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OCTAVA EDICION

15 Amplificadores de potencia

Potencia de entrada: Pi V cclco

Potencia de salida: Po = VCElc = lERe = Vz'dRc rrns

= VCEfcl2 (JU2)Rc = V~E/(2Rcl pica

= VCEfc/8 = (JUS)Rc V~d(8Rcl pico a pico

eficiencia: %Yj (PoIP,) x 100%

eficiencia maxima: clase A retro serie 25 %

clase A, acoplado por transformador = 50% clase B, push-pull = 78.5%

relacioncs de transformador: V2/VI = N2/NI = II/Iz, R2 = (Nz/NlfRI; salida de potencia:

Po = [(VCE"" - VCE,,J(Iemh - IcmJ]!8;

amplificador de potencia clase B: Pi Vcd(2/1r)IpicnJ; Po = VI(pico)/(2RL): % Yj = (1T/4)[VL(pico)/Vccl X 100%;

PQ = PzQ/2 = (Pi - Po)/2; maxima Po = V~c!2RL; maxima Pi = 2V~c!1TRL; maxima PZQ = 2vi'c!11'zRL: % arrnonica total distorsion (% THD) = YD~ + D~ + D~ + ... x 100%; disparador de calor: T, = PDe}" + Tp', e}A = 40cC/W (aire libre); PD = (T, - TA)/(e,c + ecs + eSA)

ELECTRONICA:

TEORfA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ".,,~.,.ELECI.RC1Nl.CO_S.~ .. _

16 Circuitos integrados (CI) lineales digitales Red de escalera: V" = [(Do X 2° + DI X 21 + D2 X 22 + ... + D; X 2n)!2"lVre6 555 oscilador: f = 1.44(RA + 2RB)C; 555 monoestable: Talto = l.lRAC; vco: fa = (2/RICI)[(V+

- Vclr]; lazo de seguimiento de fase (PLL):j~ = 0.3/RjCI, fL = ±8/,,/V, fc = ±(1/211')Y21Tfd(3.6 X IOl)Cz

17 Retroallmentacion Y circuitos osciladores AI= AI(1 + PAl; retroalimentacionen serie;

Zij = li(1 + PAl: retroalimentacion en paralelorZ, = Z;!(1 +f3A); retroalimentaci6n de voltaje: lot = lo/(1 +PA): retroalirnentacion de corrienterZj== lo(! + PAl; estabilidad de ganancia: dA/AJ = 1/(11 + PAI)(dA/A); oscilador;

PA == 1; corrimiento de fase: f = l/21TRCV6, P 1/29, A > 29; corrimiento de fase FET IA 1 = gmRu

RL = RDrd/(RD + rd): corrimiento de fase del transistor: f = (1/21TRC)[ l/Y6 + 4(Re/R)], hje > 23 + 29(Rc/R) +

4(R/Rc); puente de Wien: RJiR4 '" RI/R2 + C2/Cj, I, = 1/21TYRICjR2C2; sintonizador: i; == 1/Z1TvLC;;;,

Cccuaci6n = CIC2/(Cj + Cz), Hartley: L"uaci6n "" t., + Lz + 2M,fo "" l/21TYLeeuaci6nC

I .

ROBERT LBOYLESTAD

LOUIS NASHELSKY

19 Otros dispositivos dedosterminales Diodo Varactor: Cr = C(0)/(1 + W,/vrlln,

TCe (t:.C/Co(TI To)) X 100%; fotodiodo: W = Uf, X v/f, 11m 1.496 X 10-10 W

TRADUCCION:

Carlos Mendoza Barraza Ingeniero en Sistemas Electronicos ITESM-CCM

REVISION TECNICA:

M. en C. Agustin Suarez Fernandez Departamento de Ingenieria Electrica Universidad Autonoma Metropolitana Plantel Inapalapa, Mexico, D.E

18 Fuentes de alimentaci6n (reguladores de voJtaje) Filtros: r = V,(rms)/Vdc x 100%,

VR (VNL - VPL)/VFL X 100%,

Vdc Vm - v, (p-p)/2, V,(rms) = v,(p-p)/2v3, V,(rms) "" (IdJ4v3)(Vdc/V",); onda completa, carga ligera

V,(rms) 2.4Idc/C, vdc vm - 4.17Idc/C, r (2.4/dcCVdc) x 100% 2.4/RLC X 100%, Ipico = T/Tj X Ide; RC filtro

RC: Vdc = RL Vde/(R + RL), Xc = 2.653/C (media onda), Xc "" l.326/C (onda completa), V;(nns) (Xe/YR2 + X~);

reguladores: lR = (I,vL - In)/IFL x 100%, VL = Vz(! + R/R2), v, = Vrcr(1 + Rz/RI) + ladjR2

20 Dispositivos pnpn y Otros UJT: RaB = (R8, + RB,)II,~O' VRo, = 1)V8BII,~O' 1) = RB/(Rs, + RB)lh~O' Vp = 1)VSB + Va; fototransistor: Ie = htJA:

PUT: 1) RB/(Rs, + R8,)' v, = YjVBB + VD

®

Mexico' Argentina> Brasil> Colombia' Costa Rica' Chile' Ecuador Espafia > Guatemala • Panama» Peru > Puerto Rico > Uruguay· Venezuela

George Fredericks E D. Fuller Phil Golden Joseph Grabinski Thomas K. Grady Mohamad S. Haj-Mohamadi

William Hill Albert l. Ickstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E. Kent Donald E. King Charles lewis Donna Liverman William Mack Robert Martin George 1. Mason William Maxwell Abraham Michelen

John MacDougall Donald E. McMillan Thomas E. Newman Byron Pan I Dr. Robert Payne Dr. Robert A. Powell E. E Rockafellow Saeed A. Shaikh Dr. Noel Shammas

Ken Simpson jerry Sitbon Eric Sung Donald P. Szymanski Parker M. Tabor Peter Tampas Chuck Tinney Katherine L. Usik

Domingo Uy Richard J. Walters larry J. Wheeler Julian Wilson Syd R. Wilson Jean Younes Charles E. Yunghans Ulrich E. Zeisler

de la Comunidad del

del

~ lesa de San Diego Universidad de

Tektronix Inc.

lnstiuuo DcKalb

Instituto ITT

APPLIED ~!ATERlALS, INC Texas Instruments Inc.

de la Comunidad del Are" de

de la Comunidad de del Norte

Vocacional Indiana

Instituto del Estado de Nashville

de la Comunidad del Valle Hudson Universidad del Oeste de Ontario Universidad del Estado del Suroeste Institute Tecnologico-Vocacional L H. Bates ColeglO del Estado de Bismarck

Universidad de Glamorgan

Colegio de la Comunidad de Oakland lnsututo de Tecnologia del Sur de Alberta de la Comunidad de Miami-Dade de lngenierta

de Iecnologia del Estado Stark Colcgio de la Comunidad de Queensborough Computronics Technology Inc

Colegio Tecnico Owens

Colegio T ecnico de Greenville

Universidad Tecnol6gica de Michigan Universidad de Utah

Colegio Mohawk de Artes y Tccnologias Aplicadas Universidad de Hampton

Instituto de Tccnologia DeVry

PSE&:G Nuclear

Colegio de Tecnologfa del Sur Motorola Inc.

Institute Tecnico ITT

Universidad del Oeste de Washington Colegio de la comunidad de Salt Lake

Joseph Booker Charles E Bunting Mauro]. Caputi Kevin Ford David Krispinsky William Mack John Sherrick

xii

Agradecimientos

Instituto de TCCl101ogia DeVry Old Dominion University Universidad Hofstra

Colegio de la Comunidad de Alvin lnstituto de Tecnologia de Rochester

Colegio de la Comunidad del Area de Harrisburg Instituto de Tecnologia de Rochester

Contenido

PREFACIO

vii

AGRADECIMIENTOS

xi

1

DIODOS SEMICONDUCTORES

1

1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14 1.15 1.16 1.17 1.18 1.19

Introduccion I EI diode ideal !

Materiales semiconductores 3 Niveles de energia 6

Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p 7 Diodo semiconductor 10

Mathcad 17

Niveles de resistencia 20

Circuitos equivalentes para diodes 26 Hojas de especificaciones de diodos 29 Capacitancia de transicion y de difusion 33 Tiempo de recuperaci6n inverse 34 Notacion de diodes semiconductores 34 Prueba de diodos 35

Diodos Zener 37

Diodos emisores de luz (LEDs) 40 Arreglos de diodes: circuitos integrados 45 Resumen 46

Analisis por computadora 47

2

APLICACIONES DE DIODOS

55

2.1 2.2 2.3

Introduccion 55

Anal isis por media de la recta de carga 56 Aproximaciones de diodos 62

xiii

xiv

24 2.5 2.6 27 2.8 2:9 2.10 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15

i

Configuracioncs de diodos en serie con entradas de 64 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 69 Cornpuertas AND/OR 72

Entradas senoidales; rectificacion de media onda 74 Rectificacionde onda com pI eta 77

Recortadores 81

Cambiadores de nivel 88

Diodos Zener 92

Circuitos multiplicadores de voltaje 98 Aplicaciones practices 100

Resumen 112

Analisis por computadora 113

3

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

131

3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3 .. 10 3.11 3.12 3.13

Introducci6n 131

Construccion del transistor 132 Operaci6n del transistor 132 Configuracion de base cormin 134 Accion amplificadora del transistor 138 Configuracion de emisor comun 139 Configuracion de colector cornun 146 Lfrnites de operacion 147

Hoja de especiflcaciones de transistores 149 Verificacion de transistores 153

. .

Encapsulado de transistores e identificacion de terminales 155 Resumen 156

Analisis por computadora 158

4

POLARIZACION DE DC PARA BJTs

163

4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 4.10 4.11 4.12 4.13 4.14 4.15

Introduccion 163

Punto de operacion 164

Circuito de polarizaci6n fija 166

Circuito de polarizaci6n estabilizado en emisor Polarizacion por divisor de voltaje 177 Polarizacion de con retroalimentaci6n de voltaje Diversas configuraciones de polarizaci6n 189 Operaciones de disefio 195

Redes de conmutacion Con transistores 201 Tecnicas para localizacion de fallas 206 Transistores PNP 209

Estabilizacion de la polarizacion 210 Aplicaciones practicas 220

Resumen 228

Analisis por computadora 231

173
186 7
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8 Conteniclo

5

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

5.1 5.2. 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10 5.11 5.12 5.13 5,14

Introducci6n 245

Construccion y caracteristicas de los JFETs 246 Caracteristicas de transferencia 253

Hojas de especificaciones (lFETs) 259 Instrumentaci6n 261

Relaciones importantes 262

MOSFET de tipo decremental 263

MOSFET de tipo incremental 269

Manejo del MOSFET 276

VMOS277

CMOS 278

Tabla de resumen 280 Resumen 281

Analisis por computadora 282

6

POLARIZACION DEL FET

6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 6.10 6.11 6.12 6.13 6.14 6.15

Introduccion 289

Configuracion de polarizacion fija 290 Configuracion de autopolarizaci6n 294 Polarizaci6npor divisor de voltaje 301 MOSFETs de tipodecrementa1307 MOSFETs de tipo incremental 311 Tabla de resumen 317

Redes combinadas 319

Disefio 322

Localizaci6n de fall as 324 FETs de canal-p 325

Curva universal de polarizaci6n para JFET 328 Aplicaciones practicas 331

Resumen 343

Analisis por computadora 344

MODELAjE DE TRANSISTORES BIPOLARES

Introduccion 355

Amplificacionen el dorninio de ac 355 Modelaje de transistores bipolares 356

Los parametres importantes: Z, Zm Av Y Ai 358 EI modelo r; del transistor 364

Modelo hibrido equivalente 371

Determinacion grafica de los parametros-s 377 Variaciones de los parametres del transistor 381

245

289

355

Contenido

xv

xvi

8

ANALISIS A PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR

8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 810 8.11 8.12 8.13 8.14 8.15

Introduccion 389

Configuracicn de pelarizacion fija con ernisor cornun 389 Polarizacion por divisor de voltaje 393

Configuracion de polarizacion en emisor para crnisor comun 396 Configuracion de ernisor-seguidor 404

Configuracion de base corruin 409

Configuracion de retroalirnentacion en colector 411 Configuracion de retroalimentacion de de en colector 417 Circuito equivalente hfbrido aproximado 420

Modelo equivalente hfbrido cornpleto 426

Tabla de resumen 433

Localizacion de fallas 433

Aplicaciones practicas 436

Resumen 444

Analisis por cornputadora 446

9

ANALISIS A PEQUENA SENAL PARA FET 461

9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8 9.9 9.10 9.11 9.12 9.[3 9.14 9.15 9.16 9.17

Introduccion 46 [

Modelo de pequefia serial para el FET 462

Configuracion de polarizacion fija para el JFET 469 Configuracion de autopolarizaci6n para el JFET 472 Configuracion de divisor de voltaje para el JFET 479 Conflguracionfuente-seguidor (drenaje cormin) para el JFET 480 Configuracion de compuerta comun-para el JFET 483

MOSFETs de tipo decremental 487

MOSFETs de tipo incremental 489

Configuracion de retroalimentacion en drenaje para el E-MOSFET 490 Configuracion de divisor de voltaje para E-MOSFET 493

Disefio de redes de amplificador FET 494

Tabla de resumen 497

Localizacion de fallas 500

Aplicaciones practicas 500

Resumen 510

Analisis por computadora 512

10

APLICACION DE SISTEMAS:

EFECTOS DE Rs Y RL

1001 Introducci6n 525

10.2 Sistemas de dos puertos 525

[0.3 Efecto de una impedancia de carga (RL) 527

10.4 Efecto de la impedancia de la fuente (Rs) 532

10.5 Efecto combinado de Rs Y RL 534

10.6 Redes BJT de emisor cormin 536

10.7 Redes ernisor-seguidor de BJT 542

10.8 Redes BJT de base comun 545

Conrenido

389

10.9 Redes FET 547

10.10 Tabla de resumen 550

lO.ll Sistemas en cascada 554

10.12 Resumen 555

10.13 Analisis por computadora 557

11 RESPUESTA A LA FRECUENCIA DE TRANSISTORES BJT Y JFET

569

11.1 Introduccion 569

11.2 Logaritrnos 569

11.3 Decibeles 573

11.4 Consideraciones generales sobre In frecuencia 576

11.5 Analisis de baja frecuencia: Grafica de Bode 579

11.6 Rcspuesta a baja frecuencia: Arnplificador BJT 586

1.7 Respuesta a baja frecuencia: Amplificador FET 594

11.8 Capacitancia de efecto Miller 600

11.9 Respuesta a alta frecnencia: Arnplificador BJT 602

11.10 Respuesta a alta frecuencia: Amplificador FET 609

11.11 Efectos de frecuencia en multietapas 613

11.12 Prueba de onda cuadrada 615

11.13 Resumen 617

11.14 Analisis por computadora 620

12 CONFIGURACIONES COMPUESTAS

627

12.1 Introduccion 627

12.2 Conexion en cascada 627

12.3 Concxion cascode 632

12.4 Concxion Darlington 633

12.5 Par de retroalimentaci6n 638

12.6 Circuito CMOS 642

12.7 Circuitos de fuente de corriente 644

12.8 Circuitos de espejo de corriente 646

12.9 Circuito amplificador diferencial 649

12.10 Circuitos amplificadores diferenciales BIFET, BIMOS Y CMOS 657

12.11 Resumen 658

12.12 Analisis por computadora 660

525

13 AMPLIFICADORES OPERACIONALES

675

13.1 Introducci6n 675

13.2 Operacion en modo diferencial y en modo cormin 677

13.3 Fundamentos del amplificador operacional 681

13.4 Circuitos practices con amplificadores operacionales 685

13.5 Especificaciones del amplificador operacional:

Parametres de desvio de de 691

13.6 Especificaciones del amplificador operacional: parametres de frecuencia 694

Contenido

xvii

13.7 Especificaciones para el amplificador operacional upico 698

! 3.8 Resumen 704

13.9 Analisis por computadora 705

14 APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

14.1 Multiplicador de ganancia constante 715

14.2 Sumador de voltaje 719

14.3 Acoplador de voltaje 722

14.4 Fuentes controladas 723

14.5 Circuitos de instrumentacion 725

14.6 Filtros activos 729

14.7 Resumen 733

14.8 Analisis por computadora 733

15 AMPLIFICADORES DE POTENCIA

15.1 Introduccion: definiciones y tipos de amplificadores 747

15.2 Amplificador Clase A alimentado en serie 749

15.3 Amplificador Clase A acoplado por transformador 754

15.4 Operaci6n del amplificador Clase B 761

15.5 Circuitos amplificadores Clase B 765

15.6 Distorsion del.amplificador 772

15.7 Disipacion de calor del transistor de potencia 776

15.8 Amplificadores Clase Cy Clase D780

15.9 Resumen 782

15.10 Analisis por computadora 784

16

CIRCUITOS INTEGRADOS CIs LINEALES DIGITALES

16.1 Introducci6n 791

16.2 Operacion del comparador 791

16.3 Convertidores digitales-anal6gicos 798

16.4 Operaci6n de la unidad temporizadora de CI 802

16.5 Oscilador controlado por voltaje 805

16.6 Lazo de seguimiento de fase 808

16.7 Circuitos de interfase 812

16.8 Resumen 815

16.9 Analisis por computadora 815

17

RETROALIMENTACION Y CIRCUITOS OSCILADORES

17. I Conceptos de retroalimentaci6n 821

17.2 Tipos de conexi6n de retroalimentaci6n 822

xviii

Contenido

17.3 Circuitos practicos de retroalimentaci6n 828

17.4 Amplificador con retroalimentacion: consideraciones de fase y frecuencia

t7.5 Operaci6n de! oscilador 837

17.6 Oscilador de corrimiento de fase 839

17.7 Oscilador de puente Wien842

17.8 Circuito oscilador sintonizado 843

17.9 Oscilador de cristal 846

17.10 Oscilador monounion 850

17.11 Resumen 852

17.12 Analisis por computadora 853

715

18 FUENTES DE ALIMENTACION (REGULADORES DE VOLTAJE)

747

18.1 Introduccion 859

18.2 Consideraciones generales de los filtros 859

18.3 Filtro de capacitor 862

18.4 Filtros RC 865

18.5 Regulacion de voJtaje con transistor discreto 868

18.6 Reguladores de voltaje de CI 875

18.7 Aplicaciones practicas 880

18.8 Resumen 883

18.9 Analisis por computadora 884

19 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES

791

19.1 Introducci6n 889

19.2 Diodos de barrera Schottky (portadores calientes) 889

19.3 Diodos varactores (varicap) 892

19.4 Diodos de potencia 897

19.5 Diodos ninel 898

19.6 Fotodiodos 902

19.7 Celdas fotoconductoras 906

19.8 Emisores IR (infrarrojos) 908

19.9 Pantallas de cristallfquido 909

19.10 Celdas solares 912

19.11 Termistores 916

19.12 Resumen 918

20 DISPOSITIVOS pnpn Y OTROS

821

20.1 Introduccion 923

20.2 Rectificador controlado de siJicio 923

20.3 Operaci6n basica del rectificador controlado de silicio 923

20.4 Caracterfsticas y val ores nominales del SCR 925

20.5 Construcci6n e identificacion de terminales del SCR 927

20.6 Aplicaciones del SCR 928

835

859

889

923

Contenido

xix

~0.7 20.8 20.9 20.10 10.11 20.12 20.13 20.14 20.15 20.16 20.17

Inrerrupror controlado de silicio 932 Interrupter control ado en cornpuerta 934 SCR activado pOl' luz.935

Diodo Shockley 937

DIAC 938

TRIAC 940

Transistor monounion 941 Fototransistores 950 Optoaisladores 952

Transistor monounion programable 955 Resumen 960

21 EL OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICION

21.t Introduccion 965

21.2 Tubo de rayos catodicos: teorfa y construccion 965

21.3 Operacion del osciloscopio de rayos catodicos 966

21.4 Operacion de barrido de voltaje 967

21.5 Sincronizacion y disparo 970

21.6 Operacion de multitrazo 974

21.7 Medicion mediante escalas calibradas del CRO 974

21.8 Caracterfsticas especiales del CRO 979

21.9 Generadores de serial 980

21.1 0 Analisis por computadora 982

APENDICES

A FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS QUE MUEVEN AL MUNDO

B PARAMETROs HiBRIDOS: ECUACIONES DE CONVERSION (EXACTAS

Y APROXIMADAS)

C CALCULOs DEL VOLTAJE Y DEL FACTOR DE RIZO

D TAB LAS

E SOLUCIONES A PROBLEMAS NONES SELECCIONADOS

iNDICE

xx

Contenido

965

984

996

998

1005

1007

1013

Diodos serniconductores

CAPITULO

1.1 INTRODUCCION

EI 23 de diciembre de 1947, haec ya mas de 50 aiios, se desarrollo el primer transistor. Para aquellos de nosotros que vivimos la evolucion cle los tubos de vacfo hacia la era clel estado solido, parecieran solo unos cuantos afios. La primera edicion de este texto con tenia una amplia cobertura sobre los tubos de vacfo, y para ediciones posteriores se tuvo que tomar la decision entre el nivel de cobertura dedicado a los tubos y el dedicado a los dispositivos semiconductores. En este momenta ya no es valido siquiera mencionar los tubos de vacio ni mostrar las ventajas de uno sobre el otro, ya que estamos situados firmemente en la era del estado solido.

La miniaturizacion de los componentes que se ha originado, abre cuestionamientos acerca de hasta donde llegaran sus Ifmites. Abora es posible encontrar sistemas completos sobre obleas de silicioque son miles de veces maspcquctiascomparadas con un solo elemento de los primeros sistemas. Los circuitos integrados (ell de hoy, cuentan con mas de 10 millonesde transistores en un area no mayor a la una de un pulgar, * Cad a semana surgen disefios y sistemas nuevos, Para el ingeniero esto implica una lirnitacion en cuanto a su conocimiento sobre la amplia garna de avances tecnologicos; simplemente poder mantenerse aetualizado sobre los cambios en un area de investigacion 0 desarrollo ya es de por sf complicado. Ademas, hemos llegado a un punto en el que el objetivo primario del encapsulado de un componente es el de servir solo como un medio para manipular el dispositivo 0 sistema y para proveer un mecanismo que pennita acoplarlo al resto del sistema 0 red. La miniaturizacion parece estar limitada pOl' tres factores (los cuales revisaremos durante el texto): la calidad del propio material semiconductor, la tccnica del disefio de la red y las limitaciones en el equipo de manufactura y procesarniento.

1.2 DIODO IDEAL

EI primer dispositivo electronico que revisaremos se denomina diodo, el mas simple de los dispositivos semiconductores, pero con un papel fundamental para los sistemas electronicos ya que cuenta con caracteristicas que 10 asernejan a un interruptor sencillo. Lo encontramos en una amplia gama de usos y aplicaciones desde las mas simples hasta las mas complejas. Ademas de presentar los detalles acerca de su fabricacion y desus caracteristicas, presentaremos los datos y las .graficas relevantes que se encuentran en las hojas de espeeificaciones para asegurar la comprension dela terminologia utilizaday para demostrar la abundanciadeiuformacion disponible proporcionada por losfabricantes.

EI termino ideal se empleara de manera frecuente en este texto a medida que nuevos dispositivos se vayan presentando, y se refiere a cualquier dispositivo 0 sistema que posea caracteristicas ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido. Esto sirve como base para cornparaciones y muestra donde es todavia posible realizar mejoras. El diodo ideal es un dispositivo de dos

"Si el tiempo 10 permite, lea el Apendice A, "Fabricacion de los Circuitos Integrados que Mueven 01 Mundo."

+ VD
0 .,,1 0
--..
10
(a) + In

t..-.~ J 10+

o Vo

(b)

Figura 1.1 Diodo Ideal (a) simbolo; (b) caractertsucas.

1

terminates que se representa POf el sfmbolo y po see las caracterfsticas que se rnuestran en las figuras 1.1 a y l.I b, respectivamente.

De forma ideal, un diodo conducira corriente en la direccion definida por lat1echa que sc muestra en el sfmbolo y actuara como un circuito abierto ante cualquier inrento por establecer corriente en la direccion opuesta. En esencia.

Las caractcrtsticas de !//l diodo ideal son las mismas que las de un intfl'l1Il'tor que s6/0 I'crmite la condufeian de corricnte en !lna sola dircai61L

Para In descripcion de los elementos siguientes, es rnuy importante definir los distinros simbolos de letras, polaridadcs de voltaje y direcciones de corriente, Si In polaridad del voltaje aplicado cs consistente con las caracterfsticas que se muestran en la figura LI a, deberan considerarse las particularidades de In parte derecha de! eje vertical del plano de la figura I, I b. Si el aplicado se invierte. las caracterfstlca, pertinentes seran las de la parte izquierda, Si la corriente a traves del diodo presents la direccion indicada en la LI a, la parte de las caracterfsticas a considerarse son las que se encuentran en Ia parte superior del eje horizontal, mientras que una direccion inversa de la corriente requiere utilizar las caracteristicas que se encuentran en la parte inferior de este eje. Para la mayorfa de las caracterfsticas de los dispositivos presentados en este libro, el eje de las ordenadas (0 eje "y") sera el eje de la corrientv mientras que el eje de las abscisas (0 cje "x"] sera el eje del volta]e.

Uno de los parametres importantes de un diodo es la resistencia que presenta en el punto 0 region de ,operacion, Si considcrarnos la region de conduccion definida por la direccion de ID y la polandad de VI) en Ia figura LIa (cuadrante superior derecho de la figura Lib), veremos que el valor de la resistencia directa RF, queda definido por medio de la ley de Ohm como

Como se expreso anteriormentc. el proposito principal de esta seccion es mostrar las caractensticas de un dispositive ideal en relacion con las caracterfsticas de las distintas variedades comerciales. A medida que avancernos a traves de las siguientes secciones, mantenga presentes las siguientes preguntas:

(Que tan cercana sen! la resistencia en polarizaci6n directa a resistencia de "enccndido" de un dioda real en comparacion con el nivel deseado de 0 D?

(La resistencia en polarizacion inversa sera 10 suficientemente grande como para pennitir una aproximaci6n a un cirwito abierto?

cha del sfmbolo del diode, este se encontrara operando en la region de conduccion como se muestra en la figura l.3a, Si la corricnte resultante ticne la direcci6n,opuesta. como muestra en la figura l.3b, sera apropiado considerarlo elequivalente de un circurto abierto.

(a)

Figura 1.3 Estados de

duccion y no conduce

un diodo ideal determmados segtm la direccion de conventional que

(b)

ov

2 3 A I 'I " =0 0 n (circuito cerrado)

, ,m ,"', 0 cua quier va or POSltlVO

donde VF es el voltaje de polarizacion direeta sobre el diodo e IF es la coniente a traves del mismo.

POI' 10 tanto, el diodo ideal representa lm eirel/ito eermdo en la regioiJ de conduceiOn, Considere la region donde se aplica potencial negative (tercer cuadrante)de la figura LJb,

1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES

La dcnominacion semiconductor advierteen sf misma sus caracterfsticas. EI prefijo semi es aplicado normalmente a un rango de nivel entre dos lfmites.

El termino conductor se aplieaa walquier material que permite un flujo> generoso de carga wando una juenze de yoltaje de magnitud limitada se aplica a traves de sus rerminales,

Un aislante a dielectriw es un material que presenta un nivel muy infel'ior ele conel!lctividad wando se enwentra bajo la presi6n de una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor, par 10 tanto, es un material que posee un nive! de conductividad que se localiza entre los extremos de un dielectrico y de un conductor,

Inversamente relacionado con la conductividad de un material, se encuentra la resistencia al flujo de carga 0 corriente, es decir, mientras mayor sea el nivel de conductividad, I~enor scni el nivcl de resistencia. En tablas de referencia, el terrnino resistividad (p, letra gnega rho) se utiliza muchas veees al comparar varios niveles de resistencia de materiales. En unidades metricas, la resistividad de un material se mide como D-cm 0 como D-m, Las uOidade~ ~-cm proceden de la sustitucion de las unidades para cada cantidad de la figura 1 A en la siguiente ecuacion (derivada de la ecuacion basica de resistencia R = pi/A):

RA (D)(em2)

p= -. = . =?D-cm

I em

VR -5, -20,0 cualquier potencial de poIarizacion inversa

I; = - 0 m'A . = 00 n (circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarizacion inversa sobre el diodo e IR es la corriente en el misrno,

Por 10 tanto, el diado ideal representa un cirwilo abierto en la regi6n de no condu(cion. En resumen, aplican las condiciones mostradas en la figura 1,2,

+ vI)

o>-----II~WI--~o _

Circuito cerrado

~ If)

Mlimitado por el circuito) ~

(a)

u.n

VD +

o-----II~WI---o _

(b)

De hecho, si el area de la figura 1,4 es de 1 cm2 y la longitud de 1 em, la magnitud de la resistencia del cubo de la figura 1 A sera iguaI a la rnagnitud de la resistividad del material como se demuestra a continuacion:

Figura 1,2 Estado, de (a) conducci6n y (b) no conduce ion para un diodo ideal determinados segun la polarizacion aplicada.

En general, es reIativamente fuci! determinar si el diodo se encuentra en la reaion de conduccion 0 en la de no conduccirin mediante la simple observacion de la direccion de la corriente I D que establece el voltaje aplicado. Para el caso del tlujo convencional (opuesto al del flujo de electrones), si la corriente resultants del diodo tiene Ia misma direccion que la punta de fle-

I (1 em)

IRI = p A = P --2 = Iplohms (1 em )

Sera de utilidad recordar este hecho a medida que comparemos los niveles de resistividad en las explicaciones siguientes.

2

Capitulo 1 Diodos semiconductores

1,3 Materiales semiconductores

~--R---~

Figura 1,4 Definicion de Lis unidades mctricas de b resistividad.

Figura 1.5 Estructura de rnonocristal del Ge y el SL

4

TABLA 1.1 Valorcs representativos de resistividad

••• /cap~s ~N\1cleO

+ • '.

• >' Electrones

• en orbita

5i

Conductor

Semiconductor

D1C/ectrico

fl·CIll

(J '" 50 fl·C~l (germanin)

o 50 X 10'; il·cm (silicic)

(mica)

En la tabla l.l se muestran los valores rcpresentativos de la resistividad para tres catego-

nas amplias de materiales. A pesar que usted este familiarizado con las propiedades electri-

cas del cobre y de la mica gracias a estudios anteriores, las caracterfxticas de los materiales

semiconductores como el germanic (Ge) y el silicio (Si) podrian resultarlc nuevas. Como usted vera en los siguientes capitulos, estos no son los unicos dos materiales semiconductores, sin embargo, SOil los do, materiales que han recibido el grado mas arnplio de interes para el desarrollo de dispositivos semiconductores. En aiios recientes se ha observado un desplazarniento hacia el silicio, sin embargo, el germanic continua produciendose de forma modesta.

Observe en la tabla l.I el enorme rango de valor entre el material conductor y el dielecrrico para el caso del material con una longitud de I em (con area de I cnr'). Son dieciocho lugares 10 que separa e! lugar del punto decimal entre un mimero y el otro. Existen numerosas razones que explican la atencion que han recibido el Ge y el Si, una consideracion especial es e1 hecho de que pueden ser fabricados hasta llegar a un grado de pureza muy alto. De hecho, avances recientes han reducido los niveles de impureza en el material puro hasta de una parte por eada diez mil mi1!ones (l: I 0,000,000,000). Cualquiera podrfa preguntarse si es realmente necesario un nivel tan bajo de irnpureza. Ciertamente s1 10 es, si se considera que la incorporaci6n de una parte de impureza (de! tipo adecuado) por millen, en una oblea de silicio puede alterar este material para convertirlo de un conductor deficiente de electricidad a un buen conductor de ella, Obviamente, cuando hablamos de! medic semiconductor estamos tratando con un espectro nuevo en cuanto a niveles de comparaci6n. La habilidad para transformar significarivamente las caracterfsticas del material a traves de un proceso como este se conoce como "dopado' y esta es otra de las razones por la cual el Ge y e1 Si han recibido mayor atencion. Otros motives incluyen el hechode que sus caractenstlcas pueden ser alteradas de forma importanre mediante la ap!icaci6n de luz 0 de calor, 10 cual es una consideraci6n basica para el desarro!1o de dispositives sensibles a la luz 0 a! calor.

Algunas de las caractensticas unicas de! Ge y de! Si, que se mencionaron antes, son e1 resultado de su estructura at6mica. Los atomos de ambos materiales organizan un patron bien definido que por naturaleza es peri6dico, es decir, se repite continuamcnte. Un patr6n complete se denomina cristal y el arreglo peri6dico de los atomos se denomina red, Para el caso del Ge y del Si, el cristal presenta la estructura tridimensional del diamante de la figura 1.5. Cualquier material compuesto iinicamente de estructuras cristalinas repetidas de! misrno tipo se denomina estructura de monocristal. Los materiales semiconductores de aplicacion practica en el campo de la electr6nica, poseen la caracteristica de ser monocristales y ademas se observa que la periodicidad de su estructura no se altera mucho con la adici6n de impurezas en el proceso de dopado.

Ahora examinemos la estructura del atomo y observemos c6mo este puede afectar las caracterfsticas electricas del material. Como usted sabe, el atomo esta compuesto por tres particulas basicas: eI electron, el proton y el neutron. En la red at6mica, los neutrones y protones forman el nucleo, mientras que los electrones giran alrededor de! micleo en una orbita fija. Los modelos de Bohr para los dos semiconductores mas utilizados, el germanio y el silicio, se rnuestran en la figura 1.6.

Como seindica en la figura l.oa, el atorno del germanic contiene 32 electrones en 6rbita mientras que el silicio cuenta COil 14 de ellos, En ambos cases, tenemos 4 electrones en la capa exterior (de valencia). EI potencial ipotencial de ionizaci6n) que se requiere para sacar de Ia estructura a cualquiera de estes 4 electrones de valencia es menor que el que se requiere para saear a cualquier otro electron de la estructura. En el caso de un cristal puro de silicio 0 de gerrnanio, estos cuatro electrones de valencia se encuentran enlazados con 4 atornos adyacentes como se mnestra para el caso de! silicio en la figura 1.7. Tanto el Oe como el Si se denominan atomos tetravalenles porque cada uno de eUos mantiene cuatro electrones de valencia.

Una union de Mom as, reJorzada pOl' electranes compartidos se denamina enlace covalente.

.

.:

~- ..

Si

Si

Si

. .

Elcctroncs de (4 para cada uno}

+ ••

s:

(b)

Figura 1.6 Estruciura atomica del (el) germanio; (b)

Figura 1.7 Enlace covalcnte para el aromo de

A pesar de que el enlace covalente asegura un vinculo fuer:e ent~e los electrones de valencia y su atomo, es posible que estes adquieran suficiente energia cmetica d~ ongen natura! p~ra poder romper el enlace y asumir un estado "libre", E! terr;l1no libre rnauifiesta que su movimiento sera muy sensible a la aplicaci6n de campos electricos como los que se generan por fuentes de voltaje 0 por cualquier diferencia de potencial. ,La~ ca~sas naturales incluyen efectos como la energfa luminosa en forma de fotones 0 energia terrruca que provrene ?el ento~lO. A temperatura ambiente, existen cerca de 1.5 X !OW portadores libres en un cenumetro CUbI-

co de material intrinseco de silicio.

Los materialrs intrinsecos, son aquellos semiconductores qlle se han reJinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las impttrezas hasta unnive! muy baja, tan puros como sea po" sible mediante la uUlizacion de la tecnologfa modema.

En un material los e1ectrones lib res generados exclusivamente por causas naturales se denominan portador;s intrinsecos. A esta rnisma temperatura, el ma,terial int;f~seco de germa~l:o contiene aproximadamente 2.5 X !O!3 portadores lib res pO,r ,c~ntlmetro CUbICO. L~ proporcion de portadores libres en el germanic comparada con la del StllCIO es mayor que 10 , 10 que ?odrfa indicar que el germanio es mejor conductor a temperatura a~1blente. Esto puede s~r cierto sin embargo ambos materiales se consideran conductores deficientes ~~ estado intrinseco. Observe en la tabla 1.1 que la resistividad tambien difiere en una proporC,IOI1 de 1000: I y ~l1.e para el silicio es mayor. Por supuesto que aSI deberia ser ya que la resistividad y la conductividad se encuentran inversamente relacionadas,

Un incremento en la temperatllra de un semiconductor puede ocasionar lin incremento sustancia! en el numero de electrones libres en el material.

A medida que la temperatura se eleva des de el cero absoluto (0 K), un rnimero mayor de electrones de valencia absorbe energfa terrnica suficiente para romper el enlace c~valente y volverse parte de! nurnero de portadores libre~ como se des~ri?i6 anteriormente. EI mcreme.nto en el mimero deportadores incrementa el indice de conductlVIdadcon lo que ocasiona un nivel de

resistencia menor,

Materiales semicondllctores como el Ge y el Si que presentan una reduccion ell la resistencia cuando se incrementa la temperatura se dice que tienen lin coeficiente de temperatura negatlvo.

Probable mente usted recuerde que la resistencia de la mayorfa de los conductores se incre-

menta con la temperatura. Esto se debe a! hecho de que el mimero de portadores en un ,conductor no se incrementa de forma importante con la temperatura y, pOl' otro lado, su patron de VIbracion con respecto a una posici6n fija dificulta cada ~ez mas el paso de los ~Iectrones. p~: 10 tanto, un incremento en !a temperatura ocasionani un nIvel mayor de resistenCIa y un coefiue!!·

Ie de temperatura posilivo,

Capitulo 1 Diodos semiconductores

1.3 Materiales semiconductores

5

Figura 1.8 Nivcles de cnergra: (a) nivelcs discretos en csrructuras atornicas aisladas; (b) bandas de conduccion y de valencia para un dielectrico, un semiconductor y un conductor.

6

1.4 NIVELES DE ENERGlA

En la estructura atomica aislada.existen niveles discretos de energia (individuales) asociados con cada electron que orbita, como se muestra en la figura L8a. De hecho, cada material tendril su propio conjunto perrnitido de niveles de energfa para los elecrroncs en su cstructuraatormca.

Micntras mas distantc Sf enmentre el electron del mlc!eo. mayor serd SH estado de enngia. Ademds. cualquier e/(C!nJn que lwya abandonado a su atomo tendril WI estado de cnergia mayor que cualquier electron dentro de la (strHctllra atomiw.

Nivel de

(cape external

Segundo nivel tsiguiente capa interna]

Tercer nivel (etcetera]

t Nticleo

(a)

Energta

Energfa

Energia

Electrones "libres" para

establecer

1 conducci6n ~ Banda de conduccion

---. . .

..

£j"> 5 eV I /E1ectrones.---- • V de valencia

r-."':""---.--.--."7f Iigados a la Banda de valencia

Banda de valencia estructura

Banda de conducci6n

Las bandas Banda de conducci6n se traSlap"n",,-. • • •

Banda de valencia







at6mica

Dielcctrico

Eg = 1.1 eV (Si)

Eg = 0.67 eV (Ge) Eg = 1.41 eV (GaAs)

Semiconductor

Conductor

(b)

Entre los niveles de energfa discretos existen bandas de energia vacfas, brechas, en las que ningtin electron en la estructura atornica aislada puede permanecer. A medida que los atom os de un material seunen para formar la red de estructura.cristalina, existira unainteraccion entre los atornos, que tiene comoefecto que los electrones de una orbita particular de un atomo tengan niveles de energia Iigeramente diferentes de .·Ios electroncs de un atomo adyacente en la misma orbita, EI resultado neto sera un incremento de los niveles discretos de los estados de energfa posibles de los electrones de valencia hacia las bandas, como se muestra en la fi aura 1.8b. Observe que existen niveles y estados de energfa maxima en los que se puede encontrar cualquier electron de la red atomics, ademas hay una region prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacion. Recuerde que la ionizacion es el mecanismo por medio del cual un electron puede absorber energia suficiente para escapar de la estructura atomics e ingresar a la banda de conduccion. Observe que la energia asociada a cada electron se mide en electron volts (e V). La unidad de medida es apropiada, ya que

Capitulo 1 Diodos semiconductores

W == QV

eV

(i.2)

WIQ. La carga Q es la carga asocia-

como se deriva de.la ecuacion que define al voltaje da con un solo electron.

Al sustituir la carga de un electron y una diferencia de potencial de I volt en la ecuacion 1.2 tendrernos como resultado un nivel de energia referido como un electron volt. Dado que la cnergia rambien se expresa en joules y que la carga de un electron 1.6 X 10 - 19 coulomb.

W = QV = (1.6 X 10-19 C)(1 V)

y

(1.3)

A una temperatura de 0 K 0 cero absoluto (-273.15°C), todos los electrones de valencia de un material semiconductor se encontraran inmovilizados en Ia capa extern a del atorno que cuentc con niveles de energfa asociados con la banda de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo. a temperatura ambiente (300 K, 2YC) un gran mimero de electrones de valencia habran adquirido energia suficiente para abandoner la banda de valencia. cruzar la banda de energfa vacia definida por £8 en la figura 1.8b, e ingresar en la banda de conduccion, Para el caso del silicio E~ es igual a 1.1 e V, para el germanic es igual a 0.67 e V y para el arseniuro de galio 1.41 c V. EI bajo nivel evidente de Eg para el gennanio se debe al alto numero de portadores en ese material en comparacion conel del silicio a temperatura ambiente. Observe que para el aislante la banda de energfa vacfa es por 10 general de 5 e V 0 mas, 10 que limita estrictamente el mimero de electrones que pueden ingresar en la banda de conduccion a temperatura ambiente. EI conductor mantiene electrones en la banda de conduccion, incluso a los 0 K. Por tanto, para este caso, es evidente que a temperatura ambiente existiran portadores libres, mas que suflcientes, para sostener un flujo fuerte de carga 0 de corriente.

En la seccion 1.5 veremos que si ciertas impurezas se aiiaden a los materiales serniconducteres intrinsecos, apareceran estados de energfa en las bandas prohibidas que provocaranuna reduccion neta de E, para ambosrnateriales semiconductores =-por consiguiente, [unadensidad elevada de portadores en la banda de conduccion a temperatura ambiente!

1.5 MATERIALES EXTRINSECOS:

TIPO n Y TIPO P

Las caractcrfsticas de los materiales serniconductores pueclen alterarse de manera importante mediante la adicion de ciertos atomos de impureza al material semiconductor practicamente puro. A pesar de que estas impurezas se afiaden en proporci6n de una parte por cada 10 millones, pueden alterar la estructura de bandas 10 suficiente como para modificar las propiedades electricas del material por completo.

Un material extrinseco es un material semiconductor qHc se ha sujetado a un proceso de dopaje.

Existcn dos materiales extrfnsecos de importancia incalculable para la fabricacion de dispositives serniconductores: el tipo n y el tipo p. Se describinin con detalle cada uno de ellos en los parrafos siguientes,

Material tipo n

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman cuando se aiiade un numero predeterminado de atornos de impureza a una base de germanio 0 de silicio. EI material tipo II se erea al introducir elementos impuros que cuentan con cinco eleetrones de valencia (pentavalentes) como es el caso del antimonio, el arsenico 0 el/040ro. En la figura 1.9 se muestra el efeeto de tales elementos de impureza (al utilizar al antimonic como elemento de impureza sobre una base de silicio). Advierta que los cuatro enlaces covalentes permanecen presentes; sin embargo, existe un quinto electron adieional que proviene del atorno de impureza, el cual se encuentra disociado de cualquier enlace covalente particular. Este electron sobrante, que tiene un enlace debil con SlI atorno (el antimonio). se encuentra relativamente libre para moverse dentro del rna-

1.5 Materiales extrtnsccos: ti 0 p ti 0 n

7

Si

Si

Si

Material tipo p

EI material tipop se forma mediante el dopadode un cristal puro de germanio ode silicio con atornos de impurezaque cuenten con tres. . de. . Los elementos Sc utilizan de forma mas frecuente para esteproposito son: el boro,el galio y el indio. En la figura 1.11 se muestra el efecto de uno de estos elementos, el boro, sobre una base de silicic.

antimonic

Si

Sb

Si

Si Si Si
Si Si Si
Figura 1.9 Impurcza de
antirncnio en un material
de tipo 11. Si B Si terial tipo n recien formado. Dado que el atorno de impureza que se inserto, ccdio un electron relativamente "Iibre" a la estructura:

Las impurezas difundidas que CHentan con cinco electrones de valencia se denominan dtomas donores.

Es irnportante distinguir que aunque se ha establecido un gran numero de portadores "libres" en el material de tipo n, este permanece con carga electrica neutral; debido a que, de rnanera ideal, el niimero de protones con carga positiva que se encuentra en el nucleo sigue siendo igual al mimero de electrones "libres'' con carga negativa en la estructura.

EI efecto de este proceso de dopajeen la conductividad relativa pued~ describirse mejor mediante el uso del diagrama de bandas de energia de la figura 1.10. Observe que surge unniveldiscreto de energfa (llamado nlvel dOllor) en la bandaprohibida con un Eg mucho menor que eI del material intrfnseco, Los electrones "libres", que resultan de la adicion de las impurezas, se asientan en este nivel de energfa y tendran menor dificultad para absorber una cantidad suficiente de energfa terrnica para moverse hacia adentro de la banda de conduccion a temperatura ambiente. EI resultado de todo esto es que, a temperatura ambiente, existira un mimero mayor de portadores (electrones) en el nivel de conduccion por 10 que la conductividad del material se incrementara de forma significativa. A temperatura ambiente en un material intrfnseco como el Si existe eerca de un electr6n libre por cada 1012 atornos (1 a 109 para el caso del Ge). Si nuestro grado de dosificacion de impurezas fucra de I en 10 millones (107), la razon (1012/107 = lOS) indicaria que la concentracion de portadores se ha incrementado en una proporcion de 100,000: I.

Si

Si

Si

Figura 1,11 Impureza de boro en un material tipo p.

Observe que ahora existe un mimero insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recien formada. La vacante resultante se llama hueco y se represent a por rnedio de un cfrculo pequefio 0 de un signa positivo que se debe a la ausencia de una carga negativa. Dado que la vacante resultante aceptard facilmente' un electr6n libre:

Las impllrezas difllndidas que cllwtan can tres electrones de valencia Sf dwominan atomas aceptores.

EI material resultante de tipo p es electricarnente neutro, por las mismas razones descritas para el material de tipo n.

Flujo de electrones versus flujo de huecos

EI efecto del hueco sobre la conductividad se muestra en la figura 1.12. Si un electron de valencia adquiere suficiente energfa cinetica para romper su enlace cova1ente y lIena el vacfo cr~ado por un hueco, entonces, una vacante 0 hueco se creara en el enlace covalente que libero al electron. Por 10 tanto, existira una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. como se muestra en la figura 1.12. La direccion que se utilizara en este texto es la delflujo convencional, la cual se indica por la direcci6n del flujo de huecos,

= 0.05 eV (Si), 0.01 eV (Ge)

---7 -

Si

Si

Energfa

Figura 1.10 Efecto de impurezas donadoras sabre la cstructura de las bandas de energta.

Flujo de hUfcas

Figura 1.12 Flujo de electrones versu» flujo de huccos.

Flu jo de electrones

8

Capitulo 1 Dioelos semiconductores

1.5 Materiales extrmsecos: tipo n y tipo p

9

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el est ado intrfnseco, el mimero de electrones libres en el Ge 0 en el Si se debe tinicamente a los pocos.electrones en la banda de valencia que adquirieronenergia de fuentes terrnicas 0 luminosas suficiente para romper el enlace covalentc.oa lasescasas impurezas que nose pudicron eliminar, Las vacantes que se dejaron atras en la estructura de enlace covalente representan nuestro limitado sunurnstro de huecos, En un material de tipo n, el nurnero de huecos no ha carnbiado de forma importante desde este nivel intrinseco. EI resultado total, por 10 tanto, sera que el ruimero de electrones excede por mucho al mimero de huecos. Por esta razon:

En un material de tipo n ([igura 1.13a) el electron se denomina pot·tador mayaritario y el hueco, pOl'tador minoritario.

Para el material tipo p, el mimero de huecos sobrepasa por mucho al numero de electroncs como se muestra en la figura !.! 3b. Por 10 tanto:

En un m~terial de tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electron es el portador n1montano.

Cuando el quinto electron de un atomo donor abandona a su atomo, el atomo restante adquiere una carga neta positiva: de aquf el signo positivo en la representacion ion donor. Por razones similares, aparece el signo negativo en el i611 aceptor,

Los m~teriales t.ipo n y tipo p representan los componentes basicos de construccion para los dispositivos serniconductores. En la siguiente seccion veremos que la "union" de un material ~ipo n :on un material ti~o p tiene como resultado un clemente semiconductor de importancia considerable para los sistemas electronicos,

lones donores
® - ® Portadores
- mayoritarios
+
® ®
®- ®
+ ® Portador Portadores
-® ® minoritario Tipon

Tipop (b)

Portador minoritario

(a)

Figura 1.13 (a) male rial tipo n; (b) material tipo p.

l.6 DIODO SEMICONDUCTOR

En la seccion 1.5 se presentaron los materiales tipo n y tipo p. EI diodo semiconductor se forma al unir estos materiales (construidos a partir de la misma base: Ge 0 Si), como se muestra en la figura 1.14, mediante la aplicacion de tecnicas que se describiran en el capitulo 19. En el memento en que los dos materiales se "unan", los electrones y los huecos en la region de union se combinaran, y como consecuencia se originara una carencia de portadores en la region cercana a la union.

Esta regi6n de iones positivos y negativos descubiertos se denomma region de agotamiento debido a la disminucion de portadores en ella.

Ya q~e el diodo es un disP?s.it.ivo de dos terminales, la aplicacion de un voltaje a traves de sus termmales ofrece tres posibilidades: sin polarizacion (VD = 0 V), polarizacion directa (VD > 0 V), y pola;izacion inversa (VD < 0 V). Cada posibilidad es una condicion que implica una respuesta, esta se debe entender claramente por el usuario si es que se desea aplicar el dispositivo de manera efectiva.

10

Capitulo 1 Diodes semiconductores

Figura 1.14 Union p-n sm polanzacton externa.

~mA

'-------<l +

VD=OV (Sin polarizacion)

Sin aplicacion de polarlzacion (VD == 0 V)

Bajocondicionessin polarizacion (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario (hueco) enel material tipo n que se encuentre dentro de la region de agotamiento fluira directamente hacia el material tipo p. Mientras mas cercano se encuentre el portador minoritario a la uni6n, mayor sera la atracci6n hacia la capa de iones negativos y menor la oposicion de los iones positivos de la region de agotamiento del material tipo n. Con el propos ito de servir para exposiciones futuras, tendremos que asumir que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentren en la region de agotamiento por causa de su movimiento aleatorio, fluiran directamente hacia el material tipo p. Una exposicion similar puede aplicarse para el caso de los portadores minoritarios (electrones) de un material tipo p. Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada material.

Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben superar tanto a las fuerzas de atraccion de la capa de iones positivos de material tipo n como al escudo de iones negatives del material tipo p, para poder migrar al area del material tipo p que se encuentra mas alla de la region de agotamiento, Sin embargo, dado que el rnimero de portadores rnayoritarios es tan grande en el material tipo n, existira invariablemente un mimero pequefio de portadores mayoritarios con suficiente energfa cinetica para pasar a traves de la regi6n de agotamiento hacia el material tipo p. Nuevamente el mismo razonamiento se aplica alos portadores mayoritarios (huecos) del materialtipo p. EI flujo resultante por los portadores mayoritarios tambien se muestra enlafigura 1.14.

Unaobservacion mas cercana de la figura 1.14 nos revel a que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales, que el flujo neto encualquier direccion tis cero. Esta cancelaci6n de los vectores se indica mediante las lfneas cruzadas. La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujo mayor que la del flujo de electrones para demostrar que la magnitud de cada uno no tiene que ser la misma para que puedan cancelarse y que adernas, los niveles de dopado de cada material pueden ocasionar un flujo desigual de huecos y de electrones. En resumen, entonces:

En auscncia de un voltajc de polarizacion aplicado, el flujo ncto de carga en cualquier direeeion para un diodo semiconductor es cero.

1.6 Diodo semiconductor

11

VD +

0>---l1li.+-1 --0 -I,

Figura 1.17 Situacion de polorizacion inversa para un diodo semiconductor.

12

En la figura 1.15 se repite eI sfmbolo de un diodo pew ahora este muestra sus regienes tipo Il y tipo p asociadas. Observe que la flecha asocia con el componente tipo p y quela barra can la region tipo n. Como se indico, VD 0 V Y la corriente en cualquier direccion es 0 mAo

Situacion de polarizacion inversa (V D < 0 V)

Si se aplica un potencial externo de V volts a traves de la union P-Il de tal forma que la terminal positiva se conecta al material tipo Il y la terminal negative al material tipo p como sc muestra en la figura 1.16, el mimero de iones descubiertos positives en la rccion de asotamiento del material tipo 11 se incrementara debido al gran mimero de electrones "libres" atrafdos por el potencial positive del voltaje aplicado. Por razones simi lares, el mimcro de iones descubicrtos negatives se incrementara en el material tipo p. El efecto neto sera, por 10 tanto, un crecimiento del area de agotamiento, con 10 cual tambien se establecer.i una barrera que detcndra el paso de los portadores mayoritarios, 10 que da como resultado una reduccion a cero del flujo de estes como se muestra en la figura 1.16.

Figura 1.16 Union p-n bajo polarizaci6n inversa

. Sin embargo, el mirncro de portadores minoritarios que entran en la region de agotamiento no cambia, con 10 que resultan vectores de flujo de portadores minoritarios que tienen la misma magnitud, como se indica en la figura 1.14, sin voltaje aplicado.

La corriente que Sf forma bajo una situaci61l de polarizaci6n inversa Sf denomina co/Tiente de saturaci6n invcrsa y se representa pOl' Is.

La corriente de saturacion inversa rara vez es mayor a unos cuantos microamperes excepto para el caso de dispositivos de alta potencia, De hecho, en afios recientes su nivel se encuentra en el rango de los nanoamperes para los dispositivos de silicio y en el rango bajo de los microamperes para el gerrnanio. El terrnino saturacion proviene del hecho de que alcanza rapidamente su maximo nivel y de que no cambia de forma importante con incrementos del potencial de polarizacion inversa, como se muestra en las caracterfsticas del diodo de la figura Ll9 cuando VD < 0 V. Las situaciones para una polarizaci6n inversa se muestran en la figura 1.17 tanto para el sfrnbolo del diodo como de la union p-n. Observe en particular que la direccion de Is es contraria a la flecha del sfrnbolo, Advierta tambien que el potcncial gegarivo se encuentra conectado al material tipo p y que el potencial 12ositivo al material tipo 11, la diferencia en las letras subrayadas de cada region indican la condicion de polarizacion inversa,

Situaclon de polarizacion directa (V D > 0 V)

Se establece una situacion de polarizacion directa 0 de "encendido" cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo p y un potencial negative a un material tipo n como se muestra en la figura L 18. Entonces, como regia futura:

Un diodo semiconductor se encuentra en polarizaci6n direeta wando se establece una asociacioll tipo p COil positivo Y tipo n can negativo.

Capitulo 1 Diodos scmiconductores

+- ®.-

; ~~::.(t)_

! ~+®§>

p ~ 11

Region de agotamiento

+

Figura 1.18 Union p-n bcjo polarizacion directa.

La aplicacion de un potencial con polarizacion directa V D "presionara" a los electrones del material tipo n y a los huecos del material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la frontera y para reducir el ancho de la region de agotamiento como se rnuestra en la figura 1.18. El f1ujo resultante de portadores minoritarios del materialtipo p hacia el material tipo 11 (y el de los huecos del material tipo 11 hucia el material tipo p) no vario en rnagnitud (ya que el nive! de conduccion se controla principal mente por el nivel de impurezas en el material); sin embargo, la reduccion en el ancho de la region de agoramiento provoca un fuerte flujo de portadores mayoritarios sobre la union. Un electron del materialtipo n ahora "advierte" una barrera mas reducida en la union debido a una region de agotamiento reducida y una fuerte atracci6n ocasionada por el potencial positivo aplicado al material tipo p. A medida que la magnitud de la polarizacion aplicada se incrementa, la region de agotamiento continuara disrninuyendo su amplitud hasra que un grupo de electrones pueda atravesar la union, con un incremento exponencial de 1a corriente como resultado, de la forma en que se muestra en la region de polarizacion directa en las caracterfsticas de Ia figural. 19. Observe que el eje vertical de la figura 1.19 se expresa en rniIiarnperes (aunque existen algunos diodos semiconductores que poseen ejes vertic ales expresados en amperes) y que eleje horizontal para la region de polarizaci6n directa tiene un nivel maximo de I V, sin embargo, norrnalmente el voltaje a traves del diodo bajo polarizacion directa sera menor que 1 V. Observe tambien la rapidez con la que se incrementa la corriente una vez que se pasa el punto de inflexion de la curva,

Es po sible demostrar mediante el empleo de la ffsica del estado solido que las caracterfsticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir con la siguiente ecuacion, tanto para la region de polarizacion inversa como para la directa:

(1.4)

donde

corriente de saturacion inversa

11,600/7) donde 7) = I para el Ge y 7) = 2 para el Si para niveles relativamente bajos de corriente del diodo (en 0 abajo del punto de inflexion de la curva) y 7) 1 tanto para el Ge como para el Si para niveles mayores de corriente del diodo (para la seccion de rapido crecimiento de la curva) Tc + 2730

En la figura 1.19 se present a una gnifica de la ecuacion 1.4. Si expandimos la ecuacion 1.4 de la siguiente forma, los cornponentes de cada region delafigura 1.19 sepodran describir de forma mas facil.

ID = IsivDITK - Is

Para valores de V D positivos, el primer termino de la ecuacion anterior crecera de forma muy rapida y sobrepasara el efecto contrario del segundo termino, EI resultado de esto es que para valores positivos de V D, I D sera posit iva y crecera a un ritmo equivalente de y = eX que aparece en la figura 1.20. Para el caso cuando V D = 0 V, la ecuacion 1.4 se convierte en l» = Is (eo -I) = Is (I I) = 0 mA como aparece en la figura 1.19. Para el caso de valores negativos de V D, el primer termino de la ecuacion rapidarnente caera hacia niveles

1.6 Diodo semiconductor

13

Figura 1.19 Caractetisticas del diodo semiconductor de silicic.

y

y - e;

o

2

Figura 1.20 Grafica de e'.

(Similar)

Figura 1.21 Situacion de polarizaci6n directa para un diode semiconductor,

14

I 2~~tt I Ii 1 r I

H",,+i-r--f-+-'-f-il--t19 I Ii 1 I 1

f-,-+--+-+-~'---i---- -lI8H_--+--"Ec_;:.'=:"';=,.16o,j~ ':,;t-"",,"-t-. Dhpo~i'i~G real dhpol)lbie_

~-+-+i--+-+-+_+_+-+;7 Iii I

i 1 ! I i

rc--+f-~-+-+--'15+--+-+-\_-+"'-'~-f~~+-H+-+I-+ --+-+-+11 1-'--)--- +--+++-lI4l---1-H---+--l--ii,I--+-+ H-- +---+-+--,--+_+-_1,--) 1-+-+-+-+++---1---11 Jt--+ +-f-+--j--jl-- +r-t-f+r-i-r-t- 1-+ -~i--+-+, +\--1

__ grailca'

1--+-+-"-+-+--1-+--111 H--+-+-+-+-j[--+-H'+"

f-+--'--i 1-+--+-1._--+ 91-+ 1_1_+_+_1-+_+ ++ +-----t~~--

r-t---t--'--++--I----t-st--H-+ + +-:t--l---11-t

\---r-i-+-+-+-+-+-+t>l--+-+-j- +-+-iii---I-II---t-(1'" po~a~i,t:~i;~ d~'~ct~), 1-+--+-j--r-I-1~+5H--+-t-+~-~/'~+-~++-'i~+-t-+~1 1-+-+-+-+-- -- --+4 '-+-++--r-H-I -+1-/1+ +--+--+-1--- --+++-1

--4 -1,0 -20 -10 I 0 o,i~ 0,] ~\ 0,7 -t-+1--+i +++ +--\

-W--I-- -:-~-:W-~- -0,2~A -1-''''

Region de po arizacicn inversa __ 0,) ~A,+('-iVli.n' =_,,0",,' v_r""'11", =,'" I O'r) m",l,A'i')" __ I--I __ +--t_+_-t-_H

(VD<OV,iD=-I,) " L--i--+ 1++-+I-+I_I-H--+-+++-1

L-l---"---'---.L...LJI--L-L+--.L9'~-' I I I I

x

inferiores de Is con 10 que se obtiene: ID = l., 10 cual se representa con la lfnea horizontal de la figura 1.19, La discontinuidad para la condici6n VD = 0 V aparece de esa forma en la grafica debido al cambio dramatico de.escala de rnA a Jl.A.

Observe en lafigura U9que el dispositivo comercialmentedisponible tiene sus caracterfsticasdesplazadas hacia Ia derecha con una. rnagnitud de. algunos decimosde volt. Esto se debe a la resistencia interna del "cuerpo" del diodo y a la resistencia externa del "contacto" del rnismo. Cada una de estas resistencias contribuye a obtener un voltaje adidonal con el mismo nivel de corriente como 10 detennina la ley de Ohm (V = IR), Con el tiempo, y a medida que los metodos de fabricacion mejoren, esta difercncia sera menor y las caracterfsticas reales se aproximaran a las de la ecuaci6n 1.4

Es importante prestar atencion al cambio en la escala del eje vertical y el horizontal, Para valores positivos de ID la escala se encuentra en miliamperes y la escala bajo el eje en microamperes (0 posiblemente en nanoamperes). Para el caso de VD, la escala para los valores positivos se encuentra en decirnos de volt y para los valores negativos en decenas del mismo,

A simple vista, la ecuacion 1.4 podrfa parecer compleja y alguien podrfa temer que su utilizaci6n sea necesaria para todas las aplicaciones subsiguientes del diodo; sin embargo, posteriormente en esta secci6n se realizaran varias aproximaciones, que evitaran el uso de esta ecuaci6n, y nos facilitaran una soluci6n con un mfnirno de dificultad maternatica.

Antes de abandonar el tema del estado de polarizacion directa, se repite en la figura 1.21 la situaci6n de conductividad (estado "encendido") con las polaridades requeridas y la direccion del flujo de portadores mayoritarios resultante. Observe en particular laforma en que la direcci6n de la.conduccion es la mismaque Ia que indica la flecha del sfrnbolo (segiin se mostro para el diodo ideal):

Region Zener

A pesar de que la escala utilizada en la figura 1,19 se encuentra en decenas de volts para la regi6n negativa, existe un punto donde al aplicar un exceso mayor de voltaje se ocasiona un cambio drastico en las caracterfsticas, como se muestra en la figura 1.22, En este punto, la corriente se incrementa a un ritmo muy rapido con una direccion opuesta a la que tiene la region de voltaje positivo. El potencial de polarizaci6n inversa que provoca este

Capitulo 1 Diodos serniconductores

Figura 1.22 Regl.(\n Zener,

cambio dramatico de las caracteristicas del diodo se denornina potencial Zener y se Ie asigna el sfrnbolo Vz.

A medida que el voltaje a traves del diodo sc incrementa sobre la region de polarizacion inversa, tambien se incrementa la velocidad de los portadores minoritarios que son los responsables de la corricnte de saturacion inversa Is' En algunas ocasiones, su velocidad y { su energfa cinetica asociada (WK = !mv2) seran 10 suficientemente grandes como para Iiberar portadores adicionales mediante colisiones con estructuras at6micas que en otro caso serfan estables, Esto es, cuando los electrones de valencia absorb an tanta energfa como para abandonar su atomo, se provocarri un proceso de ionizacion. Estos portadores adicionales pueden entonces apoyar al proceso de ionizacion al punto donde se establezca un alta corriente de avalancha y se determine la regi6n de ruptura en avalancha.

La regi6n de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical mediante el incremento en los niveles de dopa do tanto para el material tipo n como para el tipo p, Sin embargo, a medida que Vz disminuye a niveles muy bajos, como -,$ V, existe otro mecanismo llamado ruptura Zerrer, elcual contribuira al cambioseveroen la caractenstica. Esto sucede debido a que existe un campo electrico fuerte en la regi6n de union que es capazde romper las fuerzas internas de enlace del :itomo y "generar' portadores, A pesar de que el mecanismo de ruptura Zener contribuye de manera importante solo a bajos niveles de Vz, este cambio severo en la caracterfstica en cualquier nivel se denomina region Zener, y los diodos que aprovechan esta porci6n iinica de la caracterfstica de la union p-n se design an como cliodos Zener, los cuales se describen en la seccion 1.15,

La region Zener descrita para un diodo semiconductor debera de evitarse si la respuesta del sistema no debe ser completamente alterada por el cambio severo en las caracterfsticas para esta regi6n de voltaje inverso,

EI potencial maximo de polarizaci6n inversa que puede aplicarse antes de ingresar en la region Zener se denomina voltaje pico inverso (reJerido simplemente como e1 valor PN, por las iniciales en Ingles de Peak Inverse Voltage) a como voltaje PRV (par las iniciales en ingles de Peak Reverse Voltage),

Si una aplicaci6n especifica requiere un nivel de PIV mayor que el que puede ofrecer una sola unidad, es posible conectar en serie un conjunto de diodos con las mismas caracterfsticas. Los diodos tambien se pueden conectar en paralelo con el objetivo de incremental' la capacidad para conducir corriente.

Comparaeion entre el silicio y el germallio Y r, Por 10 general, los diodos de silicio cuentan con un(PI~y un Indice de corriente mayores, asf como un rango de temperatura mas amplio que 16s diodos de germanio. Los niveles de PIV para el caso del silicio se encuentran cercanos a 1000 V, mientras que el valor maximo para el caso del germanio se encuentra alrededor de 400 V. EI silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura puede elevarse hasta 200°C (400°F), mientras que el germanio posee un nivel maximo mucho menor (lOO°C), La desventaja que tiene el silicio comparado con el germanio, como se indica en la figura 1.23, es la del mayor

1.6 Diodo semiconductor

15

'I> (mA)

iD(mA)

23

Ge

s:

Figura 1.24 Variation car:~ctel'Jsticas de un diodo deb.da a cambio, de temperatura

Figura 1.23 Comparacion entre diodes serniconductores de Si

y de

s:

Ge

Vr ~ O.7V (Si) Vr;;: 0.3 V (Ge)

v

No es poco frecuente que un diodo de germanio con un I, del orden de I 0 2 /LA a 250C mantenga una fuga de corriente de 100 fLA "" 0.1 rnA a una temperatura de 100°C, Tales magnitudes de niveles de corriente para la region de polarizacion inversa segurarnente nos haran cuestionarnos acerca de la validez de la condicion deseada de circuito abierto para la region de polarizacion inversa.Para el silicic, los valores tfpicos de Is son mucho menores que para el germanic a niveles de corriente y de potencia sirnilares como se muestra en la figura 1.23. EI resultadode esto es que incluso a temperaturas altas, los niveles de1spara los diodos de silicio, no llegan a alcanzar los elevados niveles obtenidosdel germanio, 10 eual es una razon muy importante por la cual los dispositivos de silicio disfrutan de un mayor nivel de desarrollo y de utilizacion en el disefio. Fundamentalmente, a cualquier temperatura, se obtiene un equivalente mejor de circuito abierto para la region de polarizacion inversa mediante el silicio en lugar del germanio.

Los mayores niveles de I" como resultado del incremento de temperatura, son responsables de los niveles bajos del voltaje de umbral eomo se muestra en la figura 1.24. Observe que al incrementar el nivel de Is en la ecuacion 104 existira un incremento rapido en la eorriente del diodo. Desde luego, el nivel de T K tambien se incrernentara en la misma ecuacion; sin embargo, el nivel creciente de Is se sobrepondra al men or cambio porcentual de T K. A medida que la temperatura se incrementa, las caracteristicas en polarizacion directa sc vuelven mas "ideales"; sin embargo, cuando analiccmos las hojas de especificacioncs veremos que temperaturas superiores a los tangos norm ales de operacion pueden ejercer un efecto muy nocivo en los niveles rnaximos de potencia y de corriente del diodo. Para la region de polarizacion inversa el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pero tambien advierta el incremento inconvenicnte en la corriente inversa de saturacion.

voltaje en polarizacion directa que requiere para alcanzar la region de conduccion. Este voltaje se encuentra alrededor de 0.7 V para diodos de silicio comercialmente disponibles y de 0.3 V para los diodos de germanio, eon val ores redondeados al decimo de volt mas cercano. La diferencia.rnayor para el caso del silicio se debe principalmente al factor nde la ecuacion 104. Este factorjuega un papel importante en Ia determinacion de la forma de la curva pero solo para niveles muy bajos de corriente ya que una vez que la curva inicia su crecimiento, el factor 1/ baja a 1 (el valor continuo del germanio). Esto se demuestra por las similitudes en las curvas una vez que el potencial de conduccion se alcanza. El potencial en el que inicia este crecimiento de la curva se denornina corminmente como potencial de conduccion, de umbra I 0 de dlsparo. Con freeuencia, se utiliza la primera letra del termino que describe a una cantidad particular para la notacion de dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un grado minima de confusion con otros terminos, como el de voltaje de salida (Vo> por su inicial en ingles, output) y el de voltaje directo (VF, por su inicial en ingles,forward), se adoptara la notacion VT para este termino (umbral del ingles threshold) a \0 largo de este libro.

En resumen:

Obviamente, el diodo se acercara mas a la condicion "ideal" mientras mas cercano se encuentre el desplazamiento ascendente, excursion, al eje vertical. Sin embargo, son las otras caracterfsticas del silicio las que 10 hacen .ser el elegido entre la mayoria de las. unidades comercialmente disponibles,

1.7 MATHCAD

Efectos de la temperatura

La temperatura puede ejercer un efecto marcado sobre las caracterfsticas de un diodo semiconductor de silicio, como podemos observar para el caso de un diodo de silicio tipico en la figura 1.24. De forma experimental se ha encontrado que:

La magnitud de la corriente de saturaci6n inversa Is se incrementard en una proporci6n doble por cada incremento de 1 DOC en la temperatura.

A 10 largo del textoutilizaremos un paquete de softwarematernatico denorninado Mathcad" para familiarizar al estudiante con las divers as operaciones que este popular paquete puede desempefiar y con las ventajas asociadas a su utilizacion, No es necesario adquirir una copia del programa de software, a menos que usted se sienta interesado en aprenderlo y utilizarlo despues de esta breve introduccion. Sin embargo, por 10 general la cobertura ofrecida se encuentra a un nivel basico para presentar el aIcance y el poder del paquete, Todos los ejercicios que aparecen al final de cada capitulo se pueden resolver sin el apoyo de Mathcad.

16

Capitulo 1 Diodes semiconductores

1.7 Mathcad

17

Figura 1.25 Pantalla principal de Mathcad.

Figura 1.26 Definicion del

orden de materna-

ticas para

20- 2.~ = 17.333 6

Figura 1.27 Operacion matematica basica.

18

La utilidad de Mathcad supera facilmente a la de una calculadora cientffica portatil. ya que puede desplegar graficas, efectuar operaciones algebraicas matriciales, permite la adicion de texto a cualquier calculo, cornunicarse con cualquier otra fuente de datos como Excel"', MATLAB@ o Internet, alrnacenar e informacion, etcetera; la lista de facilidades es muy extensa e impresionante. Mientras mas con Olea el paquete mas usos encontrara para el en su utilizacion cotidiana.

Una vez que el paquete se ha instalado, todaslas operaciones inician con la pantalla principal de la figura 1.25; sc han afiadido rotulos a esta pantalla para identificar sus partes. Par 10 general, todas las opcraciones matematicas se efectuan en la secuencia especffica que se muestra en la figura 1.26, esto es, de izquierda a derecha y de arriba abajo. Par ejemplo, si en la linea 2 se opcrara sobre una variable, el valor de la variable debera estar definido a la izquierda en la misma linea 0 en la linea 1. Observe que Mathcad es muy sensible al orden de las casas. Por ejemplo, si usted define una serie de cantidades en una misma linea, pero eoloca una de elias un poco por encima de las otras, esta no sera reconocida por las demas variables si resulta qtle son parte de Stl definicion. En otras palabras, cuando escriba sobre una misma linea, asegtiresc de que permanece en la misma linea para cada entrada nueva. Afortunadamente, Mathcad esta bien equipado para avisarle si algo es incorrecto. Cuando usted comience a utilizar el programa por vez primera, lc cansara ver tantas cosas en color rojo, 10 que indica que alga no se ingreso bien 0 se encuentra mal definido. Pero can el tiempo, a medida que su aprendizaje avance, usted se sentira comedo can el software.

Para efectuar una operacion aritrnetica basica, solamente haga clic sobre cualquier punto de la pantalla para establecer una CnIZ sobre el area de trabajo (el lugar donde comenzara la captura). Si decide que no Ie agrada ese lugar, simplemente mueva la flecha a otro lugar, vuelva a hacer clic y la cruz se reposicionara. Luego, ingrese la operacion maternatica 20 - 2 X 8/6 como se rnuestra en la figura 1.27. Ene! momenta en que se teclee elsigno de igualad. el resultado aparecera como se muestra en la figura 1.27. EI signo de igualdad se puede ingresar directamente desde el teclado 0 mediante la barra de menus de la parte superior de la pantalla. De hecho, al utilizar la secuencia de menus View-Toolbars-Calculator (Ver-Barras de Herramlentas-Calculadora), usted puede capturar la expresion completa y obtener el resultado utilizando el raton en lugar de su dedo como la haria con una calculadora cormin. Ademas, todas las operaciones maternaticas tales como exponenciales, ralz cuadrada, seno, tangente, etcetera, que normalmente se encuentran en cualquier calculadora cientffica tambien se encuentran disponibles aquf.

Capitulo 1 Diodes scmiconductores

n := 2

Te := 27 VD := 0.6 IS := 50 10-9

e 11600 K:~--

TI(:= TC + 27} x := ~ VO

TK

x 11.6

ID:= IS.(ex - 1)

Figura 1.28 Determinacion de la corrierue del diode 1D utilizando la ccuacion 1.4

Para practicar la utilizacion de variables, calculernos la corriente del diode utilizando la ecuacion 104. Para las ecuaciones, primero se escribe la letra 0 sfrnbolo que se aplica a la variable seguida par un signa de dos puntos, como sc muestra en la figura 1.28. Cuando se teclee el signo de dos puntos, aparecera un signo de igual como se muestra en la misrna figura, luego se podra ingresar el valor de la variable que se utilizara para la primera serie de calculos. Posteriormente, continue capturando las siguientes variables en la misma linea para despues calcular en la segunda lfnea las variables adicionales que se encuentran en funcion de las previas. Observe que x requiere que k, TK y VD sean definidas antes, ya sea en la linea anterior 0 a In izquierda de la misma lfnea. En la linea siguiente es posible obtener el valor de x simplemente tecleando x seguida de un signa de igualdad, can 10 que aparecera inmediatamente 11.6 como respuesta correcta. Ahora tendremos que capturar la ecuacion lA, y al momenta de ingresar cada cantidad, aparecera un corchete alrededor de cada una de ellas que define la suma que se esta capturando, con el tiempo esto se convierte en una caracteristica iitil. La rnultiplicacion se realiza utilizando el asterisco que se encuentraen la parte superior de la tecla del numeroS del teclado y losexponenciales se ingresan medianteel signo de exponenciacion sobre la teela del mirnero 6. Una vez que la ecuacion se ha registrado de forma correcta, se puede escribir ID en la siguiente linea (0 a la derecha de la ecuacion) y el resultado 50455 rnA aparecera directamente despues de que eI signo se haya seleccionado. EI resultado indica que para un voltaje de 0.6 V Ia corriente del diodo sera de 50455 rnA.

La belleza de Mathcad se puedc realmente dcmostrar ahora si cambiamos el valor de VD a 0.5 V, ya que en el in stante en que el valor se intercambia, los nuevos valores de x y de ID apareceran de forma autornatica como se muestra en la figura 1.29. Obviamente, una reduccion en VD ha reducido la corriente a 0.789 rnA. No hay necesidad de capturar la secuencia cornpleta de opcraciones nuevamente 0 de calcular todas las cantidades otra vez con una calculadora, ya que los resultados aparecen de forma inmediata.

n :=2

VD:=05

IS :=50 10-9

TC :=27

k:= 11600 n

TK := TC + 273

x:=~'VD TK

x = 9667

Figura 1.29 Demostracion del efecto del cambio de un

metro de la ecuacion

A 10 largo de este texto apareceran ejemplos adicionales por medio de Mathcad, sin embargo, tenga en mente que no es necesario convertirse en un experto para aprovechar el material de este libro, nuestro proposito solamente es presentar el software disponible.

1.7 Mathcad

19

1.8 NlVElES DE RESISTENCIA

A medida q\le el punto de operacion de un diodo se desplaza de una region a otra, la resistencia deldiodo tambien carnbiara debido a la forma no lineal de la curva caracteristica. En los siguiente« parrafos, se demuestra que el tipo de voltaje 0 sciial aplicada define el nivel de resistencia de interes. En esta secci6n Se presentaran tres niveles diferentes, los cuales seguiran aparecicndo en cuanto rcvisemos otros dispositivos: por 10 tanto, la comprcnsion clara de su definicion es muy importante.

Resistencia de DC 0 resistencia estatica

La aplicacion de un voltaje de de a un circuito que contiene un diodo semiconductor tendra por resultado un punto de opcracion sobre la curva caracterfstica que no varia con el tiempo. La resistencia del diode en punro de operacion puede encontrarse facilrncntc 10- calizando prirnero los valores correspondientes de VI) y de II) como se muestra en la

ra 1.30 y aplicando posteriormente la siguiente ecuacion:

(1.5)

Figura 1.30 Determinacion de la resistencia de de de un

Va (V) diode en un punto de oper'lcion en 'particular:

La resistencia de de en el punto de inflexion de la curva y pOl' debajo de el, sera mayor que los niveles de resistencia que se obtienen sobre la sec cion de crecimiento vertical de las caracterfsticas, Los niveles de resistencia para la region de polarizaci6n inversa naturalmente seran muy altos. Ya que los ohmetros utilizan pOl' 10 regular una fuente de corriente relativamente con stante, la resistencia que determinen sera la del nivel de corriente predeterminado (comtinmente unos cuantos miliamperes).

Par 10 tanto, en general, a menor corriente a trcvcs dd diodo mayor sera el nivel de res istencia de de.

E]EMPLO 1.1

Determine los niveles de resistencia de para el diodo de la figura 1.31 utilizando los siguientes valores:

(a) 10 = 2 mA

(b) 10 20rnA

(e) Vo == -lOY

Soluclon

(a) En 10 = 2 rnA, Vo = 0,5 V (de la curva) y

Vo 0.5 V

Ro == - = -- = 2500

10 2 rnA

(b) En ID = 20 rrtA, Vo = 0.8 V (de la curva) y

20

Capitulo 1 Diodos semicouductores

Figura 1.31 Ejernplo 1.1

0.8 V_ = 400 20 rnA

(c) En Vo == --10 Y, 10

- l/LA (de la curva) y

con 10 cual se sustentan las observaciones anteriores con respecto a los niveles de res istencia de de de un diodo.

Resistencia de AC 0 resistencia dinamica

A partir de.la ecuacion .1.5 y del ejemplo 1.1, resulta obvio que la resistencia de de de un diodo.es independiente de la forma que tenga .la caractenstica para la region que rod~a al punto de interes. Sien lugar de aplicar una entrada de de, se aplica una entrada senoidal, la situacion cambiani por eompleto. La variaci6n de la entrada desplazara al punto de operaci6n instantaneo hacia arriba y hacia abajo a una regi6n de las caracteristicas y de esta forma definira un cambio especffico en la corriente y el voltaje como se muestra en la figum 1.32. Sin la aplicaci6n de una sefial con variaci6n, cl punto de operaci6n estable seria el punto Q que aparece en la figura 1.32, determinado por I~s ni;,eles.de de aplicad~s. La designacion de punto Q se deriva de la palabra estable (del ingles quiescent), que significa "quieto 0 sin variacion".

fT1J-.-.--.··.····. --

Md •...... -

L___--

Caracterfstica de! diodo ~

V Linea tangente

Punto Q jcpcraclon en de)

", ",

:11

",

:2:

",

I~::-"'Vd

::1

Figura 1.32 Dehnicion de la resistencia dinamica o resistencia de ac.

1.8 Niveles de resistencia

21

Figura 1.33 Determinacion de 13. rcsisrcncia de un punto Q

Si se dibuja una linea recta tangente a la curva sobre el punto Q como se rnuestra en la figura 1.33, se definira un cambio particular en el voltaje y en la corriente que se puedc utilizar para determinar la resistencia de ac 0 dinamica para esta region de las caractcrfsticas del diodo. 'Se deberaefectuar un esfuerzo para mantener el cambio en el voltaje y en 'la corriente 10 mas pequefio posible y equidistante decada lado del punto Q. En forma de ecuacion,

donde tl. significa un cambio finite en la cantidad. (1.6)

Mientras mayor sea Ia pendiente, menor sera el valor de Ll Vd para el mismo cambio en t:,.Id y rnenor sera la resistencia. La resistencia de ac para la region de crecimiento vertical de la caracterfstica es por 10 tanto muy pequena, mientras que la resistencia de ac es mucho mayor para niveles bajos de corriente.

Por 10 tanto, en grncral, mientras menor sea d punta de operaci6n Q (corrirnte mas pequeiia a voltajc mas pequeno) mayor sera la rcsisteneia de ae

22

las caractensticas de la figura 1.34:

(a) Determinar la resistencia de ac cuando ID = 2 rnA. (b) Determinar la resistencia de ac cuando ID = 25 rnA.

(e) Comparar los resultados de los incisos (a) y (b) con la resistencia de de en cada nivel de corriente.

[,,(rnA)

15

Figura 1.34 Ejernplo 1.2

Solucion

(a) Para el caso ID = 2 rnA; se dibuj6 la lfnea tangente en ID = 2 rnA como .Ie muestra en la figura y se eligio una excursion de la serial de 2 rnA por encima y por debajo del nivel de corriente especificado para el diodo. En el punto ID = 4 rnA, VD = 0.76 V, y en ID = 0 rrtA, VD = 0.65 V. Los cambios en la corriente y el voltaje que resultan son

s), = 4 mA - 0 mA = 4 rnA t:,. Vd = 0.76 V - 0.65 V = 0.11 V

y

Capitulo 1 Diodos semiconductores

y la resistencia de ac:

o-{±}--;o

1 V = 27.5fi

rd = = 4

tl.1d

(b) Para el caso ID = 25 mA,se dibujo la linea tangenteen Ir; 25 .mAcomo.se rnuestra

en la fizura con una excursion de 5 mA por encima y por debajo del nivel de comcnte

d~ para bel diodo. En el punto ID = 30 rnA. VI) == 0.8 V, s en If) == 20 rnA, VI) 0.78

Los carnbios en la corriente y el voltaje que resultan son

y

y la resistencia de ac es

Md == 30 rnA 20 rnA = lOrnA t:,. Vd == 0.8 V - 0.78 V 0.02 V

r = A Vd = 0.02 V = 2 fi

d Md lOrnA

(c) Para el caso ID = 2 rnA, VD 0.7 V Y

350 n

10 eual excede por mucho a la rd de 27.5 n.

Para el caso l., = 25 rnA, VD == 0.79 V y

== VD == 0.79 V == 31.62 fi

RD ID 25 rnA

10 cual excede por mucho a la "« de 2 n.

Calculamos fa resistencia dinamica de forma grafica, sinembargo. existe una definici6n basica en calculo diferencial que establece 10 siguiente:

La derivada de una funcion en un punta espedfico es igual a la pendiente de la linea tangente dibujacla en esc punta.

Por 10 tanto, la ecuacion 1.6 como se definio en la figura 1.33, es equivalcntc a calcular la derivada de la funcion en cl punto de operacion Q. Si se encuentra la derivada de la ecuacion general 1.4 del diodo semiconductor con respe~t? a la polariz~ci6n directa apli?a?a .y luego se invierte el resultado, se obtendra una ecuacion para la resistencra de ae 0 dmam~ea en esa region. Esto es, al tomar la derivada de la ecuaei6n 1.4 con respecto a la polarizacion aplicada, el resuitado sera

d d I) 1
dVD (ID) -[I (ekVD/TK _
dV s
dID k
Y dVD -(iD + IJ
TK mediante algunas maniobras basicas del calculo diferencial, En general, ID » Is, en la seccion de la pendiente vertical de Ias.caracterfsticas y

dID = k

dVD TK

AI sustituir 17 = I para el caso del Ge y del Si para la secci6n de crecimiento vertical en las caracteristicas, obtendremos

k == 11,600 = 11,600 = 1l,600 1/ I

1.8 Niveles de resistencia

23

y a temperatura ambiente,

de tal forma que

TK == Tc + 2730 = 25° + 2730

11,600 .

298 ~38.93

dID av;

Al invertir el resultado para definir un Iodice de resistencia (R

y

38,9310

VII), se obtiene

dVD 0,026

dio 10

o

Ge,Si

(1,7)

EI significado de la ecuacion 1,7 debe entenderse claramente, ya que irnplica que la resistencia dinamica puede calcularse de forma simple al sustituir el valor de la corrientc en el punto de operacion del diodo en la ecuacion. No hay necesidad de tener disponible las caracterfsticas 0 de preocuparse por trazar lincas tangenciales como se definio en la ecuacion 1.6, Sin embargo, es importante tener en mente que la ecuacion 1.7 es exacta solamente para val ores de I D que se encuentran en la scccion de crecimiento vertical de la curva. Para valores menores de ID, 1/ = 2 (silicio) por 10 que el valor de r» obtenido se debe rnultiplicar por un factor de 2. Para valores pequeiios de ID que se encuentran por debajo del punto de inflexion de la curva, la ecuacion 1.7 resulta inapropiada.

Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora se han definido para la union p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en sf (denominada resistencia de cuerpoy ni la resistencia presentada porla conexi6n entre el material semiconductor yel conductor rnetalico externo (denominada resistencia de contactoi. Estos niveles adicionales de resistencia pueden 'incluirse en la ecuacion 1.7 aI agregarle laresistencia denotada por ro como se rnuestra en la ecuacion 1.8, POl' 10 tanto, la resistcncia r~, incluira tanto a la resistencia dinamica definida por la ecuaci6n 1.7 como a la resistencia rs recien presentada,

26 mY

r' ;=--- + r

d ID B

(1.8)

ohms

El factor ru pucde tener un rango de valores tfpicos que van de 0, I D para el caso de dispositivos de alta potencia, hasta de 2 D para el caso de algunos diodos de baja potencia de propos ito general. Para el ejemplo 1.2, la resistencia de ac para el nivel de 25 mA se calculo en 2 D, Al utilizar ahora la ecuacion 1.7 obtenemos

26 mY 26mY

rd = ---- = -- = 1.04U

ID 25 mA

La diferencia de aproximadamente I D podrfa tomarse como la contribucion debida a re.

Para el ejemplo 1,2, la resistencia de ac para el nivel de 2 mA se calculo como 27.5 n, Ahoramediante la ecuacion 1.7 pero rnultiplicando por un factor de 2 para. esta region (ya que en el punto de inflexion de la curva 1/ = 2),

(26 mY) (26 mY)

rd = 2 -- = 2 -- = 2(13 D) == 26 U

ID 2mA

La diferencia de aproximadamente 1.5 D podria tomarse como la contribucion debida arB'

En realidad, el calculo de rd con un alto grado de precision a partir de la eurva caracterfstica mediante la eeuaci6n 1.6 cs un proceso diffcil, cuyos resultados deben manejarse con cuidado en el mejor de los casos, A niveles de corriente bajos del diodo, el factor ru normalmente es 10 suficientemente pequerio en comparacion con rdcomo para pcrrnitir ig-

24

Capitulo 1 Diodes semiconductores

norar su impacto sobre la resistencia de ac del diodo. A niveles altos de corriente, el nivel de fu puede acercarse al de rd, pero debido a que con frecuencia existiran otros elementos rcsistivos con magnitudes mucho mayores en serie con el diodo, se asumira en este libro que la resistencia de ac se deterrnina unicamente por rs. ignorando el impacto de fu a menos que se indique 10 contrario, Las mejoras tecnologicas.de los ultirnos afios sugieren que el nivel de rs continuara disminuyendo en magnitud y que eventualmente sera un factor que pueda ignorarse con seguridad al compararse con r d,

EI analisis anterior sc centro unicamente en la region de polarizacion directa, para la region de polarizacion inversa, asumiremos que el eambio en la corriente sobre la linea de I, es nulo para la region que va de los 0 V hasta la zona Zener por 10 que la resistencia de ac que resulta al aplicar la ecuaci6n 1,6 es 10 suficienternente grande como para pennitir la aproximacion del circuito abierto,

Resistencia de AC promedio

Si la sefial de entrada es 10 suficienternente grande para producir una excursion amplia como en la figura 1.35, la resistencia asociada con el dispositivo para esta region se denornina resistencia de ac promedio, la cual es, por definicion, la resistencia determinada por una linea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los val ores rninimos y maximos del voltaje de entrada. En forma de ecuacion (observe la figura 1.35),

(1.9)

11 Vd I

ray = -;;;; punto por puntl}

[0 (IllA)

VD(V)

Figura 1.35 Determinacion de la resistcncia de at prornedio entre los ltmites indicados.

20

15

o

Para la situacion indicada por la figura 1,35

Md= 17mA-2mA= 15mA

11 Vd '" 0.725 Y - 0,65 Y = 0.075 Y

y

con

= ~ Vd = 0,075 Y = 5 n

fav M 15 mA

d

Si la resistencia de ac (r d) se determinara cuando If) = 2 mA su valor seria mayor que 5 n, y si se determinara a 17 mA seria menor, En medio, la resistencia de ac efectuarfa la transicion del valor alto en 2 mA hacia el valor bajo en 17 rnA, La ecuacion 1.9 define un

1.8 Niveles de resistencia

25

Circuito equivalente de segmentos lineales

Una tecnica para obtener un circuito equivalente para un diode consiste en aproxirnar las caracterfsticas deldispositivo utilizando segrnentos de lfneas rectas, como se muestra en 1,\ figura 1.31. Al circuito equivalente resultante se le denornina, como es natural,. circuito equivalente de segmentos lineales. Debe resultarobvio al observar la figura 1.36 que los segmentos de lmeas rectas no representaran una copia exacta de las caractensticas reales, espccialmente en la region del punto de inflexion; sin embargo, los segrnentos resultantes son 10 suficientemente aproximados a la eurva real que es posible establecer un circuito equivalente que proporcionara una primera aproximacion excelente al comportamiento real del dispositive. Para la seccion con pendicnte del equivalente, el nivel de resistencia de ac promedio que se presento en la seccion L 7 sera el nivel de resistencia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1.37 posterior al dispositive real. En esencia, define el nivel de resistencia del dispositive cuando este se encuentra en el estado de "encendido", EI diodo ideal se incluyo con el objetivo de establecer que s610 existe una direccion de cooducci6n a traves del dispositive y que una condicion de polarizacion inversa para el dispositivo ocasionara el estado de circuito abierto. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el punto de conduccion sino hasta que VD Ilega a 0.7 V bajo polarizacion directa (como se muestra en la figura 1.36) debera existir en el circuito equivalente una baterfa V T que se oponga a la direccion de conduction como se muestra en la figura 1.37. La baterfa solamente indica que el voltaje a traves del dispositivo debera ser mayor que el voltaje de umbral de la baterfa antes de que pueda establecerse una conduccion a traves del dispositivo en la direcci6n determinada por el diodo ideal. Cuando la conduccion se establezca, la resistencia del diodo sera el valor especificado de r avo

Sin embargo, recuerde que VT en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltfmetro sobre un diodo en particular encima de una mesa de laboratorio, no se obtendra una lectura de 0.7 V. La bateria solamente representa el desfasamiento horizontal en las caracterfsticas que deberan superarse para poder establecer la conduccion.

valor que se considera un promedio de los val ores en ac de 2 a 17 rnA. El hecho de que un nivel de resistencia pueda emplearse para un intervale tan amplio de caracteristicas demostrara ser algo muy util en la definicion de circuitos equivalentes para un diodo en una seccion

Para ambos nivcles de rcsistencia de de yde ae, mientras mrnor sea el nivd de corricnte utilizado para dcterminar la resistencia promedio, mayor serd eI nive! de resistencia,

Tabla de resumen

La tabla 1.2 se desarrollo para reforzar las conclusiones importantes de las iiltimas paginas y para enfatizar las diferencias entre los distintos niveles de resistencia. Como se indico antes, el contenido de esta seccion sen! el fundamento para una gran cantidad de calculos de resistencias que se realizaran en secciones y capitulo> posteriores.

TABLA 1.2 Niveles de resistencia

Tlpo

Ecuacion

Caracterfsticas espcciales

Definicion grct{ica

De DC 0 eSlatica

~ ·/L"WQ

Se define como un punto sobre las caracterfsticas

DeAC

o dinarnica

26mV ID

10 -------

Se define por una linea tangente en.el punto Q

, L\Vd!

De ac promedio rav :;:::'1

6. d punto por punto,

Se define por una linea recta entre los lfmites de operaci6n

o

1.9

CIRCUITOS EQUIVALENTES. PARA DIODOS

Un circuito equivalente es una combinaci6n de elementos degiaos de Jonna apropiada para representor de la mejor manera las caracteristicas tenninales reales de un dispositivo, sistema 0 similar, para una regi6n de operaci6n particular.

En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible eliminar el sfrnbolo del dispositive de un diagrama y sustituirlo por el circuito equivalente sin afectar de forma importante el comportamiento real del sistema. El resultado a menudo es una red que puede resolverse mediante las tecnicas tradicionales de analisis de circuitos.

Figura 1.37

26

Capitulo I Diodes serniconductores

Figura 1.36 Definicion del circuito equivalente de segmcntos lineales utilizando segmentos de ltneas rectas para aproxirnar la curva caractertstica.

0.7 V 0,8 V VD (V) (VT)

+

Componentes del cireuito equivalente de segmentos lineales

1.9 Circultos equivalerues para diodos

27

EI nivel aproximado de rav puede determinarse general mente a partir de un punto de operacion que se describe en la hoja de especificaciones (que se discutira en la seccion 1.10). Por ejcmplo, para un diodo semiconductor de silicic; si IF 10 rnA (una corriente de conducciondirecta para el diodo) cuando VD 0.8 V, sabernos que. para el silicio se requerira un desplazamiento de 0.7 V para que la curva caractcnstica se eleve y

!l I

raY = !lId

punto a punto

0.8 V

0.] V IO rnA

10 fl.

IOmA

segun se obtuvo para la figura 1.36.

Circuito equivalente simplificado

Para la mayorfa de aplicaciones, la resistencia raves 10 suficientemente pequena al compararla con los otros elementos de la red, como para poder ignorarla, La eliminacion de fav del circuito equivalente es similar a afirmar que las caractetisticas del diodo son las que se muestran en la figura 1.38. Por cierto, esta aproximacion se utiliza frecuentemente en el analisis de circuitos semiconductores como se vera en el capitulo 2. EI circuito equivalente reducido se muestra en la misma figura, y manifiesta que en un sistema e1ectr6nico, un diodo de silicio polarizado directamente, bajo condiciones de corriente de tendril una cafda de 0.7 V a traves de el, en el estado de conducci6n a cualquier nivel de corriente del diodo (por supuesto, dentro de los valores nominales).

Vr=O.7V ~I-I --Il~IoI--~o

If) ~Diodo idea!

o Vr=O.7V Vo

Figura 1.38 Circuito equivalente sirnplificado para el diodo semiconductor de silicio.

Circuito equivalente ideal

Una vez que se ha eliminado ray del circuito equivalente vayamos un paso adelante y establezcamos que un nivel de 0.7 V normalmente puede ignorarse cuando se compara con el nivel de voJtaje aplicado. En este caso, el circuito equivalente se reducira al de un diodo ideal con sus caractcristicas como se muestra en la figura 1.39. En el capitulo 2 veremos que es po sible utilizar esta aproximacion sin una perdida considerable de precisi6n.

En la industria, una popular sustitucion de la frase "circuito equivalente de diodo" es modelo de diodo, un :nodelo por definici6n es una representacion de un dispositivo, objeto, SIstema, u otro existente. De hecho, esta terminologfa alternativa sera utilizada de forma casi exclusiva en los capftulos siguientes.

+

o)----~IM::---o

G ----------- Diodo ideal

o

Figura 1..39 Diodo Ideal y sus caractertsucas.

28

Capitulo 1 Diodos semiconductores

Tabla de resumen

Pol' claridad, los modelos del diodo que son utilizados para la variedad de parametros y aplicaciones se presentan en la tabla 1.3 junto con sus de segrnentos linea, les. Cada una de elias sc con mayor detalle en e) capitulo 2. Siempre existcn excepciones a la regla general. sin embargo, es seguro afirmar que cl modelo equivalcntc simplificado se utilizara de rnanera mas frecuenre en e! analisis de sistemas electronicos rnientras que el diodo ideal se aplicara con mayor regularidad en el an~\lisis de sistemas de fuentes de alimentacion clonde existen voltajes mayores.

TABU 1.3 Circuitos equivalentes de diodos (modelos)

Tipo

Modele de scgmentos lineales

~1f--".J\'/\1\r~~

vl' fav l!i()do

Ideal

Modele simplificado

~I--I ----II~>l--1 -

v, Diodo

idea!

Dispositive ideal

Rred ray Erell ~ VI'

Diodo idea!

1.10 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Los datos sobre especificaciones de dispositivos semiconductores son proporcionados normal mente de dos maneras por el fabricante. La forma mas conuin es mediante una breve descripcion que se limita a una pagina como maximo. La otra manera es por medio de una revisi6n de las caracterfsticas utilizando graficas, ilustraciones, tablas, etcetera. En cualquier caso, existen conjuntos de datos especfficos que deben incluirse para una utilizacion correcta del dispositive, e incluyen:

1. EI voltaje directo VF (para una corriente y temperatura definida)

2. La corriente directa maxima J F (para una temperatura definida)

3. La corriente de saturaci6n inversa IR (para un voltaje y temperatura definidos)

4. El nivel de voltaje inverso [PlY, PRY 0 V(BR), don de BR proviene del terrnino "rup-

tura'' (delingles breakdown) (para una temperatura dcfinidaj]

5. EI nivel de disipacion para la maxima potencia en una temperatura particular

6. Los niveles de capacitancia (como se definiran en la seccion 1.11)

7. El tiempo de recuperaci6n inverso trr (como se definira en la seccion 1.12)

8. El rango de temperatura de operaci6n

Segun el tipo de diodo que se consiclere, se pueden proporcionar datos adicionales, como son: rango de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutaci6n, niveles de resisten-

1.10 Hojas de especificaciones de diodos

29

cia rermica y los val ores pico repetitivos. Para una dcterrninada aplicacion, el significado de los datos sera autoevidente. Si se proporciona la maxima potencia 0 valor de disipacion scentiende que sera igual al siguiente producto:

donde I D Y V D son la corriente y el voltaje del diode en un punto de operacion particular.

Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacion particular (un caso cormin), podernos sustituir VD VT = 0.7 V para un diodo de silicic en la ecuacion 1.l0 y determinar la disipacion de potcncia resultante para cornpararla contra el valor de maxima potencia. Esto es,

DlFUSION PLANAR DE SILICiO

PERFIL 00·35 I~) MiN

I rT'O)

",J 0.180(4.57)

~J40(J56)

",,-ill :::::::::""

VALORES MAXIl\lOS ABSOLUTOS (Nota I)

Il-t~----

Voltajes y Corrientes Maxlmos'

WIV Voltaje Inverse de Trabajo BAY73

IOOV

if(sobrecarga)

LOA 4.0A

cobre. con chaps de estafio Conectores de cbapa de oro disponiblcs Encapsulado de cristal hermeficamentc sellado

peso del paquete es de 0.14 gramos

Corriente pico directa en sobrecarga Ancho de pulso ~ I s

Anello de pulse I iJ.S

se indique 10 contra rio)

CONDICIONES DE PRUEBA

NOTAS

1 Estes valcres son valores lfmires, per encima de los cuales In capacidad de servicio del diode se vena deterioradn. 2 Estes son Hmitcs en estado estable. Debeni ccnsultarse con [a fabric-a para aplicaciones que involucren pulses

U operacion en ciclos de trabajo bajos.

Figura lAO Caractertsticas electricas de un diodo de alto voltajc y bajo nivel de fuga.

30

Capitulo 1 Diodos semiconductores

(I II)

(L10)

En las figuras 1.40 y 1.41 se proporcionauna copia exacta de los datos de un diodo de alto voltaje y bajo nivel de fuga. Este ejemplo el caso de la lista expandida de datos y caractensticas. El tcrmino rectificador se aplica a un diodo cuando este se utiliza con frecuencia en un proceso de rectificacion como sc describe en el capitulo 2.

CURVAS TIPICAS DE CARACTERiSTICAS ELECTRICAS

(a temperatura arnbtente de 25°C, a menos que se indique 10 contrario)

VOLTAJE DIRECTO VERSUS CORRlENTE DlRECn

CAPACITANCIA VERSllS VOLTAJE INVERSO

CORRIENTE DIRECT" VERSUS COEFICIENTE DE TE\IPERATURA

6.0


Ii 1······ ....... to.


l\ t-' J. t-·· t··

D
".
1-
< E

%- 5.0 '§ 4.0 .~ 3.0 U

I 2.0 u

1.0

4.0

8.0

12

16

V F - Voltaje directo - volts

TC Coeficiente de temperatura rn V I"C

VR - Vottaje inverse ~ volts

CORRIENTE Il'<VERSA VERSUS COEFICIENTE DE TEMPERATURA

VOLTAJE INVERSO VERSUS CORRIENTE INVERSA

IMPEDANCIA DINf\MICA VERSVS CORRIENTE DIRECTA

100

o.

.1 1
I IJ- ttr= I kHz ..

t1ac ~O.ldc
Typ H-

,-
-
I
.. \

I 10

1.0

0.0

25 50 75 100 125

o 1.0 10 100 lK 10K

VR .. Voltaje inverse .. volts

TA - Temperatura arnbieute - OC

RD ~ Impcdancia dinarnica ~.n

CURVA DE DECREMENTO DE DISIPACION DE POTENCIA

CORRIENTE RECTIFICADA PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA VERSUS TEMPERATURA AMBIENTE

500 !\ ! , ..... ,._ ....
400 1·- [.) ..
\
1\ ..... t·· ,. .. _.
300 \
200 .......•..•... ...... I ... !'\

.. . ... I·'· -, i
100 ...... !
0 -, I o 25 5075100125150175200

TIt - Temperatura ambiente - or

TA .. Temperatura ambiente .. "C

Figura 1.41 Caracteristicas terrnicas para un diodo de alto voltaje.

1.10 Hojas de especificaciones de diodos

31

. Se resaltaron con letra cursiva los parrafos de detenninadas areas de la hoja de especificaciones que corresponden a la siguicnte descripci6n:

A:

Los volrajes de polarizacion inversam(nimos (PIV) para un diodo a una corrien. te desaturacirin inversa determinada.

Caractensticas de temperatura segun indico. Observe el emplco de la escala de Celsius,y el amplio rango de utilizacion [recuerde que 32cF O°C = punto de

congelacion (H20) y que 212°F lOOGC punto de cbullicion (H20)].

Nivel ma,xi:no de disipacion de potencia P D VI) II) cz 500 m W. El valor de po-

tencia rnaxima disminuye a una proporcion de 3.33 mW por cada grado de temperatura que se incrementa por encima de la temperatura ambiente (25°C), como claramente se muestra en la curva de decrementn de disipacion de palencia de la figura 1.4!.

Corriente directa continua maxima IF 500 rnA (observe la cornparacion de

IF versus temperatura en la figura 1.4"i').

Rango de valores para VI" cuando IF '" 200 mA. Observe que ex cede Vr = 0.7 V para ambos dispositivos,

Rango de valores para Vp cuando IF = 1.0 mA. Observe como, en este caso, el limite superior se accrea a 0.7 V.

En el nivel VR = 20 V Y a una temperatura de operacion tfpica, IR == 500 nA = 0.5 /LA, mientras que a un voltaje inverso mayor IR cae a 5 nA '" 0.005 /LA.

EI ~ivel de eapacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el diodo cuando VR = VD a V (sin polarizacion) y con un freeuencia aplicada de 1 MHz.

EI :i::mpo de reenperaeion inverso es de 3 us para la !ista de condiciones de operacion.

B:

C:

D:

E:

F:

G:

H:

I:

Algunas d~}as curvas de lafigura lAl utilizan una es<:alalogar{tmica;una rapida lee~ura .de la seccion 11.2. ayudara a,la lectura de estas graficas, Observe en la figura superior IzqUl~rda como ,VI" se Incremento desde un valor de 0.5 V hasta mas de I V, a medida que IF. se incremento ~,e ~O /LA hasta mas de 100 rnA. En la figura inferior, vemos que la comente de saturacion mversa se modi fica ligeramente con los niveles crecientes de VR, pero permanece a menos de I nA a temperatura ambiente hasta niveles de V = 125 V. Sin embar~~, c?mo se in~ica en la figura adyacente, observe la rapidez con queRla corriente de saturacion inversa se Incrementa en relacion con los incrementos en la temperatura (como 10 habfamos pronosticado anteriormente).

. En la figura superior derecha vemos como disminuye la capacitancia a medida que se tncrem.enta el voltaje en po!arizacion inversa, y en la figura inferior observarnos que la resistencia de ae (I'd) es tan solo de 1 n a 100 rnA y que se incrementa a 100 n para corrientes menores de 1 rnA (como se sabia por las explicaciones anteriores),

La corriente prornedio rectificada. la corriente directa pico repetitive y la corriente pico en sobrecarga directa que se muestran en la hoja de especificaciones se definen como:

1. Corriente promedio rectificada. Una sefial de media onda rectificada (como se describe en la ~eeeion 2.8) ~osee un valor prornedio definido por Iav = 0.318 Ipico. El valor de la cornente promedio es menor que el valor de las corrientes directascontinuas 0 de pico repetitive, ya que una forma de onda de corriente de media onda tendra valores instantaneos rnucho rnayores que el.valor prornedio.

2. Corriente directa pica repetitivo. Este es el valor instantaneo maximo de la corriente ~irecta repetitiva .. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un periodo breve, su nivel puede llegar a ser mayor que el del nivel continuo.

3. Corriente pi.co en .sobrecar~a directa. En ocas~ones, durante el encendido, los problemas. de funcionam~ento, etcetera, aparecen cornentes muy altas a traves del dispositivo por intervalos de uernpo muy cortos (que no son repetitivos). Estos fndices definen el valor maximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas en el nivel de corriente.

32

Capitulo 1 Diodos semiconductores

Mientras mas se familiariza uno con las hojas de especificaciones, mas Liciles de usar se vuclven, especial mente cuando se comprende de forma clara el impact» de cada parametro para la aplicaciou bajo investigacion.

1.11

CAPACITANCIA DE TRANSICION Y DE DlfUSION

Los dispositivos electronicos son muy sensibles inherenternente a las alias frccuencias, La mayoria de los efectos capacitivos pueden ignorarse a bajas frecuencias, ya que su reactancia Xc l/21TfC es muy alta (equivalente a un circuito abierto), Esto. sin embargo, no pucde icnorarse para el caso de frccuencias muy altas, debido a que Xc se volvera lo suficientemente pequefia, al alto valor de f como para introducir una trayectoria en "corto" de baja reactancia. En el diode semiconductor p-n existen dos efectos capacitivos que ~ebe:~n considerarse. Ambos de se prescntan tanto para la de polarizacion directa como para la inversa, pero dado que siempre una de ellas supera por mucho a la otra en cada region, consideraremos los efectos de solo una de ellas para cada region.

En la region de polarizaci6n inversa, Sf presenta la capacitancia ele transicion (CT) 0 de regi6n de agotamicnto, mientras que para la region de polarizacion directa telldremos la capacitancia de difusi61l (CD) 0 de almacenamiento.

Recuerde que la ecuacion basica para la capacitancia de un capacitor de placas paralelas se define por C = fA/d, donde E es la perrnitividad del dielectrico (aislante) entre las placas con area A que se encuentran separadas por u.na distancia d. Para la regi6n .de pol arizacion inversa existe una region de agotamiento (libre de portadores) que esencialrnente se comporta como un aislante entre las capas de cargas opuestas. Debido a qu.e la amplitud ancho de la region de agotamiento (d) se incrementa al aumentar el potencial de polarizacion inversa, la capacitancia de transicion resultante disminuira, como se muestra en la figura 1.42. EI hecho de que la capacitancia sea dependiente del potencial de polarizaci6n inversa tiene aplicaciones para numerosos sistemas electronicos. En el capitulo 19 se presentara un diodo cuya operacion depende completamente de este fenomeno.

C(pF)

~---T---"----~-r- ------,---15 -- -------~.-.-~

f---- Polar;,. ion invers. (C1') ~ .. -·-------1",+------·

1=' +-------51t-~-=--? •• ~e-7-l-- .. - ..... --1

f.---I--~'--+---1i:z-·- -- ~ .. ~. b,=d~-_+_--'F'~=-·-t__--- Polarizacion directa (CD)-

-20

0.25

(V) -25

-15

-10

-5

o

0.5

Figura 1.42 Capacitancias de transicion y de dilusion en Iuncion de la pclarizadon aplicada para un diode de silicic.

Aunque el efecto descrito anteriormente tambien se presenta en la region de polarizacion directaeste es mucho menos que el ensombrecido porel efecto de capacitancia que es dependiente directamente de la velocidad a la cual se inyecta la carga ~n las regione~justo fuera de la region de agotamiento. EI resultado es que niveles crecientes de =v= provocaran niveles crecientes de capacitancia de difusion. Sin embargo, niveles crecientes de corriente, provocan niveles reducidos de resistencia asociada (la cual se demostra.ra ~as adelante), y que la constante de tiempo resultante (T = RC), muy importante en aplicaciones de alta velocidad, no se vuelve excesiva,

Los efectos capacitivos descritos antes, se representan con un capacitor en paralelo con el diodo ideal, como se muestra en la figura 1.43. Sin embargo, para el caso de aplicacioncs de baja 0 mediana frecuencia (excepto en el area de potencia), el capacitor normalmente no se incluye en el sfrnbolo del diodo,

1.11 Capacitancia de transid6n y de dilusion

Figura 1.43 lncorporaci6n del efecto de capacitancia de transicion 0 difusion en el diodo semiconductor.

33

1.12 TIEMPO DE RECUPERACION INVERSO

Existen ciertos datos que corminmcnte los fabricantesproporcionan en hojas de especificaciones de los diodes: una de esta cantidades que min no hernos revisado, es el tiernpo de recuperacion inverso, representado por t.; Anteriormente se que en el estado de polarization directa, existe una gran cantidad de electrones que se mueven del material de tipo Il hacia el material de tipo p, y una gran cantidad de huecos en el material tipo p hacia el material tipo 11, 10 cual es un requisite para que exista la conduccion. Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden a traves del material tipo n establecen un gran ruimero de portadores minoritarios en cad a material. Si el voltaje aplicado se debiera invertir con el objetivo de establecer una situacion de pclarizacion inversa, idealmente veriamos que el diodo cambia de forma instantanea de un estado conductive a uno no conductivo. Sin embargo, debido al alto numero de portadores minoritarios en cada material, la corriente del diodo sencillamcnte invierte como se muestra en la figura 1.44, y se man, tiene en este nivel perceptible, durante un periodo t, (tiempo de almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para regresar a su estado de port adores mayoritarios en el material opuesto. En esencia, el diode permanecera en el estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa, determinada por los parametres de la red. Eventualmente. cuando esta tase de alrnacenamiento tcrmine. la corriente reducira su nivel hasta alcanzar aquel asociado con el estado de no conduccion. Este segundo periodo se representa por It (intervalo de transicion), El tiempo de recuperacion inverso sera la suma de estos dos intervalos: t"" = Is + ft. Naturalmente, este valor es una consideracion muy importante en aplicaciones de conrnutacion de alta velocidad, La mayoria de los diodes de conmutacion disponibles comercialrnente, poseen un t.; en rangos de unos cuantos nanosegundos hasta I us, Sin embargo, existen unidades disponibles, con un I" de solo unos cuantos cientos de picosegundos (10-12).

f-

I t

I

Figura 1.45 Notaciones de diodes semiconductores

Cambia requendo de estado

I / (encendido -+ apagado) en [= I,

directa . . .

I

t,

/' Respuesta deseada

Figura 1.44 Definicion del tiempo de recuperacion inverse

1.13 NOTACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES

Las notaciones que de manera mas frccuente se utilizan para los diodes serniconductores, sc proporcionanen hi figura 1.45. Para la mayorfa de los .diodos, se presenta una marca como un punto 0 una banda en la terminal del catodo. La terminologfa de anode y catodo es un legado de la notacion de los tubos de vacfo. EI anode se asocia con el potencial mayor o el positivo, y el catodo con la terminal con el potencial menor 0 negativa. Esta combinacion de niveles de polarizacion provocara una polarizacion directa para el diodo 0 condie ion de "encendido". En la figura 1.46 se muestran varios diodos semiconductores cornercialmente disponibles. Algunos detalles acerca de la fabricacion real de dispositivos como los que aparecen en la figura 1.46 se proporcionan en los capitulos 12 y 19.

34

Capitulo 1 Diodos scmiconductores

(a)

K, etcetera

I

(c)

Figura 1,46 Varies tipos de diodos de union. [(a) Cortesta de Motorola Inc.; (b) y (e) Cortesia de International Rectifier Corporation].

1.14 PRUEBAS DE DIODOS

EI estado de un diodo semiconductor puede determinarse de forma rapida mediante: (1) un multfmetro digital (DDM, por sus siglas en ingles digital display meter), con funcion de verificacion de diodos, (2) lafuI1ci611 de ohmetro de un multfrnetro, 0 (3) un trazador de curvas.

Funcion de veriflcacion de diodos

En la figura 1.47, se muestra un mulnrnetro digital con capacidad de verificacion de diodos, Observe el pequefio sfmbolo de diodo en una de las opciones de la perilla selectora. Cuando se coloca en esta posicion y se conecta como se muestra en la figura 1.48a, el diodo debera estar en el estado de "encendido" y la pantalla indicara el voltaje en polarizacion directa tal como 0.67 V (para el Si). EI multfrnetro cuenta con una fuente constante de corriente (aproximadamente de 2 mA) que definira el nivel de voltaje de la misma forma que se indica en la figura 1.48b. Un mensaje de OL en la pantalla cuando se conecta, como en la figura 1.48a, indica un diodo abierto (defectuoso). Si se conecta de forma invertida, el mensaje OL se debera a la equivalencia de circuito abierto que se espera, En general, por 10 tanto, si aparece el mensaje OL cuando el diodo se conecta en ambas direcciones, esto sera indicativo de un diodo abierto 0 defectuoso.

1.14 Pruebas de diodos

35

(Ohmetro) R relativamente baja

Terminal I 1 Terminal

roja (Vil) t negra (COM)

+ ~I·-

(a]

R relativamente alta

Terminal I I Terminal

negra (COM) rOja (Vil)

- r ~I +

(b)

Figura 1.49 Verificacion de un diodo mediante un ohrnerro.

36

Figura 1.47 Mulumetro digital con pacidad de verificacior de diodes (Cor" lcsfa C:omputronics Technology. lnc.)

Terminal! raja (Vil)

Figura 1.48 vcrtficacion de un diodo en estado de pclarizacion dirccta,

I Terminal

t negra (COM)

··0

0.67 V

(a)

Prucha cou un ohmetro

(h)

En la seccion 1.8 vimos que la rcsistencia en polarizacion directa de un diodo semiconductor es muy baja en relacion con el nivel en polarizacion inversa. Por esto, si mcdimos la resistencia de un diodo utilizando las conexiones indicadas en la figura 1.49a, podemos csperar un nivel bajo relativo. EI valor que indica el ohmetro sera una funcion de la corriente que establece a traves del diodo la baterfa interna (general mente de 1.5 Y) del circuito del ohmetro, Mientras mas alta sea la corriente, menor sera el nivcl de resistencia. Para la situacion de polarizacion inversa, la lectura que aparece debera ser muy alta, por 10 cual se requerira de una escala grande de resitencia en el multfmetro, como se indica en la figura 1.49b. Obviamente, si se obtiene una lectura que muestra un nivel alto de resistencia en ambas direcciones, se tratara de una condicion abierta (dispositive defectuoso), mientras que una iectura que muestra un nivel muy bajo de resistencia en ambas direcciones indicara que probable mente se trata de un dispositive en corto.

Trazador de curvas

El trazador de curvas de la FIgura 1.50 puede desplegar las caracterfsticas de una variedad de dispositivos, incluso las del diodo semiconductor. AI conectar de forma apropiada el diodo al tablero de pruebas en la parte baja central de la unidad y al ajustar los controles, se obtiene la imagen de la figura 1.51. Observe que la escala vertical es de 1 mA/div, con 10 que se obtienen los niveles indicados, Para el caso de la escala horizontal se utiliza 100 mY/div, con 10 cual tambien se obtienen los niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de 2 rnA como el utilizado con el multfmetro, el nivel resuItante serfa de aproximadamente 625 mY 0.625 V. Aunque el instrumento inicialmente podrfa parecer complejo, el manual de instrucciones y algun tiempo de practica hacen que sea posible obtener los reo

Capitulo 1 Diodos semiconductores

lOrnA




!



i I

f/ 9mA

SmA

7mA

6mA

5mA

4mA

3mA

2rnA

[rnA

Figura 1.30 Tr.cador (Cortesia de Tektronix. lnc.)

Por division vertical lmA

Per division horizontal 100mV

~oglll par division

Figura 1.51 Respucsta del

trazador de curvas el

diodo de silicic

OmA OV o. t V O.2V O.3Y OAV O.5V O.6V O.7Y O.8Y O.9V LOV ..... __ ...

sultados buscados sin una gran cantidad de tiernpo y esfuerzo. Este mismo dispositive aparecera en mas de una ocasion en los capftulos siguientes a medida que revisemos las caractcrfsticas de los diversos dispositivos.

1.15 DIODOS ZENER

En la seccion 1.6 analizamos con cierto detalle la region Zener de la figura 1.52. En la que se apreeia la caida en una forma casi vertical de la caracteristica bajo un potencial de polarizacion inversa denotado como Vz. EI hecho de que la curva caiga alejada del eje horizontal en Ingar de que se elevealejada de la region positiva VD indica que la corriente en la region Zener mantiene una direccion opuesta a aquella de un diodo en polarizacion directa.

Esta region de caracterfsticastinicas se utiliza en el disefio de los diodes Zener, los cuales tienen el simbolo grafico que aparece en la figura 1.53a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan juntos en la figura 1.53 para asegurar que se entienda claramente la direccion de la corriente en cada uno, junto con la polaridad requerida para el voltaje aplicado. Para el diodo semiconductor, el estado de "encendido" resistira una corriente en direccion de la fecha del simbolo. Para el diodo Zener, la direccion de conduccion es opuesta ala flecha de su sfmbolo como indicamos en la parte introductoria de esta seccion. Observe tambien que la polaridad de VI) y de Vz son las mismas que las que se hubieran obtenido si ambos fueran elementos resistivos.

1.15 Diodos Zener

Figura 1.52 Obscrvacion de la region

(a)

(b)

Figura 1.53 Direccion de 1" conduccion: (a) diodo Zener: (b) diodo semiconductor.

37

La localizacion de la region Zener puede controlarse mediante la variacion de los nivcles de dopado. Un incremento en el dopado. que produce un incremento en el mimero de impurezas anadidas, disrninuye el potencial Zener. Existen diodes Zener disponibles con potenciales Zener de 1.8 a 200 V val Ores de potencia i a 50 W. Debido a su capacidad para soportar temperaturas y.corriente mayores, se prefiere utilizar el 'silicio para fabricar diodos Zener.

El circuito equivalente complete del diodo Zener en la region Zener incorpora una pcquefia resistencia dinamica y una bate ria de equivalente al potencial Zener como se muestra en la figura 1.54. Sin embargo, para el resto de las aplicaciones siguientes, debemos asurnir como primera aproximacicn que los resistores externos son mucho mas grandes en rnagnitud que el resistor equivalente Zener y que el circuito equivalente simplemente sera el que se indica en la figura 1.54b.

En la figura 1.55 se proporciona un dibujo mas grande de la region Zener para permitir una descripcion de los datos con el nornbre Zener que aparecen en la tabla 1.4 para el caso de un diodo de 10 V, 500 mW y 20%. El termino nominal asociado con Vz indica que se (rata de un valor tfpico promedio. Ya que este es un diode de 20%, el potencial Zener se puede expresar con una variacion de !O V ± 20% 0 con un range de operacion de 8 a 12 V. Tambien se encuentran disponibles diodos de !O% y 5% con Jas mismas especificaciones. La corriente de prueba IZTes la corriente definida para ~ del nivel de potencia y Zzr es la irnpedancia dinamica en este nivel de corriente. La impedancia maxima en el punto de inflexion ocurre en la corriente del punto de inflexion IzK. Se proporciona ademas la corrienre de saturacion inversa para un nivel potencial particular, e /Z,., es la corriente maxima para la unidad de 20%.

El coeficiente de temperatura refleja el carnbio porcentual de Vz con respecto a la temperatura, y se define por la ecuacion

r v:'1 vI
i -+- '1
(a) (b)
Figura 1.54 Circuito
Zener complete (l.l2)

Iz

Figura 1.55 Caractcristicas de prueba de Zener.

TABLA l.4 Caractertsticas electrtcas (25°C de temperatura ambtente a menos que se indique 10 contrario)

Voltaic Zener Nominal,

v, IV)

Coniente Impedancia Impedancia Cornente Voltaje Cornente
de Dinamica Maxima en el Inverse de Reguladora Coeficiente
Prucba, M6xima, punta de inflexion, Maxima, Prueba, Maxima, Tipico de
IZT ZZT a IZT ZZK a IZK IR a VR IfK 12M Temperatura
(mA) (0) (D) (mA) (p.A) (V) (rnA) (%fOC)
12.5 8.5 700 0.25 10 7.2 32 +0.072
Capitulo 1 Diodos semiconductores !O

38

don de t.\ V es eI carnbio en el potencial Zener, resultado de la variacion de temperatura. Observe en I: figura 1.56a que el coeficiente de temperatura puede ser positive, negative e ineluso cero para los distintos niveles Zener. Un valor positiveindica un incremento en Vz co' mo resul [ado de un incrementode temperatura, mientras que un valor negative indica un decrementoen el valor cuando la temperatura seincrcmenta. Los niveles de 24 V, 6.8 V Y 3.6 V refieren a trcs diodes Zener que cuentan con estos valores nominates dcntro de una rnisma familia de Zeners. La curva para el Zener 10 V natural mente se encontrarfa entre las curvas de los dispositivos de 6.8 V Y de 24 V. Regresando a la ecuacion 1.12, To es la temperatura a la cual Vz se suministra (normalrnente a temperatura ambiente de 25QC), y T, es

nuevo nivel, EI ejernplo 1.3 dernostrara la utilizacion de la ecuacion 1.12.

Coeficiente de temperatura versus corriente Zener

Impedancia dinamica versus corrtente Zener

I kQ ,.--.,..-,"'7---,--,-rrr--r-·T"TT.,.........,

c: 500

~ +0,]2 V

I I fEL.- I
r: ,d' I l-r-
r--
~ ... '

i
i I
,
I!
-3.6V _.
IIII Ii
I II II!
- <,

::: +0.08 ...:

~ 200 100

50 t=E=t:tf$

t' +0.04

~

is 0

§

.g -0.04

20 101--~++-~-4-FN-·-r~++~i

5 t=$t=a=am$HH=l

l! ~

,~ -0,08

t;:

g

V -0.l2

O.Ol 0,0)0.1

2~~H-~~H+-~-+~~

lk-LJ~~-J-LW--L~~~

0.10.2 0.5 1 2 10 20 50 100

0.51

5 10

50100

Corriente Zener, Iz- (mA)

Corriente Zener, Iz- (rnA)

(a)

Figura 1.56 Caracteristicas electricas de undiodo Zener de 10 V. 500mW

(b)

Determine el voltaje nominal del diodo Zener de la tabla 1.4 a una temperatura de !OO°C.

E]EMPLO 1.3

Soluci6n

A partir de la ecuaci6n 1.12,

Al substituir valores de la tabla 1.4 tenemos

(0.072)(10 V) (1000C 100

= (0.0072)(75) 0.54 V

2Ye)

y dado que el coeficiente de temperatura es positive, el nuevo potencial Zener definido por V~, es

V~ Vz + 0.54 V 10.54 V

En la figura 1.56b, se muestra la variacion en la impedancia dinamica (fundamentalmente, su resistencia en serie) a cambios en la corriente. De nuevo, el diodo Zener 10 V

L 15 Diodos Zener

39

aparece entre los Zeners 6,8 V y 24 V Observe que mientras mas fuerte es la corricnte (0 mientras mas arriba de la curva en crecirniento vertical se encuentre en la figura 1,52), menor sera el nivel de resistencia, Observe tambien que a medida que se cae por debajo del punto de inflexion de la curva, Ia resistencia se incrementa a niveles considerables.

lao figura 1,57 aparecen tanto Ia identificacion de las terminates CaIJ1a el encapsulado para distintos diodos Zener La figura 1.58 cs una fotograffa real de una variedad de instrumentos Zener. Observe que su apanencia es muy parecida a la de las diodos semi canduct ores, En el capitula 2 se revisaran algunas areas de aplicacion para los diodos Zener.

1. ,tAO""" I f f-catodo -I

Figura 1.57 Identificacion de terminales y stmbolos del Zener.

Figura 1.58 Diodos Zener, (Cortesta de Siemens Corporation),

1.16 DIODOS EMISORES DE LUZ

La utilizacion creciente de pantallas digitales en calculadoras, relojes y en toda forma de instrumentacion ha contribuido al amplio interes actual en estructuras que puedan emitir luz cuando se polarizan de forma apropiada, Las dos formas que cornunmente se utili zan en Ia actualidad para rcalizar dicha funcion san las diodos emisores de Iu: (LED del ingles: Light Emitting Diode) y la pan/alia de cristal liquido (LCD del ingles: Liquid Cristal Display), Debido a que el LED esta dentro de la familia de dispositivos de union p-n y que aparecera en algunas de las redes de las siguientes capftulos, se presentara en este capitulo, La pantalla tipo LCD se describe en el capitulo 19.

Como su nombre 10 indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que es capaz de emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier uni6n p-n con polarizacion directa existe, dentro de la estructura y principal mente cerca de la union, una recombinacion de huecos y electrones. Esta recombinacion requiere que la energfa posefda par el electron libre sin enlace sea transferida hacia otro estado, En todas las uniones de semiconductores p-n cierta cantidad de esta energfa se. desprendera en forma de calor y otra en forma de fotones: En elcaso del silicioy del germanic, el porcentaje mayor deenergla que sedesprende es en forma de calor y en una medida insignificante,se desprende luz emitida, Enotros materiales, como el fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) 0 el fosfuro de galio (GaP), el numero de fotones de energfa luminosa emitida es suficiente como para crear una fuente de luz altamente visible,

Al proceso de emisi6n de luz mediante la aplicaci6n de una Juente de energfa electrica se Ie denomina electroluminiscencia,

Como se muestra en la figura 1,59 con su sfrnbolo grafico, la superficie conductora que se encuentra conectada al material p es mucho mas pequeiia, con el objeto de perrnitir la

40

Capitulo 1 Diodes semiconductores

+ .-ff
0 ~ 0
-
H to Vo
(b) (a)

emision del maxima mimero de fotones de energia luminosa. Observe en la figura que la recombinaci6n de los portadores inyectados, debido a la uni6n con polarizaci6n directa, provoca una ernision de luz en lugar de la recornbinacion. Desde luego, puede existir cierta absorci6n de los paquetes de energfa fotonica en la misma estructura, sin embargo, un alto porcentaje sera capaz de escapar, como se sefiala en la figura.

La apariencia y caracterfsticas de una lampara subminiatura de estado solido yalta eficiencia que fabric a Hewlett-Packard se ejemplifica en la figura 1.60, Observe ,en la ~gura 1,60b que la corriente pico directa es de 60 mA, mientras que 20 mA es la cornente directa promedio tfpica. Sin embargo, las condiciones de prueba listadas en la figura 1.60c, son para el nivel decorriente de to mA, EI nivel de VD bajo condiciones de polarizaci6n directa se indica como Vp y se extiende desde 2.2 hasta 3 V. En otras palabras,es posible esperar una corriente de operacion tipica cerca de to inA a2,5 V para una buena emision de luz.

Existen dos cantidades indefinidas aun, debajo del encabezado de Caracteristicas Electricas/Opticas cuando TA 25°(, Estas son la intensidad luminosa axial (Iv) ,y la ejici~ncia lumlnosa (n,). La intensidad de la luz se mide en candelas. Una candela ermte un flujo de luz de 41T lumenes y crea una iluminacion de 1 candela/pie sobre un area de 1 pie cuadrado a una distancia de un pie de la fuente de luz. A pesar de que tal vez esta descripcion no proporcione un entendimiento claro de la candela como unidad de medida, ciertamcnte, su nivel puede compararse con otros dispositivos similares, EI termino eficiencia es por deflnici6n una medida de la habiJidad que tiene un dispositivo para producir un cierto efecto, Para el caso del LED, la eficiencia es la raz6n entre el mimero de lumenes gcnerados pOl' watt 0 energia electrica aplicada. La eficiencia relativa se define como la intensidad luminosa por unidad de corriente, de la forma en que se sefiala en la figura I,60g, La intensidad relativa de cada color en funci6n de la longitud de onda se rnuestra en la figura 1,60d,

Debido a que el LED es un dispositive de uni6n p-n, asumira una ~aracteristica de ~oIarizacion directa (figura L60e), similar a la curva de respuesta del diodo. Observe elmcremento practicamente lineal de la intensidad luminosa relativa en funci6n de la corriente directa (figura 1.600, La figura 1.60h muestra que micntras mayor sea la duraci6n del pulso a una frecuencia particular, menor sera la corriente pico permitida (despues de haber pasado el valor de ruptura de 11')' La figura J ,6Oi simplemente sen ala que la intensidad es la mayor a 0° (visto desde el frente directamente) y la rnenor. a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lado).

Actualmente las pantallas de visualizaci6n de LED se encuentran disponibles en mu-

chas formas y tamanos. La regi6n de emisi6n de luz esta disponible en longitudes que van desde 0,1 a I pulgada. Es posible representar numeros mediante segmentos com? se indica en la figura 1.61. Al aplicar una polarizacion directa al segmento de material tipo p

apropiado, es posible desplegar cualquier numero d~l 0 al 9, ,

Tambien existen larnparas de LEDs de dos terminales, las cuales contienen dos LEDs, de manera que una inversi6n en la polarizaci6n cambia el color de verde a rojo 0 viceversa,

1.16 Diodos emisores de luz

41

(a)

Actualmente es posible encontrar LEDs en color rojo. verde, amarillo. naranja y blanco. proximarnente tarnbien estara disponible comercialn.ente el color blanco con azul. En general, los LEDS operan en ranges de voltaje de 1.7 a 3 J V, 10 cual los haec cornpletamente compatibles con los circuitos de estado solido. Cuentan con tiernpos .de respuesta rapidos (nanosegundos) yofreccn indices buenos de contraste para mejorvisibilidad. Sus requerimientos de potencia son tfpicamente de 10 a 150 mW Call tiempos de vida de mas de 100,000 horas y adernas, su construccion de semiconductor les anade un factor de significativa durabilidad.

Valores norninales absolutos maximos a TA = 25'('

Parametro

Disipacion de potencia

Corrieme promedio en polnrizaclon directs Corriente pico en polarizacion directs Range de temperatura para

operacion y alrnacenamiento Temperatura de soldado del conector

1.6 mm (0.063 pulg.) del

120 20' 60

-55"C a IOO'C

230°C durante 3

[I] Reducir a partir de SOGC en 0.2 mV;oC

(b)

(c)

l. OJ!2 es el angulo a partir del eje "I cual, la intensidad luminosa es la mitad de la intensidad luminosa axial. .2. La longitud de onda dorninanteXj, se deriva del diagrama CIE de cromaticidad y representa la longitud de onda simple que define el color del dispositive.

3. La intensidad radiante, leo enwatts/estereorradian, puede encontrarse a partir de la ecuacion '0 '" I ,hi" donde I, es la intensidad luminosa en candelas y '1], es Ia eficiencia luminosa en hirncnes/watt.

Caracterfsticas Electrtcas/Optlcas a T A = 2S'C

4160 Rojo de alta
eficlencla Condiciones
Simboto Descripcion Min. Tipico Md.t. Unidades de prueba
IF= 10 rnA
t, Intensidad 1.0 3.0 mcd
lurninosa 'axial
2ew Angulo incluido 80 deg. Nota I
entre puntos de
intensidad luminosa
media
Apico Longitud de onda pico 635 nm Medida en
el pico
Ad Longltud de onda dominante 628 nm Nota 2
T, Velocidad de rcspuesta 90 ns
C Capacitancia II pF VF= 0; f = IMhz
Ole Resistencia termica 120 'CIW Union a la conexion
del catodo
a 0.79 mm (0.031
pulg) del cuerpo
Vp Voltaje en polarizacion 2.2 3.0 V Iv= 10 rnA
directa
BVR Voltaje de ruptura 5.0 V IR=IOOfLA
inverso
'1], Eficiencia luminosa 147 ImlW Nota 3
NOTAS: Figura 1.60 Larnpara roja subminiatura de estado solido yalta eficiencia fabricada par Hewlett-Packard: (a) apariencia; (b) valores nominales absolutes maximos; (e) earacteristicas clectricas/opticas; (d) iruensidad relativas en Jund6n de longitud de onda; (e) corriente en polarizacion directa en [urcton del voltaje en polarizacion directa; CD intensidad luminosa relativa en Junci6n de la corrtente en polanzacion directa; (gl efieiencia relativa en Iunci6n de la corriente pice: (h) cornente pice maxima en Iunci6n de la duracion del pulse; (i) intensidad luminosa relativa en I,mcion del desplazamiento angular. (Cortesia de Hewlett-Packard Corporation.)

42

Capitulo 1 Diodos semiconductores

Unidodes

mW rnA rnA

Longitud de ondc en om

(d)

20

-: ,2SJC Jfl
I
,
I I
I
./ 0.5

LO

1.5 2.0 2.5

3.0

0.71-----+--+---~-t--------t-----~-1--

0.60 10 20

30 40 SO 60

IF - Corriente en polarizacion directa- mA

(f)

I pice - Corriente pico .: .mA

V F - Voltaje en polarizaci6n dirccta- V

(e)

(g)

10 100

tp - Duracion del pulse - 11'

(h)

(i)

Figura 1.60 Continuaci6n.

1.16 Diodos emisores de luz

43

TR~'

0.600" •. ~

~

LO.600"J

Fig.ura 1.61 Pantalla de 5cgmc-ntcs Litronix.

ARREGLO MONOLITICO PLANAR DE DlODOS AISLADO POR AIRE

• C •.• 5.0 pF (MAX)

'L\VF •.• 15rnv(MAX) lOrnA

VALORES NOMINALES ABSOLUTOS MAxIMOS (Nota 1)

Temperaturas

Ranges de Tcmperaturas de Almacenamicnto Temperatura Maxima de Opcracion de In Union Temperatura en In Conexi6n

Disipad6n de potentia (Nota 2)

Disipaci6n Maxima de la Union a 25'C de Temperatura Ambiente por Encapsulado a 25QC de Temperatura Arnbiente Factor de Disipaci6n Lineal (a partir de 25'C) en la Union

en el Encapsulado

Corrientes y Voltajcs Maximos

WIV Voltajc .Invcrso de Trabajo

Corrienre Continua en Polarizacion Dirccta

Corricnte Pico en Sobrecaraa en Polarizacion Directa Ampiitud del pulse = i.o s

Amplitud del pulso = 1.0 fLs

_55' a + 200'C + 150'C + 260'C

Vease esquema del encapsulado TO-96

DlAGRAMA DE CONEXION

400mW 600 rnW 3.2 rnWI"C 4.8 rnWI"C

rrm-rm

1234679

55 V 350 rnA

1.0.'1. 2.0.'1.

SIMBOLO

CARACTERiSTICA MiNIMO

CARACTERISTICAS ELtCTRICAS (A 25'C de temperatura ambiente a me nos que se indique 10 contra rio)

Voltaje en Polarizacion Directa (Nota 3)

Voltaje de Ruptura 60

IR Corriente Inverse

Corriente Inversn (T = 150'C)

C

Capacitancia

VF\f Voltaje Pico en Poiarizaci6n Directa

tf, Tiempo de Rccuperacion Directo

trr Tiernpo de Rccuperacion Inverse

MAXIMO UNIDADES CONDICIONES DE PRUEIlA
V IR - 10 I'-A
1.5 V 11'= 500 mA
1.I V Ip= 200 rnA
1.0 V IF= 100mA
100 nA VR 40V
100 1'-.'1. VR = 40 V
5.0 pF VR = 0, f I MHz
4.0 V Ir- 500 rnA, tf < 10 ns
40 ns Ir- 500 rnA. If < 10 ns
10 ns Ir- If - 10-200 mA
RL= JOOn,Rec. a D.! If
50 ns If= 500 rnA, If= SOmA
RL - lOOn, Rec. a 5 rnA
15 mV IF lOrnA Ll. V F Ajuste de Voltaje Directo

?>:OTAS:

I.

valor~s ,son valores lfmites, por encimn de los cuales se verfu dunado cl descmpcfio y la vida del dispositive. son limites en estado estable. Debora consultarse ala fabrica para aplicacicnes que involucren opcraclon con pulses 0 con ciclos de trabajo bajos.

3. VI' se mide utilizando un pulse de 8 ms.

2.

Figura 1.62 Arreglo monolttico de diodes.

44

Capitulo 1 Diodes semiconductores

1.17 ARREGLOS DE DIODOS:

CIRCUITOS INTEGRADOS

Las principales de los circuitos presentan en el Apendice A. "Fabricacion de los circuitos integrados que mueven al mundo". euyo contenido mcrecc una lectura cuidadosa. cuando el tiernpo 10 perm ita, de manera que se obtenga un entendimicrite arnplio del proceso de manufacture. Se dura cuenta de que el circuito integrado no es un dispositive unico que cuente con caracterfsticas completamentc diferentes de aquelias que hernos revisado en estos capftulos introductorios. Simplcmcnte es una tecnica que permite una reduccion importante en el tamaiio de los sistemas electronicos. En otras palabras, dcntro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discrctos que ya cstaban disponibles macho tiempo antes de que el circuito integrado, como hoy 10 conocernes. fuera una realidad.

En la figura 1.62 (vea pagina 44) se muestra un arreglo posible. Observe que dentro del arreglo de diodes se encuentran ocho, Esto es, en el encapsulado que se muestra en la figura 1.63 se hall an los diodos sobre una sola oblea de silicio que tienen todos los anodes conectados a la terminal I y los catodos de cada uno, a las terminales 2 a la 9. Observe en la misma tigura que la terminal I puede localizarse a la izquierda de una pequefia protuberancia del encapsulado si se observa desde debajo de este. Los otros niimeros de terminal seguiran al primero en orden secuencial. Si se requiriera utilizar un solo diodo, entonces unicamcnte se ernplearan las terminales I y 2 (0 cualquicr otra del 3 al 9), Los diodos restantes quedanan desconectados y no afectarian a la red donde se encuentren conectados las terminales 1 y 2.

En la figura 1.64 se presenta otro arreglo de diodos. En este caso, el encapsulado es diferente. sin embargo, la secuencia de numeracion aparece en el esquema. La terminal 1 es la que se encuentra directamente arriba de la pequefia muesca que se ve desde la parte superior del encapsulado.

AisJador

de pic; la forma pucde variar

Notas:

Tcrminalcx Kovar, chapcadas en oro, Paquete scllado hermetlcamente. con un

peso de 1.32 gramos

Figura 1.63 Esquema del encapsulado TO·96 que corrcspondc con un arreglo de diodes. Todas las medidas estan en pulgadas.

Descripci6n del encapsulado TO-116-2

C--O.78Y--l r7

0.271"

L~.----.......,.-,...--...--MJ

Diagrumas de conexion

1 FSA2500M

Figura 1.64 Arreglo rnonolitico de diodes. Todas las medidas se encuentran en pulgadas

1.17 Arreglo de diodos: circuitos integrados

Jack St. Clair Kilb;

p r

Ing2nicn~\ y "1ecnologfa del Components

Asociado de IEEE ptr-

Instrurnents

mas de 60 patentts en n:

EI primer circuito integrado, un oscilaclor de drsplazamicnto de fa-

se, invcntado por S. Kilby en

1958. (Cortesia Texas Instru-

ments, lnc.)

~O.310"i

t=.

Notus:

Alcacion de 42 terminalcs. chapa de estano Disponible con terminales de chapa de oro Encapsulado de ceramics sellado hermeticnmente

45

1.18 RESUMEN

Conclusiones y Conceptos Relevantes

I. Las caracteristicas de un diodo ideal se asemejan mucho a las de un interruptor simple, excepto porel hecho import ante de que un diodo ideal puede conducir en una sola direccion,

2. El diodo ideal acuia como un circuito corto en la region de conduccion y como un circuito abierto en la regi6n de no conducci6n.

3. Un semiconductor es un material que posee un nivel de conductividad situado entre el de un buen conductor y el de un aislante.

4. Al enlace de atornos, reforzado por electrones cornpartldos entre atomos vecinos. se Ie denomina enlace covalente,

5. Los incrementos en la temperatura pueden causar un incremento lmportante en el mimero de electrones libres en un material semiconductor.

6. La mayona de los materiales semiconductores que se utilizan en la industria electronica, poseen coeficientes de temperatura negatives; 10 que signifiea que la resistencia desciende cuanclo la temperatura se incrementa.

7. Los materiales intrfnsecos son aquellos serniconductores que tienen bajos niveles de impureza, mientras que los materiales extrinsecos son los semiconcluctores que han sido expuestos a un proceso de dopado.

8. Un material tipo n se forma al afiadir atornos donores que cuentan con cinco electrones cle valencia de forma que se establezca un alto nivel de electrones relativarnente libres. En un material tipo n, el electron es el portador mayoritario, y el hueco es el portador minoritario.

9. Un material tipo p se forma al afiadir atomos aceptores que cuentan con tres electrones cle valencia de forma que se establezca un alto nivel de huecos en el material. En un material tipo p, el hueco es el portador mayorirario, y el electron es el portador minoritario.

10. La region cercana a la union en un diodo que contiene muy pecos portadores se Ie denomina region de agotamiento,

II. En ausencia cle cualquier polarizacion externa aplicacla, la corriente de un diodo es cero.

12. En la region de polarizacion directa la corriente clel diodo se incrementara de forma exponencial con incrementos en el voltaje a traves del diodo.

13. En la regi6n de polarizaci6n inversa, la corriente del diodo se mantiene en la muy pequefia corriente de saturaci6n inversa hasta que la ruptura cle Zener se alcanza y la corriente comienza a fluir a traves del diodo en direccion opuesta.

14. La corriente de saturacion inversa Is se incrementara en proporci6n cercana al doble por cada incremento de 10 grados en la temperatura.

15. La resistencia de cle de un diodo se determina por la raz6n entre el voltaje de diodo y la corriente en el punto cle interes y no es sensible a la forma de la curva. La resistencia disminuye con el incremento en el voltaje 0 la corriente del diodo.

16. La resistencia de ac del diodo es sensible a la forma de la curva para la region de interes y disminuye para altos niveles de corriente 0 voltaje del cliodo.

17. EI voltaje de urnbral es cercano a 0.7 V para el caso de los diodos cle silicio y de 0.3 V para el cle los diodos de germanio.

18. EI nivel maximo de disipacion de potencia de un diodo es igual al producto del voltaje cleldioclo por la corriente.

19. Lacapacitancia de un diodo seincrementara exponenciaimente con el incremento del voltaje en polarizacion directa. Sus niveles mas bajos se encuentran en la region de polarizacion inversa.

20. La direccion de conducci6n de un diodo Zener es opuesta a la que indica la flecha de su sfrnbolo, y el voJtaje Zener tiene una polarizacion opuesta a la del clioclo en polarizaci6n directa.

21. Los cliodos emisores de luz (LEDs) emiten luz bajo condiciones de polarizackin directa pero requieren de 2 a 4 V para una emision conveniente.

46

Capitulo I Diodos serniconductores

Ecuaciones

11,600

r; + 273"

k

T/ 0.7 V(Si) 0.3 V (Ge)

RD Vo
If)
26mV
rJ = st, ID
r.: st, I punto a punto
PDm", VvlD 1.19 ANAuSIS POR COMPUTADORA

La computaclora se ha convertido en una parte integral de la industria electr6nica de tal manera que las caracterfsticas que ofrece esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en la cornputacion, existe al principio un temor cornun hacia este sistema poderoso y aparentemente complicaclo. Tomando esto en cuenta, se diseiio para este libro la seccion de analisis por computadora, de manera que los sistemas cle c6mputo se volvieran mas faciles de usar mediante la presentaci6n de la relativa faciliclad con la que estes pueden ser aplicados para la ejecuci6n de algunas tareas especiales que pueden ser muy utiles con un con sumo mfnirnode tiempo y con un alto grade de precisi6n. El contenido de esta seccion se desarrollo asumiendo que ellector no cuenta con experiencia en c6mputo previa ni con una familiarizacion con Ia terminologfa que se aplica.Esto tampoco sugiere que el contenidode este libro sea suficiente como para permitir un completo entendimiento de los "comes" ni de los "porques" que surgiran. EI proposito aquf, es iinicamente el de ofrecer una introduccion a la terminologia, revisar algunas capacidades, dcscubrir las posibilidades disponibles, experimentar algunas de sus limitaciones y demostrar su versatilidad mediante un cierto numero de ejemplos cuidadosamente seleccionados.

En general, el analisis por computadora de sistemas electr6nicos puede realizarse mecliante uno de dos enfoques: ya sea empleanclo un Zenguaje de programaci6n como C++, Pascal, FORTRAN, 0 QBASIC; 0 mediante la utilizacion de un paquete de software como PSpice, Electronics Workbench (EWB), MicroCap II, Breadboard 0 Circuit Master, por nombrar algunos. A traves de una notaci6n simb6lica, un lenguaje cle programaci6n crea un puente entre el usuario y la computadora para permitir un dialogo entre ambos con el objetivo de establecer las operaciones que se efectuaran.

En ediciones anteriores de este texto, el lenguaje de programaci6n seleccionado fue BASIC, debido principal mente ala utilizaci6n que hace de palabras y frases familiares con las del idioma Ingles, que revelaban en sf mismas la operaci6n que se realizarfa. Cuando se emplea un lenguaje de programaci6n para analizar un sistema, es necesario desarrollar un programa donde se definande manera secuencial las operaciones que se efectuaran, en un orden muy similar al que se utiliza para .realizar el mismo analisis a mano. De ·Ia misma forma que en este ultimo metodo, si se comete un error en un paso especffico, el rcsultaclo que se obtiene puede no tener ningiin sentido. Es obvio que un programa desarrollado con tiempo y esmero representara un camino mucho mas eficiente para llegar a una solucion, Una vez establecido en su "mejor" forma, se puede catalogar para una utilizacion futura. Una ventaja importante del enfoque por medio de lenguaje de programacion es que este puecle ser configurado para cubrir las necesidades especiales del usuario. Permite "movimientos" creativos por parte del usuario que pueden generar impresiones de datos de una manera informativa e interesante.

1.19 Analisis por computadora

47

Figura 1.65 2000.

Mathc,ld

Figura 1.66 de Discno

(Cortcsia OrCAD Mi·

Corporation),

Figura 1.67 Electronics Workbench, Version 6.2,

48

E! enfoque alternative que se menciono antes es el del em pi eo de un paquere de software que pcrmita realizer Ia investigacion deseada. Un paquete de software es un prograrna desarrollado y probado durante un periodo, el cual esta disefiado para realizar un tipo particular de analisis 0 sintesisde una rnanera eficiente con un alto nivel de El paquete en sf mismo, no puede ser alteradopor el usuario, y. suaplicacionsclimita a las operaciones incorporadasen el sistema. Un usuario debe adecuar su necesidad de informacion rcquerida al rango de posibilidades que ofrece el paquete. Ademas, el usuario debe capturar la informacion exactamente de la forma en que 10 solicita el paquete 0 de 10 contrario los datos pueden maliutcrpretarse.

Los paqueres de software disponibles actualmente son muy amplios en cuanto a su cobertura y ran go de operaciones, de tal forma que ahora se requiere de una practica extensa para ser en realidad competente en su utilizacion. De heche, una importante fucnte de informacion para principiantcs es Ia cercania can que posean una mayor experiencia en un paquete en particular. EI apoyo que un colega de este tipo puede brindar casi siernpre es invaluable debido al tiernpo y esfuerzo que puede ahorrar. Pero siempre tenga en mente que en algun momento, este experto tambicn debera acudir a los manuales proporcionados y a fuerues cle ayuda para poder completar una labor. Para convertirse en una persona habil en el uso de cualquier paquete solo se requieren muchas horas de practica, adernas de la habilidad para hacer preguntas y buscar ayuda cuando se requiera.

En este texto, son tres los paquetes que se utilizaran ampliamente. No obstante que, como es natural, su cobertura es introductoria, la gufa que se proporciona en este texto y en los manuales clel software debera ser mas que suficiente para que los lectores puedan entender de forma clara los ejemplos y puedan trabajaren los ejercicios, En la seccion 1.7 se presento una introduccion de Mathcad para crear un conocimiento acerca del tipo de apoyo matcmarico disponible y que va mas alla de la capacidacl de una calculadora cientlfica cornun. A pesar de que el paquete MathCad 2000 que se muestra en la figura 1.65 sea el utilizado en este lex to, cl nivel de cobertura es tal, que todas las opcraciones pueden efectuarse en versiones anteriores de Mathcad. Para el caso de las redes electronicas que revisaremos en este texto,se utilizarondos paquetes de software; PSpice* y Electronics Workbench. En la figura 1.66 se presenta una fotograffa de! paquete de la version 8.0 de PSpice en formato CD-ROM (tambien disponible en formate de discos de 3.5"). Existe una version mas sofisticada con amplia difusion en la industria, denominada simple mente como SPICE. En la figura 1.67 se presenta el paquete de la version 6.2 de Electronics Workbench. De nueva cuenta mencionamos que la cobertura en este texto es tal, que es posible utilizar versiones ante rio res para rcalizar los ejercicios. Para el caso de todos los paquetcs de software, se hizo un esfuerzo por proporcionar un detalle suficiente en el texto que perrnitiera guiar al lector a traves de cada paso en el proceso de anatisis. Si surge alguna duda, primeramente consulte con su instructor y en los manu ales clel software y por ultimo, lItilice 1'1 ayuda en linea que se proporciona con cacla paqllete.

PSpice Windows

Al utilizar PSpice para Windows, se dibuja en primer lugar la red en la pantalla, seguida de un analisis dirigido por las necesidades del usuario. Durante este texto, se utilizara la Version 8.0, allnque las diferencias entre esta y las anteriores versiones cle Windows, son pocas y relativamente pequefias para este nivel de uti!izacion, no clebera preocuparse 8i se utiliza una version anterior. EI primer paso, por Supllesto, es instalar PSpice en el disco duro de su computadora, siguiendo las instrucciones proporcionadas porMicroSim. Luego, debera obtenerse Ja pantalla cle Esquemas utilizando un .mecanismo de control como Windows 95. Una vez establecicla, sera necesario obtener los elementos de la red y colocarlos en la pantalla para construir la red. En este texto, se describinl el procedimiento necesario para cada elemento una vez que se presenten las caracterfsticas y anal isis de cada dispositivo.

Ya que hemos concluido con la cobertura a detalle del diodo, se mostrara el procedimiento para localizar los diodos que se encuentran almacenados en las bibliotecas clel programtl, asi como elmetodo que se utiliza para colocarlos en la pantalla. En el siguiente ca-

*PSpice es Llna marca registrada de OrCAD·MlcroSim Corporation,

Capitulo 1 Diodos semiconductores

pitulo, se presentara el procedimiento para analizar una red de diodos completa utili zan do PSpice. Existen much as rnaneras que comenzar, pero el camino mas rapido es hacer clic en el dibujo del icono de binocularcs en la parte. superior derecha de la pantalla de esquemas .. A medida que se acerca el apuntador al recuadro, por medio del raton, se desplegara UIl mensaje Get New Part (Obteneruna parte nueva). Haciendo clic Izquierdo sobre el simbolo aparecera un recuadro de dialogo con el mensaje Part Browser Basic (buscador basico de partes). Al seleccionar la opcion Libraries (bibliotecas), aparecera un recuadro buscador de bibliotecas (Library browser) y debera seleccionarse la biblioteca EVAL.slb. Cuando esto se haga, apareceran todas las partes disponibles bajo esta biblioteca en ellistado de partes (parts). Luego, revise la lista de partes y seleccione el diode DIN4148. EI resultado de esta acci6n es que el titulo de Part Name (nombre de la parte) apareceni arriba y que la descripcion (Description) indicara que se trata de un diodo. Una vez seieccionado, haga die en OK y el recuadro del buscador basico de partes (Part Browser Bask) reaparecera con la descripcion completa del elernento seleccionado. Para colocar el dispositive en la pantalla y cerrar el recuadro, simplemente haga cIic en la opcion de Place and Close (colocar y cerrar). Como resultado de esto el diodo aparecera en la pantalla y podra ser colocado en un lugar hacicndo clic con el boron Izquierdo del raton. Una vez que se ha colocado, apareceran dos etiquetas, una de ellas indicara cuantos diodes se han colocado (D], D2, D3, y as! sucesivamenre) y la otra con el nombre del diode seleccionado (DIN4148). Este mismo diode puede colocarse ell otros lugares en la misma pantalla, simplemente moviendo el apuntador y haciendo un clic con el bot6n izquierdo con el raton. Este proeeso se termina cuando se hace un solo clic con el boton clerecho del raton. Es posible eliminar cualquiera de los diodos con solo seleccionarlos para colorearlos de rojo y presionando luego la tecla de Delete (borrar). Si se preficre, tambien se puede elegir la opcion Edit (editar) de la barra de menu de la parte superior de la pantalla, seguida del uso del comando Delete.

Otro camino para obtener un elemento es el de escoger Draw (dibujar) en la barra de menu, seguido por Get New Part (obtener una parte nueva). Una vez seleccionada, aparecera el dialogo Part Browser Basic y se podra continuar con el mismo proceso, Ahora que sabemos queel diodo D IN4148 existe, esposibleobtenerlo directamente una vezque el dialogo Part Broker Basic aparece: Simplemente teclee DIN4148en el recuadroPart Name, seguidc de Place and Close y el diodo aparecera en lapantalla.

Si el diodo se ha movido, solamente haga un solo e1ic con el boton izquierdo sobre 61, de manera que se colorce de rojo. Luego, haga otro e1ic nuevamente sobre el y sostenga el boton del raton presionado. Al mismo tiempo, mueva el diodo a cualquier lugar que prefiera y cuando este posicionado en el lugar deseado libere el bot6n. Rccuerde que todo 10 que aparezca en rojo puede operarse, Para eliminar el estatus de 10 que aparece en rojo, simplemente quite. el puntero del elemento y haga un clie sobre el. El diodo se coloreara de verde y azul, 10 que Illcliea que su posici6n e informacion asociada ha sido almacenada en la memoria. Para toc\os los capitulos siguientes, si resulta que usted posee una pantalla monocromatica (blanco y negro), simplemente tendni que recordar si el dispositivo esta en el estado activo.

Si la etiqueta 0 los panlmetros del diodo estan cambiados, simplemente haga un solo clic sobre el elemento (hasta hacerlo rojo) y escoja Edit seguido por Model. Aparecera un rccuadro Edit Model (Editar Modelo) con la opci6n de cambiar el modelo de referencia (Model Reference) (DlN4148), el texto asociado con cada parametro, 0 los para metros que definen las caracteristicas del diodo.

Como se menciono anteriormente, se realizaran comentarios udiciollales referentes al uso del diodo en los capitulos siguientes. Por elmomento, al menos estamos concientes de como localizar y coloc<)1' un elemento en la pantalla. Si el tiempo 10 permite, revise los otros elementos disponibles dentro cle lasdistintas bibliotecas con el objetivo de prepararse para el trabajo que sigue.

Electronics Workbench (EWB)

Afortunadamente, existen variar similitudes entre PSpice y Electronics Workbench (EWB). Por sllpuesto, tambien existe un amplio numero de diferencias; sin embargo, el punto aquf es que una vez que usted se vuelva habH en el uso de un paquete de software, Ie sera mueho mas faei! aprender otro.

1.19 Analisis por comptttac\ora

49

Figura 1.68 Pamalla de Multisim (Electronics bench)

Figura 1.69 Barra de herramicntas con las familias de componcmcs de Electronics Workbench.

50

que este boton se encuentrc presionado de manera que se muestre la barra de componentes de la parte izquierda de la pantalla. Observe la variedad de componcntcs disponibles, y note que cl diodo es el tercer clemente hacia abajo. La barra de componentes puede eliminarse o insertarse mediante e1 uso del boron de componentes (component) de ia barra de disefio. Para a .la lista de cornponentes, solarnente posicione el cursor sobre el componente resistive de In bandeja de partes. El resulrado es una lista expandida de componentcs como se muestra en la figura 1.69.

El boton a la derecha de la bandeja de componentes recuerda a un capacitor. Su proposito es permitir la modificacion (modification) de los componentcs. EI siguiente boron pcrmite la seleccion de una variedad de instrurncntos (instruments) que pueden inserterse en la red al momenta de construirla. De heche, son once los instrumentos disponibles. que van desde un simple multimetro hasta un osciloscopio.

EI siguiente boron es una cuadricula de line as y componcntes, llamado menu de elementos de slmulaclon que controlan el anal isis que se realiza, Entre sus opciones se encuentran RUN/STOP (comenzar/detener) 0 PAUSEJRESUME (pausa/continuar). EI siguiente boron controla el tipo de analisis (analisis) que se efectuara, que va desde dc hasta el analisis de figuras de ruido. Los botones restantes se dejan ala invcstigacion del lector. ya que no seran neccsarios para In cobertura prevista de este libro.

EI siguiente paso logico, que serta la construcci6n real de un circuito simple y la realizaci6n de un analisis, sera visto en el siguiente capitulo cuando se aplique polarizacion de de a redes de diodos,

Una vez que se selecciona el icono de Multisim, aparecera la pantalla de la figura 1,68.

A primera vista, las barras de menus parecen muy extensas, De heche, solamente el familiarizarse con la gama de opciones disponibles, puede llevar algun tiernpo. Sin embargo, tenga en mente que para cada objeto en la barra de menus probablemente existira un subconjunto para seleccionar, por 10 que la lista de opciones disponibles es muy amplia. En primer lugar, observe que en la parte superior de la pantalla, la barra de menu se divide en cinco secciones diferentes. La barra de herrarnientas del sistema (system toolbar),que incluye a las primeras cuarro secciones.corncnzando por la izquierda, debera.parecer algo familiarpues es similar a las de otros paquetes como Microsoft Word. EI conjunto restante de botones (nueve en total) se clenomina la barra de disefio Multisim (Multlslm design bar), y esta discfiado especfficamente para Electronics Workbench. EI primer boron de la barra de disefio, presenta el dibujo de cuatro elementos diferentes que indican que este es el origen de los componentes para cualquier disefio. Cuando se inicia EWB, es probable

§ 1.2 Diode Ideal

L Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispositive 0 sistema.

2, Describa con sus propias palabras las caracterisricas de un diodo ideal y c6mo se dcterrninan los estados de "encendido" y "apagado" del dispositive. Es decir, describapor que son adecuados los equivalentes de circuito cerrado y dccircuito abieno.

3, L Cual ella principal diferencia entre las caructeristicas de un tnterruptor sencillo y aquellas del diodo ideal?

§ 1.3 Materiales Semiconductores

4. Con >lIS propias palabras, defina los tenninos semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia de contacto ohmico.

5. (a) Utilizando la tabla I. I. determine la resistencia de una muestra de silicio con un area de I

cm2 y una longitud de 3 cm.

(b) Rcpita el incise (al si ahora la longitud es de 1 em y el area de 4 em". (e) Rcpita el inciso (a) si ahora la longitud es de 8 em y el area de 0.5 em". (d) Repita la inciso (0) para el caso del cobre y compare los resultados,

6. Dibuje la estructura atornica del cobre y discuta por que se trata de un buen conductor y de que forma su estructura es diferente a la del germanio y del silicio.

7. Con SlIS propias palabras, defina un material intrfnseco, un coeficicnte de temperatura negativo y un enlace covalente.

8. Consulte su biblioteca y localice tres materialcs que posean coeficicntes de temperatura negativos y tres con cocficientes de temperatura positives.

§ 1,4 Niveles de Energia

9. c Cuanta energia medida en joules se requiere para mover una carga de 6 C a traves de una diferencia de potencial de 3 V?

10. Si se requieren 48 eV de energfa para mover una carga a traves de una diferencia de potencial de 12 V, determine la carga involucrada.

1 L Consulte en su biblioteca y determine el nivel de Eg para el GaP y eI ZnS, dos materiales semiconductores con valor practice. Adernas, determine el nornbre completo de cada material.

Capitulo I Diodes semiconductores

Problemas

PROBLEMAS

51

§ 1.5 Materiales Extrinsecos Tipo II y Tipo P

12. Describe las difercncias entre los materiale-, semiconductores tipo n y tipo p.

13. Describa las .4iferencias entre las impurezas donoras y aceptoras.

14. Describe las diferencias entre y minoritarios.

IS. Dibuje la estructura atomica del silicic e inserte una impureza de arsenico como so dcmostro caso del <ilicio de la figura 1.9.

16. Repita el problema 15 pcro ahora inserte una irnpureza de indio.

17. Consulte su biblioteca y encucntre otra explicacion para el flujo de huccos verSlis el de e lecErnpleando ambas descripcioncs, describa con sus propia-, palabras el proceso de conduccion de huccos.

§ 1.6 Diodo Semiconductor

18. Describe con sus propias palabras las condiciones que se estableccn a Causa de condiciones de polarizacion direct" e inversa sabre una uni6n p-n de un diodo y como se ve afectada la co. mente resulrante.

19. Describe como podria recordar los estados de polarizacion inversa y directa para el diodo de union 1'-11. Es decir, i.c6mo recordaria el potencial (positive 0 negative) y la terminal sobrc la que se aplica?

20. Utilizando la ecuacion 1.4 determine la corriente de diodo a 20°C para el caso de un diodo de silicio con I, 50 nA y una polarizacion directa aplicada de 0.6 V.

21. Repit~ el problema 20 para T = 100°C (punto de ebullicion del agua). Asuma que Is se incremento a 5.0 /lA.

22. (a) Utilizando la ecuacion 1.4, determine la corriente de diodo a 20°C para un diodo de silicio con I., = 0.1 /lA bajo un potencial de polarizacion inversa de 10 V.

(b) i.EI resultado es el esperado? i,Por que?

23. (a) Grafique la funcion y e-' para un valor dex de a a 5.

(b) i,Curil es elvalor 'de y =e'cu<lndo x o-?

(e) Con base en el resulrado del inciso(b). (.por que es irnportante el factor I en la ecuacicn 1.47 En la region de polarizacion inversa, la corriente de saturacion de un diodo de silicio es cercana a 0.1 /lA (T = 2()°C). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa a 400C.

Camp,are hI.s ca;actcrfstieas de un diodo de silicio con las de un diodo de gerrnanio y determine cual preferirfa utilizar para la mayoria de las aplicaciones practicas, Proporcione algunos de-

talles. Consulte un listado de especificacloncs del fabricante y compare las caracterlsticas del diode de silicio y de germanic con valores nominales maximos similares,

Determine la caida de voltaje directo a traves del diodo cuyas caracteristieas aparccen en la ligura 1.24 para ternperaturas de -75,25, 100 Y 200'C, con una corriente de 10 rnA. Para cada

temperatura. determine el nivcl de la corriente de saturacion. Compare los extrernos de cada una y eomente sobre la rclacion de ambas.

24.

25.

26.

§ 1.8 Nivcles de Resistcncia

27. Determine la resistencia estatica 0 de de del diode cornercial de la figura 1.19 para una corrien te en polarizacion directa de 2 mAo

28. Repita el problema 26 para una corriente en polarizacion dirccta de 15 mA y compare los resultados.

Determine la resistencia estatica 0 de de del diodo comcrcial de la figura 1.19 para un voltaje inverso de-lO V. i. Como se com para con el valor determinado para un voltaje inverso de - 30 V7 (a) Determine la resisrencia dinamica (ac) de! diodo de la tigura 1.34 bajo una corriente de 10

mA utilizando la eeuaci6n 1.6.

(b) Determine la resisteneia dinumica (ae) del diodo de la tigura 1.34 bajo una corrientc de 10 mA utilizando la ecnaci6n 1.7.

(c) Compare los resultados de los incisos (a) y (b).

31. Ca!cule ,las resistencias de ae y de de para el diodo de la tigura 1.34 bajo una eorriente en polanzaclon dlrecta de lo mA y compare sus magnitudes.

29.

30.

52

Capitulo 1 Diodos semiconcluctores

32. Utilizando la ecuacion 1.6. determine la resisrencia de ac para una corriente de I mA y 15 rnA para el diode de la figura 1.34. Compare los resultados y desarrolle una conclusion general con respecto a la resistencla de ac y al incremento en los niveles de la corriente del diodo.

33. Utilizando la ecuacion 1.7, determine la de ac para una corriente de I rnA y 15 mA'

para eI diodo dela figura 1.19. Modifique las ecuaciones silo requiere para niveles bajos de corriente del diodo, Compare con la solucion obtenida en e! problema 32.

34. Determine la resistencia de ac promedio del diodo de la figura 1.19 para la region entre 0.6 y 0.9 V.

35. Determine la resistencia de ac del diode de la figura 1.19 a 0.75 V Y compare con III rcsistencia de ac prornedio obtenida en el problema 34.

§ 1.9 Circuitos Equivalentes para Diodos

36. Encuentre 01 circuito equivalente de segmentos lineales el diodo de la figura 1.19, Utilice

un segrnento de linea recta que cruce el eje horizontal en el valor de 0.7 V y que mejor se aproxime a la curva para la region mayor que 0.7 V.

37. Repita el problema 36 ahara para el diodo de la figura L34.

§ 1.10 Hojas de Especificacioncs de Diodes

''*38. Grafique IF contra Vp utilizando escalas lineales para el diodo de la figura 1.41. Observe que la grafica proporcionada utiIiza una escala logantmica para el eje vertical (las escalas Iogaritmicas sc cubren en las sccciones 11.2 y 11.3).

39. Discuta el carnbio en el nivel de capacitancia debido al incremento en el potencial de polarizacion para el diodo de la figura 1.41.

40. i.Cambia de forma importante la magnitud de la corriente de saturacion inversa del diodo de la figura 1.41 para potenciales de polarizacion inversa en el rango de -25 a -100 V?

,,41. Para el diodo de In figura 1.41, determi~e el nivel de lR a temperatura ambiente (25°C) y a la temperatura de ebullition del agua (toO°C). i.EI cambio es irnportante? i,Practicamenie se due plica el nivel por cada incremento deItr'C en la temperatura?

42. Para el diodo de la figura 1.41, determine la resistencia de ac (dinamica) maxima para una eorriente en polarizacion directa de 0.1. 1.5 Y 20 mAo Compare los nivelcs y disc uta si los resultados respaldan a las conclusiones derivadas en las anteriores secciones de este capitulo.

43. Urilizando las caracterfsticas de la figura 1.4 I. determine los niveles maximos de disipacion de potencia para el diode a temperatura ambiente (25°C) y para 100"C. En el supuesto de que VI-' pcrmanccicra fijo en 0.7 V, ic6mo cambia el nivel maximo de IF entre los dos niveles de temperatura?

44. Utilizando las caractcristicas de las figura 1.41, determine la temperatura a la cual, la corriente del diodo sera de 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C).

§ 1.11 Capacitaucia de Transicion y de Dilusion

;, 45. (a) Utilizando como referencia la figura 1.42. determine la capacitancia de transicion para un potencial de pclarizacion inverso de -·25 y --10 V. i,Cwi! es el radio del cambio en la capacitancia para el cambio en el voltajc?

(b) Repita el inciso (a) para potenciales de polarizacion inverses de -10 y 1 V. Determine la proporci6n de cambia en la capacirancia al cambio de voltaje.

(c) i.Como se cornparan las proporciones determinadas en losincisos (a) y (bY) i,Que Ie indica esto sabre cudl range tendra mris areas de aplicacion practica?

46. Con referenda a la figura 1.42, determine la capacitancia de difusion a 0 y 0.25 V.

47. Describa con sus propias palabras, como difieren las capacitancias de difusi6n y de transicion entre sf.

48. Determine la reactancia que presenta un diodo que cuenta con las caracterfstieas de la tigura 1.42 para un potencial en polarizaci6n directa de 0.2 V Y para uno en polarizaci6n inversa de -20 V si la freeuencia aplicada en ambos casos es de 6 MHz.

Problemas

S3

§ 1.12 Ticmpo de Rccupcracion Inverso

49. Dibuje la forma de onda para i en la red de la Figura 1.70 1/ = 21, Y el tiempo inverse total

de recuperacion es de 9 ns.

10

~i

V~IOU'l

Figura L iO Problema

§ 1.15 Diodos Zener

50. Se detallan las siguientes caracterfsticas para un diodo Zener particular: Vz = 29 V. VII = 16.8

III lOrnA, 1/1 20 ,.u\ e IZM = 40 m A. Trace la curva caracteristica de rnisma forma

que se hizo en la Figura 1.55.

51. i,A que temperatura tendra el diodo Zener de la figura 1.55 un voltaje nominal de 10.75 V? iSugerencia: observe los datos de la tabla 1.4.)

52. Determine el coeficiente de temperatura de un diode Zener 5 V (a una temperatura de 25'C) si el voltaje nominal cae a 4.8 V a una temperatura de 100°e.

53. Utilizando las curvas de la figura 1.56a. i,cmil serfa el nivel esperado del coeficiente de temperatura para un diodo 20 V? Repita para un diodo 5 V. Asuma una esc ala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.

54. Determine la impedancia dinamica para el diodo 24 V cuando l z = 10 mA en In Figura 1.56b.

Considere que se trata de una escala logarftmica. .

55. Compare los niveles de impedancla dinamica dcl diodo 24 Vde la figura 1.56b para niveles de corriente de 0.2, I Y 10 mAo (.Como se relaciorian los resultados con la forma que poseen las caracterfsticas en esta region?

§ 1.16 Diodos emisores de luz

56. En referenciu a la figura 1.60e, i,cual seria un valor apropiado de V, para este dispositive? i,C6- 010 se com para can el valor de V, de silicio y germanic?

57. Utili zan do la informacion proporcionada en la figura 1.60, determine el voltaje en polarizacion directa a traves del diodo si la intensidad luminosa relativu cs de 1.5.

58. (a) (,Cual es incremento porcentual en eficiencia relativa del dispositive de 1'1 Figura 1.60. si la corriente pica se incrementa de 5 alOmA')

(b) Repita el incise (a) para 30 a 35 mA (el mismo incremento en corriente),

(e) Compare el incremento porcentual de los ineisos (a) y (b). ~En que punto de la curva diria usted que la ganancia es minima si se continua incrementando la corriente pica?

'~59. (a) Con referencia a la figura 1.60h, determine la corriente pico maxima tolerable si el periodo de duracion del pulso es de I ms, la frecuencia de 300 Hz y la corriente de maxima tolerable es de 20 mA.

(b) Repita el inciso (a) para una Irecucnciade 100 Hz.

60. (a) Sila intensidad luminosa para undesplazamiento angular de .0° es de 3 mcd para eldispositivo de la figura 1.60, i,cu<\l sera el angulo en el que esta cantidad sea 0.75 mcd?

(b) L Cuiil es el angulo en el que Ia perdida de luminosidad desciende por debajo del nivel de 50%?

.. 61. Dibuje la curva de decremento de corriente promedio en polarizaei6n directa para el LED rojo de alta eficiencia de la figura 1.60, en funcion de la temperatura. (Observe los valorcs absolutos nominales maxirnos.)

=Los asreriscos indican problemas de mayor dificultad.

54

Capitulo I Diodos semiconductores

Aplicaciones de diodos

CAPITULO

2.1 INTRODUCCION

La construcei6n, caracterfsticas y modelos de los diodes semiconductores se presentaron en el capitulo 1. El objetivo primordial de este capitulo es desarrollar un conocimiento practice del diodo dentro de una variedad de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados para el area de aplicaci6n. AI final del capitulo, se debera comprender con claridad el patron fundamental de cornportamiento de los diodos en las redes de de y de ac. Los conceptos que se aprendan en este capitulo apareceran de manera recurrente en los capftulos siguientes. POl' ejemplo, los diodes se emplean a menudo en la descripcion de la construcci6n basica de los transistores y en el analisis de la redes de transistores en los dominios de de y de ae.

EI contenido de este capitulo revelara un aspecto interesante y muy positivo acerca del estudio del campo de los dispositivos y sistemas electronicos. Una vez que se comprende el comportamiento basico de un dispositive, se pueden determinar su funcion y respuesta dentro de una variedad infinita de configuraciones, EI rango de las aplicaciones no tiene fin; no obstante, las caracterfsticas y los model os permanecen iguales. El analisis abarca desde el ernpleode las caracterfsticas reales del diodo hasta el uso, casi exclusivo, de modelos aproximados, Es importante que sin necesidad de repasar continuamente procedimientos matcmaticos prolongados, se entiendan en el pape! la respuesta de los elementos de LIn sistema electronico. Por 10 general, este procedimiento se lleva a cabo a traves de un proceso de aproxirnacion, el cual, por sf mismo, puede considerarse como un arte. Aunque los resultados que se obtienen mediante eluso de las caracterfsticas reales pucden ser un poco diferentes de aquellos que se obtienen a traves de LIlla serie de aproximaciones, es importante considerar que las caractcristicas obtenidas a partir cle una hoja de especificaciones pueden diferir un poco de las que se obtienen a partir del uso real del dispositivo. En otras palabras, las caracterfsticas de un diodo semiconductor I N400 I pueden variar de un elemento a otro dcntro de! mismo late. La variaci6n puede SCI' ligera, pero a menudo sera suficiente para validar las aproximaciones empleadas en el analisis, Tambien se deben tomar en cuenta los otros elementos de la red: Les la resistencia marcada can un valor de 100 Q exactamente 100 Q?, Les el voltaje aplicado exactamente igual a 10 V 0 quiza a 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia difundida de que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones pueda, par 10 general, ser tan "precisa" como sucede en el caso de una queutiliza las caracteristicas completas. En este libro el enfasis se bas a en el desarrollo de los conocimientos practicos de un dispositivo a traves del uso delas aproximaciones apropiadas.icon 10 que se evita un nivel innecesario de complejidad matematica. Sin embargo, por 10 regular, se proveera el detalle suficiente como para permitir un anal isis mate matico minucioso para quien asf 10 desee .

55

(a)

II) (mA)

(b)

Figura 2.1 Conliguracion de diodo en serif: (a) circuito: (b) ractensticas

56

2.2 ANAuSIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

Por 10 general, la carga aplicada tendra un impacto irnportante en el punto 0 region de operacion de un dispositive. Si el analisis se realiza de forma grafica, se puede dibujar una linea recta sobre las caracteristlcas del dispositive qucrepresente Ia cargaaplicada, La interseccion de la recta de carga con las caracterlsticas determiriara el punto de operacion del sistema. Tal analisis es llamado, por razones obvias, analisis por media de la recta de cargo. A pesar de que la rnayorfa de las redes de diodos que se analizan en este capftulo no ernplean el cnfoque de la recta de carga, In tecnica es una de las que se uti lizan de forma mas frccuente en los capftulos subsecucntes, y esta introduccion ofrece la aplicacion mas simplificada del metodo. De igual forma, permite una validacion de la tecnica de aproxirnacion descrita a (raves de! resto de este capitulo.

Considere Ia red de la figura 2.1 a, la cual emplea un diodo que posee las caracterfsticas

la 2.1b, Observe que en la figura 2.1a In "presion" de la bateria tiene como finalidad

establecer una corriente a traves del circuito en serie en direccion de las manecillas del reloj. El heche de que esta corriente y la direccion de conduccion definida del diodo "coincidan", rcvcla que el diodo se encuentra en el estado de "encendido" y que 1a conduccion se ha establecido. La polaridad resultante a traves del diodo sera la mostrada y el primer cuadrante (V D e ID positives) de la figura 2.l.b sent la region de interes: la region de polarizacion directa.

Mediante la aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura 2.1 a el resultado sera

o

E - VD - VR = 0 E== VD +J0J

(2.1 )

Las dos variables de la ecuaci6n (2.1) (V/J e l/J) son las mismas que las variables de los ejes del diodo de la figura 2.1 b. Esta similitud permite una graficacion de la ecuacion (2.1) sobre las mismas caractertsticas de la figura 2,1 b.

Las intersecciones de la recta de carga sobre las caracterfsticas se pueden determinar f;icilmente SI setieneen cuenta que en cualquier lugar deleje horizontal J., = 0 A yqueen.cualquier lugar del eje vertical V /J= 0 V.

Si establecemos que Vo = 0 V en la ecuacion (2.1) Y se resuelve para 10, tendremos la magnitud de 10 sabre eI eje vertical. Por tanto, con VI) = 0 V, la ecuacion (2.1) se convierte en

E == V/J + loR = 0 V + l/JR

e

(2.2)

EI

10 =-

R VD~OV

como se rnuestra en la figura 2.2, Si establecemos If) = 0 A en la ecuacion (2.1) y resolvernos para Vo, obtencmos la magnitud de VD sobre el eje horizontal. Por tanto, con 10 = 0 A, la ecuacion (2.1) se convierte en

E = Vf) + If)R

= Vo +(0 A)R

y

(2.3)

como se muestra en la figura 2.2. Una linea recta dibujada entre los dos puntos definira la recta de carga como la descrita en la figura 2.2. EI cambio en el nivel de R (la carga) carnbiara In interseccion sobre el eje vertical. EI resultado sera un cambio en la pendiente de la recta de carga, y un punto de interseccion diferente entre la recta de carga y las caracteristicas del dispositive,

Ahora tenernos una recta de carga definida por la red y una curva caracterfstica definida por el dispositive, EI punto de interscccion entre los dos es el punto de operacion para este

Capitulo 2 Aplicacioucs de diodos

tiD

I

1/.-/ Caractensticas (disposirivci

I Punto Q

E

~~ __ Recta de carga (red)

Figura 2.2 Dibu]o de la recta de carga para encontrar el punto de opcracton.

circuito. Al dlbujar simplemente una linea recta hacia abajo en direccion al eje horizontal, puede determinarse el voltaje del diodo VoQ, mientras que una linea horizontal proveniente del punto de interseccion hacia el eje vertical proporcionara el nive! de IOQ' La corriente If) es en realidad la corriente a traves de toda la configuracion en serie de la figura 2.1 a. Por to general, el punto de operacion se denomina punto de operacion estable ("Q-pt", abreviacion derivada de su nombre en Ingles Quiescent point) debido a las cualidades de "estabilidad e inmovilidad", segun 10 definido por una red de dc.

La solucion que se obtiene enla interseccion de las dos curvas es la misma que se podrfa obtener por una solucion matematica simultanea de las ecuaciones (2.1) y (1.4) [If) = Is (eXVdI'k_I)] como se demuestra posteriormente en esta seccion en un ejemplo de Mathcad. Dado que la curva para un diodo tiene caracterfsticas no lineales, las rnatematicas involucradas requeriran del uso de tecnicas no lineales que estan fuera de . las .necesidadcs y alcance de este libro. EI analisis por medio de la recta de carga que se describio anterionnente, proveeuna solucion con un esfuerzo mfnimo, y una descripcion "pictorica" de como se obtuvieron los niveles de solucion para VOQ e IDQ• Los siguientes dos ejemplos demostraran las tecnicas que se presentaron previamente, y tambien la facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga mediante el uso de las ecuaciones (2.2) y (2.3).

Para la configuracion del diodo en serie de la figura 2.3a y utilizando las caracteristicas del diodo de la figura 2.3b determine:

(a) Vf)Q e IOQ'

(b) VR•

0.5 0.8 (b)

1[)(mAl

10
+ VI) 9
8
7
.. __ .-lI>- Si 6
If)
+ 4
E lOY R lkn VR
2
0 (a)

Figura 2.3 (a) Circuito: (b) caracteristicas.

2.2 Analisis por medio de la recta de carga

E]EMPLO 2.1

57

Soluci6n

(a) Ecuacion (2.2):

10 rnA

Ecuacion (2.3): V 0

lOY lkn lOY

La recta de carga resultante aparece en la figura 2.4. La intcrseccion entre la recta de cargn y la curva caracteristica define el punto Q como

VUe ~ 0.78 V

lOQ 9.25 rnA

EI nivel de V 0 es ciertamente un estirnado, y la precision de If) esta limitada por la esc ala seleccionada. Un nivel mas alto de precision rcqueriria de una grafica rnucho mas larga y mas ancha.

(b) VR = /pR = Ioi (9.25 mA)(1 kfi) 9.25 V

o VR == E - Vo = 10 V - 0.78 V 9.22 V

La diferencia en los resultados se debe a la precision con la cual se puede leer la Ideal-

mente, los resultados que se obtienen de una forma 0 de otra deberian ser los mismos,

ID (lilA)

10 VD (V) (E)

Figura 2.4 Solucion al ejemplo 2.1.

EjEMPLO 2.2

Repita el analisis del ejemplo 2. I con R = 2 kQ.

Soluci6n

EI lOV

(a) Ecuacion (2.2): 10 '" = 5 mA

R Vf)~OV 2 Hl

Ecuaci6n (2,3): VD = EIID~OA = 10 V

La recta de carga resultante aparece en la figura 2.5. Observe la pendiente reducida y los niveles decorrientedel diodo ante las cargas crecientes. EI punto Q resultanteesta definido por

VDQ= 0.7 V

lDQ ~ 4.6 rnA

(b) VR = lRR = lDi = (4.6 mA)(2 kn) = 9.2 V

con VR = E - Vo = 10 V - 0.7 V = 9.3 V

La diferencia en los niveles se debe, nuevarnente, a la precision con la que se puede leer la grafica, Sin embargo, los resultados proporcionan una magnitud esperada para el voltaje VR·

58

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

'0 (mA)

10 9 8 7

Ii 6 R";

If) =4.6 mA 5 -

Q 4

_______ Recta de carga

2

o

'i, (V)

0.7 V

Figura 2.5 Solucion 11 ejernplo 2..2.

Como se observo en los ejemplos anteriores, Ia recta de carga esta determinada unicamente por la red aplicada, mientras que las caracteristicas estan definidas por el dispositivo seleccionado. Si recurrimos a nuestro modelo aproxirnado para el diodo y no se modifica la red, la recta de carga sera exactamente la misma que Ia que se obtuvo en los ejernplos anteriores. De hecho, los siguientes dos ejemplos repiten el analisis de los ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el modele aproximado para permitir una comparacion de resultados.

Repita el ejemplo 2.1 utilizando el modelo equivalente del diodo semiconductor de silicic.

EjEMPLO 2.3

Soluci6n

La recta de cargase vuelve adibujar segun se rnuestra en la figura 2.6, con las misrnas intersecciones como se definio en el ejemplo 2.1. Las caracteristicas del circuito equivalente aproximado para el diodo tambien se han trazado en la misma grafica. EI punto Q resultante:

VDQ = 0.7 V

lDQ = 9.25 rnA

If) (mA)

Figura 2.6 Solucion al ejcrnplo 2.1 con el empleo del modelo aproximado del diode.

2.2 Analisis par medio de la recta de carga

59

Los resultados obtenidos en el ejernplo 2.3 son muy inreresantcs. EI nivel de es cxac-

tarnente el mismo que el obtenido en el ejernplo 2.1 por rnedio del uso de una curva caracteristica que resulta mucho mas facil de dibujar que Ia que aparece en In figura 2.-1. EI nivel de VD = 0.7 V contra el 0.78 V del ejemplo2.1 tiene unadiferencia en magnitud del orden de las centesimas. pero ciertamentese encucntran en la rnisma vecindad.si sc sus magnitudes con las de los otros voltajes en la red.

EjEMPLO 2.4

Repita el ejemplo 2,2 ernpleando el modele cquivalcnte aproximado para el diodo semiconductor de silicic.

Solucion

recta de carga se vuelve a dibujar como muestra en la Figura 2.7, con las mismas inter-

secciones dcfinidas en el ejernplo 2.2. Las caractertsticas del circuito equivalente aproximado para el diodo tambien se dibujaron en In rnisma grafica, EI punto Q resultante:

VDQ 0.7 V

IDu 4.6 rnA

9 10 vD (V) Figura 2.1 Solucion al ejemplo 2.2 mediante el empleo del modelo aproximado del diodo.

En cl ejemplo 2.4 los resultados que se obtienen para V DQ e IDQ son los mismos que los que resultaron al utilizar las caracteristicas completas del ejemplo 2.2. Los ejemplos anteriores han demostrado que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al usar el modelo aproximado, son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las caracterfsticas completas. Esto ~ugiere, como se aplicara en las secciones subsiguientes, que el uso de aproximaciones apropiadas puede dar como resultado la obtenci6n de soluciones que son muy cercanas a Ia respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduccion adecuada de las caracterfsticas y de la elecci6n de una escala 10 suficientemente grande. En el ejemplo siguiente varnos un paso adelanto y sustituiremos el modele ideal. Los resultados revelaran las condiciones que se deben satisfacer para aplicar el equivalente ideal de forma adecuada.

EjEMPLO 2.5

Repita el ejemplo Z, I utilizando el modelo deldiodo ideal, Soluci6n

Como se muestra en la figura 2.8 la recta de carga continua siendo la misma, pero las caracterfsticas ideales ahora intersectan a la recta de carga en el eje vertical. Por 10 tanto, el punto Q csra definido por

v = OV

DQ

60

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

fD(mA)

Punto Q fDQ = 10 niA 10

~.--- Recta de carga

10 \j) (V)

Figura 2.8 Solucion al ejemplo 2.1 mediante el usn del model" clel diodo Ideal.

Los resultados para las soluciones del ejemplo 2.1 difierenlo suficiente como para causar preocupaci6n acerca de su precision. Ciertamente, estes ofrecen algtin indicio del nivel de voltaje y de corriente que deberan esperarse en relaci6n con otros niveles de voltaje de la red, pero el esfuerzo adicional de simplemente incluir la diferencia de 0.7 V, muestra que el enfoque del ejemplo 2.3 es mas apropiado.

EI uso del modele de diodo ideal, par tanto, debe reservarse para aquel\as ocasiones en que la funci6n del diodo sea mas importante que los niveles devoltaje que difieran por decimas de volt, y en aquellas situaciones en que los voltajesaplicados sean considerablemente rnayores que el voltaje de umbral VT• En las siguientes secciones se empleara exclusivamente elmodelo aproximado, debido a que los niveles de voltaje obtenidos seran sensibles a las variaciones que se aproximen a VT. En seceiones posteriores se empleara el modelo ideal con mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados seran con frecuencia un poco mas altos que VI' y los autores desean asegurarse de que el papel del diodo quede comprendido correcta y claramente.

Mathcad

El Mathcad ahora se ernpleara para encontrar la soluci6n de dos ecuaciones simultaneas definidas por el diodo y la red de la figura 2.9.

Las caracterfsticas del diodo estan definidas pOI'

+ vDQ
~-"l>-'
IDQ
E IOV lkf1

R

Ecuaci6n de la red

Caracterfsticas del diodo

Figura 2.9 Localizaci6n del punto de operacion definido por las caracteristicas del diode y de la red.

2.2 Analisis por medio de la recta de carga

61

VD :=0.7

Given

Find( ID. VD) [9.372010-3 ] 0.628

Figura 2.10 Definicion del procedlmiento en el uso del Mathcad para encontrar la solucion dedos ecuaciones simultaneas.

62

1 )

Al aplicar de la ley de voltaje Kirchhoff alrededor del lazo cerrado, tenemos

y resolviendo para la corriente del diodo tendrernos

E R

10V Vo _,

10'" -- - - '" 10 rnA - l.lOVo

I k 1 k .

Debido a que ahora tenemos dos ecuaciones y dos inc6gnitas (10 y Yo), podemos resolver cada inc6gnita mediante el Mathcad de la manera siguiente:

Cuando se utiliza el Mathcad para resolver ecuaciones simultineas, se debe estlmar un valor de cada cantidad para dar a la computadora alguna pista 0 direcci6n en su proceso iterativo. En otras palabras, la cornputadora probara las soluciones y trabajara de esta forma hasta encontrar la soluci6n real respondiendo a los resultados obtenidos.

Para nuestra situacion las suposiciones iniciales para ID y VD fueron 9 mA y 0.7 V como se muestra en la parte superior de la figura 2.10. Posteriorrnente, siguiendo la palabra Given (la eual es requerida), las dos ecuaciones se ingresan usando el signo de igual obtenido con Ctrl ;;:. Luego, teclear Find (ID, VD) para decir a la computadora que es 10 que se necesita deterrninar, Una vez de que el signo de igual se ha ingresado, los resultados apareceran como se muestra en In figura 2.10. Como se indica en la figura 2.10 y en la figura 2.9, los resultados son 10 = 9.372 mA y Vo = 0.628 V.

2.3 APROXlMACIONES DE DIODOS

En la seccion 2.2 se indico que los resultados obtenidos al emplear el modelo equivalente aproximado de segmentos lineales fueron muy cercanos, si no es que iguales, a la respuesta obtenida al utilizar las caracteristicas completas. De hecho, si se consideran todas las variaciones posibles debidas a las tolerancias, ternperaturas, etcetera, se podna considerar que una solucion es "tan precisa" como la otra. Dado que el uso del modelo aproximado normalmente origina un gasto reducido de tiempo y esfuerzo para obtener los resultados deseados, este es el enfoque que se empleara en este libro, a menos que se especifique otra cosa, Recuerde 10 siguiente:

El prop6sito principal de este !ibro es el desarrollo de un conocimiento general del comportamiento, capacidades y areas posibles de aplicaci6n de un dispositivo, de manera que minimice fa necesidad de desarrollos matemdticos extensos.

El modelo equivalente completo de segmentos lineales que se present6 en el capitulo I, no se utiliz6 en el analisis de la recta de carga debido a que raves tipicamente mucho menor que los otros elementos en seriede la red. Si ray fuera cercana, en cuanto a magnitud, a los otros elementos en serie de la red, el modelo equivalente completo se puede aplicarde la rnisma forma a la descrita en la seccion 2.2.

Con el objeto de preparar el anal isis siguiente, se desarrollo la tabla 2.1 para revisar las caracterfsticas, modelos y condiciones de aplicaci6n mas importantes para el modele aproximade e ideal de los diodos. A pesar de que el diodo de silicio se utiliza casi exclusivamente debide a sus caracteristicas de temperatura, el diodo de germanio todavfa se emplea y por ello se incluye en la tabla 2.1. El diodo de germanio, de la misma forma que el diodo de silicio, se aproxima por medio de un equivalente de circuito abierto para voltajes menores a V T. Entrara al estado "encendido" cuando V D 2: V T = 0.3 V.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

TABLA 2.1 Modelos aproximado e ideal del diodo semiconductor

stuc»

'-----+-~ to= OA

Germanin

'---~- -+-~ ID=OA

Modelo ideal (Si 0 Ge)

(E »VT.R» rav)

~ ----~~O~----V~D

~----

ID 0 A

() ..... -~

Tenga en mente que el 0.7 y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes de energfa, sino que estan ahf para recordamos que hay un "prccio que pagar" a cambio de encender un diodo. Un diodo particular en la mesa de laboratorio no indicara 0.7 00.3 V si se coloca un voltimetro a traves de sus terminales. Las fuentes especifican la caida de voltaje it traves de cada una cuando el dispositivo esta en "encendido" y especifican que el voltaje del diodo debe ser, por 10 menos, del nivel indicado antes de que la conduccion pueda establecerse.

En las siguientes secciones demostramos el impacto de los modelos de la tabla 2.1 sabre el analisis de las configuraciones de diodos. Para aquellas situaciones donde se emplee el circuito equivalente aproximado, el sfrnbolo del diodo aparecera como se seiiala en la figura 2.11a para los diodos de silicio y de germanio. Si las condiciones son tales que el modelo del diodo ideal se pueda ernplear, el sfrnbolo del diodo aparecera como se muestra en la figura 2.11 b.

2.3 Aproximaciones de diodos

Si

Ge

(a)

(b)

Figura 2.11 (a) Notacion de modele aproximado; (b) notacion de modelo ideal.

63

Si

+

E

Figura 2.12 Configuraci6n de diode en serie

Figura 2.13 Determinacion del estado del diodo de la figura 2.12.

Figura 2.14 Sustituci6n del modelo equivalente para el diodo "enccndido" de la figura 2.12.

64

2.4 CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERlE CON ENTRADAS DE DC

En esta seccion se utiliza el modelo aproxirnado para investigar Una variedad deconfiguraciones de diodos en serie con entradas de de. EI contenido estebleeera los fundamentos para eI anal isis de diodes que sc revisara en las secciones de los capftulos subsiguientes. De hecho, el procedimiento descrito se puede aplicar a las redes con cualquier mirnero de diodes dentro de una amplia gam a de configuraciones.

Para cada configuraci6n debe determinarse, en primer Ingar, el estado de cada diode. L Cuales diodes estrin en "encendido" y cuales en "apagado"? Una vez que se determina esto, el equivalente apropiado, como se muestra en la seccion 2.3, puede sustituirse y pueden determinarse los pararnetros restantes de la red.

En general, un diodo Sf encuentra en el estado "encendido" si la conicl1te establecida por las fuentes aplicadas es tal que su direcci6n concuerda can la de la flecha en el stmbolo del diodo, y V D ~ 0.7 V para el silido y V D ~ 0.3 V para el gennanio.

Para cada configuracion, se reemplazarsn memalmente los diodos con elementos resistivos y se observara la direction de la corriente resultante como la establecen los voltajes aplicados C'presion"), Si la direcci6n resultante "coincide" con la flecha del simbolo del diodo, la conduccion a traves del diodo ocurrira y el dispositive estara en el estado "encendido", La descripcion anterior es, por supuesto, dependiente de que Ia fuente proporcione un voltaje mayor que el voltaje de "encendido" (VT) de cada diodo.

Si el diodo se encuentra en el estado "encendido", se puede colocar la cafda de 0.7 V a traves del elemento, 0 se puede dibujar nuevamente la red con el circuito equivalente Vr como se definio en la tabla 2. I. Con el tiempo probable mente se preferira simplemente incIuir la cafda de 0.7 V a traves de eada diodo "encendido" y dibujar una linea a traves de cada diodo en el estado "apagado" 0 abierto. Sin embargo, al principio, el metodo de sustitucion se utilizara para asegurar que se determinen los niveles de voltaje y de corriente correctos.

El circuito en serie.de .lafigura 2.12 que se describe COn mayordetalle en la seccion 2.2 se utilizara para demostrar el enfoque descrito en parrafosanteriores. El estado del diodo se deterrnina primero por el reemplazo mental del diodo con unelemento resistive como 10 demuestra la figura 2.13. La direccion resultame de I coincide con la flecha en el sfmbolo del diodo, y dado que E> Vr el diodo se cncuentra en e1 estado "encendldo". La red entonces se dibuja nuevamente como se demuestra en la figura 2.14 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio en polarizacion directa. Para referencia futura, observe que la polaridad de Vv es la misma que resultarfa si el diodo, de hecho, fuera un elemento resistivo. EI voltaje y los niveles de corriente resultantes son los siguientes:

(2.4)

(2.5)

(2.6)

En la figura 2.l5el diodo de lafigura 2.12 se invirtio. Mcntalmcnte, el reemplazo del diodopor un elementoresistivo,comolo muestra la figura 2.16, revel ani que ladirecci6n de la corriente resultante no coincide con la flecha en el sfrnbolo del diodo. El diodo esta en el estado "apagado", 10 que da como resultado el circuito equivalente de la figura 2.17. Debido al circuito abierto, la corriente del diodo es 0 A y el voltaje a traves de la resistencia R es el siguiente:

El hecho de que VR =; 0 V establecera E volts a traves del circuito abierto como 10 define la ley

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Figura 2.15 Inversion del diodo de la figura 2.12.

Figura 2.16 Determinacion del esudo del diodo de la figura 2. 15

de voltaje de Kirchhoff. Tener en cuenta siempre que bajo cualquier circuns~ancia (~a!o~e~f~nstantaneos de de, de ae, pulsos, etcetera), [debera satisfacerse la ley de voltaje de Kirch 0 .

Para la configuracion de diodos en serie de la figura 2.18, determine V t» VR e Iv.

E]EMPLO 2.6

Soluci6n

Dado que el voltaje aplicado establece una corriente en direccion de las ,~anecilIas ,?el reloj para coincidir con la flecha del simbolo y que el diode esta en el estado encendido ,

Vv = 0.7 V

VR = E - Vv = 8 V - 0.7 V = 7.3 V

VR 7.3 V - 32 A

If) = IR = Ii = 2.2 kD = 3. m

Repitael ejemplo 2.6 con el diodo invertido.

Figura 2.18 Circuito del cJemplo 2.6.

Soluci6n

AI remover el diodo, encontramos que la direcci6n de I ~s opuesta a la flech~ en el sirnbolo del diodo y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sm Import~r cual ~s e.l mo~elo

ue se utilize. El resultado es la red de la figura 2.19, donde Iv = 0 ~ debld~ al circuito abler-

q I R V - (O)R - 0 V Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor

to. Dado que VR:::: R, R - -. c

dellazo cerrado resulta:

y

E - VD - VR = 0

V[) E VR = E - 0 = E = 8 V

Observe, particularmente en el ejemplo 2.7, el alto voltaje a traves de~ diod~ a .pes.a~ de

t do "apagado" La corriente es cero pero el voltaje es significative.

que se encuentra en es a . _ .. . . '

Con prop6sitos de repaso, tenga en cuenta el analisis siguiente:

1. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a traves de sus terminales, pero lacorrien-

te es siernpre 0 A. .

2. Un circuito cerrado tiene una cafda de 0 V a traves de sus terminales, pero 1a cornente estara limitada tinicamente por la red que la rodea.

En el siguiente ejemplo la notaci6n de la figura 2.20 se empleara para el volt~je ~plicado. Esta es una notacion cormin en la industria, con la q~e el lector debe fam~hanzarsel Tal notacion y otros niveles definidos de voltaje se trataran con mayor profundidad en e capitulo 4.

2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

E]EMPLO 2.7

l1IR=OA + R 2.2 kO VR

Figura 2.19 Determinacion de las cantidades desconocidas para el ejernplo 2.7.

65

E=+ lOVo

1+10 V

_E I lOV

E= -5 VO

Notacicn de la

EjEMPLO 2.8

Para la configuracion de diodos en serie de la figura 2.21, determine Vv. VR e 10,

Solucion

Figura 2.21 Circuito del diodo en sene para eI ejemplo 2.8.

A pesar de que la "presion" establece una corriente con la misma direcci6n que la del sfrnbo- 10 de la flecha, el nivel de voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio, El punto de operaci6n sobre las caracterfsticas se muestra en la figura 2.22 y establece el equivalente del circuito abierto como la aproximaci6n apropiada, Por 10 tanto, el voltaje y los niveles de corriente resultantes son los siguientes:

y

Iv. = 0 A

V8==18R .. "" loR .""(OA)I.2kn= oV Vo == E == 0.5 V

Figura 2.22 Punto de opera'Cion con E = 0.5 V

o

/0.7V VD =0.5 V

EjEMPLO 2.9

Determine Vo e ID para el circuito en serie de la figura 2.23.

66

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Figura 2.23 Circuito para el ejemplo 2.9.

Solucion

Un procedimiento similar al que se aplic6 en el ejemplo 2.6 revelara que la corriente resultante tiene la misma direccion que las puntas de flechas de los sfrnbolos de ambos diodes y que la red de la figura 2.24 es el resuItado debido a que E = 12 V> (0.7 V + 0.3 V) 1 V. Observe que la fuente dibujada nueva mente cs de 12 V Y la polaridad es de Vo a traves de la resistencia de 5.6 kQ. EI voltaje resultante

12 V - 0.7 V 0.3 V = 11 V

e

1.96 rnA

Figura 2.24 Determinacion de las canticlades desconccidas para el ejemplo 2.9.

Determine If> VD, Y Vo para el circuito de la figura 2.25.

EjEMPLO 2.10

+ VD2

Si Si

Figura 2.25 Circuito del ejemplo 2.10.

Solucion

Al eliminar los diodos y al determinar la direcci6n de la corriente resultante leI resultado sera el circuito de la figura 2.26. Existe una coincidencia en la direcci6n de la corriente para el diodo de silicio, mas no para eI de germanio. La combinaci6n de un circuito cerrado en serie con un circuito abierto siempre dara como resultado un circuito abierto e ID = 0 A, como 10 muestra la figura 2.27.

Figura 2.26 Determinacion del estado de los diodes de la figura 2.25.

Figura 2.27 Sustitucion del estado equivalente para el diode abierto.

La pregunta que queda por contestar es, (,que sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el analisis siguiente, tanto en este como en los capitulos subsiguientes, simplemente se tienen que recordar, para eI diodo practice real que cuando ID = 0 A, VD = 0 V (y viceversa), como

2.4 Configuraciones de diodos en sene con entradas de DC

67

se dcscribio para la situacion de no polarizaci6n en el capitulo I. Las condiciones descritas por J[) 0 A y Vo, 0 V se indican en la figura 2.28.

=ov

f= D A

'''r~FQ:'

'T' "="

Figura 2.28 Deterrrunacion de canndades desconocidas del circuito de! ejcrnplo 210.

y

V D, Vmcuilo abiertc E 12 V

Al aplicar la ley de volta]e de Kirchhoff en la direccion de las manecillas del reloj resulta

E VD, - VD, - Vo = 0

y

VD: E VD, 12 V

Vo = OV

Vo = 12 V 0 _. 0

con

E]EMPLO 2.11

Determine I, VI' V2 Y Vo para la configuracion de de en serie de la figura 2.29.

E2,,-5V

Figura 2.29 Circuito para el ejernplo 2.11.

Soluci6n

Las fuentes se dibujan y la direcci6n de la corriente se indica en la figura 2.30. EI diodo se ~ncuentra en el estado "encendido" y la notaci6n que aparece en la figura 2.31 se incluye para indicar este estado. Observe que el estado "encendido" se identifies mediante el V ::: 0.7 V adicio~~1 en la figura. Esto elimina la necesidad de volver a dibujar la red y evitaDcualquier confusion que pueda resultar debido a la aparici6n de otra fuente. Como se indic6 en la introducci6n a esta seccion, este sera probablemente el camino y la notacion que se tomara cuan-

-I-

\j'V'\10' " v

", . ..,.. ." .--. 0

2.2 kn EIIIDlv

_ E2I5V

- ~

+ v, - + 0.7 v-

(14.7 k.Q + A
2.2 kQ R2 t', V"
E'I io v
5VI E2 l
+
~ ~ Figura 2.30 Determinacion del estado del diodo de la figura 2.29,

Figura 2.31 Determinacion de las cantidades desconocidas para la red de la figura 2.29.

68

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

do se tenga un nivel de confianza mayor en el analisis de conflguraciones del diodo. Con el tiernpo, el analisis complete se desarrollar:i simplemente mediante la referencia a la red original. Recuerde que un diodocon polarizacion inversa puedeser simplemente indicado mediante una linea a traves del dispositive.

La corriente resultante a traves del circuitoes,

== 2.072mA

Y los volrajes son

IRj = (2.072 rnA)(4.7 kG) 9.74 V

V2 = IR2 (2.072 rnA)(2.2 kG) 4.56 V

Mediante la aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccion de salida en direccion de las manecillas del reloj, resultara

- E2 + V2 - Vo = 0

Vo V2 - E2 = 4.56 V - 5 V '" - 0.44 V

y

EI signo de menos indica que Vo tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.29.

2.5 CONFlGURACIONES EN PARALELO Y EN SERIE-PARALELO

Los metodos aplicados en la seccion 2.4 se pueden extender al anal isis de las configuraciones enparalelo y en serie-paralelo. Para .cada area de aplicacion, simplemente se hacen coincidir las scriessccuenciales de pasos aplicados con lasconfiguraciones de diodos en serie,

Determine Vo, It. 10, e [02 para la configuracion del diodo en paralelo de la figura 2.32.

E]EMPLO 2.12

~~~Ar--~~--~~--~+

VOl r02

DI Si D2 Si

E

Figura 2.32 Red para el ejemplo 2.12.

Soluci6n

Para el voltaje aplicado la "presion" de la fuente espara establecer una corriente a traves de cada diodo en la misma direccion que la que se muestraen la figura 2.33. Dado que la direccion de la corriente resultante coincide con la flecha de cada sfmbolo del diodo y que el voltaje aplicado es mayor que 0.7 V, ambos diodos se encuentran en el estado "encendido", EI voltaje a traves de los elementos en paralelo es siempre el mismo y

Vo = 0.7V

La corriente

VR E - VD 10 V 0.7 V

II = -- = --- = 0 f'\ = 28.18 rnA

R R .33 kH

2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo

69

Figura 2.33 Determinacion de las cantidades desconoodas para la red del ejemplo 2.12.

Si suponemos diodes de caracteristicas similares, tenemos

!J. = ~~~_~~

2 2

14.09 rnA

EI ejemplo 2.12 demostro una raz6n para colocar diodos en paralelo. Si la eorriente nominal de los diodos de la figura 2.32 es s6Io de 20 rnA, una corrie me de 28.18 rnA dafiaria a un solo dispositive en la figura 2.32. Mediante la colocacion de dos en paraIelo, la corriente esta limirada a un valor seguro de 14.09 rnA con eI mismo voltaje en las terminales,

E]EMPLO 2.13

Determine la corriente I para Ia red de la figura 2.34.

Si

R

Figura2.34 Red para el ejemplo 2,13.

£1 =20V 2.2kO

Si

Solucion

Al dibujar de nueva cuenta la red como se sefiala en la figura 2.35, se demuestra que Ia direcci6n de corriente resuItante es tal que puede encender el diodo DI y apagar el diodo D2. La corriente resultante I es entonces

EI - E, Vv 20 V - 4 V - 0.7 V

I = ----- =: == 6.95 rnA

R 2.2 kf1

Figura 2.35 Determinacion de las cantidades desconocidaspara lared del ejemplo 2.13

E]EMPLO 2.14

Determine el voltaje de Vo para la red de la FIgura de 2.36.

Solucion

Inicialmente pareceria que el voltaje aplieado "encenderfa'' a ambos diodos. Sin embargo, si ambos estuvieran "encendidos", la caida de 0.7 V a traves del diodo de silicio no coincidiria

70

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

con los 0.3 V a traves del diodo de germanio como se requiere por el heche de que eI voltaje a traves de los elementos en paraleIo debe ser el mismo. La acci6n resultante se puede explicar s610 con notar que cuando la fuente se enciende se incrernentara de 0 Va 12 V en un instante, aunque este quiza pueda medirse en milisegundos. En el instante durante elincrernento ell que se establece 0.3 Va traves del diodo degermanio. estevprendera" y rnantendra un nivel de 0.3 V. EI diode de silicic nunca tendril la oportunidad de capturar sus 0.7 V requeridos, y por tanto permanecera en su estado de circuito abierto como se muestra en la FIgura 2.37. EI resultado:

12 V 0.3 V

11.7 V

r-S

oL1- t Vr 0.3 V

~1

Si

Figura 2.37 Determinacion de Vo para la red de la figura 2.36.

opy

I -

S,

Figura 2.36 Red dei eJemplo 2.14.

Determine las corrientes 110 12 e 1[)2' para Ia red de la figura 2.38.

E]EMPLO 2.15

Solucion

EI voltaje aplicado (presion) es tal que enciende a ambos diodos, como se observe por las direcciones de corriente resultantes en la red de la figura 2.39. Observe que el uso de la notaci6n abreviada para los diodos "encendido" y la soIuci6n, se obtienen a traves de una aplicaci6n de

las tecnicas aplicadas para las redes de de en serie-paralelo. E

0.7V

II ,= RI =: 3.3 kD = 0.212 rnA

t 1o,

+

0.7 V RI 3.3 Hi

E

Figura 2.39 Determinacion de las canridades desconocidas del ejemplo 2.15.

5.6 k!l - V2 +

Al aplicar Ia ley de vo\taje de Kirchhoff alrededor de la rnalla indicada en direcci6n del sentide de las manecillas del reloj resulta:

y

- V2 + E - Vr, - Vr, = 0

V2 = E - Vr, Vr, = 20 V - 0.7 V - 0.7 V = 18.6 V

2.5 Configuraciones en paralelo y en scrie-paralelo

Figura 2.38 plo 2.15

Red para el ejern-

71

Si

(II E= IOVO--~~ I o,

Si

(0)

o V20- ---/ilIOf--+---o Yo V2

Figura 2.40 Cornpuerta OR de logica positiva,

con

En Ia parte inferior del nodo (a),

e

10, + II 12

10, = 12 II 3.32 rnA 0.212 rnA 3.108 rnA

2.6 COMPUERTAS AND/OR

Las herramientas para el analisis estan ahora a nuestra disposicion, y Ia oportunidad de investigar una configuracion de computadora es una de las que nos demostraran la gama de aplicaciones de este dispositivo relativamente sencillo. Este analisis estara limitado a determinar los niveles de voltaje y no incluira una discusion detallada acerca del algebra booleana 0 de la 10- gica positiva y la negativa.

La red que se analizara en eI ejernplo 2.16 es una compuerta OR de logica positiva. Esto es, que el nivel 10 V de la figura 2.40 se asigna al "I" del algebra booleana mientras que la entrada 0 V se asigna al "0" Una cornpuerta OR es tal que el nivel de voltaje de salida sera de I si alguna 0 ambas entradas es un 1. La salida es un 0 si ambas entradas estan en el nivel O.

El analisis de las eompuertas AND/OR se !leva a cabo de forma mas facil, en cuanto a medici ones se refiere, mediante el empleo del equivalente aproximado para un diodo, en lugar del ideal, debido a que puede estipularse que el voltaje a traves del diodo debe ser de 0.7 V positivo para el diodo de silicio (0.3 V para Ge) para cambiar al estado de "encendido".

En general, el mejor enfoque es simplemente el de establecer un sentido "intuitive" para el estado de los diodos mediante la observacion de la direccion y de la "presion" establecidas por los potenciales aplicados. EI analisis entonces verificara 0 negara los supuestos iniciales.

EJEMPLO 2.16

Determille Vopara la red de Ia figura 2.40.

+

Figura 2.41 Red redibujada de la figura 2.40.

72

Soluci6n

Observe en primer lugar que existe solo un potencial aplicado; 10 V en la terminal I. La terminal 2 con una entrada de 0- V es esencialmente un potencial de tierra, como se muestra en la red nuevamente dibujada de la figura 2.41. La figura 2.41 "sugiere" que DI esta probablemente en el estado "encendido" debido al 10 V aplicado, mientras que de D2 con su lado "positivo" en 0 Vesta posiblemente en "apagado". La suposicion de estos dos estados dara por resultado la configuracion de la figura 2.42.

EI siguiente paso es solo para verificar que no existe contradiccion en nuestras suposiciones.

Esto es, observe que la polaridad a traves de Dies suficiente como para encendcrlo y que la polaridad a traves de D2 es suficiente como para apagarlo. Para D I el estado "encendido" estable-

lkQ

Figura 2.42 Estados supuestos

.". del diodo para la figura 2.40.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

ce Vo cuando Va = E - Vo = 10 V 0.7 V = 9.3 V. Con 9.3 V en ellado del catodo H de Dz y con 0 V en el lado del anodo (+), D: se encuentra definitivamente en el estado "apagado". La direccion de la corriente y Ia.trayectoria continua resultante para la conduccion. confirma nuestro supuesto de que DI esta conduciendo. Nuestras suposiciones parecen confirmarse con la corricnte y los voltajes resultantes y puede asumirse que nuestro analisis.inicial es correcto, El nivel voltaje de salida no es de 10 V como se definio para la entrada de l, pero 9.3 V es suficientemente grande como para ser considerado nivel l. La salida, por tanto, se encuentra en el nivel I con s610 una entrada, 10 que sugiere que la compuerta es una compuerta OR. Un analisis de la misma red con dos entradas 10 V dara como resultado que ambos diodos se encuentren en el estado "encendido" y que la salida sea de 9.3 V. Una entrada de 0 V en ambas entradas no propercionara el nivel 0.7 V que se requiere para encender los diodos, y la salida sera de 0 debido al nivel de salida 0 V. Para la red de la figura 2.42 el nivel de corriente esta determinado por

E IOV O.7V

! R I k!1 9.3mA

Determine el nivel de salida para la compuerta Iogica AND positiva de la figura 2.43.

E]EMPLO 2.17

Soluci6n

Observe que en este caso una fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de la red. Debido a las razones que pronto seran obvias, sc elige en el mismo nivel que el del nivel logico de entrada. La red se vuelve a dibujar en la figura 2.44 con las suposiciones inidales relacionadas con el estado de los diodos. Con 10 V en ellado del catodo de DI se asume que Dl se encuentra en el estado de "apagado" a pesar de que haya una fuente de 10 V conectada al anodo de D[ a traves de la resistencia. Sin embargo, bay que recordar 10 que se menciono en la introduccion de esta seccion en 10 referente a que el uso del modelo aproximado serfa una ayuda en el analisis. Para D" i,de donde provendran los 0.7 V si los voltajes de entraday la fuente se encuentranen el mismo nivel y crean "presiones" opuestas? Se asume que D2se encuentra en el estado "encendido" debido al bajo voltaje en el lado del catodo y la disponibilidad de la fuente de 10 V a traves de la .resistencia de 1 kn.

Para la red de la figura 2.44 el voltaje en Vo es de 0.7 V debido al diodo D2 que esta polarizado directamente. Con 0.7 V en el anodo de DI y 10 V en el catodo, DI esta definitivamente en el estado de "apagado", La eorriente 1 tcndra la direccion indicada en la figura 2.44 y una magnitud igual a

E - V[) /=--=

R

10 V - 0.7 V = 93 A

I k!1 . m

Figura 2.44 Sustiruciou de 10$ estados supuestos para los diodes de la flgura 2.43.

Por 10 tanto, el estado de los diodos se confirma y nuestro analisis anterior fue correcto.

Aunque no existieron 0 V como se definio anticipadamente para el nivel 0, el voltaje de salida es suficientemente pequefio como para ser considerado un nivel O. Para la compuerta AND, por tanto, una sola entrada resultara en un nivel 0 de salida. Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de dos entradas y ninguna entrada se examinaran en los problemas al final del capitulo.

2.6 Compuertas AND/OR

(1) Si
Ei cr lOY I Vi
(0) Si
E,=OY Yo
- 2 D2
R I kQ E I IOV -e-

Figura 2.43 Compuerta 16gica AND positiva

73

74

2.7 ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA

El anal isis del diode se ampliara para incluir funciones con variacion en el tiernpo, tales como la forma de onda senoidal y la onda cuadrada. No hay dada de que el grade de dificultad se incrementara, pero una vez que algunas maniobras fundamentales se entiendan. el analisis sera francamente directo y seguira un procedimiento comun.

Las redes mas sencillas para examinar bajo una sefial con variacion en el tiempo aparecen en la FIgura 2.45. Por el momenta usaremos el modele ideal (observese la ausencia de la etiqueta del Si 0 del Ge para denotar al diodo ideal) para asegurar que el enfoque no se empane debido a la complejidad matematica adicional.

+

+

-.

Figura 2.45 Rectificador de media onda,

Sobre un cicio completo, definido por el periodo Ten la figura 2.45, el valor promedio (la suma algebraica de las areas por encima y por debajo del eje) es cero. EJ circuito de la figura 2.45, llamado rectificador de media onda, generara una forma de onda v, que tendra un valor promedio de uso particular para el proceso de conversi6n de ac a de, Cuando un diodo se emplea en el proceso de rectificacion, es cormin referirse a 61 como rectificador. Sus valores nominales depotencia y corrierite son, porlo cormin, rnucho mas altos que aquellos diodos empleados en otras aplicaciones, tales como los sistemas de c6mputo yde comunicacion.

Durante el intervalo t zx 0 ~ T12 de la figura 2.45 Ia polaridad del voltaje aplicado Vi es tal como para establecer "presion" en la direccion indicada y encender el diodo con la polaridad que aparece arriba de 6L Al sustituir el diodo ideal por la equivalencia de circuito cerrado dara como resultado el circuito equivalente de la figura 2A6, donde es muy obvio que la sefial de salida es una replica exacta de la sefial aplicada, Las dos terminales definen el voltaje de salida y estan conectadas directamente a la sefial aplicada mediante Ia equivalencia de circuito cerrado del diodo.

+
+ + -~" Vo
.J V,II
Vi R Vo
0 t
'=' '::" 2 Figura 2.46 Region de conduccion (0---. T/2).

Para el periodo T12 ~ T, la polaridad de la entrada Vi es como 10 demuestra Ia figura 2.47 y la polaridad resultante a traves del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto, El resultado es la ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y que v, = iR = (O)R = 0 V para el periodo T12 -> T. La entrada Vi Y la salida Vo se dibujaron juntas en la figura 2.48 con el prop6sito de establecer una cornparacion. Anora, la serial de salida Vo tiene un area neta positiva arriba del eje y durante un periodo complete, y un valor promedio determinado por

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

+

y+ v"

.Rf. vo~ov~

-:;r

+

+

Figura 2.47 Region de no COndUCClC)n (T12 -> T).

Figura 2.48 Senal rectificada de media onda.

\/"

1 1 1 1 1 1 1

1 1

- - _I Vdc = 0.318V",

o

media onda

(2;7)

EI proceso de elirninacion de un medio de la sefial de entrada para establecer un nivel de de tiene el nombre idoneo de rectificacion de media onda.

EI efecto del uso del diodo de silicio con VT = 0.7 V se demuestra en la figura 2.49 para la regi6n de polarizacion directa. La sefial aplicada debe ser ahora al menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda "encenderse". Para nivcles de Vi menores que 0.7 Y, el diodo min se encuentra en un estado de circuito abierto y Va::: 0 V como se muestra en la misma figura, Cuando se encuentran en estado de conduccion, la diferencia entre v, Y Vi es un nivel fijo de VT = 0.7 Y Y Va = Vi - V T como se muestra en la figura. EI efecto neto es una reduccion en el area por encima del eje, 10 cual reduce natural mente el nivel de voltaje de resultante. Para las situaciones en donde V", » V]" la ecuacion 2.8 puede aplicarse para determinar el valor promedio con un nivel relativamente alto de precision.

(2.8)

+ vT-

ro-JT+

~ R %

.,..

; 11 T

I !1"2

<::

Desplazamiento debido a VT

Figura 2.49

Efecto de VT sabre la serial rectificada de media onda.

2.7 Entradas senoidales; recrificacion de media onda

75

De hecho, si VIII f:lera suficientemente mayor que Vr, la ecuacion 2.7 se aplicana mas frecuentemente como pnmera aproxirnacion a Vae.

E]EMPLO 2.18

o

\

20V-O.7V= 19.3V

Figura 2.52 Efecto de Vr en la salida de [a figura 2.51.

76

(a) Dibuje la .sal!da vaY determine cl alvei de de de la salida para la red de In figura 2.50. (b) Repita el inciso (a) 51 el diode Ideal sc reemplaza por un diodo de silicio.

(e) Repita los incises (a) y (b) si Vm se incrementa a 200 V Y compare las soluciones mediante las ecuaciones (2.7) y (2.8).

V;

v,

T t

Figura 2.50 del ejernplo 2.18.

Soluci6n

(a) En esta situacion el diodo conducira durante la parte negativa de la entrada como 10 muestra la figura 2.51, Y Va aparecera como tambien 10 sefiala Ia misma figura. Para el periodo complete, el nivel de de es

VdC' = -0.318Vm = -0.318(20 V) = -6.36V

EI signa negative indica que la polaridad de la salida esopuesta a lapolaridad definida de la figura 2,50.

Vi ~ VO
02kQ +
Vi Vo
T 0
+ Figura 2.51 Vo resultante para el circuito del ejernplo 2.18.

(b) Al utilizar un diode de silicio, la salida tiene el as pee to de la figura 2.52 y Vdc == -0.318(V,1l - 0,7 V) = -0.318(19.3V) == -6.14 V La cafda resultante en el nivel de de es de 0.22 V 0 aprox.imadamente 3.5%.

(c) Ecuaeion(2.7): VdC' =-0.318Vm = -0.318(200V)= -63.6V

Ecuacion (2.8): VdC' = -0.318(Vm - Vr) = -0.318(200 V - 0.7 V)

= -(0.318)(199.3 V) == -63.38 V

Lo eual es una diferencia que puede ser ignorada para la mayorfa de las aplicaciones. Para la parte C, la cafda y el desplazamiento en la amplitud debido a VT no serfa discernible en un osciloscopio tipico si el patron completo se desplegara.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

PlY (PRY)

EI valor nominal del voltaje pico inverso (PIV)[o PRY (voltaje pico en reversal] del diodo tiene una irnportancia primordial en el disefio de sistemas de rectificacion. Es indispensable recordar que este es el valor nominal del voltaje que no debera excederse en la region de polarizacion .inversa 0 eldiodo cntraria en la region de avalanche Zener. El valor nominal que se requiere de PIV para el rectificador de media onda se puede determinar segiin la figura 2.53, la cual muestra el diodo con polarizacion inversa de la figura 2.45 con el voltaje maximo aplicado. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff, es obvio que el valor nominal del PIV del diodo debe igualar 0 exceder el valor pico del voltaje aplicado. Por tanto,

(2.9)

_ V (PIVI +

~ r-.,<=~o t --0

Vm J R Vo=IR=(O)R=OV

Figura 2.53 Determinacion

del valor nominal del PlY requen-

do el recnftcador de media

+

+

2.8 RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA

Puente de diodos

EI nivel de de obtenido de una entrada senoidal se puede mejorar un 100% mediante la utilizacion de un proceso llamado rectificacion de onda completa. La red mas familiar para desarrollar tal funcion aparece en Ia figura 2.54 con sus euatro diodos en una configuracion de puente. Durante el periodo I = 0 a T12, la polaridad de 1\\ entrada es Ia que muestra la figura 2.55. Las polaridades resultantes a traves de los diodos idealcs tam bien se muestran en la figura 2.55 pam demostrar que D2 y D3 estan conduciendo, mientras que DI y D4 se encuentran en el estado "apagado". EI resultadoneto es 1a configuracion de 1a figura 2.56, con sn corriente y polaridad indicadas a traves de R. Dado que los diodes son ideales, el voltaje de carga es Vo = V, como se muestra en la misma figura.

Para la region negativa de la entrada, los diodos conductores son D, y D4, con 10 que se produce la configuracion de la figura 2.57. El resultado importante es que la polaridad a Ira-

V;

+

o

Vi

Figura 2.54 Puente rectificador de onda completa.

~

, 2

Vi +
/~Vm Vi
0 I
2 Figura 2.56 Trayertoria de conduccion para la region positive de Vi'

2.8 Recttflcacion de onda completa

+

+

"encendido"

":apagado"

Figura 2.55 Red de la figura

2.54 el periodo 0 -> T/2

del de entrada Vi.

77

ves de la resistencia de carga R es la misma que en la figura 2.55, al establccer un segundo pulse positive como 10 setiala la figura 2.57. Sobre un ciclo complete los volrajes de entrada y de salida aparcceran como 10 muestra la figura 2.58.

o T '2

Figura 257 Traycctona de conduoton pan la rcgil'm nt;g~ni\J. de Vi'

2

I va

/>; /r{>"

~ [2 . I

I

Figura 2.58 Forrnas en onda de entrada y de salida para un recr.ficador de onda completa.

Dado que el area por encima del eje para un ciclo eompleto es ahora el doble de 10 obtenido para un sistema de media onda, el nivel de de se ha duplicado tam bien y

Vdc == 2(ecuaci6n2.7) == 2(0.318Vm)

o

I Vdc = 0,636 V in I ondaccmpl"~

(2.10)

Si en lugar de los diodos ideales se ernplean desilicio como 10 muestra la figura2.59, la aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff dana como resultado

v, - Vr Vo - Vr '" 0

y

el valor del pico del voltaje de salida Vo es por tanto:

Vom" == Vm 2Vr

Para situaciones donde V", » 2 V" puede aplicarse la ecuacion (2.11) para el valor promedio con Ull nivel relativamente alto de precision.

(2.11)

De nuevo, si V", es suficientemente mayor que 2Vr. entonces Ia ecuacion (2.10) se aplica de manera frecuente como una primera aproxirnacion para Vee.

78

Capitulo 2 Aplicaciones de diodes

Figura 2.59 Determinacion de V"mjx para diodes de silicic en la eonfiguraci6n de puente.

PIV

EI PlY requerido para cada diodo (ideal) puede deterrninarse por medio de la figura 2.60 obtenidaenel pico de la region positiva de la serial de entrada. EJ voltaje maximo para la rna-

lla indicada a traves de. R es Vm Y el valor nominal PlY se define por

de onda

(2 12)

Transformador con derivacion central

Un segundo rectificador popular de onda cornpleta aparece en la figura 2.6 I con unicamente dos diodes pero con el requerimiento de un transformador con derivacion central (CT del inglcs center-tapped) para establecer la senal de entrada a traves de cada seccion del secundario del transformador. Durante la parte positiva de Vi aplicada al primario del transformador, la red apareceria como se sen ala en la figura 2.62. D, asume el equivalente de circuito cerrado y D2 el equivalente de circuito abierto, como 10 deterrninan los voltajes secundarios y las direcciones de corriente resultantes. El voltaje de salida aparece como se muestra en la figura 2.62.

Vi

Figura 2.61 Rcctificador de onda completa con transforrnador con derivacion central.

+

Vi

o

T 2:

Figura 2.62 Condiciones de red para la region positiva de Vi.

Durante la parte negativa de la entrada, la red aparece como se muestra en la figura 2.63, al invertir las funciones de los diodos pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a traves de la resistencia de carga R. El efecto neto es la misma salida que apareee en la figura 2.58 con los mismos niveles de de.

Vi Vo
I~\ I~, vm
I \ I \
I \ I "
° T °1 T T
2 2 Figura 2.63

Condiciones de la red para la region negativa de Vi'

2.8 Rectificaci6n de onda completa

Figura 2.60 Detcrminaci(n

P[V requcrido 1<1-

de puente: rcctihcadcr,

79

Figura 2.64 Determinacion del nivel del PIV para los diodes del transformador con derivacion central rectilicador de onds

PlV

La red de la figura 2.64 nos ayudara a determinar el PlY neto para cada diodo de este rectificador de onda completa. Al aplicar el voltaje maximo para el voltaje secundario y para V m

como 10 establece dara como resultado:

PIV

y

(2.13)

Determine la forma de onda de salida para la red de la figura 2.65 y calcule el nivel de de de la salida y el PlY requerido para cada diodo,

+

Figura 2.65 Red de puente para el ejernplo 2.19.

T t

Soluci6n

La red aparecera como 10 sefialala figura 2.66 para Ia region positiva delvoltaje de entrada. Al dlbu~rlde nuev~ Ia red el result ado sera la configuracion de lafigura 2.67, donde Vo =' ~Vi o Vo"",- '2 Vim.h = 2(10 V) = 5 V, como lomuestra 1a figura 2.67. Para la parte negativa de la entrada, las funciones de los diodos se intercambiaran y Vo aparecera como 10 muestra la figura 2.68.

+ +

2 kQ ~ Vo C

+

+

Vi

Figura 2.66 Red de la figura 2.65 para la region V positiva de Vi'

Figura 2.67 Redibujo de la red de la Iigura 2.66.

T T

2:

Figura 2.68 Salida resultante para el ejcmplo 2.19.

80

Elefecto de la eliminacion de dos diodos de la configuracion de puentefue la reduccion del nivel de de disponible al siguiente:

Vdc = 0.636(5 V) = 3.18 V

o el disponi~le de un rectificador de media onda can la misma entrada. Sin embargo, el PIV como se denva de la figura 2.60, es igual al voltaje maximo a traves de R, el cual es de 5 V o la mitad de 10 requerido para un rectificador de media onda con la misma entrada. '

Capitulo 2 Aplicaciones de diodes

2.9 RECORTADORES

Existe una gran varied ad de redes de diodos llamadas recortadores que tienen la habilidad de "recortar" una porcion de la serial de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda alternante. EI rectificador de media onda de la seccion 2.7 es un ejemplo d~ la forma mas simple de recortador de diodo (una resistencia y un diode). Dependiendo de la orientacion del diodo, la region positiva 0 negativa de la senal de entrada es "recortada",

Existen dos categorias generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuracion en serie se define como una donde el diodo csta en serie con la carga, mientras que la variedad en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la carga.

En series

La respuesta de las configuraciones en serie de la figura 2.69a ante una variedad de formas de onda alternantes la proporciona la figura 2.69b. Aunque primero se introdujo como rectificador de media onda (para formas de onda senoidales), no hay limites en el tipo de sefiales que se puedcn aplicar a un recortador. La adicion de una fuente de de tal como la que se muestra en la figura 2.70 puede tener un gran efecto sobre la salida de un recortador. Nuestra discusion inicial estara limitada a los diodes ideales, con el efecto de V T reservado para un ejernpia concluyente.

No hay un procedimiento general para analizar las redes como las del tipo de la figura 2.70, pero hay algunos aspectos para tener en mente conforme usted trabaja en busca de una solucion,

1. Haga un esquema mental de la respuesta de la red basado en la direcci6n del diodo y de los niveles aplicados de voltaje.

Para la red de la figura 2.70, la direccion del diodo sugiere que la sefial Vi debe ser positiva para encenderlo. La fuente de de adernas requiere que el voltaje Vi sea mayor que V volts para encender el diodo. La region negativa de la serial de entrada esta "presionando" al diodo hacia el estado de "apagado", apoyado adernas por la fuente de de. En general, por 10 tanto, podemos estar seguros de que el diodo esun circuito abierto (estado "apagado")por la region negativa de la serial de entrada.

(a)

Figura 2.69 Rccortador en serie.

T

--

(b)

Vi

Figura 2.70 Recortador en serie can una [uente de de.

R

I',

2.9 Recortadores

81

2. Determine el voltaje aplicado (voltaje de transici6n) que callsarii WI cambia ell cI estado del diodo.

Para el diodo.idcal la transicion entre los ticas donde Vd '" 0 Y e i" '" b A., Al aplicar la 2.70 dara como resultado la configuracion de la de Vi que causara una transicion en el estado es:

ocurrira ell el punto sobre las caractens= 0 Y I'd'" Oa la red de Ia figura 2.71, donde se rcconoce que el nivel

Vi = V

(2.14)

Figura 2.71 Detertmnacion del de rransicion para el circuito de ia figura 2.70.

R

Para un voltaje de entrada mayor que V volts, el diodo se encuentra en el estado de eircuito cerrado, mientras que para los voltajes de entrada menores que V volts este esta en el estado "apagado" 0 de circuito abierto.

3. Estar concientes contilluamente de las tel1ninales definidas y de fa polaridad de v., Cuando el diodo esta en el estarlo de eireuito eerrado, como 10 muestra la figura 2.72, el voltaje de salida v, se puede determiner mediante la aplicacion cle la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccion de las manecillas del reloj:

Vi - V - Vo = 0 (direccion de las manecillas del reloj)

V;

Figura 2.72 Determinacion de V".

o

-o+--'--i"'-'!>-' ---"r-~ 2

Figura 2.73 Determinacion de los niveles de VO'

y

(2.15)

v

4. Puede serutil dibujar la Selial de entradaporencimC! de la de. salida y .deurmiiiar la salida a valores instantaneos de la entrada.

Es entonces posible que el voltaje de salida pueda dibujarse con base en los puntos de datos resultantes de Vo como se demuestra en Ia figura 2.73. Tener en mente que para un valor instantaneo de Vi> la entrada puede tratarse como una fucnte de de cle aquel valor y el correspondiente valor de de (el valor instantaneo) de la salida determinada. Por ejemplo, en Vi = Vm para la red de la figura 2.70, la red a analizar aparece en la figura 2.74. Para Vm> Vel diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado y v" = V", - V, como 10 dcmuestra la figura 2.73.

En Vi = V los diodos cambian de estado: en Vi = -V"" VO = 0 V; y la curva completa para Vo puede dibujarse como 10 dernuestra la figura 2.75.

R

Figura 2.74 Determinacion de va cuando Vi = Vm. Figura 2.75 Dibujo de YO'

E]EMPLO 2.20

Determine la forma de onda de salida de la red de la figura 2.76.

82

Soluci6n

La experiencia pasada sugierc que cl diodo se cncontrara en el estado "encendido" para la region positiva de Vi especialmente cuando notamos eI efecto de ayuda de V = 5 V. La red en-

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

v,

V= 5 V o---Jf----~----<) +

R

Figura 2.76 para el

tonces aparecera como se muestra en la figura 2.77 y V" \'i + 5 V. Al sustituir id = 0 en I'd =

o para los niveles de transicion. obtenernos la red de la figura 2.78 y V; = - 5 V.

o---Jf--<>---<>-~---<> +- +

5V

R

Figura 2.77 con cl diode

ol estado "encendido"

Figura 2.78 Determinacion del nivel de transicion para el recortadol' de la Iigura 2.76.

Para Vi mas negatives que -5 V el diodo entrara en Sll estado de eireuito abierto, mientras que para voltajes mas positivos que -5 V, el diodo se encontrara en el estado de circuito cerrado. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.79.

+

R

v

~~~~~

+ +

"n

T \ T

'2

Vo = -5 V + 5 V = 0 V

Vi + 5 V = 20 V + 5 V = 25 V

v,,=OV+5V=5V ---4----~--~--

o

Figura 2.79

Dibujo de Vo para el ejernplo 2.20.

EI analisis de las redes recortadoras con entradas de onda cuadracla, es real mente mas facil que para entradas senoidales debido a que solo se deben considerar dos niveles de voltaje. En otras palabras, la red se puede analizar como si tuviera dos entradas de de con la salida resultante Vo graficada dentro el marco apropiado de tiempo,

Repita el ejemplo 2.20 parala entrada de onda cuadrada de la figural.SO.

o

20

Figura 2.80 Senal aplicacla para el ejcmplo 2.21

2.9 Recortaclores

83

Vi

Soluci6n

Para Vi = 20 V (0 -- T12) resultara la red de la tigura 2.81. EJ diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado y v, = 20 V + 5 V = 25 V. Para Vi = -10 V resultara la ted de la figuta 2.82, mediante la colocaciondel diodo enel estado "apagudo" y Vo = iRR (O)R = 0 V. El voltaje de salida resultante aparece enla figura 2.83.

G+ +
+ V
20V IOV -T- R Vo 0'/
+ L_ Figura 2.81 v" cuando Vi + 20 V.

Figura 2.82 v, cuando Vi ~ -[0 Y.

Figura 2.83 Esqucmauzacion

de Vo el ejcmplo 2.21.

Observe en el ejemplo 2.21 que el recortador no s610 recorta 5 V de la amplitud total sino que levanta el nivel de de de la sefial por 5 V.

En paralelo

La red de la figura 2.84 es la mas simple de las configuraciones de diodos en paralelo con las salidas para las mismas entradas de la figura 2.69. EI analisis de las configuraciones en paralela es muy similar a las aplicadas a las configuraciones en serie, como 10 dernuestra el siguiente ejemplo.

+

--

--

o

-v .

o

-v -~

Figura 2.84 Respuesta de un recortador en paralelo.

E]EMPLO 2.22

Determine v, para Ia red de Ia figura 2.85.

84

:T

;;- v I 4Y ~

Figura 2.85 Ejemplo 2.22.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

o--i>t~--

Soluci6n

La polaridad de la fuente de de y la direcci6n del diodo sugieren fuertemente que el diodo estara en eI estado "encendido" para la region negativa de In sefial de salida. Para estaregi6n la red aparecera como se sefiala en In figura 2.86,donde las terminales definidas para v,, requie-

renque Vo = V 4 V. .

R

+

V,

t.. v_' _I 4_V_

Figura 2.86 v, ncgativa de Vi'

El estado de transicion se puede determinar a partir de la figura 2.87, donde la condicion id := 0 A cuando Vd = 0 V ha sido impuesta. El resuItado es Vi (transicion) = V:= 4 V.

Dado que la fuente de de obviamente se encuentra "presionando" al diodo para permanecer en el estado de circuito cerrado, el voltaje de entrada debe ser mayor que 4 V para que el diodo se encuentre en el estado de "apagado", Cualquier voltaje de entrada menor que 4 V dan! como resuItado un diode en circuito cerrado.

Para el estado de circuito abierto, la red aparecera como se muestra en la figura 2.88. donde Vo := Vi' Al compIetar eI dibujo de v, resuIta Ia forma de onda de la figura 2.89.

+

+

Vi

+

V -1 4Y

Figura 2.87 Determinacion del nivel de transicion para eJ ejcmplo 2.22.

Figura 2.88 Determinacion de Vo para el estaclo abicrto del diodo.

16 V 4Y

o

T '2

T

Figura 2.89 Dibujo de Va para eI ejernplo 2.22

Para examinar los efcctos de VI' en el voltaje de salida, el siguiente ejemplo especificara, en lugar de un diodo ideal equivalente, un diodo de silicio.

2.9 Recortadores

85

EJEMPLO 2.23

Repita el ejcmplo 2.22 ernpleando un diodo de silicio con VT = 0.7 V.

Solucion

EI voltaje de transicion se puede determiner primeroaplicando Ia condicion id = 0 A cuando Vel = V D = 0.7 V y obteniendo la red de la figura 2.90. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la Olalla de salida en direccion de las manecillas de! reloj. encontramos que:

Vj + Vr V 0

y

D.? V 3.3 V

I'R = iRR idR (0) R = 0 V II

+

Figura 2.90 Determinacion del nivcl de transicion para la red de: [a figura 2.85

Para los voltajes de entrada mayores que 3.3 V. el diodo sera un cireuito abierto y v" = v,.

Para los voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo estara en estado "encendido" y dan; como resultado la red de la figura 2.91, donde

Vo = 4 V - 0.7 V = 3.3 V

Figura 2.91 Dcterminaclon de Vo el diode de Ia figure 2.85 en cstado "encendido".

La forma cle onda de salida resultante esta en la figura 2.92. Observe que el unico efecto cle VT fue el de la cafda del nivel de transicion de 4 V a 3.3.

16V 3.3 v o

Figura 2.92 Dibu]o de para cl ejernplo 2.23

T "2

T

No hay duda de que al incluir los efcctos de VT cornplicarfarnos un poco el analisis, pew una vez que el analisis sc ha entendido con eI diode ideal, el proccdimiento.jncluycndo los efectos de V T, no habra tal dificultad.

Resumen

Una varieclad cle recortaclores en serie y en paralelo, COil la salida resultante para la entrada senoidal se proporciona en la figura 2.93. En particular, observen la respuesta de la ultima configuracion, con su habilidad para recortar una seeci6n positiva y una negativa como 10 determina la magnitud cle his fuentes de de.

86

Capitulo 2 Aplicacioncs de diodes

Rccortadores simples en serie (cliodos idealcs)

POSITIVOS

Rccortadorcs polarizados en serie (diodos ideales)

6~

-(l);,-V)

Vj

Recortadores simples en paralelo (diodos ideales)

Rccortadores polarizados en paralelo (diodos idcales)

f

+ R + V

~o 'V'

- I - /-v.

o 0 m

Figura 2.93 Circuitos reconadores.

NEGATlVOS

~ ~

t

v

~

Vj 11 t Vo 0

- V T _-V

o 0

2.9 Recortadores

87

c

Figura 2.95 Diodo "cncendido" y el capacitor cargando a V volts.

Figura 2.96 Determinacion de v, con el diodo "apagado",

-~~tr

I I I I I

Vo :

o

Figura 2.97 Dibujo de Vo para 13 red de 13 Iigura 2.94.

88

2.10 CAMBlADORES DE NlVEL

La red cambiadora de nivel es aquella que "cambia" una sefial a un nivel diferente de de. La red debe tener un capacitor, un diode y un elemenro resistive, pero esta puede tambien emplear una fuente indepcndieme de de para introducir un desplazarniemo adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de tal modo que la constante de tiernpo r,= RC sea 10 suficientemente grande como para asegurar que el voltaje a traves del capacitor no se descargue significativamente durante el intervale en que el diodo no esta conduciendo. A traves del anahsis supondremos que para todos los propositos practices el capacitor cargara 0 descargara completamente en cinco constantes de tiempo.

. La red de la figu:a 2.94 cambiara de nivel la sefial de entrada al nivel cero (para diodos ideales). La resistencia R puede ser la resistencia de carga 0 una combinacion en paralelo de la resistencia de carga y una resistencia disefiada para proporcionar el nivel deseado de R.

Vi C
V ltr r-t~
Vi ~~ ~R
+ 0 ~
Figura 2.94 Cambiador de
R Vo -v nivel, +

Durante el intervale 0 ..... T12 la red aparecera como 10 muestra la figura 2.95, con el diodo en el estado "encendido" efectivamente pone en "corte circuito" la resistencia R. La cons tante de tiempo RC resultante es tan pequeiia (R se determina por la resistencia inherente de la red) q~e el capacitor carga~a a V volts rapidamente. Durante este intervalo el voltaje de salida esta directamente a traves del corto circuito y Vo = 0 V.

eu.and? la e~trada cambia al estado -v. la red sera la de la figura 2.96, conel equivalente de circuuo abierto para el diodo determinado poria sefial aplicada y el voltajealmacenado a traves del capacitor -ambos- "presionando" la corriente a traves del diodo del catodo al anodo. ~hora que R regreso a la red la con stante de tiempo determinada por el producto RC es su~clentemente grande como para establecer un periodo de descarga 51: mucho mayor que el penodo TI2 -+ T, Y puede asumirse sobre una base aproximada que el capacitor mantiene toda su carga y, por tanto, al voltaje (dado que V:::: Q/C) durante este periodo,

. Debido a qu~ ~ ~ esta en ~aralelo COil el diodo y con la resistencia, tambien se puede dibUjar. en una. pOSICIOn alternativa como 10 muestra la figura 2.96. AI aplicar la ley de voltaje de KIrchhoff alrededor de la mall a de entrada dara como resultado:

V - V - Vo = 0

R v ..

y

Vo = -2V

E.I signo negativo resulta del hecho de que la polaridad de 2 V es opuesta a la polaridad dcfinida para vo' La forma en onda de resultante en la salida aparece en la figura 2.97 junto con la se~al de enl.rada. La se~~1 de salida se cambia de nivel a 0 V para el intervalo 0 a T/2 pero mantiene la nusma excursion de voltaje total (2 V) de la misma forma que la entrada.

Para la red cambiadora de nivel:

La excursion total de la salidaes igual a la excursion total de la selia I de entrada.

Este hecho es una herramientaexcelente de verificaci6ndel resultado obtenido.

En general, los pasos siguientes pueden ser utiles cuando se analizan redes cambiadoras

de nivel: ..

1. ~ol1lenzar el analisis de redes cambiadoras de nivel considerando la parte de la se-

nal de entrada que polarizard directamente al diodo.

EI enunciado anterior puede requerir del saltarse un intervalo de la sefial de entrada (como se demuestra en el ejemplo siguiente), pero el analisis no se extendera mediante una medida innecesaria de investigacion.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

2. Durante el periodo en que d diodo este en el estado "cnccndido", sH)loner que el capacitor cargard instantdncamente alnive! de voltaje detenninailo poria rcd.

3. Suponer que durante el periodo en que el diodoestd en el esWdo "apagado"el capacitor mantcndrd .sunivel de voltajc establfrido.

4. it travfS di:! analisis mantener unzr conciencia continua de la localizaci6n y de la polaridad de referenda para Vo para asegllrar que los nivcles apropiados para Vo Sf obtienen.

.5. Tener en mente la regia general de que la amplitud de la salida total debe wincidir Call la amplitud de la soial de entrada.

Determine Va para la red de la figura 2 .. 98 para la entrada indicada,

EjEMPLO 2.24

i= 1000Hz

c = I~F ~~----~~--~

10

IIJ2'

-20 --T-"'i

o

R 100kn ':

v

5V

Figura 2.98 Senal aplicada y red del ejernplo 2.24.

Soluci6n

Observe que la frecuencia es de 1000 Hz, con 10 que se provoca un periodo de 1 ms y un intervalo de 0.5 ms entre niveles, EI analisis empezara con el periodo 1 J -+ 12 de la sefial de entrada, dado que el diodo esta en su estado de circuito cerrado como 10 recomend6 el comentario 1. Para este intervalo la fed aparecera como se muestra en la figura 2.99. La salida esta a traves de R, pero esta se encuentra tambien directamente a traves de la baterfa de 5 V si usted sigue la conexion directa entre las terminales definidas para V() y las terminales de la baterfa. EI resultado es Vo :::: 5 V para este intervalo. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada dara como resultado:

y

-20V + Vc 5 V 0 Vc = 25 V

EI capacitor, por tanto, cargara a 25 V, como 10 afirma el comentario 2. En este caso la resistencia R no se encontrara en corto circuito a causa del diodo, pero un circuito Thevcnin equivalente de tal porci6n de la red que incluye la bateria y la resistencia resultara en Rio = 0 n con ETh = V = 5 V. Para el periodo 12 -+ 13 la red aparecera como 10 muestra la figura 2.100.

EI equivalcntc de circuito abierto para el diodo evitara que la baterfa de 5 V ejerza algiin efecto sobre v". Alaplicar In ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la mall a . exterior de la red resultara en

y

+ 10 V + 25 V Vo 0

Vo = 35 V

La constante de tiempo de la red de descarga de la figura 2.100 se determina por el producto RC y tiene la magnitud:

T = RC = (100 kD)(O.l ,uF) = 0.01 s = 10 IDS EI tiempo total de descarga es por 10 tanto 5, = 5(10 rns) = 50 ms,

2.10 Cambiadores de nivel

c ~{~+,-~--~-~

vc

20 V

+

Figura 2.99 Determinacion de vo y V c con el diodo en el cstado "encendido".

KVL

Figura 2.100 Determinacion de Vo con el diodo en el estado "apagado".

89

Figura 2.101

biador nivel

eI cam- 2.98.

Dado que el intervale 12 -'> ls solo durara 0.5 ms, este es cicrtamente una buena aproximacion de que el capacitor mantendra su voltaje durante el pcriodo de descarga entre los pulses de la serial de entrada. La salida resultante aparece en la figura 2.1 0 I con la sefial de entrada. Observe que la amplitud de salida de 30 V coincide con la amplitud deentrada como se advier-

te en el 5.

Vi \lJ
35
14 ~
30V
~ EJEMPLO 2.25

Figura 2.102 Determinacion de v, y V c con el diodo en el estado "encendido".

90

Soluci6n

Repita el ejemplo 2.24 ernpleando un diodo de silicio con Vr = 0.7 V.

Para el estado de circuito cerrado la red ahora torna el aspecto de la figura 2.102 Y v, se podra deterrninar por la ley de -voltaje de Kirchhoff en la seccion de salida.

+5 V ~0.7V ~ Yo =0

v, '" 5 V - 0.7 V '" 4.3 V

y

Para la sec cion de entrada, la ley de voltaje de Kirchhoff dara como resultado: -20 V + Vc + 0.7 V - 5 V = 0

y

Vc = 25 V - 0.7 V = 24.3 V

Para el periodo /2 -'> 13 la red ahora tendra el aspecto de la figura 2.103, con el iinico cambio del voltaje a traves del capacitor. Al aplicar Ia ley de voltaje de Kirchhoff resulta:

+ 10 V + 24.3 V - Va = 0

va'" 34.3 V

y

La salida resultante aparece en la figura 2.1 04, con 10 que se confirma el enunciado de que la amplitud de salida y de entrada son las mismas.

lOY

Figura 2.103 Determinacion de Vo con el diodo en estado abierto.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

34.3 V

Figura 2.104 el cambiador de

~f I' :

VI

- -

Ol------+-VI

S'-ltt

, • 2V

L J

30V

Un gran mimero de circuitos cambiadores de nivel y su efecto sobre la serial de entrada se muestran en la figura 2.105. A pesar de que todas las formas de onda que aparecen en Ia figura 2.105 son ondas cuadradas, las redes cambiadoras de nive! trabajaran igualmente bien para las sefiales senoidales. De hecho, un enfoque del analisis de las redes cambiadoras de nivel con entradas senoidales es el de reemplazar la sefial senoidal por una onda cuadrada de los mismos val ores pico, La salida resultante tendra una forma envolvente para la respuesta senoidal como 10 muestra la figura 2.1 06 para una red que aparece en la parte inferior derecha de la figura 2.105.

~ ¥ f' :

Vt

- -

Figura 2.105 Cireuitos cambiadores de nivel can diodes ideales (5f = 5RC }> TI2).

2.10 Cambiadores de nivel

+

91

Figura 2.108 Regulodor basico Zener.

R

+ V

Figura 2.109 Determinacion del est ado del diode Zener.

92

+30

~~~~~r-~~+ .C

R

o

10 V -

lOY +

-20 V

Figura 2.106 Red cambia dora de myel con una entrada senoidal,

2.11 DIODOS ZENER

El analisis de las redes que emplean los diodos Zener es muy similar a aquel que se aplico al analisis de los diodos semiconductores en las secciones previas. En primer lugar, el estado del diodo debe determinarse seguido por una sustitucion del modele apropiado y una determinacion de las demas cantidades desconocidas de la red. A menos que otra cosa se especifiquc, el modele Zener a emplearse en el estado "encendido" sera como el que muestra la figura 2.l07a. Para el estado "apagado" como 10 define un voltaje menor que Vz pero mayor que o V con la polaridad indicada en la figura 2.107b, el equivalente del Zener es el circuito abierto que apareee en la misma figura.

(Vz >v> OV)

Figura 2.101

del diode Zener para el estado (a) "encendido'' y el(b) "apagada".

"encendido"

"apagado'

(a)

(b)

Vi Y R fijas

Las redes mas simples con diodo Zener aparecen en la figura 2.108. EI voltaje de de aplicado es fijo, como 10 es la resistencia de carga. El analisis puede fundamental mente dividirse en dos etapas.

RL 1. Determinar el estado del dioda Zener mediante su eliminacion de la red y par me-

dio del calculo del voltaje a traves del circuito abierto resultelltte.

Al apliear el paso I a la red de la figura 2.108 dara como resultado la red de la figura 2.109, donde una aplicacion de la regia del divisor de voltaje resultara en:

(2.16)

Si V):Vz, el diodo Zener esta en "encendido" y el modele equivalente de la figura 2.107a puede sustituirse. Si V <Vz, el diodo esta en "apagado" y la equivalencia de circuito abierto de la figura 2;[07b es sustituida.

RL 2. Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para las incognitas deseadas.

Para la red de la figura 2.108, el estado "encendido" dara como resultado la red equivaIente de la figura 2.11 O. Dado que los voitajes a traves de los elementos paraleIos deben ser los mismos, encontramos que:

(2.17)

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

La corriente del diodo Zener se debe determinar por una aplicacion de la ley de corriente de Kirchhoff, como sigue:

e

Vi

(2.18)

donde

e

La potencia disipada por el diodo Zener se deterrnina por:

(2.19)

Ia cual debe scr menor que la PZ,N/ especificada para el dispositive.

Antes de continuar es particularmente importante notar que el primer paso se empleo so- 10 para determinar el estado del diodo Zener. Si el diodo Zener esta en el estado "encendido", el voltaje a traves del diodo no es de V volts. Cuando el sistema se enciende, el d~odo Zener "encendera' tan pronto como el voltaje a traves del diodo Zener sea de Vz volts. Este entonces "se bloqueara" en este nivel y nunca alcanzara el nivel mas alto de V volts.

Los diodos Zener se utilizan mas frecuentemente en redes reguladoras 0 como un voltaje de referenda. En Ia figura 2.108 apareee un regulador sencillo disefiado para mantener un nivel de voltaje fijo a traves de la carga RL. Para valores del voltaje aplicado mayores que los requeridos para "encender" el diodo Zener, el voltaje a traves de la carga se mantendra en Vz volts. Si el diodo Zener se ernplea como un voltaje de referenda, este proporcionara un nivel para comparacion contra otros voltajes.

Figura 2.110 Susntucion del cquivalcnte Zener para la

de "encendido

(a). Para la red de diodo Zener de Ia figura 2, Ill, determine VL, VR, lz Y Pz· (b) Repita el inciso (a) con R[ '" 3 kQ.

E]EMPLO 2.26

1 kYn~!z

Vi-;=-16Y Vz=IOY~~

+ RL~1.2kn VI

PZM=30mW

Figura 2.111 Regulador del diodo Zener para el ejemplo 2.26.

Soluci6n

(a) Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se vuelve a dibujar como 10 muestra la figura 2.112.

Vi

Figura 2.112 Determinacion de V para el regulador de la figura 2.111.

+

2.11 Diodos Zener

93

iZ (rnA)

Figura LIB Punto resulrante para la flgura 2.111.

94

Aplicando la ecuaci6n (216) resulta RLV R + RL

v

8.73 V

Dado que V 8.73 V es menor que Vz = 10 V, el diode esta en el estado "apagado" como 10 muestran las caractensticas de 13 figura 2. III Al sustituir el equivalente de circuito abierto dara como resultado la misma red de la figura 2.112, donde encontramos que:

vz

VL V 8.73 V

VR V, VL 16 V 8.73 V = 7.27 V

lz OA

y Pz Vzlz = Vz(O A) = 0 W

(b) Aplicando la ecuacion (2.16) ahora resultara en:

V

3 kD(16 V) 1 kD + 3 kD

12 V

Dado que V = 12 V es mayor que Vz 10 V, el diodo esni en estado "encendido" y rcsultara 13 red de la figura 2.114. Aplicando la ecuacion (2.17) resulta:

VI. = Vz = 10 V

y

10 V = 6 V

con

VL lOY

IL = RL = 3 kD = 3.33 rnA

VR 6V

h( Ii = I kD = 6 rnA

lz = IR- hIEcuaci6n(2.18)]

6 mA 3.33 mA

= 2.67 rnA

e

asf que

Potencia disipada,

Pz = VzIz = (10 V)(2.67 mA) = 26.7 mW

10 cual es menor que la especificacion PZM = 30 mW.

A

1 ill

Figura 2.114 Red de la figura 2.111 en el estado "encendido".

Vi fija, RL variable

Debido al voltaic Vz, existe un rango especifico de valores de resistencia (y por tanto de corriente de carga) que asegurara que el Zener se encuentre en el estado "encendido". Una resistencia de carga RL demasiado pequefia ocasionara un voltaje VL a traves de Ia resistencia de carga menor que Vz, y el dispositivo Zener estara en el estado "apagado",

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Para determiner la resistencia minima de carga de la figura 2.108 que enccndera el diodo Zener, simple mente se calcu!a el valor de RL que ocasionara un voltaje de carga VI. = Vz. Esto es,

RtF; RL + R

Resolviendo para RI.. tencmos

(2.20)

Cualquier valor de resistencia de carga mayor que R[ obtenido de la ecuacion (2.20) asegurafit que el diode Zener se encuentre en el estado "encendido" y que el diodo sc puecla reernplazar por su fuente Vz equivalente.

La condicion definida por la ecuacion (2.20) cstablecc la RL minima pero a carnbio especifica la li. maxima como

(2.21)

Una vez que el diodo se encuentra en el estado "encendido", el voltaje a traves de R perm anece fijo en

(2.22)

e / R permanece f jo en

(2.23)

La corriente Zener

(2.24)

dando como resultado un l r minimo cuando h cs un maximo y un Iz maximo cuando ls. es un valor mfnimo daclo que /11 es constante.

Dado que /z esta limitado a /ZM como se proporciona en la hoja de datos, afectara el rango de RL y por tanto h. Sustituyendo IZM per lz se establece la /1, minima como

(2.25)

y Ia resistencia de carga maxima e S

(2.26)

(a) Para 1a red de la figura 2. f 15, determine el rango de R[ yde li. que ocasionan que VIIL se mantenga en 10 V.

(b) Determine el valor nominal maximo de la potencia en watts del diodo.

Solucion

(a) Para detenninar el valor de RL que encendera el diodo Zener, se aplica la ecuacion (2.20):

-'-( l_k_D.:.-.:;)(_lO_V-,-) = _1O_k_D = 250 n

50 V - 10 V 40

2.11 Diodes Zener

E]EMPLO 2.27

95

lkQ

+

Figura 2.115 de vol-

tajc el ejernplo

R

v, ~ SOY·

VZ=IOV ll."'= 32 rnA

El voltaje a traves de la resistencia R esta entonces deterrninado por la ecuacion (2.22):

VI? Vi - Vz = 50 V - 10 V 40 V

Y la ecuacion (2.23) proporciona la magnitud de I R:

VR 40V

Ii = 1 kH = 40mA

El nivel mfnimo de IL esta determinado entonces por Ia ecuacion (2.25):

IL,,, IR lzv = 40 rnA 32 rnA 8 rnA

con la ecuacion (2.26) se deterrnina el valor maximo de RL:

R _~_IOV_

lorn', - I - 8 rnA - 1.25 kO

Lmin

Una grafica de VL en funcion de RL aparece en la figura 2.116a y una para VL en funcion de I L en la figura 2.116b.

(b) Pm" = Vz lZM

(10 V)(32 rnA) = 320mW

lOY

r--------,

I I I I I

10V

o 2500

1.25 kQ

o 8mA

40mA

(a)

(b)

Figura 2.116 VL en junci6n de I'L e II. para el regulador de la figura 2.115.

RL fija Y Vi variable

Para los valores fijos d~ RL en la figura 2.108, el voltaje Vi debe ser suficientemente grande co. mo para encender el diodo Zener. EI voltaje minimo de encendido Vi = Vi min se determina por

RLVi VL = Vz

RL + R

y

(2.27)

EI valor maximo de Vi esta limitado por la corriente Zener maxima {zv. Dado que IZ'J =[R- h,

I lRm" = [Zl! + h (2.28)

96

Capitulo 1 Aplicaciones de diodos

Dado que l i. est a fija en VzIRf e fbI es el valor maximo de lz, la Vi maxima se define por

(2.29)

Determine el rango de valores de Vi que mantendra el diodo Zener de la figura 2.117 en el estado "encendido".

EJEMPLO 2.28

R

2200

Figura 2.117 Regulador pa· ra el ejemplo 2.28.

+

+

Vz=20V l2M =60mA

Soluci6n

Ecuaci6n (2.27):

(RL + R)Vz (1200 n + 220 D)(20 V)

V = = = 23.67 V

'0.10 R 1200 D

l.

VL Vz 20V

[I. = - = - = --. -. = 16,67 rnA

RL RL 1.2 kD .

Ecuaci6n (2.28): JRo." = IZM + li. = 60 rnA + 16.67 rnA

== 76.67 rnA

Ecuacion (2.29): Vi",,, = IR",",R + Vz

= (76.67 rnA)(0.22 kD) + 20 V = 16.87 V + 20 V

== 36.87 V

En la figura 2.118 se proporciona una grafica de VL en funcion de Vi'

Los resultados del ejernplo 2.28 revelan que para la red de la figura 2. J 17 con una RL fi· ja, el voltaje de salida permanecerfa fijo en 20 V para un rango del voltaje de entrada que se extienda de 23.67 a 36.87 V.

De hecho, Ja entrada podrfa aparecer como se muestra en la figura 2.1.19 Y la salida deberra permanecer constante a 20 V, como 10 demuestra la figura 2.118. La forma de onda que aparece en la figura 2.119 se obtiene al filtrar una salida de media onda 0 de onda completa rectificada; un proceso descrito a detalle en el siguiente capitulo. El efecto neto, sin embargo, es el establecimiento de un voltaje de dc estable (para un rango definido de V;) tal como 10 muestra la figura 2.118 de una fuente senoidal con un valor promedio de O.

2.11 Diodos Zener

20V

o

Figura 2.118 VI. ell jlll1ci6n de Vi para el regttlador de la Figura 2.117.

97

o

Figura 2.119 Forma onda

par una senal recnflcada y fiimda .

2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE

Los circuitos multiplicadores de voltaje se ernplean para rnantener el voltaje pica de un transformador reIativamente bajo, mientras se eleva et voltaje de salida pi co hasta dos, tres, cuatro, o mas veces el voltaje pico rectificado.

Doblador de voltaje

La red de la figura 2.120 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de voltaje positivo a traves del transforrnador, el diodo del secundario DI conduce (y el diodo D2 esta en corte), mientras carga al capacitor Cr hasta el voltaje pico rectificado (V",). El diodo Dr es idealmente un circuito cerrado, corto, durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga al capacitor Cr hasta V", con la polaridad que se muestra en Ia figura 2.121a. Durante el medio cicIo negativo del voltaje secundario, el diodo DI esta en corte y el diodo D2 se encuentra conduciendo y cargando al capacitor C2. Dado que el diodo D2 acnia como un circuito cerrado durante el medic ciclo negative (y el diodo DI esta abierto), podemos sumar los voltajcs alrededor deIa malI a exterior (ver figura 2.121b):

- V", - Ve, + Ve, 0 VIII - VIII + Ve, = 0

de la cual

Ve, == 2VIII

no conductor

(a)

(b)

98

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Figura 2.120 Doblador de volta]e de media onda.

2\"

+

Figura 2.121 Operaci6n doble, indicando cada medio cido de operaci6n (a) media cido positivo; (b) media ciclo negative.

En el siguiente medio ciclo positive, el diodo D2 no esta conduciendo y el capacitor C2 descargara a traves de la carga. Si ninguna carga esui conectada a traves del capacitor C2• ambos capacitores permaneceran cargados: C1 a Vm Y C2 a2V",. Si, como se pudiera csperar, hay una carga conectada a Ia salida del doblador.de vottaje. el voltaje a traves del capacitor C2 caera durante el medic ciclo positivo(a la entradajy el capacitor se recargara hasta2Vm durante el mcdio ciclo negative. La forma de onda de salida a traves del capacitor C2 cs Ia de una serial de media onda filtrada por un filtro capacitor. EI voltaje de pico inverse a traves de cada diodo es 2Vm.

Otro circuito doblador es el doblador de onda completa de la figura 2.122. Durante el medio cicIo positive del voltaje del secunda rio del transformador (ver figura 2.123a) el diodo DI conduce cargando al capacitor C] basta un voltaje pico V",. El diodo D2 no esta conduciendo en este memento.

cl;"

Figura 2.122 Dobiador de voltaje de onda completa.

./ No conduciendo r-~~~--~~---,

I

CI:+ = v'n

II

I

I

:+

C2::r: V,II

II

I

_* .J

D2 ~NO conduciendo

<,

D2 "<, Conduciendo

(a)

(b)

Durante el medio cicIo negativo (ver figura 2.l23b) el diodo D2 conduce, cargando al capacitor C2, mientras que el diodo Dr no esta conduciendo. Si la carga no consume corriente del circuito, el voltaje a (raves de los capacitores CI y C2 es de 2Vm• Si la carga consume corriente del circuito,el voltaje a traves de los capacitores Ct Y C2 esel mismo que a traves de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa. Una diferencia es que la capacitancia efectiva sen! lade CrY C2en serie, que es men or a la capacitancia de Cr Y C2 independientes. El valor menor del capacitor ofrecera una acci6n de filtrado mas pobre que el circuito de filtro con un solo capacitor.

El voltaje pico inverso a traves de cada diodo es de 2 V m asi como 10 es para el circuito de filtro de capacitor. En resumen, los circuitos dobladores de voltaje de media onda 0 de onda completa proporcionan a su salida el doble del voltaje pico del transformador secundario, y no se requiere de un transformador con derivaci6n central sino iinicamente un valor nominal PlV de 2V", para los diodos.

2.l2 Circuitos multiplicadores de voltaje

Figura 2.123 Medics ciclos altcrnos de opcracion para cl dobledor de volraje de onda cornplcta.

99

Triplicador y cuadriplicador de voItaje

La figura 2.124 muestra una extension del doblador de voltaje de media onda, el cual de sarrolla treso cuatro veces el voltaje picode eutradaResultara obvio a partir del patron de la conexion del circuito, la forma en que diodes y capacitores adicionales se pueden conectar de tal forma queel volta}; de salida puede ser de cinco, seis, siete, y asi sucesivamente; veces el voltaje pico basico (Vm).

+

2 V'"

Figura 2.124 Triplicador y cuadriplicador de voltaje

Durante la operacion el capacitor C[ se carga a traves del diodo D[ hasta un voltaje pico Vm durante el medio cicio positivo del voltaje secundario del transformador. El capacitor C2 se carga hasta el doble del voltaje pico 2 Vrn desarrollado por la surna de los voltajes a traves del capacitor C[ y del transformador, durante el medio cicIo negativo del voltaje secundario del transformador.

Durante el medio ciclo positivo;el diodo D, conduce y el voltaje a traves del capacitor C2 carga al capacitor C3 ,al mismo voltaje pico de 2 Vm. En el medio cicio negative, los diodos D2 y D4conducen con el capacitor C3, cargando C4a 2 Vm.

Elvoltaje a traves del capacitor C2 es 2 V"" a traves de C [ Y C3 es de 3 V"" y a traves de C2 y C4 es de 4 V",. Si se utilizan secciones adicionales de diodo y de capacitor, cada capacitor estani cargado a 2Vm. La medici6n desde la parte superior del devanado del transformador (figura 2.124) proporcionara rnultiplos impares de VIII a la salida, mientras que la medici6n del voltajc de salida desde la parte inferior del transformador ofrecera nuiltiplos pares del voltaje pico V",.

EI valor nominal del voltaje de salida del transformador es solamente Vm, a 10 maximo, y cada diodo en el circuito debe tener un valor nominal de 2 Vm PlY. Si la carga es pequeria y los capacitores tienen poca fuga, pueden desarrollarse voltajes de de extremadamente altos mediante este tipo de circuito, utilizando muchas sccciones con el fin de incrementar el voltajc de de.

2.13 APLICACIONES pRACTICAS

La gama de aplicaciones practicas para los diodos es tan amplia que seria virtual mente imposible considerar todas las opciones en una seccion. Sin embargo, para desarrollar algiin interes pOl' el uso del dispositivo en redes cotidianas, se prescntan algunas de las areas mas comunes de aplicacion, En particular, observe que el uso delos diodos se extiende mucho mas alla de la importante caractertstica de conrnutacion que fue introducida anteriormenteen este capitulo.

Rectificacion

Los eargadores de bateria son una parte de equipo domestico comun utilizado para cargar todo tipo de articulos desde baterfas para linternas pequefias hasta las baterfas marinas de larga duracion. Dado que todas ellas se conectan a una salida de ac de 120 V como las eneontradas en el hogar, la construccion basica de cada una elIas es muy similar. En cualquier sistema de earga se debe incluir un transformador para reducir el voltaje de ac a un nivel apropiado pa-

100

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

ra el nivel de de que se requiere. Un arreglo de diodos (ta~bien llamado recti!icador) debe incluirse para convertir el voltaje de ac, que varia con el nempo a un nivel fijo de de como el que se describio en este capitulo. Algunos cargadores de de incluiran tambien un regulador para proporcionar un nivel de de mas adecuado (que VIDe menos con el tie~po 0 la carga). Dado queelcargador de bateria de un auto es uno de los mas comunes, sera descrito en los

siguientes parrafos. ..." ')

EI aspecto externo y la construccion interna del Cargador de Bateria Manual Sears 6/_

AMP se muestra en la figura 2.125. Observe que en la figura 2.125 el transformador (como en la mayorfa de los cargadores) ocupa la mayor parte del ~spa~~o interno. El espacio libre adicional y los huecos en la cubierta son para asegurar la disipacion del calor que se desarrollara debido a los niveles de corriente resultantes.

Figura 2.125 Cargaclor de bale ria: (a) aspecto externo. (b) construccion interna.

2.13 Aplicaciones practicas

101

EI esquema de la figura 2.126 incluye todos los componentes basicos de! cargador. Observe prirnero que los 120 V de! enchufe se aplican directamente a traves del primario del transformador. Un valor de carga de 6 A 0 de 2 A se selecciona por media de un interrupter, que simplemente controla cuantos devanados del primario habra en el circuito para el valor de carga selcccionado. Si la bateriase encuentra cargando al nivel de2 A, primario completose conectara en el circuito y la relacion de las vueltas en el primario a las vueltas de! secundario sera maxima. Si esta eucuentra cargando al nivcl 6 A, menos vueltas del primario se concctaran en el circuito, y la proporcion caera. Cuando se estudian los transformadores, se encuentra que el voltaje en el primario y en el secundario esta relacionado directamente con la relachin de vueltas. Si la proporci6n del primario al secundario se reduce, entonces el voltaje tambicn. EI efecto inverso ocurre si las vueltas en eI secundario exceden a las del primario.

Pico 18 V

v

/

+

Concctor positive del cargador

n;::::::~"'r~_

Interrupter automdtico Mcdidorde " , , '

.de circuito corriente Con ector negative

del cargador

Figura 2.126 Esquema electrico del cargador de baterias de 1a figura 2.125.

EI aspecto general de las formas de onda se muestran en la figura 2.126 para el nivel de carga de 6 A. Observe que hasta ahora el voltaje de ac mantiene la misma forma de onda a traves del primario y el secundario. La unica diferencia esta en el valor pico de las formas en onda. A continuacion, los diodes convierten la forma de onda de ac, la cual tiene un valor promedio de cero (la forma de onda superior es igual a la forma de onda inferior), a una que posee un valor promedio (todo sobre el eje) como 10 muestra la misma figura. Por el momento hay que reconocer simplemente que los diodos son dispositivos electronicos que permiten que solo corriente convencional fluya a traves de ell os en la direccion indicada por la flecha en el sfrnbolo, Aunque las formas de onda resultantes de la acci6n del diodo tienen un aspecto de pulso con un valor pico de cerea de 18 V, este cargara la baterfa de 12 V mientras su voltaje sea mayor que el de la bateria, como 10 muestra el area sombreada, Por debajo del nivel de 12 V la baterfa no puede descargarse a traves de la red de carga debido a que los diodos permiten el flujo de corriente en una sola direccion.

En particular, observe enla figura 2.215b la gran plata metalica que conduce la corriente de la configuracion de rectificacion (diodes) ala terminal positiva decarga dela batena. Su proposito principal es proporcionarun disipadorde calor (concentra el calory lo disipahacia el aire circulante) para la configuraci6n de diodos. De otra forma los diodos eventualmente se derretirfan y autodestruirfan debido a los niveles de corriente resultantes. Cada componente de la figura 2.126 se ha etiquetado cuidadosarnente en la figura 2.l25b para referenda,

Cuando primeramente se aplica corriente a una baterfa a una carga nominal de 6 A, el consumo de corriente como 10 indica el medidor en la parte frontal del cargador se puede elevar hasta 7 A 0 casi 8 A. Sin embargo, el nivel de corriente se reducira a medida que la baterfa se cargue hasta Ilegar a un nivel de 2 A 0 de 3 A. Para unidades como esta que no cuentan con

102

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

un apagador aurornatico. es importante desconectar el cargador cuando se llega al nivel de car" ga completo; de otra forma, la baterfa se podrfa sobrecargar y dafiar. Una bateria que se encuentra en un nivel de carga de 50% puede to mar hasta 10 horas para cargarse, as! que noesperc que sea una operacion de 10 minutes. Adernas. si la bateria se encuentra en muy malas condicionesprcsentando un voltajemasbajo queel normal, la corriente inieial de.carga podria ser demasiado alta para el diseiio. Como proteccion para tales situaciones, el interrupter auto matico de circuito se abrira y detendra eJ proceso de carga. Debido los altos niveles de corriente, es importante que las instrucciones proporcionadas con el cargador se lean y apliquen cuidadosamente.

En un esfuerzo por comparar el mundo teorico con el mundo real, se aplico una carga (un reflector) al cargador para poder observar la forma de onda real del voltaje de salida. Es importante observar y recordar que un diodo a traves del cual no circula corriente no mostrara sus capacidades rectificadoras. En otras palabras, la salida de! cargador de la figura 2.125 no sera una sefial rectiticada a rnenos que se aplique una carga al sistema, para que circule una corriente a traves de los diodos. Recordar de las caracteristicas del diodo que cuando If) '" 0 A, VI> '" 0 V.

Sin embargo, al aplicar el reflector como una carga, una corrieute suficiente circula a traves del diode, para que se comporte como un interruptor y convierta a la forma de onda de ac a una de de pulsante como se muestra en la figura 2.127 para la opcion ele 6 A. Observe que la forma de onda esta ligeramente distorsionada por las caracterfsticas no lineales del transformador y por las caracterfsticas no lineales que presenta el diodo a corrientes bajas. La forma de onda, sin embargo, esta cercana a 10 que se espera cuando la comparamos con los patrones teoricos de la figura 2.125. EI valor pi co se determina a partir de la sensibilidad vertical como

Vpico = (3.3 divisiones)(5 V/divisiones) = 16.5 V con un nivel de de de

Vdc = 0.636Vpico = 0.636( 16.5 V) = 10.49 V

Un medidor de de conectac1o a traves de la carga registra 10.41 V, 10 que es muy ccrcano al nivel promedio teorico (de) de 10.49 V.

f 5 V/div

,

Figura 2.12 7 Rcspuesta pulso del cargadar de 10 figura 2.126 ante 1a aplicacion de un reflector como una carga

2ll1s/div

Se puede especular a cerca de como un cargador que tiene un nivel de de de 10.49 V puede cargar una baterfa de 12 V a un nivel tfpico de 14 V. Es simplemente cuestion de darse cuenta de que (como 10 muestra la figura 2.127) durante la mayor parte de cada pulso, el voltaje a traves de la baterfa sera mayor que 12 V Y que la baterfa estara cargando -un proceso llamado cargalenta. En otras palabras, la carga no ocurre durante el ciclocompleto, solo cuando el voltaje decargaes mayor que el voltaje de la baterfa.

Con:figuraciones para proteccion

Los diodos se usan en una gran variedad de formas para proteger elementos y sistemas de voltajes 0 corrientes excesivos, inversiones de polaridad, formaciones de arco y cortos circuitos, por mencionar algunos. En la figura 2.128a, el interrupter de un circuito simple R-L se ha cerrado, y la corriente se elevara a un nivel determinado por el voltaje aplicado y por la resistencia en seric R como 10 muestra la grafica. Los problemas pueden surgir cuando el interruptor se abre rapidamente como en la figura 2.l28b para "decir" esencialmente al circuito que I~ ~orrientedebe caer a cero casi instantaneamente, Sin embargo, usted recordara de SlIS cursos basicos de CUHU-

2.13 Aplicaciones practicas

103

---------~~-----

(b)

(a)

Figura 2.128 (a) Fase transitona de un circuito R-L sunple, (b) arco travcs del interrupter cuando esra abierto en serie con un circuito

resulta

tos que la bobina, el inductor, no permitira un cambio instantaneo en la corriente. Por 10 tanto, resultant un conflicto en la forma de un areo a traves de los contactos del interruptor cuando la bobina trata de encontrar una trayectoria de descarga. Tambien recuerde que el voltaje a traves del inductor esta directamente relacionado ala tasa de cambio en la corriente a traves del devanado (VL = L diL/dt). Cuando el interruptor se abre trata de hacer que la corriente cambie casi instantaneamente, causando que se desarrolle un voltaje muy alto a traves de la bob ina que despues aparecera a traves de los contactos para establecer el arco. Ya que se pueden desarrollar niveles de voltaje en magnitudes de millares de volts a traves de los eontactos del interruptor, estos seran muy pronto, si noinmediatamente, dafiados y por 10 tanto tambien elinterruptor.El efecto se conoce como "impulse inductive". Observe tam bien que la polaridad del voltaje a traves dela bobina durante la fase de "construccion" esopuesta a la que existe durante la fase de "liberacion". Esto se debe al hecho de que la corriente debe mantener la misma direcci6n antes y despues de que el interrupter se abre. Durante la fase de "construccion", la bob ina aparece como una carga, mientras que durante Ia fase de liberaci6n, esta tiene las caracterfsticas de una fuente. En general, por 10 tanto, siernpre hay que tener en mente que

tratar de eambiar fa eorriente a rruvcs de un elemento inductivo demasiado rapido puede dar como resultada un impulsa induetiva y esto puede daiiar a los elementos circundantes 0 al sistema mismo.

En Ia figura 2.129a la red simple anterior puede estar controlando la acci6n de un rel evador. Cuando el interrupter se cierra, la bobina se energizara, y el nivel de corriente en estado de equilibrio se establecera, Sin embargo, cuando el interruptor se abre para apagar la red, tenemos el problema que se present6 anterionnente debido a que el electromagneto que controla la accion del relevador aparecera como un devanado para la red. Una de las formas mas eco-

R

II=:

Relevador

~~

C=O.OI ~F (c)

(a)

(b)

Figura 2.129 (a) Caracteristicas inductivas de un relevador; (b) protecci6n de amortiguador para la configuraci6n de la figura 2.129 a; (c) protecci6n capacitiva para un interruptor.

104

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

nomicas pero mas efectivas de proteger el sistema de interrupci6n es la de colocar un capacitor (llamado "amortiguador") a traves de las terrninales de la bobina. Cuando el interrupter se abre, el capacitor inicialmente aparecera eOI11o un eorto para la bob ina y proporciona una trayectoria de "desvio" para la corriente de la bobina, la fuente de dey el interrupter, EI capacitor tiene las earacteristicas de un corto (muy baja resistencia) debido a las caracterfsticas de alta frecuencia del voltaje de sobrecarga como 10 muestra la figura 2.128b. Recuerde que la rcactancia de un capacitor se determina por Xc = 112 rrfC, de forma que entre mayor es la frecuencia, menor es la resistencia. Normalmente, debido a los altos voltajes de sobrecarga y a su relative bajo costo, se utilizan los capacitores de ceramica de cerca de 0.01 J.1F. Usted no deseara utilizar grandes capacitores debido a que el voltaje a traves del capacitor se acumulana mtly lentamente y retrasarfa esencialmente el desempefio del sistema. La resistencia de 100 Q en serie con el capacitor se introduce solamente para limitar la corriente de sobrecarga que resulta cuando un cambio de estado la demanda, Muchas veees, la resistencia no apareee debido a la resistencia interna de la bobina que se establece mediante muchas vueltas de alambre fino. En ocasiones, usted puede encontrar el capacitor a traves del interruptor como se rnuestra en la figura 2.129c. En este caso, las caracterfsticas de corto del capacitor a altas freeuencias libraran de la corriente a los contactos de! interruptor 10 que extenders su vida. Recuerde que el voltaje a traves del capacitor no puede cambiar instanraneamente.

En general, por tanto, los capacitores en paralelo con elementos inductivos 0 a traves de interruptores estan generalmente ahi para actuar como elementos de protecckin, no como unos elementos capacitivos tfpicos de red.

Finalmente, el diodo se usa muchas veces como un dispositivo de protecci6n para situaciones como las anteriores. En la figura 2.130, un diodo se ha colocado en paralelo con el elemento inductivo de un relevador. Cuando el interruptor se abre 0 la fuente de voltaje se desaeopla rapidamente, la polaridad del voltaje a traves de la bob ina es tal que encendera el diodo y conducira en la direccion indicada. El inductor tiene ahora un camino de conducci6n a traves del diodo en lugar de a traves de la fuente y del interruptor, protegiendo por tanto a ambos. Dado que la corriente que se estableci6 a traves de la bobina ahora debe circular directamente a traves del diode, este debe ser capaz desoportar el mismo nivel de corriente que circulaba.a traves de la bobina antes de que el interruptor se abriera. El ritmo al cual la corrientese colapsa la controlaran la resistencia de la bobina y el diodo. Este puede reducirse si se coloea una resistencia adicional con el diodo. La ventaja de la configuraci6n del diodo sobre la del amortiguador es que la reaccion y el comportamiento del diodo no son dependientes de la freeuencia. Sin embargo, la protecci6n ofrecida por el diodo no funcionara si el voltaje aplicado es alterno como el caso de ac 0 el de una onda cuadrada, debido a que el diodo 5610 conducira para una de las polaridades aplicadas. Para tales sistemas altern antes, el arreglo del "amortiguador" podrfa ser la mejor opci6n.

r->Diodo de protecclon

Figura 2.130 Proteccion par diode para un circuito R-L.

En el capitulo siguiente encontraremos que la uni6n base-a-emisor de un transistor esta polarlzada directamente. Esto es, el voltaje VBE de la figura 2.131a sera de cerca de 0.7 V positivo. Para prevenir una situaci6n en la que la terminal del emisor pudiera hacerse mas positiva que la terminal de la base por un voltaje que podria dafiar al transistor, se afiadc el diodo mostrado en la figura 2.131a. El diodo evitara que el voltaje de polarizaci6n inverso VEB exceda a 0.7 V. Ocasionalmente, usted podra encontrar tambien un diodo en serie con la terminal del colector de un transistor como 10 muestra la figura 2.131b. La aeei6n normal del tran-

2.13 Aplicaciones practicas

105

V;

Vi

lV

o

-900mV

c

B

Transistor

+

VEE Vse

LfmiteJ +

0.7 V '----~ E

E

(3)

(b)

Figura 2.131 (a) por diode para lirnitar el volujc de de un

transistor; (b) proreccion por diode para preveuir una inversion de la corrientc colecrora.

sis tor requiere que el colector sea mas positive que la terminal de la base 0 del ernisor para poder establecer una corriente de coleetor en la direccion mostrada. Sin embargo, si se pre" senta una situaci6n donde la terminal del emisor 0 de la base se encuentren a un potencial rna" yor que el de la terminal del colector, el diodo evitara la conduccion en la direccion opuesta. En general, par tanto,

los diodos se utilizan muehas veees para evitar que el voltaje entre dos puntas exceda a 0.7 V a para impedir la conducci6n C1l una direccion en particular.

Como se mucstra en Ia figura 2.132, los diodes son freeuentemente utilizados en las terrninales de entrada de sistemas tales como amplificadores operacionales (capitulo 14) para li-

0.7 V +

alta impedancia de entrada

I V

:>

700mV Ilf\

I V\J

Figura 2.132 Control por diodo de la amplitud de entrada para un amplilicador operacional 0 para una red de alta impedancia de entrada.

106

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

(a)

IOV

(b)

Figura 2.133 (a) Aspectos alternatives para la red de la figura 2.l32;

(b) Iijacion de niveles alearorios de control por medic de fuentes de de separadas.

mitar la amplitud del voltaje aplicado. Para el nivel de 400 m V la serial pasara sin problema a las terminales de entrada del amplificador operacional. Sin embargo, si el voJtaje salta a un nive! de I V, los picos positivos y negativos seran recortados antes de que se presenten en las terminales de entrada del amplificador operacional. Cualquier voltaje recortado se presentara a (raves de la resistencia en serie R;

Los diodos para control de la figura 2.132 se pueden dibujar tambien como 10 muestra la figura 2.133 para controlar la sefial que aparece en las terminales de entrada del amplificador operacional. En este ejemplo los diodos actiian mas como elementos conformadores que co" mo limitadores como 10 muestra la figura 2.132. Sin embargo, el punto es que

la colocaciqn de los elementos puede cambiar, pera suJund6npuede seguirsiendo la misma. No espere que todas las redes se presenten exactamente como usted las estudio par primer£! vez.

En general, por tanto, no asuma simplemente que siempre los diodos se utilizan como interruptores. Existe una amplia variedad de usos para el diodo ya sea como dispositivo de protecci6n 0 como limitador.

Aseguramiento de polaridad

Existen numerosos sistemas que son muy sensibles a la polaridad del voltaje aplicado. Por ejemplo, en la figura 2.134a, se asume por el momento que existe un pieza de equipo muy

2.13 Aplicaciones practicas

107

cara que podrfa dafiarse si se aplica una polaridad incorrecta. En la figura 2.34b se rnuestra Ia aplicaci6n correcta de la polaridad a la izquierda. Como resultado de esto, el diodo esta en polaridad inversa.y el sistema trabaja bien +-el diodo no tiene efecto. Sin embargo, si Ia polaridad incorrecta se aplica como se muestra en la figura 2.134c, el diodo conducira y aseguraraque no se presentaran mas de 0.7 V a traves de las terminates del sistema- protegiendolo de los voltajes excevivos de una polaridad incorrecta. Para cualquier polaridad, la diferencia entre el voltaje aplicado y el voltaje de la carga 0 del diodo, aparecera a traves de la fuente en serie 0 de la resistencia de la red.

Diodo de proteccion de polaridad (a)

Diodo abierto

(b)

(e)

Figura 2.134 (a) Protecclon de polaridad para una picza de equipo sensible y cara; Cb) polaridad correctamente aplicada: (c) aplicacion de la polaridad incorrecta.

En la figura 2.135 un medidor sensible de movimiento no puede soportar voJtajes de polaridad erronea mayores a 1 V. Con este simple disefio el dispositivo sensible de movimiento esta protegido de los voltajes en polaridad erronea de mas de 0.7 V.

.. £ POla.ridad definida para movmuento

~ sensible

.... 4-J ..

L Diodo de proteeci6n

Figura 2.135 Protecci6n para un medidor sensible de movimiento.

Respaldo de baterias control ado

En numerosas situaciones un sistema debe tener una fuente de alimentaci6n de respaldo para asegurar que el sistema seguira operando en caso de perdida de potencia. Esto es especial mente cierto para sistemas de seguridad y sistemas de iluminacion que deben encenderse durante una falla del suministro. Es tambien importante para cuando un sistema como una cornputadora 0 un radio se desconectan de su fuente de conversion de potencia de ac-a-dc para 10- grar una forma portatil. En la figura 2.136 el radio de automovil de 12 V que opera a partir de la fuente de alimentacion de 12 V, tiene un sistema de respaldo con una baterfa de 9 V en un pequefio compartimiento en la parte trasera de la radio, listo para tomar la funcion de guardar el modo del reloj y los canales almacenados en las memorias cuando el radio se retira del carro. Con los 12 V disponibles del carro, DI se encuentra conduciendo, y el voltaje en el radio sera aproximadamente de 11.3 V. D2 esta en polaridad inversa (circuito abierto), y la baterfa de respaldo de 9- V dentro del radio esta desconectada. Sin embargo,cuando el radio se

108

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Figura 2.136 Sistema de respaldo disenado para prevcnir la perdida de memoria en un radio de automovil cuando el radio se retira del auto.

retira del carro, DI ya no conducira mas, debido a que la fuente de 12 V ya no esta disponible para polarizar clirectamente al diode. No obstante, D2 se encontrara polarizado directamente por labateria de 9 V, Y el radio continuara recibiendo cerca de 8.3 V para mantener la memoria que alrnacena los modes del reloj y la seleccion de canales.

Detector de polaridad

A traves del uso de LED, de diferentes colores, la red sencilla de la figura 2.137 puede utilizarse para verificar In polaridad en cualquier punto de una red de de: .Cllando la polaridad es como la indicada para los 6 V aplicados, la terminal superior es posiuva, DI COn?UClra a traves del LEDl, y encendera una luz verde. Tanto D2 como el LED2 se encontraran en ~olanl3ci6n inversa para la polaridad anterior. Sin embargo, si la polaridad en la entrada se mvrerte, D2 Y el LED2 conduciran y encendera una luz roja, definiendo a,la terminal. superior como la terminal con el potencial negative. Parecerfa que la red trabajarta sm los diodes DI Y D] Sin embargo, por 10 general, no es bueno polarizar en forma inversa a los LEDs debido a la sensibilidad que adquieren en su fabricaci6n durante el proceso d~ dop~do. Los dIOd~s DI Y D, ofrecen una condicion de circuito abierto en serie que proporcIona cierta proteccion a los LEDs. En el estado de polarizacion directa, los diodos adicionales DI y D2 reducen el voltaje a (raves de los LEDs hasta niveles de operacion mas comunes.

Verde (+)

DI II.

Figura 2.137 Detector de polaridad mediante diodos y LEDs.

+ .... --I\J\JP\r- ..... 6V

Oferta de larga vida y durabilidad

Algunas de lasprincipales preocupaciones con eluso de bombillas de luz electricas en.I~~ senales de salida son su vida limitada (requiriendo reemplazo frecuentemente); su sensibilidad al calor, fuego, etcetera; su factor de durabilidad cuando ocurren accidentes catastr?~cos, y su alta demanda de voltaje y potencia. Por esta razon, los LEDs son muchas veces utilizados para proporcionar un periodo de vida mas largo, niveles de durabilidad mas a~t?s y un~ demanda de niveles de voltaje y de potencia mas baja (especialmente cuando se utiliza el SIstema de

respaldo de de de baterfas).

En la figura 2.138 una red de control determina cuandc una serial de EXIT (sefial en ingles

para indicar la salida) debera encenderse. Cuando se encuentra en~end!da, todos I?s LEDs e.n serie estaran encendidos, y el aviso de EXIT estara completamente iluminado, Obviamente, SI uno de los LEDs se funde 0 se rornpe, la seccion completa se apagara. Sin embargo, esta situaci6n puede mejorarse mediante la simple colocacion de LE~s en paralelo entre ca~a,dos puntos. SI se funde uno, arin se tendra la otra ruta paralela. Los diodos en paralelo reduciran, por supuesto, la corriente a traves de cada LED, pero dos a un nivel bajo de corriente pueden tener una lu-

I

E

Figura 2.138 Letrero de EXIT (SALIDA) unlizando LEDs.

2.13 Aplicaciones pnicticas

109

miniscencia similar a la de uno doble de corriente. A pesar de que el voltaje aplicado es de ac. 10 que signifiea que los diodos encender.in y apagaran al oscilar el voltajc a 60 Hz entre positivo ynegativo.Ja persiste~cia de los LEOs proporcionara una Iuz esrable para la serial.

Fijacion de los nivelesde voltaje de referenda

Los diodes Y los Zeners sc pueden utilizar para fijur niveles de referencia como se mucsrra en la figura 2.139. La red, a traves de! uso de dos diodes y un diodo Zener. esta proporcionando tres diferentes niveles de voltaje.

R ~---,---C 7,4V

+ + ~.6V - +

12 V

Figura 2.139 Suministro de diferentes niveles de referenda utilizando diodes.

06,7 Y

6Y

Establecimiento de un nivel de voltaje insensible a la corriente de carga

Como un ejemplo que claramente muestre la diferencia entre una resistencia y un diodo en una red de divisor de voltaje, considere la situacion de la figura 2.140a. donde una carga requiere cerca de 6 V para operar apropiadamenre, pero una baterfa de 9 V es todo 10 que tenemos disponiblc, Por elmomento asumiremos que las condiciones de operacion son tales que la carga tiene una resistencia interna de I kQ. Utilizando la regla del divisor de voltaje, podemos facilrnente determlnarquela resistcnciaen serie debe ser de470 fl (valor comercialmente disponible) como se muestra en la figura 2.140b. EI resultado es un voltaje a traves de la carga de 6.1 V, una situacion aceptable para la mayona de las cargas de 6 V. Sin embargo, si las condiciones de operadon de la carga cambian y la carga ahora tiene una resistencia interna de s610 600 fl, el voltajc de carga caera a cerca de 4.9 V, y el sistema no operani correctarnente. Esta sensibilidad a la resistencia de la carga puede eliminarse conectando cuatro diodos en serie con la carga como se muestra en la figura 2.140c. Cuando los cuatro diodos conducen, el voltaje de la carga sera de

R

+

I kf1 VII,,= 1 kH(9 V) ,,6 I V

I kH+470fl '

(a)

(b)

+0,7 V- +0.7 Y- +0.7 V- +0,7 V-

+

6,2 V (can RL = I k!1 0 600 f1)

(c)

Figura 2.140 (a) leOmo manejar una carga de 6 Y con una Iuente de 9 V?; (b) mediante un valor de resistencias Iijas: (e) mediante una cornbinacion de diodes en sene.

no

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

cerca de 6.2 V, independientemcnte de la impedancia de carga (dcntro de los lunites del dispositivo, por supuesto); la sensitividad a las caractensricas de la carga cambiante ha sido eliminada.

Regulador de AC y Generador de Ondas Cuadradas

Dos Zeners conectados con polaridades opuestas, respecto al voltajc de alimentacion, pueden rambien usarse como un regulador de ac como se rnuestra en 1'1 figura 2.14Ia. Para la sefial senoidal Vi el circuito aparecera como muestra la figura 2.141 b en el instantc en que v, '" to V. La region de operacion de cada diodo se indica en la figura adjunta. Observe que 21 se encuentra en una region de impedancia baja, mientras que la impedancia de Z2 es muy grande. correspondiendo con la rcprcsentacion de circuito abierto. EI resultado es que = Vi cuando Vi = to V. La entrada y la salida se continuara "siguicndo" hasta que Vi alcanza -20 V. Z, entonces se "eocendera' (como un diodo Zener), rnientras que Zt se encontrara en una region de conduccion con un nivel de resistencia suficientemente pequerio, cornparado con la resistencia en serie de 5 kfl, como para ser considerado un circuito cerrado, La salida resultante para el tango completo de Vi se proporciona en la figura 2.141 a. Observe que la forma de onda no es puramente senoidal, pero su valor rnis es menor que el asociado con una serial de pico completa de 22 V. La red efectivarnenre limita el valor rms del voltaje disponible, La red de la figura 2.141a puede extcnderse hacia la de un simple generador de ondas cuadradas (debido a la accion recortadora) si la senal Vi se incrementara a quiza un pi co de 50 V con Zeners de to V como 10 muestra 13 figura 2.142 con la forma de onda resultante.

Vi
+ 5kQ +
z,
Vi 20V< VO
rot Zeners rol
Z2
V
(a) v

(b)

Figura 2.141 Regulacion senoidal de (a) reguladar de ac seuoidnl de 40 V

pica a pIca; (b) opcracion del circuito cuando Vi = 10 V

+ 5kQ + +
10V\ lOY
Vi Vo
2it rot Zeners -10 V Figura 2.142 Generador simple de ondas cuadradas.

2,13 Aplicaciones practicas

111

2.14 RESUMEN

Conclusiones y conceptos importantes

I, Las caracterfsticas de, undispositivo no son alteradas por la red ell la que plea, La red.simplementedeterminaelpunto de operacion del dispositive.

2. EI punto de operacion de una red se deterrnina por la lntersecclon de la ecuacion de 13 red y de una ecuacion que define las caracterfsticas del dispositive.

se em-

3. Para la mayorfa de las aplicaciones, las caracteristicas del diodo pueden definirse simplemente por el voltaje de umbral en la regi6n de polarizaci6n directa y por un circuito abierto para voltajes aplicados menores que el valor del umbral.

4. Para determinar el estado de un diodo solo piense en el lnicialmente como una resistencia, y encuentre la polaridad del voltaje y la direccion de la corriente convencional a traves de el. Si el voltaje que se le aplica tiene una polaridad directa y la corriente tiene una direcci6n que coincide con la flecha en el simbolo, el diodo se encuentra conduciendo.

5. Para determinar el estado de los diodos empleados en una compuerta logics, primero haga una estimaci6n razonable acerca del estado de los diodos y despues pruebe sus suposiciones. Si su estirnacion es incorrecta, reffnela e intente nuevamente hasta que el analisis verifique las conclusiones.

6. La rectificaci6n es un proceso en donde una forma de onda aplicada que cuenta con un valor promedio cero es cambiada a una que tiene un nlvel de de. Para sen ales aplicadas de mas de algunos volts, la aproximacion del diodo ideal puede ser normalmente aplicada.

7. Es muy importante respetar el valor nominal PIV del diodo que se selecciona para una aplicaci6n en particular. Simplemente determine el vo\taje maximo a traves del diodo bajo condiciones de polarlzaclon directa, y comparelo con el valor nominal de las caracterfsticas. Para la media onda tfpica y para los rectificadores tipo puente de onda completa, este es el valor pico de la serial aplicada. Para el rectificador de onda completa que utiliza un transformador con derivacion central; CT, este es eldoble del valorpico (el cual puede llegar a ser muy alto),

8, Losrecortadores son redes que "recortan" parte de la sefial aplicada ya sea para crear' un tipo especffico de sefial 0 para limitar el voltaje que puede ser aplicado a una red.

9. Los cambiadores de nivel son redes que "cambian" la sefial de entrada a un nivel diferente de de, En cualquier caso, la amplitud "pico a pico" de la sefial aplicada permanecera siendo la misma,

10. Los diodos Zener son diodos que hacen uso eficaz del potencial de ruptura Zener de la caracterfstica de una union ordinaria p-n con el objetivo de proporcionar un dispositivo de gran importancia y aplicacion. Para la conduction Zener, la direcci6n del flujo convencional es opuesta a la flccha en el sfrnbolo, La polaridad bajo la conduccion es tambien opuesta a la del diodo convencional.

11. Para determinar el estado del diodo Zener en una red de de, simple mente elimine el Zener de la red, y determine el voltaje de circuito abierto entre los dos puntos donde el diodo Zener se encontraba conectado original mente. Si este es mayor que el potencial Zener y tiene la polaridad correcta, el diodo Zener se eneuentra en el estado de "encendido".

12. Un duplicador de voltaje de onda completa 0 de media onda emplea dos capacitores; un triplicador, tres capacitores, y un cuadruplicador, cuatro capacitores. De hecho, para cada uno de estes, el mimero de diodos es igual al mimero de capacitores.

Ecuaciones

Aproximado:

Silicio: VI' = 0.7 V; ID se determina por la red.

Germanic: VI' = 0.3 V; ID se determina por la red.

Ideal:

VI'= 0 V;

ID se determina porIa red.

Il2

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Para la conduccion:

Rectificador de media onda:

Rectificador de onda complete:

Vdc '" 0.636Vm

2.15 ANAuSIS POR COMPUTADORA PSpice para Windows

CONFlGURACION DE mODOS EN SERlE

EI PSpice para Windows se aplicara ahora a la red de la figura 2.29 para perrnitir una comparaci6n con la solucion calculada a mano. Como se describio brevemente en el capftulo I, la aplicaci6n del PSpice para Windows requiere que prirnero se construya la red en la pantalla de representaci6n esquematica, En los siguientes parrafos examinaremos las bases para la configuracion de la red en la pantalla, asumiendo que no existe una experiencia previa de este proceso. Puede ser util hacer referencia a la red completa de la figura 2.143 al tiempo que progresamos en la discusi6n.

Figura 2.143 Analisis mediante PSpice para Windows de una configuraci6n de diodes en serie,

En general, es mas facil dibujar la red si la cuadricula aparece en la pantalla y se estipula que todos los elementos estan sobre la cuadrfcula. Esto asegurara que todas las conexi ones se hagan entre los elementos. La pantalla puede ser configurada inicialmente mediante la elecci6n de la funcion Options (Opciones) en la parte superior de la pantalla esquematica, seguida pOl' Display Options (Opciones de Despliegue). EI cuadro de dialogo Display Options Ie permitira efectuar todas las opciones necesarias de acuerdo con el tipo de despliegue deseado. Para nuestros prop6sitos escogerernos Grid On (Cuadrfcula visible), Stay on Grid (Apegarse a Cuadricula), y Grid Spacing (Espaciamiento de la Cuadricula) a 0.1 pulgadas.

R

La resistencia R sera la primera en ser coloeada. Mediante un clic sobre el icono de Get New Part (el icono en la parte superior derecha del area con los binoculares) seguido por Libraries (Bibliotecas), podemos escoger la biblioteca Analog.slb de elementos basicos, Podemos entonees desplazar la lista de partes (Part) hasta encontrar R. Haciendo clic sobre la R seguido por OK aparecera el cuadro de dialogo Part Browser Basic el cual reflejara nuestra eleccion de un elemento resistive. Al seleccionar Ia opcion Place & Close colocaremos el elemento resistivo en lapantalla y cerrarernos el cuadro de dialogo. La resistencia aparecera de forma horizontal, locual es perfecto para la Rj de la figura 2.99 (observe la figura 2.143). Mueva la resistencia a una locaIizaei6n logica, y haga clic en el boron izquierdo del rat6n, con 10 cual, la resistencia R j estara en su lugar. Observe que esta se ajusta a la estructura cuadriculada, La resistencia R2 se debe colocar a la derecha de RI. Con simplemente mover el raton ala derecha, la segunda resistencia aparecera, y R2 se podra colocar en ellugar apropiado con un clic subsiguiente del rat6n. Dado que la red tiene solo dos resistencias, el deposito de las resistencias puede terminarse mediante un clic derecho del raton. La resistencia R2 se puede rotar presionando las teclas Ctrl y R simultaneamcnte 0 mediante la eleccion de Edit en la barra del menu, seguido por Rotate.

2.15 Analisis por computadora

113

.. ~

EI resultado de 10 anterior son dos resivtencias con las etiquetas corrcctas pero con valores erroneos. Para cambiar un valor, hag a doble clie en el valor de la pantalla (primero Rl ). Aparecera un cuadro de dialogo llarnado Set Attribute Value (Establecer Valor del Atributo). Teclee en ella el valor correcto, y rnandeel valor a la pantalla con un OK. Los 4.7 Hl aparewan dentro de un cuadro quepuede Ser mo\'ido mediante un simple clic sobre el pequeiio cuadro mienrras sostiene el boton. rnueva los 4.7 kG Ia localizacion deseada. Libere el boron y la etiqueta de 4.7 kG permaneceni donde fue ubicada. Una vez colocada, un clic adicional en cualquier parte de la pantalla eliminara los cuadros y terminara con eI proceso. Si usted desea mover los 4.7 Hl en el futuro, sirnplemente haga un solo die sobre el valor y los cuadros rcaparcceran. Repita 10 anterior para el valor de la resistcncia R2.

Para eliminar (recortar) uri clemento, simplernente hag a die sobre el (para establecer el

rojo 0 color activo), y despues haga clie en el ieono scissors 0 utilice la secuencia

Edit-Delete (editar-borrar).

E

Las fucntes de voltaje se establecen mediante 13 biblioteca source.slb del Library Browser y mediante la eleccion de VDC. AI hacer clie sobre OK aparecera un sfrnbolo de Ia fuente en el esquema. Este sfrnbolo puede ubicarse como se requiera, Dcspues de colocnrlo en el lugar apropiado, aparecera una etiqueta VI. Para cambiar la etiqueta El simplemente haga dos veces die en VI y un euadro de dialogo llamado Edit Reference Designator (Editar Indicativa de Referencia) aparecera. Cambie la etiqueta a El y haga die en OK, y entonees El aparecera en la pantalla dentro de un cuadro. EI cuadro puede moverse de la misma forma que las etiquetas de las resistencias. Cuando usted tenga la posicion correcta, simplemente haga clic una vez mas y coloque el E1 como se desee.

Para estableeer el valor de £1, haga clie sobre el valor dos veces y aparecera el Set Atribute Value. Fije el valor a 10 Y Y haga clic sobre OK. EI nuevo valor aparecera en el esquema. EI valor puedc fijarse tambien haciendo die en el simbolo de batena dos veees, despues de 10 cual aparecera un cuadro de dialogo etiquetado como El ParfName: VDC. Mediante la eleccion de DC = 0 V, DC y Vahle, apareceran en las areas designadas en la parte superior del cuadro de dialogo, Con lu ayuda del raton traiga el marcador al cuadro de Value y cambielo a.IO V. Despues haga clic en SaveAttr, (Guardar Atributo) paraestarseguros ygrabar el nuevo valor, y despues un OK resultara en £1 carnbiado a 10 V. EI puede establecerse ahora, pero este seg.uro de girarlo 1800 con las operaciones apropiadas.

DIODO

EI diodo se encuentra en la biblioteca EVAL.sIh del cuadro de dialogo Library Browser.

Al seleecionar el diodo DIN4148 seguido por un OK y un Close & Place se colocara el sfrnbolo del diodo en la pantalla. Mueva el diodo a la posicion correcta, col6quelo con un c!ic izquierdo, y finalice Ia operacion con un clic derecho del rat6n. Las etiquetas Dl y DIN4148 apareceran cerea del diodo. Al hacer un clic en cualquier etiqueta se proporcionaran los cuadros que permitiran el movimiento de las ctiquetas.

Daremos un vistazo a las especificaciones del diodo mediante un clic en slmbolo del diodo una vez, seguido por la secuencia Edit-Model-Edit Instance Model (Editar Modelo ejemplo), Por el momento, dejarcmos los parametres como estan listados. En particular, observe que Is = 2.682nA y la capacitancia terminal (importante cuando la frecucncia aplicada se convierte en factor) es de 4pF.

IPROBE

Una 0 mas corrientes de una red pueden desplegarse mediante la insercion .de un IPROBE, en~ayo,en In trayectoria deseada. IPROBE se .. encuentra en la bibliotecaSPECIAL.slb y aparece como la caratula de un medidor en la pantalla. El IPROBE respondera con una respuesta positiva si la corriente (convencional) ingresa al simbolo al final con el arco representando la escala. Dado que estamos buscando una respuesta positiva en esta investigacion. IPROBE se debe instalar como 10 muestra la figura 2.143. Cuando el simbolo aparece por primera vez, se encuentra 1800 [uera de fase con la corriente deseada. Por tanto, es necesario utilizar la seclIeneia Ctrl- R dos veces para rotar el simbolo antes de finalizar su posicion. De la misma forma que con los elementos descritos anteriormente, una vez que este se encuentra coloeado, un solo elie colocara el medidor y un clie con el boton derecho completllni el proceso de insercion.

ll4

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

LiNEA

Los elementos ahora necesitan ser conectados mediante la eleccion del icono con la linea del gada y un lapiz 0 por la secuencia Draw-Wire (Dibujar-Cable). Aparccera un lapiz que puede dibujar las conexiones deseadas de la siguiente forma; mueva el lapiz al principio de la

linea y haga die en el izquierdo del. raton, EI lapiz ahora esta para dibujar. Dibuje

la linea deseada y haga clic en el boton izquierdo nueva mente cuando la conexi on

en rojo, esperando por otro die aleatorio del raton 0 par Ia insercion de otra linea. se volvera verde para indicar que se cncuentra en memoria. Para las lfneas adicionales, simplemente repetir el procedirniento. Cuando este terminado, simplemente haga clic en lado derecho del raton.

EGND

EI sistema debe con tar con tierra para servir como punto de referenda para los voltajes nodales. La tierra (EGND, por su termino en ingles Earth GmuND) parte de la biblioteca PORT.slb y puede colocarse de la misma forma que los elementos descritos anteriormente.

VIEWPOINT

Los voltajes nodules pueden desplcgarse sobre el diagrama despues de la simulacion utiIizando VIEWPOINTS (puntos de vista), el cual se encuentra en la biblioteca SPECIAL.slb. Simplemente coloque la flecha del sfrnbolo VIEWPOINT donde se dcsee conocer el voltaje con respecto a la tierra. Un VIEWPOINT puede colocarse en cualquier nodo de la red si es necesario, aunque solo tres estrin ubicados en la figura 2.143. La red esta ahora completa, como 10 muestra la figura 2.143.

ANALISIS

La red esta ahora lista para ser analizada, Para acelerar el proceso se oprime Analysis (Analisis) y se elige Probe Setup (Conflguracion de la Prueba). Mediante la seleccion de Do not auto-run Probe (no autoejecutar la prueba) se ahorran pas os interrnedios que son inapropindos para este analisisies una opcion que sera discutida mas tarde en este capitulo. Despues de OK, ir a Analysis y seleccionar Simulation. Si la red estuvo apropiadamente instalada, un cuadro de dialogo PspiceAD aparecera y mostrara que Iospuntos de polarizacion (de de) han sido calculados, Si salimos del cuadro mediante un clic en la pequefia x en la parte superior de la esquina derecha, obtendremos los resultados que aparecen en la figura 2.143. Observe que el programa ha proporcionado automaticamente cuatro voltajes de de de la red (adem as de los voltajes VIEWPOINT). Esto ocurri6 debido a una opcion habilitacla dentro de analisis. Para analisis futures querernos controlar 10 que se despliega por tanto siga el camino a traves de Analysis-Display Results on Schematic y pase sobre el cuadro adjunto Enable. Haciendo elie sobre el cuadro Enable se rernovera la marca, y los voltajes de dc no apareceran automaticamente, Estes apareceran ahora solamente donde se inserten los VIEWPOINTS. Un camino mas directo para controlar la apariencia de los voltajes de de es el de usar el icono de la barra del menu con la letra V. Al hacer die en ella y dejarla activada 0 desactivada, listed puede controlar si los niveles de de de la red apareceran 0 no. EI icono con la letra I permitira que todas las corrientes de de de la red se muestren si se desea, Para practical', haga clic para aetivarla y desactivarla y observe el efeeto en el esquema. Si usted desea eliminar los veltajes de de seleccionados del esquema, simplemente haga clie sobre el voltaje nodal de interes, despues haga clic sohre el icono con la letra mas pequefia V en el mismo grupo. Al haeer elie una vez se removeran los voltajes de de seleccionados. Lo mismo se puede hacer para las corrientes seleccionadas con el ieono restante del grupo. Para el futuro se debera observar que un analisis puede tambien seriniciado mediante el simple clie sobre el ieono de Simulation (simulacion) que tienc el fonda amarillo y las dos forrnas de onda (onda cuadrada y senoidal).

Observe tambien que los resultados no coinciden exactamente con aquellos obtenidos en el ejemplo 2.11. EI voltaje VIEWPOINT en el extrerno derecho es de -421.56 en vez de -454.2 mY obtenido en el ejemplo 2.11. Ademas, la corriente es de 2.081 en lugar de 2.066 mA que se obtuvo en el rnismo ejemplo. Es mas, el voltaje a traves del diodo es de 281.79 mY + 421.56 mY =: 0.64 V en lugar que el 0.7 V asumido para todos los diodes de silicio, Todo esto es el resultado de nuestra utilizaeion de un diodo real con una larga lista de variables que definen su operacion. Sin embargo, es importante recordar que el anal isis del ejemplo 2.11 fue un aproximado, y por 10 tanto, es de esperarse que los resultados sean solo cercanos a la respuesta real.

2.15 Analisis por computadora

llS

Por otra parte, los resultados obtcnidos para el voltaje y la corriente nodal son muy cercanos. Si se roman hasta una exactitud de decimales, las corrientes (2.1 mAl coinciden exnctamente,

Los resultados obtenidos en la figura 2,143 se pueden mejorar (en el sentido deque ellos coincidiran mas cercanamente con la solucion realizada a mano) mediante un clic .en el diodo (para colorearlo de rajo)y el usa de la secuencia Edit-Model-Edit Instance Model (Text) para obtener el cuadro de diiilogo Model Editor. Escoja Is = 3.SE-lSA (un valor determinado pOI' prueba y error), y borre todos los dcmas para metros del dispositive. Despues, prosiga con el icono OK-Simulate para obtener los resultados de la figura 2.144. Observe que el voltaje a traves del diodo ahara es de 260, l7 mV + 440,93 mV = 0,701 V, a casi exactamente 0,7 V. El voltajc VIEWPOINT es de -440,93 V, a nuevamente, una coincidencia casi perfects can la solucion rcalizada a rna no de -0.44 V. En cualquier caso, los resultados obtenidos son muy cercanos a los valores esperados, Uno de ell os es mas preciso en cuanto al dispositive real se refiere, mientras que el otro proporciona un ajuste casi perfecto can la solucion realizada a mana, Uno no puede esperar una coincidencia perfecta para todos los diodes de la red mediante la simple fijacion de I, a 3.5E-15A. En la medida en que la corriente a traves del diodo cambia, el nivel de Is debe cambiarse tambien si se desea obtener una coincidencia exacta con la solucion efectuada a mana, Sin embargo, en lugar de preocuparse par la corriente en cada sistema, se sugiere que I, = 3.5E- I 5A se emplee como valor estandar si se desea que la solucion de PSpice coincida mas ccrcanamente con la solucion realizada 11 mano, Los resultados no seran siempre perfectos, pew en la mayoria de los casas seran mas cercanos que si los parametres del diodo se dejan en sus valores implicitos, par "default". Para los transistores, en los capftulos siguientes, se fijara a 2E-15A para obtener una coincidencia apropiada can la solucion realizada a mano, Observe tambien que el Bias Current Display (Despliegue de la Corriente cle Polarizacion) se encontraba habilitada para mostrar que la corriente es de hecho la misma en cualquier parte del circuito.

110.00\1 R1 (260,17m\1 01 -44Q,93mV

~ 4;7k j2072mAlg;N4148 ~93m\1 R2l2,2k

1~

E2 -=- 5V

~J

E1~10V 112,072mAl

Figura 2.144 EI circuito de la figura 2,143 reexaminado can I, fijada en 3.5E-15A.

Los resultados se pueden ver tambien en forma tabulacla regresando a la funcion Analysis y eligiendo Examine Output (Analizar la Salida). EI resultado es ellargo listado de la figura 2.145. La funcion Schematics Netlist describe a la red en terminos de nodos numerados. EI 0 se refiere al nivel de tierra, con la fuente de 10 V del nodo 0 al 5, La fuente E2 va del nodo 0 al 3, La resistencia R2 esta conectada del nodo 3 al 4 y as! sucesivamente. Desplazando hacia abajo el documento de salida, encontramos al Diode MODEL PARAMETERS (Parametros del Modelo para el Diodo) que claramente muestra que Is esta fijo en 3.SE-15A y es el rinico panimetro listado, La siguiente es la SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (Soluci6n a serial pequefia can polarizacion) a soluci6n de de, presentando los voltajes en varios nodos. Ademas, se muestra la corriente a traves de las fuentes de la red, EI signo negativo indica que esta reflejando ladirecci6n del flujo de electrones (a la terminal positivaj.La disipacion total de potencia delos elementos es de Sl . 1 mW. Finalmente, el OPERATING POINT INFORMATION (informacion del punta de operacion) revela que.la corriente a traves del diodo es de 2,07 mA y que el voltaje a traves del diodo es de 0,701 V.

Ahora el analisis estu completo para el circuito del diodo de interes. Sin embargo, no hemas tocado todas las vias alternas disponibles de PSpice Windows, pero se ha cubierto 10 suficiente como para examinar cualquiera de las redes cubiertas en este capitulo can una fuente de de, Para practicar, los otros ejemplos deben ser examinados usando el enfoque de Windows dado que los resultados se proporcionan pOl' comparacion. Lo mismo puede decirse para los ejercicios de ruimcro irnpar al final de este capitulo.

116

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

CUtCU!T OeSCR!?T::O~1

'" **:1< '" *'" "'* *. '" ** "' *.., "' It •••••••• *. ** ••••••• *** It.* ••••• _ •• * •• *. lit ...

'" scneee e.ree ~etli$t '"

RJl,l 'N:..,OOOl .$N:..,0001 4.7.

VJ2 0 .N:..,OOO} SV

RJl,2 $rL0003 $1L0004 2.2<

VJl $N:..,0005 0 10V

D_01 'N:..,OOOl $N:..,0004 D1N4148 ·X2

v_V3 $'1_0005 $N:..,0002 0

Diode MODEL PARAMETERS

D1N'14S~x2

IS 3. 500000E-15

SMAL,L SIGNAL BIAS SOLUTION

TSMl'ERATURE = 27,000 DEG C

NODE VOLTAGE

NODE VOLTAGE

NOD! VOLTAGE

(.N:..,OOOl) ,2602

('N:..,0003) '5.0000

($N:..,OOOS) 10,0000

($N:..,0002) 10,0000

($N:..,0004) •• 4409

VOLTAGE NAME

V_E2 ·2, 072E·03

V &1 ,2.072E·03

v:V3 2. 072E' 03

TWAL POWER D1SSIPATION 3, 11E' 02 WATTS

OPERATING l'OTh"T INFORMATION

•••• DIOCES

NAME DJll

MODEL D1N4148'X2

ID 2,07&-03

VD 7.01E·01

REO 1.2St+01

CAP O.OOE+OO

CARACTERISTlCAS DEL DIODO

Las caracterfsticas del diodo DIN4148 usadas en el anal isis anterior, se obtendran ahara utilizando algunas maniobras algo mas sofisticadas que aquellas empleadas previarnente. Primero se construye la red de la figura 2,146 usando los procedimientos descritos arriba, Observe, sin embargo, el Vd que aparece por encima del diodo Dl. Un punto en la red (representando el voltaje del anode a tierra para el diodo) se ha identificado como un voltaje en particular mediante un doble clic en el cable de eneima del dispositivo y tecleando V d en el Set Attribute Value en la etiqueta (LABEL). EI voltaje resultante Vd es, en este caso, el voltaje a traves del diodo.

Luego, elija el AnalysisSetupya sea haciendo elk en el icono de Analisis Setup (en la esquina superior izquierda delesquema que tiene una bam horizontal azul y los dos pequefios cuadrados y rectangulos) ousando la secuencia Analysis-Setup. Dentro del recuadro Anaiysis Setup active el recuadra de DC Sweep (barrido de DC) (el iinico necesario para este ejercicio), seguido por un solo elie clel rectangulo del DC Sweep. EI reeuadro de DC Sweep aparecera con varias preguntas. En este caso, planee barrer el voltaje fuente de 0 a 10 V en incrementos de 0,0 I V, asf que el Swept Var. Type (tipo de variable a barrel') sera la Fuente de Voltaje, el Sweep Type (tipo de barrido) sent lineal, el Name (nombre) E, y el Start Value (valor de inicio) 0 V, el End Value (valor final) 10 V, Y el Increment (incremento) 0,01 V. Despues, con un OK seguido pOI' un Close del Analysis Setup, esta preparado para obtener la solucion. EI analisis que

2.15 Analisis por computadora

Figura 2,145 El archivo de salida para el analisis de PSpice Windows del circuito de la

2.144.

R

L~>~'t'" IVd

E '-' OV 01 SZ D1N4148

I

Figura 2.146 Reel para obtcncr las caractertsticas del diodo DIN4148.

117

se realizara obtendrri una solucion cornpleta para la red para cada valor de E desde 0 a 10 V en incremcntos de O.Ot V. En otras palabras, la red se analizara 1000 veces y los datos resultantes almaccnados para laque obtenga. El analisis se desarrolla por la secuencia AnalysisRun Probe, seguida por la inmediata de la graticaMicroSim Probe quemuestra solo un eje horizontal del voltaje fuente E COil valores de 0 a 10 V.

Dado que la grafica que se requiere es la de Iv en lugar de VI). tenemos que cambiar el horizontal (eje .r) a \fl). Esto se logra con la Plot (gratica) y despues X-Axis Settings (configuracion del eje x) para obtener el cuadro de dialogo de X Axis Settings. Despues, hacemos clic sobre la opcion Axis Variable (eje variable) y seleccionamos V(Vd) del listado. Despues de presionar OK, regresamos al cuadro de dialogo para fijar la escala horizontal. Seleccione User Defined, despues ingrese () Val V dado que este es el intervalo que interesa de V d con una escala lineal, Linear. Haga clic en OK y encontrara que el eje horizontal es Mora V(Vd) con un range de () a 1.0 V. EI eje vertical tiene ahora que configurarse para I[) seleccionando primeramente la opcion Trace (rrazo) (0 con el icono Trace, el cual tiene una onda roja con dos picos y un par de ejes) y despues Add (agregar) para obtener Add Traces. Seleccionando 1(D1) y haciendo die en OK tendremos como resultado la de la figura 2.147. En este caso, la grafica resulranre se extiende de 0 a 10 rnA. El ran go pucdc reducirse 0 cxpandirsc mediante Plot-Yaxls Setting (configuracion de la grafica del eje Y) y definiendo el range de interes,

Figura 2.147 Caractertsticas del diode DlN4H8

En el analisis previo, el voltaje a traves del diodo fue de 0.64 V, eorrespondiente a una corriente de aproximadarnente 2 rnA en Ia grafica (recuerde la solucion de 2.07 rnA para la corrientel. Si la eorriente resultante hubiera estado cerca de 6.5 mA, el voltaje a traves del diode habria sido de cerea de 0.7 V Y la solucion de PSpice estaria mas cercana a la de la solucion realizada a mano, Si Is se hubiera establecido a 3.5E-15A y todos los dernas parametres se hubieran eliminado del listado del diode, la curva se habria desplazado a la derecha y se hubiera obtenido una intersection de 0.7 V y 2.07 mA.

Electronics Workbench

EI procedimiento para ingresar un circuito dentro de EWB sera descrito ahora para la verificacion de los resultados del ejemplo 2.15 el cual contiene dos diodes en configuraci6n de serie-paralelo.

Primero, se selecciona el icono Multisim y el cursor se coloca sobre el boron del deposito de partes fuentes (Sources). Haciendo die con el boron izquierdo del raton, aparecera una lista de las fuentes entre las cuales se encontrara el slrnbolo de fuente de voltaje de de. Una vez seleccionado este, un simbolo de fuente de de aparecera en el esquema con tres rectangulos, Al mover el raton se permitira mover la fuente hacia cualquier punto en la pantalla. Despues de seleccionar una posicion en algun Ingar a la mitad de 1<\ pantalla, haga un clic adicional con el

lIS

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

boron izquierdo. y la fuente se evtahlecera con una etiqueta como Vi y 12 V. EI valor imphcito, por default, de Ia fuente es 12 V, pew este voltajc puede carnbiarse con un doble die sobre el simbolo de la fuente de voltaje para obtcner el cuadro de dialogo de Battery (bateria). Sc-

leccione Value (valor) en In pane y carnbie a 20 V para nuestro ejernplo. die

sobre OK, y 20V apareceraal lado de el esquema como 10 muestra lafigura 2.148.

Si llamararnos al cuadro de dialogo Battery nuevarnente y sclcccionaramos Label, podriarnos carnbiar la etiqueta de V I a E para que coincidiera con nuestro ejernplo. Finalmente, etiquetas se pueden colocar en cualquier lugar alrededor del sfmbolo de baterfa simplemente mediante un clic sobre la etiqueta 0 el valor de interes y despues, mientras se sostiene el boton de! raton, moverlo hacia el Ingar deseado. Las resistencias se pueden establecer ahora mediante la seleccion del boton Basic Parts Bin (deposito de partes basicas y, cuando la barra de herramientas aparezca, seleccione Virtual Resistor para que los val ores puedan establecerse.

Al seleccionar la opcion de la resistencia directa, se desplegara un listado de rcsistencias fabricadas. Entonees proceda de la misma forma en que se procedio con Ia baterfa para colocar la resistencia y establecer la etiqueta y el valor. Para el caso de los diodos, seleccione el simbolo del diodo y debajo del cuadro de dialogo Component Browser escoja el diodo IN4446 y coloquelo como se seilalo arriba, Si usted selecciona el diodo Virtual, se limitara a un diodo ideal. Finalmente, regrese al boron Source parts bin, y seleccione la tierra de la parte superior de la barra de herramientas y coloquela en un lugar apropiado. Por ultimo, los medidores 0 indicadores deben estar colocados para poder obtener las cantidades que queremos del analisis,

EI programs Electronics Workbench es una simulacion muy cercana a la experiencia en el laboratorio en el sentido de que es posible utilizar medidores por medio del icono Instruments (instrumentos) en la parte superior de la barra de herramientas, Una vez seleccicnado, once diferentes medidores apareceran en una barra de herramientas horizontal de laeual sc puede selecclonar el muItimeter (multfmetro) con 10 que nos permitira la eleccion.de un amperfmetro, un volumetro, 0 de un ohmetro: Para este ejemplo se selecciono un amperfrnetro (A) junto con la barra horizontal para indicar la lectura de de, Una vez que el multimetro, (multimcter), se ha seleccionado, dos medidores aparcceran en el esquema, uno para la red y otro para la presentacion de resultados. Otra opcion para obtener los niveles de voltaje 0 de corriente es seleccionar indicators (indicadores) de la barra de herramientas en el lado izquierdo de la pantalla. Seleccione la quinta opcion de la parte inferior que parece algo similar a una pantalla de 8 segmentos de cristal liquido LCD. Una vez que las opciones aparecen, escoja A para el amperimetro, y las opciones se presentan sobre como debera colocarse el medidor. Los indicadores apareceran como 10 rnuestra la figura 2. I 48 para el amperfmetro y el voltfrnetro.

2.15 Analisis par computadora

119

Los componcntes se pueden conectar usando Automatic Wiring (cablcado automatico).

Cuando el cursor se coloca al final del elemento seguido por un die del boron izquierdo del raton, el resultado cs una x al final de cualquier componente. Entonces, muevala al final del otro clemente y apriete elboton izquierdo del raton nuevamente: el cable aparecera con la rutarnas directa entre los elementos. Durante el proceso final, los elementos y los cables tendran que moverse.Simplemente haga clic sobre el clemente 0 elcable y mientrasmantiene apretado el boron muevalo bacia la nueva ubicacion.

Finalmente se le debe decir al paquete de software que desarrolle el analisis, uu proceso que puede iniciarse de diversas formas, Una opcion es la de seleccionar Simulate (simular) en la parte superior de la barra de berramientas seguida por Run/Stop. Otra es la de seleccionar el cuarto boron de la izquierda de la barra de Design la cual se aserneja a una enramada de una red con diodes, Nuevarnente la opcion Run/Stop aparecera la cual iniciara el analisis. Una vez que la opcion se eligio, los resultados apareceran como en la figura 2.148. Cuando e! analisis este complete, debemos asegurarnos de apagar el proceso mediante el regrew opcion Simulate y la seleccion de Run/Stop nuevamente (terrninar la prueba).

Los resultados obtenidos son muy cercanos a la solucion obtenida en el ejemplo 2.15. Las diferencias resultan del hecho de que aquf no se him la aproximacion de 0.7 V para los diodos de silicio en el estado de "encendido"; estos son diodos reales con voltajes terminales que son sensibles a la corriente. Usted notara en la figura 2.148 que los mimeros de los nodos estan definidos por los elementos y por la red. La red tiene un total de cinco nodos debido a los instrumentes aiiadidos. Si elimina los instrumentos, el numero cae a tres. La etiqueta de los nodos puede borrarse con ir a EDiTIVser PreferenceS/Circuit y al elirninar la seleccion de Mostrar el nombre de los nodes.

2. (a) Emplcando las caracterfsticas de la figura 2.149b, determine If) y Vo para el circuito de la figu-

ra 2.150.

(b) Repita el incise (a) con R 0.47 kQ. (e) Repita el inciso (a) con R = 0.18 kQ.

(d) [Elnivel de Vo es relativamente cercano a 0.7 V en calla caso?

i.Como comparan los nivclcs resultantes de If)? Comentc.

3. Determine el valor de R para el circuito de la figura 2.150 que ocasionara una corriente en el diodo de IO mA 5i E", 7 V. Uti lice las caractcnsucas de la figura 2.149b para el diode,

4. (a) Emplcando las caracterfsricas aproximadas del diodo de Si, determine el nivel de VI), To Y VR para el circuito de la figura 2.15\.

(b) Desarrollo el mismo anallsis del incise (a) utilizando el modele ideal del diodo.

(e) [Los resultados obtenidos en los incises (a) y (b) sugieren que el modele ideal puede proporcionar una buena aproximacion para Ia respuesta real bajo ciertas condiciones?

-'"

R~ 2.2kO

E. __ 5 V

Figura 2.150

y 3.

E

2.2 krl

§ 2.4 Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

5. Determine la corriente I para cada una de las ccnfiguraciones de la figura 2.152 empleando el modelo equivalente aproximado del diodo.

Figura 2.151 Problema

20Y

+

~i

"-

f

Si

+

12 Y .!~ +

IOn

lOY

IOn

PROBLEMAS

§ 2.2 Analisis de la recta de carga

Si

l. (a) Utilizando las caracterfsticas de la figura 2.149b, determine ff), VI) Y VR para el circuito de Ia figura 2.149a.

(b) Repita el incise (a) empleando el modele aproximado del diodo y compare resultados. (c) Repita el inciso (a) empleando el modele ideal del diodo y compare resultados.

(a)

(b)

(e)

Figura2.152 Problema 5.

+ Vo Si

Er

6. Determine Vo e 10 para las redes de la figura 2.153. lD

-~:

...

LL

+8V

+

i"

+

R 0.33 kfl. VR

1.2 krl

4.7krl

(a)

Figura 2.149 Problemas 1, 2.

(b)

(a)

Figura 2.153 Problemas 6, 49.

*7. Determine el nivel de Vo para cada red de la figura 2.154.

Si
~:}
4.7kn
-2Y
(b) Si

~

20Y o

(a)

(b)

Figura 2.154 Problema 7.

120

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Problemas

121

.1>+ .

'8. Determine V" e In para redes de Ia figura c.155.

t IOmA

~

22kD L2kn

(a)

Figura 2.155 Problema 8.

+2~_5V

6.8 kn Si

(b)

"9. Determine VOl Y V02 para las redes de la figura 2.156.

s:

Gt

(a)

Figura 2.156 Problema 9.

Ge Si

-10 V ~----i'a--O---JV'II\r---,--<>

3.3 kn

(b)

§ 2.5 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo

10. Determine Va e [0 para las redes de la figura 2.157.

+20 V

4.7 kD

Si

Si

(a)

Figura 2.157 Problemas 10. 50.

122

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

15 V

Si

5i

2.2kD

-5 V

(b)

11. Determine V" e I para las redes de la figura 2.158.

+tOV +l6V
I S1 t
-+
Si Ge Si st 1 kD

4.7kD

l2 V

Figura 2.158 Problema 11.

(a)

(b)

12. Determine VOl' e I para la red de la figura 2.159.

"13. Determine Va e [0 para la red de la figura 2.160.

\.

+IOV

Figura 2.159 Problema 12.

Si

§ 2.6 Compuertas AND/OR

Figura 2.160 Problemas 13, 51.

14. Determine Vo para la red de la figura 2.40 can 0 V en ambas entradas.

15. Determine Vo para la red de la tigura 2.40 con lOY en ambas entradas,

16. Determine Vo para la red de la figura 2.43 con 0 V en ambas entradas.

17. Determine Va para la red de la tigura 2.43 con lO Yen arnbas entradas.

18. Determine Vo para la compuerta OR de 16gica negativa de la figura 2.161.

19. Determine Va para la cornpuerta AND negativa de logica de la figura 2.162.

20. Determine el nivel de Vo para la compuerta de la figura 2.163.

21. Determine Va para Ia configuracion de la tigura 2.164. -5 V

IOV
s:
Si
OV
v, IOV
Si
Si
2.2 kD lkQ
-5 V lOY
Figura 2.162 Problema 19. Figura 2.163 Problema 20. 5V

Si

Ge

Figura 2.164 Problema 21.

Problemas

-5~

Si

OV

~-tl • ..--t---o v, s:

IkQ

Figura 2.161 Problema 18.

123

§ 2.7 Entradas scnoidales: rcctificacion de media onda

0----- .. 1-"='--1'---0 V"C 2 Y 22. Asurniendo un diodo ideal, dibuje Vi. I'd e id para el rectificador de media onda de la figura 2.165. La entrada es una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz.

23, Rcpita el problema 22 con un diode de silicic Wr= 0.7

24. Repita el problema 22 una carga aplicada de 6,8 k!l como lomuestra la figura 2,166. Dibuje

c iI.

25. Para la red de la figura 2.167. dibuje Vo Y determine V,'e'

Figura 2.165 Problemas 22.

124

24.

+ I'd

Ideal Vd: = 2 V

Vi O----1II>I--~--O-=;-t i[

id !

-~~

2.2kQ

+

+

Ideal

2.2 kfl

V; = llOV(nns)

Figura 2.166 Problema 24.

Figura 2.167 Problema

* 26. Para la red de la figura 2.168, dibuje Vo e iR'

/ lOY

+

+ ~IQkQ v"

o

Figura 2.168 Problema 26.

*27. (a) Dado Pm', '" 14 mW para eada diodo de la figura 2.169, determine el valor nominal maximo

de la corriente de eada diodo (usando el modele equivalente aproximado). (b) Determine 1m" cuando Vim'" = 160 V.

(c) Determine la eorriente de cada diodo a Vim'" usando los resultados del inciso (b).

(d) Si s610 un diodo estuviera presente, determine la corriente del diodo y comparela can el valor nominal maximo.

Vi Si i.:
-
+
Vi Si 4.7 kQ 56 kQ Figura 2.169 Problema 27.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

§ 2.8 Rcctificacion de onda completa

28. Un rectificador de onda cornplera tipo puente con una entrada senoidal de 120 V rms riene una resistencia de carga de 1 kil.

(a) Si se emplean diodos de silicic, Lcual es el de disponible en carga?

(b) Determine el valor nominal de PlY requerido para cada diode,

(c) Encuentre la corriente maxima a traves de cada diodo durante la conduccion. (d) "emU es el valor nominal de potencia requerida por cada diodo?

29. Determine Vo Y el valor nominal requerido de PlY para cada diodo de la configuracion de la figura 2.170.

+

Diodes ide ales

v,

+

o------------¥

2.2 kQ

Figura 2,170 Problema 29.

*30. Dibuje Vo para la red de la figura 2.171 y determine el voltaje de de disponible.

+

Diodos ideales

+

2.2 kQ

2.2 kQ

2.2 krl

Figura 2,171 Problema 30.

* 31. Dibuje Vo para la red de la figura 2.172 y determine el voltaje de de disponible.

+

Vi

Figura 2.172 Problema 31.

Problemas

125

§ 2.9 Rccortadores

32. Determine v() para cada red de la FIgura 2.173 para 1£1 entrada rnostrada.

v,

20 V

-20 V

Figura 2.173

Si

~ ~Hnro

0--- -c

5 V Ideal

0---11 ~ 1

+ "

~-±

33. Determine Vo para cad a red de la FIgura 2.174 para la entrada mostrada.

Figura 2.174 Problema 33,

(b)

*34. Determine Va para cad a red de la figura 2,175 para la entrada mostrada.

o

-'5 V

Figura 2.175 Problema 34,

126

2V Ideal
0----1
+ +
Vi IkO \'0 (a)

Capitulo 2 Aplicaciones de diodes

Ideal

V~"

',. mo

+5V

(b)

"35. Determine l'" para cad a red de la t1gura }, 176 para 13 entrada mostradu

·,gV

Figura 2.176

(a)

4V

Vi~r

Si

.".

(b)

36. Dibuje iR Y v" para la red de 1£1 figura 2.177 para 1'1 entrada mostrada.

V

Figura 2.177 Problema 36,

IOkQ

+

Si

~

o~ 5~.~3~V __ J[~ __ ~7~.3~V~~~+-, __ o

Vi

§ 2.10 Cambiadores de nivel

s:

37. Dibuje Vo para cada red de la figura 2.178 para la entrada mostrada,

Figura 2.178 Problema 37.

C ~(-~-~--<:+

V, Ideal

R

(a)

(b)

Problemas

127

128

38. Dibu!e v,, para ~ada :ed de la figura 2.179 para la entrada mostrada. LSeria una buena aproxirnacion considerar al diodo Ideal para ambas configuraciones? i.por que?

Vi C
0---1( "1 f' ;
120V +
\T Vi
0
<a) Figura 2.179 Problema 38.

'39. Para la red de la figura 2.180: (a) Calcule 5T.

(b) Compare 57 con la mitad del periodo de la sefial aplicada. (e) Dibuje YO'

+10

C ~I---.---.----'-{') + O.1).1F

Si

R

2V

-10 t= I kHz

Figura 2.180 Problema 39.

C 0------4(---'-----,...--..----<> +

Si

R

+

E

20V

56kO \',;

(b)

* 40. Disefie un cambiador de nivel que realice la funcion indicada en la figura 2. I 81.

Vi

Diodes ideales

20V

+

Vi

Diseho

-20 V

Figura 2.181 Problema 40.

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

+

+30 V

o

-lOY

* 41. Disciie un cambiador de nivel que rea lice la funcion indicada en 10 figura 2.182.

Diodes de silicic

lOY

2.7 V

+

+

-10 V

-17.3 V

Figura 2.182 Problema 41

§ 2.11 Diodos Zener

*42. (a) Determine VL• Iv lz e IR para la red de la figura 2.183 si RL = 180 n. (b) Repita el inciso (a) si RL = 470 n.

(e) Determine el valor de RL que establecera las condiciones de potencia maxima para el diodo Zener.

(d) Determine el valor minima de RL para asegurar que eJ diodo Zener se eneuentra en el estado de "encendido",

Rs

+ -- 2200 IR

Vz'" 10 V PZmax" 400 rhW

RL

20V

V L

Figura 2.183 Problema 42.

*43. (a) Disefie Ia red de la figura 2.184 para mantener a VL en 12 V ante una variacion de carga (ILl de o a 200 rnA. Luego determine Rs Y Vz·

(b) Determine PZm" para el diodo Zener del inciso (a).

*44. Para la red de la figura 2.185, determine el rango de Vi que mantendra a VI. en 8 V Y que no excedera el valor nominal de potencia maxima del diodo Zener.

45. Discfie un regulador de voltaje que mantendra un voltaje de salida de 20 V a traves de una carga de I kn can una entrada que varian! entre 30 y 50 V. Esto es, determine el valor apropiado de Rs Y de la corriente maxima IZM•

46. Dibuje la salida-de la red de Ia figura 2.142 si Ia entrada es una onda cuadrada de 50 V. Repitapa-

ra una onda cuadrada de 5 V. .

§ 2.12 Circuitos multiplicadores de voltaje

47. Determine el voltaje disponible del doblador de voltaje de la figura 2.120 si el voltaje secundario del transfonnador es 120 V (rms).

48. Determine los niveles nominales PIV de los diodos de la figura 2.120 en terminos del voltaje secundario pica Vm•

Problemas

f(s

1

...

Figura 2.184 Problema 43.

Rs

Figura 2.185 Problemas 44, 52.

129

§ 2.15 Anal isis por computadora

49. Desarrollc lin anal isis de la red de figura 2.153 utilizando PSpice para Windows. 50, de lared de la ficura utilizando PSpice para Windows.

51.

Windows.

la

52. Desarrollc un amliisis gener:d de la red Zener de la Figura 2.185 utilizando PSpice para Windows.

53. Rcpita eI problema 49 utiliz.mdo Elcctrcnics Workbench.

54. Repita eI problema 50 utilizando Electronics Workbench.

55. Repita el problema 51 utiliz.indo Electronics Workbench.

56. Repita eI problema 52 utili/antio Electronics Workbench.

Lo:-; asteriscos indican problemas de mayor diticultud.

130

Capitulo 2 Aplicaciones de diodos

Transistores bipolares de

.. "

umon

CAPiTULO

3.1 INTRODUCCION

Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo al vacio 0 bulbo fue, sin duda, el dispositive electronico de mayor interes y desarrollo. EI diodo de tubo al vacfo fue presentado por J. A. Fleming en 1904. Poco tiernpo despues, en 1906, Lee De Forest le anadio un tercer elemento al diodo aI vacfo, denominado rejilla de control, con 10 que se origin6 eI primer ampIificador; el triodo. En los alios siguientes, la radio y la television proporcionaron un gran estirnulo a la industria de los bulbos. La producci6n crecio, de cerca de un millon de bulbos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de los an os treinta los tubes al vacfo de cuatro y cinco elementos (tetrodo y pentodo, respectivamente) cobraron gran importancia en la industria de los bulbos. En los afios siguientes, la industria se convirtio en una de las mas importantes y se lograron rapidos avances en cuanto al disefio, a las tecnicas de fabricacion, alas aplicaciones de alta potencia yalta frecuencia.y ala miniaturizacion.

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electronics experimento Ia llegada de un campo cornpletamente nuevo en el interes y en eI desarrollo. En Ia tarde de ese dta, Walter H. Brattain y John Bardeen dernostraron la accion de amplificaci6n del primer transistor en los laboratories Bell Telephone. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se presenta en la figura 3.1. Las ventajas de estc dispositive de est ado solido de tres terminales sabre el bulbo sc manifestaron de inrnediato: era mas pequeno y ligero, no tenia requerimientos

Figura 3.1 El primer transistor. (Cortesia de los Laboratorios Bell Telephone.)

Coinventores del primer transistor en los laboratories

Bell: Dr. William Shockley (sentado); Dr. John Bardeen (izquierda); Dr. Walter H. Brattain. (Cortesia de los archivos de AT&T.)

Dr. Shockley Nacido en Londres, lnglaterra en 1910; PhD de Harvard en 1936

Dr. Bardeen Nacido en Madison, Wisconsin en

1908; PhD de Princeton en 1936

Dr. Brattain Nacidoen Amoy China en 1902; PhD de la Universidad de Minnesota en 1928

Todos ellos compartieron eI Premia Nobel en 1956 por esta contrtbucion.

131

(a)

(b)

Figura 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp;(b) npn.

132

de calentamiento 0 disipacion de calor, tenia una construccion resistente y era mas eflcientc debido a que el mismo dispositive absorbfa menor potencia. Tenia una disponibilidad de uso inmediata ya que no requeria de un periodo de calentamiento. .Ademas se consegutan rnenores voltajes de operacion. De la presentacionanterior se puede deducir,que este esel primer capitulo donde se aborda el analisis de dispositivos con tres 0 mas terminales. EI lector vera que todos los amplificadores (dispositivos que incrernentan el voltaje, la corriente 0 el nivel de potencia) tienen por 10 rnenos tres terminales, don de una control a el flujo de corriente entre las otras dos terminales.

3.2 CONSTRUCCION DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositive semiconductor de tres capas que consta de ya sea dos capas de material tipo n y una capa tipo p, 0 bien de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le den om ina transistor npn mientras que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizaci6n de de adecuada. En el capitulo 4 usted vera que la polarizaci6n de de es necesaria para establecer la region de operacion adecuada para la amplificaci6n de ac. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la de la base ligeramente dopada y la del colee tor s610 muy poco dopada. Las capas exteriores tienen espesores mucho mayores que los del material tipo p 0 tipo n centrales. Para los transistores que se muestran en Ia figura 3.2 la proporcion del espesor total con respecto al espesor de la eapa central es de 0.150/0.00 I = 150: 1. EI dopado de la capa central es tambien mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10: 10 menos), Este bajo nivel de dopado disminuye la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al Iimitar el numero de portadores "libres".

En la polarizacion que se muestra en la figura 3.2 se indican las terminales mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se apreciara mejor la eleccion de est a notacion cuando se analice la operaci6n basica del transistor. La abreviatura BJT, de Transistor Bipolar de Union (del ingles Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. EI termino bipolar refleja elhecho de que tanto hue cos como electrones participan en elproceso de inyeccion hacia el material polarizado en formaopuesta. Si s610 se utiliza un portador (electron 0 hue co ), se considera entonces un dispositivo unipolar. El diodo Schottky, del capitulo 19, es uno de estos dispositivos,

3.3 OPERACION DEL TRANSISTOR

Ahora se describini la operacion basica del transistor empleando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operaci6n del transistor npn es exactamente la misma que si se intercambian los papeles desempeiiados por el electron y el hueco. En la figura 3.3 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacion base-colector. Observe las similitudes entre esta situacion y aquella del diodo con polarizacion directa del capitulo 1. El espesor de la region de agotamiento se redujo debido a la polarizacion aplicada, 10 que da como resultado un flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el material tipo n.

Figura 3.3 Union de un transistor pnp con polarizacion directa.

+

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Ahora eliminarernos la polarizacion base-ernisor del transistor pllp de la figura 3.2a, como se muesrra en la figura 3.4, Considere las similitudes entre esta situacion y la del diodo con polarizaci6n inverse de la seccion 1,6. Recuerde que el flujode los portadoresmayoritarios es cero, con 10 que se ocasiona solamenteuu flujodeportudores mirrontarios, como se indica en la figura 3.4. En resumen, por tanto:

Una union p-n de un transistor Sf encttentra en polarizaci6t1 illversa, micntras que la otra Sf encucntra en polarizaci6n directa.

En la figura 3.5 ambos potenciales de polarizacion se aplicaron sobre un transistor pnp, con el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios resultante indicado. Obsent. en la figura 3.5, los espesores de las regiones de agotamiento que indican clar~mente cual union se encuentra en polarizacion directa y cual en polarizaci6n inversa. Como se indica en Ia figura 3.5, u~~ gran cantidad de portadores mayoritarios se difundiran a traves de la union P-Il en polarizacion directa hacia el material tipo n. La cuestion ahora es si estes portadores contribuiran de forma directa con la corriente de base III 0 si pasaran directamente hacia el material tipo p. Dcbido a que el material de tipo n del centro es muy delgado y tiene una baja conductividad, un n.umero muy pequefio de estos portadores tornara esta trayectoria de alta resrstencra hacia la terminal d.e la base. La magnitud de la corriente de base tipicamentc se encuentra en el orden de los nucroamperes, comparado con los miliamperes para las corrientes del ernisor y del colector ', La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundira a traves de la union en ~olanzaci6n inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colee tor, como se indica en la figura 3.5. El motivo de esta facilidad relativa con la que los p~~ador~s mayoritarios pueden

_ atravesar la uni6n en polarizacion inversa se comprende con facilidad SI se considera que para el diodo en polarizaci6n inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecera.n como portadores minoritarios en el material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una lTIyeCCl6n de portadores minoritarios hacia el material de la region de la base de tipo 11. Combinando esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la region de agotamiento atravesaran la union en polarizacion inversa de un diode, es posible explicar el flujo que se indica en la figura 3.5.

+ Portadores minoritarios --

~--,-=

c

Region de agotamiento

Region de agotamiento

+

Ef

cc

Figura 3.4 Union en polarizaci6n inversa para un transistor pnp.

Figura 35 Flu]o de portadores mayoritarios y mmoruarios en un transistor pnp.

AI aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5, como si se tratara de un node solo, se obtiene

(3.1 )

y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin embargo, la corriente del col ector esta formada por dos componentes: los porta~ores mayoritarios y los minoritarios, como se indica en la ~gura 3.~. Al componente de cornente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se Ie asigna el simbolo leo (comente Ie con la terminal del ernisor abierta). Por tanto, la corriente del col ector se determina en su totalidad mediante la ecuaci6n (3.2).

(3.2)

3.3 Operacion del transistor

133

B

IE EO------,

B (b)

Figura 3.6 Notacion Y simbo-

los con la configura-

cion base cornun: (a) transis-

tor pnp; (b) transistor "pn.

134

Para rransistores de proposito general. l c Se mide en miliamperes, mientras que leo se mide en microamperes 0 en nancamperes.Lv., al igual que I, para un diodo en polarizacion inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse cuidadosarnente cuando se consideren aplicaeiones con intervalos arnplios de temperaturaSiesto no se considera apropiadamente. puede afectar de manera important" la estabilidad de un una temperatura alta. Las mejoras en las tecnicas de fabricacion han provocado niveles significativamente mas bajos de leo, a tal grade que casi es posiblc omitir su efccto.

3.4 CONFIGURA CION DE BASE COMUN

La notacion y los simbolos cmpleados junto con el transistor en Ia mayoria de los textos y rnafinales que se publican actualmente, se muestran en In figura 3.6, para Ia configuracion de base comun con transistores pnp y npn. La tenninologia de base comun se deriva del hecho de que Ia base cs comun tanto para In parte de entrada como para Ia de salida de la configuracion. Adernas, por 10 regular la base es la terminal mas cercana a, 0 que se encuentra en, el potencial de tierra. A 10 largo de este libra todas las direcciones de corriente se referiran al flujo convenclonal (huecos) en lugar de al flujo de electrones. Esta decision se baso, principalmente, en el hecho de que una gran cantidad de literatura disponible en instituciones educativas e industriales ernplea el flujo convencional, y las flechas en todos los slmbolos electronicos poseen una direccion definida par esta convencion. Recuerde que la flecha en el simbolo del diodo define la direccion de Ia conduccion para la corricnte convencional. Para el transistor:

La flecha (11 el simbolo gr(ijico define la direccii5n de la corriente del emisor (!lujo convencional) a rruves del dispositivo.

Todas las direcciones de corriente que aparecen en In figura 3.6 son las direcciones realcs, como las define la eleccion del flujo convencional. Observe, en cada caso, que h = Ic + IB' Observe tambien que la polaridad aplicada (fuentes de voltaje) es tal que permite establecer una corriente en la direccion que se indica para cada rama. Es decir, compare la direccion de lt: con la polaridadde VEE para cada configuracion y la direccion de Ie con polaridadde V cc.

Para describir completamente el comportamiento de un dispositive de tres terminales, como el caso de los amplificadores de base cormin de la figura 3.6 sc requiere de dos conjuntos de caractensticas: uno para el punta de excitacion 0 parametres de entrada y el otro para la parte de la salida. Como se muestra en Ia figura 3.7, el conjunto de entradas para el ampliticador de base comiin relaciona la corriente de entrada (IE) con un voltaje de entrada (VIJ{J para distintos niveles de voltaje de salida (V C8).

EI conjunto de salida relaciona una corriente de salida (Ic) con un voltaje de salida (VCB) para distintos niveles de corriente de entrada (IEl, scgun se muestra en la figura 3.8. EI conjunto de caracterfsticas de salida 0 del colector cuenta con tres regiones basicas de interes, como se

IE (rnA)

... f ... j.~~:·:': :

I:

J!'

Figura 3.7 Carartcristicas de entrada 0 de excitacion para un amplificaclor de silicio de base cornun.

o

VBt (V)

Capitulo 3 Transistorcs btpolares de union

Fe (mA)

6 mA

4111.'<

o

-I

5

20

10

15

o

indica en Ia figura 3.8: la region activa, la de corte y la de saturacion. La region activa es la region que por 10 general se utiliza para los amplificadores lineales (sin distorsion). En particular:

En la region act iva la lInii5n base-e1l1isor Sf enmelltra polarizada de forma directa, mientras qilC la Ullii5n co/ector-base se encuentra polarizacla de forma inversa.

La region activa se define mediante los arreglos de polarizaci6n delafigura 3.6.En la parte inferior de In region activa, In corriente del emisor (lEl es cero; la corriente del colector simplemente es igual, debido a In corriente de saturacion inversa leo, como 10 seiiala la figura 3.9. La corrientc I co es tan pequefia en magnitud (microamperes) en comparacion con la escala vertical de lc (miliampcrcs) que aparece virtual mente sobre la misma linea horizontal que Ie = O. Las condiciones del circuito que existen cuando l i: = 0 para la contiguraci6n de base comun se muestran enla figurn 3.9. La notacion que con mas frecuencia se utiliza para leo en las hojas de especificaciones y datos es IClIO' como se indica en la figura 3.9. Gracias a las mejoras en las tecnicas de fabricacion, el nivel de ICBO para transistores de propos ito general (espccialmcntc los de silicic) en ranges de potencia baja y mediana, es por 10 regular tan bajo, que su efecto puede ignorarse. Con todo, para unidades de mayor potencia, lcso todavia se presentanl en el ran go de los microamperes. Adernas, recuerde que tanto lceo como l" para el diodo (arnbas corrientes de fuga inverses) son scnsibles a la temperatura. A may ores temperaturas el efecto de l ceo puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta rapidamcnte con la temperatura.

Observe en la figura 3.8 que a medida que la corriente del emisor se incrementa por encima de cero, la corriente del colector se incrementa hasta una magnitud esencialmente igual a aquella de Ia corriente del emisor, como se determina por las relaciones basicas de corriente en el.transistor, Notese tarnbien, el efecto casi imperceptible de Vcirsobre la corrientedelcolector para la region activa, Las curvas claramente indican que una primera aproximacionpara la relacion entre h e Ie en lao region activa esta dada por:

Como se deduce de su nombre, la region de corte se define como la region donde Ia corriente del coleetor es 0 A, como 10 indica la figura 3.8. Ademris:

En la regioll de corte, tanto la union base-emisor como la ulli6n colcctor-base de un transistor se encuentran en polarizaci6n inversa.

3.4 Configuraci6n de base cornun

Figura 3.8 Caracte nsricns de lida a del colcctor para un «mpliIicador de uansuror

comun.

£0---< y;C

FE =0 ./"-

/ (\

. B 1/' Emisor

abierto Colcctor a base

Figura .3.9 Corncnu- de s.uuracion invcrsa.

(3.3)

135

2

Ir (rnA)

............... Cualquier V CB

La region de saluraci6~ se define como aquella region de las caracterfsticas a la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta region se expandio para mostrar con claridad el cambio dramatico de las carac~eristicas en esta regi6n. Observe el incremento exponencial en la comente del colec tor a medida que el voltaje VCB se incrementa hacia 0 V.

En la rcgi6nde saturaci6n, tanto la unil)n base-cl11isor como la union colector-base Sf eneumtran en polarizaci6n directa.

Las caractensticas de entrada de la figura 3.7 I~uestran que para valores fijos del voltaje del colector (V CB). conforme se Incrementa el voltaje base-emisor, la corricnte del emisor aumenta en una forma muy similar a las caracteristicas de! diodo, De hecho, los niveles crecientes de, V CB ticnen u~ efecto tan pequ~iio sobr~ las caractertsticas, que como una primera aproximaCIOO, se pueden 19norar los carnbios ocasionados por VeB Y dibujar sus caracterfsticas como se ilustra en la figura 3.1 Oa. Si se aplica el enfoque de segmentos lineales. tendrernos las caracterfsticas que se presentan en la figura 3.l0b. Si avanzamos un paso mas e ignoramos la pendiente de la curva y, por tanto, la resistencia asociada con la union en polarizacion directa, se obtendran las caract.erfsticas de la figura 3.lOc. Para el analisis posterior en este texto, se empleara el mod.elo equivalente de la figura 3.1 Oc para todos los analisis de de de redes de transistores, Es decir, una vet. qu~ el tr.an~istor se encuentre en el estado "encendido", se asumira que el voltalc base-emisor sera el sigurente:

VBE = 0.7 V

(3.4)

En otras palabras, el efecto de las variaciones oeasionadas por V CB Y por la pendiente de las ca. racteristicas de entrada se omitira mientras sea posible analizar las redes de transistores de una forma tal que proporcione una buena aproximaci6n a la respuesta real, sin involucrarse demasiado en las variaciones de los parametres de menor importancia,

4

4

o

01 0.2 0.4 0.6 0.8

(a)

o

VBE (V)

(b)

(e)

Figura 3.10 Desarrollo del modele equivalente que se urilizara para la region basc-crnisor de un amplificador en condiciones de dc.

136

Es import3lDte apreciar en su totalidad la aseveraci6n que establece las caractensticas de la figura 3.10c. Estas establecen que cuando el transistor se encuentra en el estado "encendido" 0 estado activo, el voltaje de la base al emisor sera de 0.7 V para cualquier nivel de corriente del emi~or co~t:olado me~iante la red ~~terna. De heeho, desde el primer encuentro con cualquier c~nhguraclOn de tra~sJstor en condiciones de de, es posible especificar de inmediato que el voltale de la base .a! emlso~ sera de 0.7 V si el dispositivo se encuentra en la regi6n activa, 10 cual es una conclusion muy importante para el siguiente analisis de de.

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

(a) Mediante las caracterfsticas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colec tor si h= 3 rnA Y V CB = 10 V.

(b) Mediante las caractertsticas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colector si hpermanece en 3 mA pero VeB se reduce a 2 V.

(c) Mediante las caracteristicas de las figuras 3.7 y 3.8, determine VEE si lc = 4 mA y Vce = 20V.

(d) Repita el incise (e) utilizando las caracterfsticas de las figuras 3.8 y liOe.

Soluci6n

(a) Las caracterfsticas indican con claridad que Ie == h = 3 rnA.

(b) El efecto del carnbio de V CB es despreciable e I C continua siendo 3 rnA.

(e) A partir de la figura 3.8, IE == lc 4 rnA. En Ia 3.7 el nivel resultante de VBE es

aproximadamente de 0.74 V.

(d) Nuevamente a partir de la figura 3.8, h == lc = 4 rnA. Sin embargo, en la figura 3.lOc, VBEes 0.7 V para cualquier nivel de corriente del ernisor.

Alfa (a)

En condiciones de de los niveles de Ice It: debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una cantidad denominada alfa y que se define poria siguiente eeuaci6n:

~ ~

(3.5)

donde Ice l« son los niveles de corriente en el punto de operaci6n. Incluso aunque las caracterfsticas de la figura 3.8 podrfan sugerir que ex = 1, para los dispositivos reales, el nivel de alfa suele extenderse de 0.90 a 0.998, con la mayor parte aproximandose al extreme alto del intervalo. Debido a que alfa unicamente se define para los portadores mayoritarios, la ecuacion (3.2) se convierte en

Ic = alE + IcBo

(3.6)

Para las caracterfsticas de la figura 3.8 cuando lt: = 0 rnA, Ic sera por 10 tanto igual a ICBO; no obstante, como se mencion6 antes, el nivel de lcso es con frecuencia tan pequefio que virtualmente es imposible detectarlo en la grafica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando Ie = 0 rnA, en la figura 3.8, lc tambien parecera ser de 0 rnA para el intervalo de valores de Vcn.

Para condiciones de ac donde el punto de operacion se desplaza sobre la curva caracterfstica, una alfa de ac se define mediante

(3.7)

De manera formal, el alfa de ac se denomina como factor de amplificacion de base comlin de "corto circuito" por razones que resultaran mas obvias cuando se analicenloscircuitos equivalentes para transistores en el capitulo 7. Por cl memento, se debe entender que laecuacion (3.7) establece que un cambio relativamente pequefio en la corriente del colector se divide entre el cambio correspondiente en IE con el voltaje colector-base constante. Para la mayorfa de las situaciones, las magnitudes de au" Y ad" son muy cercanas entre sf, 10 cual permite utilizar la magnitud de una para la otra. El empleo de una ecuacion como la (3.7) se dernostrara en la seeci6n 3.6.

Polarizacion

La polarizaci6n correcta para la configuraci6n de base comun en la regi6n activa se puede determinar rapidarnente, si se utiliza la aproximaci6n Ic == le y se asume, por el momento, que

3.4 Configuracion de base comun

EjEMPLO 3.1

137

E

c

Figura 3.11 Lstablecinucnto de la poianzacion correcta para un transistor pnp de base cornun en la regicin

III "" 0 J1A. EI resultado sera la configuracion de la figura 3.11 para el transistor pnp. La flecha del simbolo define Ia direcci6n del flujo convencional para h "" fe. Luego se insertan las fuentes de de con una polaridad wi que respaldaran la direccion resultante de Ia corriente. Para el transistor npn las polaridades se invertinan.

Algunos estudiantes piensan que pueden recordar si !n flecha de! sfrnbolo del dispositive se encuentra apuntando hacia dentro 0 hacia fuera, mediante haeer coincidir las Iiterales del tipo de transistor con las Iiterales adecuadas de las frases "apuntando hacia adentro" 0 "no apunlando hacia adentro". Por ejemplo, existe una coincidencia entre las literales npn y las literales italicas de no apuntando hacia adentro y las litcrales pnp con apuntando hacia adentro.

3.5 ACCION AMPUFICADORA DEL TRANSISTOR

Ahora que se ha establecido In relacion entre Ie e hen la seccion 3.4, se puede pres en tar la acci6n basica de amplificaci6n del transistor bajo un nivel superficial mediante la red de la figura 3.12. La polaridad de de no aparece en la figura ya que nuestro interes se limita a la respuesta en ac. Para la configuraci6n de base comun, la resistencia ac de entrada deterrninada por las caracterfsticas de la figura 3. 7 es muy pequciia y tfpicamente varia entre 10 y 100 n. La res istencia de salidasegunse determine por lascurvas de la figura 3.8, es muy alta (mientras mas horizon tales sean las curvas, mayor sera la resistenciajy tipicamente varia entre SOkD y I M!1 (100 kDpara el transistor. de la figura 3.ll). La diferenciaen laresistencia.se debca.la union en polarizacion directa en Ia entrada (base a ernisor) y a la union en polarizacion inversa en la salida (base a coleetor). Utilizando un valor cormin de 20 n para Ia resistencia de entrada, tenemos que:

V; 200 mV

1= - = = lOrnA

I Ri 20!l

Si asumimos por el momenta que a,,( = 1 (Ie

y

IL I, = 10 rnA

VL = hR

(10 mA)(5 k!l) SOV

+

+

V; = 200 mV '\,

R; - 200

e,

- R 5kQ VL

100kQ

Figura 3.12 Accion basica de amplificaci6n de voltaje de la configuraci6n base comun,

138

Capitulo 3 Transistores bipolares de uni6n

EI voltaje de amplificacion es

50 V lOOmV

250

Los valores tfpicos de la amplificacion de voltaje para la.cenfiguracion de base cormin varian entre 50 y 300. La amplificacion de corrientc (Ie Ilt) es siempre menor que 1 para Ia configuracion de base cormin. Esta ultima caracterfstica debe ser obvia debido a que Ie = cd ; y ex es siempre menor que 1.

La accion basica de arnplificacion se produjo mediante la transferencia de una corriente I desde un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. La cornbinacion de los dos terminos en iuilicas (transferencia y resistencia), da como resultado el rermino transistor; esto cs,

transferencia

resistor -+ transistor

3.6 CONFIGURA CION DE EMISOR COMUN

La configuraci6n de transistor que se encuentra mas frecuentemente aparece en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se Ie denomina configuracion de emisor comun debido a que el emisor es cormin 0 relaciona las terminales tanto de entrada como de salida (para este caso, sera comun tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez mas, se necesitan dos conjuntos de caracterfsticas para describir completamente el comportamiento de Ia configuracion de emisor-corrnin: uno para el circuito de entrada 0 de base-emisor y otro para el circuito de salida 0 de colector-emisor: Ambos se muestran en la figura 3.14.

Vee

Vee

Ie --

c

c

B

E

E

(a)

(b)

Las corrientes de ernisor, colector y base se muestran en su direccion.convencional real para Ia corriente. Incluso aunque cambio Ia configuracion del transistor, las relaciones decorriente que se desarrollaron antes para la configuracion de base comun contimian siendo aplicabIes. Es decir, IE = Ie + Is e Ie = ah.

Para la configuraci6n de emisor cormin, las caracteristicas de salida representan una grafica de la corriente de salida (l d en funcion del voltaje de salida (V CE) para un range de valores de eorriente de entrada (I8)' Las caracteristicas de entrada representan una grafica de la corriente de entrada (fs) en funcion del voltaje de entrada (VllE) para un rango de valores de voltaje de salida (VeEl.

3.6 ConHguraci6n de ernisor comun

Figura 3.13 Notacion y stmbolos empleados can la configuracion de ernisor cornun: (a) transistor npn: (b) transistor pnp.

139

It; (mA)

(Region de saturacicn)

Vcr 1 V VCE= lOY

VCE=20V

100 90 80 70 60

(a)

(b)

Figura 3.14 Caractertsncas de un transistor de silicio en la configuraci6n de emisor com un: (a) caractertsticas del coleetor; (b) caraeteristicas de la base.

Observe que en las caracteristicas de la figura 3.14 la magnitud de In se encuentra en microamperes, en cornparacion con los miliamperes de [c. Considere tambien que las curvas de In no son tan horizontales como las que se obtuvieron para h en la configuracion de base cormin, 10 eual indica que el. voltaje colector-emisor tendra influencia sobre la magnitud de la

corriente del co lector. .

La region activa para la configuracion de emisor cormin es la parte del cuadrante superior derecho que tiene la mayor linealidad, es decir, la region en la que las curvas de In son casi rectas e igualmente espaciadas. En la figura 3.l4a esta regi6n se presenta a la derecha de la linea punteada en VeEsa, Y por arriba de la curva de IB igual a cero. La regi6n ala izquierda de VCE.

se denomina region de saturacion. sat

En la region act iva de un amplificadar de emisar comun, la uni6n base-emisar se eneuentra en palarizaci6n directa, mientras que la union colector-base se encuenrrc en polarizacion inversa.

Recuerde que estas son las mismas condiciones que se presentaron para la regi6n activa de la configuraci6n de base comun. La regi6n activa de la configuraci6n de emisor cormin puede emplearse para una amplificaci6n de voltaje, corriente 0 potencia.

La region de corte para la configuracion de emisor cormin, no se encuentra tan bien definida como para la configuracion de base comun, Observe en las caracterfsticas del colector de la figura 3.14 que Ie no es igual a cero cuando In es cero. Para la configuraci6n de base cormin, cuando la corriente de entrada Ie era igual acero, lacorriente del colector eraequivalente solo ala corrieilte de saturacion inversa leo, por 10 que la curva lt: = 0 y el eje de voltaje, para propositos practices, eran uno rnisrno.

La raz6n para esta diferencia en las caracterfsticas del colector puede derivarse mediante el manejo adecuado de las ecuaciones (3.3) y (3.6). Esto es,

Ecuaci6n (3.6): le = alE + leBO

La sustituci6n arroja Ecuaci6n (3.3): Ic == aUe + IB) + leBO

alB leBO

le=--+-- 1 - a 1 a

Al acomodar nuevamente los terminos

(3.8)

140

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Si considerarnos el caso descrito antes, donde I[J = 0 A, Y se sustituye un valor tipico de IX como de 0.996, la corriente resultante del colector es la siglliente:

t,

= 250lClIO 0.004

Si lcuo fuera de I J.l..A, la corriente resultante del colector con IB:: 0 A seria de 250(1 MA) = 0.25 rnA como se refleja en las caracterfsticas de la figura 3.14.

Como futura referenda, a la corriente del colector definida por la condicion I B :: 0 J.l..A se

le asignara la notaci6n que indica la ecuaci6n (3.9).

(3.9)

En la figura 3.15 se demuestran las condiciones que rodean a esta corriente recien definida junto con su direccion de referenda asignada.

Para prap6sitos de amplificaci6n lineal (de menor distarsi6n), el corte de la conjiglLraci6n de emisor com un se definirct mediante Ic = lCEO'

En otras palabras, la region por debajo de IB = 0 J.l..A debe evitarse si se busca una seftal de salida sin distorsi6n.

Cuando se utiliza como un interruptor en los circuitos logicos de una computadora, el tran-

sistor tendra dos puntos de operaci6n de interes: uno en la region de corte y otro en la region de saturacion, La condicion de corte deberfa ser idealmente Ie = 0 rnA para el voltaje seleccionado V CEo Debido a que ICEO tfpicamente es bajo en su magnitud para materiales de silicic, para fines de conmutacion el corte se presentard cuando le = Of-tA 0 cuarulo Ie '" lcro- solamente para los transistores de silicio. Sill embargo, para el caso de los transistores de gemwllio, el corte para propositos de conmutacion se dejinira mediante aquellas condiciones ~ue se presentencualldo [c = [C80' Por 10 regular, dicha condicion se pued~ lograr para los transistores d~ ~ermamo mediante la polarizaci6n inverse de la union base-emisor empleando unas cuantas decimas de volt.

Rccuerde que para la configuraci6n de base connin se realiz6 una aproximaci6n del conjunto de caractcrfsticas de entrada mediante un equivalente de lfnea recta, que dio como resultado VBl? = 0.7 V para cualquier niveI de IE mayor que 0 rrtA. Es posible emple~r el mismo e~foque para la configuraci6n de emisor comun, 10 cual dara por resultado el equivalente aproxlll~ado de la figura 3.16. EI resultado apoya la conclusi6n anterior con respecto a que para un transistor en la regi6n de "encendido" 0 region activa el voltaje base-crnisor sera de 0.7 V. En este caso, eI voltaje se encuentra fijo para cualquier nivel de corriente de la base.

Figura 3.16 Equivalente de segmentos lineales para las caracteristicas del diode de la figu- fa 3.14b.

Figura 3.15 Concliciones del circuito relativa a ICED-

0.7 \

3.6 Configuraci6n de emisor comun

141

EJEMPLO 3.2

142

(a) Mediante las caractensticas de la tigura 3.14, determine Ic cuando fr, =30 /LA Y VeE = 10 Y.

(b) Mediante las caractcnsticas de la figura 3.14, determine Ie VilE::: 0.7 V Y VeE

15 V.

Solucion

(a) En la mtcrseccion de l»= 30 /.LA con VeE' 10 V, Ie = 3.4 mAo

(b) Mediante la figura 3.14b, Is 20 /LA cuando VBE = 0.7 Y. A partir de la figura 3.14a encontramos que lc = 2.5 mA en la interseccion de lEI = 20 /LA con VCE = 15 V.

Beta (f3)

En el modo de de, los niveles de Ic Y de 18 se relacionan entre sf mediante una cantidad denomin ada beta que se define por Ia ecuacion siguiente:

(3.10)

donde Ice III se determinan para un punto de operaci6n en particular sobre las caracterfsticas. Para los dispositivos reales, el nivel de (3 suele tener un rango aproxirnado entre 50 y 400, con la mayorfa de ellos dentro del rango medio. De la misma forma que para a, (3 muestra la magnitud relativa de una corriente con respecto de otra. Para un dispositive con una (3 de 200, la corriente del colector sera 200 veces la magnitud de la corriente de base.

Por 10 regular, en las hojas de especificaciones se incluye (3dc, como hn: donde la h pro" viene de un circuito equivalente hibrido que se presentara en el capftuIo 7. Los subindices FE provienende las palabras: amplificacionde corriente directa ([del inglesforward) yde laconfiguracion de ernisorcomun.respcctivarncnte.

Para condiciones de ac, se define una beta de ac, como sigue:

Mel

f3 =~-

ac AlB Va;=constantc

(3.11)

EI nombre formal para (3uc esfactor de amplificacion de corriente directa en emisor comun. Ya que, por 10 general, la corriente del col ector es la corriente de salida para una configuracion de emisor com lin, y Ia corriente de base es Ia corriente de entrada, el termino amplificacion se incluye en la nomenclatura anterior.

La ecuacion (3.11) es similar en cuanto al formate ala ecuacion para auc de la seccion 3.4.

EI procedimiento para obtener auc a partir de las curvas caracterfsticas no se presento debido a la dificultad para medir realmente los cambios de Ic e IE sobre las caracterfsticas, Sin embargo, la ecuacion (3.11) puede describirse con cierta claridad, y de hecho, el resultado puede utilizarse para encontrar auc empleando una ecuacion que se obtendra mas adelante.

En las hojas de especificaciones por 10 regular (3ac se indica como hpJ, Observe que la un ica diferenciaentre la notacion que se utiliza parala beta de dc.especfficamentc /3dc = hpE, radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad senalada como subfndice. La literal miruisculan continua haciendo referencia al circuito equivaleutehfbrido que se describira en el capitulo 7 Y la fe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en ingles de forward) en la configuracion de emisor comiin.

EI uso de la ecuacion (3.11) se describe mejor mediante un ejemplo numerico utilizando un conjunto real de caracterfsticas, como las que aparecen en la figura 3.14a Y que se repiten en la figura 3.17. Determinemos (3ac para una region de las caracteristicas definida por un punto de operacion en IIJ = 25 /LA Y V CE = 7.5 V, como se indica en la figura 3.17. La restriccion de VCE = constante, requiere que se dibuje una Hnea vertical a traves del punto de operacion en

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Ie (mAl
9
8
JL/~: .>;~r~~~_t :
80 ;:A
7
,,/'v:= -~ __ :T-~"~ 70 ~f !
~#"""'#" ',,,.
'~>\/-"~ ~~-"+"#_#T#~#' ..
5 j ,,#~~~,# 50 .~A .
" l~i#'#~-' 1-",,"" ., "
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4 ~//t;"'_1 : B2 • : -' 10
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2 C~? "hi , .. I.
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lfiti:, I .' : ! ., " . • .
If '. I x ·x ,if )Il~
01 5 / 10 15 20 2S VCfo ;(V)

VcE=7.5V

Figura 3.17 Determinacion de {3", y de {3el, para las caractertsticas del colecror.

V CE = 7.5 V. En cualquier lugar de esta linea vertical el voltaje V CE es 7.5 V, una con stante. EI cambio en Iii (6.IIJ) como aparece en la ecuacion (3.11) se define entonees al scleccionar dos puntos a cada lado del punto Q a 10 largo del eje vertical y a distancias similares a cada lado del punto Q. Para esta situacion las curvas de fa = 20 pA Y 30 /LA cumplen el requisito de no extenderse muy lejos del punto Q. Ellas tarnbien definen niveles de 18 facilmente definidos en lugar de tener que interpolar el nivel de 18 entre las curvas. Debe mencionarse que la mejor determinaci6n suele hacerse al rnantener el 6.IlJ que se selecciono tan pequefio como fue posible. En las dos intersecciones de III y el eje vertical, pueden determinarse los dos niveles de Ie mediante el trazo de una lfnea horizontal sobre el eje vertical y leyendo los valores resultantes de 1 c. La (3ac resultante para la region se puede determinar mediante

e; = ~~: IVCf"COnstante IB, - lB, 3.2 rnA ~ 2.2 rnA I mA

-------------= ---.--

30 p..A 20 IOp..A

100

La solucion anterior rnuestra que para una entrada de ac en la base, la corriente del colector sera de aproximadamente 100 veces la rnagnitud de la corriente base.

Si deterrninamos la beta de de en el punto Q:

= ~ = 2,7 rnA = 108

f3dc 1 25 A

B p..

3.6 Configuracion de emisor comun

l43

Aunque los niveles de f3'iC Y de f3uc' no son exactamente iguales, se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente. Es decir, si se conoce el nivel de f3ac, se supone que sera de la misma magnitud aproximada que f3de Y vicevcrsa. Tengaen cuenta que dcntro del mismo lote, el valor de{3ac variara en alguna medida entre un transistor v el siguiente.aunque ambostenganel rnismo numero de codigo. Es probable que la variacionno sea significativa para la mayona de las aplicaciones, por 10 que sera suflciente para validar el enfoque aproximado anterior. Generalmente, mientras mas bajo sea eJ nivel de lcro. seran mas cercanas entre sf las magnitudes de las dos betas, Debido a que la tendencia se dirige hacia lograr niveles mas y mas bajos de I CW' Ia validez de la aproxirnacion anterior se sustenta aun mas.

Si las caracterfsticas tuvieran la apariencia de aquellas que aparecen en la figura 3.18. el nivel de f3ac <erfa el mismo para todas las regiones de las caractensticas. Observese que el incremento en Iff se encuentra fijo en 10 ;;..A, y que el espacio vertical entre las curvas es el mismo en cada punto de las caracterfsticas, es decir, 2 rnA, El calculo de {3ac en el punto Q indicado dan; por resultado

9rnA 7 rnA 2 rnA

----.-- = -- = 200

45 [LA - 35 [LA 10;;..A

Al dcterminar beta de de en el mismo punto Q dara por resultado

Ic 8 rnA

f3dc = - = --"- = 200

18 40;;..A

10 cual revela que si las caracterfsticas cuentan con la apariencia de la figura 3. I 8, las magnitudes de {3ae y de {3uc serdn las mismas para cada punto de las caracterfsticas. En particular, observe que ICEO = 0 ;;..A,

A pesar de que un eonjunto de caracterfsticas reales de un transistor nunca tendril la apariencia exacta de la figura 3.18, esta proporciona un conjunto de caracteristicas para poder cornpararlas con las que se obtienen por medio.de un trazador de curvas (que se describira en breve),

[,(mAl

o

18 = 0 ~A (/ew= 0 ~A)

Figura 3.18 Caracrerfsticas donde la f3ac es la misma para cualquier lugar y donde f3ac f3,k'

Para el analisis siguiente el subindice de de 0 de ac no se incluira con la {3 para evitar la confusion que se presenta por las expresiones que tienen etiquetas innecesarias. Para las situ aclones de de simplemente se reconocera como f3dc> y para cualquier analisis en ac como {3ac' Si se especifica un valor de {3 para una configuracion particular de transistor, normalmente se utilizara tanto para los calculos de de como para los de ac.

144

Capitulo3 Transistores bipolares de union

Es posible establecer una relaci6n entre f3 y a a traves del uso de las relaciones basicas pre-

sentadas hast a ahora. Al utilizar {3 = fells se tiene que IjJ = fclf3 Y a partir de ex = Ic1h tiene

que te= L-!«, AI sustituir en

IE Ie + III
t, + t,
tenemos
a {3 y dividiendo ambos Ladas de /(1 ecuaci6n entre lc tendrernos

1 +-

a f3

o

f3 = af3 + a

(f3 + l)a

por 10 que

(3.l2b)

(3,123)

o

Adernas, recordemos que

ICBO IeEO =-I ex

pero cmpleando la equivalencia de

1 --=f3+ I-a

derivado de 10 anteriortenemos

lcso = (f3 -+ I )IeBO

(3. \3)

o

como se indica en la figura 3.14a, Beta es un parametro particularrnente importante porque proporciona un vinculo directo entre el nivel de corriente del circuito de entrada y el de salida, para una configuraci6n de emisor comiin. Es decir,

(3.14)

y dado que

IE t, + 18 = f318 + IB

(3,15)

tenemos

Las dos ecuaciones que se muestran arriba desernpefian un papel muy importante para el analisis que serealizara en el capitulo 4.

Polarizacion

La polarizacion adecuada de un amplificador de emisor comiin puede dcterminarse de manera similar a la que se present6 para la configuracion de base cormin. Supongamos que se presenta un transistor npn como el que se muestra en la figura 3.19a y se debe aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositive en la region activa.

El primer paso consiste en indicar la direccion de IE segun 10 establece la flecha en el simbolo del transistor, como se muestra en la figura 3, 19b. Despues, se introducen las otras corrien-

3,6 Configuraci6n de ernisor comun

145

(h)

(c)

Figura 3.19 Determin.v.ion una

cornun.

Figura 3.20 Simbolos y notacion utilizados con la configuracion de colector cornun: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.

146

tes como se indica. tornando en cuenta la ley de la corriente de Kirchhoff: lc + II! IE' Por ultimo. se introducen las fuentes con las polaridades que proporcionaran Jas direcciones resultantes de IcY de Ill. segun se mucstra en In figura 3.19c para completar el diagrama. Pucde aplicarse el misrno enfoque a los transistores pnp, Si el transistor de la figura 3.19 fuera un transistor pup se invertirfan todas las corrientes y polaridades de la figura 3.19c.

3.7 CONFIGURA CION

DE COLECTOR COMUN

La tercera y ultima configuracion de transistor es la configuracion de colector coll1lin. que se rnuestra en.la figura 3.2Q,junto con las direccioncs adecuadas de corriente y su notacion de voltaje. La configuracion de colector comun seutiliza principalmente para propositos del acoplamiento de impedancias.yaque cuenta con una alta irnpedancia de entrada y una baja impedancia de salida, de forma contraria a las impedancias de las configuracioncs de base comun y a las de emisor comun.

.u:

Bo--'---I

E

E

c

c

(a)

(b)

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

En It! FIgura 3.21 sc proporciona una configuracion de circuito de colector comiin, can la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Observe que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esta conectado de una manera similar a la configuraci6n de ernisor corrnin. Desde un punto de vista de disefio, no se requiere de un conjunto de caracterfsticas de colector comun para seleccionar los parametres del circuito de lafigura 3.21. Puede disenarse utilizando las caracteristicas de emisor cormin de la seccion 3.6. Para propositos practicos, las caractensticas de salida para la configuracion de colec tor comun. son las mismas que para la configuracion de ernisor comun. Para la configuracion de colector cormin las caracterfsticas de salida se grafican como h en funci6n de V CE para una rango de valores de Ill. La corriente de entrada por tanto, sera la misma para ambas caracteristicas, de ernisor cormin y de colector comun, El eje horizontal del voltaje para la ccnfiguracion de colector comun se obtiene con solo cambial' el signo del voltaje del colee tor al emisor de las caractertsticas de emisor comun. POI' ultimo, existira un cambio casi imperceptible en la escala vertical de lc de las caractcrfsticas de ernisor cormin si Ie sc recmplaza por ftc: para las caracterfsticas de colec tor corrnin (debido a que a "" I). Para el circuito de entrada de Ia configuracion de colector com Lin. las caracterfsticas basicas de emisor cormin son suficientcs para obtener la informacion que se requiere.

3.8 LIMITES DE OPERA CION

Para cada transistor existe una region de operaci6n sobre las caracterfsticas, que asegurara que no se excedan los val ores maximos y que la sefia] de salida presente una distorsion minima. Esta region se definio para las caracrerfsticas del transistor de la figura 3.22. Todos los lfrnites de operacion se definen en una hoja de especificaciones tfpica que se describira en la seccion 3.9.

Algunos de los lfmites de operacion se explican por sf solos, como la corriente maxima del coleetor (a la que norrnalmente se denomina en la hoja de especificaciones como corriente COiltinua del col ector) y el voltaje maximo del coleetor al emisor (que a menudo se abrevia como V CEO 0 V(IlR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, lema, se especiflco como 50 rnA y VCEOcomo 20 V. La !fnea vertical sabre las caracteristicas que se define como VCEs"t especifica el VeE' minimo que puede aplicarse sin caer en la region no lineal denominada como region de saturacion. EI nivel de V CEga! suele encontrarse tfpicamente cercano a los 0.3 V que se cspecifican para este transistor.

[c(mA)

Region de saturacion

VeE (V)

VCEsal

Regi6n de corte

3.8 Limites de operacion

Configuracicn

de imprdancias

Figura 3.22 Definicion de In region lineal de operaci6n (sin distorsion) de un transistor.

147

EI nivel maximo de disipacion se define por la ecuacion siguiente:

(3J6)

Para el dispositivode la figura 3.22, la disipacion de potcncia del coleetor se especifico en 300 m W. Por 10 que surge la cuestion sobre como graficar la curva de disipacion de potencia del col ector cspecificada por cl hccho de que

o

Vale 300 mW

En cualquier punto sobre las caracteristicas, el produeto de VCE por Ie debe ser igual a 300 m W. Si seleccionamos que Ie tenga el valor maximo de SO mA y se sustituye en la rclacion anterior. se obtiene

VcE(50 rnA) = 300 mW

300mW

VC'E= =6V

. SOmA

Como resultado, tenemos que si Ie '" 50 mA, entonces V CE = 6 V sobre la curva de disipaci6n de potencia, como se indico en la figura 3.22. Si ahora seleceionamos que V CE tenga su valor maximo de 20 V, el nivel de Ic sera el siguiente:

. (20 V)Ic = 300 mW 300 mW

Ic = - 20 V = 15 rnA

10 que define un segundo punto sobre la curva de potencia.

Si ahora se elige un nivel de l c en el ran go medio tal como 25 rnA, y resolvernos para el nivel resultante de V CE, se obtiene

300rnW

y

300mW ---= 12V 25 rnA

como tambien se indica en la figura 3.22.

Por 10 regular, se puede dibujar un estimado aproximado de la curva real utilizando los tres puntos que se definieron antes. Desde luego, mientras mas puntos se tengan, mas exacta sera la curva, sin embargo, casi siempre 10 iinico que se necesita es un calculo aproximado,

La region de corte se define como la region por debajo de lc =ICEO' Esta region tambien debe evitarse si se busca que la sefial de salida tenga una distorsion minima. En algunas hojas de especifieaciones s610 se incluye ICBO' Entonees, se deb era utilizar la ecuaci6n ICED = [3leBo para darse una idea del nivel de corte si no se dispone de las curvas caracteristicas. La operacion en la region resultante de la Figura 3.22 asegurara una distorsi6n minima de la serial de salida al igual que niveles de corriente y de voltaje que no daiiaran al dispositive.

En caso de que no se cuente con las curvas caracterfsticas, 0 que estas no aparezcan en la hoja de especificaciones (cosa que suele ocurrir), s610 habra que asegurarse que Ie, VeE, Y su producto V cEI C caigan dentro del ran go que aparece en la ecuaci6n (3.17).

148

Capitulo 3 Transistores bipolarcs de union

(3.17)

Para las caracterfsticas de base cornun, la curva de potencianiaxima se define por el siguicntc producto de las cantidades de salida:

(3.18)

3.9 HOJA DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES

Debido a que la hoja de especificaciones es el enlace de cornunicacion entre et fabric ante y el usuario, es partieularmente import ante que la informaci6n proporcionada se reconozca y se entienda con claridad. Aunque no hemos presentado todos los parametres, ahora nos Iamiliarizaremos con easi todos. Los parametres restantes se presentaran en los capftulos siguientes. Entonces, se hara referencia a esta hoja de especificaciones para revisar la forma como se presenta el parametro.

La informacion que se proporciona en la figura 3.23 se tome directamente de la publicacion Small-Signal Transistors, FETs, and Diodes (Transistores de pequefia serial, FETs y diodos) preparada por Motorola Inc. El 2N4123 es un transistor npn de proposito general cuya identificaci6n de eneapsulado y de terminales se muestran en la esquina superior derecha de la figura 3.23a. La mayoria de las hojas de especificaciones se dividen en valores nominates maximos, caracteristicas termicas y caracteristicas electricas. Las caracterfsticas electricas se dividen a su vez en caractensticas de "encendido", "apagado" y de pequefia serial. Las caracteristicas de "encendido" y de "apagado" se refieren a los lfrnites de de, en tanto que las de pequefia serial incIuyen los parametres importantes para la operaci6n en ac .

Observe en la lista de val ores nominales maximos que VCErnax= VCED= 30 V eon/cmax '= 200 rnA. La disipaci6n maxima del coleetor P Cmax = Po = 625 m W. EI factor de reduce ion de disipaci6n bajo el valor maximo especifica que el valor maximo debera disminuirse en 5 m W por cada aumento de lOde temperatura por arriba de los 25°C. En las caracterfsticas de "apagado" lena se especifica como 50 nA y en las caracterfsticas de "encendido" VCEs", = 0.3 V. El nivel de hFE tiene un fango de entre 50 y 150 en Ie = 2 mA y VeE = I V, Y un valor minimo de 25 para la corriente mas alta de 50 rnA al mismo voltaje.

Ahora que hemos definido los limitcs de operacion para el dispositivo, estes se repiten a continuacion en el formato de la ecuacion (3.17) utilizando hn; = 150 (limite superior) e ICED:; [3ICBO = (150)(50 nA) = 7.5 f.LA. Ciertamente, para muchas aplicaeiones los 7.5 f.LA = 0.0075 rnA pueden considerarse como 0 rnA sobre una base aproximada,

Lfmites de operacion 7.5 p.,A ~ Ic ~ 200 rnA 0.3 V ~ VCE ~ 30 V VCl!lc ~ 650 mW

En las caracterfsticas de pequefia serial se proporeionael nivel de hie (f3acl junto con una grafica que muestra 1a forma como varia con la corriente del colector en lafigura 3.23f. En la figura 3.23j se demuestra el efecto de la temperatura y de la corriente del colector sobre el nivel de hFE ([3uc). A temperatura ambiente (25°C), observe que hFE ([3e1c) tiene un valor maximo de 1 en el area cercana a 8 mA. Conforrne Ie se incrementa por arriba de este nivel, hFE disminuye ala mitad del valor, con Ic igual a 50 rnA. Tambien puede caer a este nivel si Ic disminuye hasta el nivel bajo de 0.15 mA. Como se trata de una curva normalizada. si se tiene un transistor con [3dc = hFE = 50 a temperatura ambiente, el valor maximo para 8 rnA sera 50. Cuando Ic = 50 mA este habra catdo a 5012 = 25. En otras palabras, la normalizaci6n revela que el ni-

3.9 Hoja de especificaciones de transistores

149

vel real de hfE a cualquier nivel de Ie se dividio entre el valor maximo de h n: a esa temperatura y con Ie 8 mA. Observe tarnbien que la escala horizontal de la figura 3.23j es una escala logantmica. Las escalas logarftmicas se analizaran con todo detalle en el capitulo 11. Es pro-

bable el lector, de see regresara las graficas deesta scccion wando se encuentre revisando

las secciones del capitulo II.

\ALORES 1\Ovll1\Al£S VL\XIMOS

2N4123 ENCAPSULADO 29-04, TIPO I TO·92 (TO·226AAl

3 Colector

2~ Base ~

1 Emisor

TRANSISTOR DE PROp6SITO GENERAL NPN SILICIO

4.0

8.0

Ganancia de. comente en (Ic 10 rrtAdc. VeE = 20Vdc, f= looMH,) (Ic = 2.0 mAde, VeE" 10 V, f = 1.0 kl'Iz)

200

(1) Pulse de prueba: Amplitud del pulse ~ 300 J.LS. Cicio de trabajo :::: 2,0%,

2.5 50

Factor de -ruido

(le" 100~Adc.VCf!=5.0Vdc.Rs= l.Ok ohm.f e l.OkHz)

NF

6.0

(a)

Figura 3.23 Hoja de especificaciones del transistor.

150

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Antes de coneluir con esta descripcion de las caractcristicas, observe el hecho de que no se proporcionan las caracreristicas reales del colec tor. De hecho, casi todas las hojas de espccificaciones que prcsentan la mayorfa de los fabricantes no proporcionan las caractcristicas conk Se espera que los datos que 51! proporcionan sean suficientes para utilizar de manera efical, cl.dispositivocnel proceso de diseno.

Como se observe en la introduccion de esta no todos los parametres que se incluyen

en la hoja de espccificacioncs se analizaron en las secciones 0 capitulo, anteriores. Sin embargo. la hoja de especificaciones que se proporciona en la figura 3.23 se mencionara continuamente en los capftulos que sigucn, a medida que sc presenten los parametres. La hoja de espccificaciones puede ser una herramienta muy valiosa para el diseno 0 para el modo de analisis y debera esforzarse 10 necesario para conocer la importancia de cada parametro, y la forma en que estc puede variar ante el cambio en los niveles de corriente, temperatura y dernas.

Figura 1 .- Capacitancia

to


~··········t··~r


I'''"~ c .. · ~po t-j--j--

)
r-- I'·
Col;" I'· "
.-~. -t I - ~ -
i -.
I ~ .. -
Ii ,
0.1 0.20.3 0.5 0.71.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 203040 7.0

~ 5.0

1.0

Vohaje de polarizaci6n inversa (V)

(b)

Ie. Corrientc del colector (m A)

(e)

CARACTERiSTICAS DE AUDIO EN I'EQUENA SENAL FACTOR DE RUIDO

(VeE" 5 Vdc, 7A = 25°C) Ancho de banda = 1.0 Hz

MHz

pF

pF

dB

[. Frecueneia (kHz)

(d)

Figura 3.23 Continuacion.

Figura 4 ~ Resistencia de Fuente

14

/= kHz I'~+ I i t- r~~
I II I
I / I / I ... j- ,-
Ie = I I)A / I~'~
J II I
. =0. rnA / II
I" 1/ 1/ .~. Ii L~
:~ \ I 1/ lie = ?O,lA
1/"- L I-- I"
./ ./ "l
'-- j/' Ie 100)JA ---
~~~.-. - r-j--~ -_ ... ~-
,
I 12

2

o 0.1 0.2 0.4

1.0 2.0 4.0

10 20 40

100

Rs, Rcsistencia de fuente (kn)

(e)

3.9 Hoja de especificaciones de transistores

151

PAR.\:\IETROS II

Vel' = 10 V,.f= 1 kHz, T, = 25°C

Figura 5 -- Ganancia de corriente

Figura 6~. Tolerancia de salida

300 L I
20D - I
jJ
~~ ~- r~ j-- m
100
70 ~~

50 1---. II.
I
30 11 0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

10

10 Corriente del colcctor (rnA)

Ie, Corriente del colecror (mA) (g)

(0

Figura 7 - Impedancia de entrada

Figura 8 -Relacion de retroalimentaci6n de voltaje

0.5 '-;--'---::!-;:--L--,-:":I :-Ll-L';-'-:--'-::"::---L.--"-;l-;:-'-.L.LU

0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10

0.5

1.0

2.0

10 Corriente del colcetor (mA) (h)

10 Corriente del colector (mA) 0)

CARACTERISTICAS ESTATICAS

Figura 9 Ganancia de corriente en DC

2.0

IIII TJ +125°C -n I VCE= I Y
r-- j--- - I I
--
I+-- ~
:-- .1 -55°C I"" j--
r-- I --- i- f"-
~ r-- '" l'
1-- -I--
~ r::
1\.,
'\~
"" h\
I ~ l.0

!J

c .~

.E.g 0.7

8] 0.5

.q

.;:!,Q g-S 0.3

OIl' c

" 0.2

'" "-

'"

O.

0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

Ie, Corriente del colee tor (mA)

50 70 100

200

Figura 3.23 Continuaci6n.

152

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

3.10 VERIFlCACION DE TRANSISTORES

De manera similar como ocurre can los diodos.existen tres "carninos'' que pueden tomarsepara verificar un transistor: trazador de clirvas. medidor digital y ohtnetro,

Trazador de Curvas

EI trazador de curvas de la figura 1.50 generara la imagen de la figura 3.24 una vel. que todos los controles se ajusten de manera adecuada. Las panrallas mas pequefias a la derecha indican la escala que sc aplica a las caractensticas. La sensibilidad vertical es de 2 mA/div, 10 que da par resultado Ia escala que se muestra a la izquierda de! monitor. La sensibilidad horizontal es de I V /div, 10 que da por resultado la escala que se rnuestra debajo de las caracterfsticas. La funcion de incremento indica que las curvas estan separadas par una diferencia de 10 /LA, empezando en 0 p,A para Ia curva de In parte inferior. E! ultimo factor de escala que se proporciona se puede utilizar para determinar can rapidez la f3ac para cualquier region de las caractensticas. Solo multiplique el factor mostrado por el mimero de divisiones entre las curvas 18 en la region de interes. Por ejemplo, dcterminernos f3ac para un punta Q con Ie 7 mA y V CE = 5 V. En esta region de la pant all a, la distancia entre las curvas III es de -& de una division como se indica en la figura 3.25. AI utilizar el factor especificado, se encuentra que

9 (200)

f3ac = 10 div div == 180

12mA

I ... C'" . ~
i SO ItA
i
f----. -~ -+=
I - i 70 ItA
'.
fl -~ I 60 flA 1
V 50 I!/:.....
1-' s:
r '30 ItA
20 JlA
10 ~A
OIJlA IOmA

SmA

6mA

4mA

2mA

OmA

OV IV 2V 3V 4V 5V 6V 7V BV 9V IOV

-.

Ie = 6 mA

Vertical por div. 2mA

Horizontal por div,

I V

Por incremento 10M

{3ogm pordiv. 200

3.10 Verificacion de transistores

Figura 3.24 Respuesia del trazador de curvas at transistor npn 2]\3904.

Figura 3.23 Determinacion de f3ac para las caractertsticas del transistor de la figura 3.24 cuando Ie = 7 mA y V CE = 5 V

153

Figura 3.26 ""crificact( tran-

(Cortcsta de ComputroTechnolog':. Inc)

Figura 3.27 vcrificacicn de la union base-crnisor en pclarizacion directa para un transistor /lpn.

Ralta

FSt _

~~.'.~."C

\-......)0.. .

B

E

Figura 3.28 vcrificacion de la union base-colector en polarizadon inversa para un transistor I1pn.

154

Al utilizer la ecuacion (3.11) se obtiene

f3" !lIe
ilIB
1.8mA 180
10 p:A 6.4mA

30MA

10 que verifica la determinacion anterior.

Medidores digitales avanzados

En el mercado se encuentran disponibles actualmente medidores digitales avanzados como el de la figura 3.26 que son capaces de proporcionar el nivel de hFl!, mediante el uso de los conectores para las terminalcs que se encuentran en la parte inferior izquierda de la perilla selectora. Observe la opcion de pnp 0 npn y la disponibilidad de dos bornes para el ernisor, esto para manejar la sccuencia de tcrminales, segun sea el encapsulado, El nivel de hrt: se dctermina a una corriente de colector de 2 rnA para el modelo Testmate 175 A, que tambien aparece en la pantalla digital. Observese que este versatil instrumento tarnbien puede verificar un diodo, medir la capacitancia y la frecuencia ademas de las funciones norm ales de medicion de voltaje, corriente y resistencia,

De hecho, el modo de verificacion de diodo se puede usar para verificar las uniones p-n de un transistor. Con el colector abierto, la union base-emisor debe dar por resultado un voltaje bajo de aproximadamente 0.7 V, con la punta de prueba roja (positive) conectada a la base y la punta de prueba negra (negativo) conectada al emisor. Una inversion de las terminales debe dar por resultado una indicacion OL que representa la union en polarizncion inversa, De forma similar; con el emisorabierto, es posible verificar los estados de polarizaciondirecta e inversa de

launion base-colector.· . .

Ohmetro

Es posible utilizar un ohmetro 0 las escalas de resistencia de un DMM (multfmetro digial) para verificar el estado de un transistor. Recuerde que para un transistor en la region activa, la union base-emisor tiene polarizacion directa y la union base-colcctor tiene polarizacion inversa. Por tanto, en esencia, la union con polarizaci6n directa debera registrar una resistencia relativamente baja, mientras que la union con polarizacion inversa debera mostrar una resistencia mucho mayor. Para un transistor npn, la uni6n en polarizacion directa (polarizada poria fuente interna en el modo de resistencia) de la base al emisor debera verificarse como se indica en la figura 3.27, y dara por resultado una Iectura que, por 10 regular, caera en el rango desde 100 il a unos cuantos kilohms. La union con polarizacion inversa base-colec tor (nuevarnente polarizada de forma inversa por la fuente internal debe verificarse segun se muestra en la figura 3.28 con una lectura que tipicamente ex cede los 100 kil. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada uni6n. Es obvio que unaresistencia grande 0 pequefia en ambas direcciones (invirtiendo las tcrrninales) para cada union de un transistor npn 0 pnp indicaraun dispositivodafiado.

Si ambas uniones de un transistor generan las lecturas esperadas, es posible tambien determinar el tipo de transistor eon s610 observar la polaridad de las puntas de prueba cuando se aplican a la union base-emisor, Si la punta de prueba positiva ( + ) se coneeta a la base y la negativa (-) al emisor, una lectura de baja resistencia indicara un transistor npn. Una lectura de alta resistencia indicara un transistor pnp. Aunque tambien puede utilizarse un ohrnetro para dcterminar las terminales (base, colee tor y emisor) de un transistor se sup one que esta confirmacion puede hacerse con solo observar la orientacion de los contactos en el encapsulado.

Capitulo 3 Transistorcs bipolares de union

3.11

ENCAPSULADO DE TRANSISTORES

E IDENTIFICACION DE TERMINAtES

Dcspues de que se ha fabricadoel transistor utilizando una de las tecnicasque se describen en el capitulo 12, scunen las terminalcs, que corminmente son de oro, aluminio 0 niquel, y toda la estructura se encapsula en un contenedor como el que se muestra en el figura 3.29. Los que presentan una manufactura de trabajo pes ado son dispositivos de alta potencia, en tanto que los otros cuyo encapsulado es pequefio (como sombrero alto) 0 cuyo cuerpo es de plastico son dispositivos de baja 0 mediana potencia.

(a)

(b)

(e)

Figura 3.29 Diversos tipos de transistores: (a) Cortesia de General Electric Company; (b) y (e) Cortesi. de Motorola Inc.; (d) Cortesla de International Rectifier Corporation.

En 10 posible, el encapsulado del transistor contara con algrin tipo de marca para indicar que terminales se encuentran conectadas al emisor, colector y base de un transistor. Algunos de los metodos que se utilizan con mayor frecuencia se indican en la figura 3.30.

E

E

c

Figura 3.30 Identificaci6n de las terminales del transistor.

B

E B C

En la figura 3.31 aparece la construccion interna de un encapsulado TO-92 de la linea Fairchild. Observe el tamailo tan pequefio del dispositivo semiconductor real. Cuenta con pequenos alambres de oro para conectar las terminales, una estructura de cobre y un encapsulado de resina epoxica.

Es posible encapsular cuatro transistores pnp individuales de silicio en el encapsulado de linea doble de 14 terminales, que aparece en la figura 3.32a. Las conexiones internas de las terminales se muestran en la figura 3.32b. De la misma forma que como ocurre con el encapsulado de diodos en IC, la rnuesca en la superficie superior indica la terminally la 14.

3.11 Encapsulado de transistores e identificaci6n de terminales

(d)

C

155

Inyeccion de

Dade con procesc de moldeo

Figura 3.31 Construcci6n inlerna de un transistor Fairchild en un encapsulado TO-92 (Cortesi a de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

te)

Encapsulado epox ico

Lengbetas de fijacion

(b)

(a)

(Vista superior)

c

c

C

B

E NC E

B

C

B

E

NC

E

B

NC Sin conexion intern a

(a)

(b)

Figura 3.32 Transistor pnp cuadruple de silicic upo Q2T2905 de Texas Instruments: (a) aspecto; (b) conexiones de terminales, (Cortesta de Texas instruments Incorporated.)

3.12 RESUMEN

Conclusiones y conceptos importantes

I. Los dispositivos semiconductores poseen las siguientes ventajas sobre los tubos de vacfo:

Son (I) mas pequefios; (2) mas Iigeros; (3) mas resistentes, y (4) mas eficientes. Ademas, (I) no requieren periodo de calentamiento; (2) no tienen requisitos de dislpaclon de calor, y (3) tienen menorcs voltajcs de operacion,

2. Los transistores son dispositivos de tres terminales con tres capas de semiconductor. siendo la capa central mucho mas angosta que las otras dos. Las dos capas exteriores son de tipo n 0 tipo peon el material opuesto en la capa central.

156

Capitulo 3 Transistorcs bipolares de union

3. Una de las dos uniones P-Il del transistor se encuentra en polarization directa mientras que la otra esta en polarizacion inversa.

4. La corriente del emisor en de es siernpre lamayor corriente de urr transistor mientras que la corriente de la base es sicmpre la mas pequefiu. La corriente del ernisor siempre es la suma de las otras dos.

5. La corriente del colector esta compuesta por dos componentes: el componente mayoritario y la corriente minoritaria (tambien lIamada corriente de Juga).

6. La flecha en el sfrnbolo del transistor define la dirccci6n del flujo de la corricnte convencional para la corriente del emisor y por tanto define la direcci6n de las otras corrientes del dispositive.

7. Un dispositive de tres terminales requiere dos conjuntos de caracteristicas para definir de forma cornpleta sus caracterfsticas.

8. En la region activa de un transistor. la union base-emisor se encuentra en polarizacion directa mientras que la uni6n colector-base se encuentra en polarizacion inversa.

9. En la regi6n de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se encuentran ambas en polarizacien inversa,

10. En la region de saturaci6n las uniones base-emisor y colector-base se encuentran en polarizacion directa.

II. En promedio, como una primera aproximaci6n, el voltaje base-ernisor de un transistor en operacion puede suponerse de 0.7V.

12. EI parametro alfa (a) relaciona a la corriente del emisor con la del colee tor y es aproximadamente uno.

13. La impedancia entre las terminales para una union en polarizaci6n directa siempre sera relativamente pequeiia mientras que la impedancia entre las terminales de una uni6n en . polarizaci6n inversa es generalmente muy grande.

14. La flecha en el sfrnbolo de un transistor npn apunta hacia fuera del dispositive (no apunta adentro); mientras que la flecha apunta bacia el centro de! simbolopara un transistor pllp (apunta dentro).

15. Para prop6sitos de amplificaci6n lineal, el corte para la configuraci6n de emisor corruin esrara definido por ! c = ! CEO.

16. EI parametro ({3) proporciona una importante relacion entre las corrientes de la base y el colector y generalmente se encuentra entre 50 y 400.

17. La beta en de se define por la simple relacion entre las corrientes de de en un punto de operacion, mientras que la beta en ac es sensible a las caracteristicas en la region de interes, Para la mayoria de las aplicaciones, sin embargo, ambas se consideran equivalentes como una primera aproximaci6n.

[8. Para asegurar que un transistor se encuentra operando dentro de Sll valor nominal del nive! de potencia maximo, solamente calcule el producto del voItaje colector-emlsor con la corriente del colector, y comparelo can el valor de la especificacion.

Ecuaciones

Ie t, + Is

Ie = + Ieoo,;oo",,;o

VBE = 0.7 V

Ie

adc = I;

a = t:.!cl

ac t:.!

£ VCB'" ccnstante

3.12 RtRatrldiit

157

ICEO = I

1 - a fii~Op.A

t,

18

Mel

f3ac = ,-

'-lIB Vee

f3

a=---

f3+1

Ie et,

II: = (f3 + 1)/8

3.13 ANAuSIS POR COMPUTADORA

PSpice para Windows

Ya que en este capitulo se han presentado las caracterfsticas del transistor, parece apropiado ahora analizar el procedimiento para obtener esas caracterfsticas por medio de PSpice para Windows. Los transistores se encuentran contenidos en la biblioteca EVAL.sld y comienzan bajo la letra Q. Esta biblioteca contiene dos transistores npn y dos pnp. EI hecho de que los niveles IIJ definan varias curvas, requerira que se efecuie un barrido de los valores de I IJ dentro de otro barrido de los voltajes colector-emisor (barrido anidadoi. Esto fue innecesario para el caso de los diodos, ya que solo se genera una curva.

Primeramente se establece la red de la figura3.33 empleando elmismo proccdimiento definido en eIcapftulo 2. EI voltaje Vee determinara el barrido principal, mientrasque el voltaje VSB determinara el barridoanidado. Para futura referenda, observe el tablero en la parte superior derecha de la barra de menu con el control de desplazamiento de la pantalla euando se eonstruya la red. Esta opcion le permite recuperar elementos que se hayan empleado antes. Por ejemplo, si se coloco un resistor hace algiin tiempo, solamente regrese a la barra de desplazamiento y despl.icela hasta que el resistor R aparezea, haga elie una vez y el resistor aparccera en la pantalla.

Luego, seleccione 131 icono de preparacion del analisis (Analysis Setup) y habilite la opcion DC Sweep (barrido en DC), posteriormente seleccione las opciones Voltage Source y Linear. Tec1ee en el campo de nombre (Name) el voltaje Vec con un valor inicial (Start Value) de 0 V Y un valor final (End Value) de 10 V. Utilice un incremento (Increment) de 0.01 V para asegurar una gnifica continua y detallada. En esta ocasion en lugar de hacer c1ie en OK debernos scleccionar la opcion de barrido ani dado (Nested Sweep) y aparecera un cuadro de dialogo barrido ani dado en de (DC Nested Sweep) el cual nos solicitara que repitamos las opciones que recien capturamos pero ahora para el voltaje V IJIJ. Nuevamente se seleccionan las opciones de Voltage Source y Linear, pero ahora el nombre se inserta como VSll' EI valor inicial (Start Value) sera de 2.7 V que corresponde con una corriente inicial 20 fhA como 10 determina

~

VBB I ov

Figura 3.33 Red utillzada para obtencr las caractertsticas del colector del transistor Q2N2222.

158

Capitulo 3 Transistores bipolarcs de union

R/J

E1 incremento sera de 2 V, que corresponde COIl un cambio en la corrieme de base de 20 fhA entre los nivelesde lB' El valor final sera de 10.7 V, el cual corresponde con una corriente de 100 fhA. Antes de abandonar el cuadro de dialogo. asegurese de haber habilitado el barrido anidado. Despues haga clic en OK seguido de cerrar la opci6n de Analysis Setup, con 10 cual nos encontramos listos para efcctuar e! anal isis. En esta ocasion ejecutaremos automaticamente Run Probe despues de efectuar el analisis seleccionando la opcion Analysis-Probe Setup seguido por la opci6n Automatically run Probe alter simulation. Despues de haber seleccionado OK y el icono de sirnulacion (Simulation icon) (recuerde que este es el que presenta fondo amarillo con dos formas de onda), se dcsplegara de forma automatica la pantalla OrCAD MicroSim Probe con la sirnulacion. En esta ocasion, debido a que Vee es el voltaje colector-emiSOl', no hay necesidad de etiquetar el voltaje en el colector. De hecho, ya que este aparece como el eje horizontal de la respuesta de la simulacion, no se requiere modificar en 10 absoluto la configuracion del eje x (X-Axis Settings) si identificamos que Vee es el voltaje colecror-emiSOl'. Para el eje vertical acudimos a Trace-Add para obtener el cuadro de dialogo de agregar trazos (Add Traces), donde seleccionamos Ic(Ql) y OK para obtener las caracteristicas del transistor. Desafortunadamentc estas se extienden de - 10 a + 20 mA sobre el eje vertical, 10 cual puede corregirse scleccionando Plot y luego Y-Axis Settings para obtener el cuadro de dialogo con la configuration del eje ,Y, donde sera posible definir el nuevo rango de 0 a 20 mA con una eseala lineal presionando User Defined (definido por el usuario), Seleccione OK nuevamente y se presentaran las caractensticas del figura 3.34.

OA ----------- --.- "--1- -_.

0'1 2V

o ICeOl)

v vee

Figura 3.34 Caractensticas del colector del transistor de 1" figura 3.33.

Utilizando el iconoABC de la barra de mend, es posible insertar los distintos niveles dels junto con las etiquetas V CE e lc para los ejes. Solamente haga die en el icono y aparecera un cuadro de dialogo solicitando los textos. Ingrese el texto deseado y haga clic en OK para que se muestren en la pantalla, posteriormente podran colocarse en ellugar deseado.

Si la beta de ae se determina en la parte media de la grafica, vera que su valor es cercano a 190, incluso si Bf en la lista de especificaciones es de 255.9. Nuevamcnte, como en el caso del diodo, los de mas parametres de los elementos estrin ejerciendo un efecto notorio sobre la operacion total. Sin embargo, si volvemos a las especificaciones del diodo mediante la secuencia Edit-Model-Edit Instance Model (Text), borramos los parametres del dispositive excepto

3.13 Analisis por computadora

I

[159

Figura 3.35 Caracteristicas ideales de colector del transistor de la figura 3.33.

Bf = 255.9 (no olvide cerrar los parentesis al final de la lista) y continuamos can OK y Simulation, se desplegara un nuevo conjunto de curvas. Si se ajusta el rango del eje y a 0-30 rnA empleando Y-Axis Settings tendremos las caracterfsticas mostradas en la figura 3.35.

Primeramente observe que todas las curvas son easi horizon tales, 10 eual indica que el elemento no euenta con elemento resistivo alguno. Adernas, el espaciado similar entre las curvas revel a que la beta es la mismaen todo lugar (como 10 especifiean las caracteristicas de nuestro nuevo dispositive). Empleando unadiferencia de 5 mAentre dos curvas cualquiera y.dividiendo por la diferencia en Is de 20 ;.tA, tendremos una beta de 250, la eual es esencialmente la misrna que la que se especifico para el dispositivo.

PROBLEMAS

§ 3.2 Construccion del transistor

1. i,Que nombres se aplican a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje Ia construcci6n basica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios de cada uno. Dibuje el sfrnbolo grafico junto a cada uno. j,Se altera alguna informacion al cambiar de una base de silicio a una de germanio?

2. i,Cual es la diferencia mas importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?

§ 3.3 Operacion del transistor

3. i,C6mo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operacion de amplificaci6n correcta del transistor?

4. i,Cuiil es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?

5. Dibuje una figura similar a la figura 3.3 para la uni6n en polarizacion directa de un transistor npn.

Describa el movimiento resultante del portador,

6. Dibuje una figura similar a la figura3.4 para la uni6n conpolarizacion inversa de un transistor npn.

Deseriba el movimiento resultante del portador,

7. Dibuje una figura similar a la figura 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn. Deseriba el movimiento resultante del portador.

8. i,Cuul de las corrientes del transistor es siempre la mayor? i,Cual es siempre la menor? i,Cuules dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?

9. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8 mA e Is es 11100 de Ic, determine los niveles de lc e lB'

160

Capitulo 3 Transistores bipolares de uni6n

§ 3.4 Configuraci6n de base comun

10. Dibuje de memoria el simbolo de un transistor pnp y de uno npn Y luego inserte direcci6n del

flujo convencional de cada corriente.' .

11. Mediante las caracteristicas dela figura 3.7, determine VBE cuando li ".5 mA y cuan~() Veil = I. 10 Y 20 Y. i.Es razonable suponer sobre una base aproximada que VeB ejerce soloun ligero efecto

sobre la relacion entre V BE e IE?

12. (a) Determine la resistencia promedio de ac para las caracteristicas de la figura 3.1Ob. .

(b) Para las redes en donde la magnitud de los elementos resistivos es tipicamente de magnitudes de kilohms, i.es valida la aproximaci6n de la figura 3.IOc [con base en los resultados del inci-

so (a)]?

13. (a) Mediante las caracterisucas de la flgura 3.8, determine la corriente del colector resultante si l e

" 4.5 mA y VCB = 4 Y.

(b) Repita el incise (a) cuando IE" 4.5 mA y VeB 16 Y.

(c) i. C6mo afccto el cambio en V en al nivel resultante de Ie? .

(d) Sobre una base aproximada y con base en el result ado anterior, (,c6mo se encuentran relacionados entre sf le e Ie?

14. (a) Mediante las caracteristicas de In figura 3.7 y 3.8. determine Ie si VeE = 10 Y Y VBE = 800 mY.

(b) Determine VBE si Ie = 5 mA Y VCR = 10 Y.

(c) Repita el inciso (b) mediante las caracteristicas de la figura 3. lOb.

(d) Repita el incise (b) mediante las caracteristicas de la figura 3.IOc. .' .

(e) Compare los resultados de VBEde los incisos (b). (e) y (d). i,Puede ignorarse In diferencia st se

presentan niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts?

15. (a) Dado un adc de 0.998 determine lc si IE" 4 mAo (b) Determine adc si lt: = 2.8 mA e In = 20 pA

(e) Encuentre le si In = 40 ).LA Y lYdc es 0.98.

16. De memoria y s610 de memoria, dibuje la configuracion de un ~ran:~stor ~JT con base. com.un (tan, to para un pnp como un npn) e indique la polaridad de la polarizacion aplicada y las direcciones de

corriente resultantes,

§ 3.5 Acci6namplificadora del transistor

17. Calcule la ganancia de voltaje (Av" VdV;) para la red de la figura 3.12 si Y; = 500 mY y R = 1 HI. (Los demas valores del circuito permanecen iguales.)

18. Calcule la ganancia de voltaje (Av '" Vi/V;) para la red de la figura 3.12 si la fuente ticne una resistencia intern a de 100 fl en serie con V;.

§ 3.6 Configuraci6n de emisor comun

19. Defina lena e lCEO' i,En que son diferentes? i,C6mo se relacionan? i,Normalmente son cercanos en magnitud?

20. Mediante las caracterfsticas de la figura 3.14:

(a) Encuentre el valor de Ieque corresponde can VBE" +750 mY con VCE = +5 Y.

(b) Encuentre el valor de V CE Y de V BE que corresponden can Ic = 3 mA e l B " 30 pA "

* 21. (a) Para las caracteristicas de la figura 3.14, encuentra la beta de de para un punto de operacion de

VCE" +8 Y y de Ic= 2 mAo

(b) Encuentre el valor de a que corresponde con este punto de operacion,

(c) Encuentre el valor de ICED correspondiente can VeE= +8 Y.

(d) Calcule el valor aproxiinado de IcBoempleando el valor de betaobtenidoen el inciso (a). * 22. (a) Utilizandolas caracteristicas de la figura 3.14a, determine lCEl)cuando V eE~ 10 Y. (b)Detennine {3dccuaIldo hJ= IO).LA Y VCE= lOY.

(e) Mediante la {3dc determinada en el incise (b), calcule lcno-

23. (a) Mediante las caracteristicas de la figura 3.14a, determine {3de cuando IB= 80 ).LAy VeE = 5 Y.

(b) Repita el inciso (a) para In= 5 /LA Y VCE" 15 Y.

(c) Repita el inciso (a) para IB = 30 ).LA y VeE" 10 Y.

(d) Al revisar los resultados de los incises (a) al (c), i,el valor de {3dc cambia de un pun to a otro sobre las caracterfsticas? i,D6nde se encontraron los valores mas altos? i,Es posl~le desarrollar con, clusiones generales acerea del valor de {3dc sobre un conjunto de caracterfsticas como las proporcionadas en la figura 3.14a?

Problemas

161

24. (a) Mediante las caracterfsticas de la figura 3.14a, determine i30e cuando In 80 /-LA Y Vel' = 5 V. (b) Repita el incise (a) cuando 18 5 /LA Y Va" 15 V.

(c) Repita el inciso (a) cuando 18 30 /-LAy VeE= 10 V.

(d) Revise los resultados de los incises (a) a! (c), I.e! valor de i3",cambia de un punta a otro sabre las ~aracterfsticas? i,D6nde se encontraron los valores mas altos? i,Esposible desarrollar conclusiones generales acerca del valor de f30c sobre un conjunto de caracteristicas del colector (e) Los p'Ulltos sel~ccionad?s en este ejercicio son los mismos que los empleados en el problema

23. SI se realize el problema 23, compare los valores de i3" y de i3de para cada punto y comente sobre la tcndencia en la magnitud de cada canridad.

25. Mediante las caracrensticas de Ia figura 3.14a, determine f3uc cuando Is= 25 /LAy Va= 10 V. Luego caleu!e "de Y el nivel resultante de IE' (Utilice el nivel de Ic determinado por Ic = i3dJn')

26. (a) Dado que "de = 0.987, determine el valor de f3de correspondiente. (b) Dado que i3dc = 120, determine cl valor de IT correspondiente.

(e) Dado que f3de 180 e lc= 2.0 mA, encuentre he lB'

27. De memoria y solo de memori~,. dibuje la configuracion de emisor com lin (para un npn y un pllp) e mserte el arreglo de polarizacion adecuado con las direcciones de corriente para [s.lc e IE.

§ 3.7 Configuracion de colec tor comun

28. Se aplica un volraje de 2 V rms (medidos de la base a tierra) al circuito de la figura 3.21. Asumiendo que el voltaje del ernisor sigue de forma exacta al voltaje de base y que VbeCrms) = 0.1 V. calcuIe el voltaje de ampliticaci6n del circuito (Av = VoNj) Y la corriente del emisor cuando RE ~ 1 kl1.

29. Para el transistor que tiene las caracterfsticas de la figura 3.14, dibuje las caracterfsticas de entrada y de salida para la configuraci6n de colector comiin.

§ 3.8 Limites de operacion

30. Determine la regi6n de operacion para un transistor que tiene las caracterfsticas de la figura 3.14 si ICma, = 7 mA, VeEm•x = 17 V Y PCmf>x = 40 mW.

31. Determine la region de operaci6n para un transistor que tiene las caracteristicas de la figura 3.8 si Icm,,",6 mA, VCBm" = 15 V Y Pamax = 30 mW.

§ 3.9 Hojade especificaciones de transistores

32. En referencia a la figura 3.23, determine el rango de temperatura para el dispositive en grados Fahrenheit.

33. Mediante la informaci6n proporcionada en la figura 3.23 con respecto a PI V· I Y

V CE",' dibuje los lfmites de operaci6n del dispositive. "max' ctm,\x' Cmax

34. Basese en los datos de la figura 3.23. i,Cuul es el valor esperado de ICEO, utilizando el valor promedio de f3dc?

35. i,C6mo se compara el rango de heR (figura 3.23j, normalizada a partir de hpJ' = 100) con el ranco

de hIe (figura 3.23(1) para el rango de Ie de 0.1 alOmA? " '"

36. Mediante las caracterfsticas de la figura 3.23b, determine si 1a capacitancia de entrada de la confi-

guraci6nde base comtin se i~crementa 0 disminuye con los crecientes niveles de potencial de polarizacion inversa. i,Puede ex ph car por que?

Mediante las caracterfsticas de la figura 3.23f, determine que tanto ha cambiado el nivel de hIe a partir de su valor de I mA hasta el de I 0 n:~' Observe que la escala vertical es una escala logarftmi-

ca que puede requenr referenciar la seccion 11.2. i.EI cambia es tal que deba ser tornado en cuenta para la situacion de disefio?

* 38. Medi~nte las caracterfsticas de la figura 3.23j, determine el nivel de i3dc cuando Ic = 10 rnA para los tres niveles de te~peratura que aparecen en la figura. i,Es significative el cambio para el rango de temperatura especificado", i,es un elemento que debaser considerado en elproceso de disefio?

*37.

§ 3.10 Verificacion de transistores

39. (a) Mediante las caracterfsticas de lafigura 3.24, determine f3ac cuando Ie = 14 mA yVcr;= 3 V. (b) Determine i3dc cuando Ic = I mA y VCE = 8 V.

(e) Determine i3ac euando Ic = 14 mA y VCE = 3 V.

(d) Determine f3dc euando lc = I mA y VCE= 8 V.

(e) i,C6mo se compara el nivel de f3dc y de f3" en cada region?

(I) Para este eonjunto de caractensticas, i,es valida la aproximaci6n de i3de == i3ac?

*Observar: Los asteriscos indican problemas can mayor dificultad.

162

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Polarizacion de de para BJTs

CAPiTULO

~ _'7!

4.1 INTRODUCCION

EI analisis 0 disefio de un amplificador a transistor requiere conocimiento tanto de la respuesta del sistema en de como en ac. A menudo, se piensa que el transistor es un dispositivo msgico que puede elevar el nivel de una sefial de ac de entrada sin la ayuda de una fuente de energfa extema. En realidad, el nivel de potencia de la salida de ac mejorado es resultado de una transferencia de energfa proveniente de las fuentes de de aplieadas. Por esta razon, el analisiso disefio de eualquier amplificador electronico posee dos componentes: la porci6n de de y la porcion de ac. Por fortuna, es posible aplicar el teorema de superposicion por 10 que el analisis de las condiciones de de puede efectuarse de forma completamente independiente de la respuesta de ac. Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante la etapa de disefio 0 de sfntesis, la seleccion de los parametres para los niveles de de requeridos afectaran la respuesta de ac y viceversa,

EI nivel de operacion de de de un transistor es controladopor diversos [adores, que incluyen al rango de posibles puntos de operacion sobre las caractensticas del dispositive. En la seccion 4.2 se especifica el rango para el caso del amplificador BJT. Una vez que se definieron los niveles de de tanto de la corrientc como del voltaje, se debera eonstruir una red que establezca el punto de operaci6n deseado; en este capitulo se analizaran varias redes de este tipo. Cada disefio tambien deterrninara la estabiIidad del sistema; -10 que representa la sensibilidad que tiene el sistema hacia las variaciones de temperatura- el cual es otro tema que se revisara en la parte final de este capitulo.

No obstante que en este capitulo se analiza una cierta variedad de redes, existe una similitud cormin entre el analisis de cada configuracion, esto debido a la recurrente utilizacion de las siguientes relaciones basicas para un transistor y que son muy importantes:

VeE = 0.7 V

h = ([3 + 1)IB == Ie

Ie = (3IB

De hecho, una vez que el analisis de las primeras redes se ha entendido claramente, el camino hacia la solucion de las redes subsecuentes se tornara mas evidente. En la mayoria de los cas os, la primera cantidad que debera determinarse es la eorriente de base lB' Una vez que esta se conoce, sera posible aplicar las relaciones de las ecuaciones 4.1 ala 4.3 para encontrar las cantidades de interes restantes. Las similitudes en el anal isis seran inmediatamente obvias a medida que avancemos a traves de este capitulo. Las ecuaciones para IB son tan parecidas entre las distintas configuraciones que es posible derivar una ecuacion de otra, simplemente me-

(4.1)

(4.2)

(4.3)

163

80~A

Si no se empleara la polarizaci6n, el dispositive inicialmente se encontrana completamente apagado, dando por resultado un punto Q en A, es decir, corriente cero a traves del dispositivo (y voltaje cero a traves de el). Debido a que es necesariopolarizar un dispositive de manen!. pueda responder ante el rango complete de sefiales de entrada, el punto A, por 10 tanto, no esconveniente. Para el punto B, si una selial se aplica al circuito, el dispositiv.o variara en corriente y en voltaje a partir del punto de operacion, con 10 que permitira al dispositive reaccionar ante (y posiblernente amplificar) las excursiones, tanto positivas como negarivas de la serial de entrada. Si la serial de entrada es seleccionada cuidadosamente, el voltajc y la corricnte del dispositive variaran pero no 10 suficiente como para llevar al dispositive al corte 0 a la saturacion. EI punto C permitira cierta variacion positiva y negativa de la seiial de salida, sin embargo, el valor pico a pico estara limitado por la proximidad de VCE = 0 Ve Ic:= 0 mA, Por otro lado, la operacion en el punto C provoca cierta preocupacion debido a las no linearidades que se introducen por el hecho de que el espacio entre las curvas de I B cambia rapidamente en esta regi6n. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositive es practicamente constante (0 lineal), para de esta forma, asegurar que la amplificaci6n sobre la amplitud completa de la scfial de entrada sea la misma. El punto B es una region con un espaciado mas lineal y por 10 tanto, con una operaci6n mas lineal, como se muestra en la figura 4.1. EI punto D establece el punto de operaci6n del dispositive cerea del voltaje y nivel de potencia maxirnos. La amplitud del voltaje de salida en Ia direcci6n positiva se encuentra de esta fo~ma limitada si el voltaje maximo no debe excederse, Por 10 tanto, el punto B parece ser el mejor punto de operacion en terminos de ganancia lineal y de mayor excursion posible de corriente y de voltaje, Esta es, generalmenre, la condici6n deseada para los amplificadores de pequefia serial (capitulo 8), pero este no es necesariamente el caso para los amplificadores de potencia, como los que seran considerados en el capitulo 15. En este analisis, nos concentrarernos principal mente en polarizar el transistor para una operacion de amplificacion a pequeiia seiia I.

Existe otro factor de polarizaci6n muy importante que debe ser considerado. Una vez que se seleccion6 y se polarize el BJT en un punto de operacion, el efecto de la temperatura tambien se debe tornar en cuenta. La temperatura causa que los parametres del dispositivo como la ganancia de corriente (j3,d del transistor y lacorriente de fuga (lcEo) del rnismo, s~mo~~tiquen.Mayores temperaturas provocan un incremento en las corrientes de fuga del dispositive con 10 que se modifica la condici6n de operaci6n establecida por la red de polarizacion, La coilsecuencia de esto es que cl disefio de la red debera proporcionar tambien un grado de estabilidad en temperatura de manera que los cambios de temperatura provoquen las menores modificaciones en el punto de operaci6n. La conservacion del punto de operacion puede especificarse mediante un/actor de estabilidad, S, el cual indica el grad~ de .cambio en el punto de operaci6n debido a una variaci6n de temperatura. Es deseable un circuito alta mente estable por 10 que la estabilidad de algunos circuitos basicos polar.izaclas sera com~arada. . .

Para que un BJT pueda polarizarse en su region lineal 0 acnva, deben cumplirse las siguien-

tes condiciones:

diarue la eliminacion 0 adicion de uno 0 dos terminos. El principal proposito de este capitulo es desarrollar un nivel de farniliaridad con el transistor BJT que permita realizar un analisis de de de cualquier sistema que pueda ernplear un amplificadorBJT.

4.2 PUNTQ OE OPERA CION

EI termino polantncion que aparece en el titulo de este capitulo es un termino muy amplio que cornprende todo 10 rclacionado con la aplicacion de de de para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistor, la corricnte de de y el voltajc resultames cstablecen un punto de operacion sobre las caracterfsticas que define la region que sera cmpleada para Ia amplificacion de la serial aplicada. Debido a que cl punto de operacion es un punto fijo sobre las caracterfsricas, se le denomina tambien como punto de reposo (se abrevia como punto Q, de! ingles: quiescent point). Por definicion, repose significa quieto, estatico, inactive, En la figura 4.1 se rnuestra la caractcrfstica general de la salida de un dispositive, en la que se indican cuatro puntos de operaci6n. El circuito de polarizacion puede disefiarse para establecer Ia operacion del dispositive en cualquiera de estes puntos 0 en otros dentro de la region activa. Los val ores maximos se indican en las caracteristicas de la figura 4.1 con una linea horizontal para la corrientc maxima del col ector ICmh y con una linea vertical para el voltajc maximo del colector-ernisor La restriccion de maxima potencia se define por la curva P Co." en la misrna figura. En el extreme inferior de las escalas, se encucntra la region de corte, que se define por [s :s 0 f.1.A, Y la region de saturacion, definida por V CE :s V CE .

EI dispositive BJT puede encontrarse polarizado para operar fuera de estos lf~rtes maximos, sin embargo, el resultado de tal operaci6n serfa el recorte de la vida uti! del dispositive, 0 bien la destruccion del mismo. Limitandonos a la regi6n activa, es posible seleccionar varias areas 0 puntos de operacion diferentes. Frecuentemente el punta Q seleccionado, dependera del uso que se piense dar al circuito. Aun asf, es posible considerar algunas diferencias entre los distintos puntos de operacion que se muestran en la figura 4.1 con el objetivo cle presentar algunas ideas basicas sobre el punto de operaci6n y, por consiguiente, del circuito de polarizacion.

Ie (mA)

l. La union base-emisor debe estar en polarizacion directa (voltaje de la regi6n p mas positivo), con un voltaje resultante en polarizacion directa entre 0.6 y 0.7 V.

2. La union base-col ector debe estar en polarizaci6n inversa (voltaje de la regi6n 11 mas positivo), con el voltaje de polarizaci6n inversa dentro de los llmites maximos del dispositivo.

o 1 VCCsat

10

15

20

VCIi(V)

[Observe que para la polarizacion directa, eJ voltaje a traves de la union P-Il es p-positivo, mientras que para la polarizaci6n inversa es opuesto (inverso) con Il-positivo, Este enfasis en la letra inicial debera de servir como un medio para ayudar a memorizer la polaridadnecesaria del voltaje],

La operacionen las regionesde corte, de saturaci6n y lineal de las caracteristicas del BJT se proporcionan a continuacion:

l. Operacion en region lineal:

Union base-emisor en polarizacion directa Union base-colector en polarizacion inversa

2. Operacion en region de corte:

Uni6n base-emisor en polarizaci6n inversa Uni6n base-colec tor en polarizacion inversa

'1 A,I

Corte

Figura 4.1 Disuntos puntos de operacion dentro de los lirnires de opcracion de un transistor.

164

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.2 Punto de operacion

165

3. Operacion en region de sail/radon:

Union base-ernisor en polarizacion directa Union base-colector en polarizacion directa

Mana colector-emisor

En la figura 4.5 se presenta la seccion colector-emisor de la red, junto con la direccion de la rricnte Ie indicada y la polaridad resultante sobre Re. La magnitud de la corrientedel

se encuentra relacionada dirccramcnte con In mediante

4.3 CIRCUITO DEP()LARIZACION FlJA

El circuito de polarizaclon fija de la figura 4.2, proporciona una introduccion relativamente directa y simple al analisis de la polarizacion en de de los transistores. Incluso aunque la red utiliza una configuraci6n de transistor npn. las ecuaciones y los calculos aplican de igual forma para las configuraciones del transistor pnp cambiando simplemente todas las direcciones de corriente y las polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son direcciones reales, y los voltajes estan definidos por la notacion estandar de doble subfndice. Para el analisis de de, la red puede aislarse de los niveles de ac indicados reernplazando los capacitores con equivalentes de circuito abicrto. Ademas, la fuente de de voltaje Vec puede dividirse en dos fuentes (solamente para propositos de analisis), como se muestra en la figura 4.3, para permitir una separacion de los circuitos de entrada de los de salida; esto tambien reduce la conexi6n entre las dos, con la corriente de base lB' La separacion es sin duda valida como se observa en la figura 4.3, donde Vee se encuentra conectada directamente a Rn y aRc, justo como en la figura 4.2.

Es interesante observar que debido a que la corriente de base es control ada por el nivel de Ril y que J c esta relacionada con In por Ia constante {3, la magnitud de I c no es una funcion de la resistencia Re. EI cambio de nivel de Rc no afectara el nivel de IB 0 Ie siernpre y cuando se permanezca en la region activa del dispositive. Sin embargo, como verernos, el nivel de Rc determinara Ia magnitud de VeE, el cual es un parametro importante,

Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en direccion de las manecillas del reloj alrcdedor de la malla cerrada indicada en la figura 4.5, tendremos 10 siguicnte:

VCE + lcRc Vce 0

y

Vee

la cual establece en palabras que el voltaje a traves de la region colector-ernisor de un transistor en la configuracion de polarizacion fija es igual a la fuente de voltaje menos la cafda de voltaje en Re.

Como un breve repaso de la notacion de subindice sencillo y doble recuerde que

Vee

RIJ L

Sefial . Ie

de ae de 0-------) t--~--<'---o---I

entrada C, B +

Figura 4.4 Malia base-ernisor.

166

Ademas, ya que

Sefial f------o de ac de

C2 salida

donde VeE es el voltaje colector-emisor y: V c y VE son los voltajes del colee tor y del emisor a tierra respectivamente, Pero en este caso, dado que V E= 0 V, tenemos

Figura 4.2 Circuito de polarizaci6n fija,

Figura 4.3 Equivalente de de de la figura 4.2.

y como VE = 0 V, entonees

Polarizacion directa de base-emisor

Considere primeramente la mall a del circuito base-emisor de Ia figura 4.4. AI escribir la ecuaei6n de voltaje de Kirchhoff, en direccion de las rnanecillas del reloj, obtenemos

(4.10)

Tenga en mente que los niveles de voltaje como V CE se determinan mediante la colocacion de la punta de prueba roja (posit iva) del voltfrnetro en la terminal del coleetor, y la punta negra (ncgativa) en la terminal del emisor como se muestra en la figura 4.6. Ve es el voltaje del colector a tierra y se mide como se muestra en la misrna figura. En este caso, las dos lecturas seficin identic as, pero en las redes que siguen, las dos pueden ser muy diferentes. Para la localizaci6n de fallas de las redes de transistores, es muy irnportante entender claramente la diferencia entre las dos medici ones.

Observe la polaridad de la caida de voltaje sobre RB establecida por la direeci6n de / o que se indica. Al resolver la ecuacion para la corriente //J el resultado es el siguiente:

(4.4)

La ecuaci6n 4.4 no es dificil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a traves de RB, y de acuerdo con la ley de Ohm, esta corriente es igual al voltaje a traves de Rn divido entre la resistencia Rn. EI voltaje a traves de Rn sera igual al voltaje aplieado en un extremo, menos la caida a traves de la union base-emisor (Vnd. Ademas, debido a que tanto el voltaje fuente V ce como el voltaje base-ernisor VBE son constantes, la seleccion del resistor de la base RB, establecera el nivel de la corriente de base para el punto de operacion.

(4.5)

Figura 4.5 Malia errusor.

(4.6)

(4.7)

(4.8)

(4.9)

Figura 4.6 Mcdicion de V CE Y Vc,

Determine 10 siguiente para la configuraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.7. (a) IBQ e ICQ'

(b) VCEQ'

(e) VB Y Ve· (d) Vnc.

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.3 Circuito de polarizacton Iija

E]EMPLO 4.1

167

Vee =+12 V

Ie

.j Rc

2.2 kn

Ie c,

Salida +---It-( --de ac

+\ lO~F

VeE fh50

I

Re 240kO

_ C1

Entrad~ de ac ------,1--4-----1

lO~F

Figura 4.7 Circuito de de

-:-1------------------+

o VeE

polarizacion cjemplo 1

pam e l

(h)

(a)

Solucion

Figura 4.8 Regiones de saturacion: (a) real: (b) aproximada

12 V - 0.7 V

Rs = - 240 kn = 47.08 itA

Ico = /3IBQ = (50)(47.08 MA) = 2.35 rnA

VetQ = Vee JeRe

= 12 V - (2.35 mA)(2.2 kD) = 6.83 V

(a) Ecuaci6n (4.4):

Al aplicar los resultados al esquema de la red tendremos la configuracion de la figura 4.9.

Por tanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la corriente de colector maxima aproximada (nivel de saturacion) para un diseiio particular, solamente se debe insertar un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y caleular la corriente resultante del colector, En resumen, hay que establecer VeE = ° V. Para la configuraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.10, se aplic6 el corto circuito, ocasionando que el voltaje a traves de Rc se convierta en el voltaje aplicado V ce. La corriente de saturaci6n resultante para In configuracion de polarizaci6n fija es

Ecuaci6n (4.5): (b) Ecuaci6n (4.6):

~'

)' RCE =00

(v CE = 0 V,le = lc )

sa

(e) VB =: VBE = 0.7 V V c = V CE = 6.83 V

(d) Al utilizar notaci6n de doble subindice tenernos

VIiC = VB - Ve = 0.7 V - 6.83 V -6.13 V

Figura 4.9 Determ.nacion Ie"l"

Vee J =-

c~ Rc

(4.11)

el signo negativo revela que la uni6n se encuentra en polarizacion inversa, como debe ser para el caso de amplificaci6n lineal.

Rn

Saturacion del transistor

El termino saturacion se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los valores maximos. Una esponja saturada es aquella que no puede absorber una gota mas de lfquido. Para el caso del transistor que opera en Ia regi6n de saturacion, la corriente es el valor maximo para el diseiio particular. Si se cambia el disefio, el nivel de saturaci6n correspondiente puede incrementar 0 disminuir. Desde luego, el nivel de saturaci6n mas alto 10 define la corriente maxima del colector y se presenta en la hoja de especiticaciones.

Las condiciones de saturacion se evitan normalmente porque la uni6n base-colector ya no se encuentra en polarizaci6n inversa y la sefial arnplificada de salida se distorsionara, En la figura 4.8a se describe un punto de operacion en la region de saturacion. Observe que se encuentra en una regi6n donde las curvas caracterfsticas seunen y el voltaje colector-emisor se encuentraen 0 por debajo de V CE,,,,' Ademas, la corriente del col ector es relativamente alta sobre las caracterfsticas.

Si aproximamos las curvas de Ia figura 4.8a con aquellas que aparecen en la figura 4.8b, se distingue de forma evidente un metodo directo para deterrninar el nivel de saturaci6n. En la figura 4.8b, la corriente es relativamente alta, y el voltaje VeE se asume de cero volts. AI aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales del colector y el emisor puede determinarse de la siguiente forma:

+

Figura 4.10 Determinacion de Ie,,, para la configuracion de polarizaci6n Iija.

Una vez que Ie", se conoce, tendremos una idea de la corriente del colee tor maxima posible para el disefio seleccionado y el nivel bajo el cual debera permanecer si se espera una amplifiesci6n lineal.

Determine el nivel de saturaci6n para la red de la figura 4.7.

EjEMPLO 4.2

Solucion

Vee 12 V

Ic = ~ = -- = 5.45 rnA

vu Re 2.2 kD.

168

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

169

4.3 Circuito de polarizaci6n fija

EI disefio del ejernplo 4.1 dio por resultado Icc = 2.35 rnA, el cual sc encuentra lejos del nivel de saturacion y cerca de la mitad del valor maximo para el diseno.

Analisis por medio de la recta de carga

Hasta el memento, el analisis se ha efectuado utilizando un nivel de (3 correspondicnte con el punto Q resultantc. Ahora vercmos la forma en que los parametros de la red definen el fango poxible de puntos Q y la forma en que se determina el punto Q actual. La red de Ia figura 4.11 a cstablece una ecuacion de salida que relaciona a las variables Ic Y V CE de Ia siguiente forma:

(4.12)

Las caracteristicas de salida del transistor tambien relacionan las mismas dos variables lc Y V CE como sc muestra en la figura 4.11 b.

Par 10 tanto, basicamente tenemos una ecuacion de red Y un conjunto de caracterfsticas que unlizan las misrnas variables, La solucion cormin de las dos se presentara cuando las restricciones establecidas por cada una, se satisfacen de manera simultanea. En otras palabras, esto es similar a encontrar la solucion de dos ecuaciones simultaneas: una de elias establecida por la red Y la otra por las caracteristicas del dispositivo.

En la figura 4.1lb se proporcionan las caracteristicas del dispositivo de Ie en funcion de V CEo Ahora deberemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacion 4.12 sabre las caracterfsticas. EI metodo mas directo para graficar la ecuacion 4.12 sobre las caracterfsticas de salida es utilizar el hecho de que una linea recta se encuentra definida pOI' dos puntos. Si decidimos que Ie sea igual a 0 mA en la ecuacion 4.12, encontamos que

VeE = Vee (O)Re

y

(4.13)

que define un punto para la linea recta como se rnuestra en la figura 4.12.

Ie (rnA)
50 ~tA
40 ~A
6 V
30 ~A
4
20[tA
3 17
2 10[tA
..
f
VCE t 18=0 ~tA
I I i
0 t 10 15 VCE (V)
ICEO
Ca) (b) Figura 4.11

Analisis par medio de la recta de carga: (a) la red; (b) las caractertsticas del dispositive.

170

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

Recta de carga

o

Figura 4.12 Recta de en polarizacion Iija.

Si ahora seleccionomos V CE igual a 0 V, 10 que establece al eje vertical como la linea sobre la cual se definira el segundo punta, encontramos que Ie queda determinada por la siguiente ecuacion:

e

(4.14)

de In forma en que aparece en la figura 4.12.

Al unir los dos puntos definidos pOl' lasecuaciones4.l3 Y 4.14; es posible trazar la linea rectaestablecidapor la ecuacion 4,12. La linea resultante en la gnifica de la figura 4.12 se denomina recta de carga ya que esta definida por el resistor de carga Re. Al resolver para el nivel resultante de l». es posible establecer el punto Q real como se rnuestra en la figura 4.12.

Si el nivel de Ie se modifica al variar el valor de RB, entonces el punto Q se maven! bacia arriba 0 hacia abajo de la recta de carga como se muestra en la figura 4.13. Si Vce se manticne fijo y Rc cambia, la recta de carga se desplazara como se muestra en la figura 4.14. Si IB se mantiene fija, el punto Q se movera como se aprecia en la misma figura. Si Rc se mantiene fija y Vcc varia.Ia recta de carga se desplazara como se muestra en la figura 4.15.

Ie
Ie Vee
R;-
Vee
Re
Vee
R;
Vee
Rj Figura 4.13

Movimiento del punto Q con niveles crecientes de ID·

4.3 Circuito de polarizacion Iija

171

~c ~E

Figura 4.14 Efecto del incremento en los niveles de Rc sabre la recta de earga y el punta Q.

4.4 CIRCUITO DE POlARlZACION ESTABlUZADO EN EMISOR

La red de polanzacion de de de la figura .4.17 contiene unresistor en el ernisor para mejorar el nivel de estabilidad de laconfiguracion en polarizacion fija; La mejora en la estabilidad scra demostrada mediante un ejernplo numerico mils adclante en esta secci6n. El analisis sc llevar.i a cabo examinando primerarnente la malla base-emisor y luego utilizarernos los resultados para investigar la mall a colector-ernisor,

Vee

Figura 4.15 Efecto de los valores bajos de Vee sabre la recta de carga y el punta Q.

Figura 4.17 Circuito de 1'0- larizacion para BJT con resistor en emisor.

E]EMPLO 4.3

~

Vj 0----1;1----+-----1

Ct

172

Dada la recta de carga de la FIgura 4.16 y el punto Q definido en ella, determine los val ores de Vee, Re Y RB para la configuracion de polarizaci6n fija.

IC<mA)

50llA

10

Malla base-emisor

La malla base-ernisor de la red de la figura 4.17puede volverse a dibujar como semuestra en lafigura 4, 18.Alutilizar laley de voltaje de Kirchhoff alrededor dela mall a indicada en el sen' tido deJas manecillas del reloj el resultado Sera la siguiente ecuaci6n:

(4.15)

Recucrde del capitulo 3 que

(4.16)

20 VeE Figura 4.16 Ejemplo 4.3.

Al sustituir h en la ecuacion 4.15 tenemos

Vee - IBRa - VeE - (f3 + I)IIJRE = 0

Solucion

De la figura 4.16,

V CE = Vee = 20 V a Ie == 0 rnA

y

Ie = a VeE = 0 V

Re

Vee 20V

Re = I; == 10 rnA == 2 kil

Vee - VEE

I B = -"'''------'::.::

R8

Vee - VBE R8 = -"'''---=

18

20V

Al agrupar los terrninos resulta 10 siguiente:

-IB(RB + (f3 + l)Rd + Vee - VeE = 0 Al multiplicar por (-1) tenemos

con

IB(RB + (f3 + 1 )RE) IB(RB + (f3 + ORE)

Vee + VBE = 0

Vee VBE

y al resolver para IB obtenernos

(4.17)

O.7V ---- ==772kil 25 {LA

Observe que la unica diferencia entre esta ecuaci6n para IB y la obtenida para el caso de 1a configuraci6n en polarizaci6n fija es el termino ({3 + l)RE·

De la ecuaci6n 4.17 puede derivarse un resultado interesante si la ecuaci6n se utiliza para esquematizar una red en serie que resultaria en la misma ecuaci6n. Tal es el caso de la red en

y

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.4 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor

Figura 4.18 Malia bse-emisor.

173

Figura 4.19 Red ecuacion

Figura 4.21 Malia colee torernisor.

174

de

Figura 4.20 Ni vel de impedancia

rcllejada Rr

la Figura 4.19. Al resolver para la corriente Is tendremos la rnisma ecuacion obtenida anteriormente. Observe que ademas del voltaje base-crnisor Vs£, el resistor RE se refleja de regreso al circuito base de entrada por un factor de (f3 + I). En otras palabras, el resistor del ernisor, que forma parte de la malla colector-ernisor, "aparece como" (f3 + 1) RE en la malla base-emisor, Dado que tfpicamente el valor de f3 es de 50 0 mas, el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el eircuito base. Por 10 tanto, en general, para la configuracion de la figura 4.20,

I Ri = ([3 + I )RE

(4.18)

La ecuacion 4.18 resultara ser uti! en el analisis que sigue, De hecho, proporciona una forma bastante facil de recordar la eeuaei6n (4.17). A traves de la ley de Ohm, sabemos que la corriente a traves de un sistema es igual al voltaje del circuito dividido entre la resistencia del mismo. Para el circuito base-ernisor, el voltaje neto es Vee - VBE. Los niveles de resistencia son RB mas RE reflejado par (f3 + I). EI resultado es la ecuacion 4.17.

Vee

Malla colector-emisor

La rnallacolector-emisor se vuelve adibujar enIa figura 4.21. Despues de utilizar.la ley de voltaje de Kirchhoff, en el sentido de las manecillas del reloj, para la mall a indicada tendremos:

+IERE + VCE + IeRe - Vee == 0 Al sustituir h "" Ie y agrupar los terminos obtenemos

Vee Vee + Ic(Re + RE) = 0

El voltaje con subindice sencillo V E es el voltaje del emisor a tierra y se determina por

(4.20)

mientras que el voltaje del colector a tierra puede detcrminarse mediante VCE == Ve - VE

y

(4.22)

(4.21)

o

EI voltaje en la base con respeeto a tierra puede determinarse mediante

I VB = Vee - IBRB I (4.23)

0 I VB = VBE + VE I (4.24) Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

Para la red de polarizacion en emisor de la figura 4.22, determine: (a) lB'

(b) Ie· (e) VCE (d) v,

(e) Vi:

(I) VB' (g) VBC'

+20Y

430 kQ

10 JlF Vi ----}I----+------'!

Figura 4.22 Circuito de polartzacion esrabihzado en ernisor del ejemplo 4.4.

Soluci6n

20 V 0.7 V

(a) Ecuaci6n (4.17): IB = RB + ({3 + I)RE

430 kfl + (5\)(1 kfl)

19.3 V = 40.1 A

481kn p.

(b) Ie = f3IB

== (50)(40.lfLA) "" 2.01mA

(c) Ecuacion (4.19): VeE = Vee - Ic(Re + RE)

= 20 V (2.01 mA)(2 kfl + I kH) = 20 V - 6.03 V

= 13.97 V

(d) Ve = Vee IeRe

= 20 V (2.01 mA)(2 kn) = 20 V 4.02 V

15.98 V

(e) VB '" Vc - VeE

= 15.98 V 13.97 V

= 2.01 V

o VE IERE"" [eRE

= (2.01 mA)(1 kfl) == 2.01 V

(f) VB = VBE+ VE

== 0.7 V + 2.01 V = 2.71 V

(g) Vse = VB - Vc

= 2.71 V - 15.98 V

= -13.27 V (con polarizacion inversa como se requiere)

4.4 Cireuito de polarizaci6n estabilizado en emisor

E]EMPLO 4.4

175

Determine In corriente de saturacion de la red del ejemplo 4.4,

E]EMPLO 4,6

Estabilidad de polarizaci6n mejorada

La incorporacion del resistor del ernisor para la polarizacion de de para el BJT, proporciona una mejora en la cstabilidad, es decir, la corriente y el voltaje en polarizacion de permancceran eercanos a losniveles cstablccidos por el circulto a pcsar de cambios en las condiciones exteriores como hi temperatura y la beta del transistor, Mientras se proporciona un analisis mate matico en la seccion 4,12, es posible obtener un analivis comparative de la mejora como se demuestra en el ejcrnplo 4.5,

Solucion

I - ~--=-=c., - Rc + RE

20V

= --,,-~-"----

2kfl + I kfl

6.67mA

20V 3kfl

EjEMPLO 45

10 cual representa cerca de tres veces el nivel de ICQ del ejernplo 4.4.

Vee

Figura 4.23 Determinacion de para el circuito de polarizaestabilizada en ernisor.

176

Prepare una tabla y compare el voltaje y las corrientes de polarizacion de los circuitos de las figuras 4,7 y 4,22 para el valor dado de {3 50 Y para el nuevo valor de {3 '" 100, Compare

los cam bios lc Y VeE para el mismo incremento de {3.

Soluci6n

Analisis por medio de la recta de carga

EI analisis por medio de la recta de carga de la red de polarizacion en emisor es ligcramente difcrente del encontrado para eI caso de lu configuracion en polarizacion fija. EI nivel de 18 como 10 determina la ccuacion 4.17 define el nivel de 18 sobre las caracterfsticas de la figura 4.24 (denotado como h3Q)'

Alutilizar los resultados calculaclos en el ejemplo 4,1 Y luego repctir para un valor de f3 ;;; 100 tendremos 10 siguiente:

(3 I,,(p.A) Ic;(mA) V,,(V)
Ie
50 47,08 2.35 6,83
100 47,08 4,71 1.64
Vee
Rc+ RE La corriente del colee tor del BJT cambia 100% debido al cambio de 100% en el valor de {3, 18 se mantiene igual, y Vcc disminuyo 76%.

AI utilizar los resultados calculados en el ejemplo 4.4 y luego repetirlos para un valor de (3 '" 100, tendremos 10 siguiente:

f3 I,,(p.A) I,(mA) va (V) Figura 4.24 Recta de carga
50 40,1 2.01 0 Vee VCE para la configuration de polari-
13,97 zacion en emisor.
100 36,3 3,63 9,11 La ecuacion de la malla colector-emisor que define a la recta de carga es la siguiente:

VCE = Vcc Ic(Rc + RE)

Ahora, la corriente del colector del BJT se incremento 81 % debido al incremento del 100% en f3. Note que II! disminuyo, para ayudar a mantener el valor de I c, 0 al menos para reducir el cambio global de Ic como consecuencia del cambio en f3. EI cambio en VCE eay6 en cerca de 35%. La red de la figura 4.22 es por 10 tanto, mas estable que la de la figura 4.7 para elmismo cambio en {3.

Al seleccionar leO mA, tcnemos

(4.26)

segun se obtuvo para la configuracion de polarization fija, Al seleccionar V CE'" 0 V tenemos

Nivel de saturaci6n

(4.27)

EI nivel de saturacion del colector 0 corriente maxima del colector, para un disefio de polarizacion en emisor puede determinarse al utilizar elmismo enfoque que se aplico para la configuracion de polarizacion fija: Aplicando un "corto circuito" entre las terminales colector-emisor como se rnuestra en la figura 4.23 y calcule lacorriente del colector como se observa en lit figura 4.23:

como se muestra en la figura 4.24: Niveles diferentes de ISQ desplazaran, como es evidente, al punto Q haciaarriba 0 hacia abajo sobre la recta de carga.

(4.25)

4.5 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

En las configuraciones de polarizacion previas, la corriente ICQ y el voltaje V CEQ de polarizaci6n eran funcion de la ganancia de corriente (f3) del transistor. Sin embargo, debido a que f3 es sensible a Ia temperatura, especial mente para el caso de los transistores de silicio, y a que el valor real de beta norrnalmente no sc encuentra bien definido, seria rnuy deseable desarrollar un cir-

La incorporacion del resistor del emisor redujo el nivel de saturacion del col ector por debajo del que se obtuvo con una configuracion de polarizacion fija que utiliza el mismo resistor del colector.

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

4.5 Polarizacion pOl' divisor de voltaje

177

Vee

Ie

RTh: La Fuente de voltaje se rccmplaza por un cquivalente de corto circuito como se muestra en la figura 4.28.

resultantc)

ETh: La Fuente de voltaje Vee se reincorpora a la red yse calcula e! voltaje Thevenin de circuito abierto de la figura 4.29 como sigue:

Al aplicar Ia regia del divisor de voltaje:

(4.29)

Luego la red de Thevcnin se vuelve a dibujar como se muestra en la figura 4.30, y po-

dra dcterminar IBQ al aplicar primerarnente la ley de voltaje de Kirchhoff en direcci6n de las manecillas de reloj para la malIa que se indica:

ETh - fsRTh - VSE - JERE 0= 0 AI sustituir hi = (f3+ 1)111 Y resolver para IB tenemos:

Figura 4.25 Configuracion de polanzacion per divisor de volta]e.

Figura 4.26 DefI01CJ("n del punto Q bajo la conliguracion de polarizacion de divisor de voltajc

(4.30)

cuito de polarizacion que sea menos dependientc, 0 de hecho, indepcndiente de la beta del transistor. La configuraci6n de polarizaci6n por divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red que cumple con tales condiciones. Si esta se analiza sabre una base rigurosa, lasensibilidad a cambios en beta es muy pequefiu, Si los parametros del circuito son seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes de ICQ Y V CEQ llegan a ser casi total mente independientes de beta. Recuerde de analisis anteriores que un punto Q se define pOI' un nivel fijo de Ic Y VCEQ como se muestra en In FIgura 4.26, EI nivel de 1l1Q se altcrara con cambios en beta, per6 el punto de operacion sobre las caractensticas definido por I cQ.Y V CEQ puede permanecer fijo si se ernplean panimetros apropiadosdel circuito,

Como se indico antes, existen dos metodos que pueden aplicarse para analizar In configuraci6n por divisi6n de voltaje, La raz6n para la elcccion de los nombres para esta configuraci6n sera obvia con el analisis siguiente, El primero que se demostrara es el metodo exacto que puede aplicarse en cualquier configuraci6n por division de voltaje. EI segundo se denomina 11113todo aproximado y puede aplicarse solamente si sc satisfuccn condiciones especfficas. EI metodo aproximado permite un analisi» mas directo que ahorra tiempo y energfa. Ademas, es particularmente uti! para la modalidad de dixefio que se describira en una secci6n posterior. En general, el enfoque aproximado puede aplicarse a la mayorfa de las situaciones por 10 que debora estudiarse con el mismo interes que el metodo exacto.

Aunque la ecuaci6n 4.30 inicialmente pareee diferente de aqucllas que hemos elaborado antes, observe que nuevamente el numerador es la diferencia entre dos niveles de voltajc Y que el denominador es la suma de la resistencia de base y el resistor del emisor reflejado pOl' (j3 + 1),10 cualciertamente es muy similar a la ecuaci6n 4.17.

Una vez que se conoce Is, las cantidades restantes de la red puedcn encontrarse de la mismaforma que la empleada para la configuraci6n con polarizaci6n en emisor. Es decir,

(4.31)

\0 cual es exactamente igual a la ecuaci6n 4.19. Las ecuaciones restantes para VE, Vc Y VB son tarnbien las mismas que las obtenidas para la configuraci6n de polarizaci6n en emisor.

~~-o_ 1 .. 1 RTI;

":" "='

Figura 4.28 Dcttrmin~t(':l~)n de RT11>

F:~';

':'

Figura 4.29 Dcterrninac ion de Erh.

Figura 4.30 lnscrcion del circuuo cqulvalcnrc de Thcvenin.

Determine el voltaje de polarizaci6n de de VCE y la corriente lc para la configuracion por divisor de voltaje de la figura 4.31.

EjEMPLO 4.7

Soluci6n

Analisis exacto

La parte de la entrada en la red de la 4.25 puede volverse a dibujar como se presenta en Ia figura 4.27 para el anal isis de de. La red equivalente de Thevenin para Ia red a la izquierda de la terminal de la base puede determinarse de la siguiente forma:

+22 V

. ,

Figura 4.27 Rcdibujo de la parte de entrada de la red de

Thevenin la figura 4,25.

Figura 4.31 Circuito de beta estabilizada para cl ejemplo 4.7.

178

Capitulo 4 Polarization de de para BJTs

4.5 Polarizaci6n par divisor de voltaje

179

RdlR2

(39 kf1)(3,9 kn)

y R2 podran ser considerados elementos en serie. EI voltaje a traves de R2, que en realidad es el voltaje de base, puede deterrninarsc mediante la regla del divisor de voltaje (de ahf el nombre de III configuracion). Esto es,

Ecuacion (4,28): RTb

= O.85mA

Ecuacion (4.31): VeE = Vee - h(Re + RE)

= 22 V - (0,85 mA)(1O kfl + 1.5 kfl)

= 22 V 9.78 V

= 12.22 V

Ecuacion (4.29):

Ecuaci6n (4.30)

3,55 Hi

39 kfl + 3.9 k!'l

(432)

(3,9 Hi)(22 V)

-'-----'---'- = 2 V

39 kn + 3.9 kfl

Debido a que R; ([3 + I )R£ "" [3RE la condicion que definira 51 el enfoque aproxima-

do puede aplicarse sera la siguiente:

(4.33)

RTh + ([3 + I)RE

2 V - 0,7 V

1.3 V

----

355 kfl + 211.5 kH

En otras palabras, si f3 veces el valor de RE es al menos 10 veces el valor de R], es posible aplicar el enfoque aproximado con un alto grade de exactitud.

Una vez que VB se determine, el nivel de VE puede ser calculado con

3,55 kn + (141)(1.5 kn) := 6.05 /LA

Ie = [3In

= (140)(6.05 /LA)

(4.34)

y la corriente del emisor se determine a partir de

r..»: ~

(4.35)

e

(4.36)

EI voltajecolector a emisorse determina par

Vee JeRe

Analisis aproximado

La secci6n de entrada de la configuraci6n por divisor de voltaje puede ser representada por la red de la figura 4.32, La resistencia R; es la resistencia equivalente entre la base y la tierra para el transistor con un resistor en el emisor RE, Recuerde que en la seeci6n 4.4 (ecuaci6n 4.18) la resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por R; = ({3 + I) RE• Si R, es rnucho mayor que la resistencia R2, la corriente III sera mucho menor que J2 (la corriente siempre busea el camino con menor resistencia) e 12 sera aproximadamente igual a II. Si se acepta la aproximaci6n de que III es esencialrnente cero amperes, comparada con II 012, entonces II = 12 Y RI

+

180

pero dado que IE

(4.37)

Observe que en la seeuencia de calculos dcsde la ecuacion 4.33 ala ecuaci6n 4.37, f3 no aparece y que IB no fue calculada, EI punto Q (scgun se determine por ICQ y VCEQ) sen! pOI' 10 tanto independiente del valor de {3.

Repita el anal isis de la figura 4.3 I utili zan do ahora la tecnica de aproximaci6n, y compare las soluciones para leQ y VaQ,

Soluci6n Probando:

[3RE 2: IOR2

(140)(1.5 kfl) 2: 10(3.9 kfl) 210kfl2: 39 kfl (satisfecha) R2Vee VB=---

RI + R2

,

1 B -11-

....

Ecuaci6n (4.32):

R/ R/ »Rz (II ;;;, 12)

Figura 432 Circuito de polarizacion parcial para caleular el voltaje de base aproximado VB,

(3.9 kfl)(22 V) 39 kfl + 3,9 kfl

=2V

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

45 Polarizaci6n por divisor de voltaje

181

Observe que el nivel de VB es el misrno que el de RTh determinado en el ejemplo 4.7.

Esencialmente, por 10 tanto, In principal diferencia entre las tecnicas exacta y aproxirnada es el efecto de RTh en el caso del analisis exacto, el eual scpara ETh y VB'

Ecuacion (4.34): VE = VB VBE

= 2 V - 0.7 V 1.3 V

Al tabular los resultados se obtiene:

f3

(v)

140 70

0.85

12.22 12.46

1.3 V

--- = 0.867 rnA 1.5 kf1

Los resultados clararnente muestran la insensibilidad relativa del circuito ante cambios en f3.

Incluso cuando f3 se divide drasticamente a la mitad, de 140 a 70, los niveles de y

son esencialmente los mismos.

cornparado con 0.85 mA bajo anal isis exacto. Finalmente,

VeE" Vee - Ic{Rc + RE)

22 V - (0.867 rnA)(lO kV + 1.5 kfl) 22 V - 9.97 V

12.03 V

contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 4.7.

Los resultados de leQ Y VCEQ son ciertamente muy cercanos, y considerando las variaciones reales en los valores de los parametres, puede considerarse uno tan preciso como el otro. Mientras mayor sea el nivel de R, cornparado con Rz, mas cercana se encontrara la solucion aproxirnada a la ex acta. EI ejcmplo 4.10 cornparara las soluciones bajo un nivel muy por debajo de la condici6n establccida por la ecuacion 4.33.

Determine los niveles de ICQ y VCEQ para la ccnfiguracicn de divisor de voltaje de la figura 4.33 mediante las tecnicas exacta y aproximada y compare las soluciones, En este caso, las condiciones de la ecuacion 4.33 no scran satisfechas, sin embargo, los resultados revelaran la diferencia en las soluciones si el criterio de la ecuacion 4.33 se ignora.

18V

Este ejemplo no presenta una comparaci6n entre los metodos exacto y aproximado sino una prueba acerca de cuanto se movent el punto Q si el nive! de f3 se divide a la mitad. RTfz yEn, son los mismos:

Figura 4.33 Conliguracion de divisor de volia]e para el ejcmplo 4.10.

EjEMPLO 4.9

Repita el analisis exacto delejemplo 4.7 si [3 se reduce a 70y compare las soluciones para IcQY VCEQ'

Soluci6n

RTh = 3.55 kn,

ETh Vae

18 = -'--'---

RTh + ([3 + l)RE

2 V - 0.7 V

---- = --------

3.55 kfl + (71)(1.5 kH)

= 11.81 /LA

lcu = f318

= (70)(11.81 /LA) == 0.83 m A

VCEQ = Vcc - IcCRe + RE)

= 22 V - (0.83 mA)(lO kn + 1.5 kf1)

Soluci6n

1.3 V

Por analisis ex acto

3.55 kH + 106.5 kn

Ecuacion (4.33): f3RE;::: IOR2 (50)(1.2 kfl) ;::: 10(22 kH)

60 kH it 220 kf1 (no satisfecha)

RTh = RdlR2 82 kflll22 k!1= 17.35 kfl

R2VCC 22kH(I8V) = 3.81 V

ETh = R I + R2 = 82 kH + 22 kH

3.81 V -:" ... fJ.:2.. V __ = ~~ == 39.6 /LA

17.35 kG + (51)(1.2 kG) 78.55 kf1

== 12.46 V

182

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.5 Polarizacion par divisor de voltaje

183

{3JB == (50)(39.6/LA)

y

(439)

1.98 rnA

Vee - Ic(Rc + RE)

18 V (1.98 mA)(5.6 kf1 + 1.2 kfl)

4.54 V

(4040)

Por analisis aproximado

VB = ETh 3.81 V

VI VB VEE 3.8IV-O.7V=3JIV

3.11 V

El nivcl de J B es. desde luego. determinado por una ecuacion diferente para las configuracioues de polarizacion por divisor de voltaje y de polarizacion en ernisor.

1.2 kfl

2.59 rnA

VeEQ Vee IdRc + RE)

18 V (2.59 mA)(5.6 kn + 1.2 k{l)

= 3.88 V

Mathcad

EI poder y la utilidad de Mathcad puedcn demostrarse ahora para el casu de la red del ejemplo 4.7. Cuando se utiliza Mathcad, no hay necesidad de preocuparse sobre cual metoda (exacto 0 aproximado) debora de emplearse para la red de polarizacion por divisor de voltaje: ya que Mathcad siempre proporcionara los resultados mas precisos posibles para los datos capturados.

Como se muestra en la figura 4.34. primero se capturan todos los parametres (variables) de la red, sin necesidad de ineluir las unidades de medicion. Aunque el listado aparece como el mostrado en la figura 4.34, en el almacenamiento (disco duro interno 0 disco flexible) es posible modificar los parametres en cualquier momento con una actualizacion inmediata de los resultados. Todas las ecuacioncs luego se introducen en un orden que pennita utilizar los resultados para calcular la siguiente cantidad de interes, Esto es, las ecuaciones se deberan capturar de izquierda a derecha y hacia abajo de la pantalla. En este ejemplo, IB se determina primero ya que sera utilizada para encontrar IC en la siguiente lfnea,

Mediante Mathcad, los resultados obtenidos corresponden exactamente para el caso de IB e IC y sonligeramente difercntcs para VCE debido a que el nivel de precisi6n para Ie que maneja Mathcad para la solucion es mayor. La grandiosa ventaja de mantener esta secuencia de calculos almacenada, es que puede ser recuperada en pantalla para cualquier red de divisor de voltaje, y que es posible obtener los resultados de forma rapida y precisa, carnbiando simplemente las magnitudes de variables especfficas.

Tabulando los resultados tenemos:

ic,(mA) (V)
Exarto 1.98 4.54
Aproxirnado 2.59 3.88 Los resultados revelan las diferencias entre las soluciones exacta y aproximada. J c es casi 30% mayor con elanalisis aproximado, mientras que VCE es cerea de 10% menor. L~s resultados son notoriamente difercntcs en magnitud, pero inclusoaunque {3R" es solo cerca de tres veces mayor que R2, losresultados son aun relativamente cercanos entre sf. En el futuro, sin embargo, nuestro analisis sent estipulado por la ecuacion 4.33 para asegurar una similitud cercana entre las soluciones exacta y aproxirnada.

Saturacion del transistor

Rl :=39,103

RE:= 15\03

EI circuito de salida colecto-emisor para la configuracion del divisor de voltaje posce la misma apariencia que la del circuito de polarizacion en cmisor analizado en la seccion 4.4. La ecuacion resultante para la corriente de saturacion (donde Veli se haee cero volts en la grafica) es por tanto, la misrna que se obtuvo para la configuracion de polarizaci6n en emisor, Esto es,

VCC :=22

bet. := 140

VBE :=0.7

RTh:=Rl'~ (RI+R2)

ETh:=R2·~ (RI+R2)

(4.38)

IB :=.,-o:-;=-E~T-:ch;--_(VB--:-E:-:) =:(RTh1-(1x:1a1-.I)·RE)

IB = 6045'10-6

IC:=bela,IB

-4 IC = 8.463'10

Analisis por medio de la recta de carga

Las similitudes con el circuito de salida de la configuracion de polarizaci6n en ernisor provocan las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracion del divisor de voltaje. POl' 10 tanto, la recta de carga tendra la misma apariencia que la de la figura 4.24, con

VCE :=VCC-IC(RC+ RE)

VCE" 12.267

Figura 4.34 Verificacion de los resultados del ejernplo 4.7 mediante Mathcad.

184

Capitulo 4 Polarizacion de de para BjIs

4.5 Polarizacion pOl' divisor de voltaje

185

4.6 POLARlZACION DE DC CON RETROAUMENTACION DE VOLTAJE

MalIa base-emisor

con la ausencia de R' de la configuracion de polarizacion fija, R' = R£ para la configuracion de polarizacion en ernisor (con ([3 + 1) == [3), y R' = Rc + RE para el arreglo de retroalimentacion del colector. El voltaje V' es la diferencia entre losdos niveles de voltaje.

Ya que Ie = [31 s.

{3V'

R8 + PR'

En general, mientras mas grande sea {3R' comparada con Rs, menor sera la sensibilidad de ICQ ante variaciones en la beta. Obviamente, si [3R' ;;, Rs y Rs + [3R' == [3R', entonces

{3V' V'

I - =-

Co - RB + {3R' - {3R' R'

e ICQ es independiente del valor de beta. Debido a que normalmente R' es mayor para la configuracion de retroalimentacion de voltaje que para la configuracion de polarizaci6n en emisor, la sensibilidad variaciones de [3 es menor. Desde luego, R' es igual a cero ohms para la configuraci6n de polarizaci6n fija y es por tanto muy sensible ante las variaciones en beta.

La figura 4.36 muestra la mall a base-ernisor para la configuracion de retroalimentacion de voltaje. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de esta mall a en Ia direccion de las rnanecillas de reloj tenemos el siguiente resultado

Vce - IeRe IyRB - VBE - hRE = 0

posible obtenerun mejor nivel de estabilidad al introducir una traycctoria de retroalimcntacion desde cl colector ala base. como semuestra en la figura 4.35. A pesar de que el pllntoQ no es completamente independiente de la beta (incluso bajo condiciones de aproximacion), la sensibilidad ante cambios en la beta 0 a variaciones de temperatura es normalmente menor que la que se encuentra en las configuraciones de polarizacion fija 0 de polarizaci6n en emisor. EI analisis nuevamente se cfectuara comenzando por analizar la malla base-ernisor con los resultados aplicados luego a la mall a colector-cmisor,

Figura 4.35 Circuito de polarizacion de de con retroalimentaci6n de volta]e.

Mana colector-emisor

La malla colector-emisor para la red de la figura 4.35 se proporciona en la figura 4.37. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de esta, en sentido de las maneeillas de reloj, el resultado es

IERE + VCE + IeRe - Vce 0

Dado que Ie = Ie y que l e == fe, tenemos

fe(Re + RE) + VeE - Vee = 0

y

(4.42)

Figura 4.36 Malla base-ernisor para ia red de la figura 4.35.

el cual es exactamente el obtenido para las configuraciones de polarizacion en emisor y de divisor de voltaje.

Figura 4.37 MalIa colcctor-emisor para la red de la figura 4.35.

Determine los niveles de reposo de ICQ y V CEQ para la red de la figura 4.38.

E]EMPLO 4.11

Es importante observar que la corriente a traves de Rc no es Ic sino Ie (siendo Ie = Ic + 18), Sin embargo, los niveles de lee Ie exceden por rnucho al nivel de Is por 10 que la aproximaci6n

IC == Ie es normalmente utilizada. Al sustituir I~, == Ie f3IB e h; = fe resultara

Vee - f3IBRe - IeRs - VilE - f3IBRE := 0

Al agrupar los terminos tenemos

Vee - VBI' - (3Is{Rc + RE) - IBRa := 0 y al resolver para Is resulta

Solucion

Ecuaci6n (4.41):

Vec - VBE

Ia == --=----"'=---

Ra + f3(Re + RE)

lOY - 0.7V

250 kH + (90)(4.7 kH + 1.2 kH)

9.3 V

9.3 V

(4.41)

------- - ---

250 kH + 531 kH 781 kH

11.91p.A

lcQ= f3Is = (90)(H.91 p.A) = 1.07 rnA

VCEQ = Vee - lc(Rc + RE)

10 V (1.07 mA)(4.7 kH + 1.2 kH)

10 V - 6.31 V

= 3.69 V

EI resultado es muy interesanteen cuanto a quesu formato es muy similar al de las ecuaciones parais obtenidas para configuraciones anteriores. Nuevamente elnumerador es la diferencia entre los niveles de voltajc disponibles, mientras que el denominador es igual a la resistencia de la base mas los resistores del colector y del emisor reflejados por beta. En general, por tanto, la trayectoria de retroalimentaci6n da por resultado un reflejo de la resistencia Rc de regreso hacia el circuito de entrada, de la misma forma que el reflejo de RE•

En general, la ecuaci6n para Is ha tenido el siguiente formato:

V'

I ----s - Rs + f3R'

186

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

lOY

Figura 4.38 Red del ejernplo 4.11.

4.6 Polarizacion de de con retroalimentaci6n de voltaje

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