INDICE

Prologo V
I. Semiconductores
1.1. clasificación de los materiales desde el punto de vista eléctrico 1
1.2. Estructura electrónica de los materiales sólidos 3
1.3. conductores, semiconductores y aislantes 7
1.4. semiconductores intrínsecos
1.4.1. Portadores de carga: concepto de hueco 12
1.4.2. interpretación del esquema de bandas de energía 14
1.4.3. Fenómenos de conducción 15
1.4.4. Fenómenos de excitación de portadores 17
1.5. Semiconductores extrínsecos 18
1.5.1. Semiconductor tipo n 19
1.5.2. Semiconductor tipo p 21
1.6. Ley de acciones de masas 23
Cuestiones y problemas 26
II. Procesos de transporte de carga en semiconductores
2.1. calculo de la concentración de portadores a a temperatura ambiente 29
2.2. efecto de la temperatura en la concentración de portadores
2.2.1. distribución en energía de los portadores 31
2.2.2. calculo de la concentración de portadores 31
2.2.3. concertación de portadores intrínsecos 40
2.3. Determinación del nivel de Fermi en un semiconductor 41
2.4. Procesos de conducción en semiconductores 45
2.5. Procesos de difusión 50
2.5.1. Semiconductores con dopaje no uniforme: curvatura de las bandas
de energía 51
2.5.2. constancia del nivel de Fermi 54
2.6. Procesos de inyección de portadores 55
2.6.1. Tiempo de vida de los portadores 57
2.6.2. Longitud de difusión 59
Cuestiones y problemas 61
III. Diodos semiconductores: unión P-N
3.1. la unión P-N 63
3.1.1. comportamiento de la unión p -n sin polarización externa 64
3.1.2. la unión p-n polarizada con un voltaje externo 66
3.2. Variación del voltaje en la región de carga espacial 68
3.3. Calculo de la corriente a través de la unión P-N
3.3.1. Concentración de portadores cuANdo no hay voltaje aplicado 73
(V=0)
3.3.2. Concentración de portadores con un voltaje aplicado (V=0) 74
3.3.4. régimen de ruptura 80
3.4. Curva característica intensidad-voltaje del diodo 82
3.5. Capacidad asociada a la unión
3.5.2. Carga acumulada en la región de carga espacial 85
3.5.2. Carga acumulada en la regiones neuras 87
3.5.3. Tiempo de conmutación del diodo (*) 90
Cuestiones y problemas 91
 IV. Contactos metal-semiconductor
4.1. contacto barrera o rectificante 95
4.1.1. diagrama de energía antes de formar el contacto: función de
trabajo y afinidad electrónica 96
4.1.2. formación del contrato 97
4.2. Contacto Ohmico 101
4.3. Curva característica I-V de la unión metal-semiconductor
4.3.1. Contacto barrera 104
4.3.2. Contacto óhmico
4.4. Influencia de los estados superficiales (*) 107
4.5. Medida de la altura de l abarrera de contacto (*) 112
4.6. Aplicaciones de los contactos metal-semiconductor
4.6.1. Diodos Schottky 115
4.6.2. Contacto óhmicos para terminales de salida
Cuestiones y problemas 118
V. Aplicaciones de los diodos semiconductores
5.1. El diodo como elemento rectificador 121
5.2. Circuitos limitadores 125
5.3. Estabilizadores de tensión: diodos Zener 128
5.4. Diodos especiales (*)
5.4.1. Diodos inversos 133
5.4.2. Diodos túnel 135
5.4.3. Diodos de capacidad variable. varactores 138
5.4.4. Diodos p-i-n 139
5.5. Dispositivos optoelectronicos 140
5.5.1. Fotoconductores (*) 143
5.5.2. Diodos detectores de radiación: fotodiodos 146
5.5.3. Células solares 149
5.5.4. Diodos emisores de luz 151
5.5.5. Diodos láser 153
Cuestiones y problemas 155
VI. Transistores bipolares
6.1. Transistores bipolares de unión: descripción y nomenclatura 159
6.2. Funcionamiento del transistor 162
6.2.1. Operación en la región activa 163
6.2.2. Parámetros de diseño del transistor 166
6.2.3. Parámetros de funcionamiento como amplificador 167
6.3. Curvas características I-V de los transistores
6.3.1. Modelo de Ebers-Moll (*) 170
6.3.2. Curvas I-V para la configuración de base común 174
6.3.3. Curvas I-V para la configuración emisor común 176
6.4. Efecto de modulación de la anchura de la base
6.5. Comportamiento en corriente alterna: circuito equivalente del
transistor para señales pequeñas 180
6.5.1. Circuito equivalente en la configuración de base común 185
6.5.2. Circuito equivalente en la configuración de em. común 189
6.6. Comportamiento del transistor frente a pulsos de corriente (*) 191
Cuestiones y problemas 193
VII. Estructuras metal-aislante-semiconductor 197
7.1. La estructura Mos ideal
7.2. Potencial de superficie 203
7.3. Capacitancia de la estructura Mos ideal 206
7.3.1. calculo de la carga acumulada 207
7.3.2. capacidad de la estructura Mos ideal: efecto de la tensión aplicada 210
7.4. Desviaciones del comportamiento ideal (*) 213
7.5. Condensaciones Mos y dispositivos de acoplamiento de carga
(CCD) (*) 217
Cuestiones y problemas 223
VIII. Transistores de efecto campo (JFET, MESFET y MOSFET) 225
8.1. El transistor de efecto campo de unión (JFET)
8.1.1. descripción del transistor 226
8.1.2. Comportamiento cualitativo del JEFT 228
8.2. Calculo de las características intensidad-voltaje del JFET 232
8.3. Circuito equivalente del JFET para señales pequeñas (*) 237
8.4. El transistor de unión metal-semiconductor (MESFET) 239
8.5. Curvas características intensidades-voltaje del MESFET 240
8.6. Transistor metal-oxido-semiconductor de efecto Campo (MOSFET)
Estructura básica del MOSFET 243
8.6.2. Descripción cualitativa del funcionamiento del MOSFGET 244
8.7. Calculo de las características intensidad-voltaje del MOSFET 247
8.8. Circuito equivalente del MOSFET para señales pequeñas (*) 251
8.9. Otros tipos de MOSFET (*) 253
8.10. Aspectos tecnológicos del MOSFET 254
Cuestiones y problemas 255
IX. Aplicación de los transistores como dispositivos amplificadores
9.1. Circuitos amplificadores 257
9.2. El transistor bipolar como amplificador
9.2.1. circuito amplificador de base común 260
9.2.2. circuito amplificador de emisor común 263
9.3. Determinación del punto de funcionamiento del transistor en el
circuito amplificador 266
9.3.1. circuito de entrada: determinación de la corriente de base 267
9.3.2. Circuito de salida. Recta de carga estática 268
9.3.3. circuito amplificador con una fuente de alimentación única 269
9.3.4. Acoplamiento de señales 271
9.3.5. Efecto de la resistencia de carga: recta de carga dinámica 274
9.4. Estabilidad del punto de trabajo 276
9.4.1. circuito de polarización universal o autopolarización 277
9.4.2. Factores de estabilidad en el punto de trabajo (*) 281
9.5. Amplificadores con transistores de efecto campo de unión 282
9.6. Amplificadores con transistores tipo MOSFET 286
9.7. Respuesta en crecencia de los amplificadores 289
9.7.1. Región de bajas frecuencias 290
9.7.2. Región de altas frecuencias 293
Cuestiones y problemas 296
X. Otros tipos de amplificadores
10.1. Amplificadores de potencia 299
10.1.1. criterios generales de diseño
10.1.2. amplificador acoplado por transformador 302
10.2. El amplificador “seguidor de emisor” como etapa de potencia
(operación clase A, B y C) 304
10.3.1. amplificador clase b de transistores complementarios
(amplificador tipo “push-pull”) 311
10.3.2. amplificadores sintonizados 311
10.4. Circuito amplificador con entrada flotante: amplificador diferencial 314
10.5. amplificadores multietapa o en cascada (*) 319
Cuestiones y problemas 324
XI. Amplificadores realimentados y operacionales
11.1. Amplificadores realimentados 325
11.2. características de los amplificadores realimentados
11.2.1. distintas configuraciones del circuito de realimentación 329
11.2.2. estabilidad en la amplificación
11.2.3. resistencia de entrada y de salida del amplificador realimentado 331
11.2.4. efecto de la realimentación en la achura de banda 334
11.3. Ejemplos de circuitos amplificadores realimentados 336
11.4. Amplificadores operacionales 338
11.4.1. Características del amplificador operacional 339
11.4.2. realimentación operacional: concepto de tierra virtual 341
11.5. Aplicaciones de los amplificadores operacionales
11.5.1. Circuito amplificador sumador 343
11.5.2. Circuito amplificador restador 344
11.5.3. Circuito integrador 345
11.5.4 Circuito diferenciador 347
11.5.5. Circuito medidor de corriente 348
11.5.6. Circuito seguidor de voltaje 350
11.5.7. Circuito amplificador logarítmico 351
11.5.8. el amplificador i nstrumental (*) 353
11.5.9. calculo analógico mediante amplificadores operacionales 355
Cuestiones y problemas 357
XII. Electrónica digital
12.1. sistema binario 359
12.2. puertas lógicas 363
12.3. algebra de Boole 373
12.4. implementación de puertas lógicas (*) 378
12.5. algunos ejemplos de circuitos digitales
12.5.1. circuito sumador 382
12.5.2. circuitos osciladores biestables (flips-flop) 385
12.5.3. circuitos de memoria 388
Cuestiones y problemas 396
XIII. Tecnología de dispositivos microelectrónicos 399
13.1. circuitos integrados monolíticos 400
13.2. tecnología planar 401
13.3. crecimiento de silicio monocristalino 405
13.4. crecimiento de la capa epitaxial de silicio 407
13.5. formación de capas finas aislantes
13.5.1. oxido de silicio 409
13.5.2. oxido de silicio
13.5.2. Nitruro de silicio 414
13.6. litografía 415
13.7. Proceso de dopaje de un semiconductor
13.7.1. difusión de impurezas 419
13.7.2. Implantación iónica 424
13.8. Metalizaciones 427
13.8.1. evaporación térmica 428
13.8.2. pulverización catódica 429
13.8.3. deposición química en fase vapor 431
13.8.4. materiales utilizados en las metalizaciones 432
A. Apéndice: análisis de circuitos
A.1. Leyes de Kirchhoff 435
A.2. Circuitos con elementos no lineales 440
A.3. Algunas nociones sobre fuentes de alimentación 443
Cuestiones y problemas 449
Constancias físicas 451
Bibliografía 455
Índice de materias 461