Está en la página 1de 38

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA QUÍMICA Y TEXTIL

CIRCUITOS E INSTALACIONES ELÉCTRICAS


EE-102 A

SENSORES BASADOS EN SEMICONDUCTORES

GRUPO : 10 A

CICLO : 2015 - 1

ALUMNOS :

 ASENJO CUENCA BORIS


 BEGAZO TICONA ANDREY
 HEREDIA ARANGO JORDAN
 PAREDES YUCRA DAVID

PROFESOR :
 JORGE COSCO GRIMANEY

LIMA – PERÚ
2015
INDICE
1. Objetivos…………………………………………………………...…….1

2. Conceptos generales…………………………………………………..1

3. Sensores de posición……………………………………………...…..7
3.1. Potenciómetro Angular……………………………………….…7
3.2. Sincros y Resolvers……………………………………………..7
3.3. Inductosyn…………………………………………………………9
3.4. Sensores ultrasónicos…………………………………….…….9
3.5. Sensores magnetoestrictivos…………………………..…….10

4. Sensores de temperatura……………………………………………12
4.1. Aplicaciones generales………………………………………..12
4.2. Diodo semiconductor…………………………………….……12
4.2.1. Diodos de “Unión semiconductor-
semiconductor”………………………………………….…..13
4.2.2. Diodos de “Barrera Schotty Metal-
Semiconductor…………………………………………...…..13
4.2.3. Funcionamiento del diodo semiconductor
real…………………………………………………………..….16
4.2.4. Corriente inversa de saturación……………………..……18
4.2.5. Voltaje umbral………………………………….…………….19
4.2.6. Curva característica corriente vs voltaje del diodo
semiconductor……………………………………………….20
4.2.7. Medición de EG usando diodos
semiconductores…………………………………………….22
4.3. Transistor de temperatura…………………………….………22
4.3.1. Tipos de transistor……………………………………..……23
4.3.2. Tipo NPN…………………………………………………...….23
4.3.3. Tipo PNP……………………………………………..………..24

5. Sensores de luz…………………………………………………….….25
5.1. Fotorresistencias…………………………………...…………..25
5.1.1. Principales características…………………………………26
5.1.2. Ventajas………………………………………………………..27
5.1.3. Aplicaciones…………………………………………...……..27
5.2. Fotodiodo……………………………………………………..….27
5.2.1. Principio de funcionamiento…………………..…………..28
5.2.2. Composición…………………………………………..……..28
5.2.3. Usos y aplicaciones…………………………………………29
5.3. Fototransistor…………………………………………..……….29
5.3.1. Principio de funcionamiento………………...…………….30
5.3.2. Características……………………………………….………30
5.3.3. Usos y aplicaciones…………………………………..……..31
5.4. Fotovoltaicos…………………………………………………….31
5.5. Incidencia de fotones…………………………………………..31
5.5.1. Usos y aplicaciones……………………..…………………..32
5.6. Sensor ccd…………………………………………...…………..32
5.6.1. Fabricación……………………………………….…………..33
5.6.2. Usos y aplicaciones…………………………………………33
5.7. Sensor cmos…………………………………………………….33
5.7.1. Diferencia con el sensor ccd…………………………..…..34
5.7.2. Ventajas………………………………………………….…….34
5.7.3. Desventajas………………………………………….………..34
5.7.4. Usos y aplicaciones…………………………………………34

6. Conclusiones generales……………………………………………..35
SENSORES BASADOS EN SEMICONDUCTORES

Objetivos:

 Conocer los distintos tipos de sensores basados en semiconductores y sus


aplicaciones.
 Reconocer la importancia que tienen los sensores basados en semiconductores , en
los distintos sistemas automáticos usados en las industrias.
 Conocer los principios y funcionamientos básicos que rigen a los sensores basados
en semiconductores.

Introducción
Un sensor es un aparato capaz de transformar magnitudes físicas o químicas, llamadas
variables de instrumentación, en magnitudes eléctricas. Las variables de instrumentación
dependen del tipo de sensor y pueden ser por ejemplo: temperatura, intensidad lumínica,
distancia, aceleración, inclinación, desplazamiento, presión, fuerza, torsión, humedad, pH, etc.
Una magnitud eléctrica obtenida puede ser una resistencia eléctrica (como en una RTD), una
capacidad eléctrica (como en un sensor de humedad), una tensión eléctrica (como en un
termopar), una corriente eléctrica (como un fototransistor), etc.

Puede decirse también que es un dispositivo que aprovecha una de sus propiedades con el
fin de adaptar la señal que mide para que la pueda interpretar otro dispositivo. Como por
ejemplo el termómetro de mercurio que aprovecha la propiedad que posee el mercurio de
dilatarse o contraerse por la acción de la temperatura. Un sensor también puede decirse que
es un dispositivo que convierte una forma de energía en otra. Áreas de aplicación de los
sensores: Industria automotriz, Industria aeroespacial, Medicina, Industria de manufactura,
Robótica, etc. Los sensores pueden estar conectados a un computador para obtener ventajas
como son el acceso a una base de datos, la toma de valores desde el sensor, etc.

Los sensores, por supuesto, no están limitados a la medición de cantidades físicas. También
son utilizados para medir propiedades químicas y biológicas. Similarmente, el rango de
respuestas útiles no tiene que estar restringidas a cantidades eléctricas. Se han clasificado
los sensores en grupos donde la excitación (señal de entrada) y la respuesta del sensor
(salida) puede ser una de las siguientes:

 Mecánica: longitud, área, volumen, flujo de masa, fuerza, torque, presión, velocidad,
aceleración, posición, longitud de onda acústica, intensidad acústica.
 Térmica: temperatura, calor, entropía, flujo de calor.
 Eléctrica :tensión, corriente, carga, resistencia, inductancia, capacitancia, constante
dieléctrica, polarización, campo eléctrico, frecuencia, momento dipolar.
 Magnética: intensidad de campo, densidad de flujo, momento magnético,
permeabilidad.
 Radiante: intensidad, longitud de onda, polarización, fase, reflectancia, transmitancia,
índice de refracción.
 Química: composición, concentración, oxidación/reducción, tasa de reacción, pH.

Características de los sensores


Entre las características técnicas de un sensor destacan las siguientes:

 Rango de medida: dominio en la magnitud medida en el que puede aplicarse el


sensor.
 Precisión: es el error de medida máximo esperado.
 Offset o desviación de cero: valor de la variable de salida cuando la variable de
entrada es nula. Si el rango de medida no llega a valores nulos de la variable de
entrada, habitualmente se establece otro punto de referencia para definir el offset.
 Sensibilidad de un sensor: relación entre la variación de la magnitud de salida y la
variación de la magnitud de entrada.
 Resolución: mínima variación de la magnitud de entrada que puede apreciarse a la
salida.
 Rapidez de respuesta: puede ser un tiempo fijo o depender de cuánto varíe la
magnitud a medir. Depende de la capacidad del sistema para seguir las variaciones de
la magnitud de entrada.
 Derivas: son otras magnitudes, aparte de la medida como magnitud de entrada, que
influyen en la variable de salida. Por ejemplo, pueden ser condiciones ambientales,
como la humedad, la temperatura u otras como el envejecimiento (oxidación,
desgaste, etc.) del sensor.
 Repetitividad: error esperado al repetir varias veces la misma medida.

¿Qué son los semiconductores?


Un semiconductor no es un material que "está entre los aislantes y los conductores". Si bien
es cierto que el valor de la conductividad eléctrica de un dado semiconductor está entre el
valor de la conductividad de un aislante y el valor de la conductividad de un conductor, no se
puede decir que sea un "material intermedio".

Un aislante no permite el paso de corriente eléctrica, mientras que un conductor (como el


aluminio o el cobre) permite el flujo de cargas eléctricas con facilidad. Los materiales
semiconductores de un transistor también permiten el flujo de corriente eléctrica, pero las
condiciones, el mecanismo y las características de conducción son muy diferentes; un
semiconductor es otro tipo de material que permite otra forma de conducción eléctrica. Puede
decirse que un semiconductor es un material formado a partir de un material puro que
intrínsecamente no tiene portadores de carga libres, pero que está "dopado" con cierta
cantidad de cierto tipo de impurezas, que lo convierten en un material capaz de conducir
corriente eléctrica de un modo particular.
Tipos de Semiconductores

Semiconductores intrínsecos
Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de
átomo, se denomina semiconductor intrínseco.

Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y


el silicio (Si); siendo éste último el más empleado (por ser
mucho más abundante y poder trabajar a temperaturas
mayores que el germanio).

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su


órbita externa (electrones de valencia), que comparte con
los átomos adyacentes formando 4 enlaces covalentes. De
esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa
más externa., formando una red cristalina, en la que la
Fig. 1 Semiconductor intrínseco de
unión entre los electrones y sus átomos es muy fuerte. Por Silicio
consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan
fácilmente, y el material en circunstancias normales se
comporta como un aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que algunos
pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta manera, la
resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su conductividad aumenta). A
temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energía calorífica
para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, se les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo
de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un
cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría
una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica a


través de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga negativa)
y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a un generador. Si
se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas: una
debida al movimiento de los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos
próximos, originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen hacia el polo
positivo de la pila (cátodo), mientras que los huecos pueden considerarse como portadores de
carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila, llamado ánodo (hay que
considerar que por el conductor exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la
corriente eléctrica; los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor).
Semiconductores extrínsecos
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de
impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin
de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominará semiconductor
extrínseco. Según la impureza (llamada dopante) distinguimos:

Semiconductor tipo P: Se emplean elementos trivalentes


(3 electrones de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o
Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4
electrones necesarios para establecer los 4 enlaces
covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán un
defecto de electrones (para formar los 4 enlaces
covalentes). De esa manera se originan huecos que
aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red
cristalina. Así, al material tipo P también se le denomina
donador de huecos (o aceptador de electrones).

Fig. 2 Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones


de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en
exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina también donador de
electrones.

Fig. 3 Semiconductor tipo N

Unión PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e
impurezas tipo N por otro, se forma una unión PN.
Los electrones libres de la región N más próximos a la región P se difunden en ésta,
produciéndose la recombinación con los huecos más próximos de dicha región. En la región N
se crean iones positivos y en la región P se crean iones negativos. Por el hecho de formar
parte de una red cristalina, los iones mencionados están interaccionados entre sí y, por tanto,
no son libres para recombinarse.

Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la región N y otra negativa en la
región P, ambas junto a la unión. Esta distribución de cargas en la unión establece una
«barrera de potencial» que repele los huecos de la región P y los electrones de la región N
alejándolos de la mencionada unión. Una unión PN no conectada a un circuito exterior queda
bloqueada y en equilibrio electrónico a temperatura constante.

Fig. 4 Unión P-N

Unión PN polarizada en directo


Si se polariza la unión PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la región P y
el polo negativo a la región N, la tensión U de la pila contrarresta la «barrera de potencial»
creada por la distribución espacial de cargas en la unión, desbloqueándola, y apareciendo
una circulación de electrones de la región N a la región P y una circulación de huecos en
sentido contrario. Tenemos así una corriente eléctrica de valor elevado, puesto que la unión
PN se hace conductora, presentando una resistencia eléctrica muy pequeña. El flujo de
electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con
el sentido eléctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente
eléctrica.

Unión PN polarizada en inverso


Si se polariza la unión PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la región N
y el polo negativo a la región P, la tensión U de la pila ensancha la «barrera de potencial»
creada por la distribución espacial de cargas en la unión, produciendo un aumento de iones
negativos en la región P y de iones positivos en la región N, impidiendo la circulación de
electrones y huecos a través de la unión.
La unión PN se comporta de una forma asimétrica respecto de la conducción eléctrica;
dependiendo del sentido de la conexión, se comporta corno un buen conductor (polarizada en
directo) o como un aislante (polarizada en inverso).
Fig. 5 Polarización directa: Fig. 6 Polarización inversa:

Se produce cuando se conecta el polo En este caso, el polo negativo de la


positivo de una batería a la parte P de batería se conecta a la zona P y el
la unión P - N y el negativo a la N. polo positivo a la zona N.

Los semiconductores tipo-n y tipo-p sirven para construir una infinidad de dispositivos
electrónicos (limitados casi únicamente por la imaginación), aprovechando propiedades que
tienen las diferentes formas de unión, tipos de gradiente y de concentración de impurezas, y
de proximidad entre capas tipo-n y tipo-p. Según la función específica, los dispositivos
semiconductores pueden clasificarse como sigue:

1) Rectificadores, Amplificadores y Conmutadores (como los diodos, transistores bipolares y


FETs, tiristores y triacs)
2) Termosensibles (como los NTC y PTC RTD’s y los pigmentos termocrómicos)
3) Magnetosensibles (como los elementos Hall para sondas de campo magnético)
4) Termoeléctricos (como los módulos Peltier)
Los dispositivos fotónicos:
5) Electroluminiscentes (como los LEDs y los diodos laser)
6) Fotoconductores y Fotodiodos (como los LDR’s, fotodiodos y fototransistores)
7) Fotovoltaicos (como las celdas y paneles solares)
Sensores de posición basados en semiconductores:
Los sensores son dispositivos que emiten señales al medir una variable física, en este caso la
posición. Estos sensores pueden ser de dos tipos, sensores de posición lineal y sensores de
posición angular, unas de las más usadas en la industria son las siguientes:

 Potenciómetro Angular
 Encoders
 Sensores Inductosyn
 Sensores Láser
 Sensores ultrasónicos
 Sensores magnetoestrictivos
De todos estos solo algunos se basan en materiales semiconductores.

Ahora mencionaremos algunos sensores basados en semiconductores usados en la industria:

1. Potenciómetro angular:

Es un transductor de posición angular, de tipo absoluto y con salida de tipo analógico.


Básicamente es una resistencia de hilo bobinado en una pista de material conductor,
distribuida a lo largo de un soporte en forma de arco y un cursor solidario a un eje de salida
que pueda deslizar sobre dicho conductor. El movimiento del eje arrastra el cursor
provocando cambios de resistencia entre éste y los extremos. De esta forma si se alimentan
los extremos con una tensión constante Vo aparece en la toma de medida una tensión
proporcional al ángulo girado a partir del origen. Interesa que esta variación sea lineal como
se representa en la figura. En cuanto a la respuesta dinámica el potenciómetro es un
elemento proporcional sin retardo, pero la frecuencia de funcionamiento suele quedar limitada
a 5 Hz por motivos mecánico. El hilo bobinado puede ser de tipo semiconductor y la carcasa
que lo cubre generalmente es de aluminio (Al).

Fig. 7 Potenciómetro angular


2. Sincros y resolvers:

Un sincro es un transductor de posición angular de tipo electromagnético. Su principio de


funcionamiento puede resumirse diciendo que se trata de un transformador, en el que uno de
los devanados es rotativo. La configuración más habitual es:

 Primario en el rotor y monofásico


 Secundario en el estator y trifásico

En la Figura se representa el esquema de un Sincro con la configuración indicada. Cuando se


aplica una tensión senoidal al devanado primario, se recogen en los devanados secundarios
de cada una de las fases tres tensiones, cuya amplitud y fase con respecto a la tensión del
primario dependen de la posición angular del rotor.

Fig. 8 Esquema de un sincro con la configuración indicada

Funcionamiento del Sincro:

En caso de existir una sola fase en el estator existiría una indeterminación en el signo del
ángulo, que desaparece para un estator trifásico.

Una configuración particular del Sincro es la del Resolver, cuyo principio de funcionamiento es
análogo, con las siguientes particularidades constructivas:

 Primario en el estator y bifásico


 Secundario en el rotor, monofásico o bifásico.

En la Figura se representa de forma esquemática una configuración típica. Los devanados del
estator se alimentan en serie, dando un campo estacionario sobre el eje y los devanados del
rotor recogen distintas tensiones en función de 1.
Fig. 9 Representación de la configuración de un sincro

3. Inductosyn:
La señal es similar a los sincros y resolvers pero su relación voltaje/distancia es mucho más
precisa Es un transductor electromagnético utilizado para la medida de desplazamientos
lineales, con precisión del orden de micras. Se emplea en máquinas medidoras de
coordenada y máquinas herramientas de control numérico. El transductor consta de dos
partes acopladas magnéticamente, una denominada escala fija y situada paralela al eje de
desplazamiento y otra solapada a la anterior deslizante y solidaria a la parte móvil. Existe una
versión rotacional que alcanza precisiones de hasta 5 milésimas de grado.

Fig. 10 Inductosyn

4. Sensores ultrasónicos:
Los sensores de ultrasonidos son detectores de proximidad que trabajan libres de roces
mecánicos y que detectan objetos a distancias que van desde pocos centímetros hasta varios
metros. El sensor emite un sonido y mide el tiempo que la señal tarda en regresar. Estos
reflejan en un objeto, el sensor recibe el eco producido y lo convierte en señales eléctricas,
las cuales son elaboradas en el aparato de valoración. Estos sensores trabajan solamente en
el aire, y pueden detectar objetos con diferentes formas, colores, superficies y de diferentes
materiales. Los materiales pueden ser sólidos, líquidos o polvorientos, sin embargo han de
ser deflectores de sonido. Los sensores trabajan según el tiempo de transcurso del eco, es
decir, se valora la distancia temporal entre el impulso de emisión y el impulso del eco.

Estos sensores utilizan materiales como el silicio entre sus componentes.

Inconvenientes:
Este sensor, al no necesitar el contacto físico con el objeto, ofrece la posibilidad de detectar
objetos frágiles, como pintura fresca, además detecta cualquier material, independientemente
del color, al mismo alcance, sin ajuste ni factor de corrección. Los sensores ultrasónicos
tienen una función de aprendizaje para definir el campo de detección, con un alcance mínimo
y máximo de precisión de 6 mm. El problema que presentan estos dispositivos son las zonas
ciegas y el problema de las falsas alarmas. La zona ciega es la zona comprendida entre el
lado sensible del detector y el alcance mínimo en el que ningún objeto puede detectarse de
forma fiable.

Fig. 11 Sensor ultrasónico

5. Sensores magnetoestrictivos

Está basado en la detección de un impulso ultrasónico generado por la deformación elástica


que se produce en algunos materiales bajo el efecto de un campo magnético.

Básicamente se trata de una varilla de material magnético en la que se genera una


perturbación ultrasónica mediante una bobina inductora, sobre la varilla se coloca un imán
móvil que puede deslizarse. El imán provoca un cambio de permeabilidad en el medio y esto
provoca una reflexión de la onda ultrasónica, pudiéndose detectar la distancia al imán por el
tiempo en recibir el eco.
Los transductores de desplazamiento MTS, basados en un principio de medida sin contacto,
se utilizan para detectar la posición de elementos móviles en multitud de procesos
industriales.
Estos sensores se pueden encontrar en maquinaria específica para: acero (laminadores),
madera (aserraderos), papel (corte), plástico (extrusoras), energética (aerogeneradores) así
como en prensas hidráulicas, tuneladoras, etc.

Características:

 Medida absoluta de desplazamiento lineal.


 Sin contacto.
 Longitudes de medida hasta 15 m.
 Múltiples posiciones simultaneas
 Desplazamiento y velocidad
 Resolución: hasta 1 micra.
 Linealidad: 0,01%.
 Señales de salida analógicas y digitales
 Muy resistentes en ambientes agresivos

Fig. 12 Sensor magnetoestrictivo


Sensores de temperatura basados en semiconductores
El sensor de temperatura de semiconductor dispone de funciones de transferencia que son
proporcionales a la temperatura en K, °C o °F.

APLICACIONES:

Estos sensores iniciaron su aplicación en la protección de componentes electrónicos que


pueden dañarse por altas o bajas temperaturas (ordenadores, disco duro del ordenador,
cargadores de baterías y pantallas LCD-Liquida Cristal Display).

Otras aplicaciones de interés en el mundo industrial:

 Sensor de temperatura de dos hilos. Se caracteriza porque los 2 hilos se encargan de la


alimentación y de la señal de temperatura. La señal de salida es una tensión de c.c. con
una impedancia de 100K o mayor, mientras que la alimentación es de c.a
 Transmisor de corriente de 4-20 mA c.c.
 Convertidores multicanal de temperatura a señal digital.
 Convertidores de temperatura a frecuencia.

Diodo semiconductor:
El diodo semiconductor no solo es de gran importancia en las aplicaciones electrónicas
modernas, sino que además la teoría de la unión n-p sirve como fundamento en la
comprensión de los dispositivos semiconductores.

1. ¿QUÉ ES?

Un rectificador de corriente eléctrica o "DIODO" es un componente electrónico de 2 (o más)


terminales o electrodos, que solo permite la circulación de la corriente en un solo sentido, que
para cargas eléctricas positivas es desde el electrodo "A" de mayor potencial eléctrico
(denominado ánodo), hacia el electrodo "K" de menor potencial (denominado cátodo). Por lo
tanto un diodo es, en general, un componente unidireccional, asimétrico.

Un rectificador perfecto es el que para cualquier voltaje aplicado, no conduce absolutamente


ninguna corriente de cargas positivas desde K hacia A, mientras que al revés, conduce
cualquier valor infinitamente grande de corriente.

Existe un conjunto muy grande de rectificadores semiconductores y dispositivos relacionados


con características físicas y geométricas propias, según la función que deban realizar.

Por su propiedad más importante (conducir corriente en un sentido y bloquearla en el otro), el


símbolo electrónico del diodo semiconductor es una "flecha" en el sentido de circulación
"directo" (forward en inglés), desde A hacia K. El sentido correspondiente a voltajes negativos,
se denomina "inverso" (reverse).
Los 2 tipos más simples de rectificadores modernos (semiconductores) mostrados en la figura
siguiente, compuestos por la unión o contacto de dos materiales:

1. Diodos de "Unión Semiconductor-Semiconductor": Son los más conocidos


(comúnmente llamados "diodos rectificadores"), constituidos por la unión de un semiconductor
dopado tipo-n con un semiconductor del mismo material pero tipo-p (diodos de "unión n-p");

2. Diodos de "Barrera Schottky Metal-Semiconductor" o "Diodos Schottky": Son los


primeros que existieron (llamados "diodos de señal"), constituidos por un metal y un
semiconductor dopado tipo-p. Estos 2 materiales suelen estar ligados mediante un contacto
puntual o por una unión física, como por ejemplo mediante difusión.

Fig. 13: Muestra de los dos tipos de diodos semiconductores más comunes y simples: un diodo rectificador
1N4007, de unión n-p de silicio (con encapsulado plástico) y dos diodos de señal 1N60, Schottky de germanio (con
encapsulado de vidrio). En el símbolo de este último, el K se indica con una "S" de "Schottky".

2. ¿PARA QUE SIRVE?

Diodos de temperatura a voltaje: Los diodos semiconductores rectificadores son muy fáciles
de usar en termometría industrial y en laboratorios, como termómetros pequeños, rápidos,
confiables, de gran exactitud y repetitividad, incluyendo muy bajas temperaturas.
La termometría usando diodos semiconductores está basada en la dependencia del voltaje
directo VF(T, IF) con la temperatura T y la corriente directa IF en una unión n-p. Para que solo
dependa de T, se usa una pequeña corriente eléctrica constante, típicamente IF ≡ 10 μA
(±0.1%), lo suficientemente baja como para no sobrecalentar ni el dispositivo ni el sistema
donde se mide T, y lo suficientemente alta como para que la magnitud de VF sea
relativamente grande (del orden de 100 mV o superior). La "curva de respuesta con la
temperatura" VF(T) de una unión n-p con Ge o con Si, es relativamente lineal solamente en
rangos pequeños de temperatura. Pero con la Electrónica moderna, la alinealidad no es un
problema. Muchos controladores de temperatura tienen un algoritmo PID y un termómetro
formado por el diodo sensor de temperatura, con los puntos (VF, T) obtenidos en una
calibración previa, guardados en la memoria.

Fig. 14: Diagrama esquemático de curvas características Corriente vs. Voltaje de un diodo a una misma corriente
IF pero a diferentes temperaturas (T1 < T2 < T3 <T4), y representación de su respuesta Voltaje directo vs.
Temperatura. En la parte inferior se muestra el esquema básico usado en termometría.

Por ejemplo el sensor de temperatura DT-670 Lake Shore es un diodo de “Si” especificado
para funcionar entre 1.4 y 500 K (0 K ≡ -273.15 oC), se puede usar bajo campo magnético por
sobre los 60 K, y posee una respuesta media con la temperatura aproximadamente lineal en
dos tramos:

(a) dVF/dT ≈ -22.6 mV/K en el rango 1.4K ≤ T ≤ 23K (1.644290V ≥ VF ≥ 1.140817V)

(b) dVF/dT ≈ -2.1 mV/K en el rango 23K ≤ T ≤ 500K (1.140817V ≥ VF ≥ 0.090681V)


3. ¿DE QUÉ ESTÁ HECHO?

Los diodos semiconductores más simples son dispositivos básicos de estado sólido donde el
A está compuesto por un material semiconductor tipo-p (generalmente Si, Ge o GaAs). En un
diodo rectificador el K es del mismo material semiconductor que el A pero tipo-n.

Fig. 15: Esquemas, símbolos y curvas características de diodos reales: diodo de unión n-p de Si y diodo Schottky
metal-semiconductor de Ge.

Ejemplos:

Serie de diodos rectificadores de Si "1N4001-1N4007" Diotec Electronic Corp. es uno de los


fabricantes de la "Series 1N4001-1N4007 1Amp General Purpose Silicon Diodes". Son 7
diodos (1N4001/2/3/4/5/6/7) que pueden funcionar entre -65 y 175oC, poseen una IoMax = 5
μA y VRMax = 50, 100, 200, 400, 600, 800, 1000 V respectivamente. Vienen con encapsulado
"DO-41" de plástico (4.1 mm de largo, 2.6 mm de diámetro) y con una masa de 0.34 g.

4. ¿CÓMO FUNCIONA?
El mecanismo de rectificación de un diodo semiconductor es muy distinto al de una válvula,
debido a que los mecanismos de conducción en sí mismos son muy diferentes. Sin embargo,
algunos conceptos son generales.
Por ejemplo, para ver cómo un rectificador eléctrico bloquea la corriente en un sentido pero la
deja circular en el otro, hay que observar que el dispositivo no es simétrico; está formado por
dos electrodos diferentes: ánodo (A) y cátodo (K), y el voltaje ΔVAK ≡ VA - VK sobre el
rectificador (la caída de voltaje sobre el A respecto del K) puede tener dos signos diferentes.

Cuando el voltaje es inverso, VR ≡ ΔVAK < 0 V, la polaridad del dispositivo se denomina


"polarización inversa" (reverse bias). En este caso la circulación de corriente está bloqueada y
el rectificador (perfecto) no conduce (IR = 0A). Esto significa que habría que vencer una
"barrera de energía" (potencial eléctrica) para que una corriente (de cargas positivas) pudiera
circular en sentido inverso (desde K hacia A). La existencia de esa barrera no solo hace que
el dispositivo no sea simétrico, sino que además determina que haya un sentido privilegiado
de circulación.

Cuando el voltaje es directo, VF ≡ ΔVAK > 0 V, la polaridad del dispositivo se denomina


"polarización directa" (forward bias). El sentido de circulación de portadores positivos yendo
desde A hacia K se denomina sentido directo. Puede darse uno de estos 2 casos:

1. No hay barrera a la conducción en directo (como en el caso de un diodo semiconductor


ideal donde Vγ = 0V), o bien,

2. Existe otra barrera (en sentido directo), que es menor que la barrera para la conducción
inversa (como en los diodos reales o "prácticos").

Por eso es que sobre el rectificador, para que haya corriente directa IF > 0A, en general no
solo es necesario aplicar un voltaje directo VF, sino que además ese voltaje debe ser
suficiente para que los portadores de carga alcancen o superen una brecha de energía; el
voltaje directo debe alcanzar cierto "voltaje umbral" (threshold) Vγ relacionado con la barrera
en directo: 0V ≤ Vγ ≤ VF

Esta expresión toma en cuenta ambos casos, con barrera en polarización directa (Vγ > 0V) o
sin ella (Vγ = 0V).

El diodo semiconductor de unión funciona de un modo muy diferente, pero también hay que
aplicar un voltaje umbral para vencer una barrera (mucho menor que en las válvulas).

Funcionamiento del diodo semiconductor real

Tres parámetros importantes en el funcionamiento del diodo rectificador de unión n-p son:

1. Intensidad de corriente inversa de saturación Io


2. Voltaje inverso de ruptura VBR (o VRMax)
3. Voltaje (directo) umbral Vγ
Cuando se fabrica un diodo de unión n-p, al poner en contacto dos materiales con
concentración distinta (exceso de electrones libres en el tipo-n y exceso de agujeros en el
tipo-p), habrá difusión de portadores de carga de uno y de otro lado a través de la unión.

Entonces, los electrones (portadores de carga negativos y mayoritarios en el material tipo-n)


difundirán hacia el tipo-p, dejando iones positivos donadores "desnudos" (en el tipo-n),
cruzando la unión y recombinándose con agujeros, haciendo que queden iones negativos
aceptadores desnudos (en el tipo-p).

Análogamente, los agujeros (portadores de carga positivos y mayoritarios en el material tipo-


p) difunden hacia el tipo-n cruzando la unión y recombinándose con electrones

Fig. 16: Representación esquemática de la estructura de un diodo semiconductor de unión n-p. Debido a la
recombinación de electrones libres del tipo-n con los agujeros del tipo-p, alrededor de la unión quedan iones que
generan un campo eléctrico intrínseco (de contacto) Enp desde el tipo-n hacia el tipo-p.

Por lo tanto, la zona de material (originalmente neutro) tipo-n que rodea la unión queda
positiva, y la zona cercana a la unión dentro del material tipo-p queda negativa, dando lugar a
la aparición de un campo eléctrico inverso, intrínseco o de contacto, Enp, que "apunta" desde
el tipo-n (positivo) hacia el tipo-p(negativo).

Este campo Enp de n hacia p produce una fuerza eléctrica Fnp = qEnp sobre las cargas q. Esta
fuerza está en contra de los agujeros que están difundiendo hacia n, y análogamente, el
mismo Enp produce una fuerza eléctrica contra los electrones que están difundiendo hacia p.
Por lo tanto, la difusión persiste hasta que el Enp llegue a ser lo suficientemente intenso en la
unión, como para compensar la difusión y establecer el equilibrio.
La región de recombinación que rodea la unión donde existe el campo eléctrico Enp, se
denomina región de deplexión, o región de carga de espacio, o región de transición (depletion
region; depletion layer) y tiene un espesor del orden de 1 μm.

La existencia de Enp (que apunta de n hacia p), hace que en la región de recombinación exista
una variación o salto de potencial eléctrico V0 (de unas cuantas décimas de volt, mayor
en n respecto de p), y por lo tanto hay una barrera de energía potencial
electrostática eV0 para los agujeros y una barrera -eV0 para los electrones.

1. Corriente inversa de saturación Io:

El estado de no conductor a 0 K con polarización inversa cambia cuando T > 0 K. La


presencia del campo eléctrico de los átomos desnudos con energía térmica kT, rompe
algunos enlaces covalentes cercanos, y entonces aparecen pares agujero-electrón
libre generados por la agitación térmica en ambos lados de la región de transición.
El electrón de los pares generados en el tipo-n se liga a algún ión positivo cercano, y el
agujero de los pares generados en el tipo-p se liga a algún ión negativo (como se muestra
esquemáticamente en la Figura).

Por lo tanto, alrededor de la unión a T > 0 K los agujeros en el tipo-n y electrones en el tipo-
p generados térmicamente, bajo la fuerza del campo eléctrico inverso atraviesan la unión
hasta recombinarse (flecha verde).
Esto constituye una pequeña corriente inversa IR cuya intensidad con muy poco voltaje
inverso alcanza el valor límite Io, que es el parámetro denominado corriente inversa de
saturación del diodo.

Fig. 17: Representación esquemática del origen de la corriente inversa de saturación Io en un diodo semiconductor
de unión n-p. En la zona de transición a T > 0 K, se rompen enlaces generando pares agujero-electrón. De este
modo quedan agujeros entre los iones positivos del tipo-n y electrones entre los iones negativos del tipo-p, que se
recombinan movidos por el campo eléctrico inverso.
En un diodo perfecto Io ≡ 0 A, pero en un diodo ideal la teoría de Shockley predice y explica la
existencia de Io, observada en los diodos reales (o prácticos).

Esta corriente inversa se desprecia en muchas aplicaciones, ya que es del orden de 100 μA y
0.1 μA en diodos de Ge y de Si respectivamente. Pero por otro lado, existen otros dispositivos
donde se utiliza la sensibilidad de Io con la temperatura o bien con la iluminación (dado que
también la luz visible puede romper enlaces covalentes y generar pares electrón-agujero).

2. Voltaje umbral Vγ:

En un diodo perfecto y en un diodo ideal tampoco hay voltaje umbral, es decir, Vγ ≡ 0 V. Pero
en un diodo real Vγ también es un parámetro muy importante, de valor finito, como se verifica
experimentalmente en las imágenes del cuadrante I de la curva I vs. V vistas en el trazador de
curvas. En efecto, se observa en las curvas que la conducción en directo de un diodo de
unión de Si y de un diodo Schottky de Ge es nula o casi despreciable hasta que el voltaje
directo alcanza un valor umbral.

Fig. 18: Representación esquemática del cambio en el ancho de la región de transición con las polarizaciones
inversa y directa.

Cuando el dispositivo se polariza en sentido directo (forward bias), VF > 0 V, el campo


eléctrico exterior Eext que atraviesa la unión a lo largo de la región de recombinación, ahora
tiene sentido opuesto al campo intrínseco Enp, por lo que el campo eléctrico total posee una
intensidad menor: ETOTAL = Enp - Eext. Esto significa que el campo sobre la unión polarizada
directamente disminuye el ancho de la región de recombinación y consecuentemente la
barrera se hace más delgada. Pero si aún queda algo del campo intrínseco que el campo
exterior no haya cancelado, persiste parte de la barrera y el dispositivo sigue en estado "no
conductor".
El voltaje umbral es el que produce un campo exterior directo que cancela al campo intrínseco
inverso, y a partir del cual, sin barrera, podrá haber conducción. Éste es entonces el origen
del voltaje umbral.

3. Curva Característica Corriente I vs. Voltaje V del diodo semiconductor

Considerando portadores mayoritarios y minoritarios, el físico e inventor


estadounidense William Bradford Shockley (1910-1989) en 1949 elaboró la teoría de la unión
n-p con su célebre ecuación para la corriente inversa Io, que conduce a la expresión de la
corriente I en función del voltaje aplicado V (polarización inversa o directa), conocida
como Ley del Diodo Ideal de Shockley:

I = Io (e eV/ (kT) – 1)

Donde la corriente inversa de saturación es:

Io = constante x T 2 e-EG0/ (kT)

Siendo EG0 ≡ EG(0K) el valor del gap del material a T = 0 K.

Fig. 19: Representación esquemática de las curvas características de un rectificador perfecto, un diodo ideal
(Ecuación de Shockley) y de un diodo semiconductor de unión real.
La Ecuación de Shockley describe bastante bien el comportamiento para pequeñas corrientes
de un diodo ideal de unión n-p de germanio (con EG0Ge = 0.785 eV), donde dominan las
corrientes de difusión. Pero en el caso de un diodo de Si o de GaAs, es necesario hacerle
correcciones. Esto se debe a efectos de superficie, a efectos de "tunelaje" en la unión, y otros
fenómenos no considerados en la deducción de Shockley.

La curva I vs. V del diodo ideal de unión n-p de silicio crece más suavemente que la
característica del diodo de Ge. Con las primeras décimas de voltio de V, el crecimiento de la
corriente directa IF comienza variando como e eV/(2kT) (en vez de e eV/(kT) como es para el Ge).
Haciendo las correspondientes correcciones, la característica para el Si resulta:
I = Io (e eV/ (nkT) – 1)
Donde n = 2 cuando domina la recombinación (corrientes pequeñas), n = 1 cuando domina la
difusión (corrientes grandes), 1< n < 2 cuando ambos fenómenos contribuyen
apreciablemente, y:
Io = constante x T 3/2 e-EG0/ (2kT) y donde EG0Si = 1.21 eV.

Por lo tanto las expresiones para un diodo ideal de unión n-p de germanio y de silicio se
pueden sintetizar en una sola ecuación con 5 parámetros dependientes del material:
I = Io (e eV/ (nkT) – 1) = constante x T m e-EG0/(ηkT) (e eV/(nkT) – 1)

donde para un diodo ideal de unión n-p de germanio:


n=1
m = 2.0
EG0 = 0.785 eV
η=1

mientras que para un diodo ideal de unión n-p de silicio:


(IF grande) 1 ≤ n ≤ 2 (IF pequeña)
m = 1.5
EG0 = 1.21 eV
η=2

Otra forma de expresar I es con EG ≡ EG(T) en vez de EG0, usando que el


valor EG del gap decrece en forma aproximadamente lineal con T, y entonces resulta:
I = constante x T (3+γ/2) e-EG/ (ηkT) (e eV/ (nkT) – 1)
Donde γ es una constante que depende del material.

A partir del voltaje umbral Vγ, el diodo conduce en directo, y la caída de voltaje
directo VF (forward voltage-drop) es del orden de 0.3 V hasta aproximadamente 3 V,
dependiendo del dispositivo y de la intensidad de la corriente forward IF.
Para los diodos rectificadores usados en aplicaciones de potencia (generalmente de silicio
con VγSi ≈ 0.6 V), VF está en el rango 0.7-1.7 V. Por ejemplo, en el diodo 1N4007 de silicio
típicamente es VF ≈ 1.1 V para IF ≈ 1 A.
Medición de EG usando diodos semiconductores:

La última expresión es interesante porque muestra explícitamente que para un diodo


de germanio (η = n = 1) o para un diodo de silicio con una corriente directa IF pequeña (η = n =
2), y dentro de un rango pequeño de temperaturas cercanas a la ambiente (T ≈ 300 K) donde
el término T(3+γ/2) varía mucho menos con T que e-EG/(ηkT), y donde e eVF/(nkT) >> 1, se tiene

IF ≈ constante x e-EG/(ηkT) e eVF/(nkT) = constante x e(eVF -EG)/(nkT)


de donde resulta que manteniendo la corriente directa IF constante y pequeña (cercana al
umbral),

T ≈ constante x (EG - eVF) ≡ A0 + A1VF

Transistor de temperatura:
El transistor es también un buen sensor de temperatura. El voltaje base-emisor de un
transistor varía directamente con la temperatura a corriente constante de la misma manera en
que lo hace la caída en directa de un diodo.
El transistor de unión bipolar: (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación
de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como
la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
Fig.20: Regiones de un transistor semiconductor

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal,


la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay
poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres
estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
Tipos de transistor:
Tipo NPN:

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales


las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la
movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en
los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operación
Fig. 21 Transistor tipo NPN

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Tipo PNP:

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras


"P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en
día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño
en la mayoría de las circunstancias.

Fig. 22 Transistor tipo PNP

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una
carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Fig.23: Tipos NPN y PNP de transistores

En la mayor parte de las aplicaciones, la señal de salida alimenta un comparador o un


convertidor A/D para convertir los datos de temperatura a un formato digital.
Los sensores desarrollados en este campo son analógicos y digitales con tensión de salida
proporcional a la temperatura absoluta o a la temperatura en °C o °F, sensibilidad 10 mV/°C y
una exactitud de 1°C dentro del intervalo de -55°C a 150°C.

Hay analógicos con corriente de salida proporcional a la temperatura absoluta y sensibilidad


de 1 A/°C y termostatos de -40°C a +125°C.

Un sensor de temperatura de silicio es un circuito integrado (IC) que puede contener un


circuito de procesamiento de la señal que se encargue de la compensación de la unión fría o
de la linealización dentro del mismo IC (circuito integrado).

Sensores de luz basados en semiconductores


Los sensores de luz se usan para detectar el nivel de luz y producir una señal de salida
representativa respecto a la cantidad de luz detectada. Un sensor de luz incluye un
transductor fotoeléctrico para convertir la luz a una señal eléctrica y puede incluir electrónica
para condicionamiento de la señal, compensación y formateo de la señal de salida.

Fotorresistencias (ldr)
La fotorresistencia, como su nombre lo indica, es un resistencia cuyo valor dependen de la
energía luminosa incidente en ella, específicamente son resistencias cuyo valor de
resistividad disminuye a medida que aumenta la energía luminosa incidente sobre ella y
viceversa. Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuya resistencia
varía en función de la iluminación. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia
de rayos luminosos. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de
luz (light dependent resistors), fotoconductores o células fotoconductoras.

Fig.24 Aspecto físico y símbolo de una LDR

Las células son también capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias,
incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Los materiales que intervienen en su
construcción son Sulfuro de Cadmio, utilizado como elemento sensible a las radiaciones
visibles y sulfuro de plomo se emplean en las LDR que trabajan en el margen de las
radiaciones infrarrojas. Estos materiales se colocan en encapsulados de vidrio o resina.
Fig. 25 Fotogeneración de portadores

Si dejamos de iluminar, los portadores fotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus
valores iniciales. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia
será mayor. Por supuesto, el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de
onda determinadas

Fig.26 Estado de conducción sin fotogeneración

Es decir, la variación de resistencia será máxima para una longitud de onda determinada.
Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deberá ser suministrada por el
proveedor. En general, la variación de resistencia en función de la longitud de onda presenta
curvas como las de la figura siguiente:

Fig. 27 Curva característica de la LDR

El valor de resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede
descender hasta 50 ohm) y muy alto cuando está a oscuras (varios megaohmios).

 Principales características de las fotoresistencias:


1.- Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz
brillante.
2.- Disipación máxima, (50 mW-1W).
3.- Voltaje máximo (600V).
4.- Respuesta Espectral.
5.- El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima de
segundo.
 Ventajas de las fotoresistencias:
1.- Alta sensibilidad (debido a la gran superficie que puede abarcar).
2.- Fácil empleo.
3.- Bajo costo.
4.- No hay potencial de unión.
5.- Alta relación resistencia luz-oscuridad.

 APLICACIONES:
En la mayor parte de las aplicaciones de los resistores LDR se basan en el
accionamiento de un relé o una lámpara. Esta puede estar afectando directa o
indirectamente.

1.- Encendido de luces


2.-LDR de retención
3.- Indicador de nivel
4.- Conmutador automático de brillo y contraste en televisión
5.- Luz intermitente

Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con
lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido
a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir,
iluminados en ausencia una fuente exterior de energía generan una corriente muy pequeña
con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.

El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor común, pero tiene una característica
que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una cantidad de corriente eléctrica
proporcional a la cantidad de luz que lo incide (lo ilumina).

Si el fotodiodo quedara conectado, de manera que por él circule la corriente en el sentido de


la flecha (polarizado en sentido directo), la luz que lo incide no tendría efecto sobre él y se
comportaría como un diodo semiconductor normal.
Luz incidente

Sentido de la corriente
generada
Fig.28 figura 7

Fig. 29

Principio de funcionamiento:
Un fotodiodo es una unión p-n o estructura PIN. Cuando un fotón de energía suficiente golpea
el diodo, se excita un electrón, creando de ese modo un electrón libre. Este mecanismo
también se conoce como el efecto fotoeléctrico interno. Si la absorción se produce en la
región de agotamiento de la unión, o una longitud de difusión de distancia de ella, estos
portadores son barridas de la unión por la incorporada en el campo eléctrico de la región de
agotamiento. Por lo tanto agujeros se mueven hacia el ánodo, y los electrones hacia el
cátodo, y se produce una fotocorriente. La corriente total a través del fotodiodo es la suma de
la corriente oscura y la fotocorriente, por lo que la oscuridad corriente debe reducirse al
mínimo para maximimze la sensibilidad del dispositivo.

La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz
que lo incide, de manera que su reacción a la luz sea más evidente.

Composicion:

El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus


propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de
cualquier otro material semiconductor.

Material Longitud de onda (nm)

Silicio 190–1100

Germanio 800–1900
Indio galio arsénico (InGaAs) 800–2600

sulfuro de plomo <1000-3900

También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos


medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm), pero estos requieren refrigeración por nitrógeno
líquido.

Usos y Aplicaciones:
 A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad, y puede
utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.
 Fotodiodos se utilizan a menudo para una medición precisa de la intensidad de
la luz de la ciencia y la industria. En general, tienen una respuesta más lineal
que fotoconductores.
 Fotodiodos PN se utilizan en aplicaciones similares a otros fotodetectores,
como fotoconductores,dispositivos de acoplamiento de carga,y tubos
fotomultiplicadores. Ellos se pueden utilizar para generar una salida que
depende de la iluminación, o para cambiar el estado de los circuitos.
 Se usa en los lectores de CD, recuperando la información grabada en el surco
del Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos
eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los
datos grabados.
 Usados en fibra óptica
 También son ampliamente utilizados en diversas aplicaciones médicas, tales
como detectores para la tomografía computarizada, instrumentos para analizar
las muestras, y oxímetros de pulso.

Fototransistores
Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, están
compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres
conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la
luz, la primera diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente
transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y
produzca el efecto fotoeléctrico.
Fig. 30 Fototransistor

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede


trabajar de 2 formas:

1.-Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

2.-Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).

Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza


principalmente con el pin de la base sin conectar.

Principio de funcionamiento:
Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Los
fotones incidentes generan pares electrón-hueco en la proximidad de la gran unión CB. Las
tensiones de polarización inversa de la unión CB, llevan los huecos a la superficie de la base
y los electrones al colector. La unión BE polarizada directamente, hace que los huecos
circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base.En este
punto la acción convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del
emisor cruzando la pequeña región de la base y alcanzando el colector que es más positivo.
Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares
electrón-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se
conecta en configuración de emisor común, la corriente de base inducida por la luz, aparece
como corriente de colector multiplicada por β ó hfe.

Caracteristicas:

 El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor común con un


fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el cátodo del fotodiodo
conectado al colector del transistor y el ánodo a la base.
 Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular
su corriente de colector por medio de la corriente de base.
 El fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide más
o menos luz sobre sus junturas. El mismo puede ser identificado en un circuito
con la simbología mostrada en la figura 8.
 Tiene un tiempo de respuesta muy corto al igual que el fotodiodo, solo que su
entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.

Usos y Aplicaciones:
 El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la detección de
iluminación es muy importante.
 Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz
por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
 Su aplicación es a dispositivos como: El mouse, lectores de cinta, lapices
opticos, control remoto,etc.

Fotovoltaicos
Una célula fotoeléctrica, también llamada celda, fotocélula o célula fotovoltaica, es un
dispositivo electrónico que permite transformar la energía lumínica (fotones) en energía
eléctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoeléctrico, generando energía solar
fotovoltaica. Compuesto de un material que presenta efecto fotoeléctrico, absorben fotones de
luz y emiten electrones. Cuando estos electrones libres son capturados, el resultado es una
corriente eléctrica que puede ser utilizada como electricidad.

Estos sensores están generados por semiconductores del tipo p-n.

Fig.30. simbolo de celula fotovoltaica Fig.31 celda fotovoltaica

Incidencia de fotones:
Si una vez alcanzado el equilibrio un fotón entra en la zona de agotamiento. Si este tiene una
energía superior a la Energía de la banda de GAP, será absorbido creando un par electrón-
hueco. Este nuevo par generara un nuevo campo eléctrico opuesto al creado por el
mecanismo de difusión. Al incidir luz sobre una unión PN se genera una tensión eléctrica que
es función de la intensidad de la radiación (principio de las células solares)
Cuantos más fotones llegan a la unión, los campos tenderán a anularse. Esta condición en el
momento en el que se anulan es la que determina la tensión a Circuito Abierto. Finalmente
colocando unos contactos metálicos sobre la superficie de la célula se puede utilizar el
potencial creado. Ver Figura 32-33

Fig. 32 Fig. 33

Usos y Aplicaciones
 Las células fotovoltaicas se utilizan a veces solas (iluminación de jardín,
calculadoras,...) o agrupadas en paneles solares fotovoltaicos.
 Se utilizan para reemplazar a las baterías (cuya energía es con mucho la más
cara para el usuario), las células han invadido las calculadoras, relojes,
aparatos, etc.
 Se utilizan para producir electricidad para muchas aplicaciones (satélites,robots
que se mueven en marte,sondas espaciales,parquímetros,etc.) y para la
alimentación de los hogares o en una red pública en el caso de una central
solar fotovoltaica.

Sensores ccd
Un dispositivo de carga acoplada (en inglés charge-coupled device, conocido también como
CCD), es un circuito integrado que contiene un número determinado de condensadores
enlazados o acoplados. Bajo el control de un circuito interno, cada condensador puede
transferir su carga eléctrica a uno o a varios de los condensadores que estén a su lado en el
circuito impreso.

El funcionamiento de los CCD se basa en el fenómeno físico del efecto fotoeléctrico. Ciertas
sustancias tienen la propiedad de absorber cuantos de luz, o fotones, y liberar un electrón.
Fig. 34 sensor CCD

Fabricación:
Para la fabricación de los detectores CCD se utiliza el silicio, el cual es un material
semiconductor. Una de las caras de una placa de silicio se recubre con una red de electrodos
microscópicos cargados positivamente. En virtud del efecto fotoeléctrico, la luz incidente
genera electrones, de carga negativa, que son atraídos por los electrodos y se acumulan a su
alrededor. La imagen final captada por el detector CCD es un mosaico formado por tantos
elementos, o teselas, como electrodos hay en la placa de silicio. Se suele llamar píxeles a las
teselas de los mosaicos digitales.

Usos y Aplicaciones:
 Es usado en camaras digitales de alta resolucion, tambien en el diseño de
lentes de camaras de video,microscopios y telescopios,etc.

Sensor cmos
Un sensor de píxeles activos ((en inglés) active pixel sensor cuyo acrónimo es APS), es un
sensor que detecta la luz basado en tecnología CMOS y por ello más conocido como Sensor
CMOS.

Gracias a la tecnología CMOS es posible integrar más funciones en un chip sensor, como por
ejemplo control de luminosidad, corrector de contraste, o un conversor analógico-digital.

Fig.35 sensor CMOS


Diferencias con el sensor ccd:
Esta clase de sensor presenta varias ventajas respecto al sensor CCD. El sensor CMOS no
tiene un coste tan elevado debido a que el chip que utiliza no necesita tantos elementos
electronicos como el sensor de imagen CCD

Otra gran diferencia, es que el xip CMOS puede integrar muchas funciones y procesos, tales
como comprimir fotografías, cambio de datos analógicos a digitales, mientras que el CCD,
estos procesos se realizan fuera del xip. A su vez también consume mucha menos energía
evitando que alcance una temperatura excesiva del mismo, alargando su duración.

Ventajas:

 Consumo eléctrico muy inferior.


 Económico (necesita pocos componentes externos).
 Lectura simultánea de mayor número de pixeles.
 El conversor digital puede estar integrado en el mismo chip.
 Escaso Blooming ("Smear") o inexistente.
 Mayor flexibilidad en la lectura (Previsualización más rápida, vídeo,...).
 Los pixeles pueden ser expuestos y leídos simultáneamente.
 Muy alta frecuencia de imagen en comparación a un CCD del mismo tamaño.

Desventajas:

 Menor superficie receptora de la luz por píxel.


 Menor uniformidad de los píxeles (mayor ruido de patrón fijo-FPN).
 Efecto "jelly" o inestabilidad en la imagen con movimientos rápidos (se tuerce el
vídeo) o flashes debido al tipo de obturación giratoria que utiliza.

Usos y Aplicaciones:
Debido a su bajo coste, el APS (CMOS) comenzó a emplearse masivamente en webcams y
en las cámaras de los teléfonos móviles. Sin embargo, hoy día también se utiliza en cámaras
DSLR de Canon, Nikon, Pentax Sony y Sigma, pues no sólo superan en luminosidad a los
sensores CCD, sino que también producen menos ruido.
CONCLUSIONES GENERALES:

 Los sensores basados en semiconductores, dependiendo del grado de


impurezas con que se dopen los sustratos estos variarán en mayor o menor
grado su conductividad eléctrica frente a cambios de: temperatura,
deformaciones mecánicas, intensidad luminosa, campos eléctricos, campos
magnéticos, radiaciones nucleares, radiaciones electrónicas, entre otros;
permitiendo su aplicación para las diversas áreas industriales.
 En la actualidad los sensores se han convertido en dispositivos fundamentales
para la contruccion de elementos y herramientas en las actividades del
hombre, ya sea en necesidades de proteccion, comodidad, seguridad,etc.
Razon por la cual es vital el conocimiento y la investigacion de los distintos
tipos sensores.