Está en la página 1de 517
Electronica: feora de circuifos y disposifivos electronices OCTAVA EDICION. ei arate ae nce niece ee te acateaaee 15. Amplificadores de potencia Potencia de entrada: P, = Vecle 7 Potencia de salide: P, = Veele = I2Re = VEe/Rerms : OCTAVA EDICION 12/2)Re = Vee/{2R¢) pico Vertel’ Veele/8 = (I2/8)Re = Vee/(8Re) pico a pico eficiencia: %y = (P,/P;) X 100% : > ‘es sn ce oe 28 ELECTRONICA: ne a = (Ma/N,)'Ri; salida de potencia TEORIA DE CIRCUITOS Y Pal = (P, ~ PI ms 2 o/akas maxima P; = 2Vi¢/mRjs méxima P,, = 2VE¢/a?R,, éni Par Ratnam SVR nr aid cK cn DISPOSITIVOS [(Dy X 2 + D, X24 DX BH L.1R,C; VCO: f, = (2/R, atv selaciones de transformador: V/V, amplificador de potencia clase B: P; = Vecl(2/-*YIpeals Pp = Vilpico)/(2R,): % 0 = (m/4)LVitpico)/Vec] X 100%: libre); Po = (Ty — TAO ye + Ocs + Osa) 4 ELECTRONICOS.. 12m) V2mf,/3.6 X 10), 16 Circuitos integrados (CI) lineales digitates Red de escalera: V, = Dy X 2)/2" Was 555 oscilador 44(R, + 2Rp)C; 555 monoestable: Tay = Vo)/* J:lazo de seguimiento de fase (PLL): f, = 0.3/R,C. fi = *80/¥. fe = 17 Retroalimentacién y circuitos osciladores 4,= A/(1 + A); etroalimentacién en serie; 2y = Zi + BA); tettoalimentacidn en paralelo: 2y = Z,/(1. + BA); retroalimentacién de voltaje: Z,y = Z./(1 + BA): 4, rettoatimentacién de comiente: Zy = Z,(1 + BA); estabilidad de ganancia: dA,/A,= 1/1 + BAI)(dA/A); oscilador; ROBERT L. BOYLESTAD BA = 1; comimiento de fase: f= 1/2nRCV6, B = 1/29, A > 29; corrimiento de fase FET |A| = gnRy, Ry, = Rptal(Rp + 14); comimiento de fase del transistor: f= (1/2nRC)[1/V6 + HRC/R)}, hy, > 23 + 29(Re/R) + LOUIS NASHELSKY A(R/R¢); puente de Wien: Ry/Ry = Ri/Ry + C2/Cy fy = W24 VRC RIC sintonizador: f, = V2" VEC Cosunta = C1C2M(C, + C2), Hartley: Lessin = Ly + La + 2M fo = V2 V secre 7 . + ‘TRADUCCION: 18 Fuentes de alimentacién (reguladores de voltaje) Filtros: r = V,{rms)/V4, x 100%, Carlos Mendoza Barraza VR = (au — VV, X 100%, , Ingeniero en Sistemas Electronicos Vgc = Vn. ~ V- (p-p)/2, Vftms) = V,(p-p)/2V3, V,{rms) ~ (Iu./4V3)(Vie/Va); onda completa, carga ligera Hegecan Vrms) = 2ALae/C, Vac = Vy ~ 41 Tye/C, F = (24lyCV4) X 100% = 2.4/R,C X 100%, Icy = T/T, X lagi RC RC: Vig = Ry Vag/(R + Ry), Xe = 2.653/C (media onda), X- = 1.326/C (onda completa), Vi(rms) = (Xo/ VR? + XE REVISION TECNICA: reguladores: JR = (a ~ Ire)/Tez 100%, Vy = Vo{1 + Ri/Rz), Vo = Var{l + Ro/Ri) + hea Re M. en C. Agustin Sudrez Ferndndez Departamento de Ingenieria Eléctrica Universidad Auténoma Metropolitana 19 Otros dispositivos de dos terminales Diodo Varactor: C, = C(O)/(1 + [V/V Plantel Ietapalapa, México, DF. Te, = (MC/CT, ~ T,)) X 100%; fotodioda: W = Kf!-A = v/f, Lim = 1.496 x 107! W 20 Dispositivos pnpn y Otros UIT: Kap = (Ra, + Ra)in-o Va, = WVesly-o 9 = Ra/(Ro, + Rr) Vp = Veo + Voi forotransistor Le = heli PUT: 7 = Ro/(Rs, + Ras Ve = nVas + Vo 4 Espafa © Guatemala + Paonm « Per + Puerto Rico * Uruguay *Venezu George Fredericks ED, Faller Phil Golden Joseph Grabinski ‘Thomas K. Grady Mohamed S. Haj-Mobamadi William Hill Albert L, Lekstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E, Kent Donald F. King Charles Lewis Donna Liverman William Mack Robert Martin George T. Mason William Maxwell Abraham Michelen John MacDougall Donald F, MeMillan ‘Thomas E. Newman Byron Paul Dr. Robert Payne Dr. Robert A. Powell EE Rockafellow Saeed A. Shaikh Dr. Noel Shammas Ken Simpson Jerry Sithon Eric Sung Donald P, Szymanski Parker M. Tabor Peter Tampas Chuck Tinney Katherine L. Usik Domingo Uy Richard J. Walters Latry J. Wheeler Julian Wilson Syd R. Wilson Jean Younes Charles E. Yanghans Ulrich E. Zeisler Colegio Tecnolégico de la Comunidad dle} Estado del Noreste Colegio Eumber Instituto de Teenologia DeVry Colegio Tecnolégico del Estado de Hartiord Univeisidad de Washington Occidemal Universicad del Estado de Carolina del Nomte A&T Institut Tecnologico ITT Colegio Mesa de San Diego Universicised de Mercer Tektromis Ine: Institut Tecnologico DeKalb Insttato Tecnologico ITT APPLIED MATERIALS, INC. paments Ine. 0 de la Comunidad del Area de Harrisburg Colegio de la Comunidad de Virginia del Norte Colegio Tecnolégico Vocacional de Indiana Institute Tecnolégico del Estado de Nashville Colegio de la Comunidad del Valle Hudson Universidad del Oeste de Ontario Universidad del Fstado del Suroeste Instituto Tecnolégico-Vocacional L. H. Bates Colegio del Estado de Bismarck Universidad de Glamorgan Colegio de la Comunidad de Oakland Instituto de Teenologta del Sur de Alberta Colegio de la Comunidad de Miami-Dade Fscuele de Ingenienta Colegio de Teenologia del Estado Stark Colegio de la Comunidad de Queensborough Comnputronies Technology Inc Colegio Técnico Owens Colegio Tecnico de Greenville Universidad Tecnoligica de Michigan Universidad de Utak Colegio Mohawk de Artes y Tecnologias Aplicadas Universidad de Hampton. Instituto de Tecnologia DeVry PSE&G Nuclear Colegio dle Tecnologia del Sur Motorola Inc Instituto Técnico ITT Universidad del Oeste de Washington Colegio de la comunidad de Salt Lake “Texas Agradecemos a las siguientes personas par su ayuda en el proceso de revision de esta octava edicton: Joseph Booker Charles E Bunting Mauro J. Caputi Kevin Ford David Krispinsky William Mack John Shertick xii Agradecinientos Instituto de Tecnologia DeVry Old Dominion University Universidad Hofstra Colegio de la Comunidad de Alvin Instituto de Teenologia de Rochester Colegio de la Comunidad de! Area de Harrisburg Instituto de Teenologia de Rochester Contenido PREFACIO AGRADECIMIENTOS 1 DIODOS SEMICONDUCTORES LI Introduceién 1 12 Eldiodo ideal 1 1.3 Materiales semiconductores 3 14 Niveles de energia 6 1.5 Matetiales extrinsecos: tipo n y tipo p 7 1.6 Diodo semiconductor 10 1.7 Mathead 17 1.8 Niveles de resistencia 20 19 Cireuitos equivalentes para diodos 26 1.40 Hojas de especificaciones de diodos 29 LIL Capacitancia de transicién y de difusién 33 1.12 Tiempo de recuperacién inverso. 34 1.13. Notacién de diodos semiconductores. 34 114 Prueba de diodos 35 115. Diodos Zener 37 1.16 Diodos emisores de luz (LEDs) 40 LIT Arreglos de diodos: cireuitos integrados 45 1.18 Resumen 46 1.19.” Andlisis por computadora 47 2 APLICACIONES DE DIODOS 21 Introduccién 55 2.2 Analisis por medio de ta recta de carga 56 2.3 Aproximaciones de diodos 62 55 3 32 33 34 35 36 37 38 39 3.10 3.11 32 313 Configuraciones de diodes en serie con entradas de. 64 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69 Compuertas AND/OR 72 Entradas senoidales; rectficacién-de media onda 74 Rectificacién de onda completa 77 Recortadores 81 Cambiadores de nivel 88 Diodos Zener 92 Circuitos multiplicadores de voltaje. 98 Aplicaciones précticas 100 Resumen 112 Analisis por computadora 113 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 13) Introduceién 131 Construccién del transistor 132 Operacién del transistor 132 Configuracién de base comin 134 Accién amplificadora del transistor 138 Configuracién de emisor comin. 139 Configuracién de colector comin 146 Limites de operacién 147 Hoja de especificaciones de transistores 149 Verificacién de transistores. 153 Encapsulado de transistores e identificacién de terminales 155 Resumen 156 Anélisis por computadora 158 POLARIZACION DE DC PARA BJTs 163 4.1 Introduccién 163 4.2 Punto de operacién 164 43° Circuito de polarizacién fija 166 44 Circuito de polarizacién estabilizado en emisor 173, 45 Polarizacién por divisor de voltaje 177 4.6 Polarizacién de con retroalimentacién de voltaje 186 7 Diversas configuraciones de polarizacién 189 48 Operaciones de disefio. 195 49 Redes de conmutacidn con transistores 201 4.10 ‘Técnicas para localizacién de fallas 206 4.11 Transistores PNP 209 4.12 Estabilizacién de la polarizacién 210 4.13 Aplicaciones précticas 220 4.14 Resumen 228 4.15. Anélisis por computadora 231 Contenido Sa 52 33 54 55 56 37 58 5.10 ul 12 1B 4 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6.10 6.1L 6.12 613 6.14 615 mW 12 13 14 18 16 17 18 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. 245 Introduccién 245 Construccidn y caracteristicas de los JFETs 246 Caracteristicas de transferencia 253 Hojas de especificaciones (JFETs) 259 Instramentacién 261 Relaciones importantes. 262 MOSFET de tipo decremental 263 MOSFET de tipo incremental 269 Manejo del MOSFET 276 MOS 277 CMOS 278 Tabla de resumen 280 Resumen 281 Analisis por computadora 282 POLARIZACION DEL FET 289 Introduecién 289 Configuracién de polarizacién fija 290 Configuracién de autopolarizacién 294 Polarizacién por divisor de voltaje 301 MOSFETs de tipo decremental 307 MOSFETS de tipo incremental 311 Tabla de resumen 317 Redes combinadas 319 Disefio 322 Localizacién de falas. 324 FETs de canal-p 325 Curva vniversal de polarizacién para JFET 328 Aplicaciones précticas 331 Resumen 343 Anilisis por computadora 344 MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES 355 Introduccién: 355 Amplificacién en el dominio de ac 355 Modelaje de transistores bipolares 356 Los pardmetros importantes: Z, Z Avy A; 358 El modelo r, del transistor 364 Modelo hibrido equivalente 371 Determinaci6n grifiea de los pardmetros-h 377 Variaciones de los pardmetros del transistor 381 Contenido xvi 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9.10 9.1 9.12 9.13 9.14 9.15 9.16 9.17 1 ANALISIS A PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR 389 Tatroduceién 389 Configuracién de polatizacién fija con emisor comin 389 Polarizacisn por divisor de voltaje 393 Configuracién de polarizacién en emisor para emisor comin 396 Configuracién de emisor-seguidor 404 Configuracién de base comiin 409 Configuracién de retroalimentacién en colector 411 Configuracién de retroalimentacién de de en colector 417 Circuito equivalente hibrido aproximado 420 Modelo equivalente hibrido completo 426 ‘Tabla de resumen 433 Localizacién de fallas 433 Aplicaciones pricticas 436 Resumen 444 Andlisis por computadora 446 ANALISIS A PEQUENA SENAL PARA FET 461 Introduccién 461 Modelo de pequefia sefial para el FET 462 Configuracién de polarizacién fija para el JET 469 Configuracién de autopolarizacién para el JFET 472 Configuracién de divisor de voltaje para el IFET 479 Configuraciéa fuente-seguidor (drenaje comin) para el JFET 480 figuracién de compuerta comtin para el JFET 483 MOSFETs de tipo decremental 487 MOSFETs de tipo incremental 489 Configuracién de retroatimentacién en érenaje para el E-MOSFET 490 Configuracién de divisor de voltaje para E-MOSFET 493 Disefio de redes de amplificador FET 494 Tabla de resumen 497 Localizacién de fallas. 500 Aplicaciones précticas 500 Resumen 510 Analisis por computadora 512 APLICACION DE SISTEMAS: EFECTOS DE R, Y R, 525 10.1 Introduceién’ 525 10.2 Sistemas de dos puertos 525 10.3 Efecto de una impedancia de carga (Ry) 527 10.4 Efecto de la impedancia de la fuente (R,) 532 10.5 Efecto combinado de R, y R, 534 10.6 Redes BJT de emisor comiin 536 10.7 Redes emisor-seguidor de BIT 542 10.8 Redes BIT de base comin 545 Contenido 10.9 Redes FET S47 10.10 Tabla de resumen 550 10.11 Sistemas en cascada 554 10.12 Resumen 555 10.13 Analisis por computadora 557 1 RESPUESTA A LA FRECUENCL DE TRANSISTORES BJT Y JFET 569 TLL Introduceién 569 11.2 Logaritmos 569 11.3. Decibeles $73 11.4 Consideraciones generales sobre la frecuencia 576 11.5 Analisis de baja frecuencia: Grafica de Bode 579 11.6 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador BIT 586 11.7 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador FET 594 11.8 Capacitancia de efecto Miller 600 11.9. Respuesta a alta frecuencia: Amplificador BJT 602 11.10. Respuesta a alta frecuencia: Amplificador FET 609 LLIL Efectos de frecuencia en multietapas 613 11.12 Prueba de onda cuadrada 615 11.13 Resumen 617 11.14 Andlisis por computadora 620 1 2 CONFIGURACIONES COMPUESTAS 627 12.1 Introduccién 627 12.2 Conexién en cascada 627 12.3 Conexidn cascode 632 12.4 — Conexién Darlington 633 12.5 Parde retroalimentacién 638 12.6 Circuito CMOS 642 12.7 Circuitos de fuente de cortiente 644 12.8 Circuitos de espejo de corriente 646 12.9 Circuito amplificador diferencial 649 12.10 Circuitos amplificadores diferenciales BIFET, BIMOS y CMOS 657 12.11 Resumen 658, 12.12 Anilisis por computadora 660 I 3 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 675 13.1, Introduecién 675 13.2. Operacién en modo diferencial y en modo comin 677 13.3 Fundamentos del amplificador operacional 681 13.4 Cireuitos précticos con amplificadores operacionales 685 13.5 Especificaciones del amplificador operacional: Pardmetros de desvio de de 691 13.6 Especificaciones del amplificador operacional: pardmetros de frecuencia 694 Contenido 13.7 Especificaciones para el amplificador operacional tipico 698 13.8 Resumen 704 13.9 Anilisis por computadora 705 1 4 APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL 715 14.1 Multiplicador de ganancia constante 715 14.2 Sumador de voltaje 719 14.3 Acoplador de voltaje 722 144 Fuentes controladas 723 14.5 Circuitos de instrumentacion 725 14.6 Filtros activos 729 14.7 Resumen 733 148 Anélisis por computadora 733 1 5 AMPLIFICADORES DE POTENCIA 747 15,1 Introduccién: definiciones y tipos de amplificadores 747 15.2 Amplificador Clase A alimentado en serie 749 15.3 Amplificador Clase A acoplado por transformador 754 15.4 Operacién del amplificador Clase B 761 15.5 Circuitos amplificadores Clase B 765 15.6 Distorsién del amplificador 772 15.7 Disipacién de calor del transistor de potencia 776 15.8 Amplificadores Clase Cy Clase D 780 15.9 Resumen 782 15.10 Anélisis por computadora 784 1 6 CIRCUITOS INTEGRADOS CIs LINEALES DIGITALES 791 16.1 Introduccién 791 16.2 Operacién del comparador 791 16.3 Convertidores digit al6gicos 798 164 — Operacién de la unidad temporizadora de CI 802 16.5 Oscilador controlado por voltaje 805 166 Lazo de seguimiento de fase 808 16.7 Circuitos de interfase 812 16.8 Resumen 815 16.9. Andlisis por computador 815 l RETROALIMENTACION Y CIRCUITOS OSCILADORES 821 IL.1 Conceptos de retroalimentacién 821 17.2 Tipos de conexién de retroalimentacién 822 Contenido 113 14 175 n6 117 178 179 17.10 ql 17.12 Cireuitos pricticos de retroalimentacién 828 Amplificador con retroalimentacién: consideraciones de fase y frecuencia 835 Operacisn det oscitador 837 Oscilador de comrimiento de fase 839 Oscilador de puente Wien 842 Circuito oscilador sintonizado 843 Oscilador de cristal 846 Oscitador monounién 850 Resumen 852 Analisis por computadora. 853 1 8 FUENTES DE ALIMENTACION 18.1 18.2 183 18.4 18.5 186 18.7 188 18.9 1 (REGULADORES DE VOLTAJE) 859 Introduccién 859 Consideraciones generales de Ios filtros 859 Filtro de capacitor 862 Filtros RC 865 Regulacién de voltaje con transistor discreto 868 Reguladores de voltaje de CI. 875 Aplicaciones pricticas 880 Resumen 883 Analisis por computadora 884 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 889 19.1 Introduccién 889 19.2 Diodos de barrera Schottky (portadores calientes) 889 19.3 Diodos varactores (varicap) 892 19.4 Diodos de potencia 897 19.5 Diodos tinel 898 19.6 Fotodiodos 902 19.7 Celdas fotoconductoras 906 19.8 Emisores IR (infrarrojos) 908 19.9 Pantallas de cristal liquide 909 19.10 Celdas solares 912 19.11 Termistores 916 19.12 Resumen 918 20 DISPOSITIVOS pnpn Y OTROS 923 20.1, Introduceién 923 20.2 Rectificador controlado de silicio 923 203 Operaci6n bisica del rectificador controlado de silicio 923 204 Caracterfsticas y valores nominales del SCR 925 205 Construccién e identificacién de terminales del SCR 927 20.6 Aplicaciones del SCR 928 Contenido xix 207 208 208 20.10 20.11 20,12 20.13 20.14 20,15 20.16 20.17 Intetruptor controlado de silicio 982 Intetruptor controlado en compuerta 934 SCR activado por luz, 935 iodo Shockley 937 DIAC 938 TRIAC 940 Transistor monounién 941 Fototransistores. 950 Optoaisladores 952 Transistor monounién programable 955, Resumen 960 2 1 EL OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICION 21.1 Introduccién 965 21.2 Tubo de rayos catédicos: teorfa y construccién 965 213. Operacién del osciloscopio de rayos catédicos. 966 21.4 — Operacidn de barrido de voltaje 967 215 Sineronizaciéa y disparo 970 21.6 Operacién de multitrazo 974 21.7 Medicin mediante escalas calibradas del CRO 974 218 — Caracteristicas especiales del CRO 979 21.9 — Generadores de sefial 980 21.10 Analisis por computadora 982 APENDICES A FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS QUE MUEVEN AL MUNDO B PARAMETROS HiBRIDOS: ECUACIONES DE CONVERSION (EXACTAS Y APROXIMADAS) ic CALCULOS DEL VOLTAJE Y DEL FACTOR DE RIZO D TABLAS E SOLUCIONES A PROBLEMAS NONES SELECCIONADOS INDICE Contenido 965 984 996 998 1005 1007 1013 Diodos 1.1 INTRODUCCION E123 de diciembre de 1947, hace ys més de 50 aiios, se desarroll6 el primer transistor. Para aquellos de nosotros que vivimos la evolucin de los tubos de vacfo hacia la era del estado s6- lido, parecieran s6lo unos cuantos afios. La primera edicién de este texto contenia una amplia ccobertura sobre los tubos de vacfo, y para ediciones posteriores se tuvo que tomar Ia decision centre el nivel de eobertura dedicado a los bos y el dedicado a los dispositivos semiconducto- res. En este momento ya no es vélido siquiera mencionar los tubos de vacfo ni mostrar las ven tajas de uno sobre el otro, ya que estamos situados firmemente en la era del estado soli, La miniaturizacién de los componentes que se ha originado, abre cuestionamientos acerca de hasta dénde legardn su limites. Ahora es posible encontrar sistemas completos sobre obleas de silicio que son miles de veces més peque'fas comparadas con un solo elemento de los primeros sistemas, Los circuitos integrados (C1) de hoy, cuentan con mas de 10 maitlones de transistores cen un rea no mayor als ufta de un pulgar.* Cada semana surgen disefos y sistemas nuevos. Para el ingeniero esto implica una limitacién en cuanto a su conocimiento sobre la amplia ga- mma de avances tecnoldgicos; simplemente poder mantenerse actualizado sobre los cambios en un Grea de investigacién o desarrollo ya es de por sf complicado, Ademés, hemos licgado a un punto en el que el objetivo primario del encapsulado de un componente es el de servir s6lo co- ‘mo un medio para manipular el dispositivo o sistema y para proveer un mecanismo que permi- ta acoplarlo al resto del sistema o red. La miniaturizaci6n parece estar limitada por tres facto res (los cuales revisaremos durante el texto): la calidad del propio materia semiconductor, fa técnica de! disefio de la red y la limitaciones en el equipo de manufactura y procesamtento, 1.2 DIODO IDEAL EL primer dispositivo electrénico que revisaremos se denomina diado, el mis simple de tos dis- positivos semiconductores, pero con un papel fundamental para los sistemas electrénicos ya {que cuenta con caracteristicas que lo asemejan a un intertuptor sencillo, Lo encontramos en una amplia gama de usos aplicaciones desde Tas mas simples hasta las ms complejas. Ademds de presentar los detalles acerca de su fabricacién y de sus caracterstcas, presentaremos los datos Y las grificas relevantes que se encuentran en las hojas de especificaciones para asegurar Ia ‘comprensién de la terminologta utilizada y para demostrar la abundancia de inforinacia dis- Pponible proporeionada por los fabricantes El término ideal se emplearé de manera frecuente en este texto a medida que nuevos dis- positivos se vayan presentando, y se refiere a cualquier dispositivo o sistema que posea carac- teristicas ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido. Esto sitve como base para compara: cones y muestra dénde es todavia posible realizar mejoras. El diodo ideal es un dispositive de dos "Si el tempo to permite, lea el Apéndice A, "Fabricacién de fos Circuitos Integrados que Mueves al Mundo 3p ope CAPITULO » Figura 1 bolo; @) Dido Ideal (a) sim terminales que se representa por ef figuras Ila y 1.1, respectivamente Ds forma ideal, un diodo conduciré corriente en la direc definida por ta flecha que se muestra en el simbolo y actuaré como un circuito abierto ante cualguer intento por estshlecer cortiente en la direccién opuesta, En esencia: imbolo y posee las caracteristicas que se muestran en las Las aracterstcas de wm diodo ideal son las mismas que as de un intrruptor que sao pr ‘ite la conduecion de corriente en una sala diveccion Para Ta deseripcién de los elementos siguientes, es muy importante defnir los distintos snr boos de letras, polaridades de voltaje y direceiones de corriene Sil plaid dl voltae api ado es consistente con las caracterfstieas que se muestra en la figura Ila, deberdn considera, ‘las patculridades de la parte derecha del ej vertical del plano de la figura I-1b. Si el voltaje aplicado se inviete, las caractefsticas pertinentes serdn las de la parte izquierda Si la corie. te a través del diodo presenta la direccidn indicada en la figura I.La, la patte de las carseterls, Lcas a considerase son ls que se encuentran en la parte superior del ee horizontal, mints que ‘una direccién inversa de Ia corriente requiere utilizar las curacteristcas que se encuentean ee la parte inferior de este eje, Para la mayoria de las earactertsticas de los dispositivos presentados en xe Hiro, el ee de las ordenadas (0 eje “y”) ser el efe de I corrinte mientras qu el ee de las abscisas (0 eje “x") sera el eje del voltaje {Uno de los parsmetros importantes de un diodo es la resistencia que presenta en el punto 0 reaién de operacin. Si consderamos a regin de conduction defnida por la divecién de [, y le polaridad de Vp en ta figura I.ta (cuadrante superior derecho de la figura 1.1b), veremon Gue el valor de la resistencia directa Rp, queda definido por medio de Ia ley de Ohta como Ve ov Rea Te” =00 (i tr 2,3,mA,..., 0 cualquier valor positivo ~ 0% (Cieuito cerrado) onde Vp es el veluje de polarizaciin directa sobre el diodo e Fes ta coniente através del mismo. Porto tanto, el iodo ideal representa wn circuito cerrado en la reid de conduccidn Considere la regién donde se aplica potencial negativo (tercer ‘cuadrante) de la figura 1.1, Vs 0 cualquier potencial de polarizacién inversa Rat eee © ito aber e oan ® (cirevito abjento) donde Vi es el voltae de polarizaciGn inversa sobre el diodo ¢ Ip es la cortiente en ef mismo, Por lo tanto, ef diodo ideal representa un circuito abierto en ta regiin de no conduccién En resumen, aplican las condiciones mostradas en la figura 1.2. + Yo Circuito cerrado ee 1 “Teetinitads po om @ = vo Circuito abierto st eat Ip=0 : ) Per ae tele e @ conduccion y (6) no eenduccn parz un dodo ideal detrminados segun la polarizacion aplicada, En general, es elativamente fil determinar si el diodo se encuentra en la reién de con duccién o en la de no conduccién mediante la simple observacién de ladireccién dela cortien: X¢ Zo que establece el voliaje apicado, Para el caso del flujo convencional (puesto al él jo de electrones), sia conenteresutante del diodo tiene la misma drecein que la punta de fe. Capitulo 1 Diodos semiconductores cha éel simbolo del diodo, éste se encontraré operando en la regién de conduccién como se muestra en la figura 1.3a, Sila corriente resultant tiene la direccidn opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, serd apropiado considerarlo el equivalente de un circuito abierto, Ph o 2 @ Figura 13 Fstados de (con. Phe 2 ion 0 condocson para — Ins und el eter to -segtin la direccion de la cortiente & Civereon! tieesiec he Como se express anterionmente, el propésito principal de esta seceién es mostrar ls crac- teristicas de un dispostivo ideal en relacién con las caracteristcas de la distintas variedades comerciales. A medida que avancemos a través de las siguientes secciones, mantenga presen tes las siguientes preguntas Que tan cercana serd ta resistencia en polarizacion direca o resistencia de “encendiio” de un diada real en comparacion con el nivel deseado de 0.0? dla resistencia en polarizacion inversa serd lo suficientemente grande como para permitir tna aproximacion a wn circuito abierto? 1.3. MATERIALES SEMICONDUCTORES La denominacién semiconductor advierte en sf{ misma sus caracteristicas: El prefijo semi es aplicado,normalmente a un rango de nivel entre dos Ifmites. El término conductor se aplica a cualquier material que permite un flujo gencroso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus ter- minales. Un aislante 0 dietéctrico es un material que presenta un nivel muy inferior de conductivi- dad cuando se encuentra bajo la presion de una fuente de voltaje aplicada. Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee wn nivel de conductividad que se localiza entre tos extremias de un dieléctrico y de un conductor. Inversamente relacionado con la conductvidad de un material, se encuentra Ia resistencia al flujo de eargao corrente, es decir, mientras mayor sea el nivel de conductvidad, menor se- tel nivel de resistencia, En tablas de referencia, el témino resistvided (p, eta greg tho) se utiliza muchas veces al comparar varios niveles de resistencia de materiales, En unidades métcas a esistvidad de un material se mide como Q-cm o como Q-m, Las unidades Qem proceden de la sustitucidn de 1as unidades para cada cantidad de la figura 1.4 en Ta siguiente eacin (drivada dela ecuacin basica de resistencia R= pl/A): 2 #4 Olen) 08m ap T em ‘De hecho, si el drea de la figura 1.4 es de 1 cm® y la longitud de 1 cm, la magnitud de la resistencia del cubo de la figura 1.4 seré igual a la magnitud de la resistividad del material eo- mo se demuestra a continuacién: (Lom) (rem) Serd de utilidad recordar este hecho a medida que comparemos los niveles de resistividad en las explicaciones siguientes. Iplohms ee 8 oS aos) ? Alem? f= tom Figura 1.4 Definiclos de Jas unidades metreas de lx resistividad, i Figura 15. Esruotra de rmonoetistal del Ge y el Si TABLA L.1 Valores representatives de resistividad Conductor a8 Semiconductor Duelectrico p10 Dem 50% 10° Qe (alco) (rica) 10°" fem (0 50 fem (german (cotrey e Fa Ia tabla 1.) se muestra los valores representativos de Ja resistivided para tres catego ras amplias de materiales. A pesar de que usted estéfamiliaizado von las propiedades eléetr as del cobre y de la mice gracias e sus estudio anteriores, las caracterfsticas de los mtateriales Semiconductores como e! germanio (Ge) y el silicio (Si) podrian tesultarle nuevas. Como usted verd en los siguientes capitulos, éstos no son los tnicos dos materiales semiconductores, sin enibargo, son los dos matericles que han recibido el grado més amplio de interés para el desa. rrollo de dispositives semiconductores. En afos recientes se ha observado un desplazamiento hacia el silico, sin embargo, el germenio continia produciéndose de forma modest Observe en Ja tabla 1.1 el enorme rango de valor entre el material conductor y el dieléetri- 9 para el caso del material con una longitud de { em (con fea de | cm?). Son dieciocho fuga- res lo que separa el lugar det punto decimal entre un miimero y ef otro. Existen numerovas ra, Zones que explican I atencién que han recibido el Ge yel Si, una consideracn especial es el hhecho de que pueden ser fabricados hasta llegar a un grado de pareza muy alto, De hecho, avan- es recientes han reducido os nveles de impreza en el material puro hasta de una parte por «cada diez mil millones (1:10,000,000,000). Cualquiera podria preguntarse si es realmente nece- sario un aivel tan bajo de impureza, Ciertamente sf lo es, si se considera que la incorporacién de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millén, en una oblea de silicio puede alterae este material para convertitlo de un conductor deficente de electricidad a un buen conductor de ella, Obviamente, cuando hzblammes del medio semiconductor estamos tratando con un espec- tro nuevo en cuanto a niveles de comparacién, La habilidad para transformar significativamen. te las caracteristicns del materia través de un proceso como éste se conoce como “dopada” y Esta es otra de las razones por la cual el Ge y el Si han recibido mayor atenci6n, Otros motivos incluyen el hecho de que sus earactersticas pueden ser alteradas de forma importante median, {Ia aplicacién de luz 0 de calor, lo cual es una consideracién bésica para el desarrollo de di Positivos sensibles a la luz o al calor Algunas de las caracterstcas Gnicas del Ge y del Si, que se mencionaron antes, on el re- sultado de su estructura atémica. Los stomos de ambos materiales organizan un patron bien de. finido que por naturaleza es perisica, es decir, se rept continuamente. Un pattn completo se OV) y polarizacién inversa (Vp < 0 V). Cada posibilidad es una condicién que im- plica una respuesta, ésta se debe entender claramente por el usuario si es que se desea aplicar €l dispositivo de manera efectiva, Capitulo 1 Diodos semiconductores 7 Flujo de peetadores minovitaros — | ee a h — LP |" ~~ Flujo de portadares mayors Regidn de agotamiento (Gin potarizaeién) Sin aplicacion de polarizacion (Vp = 0 V) Bajo condiciones sin polarizacién (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario (lueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la regiGn de agotamiento fluird di- rectamente hacia el material tipo p. Mientras més cercano se encuentre el portador mino- ritario a la unin, mayor seré la atraccién hacia la capa de iones negativos y menor Ja opo- sicién de los iones positives de la regién de agotamiento del material tipo n. Con el propésito de servic para exposiciones futuras, tendremos que asumir que todos los porta- dores minoritarios del material tipo n que se encuentren en la regién de agotamiento por 1a de su movimiento aleatorio, fluirén directamente hacia el material tipo p. Una expo- sicién similar puede aplicarse para el caso de los portadores minoritarios (clectrones) de un material tipo p. Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores. minoritarios de cada material. Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo m deben superar tanto a las fuerzas de atraccién de la capa de jones positivos de material tipo n como al escudo de io- nes negativos del material tipo p, para poder migrar al érea del material tipo p que se en- cuentra més alld de la regidn de agotamiento. Sin embargo, dado que el ndimero de porta- dores mayoritarios es tan grande en el material tipo n, existiré invariablemente un ndimero pequefio de portadores mayoritarios con suficiente energfa cinética para pasat a través de la regién de agotamiento hacia el material tipo p. Nuevamente el mismo razonamiento se aplica a los portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante por los portadores mayoritarios también se muestra en la figura 1.14. Una observacién mas cercana de la figura 1.14 nos revela que las magnitu de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto en cualquier direccién es cero, Esta can- celacién de los vectores se indica mediante las Kineas cruzadas. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujé mayor que la det flujo de electrones para demostrar aque la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que puedan cancelarse y que ademis, los niveles de dopado de cada material pueden ocasionar tn flujo desigual de hue- cos y de electrones. En resumen, entonces: 2 relativas En ausencia de un voltaje de polarizacién aplicado, el flujo neto de carga en cualquier dt reccidn para un diodo semiconductor es cero, 1.6 Diodo semiconductor Figura 1.14 Unig p-nsin ppolanzscién externa tht ih Figura 115 Sites polancacién para un died TOpresto) Figura 1.17 Situation de pols rizicion inversa pars un iodo semiconduct 2 la figura 1.15 se repite el sfmbolo de un diode pero ahora éste muestra sus regio- nes tipo n y tipo p asociadas. Observe que Ik flecha se asocia cen el componeitte tipo p y que Ja barra con la rezién tipo n. Como se indic6, Vp ~ OV y la cortiente en cualquier di recci6n es 0 mA. Situacion de polarizacién inversa (V) < 0 V) Si'se aplica un potencial extemo de V volts a través de fa unidn p-» de tal fora que la ter- minal positiva se conecta al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p coma se muestra en la figura 1.16, ef miimero de iones descubicrtos positivos en la regidn de ago- tamiento del material tipo m se incrementaré debido al gran nimero de electrones “tibres” atrafdos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, el ntimero de jones descubiertos negatives se incrementard en el material tipo p. El efecto neto seré, por Jo tanto. un crecimiento det rea de agotamiento, con lo cual también se estableceri na barrera que detendri el paso de los portadores mayoritarios, lo que da como resultado una re- duccién a cero del flujo de éstos como se muestra en la figura 1.16. A 1, Five ue portadores minorttios BERRA EEOREN Cece $1 Figura 116 Union pox Vp bajo polarzacion inversa ‘Sin embargo, el ntimero de portadores minoritarios que entran en In regién de agota- miento no cambia, con lo que resultan veetores de flujo de portadores minoritatios que tie nen la misma magnitud, como se indica en la figura 1.14, sin voltae aplicade, La corriente que se forma bajo una sitwacion de potarizacion inversa se denomina corrien- te de saturacién inversa y se representa por ly La contiente de saturaci6n inversa rara vex es mayor a unos cuantos microamperes ex- cepto para el caso de dispositives de alta potencia, De hecho, en afios recientes su nivel se encuentra en el rango de los nanoamperes para los dispositivos de silicio y en el rango ba- Jo de los microamperes para el germoanio. El término saturacién proviene del hecho de que alcanza ripidamente su méximo nivel y de que no cambia de forma importante con incre- ‘mentos del potencial de polarizacién inversa, como se muestra en las curacterfsticas del diodo de la figura 1.19 cuando Vp < 0 V. Las situaciones para una polarizacién inversa se muestran en la figura 1.17 tanto para el simbolo del diodo como de la unisn p-n. Ob- serve en particular que la direccién de J, es contraria ala flecha del sfmbolo, Advierta tam- bign que el potencial negativo se encuentra conectado al material tipo p y que el potencial positivo al material tipo n, la diferencia en las letras subrayadas de cada regién indian la ‘condicién de polarizaci6n inversa. Situacion de polarizaci6n directa (V) > 0 V) Se establece una situacién de polarizacién directa o de “encendido” cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo p y un potencial negativo a un material tipo n como se muestra en la figura 1.18. Entonces, como regla futura Un diodo semiconductor se encuentra en polarizacion directa cuando se establece una aso- ciacién tipo p con positivo y tipo n con negativo Capitulo 1 Diodos semicanductores Figura LIB Voion p-n bajo La aplicacién de un potencial con polarizacisn directa Vp “presionard” a los electro- ries del material tipo n y a Jos huecos del material tipo p para que se recombinen eon los jones cercanos a la frontera y para reducir el ancho de la regiGn de agotamiento como se muestra en la figura 1.18. El flujo resultante de portadores minoritarios del material tipo p hacia el material tipo m (y el de los huecos del material tipo m hacia el material tipo p) no (6 en magnitud (ya que el nivel de conduccién se controla principalmente por el nivel de impurezas en el material); sin embargo, la reduecidn en el ancho de la regién de agota- miento provoca un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la unin. Un electtdn del material tipo m ahora “advierte” una barrera més reducida en la uniGn debido @ una regién de agotamiento reducida y una fuerte atracciGn ocasionada por el potencial positive apli- cado al material ipo p. A medida que la magnitud de la polarizaci6n aplicada se incremen- ta, la region de agotamiento continuard disminuyendo su amplitud hasta que un grupo de electrones pueda atravesar la unin, con un incremento exponencial de la corriente come resultado, de la forma en que se muestra en la regién de polarizacién directa en las carac- teristicas de'la figura 1.19. Observe que el eje vertical de la figura 1.19 se expresa en mi- liamperes (aunque existen alguios diodos semiconductores que poseen ejes verticales ¢x- presados en amperes) y que el eje horizontal para la regién de polarizacidn directa tiene un nivel maximo de 1 V, sin embargo, normalmente el voltaje a través del diodo bajo polari- aaci6n directa seré menor que | V. Observe también la rapidez con la que se incrementa la corriente una vez que se pasa el punto de inflexién de la curva. Es posible demostrar mediante el empleo de la fisica del estado sdlido que las carac- teristicas generales de un diodo semiconductor se pueden definir con la siguiente ecuaci6n, tanto para la regiGn de polarizacién inversa como para la directa: = Let ~ 1) as) donde 1, = corriente de saturacién inversa k = 11,600/n donde 7 = 1 para el Ge y 1 = 2 para et Si para niveles relati- vamente bajos de corriente de! diodo (en 0 abajo del punto de inflexién de Ta curva) y 7 = 1 tanto para el Ge como para el Si para niveles mayores de corriente del diode (para la seccién de répido crecimiento de la curva) Te + 218° En la figura 1.19 se presenta una grética de la ecusci6n 1.4. Si expandimos la ecuacién 14 de la siguiente forma, los componentes de cada regién de la figura 1.19 se podrin des- cribir de forma més fécil. Ip = hel 1, Para valores de Vp positivos, el primer término de la ecuacién anterior crecerd de for- ma muy répida y sobrepasaré el efecto contrario del segundo término, El resultado de es- to es que para valores positivos de Vp, fp sera positiva y crecerd a un ritmo equivalente de y= €* que aparece en la figura 1.20, Para el caso cuando Vi = 0 V, la ecuacién 1.4 se con- vierte en fp = 1, (€°— 1) = J, (= 1) = 0 mA como aparece en la figura 1.19, Para el caso de valores negativos de Vp, el primer término de la ecusci6n répidamente caerd hacia niveles 1.6 Diodo semiconductor 13 Figura 119 Caracteisteae del diode semiconductor de silo ‘Simitar) Figura 1.21 Situacion de pola rizacion directa para un diodo se- ‘miconductor. 14 a SOL Seer Wp 20V. tp > my xintccn | j Tw inferiores de /, con fo que se obtiene: Jp = ~L, lo cual se representa con la linea horizon- tal de la figura 1.19. La discontinuidad para la condicién Vp = 0 V aparece de esa forma en la grafica debido al cambio dramitico de escala de mA a nA. Observe en la figura 1.19 que el dispositivo comercialmente-disponible tiene sus'ca- racieristicas desplazadas hacia la derecha con una magnitud de algunos décimos de volt Esto se debe a la resistencia interna del “cuerpo” del diodo y a la resistencia externa del “contacto” del mismo. Cada una de éstas resistencias contribuye a obtener un voltaje ad cional con el mismo nivel de corriente como to determina la ley de Ohm (V = IR). Con el tiempo, y a medida que los métodos de fabricacién mejoren, esta diferencia ser menor y las caracteristicas eales se aproximardn a fas de la ecuaci6n 1.4 Es importante prestar atencidn al cambio en la escala del eje vertical y el horizontal Para valores positivos de {p la escala se encuentra en miliamperes y la escala bajo el eje en microamperes (o posiblemente en nanoamperes), Para et caso de Vp, la escala para los valores positivos se encuentra en décimos de volt y para los valores negativos en decenas del mismo. A simple vista, la ecuacién 1.4 podria parecer compleja y alguien podrfa temer que su utilzacién sea necesaria para todas las aplicaciones subsiguientes del diodo; sin embargo, pposteriormente en esta seccin se realizardn varias aproximaciones, que evitarin el uso de esta ecuacién, y nos facilitarén una solucidn con un minimo de dificultad matematica, ‘Antes de abandonar el tema del estado de polarizacién directa, se repite en la figura 1.21 la situacién de conductividad (estado “encendido”) con las polaridades requeridas y la direccidn del flujo de portadores mayoritarios resultante. Observe en particular la forma cen que la direccién de la conduccisn es la misma que la que indica la flecha del simbolo {egtin se mostr6 para el diodo ideal). Region Zener A pesar de que la escala utilizada en la figura 1.19 se encuentra en decenas de volts para Ja regién negativa, existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de vollaje se ocasio- na un cambio dristico en las caracteristicas, como se muestra en la figura 1.22. En este punto, la comriente se incrementa a un ritmo muy rapido con una direcci6n opuesta ala que tiene la regién de voltaje positivo. El potencial de polarizacién inversa que provoca este Capitulo 1 Diodos semiconductores | Figura 1.22 Repon Zener peter cambio dramético de las caracteristicas del diodo se denomina potencial Zener y se le asig- pa el simbolp Vz. ‘A medida que el voltaje a través det diodo se incrementa sobre la regién de polariza- cin inversa, tambign se incrementa la velocidad de los portadores minoritarios que son !os, responsables de la corriente de saturaciOn inversa /,. En algunas ocasiones, su velocidad y su energfa cinética asociada (Wy = }v?) serdn lo suficientemente grandes como para li- berar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras atémicas que en otro ca 0 serfan estables, Esto es, cuando los electrones de valencia absorban tanta energfa como ppara abandonar su étomo, se provocaré un proceso de ionizacién. Estos portadores adicio- nales pueden entonces apoyar al proceso de ionizacién al punto donde se establezca un al- tacorriente de avatancka y se determine la regién de ruptura en avalancha. La regidn de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical mediante el ineremento en los niveles de dopado tanto para el material tipo n como para el tipo p. Sin embargo, a me- dida que Vz disminuye a niveles muy bajos, como ~5 ¥, existe otro mecanismo llamado ruptura Zener, el cual contribuiré al cambio Severo en la caracteristica. Esto sucede debi- doa que existe un campo eléctrico fuerte en la regiGn de unidn que es capaz de romper las fuerzas internas de enlace del dtomo y “generar” portadores. A pesar de que el mecanismo de ruptura Zener contribuye de manera importante slo a bajos niveles de Vz, este cambio severo en la caracteristica en cualquier nivel se denomina regién Zener, y los diodos que aprovechan esta porcién tinica de la caracteristica de la unin p-m se designan como dio- dos Zener, los cuales se describen en Ta seccién 1.15. La regiGn Zener descrita para un diodo semiconductor deberd de evitarse si la respues ta det sisterna no debe ser completamente alterada por el cambio severo en las caracteri ticas para esta regidn de voltaje inverso. El potencial maximo de polarigacion inversa que puede aplicarse antes de ingresar en la re ‘gion Zener se denomina voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV, por las inicates en inglés de Peak Inverse Voltage) o como voltaje PRY (por las inciales en in- sles de Peak Reverse Voltage). Si una aplicacin espectfica requiere un nivel de PIV mayor que el que puede ofrecer una sola unidad, es posible conectat en serie un conjunto de diodos con tas mismas carac- teristicas. Los diodos también se pueden conectar en paratelo con el objetivo de incremen- tar la capacidad para conducir corriente ‘Comparacion entre el silicio y el german Por lo general, los diodos de silicio cuentan con uly ‘un indice de corriente mayores, as{ como un rango de temperatura més amplio que los diodos de germanio, Los niveles de PIV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 ¥, mientras que el valor méxi- ‘mo para el caso del germanio se encuentra alrededor de 400 V. El silicio puede utilizarse ppara aplicaciones en las cuales la temperatura puede elevarse hasta 200°C (40°F), mi tras que el germanio posee un nivel maximo mucho menor (100°C). La desventaja que tie- ne el silicio comparado con el germanio, como se indica en la figura 1.23, es la del mayor 1.6 Diode semiconductor 15 i+ Figura 1.23 Comperacion entce diodes semiconduet e Ge 16 es de Si Vas tees) 189 voltaje en polarizacién directa que requiere para alcanzar la regién de conducci6n, Este vol- taje se encuentra alrededor de 0.7 V para diodos de silicio comercialmente disponibles y de 0.3 V para los diodos de germanio, con valores redondeados al décimo de volt més cer- cano. La diferencia mayor para el caso del silicio se debe principalmente al factor 7 de la ecuacién 1.4. Este factor juega un papel importante en la determinaci6n de la forma de la curva pero s6lo para niveles muy bajos de corriente ya que una yez que la curva inicia su crecimiento, el factor m baja.a I (cl valor continuo del germanio). Esto se demuestra por las simifitudes en las curvas una yez que el potencial de conduccién se alcanza, El poten- cial en el que inicia este crecimiento de la curva se denomina comnmente como poten- cial de conduccién, de umbral o de disparo. Con frecuencia, se utiliza la primera letra del término que describe a una cantidad particular para la notacién de dicta cantidad, Sin em- bargo, para asegurar un grado mfnimo de confusi6n con otros términos, como el de volta- Je de salida (V,, por su inicial en inglés, ouput) y el de voltaje directo (Vp, por su inicial cn inglés, forward), se adoptard la notaci6n Vz para este término (umbral del inglés thres- hold) a to largo de este libro. En resumen: Vp 0.7 (Si) Vp 0.3V (Ge) Obviamente, el diodo se acercard més a la condicién “ideal” mientras més cercano se en- cuentre el desplazamiento ascendente, excursidn, al eje vertical. Sin embargo, son las otras caracter(sticas del silicio las que lo hacen ser el elegido entre la mayorfa de las unidades comercialmente disponibles. Efectos de la temperatura La temperatura puede ejercer un efecto marcado sobre las caracteristicas de un diodo se- miconductor de silicio, como podemos observar para el caso de un diodo de silicio tipico en la figura 1.24, De forma experimental se ha encontrado que: La magnitud de la corriente de saturacion inversa I, se incrementard en una proporcion do ble por cada incremento de 10°C en la temperatura, Capitulo 1 Diodos semiconductores Oi No es poco frecuente que un diodo de germanio con un J, del orden de 102 pA a 25°C mantenga una fuga de corriente de 100 4A = 0.1 mA a una temperatura de 100°C. ‘Tales magnitudes de niveles de corriente para la rexi6n de polarizacién inversa seguramen- te nos harin cuestionamos acerca de la validez. de la condicién deseada de circuito abierto para la regién de polarizacién inversa.|Para el silicio, los valores tipicos de /, son mucho menores que para el germanio a niveles de cortiente y de potencia similares como se mues- ira en la figuta 1.23. El resultado de esto es que incluso a temperaturas aitas, fos niveles de I, para los diodos de silicio, no llegan a alcanzar los elevados niveles obtenidos det ger- manio, lo cual es una razén muy importante por la cual los dispositivos de silicio disfru- tan de un mayor nivel de desarrollo y de utilizaciGn en el disefio. Fundamentalmente, a cual uier temperatura, se obtiene un equivalente mejor de cireuito abierto para la regign de polarizacién inversa mediante el silicio en lugar del germanio. Los mayores niveles de /,, como resultado del incremento de temperatura, son respon- sables de los niveles bajos del voltaje de umbral como se muestra en la figura 1.24. Obser- ve que al incrementar el nivel de /, en la ecuaci6n 1.4 existiré un increment répido en ta cortiente del diodo. Desde luego, el nivel de Tx también se incrementaré en la misma ecua- cin; sin embargo, el nivel creciente de J, se sobrepondré al menor cambio porcentual de T . A medida que la temperatura se incrementa, las caracteristicas en polarizacién directa se vuelven més “ideales”; sin embargo, cuando anaticemos las hojas de especificactones, veremos que temperaturas superiores a los rangos normales de operacisn pueden ejercer un efecto muy nocivo en los niveles maximos de potencia y de corriente del diodo. Para la regién de polarizacién inversa el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pe- ro también advierta el incremento inconveniente en la cortiente inversa de saturaci6n. 1.7. MATHCAD ‘A Jo largo del texto utilizaremos un paquete de software matemtico denominado Math- ccad® para familiarizar al estudiante con las diversas operaciones que este popular paque- te puede desempefiar y con las ventajas asociadas a su utilizacién. No es necesario adqui- rir una copia del programa de software, a menos que usted se sienta interesado en aprendetlo y utilizarlo después de esta breve introduccién. Sin embargo, por lo general la cobertura ofrecida se encuentra a un nivel basico para presentar el alcance y el poder del paquete. Todos los ejercicios que aparecen al final de cada capftulo se pueden resolver sin cl apoyo de Mathcad, 17 Mathcad Figura 124 Voriaior arse ombios de temperatur _ 7 Figura 1.25 de Mathcad orde Panvally principal Feamata de computation inde Ise operaciones figura 1.26 Definicidn del teas paca Mave 20-28 = 17.333 6 ign 18 wa 127 ica bisica Operscion mate- La.utilidad de Mathcad supera fécilmente « la de una calculadora cientifica porttil ya {que puede desplegar grificas, efectuar operaciones alzebraicas matriciales, permite la adi cidn de texto a cualquier célculo, comunicarse con cualquier otra fuente de datos como Ex- cel?, MATLAB® o Internet, almacenar datos e infomaci6n, etcétera: Ia lista de facilida des es muy extensa e impresionante. Mientras més conozca el paquete més usos encomtraré en su utilizacién cotidiana Lie Ea ie Pt fom Bo Sra Yom te O38 BAe eion mt ise BOAT AOE Pen ie Una ver que el pauete se ha instllado, todas las operaciones inician con Ix pantalla prin- cipal de la figura 1.25; se han affadido rétulos a esta pantalla para identificar sus partes. Por lo general, todas las operaciones matemiiticas se efectiian en la secuencia espeetfica que se muestra en la figura 1.26, esto es, de izquierda a derecha y de artiba abajo. Por ejemplo, si cen la linea 2 se operand sobre una variable, el valor de la variable deberd estar definido a la izquierda en la misma linea 0 en la tinea 1, Observe que Mathcad es muy sensible al orden de las cosas, Por ejemplo, si usted define una serie de cantidades en una misma linea, pero coloca una de ellas un poco por encima de las otras, éta no seré reconocida por las dems variables si resulta que son parte de su definicidn, En otras palabras, cuando escriba sobre tuna misma Ifnea, asegdrese de que permanece en la misma Ifnea para cada entrada nueva, ‘Afortunadamente, Mathcad esté bien equipado para avisarle si algo es incorrecto, Cuando usted comitence a utilizar el programa por vez primera, le cansaré ver tantas cosas en color rojo, loque indica que algo no se ingres6 bien o se encuentra mal definido, Pero con el tiem po, a medida que su aprendizaje avance, usted se sentiré c6modo con el software. Para efectuar una operacién aritmética bésica, solamente haga clic sobre cualquier punto de la pantalla para establecer una cruz sobre el dea de trabajo (et lugar donde co- ‘menzari la captura). Si decide que no le agrada ese lugar, simplemente mueva la flecha a otro lugar, vuelva a hacer clic y la cruz se reposicionaré, Luego, ingrese la operacién ma- tematica 20 — 2 X 8/6-como se muestra en la figura 1.27, En el momento en que se te- Clee el signo de igualad, el resultado aparecerd comio se muestra én la figura 1.27. El sig. no de igualdad se puede ingresar directamente desde el teclado o mediante la barra de ‘meniis de Is parte superior de la pantalla. De hecho, al utilizar Ia secuencia de mens View-Tootbars-Caleulator (Ver-Barras de Herramientas-Calculadora), usted puede -apturar la expresién completa y obtener el resultado utilizando el ratén en lugar de su de- do como ta harfa con una calculadora comin. Ademis, todas las operaciones matematicas tales como exponenciales, rafz cuadrada, seno, tangente, etcétera, que normalmente se en- cuentran en cualquier calculadora cientifica también se encuentran disponibles aqut Capitulo 1 Diodos semiconductores 1K C4273 was Figura 1.28 Deierminacien de la comenie del diodo ip Go tx ecuacion 1.4 Wo = 54ssei0"? Para practicar la utilizaci6n de variables, calculemos la corriente del diodo utilizando la ecuacidn 1.4, Para las ecuaciones, primero se escribe la letra 0 simbolo que se aplica a la variable seguida por un signo de dos puntos, como se muestra en la figura 1.28. Cuando se teclee el signo de dos puntos, aparecerd un signo de igual como se muestra en la mis: ma figura, luego se podrét ingresar el valor de la variable que se utilizard para la primera setie de cileulos. Posteriormente, continée capturando las siguientes variables en la misma linea para después calcular en Ia segunda linea las variables adicionales que se encuentran cn funcién de las previas. Observe que x requiere que k, TK y VD sean definidas antes, ya sea en la Iinea antetior 0 a la izquierda de la misma linea. En la linea siguiente es posi bie obtener el valor de x simplemente tecleando x seguida de tn signo de igualdad, con lo {que aparecerd inmediatamente 11.6 como respuesta correcta, Ahora tendremos que captu~ rar la ecuacién 1.4, y al momento de ingresar cada cantidad, aparecerd un corchete alrede- dor de cada una de ellas que define la suma que se esté capturando, con el tiempo esto se convierte en una casacteristica dtl. La multiplicacién se realiza utilizando el asterisco que se encuentra en lt parte superior de la tecla del nimero 8 del teclado y los exponenciales se ingresan mediante'e! signo de exponeneiacién sobre la tecla del niimero 6. Una vez que la ecuacién se ha registrado de formna correcta, se puede escribir ID en la siguiente linea (0 a la derecha de la ecuacién) y el resultado 5,455 mA aparecers directamente después de que el signo se haya seleccionado. El resultado indica que para un voltaje de 0.6 V la corrien- te del diodo seri de 5.455 mA. La belleza de Mathcad se puede realmente demostrar ahora si cambiamos el valor de VD 405 V. ya que en el instante en que el valor se intercambia, los nuevos valores de x y de ID aparecerdn de forma automatica como se muestra en la figura 1.29. Obviamente, una reduccisn en VD ha reducido fa corriente a 0.789 mA. No hay necesidad de capturar la se- cuencia completa de operaciones nuevamente o de calcular todas las cantidades otra vez. con una ealculadora, ya que los resultados aparecen de forma inmediata Is-=50.107 11600 k= 11600, 667 (1) a 1.29 Demostracisn del cfecro del cambia de un pari metro de fx ecuacidn 1.4 I= 7.891810" A lo largo de este texto aparecerin ejemplos adicionales por medio de Mathcad, sin embargo, tenga en mente que no es necesatio convertirse en un experto para aprovechar el ‘material de este libro, nuestro propésito solamente es presentar el software disponible. 17 Mathead 19 1.8 NIVELES DE RESISTENCIA ‘A medida que el punto de operacién de un diodo se desplaza de una regisn a otra, la resis tencia del diodo también cambiaré debido a la forma no lineal de fa curva caracteristica, En los siguientes parrafos, se demuestra que el tipo de voltae 0 sefial aplicada define el nivel de resistencia de interés. En esta seccién se presentarén tres niveles diferentes, los cuales seguirdn apareciendo en cuanto revisemos otros dispositivos: por lo tanto, la comprensién clara de st definicign es muy importante Resistencia de DC o resistencia estatica La aplicacign de un voltaje de de a un circuito que contiene un diodo semiconductor ten~ dra por resultado un punto de operacién sobre la curva caracteristica que no varfa con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacién puede encontrarse ficilmente lo: zando primero los valores correspondientes de Vp y de Ip como se muestra en la fig ra 1.30 y aplicando posteriormente la siguiente ecuacin Vo R=? | (1s) to [ (aay by 1 Figura 1.30 Deterinscisn dela resistencia de de de un iodo en un punta de oper ign en panicular La resistencia de de en el punto de inflexién de la curva y por debajo de él, seri ma- yor que los niveles de resistencia que se obtienen sobre la seccién de crecimiento vertical de las caracterfsticas, Los niveles de resistencia para la regién de polarizacién inversa na- (uralmente serdn muy altos. Ya que los Ghmetros utilizan por lo regular una fuente de co- rriente relativamente constante, la resistencia que determinen serd la del nivel de corrien- te predeterminado (comiinmente unos euantos miliamperes) Por lo tanto, en general, a menor corriente a través det diado mayor sera el nivel de resis- tencia de de 20 EJEMPLO 1.1 Determine los niveles de resistencia de para el diodo de la figura 1.31 utilizando los si- guientes valores: @ Ip=2mA (6) Ip = 20mA (©) Vp = -10V Solucién 0.5 V (de la curva) y Yo _ OSV Ty 2mA (b) En Jp = 20 mA, Vp = 0.8 V (de la curva) y a 250.0 Capitulo 1 Diodos semiconduetores Ipima) 30) [sic ahaa Figura 1.3L Ejemplo 1.1 (c) En Vp = ~10V, Ip = —Z, = — 1A (de la curva) y Vp _ 10V Ty HA con lo cual se sustentan las observaciones anteriores con respecto a los niveles de resis~ tencia de de de un diodo ema ee 10MQ. Resistencia de AC o resistencia dinamica A partic de ta ecuacidn 1.5 y del ejemplo 1.1, resulta obvio que la resistencia de de de un diodo es independiente de la forma que tenga la caracteristica para la regiGn que rodea al punto de interés. Si en lugar de aplicar una entrada de de, se aplica una entrada senoidal, la situacin cambiar por completo. La variaci6n de la entrada desplazaré al punto de ope- racién instanténeo hacia arriba y hacia abajo a una regiGn de las caracterfsticas y de esta forma definirs un cambio especitico en la corriente y el voltaje como se muestra en la fi- ¢gura 1,32, Sin la aplicacién de una sefial con variaciGn, ef punto de operacién estable se~ ria cl punto Q que aparece en la figura 1.32, detertinado por los niveles de de aplicados, La designacién de punto Q se deriva de la palabra estable (del inglés quiescent), que sig- nifica “quieto o sin variacién”” aractttcs del dod c NN Puta Q operas en) gara 1.32 Delinicion de le resistencia dinamica o resistencia de ae 18 Niveles de resistencia aay 21 Punwof | pat Figura 1.33. Deccrmina dela resistencia de ac para un punto @ EJEMPLO 1.2 22 Si se dibuja una linea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se muestra en ta figura 1.33, se definiré un cambio particular en el voltae y en la corriente que se puede uti- lizar para determinar la resistencia de ac o dindmica para esta regién de las caractertsticas del diode. Se deberd efectuar un esfuerzo para mantener el cambio en el voltaje y en la corrien- te lo mas pequeiio posible y equidistante de cada lado del punta Q. En forma de eeuacién, : donde A significa un cambio finito en Ia cantidad. (1.6) Micntras mayor sea Ia pendiente, menor seré el valor de AV, para el mismo cambio en Aly ¥ menor serd la resistencia, La resistencia de ac para la regién de crecimiento vertical de |e caracteristica es por lo tanto muy pequetia, mientras que la resistencia de ac es mucho ‘mayor para niveles bajos de corriente Por Io tanto, en general, mientras menor sea el punto de operacidn Q (corrente mas pe queha o voltaje mas pequefo) mayor serd la resistencia de ac Para las caracteriticas de la figura 1.34: (@) Determinar la resistencia de ac cuando Ip = 2 mA. (b) Determinar fa resistencia de ac cuando Jp = 25 mA. (©) Compaar los resultados de fos incisos (a) y (b) con la resistencia de de en cada ni- vel de corriente. Jota) Vow ay a, Figura 134 Bemplo 1.2 Solucién (a) Para el caso Ip = 2 mA; se dibujé la linea tangente en Ly = 2 mA como se muestra en la figura y se eligié tna excursién de la sefal de 2 mA por encima y por debajo del nivel de corriente especificado para el diodo. En el punto Jy = 4 mA, Vp = 0.76 V. y en Ip = OmA, Vn = 0.65 V. Los cambios en ta cortiente y el voltaje que resultan son Al, = 4mA —0mA=4mA uy AV, = 0.76 V = 0.65 V = 0.11 Capitulo 1 Diodos semiconductores y ta resistencia de ac: AVy _ OILY Al 4mA (b) Pata el caso Jy = 25 mA, se dibujé la linea tangente en If) = 25 mA como se muestra cn la figura, con una excursiGn de 5 mA por encima y por debajo del nivel de cortieate elegi- do para el diodo, Enel punto Ip = 30 mA, Vp = 0.8 V,y en Ip = 20 MA, Vo = 0.78 V. Los cambios en fa corriente y el voltaje que resultan son Al, = 30 mA ~ 20mA = 10mA 08 V ~ 0.78 V = 0.02V " = 2750 y y la resistencia de ac es (©) Para el cas0 Ip lo eval excede por mucho a la ry de 27.5 0. Para el caso Ip = 25 mA, Vp = 0.79 Vy Vy _ 0.79 = END 2 Ty SMA lo cual excede por mucho a Ja r, de 2 0. Caledlamos Ia resistencia dindmica de forma grifica, sin’ embargo, existe una defiai- cin basica en célculo diferencial que establece lo siguiente: La derivada de una funcion en un punto espcifico es igual a la pendiemte deta linea tan- gente dibujada en ese punto. Por lo tanto, la ecuacién 1.6 como se definis en ta figura 1.33, es equivatente a calevlar ta > en la seccién de la pendiente vertical de las caractersticas y al, dy i Wo Tx Al sustituir7) = 1 para el caso del Ge y del Si para la seceién de crecimiento vertical en Jas caracteristicas, obtendremos 11,600 11,600 ee 11,600 7 1 18 Niveles de resistencia 23 fi 24 ya temperatura ambiente, Ty = Te * 293° = 25° + 273° = 298° & _ 11,600 og 38 aly y ay, 7 38530 Alinvertr ef resultado para definir un indice de resistencia (R = V/M, se obtiene Vp _ 0.026 : ‘dp Ip a7 oes El significado de la ecuaci6n 1.7 debe entenderse claramente, ya que implica que la resis- tencia dindmica puede calcularse de forma simple al susttuir el valor de la cortiente en el punto de operacién del diodo en la ecuacién, No hay necesidad de tener disponible las ca- racterfsticas 0 de preocuparse por trazar Ineas tangenciales como se definié en la ecuacién 1.6, Sin embargo, es importante tener en mente que la ecuacidn 1.7 es exacta solamente para valores de /y que se encuentran en la seccién de ctecimiento vertical de la curva. Pa: ta valores menotes de Ip, 1] = 2 (silicio) por lo que el valor de rp obtenido se debe mul- tiplicar por un factor de 2. Para valores pequerios de Ip que se encuentran por debajo del punto de inflexién de la curva, la ecuacién 1.7 resulta inapropiada. “Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora se han definido para la unin p-ny no incluyen la resistencia del material semiconductor en s{ (denominada resistencia de cuerpa) ni la resistencia presentada por lt conexiGn entre el material semiconductor y el conductor metilico externo (denominada resistencia de contacto). Estos niveles adiciona- les de resistencia pueden incluirse en fa ecuaci6n 1.7 al agregarle Ia resistencia denotada por 7g Como se muestra en la ecuacién 1.8, Por lo tanto, fa resistencia r’, incluird tanto a la re- sistencia dindmica definida por la ecuacién 1.7 como a la resistencia rq recign presentada, 26 mV +19 ohms (1.8) ab El factor ry puede tener un rango de valores tipicos que van de 0.1 @ para el caso de dispositivos de alta potencia, hasta de 2.0 para el caso de algunos diodos de baja potencia de propésito general. Para cl ejemplo 1.2, Ia resistencia de ac para el nivel de 25 mA se calcul6 en 2.0, Al utiizar ahora la ecuacién 1.7 obtenemos 26mV _ 26 mV Ty 2SmA La diferencia de aproximadamente 1 {2 posirfa tomarse como la contribucién debida a rg Para el ejemplo 1.2, la resistencia de ae para el nivel de 2 mA se calcul como 27.5 0. ‘Ahora imediante Ia ecwacién 1.7 pero multiplicando por un factor de 2 para esta regidn (ya que en el punto de inflexién de la curva 1) = 2), 26 my 26 mv m= (2 i ) = 2. enw) = A130) = 62 04 2 ye La diferencia de aproximadamente 1.5 02 podrfa tomarse como la contribucién debida a ry En realidad, el cdlculo de rg con un alto grado de precisiOn a partir de la curva carac~ terfstica mediante la ecuacién 1.6 es un proceso dificil, cuyos resultados deben manejarse ‘con cuidado en el mejor de Jos casos. A niveles de corriente bajos del diodo, et factor rp normalmente es lo suficientemente pequefio en comparacién con r,como para permitir ig- Capitulo 1 Diodos semaiconductores norar su impacto sobre la resistencia de ac del diodo. A niveles altos de corriente, el nivel de rp puede acercarse al de ry, pero debido a que con frecuencia existiran otros elementos resistivos con magnitudes mucho mayores en setic con el diodo, se asumiré en este libro que la resistencia de ac se determina tinicamente por Fy. ignorando el impacto de ry'@ meiios ue se indique lo contrario, Las mejoras tecnolégicas de los tltinos afios sugieren que el 1 de rp continuara disminuyendo en magnitud y que eventualmente ser un factor que pueda ignorarse con seguridad al compararse con ra. ; 5] andlisis anterior se centré Gnicamente en a regin de polarizacién directa, para la regién de polarizaci6n inversa, asumiremos que el cambio en la corriente sobre la linea de 1, es nulo para la regién que va de los O V hasta la zona Zener por lo que Is resistencia de ac que resulta al aplicar la ecuacién 1.6 es lo suficientemente grande como para permi tir la aproximacién del circuito abierto, Resistencia de AC promedio Si la sefial de entrada es lo suficientemente grande para producir una excursién amplia co- ‘mo en la figura 1.35, la resistencia asociada con el dispositivo pars esta regién se denomi- na resistencia de ac promedio, la cual es, por definicién, la resistencia determinada por una linea recta trazada entre Tas dos intersecciones establecidas por los valores mfnimos y md ximos del voltaje de entrada. En forma de ecuacién (observe Ia figura 1.35), a9) Figura 135 _Determins. t 5 ee SPATE TOF Os G6 GTO OTT yyy idm de a resistencia d . promedio entre los limites avy indicados, Para la situacién indicada por la figura 1.35 Al, = 17mA — 2mA = 15 mA y AV, = 0.725 V ~ 0.65 V = 0.075 V AV, — 0.075 V = fe ES = 50 aa Ay sma Si Ja resistencia de ac (r,) se determinara cuando fy, = 2 mA su valor serfa mayor que 5.0, y si se determinara a 17 mA serfa menor. En medio, la resistencia de ac efectuaria la iransicién del valor alto en 2 mA hacia el valor bajo en 17 mA. La ecuacién 1.9 define un 18 Niveles de resistencia 26 valor que se considera un promedio de loy valores en ac de 2a 17 mA. El hecho de que un nivel de resistencia pueda emplearse para un intervalo tan amptio de caracterfstieas demos- (raré ser algo muy ttl en la definicién de cizcuitos equivalentes para un diodo en una sec- in posterior. Para ambos niveles de resistencia de de y de ac, mienttas menor sea el nivel de corrienie tutiizado para determinay la resistencia promo, mayor ser et nivel de resistencia Tabla de resumen La tabla 1.2 se desarroll6 para reforzar las conclusiones importantes de las tiltimas pag nas y para enfatizar las diferencias entre los distintos niveles de resistencia. Como se indi antes, el contenido de esta seccidn seri el fundamento para una gran cantidad de célculos de resistencias que se realizarin en secciones y capftulos posteriores. TABLA 1.2 Niveles de resistencia Caractersticas Definicion Tipo Ecuacion especiales DeDCorsitica Ry = 5 ‘Se define como un punto sabre fp las caracteristicas Punto Q De ac ‘odindiea Se define por una tinea tangente, £0 enc punto 0 By Ip Se define por una tines ae ety tects ene los lites de operacién 1.9 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS. Un cireuito equivalente es una combinactén de elementos elegidos de forma apropiada pa- ra representar de la mejor manera las caracteristcas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para wna region de operacién particular. En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible eliminar el simbolo del dispositivo de un diagrama y susttuirio por el circuito equivalente sin afectar de forma importante el comportamiento reat del sistema. El resultado a menudo es una red ‘que puede resolverse mediante las téenicas tradicionales de andlisis de circuitos. Capitulo 1 Diodos semiconductores Cireuito equivalente de segmentos lineales Una téenica para obtener un citcuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las catacteristicas det dispositivo utilizando segmentos de Iineas rectas, como se muestra en la figura 1.31. Al circuito equivatente resultante se te denomina, como es natural, circuito cequivalente de segmentos lineales. Debe resultar obvio al observar la figura 1.36 que los segmentos de lineas rectas no representardn una copia exacta de las caracteristicas reales, especialmente en la regién del punto de inflexién; sin embargo, los segmentos resultanies son lo suficientemente aproximados a fa curva real que es posible establecer un circuito equivalente que proporcionard una primera aproximacién excelente al comportamiento real del dispositivo, Para la seccién con pendiente del equivalente, el nivel de resistencia de ac promedio que se presentd en la secciGn 1.7 seri el nivel de resistencia que aparece en el circuito equivalent de la figura 1.37 posterior al dispositivo real, En esencia, define el nivel de resistencia del dispositivo cuando éste se encuentra en el estado de “encendido”. El iodo ideal se incluy6 con el objetivo de establecer que s6lo existe una direccién de con- duccién a través del dispositivo y que una condicién de polarizacién inversa para el dispo- sitivo ocasionaré el estado de circuito abierto. Debido a que un diodo semiconductor de si- licio no aleanza el punto de conduccién sino hasta que Vp llega a 0.7 V bajo polarizacién directa (como se muestra en la figura 1.36) deberd existir en el circuito equivalente una ba- torfa Vr que se oponga a la direccién de conduccién como se muestra en la figura 1.37. La baterfa solamente indica que el voltaje a través del dispositivo deberd ser mayor que el vol- taje de umbral de la baterfa antes de que pueda establecerse una conduccidn a través del dispositivo en la direccién determinada por el diodo ideal. Cuando la conduccién se esta- blezca, la resistencia del diodo serd el valor especificado de ray ‘Sin embargo, recuerde que Ven el circuito equivalente no es una fuente de voltaje in- dependiente. Si se coloca un voltimetro sobre un diodo en particular encima de una mesa de laboratorio, no se obtendré una lectura de 0.7 V. La baterfa solamente representa el des- fasamiento horizontal en las caracteristicas que deberdn superarse para poder establecer la conduccién, Figura 1.36 Definicion del circulto equivalente de segmen- tes tinealesutiizando segmentos 07V OSV Vo(¥) de tineas ects para aproximar Wp Ta curva caractetstic + Yo 2 Diode ideat ee Vr e a —B > 4 > ory 8 ib Ib Figura 1.37 Componentes del cireuto equivalente de segmentas lineales 1.9 Circuitos equivalences para diodos Pe) 28 El nivel aproximado de ray puede determinarse generalmente a partir de un punto de operacién que se describe en la hoja de especificaciones (que se discutiri en la seccién 1.10). Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio, si ly = 10 mA (una corriente de conduccién directa pata el diodo) cuando Vi = 0:8 V, sabemos que para el silicio se re- queriré un desplazamiento de 0.7'V para que la curva caracteristica se eleve y Av, O8V-~07V _ O1V AL, Vpunoasene WMA = OmA 10 mA 1 =a segtin se obtovo para la figura 1.36. Circuito equivalente simplificado Para la mayorfa de aplicaciones, la resistencia ry es lo suficientemente pequefia al compa rarla con los otros elementos de la red, como part poder ignorarla. La eliminacién de ry del circuito equivalente es similar a afirmar que las caracteristicas del diodo son las que se ‘muestran en la figura 1.38, Por cierto, esta aproximacién se utiliza frecuentemente en el ‘andlisis de circuitos semiconductores como se veri en el capitulo 2, El circuito equivalen- te reducido se muestra en Ia misma figura, y manifiesta que en un sistema electrénico, un iodo de silicio polarizado directamente, bajo condiciones de corriente de tended una cada de 0.7 V a través de él, en el estado de conduccisn a cualquier nivel de cortiente del diodo (por supuesto, dentro de los valores nominales) to + Vp S be vy=07¥ a 1D iodo idea 0 ¥=07V vy Figura 1.38 Circuito equivalene simplifcado pata el diodo semiconductor de silico. Circuito equivalente ideal Una vez que se ha eliminado r,, del circuito equivalente vayamos un paso adelante y es- tablezcamos que un nivel de 0.7 V normalmente puede ignorarse cuando se compara con el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el cireuito equivalente se reduciré al de un dio- do ideal con sus caracteristicas como se muestra en Ja figura 1.39. En el capitulo 2 vere- mos que es posible utilizar esta aproximacién sin una pérdida considerable de precisién. En la industria, una popular sustituciéin de la frase “circuito equivalente de diodo” es ‘modelo de diodo, un modelo por definicién es una representacién de un dispositive, obje- to, sistema, u otro existente, De hecho, esta terminologfa alternativa serd utilizada de for- ma casi exclusiva en los capitulos siguientes, to oY, Figura 1.39 Diode ideal y sus cavacterstcas. Capitulo 1 Diodos semiconductores Tabla de resumen Por claridad, los modelos del diodo que son utilizados para la variedad de parmetros y aplicaciones se presentan en la tabla 1.3 jomto con sus caracteristicas de sezmentos linea tes. Cada una de elas se revisard con mayor detalle en el capitulo 2. Siempre existen ex- cepciones a la regla general, sin embargo, es seguro afirmar gue el modelo equivalente simplificado se utilizar de manera mis frecuente en e! andlisis de sistemas eleetr6nicos inientras que el diodo ideal se aplicard con mayor egalaridad en el anilisis de sistemas de fuentes de alimentacién donde existen voltajes mayores. TABLA 1.3 Circuitos equivalentes de diodos (modelos) Modelo Caracteritens b Madelo de segmentosfncales dh ta, » Modelo siniplficndo Ray ® Fu th aE, (eet Dispsitvoideat Rah te 4 - eae he io "at 1.10 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS Los datos sobre especificaciones de dispositivos semiconductores son proporcionados nor- rmalmente de dos maneras por el fabricante, La forma mas comtin es mediante una breve descripeidn que se limita a una pagina como méximo. La otra manera es por medio de una revisién de las caracteristicas utilizando grificas,ilustraciones, tablas, etegtera, En cual- ‘quier caso, existen conjuntos de datos especificos que deben incluirse para una utilizacién correcta del dispositivo, ¢ incluyen: EL voltaje directo Vi (para una corriente y temperatura definida) La corriente directa méxima Jy (para una temperatura definida) La corriente de saturacién inversa Jy (para un yoltaje y temperatura definidos) El nivel de voltaje inverso [PIY, PRV 0 V(BR), donde BR proviene del término “rup- tura” (del inglés breakdown) (para una temperatura definida)] El nivel de disipacién para la maxima potencia en una temperatura particular Los niveles de capacitancia (como se definirén en la seccién 1.11) El tiempo de recuperacién inverso #,, (como se definird en la seceién 1.12) El rango de temperatura de operacién Segin el tipo de diodo que se considere, se pueden proporcionar datos adicionales, co- ‘mo son: rango de frecuencia, nivel de nuido, tiempo de conmutaci6n, niveles de resisten- 1.10 Hojas de especifcaciones de diodos 29 30 cia térmica y los valores pico repetitives. Para una determinada eplicacién, el significado de los datos serd autoevidente. Si se proporciona la méxima potencia o valor de disipacién se entiende que serd igual al siguiente producto: Poinis ty 10) donde Ip y Vp son la cortiente y el vottaje del diodo en un punto de operacién panicular, Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacién particular (un caso comin), podemos sustituir Vp) = Vr = 0.7 V para un diodo de silicio en Ia ecuacidn 1.10 y deter- sigade = (0.7 Vln aay En las figuras 1.40 y 1.41, se proporciona una copia exacta de los datos de un diode de alto voltaje y bajo nivel de fuga. Este ejemplo representa el caso de la lista expandida de datos y caracteristicas, El térmnino recuificador se aplica a un diodo cuando éste se utiliza ‘con frecuencia en un proceso de rectificaciin como se describe en el capitulo 2 minar la disipacién de potencia resultante para compararla contra el valor de maxima potencia. Esto es, DIFUSION PLANAR DE SILICIO. PERF DOS rt. ect — Lye "Range de Tener B i +15, } ‘Temperature dela Cones Ge eer _ Disipacin de Potencla (Nota 2) iad ic ‘isipacis de Pensa Macing Toa ee Aabienie &e 25°C 777 “S00 TAW? wa Factor Lineal de Decrement de Disipacion de Ptencia 3. 33mWPC, Voltas y Corrientes Minimos wiv) Voll Inver de Tiakajo BAYS lo Corriente promedio etifieada D—}———fp. Come Canna Dinota y ‘Grsiente Direct de Pio Repetto igetecana) Cotton pic directa en sobvearga ‘Anche de pula = 15 ‘Ancho de puso = | ps l ov i pons wae eae oe 5, Se oa | Geese ate ‘lade Epes et pages de 4 gas ‘CARACTERISTICAS ELECTRICAS (25°C de temperatura ambient, a menos ques ndigue lo contrat) CURVAS TIPICAS DE CARACTERISTICAS ELECTRICAS, (2 wmperatura ambiente de 25°C, a menos que s indique lo contrary (CORRIENTE DIRECTA VERSUS. (COEFICIENTE DE TEMPERATURA ‘CAPACITANCTA VERSUS VOLTAJE INVERSO, 50 a < < ro — = 100) zg i E 0.01! 0.01, , = dt oF Os 06 08 1012 ‘0 05 46 15 20 25 50 yao 80H p= Woe dro ~ vols ‘TC ~Coxfiieme de temperatura ~ mVPC Yp— Wola ner vols VOLTAJE INVERSO VERSUS, CORRIENTE INVERSA VERSUS IMPEDANCIA DINAMICA VERSUS ‘CORKIENTE INVERSS ‘COFFICIENTE DE TEMPERATURA ‘CORRIENTE DIRECTA z 5K, 109 z 2K é fotki 3 2 1d He Fy =O. 2 2 f 109) = & E 5 E i i Bay 1 02830 75 100 125 150 Ty~ Temperatura ambiente °C Vg Voltyjeinverso vols oot 010 10 100 aK 10K ~ fnpedanciainnien 2 maT wnt : {ONES DE PRUE |s{MBOLO| CARACTERISTICA Mis, [Max | DADES. CONDICIONES DE PRUEBA Te Wi bie {038°} co 4 tar | ose 7s | oxe oa | oan er | 078. r {0.607 }-0.68" G Ie ‘Corriente Inversa } 500: 3 eee Vp= 180V" YEN, t0rc iy | ieee = ips lak 4 TF caps Bets TTT 1 oP Tiempo de Remap S10 Ne= SY Teno =I say GEHOREANS ons [VE ses soles ine, pr ein seuss I capaci etic del dito vera tera, 2 Eamon ise nad eabie Debersconte ona Se nase que olen pS ‘open le deta ape Figura 1.40 Caracteisicas electicas de un diodo de alto volte y bajo nivel de fuga Capitulo 1 Diodos semiconductores CCURVA DE DECREMENTO DE DISIPACION DE POTENCTA P= Pisipacin de potencia mW % 25.50 75 100125 180175200 1 Temperatura anbiene -*C Figura 1.41 Carsetristicas térmicas para un diodo de alto votaje CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO YY CORRIENTE DIRECTA VERSUS, ‘TEMPERATURA AMBIENTE 1 Comreme ma Ql ‘0-25 30 75 100125180 175200 T,~ Tempereor ambiente °C 1.10 Hojas de especificaciones de diodes 31 32 Se resaltaron con letra cursiva los pirrafos de determinadas cificaciones que corresponden a la siguiente descripeién: 1g05 de la hoa de espe- A: Los voltajes de polarizacisn inversa’mfnimos (PIV) para un diodo a una corrien- te de-saturacién inversa determinade. B: Caracteristicas de temperatura sewn se indies. Observe el empleo de la escala de Celsius y el amplio rango de utilizacién [recuerde que 32°F = 0°C = punto de congelacién (HO) y que 212°F = 100°C = punto de ebullicién (H,0)}. C:_ Nivel maximo de disipacién de potencia Pry = Vp = 500 mW. El valor de po- tencia maxima disminuye a una proporcidn de 3.33 mW por cada grado de tem- Peratura que se increments por encima de la temperatura ambiente (25°C), ct mo claramente se muestra en la curva de decremento de disipacién de potencia de la figura 1.41 D: Corriente directa continua maxima fy. = 500 mA (observe la comparacién de Ip versus temperatura en fa figura 1.41), EB. Rango de valores para Vp-cuando Ip = 200 ma. Observe que excede Vp = para ambos dispositivos. F: Rango de valores para Vp cuando J: = 1,0 mA. Observe como, en este caso, cl limite superior se acerca a 0.7 V. G:_ Bn el nivel Vp = 20 V y a una temperatura de operacién tipica, [y= 500 nA = 0.5 WA, mientras que a un voltaje inverso mayor fy cae a5 nA = 0.005 iA. H: El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo cuando Vz = Vp) = OV (sin polarizacién) y con un frecuencia aplicada de | MH. 1 Eltiempo de recuperacién inverso es de 3 jas para la lista de condiciones de ope- racién, LTV Algunas de las curvas de la figara 1.41 utilizan una escala logarftmica; una rpida lec- tura de la secci6n 11,2 ayudard a la lectura de estas grificas. Observe en la figura superior inquierda como V» se increments desde un valor de 0.5 V hasta més de 1 V, ¢ medida que 4 se increments de 10 j2A hasta mas de 100 mA. En la figura inferior, vemos que la co- Tiente de saturacién inversa se modifica ligeramente con los niveles erecientes de Vp, pe- Fo permanece a menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta niveles de Vp = 125 V. Sin embargo, como se indica en la figura adyacente, observe la rapidez con que la cortiente de saturacién inversa se inrementa en relacién con los incrementos en la temperatura (como lo habjamos pronosticado anteriormente). En la figura superior derecha vemos como disminuye la capacitancia a medida que se incrementa el voltaje en polarizacién inversa, y en la figura inferior observamos que la re- sistencia de ae (rq) es tan s6lo de 1 Qa 100 mA y que se incrementa a 100 0 para cortien- tes menores de 1 mA (como se sabia por las explicaciones anteriores). Lacomtiente promedio rectficada, la corriente directa pico repetitivo y la comiente pi- co en sobrecarga directa que se muestran en la hoja de especificaciones se definen como: |. Corriente promedio rectificada. Una sefial de media onda rectificada (como se descri- be en la seccién 2.8) posee un valor promedio definido por fy = 0.318 Ipie. El valor de la cortiente promedio es menor que el valor de las corrientes directas contiinias 0 de pico repetitivo, ya.que una forma de,onda de corriente de media onda tendr4 valores instanténeos mucho mayores que el valor promedio. 2. Corriente directa pico repetitive. Este es el valor instanténeo maximo de la corriente directa repetitiva. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un pe- riodo breve, su nivel puede llegar a ser mayor que el del nivel continuo, 3. Corriente pico en sobrecarga directa, En ocasiones, durante el encendido, los proble- ‘mas de funcionamiento, etcétera, aparecen corrientes muy altas a través del dispositive Por intervalos de tiempo muy cortos (que no son repetitivos). Estos indices definen el valor maximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas en el nivel de corriente Capitulo 1 Diodos semiconductores Mientras mas se familiariza uno con las hojas de especificaciones, més féciles de usar se vuelven, especialmente cuando se comprende de forma clara el impacto de cada pard- ‘metro para la aplicacién bajo investigacién, 1.11 CAPACITANCIA DE TRANSICION Y DE DIFUSION Los dispositivos electrdnicos son muy sensibles inherentemente a las alts frecuencias. La ‘mayoria de los efectos capacitivos pueden ignorarse a bajas frecuencias, ya que su reactan- cia Xe = 1/2afCes ry ala (equivalents «un crete aber.) Eso, sin rang. rope de ignorase prac sso de frecuencia ny alas, debi # que Xe s volver ose. iene pequ, gracias al ao valor de cons par truer una tayectori en corto” de baja reactancia, En el diodo semiconductor p-n existen dos efectos capacitivos que debern considerarse. Ambos tipos de capacitancia se presentan tanto para la regiGn de polarizacion directa como para la inversa, pero dado que siempre una de ellas supera por mucho a la otra en cada regién, consideraremos los efectos de solo tna de ellas para cada regiGn, fn ta region de plarizcion invers, se presnta te capactanca de arson Cx) @ de regidn de agotamiento, mientras que para la regién de polarizacian directa tendremos ta capacitancia de difusion (Cp) 0 de abwacenamiento " én bésica para la capacitancia de un capacitor de placas para- res ‘eter C Seal A, done esa permiividad del dieécico (aistante) entre las placas con érea A que se encuentran separadas por una distancia d. Para ta regién de pola- rzacin iver existe una region de agotamient libre de portadoes) que esencialment se comporta como un aislante entre las capas de cargas opuestas. Debido a que ta ampli- tud acho del egin de agotamiento (se inerementa al aumentr el penta de pla rizacién inversa, Ia capacitancia de transicién resultante disminuiré, como se muestra en la figura 1.42. El hecho de que la capacitancia sea dependiente del potencial de polarizacion inversa tiene aplicaciones para numerosos sistemas electrnicos. En el capitulo 19 se pre sentard un diodo cuya operacisn depende completamente de este fenémeno. con — © 2 2 as 0 fusién en funcion de la poatiza- Figura 1.42 Copacitancias de tansiclon de dius ign aplicada para un diodo de siici. Aunque el efecto descrito anteriormente también se presenta en la regi6n de polariza- ci6n directa, éste es mucho menos que el ensombrecido por el efecto de capacitancia que es dependiente directamente de la Velocidad a la cual se inyecta la carga en las regiones jus- to fuera de la regién de agotamiento, El resultado es que-niveles crecientes de corriente provocardn niveles crecientes de capacitancia de difusién, Sin embargo, niveles crecientes de corriente, provocan niveles reducidos de resistencia asoeiada (la cual se demostraré mis adelante), y que la constante de tiempo resultante (t = RC), muy importante en aplicacio- locidad, no se vuelve excesiva i? Uosetecee capacitivos deseritos antes, se representan con un capacitor en paratelo con «el diodo ideal, como se muestra en la figura 1.43, Sin embargo, para el caso de aplicacio- nes de baja o mediana frecuencia (excepto en el drea de potencia), el capacitor normalmen- te no se incluye en el simbolo del diodo, 1.11 Capacitancia de transteion y de difusion G00 Figura 1.43 focorporaeion det efecto de capactancia de transi- clon o difusion en el diedo seni conductor ce 34 1.12 TIEMPO DE RECUPERACION INVERSO. Existen ciertos datos que comtinmente los fabricantes proporcionan en las hojas de espe cif le Los diodos; una de estas cantidades que ain no hemos revisado, es el tiem po de recuperacién inverse, representado por i, Ateriormente se mostr6 que en el estado de polarizacién directa, existe una gren cantidad d& electrones que se miseven del material é& tipo m hacia el material de tipo p, y una gran cantidad de huecos en el material tipo p ha cia el material tipo 1, fo cual es un requisito para que exista Ia condaccidn, Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden a través del material tipo n establecen un gran eto de portadores minotitatios en cada material. Si el voligje aplicado se debiera in vertir con el objetivo de establecer una situacién de polatizacién inversa, idealmente veria ‘mos que el diodo cambia de forma instantinea de un estado conductive a uno no conduc tivo. Sin embargo, debido af alto nimero de portedores minoritarios en cada material. Is corriente del diodo sencillamente se invierte como se muestra en la figura [.44, y se man- tiene en este nivel perceptible, durante un periodo f, (tiempo de almacenamiento), que re quieren les portadores minoritarios para regresara su estado de portadores mayoritatios en cel material opuesto. En esencia, el diodo permaneceri en el estado de circuito cerrado con tuna cortiente Jinyesy determinada por los pardmetros de Ia red. Eventualmente, cuando esta fase de almacenamiento termine, la corriente reducira su nivel hasta alcanzar aquel asociado con el estado de no conduccisin, Este segundo periodo se representa por f (inter valo de transicién). El tiempo de recuperacién inverso sera la suma de estos dos interve- Tos: tye = t,+ te Naturalmente, este valor es una consideracién muy importante en aplice ciones de conmutacién de alta velocidad, La mayoria de los dicdos de conmutacién disponibles comercialmente, poseen un ¢,, €n rangos de unos cuantos nanosegundos hasta | ys, Sin embargo, existen unidades disponibles, con un ¢,, de s6lo unos cuantos cientos de picosegundos (10°), Ho Cambio equerid de estado L / feenida + apagag ef _ Respuesta deseada 1, Figura 1.44 Delinicion del dempo de recuperacion inve 1.13 NOTACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES Las notaciones que de manera més frecuente se utilizain para los diodos semi¢onductores, se proporcionan en la figura 1.45. Para la mayorfa de los diodos, se presenta una marca co- mo un punto o una banda en la terminal del cétodo. La terminologia de énodo y edtodo es un legado de la notacién de los tubos de vacfo. El dnodo se asocia con el potencial mayor el positivo, y el cétodo con la terminal con et potencial menor o negativa. Esta combina- cidn de niveles de polarizacién provocaré una polarizacién directa para el diodo o condicién de “encendido”, En la figura 1.46 se muestran vatios diodos semiconductores comiercial- mente disponibles. Algunos detalles acerca de la fabricacién real de dispositivos como los due aparecen en la figura 1.46 se proporcionan en los capftulos 12 y 19. Capitulo 1 Diodos semiconduetores 0+, K, etcetera p Figura 1.45 Notaciones de diodes serleonductores. Figura 1.46. Varios tipos de diodos de unin. [(a) Coresia de Motorola tne; (b) y (©) Contesia de Intercational Rectiler Corporation| 1.14 PRUEBAS DE DIODOS. Bl estado de un diodo semiconductor puede determinarse de forma rpida mediante: (1) un multimetro digital (DDM, por sus siglas en inglés digital display meter), con funcién de verificacién de diodos, (2) la funcién de Ghmetro de un multimetto, 0 (3) un trazador de curvas. Funcién de verificacién de diodos En la figura 1.47, se muestra un multémetro digital con capacidad de verificacién de dio- dos. Observe el pequefio simbolo de diodo en una de las opciones de la perilla selectors. Cuarido se coloca en esta posicién y se conecta como se muestra en la figura I 48a, el diodo deberd estar en el estado de “encendido” y la pantalla indicard el voltaje en polarizacion directa tal como 0.67 V (para el Si). El multimetro cuenta con una fuente constante de co- rriente (aproximadamente de 2 mA) que definird el nivel de voltaje de la misma forma que se indica en la figura 1.486, Un mensaje de OL en la pantalla cuando se conecta, como en Ja figura 1.48a, indica un diodo abierto (defectuoso). Si se conecta de forma invertida, el mensaje OL se deberd a Ia equivalencia de circuito abierto que se espera. En general, por lo tanto, si aparece e! mensaje OL cuando el diodo se conecta en ambas direcciones, esto serd indicativo de un diodo abierto 0 defectuoso. 1.14 Pruebas de diodos 35 (Ohmetr) relaivamente baja “Termin Tein ja) Jose (COM) + ~ @ -relatnamente ae, Tenia “emia sericono] | sey ppt Figura 1.49. Verificaeién de un diodo mediante un shes 36 Figura 1.47 Multimetro digital con. eu picidd de vevifieacion de diodos. (Cor es Technology: Ine.) esa de Compt Terminal Terminal soja (VD) negra (COM) Figura 1.48 Verieacion de un diodo en estada de pola © zacion directa, Prueba con un 6hmetro En Ja seccién 1.8 vimos que Ia resistencia en polarizacién directa de un diodo semicondue. tor es muy baja en relacidn con el nivet en polarizacién inversa, Por esto, si medimos la resistencia de un diodo utilizando las conexiones indicadas en la figura 1.49a, podemos es perar un nivel bajo relativo. El valor que indica el Ghmetro serd una funcién de la corrien- te que establece a través del diodo la baterfa interna (generalmente de 1.5 V) del eircuito del Ghmetro, Mientras més alta sea la corriente, menor seri el nivel de resistencia. Para la situaci6n de polarizacién inversa, a lectura que aparece deberd ser muy alta, por lo cual se requeriré de una escala grande de resitencia en el multimetro, como se indica en la figara 1.49b, Obviamente, si se obtiene una lectura que muestra un nivel alto de resistencia en ambas direcciones, se tratard de una condicidn abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una Tectura que muestra un nivel muy bajo de resistencia en ambas direcciones indi- card que probablemente se trata de un dispositivo en corto Trazador de curvas El trazador de curvas de la figura 1.50 puede desplegar las caracteristicas de una variedad de dispositivos, incluso las del diodo semiconductor. Al conectar de forma apropiada el diodo al tablero de prucbas en la parte baja central de la unidad y al ajustar los controtes, se obtiene Ia imagen de la figura 1.51. Observe que la escala vertical es de | mA/div, con lo que se obtienen los niveles indicados. Para el caso de la escala horizontal se utiliza 100 mVidiv, con to cual también se obtienen los niveles de voltaje que se indican. Para un n vel de 2mA como el utilizado con el multimetro, el nivel resultante serfa de aproximada- mente 625 mV = 0.625 V. Aunque el instrumento inicialmente podrta parecer complejo, el ‘manual de instrueciones y algdn tiempo de préctica hacen que sea posible obtener los re- Capitulo 1 Diodos semiconductores e a : Figura 1.50 is REE (Cones de kien. nc) mr on i ‘eee bo T —) ine nf} = ba | | sorta 4 ct iconv a TPA (rae sa HH ee mt ttt = a : ree] gua 131 Sep del i division | trazador de curvas para el OAs Ev 020 AAV DAV OSV O6V ON OVO IOV iodo de siicio 1N4007 sultados buscados sin una gran cantidad de tiempo y esfuerzo. Este mismo dispositive apa recerd en mis de tna ocasin en los capftulos siguientes a medida que revisemos las earac- terfsticas de los diversos dispositivos. 1.15 DIODOS ZENER En la secci6n 1.6 analizamos con cierto detalle la regién Zener de ta figura 1.52. En la que se aprecia la cafda en una forma casi vertical de la caracteristica bajo un potencial de pola rizacién inversa denotado como Vz, BI hecho de que la curva eaiga alejada del eje horizon. tal en lugar de que se eleve alejada de Ia regis positive Vp indica que la corriente en la re- i6n Zener mantiene una direccién opuesta a aquélta de un diodo en polarizacién directa Esta regién de caracteristicas tnicas se utiliza en ¢l diseiio de los diodos Zener, los cuales tienen el simbolo grifico que aparece en ta figura 1.53a, Tanto el diodo semicon- ductor como el diodo Zener se presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se en- tienda claramente la direccién de la corriente en cada uno, junto con la polaridad requeri- da para el voltaje aplicado, Para el diodo semiconductor, el estado de “encendido” resistiré tuna cortiente en direccién de la fecha del simbolo, Para el diodo Zener, la direccién de conduccién es opuesta a la flecha de su simbolo como indicamos en la parte introductoria de esta seccién. Observe también que la polaridad de Voy de V, son las mismas que las que se hubieran obtenido si ambos fueran elementos resistivos. 1.15 Diodos Zener Figura 1.52 Observacisn de la repion Zener @ © Figura 1.53. Dissccion de la a: (a) iodo Zener micondluctor ey) @ © Figura 1.54 Cicuite equivalen te Zener (a) completo: (@) aprox mado, La localizacién de la regién Zener puede controlarse mediante la variacién de tos ni- veles de dopado, Un ineremento en el dopado, que produce un ineremento en el niimero de impurezas afiadidas, disminuye el potencisl Zener. Existen diodos Zener disponibles con potenciales Zener de 1.8.a200 V con valores de potencia $ a 50 W. Det cidad para soportar temperaturas y-corriente mayores, se prefiere utilizi el si bricar diodos Zener. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regi6n Zener incorpore una pe- r ce [a impedancia dinémica en este nivel de corriente. La impedancia maxima en el punto de inflexién ocurte en la cortiente del punto de inflexién f,,. Se proporciona ademas la co- rriente de saturacién inversa para un nivel potencial particular, ¢ fry es la cortiente méxi- ‘ma para la unidad de 20%, El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual de V, con respecto a la tern= peratura, y se define por la ecuacién IC (1.12) ype 125A aw 32 mA Figura 1.55 Cancteris teas de prueba de Zener TABLA 1.4 Caracteristicas eléctricas (25°C de temperatura ambiente a menos que se indique lo contrario) Voliaje Conriente——Impedancia Impedancia Comrente Volaje Comrente Zener de Dindmica Maxima en el Inversa de Reguladora Coeficente Nomina, Prueba, Maxime, punto de inflexiin, Maxima, Prucba, Méxina, Tipico de ley Zar dler 2a a Ieg ha Vp Vp a Temperatura (ma) o QnA) (ua) 2) (nd) ero) 0 ns as 100025 10 12 2 +007 Capitulo 1 Diodos semiconductores donde AV; es el cambio en el potencial Zener, resultado de Ia variaciOn de temperatura, Ob- serve en la figura 1.56a que el coefiviente de temperatura puede ser positivo, negativo e in= cluso cero para los distintos niveles Zener, Un valor positivo indica un ineremento-en Vz co- ‘io resultado de un ineremento de temperatura, mientras que un valor negativo indica un docremento-en el valor cuando ta temperatura se increments. Los niveles de 24 V, 6.8 V y 3.6 V se refieren a tres diodos Zener que cuentan con estos valores nominates dentro de una misma familia de Zeners, La curva para el Zener 10 V naturalmente se encontrarfa entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V y de 24 V. Regresando a la ecuacion 1.12, T, ¢s la tem- peratura a fa cual V se suministra (normalmente a temperatura ambiente de 25°C), y 7; es cl nuevo nivel. El ejemplo 1.3 demostrard la utilizacién de la ecuacién 1.12. Inpedancia dinsmmica versus corriente Zener Coefieiente de temperatura ‘versus corriente Zener 1a a™ ay 200 2 008 = 10 2 — so! Boo 2 e 2 2-008 pe i a § 008 7 é i 24V oC 1 “Ror oosor ost 510 s0i00 0102 05:1 2 $1020 50100 Cette Zens) Comet Zone f(A) © Figura 1.56 Caractersticas eléctricas de un dodo Zener de 10 V, 500 mW, Determine el voltaje nominal del diodo Zener de la tabla 1.4 a una temperatura de 100°C. Solucién, A pantir de Ia ecuacién 1.12, TW, AMVs = 5g (Ti ~ To) Al substituir valores de la tabla 1.4 tenemos. (0.072)(10 V) Sarr eth n= Tg (HOC ~ 25°C) (0.0072)(75) 0.54V xy dado que el coeficiente de temperatura es positivo, el nuevo potencial Zener definido por Vi, es =V, + 054V 10.54 En la figura 1.56b, se muestra la variacidn en Ia impedancia dindmica (fundamental- mente, st resistencia en serie) a cambios en la corriente. De nuevo, el diodo Zener 10 V oe EJEMPLO 1.3 39 40 aparece entre los Zeners 6.8 V y 24 V. Observe que mientras mis fuerte es la cotriente (0 mientras mas arriba de la curva en crecimiento vertical se encuentre en la figui ‘or serd el nivel de resistencia, Observe también que a medida que se cae por debajo del punto dé inflexién de la curva, la resistencia se incrementa a niveles considerables, En la figura 1.57 aparecen tanto la identificacién de las terminales como el encapst lado para distintos diodos Zener, La figura 1.58 es una fotografia real de una variedad de instrumentos Zener. Observe que su apariencia es muy parecida a la de los diodos semicon. uctores, En ef capitulo 2 se revisardn algunas reas de aplicacién para los diodos Zener. [Fagus 137 tenuizcon terminaes y simbolos del Zen Figura 1.58. Diodos Zener, (Comesia de Siemens Compo- ratian), 1.16 DIODOS EMISORES DE LUZ La utilizacién creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en toda forma de instrumentacién ha contribuido al amplio interés actual en estrueturas que puedan emit luz cuando se polarizan de forma apropiada. Las dos formas que comtinmente se utilizan en la actualidad para realizar dicha funcién son los diodos emisores de luz (LED det in- glés: Light Emitting Diode) y la pantalla de cristat tiquido (LCD del inglés: Liquid Cris tal Display). Debido a que el LID esté dentro de la familia de dispositivos de unin p-n y que aparecerd en algunas de las redes de los siguientes capitulos, se presentaré en este ca pitulo, La pantalla tipo LCD se describe en el capitulo 19. Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que es capaz de ‘emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier unin p-n con polarizacién directa exis te, dentro de la estructura y prineipalmente cerca de Ia unién, una recombinacién de hue- cos y electrones. Esta recombinacién requiere que la energfa poseida por el electrdn libre sin enlace sea transferida hacia otro estado, En todas las uniones de semiconductor cierta cantidad de esta energia se. desprendera en forma de calor y otra en forma de foto- nes. En el caso del silicio y del germanio, el porcentaje mayor de energia que se'despren- dees en forma de calor y en una medida insignificante, se desprende luz emitida. En otros materiales, como el fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) o el fosfuro de galio (GaP), el rndimero de fotones de energia luminosa emitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible. Al proceso de emisién de luz mediante ta aplicacion de una fuente de energia eléctrica se le denomina electroluminiscencia. Como se muestra en la figura 1.59 con su simbolo grafico, la superficie conductora que se encuentra conectada al material p es mucho més pequefia, con el objeto de permitir la Capitulo 1 Diodos semiconduetores Ler visible Contacte metlico emisién det méximo mimero de fotones de energia turninosa, Observe en la figura que Ia recombinacién de los portadores inyeetados, debido a la unién con polarizacién disecta, provoca una emisién de luz en lugar de fa recombinacién. Desde luego, puede existr cier- ta absoreidn de los paguetes de energia fotdnica en la misma estsuctura, sin embargo, un alto porcentaje sera capaz de escapar, como se seffala en la figura, La apariencia y caracteristicas de una Kimpara subminiatura de estado solido y alta efi- ciencia que fabrica Hewlett-Packard se ejemplifica en la figura 1.60. Observe en la figura 1.606 que la corriente pico directa es de 60 mA, mientras que 20 mA es la corriente directa promedio tépica. Sin embargo, las condiciones de prueba listadas en la figura 1,60e, son rael nivel de corriente de 10 mA. El nivel de Vp bajo condiciones de polarizacién directa se dica como Vy y se extiende desde 2.2 hasta 3 V. En otras palabras, es posible esperar una corriente de operacién tipica cerca de 10 inA ®2.8 V para una buena emisién de luz. Existen dos cantidades indefinidas atin, debajo del encabezado de Caracteristicas Elée- tricas/Opticas cuando T, = 25°C. Estas son la intensidad luminosa axial (Iy) y la eficiencia lumminosa (m,). La intensidad de Ta luz se mide en candetas. Una candela emite vn ujo de luz de 4zr Kimenes y crea una iluminacién de | candela/pie sobre un érea de I pie cuadra- do a una distancia de un pie de Ia fuente de luz. A pesar de que tal vez. esta descripcién no proporcione un entendimiento claro de Ia candela como tnidad de medida, ciertamente, su nivel puede compararse con otros dispositivos similares, El término eficiencia es por defi- nicién una medida de la habilidad que tiene un dispositivo para producir un cierto efecto. Para el caso del LED, la eficiencia es la raz6n entre el némero de lumenes generados por ‘watt o energfa eléctrica aplicada. La eficiencia relativa se define como la intensidad Iumi- rosa por unidad de corriente, de la forma en que se sefiala en Ia figura 1.60g. La intensidad relativa de cada color en funcién de la longitud de onda se muestra en la figura {,60d. Debido a que el LED es un dispositivo de unin p-n, asumiré una caraeterfstica de po- larizacién directa (figura 1,60e), similar a la curva de respuesta del diodo, Observe el in- cremento précticamente lineal de la intensidad luminosa relativa en funcién de la corriente directa (figura 1.608). La figura 1,60h muestra que mientras mayor sea la duracién del pul- so d una frecuencia particular, menor sera la corriente pico permitida (después de haber pa- sado el valor de ruptura de f,): La figura 1.60i simplemente sefiala que la intensidad es la mayor a 0° (visto desde el frente directamente) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lado). ‘Actualmente las pantallas de visualizacién de LED se encuentran disponibles en mu- has formas y tamafios. La regin de emisién de luz esté disponible en longitudes que van desde 0.1 a 1 puilgada. Es posible representar niimeros mediante segmentos como se indi- ca en la figura 1.61. Al aplicar una polarizacin directa al segmento de material tipo p apropiado, es posible desplegar cualguier nmero del 0 al 9. ‘También existen kimparas de LEDs de dos terminales, las cuales contienen dos LEDs, dde manera que una inversién en la polarizacién cambia el color de verde a rojo o vieeversa. 1,16 Diodas emisores de luz WS cM Figura 159) Prove €@) simbolo grafico, at ot Actualmente es posible encontrar LEDs en color roja verde, amarillo, naranja y blanco, broximamente también estar disponible comercisinente el color blanco con til. En ge, eral, los LEDS operan en rangos de voltaje de 1.7 a 3.3 V, lo cual los hace completamente compatibles con los cireutos de estado sélido, Cuentan con tiempos de respuesta rdpidos (nanosegundos) y ofrecen indices buenos de cOntraste para mejor vsibildad. Sus reqaerh mientos de potencia son tipicamente de 10 a 150 mW con tienspos de vida de mee de | amriio, Rojo Gast) l “Le Rojo deat 3 eficlencia ‘ ® i ' = 100,000 horas y ademas, su construccién de semiconductor les afade un factor de signifi. | 3 os t cativa durabilidad. 2 Valores nominate absolutes minis & 74 =25°C i oh Ss aan ro 00 730 —— - 6D Rojo de clea LLongitidde onda enn Porietro Peis Under | @ Disipacin de potencia 20 nv | CContenepromedio en polrzacion crcta 20 mA : CCoricnt ico en poaracion directa 0 ma | Rng Je lempertirs para Ca 100C | aon Yasin _ | 16 emperatra de olds det comer 230°C durante | a {a 16mm (0085 puly) del cuerpo) 4 seeunion | : | 30} Ty =28C. a {I Redociea partir de 50°C en 02 aPC | i 8, | a { 5 a2 13] o i 2t | 2 2 Lt 21 ig 19) Caracersticas PétrcavOplicas a 74 = 25°C i 28 [ #4 _ | $5 | = 10 8 Woe dota | OF, Ee os Sinboto Deseripetin Min. Tibco Mix Unidades _Gepracha | + — 05, 5 ee) j {OOF 10 15 20 25-30 es emis ° : Ww Inersiid— = Lo 30 se | poten asain 4—Coniee on plazas joa Comite pico =e Tinos anak neta 2a Angulo inti 0 ep. Nota} | © © . fez pnts de i inessided luminosa | media a Longin de ons pico 03s nm Medide en | pico i i Longitude onda dominate 623 m Nat | 6 " Velocidad de espeesta 90 _ i : é Capaiancia n Pe | H Ag % Resistencia trmica 129 ctw I fy SEs 4] a to 1079 mm (2031 i 28% ee ule) dl cuerpo £a8 3! vy Vote en poarizacion 22 30 v Ie= Oma i EEE® ee / ut Be Volisje de rupura so Yo pw 00 pa i Bue, a } re 2 a7 to Note i 2 )\2 |N= NOTAS: | 1 ENE ENE 1. Oy, esl éngulo a pare dt ee lea iets rinses amit de a ntesidad mimosa wih rir 4 2. La Tongitad de onda dominant Ay se deriva del diagrams CIE de comatictnd ropes sone #2 wo {ud de onda simple que define el coor del dispsitva ait | a5 Ww a0" 100" 5. La ined adn, 1, en wane, pede encore pr da cei = a a ‘oda donde 1, 5 la intensiad laminas en candelas yn, esa e-lecialuminon en mena 4 ~Diraci6n del puts ~ pis © © Oo Figura 1.60 Lampara soja subminiotra de estado slo y alta efienclafbricada por Hew le-Packar (a) aprincia: (6) valores nominales absolutes musmos, (9) caracerstcs elect ] feed 1, JO] 3. Jae | 3 Joe] CUES BSCS 01 G13): 9] 0/1] 91/5] 01). any ‘me? Capitulo 1 Diodos semiconductores ‘que este botdn se encuentre presionado de manera que se muestre Ia barra de componen- tes de fa parte izquierda de la pantalla, Observe la variedad de componentes disponibles, ¥y note que el diodo es el tercer elemento hacia abajo, La barra de Componentes puede eli- inarse 0 insertarse mediante el uso del botén de componentes (component) de la barra de diseifo. Para agregar elementos a Is lista de componentes, solamente posicione el cur sor sobre el componente resistivo de Ia bandeja de partes. El resultado es una lista expan- «ida de componentes como se muestra en la figura 1.69. Et botGn a la derecha de le bandeja de componentes recuerda a un capacitor. Su pro- Pésito es permitir la modificacién (modification) de los componentes. El siguiente botén permite la seleccidn de una variedad de instrumentos (instruments) gue pueden insertat= se en la red al momento de construirla, De hecho, son once los instruments disponibles, {que van desde un simple multimetro hasta un osciloscopio. El siguiente botGn es una cuadricula de Tineas y components, llamado ment de ele- mentos de simulacién que controlan el andlisis que se reatiza. Entre sus opciones se en- cuentran RUN/STOP (comenzaridetener) 0 PAUSE/RESUME (pausa/continuar). El si- guiente botén controla el tipo de andlisis Canalisis) que se efectuard, que va desde de hasta cl andlisis de figuras de ruido. Los botones restantes se dejan a Ia investigacién del lector, ya que no serdn necesarios para la cobertura prevista de este libro. El siguiente paso kigico, que serfa la construccién real de un circuito simple y la rea lizacién de un anilisis, sera visto en el siguiente capitulo cuando se aplique potarizacién de de a redes de diodos, § 1.2 Diodo Ideal 1. Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dis- positivo o sistema, 2. Describa con sus propias palabras las caracteristicas de un diodo idea! y eémo se determinan los estados de “encendido” y “apagado” del dispositive. Es decir, describa por qué son adecuss dos los equiVatentes de circuito cerrado y de cireuito abiert. 3B {CuK iodo el la principal diferencia entre las caracteristias de un interruptor seneillo y aguellas del leal? § 13 Materiales Semiconductores 4. Con sus propia palabras, defina los tétminos semiconductor, resistvidlad, resistencia de ol ‘men y resistencia de contacto dhmico 5, (a) Utlizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silico con un dzea de 1 com? y una Yongitud de 3 em. (0) Repit ef inciso (@) si ahora ta longitud es de 1 cm y el rea de 4 em? {6} Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de 8 em y el frex de 0.5 em’ (@) Repita Ia inciso (a) para el easo del cobre y compare Ios resultados. 6, Dibuje la estructura atémica del eobrey discuta por qué se trata de un buen conductor y de qué forma su estructura es diferente a la del germanio y del silico 7. Con sus propias palabras, defina un material intrinseco, un coeficiente de temperatura negati- voy un enlace covaleme, 8, Consute su biblioteca y localice tres materiales que pasean coeficientes de temperatura nega tivos tes con coefcientes de temperatiea postivos 8 14 Niveles de Energia 9. ,Cuinta energia medida en joules se requiere pare mover una carga de 6 C a través de una di- ferencia de potencial de 3.V? 10, Si se requieren 48 eV de energia para mover una carga a través de una diferencia de potencial de 12 V, determine fa carga involucrada. 11. Consuite en su biblioteca y determine el nivet de E, para et GaP y el ZnS, dos materiales se- miconductores con valor practico. Ademés, determine el nombre completo de cada materia Problemas PROBLEMAS bil 52 § 1.5 Materiales Extrinsecos Tipo 1 y Tipo p 12, Deseriba las diferencias entre las materiales semiconductors tipo y tipo p. 13, Deseriba las diferencias ent ls impurezas donoras y aceptors 14, Deserba las diferencias wre portadores mayoritarios y minoritaios, 15, Dibuje Ia estructura atémice del silico e inserte una impureza de arsénico como se demiostns cen ef caso del silicio de la figura 1.9, 16, Repits el probleme 1S pero ahora inserte una impureza de indio. 17, Consulte su biblioteca y encuente otra explicacién para el flujo de huecos versus el de elec tone. Empeando ams desrpioes, dese con i popes palabras el proseo de on § 16 Diodo Semiconductor 18, Deseriba con sus propias palabras ls condiciones que se establecen a causa de condiciones de Felts desta ¢ lve sobre una unin pon d wn dodo y fimo eve acetal co- 1, Deseriba e6imo podria recordar Ios estados de polarizacién inversa y directa para el diodo de ‘unidn p-n. Es decir, ;e6mo recordaria el potencial (positive o negative) y Ia terminal sobre Ia ‘que se aplica? 20, Utilzando la ecuacién 1.4 determine la corriente de diodo a 20°C para el caso de un diodo de siticio con /, = 50 nA y una polarizacin directa apficada de 0.6 V. Repita el problema 20 para T = 100°C (punto de ebullicién del agua). Asuma que Js se inere- ment a 5.0 pA. 22, (a) Utlizando la ecuacién I.4, determine ta cortiemte de diodo a 20°C para un diode de silicio con J, = 0.1 LA bajo un potencial de polarizacion inversa de ~10 V. (b) cEL resultado €s el esperado? {Por que? 23. (a) Grafique la funcién y =e para un valor de x de 0 a5. (b) {Cua est vilor de y =e éuando x = 02 (©) Con base en el resultado del inciso (), gpor qué es importante ef factor ~ 1 en Ia ecuacién 1.4? 24, En Ia cegi6n de polarizacién inversa, la eorriente de saturacién de un diode de silicio es cerea nv a0.1 wA (T= 20°C), Determine su valor aproximado si la temperatura se inerementa a 40°C. 25, Compare las earacteristicas de un diodo de silicio con las de un diodo de germanio y determi= ne cul preferiria utilizar para la mayorta de las aplicaciones prieticas, Proporcione algunos de- talles. Consulte un listado de especificaciones del fabricante y compare las caracteristias del iodo de silicio y de getmanio cow valores nominales mximos similares. m, 26, Determine la calda de voltaje directo a través del diodo cuyas caracteristicas aparecen en la fi= ura 1.24 para temperaturas de ~75, 25, 100 y 200°C, con na cortiente de 10 mA, Para eada temperatura, determine ef nivel de Ia cotriente de saturacién, Compare los extremos de cada un y comente sobre la relacién de a " § 1.8 Niveles de Resistencia 27, Determine la resistencia esttie 0 de de del diodo comervial de la figura 1.19 para una conien- te en polarizacién ditecta de 2 mA. 28, Repita el problema 26 para una corrients en polarizacién dircota de 15 mA y compare los re- sultados, 29, Determine la resistencia esttica 0 de de del iodo comercial de ke figura {19 para un voltae ie verso de“=10 V. ;Céinio se'compara con el valor determinadlo para un voltae inverso dé ~30 V? 30, (a) Determine la resistencia dinsiiea (ae) det diodo de la figura 1.34 bajo una cortiente de 10 mA utiizando fa ecuaciGn 1.6. (b) Determine la resistencia dina ‘mA utilizando Ja ecuacién 1,7 (©) Compare los resultados de los incisos (a) y (6). (ae) del diodo de Ia figura 1.34 bajo una corriente de 10 31. Cafcule las resistencias de ac y de de parm el diodo de fa figura 1.34 bajo una cortiente en poe Tarizacin directa de 10 mA y compare sus magnitudes, Capitulo 1 Diodos semiconductores 32, Utilzande la ecuacién 1.6, determine Ia resistencia de ac para una corriente de { mA y 15. mA. para ei diodo de la figura 1.34, Compare los resultados y desarrolle una conelusién general con respecto a la resistencia de ac y al incremento en los niveles de Ja coriente det diodo, 33. Uiizando la ecuscién 1,7, determine Ja reNistencia de ac para una cofriente de I mA y ES mA para ef diodo de la figuts 1.19, Modifique las ecuaciones si lo requiere para niveles bajos de corriente del diodo. Compare con Ia solucidn obtenida en el problema 32 34, Determine la resistencia de ne promedio del diodo de fa figura 1.19 para la regisn entre 0.6 y Oo, Determine la resistencia de ac del diodo de ta figura 1.19 a 0.75 V y compare con la fesisten- cia de ac promedio obtenida en el problema 3. § 1.9 Circuitos Equivalentes para Diodos 36, Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de Ie figues 1.19. Usilice ‘un segmento de linea recta que eruce el eje horizontal en el valor de 0.7 V y que mejor se apro- xime a la curva para la regién mayor que 0.7 V. 37, Repita el problems 36 ahora para el diodo de ta figura 1.34, § 1.10 Hojas de Especificaciones de Diodos 438. Grafique Jp contra Vpulitzando escalas tineales para et diodo de la figura 1.41, Observe que Ja evifica proporcionada utiliza una escala logariimica para el ee vertical (las esealas logarit- micas se cubren en las sevciones 11.2 y 11.3), 39, Discuta el cambio en el nivel de eapacituncia debido al inetemento en el potencial de polari- zacién para el diodo de fa figura 1.41 440. ;Canvbia de forma importante la magnitud de ta cortente de saturacién inversa de! diodo de la figura 1.41 para potenciales de polarizacion inversa en el rango de ~25 a ~ 100 V? 441, Para el diodo de la figuea 1.41, detcrmine ef nivel de ga temperatura ambiente 25°C) y a la temperatura de ebullicidn del agua (LO0°C). ZEl cambio es importante? .Précticamente se du- ‘lica el nivel por eada incremento de 10°C en la temperatura? 42. Para el diodo de ta figura [41 determine ta resistencia de a (dinéoniea) maxima para una co- rriente en polarizacin directa de 0.1, 1.5 y 20-mA. Compare los niveles y discuta silos resul- {ados cospaldan alas conclusiones derivadas en las anteriores secciones de este capitulo, 43, Utilizando las caracterstcas de In figura 1.41, determine los niveles méximos de disipacign de potencia para el diodo a temperatura ambiente (25°C) y para 100°C, En el supnesto de que Vp permanecira fijo en 0.7 V, zeGmo cambié el nivel maximo de Jp entre los das niveles de temperatura? 44, Unilizando las caracteristicas de las figura 1.1, determine la temperatura la cua, Ja corrien- te del diodo serd de 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C), § LAL Capacitancis de Transicién y de Difusién 445, (a) Utilizando como referencia Ia figura 1.42, determine la capacitancia de transicién para un potencial de polarizacidn inverso de ~25 y ~10 ¥, ;Cudl es el midio det cambio en Ta ca pacitancia para el cambio en el voltaje? (h) Repita et inciso (a) para potenciales de polarizacién inversos de ~10 y ~1 V. Determine la proporcida de cambio en fa capacitancia al cambio de voltaje (©) {.Cémo se comparan las proporciones determinadss en los incisos (a) y (5)? {Qué le indi- ‘ca esto sobre eull rango tendrat mis dreas de aplicacisn préctica? 46, Com referencia a la figura {.42, determine la capacitancia de difusion a 0 y 0.25 ¥. 47. Deseriba con sits propias palabras, emo difieren las capacitancias de difusién y de transicidn ene sf 48, Determine la reactancia que presenta un diodo que cuenta con las caracterfstiens de la Figura 1.42 para un potencial en polatizacién directa de 0.2 V y para uno en polarizacion inversa de =20 V si la frecuencia aplicada en ambos easos es de 6 Mitz Problemas. ek § L12 Tiempo de Recuperacion Inverso 49. Dibuje la forma de onda part i en la red de la de recuperacin es de 9 ns ra 1.70 sit, = 2, ¥€l tempo inverso total 4 won sh Figura 1.70 Problema 9 3 1.15 Diodos Zener 30, Se detallan las siguientes caracteristicas para un diodo Zener particula: Vz ~ Vi ler = WOWA, Ip = 20 wA e Lay = 40 mA. Trace ta curva carscteristica ‘que se hizo en la figura 1S. © S1. {A qué temperatura tendri el dieda Zener de la figura 1.55 un volte nominal de 10.75 V? (Sugerencia: observe los datos de la tabla 1.4.) '52, Determine ¢] coeficiente de temperatura de un diodo Zener 5-V (a uns temperatura de 25°C) sel voligie nominal cae a 4.8 V a una temperatura de 100°C, 29V.Vp = 16.8 ix misma forma '53. Utilizando las curvas de la figura 1.56a, eu serfa el nivel esperado del eoeficiente de tempe- ratura para un diodo 20 V? Repita para un diodo 5 V. Asima ua escola lineal entre los nive- Jes de voltaje nominal y un nivel de comriente de O.1 mA. 4, Determine la impedancia dindmica para el diodo 24 V cuando fz = 10 mvA en la figara 1 56b Considere que se yata de una escal logaiimica. » 85, Compare los nveles de inipedancia dindmica del diodo 24 V de la gar 1.566 para niveles de comiente de 0.2, Ly 10 mA. ;Cémo se relacionan los resultados con la forma que poseet las caracteristcas en esta repin? § 1.16 Diodos emisores de luz 86, Bn referencia aa figura 1 60e, ,culserfa un valor apropiado de Vr para este dispositive? ¢Co- mo se compara eon el valor de Vr de silicio y germanio? 57, Usilizando la informacién proporcionada en la Figura 1,60, determine el voltae en polarizacign directa através de diodo si lx intensidad luminosa reltiva es de 1. © $8 (a) {Cuil es incremento porcentual en eficiencia relativa del dispositivo de In figura. 1.60, sila Corriente pico se incrementa de S a 10 mA? () Repita et inciso (a) para 30 a 35 mA (el mismo ineremento en corient). (©) Compare el incremento porcentwal de los incisos (a) y (B). En qué punto de ta curva di- sfa usted que la ganancia es minima si se continéa incrementando la coriente pico? “*59, (a) Con referencia a la figura 1.60h, determine ta conrente pico maxima tolerable si el petiodo de duravién del pulso es de J ms, la frecuencia de 300 Hz y Ia comriente de méxima tole- rable es de 20 mA. (6) Repita el inciso (a) para una frecuencia de 100 Hz. 460, (a) Sila intensidad Juminosa para un desplazainiento angular de 0° es de 3 mc para el Uispo- sitivo de la figura 1,60, cual ser el ngulo en el que esta canted sea 0.75 med? (8) {Cutt es el dngulo en el que fa pérdida de luminosidad desciende por debajo del nivel de SO? 461, Dibuje la curva de decremento de cortiente promedio en polarizacidn directa para el LED rojo de alta eficiencia dela figura 1.60, en fimcién de la temperatura. (Observe tos valores absolu- tos nominates mvéximos.) Los asterises indican problemas de mayor dficulad Capitulo 1 Diodos semiconcductares | | | Aplicaciones de diodos CAPIT ULO 2.1 INTRODUCCION La construccién, caracterfsticas y modelos de los diodos semiconductores se presentaron en el capitulo 1. El objetivo primordial de este capftulo es desarrollar un conocimiento prictico del diodo dentro de una variedad de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados para el drea de aplicacién, Al final del capitulo, se deberd comprender con claridad el patréin Fundamental de comportamiento de los diodos en las redes de de y de ac. Los conceptos que se aprendan en este capitulo aparecerdn de manera recurrente en los capitulos siguientes, Por ejemplo, los diodos se emplean a menudo en la descripeisn de la construccién bisica de los transistores y en el andlisis de Ta redes de transistores en los dominios de de y de ac, El contenido de este capitulo revelard un aspecto interesante y muy positivo acerca del es- tudio del campo de los dispositivos y sistemas electrénicos. Una vez que se comprende el com- portamiento bisico de wn dispositivo, se pueden determinar su funciGn y respuesta dentro de ‘una Variedad infinite de configuraciones. El rango de las aplicaciones no tiene fin; no obstan- (c, las caracteristicas y los modelos permanecen iguales, El andlisis abarca desde el empleo de las caracterfsticas reales del diodo hasta el uso, casi exclusivo, de modelos aproximados. Es importante que sin necesidad de repasar continuamente procedimientos mateméticos prolon- zxdos, se entiendan en el papel la respuesta de los elementos de un sistema electrénico, Por lo general, este procedimiento se Hleva a cabo a través de un proceso de aproximacién, el eval, por sf mismo, puede considerarse como un arte, Aunque los resultados gue se obtienen me- dante el uso de las earacteriticas reales pueden ser un poco diferentes de aquellos que se ob- tienen a través de una serie de aproximaciones, es importante considerar que las caractetisti- cas oblenidas a partir de una hoja de especificaciones pueden diferir un poco de las que se obtienen a partic del uso real del dispositivo. En otras palabras, las caracteristicas de un dio- do semiconductor IN4O01 pueden variar de un elemento a otro dentro del mismo lote. La v sincién puede ser ligera, pero a menudo serd suficiente para validar las aproximaciones em- pleadas en el andlsis. También se deben tomar en ctienta los otros elementos de la red: ges la resistencia marcuda con un valor de 100 exactamente 100 2, ces el voltae aplicado exac- tamente igual a 10 V 0 quizd a 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a fa creencia di- fundida de que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones: pueda, por Jo general, ser tan “precisa” como sucede en el caso de una que utiliza las caracs teristicas completas. En este libro el Enfasis se basa en el desarrollo de los conocimientos pric ticos de un dispositivo a través del uso de las aproximaciones apropiadas, con lo que se evita ‘un nivel innecesario’'de complejidad matemética. Sin embargo, por lo regular, se provera el detalle sufieiente como para permitir un andlisis matemstico minucioso para quien ast Io desee, 55 @ Jp(ma) YI ) Figura 2.1 Configurcion de dodo en serie: @) creuto; (b)« raetersiens 56 2.2 ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA Por lo general, la carga aplicada tended un impacto importante en el punto o regién de opera- de un dispositivo, Si-el andlisis se realiza de forma gréfica, se puede dibujar una linea recta sobre las caracteristieas del dispositivo que represente la carga aplicada, La interseccién de la rect de carge con las caractersticas determinaré el punto de operacidn del sistem. Tal andlisis es Hamado, por razones obvias, andlisis por medio de la recta de carga, A peser de ‘que la mayorfa de las redes de diodos que se analizan en este capitulo no emplean el enfogue de la recta de carga, la técnica es una de las que se utilizan de forma més frecuente en los ca- pitulos subsecuentes, y esta introduecién oftece la aplicacién mas simplificada del método, De igual forma, permite una vatidacisn de la técnica de aproximacién descrita a través del resto de este capitulo, ‘Considere la red de Ia figura 2.La, la cual emplea un diodo que posee las caracterst cde In figura 2.1b, Observe que en la figura 2.14 la “presién” de la bateria tiene como finalidad esiablecer una corriente a través del citcuito en serie en direccién de las manecillas del relj. El hecho de que esta corriente y la direccién de conduccién definida del diodo “coincidan”, revela que el diodo se encuentra en el estado de “encendido” y que la conduecién se ha esta- blecido. La polaridad resultante através del diodo sera la mostrada y el primer cusdrante (Vy € ln positives) de Ja figura 2.9 serd la sepicn de interés la regi6n de polarizacin directa, Mediante ta aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de te figure 2.1u el resultado seré E-Vp~V,=0 ° EB=Vp+ ik Qa) Las dos variables de la ecuacién (2.1) (Vp € fp) son las jes del diodo de la figura 2.16, Esta similitud permite una bre las mismas caracteristicas de la figura 2.1, Las intersecciones de la recta de carga sobre las caracteristicas se pueden determiniar f&- cilmente si se tiene en cuenta que en cualquier lugar del eje horizontal fy = 0A y que en cual- quier lugar del eje vertical Vp'= 0 V. Si establecenios que Vp=0'V et la ecuacién (2.1) y se resuelve para /p, tendremios fa mag- itd de Ip sobre el eje vertical. Por tanto, con Vp = 0 Y, Ia ecuacisn (2.1) se convierte en E= Vp +R OV + IR ismas que las variables de los ralicacién de la ecuacién (2.1) s0- (2.2) R vorov como se muestra en la figura 2.2, Si establecemos Ip para Vp, obtenemos la magnitud de Vp sobre el eje hor cecuacidn (2.1) se convierte en ‘A en Ia ecuacién (2.1) y resolvemos fontal. Pot tanto, con fp = OA, la E=Vyt bR Vp + (OA)R y Vp = Eliy-on 23) ccomo se muestra en la figura 2.2. Una linea recta dibujada entre los dos puntos definiré la rec- ta de carga como tx deserts en la figura 2.2. El cambio en el nivel de R (la carga) cambiar la interseccién sobre el eje vertical. El resultado serd un cambio en la pendiente de la recta de ccarga, y un punto de interseccidn diferente entre la recta de carga y las caracteristicas del dis- positivo. Ahora tenemos una recta de carga definida por la red y una curva earacterfstica definida por el dispositive, El punto de interseccién entre los dos es el punto de operacién para este Capitulo 2 Aplicaciones de diodos to _- Caractersioss (gpositivoy Punto Q Yo Figura 2.2 Dibujo de lk wets de carga para encontrar el punto de operscion citcuito, Al dibyjar simplemente una linea recta hacia abajo en direecién al eje horizontal, puede determinarse el voltaje del diodo Vig, mientras que una Mfaea horizontal proveniente del punto de interseccién hacia el eje vertical proporcionaré el nivel de Ip,, La corriente fp es cn realidad la cortiente a través de toda la configuracién en serie de Ia figura 2.1a. Por lo ge- neral, el punto de operacién se denomina punto de operacidn estable (“Q-pt”, abreviactén de- rivada de su nombre en inglés Quiescent point) debido a las cualidades de “estabilidad e in- movilidad”, segin lo definido por una red de de. La soluein que se obtiene en la interseccidn de tas dos curvas es la misma que se podria ob- ‘ener por una solucin matemtica simultnea de tas ecusciones (2.1) y (14) Uo «fs @¥9™- 1)} como se demuestra posteriormente en esta secciéa en un ejemplo de Mathcad, Dado que la curva para un diodo tiene caracteristicas no lineales, las matemiticas involucradas requerirn del uso de téenicas no Tineales que estén fuera de. las necesidades y aleance de este libro, El andlisis por medio de la recta de carga que se describié anteriormente, provee una solucién con uit esfuerzo minimo, y una descripeién “pictérica” de cémo se obtuvieron los niveles de solucién para Vp, € Ig Los siguientes dos ejemplos demostrarén ls técnicas que se presen- taron previamente, y también la facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga mediante el uso de fas ecusciones (2.2) y (2.3) Para la configuracién del diodo en serie de ta figura 2.3a y utilizando las caracteristicas del iodo de Ia figura 2.3b determine: (@) Voge log. (d) Ve. ee oS coe ® jgura 2.3 (a) Circuito; (b) coractersti 2.2 Analisis por medio de la recta de carga EJEMPLO 2.1 57 bt Solucién E 10v Rhyoy TRO Eevacisn (2.3). Vp = Elj, 0.7 V para el silicio y Vp 2 0.3 V para el germanio, Para cada configuracién, se reemplazarin mentalmente los diodos con elementos resisti- vos y se observari la direccién de la corriente resultante como la establecen los voltaes epli- ‘cados (“presién”). Sia direccién resultante “coincide” con la ftecha del simbolo del diodo, la conduccisn a través del diodo ocurrird y el dispositivo estard en el estado “encendido”. La des- cripcién anterior es, por supuesto, dependiente de que la fuente proporcione un voltaje mayor ‘que ef voltaje de “encendido” (V7) de cada diodo. Sieeldiodo se encuentra en el estado “encendido”, se puede colocar la caida de 0.7 V a tra- vés del elemento, 0 se puede dibujar nuevamente la red con el circuito equivalente Vp como se definié en la tabla 2.1. Con el tiempo probablemente se preferrd simplemente incluir fa cafda de 0.7 V a través de cada diodo “encendido” y dibujar una linea a través de cada diodo en el estado “apagado” o abierto, Sin embargo, al principio, el método de sustituciGn se utiizard pa- +a avegurar que se determinen los niveles de voltaje y de cortiente corrects. El circuito en serie-de 1a figura 2.12 que se describe con mayor detalle en la seccién 2.2 se utilizaré para demostrar el enfoque descrito en parrafos anteriores. El estado del diodo se determina primero por el reemplazo mental del diodo con un elemento resistivo como lo de- muestia Ia figura 2,13. Le direccidn resultante de J coincide con la flecha en el sfmbolo del diodo, y dado que E> Vz el diodo se encuentra en el estado “encendido”. La red entonces se ibgja nuevamente como se demuestra en la figura 2.14 con ef modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio en polarizacién directa. Para referencia futura, observe que la polari- dad de Ves la misma que resultaria si el diodo, de hecho, fuera un elemento resistivo. El vol taje y los niveles de cortiente resultantes son los siguientes: oe ea) a 26) Enla figura 2.15 el diodo de la figura 2.12 se invirti6, Mentalmente, el reemplazo del dio- do por un elemento resistive, como lo muestra la figura 2.16, revelart que la dineccién de la Corriente resultante no coincide con la flecha en el simbolo del diodo. El diodo esté en el es- {ado “apagado”, lo que da como resultado el circuito equivalente de la figura 2.17. Debido al circuito abierto, la cortiente del diodo es 0A y el voltaje a través de la resistencia R es el si- guiente: Va = Ig = IpR = (0 ADR = 0V El hecho de que Vj_=0 V establecerd E volts através del circuito abierto como lo define la ley Capitulo 2 Aplicaciones de diodos S 7 4 + inacidn del Figura 2.15 oversion del dio- Figura 216 Dewmincon del do de la figure 2.12. estado del dodo de lB r et que bajo cualquier circunstancia (valores ins de voltaje de Kirchhoff. Tener en cuenta siempre que bajo cuala i tantinens de de, de 2c, pulos,etstera), deberd satsfcerse Ia ley de vole de Kircho Figura 2.7 modelo equivalent pat spagado de la figuts 21 Para la configuracién de diodos en serie de la figura 2.18, determine Voy Vx ¢ Fo» Solucién Dado que el voltae aplicado establece una corriente en direecin de las manecillas del reloj para coincidir con la flecha del simbolo y que el diodo estéen el estado “encendido”, Vp= 07 8V-07V=73V EJEMPLO 2.6 Figura 2.18 Circuito del ejem= plo26 Repita el ejemplo 2.6 con el diodo invertido, Solucién ccién de [es opuesta a la flecha en el simbolo Al remover el diodo, encontramos que la direccién de I es opuest del died y que el equivelente del diodo es el circitoaberto sin importer cuales el modelo {que se utiliz6, El resultado es la red de Ia figura 2.19, donde fp =0 A debido al cicuito abier- to, Dado que Vp = IgR, Vp = (O)R = OV. Al aplicar la Tey de voltje de Kirchhoff alrededor del lazo cerrado resulta E-Vy~V y Vp = E- Vp= E-O=E=8V ee — Observe, particularmente en el ejemplo 2,7, el alto voltae a través del diodo a pesar de aque se encuentra en estado “apagado”. La cortiente es cero, pero el voltae es significative. Con propésitos de repaso, tenga en cuenta el anilisis siguiente: 1. Uncireuito abieito puede tener cualquier volije a través de sus terminales, pero la corrien- tees siempre 0 A. 2, Un circuito cerrado tiene una caida de 0 V a través de sus terminales, pero la corriente es- tard limitada Gnicamente por la red que la rode és ear para el voltaje aplica- En el siguiente ejemplo ta notacién de ta figura 2.20 se empl “ do, Esta es ona _ comin en fa industria, con la que el lector debe 7 ‘Tal notaci6n y otros niveles definidos de voltaje se tratarin con mayor profundidad en el capitulo 4. 24 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC EJEMPLO 2.7 [p20 4 goes + RQ22KO Vy tf Figura 2.19 Determinscion de Jas cantldades desconocidas para ‘el jemplo 27. 65 E=+10Ve rr Solueién : Un provedimiento similar al que se aplicé en el ejemplo 2.6 revelaré que la corriente resultan te Gene la misma direccién que las puntas de flechas de los simbolos de ambos diodos y que Ll la red de la figura 2.24 es el resultado debido a que E = 12 V > (0.7 V +03 Vj=1V. Ob- Figura 220 Netecion de la fuente serve que la fuente dibujada nuevamente es de 12'V y la polaridad es de Vp a través de fa ro sistencia de 5.6 kQ. El voltje resultante V,=E- Vy, ~V;,=12V-07V-03V=1V EJEMPLO 2.8 Para la configuracién de diodos en serie de la figura 2.21, determine Vp, Vp € Ip. 0 e Ibp= k= = 1.96 mA R += fi | ¥ Si ee ett Te y a fi ov oav + - 7 Seka ¥, Figura 221 Circuito del = Figura 2.24 Determinscin de en sere para el ejemplo 2.8 las canidades desconacidas para + el ejemplo 29, Solucién A pesar de que la “presign” establece una corriente con la misma direccién que la del simbo- Determine fp. Vo, y Vo para el circuito de la figura 2.25, EJEMPLO 2.10 lo de la flecha, el nivel de voltae aplicado resulta insuticiente para “encender” el diodo de sic licio, El punto de operacién sobre las caractrfsticas ge mugstra en Ia figura 2.22 y establece el equivalente del ciruito abierto como Ia aproximacién apropiada. Por lo tanto, el voliaje y * to los niveles de corriente resultantes son los siguientes: se | anv: ve I= 0A acl te | Ds Vg = [eR = IpR = (OA)L.2KN =0V } 56 kD y Vp =E=05V Figura 2.25. Cireuto del ejem- = plo 2.10 lp Solucién Al eliminar los diodos y sl determinar la drecci6n de la corriente resultante 1 el resultado se- rel circuito de la figura 2.26, Existe una coincidencia en la direccién de la coriente para el iodo de sitcio, mas no para el de germanio. La combinacién de un circuito cerrado en serie con un eireuito abierto siempre daré como resultado un circuito abierto ep = 0-A, como lo muestra la figura 2.27. of anv ¥ Yigura 222 Posto de ops oe -k A- 2 cin con E603 V ae ae 7 + + EJEMPLO 2.9 Determine V, ¢ fp part el circuito en serie de la figura 2.23 z T RYsoxa y, by 50 kD V, ¥ 1 = oe Figura 2.26 Determinacidn del Figura 227. Sustitucion del estado any. oy ‘estado de los diodos de la figura eaquivalente para et dodo abiero = 2235 ty soko La pregunta que queda por contestar es, {qué sustituir en lugar del diodo de silicio? Para Figura 2.23 Circuito pa- el anilisis siguiente, tanto en éste como en los capitulos subsiguientes, simplemente se tlenen rel gempla 29 {que recordar, para el diodo préctico real que cuando fp = 0 A, Vn = OV (y viceversa), como Capitulo 2 Aplicaciones de diodos 24 Configueaciones de diodos en serie con entradas de DC 67 68 se describi6 para Ia situacién de no pol por fp = 0A y Vp,= 0'V se indican en la ftulo 1, Las condiciones deseritas Vp, =0¥ =A t + ve 56KO Vy = Figura 2.28 Determinacicn de las eantldades desconocids del ieeuito del ejemplo 2.0. (AR =0V y =Rv Vp, = Veisesto steno Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en ta direceién de las manecillas del reloj resulta E~Vp,~ Vp,-V,=0 y =E-Vp,-Vy=12V-0-0 =RV con ov EJEMPLO 2.11 Determine J, Vi, Vay Yo para la configuracién de de en serie de Ia figura 2.29. +ye aR a1 ana 'S} Figura 2.29 Circuito para el cjemplo 2.11 Solucién Las fuentes se dibujan y la ditecci6n de la corriente se indica en la figura 2,30. El diodo se indicar este estado, Observe que el estado “encendido” se identifica mediante el Vip adicional en la figura, Esto elimina la necesidad de volver a dibujar la red y evita cualquier confusién que pueda resultar debido a la aparicién de otra fuente, Como se indied en la intro duccidn a esta seccién, éste seré probablemente el camino y la notacién que se tomard cuan- =e y= ¢ ogy — s : 5 : 2.2 k + t + i? Figura 2.30 Determinacidn del estado el diodo de la figura 2.29, dees Figura 231 Determinacin des cams desconclas pra Ja ted de Is figura 2.29. 7 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos do se tenga un nivel de confianza mayor en el anilisis de configuraciones del diodo. Con el tiempo, el andlisis completo se desarrollara simplemente mediante la referencia a la red origi nal, Recuerde que un diodo con polarizacién inversa puede ser simplemente indicado median- te una ifnea a través del dispositive, La corriente resultante a través del circuito es, pm Fit Ban Vp _ OV +SV ~OTY _ 143 R, +R 47K + 22K — 69K 2.072 mA. y los voltajes son V, = IR, = (2.072 mA)(4.7 kQ) = 9.74.V Vz = IR, = (2.072 mA)(2.2 kA) = 436 V Mediante Ia aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccién de salida en direec las manecillas del reloj, resultard ion de -E,+V,-V,=0 y V, = Vz— BE, = 4.56V-5V = -044V El signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuestaa la que aparece en la figura 2.29. 2.5 CONFIGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO Los métodos aplicados en la secciGn 2.4 se pueden extender al andlisis de las configuraciones ‘en paralelo y en serie-paralelo, Para cada rea de aplicacién, simplemente se hacen coincidir las series secuenciales de pasos aplicados con las configuraciones de diodos en serie. Determine Vo 11, In, € /o, para la configuracién del diodo en paraleto dela figura 2.32. EJEMPLO 2.12 A, oa3xa Figura 232 Red para el ejemplo 2.12. Solucién Para el voltaje aplicado Ia “presién” de la fuente es para establecer una corrente « través de ‘cada diodo en la misma direccisn que fa que se muestra en la figura 2.33. Dado que la ditec- cin de la corriente resultante coincide con la flecha de cada simbolo del diodo y que el vol- taje aplicado eS mayor que 0.7 V, ambos diodos se encuentran en el estado “encendido”. EL voltaje a través de los elementos en paralelo es siempre el mismo y v,=07V La corriente lov 07 a = 28.18 mA 0330) " 2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69 Figura 2.33 Dererminasion la red del ejemplo 2.12 Si suponemos diodos de caracterfsticas similares, tenemos 2BIRMA 14.09 mA £l ejemplo 2.12 demostré una razén para colocar diodos en paralelo, Si la corriente no- ‘minal de tos diodos de la figura 2.32 es s6lo de 20 mA. una cortiente de 28.18 mA dafacia a tun solo dispositivo en la figura 2.32. Mediante la colocacién de dos en paralelo, la corriente est limitada a un valor seguro de 14,09 mA con el mismo voltaje en las terminales EJEMPLO 2.13 Determine ta corriente J para la red de Ia figura 2.34. Si 1 Dt + >, Eya4V Ww t—*. Ey=20V 22k Dd #4 Figura 2.34 Red para et si ejemplo 2,13, Solucién Al dibujar de nueva cuenta la red como se sefiala en la figura 2.35, se demuestra que la direc- cidn de corriente resultante es tal que puede encender el diodo Dy y apagar el diodo Ds. La corriente resultante J es entonces E-V, Figura 2.35. Determinacion de la cantidades desconoc\- as para la red del ejeraple 213, EJEMPLO 2.14 70 Determine el voltaje de Vo para la red de la figura de 2.36. Solucién Tnicialmente pareceria que el voltaje aplicado “encenderfa” a ambos diodos. Sin embargo, si amos estuvieran “encendidos”, la cafda de 0.7 V a través del diodo de silicio no coincidinfa Capitulo 2 Aplicaciones de diodos tus cantidades desconocidas para con los 0.3 V a través del diodo de germanio como se requiere por el hecho de que el voltaje a través de los clementos en paraleto debe ser el mismo. La acciGn resultante se puede expli car s6lo con notar que cuando la fuente se enciende se incrementard de 0 V a 12 V en un ins- tante, aunque éste quizé pueda medirse en milisegundos. En el instante durante el ineremento en que se establece 0.3 V a través de! diodo de germanio, éste “prendera” y mantendré un ni- vel de 0.3 V. El diodo de silicio nuncs tendré la oportunidad de capturar sus 0.7 V requeridos, ¥ por tanto permanecerd en su estado de circuito abierto como se muestra en la figura 2.37 i El resultado: V,=12V-03V=IL7V nv si 93 i foe Vp ar OaV Orv | v., 22 ko Figura 2.37. Determinacion de Vo para la red dela figura 2.36, Determine las corti tes Th J2€ Poy para la red de Ta figura 2.38 Solucién El voltae aplicado (presién) es tal que enciende a ambos diodos, como se observ6 por las di- recciones de cottiente resultantes en la red de Ta figura 2.39. Observe que el uso de a notaci6n abreviada para los diodos “encendido” y Ia solucién, se obtienen a través de una aplicacién de | las técnicas aplicadas para las redes de de en serie-paralelo Vn _ O7V RL 33k0 j = 0.212 mA Figura 2.39 Determinacion de las cantidades desconact vy + das del ejemplo 2.15 Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccién del sen- tido de las manecillas del reloj resulta: “Vy + B= Vy, Vz, = 0 y Vy = E~ Vz, ~ Vp, = 20V -0.7V - 07V = 186V 2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo Figura 2.36 Red del e 2. EJEMPLO 2.15 % si a3ka SOK Figura 2.38 Red para ol ejem plo 2.15, a7 si () F=10Ve— Figura 2.40. Compuerta OR Ae Ligies positva Loy, oy 8 Ijth=h = 3.32 mA ~ 0.212 mA = 3.108 mA 2.6 COMPUERTAS AND/OR Las herramientas para el andlisis estin ahora a nuestra disposicién, y la oportunidad de inves: tigar una configuracién de computadora es una de las que nos demostrardn la gama de aplica- ciones de este dispositivo relativamente sencillo. Este andlisis estar limitado a determinar los niveles de voltaje y no inclviré una discusién detallada acerca del lgebra booleana o de la 16- «gia positiva y la negativa La red que se analizard en el ejemplo 2.16 es una compuerta OR de I6gica positiva. Es- to es, que el nivel 10 V de Ia figura 2.40 se asigna al “I” del dlgebra booleana mientras que la entrada 0 V se asigna al “0”. Una compuerta OR es tal que el nivel de voltaje de salida se- 14 de 1 si alguna o ambas entradas es un 1. La salida es un O si ambas entradas estin en el nivel 0 EI andlisis de las compuertas ANDIOR se leva a cabo de forma més ficil, en cuanto a ediciones se refiere, mediante el empleo del equivalente aproximado para un diodo, en lu- ‘gar del ideal, debido 2 que puede estipularse que el voltaje através del diodo debe ser de 0.7 V positivo para el diodo de silicio (0.3 V para Ge) para cambiar al estado de “encendido”. En general, el mejor enfoque es simplemente el de establecer un sentido “intuitivo” para el estado de los diodos mediante la observacién de la direccién y de la “presién” establecidas por los potenciales aplicados. El andlisis entonces verificaré 0 negaré los supuestos iniciales. EJEMPLO 2.16 oe a Loy Bp . | Figura 2.41 Red recibujads de la figura 2.40, 2 Determine Vp para la red de la figura 2.40, Solucion. ‘Observe en primer lugar que existe slo un potencial aplicado; 10 V en la terminal 1, La ter- minal 2 con una entrada de 0-V es esencialmente un potencial de tierra, como se muestra en la red nuevamente dibujada de la figura 2.41. La figura 2.41 “sugiere” que D, esti probable- mente en el estado “encendido” debido al 10 V aplicado, mientras que de D2 con su lado "po- sitivo” en 0 V esté posiblemente en “apagado”, La suposicin de estos dos estados daré por resultado la configuracién de la figura 2.42. El siguiente paso es slo para verificar que no existe contradiccin en nuestras suposiciones. Esto es, observe que la polaridad através de Des suliciente como para encenderlo y que la po- laridad a través de D3 ¢s sufciente como para apagario, Para Dy el estado “encendido” estable- % v ’ Figura 2.42 Estados supuestos = = del iodo pars la figura 2.40, = Vo= Vaal Capitulo 2 Aplicaciones de diodos cee Vo cuando Vp = E~ Vp = 10 V ~ 0.7 V = 9.3 V. Con 9.3 V en el lado del citodo (-) de Ds y con 0 V en el lado det dnodo (+), Dy se encuentra definitivamente en el estado “apazado”. La di reccién de la coriente y la.trayectoria continua resultante para la conduccién, confirma nuestro supuesto de que D; esté conduciendo, Nuestras suposiciones parecen confirmarse con Ia corti te y los voltajes resultantes y puede asumirse que nuestro andlisis iniial es comeeto, El nivel de voltaje de salida no es de 10 V como se definié para la entrada de 1, pero 9.3 V es suficiente- mente grande como para ser considerado nivel 1. Le salida, por tanto, se encuentra en el nivel 1 con sélo una entrada, lo que sugiese que la compuerta es una compuerta OR. Un andlisis de la misma red con dos entradas 10 V dard como resultado que ambos diodos se encueniren en el es- tado “encendido” y que la salida sea de 9.3 V. Una entrada de 0 V en ambas entradas no propor cionari ef nivel 0:7 V que se requiere para encender los diodos, y la salida seré de 0 debido al nivel de salida 0 V. Para la red de la figura 2.42 el nivel de cortiente esta determinado por ~Vp _ 10V-0.7V R 1K, 9.3mA i Determine el nivel de salida pars Ia compuerta lgica AND positiva de la figura 2.43, Solucién Observe que en este caso una fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red. Debido a las razones que pronto sern obvias, se elige en el mismo nivel que el del nivel 1ogico de entrada. La red se vuelve a dibyjar en la figura 2.44 con las suposiciones ini ciales relacionadas con el estado de los diodos. Con 10 V en el lado del cdtodo de D, se asu- ime que D, se encuentra en el estado de “apagado” a pesar de que haya una fuente de 10 V co- nectada al fnodo de D, a través de la resistencia, Sin embargo, hay que recordar lo que se mencioné en Ia introduccién de esta seccién en lo referente a que el uso del modzlo aproxi- mado seria una ayuda en el andlisis, Para Dy, ade dénde provendran los 0.7 V si los voltajes, de entrada y la fuente se encuentran en el mismo nivel y crean “presiones” opuestas? Se asu- me que Dz se encuentra en el estado “encendido” debido al bajo voltaje en el lado del edtodo y la disponibilidad de Ia fuente de 10 V a través de la fesistencia de | KO. Para la red de la figura 2.44 el voltaje en Vp és de 0.7 V debido al diodo D, que esté po- larizado directamente. Con 0.7 V en el dnodo de D, y 10 V en el eétodo, Dy esti definitiva- mente en el estado de “apagado”. La corriente I tendré la direccién indicada en la figura 2.44 yuna magnitud igual a E-Vp_1V-07V 1ka 93mA Figura 2.44 Sustiueion de los cestados supuestes pita los diodes dela gues 2.43, Por lo tanto, el estado de los diodos se confirma y nuestro andlisis anterior fue corzecto, ‘Aunque no existieron 0 V como se definié anticipadamente para el nivel 0, el voltae de sali- da es suficientemente pequefio como para ser considerado un nivel 0. Para la compuerta AND. por tanto, una sola entrada resultars en un nivel O de salida. Los estados restantes de los dio- dos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinarén en los problemas al final del capitulo, 2.6 Compuertas AND/OR EJEMPLO 2.17 © si F210 Veh oF o Si —ev, Rika Ea Oy Fignea 2.43 | Compuerta logics AND positiva & 3 i. 2.7. ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA ET anélsis del diodo se afpliaré para incluir funciones con variacién en el tiempo, tales co ‘mo La forms de onda senoidal y la onda cusdeada. No hey duda de que el grado de dificulad se inerementaré, péro una vez. que algunas meniobras fundsmentales se entiendan, el andlisis sed francamente directo y seguiré un procedimiento comin Las redes més sencillas para examinar bajo una seis! con varizcién en el tiempo apare- ‘cen en fa figura 2.45. Por el momento usaremos e! modelo ideal (obsérvese la ausencia de la ‘tiqueta del Si o del Ge para denotar al diodo ideal) para asegurar que el enfoque no se em- patie debido a la complejidad matemstica adicional Figura 245 Reciflcador de media onda Sobre un ciclo completo, definido por el periodo T en la figura 2.45, el valor promedio (la suma algebraica de las dreas por encima y por debajo del eje) es cero. El circuito de la figu- ra 245, llamado rectificador de media onda, generaré una forma de onda v., que tends un vi Jor promedio de uso particular para el proceso de conversién de ac a de. Cuando un diodo se emplea en el proceso de rectificaciGn, es comiin referirse a él como rectificador. Sus valores nominales de potencia y eorriette son, por lo comin, mucho més altos que aquellos diodos cempleados en otras aplicaciones, tales como los sistemas de cémputo y de comunicacién Durante el intervalo's = 0 —+ 7/2 de la figura 2.45'la polaridad del voltae aplicado ¥ es tal ‘como para establecer “presién” en Ja direccién indicada y encender el diodo con la polaridad ue aparece artiba de él. Al sustituir el diodo ideal por la equivalencia de crcuito cerrado da- £4 como resultado el circuito equivalente de la figura 2.46, donde es muy obvio que la sefial, de salida es una réplica exacta de la seftal aplicada. Las das terminales definen el voltaje de salida y estén concctadas directamente a la sefial aplicada mediante la equivalencia de circui- to cerrado del diodo, Figura 2.46 Region de conduccisn (0-+ 12) Para el periodo 1/2 7, la polaridad de Ia entrada v; es como lo demuestra la figura 2.47 y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado “apagado” con un equiva lente de circuito abierto, El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga yquev, (O)R = OV para el periodo 1/2 7. La entrada v; y la salida y, se dibujaron juntas en la figura 2.48 con el propésito de establever una comparacin, Ahora, la sefial de si Jida va tiene un drea neta positiva arriba del eje y durante un periodo completo, y un valor pro- medio deterniinado por Capitulo 2 Aplicaciones de diados Figura 2.47 Region de no canduecion (T/2 + D. Figura 248 Setal rectiieads de media onda, D318Vie }- masisonta (27) El proceso de eliminacién de un inedio de Ia sefial de entrada para establecer un nivel de de tiene el nombre idbneo de rectificacién de media onda. El efecto del uso del diodo de silicio con Vr-= 0.7 V se demuestra en la figura 2.49 para la regién de polarizacién directa. La sefal aplicada debe ser ahora al menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda “encenderse”. Para niveles de v, menores que 0.7 V, el diodo atin se en- cuentra en un estado de circuito abierto y v, = 0V como se muestra en la misma figura, Cuan do se encuentran en estado de conduccién, ta diferencia entre v, y vj es un nivel fjo de Vp=0.7 V Y¥ V2 = vj Vy como se muestra en la figura, El efecto neto es una reduccién en el drea por en- cima del eje, lo cual reduce naturalmente el nivel de voltaje dc resultant. Para las situaciones en donde V,, >> Vp, ta ecuacién 2.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un nivel relativamente alto de precisidn 318(Vin — Vz) (2.8) plait ‘ebido a Vp Figura 2.49 Eleco de Vz sobre la seal retficads de media onda, 2.7 Entradas senotdales; rectificacion de media onda 75 De hecho, si Vy fuera stficientemente mayor que V,, la ecuacién 2.7 se aplicarfa més cuentemente como primera aproximacicn a EJEMPLO 2.18 (a) Dibuje ta salida vp y determine el nivel de de de la salida para ta red de la figura 2.50, (by Repita et inciso (c) si el diodo ideat se reemplaza por un diodo de silcio () Repita los incisos (@) y (6) si V,, Se incrementa a 200 V y compare las soluciones median: te las ecuaciones (2.7) y (2.8). Figura 2.50 Red del eemplo 218. Solucién (@) Enesta situacién el diodo conducirg durante la parte negativa de la entrada como lo mues- tra la figura 2.51, y vp apareceré como también lo sefiala In misma figura. Para el perio- do completo, el nivel de de es Vigo = ~0.318¥,, = -0.318(20 V El signo negativo indica que fa polaridad de Ia salida es opuesta a la polaridad definida de la figura 2.50, -6.36V PIV (PRY) 1 valor nominal del voltae pico inverso (PIV)fo PRV (voltae pico en reversa) del diodo tie- re una importancia primordial en el disefiode sistemas de rectficacién. Es indispensable re- cordar que éste es el valor nominal del voltaje que no debera excederse en la regién de pols jn inversa o e} dicdo entraria en Ta regién de avatancha Zener, El valor nominal que st requiere de PIV pata el rectficador de media onda se puede determinar sen In figura 2.53, Ja cual muestra el diodo con polarizacién inversa de Ia figura 2.45 con el voltaje méximo apli ado, Al aplicar la ley de vokaje de Kirchhoff, es obviv que el velor nominal del PIV del dio- do debe igualar o exceder el valor pico del voltaje aplicado. Por tanto, [valor nominal PIV 2 Voy | secfcator de meds onda (2.9) v,=R=@)R=0V Figura 2.53. Detersinacién del valor nominal del PIV requer do pata el weetficador de median + P onda. 2.8 RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA Puente de diodos El nivel de de obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante le utiliza- cin de un proceso llamado rectificacidn de onda completa La red més familiar para desarollar tal funcién aparece en la figura 2.54 con sus cuatro diodos en una configuracién de puente. Du- rante el periodo ¢= 0 a 7/2, la polaridad de la entrada es la que muestra Ia figura 2.55. Las po- laridades resultantes a través de los diodos ideales también se muestran en la figura 2.55 pare demostrar que D, y Destin conduciendo, mientras que D, y Dy se encuentran én ef estado “apa ado”. El resultado neto es la configuracién de la figura 2.56, con su corriente y polaridad indi- cadas a través de R. Dado que los diodos son ideales, el voltaje de carga es vp = vj como se mues- tra en la misma figura, Para la regidn negativa de la entrada, os diodos conductores son Dy y Dy, con lo que se produce 1a configuracién de la figura 2.57. El resultado importante es que Ia polaridad a tra- | ‘ Figura 2.51, resultante para el cireuto del ejeraplo 2.18. WT i fe Vo ra ‘een Apagai wa 2.55 Red de bs Bgura 2.54 pars el periodo 0 -~» T?2 del voltsje de entrada (©) Al utilizar un diodo de siticio, ta salida tiene el aspecto de la figura 2.52 y | Vag # -0.318(Vq, — 0.7 V) = ~0.318(19.3 V) = -6.14 V 1a cafda resultante en el nivel de de es de 0.22 V 0 aproximadamente 3.5%. —0318Vq, 318(200 V) = -63.6V =0.318(Vq, ~ V3) = -0.318(200 V - 0.7 V) ~(0.318)(199.3 V) = -63.38.V Lo cual es una diferencia que puede ser ignorada para la mayoria de las aplicaciones, Para ka ida y el desplczamiento en la amplitud debido a Vp no seria discernible en un os- ciloscopio tipico si el patrén completa se desplegara, TT \ (©) Beuacin (2.7): Vy. CAIN Ecuacién (2.8): V, Figura 2.52. Efecto de Vy en ls salida de le figura 2.51 i Figura 2.56. Tryectoria de conduceién para la region postva de v, 16 Capitulo 2 Aplicaciones de diodos 2.8 Rectifieacion de ona completa 7 78 vés de la resistencia de carga R es fa misma que en Ta figura 2.55, al establecer un segundo pulso positive como fo sefala la figura 2.57, Sobre un ciclo completo los voltajes de entrada ¥ de salida aparecerin como Jo muestra Ie figura 2.58, Figura 2,58. Formas en on ade entrada y de salida para un rectlicadlor de onda com- peta Dado que el érea por encima del eje para un ciclo completo es ahora el doble de lo obte- nido para un sistema de media onda el nivel de de se ha duplicado también y Voc = Accuacién 2.7) = 2(0.318V,,) onda cept 2.10) en lugar de los diodos ideales se emiplean de silicio como lo muestra la figura’ 2.59, la aplicacién de la ley de voltaje de Kirchhoff darfa como resultado %- Vp Ve~ Vr= 0 y Mo = ¥) ~ 2Vy el valor del pico del voltaje de sala v, es por tanto: Vaan = Vm ~ Vz Para situaciones donde V,, >> 2V;, puede aplicarse la ecuacién (2.11 para el valor promedio con un nivel relativamente alto de precision, Va 636(Vq ~ 2Vs) uy De nuovo, si Vy, es suficientemente mayor que 2V7, entonces fa ecuacidn (2.10) se aplica de ‘manera frecuente como una primera aproximacidn para Vac Figura 2.59 Determinacion de Voge pata diodas de sileto cen la Configuracian de puente Capitulo 2 Aplicaciones de diodas Pv EI PIV requerido para cada diodo (ideal) puede determinarse por medio de ta figura 2.60 obtenids em el pico de la regién positiva de {a sefial de entrada. El voltae maximo para ta ma- Ha indicada a través de R es Vy el valor nominal de PIV se define por PIV ¥, m_| Pace rtiintve Se od compete Qin Figura 2.60 Derminacien cel PIV requerido para ls configure Un segundo rectificador popular de onda completa aparece en la figura 2.61 con Gnicamente —ciom de pute cectlicadet. dos diodos pero con el requerimiento de un trensformador con dexivacién central (CT del in- és center tapped) para establecer la sefal de entrada a través de cada seccin del secundar del transformnador. Durante la parte positiva de y, aplicada al primario det transformador, la red aparecerfa como se sefala en la figura 2.62. D; asume ef equivalente de circuito cerrado y Dy el equivalente de circuito abierto, como lo determinan los voltajes secundarios y las dinezcio- nes de cotriente resultantes, El voltaje de salida aparece como se muestra en Is figura 2.62. Transformador con derivacion central Figura 2.61 Rectifieador de ‘onda completa com transforma or con derivacion central Figuea 2.62 Condiciones dle red para la region positiva de s, Durante la parte negativa de la entrada, la red aparece como se muestra en la figura 2.63, all invertr las funciones de los diodos pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje tra- vés de la resistencia de carga R. El efecto neto es la misma salida que aparece en la figura 2.58 ‘con los mismos niveles de de. Figura 2.63 Condiciones de la red para la region negativa dev, 2.8 Rectificacion de onda completa 79