Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
ELECTRÓNICOS
Manual de prácticas Revisión 2.0
El alumno aprenderá el uso de los equipos de instrumentación y prueba para caracterizar los
dispositivos y circuitos electrónicos. También desarrollará habilidades de análisis y diseño, para simular
y armar circuitos electrónicos de acuerdo a la configuración y características de los dispositivos.
INTRODUCCIÓN
La electrónica es una rama de la física aplicada que se enfoca en el flujo y control de los electrones.
Para cumplir este objetivo se utilizan mayormente los dispositivos pasivos como los resistores,
capacitores e inductores; También los dispositivos activos como los diodos, transistores, tiristores,
circuitos integrados entre otros. Al iniciar en la electrónica, la gran variedad de dispositivos y la
complejidad en la interpretación, análisis, diseño, búsqueda de fallas etc. que son una necesidad en el
campo laboral y de investigación, puede volverse muy complejo. Por esta razón el laboratorio de
dispositivos electrónicos es ideal para los estudiantes que inician sus estudios en electrónica, el cual
tiene como objetivos, cultivar habilidades analíticas, técnicas y de campo.
El laboratorio se aborda con 10 prácticas. En las prácticas 1 y 2 se explica el uso de los instrumentos de
medición como lo son el osciloscopio y el multímetro; además de los instrumentos de prueba como la
fuente de poder y el generador de señales. Pasando por el uso de la tarjeta de prototipos y dispositivos
electrónicos pasivos (resistores, capacitores e inductores) tomando en cuenta las leyes y teoremas
como la ley de Ohm, ley de Kirchhoff de Tensión, ley de Kirchhoff de Intensidad, teorema de Thévenin y
configuraciones serie y paralelo.
En la practica 3, 4 y 5 se abordan los diodos rectificadores, zener y de emisión de luz considerando sus
características para la elaboración de circuitos recortadores, duplicadores, sujetadores y rectificadores
en fuentes de tensión.
En las prácticas 6 y 7 se estudian los transistores TBJ. En concreto las regiones de operación, sus
configuraciones más comunes como interruptores y como amplificadores. Además de algunos usos
prácticos con la intención de interiorizar en el estudiante los conceptos aprendidos. En las prácticas 8 y
9, caso similar al TBJ se estudian los JFET.
Cada una de las prácticas contiene un previo, que prepara al estudiante con preguntas abiertas de
investigación, conceptos, ejercicios y diagramas electrónicos referentes a la práctica, para analizar y
simular antes de armar algún circuito real. Guiando al estudiante por una metodología que promueva
una sólida formación profesional.
Contenido
OBJETIVO GENERAL ...................................................................................................................................................................... 2
INTRODUCCIÓN............................................................................................................................................................................. 2
1. PRÁCTICA I Resistores, divisores de tensión. ............................................................................................................. 6
Objetivos ...................................................................................................................................................................................... 6
Equipo ........................................................................................................................................................................................... 6
Material ......................................................................................................................................................................................... 6
Previo ............................................................................................................................................................................................. 7
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 11
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 11
2. PRÁCTICA II Capacitor, inductor y relaciones de fase .......................................................................................... 12
Objetivos .................................................................................................................................................................................... 12
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 12
Material ....................................................................................................................................................................................... 12
Previo ........................................................................................................................................................................................... 13
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 16
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 16
3. PRÁCTICA III Características de los diodos rectificador, zener y LED ............................................................. 17
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 17
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 17
Material ....................................................................................................................................................................................... 17
Previo ........................................................................................................................................................................................... 18
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 21
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 23
4. PRÁCTICA IV Fuentes de poder .................................................................................................................................... 24
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 24
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 24
Material ....................................................................................................................................................................................... 24
Previo ........................................................................................................................................................................................... 25
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 27
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 28
5. PRÁCTICA V Recortador, sujetador, duplicador y regulador de tensión....................................................... 29
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 29
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 29
Material ....................................................................................................................................................................................... 29
Previo ........................................................................................................................................................................................... 30
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 32
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 34
6. PRÁCTICA VI El transistor BJT y sus regiones de operación............................................................................... 35
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 35
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 35
Material ....................................................................................................................................................................................... 35
Previo ........................................................................................................................................................................................... 36
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 40
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 43
7. PRÁCTICA VII Aplicaciones con el BJT ........................................................................................................................ 44
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 44
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 44
Material ....................................................................................................................................................................................... 44
Previo ........................................................................................................................................................................................... 46
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 48
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 48
8. PRÁCTICA VIII El transistor JFET y sus regiones de operación .......................................................................... 49
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 49
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 49
Material ....................................................................................................................................................................................... 49
Previo ........................................................................................................................................................................................... 50
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 52
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 54
9. PRÁCTICA IX Aplicaciones con el JFET ....................................................................................................................... 55
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 55
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 55
Material ....................................................................................................................................................................................... 55
Previo ........................................................................................................................................................................................... 56
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 56
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 57
10. PRÁCTICA X OPAMP ,................................................................................................................................................... 58
Objetivo ...................................................................................................................................................................................... 58
Equipo ......................................................................................................................................................................................... 58
Material ....................................................................................................................................................................................... 58
Previo ........................................................................................................................................................................................... 59
Desarrollo ................................................................................................................................................................................... 61
Conclusiones ............................................................................................................................................................................. 63
Bibliografía ..................................................................................................................................................................................... 64
1. PRÁCTICA I Resistores, divisores de tensión.
Objetivos
Capacitarse en el uso del equipo del multímetro, fuente de poder, conectores y puntas de prueba para
su uso.
Identificar las configuraciones en serie, paralelo, divisores de tensión, de corriente en los circuitos
armados y simulados.
Analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y experimentales obtenidos para sustentar
conclusiones.
Equipo
Nombre Modelo
Fuente de Poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 100 Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 1K Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 10K Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 2K2 Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 330 Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón Calculado en previo 1
Potenciómetro carbón 10K Ohm 1
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m cada color
etc.
Cables banana caimán Par 1 Juego
Protoboard 2
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Caimanes medianos 1 paquete
Tira de pines macho (pin header Doble
male)
Previo
1. Definir la ley de Ohm y dar un ejemplo
2. Expresar matemáticamente el divisor de tensión
3. Expresar matemáticamente el divisor de corriente
4. Expresar matemáticamente la ley de Kirchhoff de Voltajes
5. Expresar matemáticamente la ley de Kirchhoff de Amperaje
6. Investigar la ficha de datos para los resistores y las especificaciones para comprar un resistor.
7. Investigar los prefijos para valores de resistencias comerciales estándar así como la tabla de
colores.
8. Para el Circuito 1-1, explicar el procedimiento para medir el voltaje y la corriente que atraviesa el
resistor utilizando un multímetro real.
V1
5V R1
1k2
9. Para el Circuito 1-2, explicar el procedimiento para medir el voltaje en el resistor y la corriente que
atraviesa el resistor utilizando un multímetro real.
V1
VSINE R1
120Vrms 1M
10. ¿Qué precauciones se deben tomar en cuenta al medir corrientes y tensiones como en los puntos 8
y 9?
11. Utilizar la expresión de divisor de tensión para encontrar el valor de la resistencia R2 en el Circuito
1-3.
R1
330
Vout = 10V
V1
15V
R2
12. En el simulador Multisim, elaborar el Circuito 1-3 y utilizar el valor de la resistencia calculado para
comprobar si la tensión a la salida es de 10V
13. Utilizar la expresión de divisor de corriente para calcular las corrientes que circulan por las
resistencias R1 y R2
I1
15mA R1 R2
500 1k
14. En el simulador Multisim, elaborar el Circuito 1-4 y comprobar si las resistencias R1 y R2 calculadas
son correctas.
15. Utilizar el divisor de tensión para calcular el intervalo de voltajes que puede manejar a la salida el
Circuito 1-5.
R1
10k
V1 out
10V
RV1
50%
10k
R1 R3
1k 10k
V1 b G d
10V
R2 R4
100 10k
18. Utilizando el teorema de Thévenin, encontrar de forma matemática la ecuación que satisface el
Circuito 1-7.
R1 R3 R5 R7 out
2k2 1k 1k 1k
R2 R4 R6 R8
2k2 2k2 2k2 2k2
b0 b1 b2 b3
SW1 SW2 SW3 SW4
SW-SPDT SW-SPDT SW-SPDT SW-SPDT
Conclusiones
Realizar una tabla comparativa para cada uno de los circuitos en donde se muestren los valores
calculados, simulados e implementados, analizando y anotando sus conclusiones para cada caso. Por
ejemplo:
Objetivos
Capacitarse en el uso del osciloscopio, generador de señales y conectores para su uso.
Comprender la relación de fase existente en circuitos con fuentes sinusoidales, capacitores e inductores.
Analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y experimentales obtenidos para sustentar
conclusiones.
Equipo
Nombre Número
Osciloscopio Agilent 54621A
Generador de señales Agilent 33220A
Multímetro Fluke 175
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 2k2 Ohm a ¼ W 2
Capacitor tantalio 0.1uF a 35V o 50V 1
o Capacitor de poliéster 0.1uF a 100V o 250V 1
Transformador 127V/24V a 0.5 o 1A con tap 1
central
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables BNC-caimán 1
Cable BNC-BNC 1
Punta atenuadora 1
Conector T (BNC) 1
Caimanes medianos paquete 1
Cinta de aislar Cualquier color 1
Protoboard 2
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Previo
1. Descargar el manual del generador de señales Agilent 33220A. Se sugiere utilizar en el explorador
las palabras clave “User guide Agilent 33220A".
2. Identificar los siguientes controles, Tabla 2-1 del panel frontal del generador de señales y anotar
una descripción breve de cada uno de ellos:
Tabla 2-1
Control Descripción
Graph Mode
On/Off Switch
Modulation/Sweep/Burst Keys
State Storage Menu Key
Utility Menu Key
Help Menu Key
Menu Operation Softkeys
Waveform Selection Keys
Manual Trigger Key
Output
Knob
Cursor Keys
Sync Connector
Output Connector
Control Descripción
Measure keys
Horizontal Controls
Wave form keys
Run controls
Trigger controls
Utility key
Probe comp output
External Trigger input
File keys
Vertical inputs/controls
Power switch
Intensity control
Softkeys
Entry knob
Autoescale key
Voltaje pico
Voltaje pico-pico
Frecuencia
Periodo
Semiperiodo positivo
Semiperiodo negativo
Voltaje eficaz (rms)
Voltaje promedio
Desfasamiento
C1
0.1uF
V1
VSINE
FREQ=1kHz
Vp=5V
R1
2.2k
Tabla 2-4
Voltaje en la fuente V1
Voltaje en el capacitor 𝑉𝐶1
Amperaje en el capacitor 𝐼𝐶1
Voltaje en la resistencia 𝑉𝑅1
Amperaje en la resistencia 𝐼𝑅1
12. Para el Circuito 2-2, determinar las tensiones y corrientes en forma fasorial según lo requiere la
Tabla 1-1Tabla 2-5.
TR1
LP LS
V1
VSINE
FREQ=1kHz LP=0.8H
LS=22mH
Vp=5V
R1
2.2k
Tabla 2-5
Voltaje en la fuente V1
Voltaje en el inductor 𝑉𝐿1
Amperaje en el inductor 𝐼𝐿1
Voltaje en la resistencia 𝑉𝑅1
Amperaje en la resistencia 𝐼𝑅1
13. Simular en Multisim el Circuito 2-1, conectando el canal 1 del osciloscopio en la fuente senoidal y
el canal 2 en la resistencia R1. Dibujar o imprimir las señales obtenidas haciendo énfasis en el
ángulo de desfasamiento entre las señales senoidales de la fuente V1 y R1.
14. En la simulación del Circuito 2-1, medir las mismas propiedades como en la Tabla 2-4.
15. Aplicar el paso 13 para el Circuito 2-2 y obtener las mediciones para la Tabla 2-5.
Desarrollo
1. Alambrar en una protoboard el Circuito 2-1 Relación de fase con capacitor.
2. Programar el generador de señales (V1) con una señal senoidal 𝑉1 = 5 sin 2𝜋1000𝑡 [𝑉]
3. Conectar el canal 1 en paralelo al generador de señales y el canal 2 en la resistencia R1.
4. Habilitar la salida del generador de señales.
5. Obtener las señales en el osciloscopio y medir las siguientes características según la Tabla 2-6.
Tabla 2-6
Señal canal 1
Vp
Vrms
Señal canal 2
Vp
Vrms
Periodo
Desfasamiento en grados
Señal canal 1
Vp
Vrms
Señal canal 2
Vp
Vrms
Periodo
Desfasamiento en grados
Conclusiones
Realizar una tabla comparativa para cada uno de los circuitos en donde se muestren los valores
calculados, simulados e implementados, analizando y anotando sus conclusiones para cada caso.
3. PRÁCTICA III Características de los diodos rectificador, zener y LED
Objetivo
Analizar el funcionamiento de los diodos Rectificador, Zener y LED.
Analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y experimentales obtenidos para sustentar
conclusiones.
Equipo
Nombre Número
Fuente de Poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Multímetro sensible Agilent U1240
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 1k Ohm a ¼ W 5
Diodo rectificador 1N4004, 5, 6 1W 2
o7
Diodo zener 1N4733A 5.1V a 1W 2
Diodo Emisor de Luz Verde 5mm estándar (cualquier 2
color)
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Caimanes medianos Paquete 1
Cinta de aislar Cualquier color 1
Protoboard 2
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Cables banana-caimán Par 1
Previo
1. ¿Qué es conductor?
2. ¿Qué es un aislante?
3. ¿Qué es y cómo funciona un diodo semiconductor?
4. Investigar acerca de la ecuación de Shockley.
5. Descargar el datasheet del diodo 1N4004 de Vishay, ON Semiconductor o Fairchild Semiconductor.
6. Descargar el datasheet del diodo zener 1N4733A (5.1V).
7. Descargar el datasheet del LED 5mm estándar verde.
8. Identificar las siguientes características para el diodo 1N4004.
Tabla 3-1
Parámetro Valores
Reverse Voltage 𝑉𝑅𝑅𝑀
Forward Voltage 𝑉𝐹
Reverse Current 𝐼𝑅
Forward Current 𝐼𝐹
Power Disipation 𝑃𝐷
Parámetro Valores
Zener Voltage 𝑉𝑍
Forward Voltage 𝑉𝐹
Test Current 𝐼𝑍𝑇
Regulator Current 𝐼𝑍𝑀
Power Disipation 𝑃𝑡𝑜𝑡
10. Identificar las siguientes características para el LED Verde 5mm estándar
Parámetro Valores
Forward Voltage 𝑉𝐹
Reverse Voltage 𝑉𝑅
Forward Current 𝐼𝐹
Reverse Current 𝐼𝑅
Power Disipation 𝑃𝐷
Wavelenght 𝜆
Luminous Intensity 𝐼𝑣
Viewing Angle 𝜃
11. Para cada uno de los circuitos (Circuito 3-1, Circuito 3-2, Circuito 3-3, Circuito 3-4, Circuito 3-5 y
Circuito 3-6) determinar la corriente 𝐼, el voltaje en el diodo 𝑉𝐷1, el voltaje en la resistencia 𝑉𝑅1, la
potencia disipada en el diodo 𝑃𝐷1 y la potencia disipada en la resistencia 𝑃𝑅1 .
R1 R1
1k 1k
V1 V1
5V 5V
D1 D1
1N4004 1N4004
Circuito 3-1 Polarización directa rectificador Circuito 3-2 Polarización inversa rectificador
R1
R1 1k
V1
1k V1
10V
10V
D1 D1
1N4733A 1N4733A
BV=5.1 BV=5.1
IBV=49.0m IBV=49.0m
Circuito 3-3 Polarización directa zener Circuito 3-4 Polarización inversa zener
R1 R1
220 220
V1 V1
5V 5V
D1 D1
LED-GREEN LED-GREEN
VF=2.2V VF=2.2V
Circuito 3-5 Polarización directa LED Circuito 3-6 Polarización inversa LED
12. Realizar la simulación de cada uno de los circuitos anteriores y obtener las mismas características
de los puntos 7 al 12.
Desarrollo
1. Alambrar el Circuito 3-7 con la fuente de poder programada a 0V y la salida cancelada.
2. Colocar un voltímetro en paralelo al diodo D1 y un amperímetro en serie con el diodo. Ver Circuito
3-7.
+88.8 +88.8
mA mA
R1 R1
1k 1k
V1 V1
5V
5V
D1 +88.8
D1 +88.8 1N4004 Volts
1N4004 Volts
3. Habilitar la salida de la fuente, variar el nivel de tensión como en la Tabla 3-2 y anotar las lecturas
de corrientes 𝐼𝐷1 y 𝑉𝐷1 para polarización directa.
4. Programar la fuente de poder a 0V nuevamente y deshabilitar la salida.
5. Invertir la posición del diodo 1N4004 como en el Circuito 3-8.
6. Habilitar la salida de la fuente, variar nuevamente la tensión como en la Tabla 3-2 y anotar las
lecturas de corrientes −𝐼𝐷1 y −𝑉𝐷1 para polarización la inversa.
Tabla 3-2
+88.8 +88.8
mA mA
R1 R1
1k 1k
V1 V1
10V 10V
D1 +88.8 D1 +88.8
1N4733A Volts 1N4733A Volts
Tabla 3-3
R1 R1
220 220
V1 V1
5V 5V
+88.8 +88.8
D1 Volts D1 Volts
LED-GREEN LED-GREEN
Tabla 3-4
8. Dibujar las curvas características de los diodos rectificador, zener y LED en un plano cartesiano,
utilizando las mediciones hechas en las tablas Tabla 3-2, Tabla 3-3 y Tabla 3-4 respectivamente.
Conclusiones
Reportar tus conclusiones sustentando con los datos calculados, simulados y medidos
experimentalmente.
4. PRÁCTICA IV Fuentes de poder
Objetivo
Analizar, simular y armar una fuente de tensión utilizando un transformador.
Analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y experimentales obtenidos para sustentar
conclusiones.
Equipo
Nombre Número
Osciloscopio Agilent 54621A
Generador de señales Agilent 33220A
Multímetro Fluke 175
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Capacitor electrolítico 0.33uF a 50V 1
Capacitor electrolítico 0.1uF a 25V 1
Capacitor electrolítico 1000uF a 60V 1
Transformador 127V/24V a 0.5 o 1A con tap 1
central
Diodos rectificadores 1N4004 o 1N4007 5
Regulador de tensión LM7805 500mA TO-220 2
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables BNC-caimán 2
Cable BNC-BNC 1
Punta atenuadora 1
Conector T (BNC) 1
Caimanes medianos paquete 1
Cinta de aislar Cualquier color 1
Protoboard 2
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Puente para tira de pines 5
(jumper)
Clavija monofásica 1
Cordón dúplex Calibre 18 1m
Previo
1. ¿Cuáles son las características que diferencian a el circuito rectificador de media onda y al circuito
rectificador de onda completa?
2. ¿Qué es el voltaje de rizo y como se calcula?
3. ¿Por qué es importante conocer el voltaje de rizo 𝑉𝑟 .
4. ¿Qué es el factor de rizo y como se calcula?
5. Para el Circuito 4-1, identificar con un color o líneas punteadas las etapas siguientes:
a) Reducción de tensión
b) Rectificación
c) Filtrado
d) Carga
6. Dibujar la señal de tensión relacionada con cada etapa (Reducción de tensión, rectificación, filtrado
y carga)
7. En la etapa de rectificación, considerando que no hay capacitor conectado. ¿Cuál es el voltaje
promedio de la señal rectificada de media onda?
8. En la etapa de filtrado ahora sin carga conectada ¿Cuál es el nivel de tensión alcanzado?
TR1 D1
24Vrms Vo
1N4004
V1
VSINE C1 R1
VA=127Vrms 1000uF 10k
FREQ=60Hz
TRAN-2P3S
Circuito 4-1 Fuente de poder con transformador y puente rectificador de media onda
9. Para el Circuito 4-2, separar con un color o una línea punteada las etapas:
a) Reducción de tensión
b) Rectificación
c) Filtrado
d) Carga
Vo
TR1
24Vrms
D1 D2
1N4004 1N4004
V1
VSINE C1 R1
VA=127Vrms 1000uF 10k
FREQ=60Hz
D3 D4
1N4004 1N4004
TRAN-2P3S
Circuito 4-2 Fuente de poder con transformador y puente rectificador de onda completa
10. Dibujar la señal de tensión relacionada con cada etapa del Circuito 4-2.
11. En la etapa de rectificación, considerando que no hay un capacitor conectado. ¿Cuál es el voltaje
promedio de la señal rectificada?
12. En la etapa de filtrado ahora sin la carga conectada. ¿Cuál es el nivel de tensión alcanzado?
13. Considerando el Circuito 4-2 completo, determinar el voltaje de rizo 𝑉𝑟 y factor de rizo 𝑟.
14. Utilizando el Multisim, simular el Circuito 4-1 sin el capacitor y obtener la señal rectificada de media
onda.
15. Para el mismo Circuito 4-1, conectar nuevamente el capacitor y obtener la señal voltaje de rizo
𝑉𝑟𝑖𝑧𝑜(𝑝−𝑝) .
16. Descargar el datasheet para el CI (Circuito integrado) LM7805 de Texas Instruments.
17. ¿Para qué sirve el LM7805?
18. ¿Cuáles son los niveles de tensión máximos y mínimos que soporta el 7805?
19. Utilizando el Multisim, simular el Circuito 4-2 sin el capacitor y obtener la señal rectificada.
20. Para el mismo Circuito 4-2, conectar nuevamente el capacitor y obtener la señal voltaje de rizo
𝑉𝑟𝑖𝑧𝑜(𝑝−𝑝) .
Desarrollo
1. Alambrar el Circuito 4-3 sin conectar la línea de tensión alterna ni tampoco el capacitor.
2. Con precaución, conectar la línea de tensión con la clavija.
3. Aislar, sujetar la fase y el neutro con la cinta de aislar para evitar un corto circuito.
4. Con el voltímetro AC, medir el voltaje rms a la entrada y a la salida del transformador.
5. Con el voltímetro DC, medir el voltaje promedio a la salida (R1) del puente rectificador.
6. Si las mediciones coinciden o se aproximan con los cálculos esperados, conectar el canal 1 a la
salida del transformador y el canal 2 a la resistencia de carga. Ver Circuito 4-3.
TR1 D1 A
24Vrms Vo
B
1N4004
C
V1
VSINE C1 R1 D Osciloscopio
VA=127Vrms 1000uF 10k
FREQ=60Hz
TRAN-2P3S
Circuito 4-3
13. Alambrar el Circuito 4-4 sin conectar la línea de tensión alterna ni tampoco el capacitor.
14. Con precaución conecta la línea de tensión AC con la clavija y sujeta los cables que queden
expuestos.
15. Con el voltímetro AC, medir el voltaje rms a la salida del transformador para comprobar que haya
alimentación.
16. Con el voltímetro DC, medir el voltaje promedio en la carga (R1).
17. Si las mediciones coinciden o se aproximan a los cálculos esperados, conectar el canal 1 del
osciloscopio únicamente en la salida del puente rectificador, ya que si se conectan ambos canales,
similar al ejercicio anterior (salida del transformador y salida del puente rectificador), no podrán
visualizarse ambas señales al mismo tiempo. Ver Circuito 4-4.
A
Vo
TR1 B
24Vrms
C
D1 D2
1N4004 1N4004 D Osciloscopio
V1
VSINE C1 R1
VA=127Vrms 1000uF 10k
FREQ=60Hz
D3 D4
1N4004 1N4004
TRAN-2P3S
Circuito 4-4
18. Con ayuda del osciloscopio, caracterizar la señal rectificada del puente completo (Vpromedio,
frecuencia etc.).
19. Desconectar nuevamente la clavija.
20. Conectar nuevamente el capacitor C1 y después conectar la clavija.
21. Obtener la señal filtrada y medir el 𝑉𝑟𝑖𝑧𝑜(𝑝−𝑝) .
22. Con el amperímetro DC, medir la corriente en la carga conectando el instrumento en serie con R1.
23. Reportar en las conclusiones ¿cuáles son las diferencias en el Circuito 4-4, de conectar a la salida
del puente rectificador únicamente el resistor, únicamente el capacitor o conectar ambos. Además
de ¿por qué ocurren esas diferencias?
24. Remplazar la carga RL (R1) del Circuito 4-4 por el Circuito 4-5.
25. Medir el voltaje de salida sin carga y después medir el voltaje de salida con una carga (10KΩ).
U1
7805
+V 1 3
Vo
VI VO
GND
C1 C2
2
0.33uF 0.1uF
Conclusiones
Realizar una tabla comparativa para cada uno de los circuitos en donde se muestren los valores
calculados, simulados e implementados, analizando y anotando sus conclusiones para cada caso.
5. PRÁCTICA V Recortador, sujetador, duplicador y regulador de
tensión
Objetivo
Analizar, armar e implementar algunas configuraciones para diodos en circuitos rectificadores,
sujetadores, duplicadores y reguladores de tensión.
Analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y experimentales obtenidos para sustentar
conclusiones.
Equipo
Nombre Número
Osciloscopio Agilent 54621A
Generador de señales Agilent 33220A
Fuente de poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 1k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Diodo zener 1N4733 2
Capacitor electrolítico 10uF a 50V 2
Diodo de recuperación rápida 1N914B o 1N914A 5
Diodos rectificadores 1N4004 o 1N4007 5
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables BNC-caimán 1
Cable BNC-BNC 1
Punta atenuadora 1
Conector T (BNC) 1
Cables banana-caimán Par 2
Caimanes medianos Paquete 1
Cinta de aislar Cualquier color 1
Protoboard 3
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Previo
1. Explicar el uso que tiene un circuito recortador de tensión.
2. Explicar el uso que tiene un circuito sujetador de tensión.
3. Explicar el uso que tiene un circuito regulador de tensión.
4. Determinar la forma de onda del voltaje de salida del Circuito 5-1 si la señal de entrada es 5Vp y
con una frecuencia de 1KHz.
R1
1k
D1 D2
V1 1N914 1N914
VSINE
FREQ=1kHz
BAT2
BAT1 2V
2V
5. Determinar la forma de onda del voltaje de salida del Circuito 5-2 con una señal de entrada de 5Vp
y 1KHz.
C1
10uF
V1
VSINE
FREQ=1kHz D1 R1
1N914 10k
BAT1
2V
6. Determinar la forma de onda del voltaje de salida del Circuito 5-3 con una señal de entrada de 5Vp
y 100Hz.
D1
+
1N4007
V1
VSINE
FREQ=100Hz C1
10uF
Vo
C2
10uF
D2
-
1N4007
R1
1k
V1
10V out
D1
1N4733A
8. Simular en Multisim los circuitos Circuito 5-1, Circuito 5-2, Circuito 5-3, Circuito 5-4 y obtener sus
señales a la salida.
Desarrollo
1. Alambrar el Circuito 5-5 Recortador en paralelo polarizado.
2. Programar el generador de señales con 5Vp y una frecuencia de 10kHz.
3. Conecta el canal 1 del osciloscopio a la entrada del circuito y el canal 2 en la salida del circuito. Ver
Circuito 5-5.
4. Habilitar la salida del generador de señales.
5. Medir y registrar las señales mostradas en el osciloscopio.
6. Hacer una comparación entre las señales Vi y Vo.
7. Variar el nivel de tensión V1 y V2 alternadamente de 0 a 5V y observar el cambio en Vo.
8. Explicar cómo funcionan dichos cambios, ¿Cómo funcionan los diodos en el Circuito 5-5
recortador?
Osciloscopio
1
A
Generador 2
Vi R1 Vo B
+
1k C
D1 D2 D
- 1N914 1N914
AM FM
V1 V2
2V 2V
V1
2V
D1 Osciloscopio
+
A
1N4007
Generador Vi B
+ Vo C
C1
10uF D
-
AM FM
C2
10uF
D2
-
1N4007
R1
10k
V1
10V Vo
D1 +88.8
1N4733A Volts
Conclusiones
Realizar una tabla comparativa para cada uno de los circuitos en donde se muestren los valores y
señales calculados, simulados e implementados, analizando y anotando sus conclusiones para cada
circuito.
6. PRÁCTICA VI El transistor BJT y sus regiones de operación
Objetivo
Identificar el tipo de transistor bipolar BJT (NPN-PNP)
Identificar las terminales del transistor bipolar BJT (base, colector y emisor)
Analizar, simular y armar las configuraciones básicas del transistor para las regiones activa, corte y
saturación
Equipo
Nombre Número
Fuente de poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Multímetro sensible Agilent U1240
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 1k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 100k Ohm a ¼ W 5
Transistor BC548/BC547/BC546 TO-92 2
Transistor BC558/BC557/BC556 TO-92 2
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables banana-caimán Par 2
Caimanes medianos Paquete 1
Protoboard 3
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin Doble 1
header)
Previo
1. Descargar los datasheet de los transistores BC547 y BC557 de Fairchild Semiconductor.
2. Identificar las siguientes características para el BC547 y completar la Tabla 6-1.
Tabla 6-1
RC
1k
Vout
VBB RB Q1
BC547
10k
8. Simular en Multisim el Circuito 6-1, encontrar los mismos voltajes y corrientes que para el punto
anterior.
9. Para el Circuito 6-2, utilizando el análisis por mallas (LKV), encontrar 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝑅𝐵 , 𝑉𝑅𝐶 , 𝑉𝑜𝑢𝑡 y
su región de operación.
VCC
10V
RC
1k
RB Q1
BC547
10k
VBB
5V
10. Simular el Circuito 6-2, encontrar los mismos voltajes y corrientes que para el punto anterior..
11. Para el Circuito 6-3, utilizando el análisis por mallas (LKV) y teorema de Thévenin, encontrar 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 ,
𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝑅𝐵 , 𝑉𝑅𝐶 , 𝑉𝑜𝑢𝑡 y su región de operación,
VCC
10V
R1 RC
100k 10k
Vout
Q1
BC547
R2 RE
10k 1k
12. Simular Circuito 6-3, encontrar los mismos voltajes y corrientes que para el punto anterior.
Desarrollo
1. Para cada transistor, determinar qué tipo de transistor es (NPN o PNP) e identificar sus terminales
(base, colector y emisor) usando el multímetro.
2. Realizar con el Óhmetro las combinaciones (mediciones de resistencias) que pide la Tabla 6-3 y la
Tabla 6-4.
Tabla 6-3
Tabla 6-4
3. Localizar en cada tabla (Tabla 6-3 y Tabla 6-4) el renglón donde se presenten valores resistivos
menores a infinito ohm. La lectura que marca más resistencia, indica el emisor y la que marca
menos indica el colector.
4. Si se mide una baja resistencia en el transistor de base a emisor y de base a colector, teniendo la
punta roja en la base, significa que el transistor es tipo NPN. Por el contrario si hay bajas
resistencias teniendo la punta negra en la base, el transistor es PNP.
5. Si existen más de dos renglones con valores resistivos menores a infinito ohms en alguna de las
tablas, indica que el transistor está dañado.
Tabla 6-5
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵
𝐼𝐶
Región de operación
RC
1k
RB Q1 VCC
+88.8 BC547 +88.8 10V
µA 10k Volts
Agilent Fluke
Circuito 6-4
12. Armar el Circuito 6-5.
13. Medir los parámetros y registrarlos de acuerdo a la Tabla 6-6 utilizando los multímetros como en el
ejercicio anterior.
Tabla 6-6
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵
𝐼𝐶
Región de operación
RC
1k
RB Q1 VCC
+88.8 BC547 +88.8 10V
µA 10k Volts
Agilent Fluke
VBB
5V
Circuito 6-5
14. Armar el Circuito 6-6.
15. Medir los parámetros y registrarlos de acuerdo a la Tabla 6-7 utilizando los multímetros como en el
ejercicio anterior.
Tabla 6-7
𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶
Región de operación
R1 RC
100k 10k
Q1 VCC
+88.8 BC547 +88.8 10V
AC µA Volts
Agilent Fluke
R2 RE
10k 1k
Circuito 6-6
Conclusiones
Reportar tus conclusiones sustentando con tus datos calculados, simulados y medidos
experimentalmente.
7. PRÁCTICA VII Aplicaciones con el BJT
Objetivo
Utilizar algunos conocimientos acerca del transistor BJT en aplicaciones prácticas.
Utilizar las habilidades técnicas adquiridas para implementar y probar circuitos de mediana
complejidad.
Equipo
Nombre Número
Osciloscopio Agilent 54621A
Generador de señales Agilent 33220A
Fuente de poder Agilent E3640A
Multímetro
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 56k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 5.6k Ohm a ¼ W 1
Resistor carbón 22k Ohm a ¼ W 1
Resistor carbón 4.7k Ohm a ¼ W 1
Resistor carbón 560 Ohm a ¼ W 1
Resistor carbón 68 Ohm a ¼ W 1
Resistor carbón 33 Ohm a 2 W 1
Resistor carbón 180 Ohm a ¼ W 5
Diodos rectificadores 1N4004-7 4
TIP 122 TO-220 4
BD 135 TO-225 1
BC547C TO-95 2
Disipador para transistor TO-
225 o TO-220
Capacitor polarizado 1uF, 25V 1
Capacitor polarizado 100uF, 25V 2
Capacitor no polarizado 0.22uF, 25V 1
Micrófono 1
Altavoz 8_Ohm, 1.5W 1
Motor CD 1-6 V pequeño 1
Conector Jack hembra. para soldar en PCB (macho y 1
hembra) 3.5mm
Cable de audio con plug de 3.5mm a plug de 1
3.5mm
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables BNC-caimán 1
Cables BNC-BNC 1
Puntas atenuadoras 1
Conector T (BNC) 1
Cables banana-Caimán Par 2
Caimanes medianos Paquete 1
Protoboard 2
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Previo
1. ¿Qué es el punto de trabajo Q del transistor BJT?
2. Para que sirve encontrar el punto de trabajo Q del transistor BJT?
3. Descargar el datasheet del transistor TIP122.
4. Identificar las características de interés del TIP122 para el análisis del Circuito 7-1.
5. Si suponemos que la resistencia del embobinado del motor son 12_Ohm, calcular para el puente H
𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y determinar su región de operación.
6. ¿Qué corriente máxima puede circular a través de los transistores sin dañarse?
7. ¿Cuál es el propósito de un disipador de calor?
8. Cuales combinaciones entre los switch SW1 y SW2 no deben hacerse.
9. Utilizar el Multisim para simular el puente H.
V1
12V
SW1 Q3 SW2
5V R1 Q1 R3 5V
TIP122 D1 D3 TIP122
180 1N4004 1N4004 180
+88.8
kRPM
R2 Q2 Q4 R4
TIP122 D2 D4 TIP122
180 1N4004 1N4004 180
R3 R6
4.7k 5k6
R1 C3 A
56k
B
.22uF
C1 C
Q1 Q2
BC547 BC547 D
+
1u
R2 Q3
- 10k BD135
AM FM
R4 R7
68 22k
C4 LS1
100u
R8
33 SOUNDER
R5
560 C2
100u
10. Alambrar el Circuito 7-2 Amplificador clase A. Sin conectar las fuentes de poder.
11. Antes de conectar la fuente de poder y el generador de señales, programa la fuente a 12V y el
generador de señales con una señal senoidal de 50mVp a una frecuencia de 1kHz de prueba.
12. Deshabilitar las salidas de la fuente de poder y del generador de señales para proceder a
conectarlos.
13. Cuando el circuito está completamente armado y revisado por segunda ocasión. Habilitar la salida
de la fuente de poder.
14. Mide las tensiones Vce de los transistores y determina si están trabajando en la región activa.
15. Después habilita la salida del generador de funciones.
16. Obtener en el osciloscopio la señal obtenida y medir sus características.
17. Aumenta poco a poco el Vp en el generador de señales y observa si la señal de salida se satura de
forma simétrica. Finalmente regresa el Vp a 50mV.
18. Si hay éxito en la amplificación, con el generador de señales realiza un barrido en frecuencia para
20, 40, 80, 160, 320, 640, 1.28K, 2.56K, 5.12, 10.24ky 20.48KHz.
19. Si se presenta algún distorsión o falla preséntala en tus conclusiones.
20. Cancelar el generador de señales y desconectar del circuito.
21. Deshabilitar la salida de la fuente de poder.
22. Remplazar el generador de señales por el Jack de 3.5mm.
23. Habilitar la salida de la fuente de poder.
24. Conectar tu celular con el plug de 3.5mm de audio.
25. Reproducir una canción favorita.
26. Deshabilitar la salida de la fuente de poder.
27. Remplazar el Jack de 3.5mm por un micrófono y canta una canción.
Conclusiones
Reportar tus conclusiones sustentando con tus datos calculados, simulados y medidos
experimentalmente.
8. PRÁCTICA VIII El transistor JFET y sus regiones de operación
Objetivo
Identificar el tipo de transistor bipolar FET (N-P)
Identificar las terminales del transistor bipolar FET compuerta, drenador y surtidor (gate, drain, source).
Analizar, simular y armar las configuraciones básicas del transistor para las regiones Ohmica, corte y
estrangulamiento (saturación).
Equipo
Nombre Número
Fuente de poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Multímetro sensible Agilent U1240
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 100 Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 1k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 100k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 4K7 Ohm a ¼ W 5
Transistor 2N5462 – ECG326A TO-92 2
Transistor 2N5457 - ECG457A TO-92 2
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables banana-caimán Par 2
Caimanes medianos Paquete 1
Protoboard 3
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Previo
1. Descargar los datasheet del 2N5462 y 2N5457 de Fairchild Semiconductor.
2. Identificar algunas características del 2N5462 Tabla 8-1.
Tabla 8-1
3. En la gráfica 𝑉𝐷𝑆 vs 𝐼𝐷 , del 2N5462 identificar las regiones de corte, de estrangulamiento y Óhmica.
4. Identificar algunas características del 2N5457.
Tabla 8-2
5. En la gráfica 𝑉𝐷𝑆 vs 𝐼𝐷 , del 2N5457 identificar las regiones de corte, de estrangulamiento y Óhmica.
6. Calcular para los circuitos Circuito 8-1, Circuito 8-2, y Circuito 8-3 los valores 𝑉𝐺𝑆 , 𝑉𝐷𝑆 , 𝐼𝐷 , 𝐼𝐺 , 𝑉𝑅𝐺 ,
𝑉𝑅𝐺 y determina su región de operación.
7. Simular en Multisim los circuitos, anteriores para comparar los voltajes y corrientes calculados
anteriormente.
RD RD
10k 1k
VDD
Q1 10V VDD
RG 2N5457 Q1 10V
2N5457
10k
VGG
5V
RG RS
10k 100
R1 RD
10k 1k
VDD
Q1 10V
2N5457
R2 RS
4.7k 1k
Tabla 8-4
2. Identificar la columna y fila en la cual, ambas resistencias son infinito. Entonces significa que esa
terminal es la compuerta (gate). Por lo cual, las otras dos terminales son el surtidor (source) y
drenador (drain).
3. Identificar las resistencias menores a infinito. Entre esas dos resistencias, la menor indica la terminal
surtidor (source). Si la resistencia menor está dada cuando el surtidor toca la punta negra, entonces
el JFET es canal N. Si por el contrario la resistencia menor está dada cuando el surtidor toca la
punta roja, entonces el JFET es canal P.
4. Alambrar el Circuito 8-4 y anotar los valores medidos según la Tabla 8-5.
5. De acuerdo a los valores medidos, determinar la región de operación.
+88.8
mA
RD
10k
Circuito 8-4
6. Alambrar el Circuito 8-5 y anotar los valores medidos según la Tabla 8-6.
7. De acuerdo a los valores medidos, determinar la región de operación.
+88.8
Amps
RD
1k
Circuito 8-5
8. Alambrar el Circuito 8-6 y anotar los valores medidos según la Tabla 8-7.
9. De acuerdo a los valores medidos, determinar su región de operación.
+88.8
mA
R1 RD
10k 1k
Tabla 8-7
Q1 VDD
2N5457 +88.8 10V 𝑉𝐷𝑆
Volts
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷
R2
1k RS
1k
Circuito 8-6
Conclusiones
Reportar tus conclusiones sustentando con tus datos calculados, simulados y medidos
experimentalmente.
9. PRÁCTICA IX Aplicaciones con el JFET
Objetivo
Construir circuitos amplificadores y de potencia utilizando el transistor FET.
Equipo
Nombre Número
Osciloscopio Agilent 54621A
Generador de señales Agilent 33220A
Fuente de poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 1k Ohm a ¼ W 5
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Capacitor electrolítico 100uF 25V 2
Transistor 2N5462 TO-92 2
Transistor 2N5457 TO-92 2
Diodo rectificador 1N4001 1W 1
Relay 5Vdc 1
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cinta de aislar Cualquier color 1
Cables BNC-caimán 2
Cables banana-caimán Par 2
Caimanes medianos Paquete 1
Protoboard 3
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Clavija de conexión 1
Socket 1
Foco 1
Previo
1. Investigar la ecuación general para encontrar la corriente 𝐼𝐷 , para las JFET y los MOSFET.
2. Investigar la configuración que tienen los transistores usados en la práctica.
3. Calcular los voltajes y corrientes que se esperan tener en los circuitos de la práctica con FET.
4. Complementar el previo con una simulación en Multisim de los circuitos de la práctica.
Desarrollo
1. Alambrar primero la etapa de control del Circuito 9-1.
2. Una vez que esté funcionando la etapa de control. Conecta en serie la lámpara incandescente con
el relay, después con precaución y utilizando la cinta de aislar la línea de alimentación AC.
3. Repite el switcheo y comprueba si funciona correctamente.
+88.8 RL1 V2
mA 6V VSINE
VA=127
D1 FREQ=60
1N4004
Q1
2N5462 +88.8
Volts
V1
6V
C
RD
10k D
C2
Vo
100uF VDD
18V
C1 Q1
Vi 2N5457
+ +88.8
Volts
100uF
-
AM FM
RG RS
10k 1k
Conclusiones
Reportar tus conclusiones sustentando con tus datos calculados, simulados y medidos
experimentalmente.
10. PRÁCTICA X OPAMP ,
Objetivo
Conocer algunas configuraciones del amplificador operacional como el comparador, sumador, inversor
etc.
Equipo
Nombre Número
Osciloscopio Agilent 54621A
Generador de señales Agilent 33220A
Fuente de poder Agilent E3640A
Multímetro Fluke 175
Material
Nombre Descripción Cantidad
Resistor carbón 10k Ohm a ¼ W 5
Potenciómetro carbón 10k Ohm a ¼ W 1
Potenciómetro carbón 100k Ohm a ¼ W 1
UA741 o LM741 PDIP 2
Alambre calibre 22 AWG Rojo, Negro, Blanco, Café, Azul 1m
etc.
Cables BNC-caimán 2
Cables banana-caimán Par 2
Caimanes medianos Paquete 1
Protoboard 2
Pinzas de punta Para electrónica 1
Pinzas de corte diagonal 1
Tira de pines macho (pin header Doble 1
male)
Previo
1. Descargar el datasheet del Amplificador operacional LM741 de Texas Instruments.
2. ¿Qué tipo de amplificador es el LM741?
3. ¿Qué clase de encapsulado contiene al chip del LM741?
4. ¿Cómo se polariza un LM741?
5. Investigar el funcionamiento y las ecuaciones de los siguientes circuitos.
RF
+V
100k
U1
-V
7
3 U1
4
1
5
6
2
Vo R1 2
V1 Vref 10k
6
Vo
3
VSINE
4
1
5
UA741
V3
RL E 0.5V
7
10k UA741 RL
10k
-V
+V
Circuito 10-1 Comparador Circuito 10-2 Inversor
E1 RF
R
RF
-V
-V
U1
4
1
5
E2 U1 R1 2
4
1
5
R 6
2
3
Vo
6
3
Vo
7
UA741 RL
7
UA741 RL E
E3
+V
+V
R2 RF
-V
-V
U1 U1
4
1
5
4
1
5
R1 2 C1
V1 6 2
Vo Vi 6
3
3
Vo
R1
7
V2 UA741 RL
7
UA741 RL
+V
R2
+V
-V
-V
U1
4
1
5
U1
2
4
1
5
6
R1 2 3
Vi 6 Vi
3
Vo
7
UA741
7 RL
UA741 RL
+V
+V
De acuerdo a (Coughlin, 1993) hay algunas recomendaciones de cómo cablear los amplificadores
operacionales con base en la experiencia..
V1 V2
+V -V
15V 15V
A
+V
B
AM FM
- C
U1
7
+
3
6
2
Vo
+V
4
1
5
R2 UA741
10k RL
10k
-V
Vref
RV1
100%
+88.8
Volts
10k
B
10k
RF
C
50%
-V
U1
4
1
5
Vi R1 2
6
Vo
10k
3
V1 UA741
VSINE RL
7
VA=300mV 10k
FREQ=100Hz
+V
Circuito 10-11 Amplificador
Conclusiones
Reportar tus conclusiones sustentando con tus datos analizados, simulados y medidos
experimentalmente.
Bibliografía
Boylestad, R. L. (2004). Introducción al análisis de circuitos. México: PEARSON PRENTICE HALL.