Universidad de Antioquia Facultad de Ingeniería

UNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA
INGENIERÍA AEROESPACIAL
Taller transistores.
Octubre 20 de 2016er

Nombre: ___________________________________________________C.C_________________

1.) Ejercicio

Asuma beta infinito y obtenga el punto de funcionamiento de cada transistor de la Figura 1.

Calcule el punto de operación de cada transistor.

Figura 1

2.) Diseño
Diseñe un sistema donde un transistor trabaje como suiche y sirva para activar un inyector
que necesita 1.5 A, asuma que la entrada es de 5 V y que la polarización es de 12 V (anotar
todas las consideraciones)

3.) Teoría
a) ¿Digan tres características de los transistores BJT y MOSFET?

b) Cuál es la diferencia entre los BJT de enriquecimiento y agotamiento?

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4.) Ejercicio

Encuentre los valores de V3, V4 y V5, los transistores son NMOS y tiene kn’ W/L= 2 x l0-3
A/V2 y VT= 1 V, asuma λ =0

Figura 2

5.) Ejercicio
Los parámetros del circuito mostrados en la figura 3 son VCC=15V, Rc=1 kΩ, Re=1 kΩ, VEE=5V
VEB=0.6 alfa = 0.992. Calcule IB, IC, IE, VCE, VCB y diga el punto de operación

Figura 3
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6.) Ejercicio
Los parámetros del circuito mostrados en la figura 4 son VCC=15V, R1=65k kΩ, R2=25k kΩ,
Re=500 Ω, RL= 20k, C1=C2= infinito, β=100. Calcule IB1, IC1, IE1, IB2, IC2, IE2, los voltajes en
todos los nodos y diga el punto de operación de los dos transistores

Figura 4
7.) Ejercicio
La figura 5 muestra un mosfet tipo n, los parámetros del NMOS son Vt=4v Kn=1.2ma/V. Si la ID=1mA
y VDS=8V calcule los valores de R1, R2 y RD asuma VDD=20V

Figura 5

GQ,
les IMA
C6, =9,9MA

Ce, =O, mA
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