaje pico del transformador secundario, y no se requiere de un transformador con derivacién central sino tnicamente un valor nominal PIV de 2¥,, para los diodos. 2.12 Circuits multiplicadores de voltaje Figura 2.123. Medios c akernos de opsracion pata el Adoblor de voltae de onda completa 99100 Triplicador y cuadriplicador de voltaje La figura 2.124 muestra una extensiGn del doblador de voltaje de media onda, el cual desert lia tes 0 cuateo veces ct voltae pico de entrada, Resbltaré obvio a partir del patrén de la co- nnexidn del circuito, 1a forma en que diodos y capacitores adicionales se pueden conectar de tal forma que el voliaje de salide puede ser de cinco, ses, siete, y asé sucesivameite, veces el voltaje pico bisico (V,) Fs | en >, D; ; Ds AX el ait= Figura 2.124 Tiplicador y cuadripicadot de voltae Durante la operacién el capacitor C; se carga a través del diodo D, hasta un voltaje pico Vp, durante el medio ciclo positivo del voltje secundario del transformador. El capacitor Cy se carga hasta el doble del voltae pico 2V,, desarrollado por la suma de los voliajes a través del capacitor C; y del transformador, durante ef medio ciclo negetivo del voltaje secundario del transformador. Durante el medio ciclo positivo, el diodo Ds conduce y el voltaje a través del capacitor C; carga al capacitor Cs al mismo vollaje pico de 2V,,. En el medio ciclo negativo, los diodos D; y Dy conducen con ei capacitor C3, cargando Cy. a 2Vq, El voltaje a raves del capacitor Cy €5 2Vjp através de Cy y Cy es de 3Vq, y a través de C y Cys de AV, Si se utlizan secciones adicionales de diode y de capacitor, cada capacitor es- {ard cargado a 2V,, La medicién desde Ia parte superior del devanado del transformador (figura 2.124) proporcionaré mailiplos impares de Vs. la salida, mientras que la medicién del voltae de salida desde la parte inferior del transformador ofrecers miltiplos pares del votaje pico Vy, EL valor nominal del voltaje de salida det transformador es solamente V,, a lo maximo, y cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2V,, PIV. Si lx carga es pequetia y los capacitores tienen poca fuga, pueden desarrollarse voltajes de de extremadamente altos ‘mediante este tipo de citcuito, wiizando muchas secciones con el fin de incrementar el vol taje de de 2.13 APLICACIONES PRACTICAS La gama de aplicaciones pricticas para los diodos es tan amplia que serfa vitualmente imposible considerar todas las opeiones en una secci6n. Sin embargo, para desarollaralgtin intr por el uso del dispositive en redes cotidianas, se presentan algunas de las dreas més comunes de aplicacién. En particular, observe que el uso de los diodos se extiende’ mucho mas all de la importante caraeteristica de conmutacién que fue introducida anteriormente en este capitulo. Rectificacion Los cargadores de baterfa son una parte de equipo doméstico comin utilizado para cargar todo tipo de articulos desde baterfas para linternas pequefias hasta las baterfas marinas de larga duraciéa, Dado que todas ellas se conectan a una salida de ac de 120 V como tas encontradas cen el hogar, la construccién hisica de cada una ellas es muy similar. En cualquier sistema de carga se debe incluir un sransformador para reducir el voltaje de ac a un nivel apropiado pas Capitulo 2 Aplicaciones de diodos rael nivel de de que se requiere. Un arreglo de diodos (también lamado rectificador) debe in- que se descrbic en este capitulo. Algunos cargadores de de incluirén también un. repulador para proporcionar un nivel de-de mis adecuado (que varie menos con el tiempo o la carzs). Dado que el cargador de baterfa de un‘auto es iano de los més comunes, serd descrito en fos “eet exter y a consi intema del Card de Batra Manual Sears 62 AMP se muestra en la figura 2.125. Observe que en la figura 2.125 el transformader (como en Ia mayoria de los cargadores) ocupa la mayor parte del espacio interno, El espacio libre adicional y los huecos en la cubierta son para asegurat la disipacién del calor que se desarco lard debido a los niveles de cortiente resultantes. Interruptor autoratico ‘Contiguracion © del recificador Interuptor de contcl 2.13. Aplicaciones practicas Figura 2.425. Cargudor de Taner: (4) aspecto externa) (B) construccin interna 101102 BB esquema de fa figura 2.126 incluye todos los componentes bisicos del cargador. Obser= ve primero que los 120 V del enchufe se aplican directamente a través del primario del transformador. Un valor de carga de 6 Ao de 2A se selecciona por medio de un interruptor, que simplemente controla cuinios devanados del primario habré en el cizcuito para el valor de car~ 21 seleccionado, Si la bateria se encuentra eargando al nivel de 2 A, el primario completo se conectari en ef circuito y la relacidn de las Welt en el prima a las vueltas del secundario sera maxima, Si ésta se encuentra cargando al nivel 6 A, menos vueltas del primario se conee- tarén en el circuito, ¥ 1 proporcién cacti, Cuando se estudian los transformadores, se encuentra que el voltaje en el primario y en el secundario esté relacionado directamnente con la rela cin de weltas. Si la proporcién del primario al secundaria se reduce, entonces el voltaje ‘también, El efecto inverso ocurre si fas vueltas en el secundario exceden a las del primario, coma psti Diodos el cargador (meee) ce ‘rao et 2 emule vali ide cizcuito ‘corriente Conector negativo, Sscbe Figura 2.126 Esquema eléctrico del cargador de baterias dela figura 2.125, Bl aspecto general de las formas de onda se muestran en la figura 2.126 para el nivel de carga de 6 A. Observe que hasta ahora el voltaje de ac mantiene la misma forma de onda a través del primario y el secundario. La Unica diferencia esta en el valor pico de las formas en ‘onda. A continuacién, los diodos convierten la forma de onda de ac, la cual tiene un valor pro- redio de cero (Ia forma de onda superior es igual als forma de onda inferior), a una que posee un valor promedio (todo sobre el eje) como lo muestra le misma figura. Por el momento hay que reeonocer simplemente que los diodos son dispositivoseleetrénicos que permiten que sélo corriente convencional fluya a través de ellos en la direccicn indicada por la flecha en el simbolo. Aunque las formas de onda resultantes de la acciGn det diodo tienen un aspecto de ppulso con un valor pico de cerca de 18 V, éste cargaré la baterfa de 12 V-mentras su vallaje sea mayor que el de la baterfa, como lo muestra el érea sombreada. Por debajo del nivel de 12 V la bateria no puede descargarse a través de la ted de carga debido a que los diodos permiten el flujo de corriente en una sola diteccién, En particular, observe en la figura 2,215b ta gran placa metéica que conduce la corriente de la configuracién de rectificacisn (diodos) a. ta terininal pestiva de carga de ta bateria, Su propésito principal es proporcionar un disipador de calor (concentea et calor y lo disipa hacia el aire circulante) para la configuracién de diodos. De otra forma los diodos eventualmente se derretnfan y autodestruifan debido a los niveles de cortienteresultantes. Cada componente de le figura 2.126 se ha etiquetado cuidadosamente en la figura 2.125b para referencia, Cuando primeramente se aplica corriente a una baterfa a una carga nominal de 6 A, el consumo de corriente como Jo indica el medidor en la parte frontal del cargador se puede elevar hasta 7 A 0 casi 8 A. Sin embargo, el nivel de corriente se reducié a medida que Ia bateria se cargue hasta legar a un nivel de 2 A 0 de 3A, Para unidades como ésta que no cuentan con Capitulo 2 Aplicaciones de diodos tun apazador automitico, es importante desconectat el cargador cuando se Hega al nivel de carga completo; de otra forma, la baterfa se podria sobrecargat y dafiar. Una bateria que se en- ‘cuentra en un nivel de carga de 50% puede tomar hasta 10 horas para cangarse. asf que no espere que sea una operacién de 10 minutos. Ademés. si la bateria se encuentra en muy malas condiciones presentando un voltaje més bajo que el nosmmal, la cortiente inicial de.carga podria ser demasiado afta para el disefio. Como proteceién para tales situaciones, el interruptor automético de circuito se abriré y detendrs et proceso de carga, Debido a los altos niveles de ccortiente, es importante que las instrucciones proporcionadas con el cargador se lean y epli- ‘quen cuidadosamente. En un esfuerzo por comparar ef mundo tedrico con ef mundo real, se aplicd una carga (un reflector) al cargador para poder observar ts forma de onda seal del voltaje de salids. fs importante observar y recordar que un diodo a través del cual no circula corriente no mos- trard sus capacidades reetificadoras. En otras palabras, la salida del cargador de la figue 14 2.125 no serd una sefial rectificada a menos que se aplique una carga al sistema, para que circule una corriente a través de los diodos. Recordar de las earacteristicas del diodo que cuando In= 0A, Vp = OV. ‘Sin embargo, al aplicar el reflector como una carga, una coriente suficiente cirevla a tre- és del diodo, para que se comporte como un interrupior y convierta a la forma de onda de ac a una de de pulsante como se muestra en la figura 2.127 para la opcidn de 6 A. Observe que Ta forma de onda esté ligeramente distorsionada por las caracteristicas no lineales del transformador y por las caracteristicas no lineales que presenta el diodo a corrientes bajas. La for- ‘ma de onda, sin embargo, esté cercana a lo que se espera cuando la comparamos con los pa- trones te6ricos de fa figura 2,125. Bl valor pico se determina a partir de la sensibilidad vertical como Vpico = (3.3 divisiones)(5 V/divisiones) = 16.5 V. con un nivel de de de Vue = 0.636V ping = 0.636(16.5 V) = 10.49 V Un medidor de de conectado a través de la Carga registra 10.41 V, lo que es muy cercano al nivel promedio te6rico (de) de 10.49 V. | swe oh . + nivel Figura 2.127 Resp ple caged og 2.126 ate — aplercldnde un for como a 2 me cing Se puede especular a cerca de e6mo un cargador que tiene un nivel de de de 10.49 V puede cargar una baterfa de 12 V a un nivel tipico de 14 V. Es simplemente cuestién de darse ‘cuenta de que (como lo muestra la figara 2.127) durante la mayor parte de eada pulso, el voltaje a través de fa baterfa seré mayor que 12 V y que la baterfa estaré cargando —un proceso llamado carga lenta, En otras palabras, le carga no ocurre durante el ciclo completo, sdio cuando el voltae de carga'es mayor que el voltaje de la baterfa, Configuraciones para proteccién Los diodos se usan en una gran variedad de formas para proteger elementos y sistemas de vo- lujes o corrientes excesivos, inversiones de polaridad, formaciones de arco y coms cicuitos, por rmencionar algunos, En Ia figura 2.1288, el interrupior de un circuito simple R-L se ha cerrado, yy lacorriente se elevaré a un nivel determinado por el voltaje aplicado y por la resistencia en serie R como lo muesta la grifica. Los problemas pueden surgir cuando el interruptor se abre ri pidamente como en la figura 2.128b para “decir” esencialmente al circuito que la cortiente debe caer a cero casi instantaneamente. Sin embargo, usted recordard de sus cursos basicas de circu 2.13 Aplicaciones practicas 103a yh + gy Figura 2.128 (x) Fase ransitoria de-un ciculto RL simple, &) arco que re traves del interruptor cuanéo esa abierto en sete cen un eiteuto RL tos que la bobina, el inductor, no permitiré un cambio instanténeo en fa coriente. Por lo tant, resultaré un conflict en la forma de un arco a través de los contactos del interptor cuando le bbobina trata de encontrar una trayectoria de descarga, También recuerde que el voltaje a través del inductor ests directamente relacionado a la tasa de cambio en la comiente a través del deva: nado (v, = L diz dt). Cuando ef interruptor se abre trata de hacer que In cortiente camiie casi instanténcamente, causando que se desarolle un voltaje muy alto a través de la bobina que des- pués aparecers através de los contactos para establecer el arco, Ya que se pueden desarrolarni- veles de voltaje en magnitudes de millares de volts a través de los contactos del interuptor, es tos serén muy pronto, sino inmiediatamente, daiiados y por lo tanto también el interruptor. El «efecto se conace como “impulso inductivo”. Observe también que la polaridad del voltaje a tra vés de la bobina durante la fase de “construccién’” es opuesta a la que existe durante la fase de “iberacién”, Esto se debe al hecho de que la cortiente debe mantener la misma direccién antes y después de que el interruptor se abre. Durante la fase de “construccién”, la bobina aparece como una carga, mientras que durante la fase de liberacién, ésta tiene las caracterfsticas de una fuente, En general, por lo tanto, siempre hay que tener en mente que tratar de cambiar la corriente a través de un elemento inductivo demasiado rapido puede dar como resultado un impulso inductivo y esto puede daiar « los elementos Circundantes o al sistema mismo. En la figura 2.129a la red simple anterior puede estar controlando la accién de un relevador, Cuando el interruptor se cierra, ta bobina se energizari, y el nivel de corriente en estado de equilibrio se establecers, Sin embargo, cuando el interruptor se abre para apagar la red, tenemos el problema que se present6 anteriormente debido a que el electromagneto que controla Ia acci6n del relevador aparecerd como un devanado para la red. Una de las formas més eco- k A a Zio, |= ‘0.01 HF FRetevador —V R T YO call Amorigoade C= 001 uF ® ® © Figura 2.129 (3) Caracteristcas inductivas de un relevador;(b) protecciin de amortiguad ) ian de amortiguador para a configuracion de la figura 2.129 a; () proteccion capactiva para un interruptor 104 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos némicas pero mis efectivas de proteger el sistema de interrupeidn es Ia de colocar un capacitor (llamado “amortiguador”) a través de las terminates de Ia bobina, Cuando el interruptor se bre, el capacitor inicialmente aparecerd como. un corto para Ia bobina y proporciona una trayectoria de “desvio” para fa corriente de la bobia, la fuente de de y et interruptor. El capacitor tiene las caructeristicas de un corto (muy. baja resistencia) debido @ tas caracteristicas de alte frecuencia del voltaje de sobrecarga como lo muestra la figura 2.1286, Recuerde que Ia reactancia de un capacitor se determina por X= 1/2 1 fC. de forma que entre mayor ¢s la frecuencia, menor es la resistencia. Normalmente, debido a los altos voltajes de sobrecarga y a su telativo bajo costo, se utilizan los capacitores de cerémica de cerca de 0.01 UP. Usted no ddeseard utilizar grandes capacitores debido a que el voltaje a través del capacitor se acumu- lari muy lentamente y retrasarfa esencialmente et desempefio del sistema, La resistencia de 100 £2 en serie con ef capacitor se introduce solamente para limitar la cortiente de sobrecar- que resulta cuando un cambio de estado la demanda. Muchas veces, la resistencia no apa~ rece debido a la resistencia interna de fa bobina que se establece mediante muchas vueltas de alambre fino, En ocasiones. usted puede encontrar el capacitor a través del interruptor como se muestra en la figura 2.129c, En este caso, las caracterfsticas de corto del capacitor a altas frecuencias librardn de Je cortiente a Tos contactos del interruptot lo que extenderd su vida, Recuerde que el voltae a través del capacitor no puede cambiar instanténeamente. En general, por tanto, los eapacitores en paralelo con elementos inductivos o a través de interruptores estin generalmente ahf para actuar como elementos de protec ‘como unos elementos eapacitivos tipicos de red. Finalmente, el diodo se usa muchas veces como un dispositivo de protecci6n para situa~ ciones como las anteriores. En la figura 2.130, un diodo se ha colocado en paralelo con el elemento inductivo de un relevador. Cuando el interruptor se abre o la fuente de voltaje se desa- copla répidamente, la polaridad del voltaje a través de Ia bobina es tal que encenderd el diodo y condiuciré en la direccién indicada. El inductor tiene ahora wn camino de conduccién a tra +vés del diodo en lugar de a través de la fuente y del interruptor, protegiendo por tanto a ambos. Dado que la corriente que se establecié a través de la bobina ahora debe circular directamente a través del diodo, éste debe ser capaz de soportar el mismo nivel de corriente que circulaba a través de la bobina antes de que el interruptor se abriera, El ritmo al cual la corriente se colapsa Ia controlarin la resistencia de fa bobina y el diodo. Este puede reducirse si se coloca una resistencia adicional con el diodo. La ventaja de la configuracién del diodo sobre la del amortiguador es que la reacci6n y el comportamiento del diodo no son dependien- tes de la frecuencia, Sin embargo, la proteccién oftecida por el diodo no funcionaré si el vol- tuje aplicado es alterno como el caso de ac o el de una onda cuadrada, debido a que el diodo solo conduciré para una de las polaridades aplicadas, Para tales sistemas alternantes, el arteglo del “amortiguadoe” podria ser la mejor opeién, 7 —_ b aie Dido de Rolevador protecei6n + Figura 2.130 Protecion por iodo para un eircuito RL En el capttulo siguiente encontraremos que la unin base-a-emisor de un transistor esté polarizada ditectamente. Esto es, el voltaje Vpe de la figura 2.131a seré de cerca de 0.7 V positivo. Para prevenit una situacién en la que la terminal del emisor pudiera haverse més po tiva que fa terminal de la base por un voltaje que podria daftr a transistor, se afade el diodo rmostrado en la figura 2.131, El diodo evitard que el voltaje de polarizacién inverso Vig exceda 2 0.7 V, Ocasionalmente, usted podré encontrar también un diodo en serie con la termina} del colector de un transistor como lo muestra la Figura 2.131b. La accién normal del tran- 2.13. Aplicaciones practicasre 4 © Tanssor : 5 % Figura 2.131 (2) Prowecciin por diodo pars limitar el vltse de emisorachase de un Uuansistor.(b) proteccion por éiodo para prevenit una inversion de la comerte calectora sistor requiere que ef colector sea ms positivo que ta terminal de la base 0 del emisor para poder establecer una corriente de colector en la direccidn mostrada, Sin embargo, si se presenta una situacién donde la terminal del emisoro de la base se encuentren a un potencial mayor que el de la terminal del colector, el diodo evitard la conduceién en la direccién opuesta. En general, por tanto, los diodas se utilizan muchas veces para evitar que el veliaje entre dos puntos exceda 0.7 V 0 para impedir a conduccidn en una direccion en particular. ‘Como se muestra en Ia figura 2,132, los diodos son frecuentemente utilizados en Tas terminales de entrada de sistemas tales como amplificadores operacionales (capitulo 14) para li- ama a Amplificadar “opercions ony airs - alta impedaneia ~ 400 mV de entrada =700mV i _ 700 80 mv Figura 2.132 Control por diodo de le amplitude entrada para un amplificedor ‘operscional o para una red de alta impedancia de entada, 106 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos o Figura 2.133 (a) Aspectos alternativos para la red de la figura 2.132; () fijacion de niveles aleatorios de control par medio de fuentes de de separadas. ‘mitar la amplitud del voltaje aplicado. Para el nivel de 400 mV Ia sefial pasard sin problema las terminales de entrada del amplificador operacional. Sin embargo, si el voltaje sata a un nivel de I V, los picos positivos y negativos seran recortados antes de que se presenten en Tas terminales de entrada del amplificador operacional. Cualquier voltaje recortado se presentara a través de la resistencia en serie R,, Los diodos para control de la figura 2.132 se pueden dibujar también como to muestra la figura 2.133 para controlar la sefial que aparece en las terminales de entrada del amplificador ‘operacional. En este ejemplo los diodos actian ms como elementos conformadores que como limitadores como lo muestra la figura 2.132. Sin embargo, el punto es que la colocacion de los elementos puede cambiar, pero su funcion puede seguir stendo la misma. No espere que todas las redes se presenten exactamente como usted las est did por primera vez, En general, por tanto, no asuma simplemente que siempre los diodos se uttizan como interruptores. Existe una amplia variedad de wsos para el diodo ya sea como dispositive de pro- teecién o como limitador. Aseguramiento de polaridad Existen numerosos sistemas que son muy sensibles a la polaridad del voltae aplicado. Por ejemplo, en la figura 2.134a, se asume por el momento que existe un pieza de equipo muy 2.13 Aplicaciones pritcticas bh 107—— 108 ils) 2+ Diowo de protectin de polatidad iodo aierto cera que podria defiarse si se apica una polaridad incorrect. En la figura 2,34b se muestra la aplicacién correcta de Ia polridad ala izquierda, Como resultado de esto, el diodo esta en po- Jasidad inverss y el sistema trabaja bien —el diodo no tiene efecto, Sin embargo, sila pola- Fidad incorrecta se aplica como se muestra en fa figura 2.134c, el dindo conduciséy asegura- 4 que no se presenitarin mas de 0.7-V a través de ls terminales del sistenia— protegigndolo de los vollajes excesivos de una polaridad incorrecta. Para cualquier polaridad, la diferencia entre el voltaje aplicado y el voltaje de Ia carga 0 del diodo, aparecerd a través de la fuente en serie 0 de la resistencia de la red pony Dido conduciendo @) i) © Figura 2.134 (a) Proteccidn de polardad para una pleza de eq Se y ea : 2a de equipo sensible y cae (@) polaridad comtectamente aplicada; fc) aplicacién de le polaridad incorteta En la figura 2.135 un medidor sensible de movimiento no puede soportar votajes de polaridad errénea mayores a 1 V. Con este simple disefo el dispositvo sensible de movimiento estd protegido de los voltjes en polaridad errénea de mas de 0.7 V. ara movimiento a Polardad definida sensible ) Figura 2.135 Proteccisn pera un medidor sensible de © isto ronsctin — Rovmiene Respaldo de baterias controlado En numerosas situaciones wn sistema debe tener una fuente de alimentacién de respaldo para asogurar que el sistema seguird operando en caso de pérdida de potencia, Esto es especialmente cierto para sistemas de seguridad y sistemas de iluminacién que deben encenderse durante ‘una falla del suministro. Es también importante para cuando un sistema como una computadora o un radio se desconectan de st fuente de conversién de potencia de ac-a-de para lo- agrar una forma portétil, En la figora 2.136 el radio de automévil de 12 V que opera a partir de la fuente de alimentacin de 12 V, tiene un sistema de respaldo con una bateria de 9 V en un pequefio compartimiento en la parte trasera de la radio, listo para tomar la funcién de guardar el modo del reloj y los canales almacenados en las memorias cuando el radio se retira del caro, Con los 12 V disponibles del carro, D, se encuentra conduciendo, y el voltgje en el radio sera aproximadamente de 11.3 V. Dz esté en polaridad inversa (cireuito abierto), y la bateria de respaldo de 9-V dentro del radio esté desconectada. Sin embargo, cuando el radio se Se desconecta B, Shona electrics Ba ny ye | Figura 2.136 Sistema de ts oS” y paldo dsetado para preveit soo st perdi de memoria en un radio de automovl cuando el radio = Radio delwio retia del auto Capitulo 2 Aplicaciones de diodos retira del carro, Dy ya no conducirs més, debido a que Ia fuente de 12 V ya no esté disponi ‘le para polarizae directamente al diodo. No obstante, Dy se encontraré potarizado directamente por la beteria de 9 V, y el radio continuarg recibiendo cerca de 8.3 V para mantener la me mora que elmacens Tos moxos del retoj y ta seleccién de canates, Detector de polaridad A través del uso de LEDs de diferentes colores, Ia red sencilla de fa figura 2.137 puede utili zase para verificar la polaridad en cualquier punto de una ted de de. Cuando la polaridad es como le indicada para los 6 V aplicados, la terminal superior es positiva, D, conducira a tra- ‘és del LEDI, y encenderd una luz verde. Tanto Dy como el LED? se encontrarsn en potari- 2acién inversa para la polaridad anterior, Sin embargo, si la polaridad en la entrada se invier te, Dry el LED? conducirén y encenderé una lu roja, definiendo a la terminal superior como 1s terminal con el potencial negative. Parecerfa que la ted trabajaria sin los diodos Dy y Ds Sin embargo, por lo general, no es bueno polarizar en forma invetsa a los LEDs debido a la Sensibilidad que adquieren en su fabrieaciOn durante el proceso de dopado. Los diodos Dy y D; ofrecen tna condicién de circuito abierto en serie que propotciona cierta protecciGn a os LEDs. Ein el estado de polarizacidn directa, los diodos adicionales D, y Dz reducen el voltaje através de los LEDs hasta niveles de operacién mas comunes Verde Figura 2.137 Detector de polaridad mediante locos y LEDs Oferta de larga vida y durabilidad Algunas de las principales preocupaciones con e'uso de bombillas de luz eléctricas en las se- ‘ales de salida son su Vida fimitada (requiriendo reemplazo frecuentemente); su sensibilidad al ealor, fuego, etcétera; su factor de durabilidad cuando ocurren accidentes catastr6ficos, y su alta demanda de voltae y potencia. Por esta raz6n, los LEDs son muchas veces utilizados para proporcionar un periodo de vida més largo, niveles de durabilidad més altos y una deman- dade niveles de voltae y de potencia mas baja (especialmente cuando se uiliza el sistema de respaldo de de de baterfas). En la figura 2.138 una red de control determina cuando una sefial de EXIT (seal en inglés para indicar la salida) deberé encenderse. Cuando se encuentra encendida, todos los LEDS en serie estarin encendids, y el aviso de EXIT estard completamente ituminado, Obviamente, si de los LEDs se funde 0 se rompe, la seccién completa se apagurd, Sin embargo, esta situ puede mejorarse mediante la simple colocacién de LEDs en paralelo entre cada dos puntos. Si se funde uno, adn se tend la otra ruta paralela. Los diodos en peralelo reducirén, por supues- to, Ia corriente a través de cada LED, pero dos a un nivel bajo de corriente pueden tener una hu- EXIT Lite para ma bajos nov se Todos son LEDS rojas Figura 2.138 Letreto de EXIT (SALIDA) utiizando LEDs. 2.13 Aplicaciones practicas 109110 rminiscencia similar a a de uno a] doble de comiente. A pesar de que el voltae aplicado es de ac, Io que signifiew que los diodos encenderdn y apagarin al oscilar el votaje a 60 Hz entre positivo y nepativo, la persistencia de los LEDs proporcionard una luz stable para la seal Fijacion de los niveles de voltaje de referencia Los diodos y los Zeners se pueden utilizar para fijr niveles de referencia como se muestra en la figura 2.139. La red, a través del uso de dos diodos y un diodo Zener. esta proporcionando tres diferentes niveles de voltae. Figura 2.139 Suministro de ce rentesniveles de referencia lle indo diodos Establecimiento de un nivel de yoltaje insensible a la corriente de carga ‘Como un ejemplo que claramente muest la diferencia entre una resistencia y un diodo en una red de divisor de voltae, considere la situacin de la figura 2.140a, donde una carga requiere cer- cade 6 V para operar apropiadamente, pero una bateria de 9 V es todo fo que tenemos disponible, Por ef momento asumizemos que las condiciones de operacion son tales que In carga tiene una resistencia interna de | KO. Utilizando la regla del divisor de voltae, podemos.fécilmente determinar que-la resistencia en serie debe ser de 470 (2 (valor comercialmente disponible) co- smo se muestra en fa figura 2.1406, El resultado es un volaje através de la carga de 6.1 V, una situaeién aceptable para la mayoria de las cargas de 6 V, Sin embargo, si las condiciones de ope- raci6n de la carga cambian y la carga ahora tiene una resistencia intema de s6lo 600 22, el volta- §e de carga eaerd a cerca de 4.9 V,y el sistema no operaré corectamente. Esta sensibilidad a la resistencia de la carga puede eliminarse conectando custo diodos en serie con Ia carga como se ‘muestra en la figura 2,140e. Cuando los cuatro diodos conducen, el voltaje de la carga sera de pe Po ote x . 4700 a tv ov Se , ane v voritle | ke | = - a Ag TER Vas rian = oY i a . « ® 40.7 V~ 407 V- +07 V-+0.¥~ 62. (Con R= 1kA0 6000) © Figura 2.140 (2) {Como manejar una carga de 6 V con una fuente de 9 V2; (b) median- ten valor de resistencias fis; (c) mediante una combinacion de diodos en sere Capitulo 2 Aplicaciones de diodes cerca de 6.2 V, independieotemente de ls impedancia de carga (dentro de los limites del disposi tivo, por supuesto); la sensitividad a las caracteristicas de la carga cambiante ha sido eliminadn Regulador de AC y Generador de Ondas Cuiadradas Dos Zeners conectados con polaridades opuesias, respecto al voliaje de alsnenticion, pueden también usarse como un regulador de ac como se muestra en fa figura 2.14 1a, Para la sefial senoidal ve circuito apareceré como muestra la figura 2.14tb en el instante en que v, = 1OV. La regi6n de operacién de cada diodo se indica en la figura adjunta. Observe que Z, se encuentra en una regién de impedsncia baja, mientras que la impedancia de Z, es muy grande, correspon- diendo con la representacign de cicuito abierto. El resultado es que v;, = v; cuando v,= 10 V. La entrada y Ia satida se continuaré “siguiendo” hasta que»; aleanza -20 V. Z: entonces se “encenderd” (como un diodo Zener), mientras que Z se encontrard en una region de conduccién con un nivel de resistencia suficientemente pequefo, comparado con Ia resistencia en serie de 5 KO, como para ser considerado un circuito cerrado, La Salida resultante para el rango comple to de v, se proporciona en la figura 2.14La. Observe que la forma de onda no es puramente senoidal, pero su valor rms es mentor que el asociado con una seal de pico completa de 22 V. La ted efectivamente limita el valor rms del voltae disponible. La red de la figura 2.1412 puede extenderse hacia la de un simple generador de ondas cuadradas (debido a Ia acci6n recortadora) si la sefal v, se increinentara a quizé un pico de 50 V con Zeners de 10 V como lo muestra Ia fi- ‘pura 2.142 con la forma de onda resultante, © Figura 2.141 Regulacion senoidal de ac: (a) regulaor de ac sencidal de 40.V pico a pico; (b) opetacion def eieuito cuando ¥, = 10 V. ‘N Figura 2.142 Generadcr simple de onulas cundradss 2.13. Aplicaciones pricticas lll112 2.14. RESUMEN Conclusiones y conceptos importantes 1. Las caracterfsticas de. tn dispositive no son alteradas por la red en Ja que éste se emplea, La red simplemente-determina’el punto de operacién del dispositivo. punto de operacién de una red se determina por la interseecién de la ecuacién de ta red y de una ecuaciOn que define las caracteristicas det dispositiv. 3, Para la mayorfa de las aplicaciones, las caracteristicas del diodo pueden definirse simple- ‘mente por el voltaje de umbral en la regién de polarizacién directa y por un circuito abierto para voltajes aplicados menores que el valor del umbral 44. Para determina el estado de un diodo s6to pense en @1inicialmente como una resistencia, y encuentre la polaridad del voltaj y la direccién de la corrente convencional através de él, Sie voltae que se le aplice tiene una potaridad directa y la corriente tiene una di- reccién que coincide con la flecha en el simbolo, ef diodo se encuentra conduciendo, Para determinar el estado de los diodos empleacos en una compuerta l6gica, primero haga tuna estimacién razonable acerca del estado de los diodos y después pruche sus sup clones. Si su estimacién es incorrecta,refinela ¢ intente nuevamente hasta que el andl Verfique fas eonclusiones 6. La rectficacién es un proceso en donde una forma de onda aplicada que cuenta con un ae Jor promedio cero es cambiada a una que tiene wn nivel de de. Para sefales aplicadas de ras de algunos volts, la aproximacién del diodo ideal puede ser normalmente aplicada, 7. Es muy importante respetar el valor nominal PIV del diodo que se selecciona para una aplicacién en pasticular, Simplemente determine el voltaje méximo a través del diodo bajo condiciones de potarizacién directa, y compérelo con el valor nominal de las e teristcas, Para la media onda tipica y para los tectificadores tipo puente de onda completa, és es el valor pico de la sefal aplicada, Para el rectificador de onda completa que tutliza un transformador con derivacién central, CT, éste es el doble del valor pico (el cual puede Hlegar a ser muy alto): Los recortadores son redes que “recortan” parte de fa sefalaplicada ya sea para crear un tipo especifico de sefial o para limitar el voltaje que puede ser aplicado a una red. 9. Los cambiadores de nivel son redes que “cambian” la sefial de entrada a un nivel diferente de de. En cualquier caso, la amplitud “pico a pico” de la sefal aplicada permanecera siendo la misma, 10. Los diodos Zener son diodos que hacen uso eficaz del potencial de ruptura Zener de fa ccaracteristica de una unién ordinaria p-n con el objetivo de proporcionar un dispositivo de gran importancia y aplicacién, Para la conduccién Zener, la direcci6n del flujo convencional es opuesta a la flecha en el simbolo, La polaridad bajo la conduccién es tambign opuesta a la del diodo convencional. 11, Para determinar el estado del diodo Zener en una red de de, simplemente elimine el Zener de la red, y determine el voltaje de circuito abierto entre los dos puntos donde el diodo ‘Zener se encontraba conectado originalmente. Si éste es mayor que el potencial Zener y tiene la polaridad correcta, el dioda Zener se encuentra en el estado de “encendido”. 12, Un duplicador de vottaje de onda completa o de media onda emplea dos capacitores; un Uciplicador, tes capacitores, y un cuadruplicador, cuatro capacitores, De hecho, para eada uno de étos,e! ndmero de diodos es igual al nimero de capacitores, Ecuaciones Aproximado: Silicio: Vp =0.7 V; Ip se determina por la red. Germanio: Vp =0.3V; fp se determina por la red. Ideal Vp=0V; Ip se determina por la red, Capitulo 2. Aplicaciones de diodos Para Ia conduccisn Vp 2 Vy Rectificador de media onda Vag = 0.318Vy, Rectificador de onda completa: Voc 2.15 ANALISIS POR COMPUTADORA PSpice para Windows CONFIGURACION DE DIODOS EN SERIE EI PSpice para Windows se aplicar ahora & Ia red de la figura 2.29 para permit una com paracién con la solucién calculada a mano. Como se deseribié brevemente en el capitulo 1, la aplicacién del PSpice para Windows requiere que primero se construya la red en la pantalla de representaciGn esquemética, En los siguientes pérrafos examinaremos las bases para la com: figuracin de la red en la pantsla, asumniendo que no existe una experiencia previa de este pro ceso. Puede ser iti) hacer referencia ala red completa dela figura 2.143 al tiempo que progre- samos en la discusi, 36V 10000 gs 2879 py ASIN To KOs ED Figuea 2.143 Analisis mediante PSpice para Windows de una configueacian de diodos en En general, es més fécil dibujar la red si Ia cuadricula aparece en ta pantalla y se estipu la que todes los elementos estin sobre la cuadricula, Esto asegurard que todas las conexiones se hagan entre los elementos. La pantalla puede ser configurada iniciaimente mediante la elec cién de la funcién Options (Opciones) en la parte superior de la pantalla esquemitica, seguida por Display Options (Opciones de Despliegue). El cuadro de didlogo Display Options le permitirs efectuar todas las opciones necesarias de acuerdo con el tipo de despliegue deseado, Para nuestros propésitos escogeremos Grid On (Cuadricula visible), Stay on Grid (Apegar- se a Cundefcula), y Grid Spacing (Espaciamiento de la Cuadricula) a 0.1 pulgadas. R La resistencia R serd la primera en ser colocada, Mediante un clic sobre el icon de Get New Part (el icono en la parte superior derecha del érea con los binoculares) seguido por braries (Bibliotecss), podemos escoger la biblioteca Analogasth de elementos bésicos, Podemos centonces desplavar fa lista de partes (Part) hasta encontrar R, Haciendo clic sobre la R seguido por OK aparecers el cuacto de dilogo Part Browser Basic el cual reflejard nuestra eleecidn de tun elemento resistivo. Al seleccionar la opcién Place & Close colocaremos el elemento resistivo en la pantalla y cerraremos el cuadro de didlogo, La resistencia aparecerd de forma horizontal, Jo cual es petfecto para la R; de Ia figura 2.99 (observe la figura 2.143). Mueva la resistencia a una localizacién l6gica, y haga clic en el bot6n izquierdo del ratén, con lo cual, la resistencia Ry estaré en su lugar. Observe que ésta se ajusta a la estructura cuadriculada, La resistencia Ry se debe colocar ala derecha de R,. Con simplemente mover el rata a la de~ recha, la segunda resistencia apareverd, y Rz se podrd colocar en el lugar apropiado con un clic subsiguiente del rat6n, Dado que la red tiene s6lo dos resistencias, el depdsito de las resisten cias puede terminarse mediante un clic derecho del rat6n. La resistencia Ra se puede rotar presionando las teclas Ctrl y R simultineamente o mediante Ia eleccién de Edit en la barra del mend, seguido por Rotate, 2.15. Analisis por computadora 314 EI resultado de lo anterior son dos resistencias con las etiquetas correctas pero con valores etréneos. Para cambiar un valor, haga doble clic en el valor de lz pantalla (primero RU) Aparecerd un cuadro de didlogo llamado Set Attribute Value (Establecer Valor del Auibuto} Teciee en ella ef valor correcto, y mande el valor ta pentalla con un OK. Los 4.7.02 apare- cern dentro de un cuadro que puede ser movido mediante un simple clic sobre'el pequieto ccuadfo ¥ mientras sostiene él botdn, mueva los 4.7 KOs la localizacién deseada, Libete el bo- ‘n y la etiqueta de 4.7 kO permanecerd donde fue ubicada. Una ver colocada, un clic adicional en cualquier parte de la pantalla eliminari los euadros y terminari con el proceso. Si usted desea mover los 4.7 KS en el futuro, simplemente haga un solo clic sobre el valor y los cuadros reaparecerdn, Repita lo anterior para el valor de la resistencia Ro Para eliminar (recortar) un elemento, simplemente haga clic sobre él (para establecer el rojo 0 color activo), y después haga clic en el icono scissors (tijeras) o utitice Ia secuencia Edit-Delete (editar-borrar) E Las fuentes de voltaje se establecen mediante Is biblioteca source.stb del Library Brow: ser y mediante la eleccisn de VDC. Al hacer clic sobre OK aparece un simbolo de la fuente en el esquema, Este simbolo puede ubicarse como se requiera. Después de colocarlo en el lugar apropiado, aparecera una ctiqueta VI, Para cambiar Is etiquets a E1 simplemente haga dos veces clic en VI y un cuadro de dislogo llamado Edit Reference Designator (Editar In- dicativo de Referencia) apareceri, Cambie la etiqueta a El y haga clic en OK, y entonces EL parecer en la pantalla dentro de un cuadro, El cuadeo puede moverse de la misma forma que las etiquetas de las resistencias. Cuando usted tenga la posicién correcta, simplemente haga clic una vez mis y cologue et F como se desee. Para establecer el valor de E), haga clic sobre el valor dos veces y aparecers el Set Atri- bute Value. Fije el valor a 10 V y haga clic sobre OK. Fl nuevo valor aparecerd en el esque ‘ma, El valor puede fijarse también haciendo clic en el simbolo de baterfa dos veces, despuds de lo cual aparecerd tn cuadro de didlogo etiquetado como E1 PartName: VDC. Mediante la leceién de DC = 0 V, DC y Value, aparecerin en las éreas designadas en la parte superior del cuadto de didlogo, Con la ajuda del ratén traiga ef marcador al cuadro de Value y ci biclo a 10 V. Después haga clic en Save Attr, (Guardar Atributo) para estar seguros y grabar el nuevo valor, y después un OK resultard en E; cambiado a 10 V. E puede establecerse ahora, pero esté seguro de girarlo 180° con las operaciones apropiadas. DIoDO El diodo se encuentra en Ia biblioteca EVAL.slb del cuadro de didlogo Library Browser. Alseleccionar el diodo D1N4148 seguido por un OK y un Close & Place se colocaré el sim bolo del diodo en la pantalla, Mueva el diodo a la posicién correcta, col6quelo con un cic i quierdo, y finalice la operacién con uit clic derecho del ratén. Las etiquetas D1 y DIN4I48 apareceréin cerca del diodo. Al hacer un clic en cualquier etiqueta se proporcionarn los cua dros que permitirén el movimiento de las etiquetas. Daremos un vistazo a las especificaciones det diodo mediante un clic en simbolo del diodo una vez, seguido por la secuencia Bdit-Model-Kuit Instance Model (Editar Modelo ejem plo), Por el momento, dejaremos los parimetros como estén listados. En particular, observe que f, = 2.682nA y la capacitancia terminal (importante cuando la frecuencia aplicada se con- verte en factor) es de 4pF. IPROBE Una o muds-corrientes de una red pueden désplegarse mediante la insercidn de un IPROBE, ensayo, en la trayectoria deseada. PROBE se, encuentra en la biblioteca SPECIAL sIb y apa rece como la cardtula de un medidor en la pantalla. El IPROBE responder con una respuesta Positiva sila corriente (convencional)ingresa al sfmibolo al final con ef arco representando la escala, Dado que estamos buscando una respuesta positva en esta investigaciGn, IPROBE se debe instalar como Io muestra la figura 2.143. Cuando el simbolo aparece por primera vez, se en- ‘cusntra 180° fuera de fase con In cotriente deseada. Por tanto, es necesaro utilizar Ia secuencia Ctrl-R dos veces para rotar el stinbolo antes de finalizar su posiciOn. De ka misma forma que con los elementos deseritos anteriormente, una Vez que éste se encuentra colocado, un solo clic colocaré el medidor y tn clie con el botn derecho completara el proceso de insercién, Capitulo 2 Aplicaciones de diodos LINEA Los elementos ahora necesitan ser conzctados mediante la eleecién del icono con ta tinea delgada y un lipiz 0 por la secuencia Draw-Wire (Dibujar-Cable). Aporecerd un lipiz que puede dibujar las conexiones deseadas de Ia siguiente forma: mueva el lapiz al principio de la Tinea y haga clic en el hotén izquietdo’del ratén. El Lépiz ahora esté listo para dibujar. Dibuje Ja linea deseada (conexisn, y haga clic en el botén izquierdo nuevamente cuando la conexién esté completa, La linea aparecerd en rojo, esperando por otro clic aleatorio del ratén o por la insercién de otra linea. Esta se volverd verde para indicar que se encuentra en memoria, Para Jas fineas adicionales. simplemente repetir el procedimiento. Cuando esté terminado, simplemente haga clic en lado derecho del ratn, EGND El sistema debe contar con tierra pare servir como punto de referencia para los voltajes, nodales. La tierra (EGND, por st términa en inglés Earth GrouND) es parte de la biblioteca PORTslb y puede colocarse de la misma forma que los elementos deseritos antetiormente, VIEWPOINT Los voltajes nodales pueden desplegarse sobre el diagrama después de la simulacién lizando VIEWPOINTS (puntos de vista), el cual se encuentra en la biblioteca SPECIAL stb. ‘Simplemente cologue la flecha del sfmbolo VIEWPOINT donde se desee conocer el valtaje con respecto @ la tierra, Un VIEWPOINT puede colocarse en cualquier nodo de la red si es necesario, aunque sélo tres estén ubicados en la figura 2.143, La red esté ahora completa, como lo muestra la figura 2.143. ANALISIS. La red estd ahora lista para ser analizada, Para acelerar el proceso se oprime Analysis, (Anilisis) y se elige Probe Setup (Configuracién de la Prueba). Mediante la seleccién de Do not auto-run Probe (no autoejecutar la prueba) se ahorran pasos intermedis que son inapro- piados para este andlisis; es una opcién que serd discutida mis tarde en este capitulo, Después de OK, it a Analysis y seleceionar Simulation. $i ki red estuvo apropiadamente instalada, un cuadro de didlogo PspiceAD aparecera y mostrar4 que los puntos de polarizacién (de de) han sido calculados. Si salimos del cuadro mediante un clic en la pequefia x en Ia parte superior de Ta esquina derecha, obtendremos los resultados que aparecen en la figura 2.143, Observe que ef programa ha proporcionado automdticamente cuatro voltajes de dc de la red (ademés de los voltajes VIEWPOINT). Esto ocurrié debido a una opcién habilitada dentro de ans sis, Pata andlisis futuros queremos controlar lo que se despliega por tanto siga el camino atra- vvés de Analysis-Display Results on Schematic y pase sobre el cuadro adjunto Enable. Ha- ciendo clic sobre el cuadro Enable se removerd ta marca, y los voltajes de de no apareceriin autométicamente. Estos apareceran ahora solamente donde se inserten los VIEWPOINTS. Un ‘camino mas ditecto para controlar Ia apariencia de los voltajes de de es el de usar el icono de Ja barra del mend con la letra V, Al hacer clic en ella y dejarla activada o desactivada, usted puede controlar si los niveles de de de la red aparecerdn 0 no. Bl icono con la letra permiti- +4 que todas las cortientes de de de la red se muestren si se desea, Para practicar, haga clic para activarla y desactivarla y observe el efecto en el esquema. Si usted desea climinar fos vol- fajes de de seleccionados del esquema, simplemente haga clic sobre el voltaje nodal de interés, después haga clic sobre el icono con la letra mas pequefia V en el mismo grupo, Al hacer clic tuna ver. se removersin Tos vollajes de de seleccionados. Lo mismo se puede hacer para las corrientes scleccionadas con el icono restante del grupo, Para el futuro se deberd observar que ‘un analisis puede también ser iniciado mediante el simple clic sobre el icono de Simulation (simulacién) que tiene el fondo amarillo y las dos formas de onda (onda cuadrada y senoidal). Observe tambign que los resultados no coinciden exactamente con aquellos obtenidos en el cjemplo 2.11. El voltaje VIEWPOINT en el extremo derecho es de ~421.56 en vez de ~454.2 mY obtenido en el ejemplo 2.11. Ademés, Ie corriente es de 2,081 en lugar de 2.066 mA que se cobtuvo en el mismo ejemplo. Es més, el voltaje a través del diodo es de 281.79 mV + 421.56 mV = 0.64 V en lugar que el 0.7 V asumido para todos los diodos de silico, Todo esto es el resultado de nuestra utilizacién de un diodo real con una larga lista de variables que definen su ‘operacién. Sin embargo, es importante recordar que el andlisis del ejemplo 2.11 fue un aproximado, y por lo tanto, es de esperarse que Ios resultados sean sélo cercanos a la respuesta real 2.15 Andlisis por computadora 115116 Por otra part se foman hasta ur 1s resultados obtenidos para el volta y Ja coriente nodal son muy cercanos, Si exacttud de decimales, las corrientes (2.1 mA) coinciden exactamente. Los resultados obtenidos en Ia figura 2.143 se pueden mejorar (en el sentido de que ellos coincidirdn mis cercanamente con Ta soluci6n redilizada a mano) mediante un clic en el diodo (para coloreerlo de rojo) y el uso de la secuencia Edit-Model-Eadit Instance Model (Text) pa- uadro de dislogo Model Editor, Escoja Is 5A (un valor determinado por prueba y error), y borre todos los demds parémetros del dispositivo. Después, prosiga con el icono OK-Simulate para obtener los resultados de la figura 2.144, Observe que el voltaje a través del diodo ahora es de 260.17 mV + 440,93 mV = 0.701 ¥, o casi exactamente 0.7 V. El voltaje VIEWPOINT es de ~440.93 V, 0 nuevamente, une coincidencia casi perfecta con la solucién realizada a mano de ~0.44 V, En cualquier caso, los resultados obtenidos son muy cereanos a los valores esperados. Uno de ellos es mis preciso en cuanto al dispositive real se refiere, mientras que el otro proporciona un ajuste casi perfecto con la solucidn realizada a ‘mano. Uno no puede esperar tina coincidencia perfecta para todos los diodos de la red me- dante la simple fijacién de /, a 35E-15A. En la medida en que la cortiente a través del diodo cambia, el nivel de /, debe eambiarse también si se desea obtener una coincidencia exacta con fa solucién efectuada a mano, Sin embargo, en lugar de preocuparse por la corriente en cada sistema, se sugiete que J, = 3.5E-15A se emplee como valor estindar si se desea que la solucidn de PSpice coincida ms ceresnamente con la solucién realizada a mano. Los resulta dos no seria siempre perfectos, pero en la mayoria de los casos sern mas cercanos que si los pardmetros del diodo se dejan en sus valores implictos, por “default”. Para los transistoes, en los capitulos siguientes, se fijaré a 2B-15A para obtener uns coincidencia apropiada con la soluci6n realizada a mano, Observe también que el Bias Current Display (Despliczue de la Corriente de Polarizacién) se encontraba habilitada para mostrar que la cotriente es de hecho la misma en cualquier parte del circuito, 4 obtener ¢! (oom) ETE or —Oggm ay We Figura 2.144 El cicuite de 4a figura 2.143 reexaminado con fy Hada en 3 5E-15A, Los resultados se pueden ver también en forma tabulada regresando a la funcién Analy- sis y eligiendo Examine Output (Analizar la Salida) El resultado es el largo listado de la figure 2,145, La funcién Schematies Netlist describe a la red en términos de nodos numerados. E10 se refiere al nivel de tierra, con la fuente de 10 V del nodo 0 al 5, La fuente E2 va del nodo 0 al 3. La resistencia R2 esté conectada del nodo 3 al dy asf sucesivamente. Desplazan 4o hacia abajo el documento de salida, encontramos al Diode MODEL PARAMETERS (Pa- rimetros del Modelo para el Diodlo) que claramente muestra que I, estéfijo en 3SE-15A y es el sinico parimetro listado, La siguiente es la SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (Solu- cia a seial pequefia con polarizacién) o solucidn de de, presentando los voltajes en varios nodes, Ademis, se muestra Ia cortiente a través de las fuentes de la red. El signo negativo i dca que esti reflejando l-diteccién del flujo de electrones (a Ia terminal positiva) La disipa- idn total de potencia de Tos elementos es de'31.1 mW. Finalmente, el OPERATING POINT INFORMATION (informecién de! punto de operacién) revela que la corriente a través del iodo es de 2.07 mA y que el voltaje através del diodo es de 0.701 V. Ahora el andlisisesté completo para el circuito del diodo de interés, Sin embargo, no h ‘mos tocado todas las vfas alternas disponibles de PSpice Windows, pero se ha cubierto lo suficiente como para examinar cualquiera de las redes cubiertas en este capitulo con una fuente de de. Para practicar los otros ejemplos deben ser examinados usando el enfoque de Windows dado que los resultados se proporcionan por comparacién. Lo mismo puede decirse pata los ejercicios de nimero impar al final de este capitulo. Capitulo 2 Aplicaciones de diodos + Sehenaticn Hetlist © nat 4 t003 gu_o008 4.7% a Siam eae} sv ioe Suuges snare 2.2 on seates Ce i HeHoeT se 0905 ornacee va aa cases eacon02 8 Sisb0000E- a5, fuse stom: stat sourmton BERANE = 27.000 DDC tenoan) 2602 tecsocay 10.0000 emx0003) 5.0000 tmcaneey 440s lexo00s) 10.0200 -2.0728-03 478-03 sia) TOTAL FOMER DESBIEATYON 2.428:02 HARTE + opesartG Form IHFORUTICH —-FEXERATURE = 27.000 DES + pros oe aot sone, Baaeg-x2 > domo a yoteco a Lasmed exe :¢aR+00 CARACTERISTICAS DEL DIODO Las caracteristicas de! diodo DIN4148 usadas en el andlsis anterior, se obtendrdn ahora ut Tizando algunas maniobras algo més sofisticadas que aquellas empleadas previamente. Primero se construye fn red de la figura 2.146 usando los procedimientos deseritos ariba. Observe, sin ‘embargo, el Vd que aparece por encima del diodo DL, Un punto en la red (representando el voltaje del énodo a tierra para el diodo) se ha identficado como un voltaje en particular mediante tun doble clic en el cable de encima del dispositvo y tecleando V¢ en el Set Attribute Value en Ja etiqueta (LABEL). El voltae resultante Ves, en este caso, el voltaje através del diodo. Luego, eija el Analysis Setnp ya sea haciendo clic en el icono de Andlisis Setup (en la e5- aquina superior izquierda del esquema que tiene una barra horizontal azul y los dos pequetios ccuadrados y rectingulos) o usando la secuencia Analysis-Setup, Dentro del recuadro Analysis ‘Setup active ef recuadro de DC Sweep (barrido de DC) (el tinico necesario para este ejercicio), seguido por un solo clic det rectingulo del DC Sweep. Fl tecuadro de DC Sweep aparecers con varias preguntas. En este caso, planee barrer el voltaje fuente de 0a 10 V en incrementos de 0.01 V, asi que el Swept Var. Type (tipo de variable a barter) ser la Fuente de Voltaje, el Sweep ‘Type (tipo de barrio) ser lineal, el Name (nombre), y el Start Value (valor de inicio) OV, el End Value (valor final) 10 V, y el Increment (incremento} 0.01 V. Después, con un OK seguido por un Close del Analysis Setup, esté preparado para obtener la solucién, El andlisis que 2.13. Analisis por computadora wra 2145. EL archivo dle sal a pata el spice para Windows del cireuito de la figura 244 R a or ornare wra 2.146 Rell paca obtener as caracterstcas del dodo DINAH, 117Figura 2147 | Caractersticas del digdo DINAL48, 118 se realigard obtendr una solucién complets para ts red para cada valor de E desde 0.2 10°V en inerementos de 0.01 V. En otras palabras. le ted se analizard 1000 veces y los datos resultantes almacenadas para la grifica que obtenga, El andisis se desarrolla por la secuencia Analysis- Run Probe, seguida por ta inmediata aparcién de Is erfica MicroSim Probe que muestra s6- lo tn eje horizontal det voltaje fuente E con valores de 0 a 10 V. Dado que Ia grifica que se requiere es la de fp en Tugar de Vp, tenemos que cambiar el horizontal (eje x) a Vp, Esto x logre con la opeiin Plot (grfica) y después X-Axis Settings (con Figuracion del eje x) para obtener el cuatro de dislogo de X Axis Settings. Después, hacemos clic sobre la opcidn Axis Variable (eje variable) y seleccionsmos V(Vd) del listado, Después de pre- sionar OK, reeresamos al cusdso de didlogo para fijar la escala horizontal, Seleccione User De- Fined, después ingrese 0 V a 1 V dado que &te es el intervalo que interesa de Vd con una escala Fineal, Linear. Haga clic en OK y enconiraré que et eje horizontal es ahora V(Va) con un tango deO a 1.0 V. El eje vertical tiene shorn que configurarse para Tp seleccionando primeramente la ‘opeisn Trace (tr270) (0 con el icono Trace, el cual tere una onda roja con dos picos y un par de cies) y después Add (agregar) para obtener Add ‘Traces, Seleccionando I(DI) y haciendo elie en OK tendremos como resultado la gritica dela igura 2.147. En este caso, la grafica resuliante se extiende de 0 a 10 ma, El rango puede resicirse o expandirse mediante Plot-Y-Axis Setting (con- figuravién de la grfica del eje Y) y definiendo el rango de interés En el andlisis previo, el voltae a través del diodo Fue de 0.64 V, correspondiente a una eo- stiente de aproximadamente 2 mA en la grfica (ecuerde la solucién de 2.07 mA para la corren- 1c), Sila comriente resultante hubiera estado cerca de 6.5 mA, el voltae a través del diodo habria sido de cerea de 0.7 V y la solucién de PSpice estarfa més cercana ala de la soluciGn realizada a mano, Si J, se hubiera establecido a 3.5E-15A y todos los dems pardmetros se hubieran eliminado del listado det diodo, la curva se habria desplazado a fa derecha y se hubiera obtenido una interseceién de 0.7 V y 2.07 ma. Electronics Workbench El procedimiento para ingresar un circuito dentro de EWB sera descrito ahora para la verificacién de fos resultados del ejemplo 2.15 el cual contiene dos diodos en coafiguracién de serie-paralel. Primero, se selecciona el icono Mulisim y ef cursor se colaca sobre el bot6n del depési- to de partes fuentes (Sources). Haciendo clic con el botén izquierdo del ratén, apareceré una lista de Tas fuentes entre ls cuales se encontraré el simboto de fuente de voltaje de dc. Una vez seleccionado éste, un sfmbolo de fuente de de aparecers en el esquema con tres rectingulos. Al mover el rat6n se permitird mover la fuente hacia cualquier punto en la pantalla, Después de seleceionar una posicién en alan Ingar ata mitad de ke pantalla, haga un clic adicional con et Capitulo 2 Aplicaciones de diodos botdn izquierdo, y la fuente se establecerd con una etiqueta coro VA y 12 ¥, El valor impli to, por default, de fa fuente es 12 V, pero este voltaje puede cambiarse con un doble clic sobre el simboto de la fuente de voltaje paca obtener el cusdro de didlogo de Battery (bateria). Se- leecione Value (valor) en la parte superior, y cambie a 20 V para nuiestro ejemplo, Haga clic sobre OK, y 20V aparecerd al lado de Ta baterfa en el esquema como To muestra ta figura 2.148. lamdramos al cuatro de didlogo Battery nuevamente ¥ selecciondcamos Label, podsiamos ‘cambiar la etigueta de V1 a E para que coincidiera con nvestro ejemplo. Finalmente ks etiquetas se pueden colocar en cualquier lugar alrededor del simbolo de baterfa simplemente mediante Un clic sobre la etigueta o el valor de interés y después, mientras se sostene el bot6n de rain, moverlo hacia el lugar deseado, Las resistencias se pueden establecer ahora mediante la selec- cin del bot6n Basie Parts Bin (depdsito de purtes basicas) y. cuando la berra de herramientas aparezca, seleccione Virtual Resistor para que los valores puedan establecerse o (Casrera— Te ahet Sa = é 2|n]eilefotfo:leilen|ex et fat x g 3 Martie Al seleccionar la opcién de la resistencia ditecta, se desplegaré un listado de resistencias fabricadas. Entonces proceda de la misma forma en que se procedié con la bateria para colocar la resistencia y establecer la etiqueta y el valor. Para el caso de los diodos, seleccione el simbolo del diodo y debajo del cuadro de didlogo Component Browser escoja el dioslo IN4446 y coléquelo como se sefialé arriba. Si usted selecciona et diodo Virtual, se limitaré a un diodo ideal. Finalmente, regrese al botdn Source parts bin, y seleccione la tierra de Ia parte superior de la barra de herramientas y cotéquela en un lugar apropiado, Por stim, los medidores 0 indicadores deben estar colocados para poder obtener !as cantidades que queremos del andliss. El programa Electronics Workbench es una simulacién muy cercana a la experiencia en el lahoratorio en el sentido de que es posible utilizar medidores por medio del icono Instruments {instrumentos) en Ja parte superior de Ja barra de herramientas, Una vez seleccionado, once di ferentes medidores aparecerdn en una barra de herramientas horizontal de la cual se puede se- leccicnar el multimeter (riltfmetro) con lo que nos permitir Ia eleccidn de un amperimetto, un voltimetro, o de un dhmetro, Para este ejemplo se seleccioné un amperfmetra (A) junto con la barra horizontal para indicar la lectura de de. Una vez. que el multimetr, (multimeter), se ha seleccionado, dos medidores aparecerdn en el esquema, uno para la red y otro para la presen- tacién de resultados. Otra opcién para obtener los niveles de voltae o de corriente es seleccionar indicators (indicedotes) de la barra de herramientas en el lado iaguierdo de la pantalla, Se~ Jeccione la quinta opcidn de la parte inferior que parece algo similar a una pantalla de 8 segmentos de cristal liquide LCD. Una vez que las opciones aparecen, escoja A para el amperimetr, y las opciones se presentan sobre cémo deberd colocarse el medidor. Los indicadores aparecersn co- smo lo muestra la figura 2.148 para el amperimetro y el voltimetro, 2.15. Analisis por computadora Figura 2.148 Veriiccion de les resullades del ejemplo 2.15 usin- do et programa Eleczonies Worle bench. 19PROBLEMAS Si = tb i @ Figura 2.149, Problems 1, 2. 120 Los componentes se pueden conectar wsando Automatic Wiring (cableado automitico), ‘Cuando el cursor se coloca al final del elemento seguido por un clic del bot6n izquierdo del ratn, el resultado es una x al final de cualquier componente, Entonces, muévala al final del otro elemento y apriete el botén izquierdo del ratén nuevainent: el cable aparecerd con la ruta més. directa entre los elementos. Durante el proceso final, os elementos y Jos cables tendrn que moverse. Simplemente haga clic sobre el elemento o el cable y mientras manticne apretado eb botén muevalo hacia fa nueva ubicacién, Finalmente se le debe decir al paquete de software que desarrolle et andlisis, un proceso ‘que puede iniciarse de diversas formas, Una opeidn es la de seleccionar Simulate (simular en la parte superior de la barra de hertamientas seguida por RumvStop. Ota es ta de seleccionar el cwarto bot6n de la izquierda de la barra de Design la cual se asemeja a una enrameda de una ted con diodos, Nuevamente la opcidn Run/Stop aparecerd la cual iniciaré el andlisis. Una vez que la opcicn se eligid, los resultados aparecerin como en fa figura 2.148. Cuando el analisis esté completo, debemos aseguramos de apagar el proceso mediante el regreso a la 0p- cin Simulate y la seleccién de Run/Stop nuevamente (terminar la prueba), Los resultados obienidos son muy cercanos a la solucién obtenida en el ejemplo 2.15. Las | 0.00% pute — 1} Yee Yee © Figura 3.2. Tipos de tansito- £3) pan) mp 132, de calentamiento 0 disipacién de calor, tenfa una construccién resistente y ere mids eficiente debido a que el mismo dispositive absorbfa menor potencia. Tenia una disponibilidad de uso inmediata ya que no requerfa de un periodo de calentamiento, Ademas se consegufan menores voltajes de operacisn. De la presentacidn anterior se puede deducir, que éste es el primer capitulo donde se aborda ef anslisis de dispositivos con tres © més terminales: Elector verd que todos los amplificadores (dispositivos que incrementan el voltae, fa corrienteo el nivel de potencia) tienen por lo menos tres terminales, donde una controla el flujo de comriente entre las otras dos terminates. 3.2 CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de ya sea dos capas de material tipo 1 y una capa tipo p, 0 bien de dos capas de material tipo p yuna tipo 1. Al primero se le denomina transistor npn mientras que al segundo transistor prip. Ambos se muestra en la figura 3.2 con la polarizacién de de adectuada. En el capitulo 4 usted verd que la polariza cin de de es necesaria para establecer la regién de operacién adecuada para fa amplificacién de ac. La capa del emisor se encuentra (vertemente dopads, ls de la base ligeramente dopada y le det colector s6lo muy poco dopada. Las capas exteiores tienen espesores mucho mayores. que fos del material tipo p o tipo n centrales, Para los transistores que se muestran en la figura 3.2 la proporcidn del espesor total con respecto al espesor de Ta capa central es de 0,150/0.001 = 150:1. FI dopado de la capa central es también mucho menor gue el dopado de las capas ex- teriores (casi siempre 10:1 o menos), Este bajo nivel de dopado disminuye la conductividad (i crementa la resistencia) de este material al limitar ef némero de portadores “libres” En Ia polarizacién que se muestra en la figura 3.2 se indican las terminales mediante ls literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se apreciard mejor Ia elecci6n de esta notacién evando se analice la operaci6n basica del transistor. La abreviatura BIT, de Tran- sistor Bipolar de Unién (del inglés Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tes terminales. El término bipolar refleja el Hecho de que tanto huecos como electro 1s participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado en forma opuesta. Si s6lo se utiliza un portador (electrn o hueco), se considera entonces un dispositivo nipolar, El diodo Schottky, del capitulo 19, es uno de estos dispositivos, 3.3, OPERACION DEL TRANSISTOR Ahora se describird Ia operacién bésica del transistor empleando el transistor pnp de la figura 3.2a, La operacisn del transistor npn es exactamente la misma que si se intercambian los pape- les desempeiiados por el electrén y el hueco, Bn la figura 3.3 se dibuj6 de nuevo el transistor ‘pnp sin la potarizacién base-colector, Observe las similitudes entre esta situacié y aquella del iodo con polarizacién directa del capitulo 1. El espesor de la region de agotamiento se tedu- Jo debido a la polarizacién aplicada, To que da como resultado un flujo muy considerable de pportadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el material tipo n. * Portadotes mayoritarios Figura 3.3 Union ée un transistor pnp con polarizacion dliveeta Capitulo 3 Transistores bipolares de unin ‘Ahora eliminaremos la potsrizacién base-emisor del transistor pap de le figura 3.22, como se muestra en la figura 3.4. Considere las similitudes entre esta situacién y Ia del diodo con po- Lavizacin inversa dela seccién 1.6. Recuerde que el flujo de los portadores mayoritarios es cero, com lo que se ocasiona solamente un flujo de portadores minoritarios, como se indica en ta figura 3.4. En resumen, por tanto: Una unidn p-n de un transistor se encuentra en polarizacion inversa, mfentras que la otra se encuentra en polarizacion directa. En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacién se eplicaron sobre un transistor pp, con el flujo de portadores mayoritarios y minotitarios resultante indicado. Observe en la figura 3.5, Jos espesores de las regiones de agotamiento que indican claramente cual unign se encuentra cen polarizacién directa y cusl en polarizacién inversa. Como se indica en la figura 3.5, una gran ccantidad de portadores mayoritarios se difundiran a través de la unién p-n en polacizacién di recta hacia el material tipo n, La cuestiOn ahora es si estos portedores contribuirin de forma directa con la corriente de base Ip 0 si pasardn directamente hacia el material tipo p. Debido a que ef material de tipo n del centro és muy delgado y tiene une baja conductivided, un nimer0 ‘muy pequerio de estos portadores tomard esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de a base. La magnitud de la corriente de base tipicamente se encuentra en el oréen de los mi- ceroamperes, comparado con los miliamperes para las cortientes del emisor y del colector, La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirs através de la unin en polarizacidn inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figura 3.5, El motivo de esta facilidad relativa com la que los portadores mayortatios pueden alravesat la unin en polarzacién inversa se comprende con faclidad si se considera que para el diodo en polatizacidn inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerin como poradores minoritarios en el material tipo n, En otras palabras, tuvo Tugar una inyeecién de porta dores minoritarios hacia el material de Ia regisn de la base de tipo r, Combinando esto con el hhecho de que todos los portadores minoritarios en Ia regién de agotamientoatravesarn la unin en polarizacién inversa de un diodo, es posible explicar el Flujo que se indica en ta figura 3.5. + Portadoes minoritavios ‘ Portadates mayoriarios _* Ponadares minortarios — iB ip Rogign de agotamiento oo \ {t Yee Figura 3.4 Union en polarizacin in- Figura 3.5. Fujo de poradores mayor versa para un transistor pap. tanos y minontarios en un transistor pp ‘Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de Ie figura 3.5, como si se tratara de un nodo solo, se obtiene le=le+ ly GD y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. ‘Sin embargo, la cortiente del colector esté formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y los minoritatios, como se indica en la figura 3.5. Al componente de cocriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el sitabolo eq (comiente Ic con ta terminal del emisor abierta). Por tanto, ks corriente del colector se determina en su totlidud mediante la ecuacién (3.2). Te = Nericn + MCOumens G2) 3.3 Operacisn del transistor 133© Figura 3.6 Novacion y simbo- tos empleados con la configura tin de base comin: (3) transistor pap; (b) transistor npn, 134 Para transistores de propssito general, Ic sé mide en mitiamperes, mienteas que fe Se mi= de en microamperes o en nanoamperes. [co, al igual que /, para un diodo en polarizacién inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse cuidadosamente cuando se consideren aplica- ‘ones con intervalos amplios de temperatura $i esto no se considers apropiadamente, puede afectar de manera importante le estabilidad de un sistema-a una temperatura alta. Las migjoras cen las téenicas de fabricucisn han provocado niveles significativamente mis bajos de Ico, « tal grado que casi es posible omitir su efecto 3.4 CONFIGURACION DE BASE COMUN La notaciéa y los simbolos empleados junto con el transistor en la mayorfa de fos textos y ma- ruales que se publican actualmente, se muestran en le figure 3.6, para la configuracién de base comin con transistores pnp y npn. La terminotogta de base comin se deriva del hecho de ue la base es cornin tanto para fa parte de entrada como para lade salida de la configuracién, Ademis, por lo regular Ia base es Ia terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente se referirin al flujo conven- al (huecos) en lugar de al flujo de electrones. Esta decision se bas6, principalmente, en el bhecho de que una gran cantidad de literatura disponible en insituciones educativas e industriae les emplea el flujo convencional, y las flechas en todos los simbolos eleetronicos poseen una direccién definida por esta convencidn, Recuerde que la flecha en el simbolo del diodo define la direecién de fa conduccién para la corriente convencional, Para el transistor: La fecha en el simbolo grafico define la direecim de ta corriente del emisor (flujo conven ional) a través det dspasitivo ‘Todas las direeciones de corriente que aparecen en Ia figura 3.6 son las direcciones reales, com las define a eleccidn del flujo convencional. Observe, en cada caso, que Ip = e+ Ip. Ob- serve también que la polaridad aplicada (fuentes de voltae) es tal que permite establecer tina corriente en la direccién que se indica para cada rama, Es decir, compare Ia direceién de J, con la polaridad'de Vee para cada configuracién y la direccién de fe'con polaridad de Veo. Para describir completamente el comportamiento de un dispostivo de tes terminales co- imo el caso de fos amplificadores de base comiin de la figura 3.6 se requiere de dos conjuntos de caracteristicas: uno para el puto de excitacidn o pardmetros de entrada y el ot para la parte de la salida, Como se muestra en la figura 3.7, el conjunto de entradas para el amplificador de base comiin relaciona la cortiente de entrada ({,) con un voltaje de entrada (Vie) para distintos niveles de voltyje de salida (Vcr). El conjunto de salida telaciona una corriente de salida (Ic) con un voltaje de salida (Vo) para distintos niveles de cortiente de entrada (J), segsin se muestra en la figura 3.8, El conjunto «de caractersticas de salida o de! colector cuenta con tes tegiones basicas de interés, como se Figura 3.7 Caractoristicas de entrada 0 de excitacisn para tun amplifeador de siicio de 10 Voe(Y) base coma, Capitulo 3 Transistores bipolares de union 40 5 10 1 20 Regién de corte indica en la figura 3.8: la regiOn active, la de corte y lade satwracién. La regién activa es lare- gin que por lo general se utiliza para los amplificadores lineales (sin distorsin) En particular: En la region activa la union base-emisor se encuentra polarizada de forma directa, mientras que la unidn colector-base se encuentra polarizada de forma inversa. La regisn detiva se define mediante los arreglos de polarizaciGn de la figura 3.6..n la pat= te inferior de la regién activa, la corriente del emisor (Je) es cero; la cotriente del eolector sim plemente es igual, debido a la corriente de saturacién inversa Ico. como lo sefala la figura 3.9. La cortiente feo es tan pequetia en magnitud (imicroamperes) en comparacién con la escala vertical dec (miliamperes} que aparece Virtualmente sobre a misma linen horizontal que [c= 0. Las condiciones del cireuito que existen cuando j= 0 para la configuracién de base comin se muestran en Ia figura 3.9, La notacién que con ms Frecuencia se utiliza para Ico en las hojas de. especificaciones y datos es ono. como se indica en la figura 3.9. Gracias las mejoras en las téenicas de fabricacién, el nivel de Ieno para transistores de propésito general (especialmente los de silicio) en rangos de potencia baja y mediana, es por lo regular tan bajo, que su efecto puede ignorarse. Con todo, para unidades de mayor potencia, fcyo todavia se presentari en el rango de los mieroamperes. Adem, recuerde que tanto feo Com 1, para el diod (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas el efecto de Teuo Puc de convertise en vn factor importante debido a que aumenta répidamente con la temperatura, ‘Observe en la figura 3.8 que a medida que la corriente del emisor se inerementa por e ima de cero, la cortiente del colector se incrementa hasta una magnitud esencialmente igual a quella de la corriente del emisor, como se determina por las relaciones basieas de corriente en ef transistor, Nétese también, el efecto casi imperceptible de Vcg sobre la corriente del colector para la regién activa. Las eurvas claramente indican que wia primera aproximacién para la relacicn entre Ize Ic en la regidn activa estd dada por: le 3.3) Te Como se deduce de su nombre, la regidn de corte se define como la regién donde la corriente del colector es 0 A, como lo indica la figura 3.8. Adem: En la region de corte, tanto la union base-emisor como la unién colector-base de wn tran sistor se encuentran en polarizacion inversa, 3.4 Configuracion de base comin. Figura 3.8 ratetsticas de se Hida 0 del colector para un arapi fieador de wansster de b a Coleco base 7 1 Yexise ster Figura 3.9 Covviemte de satura cin invers, B35La rogién de saturacién se define como aguella regién de las caracteristcas a Ja izquierda de Vou = 0. La escala horizontal en esta ein se expandid para mostrar con claridad el cambio dramético de las caracteristicas en esta egidn, Observe el incremento exponencial en la co- sriente del colector a medida que el voltaje Veg se incrementa hacia 0 V. En la region de saturacion, tanto la wiih base-emisor come la union colector-base se encuentran en polarizacion directa Las caracteristicas de entrada de la figura 3.7 muestran que para valores fijos del voltaje del colector (Vex), conforme se incrementa el voltaje base-emisor, Ia corriente del emisor aumenta en wna forma muy similar a las earacterfsticas del diodo, De hecho, los niveles recientes, de Veg tienen un efecto tan pequerio sobre las caracteristicas, que como una primera sproxima- cién, se pueden ignorar los cambios ocasionados por Vea y dibujar sus caracteristicas como se ifustra en la figura 3.102. Si se aplica el enfoque de segmentos lineales, tendremos las caract Fisticas que se presentan en la figura 3.10b, Si avanzamos un paso mAs e ignoramos la pendiente de la curva y, por tanto, la resistencia asociada con la unién en polarizacidn dirceta, se obten- didn las caracteristicas de la figura 3.10c. Para el andliss posterior en este texto, se empleard el modelo equivalente de la figura 3.10c para todos los andlisis de de de redes de transistores. decir, una vez que el transistor se encuentre en el estado “encendido”, se asumira que el vol tuje base-emisor serd el siguiente: GA) En otras palabras, el efecto de las variaciones ocasionadas por Veg y por la pendiente de las caracterfsticas de entrada se omitird mientras sea posible analizar las redes de transistores de una forma tal que proporcione ura buen aproximacién a la respuesta real, sin involucrarse demasiado en las variaciones de los pardimetros de menor importanca. plea Je (oa) 1e(od) | Bb 8 4 Al r of { |_ Casas Vor 7 oF 6 7 sk 5 7 dp 4 4 3] 2 2 1 y H on L Lit fen 1. ie OF 04-06 08 1 Te) OP 02 aa De OF 1 The) “GP G2 G4 06 OB 1 Tae @ oy) © Figura 3.10 Desrollo del modelo equivalente que se utlizard para la regién base-emisor de un amplificador en condiciones de de 136 Es importante apreciar en su totaidad la aseveracidn que establece las caracterfsticas de la figura 3.10c. Estas establecen que cuando el transistor se encuentra en el estado “encendido” 0 estado activo, el voltaje de Ia base al emisor serd de 0.7 V para cualguier nivel de corriente del emisor controlado mediante la red externa. De hecho, desde el primer encuentro con cualquier configuracién de transistor en condiciones de dc, es posible especificar de inmediato que el voltaje de la base al emisor sera de 0.7 V si et dispositivo se encuentra en la regiGn activa, lo cual es una conclusién muy importante para el siguiente andlisis de de. Capitulo 3 Transistores bipolares de union (a) Mediante las ceracteristicas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colector sil; = 3mAy Veg = 10. (b) Mediante las Caractersticas de ta figura 3.8, determine la coriente resultante det-colector si Ie permanece en 3 mA pero Vop se reduce a 2 V. (© Mediante ls caracteristicas de las figuras 3.7 y 3.8, determine Vip si fc=4 mA y Vow = 2V. (A) Repita ef inciso (c) utizando las caracteristicas de las figuras 3.8 y 3.106. Solucién (a) Las caracteristicas indican con claridad que Ic Ip = 3mA. (b) El efecto del cambio de Ven es despreciable e Ic contintia siendo 3 mA. (©) A partir de la figura 38, [ 4 mA. En la figura 3.7 el nivel reseltante de Vor es aproximadamente de 0.74 V. (d) Naevamente a partic de la figura 3.8, Ip = Jc = 4-mA. Sin embargo, en la figura 3.10c, Ves 0.7 V para cualquier nivel de cortiente del emisor. oy Alfa (a) En condiciones de de los niveles de [ce I, debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionades por una cantdad denominada alfa y que se define por la siguiente ecusci6n I | wee 5) | Te donde /c¢ le son los niveles de corriente en el punto de operacién. Incluso aungue ls caracterfsticas de la figura 3.8 podrfan sugerir que a = 1, para los dispositivos reales, el nivel de alfa stele extenderse de 0.90 a 0.998, con la mayor parte aproximéndose al extremo alto del intervalo. Debido a que alfa tnicamente se define para fos portadores mayoritarios, la ecuacién (3.2) se convierte en Ic = ale + leno 3.6) Para las caracterfsticas de la figura 3.8 cuando [= 0 mA, Ic seré por lo tanto igual a fegot no obstante, como se mencioné antes, ef nivel de Icao €8 Con frecuencia tan pequefo que virtualmente es imposible detectarlo en la grfica de la figura 3.8, En otras palabras, cuando I = 0 ‘mA, en la figura 3.8, Ic también parecerd ser de 0 mA para el intervalo de valores de Vcp. Para condiciones de ac donde el punto de operacién se desplaza sobre la curva caracteristica, una alfa de ac se define mediante 7) De manera formal, el alfa de ac se denomina como factor de amplificacién de base comin de “corto circuito” por razones que resultarén mis obvias cuando se analicen los cireuitos equi lentes para transistores en el capitulo 7. Por el momento, se debe entender que la ecuacién (3:7) establece que un cambio relativameite pequefio en la corriente del colector se divide ente el cambio correspondiente en J con el voltaje colector-base constante, Para la mayoria de las situaciones, las magnitudes de aye Y de Son muy cercanas entre sf, lo cual permite utilizar la magnitud de tuna para la otra, El empleo de una ecuiacién como la (3.7) se demostraré en Ia seecién 3.6. Polarizacion La polarizacién correcta para la configuracién de base comin en la regién activa se puede determinar répidamente, sise utiliza la aproximacin fc ® Je y se asume, por el momento, que 3.4 Configuracion de base connint EJEMPLO 3.1 137138 Figura 3.11 Estabiecimiento de ls polaezacion correcta para tun transistor pop de base corns en la eogisn activ, Ty = 0 A. El resultado seré la configuracién de le figara 3.11 para el transistor pnp. La flecha del simbolo define la direccién del flujo convencional para Ip Jc. Luego se insertan las fuentes de de con una polaridad tal que respaldardn la direccisn resultante de la corriente. Pars el transistor npn las potatidades se invertirian, Allgunos estudiantes piensan que pueden recordar si le flecha del simbolo del dispositive se encuentra apantando hacia dentro o hacia fuera, mediante hacer coincidir ls literales del tipo de transistor con las literales adecuadas de Jas frases “apuntando hacia adentro” o no apuntando hacia adentro”, Por ejeraplo, existe una coincidencia entre lus literales npn y las lterales itdlieas de no apuntendo hacia adentro y las literaes pnp con apuntando hacka adenteo. 3.5 ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR ‘Ahora que se ha establecido la relacin entre Jee Ze en la seecién 3.4, se puede presentar la ac- cidin bésica de amplifcacién del transistor bajo un nivel superficial mediante la red dela figura 3.12, La polaridad de de no aparece en la figura ya que nuestro interés se Timita a la respues- {wen ac, Para la configuracién de base comin, la resistencia ac de entrada determinada por las caracteristicas dela figura 3.7 es muy pequetia y tipicamente varia entre 10 y 100.0. La resistencia de saida, segin se determin6 por las curvas de la figura 3.8, es muy alta (mientras mis horizontales sean las curvas, mayor ser Ia resistencia) y tipicamente varia entre SOKSL y 1 MQ. (200 KO para el transistor de la figuta 3:12), La diferencia-en li resistencia se debe a ia unién cn polarizacién directa en la entrada (base a emisor) y @ la unién en polarizacién inversa en Ia salida (base a colector). Utlizando un valor comiin de 20 0 para la resistencia de entrada, te- nnemos que: t V;_ 200mV R200 = 10mA Si asumimos por el momento que a. = 1 (J. = 1.) Fe fore UY y v= nk = (10 mAY(5 kQ) = 50V o + & & vero ye | a Sua x N wa 100kQ Figura 3.12 Accidn bisica de amplificacion de volts de la configuracion base contin, Capitulo 3 Transistores bipolares de union El voltaje de amplificacion es Vv, _ SOV Vv, 200mV = 250 Los valores tipicos de la‘aniplificacién de voltje para la configuracién de hase comin va- sfan entre 50 y 300, La amplificacisn de coniente (Ic fle) es siempre menor que I para ta configuracidn de base comiin, Esta ttima caracteritica debe ser obvia debido a que fc = aly y es siempre menor que 1 Laaccién bésica de amplificacién se produjo mediante la transferencia de una cortiente 1 desde un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia, La combinacién de los dos tér- ‘minos en itéicas (transferencia y resistencia), da como resultado el términa transistor: esto es, transterencia + resistor — transistor 3.6 CONFIGURACION DE EMISOR COMUN La configuraci6n de transistor que se encuentra més frecuentemente aparece en la figara 3.13 para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuracién de emisor comin debido a que elemisor es comin 0 relaciona las terminales tanto de entrada como de salida (para este c2s0, serd comiin tanto a la terminal de base com a la de colector). Una vez mis, se necesitan dos conjuntos de caracteristcas para describir completamente el comportamiento de la configuracin de emisor-comtin: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida 0 de colector-emisor. Ambos se muestran en a figara 3.14, Ie Ie, pad & c ye zl Ye ja ce aig Ar te Ie er Foc @ © Las comrientes de emisor, colector y base se muestran en st direccién convencional real pa- ala cortiente. Incluso aunque cambi6 le configuracién del transistor, las relaciones de comriente {que se desarrotlaron antes para la configuraci6n de base comin contincan siendo aplicables. Es decit, r= Ic + Ige Le = ale Para la configuracin de emisor comin, las caracteristicas de salida representan una gréfi- ca de a corriente de salida (Ic) en funcién del voltaje de salida (Veg) para un rango de valores de corriente de entrada (Jp). Las caracteristicas de entrada representan una grifica de la corriente de entrada (Jy) en funci6n del voltje de entrads (Vp) para un rango de valores de votaje de salida (Vee) 3.6 Configuracion de emisor comin Figura 3.13, Notacion y sibo- los empleados con la configura- ‘ign de emisor comin: (a) transi tor npr; (B) transistor pap. 139ims) : ; i : Es] hw / rs) (Regicn de 4 satraccny NS = a : f es 7 20) 5 = © opal 7 E . | 1OuA 7 7 t F il : Ie: a 7 nfosorfn fo, 0ua roti ay ki Xn Wie) OP BT OH OS GH IY, yy rae (Regic eg - Cee @ by Figura 3.14 Caracterttias de un iransistor de silico en la eonfiguracion, de emisor comtn: (a) caracteristicas del colector; (b) caractersticas de la base 140 Observe que en las caracteriticas de la figura 3.14 la magnitud de Ip se encuentra en mi: ‘roamperes, en comparacién con los miliamperes de fc. Considere también que las curvas de {no son tan horizontales como ls que se obtvieon part en la configurcin de ase co- in, lo cual indica que el voltaje colector-emisor tendré influenci it in, Lo cua indies id influencia sobre ls magnitud de la La regi¢n activa para la configuracién de emisor comin es la i 1 fi parte del cuadrante superior derecho que tiene Ia mayor linealidad, es decir, la regién en la que las curvas de I son: caste. tas ¢ igualmente espaciadas, En la figura 3.14a esta regién se presenta a la derecha de la linea punteada en Vcr, por ariba de la curva de Ip igual a cero, La regina ‘se denomina regi6n de saturacién. : . naa de Veta El ron activa de un amplfcaoy d misor comin, l unin Buses exe tra en polarizacion directa, mientras que la union colector-base ind se encuentra en . ccidn inversa, le Recuerde que éstas son las mismas condiciones. i r ss ue se presentaron para la regidn activa de la configuracién de base comtin, La regién activa de la configuracién de emisor comin puede emplearse para una amplificacién de voltae, corriente o potenci La regicn de corte para Ia configuracién de emisor comiin, no se encuentra tan bien definida como para la configuracién de base contin. Observe en las caractersticas del colector de la figura 3.14 que Ic no es igual a cero cuando /y es cero, Para la configuracién de base comin, uando I corriente de entrada er igual cero Ia coment de colectr er equivalent slo la corriente de saturacién inversa Ico, por lo que la curva I =0 y el eje de volta pésitos précticos, eran uno mismo, a Laraz6n para esta diferencia en ls caracterfsticas del colector puede derivarse medi ‘manejo adecuado de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Esto es, ao. Ecuacién (3.6): fe= ally + eso La sustituciéa arroje~ Ecuaci6n (3.3): Ie = alle + Ip) + Teno ele, Acs -a@ ln-a@ Al acomodar nuevamente los téminos Te 8) Capitulo 3 Transistores bipolares de unién Si consideramos ef caso descrito antes, donde I= 0 A, y se sustituye un valor tipica de er como de 0.996, a corriente resultante del colector es la siguiente: 1 = SO) geno eta” 1 0.996 te00_ - a50Ie49 0.004 Si leno fuera de 1 pA, Ja corriente resultante del colector con fy = 0.A seria de 250(1 1A) = 0.25 mA, como se refleja en las caracteristicas de Ta figura 3.14. ‘Como futura referencia, a la corriente del colector definida por la condicisn fy = 0 A se le asignard fa notacién que indica la ecuacién (3.9), eas) lyeoua En la figura 3.15 se demuestran las condiciones que rodean a esta cortienterevién definida jun- to con su direccién de referencia asignada, Para propésitos de amplificacon lineal (de menor distorsign), el corte de ta configuracion de emisor comin se definird mediante Ic = leeo- En otras palabras, laregién por debajo de fy = 0 j2A debe evitarse si se busca una sefial de salida sin distorsi6n, ‘Coando se utiliza como un interuptor en los circuitos Kégiens de una computador ef transistor tenré dos puntos de operacién de interés: uno en fa regién de corte y otro en laregiGn de saturacién. La condicién de corte deber‘a ser idealmente Ic = 0 mA para el voltaje seleccionado Vee, Debido a que [ceo tpicamente es bajo en su magnitud para materiales de silicio, para fines de conmutacién el corte se presentard cuando Ip =0 A 0 cuando [c= lego, solamente para los transistores de silicio. Sin embargo, para el caso de tos transistores de germanio, el corte para ‘propésitos de conmutaciOn se definiré mediante aquellas condiciones que se presenten cuando Tc= leno. Por lo regula, dicha condicidn se piiede lograr para los transistores de germanio me- dante la polarizacin inversa de a unin base-emisor empleando unas cuantas décimas de volt Recuerde que para la configuracidn de base comin se realizé una aproximacién del conjun- to de caracterfsticas de entrada mediante un equivalente de linea rects, que dio como resultado Vge=0.7 V para cualquier nivel de /; mayor que 0 mA. Es posible emplear el mismo enfogue para fa configuracién de emisor comin, fo cual daré por resultado el equivalente aproximado de Ta figura 3.16, Ei resultado apoya ta conclusién anterior con respzcto a que para un transistor ‘en Ja regi6n de “encendido” o regién activa el voltaje base-emisor seré de 0.7 V. En este caso, el voltae se encuentra fio para cualquier nivel de corriente de la base TyuAd 1009} 0| « 0 a 0 40} Bom 20 te=0 Figura 3.16. Bquivalente de ri BET Veecvy seBmentoslinesles para bs ar a War) rteristicas del diodo dei figu- ory wo 3.l4b, 3.6 Configuracion de emisor comin Figura 315 Condiciones del circuito rlativa a lego.142, EJEMPLO 3.2 (a) Mediante tes caracteristicas de ta figura 3.14, determine fc cuando fy =30 pA y Ver= 10. (b) Mediante las caracteristicas de la figura 3.14, determine I cuando Vag = 0.7 V y Veg = ISv. : Solucién (a) En la interseccisn de fy = 30 A con Ver = 10 V,fe= 34 mA. (b) Mediante ls figura 3.140, fy = 20 wA cuando Vsy = 0.7 V.A partir de la igura 3.14a.en- coniramos gue c= 2.5 mA en la intersecciéa de fy = 20 uA con Ver = 15 V, Beta (8) En el modo de ée, los niveles de fe y de fy se relacionan entre sf mediante una cantidad deno- ‘minada beta que se define por Ia ecuacién siguiente: 10) donde /c€ Ip se determinan para un punto de operacién en particular sobre las caracterfsticas, Para los dispositivos reales, el nivel de B suele tener un rango aproximado entre $0 y 400, con 1a mayorfa de ellos dentro del rango medio, De la misma forma que para , 8 muestra la magnitud relativa de una corriente con respecto de otra. Para un dispositivo con una f de 200, Ia corriente del colector ser 200 veces la magnitud de 1a corriente de base. Por lo regular, en las hojas de especiticaciones se incluye By, como hee, donde la h proviene de un circuito equivalente hibrido que se presentari en el capitulo 7. Los subindices FE provienen de lis palabras: amplificacién de conriente directa (fdel inglés forward) y de la con figuracién de emisor conuin, respectivamente, Para condiciones de-ac, se define una beta-de a¢, como sigue: GAL) El nombre formal para Bi. es factor de amplificacin de corriente directa en emisor comtin. Ya ‘que, por lo general, [a corriente del colector es la corriente de salida para una configuracién de cemisor comtin, y la coriente de base es a corriente de entrada, el termino ampificacién se incluye en la nomenclatura anterior. La ecuacisn (3.11) es similar en cuanto al formato a ta ecuacién para cy de la seeci6n 3.4. El procedimiento para obtener cca partir de las curvas caractersticas no se present6 debido a Ie dificultad para medir realmente los cambios de fc Ty sobre las caracteristicas. Sin embar= 220, a ecuacisn (3.11) puede deseribirse con cierta claridad, y de hecho, el resultado puede utilizarse para encontrar 4. empleando una ecuacién que se obtendré més adelante. En las hojas de especificaciones por lo regular Bz. se indica como hy. Observe que la Gni- ‘ca diferencia entre la notaciGn que se utiliza para la heta de de, espectficamente yo = he, ra ica en el tipo de literal que se emplea para cuda cantidad sefalada como subindice. La literal ‘mindscula-A continta haciendo referencia al circuito equivalente hibrido que se describird en el ‘capitulo 7 y la fe a la ganancia de corriente directa (por la siglas en inglés de forward) en la ‘configuracién de ermisor comin, EL uso de la ecuacién (3.11) se describe mejor mediante un ejemplo numérico utilizando tun conjunto real de caractersticas, como las que aparecen en la figura 3.14a y que se repiten en la figura 3.17, Determinemos By. para una regién de las caracteristcas definida por un pun- to de operacion en fy = 25 wA y Vor = 7.5 V, como se indica en la figura 3.17. La restriceién de Vex = constante, requiere que se dibuje una linea vertical através det punto de operacién en Capitulo 3 Transiscores bipolares de union Figura 3.17, Determinacién de By y de Bye pata las caractertsceas del colector Ver =7.5 V. Bn cualquier lugar de esta tfnea vertical el voltaje Vor es 7.5 V, una constante, El ‘cambio en /y (Ay) como aparece en la ecuacién (3.11) se define entonces al seleccionar dos puntos a cada lado del punto @ a lo largo del eje vertical y a distancias similares a cada lado del punto Q, Para esta situaci6n las curvas de f= 20 A y 30 A cumplen el requsito de no extenderse muy lejos del punto Q. Ellas también definen niveles de Ip féciimente definides en lugar de tener que interpolar el nivel de / entre las curvas, Debe mencionarse que la mejor de- {erminacidn suele hacerse al mantener el Afs que se seleccions tan pequeiio como fue posible. En las dos intersecciones de Ip y el eje vertical, pueden determinarse los dos niveles de fe me- iante ef trazo de una Ifnea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de Ic. La Buc resultante para la regidn se puede determinar mediante Ale! be, = Ie, ‘Bp leag-cinsine ta, ~ te mA = 22mA_ {mA 30WA—20HA 10KA = 100 Buc La solucién anterior muestra que para una entrada de ac en la base, la corriente del colector se- +4 de aproximadamente 100 veces la magnitud de la corriente base. Si determinamos Ia beta de de en el punto Q: Je _ 2.7 mA Ip 25 HA Buc 108 3.6 Conliguracién de emisor comin 143,144 ‘Aunque los niveles de Bye y de By, no son exactamente iguales. se encuentran razonable- mente cereanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente. Es deci, si se conoce el nivel de BucoSe supone que seri de fa misma magnitud aproximada que Bg. ¥ viceversa. Tenga-en cuenta que deatro del mismo lote ol valor de By. variard en alguna medida entre un transistor y el si- geuiente, aunque ambos fengan el mismo ndmero de cédigo. Es probable que la variacin no sea significativa para fa mayorsa de ls aplicaciones, por lo que set suficiente para validar el enfo gue aproximado anterior. Generalmente, mientras més bajo sea ef nivel de Fego. sera mils eer- ceanas entre si las magnitudes de las dos betas. Debido a que la tendencia se dirige haeia lograr niveles mds y més bajos de Icroy ka validez de la aproximacién anterior se sustenta an mis. Si las caracterfsticas tuvieran fa apariencia de aquellas que aparecen en la figura 3.18, el ni vel de Bye serfa el mismo para todas Tas regiones de las caractersticas. Obsérvese que el incre mento en / se encuentra fijo en 10 fA. y que el espacio vertical entre las curvas es et mismo en cada punto de las caracteisticas, es decir, 2 mA. El edlculo de f.. en el punto Q incicado dard por resultado _ Ale ae B= ihcecmune ASHA™35HA 10 HA Al determinar beta de de en el mismo punto Q dari por resultado ale _ 8 mA Ty 40nA to cual revela que si las earacteristicas cuentan con la apariencia dla figura 3.18, las magnita- des de Bac y de Bye serdn tas mismas para cada punto de las caracteisticas. Ea particular, observe gue lero =0 HA. A pesar de que un conjunto de caracteristicas reales de un transistor nunca tend la apariencia exacta de la figura 3.18, ésta proporciona un conjunto de caracteristicas para poder compararlas con las que se obtienen por medio.de un trazador de curvas (que se describird en breve). Bas 200 TAMA) | iynt0pa int ir | fya204a | Y 7 i ! iyg=t0yn 2} testa Je : 1g 20 pA (ceo= 0 pAd ler ete een Figura 3.18 Caractessticas donde la Bi 6 la misma para cualquier gat y donde Bx» Bac Para el anélisis siguiente el subsndice de de 0 de ac no se incluiré con la B para evitar la confusién que se presenta por las expresiones que tienen etiquetas innecesarias Para as situa- cciones de de simplemente se reconocers como Bye, ¥ para cualquier anlisis en ac como Bye. Si se especifica un valor de B para una configuracign particular de transistor, normalmente se ti- lizars tanto para los célculos de de como para los de ac. Capitulo’3 Transistores bipolares de union Es posible establecer una rlacidn entre B y a a través del uso de las relaciones bdsieas pre~ sentadas hasta ahora. Al utilizar B = Jolly se tiene que Iy= JefB y a partir de a = Icli-se tiene que fe= Iclee. Al sustituic en Ip=let le Ie Ie tenemos ae y dividiendo ambos lados de Ia ecuacién entre Ie tendremos 1 tes 8 ° B= aBt+a=(B+ la por lo que G12) ° (3.126) demas, recordemos que pero empleando la equivalencia de derivado de lo anterior tenemos Tego = (B+ \Nleso ° Teco G13) como se indica en ta figura 3.14a, Beta es un pardmetro particularmente importante porque proporciona un vinculo directo entre el nivel de corriente del cireuito de entrada yel de said, po- +a una configuracién de emisor comin. Es decir, Jo = Bla G.I) y dado que Tea lot ly = Bla + In tenemos I= (B+ Yo G3) Las dos ecuaciones que se muestran arriba desempefian un papel muy importante para el anilisis que se tealizard en el eapftulo 4, Polarizacion La polarizacién adecuada de un amplificador de emisor comén puede determinarse de manera similar ala que se present6 para la configuracién de base comin. Supongamos que se presen- taum transistor npn como el que se muestra en la figura 3.19 y se debe aplicar la polaridad co- rmecta para colocar al dispositivo en la repién activa ; El primer paso consiste en indicar la dreccién de Jy segtin lo establece la flechaen el simbolo del transistor, como se muestra en I figura 3.19. Después se introducen las otras corrien- 3.6 Configuracion de emisor comin a.wy Figura 3.19 Determinacion del ar o © de polaizaton a cual para tuna conlipurzcién de transistor npn de emisor comin Figura 3.20. Sirubolos y nota: Circuito de polarizacion fija EJEMPLO 4.1 167168 Satida ‘desc C i End ct 10nF Figura 4.7 Circuito de de cin fn pa el gjemplo #1 Solucién ie Ng (a) Ecuacién (4.4): Ip, g . BV -O7V 47.08 A a 240K Ecuacién (4.5): Tc, = Bla, = (50)(47.08 wA) = 2.35 mA (b) Eeuacién (4.6): Ver, = Vor ~ IRe 12. V ~ (2.35 mA)(2.2 kM) 683V (0 Vp = Vop = 0.7 V Vo = Ver = 6.83 (@) Alutilizar notacién de doble st indice tenemos Ve = Vp — Ve = 0.7 V = 6.83 V = -6.13V el signo negativo revela que la unidn se encuentra en polarizacién inversa, como debe ser pi- ra el caso de amplificacién lineal Saturacion del transistor El técmino saturacién se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los valores mé- ximos. Una esponja saturada es aquella que no puede absorber una gota mas de liquido. Para el caso del transistor que opers en la regi6n de saturacién, a corrente es el valor msximo par ef disefo particular. Si se cambia et disefio, el nivel de saturacién correspondiente puede incre- rmentaro disminuit, Desde luego, el nivel de saturaci6n més alto lo define la corriente méxiona del colector y se presenta en la hoja de especificaciones. Las condiciones de saturaci6n se evitan normalmente porque la unién base-colector ya no se encventra en polarizacidn inversa y la sefial amplificada de salida se distorsionari, En la ura 4.8a se describe un punto de operaciGn en la egiGn de saturacién, Observe que se encuentra en una regién donde las curvas caracteristicas se.unen y él voltaje colector-emisor se er cuentra en o por debajo de Vcr,, Ademés, la corriente del Colector es relativamente alta sobre las caracteristicas. Si aproximamos las curvas de fa figura 4.8a con aquellas que aparecen en Ia figura 4.8b, se dlistingue de forma evidente un método directo para determinar el nivel de saturaci6n, En la figura 4.8, la corriente es relativamente alta, y el voltae Vce se asume de cero volts. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales del colector y el emisor puede determinarse de la siguiente forma: Ver _ OV Rep = = = 00 Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs =|4}Puio @ @ © ad. Figura 4.8. Regiones de saturscign; (a) real: (6) aproxin ‘Al aplicar los resultados al esquema de la red tendremos la configuracién de Ta figura 49, Por tanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la corriente de colector méxima aproximada (nivel de saturacién) para un diseio particular, solamente se debe insertar un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y calcular la cortiente resultante del colector. En resumen, hay que establecer Vcg = 0 V. Para la configura in de polarizaci6n fija de Ta figura 4.10, se aplicé el corto circuito, ocasionando que el voltae através de Re se convierta en el voltae aplicado Veo. La corriente de saturacién resultante pt +a a configuracién de polarizacién fija es Figura 4.9 Determinacion fe, (ny Re Figura 4.10 Decerminacion de le, para la configura = cian de polatzacion hija, ‘Una vez que Uc, se conoce, tendremos una idea de la corriente del colector méxima posible pa~ rael disefo seleccionado y cl nivel bajo el cual deberi permanecer si se espera una amplifica- ign Tinea. Determine el nivel de saturacién para la red de la figura 4.7. EJEMPLO 4.2 Solucién, 43. Circuito de potsrizacionfija 169170 tie El disefio del ejemplo 4.1 dio por resultado J, = 2.35 mA, el cual se encuentra lejos del nivel de saturacion y cerca de la mitad del valor miximo para el disefi. Analisis por medio de la recta de carga Hasta e! momento, el andlisis se ha efectwado utilizardo-un nivel de f correspondiente con el punto @ resultante. Ahora yeremos la forma en que los parimetrs de Ia red definew el rang posible de puntos @ y la forma en que se determina el punto Q actual, La red de la figura 4,1]a establece una ecvaciOn de sada que relaciona a las variables fc y Vee de la siguiente forma: Re (4.12) Las earacteristcas de sida del transistor también rek como se muestra en la figura 4.11. Por lo tanto, bésicamente tenemos wna ecuacion de red y un conjunto de caracteristicas que tutlizan las mismas variables, La soluci6n comin de las dos se presentari cuando las restriccio- nes establecidas por cada una, se satisfacen de manera simulténea, En otras palabras, esto es similar a encontrar la solucidn de dos ecuaciones simultiineas; una de ella establecida por la red y ls otra por las caracteristicas del dispositivo. En Ia figura 4.11b se proporcionan las caracteristicas del dispositive de Je en funcién de Vg, Ahora deberemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacién 4.12 sobre las carac~ teristicas, El método mas directo para graficar Ia ecuacién 4.12 sobre las caracteristicas de sax Jida es utilizar el hecho de que una linea recta se encuentra definida por dos puntos. Si decidi- ros que sea igual a0 mA en Ia ecuacién 4.12, encontamos que cionan 16 mismas dos variables fe y Vex Ver = Veo ~ (0)Re (4.13) ve define un panto para la linea recta Como se muestra en la figura 4.12. Tez OHA @) Oo) Figura 4.11 Analisis por medio de la secta de carga: (a) la red; (b) as caractertsticas del dispoetivo, Capitulo + Polarizacion de de para BTs Vee Figura 4.12 Recta de Si shora seleccionamos Vez igual a0 V, lo que establece al eje vertical como Ja linea sobre Ja cual se definiré ef segundo punto, encontramos que /- queda determinada por la siguiente ecuacién (414) de Ta forma en'que aparece ‘AL unr los dos puntos definidos por las ecuaciones'4.13 y 4.14, es posible trazar la linea recta establecida por la ecuiacién 4.12. La linea resultante en Ta gréfica de la figura 4,12 se denomina recta de carga ya que esté definida por el resistor de carga Rc. Al resolver para el ni vel resultante de Jp, ¢s posible establecer el punto Q real como se muestra en le figura 4.12, Si el nivel de Jp se modifica al variar el valor de Rp, entonces el punto Q se moverd hacia arriba o hacia abajo de la rect estra en la figura 4.13. Si Vee se mantic ne fijo y Re canibia, la reeta de carga se desplazaré como se muestra en la figura 4.14. Si fy se imantiene fij, el punto Q se movers como se aprecia en la misnta figura. Si Rc se mantiene fi- Jiny Voc varia, la recta de carga se desplazaré como se muestra en la figura 4.15. ponte Figura 4.14 Electo del imcremento en los niveles de Re sobre la recta de carga y el punta Q Figura 4.13 Movimiento del punto Q con niveles crecientes dey 4.3 Cireuito de polarizacion fija 171Yoo > Yee > Yees igura 4.15 Electo de los lores bajos de Vec sobee ls recta de carga y el punto @. Ver EJEMPLO 4.3 Dada la recta de carga de Ia figura 4.16 y el punto @ de ido en ella, determine los valores de Vee, Re y Rp pata la configuracién de polarizacién fija, Tela) OHA ae ea Sua _— 4p 4.16 Hjemplo 43. Solucién De la figura 4.16, y _20V-07V y — TI2kD 172 Capitulo 4 Polarizacion de de para BJS 4.4 CIRCUITO DE POLARIZACION ESTABILIZADO EN EMISOR La red de potarizacion de de de la gura 4.17 contiene un resistor en ef emisor para nivel de estabilidad de lx configuracion en polarizacidn fja: La mejora en la estabiidad ‘mostrada mediante un ejemplo numérico més adelante en esta seccidn, El andlisis se Nevars a cabo examinando primeramente la malla base-emisor y luego utilizaremos ls results para in vestigar la malla colector-emisor. Figura 4.17 Circuito de polarizacion para BJT con resis Malla base-emisor La milla base-cmisor de la red de la figura 4.17 puede volverse a dibujar como se muestra en ln figura 4.18. Al utilizar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de-las manecillas del reloj el resultado serd la siguiente ecuscién: + Vee — InRe ~ Vow ~ tee = 0 GAS) Recuerde del capitulo 3 que (B+ De (4.16) scidn 4.15 tenemos Voc = InRa ~ Vor Al agrupar fos términos resulta lo siguiente: —T{Re + (B + ')Re) + Veo — Ver Al multiplicar por (~1) tenemos IfRy + (B + 1)Re) ~ Voc + Var = 0 con InfRy + (B + V)Re) = Voc ~ Var yal resolver para Jy obtenemos Vee Saree 7) in + (B+ IRE Observe que la nica diferencia entre esta ecuaciéin para Ip y la obtenida para el caso de la configuracidn en polarizacién fijaes el érmino (B + DRy. De la ecuacidn 4.17 puede derivarse un resultado interesante si a eouscién se utiliza para esquematizar una red en seri que resultarfaen la misma ecuacién. Tal es el caso de Ia red en Al sustituir fp en la ect (B+ DlRe = 0 4.4 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor Figura 4.18 Malla base emisor 173Re! Figura 4.19 Red éerivada de = Veo 174 Figura 4.20 Nive! de impedancia refleada de Re a 4.19, Al resolver para la corriente fy tendremos la misma ecuscién obtenida anteriormente, Observe que ademis del voltaje base-emisor Vgg, el resistor Re Se refleja de regreso al cireuito base de entrada por un factor de (B + 1). En otras palabras, el resistor del emisor, que forma parte de la malla colector-emisor, “aparece como” (B + 1) Ren ta malla base-emisor. Dado que tipicamente cl valor de B es de 50 0 més, el resistor del emisor aparenta ser mucho ‘mayor en el circuito base, Por fo tanto, en general, para la configuracién de la figura 4.20, R= (B+ DRe | (4.18) La ecuacidn 4.18 resultard ser ttl en el andlisis que sigue. De hecho, proporciona una for- ‘ma bastante fécil de recordar la ecuacién (4.17). A través de la ley de Ohm, sabemos que la co ‘riente a través de un sistema es igual al voltje del circuito dividido entre fa resistencia del mismo, Para el citcuito base-emisor, el voltaje neto €s Voc ~ Vp. Los niveles de resistencia son Rp més Re teflejado por (B + 1), El resultado es la eouacién 4.17. Malla colector-emisor La malla colector-emisor se vuefve a dibujar en Ia figura 4.21, Después de utilizar la ley de voltaje de Kirchhoff, en el sentido de las manecillas del reloj. para la malla indicada tendremos: 4+1gRe + Ver + IeRe - Veo = 0 Al sustituir Jp Jc y agrupar los términos obtenemos Vee ~ Veo + Ie(Re + Re) Vee ~ Ie(Re + Re} (4.19) y Yee El voltaje con subindice sencillo Vp es el voltae del emisor a tierra y se determina por IR (4.20) ‘mientras que el voltaje del colector a tierra puede determinarse mediante Vee = Ve~ Ve y Ve = Vex + Ve (4.21) ° (422) El voltaje en la base con respecto a tierra puede determinarse mediante I (4.23) ° (424) Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs Para la ed de polarizacidn en emisor de Is figura 4.22, determine: @) Ip 0) Ic © Vee @ Vo (© Vp ©) Vp. (2) Voc EJEMPLO 4.4 Figura 4.22 Cheat de parc Ssubiendeenemisor del empl 4 Solucién Veo — Vs 20V-07V (@) Beuacion 4.17: Is = BBS tye, SOK + INI KD) 193V 40.1 pA 481k ©) fe = Bly '50}(40.1 2A) 01 mA (©) Beuacién (4.19): Ver = Veo ~ Ie(Re + Re) = 20 V — (2.01 mA)(2KO + 1k) = 20V - 6.03.V = 13.979 ToRe = 20V = (2.01 mA)(2kN) = 20 V ~ 402 V 15.98V © Ve = Ve ~ Veer = 15.98 V ~ 13.97 V 201V o LRe= lee (2.01 ma)(1 k) 201V (f) Ve = Vee+ Ve =07V+201V =271V (8) Vac = Va ~ Ye =271V ~ 1598V = 13.27 V (con polarizacién inversa como se requiere) 4.4 Circuito de polarizacién estabilizado en emisorEstabilidad de polarizacion mejorada La incorporacién del resistor del emisor para la polarizacidn de de para el BJT, proporciona una imejora en la estabilidad, es decit, la Corriente y el voltae en polarizaciin de pefmanecerdn cer- ccanos a Jos niveles estahlecidos por el ciceuito.a pesar de cambios en las condiciones exterio- 1s coma la temperatura ¥ la beta del transistor, Mientras se proporciona un andlisis matemét co en la seccidn 4.12, es posible obtener un andlisis comparativo de ka mejora como se demuestra en ef ejemplo 4. EJEMPLO 4.5 Re Figura 423. Dewrminacion de fe, para el eeuito de polarzn- cin estabizada en erisor 176 Prepare una tabla y compare cl voltae y las corrientes de polarizacién de fos circuitos de las figuras 4.7 y 4.22 para ef valor dado de B = 50 y pata el nuevo valor de = 100. Compare los cambios en fc y Vex para el mismo incremento de B. Solucién ‘Al utilizar los resultados calculados en el ejemplo 4.1 y luego rept tendremos lo siguiente: para un valor de 8 = 100 Bw Ems) ee) jo aT 235 oa 100 4708 an 16 La corriente det colector del BIT cambia 100% debido al cambio de 100% en el valor de B. Ty se mantiene igual, y Veg disminuy6 76%. ‘Al utilizar los resultados calculados en el ejemplo 4.4 y luego repetistos para un valor de B= 100, tendremos lo siguiente: : 8 To (ud) Te (mA) Vee(¥) 30 40. 201 1397 100 363 36 on ‘Ahora, Ia corriente del colector del BIT se increments 81% debido al incremento del 100% ‘en B. Note que Zp disminuy6, para ayudar a mantener el valor de /c, 0 al menos para reduc el ‘cambio global de /c como consecuencia del cambio en B. El cambio en Veg cays en cerca de 3546, La red de la figure 4.22 es por lo tanto, inds estable que la de la figura 4.7 para el.mis- ‘mo cambio en B. Nivel de saturacién El nivel de soturacién del colector 0 conriente maxima del eolector, para un disefio de polarizacién fen emisor puede determinarse al ulilizar el mismo enfoque que se aplicé para la configuracién de polarizacién fija: Aplicando un “corto circuito” entre las terminales colector-emisor eomo se muestra en la figura 4.23 y calcule la corriente del colector como se observa en la figura 4.23: Vee Re + Re (4.25) La incorporacién del resistor del emisor redujo el nivel de saturacién del colector por debajo del que se obtuvo con una configuracién de polarizacién fija que utiliza el mismo resistor del eoleetor, Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs Determine la corriente de saturacién de la red del ejemplo 4-4. Solucin “FEOF TKQ” 3kO. = 6.67 mA, lo cual representa cerca de tes veces el nivel de Ic, del ejemplo 4.4 — Anilisis por medio de la recta de carga Ey anilisis por medio de la recta de carga de la red de polarizacisn en emisoresligeramente diferente del encontrado para el caso de la configuracin en polarizacién fija. El nivel de fy como lo determina la ecuaciGn 4,17 define el nivel de fy sobre las caractersticas de la figura 4.24 (enotado como Ia). Figura 4.24 Recta de cargn %;__pata la configuacin de polar- Yee zacion en emisor La ecuacién de Ia mali colectoremisor que define a la recta de carga es Ia siguiente: Ver = Veo ~ Ie(Re + Re) Al seleccionar fc = 0 mA, tenemos 426 segtin se obtuvo para la configuracién de polarizacién fija, Al seleccionar Vce = 0'V tenemos VY, = 427) ©" Ret Re vaso como se muestra en a figura 4.24. Niveles diferentes de Jy, desplazarén, como es evidente, al punto Q hacia arriba 0 hacia abajo sobre la recta de carga. 4.5 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE En las configuraciones de polarizacién previas, la cortiente Ic, y el voltaje Ver, de polarizacién eran funcién de la ganancia de coniente (B) del transistor, Sin embargo, debido a que B es sensible ala temperatura especialmente para el caso de los transistores de silici, y a que el valor real de beta normnalmente no se encuentra bien definido, serfa muy deseable desarrollar un cir- 4.3. Polarizacion por divisor de voliaje EJEMPLO 4.6 V7178 Figura 4.25 Configuracion de polarizaion por divisor de voltae Figura 4.26. Definicion Gel punto Q bajo la configuracibn de polarizacion de divisor de voltae cuito de polarizacién que sea menos dependiente, o de hecho, independiente de la beta del transistor, La configuracién de polarizaciGn por divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red que cumple con tales condiciones, Si ésta se analiza sobre una base rigurosa, la sensibilidad a cambios en beta es muy pequefa. Silos parémetros del ciruito son seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes de Jey ¥ Very legan a ser casi totalmente independientes de beta, Re- cere de anilisis anteriores que un punto @ se define por un nivel fjo de Jc, y Vce,, como se muestra en la figura 4.26. El nivel de Jp, se alterard con cambios en beta, pero el punto de ope- zacidn sobre las earactersticas definido por Ic, y Vcr; puede permanecer fijo si se emplean pa- dmettos apropiados del circuit, ‘Como se indicé antes, existen dos métodos que pueden aplicarse para analizar Ia configu- racién por divisin de vollaje. La razcin para laelecciGn de tos nombres para esta configuracin serd obvia con el anilisis siguiente, El primero que se demostrard es el método exacto que puede aplicarse en cualguier configuracién por division de voltaje, El segundo se denomina méto- do aprosimado y puede aplicarse solamente si se satisfacen condiciones especifias, El método aproximado permite un andlisis més directo gue ahorra tiempo y energia. Ademnis, es particularmente til para la modalidad de disefto que se describird en una seecién posterior. En general, el enfoque aproximado puede aplicarse 2 la mayorfa de las situaciones por lo que debera estudiarse con el mismo interés que el método exact. Anilisis exacto La parte dela entrada en la red de la figura 4.25 puede volverse a dibujar como se presenta en 4a figura 4.27 para el andlisis de de. La red equivalente de Thévenin para la red a la izquierda de la terminal de la base puede determinarse de la siguiente form: B os ae Ry : Re Figura 427. Redibujo de la "pate de entrada de Ia red de ‘Thévenin is figura 4.25 Capitulo 4 Potarizacton de de para BJT Ry: La fuente de voltae se reemplaza por un equivalente de corto circuito como se muestra en la figura 4.28 Rr = Rill (4.28) Enyi La fuente de voliaje Vec se reincorpora a la red y se calcula el voltaje Thévenin de Circuito abierto de Ta figura 4.29 como sigue: Alaplicar a regia del divisor de voltaje: Rec = = (4.29) Bn = Ve RR, (4.29) Luego la red de Thévenin se vuelve a dibujar como se muestra en le figura 4.30, y se po- rd determinar fp, al eplicar primeramente la ley de voltaje de Kirchhoff en direecién de las manecillas de relo} para la malla que se indica: Ey ~ UpRrm ~ Vow — LR, Al sustituir fe = (B+ I)fp y resolver pata fy tenem Fn = Vor __ Ry + (B+ URe Is (4.30) ‘Aungue la ecuacién 4.30 inicialmente parece diferente de aquellas que hemos elaborado ‘antes, observe que nuevamente ef numerador es Ia diferencia entre dos niveles de voltaje y que cel denominador es la suma de Ia resistencia de base y el resistor del emisorreflejado por (B + 1), lo ‘cual ciertamente es muy similar ala ecuacién 4.17. Una vee que se conoce Ip, las cantidudes restantes de la red pueden encontrarse de la mis- ‘ma forma que la empleada para la configuracién con polarizacién en emisor. Es decir, Vee = Veo ~Ic(Re + Re) 30). Jo cual es exactamente igual a [a ecuacién 4.19, Las ecuaciones restantes para Ve, Vey Vp son también las mismas que las obtenidas para Ia configuracién de polarizacidn en em Ry + Figura 4.28 Detcrminscion de Rw Figura 4.29 Deverminacidn de En. Figura 430 Imcercion de! er cuike equivalenie de Theverin, Determine el voltaje de polarizacién de de Veg y la cortiente Jc para la configuracisn por divisor de voltaje de fa figura 4.31. . Solucién, Figura 4.31 Circuito de beta estabilzada pare et ejemplo 47. 45. Polarizacton por divisor de voltaje EJEMPLO 4.7 179Eeuacién (4.28): Ry, = RyRy (39 kO)3.9 kO} 39K + 3.9kO. = 355k Eeuaci6n (4.29): R+R B.9 KQI22 V) 39kKO + En — Vor Ry + (B+ DRe 2V-07V I3v ~355k0 + (40.5kO) 355k0 + 2112 = 6.05 pA l= Bln = (140)(6.05 pA) 0.85 mA Veo ~ be(Re + Re) = 22 V — (0.85 mMAXIOKN + 1.5 kM) =22V-9.78V 12.22 V Ecuaci6n (4.30) Beuacisn (4.31): Anilisis aproximado La seccin de entrada de la configuracién por divisor de voltaje puede ser representada por la red de la figura 4.32, La resistencia Res la resistencia equivalente entre la base y fa tierra para el transistor con un resistor en el emisor Ry. Recuerde que en la seccién 4.4 (ecuacién 4.18) la resistencia reflejada entre Ia base y el emisor se define por R= (B + 1) Re. Si R, es mucho ‘mayor que Ia resistencia Ro, la eorriente Jy set mucho menor que fy (la corriente siempre busca el camino con menor resistencia) e Jz serd aproximadamente igual a 1,. Si se acepta la aproxi- macida de que fy ¢s esencialmente cero amperes, comparada con J, 0 fa, entonces fy = Ip y Ry a, RR eh) Figura 432. Circuito de pokviza- cidn parcial para calcular el voltaje de base aproximado Vj. Capitulo 4 Folarizacion de de para BJTs y Rz podrin ser considerados elementos en serie. El voltae a través de Ry, que en realidad es cl vollaje de base, puede daterminarse mediante Ia regla del divisor de volkaje (Ue abel nombre de la configuracidn). Esto es, Ree Me RR, (4.32) Debido a que R; do puede aplicarse se (B + 1)Re = BR, la condiciin que definira si cl enfoque aproxima- la siguiente: BR, = 10R, 433) En otras palabras, si B veces el valor de Ryres al menos 10 veces el valor de Rs posible aplicar el enfoque aproximado con un alto grado de exactitud, ‘Una vez que Vg se determind, el nivel de V_-puede ser calculado con Ve = Va ~ Vor (4.34) y la corriente del emisor se determina a parti de rd (4.35) (4.36) El voltae colector a emisor se determine por Voe'= Veo ~ eRe ~ beRe pero dado que Ig = ley Ver, = Veo ~ Fe(Re + Re) 437) Observe que en la secuencia de eéleulos desde la ecuacién 4.33 a Ju ecuacion 4.37, no aparece y que I no fue calculada, El punto Q (segtin se determind por Ic, ¥ Vce4) seré por lo tanto independiente del valor de 8. Repita el andlisis de a figura 4.31 utilizando ahora la técnica de aproximacién, y compare las sotuciones para Tey ¥ Very Solucion Probando: BR, = 10R, (140)(1,5 kM) = 10(3.9 k2) 210.0 = 39 KA. (satisfecha) Vee +R (3.9k)22 V) *30KD + 39KO =2V Bcuacién (4. Va 45. Polarizacion por divisor de voltaje EJEMPLO 4.8 181182 EJEMPLO 4.9 Observe que el nivel de Vy es el misimo que el de Rry determinado en el ejemplo 47. Esencialmente, por lo tanto, a principal diferencia entre las téenicas exacta y aproximada es el efecto de Ary en el caso del anilisis exacto, ef cual separa Er y Vp Feuaci6n (4.34): Ve = Ve ~ Vue 2v-07V " 13V ‘cc — Ide + Re) = 22V — (0.867 mA)(IOKV + 1.5 kO) 2V—9.97V = 12.03V contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 47. Los resultados de Jc, y Vee, son ciertamente muy cercanos, y considerando las variaciones reales en los valores de los Pardmetros, puede considerarse uno tan preciso como el otto, Mientras mayor sea el nivel de R, comparado con Rs, més cercana se encontraré fa solucién aproximada a la exacta. El ejemplo 4.10 comparard las soluciones bajo ut nivel muy por debajo de la condicidn establecida por la ecuacién 4.3. Repita el analisis exacto del ejemplo 4.7 leg Vee B se reduce a 70 y compate tas soluciones para Solucién Este ejemplo no presenta una comparacién entre los métodos exacto y aproximado sino una Prueba acerca de cudnto se moverd el punto Q si el nivel de B se divide a ke mitad. Ry y Ey son fos mismos: Ry = 3.55K0, Ey = 2V En — Vee Ry t (B+ DR 2 v SN 355K + (TILSEN) 3.55KN + 10650. = 1181 pA Tq = Bl = (70)(11.81 pA) = 0.83 mA Ven, = Veo ~ lelRe + Re) 2 V ~ (0.83 mA)(10 KA + 1.5 kO) Ie Capitulo 4 Potarisacion de de para BJs Al tabular fos resuliados se obtione: Je (mma) M40 oss 70 oss Los resultados claramente muestran la insensibitidad relativa del circuito ante eambios en B. Tncluso cuando se divide drésticamente « la mitad, de 140 a 70, los niveles de Ic, ¥ Very son esencialmente los mismos. Determine Jos niveles de Ic, y Vere para la configuracién de divisor de voltaje de la figura EJEMPLO 4.10 4.33 mediante las técnicas exacta y aproximada y compare las soluciones, En este caso, las condiciones de la ecuacin 4.33 no serdn satisfechas, sin embargo, fos resultados revelarin la diferencia en las soluciones si el criterio de 1a ecuacién 4.33 se ignora, Igy IK 10 uP Figura 4.33 Configurackin de divisor de volte para el cjemplo 4.10. Solueién Por andlisis exacto Beuacign (4.33): BR; = 10R, (501.2 KE) = 10(22 KA} 60 KO ¥ 220 A (no satisfecha) RyRy = 82 kOI}22 KO Reo __ 22 K(I8V) 17.35 kK. 2 = 8B Fi Re Ry SDK + KD A Evy — Vee 381V-07V _ a “Ry t+ Re W3SKOF SIT2KD) — 78.55K0 45. Polarizacion por divisor de voltaje 183184 Io, = Bla = (50)(39.6 A) = 1.98 ma, Ver, = Vee ~ te(Re + Re) IS V ~ (1.98 MAYS. KO + 1.2kO) = 454 ilisis aproximado Vp = En = 381V Vz = Vp — Vee = 381 V -0.7V =3.51V Ve 3.LV oe eR Loeg 7 259mA Veo = IdlRe + Re) 18 V ~ (2.59 mA)(5.6 KA + 1.2kO) 3.88V ‘Tabulando los resultados tenemos: Es, (mA) Vee, (V) Exo 198 4s Aproximade 259 3.88 Los resultados revelan Tas diferencias entre las soluciones exacta y aproximada. Zc, es casi 30% mayor con el aniliss aproximado, mientras que Veg, es cerca de 10% menor. Los resultados son notoriamente diferentes en magnitud, pero incluso aunque BR, es sblo cerea de tres veces mayor que Az, los resullados son adn relativamente cereartos entre sf. En el futuro, sin «embargo, nuestro andlisis serd estipulado por la ecuacién 4.33 para asegurar una similitud cercana entre las soluciones exacta y aproximada, Saturacion del transistor Bl circuito de salida colecto-emisor para la configuracién del divisor de voltaje posee fa misma apariencia que ta del circuito de polarizacién en emisor analizado en la seccién 4.4. La ecuacidn resultante para la corriente de saturacién (donde Veg se hace cero volts en la grifica) es por tanto, la misma que se obtuvo para la configuracién de polarizacién en emisor. Fsto es, Vee. fe dea Ra Ry 438) Analisis por medio de la recta de carga Las simititudes con el circuit de satida de la configuracién de polarizacién en emisor provor can las mismas interseeciones para la recta de carga de la configuracisn del divisor de voltaje. Por lo tanto, la reeta de carga tendré Ia misma apariencia que la de Ia figura 4.24, con Capitulo + Polarizacién de de para BTS (439) Ret Re vg=0V Vor = Veclc-oma (4.40) El nivel de Jp es, desde luego, determinado por una ecuacién diferente para las configuraciones, de polssizacisn por divisor de voltaje y de polarizacién en emisor. Mathcad El poder y la utilidad de Mathcad pueden demostrarse ahora para el caso de la red del ejemplo 4.7, Cuando se utiliza Mathcad, no hay necesidad de preocuparse sobre cudl método (exacto aproximado) deberi de emplearse para fa red de polarizacién por divisor de voltae; ya que Mathead siempre proporcionaré los resultados ms precisos posibles para los datos capturades. (Como se muestra en Ia figura 4.34, primero se capturan todos los pardmetros (variables) de la red, sin necesidad de incluir Iss unidades de medicién. Aunque el listado aparece como el ‘mostrado en la figura 4.34, en el almacenarnitento (disco duro interno o disco flexible) es posible modificar los pardmetros en cualquier momento con una actualizacién inmediata de los te= stlados. Todas las ecuaciones luego se introducen en un orden que permita utilizar los resultados para calcular la siguiente cantidad de interés. Esto es, las ecuaciones se deberén capturar de inquierda a derecha y hacia abajo de ta pantalla, En este ejemplo, IB se determina primero ‘ya que serd uilizada para encontrar IC en la siguiente linea, Mediante Mathcad, los resultados obtenilos corresponden exactamente para el caso de IB IC y son ligeramente diferentes para VCE debido a que el nivel de precisid para TC que ma- rneja Mathcad para la solucién es mayor. La grandiosa ventaja de mantener esta secuencia de c:leutos almacenada, es que puede ser recuperada en pantalla para cualquier red de divisor de voltaje, y que es posible obtener los resultados de forma répida y precisa, cambiando simplemente las magnitudes de variables espeetticas. oe Re rewire RE=1SU0 vn :=07 vee Cpr | eyed wep iB) ee 1B - 6045410 (RTh+ (beta +t): Ic wD Ie = 846310 VCE: 2C~ IC (RC+ RE) Vers 12201 Figura 4.34 Verilicacion de los resultados del ejemplo 4.7 mediante Mathcad. 4.5 Polarizacion por divisor de voltaje186 4.6 POLARIZACION DE DC CON RETROALIMENTACION DE VOLTAJE Es posible obtener ufi mejor nivel de estabilidad al introducir una trayectoria de retroalimenti- cl colector ala base, como se muestra en la figura 4.35. A pesar de que el punto Q 10 es completamente independiente de ta beta (incluso bajo condiciones de aproximacién), Ia sensiblidad ante cambios en la beta 0a variaciones de temperatura es normalmente menor que Jk que se encuentra en las configuraciones de polarizacién fija o de polarizacién en emisor. El sndisis nuevamente se efectuaré comenzando por analizar la malla base-emisor con los res- tados aplicados Iuego a la malla colector-emisor Malla base-emisor La figura 4.36 muestra la malls base-emisor para la configuracién de retroalimentacién de vol {uje. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de esta malla en la direcei6n de las manecillas de reloj tenemos el siguiente resultado Vee TeRe ~ Tay ~ Vee ~ TeRe Figura 4.35 Ciecuito de poleizacion de de con. Figura 436. Malla base-emisor para la entacion de voli. red de la figura 4.35, Es importante observar que la comiente a través de Re no es fe sino Ié(siendo I: = Ie + I). Sin embargo, los niveles de Ice IZ-exceden por mucho al nivel de Jy por lo que la aproximacién Te Ices normalmente wtilizada, Al sustituir [2 = Ic = Blye Ip = Ic resultard Veo ~ BlgRe — InRy ~ Vox — BloRe = 0 Al agrupar los términos tenemos Veo ~ Var ~ Bly(Re + Re) ~ IR, yal resolver para fp resulta 7 Veo ~ Vee Po Re + BlRe + Ry) (at) El resultado es muy interesante en cuanto a que'su formato es muy similaé al de las ecuaciones para obtenidas para configuraciones anteriores. Nuevamente el numerador es la diferencia entre los niveles de voltae disponibles, mientras que el denominacor es igual a la resistencia de la base mds los resistores del colector y del emisor reflejados por beta, En general, por tanto, la trayectoria de retroalimentacién da por resultado un reflejo de la resistencia Re de regreso hacia el circuito de entrada, de la misma forma que el reflejo de Re, En general, la ecuaci6n para fg ha tenido el siguiente formato: 5 Ry + BR Ip Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs con la ausencia de R’ de la configuracién de polarizacién fija, R’ = Ry para la configuracisn de polarizacién en emisor (con (B+ 1) & B),y R' = Re + Re para el arreglo de retroalimenta el colector. El voltaje Ves la diferencia entre los dos niveles de volaje Ya que fe= Bly By" Ry + BR En general, mientras mis grande sea BR” comparada con Rp, menor ser la sensibilidad de Ic, ante variaciones en la beta, Obviamente, si GR" > Rp y Ry + BR" = BR’. entonces pv pv iv Ic Ry + BR BRR’ € Jc, €8 independiente del valor de beta. Debido a que normalmente Res mayor para la configuracign de retroalimentacién de voltaje que para ta configuracién de potarizacién en emisor, la sensibilidad a variaciones de B es menor. Desde luego, R’ es igual a cero ohms para la cont euracién de polarizacién fija y es por tanto muy sensible ante las variaciones en beta. Malla colector-emisor La malla colector-emisor para la red de la figura 4.35 se proporciona en la figura 4.37. Al api car la ley de voltae de Kirchhoff alrededor de ésta, en sentido de las manecillas de reloj e resultado es Tp + Veg + IeRe- Vec = 0 Dado que Id = Icy que Te * Ic, tenemos Tce + Rg) + Vee — Voc = 0 % Vee Veo — TelRe + Re) 442) el cual es exactamente el ob visor de volaje. las configuraciones de polarizacién en emisor y de di- Figura 4.37 Malls colesto cor pata Ta ted de la figura 4.35, Determine los niveles de reposo de leg ¥ Very Para la red de la figura 4.38, Solucién 7 Veo ~ Vow Beacon (441): y= RP Ry lov © 250 KO + (90)(4.7KO + 1.20) __93V ON: 250k + 531K 781K = 1191 pA Ie, = Bla = (90)(11.91 pA) 1.07 mA, _ Veo ~ Te(Re + Re) 10 V ~ (1.07 mA)(4.7 kO + 1.2K) 10V - 6.31V. 3.69 V 4.6 Polarizacion de de con retroalimentacion de voltaje EJEMPLO 4.11 lov 2s0Ke rake ~ Figura 4.38 Red del ejemplo 4.11. 187EJEMPLO 4.12 EJEMPLO 4.13 Repita el ejemplo 4.11 pero utilice ahora una beta de 185 (50% mayor a la del ejemplo 4.11) Solucién Es importante obgervar en la solucién de Ty en el ejemplo 4.11 que et segundo término en el denominador de ta ecuacion es mayor que el primero. Recuende de un andlisis antetior que mientras mayor sea este término comparado con el primero, menor serd la sensibilidad a cam: bios en beta. En este ejemplo, ef nivel de beta se inerementé 50%, lo cual incrementard ta rmagnitud de este segundo término an mss eomparado con el primero. Sin embargo, es mais importante observar en estos ejemplos, que una ver que el segundo término es relativamente ‘mayor al primero, la sensibilidad ante cambios en beta es significativamente menor. Al resolver para / resulta Veo — Ra + B(Re + Re) 10Vv 250 KO + (135)(4. o3V 250K + 796.5kK2 1046.5 kX 8.89 uA = Bly = (135)(8.89 2A) 12mA te = Voo ~ Ae(Re + Re) 10V = (12 mAY47 KO # 1.2K) 10V — 7.08 V =292V ty Incluvo aunque ef nivel de B se increments en un $0%, el nivel de Je, slo lo hizo 12.1% mientras que el nivel de Very disminuy6 cerea de 20.9%. Si la red fuera un disefo de polar. zacién fija, un incremento de 50% en B resultarfa en un ineremento de 50% en Ic, ¥ un cambio deamético en la Yocalizacién del punto Q. 1 el nivel de de de fay Ve para la red de la figura 4.39. Igy 33k alka 10K0. Figura 4.39 Red del ejemplo 4.13, Capitulo + Polarizacion de de para BJTs Solucién, En este caso, a resistencia de Ja base para el andlisis en de esti formads por dos resistores y ‘un capacitor conectados desde su uni6n a tierra. Fir modo de, el capacitor es equivalente a un circuito abierto y Ra = Ri + Re Al resolver pari Zs tenemos Vee ‘se io + BURe + Re} a (OLKO + 110KQ) + (75)3.3 KO = 051 KO) =o. a. i: 201 KO + 285.75kQ — 486.75 KD 35.5 pA le= Bly (1535.5 mA) 2.66 mA Vo = Vee ~ leRe = Vee ~ teRe 18 V ~ (2.66 mA}(3.3 kO) 18V ~ 8.78 =9.2V —_————— # u u Condiciones de saturacién Alutitizarla aproximacién /¢. = Ic, laecuaci6n para la corriente de saturacién es la misma que In obtenida para las configuraciones de divisor de voltae y de polarizacién en emisor. Esto es, (4.43) Anilisis por medio de la recta de carga ‘Si continuamos con la aproximacién [é: = Jc tendremos la misma recta de carga definida para las configuraciones de divisor de voltae y de polarizacién en emisor. Bl nivel de Jp, estard de~ finido por la configuracién de polarizacidn seleccionada, 4.7 DIVERSAS CONFIGURACIONES DE POLARIZACION Existen muchas configuraciones de polarizacién para BIT que no eoinciden con el patién ba- sioo de aquellas analizadas en las secciones previas. De hecho, existen tantas variaciones en el disefio que se requeriran muchas mas paginas de las que son posibles para un libro de est tipo. Sin embargo, el propésito principal aqui, es hacer énfasis en aquellas caractersticas del dispositivo que permiten tn anilisis de de de Ia configuracién y establecer un procedimiento general para la solucién deseada. Para cada configuracién iscutida hasta ahora, el primer paso ha sido Ja obtencién de una expresién para Ia corriente de base, Una vez que la corriente de base se co- rnoce, és posible determinar de forma considerablemente directa, la cortiente del eolector y los 4.7 Diversas eonfiguraciones de polatizacton 189niveles de voltae del cizcuito de salida, Esto no implica que todas la soluciones tomardn este camino, pero sugiere una posible ruta a seguir si se encuentra nna nueva configuracin, El primer ejemplo es uno donde simplemente el resistor det emisor ha sido eliminado de la configuracién de retroalimentacion de Woltaje de la figura 435. E] andlisis es muy similar pero requiere deshacerse Ue Re de Js ecuacién apticada: EJEMPLO 4.14 190 Para la red de le figura 440: (a) Determine Ic, ¥ Very. (b) Encuentre Vy Ves Very Vac tour Figura 4.40 Setroclimentacién, el caector con Re = 0.0. Solucién (a) La ausencia de Re reduce el reflejo de los nivelesresstivos simplemente al nivel de Re y la ‘ecuacién para Jy se reduce & Ve Ry + BRe 20V-07V 193 V_ 680 KD + (120)(4.7KQ) ~ 1244 = 15.51 pA Tc, = Bly = (120)(15.51 pA) = 186 mA Ves, = Veo ~ tee 0 V — (1.86 mA)(4.7 kA) 1.26V = Vee In (b) Voc = Va ~ Ve = 0.7. ~ 11.26V = -10.56V See En el siguiente ejemplo, el voltae apticado se conecta ala terminal del emisor y Re se co- recta directamente a tierra, Inicialmente, éste pareciera un tanto heterodoxo y diferente de los ue hemos revisado hasta ahora, pero la aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff sobre el Circuito de la base traeté por resultado la corriente de base buscada, Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs Determine Vc y Vp para ta ced de la figura 4th tH Solucién Al aplicar la Tey de voltaje de Kirchhoff en direecién de las maneciflas del retoj pera la mall base-emisor tendremos como resultado —HRs — Vaz + Veg = 0 Vee — Voe . [p= ee Por medio de sustituciéa tenemos po DN ao 7100 KD 83V 100 KO = 834A Ic = Ble = (45)(83 4A) = 3.735 mA Ve = -TeRe (3.735 ma)(L.2 KO) = -448V Va = —InRy = -(83 wA)(100 KO) = -83V I siguiente ejemplo emplea una red denominada de configuracidn emisor-seguidor. Cuan- do esta misona red se analiza sobre una base de ac, encontraremos que las sefales de salida y cenlrada se encuentran en fase (una siguiendo a la otra) y que el voltaje de salida es ligeramente menor que el de la sefalapficads. Par el andisis de de, el colector esti conectado tierra y cl vole aplicado se encuentra en ta terminal del emisor. 4.7 Diversas configuraciones de polarizacion EJEMPLO 4.15 191192 EJEMPLO 4.16 Determine Veg. © Ze para a red de la figura 4.42, Vee 8-20 Figura 4.42 Conliguracién de colector comtn (emisor-seguido), Solucién Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada tendremos como resultado wTpRa — Vee — teRe + Vex = 0 pero 1e= (B+ Mo y Vou — Vac ~ (B+ WaRe ~ typ = 0 con i Al sustituir valores tenemos | NONE ~ 240K0 + (91)(2 KO) ~—_193V__ 193. 240kO + 182kKN ~~ 422K = 45.73 pA te= Bly = (90)(45.73 mA) =4.12mA Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos ty Veg + Tee + Vee pero Ip = (B+ My : Vee, = Ver ~ (B+ 1a = 20V ~ (9145.73 #A)(2 KO} = 1168V 4.16 mA, Capitulo 4 Polarizacién de de para BJTS ‘Todos los ejemplos hasta este punto han empleado una configuracién de emisor-comiino de colector-comiin, Ea el siguiente ejemplo analizaremos la configuracién base-comiin, Bajo esta Situacidn, et creuito de entrada se utlizaré para determinar J— en lugar dep, La cortiente del Solector entonces, se encontraré disponible para efectuar un andlisis del circuito de seid Determine el vollaje Ven y la cortiente J, de 1s configuracién de base-comén de Ta figura 443, nod Figura 4.43 °Conliguracion de base-coman, Solucién. ‘Al apliar a ley de voltaje de Kirchhoff al eireuito de entrada obteneros Vee + LeRe + Vor = 0 Ver — Vs a re tee Al sustituir valores, obtenemos _ : 12k Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al eircuito de satida abtenemos Ven + IoRe ~ Veo = 0 y Veg = Veo ~ FRc com Ie = Ie = 10V ~ (2.75 ma)(2.4k0) 34V = 2.75 mA Ie B 75. mA, 60 = 45.8 pA W Flejemplo 4.18 emplea una fuente doble por lo que requri a aplicaciin del teorema de ‘Thévenin para determinar las ine6gnitas buseadas, 4. Diversas configuraciones de polarizacion EJEMPLO 4.17 193,EJEMPLO 4.18 Determine Ve y Vp para a red de le figura 44 nv Figura 4.44 Ejemplo 4.18. Solucién Se determinan la resistencia y el voltaje de Thévenin para fa red de la izquierda de ta terminal de la base como se muestra en las figuras 4.45 y 4.46, Hn de Ry Figura 446. Dewerminacion de Ey Ry Ry = 82 KOP.2KO = 173 KO = 20V+20V 40V B2KN+22KQ~ 104k0 = (3.85 mA)(2.2 kA) ~ 20 = -1LS3V La ted puede volverse a dibujar como se muestra en la figura 4.47, donde la aplicacis Ta ley de voltaje de Kirchhoff dard como resultado , a ~Eny ~ Ton ~ Vac ~ Tee + Vex = 0 194 Capitulo 4 Polartzxcton de de para BJTs Figura 4.47 Susttuetén del circuito equivaleme de Theven Al sustituit y= (B + Dif tenemos DleRe ~ Term = 20V - 1153V -0.7V = T73kO + (1211.8 KA) _ dT © 219.53 KO = 35.39 A Bly = (120)(35.39 wa) = 4.25 mA Vo = Vee ~ Tee = 20 V ~ (4.25 mA)(2.7 KO) = 853V Va = ~Exy ~ Tan ~(11.53 V) = 1159 39 pA)(1.73 kO) 4.8 OPERACIONES DE DISENO Hasta ahora la discusi6n se ha centrado en el andlisis de redes existentes. Todos los elementos se encuentran ya definidos y simplemente es cuestiOn de resolver los niveles de comriente y de voltaje de la configuracién, El proceso de disefio es aquél en el que la corriente ylo el voltaje pueden estar definidos y se debern determinar los elementos requeridos para establecer los ni veles deseados. Este proceso de sfntesis requiere de un claro entendimicnto de ls caracteristicas del dispositivo, de las ecuaciones bisicas de la red y un firme entendinniento de las leyes bisicas del andlisis de circuitos, tales como ta ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhof, eteé- tera, En la mayoria de los casos, se tequiere un proceso de razonamiento de mayor nivel para el caso del proceso de disefio que el requerido para la secuencia de andliss. Ya que el camino hacia la soluci6n se encuentra menos definido y de hecho, podria requerir algunos supuestos bisicos que no se requieren realizar cuando solamente se analiza una red, 2 eeLa secuencia de disefo es obviamente sensible ante los elementos que ya han sido precisados ¥y ante los que serin deierminados. i las fuentes y los ransistores se encuentran especiticados, el proceso de disefio simplemente deberé determinar los resistores requetidos para un disefio en perticular. Una ver que los valores teéricos de los resistores se determinaron, normalmente se seleccionan Jos valores comerciales mas cercanos a éstos y cualquier variacién que resulte como consecuencla de no haber tilizado los valores de resistencia exactos se aceptaré como parte del disefio, Esta es sin duda, una aproximacién vélide si se consideran fas tolerancias normal mente asociadas con los elementos resistivas y con los parimetros del transistor, Si se requiere determinar valores resistivos, una de tas ecuaciones més poderosas es simplemente la ley de Ohm en la siguiente forma: [eau | Reescomca = (aaa) Ce Para un disefio particular, el volte a través de un resistor puede a menudo ser determinado a partir de Ios niveles especificados, Si especificaciones adicionales definen el nivel de corriente, puede utilizarse fa ecuacién 4.44 para calcular ef nivel de resistencia requerido. Los primeros ejemplos demostrarén Ia forma de determinar elementos particulares a partir de niveles especificados. Luego, se presentard un proceso completo de disefio para dos configuraciones comunes. 196 EJEMPLO 4.19 A parti de las carateristicas del dispositivo de la figara 4.48a, determine Veo, Ru y Re para la configuracién de polarizacin fija de la figura 4.48. @ ® Figura 4.48. Ejemplo 4.19, Solucién De la recta de carga _WV-O07V_ 193 40nA 40 mA = 482.5 kO Capitulo 4 Polarizacién de de para BJTs Valores estindares de resistor: . Re = 24kD 470 KO A utilizar valores estindares de resistor tenemos fy = 4 BA el cual se encuentra dentro det $% de valor especificado, Dados fc, =2mA y Very = 10°, determine Ry y Re para li red de a figure 449. EJEMPLO 4.20 1av _— Figura 4.49 Ejemplo 4.20, Solucién Ves Ip = IRE (2 may(1.2kM) = 24 Vor + Ve = 0.7 + 24V =3.1V (18 kOY18 V) Ss z R + 18kQ 324 kQ = 3.1R, + 55.8k0 31V BAIR, = 268.2 KO 268.2 KO, 86.52 kO Beuacién (4.44): Re Ve = Veg + Ve= WV + 24V = 124 IgV = 124V y Reta = 28k2 Bl valor comercial mas cercano a Ry son 82 y 91 KO. Sin em binacion en serie de los valores estindares de 82 kM y de 4.7 KO uy cercano al nivel del diset. argo, si se utiliza una com- 6.7 KO que resulta un valor 48 Operaciones de diseno 197EJEMPLO 4.21 La configuracion de polarizacion en emisor de la figura 4.50 posee las siguientes especi ciones: Je, = Hy Ic, = 8 MA, Ve = 18 V,y B= 110, Determine Re. Re y Re °28v f oven 8Y peito f Figura 450. Ejemplo 4.21 Solucién ley = Hen 7 Rea lk = = Te, =e dma 7 25k y eee = 35kO —25k0 =1k0 7 con = BV=07V 4, 3636 ua (INCL KO) URL ee 36.36 pA = 639.8 KO, 198 Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs Para valores estindares: Ro = 24kO Re = 1k Ry = 620k ‘Los argumentos siguientes presentardn una téenica para el disefio de un eircuito completo que opere en un punto de polarizacién especificado, Regularmente, las hojas de especificacio: nes del fabricante proporcionen informacisn sobre un punto de operaciGn sugerido (o regi de coperacidn) para un transistor particular. Ademas, otros componentes del sistema conectados @ Ia etapa de amplificacién determinada pueden también delinie para el disefo, la amplitad de ta ente, del voltae, del valor de la fuente de voltaje comin, etcetera, rdetica real, existen otros muchos factores que deben ser considerados y que pueden afectar la seleovin dl punto de opeacién deseado, Por el momento, sin embargo, debernos concentrarnos en la determinacién del valor de fos componente para obtener un panto de ope- racién especifico, La discusin estar limitada a las configuraciones de polarizacién en emisor y de divisor de voltaje, aunque puede aplicarse e! mismo procedimiento para una variedad de otros circuitos de transistors, Disefto de un circuito de polarizacion con un resistor de retroalimentacin en emisor Consideremos primero el disefio de los componentes en polarizacién de de de un cicuito amplificador que cuenta con estabilizacién de polarizaci6n por resistor en emisor como se mues- {ra en la figura 4.51. El voltaje de la fuente y el punto de operacién fueron seleccionados de la informactén del fabricante del transistor utlizado en el amplificador, Veo =20V ? Figura 4.51 Circuito de pati riencion establlizado en emisor para consideracion de diseno, La seleccidn de los resistores del colector y del emisor no puede derivarse directamente de la informaci6n especificaca. La ecuacién que relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor presenta dos cantidades desconocidas: los resistores Rc y Re, En este punto debe jectuarse algén tipo de juicio de ingenieria, como el del nivel del voltaje del emisor en com- paracién con el voltaje de alimentacin aplicado, Recuerde que la raz6n de inclu un resistor del emisor a tierra se debja a la necesidad de proporcionar una forma de estabilizacién en po- Jarizacién de de, de tal forma que el cambio en la corriente det colector debido a fugas de corriente en el transistor y a la beta del transistor, no causardn un desplazamiento considerable del punto de operacién. El resistor del emisor no puede ser excesivamente grande porque el voltaje a través de , limitara el rango de la amplitud del voltaje para el voltaje que va del colector al emisor (que se observard cuando se analice la respuesta de ac). [Los ejemplos revisados en 4.8 Operaciones de diseio 199este capitulo, indican que el voltaje del emisor a tierra es normalmente de cerca de una cuarta parte a uni décima parte del voltaje de alimentacton, Si seleccionamos el caso conservador de tun décimo nos permitiré calcular el resistor del emisor Re y el resistor Re de una forma similar a la de los ejemplos recién concluidos. En el siguiente ejemplo, efectuaremios un disefio completo de la red dea figura 4.51 utilizando el criterio recien presentado para et voltaje del emisor. EJEMPLO 4.22 Determine los valores de los resistores para la red de la figura 4.51 " stores para Ta re figura 4.51 para el punto de operucis y alimentacién de voltae indicados, , — Solucién, 2V-10V-2V_ 8Vv 2mA © 2mA 3MO eee Disefio de un cireuito con ganancia de corriente estabilizada (independiente de beta) El circuito de la figura 4.52 proporciona estabitizaciGn ante cambios provocados tanto por fugas de corriente como por ganancias en ésta (beta). Deben obtenerse los valores de los cuatro fesistores mostrados para el punto de operacién sefialado, $i se utiliza un juicio de ingenierfa para seleecionar el valor del voltje del emisor, Vp de la misma forma que hicimos en las consideraciones de disefo previas, esto nos levaré a una solucién clara y directa para todos los valores de los resistoes. Los pasos del diseio para esto se demuestran en el siguiente ejemplo. Vv Rx Salida ‘deue c Entrda_t os dex! Vorg= 8Y emi.) = ae ro 8V ptmin,) = 80 Figura 4.52 Circuito de ga nancia estabilizada para con sideraciones de disso. Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs ee EJEMPLO 4.23 Determine los valores de Re, Rey Ry y Ry para la red de la figura 4.52 para el punto de operacidn seftalado. Solucién lov 10mA Vp = Vor + Ve = O.7V +2V =27V Las ecuaciones para el céleulo de los resistores de Ta base Ry y Rz requerirén de un mayor esfuerzo de andlisis. Al utilizar el valor del voltaje de fa base calculado anteriormente y el valor del volte de alimentacién se podré obtener una ecuacién, pero con dos inedgnitas, Ry y Ro Es posible obtener ana ecuacién adicional al entender cémo funcionan estos des resistores para proporcionare! voltaje de la base necesario, Para que el circuito opere de manera eficiente, se asume que la coments através de Ry y Ro sera aproximadamente igual o mucho mayor a ka corriente de la base (al menos en proparcién 10:1), Este hecho junto con la ecuacién det divisor de voltaje para el voltje de Ix base, proporcionan las dos rlaciones necesaias para deter- rminar los resistores de la base. Esto es, y Ve ‘Sustituyendo tenemos 19(80)(0.2 kQ) = 16kO vp = 27 = LSkMCOV) Ry + 16K y 27R, + 432 KO = 32K 27R, = 27.68 kD R, = 10.252 (use 102) ee 4.9 REDES DE CONMUTACION CON TRANSISTORES Las aplicaciones de los transistores no se limitan snicamente ala amplificacién de seiales. Me- diante un disefio apropiado, se pueden utilizar como interruptores para aplicaciones de eémpu- toy de control. La red de la figura 4,53a puede emplearse como un inversor para circuitos | gicos de eémputo. Observe que el voltaje de salida Vc es el opuesto del que se aplica en la terminal de la base o de entrada, Ademés, observe la ausencia de una fuente de de conectada al circuito de la base. La tinica fuente de de se encuentra conectada al colector 0 lado de salida y, para aplicaciones de cémputo, éste es generalmente igual ala magnitud “alta” de la sefial aplicada, que para este caso son 5 V. 4.9. Redes de conmutacién con (ransistores 201202 sv @ ) Figura 4.53. Tiansistor inversor, Un diseiio apropiado para el proceso de inversidn requiere que el punto de operacign alterne entre el corte y la saturacién durante la recta de carga demostrada en la figura 4.53b, Para ‘uestros propésitos, asuminemos que Le = Icey = 0 mA cuando Ip = 0 4A (lo que es una excelente aproximaciOn a Ia luz de las mejoras en las técnicas de construccién), como se muestra en la figura 4.53, Ademds de esto, asuimiremos que Ver = Veg, = 0'V en lugar del valor connin 40.1403, Cuando V;= 5 V, el transistor se encontraré “encendido” y el disefio deberd asegurar que la sed se encuentra altamente saturada por un nivel de fp mayor que el asociado con la curva de Ip ue aparece cerca del nivel de saturacién, En fa figura 4.53b, esto requiere que Ty > 50 pA. El nivel de saturacién de la corriente del colector para ef circuto de la figura 4.53a esta definido por ae (4.45) Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs Ey nivel de /y en la regi6n activa justo antes de que ocurra Ia saturacién puede aproximarse con Ia siguiente ecuacién: ibe Bi Para el nivel de saturacién debemos, por lo tanto, asegurar que se satisface Is siguiente con ici6n The _ (446) fT Be Para la red de la figura 4.536, cuando ¥, = $ V, el nivel de J, resultante es el siguiente: Mr 07V _S5V-07V = = 63 nA ts Ry cep Veo__ SV av = 6.1 mA 7 See oi AA probar la ecuacién 4.46 tenemos Jo, _ 6.1mA = yA > £ 48.8 y= Bua > B= Soe BA lo cual se satisface. Desde nego, cualquier nivel de Jy mayor de 60 A pasard a uavés de un punto Q sobre la recta de carga que se encuentra muy cercana al je vertical. ‘Cuando V;= 0 V, fp =0 1A, y dado que estamos asumicndo que Lc = Icgo = 0 mA, la cal de volta a través de Re, determinada por Vp, = [cRe = 0 V, resulta en Vo= +5 V para la respuesta indicada en la figura 4.530 ‘Ademés de contribuir con la l6gica computacional, el transistor puede también emplearse ‘como un interruptor utilizando los mismos extremos de ta recta de carga. En la saturacifn, Ia corriente Zc es muy alta y el voltaje Vee es muy bajo, El resultado es un nivel de resistencia, centre las dos terminales, determinado por y representado en la figura 4.54. effi . * Wat) Vig = * « Figura 4.54. Condiciones de rh & sattraciony i esitenca de terminal relat AA utilizar un valor promedio tipico de Vep,y como 0.15 V tenemos 7 — Mee, — 0.15 V Tc, GL mA el cual es un valor zelativamente bajo y = 0 02 cuando es colocado en serie con resistores del tango de los kiloobas, 24.6.0 4.9 Redes de conmutacign con transistores 203‘i Figura 455 Condiiones de 7 | come y fa resitencin de trinat resent Cuando V, = 0 V. como se muestra en la figura 4.55, la condicién de corte ocasionard un nivel de resistencia de magoitud siyuiente: Vee _ 5V Rene = 7 =O Teco OMA lo que resulta en la equivalencia de circuito abierto. Pura un valor tipico de Tero = U0 yA, la rmagnitud de la resistencia de corte es Vv Tero sv Jona 7 500k el cual, ciertamente se aproxima a uns equivalencia de circito aberte para varias sitwciones. Reone 204 a ee Determine Ry y Re para el transistor inversor de la figura 4.56 si ., = 10 mA. Veo=10V Re Ye Re Wy ng 2280 @) Figura 4.56. Invcrsor dol ejemplo 424 Solucién En fa saturacién: y por lo que Ena saturacién: Tey _ 1OmA Ip 2 2 = LOMA 40 ar Al seleecionar fy = 60 wA para asegurar Ia saturactén y utilizar Vi-07V Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs -07V _WV-07V fenemos ' a = 155 KO obtenemtos R, 7 ae 155k: Seleccionar Rg = 150k, el cual es un valor estindar, Entonce 1, — VEIN _ ov a © 150k . Ip = 62 MA > = 40 pA Bs. Por lo tanto, se debe utilizar Ry = 150 KO y Re = 1 kM. Existen transistores que se denominan como transistores de conmutacidn debido a la velocidad con la que pueden conmutar de un nivel de voltae al otto, En la figura 3.23e se presentan los periodos definidos como ty fgraficados en funciGn de la corriente del colector. Su impac- to sobre la velocidad de respuesta de la salida del colector se define por la respuesta de la corrente del colector dela figura 4.57. El tiempo total requetido para que el transistor conmute del estado de “apagado” al de “encendido” se design cOmO fuyendse 5° define por aide = 6 tg (4.47) donde 1, el tiempo de retraso en el estado de carga de la entrada y el inicio de una respuesta de la salida, Bl elemento de tiempo f, es ef tiempo de subida de 10% a 90% del valor final. ‘Tansiter“eoendido” Tansee spoasdo™ Figuea 4.57 Definicidn de los intervalos de tempo de una forms de onds de pulso. El tiempo total requerido para que un transistor alterne entre el estado de “ene: de “apagado” se denomina como fypgady Y SE define come uty (4.48) pst donde #, es el tiempo de almacenamiento y tes el tiempo de caida de 90% a 10% del valor inital. 4.9 Redes de conmutacion con transistores 205eorv si 3V Ge Figura 4.58 Verificacin del ni vel de de 206 insistor de propésito general de la figura 3.23c evando fe OMA, tenemos 20 ns y = Dns + ty = 13s + 25ns = 38ns + y= 120ns + 12 ns = 132ns porlo que fence y opus Al comperar los valores anteriores con los siguientes pardmetros de un transistor interruptor BSVS2L se hace evidente uno de los motivos para seleccionar un transistor de conmutacién ‘cuando es necesario. oe = 18ns rpg 4.10 TECNICAS PARA LOCALIZACION DE FALLAS El arte de la localizacién de fallas es un campo tan amplio que no es posible cubrir las nume- roxas posibilidades y técnicas en unas cuantas secciones de un libro. Sin embargo, el profesio- nal del érea debe conocer algunas mediciones y maniobras bésicas que pueden ayudar a aislar el drea del problema y posiblemente a identificar una sotucién, Obviamente, el primer paso para poder detectar problemas en una red es el entender completamente el comportamiento de ésta, y contar con cierta idea sobre los niveles esperados de corriente y de voltaje, Para la tegién activa del transistor, el nivel de medida de de més importante es el voltae de base a emisor. Para un transistor en estado de ncendido”, el voltae Var debe andar alrededor de 0.7 V, Las conexiones dpropiadas para medir Vag se muestran en la figura 4.58. Observe que la punta de prueba positiva (roja) se conecta a la terminal de la base para el caso de wa transistor npn y que la punta de prueba negative (negra) se conecta a la terminal del emisor. Deberé desconfiarse de cualquier lectura completamente diferente del nivel esperado de 0.7 V, tal como 0, 40 12 V, 0 tun valor negativo, y deberén verifcarse las conexiones de la red o del dispositivo, Para un transistor ‘pnp, se pueden utilizar las mismas conexiones, pero se deberd esperar un valor negativo, Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje de colector a emisor, Recuerde de tas caracteristicas generales de un BJT, que para dispositivos saturados (una condicién que no de- beria presentarse a menos que el dispositivo se utilice como conmutador) el nivel de Vey se ea- cuentra en la cercanfa de 03 V. Sin embargo, Para el transistor amplificador tipico en la regidn activa, Vex: normalmente se encuentra de 25% a 73% de Ve Para cuando Vac = 20 V, una lectura de 1 a 2'V o de 18 @ 20 V como se muestea en la figura 4.59 es, sin lugar a dudas, un resultado inusuel, y a menos que haya sido disediado para proporcionar esta respuesta, la operaciGn y el disefio deberdn ser verificados. $i Veg = 20 V (con Vec = 20 V) tenemos al menos dos posibilidades: ya sea que el dispositivo (BJT) se en: cuentra daiado y presenta las caracteristicas de un cicuito abierto entre las terminales del colector y del emisor, o se encuentra abierta una conexisn entre la malla colector-emisor 0 base- eiisor como se muestra en la figura 4.60, provocando que /-se encuentra en 0 mA y Va. = OV. En la figura 4,60, la punta de prueba negra del voltimetro se encuentra conectada con la tierra —— ee lo] eee 2 Figura 4.59 Revision el nivel — ae Vex comt n de la fuente y 1a punta de prueba roja con Ia terminal inferior del transistor, La avsen- cia de corriente del colector y una cafda resultant a través de R ocasionarén una lectura de 20 V. Si el medidor se conecta con la terminal det colector del BIT, la lectura serd de 0 V, ya que Voc se encuentra bloqueado del dispositivo activo a causa del circuito abierto, Uno de los ‘errores mas conwunes en la experiencia del Iaboratorio es el empleo del valor equivocado de ka resistencia para un disefio dado. Imagine el impacto de utilzer un cesistor de 680 {Len Ry en lugar del valor del disefo de 680 kA, Para un valor de Vec = 20'V y una configuracién de po- larizacién fia, el valor restitante de la corriente de base seria 20V-07V 6800, ly 28.4 mA cn lugar del valor deseado de 28.4 A, juna diferencia muy importante! Una corriente de base de 28.4 mA efectivamente situarfa al disefio en une regiGn de satu- i6n y posiblemente dafarfa al dispositivo. Debido a que los valores reales de los resistores son generalmente distintos de los valores nominales que se dan mediante los cédigos de color (recuerde ios niveles de tolerancia comunes para los elementos resistivos), bien vale la pena tomar la medicién del resistor para conocer su valor real antes de incluirlo en la red, El resultado de esto es hacer que los valores reales sean To més cercanos @ los valores tebricos y lograr con esto una mayor seguridad de que los valores correctos de resistencia se estin empleando, Sin embargo, exisirén momentos frustrantes; se habré veificado el dispositivo en un trazador de curvas, 0 en algin otro instrumento de pruebas para BIT y al parecer, se encuentra en ‘buenas condiciones. Todos los niveles de los resistores parecen correctos, las conexiones se muestran sotidas, se estéaplicando el suministro de voltaje correcto; jqué sigue? Ahora, quien se encargue de la localizacién de la falla, deberd arreglérselas para llegar a un nivel mayor de sofisticacién, ;Podria ser que la conexién interna entre el cable y la conexién final de fa punta se encuentre dafiada? ;Cudntas veces el simple hecho de tocar una punta en el luger correcto acarrea una situacién de “Yunciona/no funciona” entre las conexiones? Quizé la fuente se en- cendis y se coloes en el voltaje correcto, pero la perilla que limita la cortiente se dejé en la po: sicién de cero, evitando un nivel de corriente adecuado para el consumo del disefio de la red, Obviamente, mientras mas sofisticado sea el sistema, mayor seré el rango de posibilidades. En cualquier caso, uno de los métodos més efectivos para verificar la operacién de una red es pro bar distintos niveles de voltaje con respecto a tierra conectando la punta de prueba negra (ne tiva) de un voltimetro con tierra y “tocando” las terminales mis importantes con la punta de prueba roja (positiva). En la figura 4.61, sila punta de prueba roja se encuentra conectada dire tamente con Vec, se deberd obtener la lectura de Vec volts ya que fared posee una terra comin para la fuente y para los componentes de la red. En el punto Ve la lectura deberd ser menor, de~ terminada por la cafda a través de Rc, y Ve deberé ser menor que Vc por el voltae colector-emisor Veg. La fala al obtener en cualquiera de estos puntos Lo que debiera ser un nivel de voltaje razonable, deber‘a ser en s{ mismo suficiente para identificar al elemento o a la conexiGn defi- ciente. Si Vp. ¥ Vag tienen valores razonables, pero Vcr es igual a O V, existe la posbilidad de que el BIT se encuentre dafiado y muestre una equivalencia de corto citcuito entre las terminales del colector y del emisor. Como se observé anteriormente, si Vce registra un valor cercano a (0.3 V, lated podria encontrarse en saturacién como lo define Vee = Ve— Vp (la diferencia entre los dos niveles como se midié antes) con un dispositivo que se encuentre 0 no defectuoso, Del analisis anterior, parecerfa algo obvio que la parte del voltimetro de un VOM o DMM (multimetro digital) sea muy importante para el proceso de localizacién de flias. Por lo general, los niveles de corriente se calculan a partir de los niveles de voltae a través de los resist: res, en lugar de “romper” la red e insertar el miliamperiietro dei multimetro. En diagramas grandes se proporcionan niveles de voltae especificos con respecto a terra para una verfica- cidn e identificacién mas ficil de posibles Areas problematicas, Para lus redes que se cubren en este capitulo, es importante considerar los niveles tipicos dentro del sistema, definidos por el potencial aplicado y por la operacién general de la red De todas formas, el proceso de localizacién de fallas es una verdadera prueba del claro centendimiento del comportamiento adecuado de una red y de la habilidad para aislar las éreas problematicas wilizando unas cuantas mediciones bésicas con los instrumentos adecuados. La experiencia es la clave y éta vendré tnicamente con el contacto con Tos ciuitos précticos. 410 Téenicas para localizacidn de fallas Figura 4.60. Efecto de conexion £0 un dispos tivo danade Yee Re Ved oS ID vets. 7 / Re Figura 4.61 Revision de niveles de voltae com respect a tera, 207EJEMPLO 4.25 Con base en las lecturas que se proporcionan en la figura 4.62, determine si fa red se encuentra operando de forma correcta y si no To esté, la causa probable de esto. 20v 240 + Figura 4,62 Red del ejemplo 4.25 Solucion La ectura de 20 V en el colector inmediatamente revela que Ic =0 mA debido a un cireuito abierto o a un transistor inoperante. El nivel de Vp, = 19.85 V también revela que el transistor se encuentra “apagado” ya que la diferencia de Vcc ~ Vay = 0.15 V es menor que la re- aquerida para “encender” al transistor y proporcionar algiin voltaje para Vz. De hecho, si ast- rmimos una condicién de corto circuito entre la base y el emisor, se obtiene la siguiente corriente a través de Ry: Veo hy =a "Ry + Re 252kQ. lo cual coincide con Ia obtenida de h= = Si fa red se encontrara operando adecuadamente, la cor Veo = Var 20V -0.7¥ 19.3.V Rat (Bt YRe 250KN + (1O1Y2KN) 452k2 El resultado, por To tanto, es que el transistor se encuentra daiiado, con una condicién de corto citcuito entre la base y el emisor Jy 427 WA EJEMPLO 4.26 aay 7k coxa, 20a. 1a. Figura 4.63 Red del ejemplo 4.26 208 Con base en fas lecturas que aparecen en la figura 4.63, determine si el transistor se encuentra “encendido” y si la red se encuentra operando adecuadamente, Solucién Con base en los valores de los tesistores Ry y Ra; y la maghitud de Vec, el voltaje Vp = 4 V. parece adecuado (y de hecho lo es), Los 3.3 V en el emisor acasionan tna cafda de 0.7 V a través de la unin base-emisor del transistor, lo que sugiere un transistor “encendido”. Sin embargo, los 20 V en el colector indican que f= 0 mA, a menos que la conexidn con la fuente fuera “sélida”, los 20 V no deberian aparecer en el colector del dispositivo. Existen dos posibilidades: puede existir una conexi6n pobre entre Rc y la terminal del colector del transistor 0 el transistor tiene una unién base-colector abierta, Primero verifique la continuidad en ta co- nexiGn del colector uitizando un Ghmetro; si esté correcta, deberd verificarse el transistor utilizando alguno de Tos métodos presentadas en el capitulo 3 Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs 4.11 TRANSISTORES PNP Hosts ahora, et andlisis se ha Himitado completamente 2 transistores npn para asegurar que el nilisis de fas configuraciones basicas sea lo més claro y sencillo posible al no alternar entre tipos de transistores, Por fortuna, el andlisis de los transistores pp sigue el mismo patron que se establecié para os transistores npn. Primero se determina ct nivel de Zp. seguido por la apli- cacién de las relaciones apropindas del transistor para determinar la lista de cantidades desco- hocidas. De hecho, la tnica diferencia entre ls ecuaciones resultantes para una red en la que tun transistor npn se reempla26 por un transistor pnp es el signo asociado a las cantidades par ticulares ‘Como se observa en Ie figura 4.64, la notacin de doble subtndice continéa, como comin- mente se definis. Sin embargo, las direcciones de la corriente se invirtieron para reflejar las direcciones reales de la conduccién. Mediante las polaridades definidas en Ia figura 4.64, tanto Vg como Ver sein cantidades negativas. Al aplicar Ia ley de voltaje de Kirchhoff a la malla base-emisor, obtendremos a cecuactén para a ted de la figura 4.64: Ry + Vac ~ IeRe + Voc = 0 Al sustitir p= (B + Dy y vesolviendo para fy tenemos Veo + Vee Ry+ GF DR La ecuaci6n obtenida es fa misma que Ta ecuscién 4,17, excepto por el signo de Vor. ‘embargo, en este cas0, Vyy: = —0.7 V y la sustitucién de los valores resultard en el mismo sig no para cada término de la ecuacién 4.49 como en ta ecuacién 4,17, Tenga en mente que la direccidn de fy se define ahora opuesta a Ja del transistor pnp como se muestra en Ia figura 4.64, Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla colectorsemisor, tenemos la siguiente ecuacién: ty (449) + Veg = [eRe + Veo = 0 Al sustituir fy Ic tenemos Vee + lelRe + Re) (450) Vow La ecuacién resultante tiene el mismo formato que la ecuacidn (4.19), pero el signo frente ‘a cada término al lado derecho del signo igual ha cambiado. Dado que Veo seré mayor que la ‘magnitud det término subsiguiente, el volaje Vey tendri un signo negativo como se advirtié en un pirrafo anterior. Figura 4.64] yansistor le upo pip en una configaacion de cemlskin-estabiizda, Determine Veg para la configuracién de polarizacién por divisor de vollaje de Ia figura 4.65. Figura 4.65 Transistor pnp en ‘una configuracton de polenizacion por divisor de volaje 4.11 Transistores PNP Lp | gte Ee Bee 209210 Solucién Comprobando la condicién BRe = 10R, da por resultado (120)(1.1 kA) = 10(10 kM) 132M = 100 KA (satisfecho) Al resolver para Vj, tenemos = Nec _ (10K RR 18 Vv) _ 47kO + 10K (Observe la similitud en el formato de Ja ecuacién con et voltaje negativo resultante para Vp Al aplicar la ley de volige de Kirehhoff alrededor de fa malls base-emisor genera +Vp— Vee ~ Ve=0 y Ve= Ve ~ Vee Al sustituir valores, obtenemos Vp = ~3.16 V ~ (-0.7 V) = -316V +07V -2.46V 3.16 V Vo izacién de la notacidn esténdar de subindice sencillo y : i6n Vir= Vp — Vag serfa exactamente la misma. La tni- a diferencia surge cuando los valores se sustituyen. La contiente Ve _ 246V _ Te Para la malla colector-emisor: THR: + Vee ~ 1cRe + Veo Tey agrupar términos, resulta Al sustituir J Ver = ~Veo + le(Re + Re) Al sustituir valores, se obtiene: Veg = —18.V + (2.24 mA)(2.4 KO + 1.1kO) = -18V + 7.84V = -10.16V 4.12 ESTABILIZACION DE LA POLARIZACION La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante variaciones en sus pardimetros. Para cualquier amplificador que emplee un transistor, la cortiente del colector 1 e8 sensible a cada uno de los siguientes pardmetros: {B: se incrementa con el aumento de la temperatura Work disminuye cerca de 7.5 mV por cada incremento de la temperatura de un grado Cel- sis CC) Ico (corriente de satwracién inversa): se duplica en su valor por cada incremento de 10°C en la temperatura Capitulo 4 Polarizacion de de para BJs CCualquiera de estos factores puede ocasionar que el punto de polarizacién se desvie del punto de operacién determinado. En Ja tabla 4.1 se muestra cémo camibian Ico y Vee con el incremento en la temperatura para un transistor particular, A temperatura ambiente (aprox. 25°C) Ico 0.1 nA, mientras que a 100°C (punto de ebullicién del agua) Ico es eerca-de 200 veces mis grande en 20 nA. Para la misma vatiacin de temperatura B se increments de $0 a 80 y Vox cayé de 0.65 a 0.48 V. Recuerde que Jy es muy sensible al nivel de Ver, especialmente pa ra niveles mas alld del valor del umbral TABLA 4.1 Variacion en los parametros del transistor de silicio con la temperatura TEC) Teg (na) B Voe(VI 6 02% 10 20 08s % on 50 065 160 20 %0 ass ps 33310 20 03 El efecto de los cambios en la corriente de fuga (Ico) y en la ganancia de corriente (B) sobre el punto de polarizacién en dc se demuestra por las caracter(sticas del colector emisor-comtin de las figuras 4,66a y b. La figura 4.66 muestra cmo las earacterstcas del colector del transistor cambian de una temperatura de 25°C a una de 100°C. Observe que el ineremento importante en Ja corriente de fuga no s6lo ocasiona que las curvas se eleven sino también ocasiona tun incremento ea beta, como lo muestra el mayor espaciamiento entre curvas. Es posible especifiar un punto de operacién al dibujar la recta de carge de de del cireuto sobre la gritica de la caracteristica del colector y observar Ia intersecci6n de la recta de carga con la corriente de base de de establecida por el cirewito de entrada. En la figura 4.66a se marcé tun punto atbitrario en Jy = 30 pA. Debido a que el circuito de polarizacin fija proporciona una cortiente de base cuyo valor depende aproximadamente del vollaje de la fueate de voltaje y del Tema) Te (mA) L 0F © © a] Figura 4.66 Desplazamiento del punto de polarizacion de de (punto Q) bide al cambio en la temperatura. (2) 25°C; (b) 100°C. 412. Estabilizacion de ls polartzacton Ice0® Bléso 2212 resistor de la base y que ninguno de los dos se afecta por la temperatura o por el cambio en la corriente de fuga o en la beta, existid la misma magnitud de la corriente de base a temperatu 136 alas, como lo muestra [a figura 4.660. Como lo sefala ta figura, esto ocasionara un desplazamiento dei punto de polarizacién de de hacia tna mayor cortiente de colector y hacia un pun- to de operacién con un volaje colector-emisor menor. Llevado al extrema, el transistor puede Regar a la Saturacién, Dé cualquier forma, el nvevo punto de operacisn puede no ser del toclo satisfactorio y ocasionar una distorsiGn importante debido af desplazamiento del punto de po- larizacién, Un mejor circuito de polarizacién es aquel gue estabiliza o mantiene la pokatizacisn de dc originalmente establecida, de fornra que el amplificador pueda emplearse en un ambiente con cambios de temperatura. Factores de estabilidad S(Ico), S(Var) y S(B) Se define un factor de estabilidad S, para cada uno de fos parsimetros que afectan [a estabilidad de la polarizacién, segtin la Siguiente lista \ Ale Slleo) = 7 4st) co Ate | Sse) = Syn | 4.52) AL S(B) = ie (4.53) En cada caso, el sfmboto delta (A) significa un cambio en dicha cantidad. El numerador de eada ecuacién es el cambio en la corriente del colector ocasionado por el cambio en Ia cantidad del denominador, Para una configuraci6n particular, siun cambio en Ico no es capa de producir un cambio significativo en Ic, el factor de estabilidad, definido como Sflcg) = Ald/Alco se 14 muy pequefi En otras palabras Las redes que son muy estables y relativamente insensibles ante variaciones de ta tempera tura tienen factores de estabilidad bajos. De alguna forma, podria parecer més apropiado considerar a las cantidades definidas por las ecuaciones (4.51 a 4.53) como factores de sensibilidad ya que: Mientras mayor sea el factor de estabilidad, mas sensible sera la red ante variaciones en ese pardmetro, El estudio de los factores de establidad requiete del conocimiento de céleulo diferencia Sin embargo, nuestro propésito aqut solamente es revisar los resultados det andlisis matems coy evaluar de forma general los factores de estabilidad para algunas de las configuraciones de polarizacién més comones. Existe un amplio acervo de Hiteratura sobre este tema, sil tiempo To permite se le exhorta a estudiar mas sobre él S(Ico}: Confignracion de polarizacion en emisor Para la configuracién de polurizacién en emisor, el andlisis de la red dard por resultado S(lco) = (B+ (4.54) Cuando Ry/Ry > (8 + 1), la ecuaci6n 4.54 se reduce a la siguiente: Sco) = B +1 (4.59) como se muestra en la grifica de S(Ico) en funcién de Rp/Re en la figura 4.67 Capitulo 4 Polarizacin de de para BJTS SUco!. Ft de etait Figura 4.67 Varicion del factor de exabilidad Sco} ante fs telacign de resistores Re para la configuracion de polaizacion en emsor Cuando Ry/Ry << 1, la ecuacién 4.54 se aproximard al siguiente nivel (como lo muestra Ja figura 4.67): (4.50) con lo que se manifiesta que et Factor de estabilidad se aproximard a su nivel més bajo a medi- dda que Ry se vuelva lo suliciontemente grande. Sin embargo, tenga en mente que un adecuado control de Ia polarizacién requiere normalmente que Rp Sea mayor que Rp. El resultado de es- to,evidentemente, es que tenemos una situacién donde los mejores niveles de estabilidad se en- ‘cuentran asociados a un criterio de un disefto pobre. Obviamente, deberd exist un compromiso ‘que satisfaga tanto Ia estabilidad como las especificaciones de potarizacidn. Es interesante observar en la figura 4.67 que el valor ms bajo de S(0co) es 1, lo que indica que siempre fe se incrementaré aun ritmo igual o mayor que Ico. Para el rango de Rp/Re que vace | hasta (B+1),e factor de estabilidad esti determinado por R S(leo) = ie (457) como se muestra en la figura 4.67. Los resultados revelan que la configuracién de potarizacisn en emisor es lo mis estable cuando la elacicn Ry/Rres lo mas pequeta posible y lo menos estable cuando Ia misma razén se aproxima a (B+1), Caleule el factor de estabilidad y Ia vatiaci6n en Ic desde 25°C hasta 100°C del transistor definido en Ia tabla 4.1 para los siguientes arteglos de polarizacién en emisor. (@) Ro/Ry = 250 (Ry = 250Rp). (b) Ry/Rz = 10 (Ry i). (6) RulRs = 0.01 (Ry = 100R,), Solucién 1 + RyfRyp (0) Seg) = (B+ eg Ree (B+ 1) + Ry/Re 1+ 250 251 sil; + =) si(3) = 42.53 ‘el cual comienza a aproximarse al nivel definido por B+1 = 51 Mle = [SUIco)]( Alco) = (42.53)(19.9 nA) = 085 HA 4412 Estabilizacton de la potarizacton EJEMPLO 4.28 213Figura 4.68 Circuito equiva Tene pars la configuacicn de divisor de volaje. 24 1+ BSR, 0) Sco) = (B+ pe ~ 3 a) : sq) 92 Ale = [Sllco)](Ateo) = (9.2)(19.9 0A) 0.18 pA 1+ Re/Re +1) e DCL ool Lo ee oi ai(; ni) s(t) = 101 (9) Se el cual verdaderamente se encuentra muy cercano al nivel de | pronosticado si Re/Re <1 Ale = (S(lco)|(Alco) = 1.01(19.9 nA) = 20.1 nd, El ejemplo 4.28 revela cémo los niveles més y mis bajos de ley de los transistores BIT. mas modernos, han mejorado el nivel de estabilidad de tas configuraciones de polarizaci6n bé- sicas. Aun cuando el cambio en Jc sea considerablemente diferente en un circuito que cuente con estabilidad ideal ($ = 1) de uno que tenga un factor de estabilidad de 42.53, a vatiaci6n en eno sera tan significativa. Por ejemplo, la magnitud de la variacién en Zc de una corriente en po- larizacién de de; establecida en, digamos 2 mA, serfa de 2 a 2,085 mA en el peor de los casos, lo cual es claramente lo suficiente pequefto como para ignotarse pata la mayorfa de las aplicaciones, Algunos transistor de poteneiapresentan corrientes de fuga mayores, pero para la mayoria de los circuitos amplificadores tos menores niveles de Zco han tenido un impacto muy positive sobre el asunto de la estabilidad Configuracién de polarizacion fija Para la configuracién de polarizaci6n fj, si multiplicamos tanto la parte superior como la inferior de la ecuacién 4.54 por Re y luego hacemos que Re = 0 2, tendremos la siguiente ecuacién: (4.58) Observe que la ecuacién resultante coincide con el valor maxi polarizacisn en emisor. El resultado es una configuracién con un fi bre y con una alta sensibitidad ante las varieciones de Ico. 10 para la conliguracién de Configuracién de polarizacion por divisor de voltaje Recuerde de la seccién 4.5 el desarrollo de la red equivalente de Thévenin que aparece en Ja fi gura 4.68, pata la configuraci6n de polarizacin por divisor de voltae. Para a red de Ta figura 4.68, la ecuacién para S(Zco) es la siguiente (4.59) B+ 1) + Ry/Re Observe las simlitudes con la ecuaci6n 4:54, donde se determiné que StFco) tiene su nivel ‘ms bajo y la red tiene su mayor establidad cuando Re > Rp. Para la ecuacién 4.59, la condi- Capitulo 4 Polarizacion de de para BITs ign correspondiente es Re > Rry 0 Rry/R to ms pequetio posible. Para la configuracién de polarizacién por divisor de voltje, Rry puede ser mucho menor que la comespondienie Re de la configuracién de polaizaci6n.en emisor y aun asf tenet un disefioefica Configuracion de polarizacion por retroalimentacién (R; = 02) En este caso, (4.60) Debido a que la ecuacién es similar en su formato a la obtenida para las configuraciones de po- larizacién en emisor y de polarizacién por divisor de voltaje, se pueden aplicar aqui las mismas conclusiones con respecto a fa razdn Re/Re Impacto fisico El tipo de ecuaciones que se desarrollaron antes a menudo no pueden proporcionar un signifi cado fisico acerca de por qué las Tedes se comportan como lo hacen. Ahora estamos conscien= tes de los niveles relatives de estabilidad y de céimo Ia scleccidn de los pardmetros puede afectar la sensibilidad de la red. pero sin las ecuaciones nos seria dificil explicar con palabras por qué una red es més estable que otra, Los siguientes pérrafos intentan Henar este vaefo mediante el uso de algunas de las relaciones ms basicas asociadas con cada configuracisn, Para la configuracién de polarizaciGn fija de la figura 4.69s, la ecuacién para la corriente de base es la siguiente: Veo — Vee Ry In con la corriente de colector determinada por To= Bly + (B+ Vlco (61) Si fc como se encuentra definida en la cae (4.61) se incrementa como resultado de un incremento de Ico, no hay nada en la ecuaci6n para Jy que intente corregir este increment no deseado en cl nivel de la corriente (asumiendo que Vax: permanece constante). En otras palabras, el nivel de fc continuard incrementéndose con la temperatura, con Jy manteniéndose en un nivel abiertamente constante, lo cual presentaré una situacién muy inestable. Sin embargo, para la configuracién de polarizacién en emisor de la figura 4.69b, un ineremento cen fe como resultado de un incremento en Leg ocasionard que el voltaje Ve = [eRe = [oRpse in- ‘cremente, El resultado serd una caida en el nivel de /g como Jo determina la siguiente ecuacién: Vee ~ Var — Ve int = Vax — Vet Rp Una cafda en Fy tend el efecto de reducir ef nivel de fc mediante la accién del transistor y, ppor tanto, compensar la tendencia de fe-a incrementarse debido al aumento en Ia temperatura, (4.62) Yee Yee + + Yad te aS he 2 Ye Jc — Te Vee Ty Vee Ve ® ® © @ 4.12. Estabilizacion de la polarizacion 215En total, por tanto, la configuraci6n es tal que existe una reacei6n ante un ineremento en Fe que tenderi a oponerse al cambio en las condiciones de polarizacién, ‘La configuracién de retroalimentacién de la figura 4.69¢ opera de forma muy similar a la configeracién de polarizaci6n en emisor en cuanto a niveles de estabilidad'se refiere. Si fe se incrementa como tesultado del incremento en el nivel de temperatura, el nivel de Vp, se incre- rmentard en la siguiente ecuacién: (4.63) yeelnivel de /y disminuird. El resultado es un efecto estabilizador como el deserito pars la con- Figuracién de polarizacién en emisor. Es necesario estar conscientes de que fa accidn descrita ‘anteriormente no sucede en una secencia de paso a paso: mds bien, se trata de una accin si- tmultinea pars mantener les condiciones de polarizacién establecidas, En otras palabras, en el preciso momento en que Jc comienza a elevarse, le red se percatard de esta variacién y tend lugar el efecto de estabilizacién deserito antes. La configuracidn més estable es Ia red de potarizacisn por divisor de voltaje presentada en 1a figura 4.694, Si ia condicién BRe > 1OR; se satisface, ef voltaje Vz permanecerd razona- blemente constante ante fos niveles cambiantes de fc. El voltaje base-emisor de la configura- Cidn se encuentra determinado por Vai: = Vp ~ Ve. Site se incremenca, Vtambién lo hard como se describié antes, y para un Vq constante, el voltaje Ve caerd. Una cafda en Voq estableceri un menor nivel de Jp, el cual tratard de compensar el ineremento de nivel de Le. S(Vne) : El factor de estabilidad definide por Alc Sar) = Wee) = Ay, resultard en la siguiente ecuacién para la configuracién de polarizaci6n en emisor: B S(Vee) = (4.64) Wee) = FRE DR, 4.6 Al sustituir Rp = 0.0 como ocurre para el caso de la configuracién de polarizacién fija, ard por resultado 4.65) La ecuacién 4.64 puede eseribirse de la siguiente forma: SWoe) = Ral + B= 1) Al sustiuirla condicién (8 + 1) 3 Rp/Re tendremos la siguiente ecuacién para S(Vpe}: (4.66) S(Wae) = (4.67) ‘con lo que se manifesta que mientras mayor sea la resistencia R, menor seré el factor de estabilidad y el sistema seré mds estable, 216 EJEMPLO 4.29 Determine el factor de estabilidad S(Vpe) y la vatiacién de Ic desde 25°C hasta 100°C para el transistor definido en la tabla 4.1 con los siguientes arreglos de polarizacién. {a) Polarizacién fija con Ry = 240 kQ y B = 100, (b) Polarizacién en emisor con Ry = 240 kQ, Re = 1 kA y B = 100. (¢) Polarizacién en emisor con Ry = 47KQ, Re = 4.7kQy B = 100. Capitulo € Polarizacton de de para BITS Solucién 5 oe {a} Ecuacién (4.65): S(Vae) = oR, n == 100_ 240k = 0.417 x 10% y Me = [S(Vex)(AV ee) = (0.417 x 107)(0.48 V ~ 0.65 V) = (0417 x 107 (0.17 V) = 70.9 pA (b) En ese caso, (B+1) = 101 y Ro/Re = 240. La condicién (B + 1) % Rp/Re no se satisface, fo cual niega et uso de la ecuacidn 4.67 y requiere del uso de Ja ecuacién 4.64 ee Bewcion 460% See) = BE DR o =100 240 KO + (10) KO 341K = -0.293 x 10 lo cual es cerea de 30% menor que el valor en polarizacién fija debido al término adicional (Bt DR; en ef denominador de la ecuacién S(Vp). Alc = [S(Vse)(4Vne) = (-0.293 X 10°\(-0.17 V) = 50HA (©) Eneste caso, R 47kO ~ RR. iY isfecha) Bra 10 > = aT 10 (satisfecha) 1 Beuscisn (4.67): S(Vae) = —R fe a © 47 kKO 0.212 x 107 y Alc = [S(Vaz) (A Vie) = (0.212 x 10°\(-0.17 Y) 6.04 WA — En el ejemplo 4.29, el incremento de 70.9 1A tendré cierto impacto sobre el nivel de Ic Para el caso cuando /cg = 2 mA, la corrente del colectorrestltante se inerementars a To, = 2 MA + 70.9 pA = 2.0709 mA. un incremento de 3.5%. 4.12. Estabilizacion de la polarizacion, 27ara la configuracién por divisor de voltae, el nivel de Rp se cambiard por el de Rry en la cecuacién 4,64 (segin se defini en la figura 4.68). En el ejemplo 4.29 al utilizar Ry = 47 kA tenemos un disefo discutible. Sin embargo. para la configuracién por divisor de voltae, Rry jude encontrarse en éste nivel 6 ineluso menor y preserver las caractersticas de un buen disefio. La ecuacién desarrollada para S(Vge) para la red de retroalimentaci6n sera similar'a la de Ta ecuacién 4.64 al reemplazar Ry por Rc S(B) El dltimo factor de estabitidad que analizaremos es el de $(B). El desarrollo matemiético es mas complejo que el que se enconteé para S(Ico) y S(Vre), como lo sugiere la siguiente ecuacién para la configuracién de potarizacién en emisor: To * Rol) (1 +B + RVR, (4.68) Lanotacién Fo, y Bj se emplea para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de In red, mientras que Ta notacién B; se utiliza para defini un valor de beta nuevo establecido por causas tales como alleraciones en la teinperatura, variacién en B para el mismo transistor © un cambio en los transistores, 218 EJEMPLO 4.30 Determine I, para una temperatura de 100°C si Icy = 2 mA a 25°C. Uiiie et tansisor des- rito en la tabla 4.1, donde B, = SOy B: = 80, y fa relacién Ry/Rp es 20, Solucién ef + Ro/R) Bil + Ba + Re/Re) (2x 1071 +20) 42x 10° “Gor + 80+20) 5050 = 832 x 10-6 y fe = [5(6)]188) = (8.32 x 10°*)(30) = 0.25 mA Ecuacisn (4:68): $(B) Por tanto en conclusi n, la corriente del colector se modificé de 2 mA a temperatura ambien- tea 2.28 mA a 100% lo cual representa un cambio de 12.5% Para la configuracién por polarizacién fija S(B) = Le/B, y para la configuracién por divisor de voltaje Rp de la ecuacién 4.68 se reemplaza por Rry Para la configuracién por retroalimentaci6n en colector con Re = 0.0, (4.69) BilRe + Re(1 + B2)) Resumen Ahora que se presentaron los tres factores de estabitidad més importantes, es posible determinar el efecto total sobre la corriente del colector mediante la siguiente ecuacién: ra S(lco)Alco + S(Vse)AVoe + S(B)AB (4.10) Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTS Iniciaimente, la ecuaci6n podria parecer muy compleja, pero observe que cada compone tede ella es silo un factor de estabilidad para la configuraciéa multiplicado por el cambio resultante en un pardmetso entre los limites de temperatura de interés, Ademiis, el Al que se caleu- Jaré es tinicamente el cambio en Ic pattr del nivel temperatura ambiente. Por ejemplo, si analizamos ls configuracién de polarizacién fija, la ecuacién 4.70 se convierte en la siguiente: B Alc = (B + 1)Meo ~ q-AVae + 7 a después de susttuir los factores de estabilidad como se derivé en esta seccién. Ahora se utili- ar ta tabla 4.1 para hallar cl cambio en la corriente del colector ante un cambio en fa tempe~ ratura de 25°C (temperatura ambiente) a 100°C (el punto de ebullicién del agua). Para este go, la tabla muestra que: Alco = 200A ~ 0.1 nA = 19.9nA AVpr = 0.48 V ~ 0.65 V = -0.17V__(obsérvese el signo) y AB = 80 ~ 50 = 30 Iniciando con una corriente de colector de 2 mA con un Ry de 240 kQ, el cambio resultante en [ccomo consecuencia de un ineremento de 75°C en la temperatura es el siguiente: : 0 2mA Alc = (50 + 1)(19.9 9A) ~ 57a (-O.7V) + (30) = LOL WA + 35.42 wA + 1200 A = 1.236mA lo cual es un cambio importante debido principalmente al cambio en B. La corriente del colector se ha incsementado de 2 2 3.326 mA; lo cual era de esperarse ya que en esta seeci6n iden- tificamos a la configuracién por polarizacién fija como la menos estable. ‘Si se emplea la configuracién més estable por divisor de voltaje con una relacién Ryy/Re = 2 yeon Ry = 4.7 kO, entonces SUco) = 2.89, S(Vgp) = -0.2 x 1077, S(B) = 1.445 x 10° y Ale = (2.89)(19.9 nA) — 0.2 X 10°%(-0.17 V) + 1.445 x 107630) = STSInA + 34 pA + B4 pA = 0.077 mA La corriente resultante es 2.077 mA, bésicamente 2.1 mA, comparada con los 2.0 mA a 25°C. La red obviamente ¢s mucho mis estable que la configuracién por polarizacisn fija, como se mencioné en andlisis anteriores. En este ca30, S(8) no anula a los otros dos Factores y los efectos de S(Vpe) y de S(Ico) fueron igualmente importantes. De hecho, a mayores temperatu- 125, los efectos de S{Uco) y de S(Vge) seran mayores que S(B) para el dispositivo dela tabla 4.1 Para temperaturas inferiores a 25°C, I disminuird ante niveles crecicntes de temperaturas ne~ sativas El efecto de S(/co) sobre el proceso de disefio se ha convertido en una preocupacién me- nor, debido a las mejoras en las técnicas de Fabricacién que contintian disminuyendo el nivel de Tco = Icao. También debe mencionarse que para in transistor particular la variacin en los ni- Veles de Feyo ¥ Vie de un transistor a otro dentro de un lote és précticamente despreciable en comparacién con la variacién en beta, Ademé, los resultados del andlisis anterior sustentan ef hecho de que para un adecuado disefto estable: Las relaciones RyRy © Rry/Re deberdn ser lo mds pequeias posibles bafo tas debidas consideraciones de todos los aspectos de diseRo, ineluyendo la respuesta en ac [A pesar de que el andlisis anterior puede resultar algo confuso debido a algunas ecuaciones complejas de ciertas sensibilidades, el propésito aqut fue el de desarrollar un mayor nivel 4.12 Estabilizacién de la polarizacién 219de comprensién de los factores involucrados con wn adecuado disefio y de conocer de cerca los, parémetros de los transistores y su impacto sobre el desempefio de la red. El anéisis de las sec- Ciones anteriores se dirigié a situaciones idealizadas con valores. invariables de parsimetros. ‘Ahora estamos mucho mis conscientes de eGmo la respuesta en de del diseiio puede variar como resultado de las yariaciones de parmetros de un transistor 4.13 APLICACIONES PRACTICAS De la misma forma que para fos diodos en el capftulo 2, serfa virtualmente imposible propor cionar incluso un tratamiento superficial de las anmplias dreas de aplicacién de los BYTS. Sin ‘enibargo, se seleccionaron algunas aplicaciones para demostrar cémo los distintes axpectos de las earactersticas de los BETS se emplean para realizar distintas funciones. Manejador de relevador Esta aplicacién es de alguna manera una continuacién del andlisis presentado para los diedos sobre emo es posible minimizar los efectos del impulso inductive mediante un diseiio apropiado. En la figuca 4.70a, se emplea un transistor para establecer la corriente necesaria para ac tivar el relevador en ef circuito del colector. Sin entrada et Ia base del transistor, tanto la corriente de base, la cortiente de colector y ta corriente de la bobina son esencialmente de 0A, y el relevador permaneceri en el estado inactivo, no energizado (normalmente abierto NA), Sin embargo, cuando se aplica un pulso positivo en la base, el transistor se envenderd,estableciendo suficiente corriente a través de la bobina del electroinssin para cerrar al relevador. Pueden surgir problemas cuando la sefil de la base se desconecta para apagat al transistor y desactivar al relevador. Idealmente, la corriente a través de la bobina y del transistor caer répidamente a cero, el brazo del relevador se liberard y el relevador simplemente permaneceré inaetivo hasta Ia siguiente sefal. Sin embargo, sabemos por nuestros cursos bésicos de circuitos, que la eo triente a través de Ia bobina no puede cambiar instanténeamente, y que de hecho, mientras mas, ripido cambie, mayor seré el voltae inducido a través de la bobina como lo define: vy, L(digfdt). En este caso, ta éorriente que cambia répidamente a través de ta bobina, desarrotlard tun vollaje mayor a través de la bobina con la polaridad que se muestra en Ia figura 4.70a y que se presentari directamente a través de la salida del transistor. Es probable que su magnitud exceda los niveles nominales méximos de! transistor, y el semiconductor quedaré dafiado perma- nentemente. El voltaje a través de la bobina no permanecerd en su nivel de conmutacion mis alto sino que oscilari como se muestra, hasta que su nivel caiga a cero a medida que el sistema se asiente, Esta accidn destructiva puede anularse al colocar un diodo a través de la bobina como se muestra en fa figura 4.70b, Durante el estado de encendido del transistor, et diodo se encuentra cn polasizacién inversa, permaneciendo como un ciccuito abierto sin afectar. Sin embargo, cuando el transistor se apaga, el voltaje através de fa bobina se invertira y polarizaré de forma directa al diodo, encendigndolo, La corriente a través del inductor establecida durante el esta- A apgparse @ oy Figura 4.70. Mancjador de relevador: (a) con ausencia de dispositivo de protec: cin; 0b) com un diodo a taves de la baba del relevador, 220 Capitulo 4 Polarizacién de de para BJTs tho de encendido del transistor pods continsar Nuyendo a través del diodo, eliminando el cambio severo en el nivel de corviente. Debido a que la corriente inductiva se transfiere al diodo de forma prdcticamenteinstantinea una vez que el estado de apagado se establec, el diodo debe tener un valor nominal de corriente equivalente 2 la corriente a través del inductor y del transistor cuando se encuentre en el estado encendido. Eventualmente, por causa de los elementos resistivos en Ia malla, que incluyen la resistencia de Tas vueltas del devanado de ta bobina y al iodo mismo, la variacidn a alta frecuencia (répida oscilacién) del nivel de volte a través de la bobina decaeré a cero, y el sistema se asentard Transistor interruptor En la figura 4.7la, se emplea un transistor como un interruptor para controlar fos estados de en- ceendido y apagado de una kimpara eléetrica en su colector. Cuando el interrupter se encuentra en [a posicidn de encendido, tenemos una situacién de polarizacién fia donde el voltae base~ temisor se encuentra en su nivel de 0.7 V y la corriente de base la controlan el resistor Ry y la impedancia de entiada del transistor. La corrient a través de la limpara serd entonces de bets ‘veces la cortiente de la base y la Kimpara encenderd. Sin embargo, puede surgi un problema si ta lémpara no se ha encendio por un tiempo. Cuando uns kimpara se prende por primera ve2, su resistencia es muy baja, aun cuando ésta se inerementa répidamente-a medida que la kimpara permanezca encendida, Esto puede causar un breve nivel alto de Ia comriente del colector que ‘con el tiempo podria daar ala kimparay al transistor. En Ia figura 471b, por ejemplo, se in- ‘luye la recta de carga para la misma red, con una resistencia en fifo y en caliente para Ia Kim- para, Observe que incluso aunque la corriente de base es determinada por el cieuito de la base, la interseccidn con la recta de carga ocasiona una cortiente mayor para la Kimpara en fifo, Cualguier problema con respecto al nivel de encendido puede corregirse al insertar un pegue- fio resistor adicional en serie con la Kimpara, como se muestra en la figura 4.7l¢, s6lo para asegurar un limite en la sobrecarga inicial de corriente euando la Kimpara se enciende por primera vez. Vest flo. _ " ° ® Figura 4.71 Usilzacion del transistor como un interruptor para controlar fos estadas de encendido-apaguda de una Limpars: (a) red; (b) efecto de ‘una resistencia baja de Ta Tampa sabre la eortiente del colector; (€) resistor limitador. Fuente de corriente constante (FCC) Si asuinimos que las caraeteristieas de un transistor son como las presentadas en la Figura 4.72 {con beta constante siempre), puede constrairse una excelente fuente de corrente empleando Ja configuracién de transistor simple de Ia figura 4.72b ya que sin importa cul es la resisten~ cia de carga, la comriente de eolector o de carga permanecera igual como fo muestra ta figu- 1a 4.72c, La cortiente de base se encuentra fija, y sin importar dGnde se encuentre Ja recta de ‘carga, la corriente del colector petmanecer siendo la misma. En otras pelabras, la cortiente del co- Teco es independiente de la carga en el circuito del colector: una fuente de coriente perfecta ‘Sin embargo, debido a que las caractetisticas reales son més cercanas a las presentadas en la figura 4.71, donde la beta varfa de un punto a oto, ¥ 2 pesar de que la comiente de base sea 4.13. Aplicaciones pricticasFigura 4.72.6 una fuente de corviente consta te, sumiendo ceracceristica idesles det BJT: 2) caractens cas ieales; () red, (©) demos tracién de ba cause por Je peemanese eonssane 222 le Recargs Ryton i Slorvaracién o © © fija debido a la configuracién, la beta variaré de un punto a otro con la interseccién de Ia ear- 8 ¢ Je = fy, variar4, lo cual no es tna caracteristica de una fuente de corriente buena, Sin embargo, reeuerde que la configuracién por divisor de voltaje provoca un bajo nivel de sensibilidad a ls beta, por lo que quizé si se emplea ese arreglo de polarizaciGn, la fuente de corrente cequivalente se encuentre més cercana a la realidad. De hecho, éste ¢s el caso. Si se utiliza un arreglo de polarizacién como el que se presenta en la figura 4.73, la sensibilidad ante los cambios del punto de operacién debidos a cargas variables ser mucho menor y la corriente del colector permanecerg précticamente constante ante cambios en la resistencia de carga en Ia sec ign del colector. De hecho, el volte del emisor quedard determinado por Vp = Vp 0.7 ‘con Ia corriente del colector 0 de carga determinada por Vy —0.7V Re Figura 4.73 Red que establece una fuerte de comiente pricticamente cons- tance debido a su reducda sensibllidad ante cambios en beta iH Empleando ta figura 4.73, es posible demostrar la mejora en laestabilidad analizando el caso en el que Je pueda tratar de elevarse por cualquier motivo, Bl resultado seré que f= = Ie tambign se elevara y el voltaje Vp, = fee se incrementaré, Sin embargo, si asumimos que Vp se encuentra fijo (an supuesto correcto debido a que su nivel fo determinan dos resistores fijos y ‘una fuente de voltae), el voltaje base-emisor Vig = Vp ~ Va, caetd. Una caida en Vpg ocasionard que Jy y por tanto 1c (= lp) caigan. Bl resultado de esto ser una situacin donde cual- ‘uier tendencia de Ica incrementarse se toparé con una reacciGn de la red que trabajaré en contra de este cambio con el objetivo de estebitizar al sistem, Capitulo 4 Polarizacion de de pora BJT Sistema de alarma con FCC EE fe figura 4.74 se presenta un sistema de alarma con una fuente de corsiente constante del ti- fo que se acaba de revisar, Dado que BRz = (100)(1 k2) = 100 kA es mucho mayor que FR, podemos wtilizar e! enfoque aproximado y encontrar el voltaje Vj como sigue: 2KMUGY) jag TKO + 470 yy luego el voltaje a través de Re Vg, = V_, — 07 V = 4.78 V — 0.7V = 4.08 V y finaimente la corriente del emisor y del colector: Va, _ 4.08 V te = SREY = 4.08 mA = Ie Re TR AOS mA = ney / sev : vg 2o rnemapce { : cola ‘ oni mean, vena on T Aleka s+ tine Slama Tarte tngntico Figura 4.74 Sistema de slarma con una fuente de cortente constante y un opamp ‘como comparador, Puesto que la cortiente del colector es a corriente a través del circuito, la cortiente de 4 sn permaneverd pedcticamente constante ante ligeras variaciones en Ia carga dela red, Obser- ve que lacorriente pasa por una serie de elementos sensoresy finalmente por un op-amp dise- jiado para comparar el nivel de 4 mA con un nivel de referencia de 2 mA. (A pesar de que el ‘op-amp pueda ser un dispositivo nuevo para usted, éste se analizaré con detalle en el capitulo 1B y no serd necesario conocer los detalles de su comportamiento para esta apicacién.) El amplificador operacional, op-amp, LM2900 de la figura 4.74 es uno de los cuatro que se encuentran en el encapsulado de circuito integrado de doble linea que aparece en Ia figura 4.75a. Las terminales 2, 3,4, 7y Id se otilizaron en el disefio de la figura 4.74, Solamente por ‘motivo de interés, observe en la figura 4.75b el nero de elementos requeridos para estable- cet las caractertsticas terminales buscadas del op-amp; como se mencioné anteriormente, tos detalles de su operaci6n intema se dejan para otro momento, Los 2 mA en la terminal 3 del op- lamp es una corriente de referencia que establecen la fuente de 16 V y Rrer en la parte inverso- ra de In entrada det op-amp. El nivel de corriente de 2 mA se requiere como un nivel con el cual se comparara la corriente de-4 mA de Ta red. En tanto la corriente de 4 mA en Ia entrada no in- ‘versora del op-amp permane7ca constante, el op-amp proporcionaré un voltae de salida “alto” aque excederd a 13.5V, con un nivel tipico de 14.2 V (de aeverdo con tas hojas de especifcaciones del op-amp). Sin embargo, sila corriente del sensor cae de un nivel de 4 mA a ua nivel inferior ‘a 2mA. el op-amp responders con un voltaje de salida “bajo” que tipicamente es cereano a 0.1 V. La salida del op-amp entonces avisaré al circuito de alarma sobre esta alteracién, Observe de lo anterior gue no es necesario que la corriente del sensor caiga completamente hasta 0 mA pa ra avisar al citcuito de alarma; sélo se requiere una variacién con respecto al nivel de referencia que parezca imusual, lo cual es una buena earacteristica de la alarma. 4.13. Aplicaciones practicas 223oe 224 sag Emon die dle Ve ADLotreaparmagse LBA Ug RABAT ae ‘Sobre el, vy ce) 4 ee | Eee’ | if (a) Solid “Entrada tema 2 + . iN +4 + Ba Vie at © Figura 4.75 Amplicador operacional LM2900: (a) encapsulado de doble linea (DI, del in- 4s Dual-incLine Package) () componentes, (impacto de una impedaneia de entrada baja Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTS ‘Una caraeterftiea may importante de este op-amp en particular es su baja impedancia de ‘entrada, como lo muestra fa figura 4.75c. Esta caracterfstica es importante ya que no se desea gue el crcuito de alarma reaccione ante cualguier pico de voltae oturbulencia que Hegue 3 fe Tinea debido a cualquier accién de interrupckén externa o 2 fuerzas externas como Fayos. Por ejemplo, en la figura 4.75, si un pico alto de voltaje apareciea en Ia entrada de la configure hon en sere, la mayor parte de este voltaje se presentarfe a través del resistor en serie, en Iu- garde en el op-amp, impidiendo de esta forma una sida fala y una setivacfm dele alarms Compuertas logicas Hasta ahora, quizé sea una sorpresa para el lector que los transistores en moo de se empleen para mikiples aplicaciones, Para la mayoria de los estudiantes que cuentan con un coneciniento previo acerca de los transistors, el supuestoinical es que un transistor se empleadnicamente tomo un amplificador de ac. De hecho, ls mayoria de los components eletrdnicos cuentan con ‘una variedad de aplicaciones tanto en ac como en de. En esta aplicacién explota al mximo el hecho de que la impedancia del colector al emi= sor de un transistor es muy baja, cercana al punto de saturaci6n (o sobre él) y muy grande en {el punto de corte (0 en él. Por ejemplo, la recta de carga define saturacign como el punto don dea corriente es muy allay el voltae colector-emisor muy bajo como se muestra en Is Figura 4.76, La resistencia resultante, definida por Vetateso) : : Rag = “pn ses uy pegs y generate se aprox un circuito cerrado. En el cal) corte, la content es relativamente baja y el voltaje se encuentta cercano a su valor mximo co- tno se muesta en la figura 4.76, ocasionando una impedancia muy alta entre ls terminales del Golector y las del emir, lo cual se aproxima comiamente por medio de un cireuito aber RECTA DE CAROA, Jo59W4 Figura 4.76 Puntos de opers- Veo Vor én pars una compuerta Logica Vere de BI. Peau Los niveles de impedancia anteriores establecidos por transistores de encendido y apazado hnucen que sea eativamente Fil entender In operacin de las compuerasLigicas de a figura 4.77, Dado que cada compueria cuenta con dos entradas, existen cuatro posibles combinaciones de voltajes en la entrada de los transistores. Un 1 0 estado encendido se representa por un volta: Je alto en la terminal de la base qe enciend al transistor, Un O o estado apagado se represents por 0 V en la base, asegurando con esto que ef transistor se encuenre apagado, Si tanto A come 1 para Ja compuerta lgica OR de la figura 4,77 eventan con una entrada baja ode 0 V ambos transistores ve encontrarén apagados (en corte), y a impedancia entre el coletor y el emisor de cada transistor se podré aproximar aun ciruito abiert Si mentalmente se reemplazan ambos ttansistores por cieuits abierios ente el colectory el emisor se elimina cualquier conexi6n cntre In poarizacién aplicada de 5 V y asada, Bt resultado seré una corsente coro através de ‘cada transistor ya través del resistor de 3,3 KO. El voltae de saida es por tanto OV o “bajo” (un estado 0), Porel otro lado, sie transistor Q, se encuentra encendido y Q3 se encuentra apagado debido a un voliaje positivo en Ia base de Q, y 0 V en la base de Q2, entonces se podré aplicar tL equivalente a un circuito cerrado ente el colector y el emisor de Qu, ye vot en la salida Serd de 5 V 0 “alto” (un estado 1), Finalmente, si ambos transistores se encienden gracias a un 4.13. Aplicaciones précticas 225a TC —— ] J Bm fo ~ 1OKa ~ TOK |e, Ye Figura 4.77 Compuertas lop eas BJT: (1) OR, (2) AND. 226 Lt ie CompuertaOR «3 3:0 voltaje positivo aplicado a la base de cada uno, ambos asegurarén que el voltaje de salida sea de 5 V 0 “alto” (un estado 1). Con esto queda cortectamente definida la operacién de una compuerta OR: se obtiene una salida si cualquier terminal de entrada cuenta con un voltaje aplicaco de encendido o si ambas se encuentran en el estado de encendido. Un estado 0 se presentard solamente si ambas no cuentan con un estado | en las terminales de entrada, La compuerta AND de la figura 4.77b requiere que la sala sea alta solamente si ambas entradas cuentan con un voltaje de encendido aplicado, Si ambas se encuentran en el estado de encendido, es posible emplear un equivalente de circuito cerrado para la conexién entre el colector y el emisor de cada transistor, proporcionando una linea directa que va de Ia fuente aplice- da de 5 V a la slide, estableciendo un estado alto o de {en la terminal de slida, Si uno 0 ambos transistores se encuentran apagados como consecuencia de tener 0 V en la terminal de entrada, se colocaré un equivalente de circuito abierto en serie con la linea directa que va de la fuente de voltaje de 5 V a la salida, con lo que el voltae de salida serd de 0 V o un estado apagado. Espejo de corriente Fl espejo de comtientees una red de dc en la cual la corrente a través de la carga es fa imagen en espejo de otra coriente de la misma red. Si Ia corrente de control en la red se modifica, Ia corrientea través de la carga también lo hard En la figura 4.78 se presenta un espejo de cortiente comin construido con dos transistores npn. La corriente de carga es la corriente del colector de Q3 y la corriente de control es la corriente del colector de Q;. Observe que, en particular, la corriente del colector de Q, se encuentra conectada directamente con la base del mismo transistor, estableciendo el mismo potencial para cada punto, Bl resultado es que Vc, = Va, = Ve, = 0.7 V para el transistor encendido. El elemento que controla es el resistor R. Si se modifica este valor, se modifice lacorriente de con- ‘rol come lo determina fy = Ic, = (10 V ~ 0.7 VR (ignorando la caida en Ic, debida a Iy co- imo lo muestra la figura 4.78), ] ‘Una vez que la resistencia se varia, la corriente del colector de Q> cambiaré inmediatamente al nuevo nivel. La operacién de la red de espejo es completamente dependiente del hecho de ue tanto Q, como Q, son transstores equivalentes, esto es, transistores con caracteristicas muy Capitulo 4 Polarizacion de de para BITS ov ee ‘carcal x 2 in| , Vee * Vie, * hy o ve + similares (idealmente las mismas). En otras palabras, una corriente de base de 10 yA en cual- uiera de ellos provocard la misma corriente de colector para cada uno; el voltaje base-emisor de cada uno en el estado encendlido seré el mismo, etestera La operacién de fa configuracién se define mejor si primero se establece la corriente de control al nivel deseado, digamos fp,. Esto definiré el nivel de Uc, y de Tp, @ partir de Ic/By = In/Bx y estableceré el nivel de Vp como lo muestra Ia figura 4.79, Dado que se trata de transistores pareados, idénticos, Vgc, = Var ¥ el nivel resultante de Zp, ser el mismo que el de Io, EJ resultado es la misma corriente de colector(corriente de carga) definida por ft = Ic, = Bali, dado que ambas betas son iguales. En general, por lo tanto, I, = lc, = fc, = fx pata transistores equivalents. ‘La red también contiene una medida de contro! integrada que intentaré asegurar que cual- aquier variacin en fa corriente de carga serd corregida por Ia misma configuracién. Por ejem plo, si I intentara incrementarse por cualquier motivo la corrente de base de Qs también se inctementarfa debido a la relaci6n Ip, = Tc,/B, = I1/B., Regresando a la figura 4.79, encontramos que tn incremento en fy, ocasionarfa que tambign se incrementara el volte Vee, Da do que Ia base de Q, se encuentra conectada directamente con el colector de Qy, el voltaje Vee, también se incrementard, Esta accién ocasiona que el voltaje a través del resistor de control R diminuya, provocando que Ix caiga. Pero si Ly cae, a corriente de base fy caer4, ocasionando «que tanto fa, com Zp, caigan también. El resultado, portant, es una sensibilidad ante cambios no deseados que la red intentard corres. La secuencia completa de eventos recign descrita puede presentarse en una sola linea como se muestra adelante. Observe que en un extremo la corriente de carga se trata de incrementar, yen el otto extremo, al final de la secuencia, la corriente de carga se ve obligada a regre~ sara su nivel original Figura 4.78. Espejo de corcente cempleando dos transisores BJT [Met lag Vaest Verde es labs to Ve tit —— Observe Indicador del nivel de voltaje La tikima aplicacién que se presentarii en esta scccién, el indicador del nivel de voltae, incor- pora tres de los elementos presentados hasta este punto del texto: el transistor, el diodo Zener y el LED. El indicador de five de voltaje es una red relativamente simple que emplea un LED ‘verde para indicar cuando el voltaje de la fuente se encuentra cercano a su nivel de monitoreo de9V. En la figura 4.80 el potenciémetro se regula para establecer 5.4 V en el punto indicado. El resultado es un voltaje suficiente para encender tanto al Zener de 4:7 V como al transistor y para establecer una corriente en el colector a través del LED de magnitud suficiente como para encender al LED verde, ‘Una vez que se mantiene fijoel potenciémetro, el LED emitié su luz verde mientras el voltaje de la fuente se encuentre cercano a 9 V. Sin embargo, sil voltaje en las terminales de la bateria de 9 V disminuye, el voltaje que establecié la red del divisor de voltaje podria caer a 5 V de 5.4 V, En el nivel de 5 V, el voltaje es insuficiente para encender tanto al Zener como al 4.13. Aplicaciones practicas Figura 4.79. Caractetstices dela base para el transistor Q Qu. 27228 1K Figura 4.80 Indicador det eavel de wolje tuansistor, y ef sransistor se encontrard en el estado de apagado. El LED inmediatamente se apa- ard, mostrando gue el voltaje de la fuente ha caido por debajo de fos 9 V o que la fuente de slimentacién se ha desconectado, 4.14 RESUMEN Conclusiones y conceptos importantes 1. Sin importac el tipo de configuracién en el que se utilice un transistor, tas relaciones 4 sicas entre las corrientes son siempre las mismas y el voltaje base-emisor es el valor de ‘umbral si el transistor se encuentra en estado encendido, 2. El punto de operacién define dénde operaré el transistor sobre sus curvas caracteristicas bajo condiciones de de, Pata el caso de amplificacién lineal (tafnima distorsi6n), et pun- to de operaeién de de no deberd ser muy cercano a los valores norainales méximos de potencia, coriente 0 voltae y se deberdn evitar las regiones de saturacién y de corte. 3. Para la mayoria de las configuraciones, el andlisis de de inicia con la determinacién de la corriente de la base. 4. Para el anilisis de de de una red de transistores, todos los capa un equivalente de circuito abierto. 5. La configuracién de polatizacién fija es la més simple para la polarizacién de um transistor, pero también es muy inestable debido a su Sensibilidad a Ia beta en el punto de ope racién, 6, Ladeterminacién de la cotriente de saturacién (mdxima) del colector para cualquier con- figuracién puede realizarse de forma sencilla si se sobrepone un eircuito cerrado imagi- nario entte las terminales colector y emisor del transistor. La corriente resultante a tra- vs del corto seré entonces la cortiente de saturacién, 7. La ecuacién de la recta de carga de una red de transistores puede encontrarse al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff ala red de salida 0 del colector. El punto Q se determi- 1a, por tanto, al encontrar la interseccién entre la corriente de base y la recta de carga trazada sobte las caracteristicas del dispositivo. 8. El arreglo de polarizacién por estabilizacién en emisor es menos sensible ante cambios en beta, 1o que proporciona una mayor establidad para la red. Tenga en mente, sin embargo, que cualquier resistencia en a terminal del emisor se “observa” en la base del transistor como un resistor mucho mayor, un hecho que reducira la corriente de base de la configuracién. itores se reemplazan por 9. La configuracién por divisor de voltaje es probablemente la més comin de todas las configuraciones. Su popularidad se debe principalmente a su baja sensibilidad ante cambios cen la beta de un transistor a otto dentro de un mismo lote (con la misma etiqueta de transistor). El andlisis exacto se puede aplicar a cualquier configuracién, pero el aproximado sGlo puede aplicarse sila resistencia del emisorreflejada en la base es mucho mayor que cl resistor més bajo de la configuracién de polarizacién por divisor de voltaje conectada a la base def transistor. Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs 10. Cuando se analiza la potarizacién de de para una configuraciéin por retroalimentacién de voltae, debe estar veguto de recordar que fanfo el resistor del etnisar como el del colec~ tor se rellejan al circuito de Ia base multiplicados por beta, La menor sensibilidad ante beta se obiiene cuando la resistencia reflejada es mucho mayor que el resistor de retro- alimentacién entre ta base y el colector. 11. Para la configuraciin de base comin, fa eorriente del emisor normalmente se determi- nna primero por la presencia de la uniGn base-emisor en fa misma malls, Luego se apro~ vvechi el hecho de que la corriente del emisor y del colector son basicamente de La mis- rma magnitud, 12. Un claro entendimiento del procedimiento empteado para analizar una red de transistores cen de generalmente permitiri un disefo de la misma configuracidn con un mxnimo de dificultad y de confusi6n, Sencillamente comience con aqueltas relaciones que minimizan ‘el niimero de inedgnitas, y Iuego proceda 2 tomar decisiones acerca de los elementos ddescanocidos de Ia re. 13. En una configuracién de conmutacién, un transistor se desplaza ripidamente entre ta Sa turacién y el corte, o viceversa. Esencialmente, fs impedaneia entre el colector y el er- sor puede aproximarse como un eireuito cerrado para ta saturacién y como un ciruito abierto para el corte. 14, Al verificar la operacidn de una red de transistores en de, primero verifique que el voltaje base-emisor se encuentre muy cereano a 0.7 Vy que el voltae eolectoremisor se en- ccuentre entre 25 y 75% del voltaje aplicado Vcc 15, El anilisis de las configuraciones pnp es exactamente el mismo que el aplicado para fos iransistores. npn con la excepcién de que las direeciones de las eortientes se invertirén y que los voltajes tendrin polatidades opuestas. 16. La beta es muy sensible ala temperatura, y Vir disminuye cerea de 7.5 mV (0.0075 V) por cada incremento de {° en la temperatura en I escala de Celsivs. La coriente de satu- raciGn inversa tipicamente se duplica por cada incremento Ue 10° en la eseala de Celsivs, 17, Tenga en mene que ls redes que son las més estabies y Tas menos sensible ante variaciones de temperatura tienen los factores de estabilidad ms pequefios. Ecuaciones Polarizacién fija: Estabilizacién en emisor: Pat GF Ue R= (6+ Re Polarizacién por divisor de voltae: Exacto: Ry = Ril RWec 4.14 Resumen 229230 — Em Vor Ry B+ DR: dy Aproximado: Probar BR, > 10, Yee RtR, Ve = Va ~ Vox Base comin: Redes de transistores de conmutacién: Ye k= ose Te, > Ra = “te E Fenecatiao = te + ty Iagagnto = by + ty Factores de estabilidad: (leo) Polarizacién fija: S(lcp) Bri . 1+ Ri/Re* Polarizacién por emisor: (Icy) +)— (loo) = B+ VBI + RalRe *Polarizacién por divisor de voltaje: Cambiar Ry por Rry en la ecuacién de arriba. *Polarizacién por rettoalimentacién: Cambiar Re por Re en la ecuacién de arriba, Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs SVr); Polarizaci6n fija: S(Vge) = Ry + (B+ DRe *Polarizacién por divisor de voltaje: Cambiar Ry por Ryy en la ecuacién de arriba Polarizacién por emisor: S(Vpr) *Polarizacién por retroalimentacién: Cambiar Re por Rc en ta ecuacién de arriba 5B) Polarizacién fija: SB) = = Te(1 + Rol Rey Bi(L + Ba + Re/Re) *Polarizacién por divisor de voltaje: Cambiar Rp por Rn, en la ecuacin de arriba, Polarizacién en emisor: S(B) = $Polstizaci6n por retroalimentaci6n: Cambiar Ry por Re en la ecuacisn de arriba 4.15 ANALISIS POR COMPUTADORA PSpice para Windows CONFIGURACION POR DIVISOR DE VOLTAJE [Ahora se verificardn los resultados del ejemplo 4.7 mediante PSpice para Windows. La red de Ia figura 481 puiede construirse empleando los métodos dscritos en capftulos anteriores, Recuetde que el transistor puede localizarse en la biblioteca EVAL.sIb, la fuente de de bajo SOURCE.stb yl resistor bajo ANALOG.sib. Bl capacitor aparecers también dentro de la bi blioteca ANALOGstb, En ia figura 4.81 aparecen tres VIEWPOINTS (puntos de observacién) obtenidos de la biblioteca SPECIALstb. La corriente del colector seré detectada por la opeién IPROBE, que también aparece en la biblioteca SPECIAL. sIb. Recuerde que se obtiene un re sultado positivo en IPROBE si la direccién convencional de Ia corriente entra por la parte del s{mbolo con Ia curva interna que representa la escala de medicién. Ahora buscaremos que el va~ lor de fa beta det transistor coincida con la del ejemplo. Esto se logra haciendo clic en el simbolo del transistor (para obtener el delineado rojo) seguido por Bdit-Model-Edit Instance Mo- del (text) para obtener el Model Editor (Editor de! modelo). Luego se modifica BP a 140 para igualarla con el valor dl ejemplo 4.7. Oprima OK y la red estaré preparada para el andlisis, 4.13. Anilisis por computadora Figura 4.81 Aplicacion de PSpice para Windows a la conf acién por divisor de 047, 231Figura 4.82 Respuesta cbtentda despues de cambiar’ B de 140 295.9 para fared de la gut 481 Ss! Para este caso, debido a que estaros interesados tinieamente en Ia respuesta de de. el Pro- be Setup bajo Analysis debera abilitar la opcidn Do not auto-run Probe. Esto nos evitaré tener +c por la respuesta de Probe antes de ver él afchivo o la pantalla de salida, La secuen isis-Simulate ocasionaré los niveles de de que apareven en la figura 4.81. que'se acer- cat. alos del ejemplo 4.7. El voltae colector-emisor es de 13.76 V'~ 1.259 V = 12.5 V, contra 12.22,V del ejemplo 4.7, y lx cortiente del colector es de 0.8244 mA, contra 0.85 mA. Las diferencias son debidas al hecho de que estamos empleando transistores reales con un conjunto de parimeiros que no se consideran en nuestro anslisis. Recuerde la difere lor especificado y el valor obtenido de la erica del capitulo anterior. Debido a que lated de divisor de voltae es una de las cuales tiene menor sensibilidad an aciones de beta, regresemos al transistor y reemplacernos la beta de 140 por et valor im plicito, “por default”, de 225.9 e inspeccione los resultados. El andlisis producirs los niveles de de que aparecen en la figura 4.82, los cuales son muy cercanos a los de la figura 4.81 | g3t.4aua ROS10k 43.69 en beta enire ef var El voligje del colector-emisor es 13.69 V ~ 1.266 V = 12.42 V, el cual es muy cercano al btenido al emplear una beta mucho menor. La cortiente del colector realmente se encuentra nds cercana a la del nivel calculado a mano, 0.832 mA contra 0.85 mA. Por tanto, no hay do- dda que la configuracién por divisor de voltaje muestra una baja sensibilidad ante variaciones en beta. Sin embargo, recuerde que la configuracién de polarizaciGn fija era muy sensible a los cambios en bela, procedamos ahora con el mismo tipo de andlisis para la configuraci6a de po- Jarizacién fija a fin de compararlas CONFIGURACION DE POLARIZACION FIA La configuracién de polarizacin fija de la figura 4.83 proviene del ejemplo 4.1 para pes ritir una comparacién de los resultados. La beta se fij6 en $0 por medio del procedimiento descrto antes. Para este caso, emplearemos un VIEWPOINT para leer el voltaje de colector-emisor y habilitaremos el desplicgue de las corrientes de polarizacién (mediante el icono con la letra I maydiscula). Adems, inhibiremos el despliegue de algunas corrientes de polarizacién tilizando el icono con la letra I maydscula més pequefa y el simbolo del diodo. El toque final ser mover algunas de las corientes desplegadas para depurar la presentacién. Un andlisis PSpice de la red generaré los niveles que aparecen en la figura 4.83. Los cuales son muy cercanos a los obtenidos eon la solucidn hecha a mano, teniendo al voltaje del colee- toren 6.998 V contra 6.83 V, la coriente del colector en 2.274 mA contra 2.35 mA, y la corriente de base en 47.23 A contra 47.08 HA. ‘Ahora probemos la sensibilidad ante variaciones de la beta cambiando al valor implicito de 2559, Los resultados se presentan en la figura 4.84, Observe la cafda dramtica en Vea 0.113 V Comparada con 6.83 V y la importante elevacién en Ip a 5.4 mA contra la solucién de 2.35 mA. Obviamente la configuracién de polarizaci6n fja es muy sensible a beta. Capitulo + Polarizacién de de para BJTs [ ~ | ez \ ROE 22 RBS 240k 5.998 [Ea fatra aaa cnnz222 7a © rieaci fa con urea Bde Figura 4.84 Red dé a figura 4.83 con una B de 2559, Electronics Workbench [Ahora se aplicaré Electronics Workbench para ta red de potarizacin ja del ejemplo 44 para proporcionar una oportunidad para revisar las opciones interas del tansitoren el paguete de Software y para comparar ls resultados con a soluciGn reaizada a mano ‘Se encuentra disponible una seleccién amplia de transistoresl slo seleccionar la opeidn de transistor del Component Tool Bar (Basra de herramientas de componentes), Con esto se pre~ sonta un euadro de dislogoinformativo Component Browser del cuales posible elegir un com ponente (Seleet Component). Bajo Ia lista de components (Component List) se lenen disinos Transistors de donde se seleccioné el transistor 2N2712. Una vez que esto se reace, aparece ta los datos del modelo (Model Data) que muestra los parimetros importantes del dispositivo. Haga clic en OK, y enfonces seré posible posicionar el transistor en cualquier lugar de a pantalla como se muestra en la figura 4.85, Haga doble ie sobre el dispositive y aparecerd un adco de diflogo BJT NPN que le pecmitiré modifica: algunos de los parimettos de nuestra plcaeén,Selecione primero Edit, y cambie Bfa 50 ¢ sa IA, y seectione Change Part Model para modificarlo, Haga clic en OK, y el transistor dela pantalla presenta ahora un asterisco sobre su etiqueta para indiear que se ha efectuado un cambio en los pardmetros, El nuevo valor de beta puede desplegarse en la pantalla uilzando la opciGn Place Text bajo Balt. Con lin eli del botdn izquierdo se estableceré la posicién del texto que se capturard. Una vez que se haya telesdo BF=50, con un dobe clic la casilla con la informacién se establecer alrededor de ingreso de datos. Con un clic izquierdo adicional, la etigueta se hab ingresado, Para elim hurl solamente hay que selecciona la casilla con un cli izquierdo del ran sobre Ta etgueta,y Tuego mediante un cic del bot6n derecho seleccionar de Ia lista de opciones presentadas la op- sién Cut, Puce accederse a ln opeidn Place Text (Colocar texto) en cualquier momento con un ce derecho del rat6n, después de lo cual se contnta con el proceso descrito anteriormente 4.15. Analisis por computadora i i i [ k 233Figura 4.85 _Vecficacion de los resultados del ejemplo 4.4 mediante Electronics Workbench, PROBLEMAS 234 LO} | |-2| a) aN 1500 ~ - ints Sa Bal ia see ove ose 0.f= 108K) os 2NI797 = a o Taps Ei Ge F ene Ven =f LOM) ale Tapas Paste Irs Ge ppas po | "Wop e OV. Vos = 10M) ‘CARACTERISTICAS FUNCIONALES va oo wT] is OV Nog =O LORE Ry =3:egohm) iy Ec lore vreme clay ola cone de fog el PE como lca Ta soi con ase pac ls feersro cvendo se ide aj sas coniions posible Figura 5.32 MOSFET Motorola 2N3797 de tipo decremental de canal Capitulo 5 Transistores de efecto de campo 5,8 MOSFET DE TIPO INCREMENTAL "Aunque existen algunas similitudes en la construccién y en el modo de operacién entre los MOSFETs de tipo dectemental y de tipo incremental, las caractersticas del MOSFET de tipo jnctemental son muy diferentes de cualguier cosa obtenida hasta ahora, L curva de transfe~ rencia no esti definida por ls ecuncién de Shockley, y la corriente de drenaje ahora esté en corte hasta que el voltaje compuert-fuente aleanza una magnitud espectfica. En particular, eb control de cortiente en un dispositivo de canal-n ahota resulta afectado por un Yoltaje com puerta-uentepostivo en lugar de porel ranzo de voltajes negaivos encontrados para los JFETS de canal-n y los MOSFETs de tipo decremental de eanal-n. Construccion basica La construccién bisica del MOSFET de tipo incremental de canal-n se proporciona en la fi- ura 5.33, Un blogue de material tipo p se forma a partir de una base de silicio a le que unt ‘yer mas se Te denomtina sustrato. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental, el sustrato algunas veces se conecta de forma interna a fa terminal de la fuente, mientras que en otros casos hay disponible una cuarta terminal para el contol externo de su nivel de potencial. Las terminales dela fuente y de drenaje se conectan via vez més por medio de eon: tuctos metdlicos a regiones dopadas-n, pero observe en la figura 5.33 Ia ausencia de un canal centce las dos regiones dopadas-n. Esta es In principal diferencia entre 1a construccién de los: MOSFETs de tipo decremental y los de tipo incremental: Ia ausencia de un canal como un componente construido del dispositivo. La capa de SiO, atin es presente para aisar Ia ple taforma metélica de la compuerta de Ia regisn entre el drenaje y la fuente, pero ahora ests se- parada simplemente de una seccién de material de tipo p. En resumen y por tanto, la construe- tién de un MOSFET de tipo incremental es muy similar a Ja de un MOSFET de tipo dlecremental, excepto por la ausencia de un canal entre las terminales del drenaje y Ia fuente Operacién basica y caracteristicas ‘$1 Vag se establece en OV ye aplica wn voltaje entre el drenaje ¥ ta fuente del dispositivo de in figura 5.33, fa auseneia de un canal-n (con su generoso niimero de portdorés libres) daré por resultado una coniente de cero amperes efactives, una diferencia mayor con el MOSFET Y JFET de tipo deeremental donde /p = Ipss. No es sufciente tener acurnulados una gran ean- tidad de portadores (electrones) en el drenaje y la fuente (debido a las regiones dopadas-n) si no existe un camino entre los dos, Si Vps tiene cierto voltaje positive, Ves es 0 V, y la terminal $8 se conecta directamente a la fuente, existrdn de hecho dos uniones p-n con polariza- idm inversa entte las regiones dopadas-n y el sustrato-p para oponerse a cualquier flujo significativo entre el drenaje y Ia fuente, Sin canal Constr Figura 5.33 MOSPET de tipo incre mental de canal, 5,8 MOSFET de tipo incremental Jpps/Vp 269Ipps/Vp 270 tectonesatrafdos hacia ‘ornguers pesitiva (canal inducido) Regidn azotala de ‘portadores ipo-p Owwecos) Figura 5.34 Formacion del co ‘Capa aslante Huecosrepelidos por ral en el MOSFET de upo incre lxcompuetta postiva mental de canal-n En ta figura 5.34 tanto Vis como Ves se han establecido en algtin voltae positive mayor de cero volts, con lo que se ubica al drenaje y a la compuerta en un potencial postivo con respecto la fuente. El potencial positivo en la compuerta presionara los huecos (ya que cargas iguales se repelen) del sustrato p en la parte superior de la capa de SiO, con objeto de abandonar esa drca ¢ ingresar a regiores mas profundas del sustrato-p, como se muestra en la figuta. El resultado es una regién de agotamicnto cerca de la capa aislante de SiO, libre de huecos. Sin embargo, los electrones en el sustrato p (los portadores minoritarios del material) serén ataidos @ la compuerta positiva y se acumularén en ta regin cercana a Ta superficie de In capa de SiOp, La capa de SiO, y sus cualidades aislantes evitan que los portadores negativos sean absorbidos en la terminal de la compuerta, A medida que Vas aumenta su: magnitud, la concentracién de electrones cer- cca de la superficie de SiO, se incrementaré hasta que eventualmente, la regiGn inducida de tipo 1m pueda soportar un flujo mesurable entre el drenaje y la fuente, El nivel de Ves que ocasiona un incremento significativo de la corriente de drenaje se le Hama voltaje de wnbrai, se le asigna cl simbolo de Vp (por Threshold). En las hojas de especificaciones se le conoce como Vesey aunque Ves més fécil de manejar y serd utilizado en el siguiente andtsis, Debido a que el canal no existe cuando Vgs = 0 V y se “incrementa” mediante la aplicacién de un voltaje positive ccompuerta-fuente, este tipo de MOSFET se le llama MOSFET de tipo incremental. Tanto los MOSFETs de tipo decremental como de tipo incremental poseen regiones de tipo incremental, sin embargo, el nombre se aplie6 al titimo debido a que ése es sw tinico modo de operacisn, ‘Cuando Veg se incrementa mas all det nivel de umbral, la densidad de los portadores li- ‘bres en el canal inducido se incrementa, dando por resultado un nivel mayor de cortiente de drenaje, Sin embargo, si se mantiene Vc Constante y se inerementa el nivel de Vos, la corriente de drengje eventualmente alcanzard un nivel de saturacién asf como ocuerié en el JFET y en-el MOSFET de tipo decremental. La estabilizacién de Ip se debe a un proceso de estrecha- imiento descrto por un canal més angosto al final del drenaje del canal inducido como se muestra en la figura 5.35. At aplicar la ley de voltaje de’ Kirchhoff a les voltajes de las terminates del MOSFET de la figura 5.35, se encuentra que Voo = Vos = Vos (1) Si Vos se mantiene fijo en un valor tal como 8 V y Vps se inerementa de 2 a 5, el voltaje Vag [por la ecuacién 5.11] caer de -6 a ~3 V y la compuerta seri cada vez. menos positiva con respecto al drenaje. Esta reduccién en el voltaje de la compuerta al drenaje reduci- Capitulo 5 Transistores de efecto de campo Estrechariento (inicio) SiO: Resién de azotmemo C Ilo Figura 5.35 Cambio en las region de canal y en la regis de agotamiento como resukado de niveles crecientes = de Vos para un valor fijo de Ves rd a su vez la fuerza de atraccién de los portadores libres (electrones) en esta regiGn del canal inducido, con lo que causard una reduccién en el ancho efectivo del canal. Eventualmente, el canal se reducirs hasta el punto de esteechamiento y se establecerd una condicién de satura- ccién como se describié antes para el JFET y para el MOSFET de tipo decremental. En otras palabras, cualquier crecimiento posterior en Vpscon un valor fijo de Ves no afectar el nivel de saturacién de Jp hasta que aparezcan las condiciones de ruptura. Las caractristicas del drenaje de la figura 5.36 revelan que para el dispositvo de la figu= 14 5.35 con Ves = 8 V, la saturacién ocurrié en un nivel de Vos = 6 V. De hecho, el nivel de saturacién para Vps est relacionalo con el nivel de Ves aplicado por Vos. = Vas ~ Ve (6.12) Por tanto, es obvio que para un valor fijo de Vin mientras mayor sea el nivel de Vos, mayor serd el nivel de saturacién para Vis como se muestra en Ja figura 5.35 en la regién de los niveles de saturacién. Para las caracteristicas de la figura 5.35, el nivel de Vy es de 2 V, como to revela el hecho dde que la coniente del drenaje ha caido a 0 mA. En general, por tanto: Para valores de Ves menores que el nivel de umbral, la corriente del drenaje de un MOSFET de tipo incremental es de 0 mA. La figura 5.36 indica de forma clara que cuando el nivel de Ves se incrementa de Vp a 8 ‘Vel nivel de saturacién resultante para fp también aumenta desde un nivel de O mA hasta 10 ‘mA. Ademis, es bastante notorio que el espaciamiento entre los niveles de Vs aument6 a medida que se increments Ja magnitud de Ve. lo que da por resultado aumentos siempre erecientes en la corriente del drenaje, Para los niveles de Vas> Vp. la corriente dé drenaje esti relacionada con el voltaje compuerta-fuente aplicado mediante la siguiente relacién no lineal: Ty = K{(Ves ~ Va (5.13) ‘Una vez ms, resulta el término cuadrético de la relacién no lineal (curva) entre fp y Ves. El tér= ‘mino K es una constante que, a sti vez, est en funcién de la fabricacién del dispositivo. El valor de & se puede calculara parti de la siguiente ecuacién (derivada de la ecuacién 5.13] donde Foexenss ¥ Vosexsasy S00 10s valores para cada uno en un punto en particular sobre las earacteristicas del dispositivo, 5.8 MOSFET de tipo incremental lopsVe 271Iops/Vp 272 Figura 5.36. Coractersticas del dense de un MOSFET de ipo incremental de eanal-n con V; = 2 Vy k = 0.278 x 10°? AV! Toeccenite) (ud) (Vasiencensi Al sustituit Ipyaceusan® 10 mA donde Vesiscaon= 8 V a partir de las caracteristicas de Ia figura 5.36 tenemos ge toma _ Oma _10mA “@V-2vy. G@vP 36" = 0.278 x 10° A/V? yy una ecuacin generat de fp para as caractersticas de I figura 5.36 da por resultado: Ip = 0.278 X 10°(Vgs — 2V)P V, encontramos que Ip = 0.278 x 10-MAV — 2 VF = 0.278 x 10702)" 0.278 x 10°*(4) = Ld mA ‘como se verifica por la figura 5.36. En Ves = Vy el término cuadritico es 0¢ [p= 0 mA. Para cl andlisis en de del MOSFET de tipo incremental que aparecerd en el capitulo 6, las caracterfsticas de transferencia nuevamente sersin las que se utilizardn en la solucién grifica, En la figura 5.37 se han colocado lado a lado las caracteristicas del drenaje y de transferencia para describir el proceso de transferencia de una a la otra, En esencia procede igual que co- ino se present6 para el JFET y el MOSFET de tipo decremental. Sin embargo, en este caso se debe recordar que la corriente de drenaje ¢s de 0 mA para Vos < Vr. En este momento una ‘coniente que se puede medir ser el resultado para Jp y aumentaré como se definié en la eeua- cién 5.13, Obsérvese que al definir los puntos sobre las caracteristicas de transferencia a pat~ tir de las caracterfsticas de drenaje, slo se utilizan [os niveles de saturacién com lo que, por tanto, se limita la regin de operacién a niveles de Vos mayores que los niveles de saturacion como se definié en ta ecuacidn 5.12. ‘La curva de transferencia de la figura 5.37 es muy diferente de aguéllas obtenidas anteriormente, Para un dispositivo de canal-n (inducido), ahora se encuentra totalmente en la re- tidn de Vos positiva y no aumenta hasta que Vags= Vp. Ahora surge la cuestin acerea de e6- tno graficar las caracteristicas de transferencia dados los niveles de & y Vr-como se incluyen abajo, para un MOSFET en particular Ty = 05 X 107 (Veg — 4. VP Capitulo 5 Transistotes de efecto de campo Ipimad Figura 5.37. Grifice de las caracteriticas de cransferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal partic de fas earacteristicas de drenaje Primero, se dibuja una linea horizontal en Ip = 0 mA desde Vics =0°V hasta Vos = 4 V como se indica en la figura 5.38a, Luego, se elige un nivel de Vis mayor que Vi, tal como 5 V, y se sustituye en la ecuaciGn 5.13 para determinar el nivel resultante de Jp, de la siguiente forma: Tp = 0.5 X 10-(Vg5 ~ 4 VP =05.x 10°(5V - 4 VP = 0.5 x 10h 0.5 mA y se obtiene wn punto sobre la grfica como se muestra en la figura 5.38, Por timo, se eli- gen niveles adicionales de Ves y se obtienen fos niveles resultantes de Ip, En particular, en Vos = 6, 7y BY, el nivel de [pes 2, 4.5 y 8 mA, respectivamente, como se sefiala en la gre fica resultante de la figura 5.38¢. Ty (A) Ip (mA) FFigura 5.38 Grifica de las enracterstcas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-n con t= 0.5 x 10° AV y Vy = 4 V 5.8. MOSFET de tipo incremental Ty (mA) Jops/Ve 273Iovs!% : = laos! oe MOSFETs de tipo incremental de canal-p a “ue La construceidn de un MOSFET de tipo incremental de canat-p es exactamemte la inversa de : e ENCAPSULADO 2003, ESTH.O2 ta que aparece en la figura 5.33, como se advierte en la figura 5.39a. Esto es. ahora existe un foe riod) sustrato de tipo ny egiones dopadas-p bajo las Conewiones del drenaje y de la fuente. Las tr rinales permanecen ta} como se indicaron, pero todas las potaridades del votajey las dec Taler aoe iones de conienteestin invertidas, Las caracteristicas del drenaje aparecerin igval que en La ‘Gia Danae Fens 3 figura 5.39c, con niveles de corriente crecientes que resultan del ineremento de Jos valores ne= Yeh enaje-Compeerts Vou 30 naire gativos de Ves. Las earacteristicas de transferencia serdn una imagen de espejo (sobre el je Nola: Conpacrauens™ Nes [90 = Jp) de la curva de transferencin de la figura 5.37, pero con Jp creciendo ante los valores cud omic Da | 4 | vez ms negativos de Vos mis alli de V,, como se muestra en la figura 5.396, Las ecuaciones, Dope lgiDomoine TACT fo THO | RW osrer 14 son igualmente apicables para los dispositivos de cana-p ts de pe ceins 2 : 5.11 a la 5.14 son igualmente aplicables para los dispositives de canal-p SS icp Bo Rego Tepes de Nmascanicno| Tag | 28a eS | e CANAL-NAINCREMENTAL Rec eas Wn cs om. fo CARACTERISTICAS BLECTINCAS 2a sng ps ot) : ' . Carseter Sint nin cin Uni] \ ‘CARACTERISTICAS DE ATAGADO. 5 8 Told Ropu reap Fen a + : Aye 10HA Vos") / em de Deacon Va Caen Congas ie 6 SF / {Wag HOV. Ves =O) Tan 25°C 0 | nave \ : Hise =| [axe : a= Ng -5 i inten wenade Compute a cs f 4 Weg ES Was Voe=0) = : 3 a | ‘CARACTERISTICAS DE ENCENDIDO. je dental da Comaera Vers | 19 73] Wee 5 2 2 ‘ps = 10V-tp = 10KA) \. : Aj ‘Chie de Eee Da re WWercanal | 18 |v Po ty ly #20 MA, Vos = OV) rae Ts a ‘i ! orien Da de at ECS Tooeum] 30> ate : vss vgsweay to ‘og = 10¥. on 10) ' ‘CARACTERISTICAS DE PHQUENA SENAL @ ® ° | Alita de Taste Dita ial | om] > | oma ‘Wore lOve ly =20mA = 10K) Figura 539 MOSFET de tipo incremental de eanal-p con Vr = 2 Vy = 03 x 107 AVF Copco de Eats co | - | so | w Glog 10V. Vos =0.6 = MOK) i apc de afer rn er Weretave east = 0K) Simbolos, hojas de especificaciones ' Cachunda de Desai Seana Guo | - | 30 | oF y construccién del encapsulado ‘Wome tOV. te HOLE) i Tetoniede Deak Fone Taxman] > 300 me a cm En la figura $.40 se proporcionan los sfmbolos gréficos para los MOSFETs de tipo inerersen- | Wes = IVI f= 1.042) |e ae ‘anal-P yal de canal-n y de canal-p. Observe nuevamente la manera en que los simbolos intentan re- | CARACTERSTICAS DE COMMUTATION -_fejar ta conswruceién real del dispositivo. Se eligié la linea punteada entre el drenaje y la fuen- ad Eni Fig] wes te para reflejar el hecho de que no existe un canal entre los dos, bajo condiciones de no | Fempiesitigay—| 2p"29mAKe Yoo «10 Ve a a oe f>—055 polarizacion, De hecho, ésta es la tinica diferencia entre los sfmbolos para los MOSFET de Remi AptFa.71| — (uob tp el Cian Daan a a tipo decremental y de tipo incremental. | Teng dea 8 bo es . En la figuia 5.41 se proporciona la hoja de especificaciones para un MOSFET de tipo inere- imental de canal-n de Motorola, Se proporcionan la construccién del encapsulado y la identi | Figura 541 MOSFET 284351 de Motorola de tipo incremental de canal ci6n de las terinales junto con los valores nominales méximos, os cuales inefuyen ahora una i . > ~~ corriente de drenaje méxima de 30/nA de. La hoja de especificaciones presenta el nivel de Foss i a bajo condiciones de “apagaci, el cual es ahora de s6lo 10-nA de de (cuando Vos = 10 V y ‘ cl « | Vas =0'V) eomparado con el rango de iliamperes para el caso del IFET y el MOSFET de tix i po decremental El voliaje de umbral estéespecificado como Vasc ¥ tiene un rango de 1 2 5V i c,sepin Ia uni gar wei ara en la ecu a anaes Ss Cee ee a eee Determine a partir de los datos proporcionados en la hoja de espevificaciones de la figura 541 EJEMPLO 5.4 5.13, se specifica un nivel tpico de foenseatiny 3 MA en este caso) para un nivel de Vos ee ‘ 4 is i : ¥yun voltaje promedio de umbral de Vesery= 3 V: Figura 5.40. Simbolos de «oy 6n particular (10 V para el nivel especificado de /,). En otras palabras, cuando Ves = 10 a ——r—— GIMOSFET de tipo incremental —V, fp = 3 mA, Los niveles dados de Vern Lvenendue) ¥ Vosienenssn permiten determinar ka Osi ere eer een aa de cman y (0) MOSFETs de partir de la ecuacin 5.14 y eseciie Ia ecuacién keneral para las caracterstcas de wansferencia 7 : Sipe incremental de canal. En la seccidn 5.9 se revisan los requerimientos de manejo de los MOSFET. 214 Capitulo 5 Transistores de efecto de campo 5.8 MOSFET de tipo incremental 275Lops!¥e 276 Solucién (a) Beuacion (8.14) (lov-3vy (Tv 49 = 0.061 x 10° A/V? (6) Eeuacién (5.13) Ty = (Ves ~ Vi? = 0.061 X 10-(Ves = 3 VP Para Vos=5V Tp = 0.061 X 10-(5 V ~ 3 VF = 0.061 x 107%(2)* = 0.061 % 10%(4) = 6.244 mA Para Vos = 8, 10, 12 y 14 Vp seté de 1.525, 3 (como se definis), 4.94 y 7.38 mA, respectivamente, En la figura 5.42 se encuentran trazadas la caracteristicas de transferencia Jy (md) So WU 1S Vos Figura 5.42, Solucidn del ejemplo 5.4 5.9 MANEJO DEL MOSFET La delgada capa de SiO, que se encuentra situada entre la compuerta y el canal de un MOS- FET tiene el efecto positive de ofrecer una caracteristica de alta impedancia de entrada para cl dispositive, pero también debido a esta capa extremadamente delgada se deben tener pre- cauciones en st manejo, que no eran nécesarias en los transistores BIT 0 JFET: A menudo existe suffciente acumulaeién de carga estitica (la cual se capta de los alrededores} como pa ra establecer una diferencia de potencial através de la delgada capa, de tal forma que pod romnperla y establecer la conduccidn através de ella. Por tanto, es muy importante que el transistor se mantenga con el papel aluminio (0 anillo) de transporte que asegura el “corto circui- to” (0 conduccién), porque mantiene conectadas las tesminales entre si, hasta que el dispositivo esté listo para insertarse en el sistema. El anillo evita la posibilidad de que se aptique un potencial através de dos terminales cualesquicta del dispositivo. Con el anillo colocado, la diferencia de potencial entte dos terminales, siempre se mantendré en 0 V, Ademés, siempre se Capitulo 5 Transistores de efecto de campo ebers hacer tiers para permit la descarga de la estitica acumulada antes de manejar el dis positivo, y siempre se tendré que tomar el transistor por el encapsulado A menudo existen iransitorios (cambios bruscos en el voltae o la corriente) en una red cuando los elementos son retirados o insertados si se encuentran encendidos. Los niveles de ‘estos transitorios con frecuencia pueden ser mayores de los que pitede soportar el dispositivo; por tanto, siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio eh la red. ‘Normalmente se proporciona el voltaje compuerta-fuente méximo en Ia lista de valores rnominales méximos del dispositive, Un método para asegurar que no se exceda este voltaje (como consecuencis quiz de los efectos transitorios) para cualquier polaridad, es mediante la introduccién de dos diodos Zener, como se muestra en ta figura 5.43, Los diodos Zener estén situados de forma opuesta para asegurar Ia proteccién ante cualquier polaridad. Si ambos dio dos Zener son de 30 V y se presenta un transitorio positivo de 40 V, el Zener inferior se “dis- parard’” 2 30 V y el superior se encenders con tna caida de 0 V (idealmente para la regién positiva de “encendido” de un diodo semiconductor). El resultado es un voltaje miximo de V de la compuerta a la fuente. Una desventaja que se presenta con la proteccién Zener consiste en que la resistencia de apagado de un diodo Zener es menor que la impedancia de e trada que se estableci6 por medio de In capa de SiO;. El resultado de esto, es una reduecién de Ia resistencia de entrada, pero aun asf es lo suficientemente alta para la mayoria de las api caciones, La tayoria de los dispositivos discretos tienen en la actualidad la protecci6n Zener ‘ de tal forma que algunas de las preocupaciones anteriores no resulten tan dificiles de corregir. Sin embargo, siempre es mejor manejar con cautela los dispositivos MOSFET diseretos. | 5.10 VMOS Una de las desventajas del MOSFET tipico son los bajos niveles de manejo de potencia (por | To general, menos de | W} en comparacién con los transistores BJT. Es posible superar esta insuficiencia de un dispositivo que cuenta con tantas caracteristicas positivas, mediante un ca bio en su forma de construccién de una naturaleza planar como la que se muestra en Ia fig ra 5.25, « otra con una estructura vertical como la que se muestra en fa figura 5.44. Todos los, elementos det MOSFET planar estan presentes en el FET vertical de metal-6xide-silicio (VMOS) (Vertical Metal-Oxide-Silicon): la conexién de ta superficie metélica con Las terminales del dispostivo, la capa de SiO, entre Ia compuertay la regi de tipo p que se encuentra entre el drenaje y a fuente con el objeto de crear un crecimiento del canal-a inducido (ope- racién en modo incremental) El término vertical se debe bisicamente al hecho de que el canal se encuentra ahora formado en la direccidn vertical, en ver. de la direccién horizontal para el dispositivo planar, Ademiés, el canal de la figura 5.44 también tiene Ia apariencia de un corte en “V" en la base del semiconductor que, por lo regular, es la caracterstica que destaca para Ja memorizacién del nombre del dispositivo. La construccién de la figura 5.44 es muy simple Terminaes de la fente ceoncaas exernarente Si0, Longue il canal a c né (osttato) ‘Canal nds ancho| D Figura 5.44 Consiruccin de ua VMOS 5.10 VMOs Apps! Vp Figura 5.43 MOSFET prot ido por Zeners 277Tyo! Ve 218 “te manteniendo la compuerta en 0 V o en algdn nivel pos ya que se eliminaron algunos de los niveles de transicién de dopado, pero a cambio permite luna descripcidn de los aspectos mas importantes de su operacién, La aplicacién de un voltaje positivo sobre el drengje y de un voltaje negativo sobre Ia fuen- 10 de “encendido” tipico, como et {que se muestra en la figura 5:44, dar por resultado el canal-n inducido en la region angosta de. tipo p del dispositive. Por tanto, ls longitud del canal estard ahora definida por la akura vert cal de la repi6n-p, que puede hacerse significativamente menor que la de un canal de constra «6 plan. Sobre un plano horizontal a longitud del canal et limita de 1 a2 mierometros (am) (1 um = 10°* m). Es posible controlar las capas de difusién (come la regién-p de la fi- ura 5.44) haste pequefas fracciones de un micrmetro. Dado que las fongitudes decrecientes 1000 | E = 199 | s | = { . woster ip dremel (cana) ck & a> wee 7 | | ceq~ pF 5 y= boy(t | | ( — . : = ! : Moser | Geo nomena nip) . ¢ ieee a> wen “Vestry Vere Vs 280 Capitulo 5 Transistores de efecto de campo 5.13 RESUMEN Conclusiones y conceptos importantes 1. "Un dispositive controlado por corriente es agucl en el que una corriente define las condiciones de operacién det dispositivo, mientras que un dispositive controlade por voltaje es aguel en el que un voltaje particular define las condiciones de operacién. EL IFET puede emplearse como un resistor controlado por voltaje debido a Ia sensibi lidad exclusiva de la impedancia drenaje-fuente ante ef voltaje compuerta-fuente. 3. La corriente maxima de cualquier FET se denota por Joss y ocurte cuando Ves = 0, 4. La corriente minima de un JFET ocusre en el estrechamiento definido por Vos = Vp. 5. Larelacin entre la comriente de drenaje y el voltaje compuerta-fuente de un JFET es una relacin no lineal definida por le ecuacién de Shockley. A medida que el nivel de co: rriente se aproxima a Ipss, la sensibilidad de fp ante cambios en Vgs se incrementa de forma significativa 6. Las caracteristicas de transferencia (Jp en funcidn de Ves) Son earacteristicas propias del dispositivo y no son sensibles a ta red en la cual se utilice el JFET. 7. Cuando Vos = Vil2, In = Inssl4s y en el punto donde Ip = Inss!2. Vos = 033 V. 8. Las condiciones de operacién méximas estén determinadas por el producto del voltaje denaje-fuente con la corriente del drenaje 9, Los MOSFET se encuentran disponibles en dos tipos: deeremental e incremental. 10. El MOSFET de tipo decremental posee las mismas caracteristicas de transferencia que el JEET para corrientes'del drenaje de.un nivel hasta de pss. En este punto, las caractersticas de un MOSFET de tipo decremental contindan hasta niveles por arriba de Ipss mientras que las del FET terminan abi 11, La flecha del sfmbolo de los JFETS o de los MOSFETs de canal-t, siempre apuntaré hacia el centro del simbolo, mientras que la flecha de un dispositivo de canal-p siempre apiuntaré hacia fuera del centro-del simboto. 12. Las caractersticas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental no se encuentran definidas por ta ecuacién de Shockley sino mas bien, por una ecuacién no lineal controlada por el voltaje compuerta-fuente, el voltaje de umbral y por una constante k definida para et dispositivo que se emplea. La gréfica resultante de Zp en funcidn de Ves es quella que erece exponencialmente ante valores crecientes de Vas. 13, Siempre es necestrio tener cuidado adicional al manejar MOSFETs debido a la electrci- dad estitica que puede existr en los lugares menos pensados, No elimine ningin mecanis- ‘mo de cirevito cerrado entre la terminales del dispositivo hasta que éste se instal. 14. Un CMOS (MOSFET complementario) es aque! que utiliza una combinaci6n nica de tun MOSFET de canal-p con uno de canal-r mediante un solo conjunto de terminates, externas. Posee fa ventaja de una muy alta impedancia de entrada, velocidades de conmutacidn ripidas y bajos niveles de potencia de operacidn, todo fo cual, hace que sea muy ‘tl para los citcuitos Kigicos, Ecuaciones JFET: osslv.=0¥ Ip = OmAly, Joss Ty 4 5.13. Resumen Inos/Yp 281Iops!Vp Figara 5.48 Red empleacla para ‘obiane fas earaceristieas del JEET J2N3819 de canal. 282 Ves = 0.3V lip ts MOSFET (incremental: Ip = K(Ves ~ VoF er (Wesenccsis) ~ Va) 5.14 ANALISIS POR COMPUTADORA PS Es posible encontrar las caracter(sticas de un JPET de canal-n de una forma muy similar a 1a utifizada para el transistor bipolar. El conjunto de curvas para los distintos niveles de V reque- riré un ciclo anidado dentro del cielo principal para el voltaje drenaje-fuente. La configuracién requerida aparece en la figura 5.48, Observe la ausencia de transistor alguno dado que se asume Ia impedancia de entrada como infinita, con lo que se ocesiona que Jg = 0 A. Para acce- der al dispositivo de tres termituales mediante Edit-Model-Edit Instance Model (Text) se obtiene una lista al principio de la cual aparece el pardmetro Beta, Para el transistor de unién de efecto de campo, Beta esti definida por ¢ para Windows Joss Wel” Beta (5.15) El parimetro Vto = ~3 define a Vos = Vp = ~3 V como el voltaje de estrechamieato (lo ‘que deberd ser verificado cuando se obtengan nuestras caracteristicas) Al soleccionar el ico no de Setup Analysis (recuerde que es el que tiene la linea azul horizontal en ta parte supe- riot), primero se habilita DC Sweep y luego se activa para producir el cuslro de distogo DC Sweep. Seleccione la opeién de voltaje fuente lineal (Voltage Souree Lineur) v inserte en el nombre (Name:) VDD, el valor de inicio (Start Value) de 0 V, el valor final (End Value) de 10-V y el incremento (Increment) de 0,01 V. Luego, se seleeciona la opcién de bartido anidado (Nested Sweep) y se scleccionan las opciones Voltage y Linear una vez mis, Finalmen- te, se ingresa el nombre (Name:) VGG, el valor inicial (Start Value) de 0 V, el valor final (End Value) de ~5 V y cl incremento (Inerement) de -1 V. Luego, asegirese de habilitar la ‘opcidn de burrido anidado (Enable Nested Sweep) antes de hacer clie en OK y cerrar. Con 1a opcidn de ejecutar fa prucba de forma automitica después de Ia simulacién (Automatically run Probe after Simulation) habilitada y haciendo clic sobre el icono de andlisis se obten- ‘ded Ja pantalla de Prueba de OrCAD-MicroSim. No habré necesidad de aeceder a Ja configuracion del eje x (X-Axis Settings) ya que el eje horizontal cuenta con el rango correcto, y el voltae Vip es realmente el voltaje drenaje-fuente. Al scteccionar el ieono de trazado (Tra~ ‘c), se presentari el cuadto de dislogo para afadir trazos (Add Traces), de donde se seleccio- nna TD(J1) seguido de OK. El resultado serd el conjunto de caraeteristicas que aparecen en Ia figura 5.49. Las ctiquetas restantes se aliadieron utilizando el icono ABC. Observe que el voltaje de estrechamiento es de ~3 V, como se esperaba por el pardmetro Vito. El valor de [pcs se encuentra muy cercano a 12 mA. ‘Las caracteristicas de transferencia se pueden obtener al regresar a la configuracién de la red y al seleccionar el icono de Analysis Setup. Se habilita y se selecciona nuevarnente la op- cién de DC Sweep. En esta ocasién, debido a que el resultado serd tinicamente una curva, no Capitulo 5 Transistores de efecto de campo £ Figura 3.49 Carsceriaticas del drenaje pats el JFET J2N3819 de canal-n de la gure 5.48 se efectuaré una operacién anidada, Después de haber seleccionado Voltage Souree y Linear, el nombre (Name) seré VGG, el valor de inicio (Start Value) -3 V (ya que ahora sabemos que Vp =-3 V), el valor final (End Value) 0 V y el incremento (Inerement) de 0.01 V con Io que se obtendr una grfica continua adecuada, Después de aceptar (OK) y de cerrarla (Clo- se), seré posible seleccionar el icono de simulacién (Simulation). Una ver que aparezca Ia pantalla de Prueba (Probe). seleccione Plot-X-Axis Settings-Axis Variable para seleccionar la variable del ee, colocando V(JIzg) para el voltaje compuerta-fuente, Seleccione OK par regresar a X-Axis Settings y ahi seleccione User Defined en un rango de ~3 V 2 0 V (el eval ‘ya aparece como tal debido lo que establecimos para el barrado). Seleccione OK mevamen- tey se podd seleccionar la opcién Trace ID(J1) lo cual ocasionaré las earacteristicas de trans- Ferencia de la figura 5.50, Figura 5.50 Caracterstcas de transferencia pata el JPET de J2N3819 de canalon de la figura 5.48 5.14 Analisis por computadora Apple 283284 PROBLEMAS § 5.2 Construecién y caracteristicas de los JFETS 1. (@) Dituje a consteucein hisiea de un IFET de canal. (b) Apligue ls polssizavién adecusda entre el drenaje y la fuente y dibuje fa para Vos én de ageramiente. 2. Mediante fas caracterfsticas de la figura 5.10, determine 1, para los siguientes niveles de Vas (eon (e) Ves 0 Ve 3. (a) Determine Vas cuande Vas = 0 V € Ip = 6 mA mediante las caracteristicas de Ta figura 5.10. (b) Por medio de los resultados del inciso (a), calcul Ta resistencis del JFET para la cegion fy = 0 a6 mA para Vos = OV. (©) Determine Vas pars cuando V; (4) Medliante los resultados del inc (8) Mediante los resultados del inciso (e), calcule la resistencia del JFET para le resis Jp = Oa 1.5 mA para Vos = -2V, (g) Mediante ta definicicn del resultado dt inciso (b) como r, determine la resistencia para Ves 'V por medio de la ecuatién 5.1 y compare con los resultados det inciso (@), (h) Repita et inciso (g) para Vas =~2 V mediante la misma ecuacion y compare tos resultados con el inciso (), ) Con base en tos resultados de los incisos (a) y (h), ges vslida la aproximaciéa de I ecuacion 5,1? 4. Mediante Tas caratersticas de la figura 5.10: a) Determine la diferencia en la corrente de drenaje (para Vas > Vp) ene Ves = OV y Ves =—1 V. b) Repita et inciso (a) ente Vos (6) Repita el inciso (a) entte Vos = -2 y-3 V. (@) Repita et inciso (a) entte Ves © ‘un cambio mareado en la diferencia de los niveles de eoniente a medida que Vos crece negativamente? (8) {Es la relaciGn entre el cambio en Vas y el cambio resultante en fp lineal o no Tinea? Expligue, 5. ;Cuiles son las principales diferencias entre ls caracteristicas del colector de un transistor BIT y tas earacteritics del drengje de un transistor JFET? Compare las uniades de cada ej y la vara- ble de cont. ,Cémo reacriona Lc ante los niveleserecentes de Jy en comparacidn con las can bios de fp ame los valores negatives crevientes de Vas? {Como se compar el espaciamieno entre los inerementos de Ty cn el espaciamiento entre los inerementos de Vos? Compare Vc, €00 Vp en ‘cuanto a la definicin de la regcn no lineal para nivels bajos de voltae de sala 6, (a) Deserita en sus propias palabras por qué I es efectivamente de eco amperes para un transis tor JFET. (b) {Por qué es tan alta la inpedancia de entrada Ye un JFET? (©) {Por qué la terminologia de efecto de campo apropiada para este importante dispositivo de tres terminales? 7. Dado Ipss = 12 mA y WVpl = 6, race una probable distribucién de las curvas caracteisticas para 1 JFET (similar a la figura 5.10) 8 En general, comente sobre In polaridad de fos distintos voltajes y i dieceid de Ins corrientes pa- +a un JET de canalsn conta uno de canal-p. Capitulo 5 Transistores de efecto de campo Inns! § 5.3 Caracteristicas de transferencia loos! p 9, Dass las curacteisticas de la igura 5.51 {a Dibuje las eacatersticas de ranstereneia dieetamente sobre is caracterstcas de deenaje (bo) Médiante ef aso de la figuea'S31 para establecee los valores éFpss y Vp dibs las curators vieas de wansferencia. tilizando Ia ecuacién de Shockley. te) Compare las carateisticas de fs incisos (a) y (b). ,Existen diferencias importantes enttecHlos? Figura 5.51 Problems 9 y 17 10. (a) Dado fass = I2mA y Vo =—4V, trace ls caraceristieas de transferencia part el teansistor JPET, (b) Dibuje las earcterfstieas del drenaje para cl dispostivo dt iniso(q). 1, Dado fgg =9 mA y Vp = ~2.5 V, determine fp cuando: (@) Vos= OV. (b) Vos #2. (9) Ves 2-35 V (8) Vos = SV. 12, Dado fpss= 16 mA y Vp-=~5 V, diuje las earacteristicas de transferenciawtlizando tos puntos de datos de ls tabla $.1, Determine el valor de Zp en Vos = 3 V a partir de Ta curva, y comparelo con cl valor determinado utilizando Ta ecuacién de Shockley, Repita lo anterior para Vgs=~l V. 13, Un JPET de cal iene los siguientes parimetos de dispositive: pss = 7.5 mA y Vp = 4 V. Trae elas caactefstcas de tansferencia, A, Dado Foss = 6 mA y Vp= 45 V: (a) Determine fp en Vas = 2 y 3.6 V. (b) Determine Vos en In = 3 y 5.5 mA. 18, Dado un punto Q en fy =3 mA y Vox =-3 V, determine fas 8 V Probleinas 285tovs/Ve 286 8. 5.4 Hojas de especificaciones (JFETS) 416, Dein la reg de operacén para el JFET 2NS4S7 dela figura $20 wlizando los rangos de fos 1 Vp proporcionados. Fs decie, ace la curva de tansferentia dfinida por 0s lossy Vp mits y is cua de uansferencia para Tos Foss y Vp mibimos. Luege, sombvee a dea resutante ene las dos curvas. 17, Defina la region de operacién para el JFET de la figura St si Vos, = 25 Vy Pog, = 120 mW, § 5.5 Instrumentacion 18, Mediante el uso de las caracteristicas de Ia figura $.23 determine fy en Voy = 0.7 V y Vg = 10¥. 19, En referencia a la figura 5.23 {es el sitio de tos valotes de estrechamiento definidos por la regién de Vos OV, Vos > Ve) indique el canal, la direccién del flujo de electrones y ta tegi6n de apo tamiento resultane, (©) Con sus propias palabras, descrita brevemente la operacién bésica de un MOSFET ée tipo in crementl ‘33. (a) Dibuje las curactersticas de ransferencias y de drenaje de un MOSFET de tipo incremental de canals si Vp= 35 Vy k=O 10 AN", (b) Repita et inciso (a) para as earacersticas de transferencia si Vy se mantiene en 3.5 V y kse incrementa en 100% a 0.8 X 10° A/V’ 34, (a) Dado Vesey = 4 € Lyocenase = 4108 68 Vesna resin general para Jp en el formato dela ecuseién 5.13. (6) Dibuje las caractersticas de tranferecia del dispositivo del ineiso (a). (©) Determine fp para el dispositivo del inciso a) en Ves =2. Sy 10V. V, determine & y formule la ex 38, Con las caraceristicas de transferencis de I Aigura 5.52, determine Wy & y esriba Ia ecuacin ge: eral para Ip, Ip (A) 15 10 o 3 10 15 Yos Figura 5.52. Problema 35. 36, Con £= 0.4 X 10° AV ¢ Toyenosin) = 3 MA con Vesiecceats) = 4 Vy determing Vp. 37. La coriente mixima de drenaje para el MOSFET 2N4351 de tipo incremental de canal es de 30 mA. Determine Vas para este nivel de cononte sik = 0.06 X 10" AIV? y Vp iene el valor maximo, ‘38. ;Lacorriente de un MOSFET de tipo incremental aumenia en aproximadamente el mismo ritmo que la de un MOSFET de tipo decremental para la ein de conduceién? Revise euidaosamente el for rmato general de las ecuaciones y si su conocimiento de matemsticas incluye el eSlewo diferencia, caleule dlp Vos y compare su tnagnitul 3, Dityje las earacteriticas de transferencia de un MOSFET de tipo inecemental de canal-p si Vr Vy k= 045 x 107 AV, ‘Trace la curva de Ip = 0.5 X 10° (Vas) e Ip = 0.5 * 10° (Ves ~ 4)? para Vos de 0. IOV. Vrte- ‘ne un impacto significativo sobre el nivel de /, para esta regin? Problemas Iops!Ve 287Tops/Vp § 5.10 VMOS. 41, (a) Describa con sus propias patabr é ‘Sus propias palabras por qué cl VMOS FET puede lar una mi : yy nivel de potencia que ls tfenica de fabricacién estindar ae ge ! cArinere (by gPorgi eo VMOS FT ences ids de eins de aa? (€) {Por qué es deseable un coéfcienle de temperatura estable? § 5.11 CMOS, | 12.6) Desi s oats ss ab open dela ed a ig Sh = 0) Sie Mosra ema gus 34 con 20 Gee oa cone doe MA con Vs = 0.1 ¥, zeudl es el valor de resistencia aproximado para el dispasitivo? St ie s HA para el transistor “apagado”, ule el vale de resistencia apeoxina para el dispsit- vo? ;Los niveles de resistencia resultantes sugieren ‘i a tentes sugieren que resultard ef nivel de voltae de salida 43, Realice una investigacién de fa kégica CMOS acién de Ia Kigiea cn su biblioteca local o vnivesitaria, y desi rango de aplicaciones y las ventajas bisieas de este enfoque, —— “Observe: Loc asteriseos inion prob nas con mayor dif 6.1 INTRODUCCION En el capftulo 5 vimos que los niveles de polar fn silico pueden obtenerse al emplear las ecuaciones caracteristicas: Vor = Zp. La conexi6n ene las variables de entrada y de sald est dada por I cal se supone dle mgnitud ij para la realizacidn del andi E hecho de que sea una constant, estable= cena telacin lineal entre Ice ln e8 decir, si se duptica el valor de yy también Yo hart ex y asi sucesivamente ‘Para el caso del transistor de efecto de campo, 1 relacin entre fs variables de entrada y te de salida sno lineal debido al téemino cuadrético en fa eovacién de Shockley. Las relaciones i ae | Jineales generan lineas rectas cuando se grafiea una variable en funcion, de la otra, mientras que ea ae | Ine relaciones no lineles generan curves como las obtenidas para las caraceristicas de transfe- en 4 roneia de un IFET. La relacién no lineal entte Ip y Vas puede complica ef méiodo matemiti- £4 8 Gal ao del andlisis de dc de las configuraciones del FET. Un método sto limita fa solucién & tna pecisign de dima, pero a cambio, es un metodo més pido para la mayorta de fos am plifeadres FET. Ya que ol método grafico es en genera el mis utlzado el ans de ste pitio ten prinipalmente una orientacin géfics en agar de wenicas matemtiens dives Otradiferencia entre el andlsis de ransistores BT y FET es que la variable de entrada que contola un transistor BIT es el nivel de comiente mientras que para el PET, lt variable de con trol es un voltje, Sin embargo, en ambos cass, 1a variable eontrolads en el lado de La sa- tloecun nivel de comiente que tanbign define los niveles importants de voltaje del cieuito de salida. Las relaciones generales que pueden aplicarse al andlisis en de para todes os ampliicado- ses FET son Is® 6.1) € | i p= Is : 62) Para los JFETS y los MOSFET de tipo dectementa, fa ecuacién de Shockley se epics para telacionar las cantidades de entrada y de salida: 63) 288 Captuilo 5 Transistores de efecto de campo 289290 Pora los MOSFETs de tipo incremental se apica la siguiente ecuacién In = K(Ves = Vis}? (64) Ey particufatmente importante observar que todas las ecuaciones anteriores Son aplicables jsélo para el dispositive! Estas no cambian con cada configuracién de red, siempre y cuando el dispositivo se encuentre en la regi6n activa. La red simplemente define el nivel de corriente +y de voltaje asociado con el punto de operacién mediante su propio conjunto de ecuaciones. En realidad, la solucin de de para redes BJT y FET es la solucién de las ecuaciones simultineas establecidas por el dispositivo y la ted, La solucién puede determinarse mediante el empleo de tun método matemitico 0 grifico, hecho que se demostraré en las primeras redes que se analicen. Sin embargo, como se mencioné anteriormente, ef método grifico es el més comin para las redes FET y es el gue utilizaremos en este libro, Las primeras secciones de este capitulo estén limitadas a los JFETs y al sistema grafico para el andlisis. El MOSFET de tipo decremental se examinaré después con su rango aumentado e puntos de operaci6n seguido por et MOSFET de tipo incremental, Finalmente, se revisarén problemas de dsefo para verificar completamente los conceptos y procedimientos presentados en el capitulo. 6.2 CONFIGURACION DE POLARIZACION FIA En la figure 6.1 se muestra el arreglo de polarizacidn més simple para el JFET de canal-n. Co- nocida como la configuracidn de polarizacisn fija, es una de las pocas configuraciones de FET que pueden resolverse de forma directa tanto con un método matemético como con uno gréfi- cco, Ambos métodos se incluyen en esta secci6n tanto para demostrar la diferencia entre ambas filosoffas como para demostrar el hecho de que es posible obtener la misma soluci6a utilizando cualquier método, La configuracién de la figura 6.1 incluye los niveles de ac V, y V, los capacitores de acoplamiento (C; y Ca). Recuerde que los capacitores de acoplamiento se comportan como “cit ccutos abiertos” para el andlisis en de y como impedancias bajas (esencialmente “cortos circu tos para sefial”) para el andlisis en ac. El resistor Rg estd presente para asegurar que V; se presente la entrada del amplificador a FET, pata el andlisis en ac (capitulo 9). Para el anilisis en de, 1g =0A y Vp, = IgRa = (0 A)Ro = OV La caida de cero volts través de Re permite reemplazar Re por un “corto circuito” equivalente, ‘como aparece en Ia red de la figura 6.2 especfficamente vuelto a dibujar para el andlisis en de. Yop Ho Ro [|-——-¥. Wi D+ G ie a oi yg | Nos -}s ~ Yoo +] Figura 6.1 Configurs- Figura 6.2. Red para el andl cism de polarizacion fn ende Capitulo 6 Polarizacién del FET El hecho de que la terminal negativa de la baterfa esté conectada en forma directa al poten- ot cial positivo definido como Ves, reflejaclaramente que la polarizaci6n de Vos es directamente puesta a Ja de Vc. Al aplicar la ley de vole de Kirchhoff en direccién de las manccillas del refoj en la malta indicada en la figura 62 se tiene Vee — Ves = 0 y Vos 65) Debido a que Veg €s una fuente fija de de, el voltae Vos serd de una magnitud fij, lo que provoca la notacién “configuracién de polarizacisn fija” ‘Ahora, el nivel resultante de corriente de drenaje fp lo controla la ecuacién de Shockley: Vos? I= tol re Ya que Ves es una cantidad fija para esta configuracisn, es posible sustituir su magnited y signo en la ecuacién de Shockley, ademés de calcular el nivel resultante de Ip. Este es uno de los pocos casos en que una solucién matemtica para una configuracién a FET es muy directa, Unanilisis grifico requerirfa una graficacidn de la ecuacién de Shockley como la mosira- daen la figura 6.3. Es importante recordar que la eleccidn de Vox = Vp/2 dard por resultado una corriente de drenaje de Ipss/4 cuando se grafique la ecuacién, Para el anilisis de este capitulo sen suficientes los tres puntos definidos por pss. Vp Y por la interseccidn recién deserita, con objeto de graficar la curva. I (A) Joss Vos Figura 63. Grifca de fe ? cetacon de Shockley En la figura 6.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de Vos como una linea vertical en Vos = Veg: En cualquier punto de la linea vertical el nivel de Vos es de ~Vaigi el nivel de lp simplemente deberd estar determinado sobre esta linea vertical, El punto donde se interscetan ambas Jy (ma) fos Pigposno Red. Punto Q (Golucidny Figura 6.4 Localizacien de la soluclon para la configuracin de V6 ° polarizacton hij, Yesg* Vas 6.2. Configuracion de polattzacion fia 291292 ‘curvas es fa solucién comin para la configuracién, y se conoce generalmente como puta de ‘operacién 0 de estabilidad. Et subindice Q se aplicara a la corriente de drenaje y el voltaje de la compuerta i In fuente con objeto de identificar sus niveles en el punto Q, Se observe en la figura 6.4 que el nivel de estabilidad de Ip se determina al dibuyjar una linea horizontal desde el puato Q hacia el eje venical fp como en Is figura 6.4, Es necesttio mencionar que una vez que la ted de la figura 6.1 esté construida y operando, los niveles de de de fp ¥ de Vers que se medi- tin con los insirumentos de la figara 65 serin tos valores estables definidos por Ia figura 6.4 ire Mitiamperimeszo Vix i) ip | voces Punta de pruebs aja Punta de prucha rege iy Figura 6.5. Medivion de los valores de estabilidad de bp y = Ves El voltaje de drenaje a fuente de la seccién de salida puede caleularve si se aplica la ley de voltaje de Kirchhoff de fa signiente maners +Vps + InRp — Von = 0 y Vos Yoo. Ro (6.6) Recuerde que los voltsjes con subfadice sencillo se refleten al volije en un punto con respec- toa tietra, Para la configuracién deta figura 6.2 Vs=0V 67) Empleando una notacién de subindice doble: Vos = Vo ~ Vs ° Vp = Vos + Vs = Vos + OV y Vo = Vos (68) En adicién, Vos = Ve — Vs ° Ve = Vos + V5 = Vos + 0V y Vo = Ves (69) El hecho de que Vi = Vas y que Ve; = Ves parece obvio a parti del hecho de que Vs: pero se incluycron las derivaciones anteriores con el objeto de enfatizar Ia relacién que existe entre la notacién de subfndice doble y de subfndice sencillo, Ya que la configuracién necesita dos fuentes de de, su empleo estélimitado y no seré incluida en la futur lista de las configuraciones FET més comunes, Capitulo 6 Polarizacién del FET Caleute to siguiente para la red de fa figure 6.6. a) Fos, 6 ) Tog (©) Vos (@) Vp. 2a (e) Vo- © ¥s > e poe Yes ino “ys = Figura 6.6. Ejemple 6.1 Solucién Método matematico: @) Vos, = “Yoo = ~2V Vays ( . (°) Io, tos(! 2m) ee 10 mA(1 ~ 0.25) = 10 mA(0. 159° = 10 mA(0.5625) 5.625 mA (©) Vos = Voo ~ InRo = 16. V ~ (5.625 ma)? KO) = 16V ~ 1125 V= 475 (@) Vp = Vos = 4.75 (©) Ve = Vos = -2¥ ) V=0V Método grafico: 2 cs = -2.V se proporcionan en la figura urva Shockley resultante y ta Linea vertical en Vos an a Hig eceamene Te fill de leer mis alld del segundo decimal sin aumentar significativarnen Jyoai pag = Wma, Figura 6.7 Solucion grifiea para la red de la figura 6.6. 6.2 Configuracion de polarizacién fj EJEMPLO 6.1 293Figura 6.9 Analisis de de de Is racion de autopolarizacion. 294 te el tamato de ta figura, sin embargo, una solucién de 5.6 mA a partir de la grfica de laf uta 6.7 es bastante eceptable. Por tanto, para el inciso (a), Ves, = —Veq= -2¥ (b) Ip, = $.6 mA (©) Vos = Vop ~ IpRy = 16 V ~ (5.6 mA)(2k20) 16V~11L2V=48V (@) Vp = Vos = 4.8 (e) Ve = Ves = -2V u Vy=0V Este resultado claramente confirma el hecho de que las soluciones genetadas bajo los enfoques matemitico y grafico son muy cercanas. 6.3 CONFIGURACION DE AUTOPOLARIZACION Laconfiguracién de autopolsrizacién etimina la necesidad de contar con dos fuentes de alimen- taciéin de de, El yoltaje de control de la compuerta ala fuente lo determina ahora el voltaje a través del resistor Rs que estd conectado en Ia terninal de la fuente de la configuracién como se muestra en la figura 6.8, Figura 6.8 Configuracion, de autepelarizacion de JEET. Para el andlisis en de, los capacitores pueden reemplazarse nuevamente por “circuitos abiertos” y el resistor Re por un “corto circuito” equivalente ya que Iz = 0 A. El resultado es la red de fa figure 6.9 para el andlisis relevante en de, Lacorriente a través de Rs es la cotriente de fuente Js, pero como Is Ve, = IRs Para la malla cerrada indicada en fa figura 6.9, encontramos que ples Vee) a ° Vos = —IpRs (6.10) En este caso observe que Vas est en funcin de la corriente de salida Jp y que no tiene una magnitud fija como ocurrfa para la configuracién de polarizacién fija. Capitulo 6 Polarizacion det FET La ecuacisn 6,10 est definida por la configuracién de la red, y la eeuacidn de Shockley re- lciona las cantidades de entrada y de salida del dispositivo, Ambas ecuaciones relacionan 3 las iismas dos variables lo que permite una solucién tanto matemtica como gritica. Es posible obtener una solucidn matemética simplemente al sustitui Is ecuacién 6.10 en la ecuacisn de Shockley como se muestra & continuacisn: ° Al desarvolar el término cusdratico indicado y al reacomodar términas, se obtiene una ecua- ‘in como la siguiente Ih + Kulp + Ky = 0 Posteriormente es posible resolver esta ecuacidn cuadrétiea para encontrar fa solucisn apropia da pata Ip. La secvencia anterior define al método matematico, Fl caso del método grifico require «que primero establezcamos las carscierstcas de transferencia del dispositive como se muestra cen [a figura 6.10. Ya que Ia ecuacidn 6.10 define una linea recta sobre la misma gréfica, es posible identificar dos puntos sobre Ia gréfica que se encuentren sobre la tinea y luego dibajar una linea recta entre Ios dos punts. La condicién mas obvia que se puede aplicat es Ip = 0A, porque se obtiene Ves = ~IpRs = (OA)Rs = 0. Por tanto, para la ecuacisn 6,10 un punto sobre Ia linea recta se encuentra definido por Jy = 0 Ay Vos = 0 V, como aparece en la figura 6.10 Io Foss Figura 6.10 Delnicion de Ve tun panto sobre i linea de auropolarizacien Para el segundo punto de la ecuaciGn 6.10 se requiere seleccionar un nivel de Vas 0 de Ip y determinarel nivel correspondiente de la otra cantidad utilizando la ecuacién 6.10, Entonces. ios niveles resultantes de fp y Vox definicén otro punto sobre la linea recta que nos permitird trazarla, Supongamos que se selecciona un nivel de Jp igual a un medio del nivel de satura- cin, Esto es, Jos on wego Vos = ~loRs El resultado es un segundo punto para la gréfica de la linea recta como se muestra en la figuta 6.11. Entonces, se traza la linea recta definida por la ecuacin 6.10 y se identifica el punto de 6.3 Configuracién de autopolarizacion 295Figura 6.11 Traxo de Ta nes de sutopolarieacion estahilidsd que se obtiene en fa interseeciGn de fa eri c sta 9 ifica dela nea recta con Ja curva caracte- Tsien dps go, pee eterna el albr de ead de Toy Yos pt contrar las demés cantidades de interés. a El nivel de Vos puede determinarse si se utiliza la ley de volta oe ley de voltaje de Kirchhoff al ciccuito de Ve, + Vos + Va, ~ Von = 0 y Vos = Vow ~ Ve, — Veo = Von ~ Iss — Ino, pero y Vos 1D ‘Ademis: (6.12) Vg =0V (6.13) y Vp = Vos + Vs = Vo — Va, (6.14) 296 EJEMPLO 6.2 Determine lo siguiente para la red de la figura 6.12. @) Vasy ) Ip, (©) Vas. (d) Vs. (© Ve (f) Vp. Figuea 6.12 Ejemplo 62 Capitulo 6 Polarizacién del FET Sohucién (a) El voltaje compuerta-fuente se determina por Vis IRs Si se elige Ip = 4 mA, se obtiene Vos = ~(4 mA KM) = AV El resultado corresponde a la grfica de la figura 6.13, segdon le define la red 1, A) 3 1 6 5 4 3 Uges0JysOmA Figura 613 Taso de ines : Setop. sation pra a Vest) ed de la {cura 6.12, En caso de seleccionar Jp = 8 mA, el valor resultante de Vos seria de ~8 V. como se nuestra en la misma grafica. En cualquier caso, se oblendré tt misma linea recta, que demos: tratd claramente que puede seleccionarse cualquier valor adecvado de fp, siempre y euundo se Uilice el comespondiente valor de Ves detemsinado por In ecuacién 6.10, Adem, debe tener- se en ouenta que tambiga es posible seleccionar el valor de Ves ¥ calcular el valor de Ip con Ia misma gritfica resultante. - ‘Sse selocciona Ves ~ Vel2 = ~3 V para'la ectiacién de Shockley, tenemos que Tp = Ipod =8 mA/S = 2 mA, y resulta fa grficn dela Fgura 6.14, Ia cul representa Is ca teiaticas del dispositivo, La solucién se obiene al sobreponer ls curacteristieas de Ia red definidas por ln figura 6.13 sobre las earacterfticas de la figura 6.14 y al locaizar el punto de intereecidn de las dos, como se indica en la figura 6.15. El punto de operaci6n resultante indica un valor estable del voltgie compuerta-fuente de Vos, = “26 Ip (mA) (oss) a 7 6 5 Dispositvo ih 3 2 1 (Ve) oe) Figura 6.15 Detcrminacion el punto Q para Tared de la gra 6.12 Figura 6.14 Tazo de ls cansctristtes det ispasitive para el JFET de la figura 6.12 6.3 Configuracion de autopolarizacién 297298 (b) En el punto de esta Jo, = 2.6 mA (c) Beuactin (6.11): Vay = Vop ~ fo(Rs + Rp) 20V ~ (2.6 mAYI KD + 3.3k0) 20V ~ 1118 8.82 V (d) Ecuacién (6,125: IpRs = (2.6 mA)(1 KO) = 2.6V (©) Feuscidn (6.19): Vo = OV (9 Bewacisn (6.14): Vp = Vos + Vs = 882V + 26V = 1.42V o Vp = Von ~ IpRp = 20 V — (2.6 mAj(3.3 kM) = 11.42 V Mathead Ahora uilizaremos Mathcad para encontrar las condiciones de estabitidad del ejemplo 6.2 tra vés del proceso descrito a detalle en Ia seccién 2.2, Las dos ecuaciones simulténeas que definen el punto Q para la red de la figura 6.12 son Mes Ves 1x 10° V; Re Ck = Yes Vas fo = Io ~ G2) = 8 x WL = e Ip toot ‘a) 8 x 10 (: = Después de iniciar Mathcad, debemos proporcionarle estimaciones para las dos variables Ip 4 Ves. Los valores seleccionados son 8 mA y ~5 V, respectivamente. Cada tino de éstos se cap- tra al ingresar el nombre de la variable seguido de Shift: Luego, debe teclearse la palabra Given seguida por las dos ecuaciones simulténcas mediante el signo igual obtenido mediante Ctrl =, Fi- ralmente, las variables a determinar deben estar definidas por Find (ID, VGS) como se muestra en la figura 6.16. Los resultados aparecersn una vez que se ingresa el signo igual Mathcad devuelve un valor de ~2.59 V para VGS el cual es muy cereano al nivel calcula do de ~2.6 V. También, la corriente de 2.59 mA es muy cercana al nivel calculado de 2.6 mA, ws8i0? vos=-5 Dados Woe 416 vos ase 58 Figura 6.16 Determinacién det punto de operacion estab para lx red del ejemplo 6 2 steno 0+ | Capitulo 6 Polarizacién del FET Localice et punto de operacién (a) Rs = 100.0 (b) Ry = 10K, la red de Ia figura 6, EJEMPLO 6.3 Solucién Observe a figura 6.17 Jp (as yet Tp=AMAVoy=-98¥ Poot 0 Figura 6.17. Ejemplo 6.3 (a) En la escala de Ip, De la ecuacién 6.10, (6) En Ia escala de Vos De la ecuacién 6.10, 0.46 mA, Observe en particular cémo @ menores niveles de Rs, la recta de carga de la red se acer- cca al eje Jp mientras que a mayores niveles de Rs fa recta de carga se acerca al eje Vos Determine Jo siguiente para la configuracién de compuerta comin de la figura 6.18. @) Ves, ©) Ine “Y © Vp (d) V6 © Vs (0 Vos. EJEMPLO 6.4 Figura 6.18 Ejemplo 6.4 6.3 Configuracion de autopolarisacton 299Ry ye 1ska > ¢ rs Nos -ts + a5 3 680. Figura 6.19 Diagrams del equivalente de de ce fred de Ia gus 618 300 Solucién La terminal de fa compuerta que esti conectada 6 fx compuerta que esti conectada a tieeay la ubicacidn de la entrada estab cen fetes ides Gone ampiadr BIT bse comin, Aone ene nearer frente dela estructura bisica de ln figura 6, la red resllame de Ta-figura 6.19 pox " ‘ 216, la red res igura 6.19 posce la risa exrucrs hia del gua 69. Por antl ands de de poe poceder len ts frags os epost, _ 2) Las caracteristicas de trinsferencia y la recta de carga eparecen en Taf : a recta de catga apares ge 6.20. En este caso. se determiné el segunda punto del azo seleccionando (de forma abit Sn a rio (de Forme arbitrari) fp = 6 Ves = Ips = —(6 mA)(680 0) = ~4.08V como se muesira en Is figura 6.20. La curva de transferencia del dispositive se taiz6 utilizando pos oe p= qT mA yeel valor asociato de Vest 6v Vg ee : ea como se muestra en Ia figura 6.20. Medi como se musta en la figura 6:20, Mediant el empleo dl punto de ead de aura Vos, = ~2.6V Jy (md) Figura 6.20. Doterminacion del punto @ para la red dela figura 6.18, (b) De ta figura 6.20, © Vo.= Von ~ InRo. = 12V ~ 3.8 mAXLSKM) = 122V-5.7V 63V (@ Ve=0V (©) V5= Inks = (3.8 mA)(680 9) = 258V Capitulo 6 Polarizacion del FET (9 Vas = Vo ~ Vs BV -258V 72 eT 6.4 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE El areglo de polarizacién por divisor de voltae que se aplic6 al amplificador delta también puede aplicarse alos amplificadores @ FET como lo demuesta la figura 6.21. La cons: truccidn bisica es exzctamente la misma, pero el andlisis en de de cada uno es muy diferente. Para amplificadores FET fg =0A, pero a magnitud de fp para los ampliicadores BIT de erisor comin puede afectr los niveles de de dela corrent y el voltae tanto del circuto deentrads co tno el de salida, Recuerde que Jy proporcionaba la relacion entre el circuito de entrada y el de safida para la configaracin de BIT por divisor de voltaje mientras que Vos har lo mismo para la configuracién de FET. La red de la figura 6.21 se vuelve a dibujar en la figura 6.22 para el anilisis en de. Obser- ve que todos los capacitores, incluso el capacitor de desvio Cs, se teemplszaron por un equiva lente de “circuito abierto”. Ademis, la fuente Vin se separé en dos fuentes equivalentes para permitr una separacién mayor entre las zonas de entrada y de sida dela red. Dado que fo =A Ia ley de corriente de Kirchhol requiere que Up, = Ix, y que el circuito equivalente en serie que aparece al inquierda de la figura pueda emplearse para encontsar el nivel de Vo. El volaje Vor equivalent al voltae a tavés de R; puede conocerse al utilizar la ley del divisor de voltaje de la siguiente manera: (6.15) {A aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de tas manecilas del ref} para ls ma- lia indicada en la figura 6.22, obtendretos Vo — Vos ~ Ve, = y Vos = Va ~ Ve, Sustituyendo Vg, = IsRs = Ip Re, tenemos Vos = Va ~ IoRs (6.16) Yoo Figura 6.21 Arreglo de polrizaciin por divisor de volts. 64 Polarizacion por divisor de voltaje Figura 6.22. Red de ia igora 6.21 redibujada para el andisis de de 301302 El resultado es una ecuacidn que todavéa incluye las dos mismas variables que aparecen en Ja ecuacién de Shockley: Vos In. Los valores de Vo y Rs los fija la red, La ecvacidn 6.16 atin es la eeuacién de una linea recta, pero el origen ya no es un punto en el trazo dela linea. El pro cedimiento para trazar la ecuacisn 6.16 no es dificil y se realizar. a continuacidn, Dado que cush uier lines recta requiere de dos puntos para detinirse, aprovechemos primero el hecho de que uier lugar sobre ef eje horizontal de la figura 6.23 la corriente fi = 0 mA. Si por tanto seleccionamos / en 0 mA, hisicamente estaremos estableciendo que nos encontramios sobre el eje horizontal, La ubicacin exacta puede determinarse slo con sustituir Ip = Oma en laecua- ci6n 6.16 y al encontrar el valor resultante de Ves de la siguiente forma: Vo ~ Ips 5 — (OmA)Rs y | Vos = Volig=oma 61) El resultado establece que al graficar la ecuacién 6.16, siempre que seleccionemos Ip = 0 mA. el valor de Vos para la grfica serd de Vi volts El punto que se acaba de determinar aparece en Ia figura 6.23, Ip=0mA, Vos= Vo y4 Ve Vos Figura 6.23 Tiazo de la eeuacion de la red pata la configueacion por divisor de volte. Para el caso del otro punto, se emplea el hecho de que sobre cualquier punto en el eje vertical Vas = 0'V y resolvemos para el valor resultante de fp: Vo ~ InRs (6.18) YV, el nivel de fy estard determinado por la ecuaci6n 6.18, Bsta interseccin aparece también en la figura 6.23. Con los dos puntos definidos antes es posible dibujar una linea recta que represente a Ta ecuacidn 6.16. La intersecci6n de Ia linea recta con la curva de transferencia en la regién a Ja inguierda del eje vertical, definiré el punto de operacién y los niveles correspondientes de Ip y de Ves Debido a que Ia interseccién sobre el eje vertical se determina por Ip = Ve/Rs y Ve la fija la red de entrada, el inctemento en los valores de Rs reduciré el nivel de la interseccién ‘como se muestra en la figora 6.24. A partir de la figura 6.24 es obvio que: Capitulo 6 Polarizacion del FET Ef incremento en los valores de Ry ocasiona niveles menores de estabilidad de ly y valores amas negativas de Ve to | | | “jE Rs t ‘erecientes de Rs To Ye Figura 6.24 Efecto de Ry sobre el ponte @ obtendo, Una ver que se han determinado los valores de Ip, ¥ Vos, 1 andlisisrestante de la red pue~ de efectuarse de la forma acostumbrada. Esto es, Vos = Vow ~ to(Ro + Rs) (6.19) Vo = Vo ~ 'oRo (6.20) Vs = Tos (621) (6.22) Determine lo siguiente para la red de Ja figura 6.25. @) Io, y Vas 0) Yo © Vs. (@ Vos (©) Yous Figuea 6.25 Ejemplo 65 6.4 Polarizacién por divisor de voltaje FJEMPLO 6.5 303304 Solucin, {a) Para las caracteristicas de transferencia, si fy = Ipssl= 8 mAMM = 2 mA, luego Vos = Vol? = ~4.V/2 = ~2 V. En la figura 6.26 aparece Ia curva resultante que representa la ecua- ‘cidn de Shockley. La ecuaci6n de la red esté definida por: (270kM)(I6 V) 21MO + 027M0 = 182V y Ves = Vo ~ Inks = 182V = 1p(1.5kQ) Ty (mA) 8 oss) 7 Figura 6.26 Determinacion del punto Q para la red de ta figura 6.25. Cuando fy = 0 mA: Ves = +1.82V Cuando Vos = 0'V: |. 15k La linea de polarizacin aparece en ta figura 6.26 con Tos valores del estabitidud de Ip, = 24 mA, y Ves, = —1.8V ©) Vp = Von ~ tnRp 16 V ~ (2.4 mA)(24 kM) 10.24 " (©) Vs Ips = (24 mAY(LS KO) 6 V (® Vos = Yoo ~ to(Rp + Rs) = 16V ~ (24 mA\(24KO + 1L.5kO) = 6640 Capitulo 6 Polarizacion det FET © Vos = Vp ~ Vs = 1024V- 3.6 = 6.64 V (e) Aunque raras veces'se requiere, el voltaje Voc; puede determinarse Fécilmente empleando Voc'= Vo - Vo = 1024 - 182V =8.2V —— {A pesar de que la construccidn bésica de la red en el siguiente ejemplo es muy diferente at arreglo de polarizacién por divisor de voltae, las ecuaciones resultantesrequieren de uns solu- ‘cin moy similar ala recién descrta, Observe que la red emplea una fuente en el érenaje y en Ja fuente Determine lo siguiente para la red de fa figura 6.27 @) Ip, ¥ Vosy (b) Vos. (©) Vow (d) Vs. Ry= 18k Toss=9 mA We-3V i R= 1SKO Figura 6.27 Templo 66 Solucién (a) Al aplicar ta ley de voltaje de Kirchhof? sobre la secciGn de entrada de la red, se obtiene ‘una ecuacién para Vay en términos de fp, como se redibuja en la figura 6.28 Ves ~ IgRs + Vos = 0 0 Vos = Vs ~ IRs pero Is= Ip y Vos = Vas ~ tpRs (6.23) El resultado es un ecuacién con formato muy similar ala ecuacién 6.16 que puede sobre- ponerse a las caracteristicas de transferencia mediante el procedimiento descrito para Ia ecuacidn 6.16. Lo cual para este ejemplo'es, Vos = WV ~ Zoi 1.5 KA) Para Jy = OMA, Veg = Vos = 10V Para Ves = OV. 0 = 10V = 1,(1.5k0) 6.4 Polarizacion por divisor de voltaje EJEMPLO 6.6 Figura 6.28 Deicrminacton de J ecuacin de fa ed para la con Figuracion de fa figura 6.27. 305306 ON. = 6.67 ma ska °°7™ En Ia figura 6.29 se identifican tos puntos para le grifica, Jy (mA) 9 loss) 8 T= Ing Iog™ 69 mA 3-2 ) Figura 629 Determinacion et punto @ para la rede la figura 6.27 ol?3¢5 6789 Vos =-0.35V 0 i Hl i i Kye lov Yes Las caracteristicas de transferencia se graficaron empleando el punto para la grifica establecido por Vos = Vi/2= ~3 V2 = =1.5 Ve Ip= Ipsold = 9 mA = 2.25 ma, como también se indica en la figura 6.29. El punto de operacién resultante establece los siguientes niveles de cestabilidad: 6.9mA Ves, = “0.38 V (b) Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff para la seccidn de salida de la figura 6.27 tendremos Vs + IRs + Vos + IpRp ~ Voy = 0 Al sustitui fs = dp y reacomodar se obtiene Vos = Yoo + Ves Jo[Rp + Rs) (6.24) el cual para este ejemplo resulta Vos = 20V + 10V ~ (6.9 mA\(I.8KO + 1.540) OV = 22.77 V =723V © Vo = Von ~ bRp = 20 V ~ (6.9 mA\(1.8 kK) = 20V ~ 12.42. a (@) Vis = Vo~ Vs © Vs=Vp~ Vos 7.58 -7.23V 038 Capitulo 6 Polarizacién del FET 6.5 MOSFETs DE TIPO DECREMENTAL Las aparentes simititudes entre las curvas de transferencia de los JFETs y de tos MOSFETs de ‘ipo decremental permiten realizar un andisispatecido de cada uno en el dominio de de. La principal diferencia entre ambos, es el hecho de que ef MOSFET de tipo decremeniat permite puntos de operacin con Valores positivos de Vs y niveles de Jp que exceden Ipss. De hecho, para todas las configuraciones hast aqué analizsdas, el andlisis es el mismo si el JFET se reemple ‘ara pot un MOSFET de tipo decremental, {La Gnica parte no definida del andlsis es 1a forma de graficar la ecuacién de Shockley pe ra valores positivos de Ves. {Hasta dénde deberd extendetse Ta curva de transferencia hacts ta regidn de valores positivos de Vos y hacia valores de Ip mayores que Jays? Para la mayoria de las siuaciones. este intervelo tequerido se encontrard bien definido por los parimetros del MOSFET y por la tinea de polarizacién resultante de Ia red, Algunos ejemplos mostrarin el impacto del Cambio en el dispositivo sobre el andlisis resultant Para el MOSFET de tipo decremental de canal-n de la figura 6:30, determine: ( Ingy Ves (b) Vos. oJ Figura 630 temple 67. Solucién a) Para las caracteristicas de transferencia se define un punto en Ia grifica establecido por Ip = loss4 = 6 MAM = 1.5 mA y Vos = Vol2 = ~3 Vi2 = ~ LS V. Si consideramos que el nivel de Vp y el hecho de que la ecuacién de Shockley define una curva que crece con ‘mayor rapidez a medida que Vs Se vuelve mas positivo, se definiré un punto de la grifi caen Vas = +1 Y. Al susttuir en la ecuacién de Shockley tenemos 2 mat + 4) = 6 mA(1.778) 65 MOSFETs de tipo decremental " EJEMPLO 6.7 307= La curva de transfer 1 1 que se cia resultante aparece en ta hizo para el caso de los IFETs, tenemos: 10 MQ(18.V) 10MO + 110MO gura 6.31. Al proceder de la misma form: Ecuacién (6.15) 15V Vo Eeuacién (6.16): Vgs = Vo ~ Ips = LS V ~ 1,(750) Ip (md) n Figura 6.31 Determinacién, del punto @ para la red de bx figua 630 Al fijar Ip = O-mA, se obtiene Ves = Vo Al fijar Vos = 0 V tenemos = Xen SY oma OR 7500 7 ™ En la figura 6.31 aparecen tanto los puntos de la grifica como la Iinea de polarizacién resi tante, El punto de operacién obtenido: Ip, = 3.1 mA Vos, = -0.8 V ‘np ~ T(Ro + Rs) 18 V = (3.1 mAY(1.8kQ + 7509) =10.1V (b) Bouacién (6.19): Vps EJEMPLO 6.8 Repita el ejemplo 6.7 con Rs = 150.0. Solucién (@) Los puntos de Ia gréfica son los mismos para la curva de transferencia como se ilustra en Ja figura 6.32. Para la Iinea de polarizacién, Vos = Vo ~ Ips = 15 V ~ Ip(150.) 308 Capitulo 6 Polarizacion del FET 2 Ye Vos = 40.35 V Yes Figura 6.32 Ejemplo 68 AA fijar Ip = 0 mA, se obtiene Vos = 1.5 V Al fj Vos = 0 V, se obtiene ee eB 8 =a = = 10m Care 00 ee En la figura 6.32 se incluye la reota de polarizacién, Observe en este caso que el punto de ope raci6n genera una cortiente de drenaje que excede Ings, con un valor positivo para Ves. Bl re- sutado: Ip, = 7.6mA Vos, = +035 V (b) Beuacién (6.19) Vps = Yop ~ to(Ro + Rs) = 18V ~ (76 mA)(1.8kO + 150.0) =3.18V Determine lo siguiente para lated de fa figure 6.33. (@ Ingy Vos ay () Vo. 62 59 ——|-———» Ye JH iva as ko + Figura 6.33. Ejemplo 69 6.5 MOSFETs de tipo decremental EJEMPLO 6.9 309310 Solucién (a) La configuracidn de autopolarizacién da por resultado Ves = ~IpRs como Ja obtenida para la configuracién JFET, con lo que se establece el hecho dé que Vas debe ser menor que cero volts, Por lo tanto, no hay necesidad de grafiear Ta curva de transferencia para los valores positivas de Ves, aunque asi se hizo en esta ocasién para completar las caracteristicas de transferencia. Un punto de la grifica para las carscteristicas de transferenc de Vos < 0Ves y para Vos > OV, dado que Vp = ~8 V, seleccionaremos Vos = +2.V ve ur ° t= tos(1~¥8) sma - 22 = 12.5 ma, La curva de transfere de la red, en Vos = resultante se muestra en Ja figura 6.34, Para la linea de polarizacién Vp =0 mA. Al seleccionar Vos = ~6 V tenemos, Mos. __=6V Ah = 25mA ers eka ee El punto Q resultante: Ip, = 1-7 mA Vos, = -43.V (b) = 20V ~ (1.7 ma)(6.2 kA) = 9.469 p(n n un y ee NOt 2 Mes agar 6.34 Detention det Vasg= 43 punto @ pata a red de la figuca 6.33, Capitulo 6 Polarizacion det FET El siguiente ejemplo utitiza un disefio que también puede aplicarse a los transistores JFET. of A primera vista parece un tanto simp, pero de hecho. generalmente causa cierta confusion ‘eando se analiza por primera vez, debido al punto de operacin especial Determine Vis para la red de Ia figura 6.35. EJEMPLO 6.10 Solueién av La conerié direts entre las terminales de Ia compuertay de ka fuente require que Vos = OV ee Dado que Ves se encuentra fja en 0, la corriente de drenaje deheri ser pss (por dfinicidn > En otras pares, Vos, = 0V G ‘ose c Ip, = 10mA Por lo tanto, no hay necesidad de dibujar la curva de transferencia y Vp = Von ~ IpRo = 20 V ~ (10 mA)(1.5 kM) 20V-15V 5v a a 6.35 Fjemplo 6.20. 6.6 MOSFETs DE TIPO INCREMENTAL {as caracteristicas de transferencia del MOSFET de tipo incremental son may distintas de las ‘encontradas para el JFET y para los MOSFETs de tipo deccemental, lo que ocasiona tina solucin gréfica muy distinta de la presentads en las secciones anteriores, Primero y ante todo, e- ccuerde que para el MOSFET de tipo incremental de canal-n, la corrente de drenaje es cero para aquellos niveles de voltaje compuerta-fuente menores que el nivel de umbral Vesey Como se indica en la figura 6.36, Para los niveles de Ves mayores que Veseq lt corriente de drenaje estard definida por (6.25) Figura 636 Casscteris ns de tansferenci de un MOSFET de tipo incremental de camaln 6.6 MOSFETs de tipo incremental 311312 Debido a que las hojas de especificaciones normalmente proporcionan et voltaje de umbral y tun nivel de corriente de drenaje (nncengua) ¥ Su correspondiente nivel de Vesjaceminy SE 06> finen inmediatamente dos puntos como se sefiala en la figura 6.36. Para completar Ia curva, deberd determinarse Ja constante k de la ecuacién 6.25 a partir de tos datos en fa hoja de especificaciones, al sustituiren la ecuacin 6.25, y resolver para k como sigue: Ty = (Ves ~ Veern)® KVesenenaisay — Ve Una ver definida k, se pueden determiinat los ct Ves. Por lo general, un punto entre Vewtm ¥ Ve sence) ¥ Of mayor que Vstemeadia) SeFaM 6.25 (observe Ip, ¢ Jp, en la figura 6.36). En la figura 6.37 de proporciona un populat arreglo de potatizacién para los MOSFETS de t- po incremental, El resistor Rg proporciona un voltae suficientemente grande a la compuerta para llevar al MOSFET al “encendido”. Dado que fg =OmA y Vp, = 0 V, Ia red equivalente de de se muestra como en la figura 6.38 ‘Abora existe una conexidn directa entre el drenaje y la compuerta, con lo que resulta Vp = Vg - Vos = Vas (627) Para el circuito de salida, Vos = Vow — la cual se convierte en la siguiente ecuacién después de sustituir en la ecuacién 6.27: Ves = Von ~ toRo (6.28) Se obtiene una ecuacién que relacione las mismas dos variables que la ecuacién 6.25 lo que permite graficar eada una sobre el mismo conjunto de ¢jes. Yoo Yoo He Ro Ro —— a a. veo] ben Figura 6.37 Anegio de polarizacion por retralimentacien Figura 6.38 Equivalente de de para la eed de la gua 6.37 Capitulo 6 Polarizacion del FET ‘Ya que la ecuscién 6.28 es Ja ecuactén de una linea recta, puede utilizarse el misino proce- * “4 dimiento deserito antes, para determinar los dos puatos que definxin el trzo sobre a erica Al sustituir [, = 0 mA en la eouacisn 6.28 se obtiene Vopli, = oma 6.29) (6.30) Las grificas definidas por as ecuaciones 6.25 y 6.28 se muestran en Ia figura 6.39 junto con el punto de operacién resultante Figura 6.39 Detemiacién Yoo Yas det puno @ para aed cela Vesa) Se figura 6.37. Determine fp, y Vps, para el MOSFET de tipo incremental de la figura 6 EJEMPLO 6.11 Figura 6.40 Ejemplo 6.11. 6.6 MOSFETs de tipo incremental 313Solucién. Gréfica de la curva de transferenci: ‘Como se muestra en Is figura 6.41; dos puntos se definen de forma inmediata, Resolviendo para k Lojenceestiéoy Ecuacién (6.26); k = van = 0.24 x 10° A/V? Para Vas = 6 V (entre 3 y 8 V): se = 2.16 mA ‘como se muestra etl figura 6.41, Para Ve Ip = 0.24 X 10710 V - = 11.76mA ‘como también aparece en la figura 6.41. Los cuatro puntos son suficientes para graficar la curva completa para el intervalo de interés como se muestra eo la figura 641. 10 V (igeramente mayor gue Ves): 3 VF = 0.24 x 10° (49) Ib . Vogs® 10 V, dp = 11.76 mA act Yog= 10. 16 mA, Figura 6.41 Grafica de la ‘curv de teansferenein para el MOSFET de la figura 6.40. r2ses67 8 9 10 Vaso Vosemnise) Para la recta de polarizacién de la red: Ves = Von ~ InRo 12 V = 1,{2 kQ) Eeuacién (6.29): Vos = Von = 12 Vip ~ oma Vop _ 12 _ Bou: to Tae OM Aha ov 314 Capitulo 6 Polarizacion del FET La recta de polarizaci6n resultante se muestra en la figura 6.42, En el punto de operacidn: To, = 275mA y 64V con 2 u 0 9 & 7 6 % s 4 Inge 295 ma—3 Meas eesgG itp 10 Voge 4V Figura 6.42 Determinacion del punto Q pars lx red de ls figura 6.40, Arreglo de polarizacion por divisor de voltaje Enka figura 6.43 se muestra un segundo arreglo comin de polarizacidn para el MOSFET dle tipo incremental, El hecho de que Ig = 0 mA da por resultado la siguiente ecvacién para Voy co- ‘mo se deriva a partir de una aplicacién de la regla det divisor de voltae: RVow COR +R ND Ataplicar Ia ey de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en la figura 6.43 resulta +Vq— Ves ~ Ve,= 0 y Ves = Vo ~ Vr, ° Yes Vo ~ ToRs (6.32) Para la seccién de salida: Va, + Vos + Va, — Von = 0 y Vos = Voo ~ Va, ~ Ve To{Rs + Ro) (6:33) Vos = Yoo 6.6 MOSFETs de tipo incremental Figura 6.43 Arreglo de polarzacion por divisor de volaje paca lun MOSFET de tipo incremental e canal, oe6.32 relaciona las mismas dos variables, es posible graficar as dos curvas sobre la misma ged- fica y determinar una solucién en su interseccién. Una vez que Ip, y Vos, son conocids, todas Jas cantidades restantes de lated como Vos, Vp y Vs pueden determinarse a Debido a que las caracteristicas son una gréfica de Jp en funcién de Ves y que la ecuacién EJEMPLO 6.12 Determine Ip,. Ves, ¥ Vos para a red de la figura 6.44 av 2NBSI Ves etm 1D soeenitos = 3 A AV es ementicy™ 10Y Figura 6.44 Ejemplo 6.12, Solucién Red: ‘yp _ (8 MO)(A0V) _ R, +R, 22MQ+ 18MQ~ Ecuaci6n (6.32): Ves = Vo — Ine = 18 V ~ 15(0.82 2) Cuando ip = 0 mA, Eeuacién (6.31): Ve = I8V Vos = 18 V ~ (0 mA)(0.82 kM) = 18. ccomio aparece en la figura 6.45, Cuando Ves = 0V. Ves = 18 V ~ 1p(0.82 2) 0 = 18V ~ 1p(0.82k) IgV * O82 Ko Ip = 21,95 mA como aparece en la figura 6.45. 316 Capitulo 6 Polarizacién del FET a) Oe ee pee a20) Vest Vogg= 12SV Vee I8V Figura 6.45. Determinacion del punto Q para la ted det ejemplo 6.12 Dispositivo: Vesey = SVs Trencensie) = 3 MA CON Vesleeniiso) = 10V Tofencesis) Beuncién (6.26); k = “= __ (626) Fe nus = Ves 3mA = = = 012% 102 AV? Gov-svp OX e In = Vas = Voc)? = 0,12 X 107 (Vos — 5° {a cual se traza sobre In misma gréfica (figura 6.45). De la figura 6.45, Ip, = 6.7 mA Vos, = 12.5 V Beuacién (6.33): Vos = Voo ~ Io(Rs + Ro) 40V ~ (6.7 mA)(0.82 kD + 3.0k0) 40V = 256V =1aV i 0 1 6.7 TABLA DE RESUMEN ‘Ahora que se han presentado los arreglos de polarizacién ms comunes para los distintos FETS, la tabla 6.1 revisa los resultados basicos y muestra la similitud en ef método para varias confi- ‘guraciones. También muestra que el anilisis general para las configuraciones en de para los FETs no es demasiado complejo. Una vez que las caracterfsticas de transferencia se establecen, es posible dibujar la nea de autopolarizacisn de la red y determinar el punto Q en Ia intersee~ cin de las earacterfsticas de transferencia del dispositivo con la curva de polarizacién de la red I andlisis restante consiste simplemente en la aplicacién de las leyes bésicas del andlisis de circuitos, 67 Tabla de resumen B15)TABLA 6.1 Configuraciones de polarizacion del FET 6.8 REDES COMBINADAS : a R Conlguacen Fuaclonesapcbhs Sacidngrifice I ‘Ahora que el andlisis de de de una variedad de configuraciones de BJT y FET se ha realizado, — “ se presenta la oportunidad de analizar redes con ambos tipos-de dispositivos presentes. Este He andlisis, fundamentalmente reguiere de un primer acercamiento al.dispasitive que proporcio- PET eon Vos, * ~Vec rar un Voiajeo nivel de corriente en una terminal. Psteriormente se encontraté la puert aber pesatizacinfi t 50 tals tu para calcular otras cantidades y concentrarse en ls incdgnitas restantes. Estos problemas ge- ‘ neralmente son muy interesantes debido af reto que implica localizar primero la entrada det = problema para posteriomente utilizar los resultados de las pasadas secciones y del capftulo 3 Vp para encontrar las cantidades relevantes de cada dispositivo. Las ecuuciones y las relaciones IFET con ie Vin # ~iph empleadas simplemente son las que hemos empleado hasta ahora en més de una ocasion, no autepoksieaciin : Ven ~ lek, + Re) hay necesidad de desartollar nuevos métodos de anlisis, ve dey 7 Determine los niveles de Vi y Vc para la red de la Figura 6.46, EJEMPLO 6.13 JPET con R plazas por vee be, Aivisoede wae ha i ag 16v eo } JPET Ko | ana compen Ves Vis ~ tok | ‘comin Vos Voo + Ves ~ Tula + Ri] PNAC, % fy : oe j V,2-6V Re i seer i (Won, = 09} zi i % | B= 180 A { we ~loRs | Vo ® Yoo | (&) 700) ves tok | MOSFET ip ic decom ean | . poavizacin f fe | Gd Yeo | \, Solucién ee a po Yona Si [A patie de la experiencia anterior, ahora sabemos que al analizar redes JFET, Vos es general recone | oo Veo = Vi hake tmente una cantidad importante por determinar o desarrllar una ecuaciGn para ella. Dado que divisede vais | $a Yas = Yoo ~ flo + Rs) Vass un nivel cuya solucién inmediata no es obvia, debemos recurira fa configuracién del i teansisto, La configuraci6n por divisor de voltae es una configuracién donde es posible aplicar : | la téenica-de aproximacién (BRe = (180 X 1.62) = 288kO > 10R, =240 k1), to pa ee | cual permite determinar Vj utilizando la-regla del divisor de voltaje en ¢l circuito de entrada. conigeacién por i ae retoalimenacion | | 9° BIRO + 24K ag MOSFET de tipo reir Al uttzar el hecho de que Vay = 0.7 V se obtiene increment con ie i olsen por : Ve = Vo ~ Voe = 362V - 0.79 Aviso de vole tbe, | 2.92 ou Ye Yes ! : 318 Capitulo 6 Polarizacion del FET. i 68° Redes combinadas 319

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