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SEGURIDAD Los técnicos en electrónica trabajan con electricidad, disposi tivos electróni- cos, motores y otra

SEGURIDAD

Los

técnicos en electrónica trabajan con electricidad, disposi tivos electróni-

cos,

motores y otra maquinaria rotato ria. Con frecuenci a necesitan usar herra-

mientas

manual es

y mecán icas para construir

prototipos

de

nuevos

dispositivos o

ba para medir las características eléctricas de las componentes, dispositivos y sistemas electrónicos. De ahí que están involucrados en una docena de tareas diferentes.

reto, pero involucran cier-

to riesgo si los técn icos no tienen c uidado en sus háb itos de trabajo. Es, por lo tant o, esencial que los estudiantes técnicos aprendan los princ ipios de se-

guridad al iniciar sus

El trabajn seguro requiere un enfoque cuidadoso y consc iente para cada una de las tareas. Antes de emprender un trabajo, los técnicos deben en ten- der qué hacer y cómo hacerlo. Deben planear el trabajo, disponiendo sobre el banco de tra bajo. de mane ra ordenada., herramientas. equi po e ins trumen- tos. Todos los objetos extraños se de ben quitar del banco de trab ajo y los ca- bles se deben suj etar en forma seg ura. C uando se trabaj a en o cerca de maqu inaria rotatoria, la ropa holgada se

debe sujetar de algún

Los voltajes de alimentación (potencia) se deben aislar de la tierra me-

diante un transformador de aislamiento. Los voltajes de la línea de alimen- tación pueden causar la muerte de manera que no se debe hacer contacto con las manos o el cuerpo. Los cables y cordones de alimentación se de ben verificar antes de usarse . Si el ais lamiento de los cordones de alimentación está a punto de romperse o está roto, no se deben usar. PARA EL ESTU- DIANTE: evite el contacto directo con cualquier fuente de voltaje . M ida los voltajes con una ma no en la bolsa del pan talón. Use zapatos de goma o hu-

le o permanezca sobre

perimentos. Asegúrese de que sus manos están secas y q ue no está parado

sobre un piso húmedo cuando haga pruebas y mediciones en un circuito

un tape te de hu le c uando t rabaje e n el ban co de ex-

rea lizar experimentos. También emplean instrumentos de prue-

Estas

tareas son interesant es y represe ntan un

carreras y los pongan en prác tica.

modo y manten er aseguradas las corbatas.

son interesant es y represe ntan un carreras y los pongan en prác tica. modo y

r

xii

SEG URIDAD

energizado. Desenergice antes de conectar instrumentos de prueba en un circuito energizado. Verifique que los cordones de alimentación de las herra- mientas de potencia y el equipo no aislado tengan clavijas de seguridad (clavijas de tres terminales polarizadas). No menosprecie la seguridad de estas clavijas usando adapta- dores no aterrizados. No sustituya los dispositivos de segu-

ridad, como fusibles o interruptores termomagnéticos de

seguridad, mediante el puenteo de los mismos o el uso de fusibles de mayor capacidad que la que especifica el fabrí - cante. El propósito de los dispositivos de seguridad es pro- teger a usted y al equipo. Maneje las herramientas en forma apropiada y con cui- dado. No permita juegos o bromas en el laboratorio. Cuan- do se usan herramientas de potencia, asegure su trabajo en un tornillo de banco o con pinzas de sujeción. Use guantes y anteojos cuando se requieran. Tenga un buen comportamiento y sentido común, y su vida en el laboratorio estará asegurada.

Primeros auxilios

.

En caso de accidente, suspenda de inmed iato el suministro de energía. Reporte el accidente a su instructor. Podría ser nece- sario que usted tenga que proporcionar cuidados de emergen- cia antes de que el médico llegue. de manera que deberá conocer los principios de primeros auxilios, que puede apren- der tomando un curso en la Cruz Roja.

Algunas sugerencias de primeros auxilios se plantean aquí como una guía sencilla. Mantenga acos tada a la persona accidentada hasta que llegue la ayuda médica, y procure abrigarla para mantener su temperatura corporal, y así evitar un shock. No intente darle agua u otros líquidos si la persona está inconsciente y asegúrese de que nada pueda causar heridas adicionales.

Respiración artificial

Los choques eléctricos severos pueden causar que una per-

sona deje de resp irar. Es té preparado para iniciar

ción artificial tan pronto la persona deje de respirar. Las dos recomendaciones técnicas son:

respira-

1. Respiración boca a boca, considerada más efectiva.

2. Método de Schaeffer.

Estas técnicas se describen en los libros de primeros au- xilios; usted debe dominar una u otra de modo que si surge la necesidad sea capaz de salvar la vida de alguien median- te respiración artificial.

- Estas instrucciones de seguridad no deberán alarmarlo; por el contrario, su propósito es que sea consciente de los riesgos que corre un técnico en electrónica, pues riesgos hay en todos los trabajos. Por lo tanto, debe usar el sentido común y el buen juicio, así como mantener la seguridad en sus hábitos de trabajo, como en cualquier otro trabajo.

SIMBOLOGíA MEDIANTE LETRAS Como se observa en e l prefacio de los autores, el énfa

SIMBOLOGíA MEDIANTE LETRAS

Como se observa en e l prefacio de los autores, el énfa sis primordial de es- te manual está en dispositivos semico nductores (estado só lido) y circuitos. Sin embargo. también se tratan los tubos al vacío y sus circuitos asociado s. lo que hace conveniente el uso de símbolos mediante letras que en el texto tienen el mismo significado para ambos circuitos: de estado sólido y de tu- bos al vacío. De acue rdo con el IEEE (Ins titute of Elec trical and Electronics Engineers), la simbología med iante letras para dispositivos semico nducto- res (Estándar IEEE #255) se usaron co n modific aciones par a los tubos al

vacío.

El siguiente resumen de símbolos para cantidades eléc tricas intenta acla- rar su uso en el texto.

Simbología de cantidades .••.•.•

•.•.••••.•

L

Los valores instantáneos de co rriente, voltaje y potencia-que varían

con el tiempo, se represen tan median te letras

minúsculas del propio

símbo lo. Eje mp los: í . v. p .

2.

Máximo (pico), promedio (corriente direc ta) y el valo r med io c uadré -

tíco (rms) de co rrie nte, voltaje y potencia se representan con letras mayúsculas del símbolo apropiado. Ejempl os: l . V. P .

xlv

SIMBOL OG iA

Sub índices para símbolos de cantidades

.

1. Los valores de corriente directa y valores instantáneo s totales se indican mediante subíndices con letras ma- yúsculas. Ejempl os: ic . le. Vu . VES' P e. P e-

2. Los valores de la componente de alterna se indican con subíndices con letras minúsculas. Ejemplos: i e 1" V~b' V~b'Pe. Pe'

3. Símbolos que se usan como subíndices:

Ejemp los:

corriente de emisor en corriente directa (no es la com- ponente de alterna) valor rms de la componente de alterna de la corriente de emisor valor instantáneo de la componente de alterna de la •

corriente de e misor

4. Los voltajes de alimentación se pueden indicar repi- tiendo el subíndice de la terminal.

i,

Ejemplos: V u • V ec • Vss. V pP ' V OG-

E, e

terminal del emisor

 

La única excepción es el uso ocasional de V + para el

B , b

terminal de la base

voltaje de alimentación de la placa de un tubo. Obser-

e, e

terminal del colector

ve que V + reemplaza u B + que es más usual.

A, a

terminal del ánodo

5.

El primer sub índice designa la terminal en la que se

K,

k

ter minal

del cátodo

mide el voltaje o la corriente con respecto a la termi-

G,

g

termin al

de

la rej illa

nal de referencia, la cual se designa mediante el se-

P, P

terminal de la placa

 

g undo subíndice .

M, m

valor máximo

 

M

ín. mín

valo r mínimo

EXPERIMENTO ~

CARACTERíSTICAS DEL DIODO DE UNiÓN

INFORMACiÓN BÁSICA

Semiconductores

.

Los sem iconductores son sólidos cu ya resis tividad está entre la de los con-

ductores eléctricos y la de los aislantes e léctr icos . Los transistores, los dio- dos de unión, los diodos Zener, los diodos de túnel. los circu itos integrados y

de semiconductores. Éstos se em -

plean en co mputadoras. rece ptores de radio. apara tos de televisión. video- grabadoras y otros aparatos electrónicos. Mediante dispo sitivos semico nductores se llevan a cabo d iversas fun- ciones de control. Pueden utilizarse como rectificadores. amplificadores , detectores, osciladore s y elementos de conmutación. Algunas características propias de los semiconductores que los co nvien en en uno de los miemb ros favoritos de la familia electrónica son las siguientes.

los rectificadores metálicos so n ejemplos

1. Los semiconductores son sólidos. Por ello. es muy poco probable que vibren.

2. Los semiconductores consumen poca energía e irradian poco ca lor. No requieren tiempo de calentamiento y empiezan a funcionar en cuanto se les suministra energía.

3. Los semicond uctores

son fuertes y se pueden con figurar para que per-

manezca n herméticos ante las condicione s de l medio e xterno. J unto con su tamaño reducido (figura 1- 1), estas características permiten que gra n- des circ uitos oc upen un espacio minimo.

OBJETIVOS

Medir los efectos d e las pol arizacion es d irecta e

inversa en la corriente

de un diodo de unión .

Determinar de m anera experimental las carao -

terísticas de voltajey co-

rriente de un diodo d e unión y graficar1as.

Hacer pruebas a un dio-

do d e

unión con un óh-

metro.

2 EX PER I MENT O

1

2 EX PER I MENT O 1 Figura 1-1. Un tran sistor. Materiales semiconductores e Impurezas

Figura 1-1. Un tran sistor.

Materiales semiconductores e Impurezas

E l silicio y, en menor grado, el germa nio, son los materiales

con los que actu alm ente se constr uyen los dispositivos se- miconductores. Predomina el silicio, por ser menos sensible

al calor.

Antes de fabri car con ellos materiales sem iconductores efici entes , el german io y e l silicio deben someterse a un proceso de alta puri ficación. En su estado original . la con- ductividad de estos semiconductores es muy baja; es decir. su resistividad es elevada. Para aumentar la conductividad del germanio y del silicio se añaden cantidades minúsculas de ciertas " impurezas". La adición de diversas cantidades y va-

riedades de impurezas . o contaminación. modifica la estruc- tura del enlace elec trónico de los áto mos de estos elementos.

y les proporcionan portadores de corrie nte que aum entan su

conductividad. Impurezas tales como el arsénico y el antimonio aumen- tan la conductividad del si licio al incre mentar la cantidad de

porta dores (electro nes libres) de carga negativos (N). Debi- do a lo anteri or, el silicio contaminado con arsén ico o con antimonio se conoce como tipo N . El silicio tipo N contiene

algunas cargas positivas (huecos). pero son la minoría y se les conoce como portadores minorita rios. Se puede considerar

N se porta por los

qu e e l fluj o de corriente en e l s ilicio tipo electrones libres, que son los portadores

may oritarios.

Imp urezas tales como el ind io y el galio elevan la con- ductividad del silicio mediante el incremento de l núm ero de portadores de carga positivos (P. hueco s). El silicio co nta- minado co n ind io o con ga lio se co noce como tipo P. E l s i- licio tipo P co ntiene algunos e lectrones libres. pero se trata de portadores min oritarios. Se puede considerar que el flu - jo de la co rriente en el silicio tipo P se lleva a cabo median-

te huecos. que son portadores'mayorírarios.

Los huecos sienten atracción por los electrones libre s. Cuando se Uegan a " encontrar" un electrón libre y un hue - co. el primero "ll ena" el hueco y neutraliza su carga. Se di- ce que el electrón lib re se ha co mbinado con el hueco. Durante este proceso. tan to e l hueco co mo e l electrón libre se p ierden como portadores de co rrien te. Mientras suce de lo anterior, tamb ién se están formando nuevos portadores de corriente en otras part es de l semiconductor. El movi miento de los portadores de corriente se puede contro lar aplicando un vo ltaje de una batería externa, VM '

p

 

-0

 

0-

0 -

0--0_

lo

 

-0

 

0

0-

-0

I

0-

 
 

- G

 
 

0---

' ,11-

Figura 1-2. Movim iento de electrone s libres y huecos en un mal eo rial tipo P.

en el semiconductor (figura 1· 2).

La terminal po sitiva de

VM repele a los huecos del silicio tipo P que se desplazan hacia la terminal negativa. Los electrones libres entran al si- licio procedentes de la terminal negativa de VM Yse despla- zan hacia los huecos. Se llev an a cabo combinaciones de electrones libres y huecos. Al tie mpo qu e se fonnan estas combinaciones. se liberan más electrones y huecos móviles en el silic io. a partir de un par electrón-hueco. Los electro- nes liberados se desplaza n hacia la terminal positiva de la batería y los huecos ha cia la termi nal negativa de la batería. Continúan las recomb inaciones y libe raciones; de est a m a- nera se mantiene un flujo de co rriente constante en el cir-

cuita externo.

Funcionamiento de un diodo de unión semiconductor

Cu an do se une n silicios tipo P Y tipo en la fig ura 1-3. se forma un d iodo de

tivo de dos elem entos tiene una caracte rística única: la ca -

pacidad para permitir el paso de la corriente sólo en una dirección. Al conectar la terminal negativa de la batería al silic io

tipo N Yla terminal positiva al silicio tipo P el resultado es

que se co noce co mo polarización dí-

un flujo de corriente

recta. Los electrones y los huecos se desplazan. al ser Tepe-

N como se muestra un ión. Es te d isposi-

P N
P N

P

P N

N

P N
P N
P N

Figura 1·3. Diodo de unión.

CARACT ER l sT 1CAS

DE

I.

DIODO

DI'

u

xr o

a

3

e

   

P

N

,

-

-

I

h

e

I

 

I

-

11 ' +

I

I

I

t

e

Rgura 1-4. Efecto de la polarización inversa en un diOdO de unión .

MATER~AlTIPO N 8

CÁTODO

MATERiAl TIPO P

o

ÁNODO

Figura ' ·5. Símbolo del circuito Que repre senta un diodo semcon-

doclo<.

lides, en dirección a la uni ón PN . e n donde se recombinan

para formar cargas neu trales y so n ree mplazados por los elec-

trones libres (ca rgas negativas) de

to de carg as

del diodo en form a de el ectron es libres que pasan de l mate-

rial N. por la unió n y el mat erial P, a la

la batería. Dado qu e hay fluj o de corriente a través de esta conexi ón, se dice que el diodo tiene resistencia directa baja. La con exión para la potarísac íon inverso se muestra e n

la figura 1-4. La terminal pos itiva de la batería atrae a los electrones libre s del silici o tipo N, y los saca de la unión PN. La term inal negativa de la batería atrae a los hueco s del si- licio tipo P, Y los saca dela unión PN. Por lo tanto , no existe la combinac ión de e lectrones libres y huecos. Entonces, los portado res de cor rien te mayoritarios del d iodo no prod ucen un flujo de corriente. En el caso de esta conexió n de polariza- ción inve rsa, ex iste u na corriente minúscula e n el diodo. Es- ta corr iente se debe a los portadores minoritarios, es deci r. los huecos de l tipo N Y los e lectrones del tipo P. E n el caso

de los portadores minor itar ios. la polaridad de

la bater ía es

terminal positi va de

la batería. Este mo vimien-

mant ien e una elevada corriente directa a tra vés

correcta y pe rmite el fl uj o de co rr iente. Como re su ltado d e los portadore s minoritarios. sólo se obtiene un flujo de unos microampcrs. Lo anterior se indica mediante las flecha s

punteadas de la figura 1·4 . La co nexión de polarización in- versa prod uce una resisten cia inversa elevada en el diodo. La figura 1-5 es el símbolo de circuito de un diodo de semicond ucto r. La term inal ma rcada como "á nodo" (repre- sentada por la punta de flec ha) esta conectad a con el ma- tcrial tipo P, Y la que est á señalada co mo "cátodo" esta conectada al material tipo N. Para que haya flujo de comen -

60

20

o

o.a

0.4

V IV í

0 6

0.8

1.0

Figura 1-6. cerecterreucee von-arnpers en polarización directa de

un diodo de unión de silicio.

te en este d iod o, la terminal posi tiva de la bate ría debe es- tar en el ánodo y la termina l negati va en el cátodo en una con figu ración de polarizac ión d irecta .

Característica de vol taje y co rriente en directa

La car acterística de voltaje y corriente (c aracterísticas volt-

amper)

ció n de la cor riente en dic ho diodo en relación co n el voltaje aplicado. Para de tcrminar lo anterior de man era experimen-

tal. se mide la corriente de diodo correspondien te a una ca n- tidad sucesiva de voltaje s cada vez mayores y se traza una gráfica de la co rrie nte en función del voltaje. El es tudiante observará que hay muy poco fluj o de corriente en el diodo cuando el nivel de vo ltaje apli cado es bajo. Por In tanto. pa- ra una po larización directa menor a los 0 .7 volts (V), el dio-

do de silicio at rae poc a corriente. En el cas o de voltajes de

po larización

se represe nta e n una gr áfica

qu e mue stra la varia-

dir ecta iguales o mayores que 0.7 V. el diod o

se activa y permite el flUJO de la corriente. Asimismo. para valores ma yores de 0.7 V, u n peque ño aumento del voltaje de polarización directa da por resultado un incremento ronsr- derable en la corriente del d iod o . En la fi gura 1-6 .'>C muest ra la carac tcrfsuca volr-corncntc en polarización directa upi-

cas de un d iodo de silic io.

.

4

E XPE RI

ME N TO

1

M +
M
+

A

B

ÓHMETRO

Fig ura 1-7. Polaridad de las puntas de conex ión de un óhmetro.

El voltaje de activación en polarización directa de los

dio dos de s ilicio t iene

caso de los diodos de germanio es de 0.3 V. Cuando el diodo tiene polarización inversa, la pequeña corriente produc ida por los portado res minoritarios per-

manece relativamente constante. es decir, independiente del voltaje de polarización. hasta que se llega a cierto valor de voltaje. Después de este nivel seguro de polarización inver- sa se produce un fenómeno conocido como "ruptura de ava- lancha", cuand o se presen ta una corr iente de sobrecarga

fuerte, la cual puede

destruir el diodo . Por ello , es necesario

que éste funcione den tro de límites seguros, normalmente especificados por el fabricante como voltaje directo máxi-

mo (V FM ) y voltaje inverso

se es-

pecifica la cor riente directa pico (I¡'M).

un va lor característico de 0 .7 V. En el

máximo (V RM ) . También

M étodo para prohar un diodo semiconductor con un óhmetro

La verificación de resistencia es un método algo burdo pa- ra probar el funcionamiento de un diodo semiconductor. Como se recordará , la polaridad de las terminales de la ba-

tería de un óhmetro aparece en las puntas de conex ión. En la figura 1-7, la pun ta A es positiva y la punta B es negat i- va. Al probar con un óhmetro un diodo cuyo funcionamien - to es normal se encuentra que la resistenc ia directa de dicho

diodo

tanto, si la punta de conex ión positiva del óhmetro (A en la figura 1-7) se conecta al ánodo del diodo y la punta de cone- xión negativa (B) al cátodo, el diodo estará polarizado direc- tamente. La corr iente fluirá y el diodo medirá una resistencia baja. Por otra parte, si se invierten las puntas de conexión del óhmetro, el diodo estará polarizado inversamente. Flu- ye poca corriente y el valor de la resistencia del diodo es ele- vado. Si un diodo semiconductor presenta una resistencia directa muy baja y una resistencia inversa baja, es probable que esté dañado (fund ido). Por otra parte, una resistencia directa ex traordinariamente alta o infi nita, indica que el d io- do está abierto.

es baja y que la resistencia inversa es elevada . Por 10

Cómo identificar el ánodo y el cátodo de un diodo

Por lo general, el cátodo de un diodo se indica mediante una banda circu lar. Si el diodo no está marcado, es sencillo de-

terminar cuál es el ánodo y cuál es el cátodo con una veri- ficación en la resistencia. Primero se determ ina la polaridad de las puntas de conexión del óhmetro con un voltímetro

conec tado a las terminales

del óhrnetro. A continuación se

determina la posición de las puntas de conex ión del óhme- tro que mide la resistencia directa del diodo . En esta posi- ción, la punta de conexión positiva del óhmetro se conecta con el ánodo y la nega tiva con el cátodo .

Func ión ohms de bajo voltaje de un óhmetro

La batería de un óhmetro no electrónico, como el de la fi-

gura 1-7, es de 1.5 Va más. Por lo tanto. es capaz de pola- rizar directamente un diodo de unión de silicio con un valor

mayor que los 0 .7 V necesarios

nera similar, puede polarizar un diodo de unión de germanio

a más de los 0.3 V necesa rios para la conducción . Por esto

es posible !levar a cabo pruebas en diodos semiconductores con un óhmetro. Sin embargo, en la localización de fallas

de algunos circuitos sem iconductores se utilizan

óhmetros

de baja potencia (LP). en los cuales el voltaje conexión e s menor a 0 .7, e incluso 0 .3 V. La

baja potencia (LPíl) de medir la res istencia di-

recta de un diodo , ni puede identificar el ánodo o el cátodo

función correspondiente a ohm s de

este tipo de óhmetro no

elec trónicos de p unta de

para la conducción. D e ma-

sirve para

.

de un diodo . Por fortuna , el fabricante proporciona. ade-

más de la función ohms de baja potencia. una función pa-

ra o hms normales . Las pruebas de resis tencia de un diodo sem iconductor se llevan a eabo mediante la función oluns

normales del óhm ctro.

Primera aproximación

.

¿Qué hace un diodo? Conduce bien la corriente en direc- ción directa y mal en la dirección inversa. En esenc ia. ideal- mente un diodo funciona como conductor perfecto (voltaje cero) cuando tiene polarización directa y como un aislante perfecto (corriente cero) si tiene polarizac ión inversa (figu- ra 1-8). A esta primera aproximación de un diodo se le co- noce como diodo ideal. Repre senta una manera sencilla y rápida de analizar los circu itos de diodos . Por ejemplo, el diodo de la figura 1-9a) tiene polariza- ción directa . En una prime ra aproximación actúa como un corto circuito . Por 10tanto. la corrien te que pasa por el dio- does

 

VOLTAJE

DIRECTO CERO

CORRIENTE

v

INVERSA CERO

'"

C A R A C T E R l

s T I C A S

DEL

DIOD O

POLARIZACiÓN

EN DIRECTA

POLARIZACiÓN

EN INVERSA

DEL DIOD O POLARIZACiÓN EN DIRECTA POLARIZACiÓN EN INVERSA '" DE 'd U NI Ó N
DEL DIOD O POLARIZACiÓN EN DIRECTA POLARIZACiÓN EN INVERSA '" DE 'd U NI Ó N

'"

DE

'd

U NI Ó N

5

POLARIZACiÓN EN INVERSA '" DE 'd U NI Ó N 5 Figura 1-8. Diodo ideal :

Figura 1-8. Diodo ideal : a) gráfiea; b) polariz ación directa: el polarización inversa .

H" • l O V -=-
H"
l O V -=-

.,

H" lO V -zr- •
H"
lO V -zr-

'"

Fi gu ra 1 ·9. P rime r a apl"oximación : a ) 1 '" 5 mA; b)

I == O mA.

1 =

IO V

=

S mA

2 kO

Por a ira par te, el diod o de la figura 1-9b)

( 1.1)

tiene polariza-

c ió n i nver sa. Id eal mente se t rata de un ci rcui to ab ierto , po r l o q ue la c o rri ente q ue ci r c ula po r é l es de O.

me nte no fluye sino has ta que aparecen 0.7 V en el diodo.

A partir de este momento el d iodo se activa. S in impo rtar la

corriente directa. só lo se permi te una ca ída de voltaje de

0.7 V en el d iodo

uti lice un valor de 0.3 V.) Por cie rto. el va lor de 0.7 V se co- noce co mo voltaje de ba rrera o de "codo". La figura I-JOb) es el circ uito eq uivalente de la segun-

el d iodo debe cons iderarse en serie co n una batería de

0. 7 V. S i el voltaje fuente que alimenta a l diodo rebasa al voltaje de contratensícn. se cierra el interruptor y el voltaje del d iodo es igual a 0.7 V.

. Como eje mplo se utilizar á la seg unda ap roximación para el caso de l d iodo de la figura 1-9a ). El voltaje de la fuente es suficiente para reba sar el voltaje de cod o. Por lo tanto, e l diodo tiene polarizac ió n d irecta y la corriente es ig ual a

da aprox imació n. En este caso como un interrupto r co nectado

de silic io. (Para los d iodos de germanio.

1 =

10 V - 0.7V = 4.65 roA

2kO

( 1.2)

Segunda aproximació n

Para que un d iodo de silicio co nduzca rea lmente bien es ne- cesario q ue haya po r lo m enos 0. 7 V. Cuando la f uente de

voltaj e es

para tener algún e fecto. Pero si la fuente de voltaje no es tan grande, entonces hay q ue tomar en cuen ta los 0.7 V.

grande, 0 .7 V es una cant idad m uy pequeña como

.

muestra la gráfica correspondien -

te a la segunda aproximación. Se puede observar que la co-

En la figura 1- 10a ) se

Si la polarizació n del dio do es inversa, co mo en la figu- ra 1-9b), la seg unda aproximación sigue dando un valor de corriente igual a cero.

Resistencia mésíca

Para valores superiores al voltaje de codo, la corriente del d iodo aumenta co n rapidez ; un pequeño aumento del vo lta- je del d iodo provoca un aumento co nsiderable en la corrien- te de l diodo. Una vez superado el voltaje de contratensi ón,

0' v
0' v
0' v
0' v
0' v

0'

0' v
0' v

v

l.'

SEGUNDA APROXIMACIÓN o
SEGUNDA
APROXIMACIÓN
o

~I

Figura 1·10. Segunda aprox imación: a) g ráfica; b) circuito equivalente de la polariZación directa.

6

E X

PE RI

M

E NT

O

1

6 E X PE RI M E NT O 1 1.'1 v lb ) Figura 1-11.

1.'1

v
v
v

v

lb )

Figura 1-11. al Resistencia masica : b) corriente directa correspondiente a 1 V.

masica : b) corriente directa correspondiente a 1 V. Figura 1- 12. Terc e ra a
masica : b) corriente directa correspondiente a 1 V. Figura 1- 12. Terc e ra a
masica : b) corriente directa correspondiente a 1 V. Figura 1- 12. Terc e ra a
masica : b) corriente directa correspondiente a 1 V. Figura 1- 12. Terc e ra a

Figura 1- 12. Terc e ra a proximación : a)

TE RCERA . A PROX IMAC ION

o~-

--1*" -

-

o

----:-, V,

I

I

Va

I

i

0 .1

( &

I

1/1'

g ráfica ; b) equ iva lente e n pola rizac ión di recta; e ) ejem plo.

V,

w v

lente e n pola rizac ión di recta; e ) ejem plo. V, w v li:1

li:1 _

10 único que se opone a la corriente del diodo es la resisten - cia de las regiones P y N, repres entadas por r p y r,~'en la fi- gura 1- 11. La su ma de es tas resist enci as se llama resistencia másíca del diodo. Usando litera les

se llama resistencia másíca del diodo. Usando litera les (1.3) El valor car acterístico de ro

(1.3)

El valor car acterístico de ro varía entre 1 y 25 oh ms (H).

El cálculo de la resistencia m ñstca de un d iod o de sili-

c io se reali za de la s ig uie nte man era . En la hoja de especi-

ficac iones de l fabricante por lo general

la corriente d irecta I F correspondiente a 1 V. En el caso de un diodo de silicio los primero s 0.7 V son necesarios para reba sar el voltaj e de barrera; los 0.3 volts restantes se con -

se ind ica el valor de

la resistenc ia m úsica del d iodo . Por lo tanto, para calcular la resistenc ia música se tie ne

sumen en

0.3 V

/r

(l

A )

dond e Ir es la corrie nte dir ecta para 1 V.

Por ejemplo, el l N456 es un d iodo de silicio cuya Ir es

igual a 40 mA a

r

=

0.3 V

11 40 mA

1 V. Su resistenc ia mási ca es igual a

=

7 .SH

( J.5)

Tercera aproximación

.

E n la terce ra aprox imación de un diodo se incl uye la re sis-

tencia m úsica. de rll . Una vez

duce un voltaj e e n re. Cu anto mayor sea la co rriente, mayor

será el voltaje. El circuito equivale nte de

la tercera ap roxi mac ió n es un

interruptor co nectado en se rie con una bate ría de 0.7 V Y una

resis tencia de valor r 8 (figura 1-12 b). Una vez q ue e n e l c ircui-

to externo se rebasa el potenc ial de contrarcnsi ón, se obli ga el paso de la corriente a través de la resistenc ia m úsica. Como ejemplo de la tercera ap roximación supo nga que se usa un IN456 co mo el de la figura 1-9a ). Dado que tiene una resistenc ia más ica de 7.5 n, e l equivale nte de la fig ura 1-9a ) p uede ser la figura 1-12c). En es te circuito la corr iente es

ro. E n la figura l- 12a ) se muestra el efecto activado el d iodo de si licio, la corriente pro -

1 =

IOV - 0.7V

9.3 V

2k H +7 .5 H

2007.5

H

( 1.6)

Se ha analizado el m ismo circuito (fi gura 1-9a) utilizando tres ap roximac iones de l diodo . Los resultados ob ten idos son

1

"" 5 mA

(idea l)

I

= 4.65

(segunda)

I

"" 4.63

(tercera)

( 1.7 )

CARACTERls TICAS

D

E L

01

0

0

0

D E

U N

IÓN

7

¿Cuál de estas aproximaciones debe utilizar usted? Ello de-

penderá del circuito en part icular que se analice y pósito del análisis.

del pro-

se polariza inversamente al diodo . con lo que se impi- de el flujo de la mayor parte de la corriente y en con- sec uencia el valor leído de la resistencia es alto.

Si

se trata de

un a nális is preliminar, em piece

por la

8.

Debido al comportamiento unidireccional del diodo.

se conoce como aproximación de diodo ideal.

aproximación del diodo ideal. Ésta dará una idea rápida

podría considerarse de manera ideal como un cono

del funcionamiento del circu ito. Si

el valo r de 0.7 V es

circuito cuando tiene polarización directa y como un cir-

significativo e n relación co n e l voltaje de la fuente. utilice la segunda aprox imación. Y si la resistencia másica es sig-

cuita abierto cuando tiene polarización inversa. Esto

nificativa en relación con

la

resistencia del circ uito, use la

9.

La seg unda aproximación de un diodo tiene en cuen-

tercera aprox imación.

 

ta el voltaje de umbral. Es decir. el comportamiento

 

e n polarización direc ta del

diodo se considera como

un cono circuito conectado en serie con una batería de 0.7 V.

RESUMEN

 

10.

En la tercera aproxi mación de las car acterísticas de

un

l. En electrónica se prefiere utilizar semico nductores para controlar la corrie nte deb ido a su reducido tama- ño y a su mínimo cons umo de energía y porque per- miten lograr la microminiaturización de dispositivos y circuitos elec trónicos.

2. Los materiales básicos semiconductores son el silicio y el germanio. que en su es tado puro son aislantes. Es- tos materiales se contaminan con impurezas para dis- minuir su resistividad y aumentar su conductividad.

3. Cuando se unen una pieza de semiconductor tipo N (portado res de co rriente negativos. electrones) y una tipo P (portadores positivos. huecos) - lo cual está de- terminado por el material de contaminación- se forma un diodo de unión.

4. Un diodo de unión tiene características de corr iente

unidireccional; es decir. permit e el flujo de la corr ien- te en una dirección (cuando tiene polarización direc-

polarización

inversa). 5 . Exis te un límite para el volt aj e má ximo d irecto (ter- minal negativa de una fuente de alimentación conec -

tada con el material N) y el voltaje máximo inverso (terminal negat iva conectada con el material P) que se aplican a un diodo de unión.

6. El voltaje de activación o umbral de un diodo dc unió n de s ilicio es 0 .7 V Y0 .3 V para un diodo de gcr- rnanio. Una vez que este voltaje se aplica al diodo. és-

apreciable. Un aumento del

voltaje de polarización directo provoca un aumento de la corriente en el diodo .

7. Un diodo de unión se puede probar con un óhmetro. Éste mide la corriente que pasa por el dispositivo en función del voltaje que se aplica con el medidor. Con la aplicación eléctrica de la ley de Ohm, la lectura de la corriente se convierte en una lectura de resistencia. Cuando las puntas del óhmetro se conectan al diodo de manera que quede polarizado directamente el flujo de corriente es elevado. lo que indica una baja resis- tencia. Al invertir las puntas de conexión del óhmetro

ta). pero no e n la contraria (cuando tiene

te cond ucirá de manera

diodo, la resistencia másica, responsable de un consu- mo adicional del potencial de voltaje. se tiene en cue n- ta en el circ uito de diodo.

AUTO EVALUACiÓN

.

Responda a las siguientes preguntas para evaluar su apren- dizaje.

1. El

material semiconductor más común es

 
 

_

2.

El germanio y el silicio. en fam

a pura, son

(conductores, aisladores¡

_

3.

En el silicio contam inado con impurezas como el ar-

sénico hay una cantidad mayor de portadores de carga

(positivos, negativos) y el material es tipo :::-::-:---:- (N. P)

4.

El diodo de unión puede com pararse con una resisten- cia ya que permite el tlujo de la corriente en ambas di- recciones. (verdade ro. falso )

5.

Para polarizar directamente un diodo de unión, conecte

la punta

(positiva. negati va) de una batena

con la terminal tipo P del diodo y la punta

_

(p ositiva , negati va) con la terminal tipo N.

6.

El voltaje de polarizac ión d irecta de un diodo de silicio

debe ser igualo mayor que V para

que el

diodo pueda conducir de manera apreciable.

7.

La característica voltaje-corriente de un diodo de unión

es la

gráfica de

en función de_ ---:_ ,---c.

8.

Una vez que se activa un diodo, al aumentar el voltaje

en el diodo se produce una (mayor. me-

llar) circulación de corriente en el diodo.

 

9.

La resistencia directa de

un diodo de

silicio es

_

_

_

_

; la resistencia inversa

_

10.

La resistencia di recta de un diodo se puede verificar. de manera aproxi mada. utilizando

--,,---_

11.

La primera aproximación de un diodo, conocida también

como el diodo

. sirve cuando se quiere

8

EXP ERIM ENTO

I

acue rdo con e lla, e l un aislante perfecto.

12. Un diodo ideal se co mporta como un interruptor cuando tiene polarizació n directa y co-

realizar un aná lisis preliminar. De diodo es un perfecto o

mo un interrupto r

cuando tiene polariza-

c ió n inversa.

13. El voltaje de barre ra de un dicxlo de silicio es de

14. En la segunda aprox imac ión. en el circ uito exte rno se

el

diodo de silicio se act ive. Entonces, sin importar la cantidad de co rriente presente. la caída en el diodo es

debe aplic ar por lo menos para que

15. La resistencia

giones P y N. Esto impide que haya co rrie nte una vez rebasado el voltaje de contratensión.

16. En la tercera aproximación de un diodo de silicio. se con- sidera que hay un co nectado e n serie co n una balería de 0.7 V Y una resistencia _

es la resistencia de las re-

CARACT ER í S T IC AS

D EL

D IOD O

DE

U Ni

Ó N

9

PROCEDIMIENTO

o ••

• •••

•• • •

•• •• •

••••• •• •

••••• •

•• ••••

••

••

••

••

•• •• •• •• • •

••• •

• •••

•• •

•• ••• •• •

••

••

• •••

MATERIAL NECESARI O

Fuente de alimentación : fuente de cd de alta corri ente, voltaje bajo. variable y regul ada. Equipo: mult ímelro digital, VüM , 20 000 suv. trazador de curvas. Resistores: 250 n a 2 W. Diodo de silicio : l N41S4 (otras opciones: lN9 14 o cas i todos los diodos de silicio para señal pequeña) . Diodo de germanio: lN 34A (otras opc iones : lN4454 o

casi todos los d iodos de

Otros: interruptor de un polo un tiro.

germanio para señal pequeña).

TABLA 1-1. Mediciones del diodo

Paso

V"

/D

Resistencia del diodo

     

2

0.7 V

3, 4

     

5

X

X

Directa:

     

In versa

12

X

X

ro:

Polarización del diodo

.

l . Identifique los extremos del ánodo y cátodo de un

diodo de silicio IN4154 y arme el circui to mostrado en la figura 1~13, estan do el diodo en polarización di- recta. ¿Cu ál de los extremos del diodo conectaría más cerca de la term inal negativa para lograr la polariza- ción directa?

2. Ajuste la salida de la fuente de cd variable de manera que el voltaje en el dio do (V AK ) mida 0.7 V. Mida y anote. en la tabla 1-1. la corri ente del diodo (lD)' ¿Cuál sería la corriente del diodo si éste estuviera invertido?

3. Invierta el diodo y mida ID _ Anote los resultados en la tabla 1-1. Los resultados deberán confirmar la predic- ción hecha en la pregunta 2.

4 , Mida V AK con el diodo en polarización inversa . Anote

la lectura en la tabla 1- 1. Calcu le y anote la resistencia

del

de un diodo con polarización directa y con polarización

inversa.

In-

vierta las puntas de con exión y mida de nuevo la re-

Dado que la batería del medidor

emp leado para medir la resistencia tiene una polari- dad, las puntas de prueba del medidor también estarán polarizadas. Anote ambas lecturas en la tabla 1-1, en donde corresponda.

sistencia de l diodo.

5. Qu ite el diodo del c ircuito y mida su resistencia.

diodo (V AK

d ividido en tre ID ) para configuraciones

Caracter ístic as voltaje-corriente

.

+

configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas
configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas
configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas
configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas
configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas
configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas
configuraciones Caracter ístic as voltaje-corriente . + R + 250n s, Figura 1-13. Circuito para pruebas

R +

250n

250n s,
250n s,
250n s,

s,

Figura 1-13. Circuito para pruebas del experimento 1.

6,

Cambie la posición del diodo en el circuito de mane-

ra

que tenga polarización d irecta. Aju ste la

fuente de

cd

variable de acuerdo con los

valores de V AK que

se

mues tran en la tab la 1-2. Mida

para cada valor de V AK .

y anote la corriente to

Invierta la posic ión de l diodo de manera que tenga po- larización inversa. De nuevo fije la fuente de cd varia- ble de acue rdo con los valores indicados en la tabla

1-2. Mida y anote el valor de ID' Esta corriente es pe-

+ queña y quizá requiera un ampe rímetro o un multíme-

tro que lean cor rientes del orden de microa mpers.

Trace la cur va característica de un d iodo en papel cua-

driculado; para ello, grañquc V AK en el eje x e ID en el

eje y. Tome nota de que los valores de polarización di-

recta de V AK se cons ideran pos itivos y los valores de polarizaci ón inversa se cons ideran negativos. La co- rriente de polarización directa que pasa por el diodo se cons idera de valores positivos dado que la corrien- te fluye del cátodo al ánodo . Los valores de la co-

7,

8,

10

E

X

I'

E

R

J

\

l

F.

~

T

O

1

TABLA 1·2. Caracteristicas voltaje-corriente

P(u o 6

Potarizacion

Paso 7

 

1'",r- V

d irecta lo- mA

VAl'" V

inversa l o . ¡.LA

O

 

O

 

0.1

 

-S

 
   

-10

 

03

 

- 15

 

O,

 

-20

 

0.5

 

- 25

 

06

 

-30

 

0.7

 

- 35

 

OS

 

-40

 

me nte prod ucidos por la polarización inversa del

do se de be n a corrientes de fuga y fluyen en direc c i ón

de los valores de la c o me nte d irecta. Así.

hay números " negat ivos" en el eJe y. Calcule sus es- calas numéricas de mane ra que en el eje .r positivo se

representen voltajes entre Oy 3 V Y en el eje x ncgcr i-

vo ap a rezc an vo ltaje s en tre O y 50 V. A su ve z. la e s- cala del eje y deberá servir pa ra todo el intervalo de corrientes co rrespond ientes a la polarización dir ecta e

o puesta a la

di o-

PREGUNTAS

En el paso 5. i.c(Ímo decidió qué valor de resistencia

era la resiste ncia d irecta y la resistencia inversa?

2. Compare las resis te nc ias med idas e n el paso 5 co n las

l .

inversa. De es ta mane ra se ob tendrá una gráfica que cuente con dos escala s por cada eje y co n el cambio de esc ala en O.

9. Si dispone de un trazador de c urvas. consulte el ma- nual pa ra el usuario y calibre los con troles para ob- servar la cu rva característica de su d iodo. Inserte e l diodo y obs er ve la cu rva en la pantalla del tubo de ra- yos catód icos (CRT). ¿La curva ob tenida e n este tra- zador se asemeja a la que obtuvo en el paso T! E xplique la razón de cua lquier d iferencia significat i- va que e nc uentre .

Aprox imaciones

.•

•.

•.•

•.•.•.•.

10. En la gráfi ca que o btuvo e n e l paso 8.

I L

d ibuje con va-

rios co lores. las curvas de la primera. segunda y ter- cera aproximaciones para su diodo. Calcule la resistencia másica ( r s) de su diodo me- d ia nte dos puntos loc a lizados en la parte lineal de la porci ón de po lar izació n di recta de la cu rva obtenida para los valores V AK y lo. Sust ituya estos valores e n la fórmula

V A K y lo. Sust ituya estos valores e n la fórmula ( L S)

( L S)

despeje ro. Anote en la tabla 1-1 el valor de ro.

5. ¿C uáles son las limitaciones. en caso de haberlas. de :

a ) la pola r izació n dir ecta y b) la po la riza ción i n ve r s a "! i.En es te ex perime nto se rebasaron las limitaciones?

 

calculada

en el

paso 4 .

llaga referencia a las medici ones para apoyar

su res-

J.

i.En q ué co ndicio nes se acti va un diodo de unió n'! Ex-

pu esta.

plique. Con

une

las mediciones realizadas y anotad as

6. ¿Cómo pod ría ident ificar e l ánod o dc un d iodo

que 0 0

-

ot .

eh la tab la 1-2_ i .ll ay m ucha v ariación en la s corr ien te s i nv ersa s de la tabla 1-2'! Comente qué diu lugar a los resultados o h-

te nidos.

CSIl= marcad o'!

7. ¿Cómo podr ía determinar cuál es la punta de cone- xión positiva de un óhrn ctr ono clécrricu y cuá l es la ne- gativa'!

EXPERIME NTO

EXPERIME NTO , CARACTERISTICAS DEL DIODO ZENER INFORMACIÓN BÁSICA Funcio na m iento del diodo Ze

,

CARACTERISTICAS DEL DIODO ZENER

INFORMACIÓN BÁSICA

Funcio na m iento del diodo Ze ner

Las características de un diodo de estado sólido dependen del materi al se- miconductor del cual es tá hecho el diodo, del tipo y grado de "contamina- ción" de di cho m ater ial y de In construcción física y dimen sione s del dispositivo. El diodo semic onducto r q ue est udió en el ex perimen to 1 funcion a den-

tro de los

de diodos

corriente y voltaje en polariznciún inversa se utilizan en aplic aciunes del to-

conoci dos co mo d iodos Z cner. c uyas caructeu sticas espe ciales de

de su po larizac ió n di recta . Existe otro tipo

valores ca rac ter ísticos

do di ferentes de las de l d iodo de rrixrul. En la figura 2-1 se muestra el sím- bolo de un diodo Zcn cr.

e s la g ráfica de las características d e volrajc-con-icnrc de

un diodo Zcnc r. Cuando el diodo tiene polarizac ión directa SL" comporta en -

1110 un interruptor cerrado y la corrient e directa se el voltaje. La corriente directa es tá limitada por los

Cuando el diodo tiene polarización inver sa. circula una pequeña corriente

incrcmcnt.r al aumentar panirncrrox del circuito.

La figu ra 2-2

CÁTODO

~

ÁNODO

O~- -\Jf- - -O

Figu ra 2-1. Símbolo de un d iodo Ze ner.

.

OBJETIVOS

Medirlos efectos de las

polarizaciones directa e

inversa enundiodoZe-

ner.

Oete'rminar y graficar las características de volta- je-corriente de"un diodo Zener.

Construir_un regulador

de voltaje,Zener y de-

terminar, de maneraex-

perimental. el intervalo

dentro del cual el diodo- Zenerproduceun volta- je constante.

12 EXPE R I MENTO

2

12 EXPE R I MENTO 2 25 20 15 10 0.5 0. 1 Figura 2-2. características

25

20

15

10

0.5 0. 1

Figura 2-2. características de un diodo Zaner.

inversa, I s . llamada corriente

mente constante aunq ue au mente el valor de la po larización inversa, hasta llegar a la regió n de d isrupción Zen er. ce rca-

na al vo ltaje Ze ner, Vz. Alrededor de esta región la co rrien- te inversa emp ieza a aumentar co n rapidez deb ido al efecto de avalanch a. Por últim o se produ ce la d isrupc ión Zener (un súbito au mento de la co rriente) cuando se alcanza el valor de voltaje Z ener, Vz' En esta región una pequeña variación del voltaje produ- ce un enorm e cambio en la corriente. Es obvio que, en esta región , tienen lugar cambio s notabl es en la resistencia efec- tiva de la unión PN.

La disrupcián Zener no necesariamente provoca la des- trucción del diodo. En tanto la corriente que circula por el

diodo esté limitada por el circuito externo a un nivel dentro

de su capacidad de potencia admisible, el diodo funciona -

de saturació n. I s es relativa -

con norma lidad. Además, al red uci r la polarizaci ón in- versa a va lo res inferiores al del voltaje Ze ner, el d iodo sale de su nivel de disrupc ión y regresa a su nivel de corriente de saturación . Este proc eso de alternar al d iodo e ntre s us est ados de corriente Ze ner y de co rriente no Zener se puede repetir una y otra vez si n dañar al diodo. S in embargo, se debe recordar que cuando el diodo cambia de un esta do a otro hay c ierto

retraso llamado tiempo de recuperación.

Espec ificaciones

Los fabricantes de diodo s proporcionan una hoja de espec i-

ficaciones para cada tipo de diodo Zener. Éstas incluyen el

SUI.lINlSTRO

D'ce

R,

A

! I I R, I , ' I _ I I I •
!
I
I
R,
I
,
'
I
_
I
I
I

Figur a 2-3. Diodo zeoer utilizado como regulador de voltaje en pa- ralelo.

voltaje Zener, el intervalo de tole rancia del voltaj e Ze ner, los límites de corrien te Zener, la disipación máxima de po- tencia, la temperatura de operación máxima, la impedancia

Zener m á x. ima en o hms, e l fa ctor d e co rrección t érmic a en

(antes centígrados ) y la

co rriente de fuga inversa. Tam bién se indican el tipo de ma-

(po r ejemplo, silic io) y las pos i-

terial utilizado en el d iodo

b les aplicaciones de d icho diodo. El valor del volt aje de ruptura de un d iodo depende del

material

ron para producir vo ltajes Zener entre uno y varios cie ntos de vous. E l diseñador de circuito s dispone de una gran va- riedad de d iodos para e legir los que por sus características más se apr oximen a las necesidades del circuito .

y de su co nstrucción. L os dio dos Zener se dis eña-

mili vatios por grado Cel sius (" e)

Apli caciones

Los d iodos Z ener se uti lizan como reguladores de voltaje y co mo patrones de referencia de voltaje. La figura 2-3 mues- tra el ci rcuito de un d iodo em pleado como regulador en pa- ralelo . El d iodo está en paralelo con un resístor de carga R L ,

e n la carga,

y su func ión es mantener un vo ltaje co nstante

dentro de los límites req ueridos, cuando cambie ya sea el sumini stro de cd o la resistenci a de carga y. po r ende, la co- rrient e.

partir de los valores requeridos para un circ uito se calcu-

A

la el valor del resís tor lirnitador de corriente en serie (R s ) Y el tipo de di odo Zener. Suponga que se req uiere un voltaje de sal ida, V" I' const ante de 10 V ( ± 0.7 V) para una resis - tencia cuya corr iente h varía entr e 5 y 20 mA. E l circuito se alimen ta mediante una fue nte de cd co nstante de 20 V Ypa- ra log rarlo se propo ne el d iseño de un ci rcuito regulador . Suponga q ue el ci rcuito regulador de la figura 2-3 satis- face las especificaciones del prob lema. Se selecciona un d iodo regu lador Zener cu yo Vz = 10 V. Supon ga que e xis- te un d iodo q ue perm ite una corriente reguladora lz de mane- ra que la corr ie nte de circ uito to tal l T sea co nstante a 30 mA

por arriba del ran go de variación de carga-corriente. De

acuerdo con la ley de

voltaje de Kirch hoff

y (2. 1) (2.2 ) Al sustituir e n la ecuación (2.2) los valores V

y

y (2. 1) (2.2 ) Al sustituir e n la ecuación (2.2) los valores V AA

(2. 1)

(2.2 )

Al sustituir e n la ecuación (2.2) los valores VAA = 20 •

V =

lOc / T = 30 X 10- 3 A. se obtiene que :

R

s

=

20

30

-

X 10- 3

10

=

3330

Para calcular el vataje de R s note qu

e en esta resisten-

cia hay una caída de voltaje de 10 V. Por lo tanto

w:

v'

R s

=

lo'

333

=

(2.3 )

Las buena s prácticas de

ingenie ría recomiendan sobre-

dimensionar el resistor. Por 10 tanto. se utilizará un resístor

de 330 n :!: 5% a

E l " ataje d el d iodo s e calc ula a pa rtir de la cor r ien te m ú-

xima. I z ' que requiere el circu ito. En nuestro problema el

valor máximo de l z =

tanto, el vataje mínimo W z es

lo

l W.

25 roA (cuando 'L= 5 mA l. Por

W z =

V X

lz

=

10 x 25 X 10- 3

(2.4 )

= 250 mW

De nuevo una buena práctica de ingeniería recom ienda

sobredimensionar el diodo. por lo que bastará un diodo de

500 mW.

RESUMEN

en

su salida si está inversamente polarizado y func iona según sus características especi ficadas.

2. Cuando el diodo funciona en su voltaje Zcner, Vz- los cambios mín imos de vo ltaje en el diodo produ cen

más o men os g randes, I z' en el

1. Un di odo Ze ner mant iene un voltaj e COJlslall1e Vz

cambios d e co rr iente

diodo.

3. Las especificacio nes de los d iodos Zener incluye n:

a ) voltaje Zc ncr, V;.:, b ) intervalo de tolerancia del Vz, e) Hmites de la co rriente Zc ncr. ti) máxima disipa ción de e nergra y e) m úximu temperatura de operació n.

4. Hay diodos Zc ner q ue producen voltajes entre uno y varios cie ntos de volts.

5. diodo s Zenc r se utilizan como reguladores de vol- y tambié n l·tlm(~ patrón de referencia de voltaje.

Los

taje

CARA C TERis TICAS

DEL

D IODO

ZEN E R

13

6.

Un regulador de voltaje en paralelo bien disefiado (figu- ra 2· 3) mantiene un voltaje de sa lida constante Vz en

e

l

d iodo. sin importar las variaciones especificad as

en e l va haje de entrada o los cambios especifi cado s en

la co rrie nte de ca rga.

7.

E

n el regulado r en paralelo

de la figu ra 2-3. con los

valores de V,u . Ir y V w se ca lcula el valor de R s me - diante la ecu ación

se ca lcula el valor de R s me - diante la ecu ación AUTO EVALUACiÓN

AUTO EVALUACiÓN

Responda las siguientes pre guntas par a evaluar su apren- d izaje .

1. Cua ndo un d iodo Ze ner se utiliza como regu lador de

va haje debe tener po larizac ión

ílll'ersa).

(d irecta .

2. S i las especificaciones del fabricante indican' que el voltaje de salida de c ierto diodo Zcner es de 10 V ::!:

10% de to lerancia. el Vz de dic ho diodo está e ntre

,

--

V Y

V.

3. La corriente de un diodo Zener de 1 W y 10 V debe li-

mitarse a un valor máximo de

A .

4. Un diod o Zener de

lador de vo ltaje en

20 Va l W conectado como regu -

el circuito de la figura 2-3 produ -

V

ce en la carga un voltaje de salida de

(aprox imadamenre) .

5. En el circu ito de la preg unta 4, VAA. es igual a 30 V. Ir

vale 0.05 A , Y e l va lor de R s

miento como regulador es de n.

que permite el funciona-

14

E XP

E RI

ME NT O

2

PROCEDIMIENTO

MATERIAL NEC ES ARIO

Fuente de alimentac ión: fuente de cd regulada variab le.

Equipo: rnultíme tro digital; multímetro; rnilia mperfme- tro; trazador de curvas para la pregunt a de los pun tos ad icionales.

Re si stores : 3 3 00 n a 112 W; 50 0 naS W ; r esis torcs p a- ra el proced imiento de punt os adicionales.

opció n: cualquier d iodo

Ze ner dc 10 V Y 1 W). Otros : interruptor de un po lo un tiro ; caja co n diez rcsis- tores para la pregunta de los puntos ad icionales .

Sem ico nductores: IN3020 (otra

Características voltaje-corrriente:

polarización inversa

.

1.

Arm e el

abierto .

circuito de la figur a 2-4. El interruptor S está

VM es una fuente de alimentación regulada,

ca librad a

es cali brado en el rango de la co rriente más baja .

a O V. M

un multíme tro de 20 000 fl lV

2.

Cierre S. Mida la corriente de l diodo 1, si la hay, con un VM calibrado a OV.Anote los resultados en la tabla 2-1.

3.

Ajus te la salida de VM de manera que el voltaje VAS

medido en el

diodo

sea de 2.0 V. Mida la corrien te del

diodo. Anote los resu ltados en la tabla 2-1.

4.

Rep ita el paso 3 por cada valor de VAS que aparezca en la tabla 2-1. Cambie el intervalo de M segú n se requie- ra. Calcu le la resistencia R z del diod o (R z = VA sl f) y anote los resu ltados obtenidos en la tabla 2- 1.

+

R A

IOV

I W

DMM

B

soo c (5 W j

en la tabla 2- 1. + R A IOV I W DMM B soo c (5

s

en la tabla 2- 1. + R A IOV I W DMM B soo c (5

+

M

Figura 2-4. Circuito experimental para obse rvar e l electo de la po- la ri zación inversa en un d iodo Zene r.

•.

TABLA 2-1. Polarización inversa

Paso

V

AB

 

1, mA

R z

Fa

so

V"

 

[,mA

R z

 

2

0.0

   

6

 

.

5

 

3

               

20

 

6

 

10

4

6.0

       

6

   

20

 

4

7 .0

       

6

   

30

 

4

80

       

6

   

40

 

5

 

2.0

   

6

   

50

 

5 .

Ajus te el valor de V AA de m anera que la corr iente del diodo 1 sea de 2 mA. Mida el voltaje V AS del diodo y

anótelo

en la tabla 2- 1. Calc

ule R z y anote su valor en

la tabl a

2-1.

6.

Re pi ta el paso 5 para todo s los valores de corrien- te y a note los valores respe ctivos d e VAS ' y R z en la tabla 2- 1.

Características voltaje-c orriente:

polarización directa

7. Abra S interrump iendo la Ponga la salida de la fuente

alimentación al circu ito. de alimentación en O V.

Invierta la posición del diod o en el circuito.

8. Cie rre S. Mida y anote en la tabla 2-2 la corriente di-

recta del diodo para cada niv e l de volt aje V AS en la ta- bla. Calcule la resistencia di recta R F = V ABfl k. Anote

los resultados en la tabla 2-2

9. Con base en los resultados d e ce en papel cuadricu lado un a

las tablas 2- 1 y 2-2, tra- grá fica de:

a) La corriente del diodo (e j c vert ical) en

vo ltaje de l diodo . b) Di buje una gráfica amp l ificada de la corriente de l d iodo en función del vo ltaje dentro de la regió n Zener.

func ión de l

TABLA 2·2 . Polarizacióndirecta

Paso 8

VAS :

O

0.1

0.2

O

.3

0.4

0.5

06

0.7

l. mA

         
 

RF

             

r

:

!

I

I

, , SOOl5Wl rov >W + ''', " () M " 3.3 ku " s
,
,
SOOl5Wl
rov
>W
+
''',
"
() M "
3.3 ku
"
s
+
,
"
Figura 2-5. Circu ito del regulador de voltaje del ex perimento.

e ) Dibuje la gráfi ca de la resistencia del d iodo e n función del vo ltaje , ta nto para la configuración

de polarización

inversa como la de po la riza -

ción directa.

El diodo Ze ner co mo regulador

de voltaje

.

10 Arme el ci rcuito de la figura 2-5. E l interrupt or S es- tá abierto. La salida de la f uente de alimentaci ón Fu

es igua l a O V M es el miliampcrímctro calibrado pa-

ra el intervalo de 100 mA.

e A

R

A

e TE

TABLA 2·3

R Í

s T

t e A s

D EL

Regutación de voltaje

D

I

O

[)

o

Z

E N

E R

15

Paso

 

V"

lb mA

Ir. m A

V AA

11

V"

   

20

   

12

V AS + 0 _1

       

12

VAS

-

0.1

       
       

.

 

TABLA 2-4 Características del diseño de un regulador de voltaje

V"

11,

l;~. mA

/1,

V'"J

   

10

   
   

20

   
   

30

   

Puntos adicionales (opcional)

13. Diseñe un circuito regu lador con una fuente de voltaje

co nsta nte. v,\,\. y un diodo Zcncr cuyas cara cterísticas

volt aje-corrie nte

men ta l. Se necesi ta que el regulador mantenga un vol-

taj

promedio V".I' y para corrientes de carga en un inter-

e ? e salida cons tante. V,ol' den tro de 0.2 V del valor

haya de terminado de manera experi-

11 .

Cierre S. A umen te poco a poco el vo ltaje de a lime n-

 

va

lo de

10

a 30 m A.

Dibu je un ci rcu ito que muestre

tación

F u bast a que la corriente I z del diodo dé una

 

los valor es

de todos los componentes y voltajes. Ex-

lectura de 20 mA. Mida el voltaje de al imen tac i ón V,¡

\

plique cómo obtuvo estos valore s.

y

e! voltaje VIS en la carga . Anote los result ados en la

 

14.

Pruebe el circui to y anote las medicio nes e n la ta -

tabla 2-3. Mida

la corriente tota l/r" Anote los resulta-

 

bla 2-4. Como carg a var iable utilice una caja de d iez

dos en la tabla 2-3.

res iste ncias.

12.

Calcule el intervalo de

variación de

VA l! en el cual V AS

15.

Co n un tr azado r de curvas o bse rve las caracte ríst i-

es constante dentro de

::!::: 0. 1 V de su valor en el paso

cas de vo ltaje -corriente del diodo Zc ncr. Fot ografíe

ll. M ida la variación de I z e I r dentro de este interva- lo; anote los resu ltados en la tabla 2-3.

.

o di buje

del paso 9 .

la cu rva en el m ismo papel c uadriculado

.

L

16 EXPERIMENT O

2

PREGUNTAS

lo

Compare la polarizaci ón de un diodo de unión (expe- rimento 1) con la de un diodo Zener en una aplicación normal.

2. Compare la característica de voltaje-corriente de la gráfica del diodo Zener del paso 9a) de este experi- mento con la de la figura 2-2. Expliq ue las diferencias.

3. ¿Qué parte de las características de un diodo Zener es la más útil en las aplicaciones de regulación de volea- je? ¿Por qué?

~

4.

a )

¿Cuál es la importanci a de la gráfica del paso 9b)?

b) ¿Cómo se utiliza la gráfica del paso 9b) en el di-

seño de un regulador que emplea un diodo Zener de

10 V?

5. Con base e n la tabla 2-3 explique cómo func iona este circuito regulador.

6. ¿El circuito regulador de la figura 2-5 permite com-

así

pensar los cambios en el voltaje de entrada, V"'" co mo los de la corr iente de car ga, / L? E xpliq ue.

_

EX PERIM EN T O

f3)

LOCALIZACiÓN DE FALLAS EN UN REGULADOR ZENER

INFORMACiÓN BÁSICA

o •

• •• •

•• • •

•• •

•• • •

• ••

• ••

•• •• •

• ••

Existen métodos para ayudar altécnico a de tectar problemas e n un circuito electrónico que siguen uno de dos procesos b ásicos. Los dos procedi mien- tos requieren co noc imientos previos de qué se espera de un circuito. Sólo conociendo los parámetros del funcionamiento cor recto de un circuito se puede determinar si hay un problema y. de ser as í, en qué cons iste.

Un procedim iento para localizar fallas. con ocido como seguimiento de

u /jales, cons iste en inyectar una seña l () voltaje en la entrada y med ir las se-

ñatcs. voltajes o cor rien tes de l c ircuito de la entrada ala salida,

hasta encon-

trar un valor incorrecto. El problema se reduce a una co mponente o pa rte

situadas entre el último

Otro procedimiento tamb ién consiste en aplicar una señalo voltaje de entrada; sin em bargo. en este caso las mediciones se realizan desde la sali- da. y se retrocede hada la entrada hasta encontrar el primer valo r co rrecto. El problema se loca liza ent re la última lectura incorrecta y e l primer valor correcto.

valor co rrecto y e l valor incorrecto.

.

utiliz a para mos-

trar los dos métodos de localización de fallas. Este circu ito co nsiste en un vclteje fuen te de entrada VAA conectado entre una línea de referencia común o tierra GlIJO, y un diodo rectificado r de silicio. O,. El resistor R s es un re-

Circuito regulador Zener

La figura )- 1 mues tra un ci rcuito co n diodo Zener qu e se

El resistor R s es un re- Circuito regulador Zener La figura )- 1 mues tra

18

E

X

P E R ¡

M

E N

T

O

J

18 E X P E R ¡ M E N T O J Figura 3-1. Circuito

Figura 3-1. Circuito del diodo Ze ner.

sistor limitador en serie que absorbe la diferencia de volta- je entre el ánodo de Oj , y el voltaje generado en la combi - nación en paralelo del d iodo Zcncr O 2 y la resistencia de carga R L . El diodo Zcncr regula el voltaje de R L e n 10 v. Con una fuente de voltaje de 25 V. la diferencia de 15 V que hay entre

V AA y V,al se aplica en D I y R s . Los puntos de voltaje A, By

c ircuito respec to

e se miden en los pun tos señalados en e!

aGND.

Condiciones iniciales

Para establecer si hay algún problema en este circui to es ne- cesario conocer los valores correctos de voltaje y corriente del circuito. Una vez dete rminados, se pueden comparar con lecturas futuras y detectar diferencias para resolver prob le- mas en el circuito.

tao En este aná lisis, R s es primera vez que se activa

menos que medio vott. lo cual indica que hay un problema e n el circui to. Si se usa el método de seguimiento de seña- les, pr imero se mide e l voltaje VA . Se Ice 25 V, que es co - rrecto. A continuación se lee el voltaje en Vil' cuyo valor es de

24 .3 V, también correc to. Po r último, se mide Ve- cuyo valor es de 0.24 V. La última lectura cuyo valor fue correcto es en V B y el primer valor incorrecto es el de Vc. Esto indica que es muy

probable que el problema esté entre

ficultad también podría originarse por efecto del circuito de earga (R L en este caso). Una vez aislada el área del circuito en donde se localiza el problema, deben realizarse otras prue- bas para determinar cuál es el problema real. Con la fuente de alimentación apagada, se conecta un óhmetro para medir R s Ydeterminar si su valor es incorrec - to (lo que ocurre en este ejemplo) . R s se cambia a 10 kí1 Y

se vuelve a probar el circu ito verificando V"'I. Esta vez, la lectura de V'.I es 2.2 V. En las medic iones anteriores se de-

terminó que los valores de VA

camb iar R s . Es recomendable volver a verificar que la última lectura que se sabe que es correcta, todavía lo sea. Esto con - firmará que el reemplazo de R s se hizo bien y que no creó un nuevo problema. V B de nuevo 24.3 V. Dado que R s es la única componente que hay entre Vil y Ve> el pro blema debe localizarse en las componentes conec - tadas en el pun to C. Para revisar rápido D 2 , se quita R L y se deja D 2 conectado sólo al punto C. Como D 2 es un diodo Zener de 10 V, si todo está bien, [a salida deberá aume ntar de inmediato a 10 V. De no ser así, la lectura será un valor

diferente.

igual a 100 kí1 Y R L a 1 in. La el circuito el voltaje en V sal mide

V B y Vc. Note que la di-

y V n eran correc tos antes de

Los valores iniciales de s, Y de R L son am bos 10 kí1, Y

La

medic ión de V sal después de quitar R L produce

10 V,

V AA se establece en 25 V. V A> el voltaje que está en el vo lta -

lo

que

indica que D 2 está bien. Al medir R L con un óhmetr o

je fuente vale 25 V, como era de esperarse. También. como

se

ve que R L vale 1 k!l en vez de 10 kí1. Al cambiar R L por

se esperaba, el voltaje que se mide en el punto e (Ve' voltaje

10

kfl por fin se ob tiene el valor

correcto de V sal .

 

a través de R¡J es 10 V, dado que D 2 tiene que mantener el

valor. Obse rve que los dos voltajes y e ocasionan que la polar ización

medidos cn los puntos A

voltaje de la carga en ese

de D I sea directa puesto que el voltaje VAes más positivo que

Vc. Para ca lcular el voltaje maci ón de un diodo (0.7 V)

de V n util ice la segu nda aproxi-

VA

-

25

0 .7 V

-

=

V R

0.7 = 24.3 V

Para resumir, lo- punto s de los vo ltajes críticos de! cir-

cuito son: VA =

25 V, v, =

24.3 V Y V, =

10 V

Análisis de los proble mas ,le un circ uit o

Para ejemplificar la aplic ación del método de seguimiento de señales a fi n de loca liza r fallas de este circuito, suponga que los valores de R s YR L se elig ieron ce manera incorrcc -

empezar por V c y

tomar lecturas en orden inverso, se llega a la misma área del circuito que tenía -iroble mas. El tipo de procedimiento utili- zado dependerá e ::: la com plejidad de l circu ito. De cualquier

ma nera, hab rá un flujo de

guirse desd e la ent rada o la salida para lomar las medicio-

nes en dir ección al ext remo opues to .

señal en el circui to, que puede se-

Al invertir el proceso anter ior, es decir,

RESUMEN

1. Es necesario conocer el desempeño de un circuito pa-

ra determ inar si su funcionamiento es correcto.

2. El seguimiento de señales es un procedimiento para localizar fallas y consiste en aplicar una señal de entra-

pun tos de un circuito

da adecuada y probar d iversos

hasta deter minar en dónde está el prob lema.

LO

C A LI

Z A CiÓN

3. Las áreas en do nde puede haber problema se red uce n

a la porción e ntre la última med ición correc ta y la pri-

a un d o co n e l pu nto d ond e:

incorrecta.

4. Una vez loca lizada e l área del problema. se requ ieren más pruebas hasta descubrir el problema real . o la co m- ponente defectuosa.

me ra incorrec ta. o

circ uito o co mponente conecta-

se o btuvo l a pri mera

med ición

AUTO EVALUACiÓN

Evalúe su aprendizaje respond iendo a las guntas.

sigui en tes pre-

l.

2.

3.

4.

¿Cuál de las componentes de la figura 3-1 tiene mayor

probabilidad de estar si el valor del voltaje V B es O V

Y

el de

VA

es 25 V ? V sol es de u n

El voltaje

de V B es correcto y el vo ltaje de Vccs 12.2 V. ¿En qué

consis te el prob lema?

El valor de VA' Va Y Ve es de 24 V cada uno . Tanto R s

como R L miden 10 kW.

El valor de VA es 25 V, V lI vale 15 V Y Ve vale 0.7 V. ¿Qué está mal e n es te c ircuito?

poco m ás d e 12 V. El vo ltaje

¿C uál es el prob lema ?

DE

FALLAS

EN

UN

REG UL ADO R

Z EN

ER

19

2 0

E X P E R I ME

NTO

3

PROCEDIMIENTO

MAT E RIAL N EC E SARIO

Puente de alimentación; fuente de cd regulada y variable Equipo: multím etro dig ital. Resistores: dos cajas de d iez resís tores. Sem iconductores: un diodo rectificador de silicio lN34A; un d iodo Zener de 10 V. 1 W. IN3020.

Efectos de los c ambios en la resistencia

de carga •.••.••.•••••

•.•.••••.•

•.•.•.•••

4. Los d iodos Zener están d ise ñados pa ra" mantener un voltaje independientemente de los cambios en las

co ndiciones de la carga que se conecta en paralelo con

ellos. Dism inuya el valor de R L hasta que el voltaje

Diversos: un interru ptor de un po lo y un ti ro.

V

sea igual a 9.5 V (5% del valor del voltaje nomi-

 

na

l de D 2 ) . An ote el

v a lor

de R e. en l a t ab la 3 -2.

5. ¿Qué sucedería co n V I si R L se abriera? Desco necte

un o de l os e xtremos d e R e. m ida VA' V B y Ve y anote los valores . Explique los resultados de est e paso. Con ba-

Parámetros del circ uito •••••

se

e n éstos. ¿có mo podría delectar el problema de l cir -

 

cu

ito abierto?

1. Arme el circuit o mostrado en la figura 3-2. El valor de

Rs Y de R(. es de IO kO .

2 . Ponga la f uent e de voltaje VAA a 25 V. Ca lcule lo s va - lores e sperados para el voltaje e n los p untos A.