UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE BOLIVAR

Conducta de Entrada – Electrónica II

Nombre: Dilson Alexander Perez Sarmiento ID: T00040510.

1. Responda Falso o Verdadero:

• La forma de la relación corriente-voltaje de un diodo en conducción es lineal (F)

es exponencial puesto que cuando un diodo está polarizado en directa y comienza a conducir
corriente, la corriente que fluye a través del diodo aumenta exponencialmente a medida que
aumenta la diferencia de potencial (voltaje) a través del diodo.

• Un diodo en polarización directa conduce si el voltaje aplicado es mayor o igual a 0.7V. (V)

Esta afirmación a pesar de ser considerada verdadera aplica principalmente para los diodos de
silicio, la tensión de umbral de conducción real puede variar según las características
específicas del diodo y las condiciones de operación.

• Un diodo en polarización inversa conduce si el voltaje aplicado es mayor o igual al de

avalancha (F)

la afirmación de que un diodo en polarización inversa conduce si el voltaje aplicado es mayor

o igual al de avalancha no es correcta. En esta configuración, el diodo tiene una resistencia
muy alta e incluso en esta posición es considerado como un aislante y solo una pequeña
corriente de fuga puede fluir a través de él, y la ruptura de avalancha no se considera como
conducción normal.

• En un transistor BJT en región activa, la corriente de colector es lineal con el voltaje aplicado
entre base y colector (V).

en la región activa de operación de un transistor BJT, la corriente de colector es lineal con el

voltaje aplicado entre base y colector, siempre y cuando no se alcancen los límites de
saturación o corte.

• La corriente de gate en un FET en saturación es del orden de micro-amperio (F).

la afirmación de que la corriente de gate en un FET en saturación es del orden de

microamperios es incorrecta. La corriente de gate dependerá de varios factores y puede
aumentar significativamente en la región de transición entre la saturación y el corte.
2. Determiné una expresión para la ganancia de voltaje Vo/Vi, impedancia de entrada e
impedancia de salida. Muestre el procedimiento.

R4= RE
R3= RC
1. Voltaje de entrada Vi: El voltaje de entrada se encuentra entre la resistencia de base y la
tierra y se puede expresar como:
Vi = Ib * Rb
donde Ib es la corriente de base del transistor y Rb es la resistencia de base.
2. Corriente de base Ib: La corriente de base se puede encontrar a partir de las ecuaciones de
corriente del circuito y la ecuación característica del transistor, que establece que la
corriente de colector es igual al producto de la corriente de base y la ganancia de corriente
del transistor (β). Por lo tanto, la corriente de base se puede expresar como:
Ib = (Vcc - Vbe) / Rb
donde Vbe es la caída de voltaje base-emisor del transistor.
3. Corriente de colector Ic: La corriente de colector se puede encontrar a partir de las
ecuaciones de corriente del circuito y la ecuación característica del transistor, como se
mencionó anteriormente. La corriente de colector se puede expresar como:
Ic = β * Ib
4. Voltaje de salida Vo: El voltaje de salida se encuentra en la resistencia de carga y se puede
expresar como:
Vo = Ic * Rc
donde Rc es la resistencia de carga.
 5. Ganancia de voltaje Av: La ganancia de voltaje se puede encontrar dividiendo el voltaje de
salida por el voltaje de entrada:
Av = Vo / Vi = Ic * Rc / (Ib * Rb) = β * Rc / Rb
Por lo tanto, la ganancia de voltaje del AEC está determinada por la ganancia de corriente
del transistor (β) y la relación entre las resistencias de carga y base (Rc y Rb).
La impedancia de entrada del AEC se puede encontrar como la resistencia equivalente vista
desde la base del transistor:
Zi = β * (Rb || (hfe * Re))
donde || representa la conexión en paralelo y hfe es la ganancia de corriente de emisor del
transistor.
La impedancia de salida del AEC se puede encontrar como la resistencia equivalente vista
desde el colector del transistor:
Zo = Rc || (hie + (1 + hfe) * Re)
donde hie es la resistencia de entrada de base del transistor.

3. Halle una expresión para la corriente de drenador ID, en función de resistencias y parámetros.

1. Establecer las ecuaciones para el circuito:

Aplicando la ley de Kirchhoff de voltajes en la malla de entrada del circuito, se tiene:

VGS = ID * R1 + Vth

Aplicando la ley de Kirchhoff de corrientes en el nodo de drenador del MOSFET, se tiene:

ID = (VDD - VDS) / R3

Usando la ecuación del modelo de pequeña señal del MOSFET, se tiene:

ID = β * (VGS - Vth) * VDS
 donde β es la ganancia transconductancia del MOSFET.

2. Simplificar y reorganizar las ecuaciones:

Despejando VDS de la segunda ecuación:

VDS = (VDD - ID * R3)
Sustituyendo la tercera ecuación en la primera y reordenando los términos:
ID = (VGS - Vth) / (R1 + R3/β)
Sustituyendo VDS de la segunda ecuación en la tercera y despejando ID:
ID = (VGS - Vth) * β / (R3 * β + (VDD - VDS))
Simplificando la expresión:
ID = (VGS - Vth) * β / (R3 * β + (VDD - VDD + ID * R3))
ID * (R3 * β + VDS) = (VGS - Vth) * β
ID = (VGS - Vth) * β / (R3 * β + VDS)
Sustituyendo VDS de la segunda ecuación:
ID = (VGS - Vth) * β / (R3 * β + (VDD - ID * R3))
Simplificando la expresión:
ID = (VGS - Vth) * β / (R3 * β + VDD - ID * R3)
ID * (R3 * β + VDD - VDS) = (VGS - Vth) * β
ID = (VGS - Vth) * β / (R3 * β + VDD - VDS)