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En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos

Laboratorio con pequeña

señal ac transistor BJT
Latorre Martínez Carlos Mario, Cesar
David Montaño Cuero, y Raul Allandette.
Resumen – En el presente laboratorio haremos un informe
detallado sobre la amplificación de pequeñas señales en ac. Para
ello realizaremos un circuito básico en la primera parte para
realizar las comparaciones entre el montaje y los resultados
teóricos. En la segunda parte realizaremos un mini amplificador
de audio con dos transistores.
Palabras claves: transistor, pequeña señal, amplificador.
I. INTRODUCTION
tipos de corrientes y tensiones: continua y alterna. El
componente en continua o DC polariza al transistor en un
punto de trabajo localizado en la región lineal. Este punto está
definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La
componente en alterna o AC, generalmente de pequeña señal,
introduce pequeñas variaciones en las corrientes y tensiones
en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo.
Al igual que en el análisis en DC, tenemos varios tipos de
análisis en CA, como Colector común, base común, Emisor
común, Emisor seguir, entre otros. En este trabajo se estudiará
el modelo híbrido, o análisis en pequeña señal del transistor,
donde se otorgarán las definiciones básicas, análisis y
ejercicios del mismo.
Materiales usados en el montaje:
- Fuente de poder DC de 12V
- Capacitores 10mF
- Resistores de múltiples valores
- Multímetro
- Generador de señales

E l transistor es un dispositivo semiconductor que trabaja

- Osciloscopio
- Transistor 2n3904
como un interruptor o como un sistema de amplificador. El
primer transistor fue inventado en diciembre de 1947 en la
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Houser
Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera
Collector−Emitter Voltage: 40 Vdc
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio
Collector−Base Voltage: 60 Vdc
de 1948,a la cual siguieron otras patentes acerca de
Emitter−Base Voltage: 6.0 Vdc
aplicaciones de este dispositivo.
Collector Current – Continuous: 200 mAdc
Operating and Storage Junction Temperature
Range: −55 to +150 °C

CIRCUITO:

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones

semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la
base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y tipo N,
tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

Según el informe que ha presentado la Semiconductor

International Association, el ITRS 2015 (International
Technology Roadmap for Semiconductors), se prevé que los
fabricantes cesen en el empeño de reducir el tamaño de los
transistores en un intervalo de cinco años. Una tendencia que CÁLCULOS TEÓRICOS:
existe desde hace más de 50 años y que con esta predicción de
nuevo se plantea si se vería afectada otra que tomó
dimensiones de ley, la de Moore [2]. AVNL=¿ vE / Vi
AVL = vO / vi
Avs = Vo/Vs
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EVIDENCIA.