ESCUELA INDUSTRIAL SUPERIOR

“PEDRO DOMINGO MURILLO”

CARRERA: INFORMÁTICA INDUSTRIAL
ASIGNATURA: EGL-200 Electrónica general y laboratorio
TEMA LAB: Circuitos con Diodo
DOCENTE: Edgar Mendoza F.
INTEGRANTES: Cantuta Siñani Juan Carlos
Leon Barrera Exmi Sony
FECHA: 26 de septiembre, 2019

CIRCUITOS CON DIODOS

1. OBJETIVOS
1.1.OBJETIVO GENERAL
Realizar el correcto armado de los circuitos propuestos
1.2.OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Calcular los valores (teórico/práctico) de los circuitos propuestos.
 Desarrollar una tabla para los valores medidos.
 Observar el comportamiento del Diodo en polarización inversa.
 Comparar los datos teóricos con los datos prácticos, para identificar si existe una variación entre
los datos.
2. FUNDAMENTO TEÓRICO
Polarización del Diodo
- Polarización inversa

Polarización inversa de una unión p-n. Consiste en poner una tensión positiva del lado
de la zona n y negativa del lado de la zona p.

Para polarizar inversamente una unión p-n colocamos una tensión continua con el lado negativo de la misma en la
zona p y el lado positivo de la tensión en la zona n. La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los
h+ de la zona p y a la e- de la zona n de la unión. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se extenderá hacia
el interior de la zona p y de forma análoga la zona de cargas positivas tenderá a penetrar en la zona n.

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 Polarización inversa. A medida que aumentamos la polarización inversa aumenta la anchura de la zona de carga zona dipolar

Al aumentar la zona de depleción aumentará el potencial de la barrera. Este aumento continuará hasta que el
potencial que aparece en la zona de carga espacial se iguale con la tensión aplicada. La distancia que la zona de carga
espacial penetre en cada una de las zonas dependerá del nivel de dopado de las mismas. Cuanto más dopada esté
una zona menos se adentrará en la misma la
zona de depleción.

En la figura se aprecia como la zona de carga (área sombreada)

penetra más en la zona n (menos dopada) que en la zona p (más dopada).

Por lo tanto, en principio resultará una corriente nula. Sin embargo, debemos de tener en cuenta a los portadores
minoritarios (e- en la zona p y h+ en la zona n provenientes de la formación de pares e- - h+ debida a la rotura
térmica de enlaces). Así, el campo eléctrico aplicado tenderá a llevar a la e- de la zona p hacia la zona n y a los
huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone una corriente resultante que se denomina corriente inversa de
saturación o corriente de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y no de pende de la tensión inversa
aplicada.

- Polarización directa.

Cuando aplicamos una tensión directa V a

una unión p-n, es decir, una tensión positiva del lado p y negativa del lado n. En primer lugar, la anchura de la zona
de carga disminuye, disminuyendo también la barrera de potencial que aparece en dicha zona. Esta tensión aplicada
rompe el equilibrio establecido entre las fuerzas que sobre los portadores ejerce el campo eléctrico y las fuerzas que
tienden a producir la difusión de los portadores minoritarios. Para valores pequeños de la tensión de polarización
(valores de tensión menores que la barrera de potencial) la circulación de corriente no será apreciable. Esto se debe
a que el campo eléctrico que aparece en la zona de carga es más fuerte que el campo exterior aplicado, por lo tanto
los portadores mayoritarios no podrán atravesar la zona de carga.

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Polarización directa de la unión p-n. La zona dipolar es más estrecha que la
que aparece en la unión sin polarizar.

A medida que la tensión exterior aplicada aumenta y superamos el valor de la barrera de potencial, los portadores
mayoritarios atravesarán la unión. Los h+ de la zona p se verán arrastrados hacia la zona n y los e- de la zona n hacia
la zona p creándose una corriente grande
(debida a los mayoritarios) en el sentido de la zona p
hacia la zona n.

Polarización directa de la unión p-n. Cuando V >V la corriente

crece exponencialmente con la tensión aplicada.

3. MATERIAL, EQUIPOS Y HERRAMIENTAS

 Resistores (2,2[kΩ] ; 4,7[kΩ] )
 Diodos (1N4148 ; 1N4007)
 Tester
 Jumpers
 Protoboard
 Fuente de corriente continua.

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  EPI/EPP (Equipo de protección individual/ Equipo de protección personal)
4. RESULTADOS OBTENIDOS (DESARROLLO DEL LABORATORIO)
4.1.

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4.1.CIRCUITOS Y ESQUEMAS

4.2.

CÁLCULOS REALIZADOS

1. TEÓRICO 1. PRÁCTICO

VT= 12[v] VT= 12,01[v]

VL= 0[v] VL= 0[v]
VD1= 0,7[v] VD1= 0,23[v]
VD2= 11,3[v] VD2= 11,61[v]
I= 0[A] I= 0[A]

2. TEÓRICO 2. PRÁCTICO

I= 2,07[mA] I= 2,07[mA]
V1= 9,72[v] V1= 9,82[v]
V2= 4,55[v] V2= 4,50[v]
VD1= 0,7[v] VD1= 0,64[v]

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 VD2= 0[v] VD2= 0[v]
P1= 20[mW] VT= 15[v]
P2= 9,41[mW]
VT= 15[v]

3. TEÓRICO 3. PRÁCTICO

I= 1,97[mA] I= 2,08[mA]
ID1= 0,98[mA] ID1= 1,2[mA]
ID2= 0,98[mA] ID2= 1[mA]
V1= 9,25[v] V1= 9,91[v]
V2= 4,33[v] V2= 4,54[v]
VD1= 0,7[v] VD1= 0,57[v]
VD2= 0,7[v] VD2= 0,57[v]
P1= 18,2[mW] VT= 15,06[v]
P2= 8,5[mW]
PD1= 1,37[mW]
PD2= 1,37[mW]
VT= 15[v]

5. ANEXOS

6. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
 Se logró realizar la tabla para los valores medidos.
 Se observó que los valores teóricos y prácticos tienen diferencia.
 Se observó que el comportamiento del Diodo en polarización inversa efectivamente es como un
interruptor abierto donde cae el voltaje.
 Verificar que el tester este en funcionando correctamente, esto para no fallar en las mediciones.
 Verificar que la conexión de la fuente de corriente continua sea correcta (positivo y negativo en el
circuito)
 Hacer uso del EPI/EPP
7. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Bibliografía
Olea, A. A. (Febrero de 2001). ELECTRÓNICA BÁSICA. Obtenido de ELECTRÓNICA BÁSICA: http://www.sc.ehu.es

TEORÍA DEL DIODO. (s.f.). Obtenido de https://ocw.ehu.eus

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