1.1.-Circuito Resonante Paralelo:: Electronica Aplicada Iii

ELECTRONICA APLICADA III
1.1.- Circuito resonante paralelo:

Consideremos el circuito tanque de la figura. Se encuentra excitado por un generador
sinusoidal de corriente de pulsación ω y amplitud I g y pretendemos obtener la
respuesta de tensión V en función de la pulsación. Los elementos del circuito se
consideran ideales:
Z (ω )
Vsal
Figura 1.1-1: CIRCUITO RESONANTE PARALELO
Nos planteamos la impedancia de entrada, como inversa de la admitancia.
1
Z (ω ) =
Y (ω )
1 1
Y (ω ) = + + jωC
R jω L
1 [1.1-1]
Z (ω ) =
1 1
+ + jωC
R jω L
R
Z (ω ) =
1
1 + jR(ωC − )
ωL
Existirá una pulsación para la cual la impedancia es resistiva pura, a la que llamamos
pulsación de resonancia del circuito tanque y la designamos como ω0.
Esa pulsación viene dada por la anulación del paréntesis del denominador:
1 1 1
ω0 C = → ω02 = → ω0 = [1.1-2]
ω0 L LC LC
Teniendo en cuenta la relación de arriba, podemos expresar la impedancia como:
R
Z (ω ) = [1.1-3]
ω ω0
1 + jω 0 RC ( − )
ω0 ω
Si definimos el factor de mérito del circuito como:
Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 1 DE 46

R
Q = ω 0 RC = [1.1-4]
ω0 L
podemos expresar la impedancia como:
R
Z (ω ) = [1.1-5]
ω ω0
1 + jQ ( − )
ω0 ω
Es conveniente normalizar esta expresión para independizarnos del valor de la resistencia

R, y tener la impedancia en función de la frecuencia, para distintos valores del Q.
Z (ω ) 1
= [1.1-6]
R ω ω0
1 + jQ( − )
ω0 ω
Esta relación es en términos generales un valor complejo, salvo para la frecuencia de

resonancia que es real, y la podemos representar como una respuesta de amplitud y otra
de fase:
Z (ω ) 1
=
R ω ω
1 + Q 2 ( − 0 )2
ω0 ω
[1.1-7]
ω0 ω
φ (ω ) = arctg (Q( − ))
ω ω0
Z (ω ) 1
R 0.8
0.6
Q
0.4
0.2
ω
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
ω0
φ (ω ) 2
1.2
0.4
Q
0.4
1.2
ω
2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
ω0

De los gráficos anteriores se infiere que a mayor Q el circuito es más selectivo.
Una medida de la selectividad la podemos obtener definiendo lo que denominamos
ancho de banda del circuito a -3dB que determinan las frecuencias a las cuales la
potencia a la salida cae 3 dB con respecto a la correspondiente a la frecuencia de
resonancia. En otros términos, cuando la amplitud de la salida cae a 0.707 de la que
corresponde a resonancia.
De la expresión de la impedancia, tenemos que esas frecuencias deben cumplir las
relaciones:
ω ω0 1
( − )=± [1.1-8]
ω0 ω Q
A partir de donde se obtiene el par de ecuaciones de segundo grado que siguen:
ω0
ω2 ± ω − ω02 = 0 [1.1-9]
Q
Las soluciones de ambas ecuaciones, descartando las soluciones negativas, son;
ω0 ω0
ω2 = − + ( )2 + ω02
2Q 2Q
[1.1-10]
ω0 ω0 2 2
ω1 = + ( ) + ω0
2Q 2Q
Siendo éstas las dos pulsaciones que satisfacen la definición, el ancho de banda será la
diferencia de ambas:
ω0
2π BW = ω1 − ω2 = [1.1-11]
Q
El ancho de banda expresado en unidades de frecuencia es:
ω1 − ω2 ω0 1 f 0
BW = = = [1.1-12]
2π 2π Q Q
El defasaje para las frecuencias ω1 y ω2 es:

  ω0 ω1   π
φ (ω1 ) = arctg  Q  −   = arctg (1) = [1.1-13]
  ω1 ω0   4
Vale decir que a las frecuencias en que la amplitud de la salida cae 3 dB, el defasaje
entre la corriente y la tensión es de 45º.
Las frecuencias ω1 y ω2 no se hallan ubicadas simétricamente con respecto a la

frecuencia de resonancia, o sea que la curva de respuesta no es simétrica con respecto a
la frecuencia de resonancia.
En efecto, el valor medio de las frecuencias ω1 y ω2 es :

ω1 + ω2 ω0 1
= ( ) 2 + ω0 2 = ω0 + 1 > ω0 [1.1-14]
2 2Q 4Q 2
La frecuencia de resonancia es la media geométrica de las frecuencias ω1 y ω2 . En

efecto:
 ω0 ω0   ω ω 
ω1 × ω2 =  + ( ) 2 + ω0 2  ×  − 0 + ( 0 ) 2 + ω0 2  [1.1-15]
 2Q 2Q   2Q 2Q 
2 2
ω  ω 
ω1 × ω2 =  0  + ω0 2 −  0  = ω02 [1.1-16]
 2Q   2Q 
ω0 = ω1ω2 [1.1-17]
Si el factor de mérito Q > 5 , puede hacerse la aproximación:
1.1.1.- Aproximación de banda angosta:

Si lo que interesa es analizar la impedancia del circuito en el entorno de la frecuencia de
resonancia, podemos obtener una expresión de la impedancia en función de los
desplazamientos de frecuencia con respecto a la de resonancia.
Si en la expresión de la impedancia:
R
Z (ω ) = [1.1-18]
ω ω
1 + jQ ( − 0 )
ω0 ω
definimos: ∆ω = ω − ω0 → ω = ω0 + ∆ω [1.1-19]
Reemplazando en la anterior:
R R
Z (∆ω ) = = [1.1-20]
ω0 + ∆ω ω0 (
2
ω0 + ∆ω ) − ω0 2
1 + jQ ( − ) 1 + jQ
ω0 ω0 + ∆ω ω0 (ω0 + ∆ω )
R
Z (∆ω ) = [1.1-21]
ω 2 + 2∆ωω0 + ∆ω 2 − ω0 2
1 + jQ 0
ω0 2 + ∆ωω0
Para valores de la frecuencia próximos a la resonancia:
∆ω << ω0
la expresión nos queda:

R
Z ( ∆ω ) = [1.1-22]
2∆ωω0
1 + jQ
ω0 2
R
Z ( ∆ω ) = [1.1-23]
∆ω
1 + jQ 2
ω0
Esta característica sí es simétrica con respecto a la frecuencia de resonancia.
Pude demostrarse (ver Apéndice) que para valores de Q moderados (Q>5) el error que
se comete con esta aproximación viene dado aproximadamente por:
α3 ∆ω ∆ω
ε≈ donde α = 2Q ≈ [1.1-24]
(
4Q 1 + α 2
) ω0 ω1 − ω0
De acuerdo a esta expresión, para los desplazamientos de frecuencia dentro del ancho de
1
banda ( α ≤ 1 ), el error es : ε≤
8Q
Para valores de Q ≥ 5 , nos da un error inferior al 2.5%.
En la figura que sigue se han representado las curvas de selectividad exacta y la

aproximación de banda angosta para un Q=5. Se observa que la aproximación es lo
suficientemente correcta para los valores de frecuencia dentro del ancho de banda.
Z. Ancho de banda
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
aproximada exacta
0.4
0.3
0.2
0.1
ω
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2 ω0
.

1.1.2.- Corriente por los elementos reactivos:
Si bien en resonancia el circuito se comporta como una resistencia, por la que circula la
corriente del generador, por los elementos reactivos hay circulación de corriente. Dado
que las corrientes por la inductancia y por el capacitor están defasadas 180º, el efecto
neto es nulo. Sin embargo la amplitud las corrientes por dichos elementos e significativa.
Tomemos por ejemplo la corriente por el inductor, que será:
V (ω0 ) R
I L (ω0 ) = = Ig = Q.I g [1.1-25]
ω0 L ω0 L
Es decir que en resonancia la corriente por los elementos reactivos es Q veces la

corriente por la resistencia.
1.1.3.- Efecto de carga resistiva en la selectividad del circuito:

Si el circuito tanque es cargado por una resistencia RL , el factor de mérito se modifica.
Llamaremos Qc1 al factor de mérito del circuito original y Qc2 al factor de mérito luego
de incluir la carga por una resistencia RL .
El nuevo factor de mérito viene dado por:
R RL
Qc2 = [1.1-26]
ω0 L
1 ω L ω L 1 ω0 L
= 0 + 0 = + [1.1-27]
Qc2 R R Qc1 R
También se cumplen las relaciones:
Qc2 R RL Vsal2 RL 1
= = = = [1.1-28]
Qc1 RL Vsal1 RL + R 1 + RL
El nuevo Qc2 es menor que el factor de mérito original, por lo que se desprende que al
cargar el circuito con una resistencia, el factor de mérito disminuye y en consecuencia
disminuye también la selectividad y aumenta el ancho de banda.
En particular, si excitamos el circuito tanque con un generador de tensión en serie con

una resistencia Rs , tal como haríamos para efectuar mediciones en el laboratorio,
debemos tener presente que el estamos cargando al circuito tanque y en consecuencia
modificando la selectividad del mismo.
En la figura tenemos el circuito excitado en tales condiciones y a la derecha el circuito
equivalente, donde se ha aplicado Norton a la izquierda de la línea de trazos.

Resulta claro que el Qc del circuito total se ve reducido por el efecto de la resistencia Rs
en serie con el generador excitador.
1.1.4.- Circuito resonante excitado por señales periódicas:
Si el circuito es excitado por una señal periódica no sinusoidal, de frecuencia fundamental

próxima a la de resonancia del mismo, tendremos como respuesta en la tensión sobre el
tanque una señal prácticamente sinusoidal, en la medida que el Qc del circuito sea lo
suficientemente alto.
No obstante, la forma de onda de salida no es estrictamente sinusoidal, presentando
cierta distorsión que nos proponemos cuantificar.
Si la excitación es periódica admitirá un desarrollo en serie de Fourier, y podrá

expresarse como una sumatoria de componentes de frecuencias múltiplos (armónicas) de
la frecuencia de la señal (fundamental).
i (t ) = I 0 + ∑ n =1 I n cos( nωt )
∞
[1.1-29]
Hemos llamado ω a la frecuencia fundamental de la excitación (que no coincide

necesariamente con la de resonancia del tanque).
Si nos planteamos obtener la respuesta de la tensión v (t ) para este tipo de excitación,

deberemos tener en cuenta que el circuito se comporta en forma distinta para cada una
de las componentes, pero dado que se trata de un circuito lineal, podemos aplicar el
principio de superposición y obtener la salida como sumatoria de las salidas que
obtendríamos si cada una de las componentes actuara en forma independiente.
Expresado matemáticamente:
v(t ) = ∑ n=1Vn cos(nωt + φn )

∞
[1.1-30]
Siendo:
R
Vn = I n Z (nω ) = I n
2
 1 
1 + Q 2  nδ − 
 nδ  [1.1-31]
  1 
φn = arctg  Q  − nδ  
  nδ 
ω
donde δ= [1.1-32]
ω0
Téngase presente que a la salida no existe componente continua pues la inductancia

(ideal) es un corto circuito a dicha componente.
Las últimas ecuaciones nos permiten obtener la señal de salida conociendo los
parámetros del circuito y las componentes del generador excitador.

1.1.5.- Distorsión armónica total:
Para evaluar la distorsión de la forma de onda de salida, utilizamos el parámetro
distorsión armónica total THD que se define como:
1 ∞ ∞
Vn 2 1 ∞
THD % = 100
V12
∑ Vn 2 = 100 ∑V 2 = 100
V1
∑ Vn 2 [1.1-33]
n=2 n=2 1 n =2
Conceptualmente, la THD relaciona la potencia (o valor eficaz) de las armónicas a partir
de la segunda, que determinan la distorsión, con la potencia de la componente
fundamental.
En el caso que nos ocupa, remplazando las expresiones
2
∞
Vn 2 ∞ I n2 Z n
THD % = 100 ∑ 2
= 100 ∑ 2 2
[1.1-34]
n = 2 V1 n=2 I1 Z1
R2
2 2
 1   1
∞  1 + Qc 2  nδ −
2  2 1 + Qc 2  δ − 
I   nδ  ∞ 
I   δ
THD % = 100 ∑  n  = 100 ∑  In  [1.1-35]
n = 2  I1  R2 n =2  1   1 
2
2 1 + Qc 2  nδ − 
 1  nδ 
1 + Qc 2  δ − 
 δ
Esta es una expresión general, que contempla el caso en que la frecuencia de excitación
no coincida exactamente con la frecuencia de resonancia del tanque ( δ ≠ 1 ). Sin embargo
en las aplicaciones se procura que la frecuencia de resonancia del tanque sea lo más
aproximada a la frecuencia de fundamental de la excitación.
Bajo estas suposición ( δ 1 ), las expresiones anteriores se pueden escribir:
2
∞ I  1
THD % 100 ∑  In  2
[1.1-36]
n=2  1  2 1
1 + Qc  n − 
 n
Si además el Qc es relativamente alto ( Qc > 5 ), se puede despreciar el 1 en el

denominador dentro de la raíz. Nos queda:
2
100 ∞ I  n2
THD % ∑  In  2 [1.1-37]
Qc n =2  1  ( n2 − 1 )
Como era de esperarse, la distorsión armónica total disminuye al aumentar el Qc . La
fórmula anterior nos expresa más precisamente que dicha distorsión es inversamente
proporcional al factor de mérito.
Además la THD depende del contenido armónico de la excitación, puesto de manifiesto
In
por la sumatoria de las relaciones .
I1

Para calcular la distorsión debemos por lo tanto conocer las amplitudes de las
componentes armónicas de la corriente de excitación.
Analizaremos dos casos particulares, que interesan en los circuitos estudiados en la
asignatura. Nos referimos a los casos en que la forma de onda de la corriente de
excitación es:
• Tren de pulsos de muy corta duración.

• Onda cuadrada.
• THD para excitaciones de tren de pulsos de corta duración:

Cuando la excitación está constituida por un tren de pulsos donde la duración es mucho
menor que el periodo de la fundamental, independientemente de la forma exacta de la
forma de onda, podemos suponer que se trata de un tren de pulsos de delta de Dirac.
El desarrollo en serie de Fourier de tal señal es:
∞
i (t ) = I0 + 2I0 ∑ cos(nωt ) [1.1-38]
n =1
Todas las componentes alternas son de amplitud igual al doble de la componente. La THD
es entonces:
∞
100 n2 94
THD % ∑ 2 [1.1-39]
Qc n=2 ( 2
n −1 ) Qc
1000 2
100 ∑ n
= 94.02
=2 n − 1
n ( 2 )2
El valor anterior puede obtenerse utilizando Mathcad, tal como se indica a continuación.
• THD para excitaciones de onda cuadrada:

El desarrollo en serie de Fourier de una onda cuadrada de amplitud pico a pico igual a
I pp viene dado por:
 nπ 
∞ sen  
i (t ) = I pp ∑  2  [1.1-40]
n =1  nπ 
 
 2 
Las amplitudes de cada una de las componentes armónicas es:
 nπ   nπ   nπ   nπ 
sen   sen   sen   sen  
I n = I pp  2  = 2I  2  ⇒
In
=π  2 =  2  [1.1-41]
pp
 nπ  nπ I1 nπ n
 
 2 

Y la distorsión armónica deviene:
∞ 2
100   nπ  1 13.5
THD% ∑  sen  2 
 2 [1.1-42]
Qc n=2 ( n −12
) Qc
Nuevamente calculamos el numerador de la expresión anterior mediante el cálculo en

Mathcad, tal como sigue:
1000 2
 sin  n ⋅ π   ⋅ 1
100 ∑  
 

2 
= 13.46
n =2 ( 2
n −1) 2
1.1.6.- Circuito sintonizado a una armónica de la fundamental:

Teniendo en cuenta que una excitación poliarmónica contiene numerosas armónicas de la
fundamental, se plantea la posibilidad de extraer una de las componentes, mediante un
circuito tanque sintonizado a una de tales armónicas.
Vamos a considerar que la frecuencia de sintonía del tanque es muy aproximadamente
igual a la armónica m-ésima de la excitación, y llamamos ω1 a la frecuencia
fundamental.
El tanque estará entonces sintonizado a mω1 .
La distorsión armónica total THD % vendrá dada:
2
I ∞
1
THD % = 100 ∑  n  2
[1.1-43]
n =1  I m  2
n m
n≠ m 1 + Qc  − 
m n 
Que también podemos escribir como:
2
I ∞
1
THD % = 100 ∑  n  2
−1 [1.1-44]
n =1  I m  2
n m
1 + Qc  − 
m n 
Evidentemente, la distorsión dependerá del factor de multiplicación m de que se trate.

Las exigencias de selectividad son mucho mayores que en el caso de sintonizar a
fundamental, y aumentará con el factor de multiplicación m .
Considerando los dos casos de excitación particulares que hemos analizado

anteriormente, la distorsión resulta:

• Excitación con tren de pulsos:
∞
1
THD % = 100 ∑ 2
−1 [1.1-45]
n =1 2 n m
1 + Qc  − 
 m n
.
THD%
50
45
40
35
m = 1..5
30
25
20
m
15
10
Qc
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

• Excitación con onda cuadrada:
 nπ 
sen 
∞ 
THD% = 100 ∑
m  2  1
−1 (para m impar) [1.1-46]
n =1 n sen  π 
m 2
2 n m
  1 + Qc  − 
 2  m n 
. THD %
35
31.5
28
24.5
m = 1, 3, 5,7
21
17.5
m
14
10.5
3.5
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 Qc

Ejemplo #1:
Un circuito resonante se halla sintonizado a una frecuencia de 10 MHz, y está excitado
por un tren de pulsos de corta duración de la misma frecuencia de sintonía.
Se requiere que a la salida la amplitud de la segunda armónica esté atenuada 30 dB con
respecto a la amplitud de la fundamental.
o Calcular los valores de la inductancia y el capacitor, si la resistencia de carga es de

1K.
o Cuál es el Qc del circuito.
o Cuál es el ancho de banda.
o Estimar la THD% a la salida.
Teniendo en cuenta que por tratarse de un tren de pulsos de corta duración podemos
asemejar el espectro al de una Delta de Dirac, todas las componentes armónicas tendrán
igual amplitud, la relación de amplitudes a la salida de una armónica n-ésima con
respecto a la fundamental vendrá dada por:
Vsaln Zn n
= =
Vsal1 Z1 Q n 2 − 1 ( )
Llamando AT a la atenuación expresada en dB, se deberá cumplir que:
Vsaln
20 × log = − AT
Vsal1
n n
20 × log = 20 × log − 20 × log (Q ) = − AT
(
Q n −1 2
) (n 2
−1 )
AT n
log (Q ) = +log 2
20 n −1 ( )
Para:
n=2
AT = 30
30 2
log (Q ) = +log 2 = 1.324 → Q = 101.324 = 21.08
20 2 −1 ( )
El valor de la inductancia lo calculamos a partir del valor de Q:
RL RL 10 3
2π f0 L = → 2π f0 L = = = 755 × 10 −9 = 755nH
Q 2π f0Q 2π 107 21.08
El capacitor deberá resonar a 10MHz con la inductancia anterior, por lo tanto:

1 1 1
( 2π f0 )2 = → C= 2
→ C=
7 2
LC ( 2π f0 ) L ( 2π 10 ) 755 × 10 −9
C = 335.5 × 10 −12 = 335.5 pF
El ancho de banda (en MHz) será:
f0 107
BW = = = 474KHz
Q 21.08
La distorsión armónica total THD% será:
94
THD % < ≈ 4.46%
Q
Ejemplo #2:
Suponiendo que la componente continua del tren de pulsos es de 5 mA:
o Calcular la potencia en dBm entregada a la carga a la frecuencia fundamental.

o Cuál es la amplitud pico de la fundamental (en Volts)
La amplitud de la primera armónica de corriente será igual al doble de la componente

continua, por lo tanto:
I g1 = 2I g0 = 2 × 5mA = 10mA
La amplitud de la tensión a la fundamental será:
Vsal1 = I g1 RL = 10 −2 × 10 3 = 10Volts
La potencia será de:
Vsal1 2 10 2
Psal = = = 50 × 10 −3 = 50mW
2RL 2 × 10 3
Para expresarla en dBm, aplicamos la fórmula que sigue:
Psal [ dBm ] = 10 × log ( Psal [ mW ])
Psal [ dBm ] = 10 × log ( 50 ) ≈ 17dBm

TABLA DE CONVERSION DE POTENCIA (dBm mW)
RL
(
Psal dBm  = 10 × log Psal mW  ) Vsal @ RL  = ×V @ 50Ω 
50 sal 
POWER CONVERSION TABLE
System: 50 Ω
dBm mW dBmV mV(RMS) mVp mVpp uV(RMS) dBuV
-130 1,00E-13 -83,01 7,07E-05 1,00E-04 2,00E-04 7,07E-02 -23,01
-100 1,00E-10 -53,01 2,24E-03 3,16E-03 6,32E-03 2,24E+00 6,99
-50 1,00E-05 -3,01 7,07E-01 1,00E+00 2,00E+00 7,07E+02 56,99
-45 3,16E-05 1,99 1,26 1,78 3,56 1,26E+03 61,99
-40 1,00E-04 6,99 2,24 3,16 6,32 2,24E+03 66,99
-35 3,16E-04 11,99 3,98 5,62 11,25 3,98E+03 71,99
-30 1,00E-03 16,99 7,07 10,00 20,00 7,07E+03 76,99
-25 3,16E-03 21,99 12,57 17,78 35,57 1,26E+04 81,99
-20 0,01 26,99 22,36 31,62 63,25 2,24E+04 86,99
-15 0,03 31,99 39,76 56,23 112,47 3,98E+04 91,99
-10 0,10 36,99 70,71 100,00 200,00 7,07E+04 96,99
-5 0,32 41,99 125,74 177,83 355,66 1,26E+05 101,99
0 1,00 46,99 223,61 316,23 632,46 2,24E+05 106,99
1 1,26 47,99 250,89 354,81 709,63 2,51E+05 107,99
2 1,58 48,99 281,50 398,11 796,21 2,82E+05 108,99
3 2,00 49,99 315,85 446,68 893,37 3,16E+05 109,99
4 2,51 50,99 354,39 501,19 1002,37 3,54E+05 110,99
5 3,16 51,99 397,64 562,34 1124,68 3,98E+05 111,99
6 3,98 52,99 446,15 630,96 1261,91 4,46E+05 112,99
7 5,01 53,99 500,59 707,95 1415,89 5,01E+05 113,99
8 6,31 54,99 561,67 794,33 1588,66 5,62E+05 114,99
9 7,94 55,99 630,21 891,25 1782,50 6,30E+05 115,99
10 10,00 56,99 707,11 1000,00 2000,00 7,07E+05 116,99
11 12,59 57,99 793,39 1122,02 2244,04 7,93E+05 117,99
12 15,85 58,99 890,19 1258,93 2517,85 8,90E+05 118,99
13 19,95 59,99 998,81 1412,54 2825,08 9,99E+05 119,99
14 25,12 60,99 1120,69 1584,89 3169,79 1,12E+06 120,99
15 31,62 61,99 1257,43 1778,28 3556,56 1,26E+06 121,99
16 39,81 62,99 1410,86 1995,26 3990,52 1,41E+06 122,99
17 50,12 63,99 1583,01 2238,72 4477,44 1,58E+06 123,99
18 63,10 64,99 1776,17 2511,89 5023,77 1,78E+06 124,99
19 79,43 65,99 1992,90 2818,38 5636,77 1,99E+06 125,99
20 100,00 66,99 2236,07 3162,28 6324,56 2,24E+06 126,99
21 125,89 67,99 2508,91 3548,13 7096,27 2,51E+06 127,99
22 158,49 68,99 2815,04 3981,07 7962,14 2,82E+06 128,99
23 199,53 69,99 3158,53 4466,84 8933,67 3,16E+06 129,99
24 251,19 70,99 3543,93 5011,87 10023,74 3,54E+06 130,99
25 316,23 71,99 3976,35 5623,41 11246,83 3,98E+06 131,99
26 398,11 72,99 4461,54 6309,57 12619,15 4,46E+06 132,99
27 501,19 73,99 5005,93 7079,46 14158,92 5,01E+06 133,99
28 630,96 74,99 5616,75 7943,28 15886,56 5,62E+06 134,99
29 794,33 75,99 6302,10 8912,51 17825,02 6,30E+06 135,99
30 1000,00 76,99 7071,07 10000,00 20000,00 7,07E+06 136,99

Transferencia de un circuito resonante paralelo:
La transferencia de un circuito resonante paralelo la podemos escribir:
1 sL
Z ( s) = =
1 1 sL 2
+ sC + + s LC + 1
R sL R
Llamando:
1
ω0 2 =
LC
R
Q=
ω0 L
R s R s
Z ( s) = =
ω0Q s 2 1 + s + 1 ω0Q s 2 + sω0 + ω 2
0
ω0 2 ω0Q Q
Esta es la típica transferencia de un sistema de segundo orden, que suele escribirse

como:
R s
Z ( s) =
ω0Q s 2 + 2ξω0 s + ω0 2
1
En nuestro caso ξ =
2Q
Es sabido que la respuesta al impulso de un sistema es la anti transformada de Laplace

de su función transferencia. En nuestro caso la respuesta a un impulso (Delta de Dirac)
de corriente que excita a este circuito resonante, vendrá dada por:
R -1  s 
h(t ) = L -1 ( Z ( s ) ) = L  2 2
ω0Q  s + 2ξ s + ω0 
R −ζω0t  ζ 
h(t ) =
ω0Q
e  cos

( )
1-ζ 2 ω0 t −
1-ζ 2
sen ( )
1-ζ 2 ω0 t 

La frecuencia de las oscilaciones es:
ω* = 1-ζ 2 ω0
El período de las mismas es en consecuencia:
2π 2π 1 T0
T* = *
= =
ω ω0 1−ζ 2
1−ζ 2

T*
V1
V2
Si llamamos V1 y V2 a los valores de amplitud de dos máximos consecutivos, y siendo

t1 el tiempo para el cual se produce el primer máximo considerado, se verifica que:
*
V1 = Ae −ζω0t0 y V2 = Ae −ζω0 ( t0 +T )
El cociente será:
V1 Ae −ζ t0 *
= *
= eζ T
V2 Ae −ζ ( t0 +T )
1 V  T0
T* = ln  1  =
ζω0  V2  1−ζ 2
Despejando ζ , nos quedará:
2 2
  V1   (T0ω0 ) ζ 2
  
ln =
  V2   1−ζ 2
2 2
  V1   2   V1   2 2
 ln    − ζ  ln    = ( 2π ) ζ
V
  2  V
  2 
  V   2    V  2
ζ  ln    + 4π  =  ln  1  
2 1 2
  V2      V2  
 

V 
ln  1 
ζ =  V2 
2
  V 
4π 2 +  ln  1  
  V2  

Transformación serie-paralelo:
Dada una reactancia en serie con una resistencia, queremos determinar el circuito
equivalente paralelo, que a una dada frecuencia presenta la misma impedancia que el
circuito serie.
Vale decir que debe cumplirse que, a la frecuencia en cuestión:
ZS ( ω ) = ZP( ω )
XP
ZS ( ω ) ZP( ω )
XS
jRP X P ( ω ) jR X ( ω ) ( RP − jX P ( ω ))
Z S ( ω ) = RS + jX S ( ω ) ZP( ω ) = = P P 2
RP + jX P ( ω ) R P + X P2 ( ω )
1
ZP( ω ) =
R P + X P2 ( ω )
2 (
RP X P2 ( ω ) + jR P2 X P ( ω ) )
Aplicando la condición de equivalencia, resulta:
1
RS + jX S ( ω ) =
R P + X P2 ( ω )
2 (
RP X P2 ( ω ) + jR 2P X P ( ω ) )
RP X P2 ( ω ) 1 1
RS = = RP RS = RP
R P2 + X P2 ( ω ) RP 2
QM 2 + 1
+1
X P2 ( ω )
R P2 X P2 ( ω ) X P( ω ) X P( ω )
XS(ω ) = = X S ( ω0 ) =
2
RP + X P2 ( ω ) X 2(ω ) 1
1+ P 2 1+ 2
RP QM
Donde hemos llamado QM :
RP X (ω )
QM = = S
X P( ω ) RS

El valor de Q M también es función de la frecuencia y lo calculamos a la frecuencia en que
se quiere hacer la transformación.
Resumiendo, las formulas a emplear para las transformaciones paralelo a serie y

viceversa son:
TRANSFORMACION PARALELO A SERIE TRANSFORMACION SERIE A PARALELO
1
RS = RP
QM 2 + 1 (
RP = RS QM 2 + 1 )
X P ( ω0 )  1 
X S ( ω0 ) = X P ( ω0 ) = X S ( ω0 )  1 + 2 
1
1+ 2  QM 
QM
Es importante tener en cuenta que las transformaciones son exactas para una
determinada frecuencia exclusivamente.
Ejemplo:
Supongamos que precisamos diseñar un circuito que nos permita transformar la
impedancia de entrada de 50 ohms de un instrumento en una impedacia de 1000 ohms,
La frecuencia a la que queremos hacer la transformación es de 100 MHz.
En este caso RS = 50ohms y RP = 1000ohms

De la fórmula para la transformaciones, surge que:
RP RP 1000
= 1 + QM 2 → QM = −1 = − 1 = 19 4.36
RS RS 50
Debemos agregar en serie con la resistencia de carga, una reactancia:
X S = QM RS → X S = 4.36 × 50 = 218ohms
Decidimos que esa reactancia sea un capacitor, que deberá presentar esa reactancia a la
frecuencia de 100 MHz, por lo tanto el valor de la capacidad será:
1 1
CS = = 8
= 7.3 × 10 −12 = 7.3 pF
2π f × X S 2π 10 218
La reactancia equivalente paralelo será:
 1   1 
X P = X S 1 + 2
= 218  1 +  229.47ohms
 Q M   19 
Que corresponde a una capacidad:

1 1
CP = = 8
76.94 × 10 −12 = 6.94 pF
2π f × X P 2π 10 229.47
@ f = 100MHz
Además de la impedancia de entrada de 1000 ohms, tendremos una capacidad paralelo.

Si queremos que el circuito presente una resistencia pura a la frecuencia de
transformación, podemos cancelar la reactancia capacitiva con una inductancia de valor
igual al de la reactancia X P . El valor de la inductancia será:
Xp 229.47
LP = = = 365 × 10 −9 = 365nH
2π f 2π × 10 8
CIRCUITO DE ADAPTACION
CIRCUITO 1 CIRCUITO 2
El circuito quedará como el indicado en la figura como circuito 1.

Constituye una configuración simple de lo que se llama “circuito de adaptación”.
Para analizar el comportamiento del circuito a frecuencias distintas de 100 MHz, en la
figura que sigue se han reproducido las respuestas en frecuencias de ambos circuitos,
obtenidas por simulación en Mcap.
Si bien a la frecuencia de diseño, ambos circuitos presentan una impedancia resistiva de
1000 ohms, la impedancia de entrada del circuito de adaptación aumenta para
frecuencias inferiores a la de diseño. Por supesto a dichas frecuencias, la impedancia no
será más resistiva pura.

CIRCUITO 1
CIRCUITO 2

SALIDA TEMPORAL EN MULTIPLICADOR
EXCITACION CON TREN DE PULSOS
1
Z( n , m, Q) :=
1 + j⋅ Q⋅ 
n m
− 
m n 
MZ ( n , m, Q) := Z( n , m, Q)
Φ ( n , m, Q) := arg( Z( n , m, Q) )
50
v ( θ , m, Q) := ∑ MZ ( n , m, Q) ⋅ cos ( n ⋅ θ + Φ ( n , m, Q) )
n =1
m := 7
Q := 40
y ( θ ) := v ( θ , m, Q)
1.5
0.5
y( θ ) 0
0.5
1.5
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
θ

RESPUESTA AL IMPULSO DE UN CIRCUITO TANQUE
Q := 10
1
Z( s ) :=
1 + Q⋅  s +
1

 s
⋅ exp ⋅ t  ⋅ cos  ⋅ 399⋅ t  − ⋅ exp ⋅ t  ⋅ 399⋅ sin  ⋅ 399⋅ t 

1 −1 1 1 −1 1
v ( t) := Z( s ) invlaplace , s →
10  20   20  3990  20   20 
−t
1 2Q
y ( t) := ⋅e
Q
0.1
0.05
v( t)
0
y( t)
0.05
0.1
0 20 40 60 80 100
t
.


1.2.- Circuito resonante paralelo con inductor con pérdidas:
Hasta ahora hemos visto el circuito resonante paralelo con elementos ideales. En los
circuitos prácticos los elementos reactivos, inductancias y capacitores, tienen pérdidas
que se manifiestan como resistencias asociadas en serie. Si bien las resistencias
asociadas a los capacitores pueden despreciarse, no ocurre lo mismo con la resistencia
serie que presentan los inductores.
Vale decir que un circuito resonante paralelo con elementos reales, se aproxima más a
un circuito como el de la figura, donde el inductor tiene una resistencia serie que
denominamos r .
Aplicando la transformación serie-paralelo a la rama del inductor en serie con la

resistencia, se puede transformar en el circuito de la derecha..
Los valores de Leq y Req son dependientes de la frecuencia a la que se efectúe la
transformación y vienen dados por:
  r 2    ω L 2 
Leq = L  1 +   Req = r  1 +   [1.2-1]
  ω L     r  
   
Dado que Leq es siempre mayor que L , la frecuencia de resonancia del circuito será
inferior a la de la resonancia con elementos ideales. El nuevo valor de la frecuencia de
resonancia, que llamaremos ω0* , se calcula:
1 1
ω0*2 = = [1.2-2]
Leq C   r 2 
LC  1 +  *  
  ω0 L  
 
2
 r  1 r2
ω0*2 + ω0*2 
 *  
= ω0*2 + ω0*2 = ω0 2
 ω0 L  LC ω0*2 L2
 r2 
ω 0* 2 = ω0 2
 1 − 2 2  [1.2-3]
 ω0 L 
Llamando Q0 al factor de mérito de la inductancia, a la frecuencia de resonancia del
circuito paralelo ideal, nos queda:

ω0 L  1 
Q0 = ω0*2 = ω0 2  1 −  [1.2-4]
r  Q02 
Dado que el Q0 del inductor es un valor alto, la frecuencia de resonancia del circuito real
es ligeramente inferior al del circuito ideal, pero a los efectos prácticos puede suponerse
que es la misma.
Para un Q0 = 10 que es sumamente bajo, tenemos:
ω0* = ω0 1 − 0.01 = 0.995ω0
De esta forma la inductancia equivalente Leq resulta ser prácticamente igual a la

inductancia L , puesto que:
 1 
Leq = L  1 + 2  ≈ L [1.2-5]
 Q0
 
En cuanto a la resistencia equivalente a la frecuencia de resonancia, la llamaremos Rt y
vendrá dada por:
(
Rt = r 1 + Q02 ) [1.2-6]
Para valores próximos a la frecuencia de resonancia, el circuito se comporta como el de

la figura:
Cabe la pregunta de si este circuito puede utilizarse como equivalente, para cualquier
frecuencia. Para aclarar esta duda, estudiaremos la respuesta en frecuencia del circuito
real y la compararemos con la de este último. Para ello tengamos presente que de
acuerdo a la transformación serie paralelo la Leq y la Req son funciones de la frecuencia y
la impedancia a cualquier frecuencia será:
Req (ω )
Z (ω ) = [1.2-7]
 1 
1 + jReq (ω )  ωC − 
 ω Leq (ω ) 

  ω L 2    ω 2  ω L  2    ω 2 
Req (ω ) = r  1 +    = r  1 +   
0
  = r  1 +   Q0 2  [1.2-8]
    ω0   r     ω0  
  r      

  r 2    ω 2  r  2    ω 2  1 2 
Leq (ω ) = L  1 +   = L1 +   
0
  = L 1 +   
0
  [1.2-9]
  ω L     ω   ω L     ω   Q0  
   0   
Para simplificar las expresiones, llamaremos:
ω  1  1  
2
δ=
ω0
( 2
Req (δ ) = r 1 + δ Q0 2
) Leq (ω ) = L  1 + 2 
 δ  Q0  
  [1.2-10]
 
La impedancia resulta:

EXCITACIÓN DE UN CIRCUITO TANQUE POR SEÑALES MODULADAS EN AMPLITUD:
Queremos analizar la respuesta de un circuito tanque cuando es excitado por una señal
modulada en amplitud.
La expresión general de una señal modulada en amplitud es:
ig (t ) = a (t ) × cos (ωot )
donde a (t ) es la señal modulante.

Vamos a considerar el caso particular en que la señal modulante es una senoidal
ig (t ) = Ig 0 × (1 + m × cos (ωmt ) ) × cos (ωot )

ig (t ) = Ig 0 × cos ( ωot ) + m × Ig 0 × cos (ωmt ) × cos (ωot )
Como
1
cos (ωmt ) × cos ( ωot ) =  cos ( (ω0 + ωm ) t ) + cos ( (ω0 − ωm ) t ) 
2 
m
ig (t ) = Ig 0 × cos (ωot ) + × Ig0 ×  cos ( (ω0 + ωm ) t ) + cos ( (ω0 − ωm ) t ) 
2
El espectro está compuesto por tres componentes, una portadora y dos bandas laterales.
La frecuencia de la portadora es aproximadamente igual a la de sintonía del tanque y las de
las bandas laterales son de frecuencia (ω0 + ωm ) y (ω0 − ωm ) respectivamente.
Como el circuito es lineal, vale el principio de superposición y la tensión a la salida estará
compuesta por la suma de tres componente de tensión de las mismas frecuencias de la
entrada.
Cada una de esas componentes es el resultado de la excitación del tanque por la respectiva
componente de corriente. Dada la selectividad del circuito tanque, la impedancia que
presenta dependerá de la frecuencia.
Utilizaremos para el tanque, la aproximación de banda angosta, bajo el supuesto que el Qc
del circuito es alto y que las componentes de la corriente están próximas a la frecuencia de
resonancia.
vsal (t ) = Vsal0 cos(ω0t ) + Vsal1 × cos((ω0 + ωm )t + φ1 ) + Vsal2 × cos((ω0 − ωm )t + φ2 )

R
Z (∆ω ) =
2
2 ∆ω 
1 + Qc  2 
 ω0 
R
Z (ω ) = →
∆ω
1 + jQc 2
ω0
 2 ∆ω 
φ (∆ω ) = −arctg  Qc 
 ω0 
Las componentes de la tensión de salida son:
Vsal0 = Ig 0 × R
m R m* m*
Vsal1 = Vsal2 = Ig 0 = Ig 0 × R = Vsal0
2 2 2 2
2  2ωm

1 + Qc  
 ω0 
donde:
m
m* =
2
2  2ωm

1 + Qc  
 ω0 
Los defasajes φ1 y φ2 serán:
 ωm 
φ2 = −φ1 = arctg  Qc 2 
 ω0 
La tensión de salida se puede expresar:
m*
vsal (t ) = Vsal0 cos(ω0t ) + [ cos((ω0 + ωm )t + φ1) + cos((ω0 − ωm )t − φ1)]
2
Teniendo en cuenta que:
1
[cos((ω0 + ωm )t + φ1 ) + cos((ω0 − ωm )t − φ1 )] = cos(ωmt − φ1) cos(ω0t )
2

Resulta:
 m* 
vsal (t ) = Vsal0 1 + cos(ωmt − φ1 )  cos (ω0t )
 2 
Esta expresión corresponde a una señal modulada en amplitud, donde el índice de

modulación es:
m
m* = y la envolvente se encuentra defasada un ángulo:
2
 2ω 
1 + Qc 2  m 
 ω0 
 ωm 
φ1 = − arctg  Qc 2 
 ω0 
Este resultado puede interpretarse como que la modulante se halla modificado de la misma
forma en que si hubiera pasado por un filtro pasa bajos de transferencia:
1 1 1
H PB (ω ) = = =
2ω ω ω
1 + jQc 1 + jQc 1 + jQc
ω0 ω0 ωco
2Qc
ω0 2Qc
donde ωco = y la constante de tiempo del filtro τ co =
2Qc ω0
En la figura siguiente hemos indicado el espectro de la señal excitadora, superpuesto a la

curva de respuesta de amplitud del circuito tanque

Si bien esto se dedujo para una modulante senoidal, se puede extender a cualquier forma de
onda que pueda desarrolarse como sumatoria de funciones senoidales.
Llagamos a la siguiente conclusión:
La envolvente de la tensión de salida es la que se obtendrá al hacer pasar la envolvente de

la entrada, por el filtro pasa-bajos que hemos definido anteriormente.
Podemos aplicarlo al caaso de una señal de tipo telegráfico /(modulación on-off).
Obteniéndose la forma de onda de la figura que sigue.

Divisor capacitivo y divisor inductivo:
Vamos a estudiar los circuitos equivalentes de los divisores capacitivos e inductivos, a los
que llamaremos genéricamente divisores reactivos. Sean los circuitos siguientes de
divisores capacitivos e inductivos. Ambos se encuentran cargados por una resistencia Rx ,
y genéricamente los representaremos como el circuito de la derecha, donde las
reactancias X A y X B son las rectancias de los respectivos capacitores e inductores.
Queremos calcular las componentes del circuito equivalente de la derecha, de forma que
el conjunto presente la misma impedancia de entrada del circuito anterior.
La admitancia vista desde la entrada del divisor es:
1 1 Rx + jX B
Y= = =
Z X B Rx jX A Rx − X A X B + jX B Rx
jX A + j
Rx + jX B Z
Rx + jX B
Y=
− X A X B + jRx ( X A + X B )
( Rx + jX B )( − X A X B − jRx ( X A + X B )
Y=
X A2 X B 2 + Rx 2 ( X A + X B )2
− Rx X A X B − jX A X B 2 − jRx 2 ( X A + X B ) + Rx X A X B + Rx X B 2
Y=
X A2 X B 2 + Rx 2 ( X A + X B )2
Queremos hallar la Rx* y la X eq del circuito equivalente, para lo cual nos planteamos:
Rx X B 2 − j( X A X B 2 + Rx 2 ( X A + X B )) 1 1
Y= 2 2 2 2
= *
+j
X A X B + Rx ( X A + X B ) Rx X eq
X A2 X B 2 + Rx 2 ( X A + X B )2  X 
2
X 2 
Rx* = = Rx   1 + A  + A2 
Rx X B 2  XB  Rx 
 

X A2 X B 2 + Rx 2 ( X A + X B )2
X eq =
X A X B 2 + Rx 2 ( X A + X B )
2
 X AXB  2
  + Rx
X + X
X eq = ( XA + XB )  A B 
X A X B2
+ Rx 2
XA + XB
Las expresiones recuadradas son la fórmulas exactas de los elementos del circuito
equivalente. Estas equivalencias son función de la frecuencia a la que se efectúa la
transformación. Sin embargo si se cumplen ciertas condiciones, esta equivalencia se
independiza de la frecuencia. En efecto si se verifica que:
2
 
X A2  X 
2
X A2  X 
<<  1 + A  ⇒ Rx 2 >> =  A 
Rx 2
 XB   XA 
2
 X A 
1 +  1+ X 
 XB   B 
2
 X AXB  2
Rx 2 >>   = ( X A XB )
X
 B + X A 
 X 
2
X 2 
Rx* = Rx   1 + A  + A2 
 XB  Rx 
 
Resulta que la expresión aproximada de la resistencia equivalente es:
2
 X 
Rx* ≈ Rx  1 + A 
 XB 
XA
Que ahora se independiza de la frecuencia puesto que el cociente no depende de la
XB
frecuencia a la que se lo calcule.
Si además se cumple que:
2
 X AXB  2
Rx 2 >>   = ( X A XB )
 XB + XA 
y
X A X B2 2 X 
Rx 2 >> = ( X A XB ) 1 + B 
XA + XB  XA 
La reactancia equivalente puede expresarse como:

2
 X AXB  2
  + Rx
X
 A + X B 
X eq = ( X A + X B )
X A X B2
+ Rx 2
XA + XB
X eq ≈ ( X A + X B )
Esta expresión también resulta independiente de la frecuencia, y podemos expresar la

equivalencia que sigue;
Ven
Vsal
En cuanto a la transferencia de tensión:
Vsal jX B Rx 1 jX B Rx
= =
Ven jX B + Rx jX B Rx − X A X B + jX A Rx + jX B Rx
jX A +
jX B + Rx
Vsal jX B Rx
=
Ven − X A X B + jRx ( X A + X B )
Vsal jX B Rx XB 1
= =
Ven − X A X B + jRx ( X A + X B ) X A + X B 1 + j 1 X AXB
Rx X A + X B
1 X AXB X AXB
<< 1 ⇒ Rx >>
Rx X A + X B XA + XB
Vsal XB 1
≈ =
Ven X A + X B 1 + X A
XB
Consideraciones de potencia:

Se deberá cumplir que:
Vsal 2 Ven 2 Vsal 2 Rx 1

= * ⇒ 2
= =
Rx Rx Ven Rx*  XA 
2
1 + 
 XB 
Vsal 1
=
Ven 1 + X A
XB
Resumen:
XA C
a = 1+ = 1+ B
XB CA
Rx* ≈ a 2 Rx
C AC B
Ceq ≈
C A + CB
Si
1  a 
Rx 2 >> 2 2 
ω ( C A + CB )  a − 1 
LA
a = 1+
LB
Rx* ≈ a 2 Rx
Leq ≈ LA + LB
Si:
2
 L L   a 
Rx 2 >> ω 2  A B   
 LA + LB   a − 1 

Ejemplo:
Una aplicación habitual de los divisores reactivos lo constituye la adaptación de
impedancias. Supongamos que debemos diseñar un circuito que cuando se lo cargue con
una dada impedancia, presente a la entrada una impedancia mayor.
Podemos para resolver esta situación, usar las características elevadores de impedancia
de los divisores reactivos, como por ejemplo en este caso el divisor capacitivo.
Si se cumplen las condiciones expuestas en la teoría, la resistencia RL* que se refleja

sobre el tanque viene dada por:
C2
RL* ≈ RL a 2 donde a = 1+
C1
Si queremos que la carga de 50 ohms se refleje sobre el tanque como una resistencia de
por ejemplo, 2500 ohms, debemos elegir el valor de a, de tal forma que:
RL* 2500 C2
a2 = = = 50 ⇒ a = 50 ⇒ = 50 − 1 ≈ 6.07
RL 50 C1
Si la frecuencia de trabajo es de 10 MHz deben elegirse los capacitores de forma tal de

que se cumpla la condición:
1 a
Rx 2 >> 2 2
donde ω0 = 2π 107
ω0 ( C1 + C2 ) a − 1
Si hacemos que >> signifique 10 veces, será:
10 a 10 6.07
( C1 + C2 ) > = 10 = 3480 pF
ω0 Rx a − 1 100π 107 5.07
C2 C1 + C2 C1 + C2 3480 pF
a = 1+ ⇒ a= ⇒ C1 = = = 573.8 pF
C1 C1 a 6.07
C2 = C1( a − 1 ) = 573.8 pF × 6.07 = 2910 pF
La capacidad equivalente es:

C1C2 573.8 × 2910
Ceq = = pF = 479 pF
C1 + C2 573.8 + 2910
Esta capacidad debe resonar con la inductancia, que en consecuencia es:
1 1
L= 2
= 2
H = 529nH
ω0 Ceq (
2π 107 ) 479 × 10 −12

Resonador piezoeléctrico - circuito equivalente:
Desde el punto de vista eléctrico un resonador piezoeléctrico se comporta como el
circuito equivalente de la figura.
Figura 1
Vamos a calcular la admitancia del modelo equivalente en función de la frecuencia de

excitación.
La admitancia será:
1
Y( ω ) = jω C0 +
 1 
Rs + j  ω Ls − 
 ω Cs 
 1 
Rs − j  ω Ls − 
 ω Cs 
Y( ω ) = jω C0 + 2
 1 
Rs 2 +  ω Ls − 
 ω Cs 
 1 
 − ω Ls 
Rs  ω C s 
Y( ω ) = jω C0 + 2
+j 2
 1   1 
Rs 2 +  ω Ls − 
2
Rs +  ω Ls − 
 ω Cs   ω Cs 
Teniendo en cuenta que para la frecuencia de resonancia, el circuito debe presentar una
admitancia resistiva pura, se debe cumplir:
I M (Y( ω )) = 0
Por lo que a la frecuencia de resonancia debe cumplirse que:
 1 
 − ω Ls 
ω C0 +  ω Cs  =0
2
2  1 
Rs +  ω Ls − 
 ω Cs 

Ls C0 1
ω 2 C0 Rs 2 + ω 4 Ls 2 C0 − 2ω 2 C0 + 2+ − ω 2 Ls = 0
Cs C s Cs
 Rs 2 1 1   1 1 
ω 4 + ω 2  2
− 2C0 −  +  2 2 +  = 0
 Ls Ls Cs Ls C0   Ls Cs Cs Ls 2 C0 
Multiplicando por ω :
Ls C0 1
ω 2 C0 Rs 2 + ω 4 Ls 2 C0 − 2ω 2 C0 + + − ω 2 Ls = 0
C s C s 2 Cs
ordenando de acuerdo a las potencias de ω :
Ls C0 1
ω 2 C0 Rs 2 + ω 4 Ls 2 C0 − 2ω 2 C0 + 2+ − ω 2 Ls = 0
Cs Cs Cs
 Ls  C 1 
ω 4 Ls 2 C0 + ω 2  C0 Rs 2 − 2C0 − Ls  +  02 +
 =0
 Cs   Cs Cs 
Dividiendo por: Ls 2 C0
 Rs 2 1 1   1 1 
ω 4 + ω 2  2
− 2C0 −  +  2 2 +  = 0
 Ls Ls Cs Ls C0   Ls Cs Cs Ls 2 C0 
Ecuación bicuadrada cuya solución es:
2
1 1 R2  1 1 R2  1 1
ω2 = + − s2± 
LC
+ − s2  − 2 2 −
Ls Cs 2Ls C0 2Ls  s s 2Ls C0 2Ls  Ls Cs Cs Ls 2 C0
Los valores así obtenidos son las frecuencias de resonancia del circuito. Simplificando la
expresión anterior, teniendo en cuenta que:
2
 1 1 R2  1 1 R4 1 R2 Rs 2
 + − s2  = 2 2 + 2 2
+ s4 + 2 − 3s −
 Ls Cs 2Ls C0 2Ls  Ls Cs 4Ls C0 4Ls Ls Cs C0 Ls Cs 2Ls 3C0
La expresión dentro de la raíz cuadrada nos queda:
1 1 Rs 4 1 Rs 2 Rs 2 1 1
2 2
+ 2 2
+ 4
+ 2
− 3
− 3
− 2 2
− 2
=
Ls Cs 4Ls C0 4Ls Ls Cs C0 Ls Cs 2Ls C0 Ls Cs Ls Cs C0
2
 1 R2  Rs 2
= − s2  − 3
 2L C
 s 0 2Ls  Ls Cs
Por lo que las frecuencias de resonancia vienen dadas por:

2
2 1 1 R2  1 R2  R2
ω res = + − s2 ±  − s 2  − 3s
Ls C0 2Ls C0 2Ls  2L C 
 s 0 2Ls  Ls Cs
Esta es la expresión exacta de las dos frecuencias de resonancia. No obstante, teniendo

en cuenta los valores usuales de los parámetros del circuito equivalente, pueden hacerse
algunas simplificaciones. En efecto, si se cumple que:
Rs 2 1
2
2Ls Ls C0
2
2 1 1  1  Rs 2
ω res + ±   − 3
Ls C0 2Ls C0  2Ls C0  Ls Cs
Si además se cumple:
2
Rs 2  1 
 
Ls 3Cs  2Ls C0 
La expresión aproximada de las frecuencias de resonancia son:
1 1 1
ω res 2 + ±
Ls C0 2Ls C0 2Ls C0
De forma tal las dos frecuencias de resonancia, nos quedan:
1 1 1 1 1
ω res1 2 + − = ⇒ ωs2 =
Ls Cs 2Ls C0 2Ls C0 Ls Cs Ls Cs
1 1 1 1 1 1  1 1 1 
ω res2 2 + + =  +  ⇒ ωa 2 =  + 
Ls Cs 2Ls C0 2Ls C0 Ls  Cs C0  Ls  Cs C0 
Que son las frecuencias de resonancia serie y paralelo respectivamente.

La frecuencia de resonancia serie es la frecuencia en que resuena la rama serie, en tanto
que la frecuencia de resonancia paralelo el la frecuencia de resonancia de Ls con la serie
de los capacitores Cs y C0 .
Ambas frecuencias, expresadas en ciclos por segundo son:
1 1 Cs
fs = fa = fs 1 +
2π Ls Cs C0
En un cristal piezoeléctrico, la capacidad de la rama serie es mucho menor que la

capacidad paralelo.

Cs
1
C0
Por lo que la frecuencia de resonancia paralelo puede aproximarse como:
 C  fa − fs Cs
fa fs  1 + s  ⇒
 2C0  fs 2C0
En virtud de la relación de capacidades, ambas frecuencias están muy próximas.
Respuesta en frecuencia:
1
En la figura que sigue se hallan representadas las curvas de Z( ω ) = en módulo y
Y( ω )
fase.
6
1 .1 0
5
1 .1 0
4
1 .1 0
3
1 .1 0
100
7 7 7 7 7 7 7
2 .7 1 4 .1 0 2 .7 1 6 .1 0 2 .7 1 8 . 1 0 2 .7 2 .1 0 2 .7 2 2 .1 0 2 .7 2 4 .1 0 2 .7 2 6 . 1 0
7 7 7 7 7 7 7
2 .7 1 4 .1 0 2 .7 1 6 .1 0 2 .7 1 8 .1 0 2 .7 2 . 1 0 2 .7 2 2 .1 0 2 .7 2 4 . 1 0 2 .7 2 6 .1 0

Resistencia equivalente paralelo:
A las frecuencias de resonancia, la parte resistiva de la admitancia es:
Rs
G= 2
2 1 
Rs +  ω Ls − 
 ω Cs 
A la frecuencia de resonancia serie es, reemplazando la expresión aproximada de dicha

frecuencia:
1
Gs ≈
Rs
En tanto que a la frecuencia de resonancia paralelo, dado que:
1 1 1  1 1 1 1
ωa 2 ≈  +  ⇒ ω a Ls ≈ + ⇒ ω a Ls − ≈
Ls  Cs Co  ω a Cs ω a Co ω a Cs ω a Co
2
 1 
Rs 2 +    2 
Gp ≈
Rs
⇒ Rp =
1
≈  ω a C0  = R  1 +  1  1 
s  
 1 
2
Gp Rs   ω a C0  Rs 
2
Rs 2 +   

 ω a C0 
Por otra parte:
2
1 Cs 2 Rs 2 C  Rs 2
≈ = Q0 2  s 
(ω a C0 )2  C   C0   1 + Cs 
ω s 2  1 + s  C0 2 Cs 2 Rs 2  
 C0   C0 
1
Donde Q0 =
ω s Cs Rs
La resistencia equivalente en resonancia paralelo resulta:
 
 2    C 2 
C  Q0 2
R p ≈ Rs  1 +  s   ⇒ R p ≈ Rs  1 +  Q0 s  
 C  C    C0  
  0   1 + s    
  C0  
Donde hemos considerado que:
Cs
1+ ≈1
C0

Resonador piezoeléctrico con capacidad en paralelo:
Por analogía con lo deducido anteriormente, la frecuencia de resonancia del cristal
cargado con una capacidad CL será:
XTAL
Cs
f L = fs 1 +
( C0 + CL )
Mientras que la resistencia equivalente en resonancia del conjunto:
  Cs  
2
R p ≈ Rs  1 +  Q0  
  C0 + CL  
 

1.A.- Error en la aproximación de banda angosta en un circuito
resonante paralelo:
Queremos estimar el error cometido en la aproximación de banda angosta en un circuito
resonante paralelo.
Llamaremos Z ( ∆ω ) al valor exacto de la impedancia del circuito y Z ( ∆ω ) al valor dado
por la aproximación de banda angosta. En ambos casos ∆ω es el desplazamiento de la
frecuencia con respecto a la frecuencia de resonancia, en tanto que d será el
desplazamiento porcentual:
∆ω
∆ω = ω − ω0 d=
ω0
Las expresiones de las impedancias exacta y aproximada resultan ser:
R R
Z ( ∆ω ) = =
 ω + ∆ω ω0   ( ω + ∆ω ) 2 − ω 2 
1 + jQ  0 −  1 + jQ  0 0

 ω0 ω0 + ∆ω   ω0 (ω0 + ∆ω ) 
 
R
Z ( ∆ω ) =
 ω + 2∆ωω + ∆ω 2 − ω 2
2 
1 + jQ  
0 0 0
 ω0 (ω0 + ∆ω ) 
 
R
Z ( ∆ω ) =
2+d
1 + jQd
1+ d
R
Z ( ∆ω ) =
1 + jQd
El error relativo de la aproximación lo definimos como:
Z ( ∆ω ) − Z% ( ∆ω ) Z% ( ∆ω )
ε= = 1−
Z ( ∆ω ) Z ( ∆ω )
De las expresiones anteriores:
2
2 2
2+d 
Z% ( ∆ω ) 1+Q d  
=  1+ d 
Z ( ∆ω ) 1 + 4Q 2 d 2
Definiendo α como la desviación relativa a la mitad del ancho de banda a −3dB :
d α
α= = 2Qd → d=
1 2Q
2Q

2
 
α2  1 
1+ 1 + 
4  1+ α 
Z% ( ∆ω )  
=  2Q 
Z ( ∆ω ) 1+α 2
α
En tanto 1
2Q
Se cumple que :
1 α
≈ 1−
α 2Q
1+
2Q
La expresión puede escribirse como:
α 2 
2 
2 2 2α  α  
α2  α  α2  α  1+ 4−
+
Z% ( ∆ω )
1+
4 
1+1−
2Q 
1+
4 
2−
2Q  4  Q  2Q  
= = =  
Z ( ∆ω ) 1+α2 1+α2 1+α2
α3
1+α2 −
Z% ( ∆ω ) 2Q 2α 3
= = 1−
Z ( ∆ω ) 1+α 2
(
4Q 1 + α 2 )
2α 3
Si 1
(
4Q 1 + α 2 )
2α 3 α3
1− ≈ 1−
(
4Q 1 + α 2 ) (
4Q 1 + α 2 )
Z% ( ∆ω ) α3
≈ 1−
Z ( ∆ω ) (
4Q 1 + α 2 )
Y el error relativo será:
α3
ε≈
(
4Q 1 + α 2 )

1.1.-Circuito Resonante Paralelo:: Electronica Aplicada Iii

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1.1.-Circuito Resonante Paralelo:: Electronica Aplicada Iii

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ELECTRONICA APLICADA III

1.1.- Circuito resonante paralelo:

Figura 1.1-1: CIRCUITO RESONANTE PARALELO

Nos planteamos la impedancia de entrada, como inversa de la admitancia.

Teniendo en cuenta la relación de arriba, podemos expresar la impedancia como:

Si definimos el factor de mérito del circuito como:

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 1 DE 46

podemos expresar la impedancia como:

Es conveniente normalizar esta expresión para independizarnos del valor de la resistencia

Esta relación es en términos generales un valor complejo, salvo para la frecuencia de

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 2 DE 46

Las soluciones de ambas ecuaciones, descartando las soluciones negativas, son;

El ancho de banda expresado en unidades de frecuencia es:

El defasaje para las frecuencias ω1 y ω2 es:

Las frecuencias ω1 y ω2 no se hallan ubicadas simétricamente con respecto a la

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 3 DE 46

La frecuencia de resonancia es la media geométrica de las frecuencias ω1 y ω2 . En

Si el factor de mérito Q > 5 , puede hacerse la aproximación:

1.1.1.- Aproximación de banda angosta:

Para valores de la frecuencia próximos a la resonancia:

la expresión nos queda:

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 4 DE 46

Esta característica sí es simétrica con respecto a la frecuencia de resonancia.

Para valores de Q ≥ 5 , nos da un error inferior al 2.5%.

En la figura que sigue se han representado las curvas de selectividad exacta y la

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 5 DE 46

Es decir que en resonancia la corriente por los elementos reactivos es Q veces la

1.1.3.- Efecto de carga resistiva en la selectividad del circuito:

También se cumplen las relaciones:

En particular, si excitamos el circuito tanque con un generador de tensión en serie con

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 6 DE 46

1.1.4.- Circuito resonante excitado por señales periódicas:

Si el circuito es excitado por una señal periódica no sinusoidal, de frecuencia fundamental

Si la excitación es periódica admitirá un desarrollo en serie de Fourier, y podrá

Hemos llamado ω a la frecuencia fundamental de la excitación (que no coincide

Si nos planteamos obtener la respuesta de la tensión v (t ) para este tipo de excitación,

v(t ) = ∑ n=1Vn cos(nωt + φn )

Téngase presente que a la salida no existe componente continua pues la inductancia

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 7 DE 46

Si además el Qc es relativamente alto ( Qc > 5 ), se puede despreciar el 1 en el

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 8 DE 46

• Tren de pulsos de muy corta duración.

• THD para excitaciones de tren de pulsos de corta duración:

• THD para excitaciones de onda cuadrada:

Las amplitudes de cada una de las componentes armónicas es:

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 9 DE 46

Nuevamente calculamos el numerador de la expresión anterior mediante el cálculo en

1.1.6.- Circuito sintonizado a una armónica de la fundamental:

Que también podemos escribir como:

Evidentemente, la distorsión dependerá del factor de multiplicación m de que se trate.

Considerando los dos casos de excitación particulares que hemos analizado

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 10 DE 46

• Excitación con tren de pulsos:

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 11 DE 46

• Excitación con onda cuadrada:

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 12 DE 46

o Calcular los valores de la inductancia y el capacitor, si la resistencia de carga es de

El capacitor deberá resonar a 10MHz con la inductancia anterior, por lo tanto:

Ing. JOSE L. OTERO (UTN - FRA) CIRCUITOS PASIVOS EN RF_R00 HOJA 13 DE 46

C = 335.5 × 10 −12 = 335.5 pF

El ancho de banda (en MHz) será:

La distorsión armónica total THD% será: