Facultad de Ingeniería en Electricidad y Computación

Electrónica
II -PAO 2022
CAc-2013-108.-Compromiso ético de los estudiantes al momento de realizar un examen escrito
de la ESPOL

Reconozco que la presente evaluación está diseñada para ser resuelta de manera individual, y
no se permite la ayuda de fuentes no autorizadas ni copiar. Firmo al pie del presente
compromiso, como constancia de haber leído y aceptar la declaración anterior.

______________________________________
Firma de Compromiso del Estudiante
Nota: La copia ameritará la nota de cero.
LECCIÓN #: ____
NOMBRE:
PARALELO #: ________ FECHA: ___________

1. Suponga el diodo del circuito es de silicio. Determinar la forma de onda de salida

para la siguiente señal de entrada. (20 pts.)

R1 = 2KΩ, R2 = 0.5KΩ, para 0 ≤ x < π/2

R1 = 1KΩ, R2 = 2KΩ, para π/2 ≤ x < π
R1 = 5KΩ, R2 = 7KΩ, para π ≤ x < 2π/3
R1 = 2KΩ, R2 = 3KΩ, para 2π/3 ≤ x < 2π
(5 pts. Cada sección de la onda)
2. Para el circuito mostrado a continuación, calcular Vout para los siguientes casos.
(30 pts.)
a) Vin = -5 [V]
b) Vin = 1 [V]
c) Vin = 10 [V]
V= 2 [V]
𝑉𝑍1 = 3 [V]
𝑉𝑍2 = 4 [V]
𝑅1, 𝑅3 = 1 [KΩ]
R2= 300 [Ω]
(10 pts. Cada literal)

3. En el circuito adjunto determine las zonas y estados de trabajo para los transistores
𝑸𝟏 Y 𝑸𝟐 usando los valores de 𝑽𝒊 provistos en cada literal. (50 pts.)
Q1 transistor de Si con β=50, 𝑉𝑐𝑒𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 = 0.4 [𝑉].
Q2: 𝑉𝑡 =2 [V], K=1 [mA/𝑉 2 ].
𝑄1 5 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠, 𝑄2 5 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠, 𝑉𝑜 5 puntos
a) Calcular 𝑉𝑜 para 𝑉𝑖 = 0.3 [𝑉]
𝑄1 5 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠, 𝑄2 5 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠, 𝑉𝑜 5 puntos
b) Calcular 𝑉𝑜 para 𝑉𝑖 = 3 [𝑉]
𝑄1 5 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠, 𝑄2 5 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠, 𝑉𝑖 10 puntos
c) Calcular 𝑉𝑖 para 𝑉𝑜 = 17.5 [𝑉]