Nombre: Abel Pilca Nivel: 2AM Fecha: 29/05/2023

Materia: Dispositivos Electrónicos Ing. Michael Carrión

MODELO RE DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

Introducción.
El modelo re, es un modelo simplificado que se utiliza para analizar el comportamiento del
transistor en aplicaciones de amplificación de señales pequeñas.
En el modelo re, se considera que la corriente de base (Ib) controla la corriente de colector (Ic)
a través de un resistor denominado "re". Este resistor representa la resistencia interna vista desde
la base del transistor y se asocia con los efectos de realimentación negativa que ocurren dentro
del dispositivo.

Desarrollo.
El modelo re del TBJ se define por los siguientes parámetros:

Beta (β): También conocido como ganancia de corriente, es la relación entre la corriente de
colector (Ic) y la corriente de base (Ib) en el transistor. Se expresa como β = Ic / Ib.
Resistencia de entrada (re): Es el resistor equivalente asociado con la base del transistory se
define como re = (25 mV / Ic), donde Ic es la corriente de colector en amperios.
Resistencia de salida (Rc): Representa la resistencia que se ve desde el colector del transistor
hacia la fuente de alimentación. En el modelo re, Rc se considera infinita, lo que implica que
no hay resistencia de salida.

Resistencia de realimentación (Re): Representa la resistencia de emisor del transistor y se

coloca externamente en el circuito para estabilizar la polarización y mejorar el rendimiento del
amplificador.

Para utilizar el modelo Pi, hace falta calcular dos parámetros: la resistencia Pi y la
transconductancia gm. Estos parámetros se calculan utilizando las siguientes ecuaciones:
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Materia: Dispositivos Electrónicos Ing. Michael Carrión
En estas ecuaciones la β es la ganancia del transistor, la cual es un dato del propio transistor.Este
dato casi siempre lo proporciona el enunciado del problema que estemos trabajando. VT es
el voltaje térmico, el cual es aproximadamente 0.026 voltios a la temperatura ambiente (27 ºC).
Los sub índices que contienen Q hacen referencia a condiciones de carga.

El modelo re simplifica el análisis del transistor en aplicaciones de pequeña señal, pero no tiene
en cuenta ciertos efectos no lineales y dependencias de temperatura. En aplicaciones demayor
frecuencia o en condiciones de señales grandes, se utilizan modelos más complejos para un
análisis más preciso.

Modelo re del transistor para emisor común

Teniendo todos los parámetros de entrada y salida de la configuración original, quede establecida
una primera red equivalente para el transistor, pero aun es necesario agregar la impedancia
equivalente.

Este equivalente se puede mejorar reemplazando primero el diodo por su resistencia equivalente
determinada por el nivel de la corriente del emisor. Recordemos que re=26Mv/Ie.

La impedancia de entrada es:

Conclusiones.

Para definir el valor de impedancia de salida, hay que considerar las características de salida
típicas de un BJT. La pendiente de cada curva definirá una resistencia en ese punto.