INSTITUTO TECNOLÓGICO ELECTRÓNICA INDUSTRIAL I

SEBASTIAN OBERMAIER Ing. Vidher W. Bustillos D.

LABORATORIO Nº 3

POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES EN CORTE Y SATURACIÓN

1. OBJETIVOS
 Conocer el funcionamiento del transistor dentro la zona de corte y saturación.
 Medir los niveles de voltaje y corriente correspondiente al corte y la saturación.
 Realizar circuitos aplicativos con estas dos configuraciones utilizando el transistor bipolar.

2. FUNDAMENTO TEORICO

Transistor bipolar en corte:

El montaje más utilizado dentro de la polarización de los transistores, es el de emisor común, a continuación
se analiza las características del transistor bipolar en corte usando esa configuración:

El hecho de que la corriente de base sea aproximadamente nula, es equivalente a mantener el circuito de
base abierto, lo que supone que el potencial existente entre la base y el emisor en el transistor es negativo
o nulo.
La intensidad de colector cuando la de base sea cero es igual a la de fugas. Debido a que esta intensidad
alcanza valores muy pequeños, cuando se realizan estos cálculos se supone que la corriente de colector
es nula, por lo tanto la diferencia de potencial entre el colector y el emisor se aproxima a la de alimentación.

Transistor bipolar en saturación:

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En este caso utilizaremos también la configuración de emisor común. Las tensiones y las corrientes en un
transistor en saturación son las siguientes:

 Para que un transistor de silicio este saturado, la diferencia de potencial (VBE) entre la base y el
emisor ha de ser de unos 0.8 V aproximadamente, la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor no es cero pero alcanza valores muy pequeños. Esto se debe a que el diodo colector-base
esta polarizado directamente y se comporta como una pequeña resistencia interna que produce una
caída de tensión.

 Prácticamente toda la tensión de alimentación cae en la resistencia de colector, la IC es máxima, un

aumento de la IB no provoca un aumento de la IC, la corriente que circula por la IC ha de ser limitada
por el circuito exterior.

 La razón de transferencia (ganancia) de corriente directa en corriente continua establece la relación

entre las corrientes de colector y de base. Se le conoce además como beta (β) de corriente continua
y se representa por hFE. Conocemos IC, dado por Vcc/Rc y el fabricante proporciona (β=hFE), por
lo que obtenemos como dato fundamental la IB de entrada (Ic/β) que será necesaria para saturar el
transistor.

𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶
𝐼𝐶 = → 𝐼𝐵 =
𝑅𝐶 𝛽

Configuración Emisor común para corte y saturación:

La manera más sencilla y práctica de usar un transistor es emplearlo en conmutación, lo que quiere decir
que debe funcionar en saturación o en corte y que no debe funcionar en ningún otro punto de la recta de
carga. Si un transistor está saturado, actúa como un interruptor cerrado del colector al emisor. Si un
transistor está en corte, es como un interruptor abierto.

Donde:

Vcc
La recta de carga que presenta este circuito será:
Ic
RC Vcc
z. saturación Vent=5v.
Vsal Rc

RB Q1 z. corte Vent=0v.
Vent NPN VCE
Vcc

3. INVESTIGAR Y SIMULAR

En muchos circuitos la acción de conmutar se realiza por medio de un relé, el cual se activa a través de una
carga externa. Esta parte del circuito es la que siempre aparece, pero hay más cosas que debemos saber
si queremos aprender a diseñar un excitador de relé de forma adecuada, lo cual se resumen a continuación:

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Para: relé de 12V con

330Ω de resistencia
12
𝐼𝐶 = = 37𝑚𝐴
330

Como el relé funciona con Vrelé

El transistor, debe trabajar mayor
a esta tensión entre colector y
emisor
𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝑅𝐸𝐿É

Si: Vrelé= 12V.  VCE=18V.

El valor de la corriente de base depende de

la ganancia (Hfe=β) del transistor. Si:
𝐼𝐶 37 𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 0.37 𝑚𝐴
𝐻𝑓𝑒 100
Como regla se tiene que R1, puede bajar
3V entre base y emisor para que funcione
el transistor, por lo tanto:
3 − 𝑉𝐵𝐸 3 − 0.7
𝑅1 = = = 6216Ω
𝐼𝐵 0.37 𝑚𝐴
Tomando el valor más próximo por debajo
𝑅1 = 6𝐾1 Ω

Simular:

4. MATERIAL NECESARIO

 Transistores bipolares NPN BC 548 ó 2N2222 o similares

 Resistencias de distintos valores y potencias
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 Potenciómetros de distintos valores

 1 Relé de 12 V a 230VAC
 1 diodo 1N4001 o similar
 1 Protoboard
 Fuente de alimentación DC
 Multímetro digital

5. EXPERIENCIA EN EL LABORATORIO

Circuito 1:
En base a lo explicado con anterioridad, proponer un circuito que realice el encendido y apagado de un
LED, mediante la utilización de un LDR (resistencia dependiente de la luz).

Verificar el funcionamiento del circuito y medir la corriente de saturación y el voltaje de corte en el transistor

Circuito 2:

Un módulo que se puede construir publicado por: Alex Ricaurte en su artículo

titulado: COMO CONTROLAR UN RELÉ CON UN TRANSISTOR es el siguiente:

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Ecuación para calcular la resistencia de Base

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