UNIVERSIDAD AUTONOMA DE NUEVO LEON

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Diseño de Sistemas Electrónicos de Potencia:

Reseña 2:

Catedrático: Ing. Faustino Zuniga Reyes

Nombre: Blanca Guadalupe Escalante Gutiérrez

Matrícula: 1909753

Hora: N3 Carrera: IMTC

Semestre enero-junio 2022

San Nicolas de los Garza N.L. a 08 de marzo de 2022

 Reseña Capítulo 2:
Un diodo actúa como conmutador para realizar varias funciones, por ejemplo, como
conmutadores en rectificadores, conducción libre en reguladores de conmutación, inversión de
carga en un capacitor y transferencia de energía entre componentes, aislamiento de voltaje,
retroalimentación de energía desde la carga a la fuente de potencia y recuperación de energía
atrapada.
Los diodos de potencia son similares a los diodos de señal de unión. No obstante, los diodos
de potencia poseen mayores capacidades de manejo de potencia, voltaje y corriente de los
diodos de señal ordinarios. La respuesta a la frecuencia es baja en comparación con la de los
diodos de señal.
Los inductores L y los capacitores C son elementos de almacenamiento de energía y por lo
común se utilizan en circuitos electrónicos de potencia. Para controlar la cantidad de
transferencia de energía en un circuito se utiliza un dispositivo semiconductor de potencia. Un
prerrequisito para entender el funcionamiento de los sistemas y circuitos electrónicos de
potencia es tener una clara comprensión de los comportamientos de conmutación de los
circuitos RC, RL, LC Y RLC.
Los dispositivos semi conductores de potencia se fabrican con silicio monocristalino de alta
pureza. Se producen cristales de varios metros de largo y con el diámetro requerido en hornos
denominados de zona de flotación. De cada enorme cristal se rebanan delgadas obleas, las
cuales se someten luego a numerosos pasos de procesamiento para convertirlas en
dispositivos de potencia.
Los semiconductores más comúnmente utilizados son el silicio y el germanio grupo IV de la
tabla periódica y el arsenurio de galio grupo V. los materiales de silicio cuestan menos que los
de germanio y permiten que los diodos operen a altas temperaturas, razón por la cual rara vez
se utilizan los diodos de germanio.
Aplicando diferentes impurezas, niveles y formas de dopado, alta tecnología de fotografía, corte
con láser, grabado, aislamiento y empaquetado, se producen dispositivos de potencia
terminados a partir de varias estructuras de capas semiconductoras tipo n y tipo p.
Por consiguiente, hay elecciones libres disponibles en un material tipo n y huecos libres
disponibles en un material tipo p. en un material tipo p los huecos se denominan portadores
mayoritarios y los electrones se denominan portadores minoritarios punto en el material tipo n
los electrones reciben el nombre de portadores mayoritarios y los huecos el de portadores
minoritarios.
En consecuencia, los dispositivos de carburo de silicio soportan voltajes y temperaturas mucho
más altos que sus contrapartes de silicio. Los dispositivos de silicio, por ejemplo, no pueden
soportar campos eléctricos de más de 300kV/cm. Mientras que los electrones en el carburo de
silicio requieren más energía para ser empujados hacia la banda de conducción, el material
puede soportar campos eléctricos mucho más intensos, hasta 10 veces el máximo para el silicio.
Por consiguiente, un dispositivo de SiC puede tener las mismas dimensiones que uno de silicio
pero puede soportar 10 veces el voltaje.
Si obtiene electrones o huecos agregando impurezas al silicio germanio puro por medio de un
proceso de dopaje. Los electrones son los portadores mayoritarios en el material tipo n en tanto
que los huecos son los portadores mayoritarios en un tipo p.
un diodo de potencia es un dispositivo de unión pn de 2 terminales y normalmente una unión
pn se forma por aleación, difusión y crecimiento epitaxial. las técnicas modernas de control en
procesos de difusión y crecimiento epitaxial permiten obtener las características deseadas en
el dispositivo.
Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice que el diodo está
polarizado directo y el diodo conduce. Un diodo que conduce tiene una caída de voltaje directo
relativamente pequeña a través de el; la magnitud de esta caída depende del proceso de
fabricación y de temperatura en la unión. Cuando el potencial del cátodo es positivo con
respecto al ánodo, se dice que el diodo está polarizado inverso.
La corriente en un diodo de unión en conducción de polarización directa se debe al efecto neto
de los portadores mayoritarios y minoritarios. Una vez que un diodo está en el modo de
conducción directa y luego su corriente en sentido directo se reduce a cero, el diodo continúa
conduciendo gracias a los portadores minoritarios que permanecen guardados en la unión pn
Y en la mayor parte del material semiconductor.
El voltaje en él diodo pasa a través de un período de oscilación transitorio para completar la
recuperación de la carga guardada hasta que cae a su valor inverso de funcionamiento normal.
el proceso completo es no lineal. Hay 2 tipos de recuperación: Suave y dura. El tipo de
recuperación suave es el más común. El tiempo de recuperación inversa se indica como trn y
se mide a partir del cruce inicial por cero de la corriente en él diodo hasta que la corriente inversa
llega a 25% de su valor máximo.
El tiempo de recuperación inversa trn se define como el intervalo de tiempo entre el instante
que la corriente pasa por cero durante el cambio de conducción directa hasta la condición del
bloqueo inversión y el momento en que la corriente inversa ha decaído a 25% de su valor pico
inverso.
Si un diodo está en la condición de polarización inversa, fluye una corriente de fuga debido a
los portadores minoritarios. Entonces las aplicaciones de un voltaje en sentido directo harían
que el diodo condujera corriente en sentido directo. Sin embargo, se requiere un cierto de
tiempo conocido como tiempo de recuperación directa antes de que todos los portadores
mayoritarios presentes en toda la unión contribuyan al flujo de corriente. Si la velocidad de
elevación de la corriente en sentido directo es alta y la corriente en sentido directo se concentra
en una pequeña área de la unión, el diodo puede fallar.
Durante el tiempo de recuperación inversa trn, el día 11 comporta efectivamente como un
cortocircuito y no es capaz de bloquear el voltaje inverso, permite que la corriente inversa fluya,
y luego de repente corta la corriente. El parámetro trn es importante para aplicaciones de
conmutación.
Lo ideal sería que un diodo no tuviera tiempo de recuperación inversa. Sin embargo, el costo
de fabricación de un diodo semejante se puede elevar. En muchas aplicaciones los efectos de
tiempo de recuperación inversa no son importantes y se pueden usar diodos de bajo costo.
Los diodos de uso general están disponibles hasta para 6000V, 4500A y los diodos de
recuperación rápida hasta para 6000V, 1100A. el tiempo de recuperación inversa varía entre
0.1us y 5us. los dio de recuperación rápida son esenciales para conmutación de alta frecuencia
de convertidores de potencia.
Los diodos rectificadores de uso general tienen un tiempo de recuperación inversa
relativamente grande, por lo general de 25us, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad,
donde el tiempo de recuperación no es crítico.
Los diodos de recuperación rápida tienen un tiempo de recuperación bajo, normalmente menos
de 5us. se utilizan en circuitos convertidores de cd a cd y de cd a ca, donde la velocidad de
recuperación suele ser de importancia crítica. estos 2 incluyen capacidades de voltaje de 50V
hasta alrededor de 3kV, y desde menos de 1A hasta cientos de amperes.
En aplicaciones de alta potencia los diodos se conectan en paralelo para incrementar la
capacidad de conducir corriente para satisfacer los requerimientos de corriente deseados. Las
reparticiones de corriente de los diodos serían de acuerdo con sus respectivas caídas de voltaje
directo. La repartición uniforme de la corriente se logra proporcionando inductancias iguales o
conectando resistores que comparten corriente. Al estar los 2 conectados en paralelo, los
voltajes de bloqueo inversos de cada diodo serán los mismos.
En el circuito ideal sin pérdidas la energía almacenada en él inductor se queda atrapada ahí
porque no hay resistencia en el circuito. en un circuito práctico es recomendable mejorar la
eficiencia con el regreso de la energía almacenada a la fuente de abastecimiento. Esto se puede
hacer agregando al inductor un segundo devanado y conectando un diodo. El inductor y el
devanado secundario se comportan como un transformador.
El secundario del transformador se conecta de tal modo que, si V1 es positivo, V2 sea negativo
con respecto a V1 y viceversa. El devanado secundario que facilita el regreso de la energía
almacenada a la fuente a través del diodo se conoce como devanado de retroalimentación.
suponiendo un transformador con inductancia de magnetización.
El funcionamiento del circuito se puede dividir en 2 modos. El modo uno comienza con el
interruptor S1 se cierra en el instante t=0 y el modo 2 comienza cuando el interruptor se abre.