DIODOS: MODELAMIENTO Y
CARACTERÍSTICAS
Isaac Montes Luna
Jesus Alberto Rivera Molina
Luis Santiago Solano Pardo
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
I. I NTRODUCCI ÓN
Se presenta en este laboratorio una comparación entre
simulaciones y la practica real de las mediciones de corriente
y voltaje en 2 tipos diferentes de diodos, el diodo 1N4004
y el diodo 1N4148 para poder ver el modelado y las carac-
terizaciones de los diodos y poder ver un acercamiento mas
significativo a su funcionamiento en la vida real.
II. O BJETIVOS
Objetivo General:
1. Determinar las caracterı́sticas básicas de los diodos
semiconductores como la relación tensión-corriente,
los tiempos de recuperación inversa y sus aplicacio-
nes según sus caracterı́sticas.
Objetivos Especı́ficos:
1. Obtener experimentalmente la curva caracterı́stica
del diodo en polarización directa.
2. Determinar los parámetros del diodo asociados a su
curva caracterı́stica mediante medidas experimenta-
les.
3. Visualizar los tiempos de respuesta de diferentes
tipos de diodos.
4. Comprender el funcionamiento del fotodiodo me-
diante un circuito propuesto.
III. M ARCO TE ÓRICO
III-A. Semiconductores
Son elementos cuya banda prohibida no es tan pequeña
como en los conductores (casi cero) ni tan grande como es
en los aislantes. Los elementos quı́micos semiconductores de
la tabla periódica son: Cadmio, aluminio, galio, boro, etc.
Los dos elementos quı́micos con que se inició el cambio de
válvulas electrónicas a diodos y transistores semiconductores
fueron el germanio y el silicio. Estos 2 elementos tienen 4
electrones de valencia y cumplen con la regla del octeto, es
decir, establecen enlaces covalentes para tener 8 electrones
en la última órbita. Además tienen una estructura cristalina
que es la forma sólida de como se ordenan y empaquetan
los átomos con patrones de repetición en las 3 dimensiones.
Cada átomo de silicio tiene 4 electrones de valencia y los
comparte con los 4 átomos vecinos y estos a su vez comparten
1 electrón con cada uno de sus 4 vecinos, esto hace que todos
los electrones se encuentren en la banda de valencia. Ahora,
si aplicáramos un campo eléctrico, no hay electrones libres y
se comportarı́a como un aislante, para esto necesitamos que
se suministre una energı́a externa que haga que salten a la
banda de conducción. Esta energı́a es la del Sol, o sea, energı́a
calorı́fica y dependiendo de la temperatura habrán electrones
que se liberan, pasando de a la banda de conducción, una vez
que esto ocurre da paso un electrón libre y el espacio que deja
se le llamará hueco. Si aplicáramos un campo eléctrico, todos
los electrones serán atraı́dos por el potencial positivo, pero
sólo se podrán mover los electrones libres. Todos los átomos
de valencia que se quieran mover en este caso hacia la derecha,
pero no pueden porque están en la banda de valencia lo que sı́
pueden hacer es cambiar de átomo y tapar el hueco, entonces
se produce el efecto de que el hueco se está desplazando hacia
la izquierda, a esto se le llama corriente de huecos. Los huecos
son carga positiva que se mueve hacia el potencial.
III-B. Diodo Semiconductor
Un diodo semiconductor es la unión de dos materiales
semiconductores extrı́nsecos del tipo N y tipo P. Un semi-
conductor extrı́nseco es el contiene impurezas y hacen parte
del grupo V de la tabla periódica, por ejemplo, el fósforo se
puede considerar un material tipo N porque tiene 5 electrones
de valencia y 4 de ellos hacen enlaces covalentes en los 4
átomos vecinos pero el quinto quedará libre. Si se le agregan
impurezas del tipo III, como en el boro, se crean materiales
extrı́nsecos de tipo P que tienen 3 electrones de valencia, se
hace enlaces covalentes con 3 átomos vecinos, pero se genera
un hueco. Dependiendo de la cantidad de impurezas con las
que se hayan construido podemos tener diferentes tipos de
diodos como rectificadores, Zener, túnel, etc. Al realizar la
unión de estos dos materiales se produce el movimiento entre
huecos y electrones el cual llamaremos corriente de difusión
(Id) La cual tiene la siguiente ecuación caracterı́stica:
Vd
I = Is(e nV T )
Donde VT es el voltaje térmico, este tiene un valor de 25.6mV
a 25°C. Esto es que los electrones presentes en el material N
pasan al P y los huecos del P al N. Esto genera una zona
de recombinación que es mı́nima si la polarización se hace
de forma directa y es muy amplia si se realiza de forma
inversa.[1]
 R/ los valores en el laboratorio se se acercan mas al modelo del
diodo ideal a menor temperatura pero los valores no cambian
mucho el motivo de esto es por el voltaje térmico este voltaje
calcula el flujo de corriente eléctrica este flujo disminuye a
menor temperatura y viceversa.
Además de esto, ¿varió alguno de los valores de los parámetros
Is y ?. Si se evidencia un cambio explique el porqué de éste.
Figura 1.[1, Fig. 1.4] R/ hubo una variación mı́nima de Is y al aumentar la tempe-
ratura esta variación se da desde que el flujo eléctrico aumenta
Ahora, algunos tipos de diodos que se pueden presentar son desde que cuenta con mayor energı́a debido al aumento de la
los siguientes: temperatura, desde que el Is y el dependen de la gráfica de
los valores en este caso, los valores cambian.
En el circuito de la Figura 2, ¿Qué ocurre con la resistencia
cuando circula la corriente máxima (con la fuente en 25 V)?
R/ La resistencia experimenta la Potencia máxima y si es
una resistencia con una capacidad de potencia inferior a esta
potencia máxima la resistencia se puede dañar, en nuestro
caso la resistencia tenia una capacidad superior a la potencia
Figura 2.[1, Fig. 1.5] máxima entonces solo se calentó.
¿Cuáles son las consecuencias de cambiar de polaridad la
Para tener una mejor visualización de cómo se produce esta fuente que alimenta el circuito de la Figura 2? ¿En este caso,
corriente se presenta la curva caracterı́stica con sus respectivas se debe tener alguna restricción en la tensión para el correcto
regiones de operación: funcionamiento del diodo?
R/ Al cambiar la polaridad de la fuente el diodo se comportara
como un circuito abierto pero si se supera la tensión máxima
soportada por el diodo en inverso el diodo no va a poder
funcionar correctamente y se va a convertir en un corto circuito
¿Por qué es necesario alimentar el circuito de la Figura 3 con
una señal cuadrada?
R/ Para poder ver el tiempo de recuperación del diodo en la
parte negativa de la gráfica y poder medir adecuadamente el
tiempo que toma en llegar a cero voltios
¿Qué pasa con los tiempos de recuperación inversa si se varı́a
la resistencia R1?
R/ No hay ninguna variación con los tiempos de recuperación

V. P ROCEDIMIENTO
Figura 3.[1, Fig. 1.7]
Para calcular el is y el n se utiliza la ecuacion generada por
Esto quiere decir que cuando ocurre una polarización directa, exel teniendo en cuenta que:
el diodo se comporta como un corto circuito y cuando es
inversa se comporta como un circuito abierto. X = BeA

se iguala a la ecuación.
Vd
I = Is(e nV T )

Siendo B el valor de Is y se puede despejar n usando la

ecuación dada por excel igualándola a la ecuación de I
Figura 4.[1, Fig. 1.9]
VI. S IMULACIONES
IV. P REGUNTAS
Según el modelo ideal del diodo (Id ¿0 ,Vd = 0), ¿Considera Gráficas de Vd vs Id de las simulaciones con sus linea de
que ante bajas temperaturas el diodo en el laboratorio funciona tendencia y los valores is y n calculados.
más cerca a este modelo?. Justifique su respuesta.
 VI-A. circuitos

Circuitos de medición de voltaje sobre una resistencia de

1KΩ conectada en serie a una fuente de voltaje alterno y un
diodo

Gráficas de Vd x Id de las simulaciones con sus lineas de

tendencia, a 2 diferentes temperaturas(40ºC y 60ºC) con sus
respectivos is y n calculados
 1n4148
fuente vd mv id ma
0,1 99,989 0,000020372
0,2 199,897 0,000205057
0,3 299,075 0,001849
0,4 392,693 0,014613
0,5 464,434 0,07113
0,6 507,709 0,18458
0,7 534,31 0,331379
0,8 552,574 0,49485
0,9 566,236 0,667527
1v 577,067 0,845865
2v 631,358 2,737
3v 656,923 4,695
4v 673,822 6,652
5v 687,141 8,645
6v 697,203 10,605
7v 706,216 12,616
8v 713,572 14,572
9v 720,996 16,558
10v 727,039 18,545
11v 732,911 20,544
VII. A N ÁLISIS Y RESULTADOS 12v 738,103 22,523
13v 743,146 24,533
14v 747,739 26,504
15v 752,227 28,486
16v 756,345 30,487
17v 760,345 32,479
18v 764,175 34,471
19v 767,854 36,464
20v 771,396 38,457
En la realización del laboratorio, se comenzó por realizar el 21v 774,818 40,45
circuito numero 1 en el que se midió la corriente presente al 22v 778,13 42,443
hacer un aumento de 0.1V y después de pasar 1V, aumentar el 23v 781,342 44,437
voltaje de a 1V. Se tienen en cuenta que el circuito 1 cuenta con 24v 784,464 46,431
25v 787,502 48,424
un diodo 1N4148 o un diodo 1N4004, que permiten realizar
su respectiva comparación.

Con el diodo 1N4148 se obtuvo un crecimiento inicial de la

corriente notorio cuando se llego a los 0.7V, los datos obteni-
dos y la gráfica con su regresión se muestran a continuación:

·10−4
2
A(v) = 3 · 10−6 e(0,00213v)

1,5
Corriente(mA)

0,5
El diodo 1N4148 mostró un crecimiento esperado por la
teorı́a, debido a que la región obtenida es del tipo exponencial,
0 además, los datos permiten observar que el diodo si presenta
0 500 1,000 1,500 2,000 un voltaje que se opone al paso de la corriente y este voltaje se
obtuvo entre 0.6V y 0.8V. El diodo 1N4148 se reemplazo por
V oltaje(mV )
el diodo 1N4004, con el cual se obtuvo un crecimiento inicial
de la corriente notorio cuando se llego a los 0.6V que permitió
inferir directamente un paso mas apresurado en comparación
con el otro diodo, los datos obtenidos y la gráfica con su
regresión se muestran a continuación:
 ·10−2 Se empezó la medición con una temperatura de 40°C y
2
realizando aumentos de 0.1V y después de 1V, al igual que en
A(v) = 5 · 10−5 e(0,0194v)
la primera parte del laboratorio y utilizando el diodo 1N4004.
Al terminar las mediciones con una temperatura de 40°C se
1,5 continuo con una temperatura de 60°C. Se observaron algunas
Corriente(mA)

diferencias que se pueden observar en las siguientes gráficas

y en la tabla que se ubica después.
1

0,5

VII-1. Diodo a una temperatura de 40°C:

0 ·10−2
0 100 200 300 400 5
V oltaje(mV ) A(v) = 8 · 10−5 e(0,0186v)
4
1n4004 517.647 500ohm
us

Corriente(mA)
fuente V vd mV id mA
0,1 99,843 0,000313 3
0,2 198,786 0,002427
0,3 292,444 0,015111
0,4 367,607 0,064784 2
0,5 416,543 0,166913
0,6 447,668 0,304663
0,7 469,171 0,461657
0,8 485,222 0,629555 1
0,9 497,894 0,804211
1v 508,305 0,983388
2v 563,826 2,872 0
3v 590,665 4,818 0 100 200 300 400
4v 608,431 6,783
5v 621,718 8,756 V oltaje(mV )
6v 632,336 10,735
7v 641,178 12,717
8v 648,758 14,702
9v 655,393 16,689
10v 661,293 18,677
11v 666,609 20,666
12v 671,442 22,657
13v 675,877 24,648
14v 679,975 26,64 VII-2. Diodo a una temperatura de 60°C:
15v 683,784 28,632
·10−2
16v 687,343 30,625 5
17v 690,684 32,618
18v 693,83 34,612 A(v) = 0,0002e(0,0175v)
19v 696,806 36,606
20v 699,629 38,6 4
21v 702,314 40,595
Corriente(mA)

22v 704,877 42,59

23v 707,319 44,585 3
24v 709,662 46,58
25v 711,911 48,576
2
Al comparar los resultados obtenidos de las dos gráficas se
identifica que el diodo 1N4004 permite el paso de corriente
con mayor facilidad que el diodo 1N4148, aunque debido a 1
la medición solo se puede decir que la diferencia es de 0.1V
para empezar a permitir el paso de corriente.
0
Después de realizar la medición de la corriente vs el voltaje 0 100 200 300 400
se prosiguió a realizar la medición de la corriente cambiando
V oltaje(mV )
el voltaje en dos temperaturas distintas.
 1n4004 Temperatura Temperatura
40°C 60°C
fuente vd mV id mA vd mV id mA
0.1v 99,769 0,000460927 99,607 0,000784
0.2v 198,343 0,003312 192,464 0,005071
0.3v 290,646 0,018707 287,512 0,024974
0.4v 363,68 0,072638 357,528 0,084942
0.5v 411,633 0,176732 404,184 0,191631
0.6v 442,737 0,314524 435,279 0,329441
0.7v 480,927 0,638144 435,279 0,329441
0.8v 480,927 0,638144 474,402 0,651195
0.9v 493,943 0,812112 487,929 0,824141
1v 504,674 0,99065 499,138 1,001
2v 562,257 2,875 559,848 2,88
3v 590,207 4,819 589,499 4,821
4v 608,723 6,782 609,167 6,781
5v 622,576 8,754 623,89 8,752
6v 633,648 10,732 635,662 10,728 Al observar las gráficas del voltaje sobre los diodos a dife-
7v 642,869 12,714 645,463 12,709
8v 650,773 14,698 653,866 14,692 rentes frecuencias se encontró que el diodo era suficientemente
9v 657,691 16,684 661,221 16,677 capaz de impedir el paso de corriente en dirección opuesta,
10v 663,844 18,672 667,762 18,664 aunque el diodo 1N4004 presenta el tiempo de recuperación en
11v 669,388 20,661 673,652 20,652
13v 679,05 24,641 683,926 24,632
donde durante un corto tiempo si se logra un paso de corriente.
15v 687,294 28,625 692,686 28,614 En el diodo 1N4148 no se encuentra el tiempo de recuperación
17v 694,489 32,611 700,328 32,599 en el osciloscopio pero debido a lo que se observa al realizar
19v 706,607 40,586 707,11 36,585 una aproximación al momento en el que cambia de polaridad
21v 706,607 40,586 713,205 40,573
23v 711,828 44,576 718,747 44,562 de la fuente de voltaje se logra comprender que el tiempo
25v 716,607 48,566 723,826 48,552 de recuperación no es lo suficientemente grande para ser
observable.

VII-3. Tabla de la Corriente vs Voltaje del diodo 1N4004 VIII. C ONCLUSIONES

a una temperatura de 40°C y 60°C: Se observo que a una
mayor temperatura el diodo 1N4004 permitió mayor paso de
corriente aunque fue mı́nimo el cambio en comparación a los
aumentos en el paso de corriente debido al aumento del voltaje.
En la segunda parte del laboratorio se observaron las gráfi-
cas del voltaje sobre una resistencia de 1KΩ conectada a un
diodo 1N4004 o 1N4148 en serie y a una fuente de voltaje
alterno. Para observar las señales se usa un osciloscopio.
A continuación se encuentran algunas de las señales obser-
vadas:
Aproximación al momento en el que el voltaje cambia de
polaridad positiva a negativa.
Para concluir, en el laboratorio se logro comprender a pro-
fundidad el funcionamiento de los diodos 1N4004 y 1N4148,
al poder observar caracterı́sticas propias de cada uno de
ellos. Se comprendió la importancia de conocer el datasheet
de los componentes que se utilicen y a realizar la correcta
construcción de los circuitos con diodos para obtener los
resultados esperados, que en nuestro caso fue principalmente
analizar señales y valores de voltaje vs corriente. Se observo
que el tiempo de recuperación del diodo 1N4148 es mı́nimo
por lo que no se puede observar en el osciloscopio del
laboratorio, lo que no sucede con el diodo 1N4004, el cual si
presenta un tiempo lo suficientemente alto para ser observado.
La realización del laboratorio permitió comprender de forma
practica la naturaleza del diodo y como afecta al voltaje y la
corriente de un circuito en el que interfiere.
R EFERENCIAS
[1] Plata G. Vicente Y. Principios de microelectrónica. Universidad Autóno-
ma Metropolitana, 1998.

Señales de de la resistencia de 1KΩ conectada a un diodo

1N4004.