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Factor de Empaquetamiento

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Factor de empaquetamiento atómico

En cristalografía, el factor de empaquetamiento atómico (FEA), en inglés: Atomic packing factor, APF, es la fracción de volumen en una celda unidad que esta ocupada por átomos. Este factor es adimensional y siempre menor que la unidad. Para propósitos prácticos, el FEA de una celda unidad es determinado asumiendo que los átomos son esferas rígidas. Para cristales de un componente (aquellos que contienen un único tipo de átomo), el FEA se representa matemáticamente por

donde Nátomos es el numero de átomos en la celda unidad, Vátomo es el volumen de un átomo, y Vcelda unidad es el volumen ocupado por la celda unidad. Matemáticamente puede ser probado que para estructuras de un componente, el arreglo más denso de átomos tiene un FEA alrededor de 0.74. En realidad, este número puede ser mayor debido a factores intermoleculares específicos. Para estructuras de múltiples componentes, el FEA puede exceder el 0.74.

Ejemplo

Estructura BCC

La celda unidad para la estructura cúbica centrada en el cuerpo, en inglés: Body-centered cubic, BCC, contiene dos átomos: un octavo (1/8) de atomo en cada esquina del cubo y un átomo en el centro. Dado que el volumen de cada átomo ubicado en las esquinas es compartido con las celdas adyacentes, cada celda BCC contiene dos átomos. Cada átomo en las esquinas toca el átomo central. Una linea que sea dibujada desde una esquina del cubo a través del centro hacia la otra esquina pasa a lo largo de 4r, donde r es el radio de un átomo. Por geometría, la longitud de la diagonal es a√3. Por lo tanto, la longitud de cada lado de la estructura BCC puede ser relacionada al radio de cada átomo mediante

Conociendo esto y la formula para el volumen de una esfera((4 / 3)pi r3), es posible calcular el FEA de la siguiente manera:

Para la estructura hexagonal la derivación es similar. La longitud de un lado del hexágono sera denotada por a mientras que la altura del hexágono se denotara como c. Entonces:

Arreglo hexagonal tridimensional. a = 2r

Entonces es posible calcular el FEA como sigue:

FEA de estructuras comunes
Mediante procedimientos similares, los factores de empaquetamiento atómico ideales de todas las estructuras cristalinas pueden ser encontrados. Algunos factores comunes se presentan a continuación, redondeados a la centésima mas próxima.
  

Cúbica simple (CS): 0.52 Cúbica centrada en el cuerpo (BCC): 0.68 Hexagonal compacta (HCP): 0.74

  Cúbica centrada en las caras (FCC): 0.74 Cúbica diamante: 0.34 .

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.

.

.

287 X 10-9 nm ? .PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METÁLICAS La mayoría de los metales elementales (90%) cristalizan en tres estructuras cristalinas densamente empaquetadas: cúbica centrada en las caras FCC. si a temperatura ambiente la arista es igual a 0. hexagonal compacta HCP y cúbica centrada en el cuerpo BCC debido a que se libera energía a medida que los átomos se aproximan y se enlazan cada vez más estrechamente entre sí. Ejemplo ¿ Cuántas celdas unidad hay aproximadamente en el Fe puro BCC si las aristas de la celda estuvieran alineadas arista con arista en 1 mm. Por lo tanto dichas estructuras densamente empaquetadas se encuentran en disposiciones u ordenamientos de energía cada vez más baja y estable.

De este modo.74. Estructura Cristalina Cúbica Centrada en las Caras FCC. El APF de esta estructura de empaquetamiento compacto es 0. En esta celda hay un punto reticular en cada vértice del cubo y otro en el centro de cada cara del cubo.68. El cristal BCC no es una estructura totalmente compacta. . Molibdeno y Vanadio tienen estructura cristalina BCC. Un octavo de átomo en cada vértice (8 x 1/8=1) y seis medios átomos en el medio (1/2 x 6= 3). Wolframio. El modelo de esferas sólidas indica que los átomos de esta estructura están unidos del modo más compacto posible. Hierro. Los átomos en este tipo de celdas contactan entre sí a través de la diagonal del cubo. el factor de empaquetamiento atómico (APF) puede hallarse empleando la siguiente expresión: El APF de esta celda es 0.Estructura Cristalina Cúbica Centrada en el Cuerpo BCC En esta celda unidad las esferas sólidas representan los centros donde los átomos están localizados e indican sus posiciones relativas. Cada una de estas celdas unidad tiene el equivalente de 2 átomos por celda unidad. Un átomo completo esta localizado en el centro de la celda unidad. ya que los átomos aún podrían situarse más juntos. hay un total de 1 (en el centro) + 8 x 1/8 (en los vértices) = 2 átomos por celda unidad. es decir. y un octavo de esfera esta localizado en cada vértice de la celda unidad. En esta celda unidad el átomo central esta rodeado de 8 vecinos más cercanos y se dice que tiene por lo tanto un número de coordinación de 8. haciendo el equivalente de otro átomo. Esta celda tiene el equivalente a cuatro átomos por celda unidad. el 68% del volumen de la celda esta ocupado por átomos y el 32% restante en espacio vacío. Muchos metales como el Cromo. y la relación entre la longitud de la cara del cubo a y el radio atómico R es: Si los átomos en la celda BCC se consideran esféricos.

047nm3x(1X10-9m)3 = 4.1278 nm y considerando que los átomos son esferas sólidas que contactan a lo largo de las diagonales de la celdilla unidad FCC.Los átomos en la celda FCC contactan entre sí a lo largo de la diagonal de la cara del cubo. ¿ Cuál es el valor teórico de la densidad del Cu ? Masa atómica del Cu=63.54 g/mol 1/8 * 8= 1 átomo ½ * 6= 3 átomo a 4 átomos en la celda FCC figura 5 Parámetro de Red: Volumen de la celda: V=a3 = (0.361nm)3 =0. de tal forma que la relación entre la longitud de la cara del cubo y el radio atómico es: Metales como el Aluminio. Ejemplo El Cu posee una estructura FCC y un radio atómico de 0. el Plomo. el Cobre. el Níquel y el Hierro a temperaturas elevadas (912 a 1394°C) cristalizan según la estructura FCC.7 x 10-29 m3 Masa de los átomos de Cu en la celda: .

existen 6*1/6 secciones de átomos localizados en las capas de arriba y de abajo. Berilio. etc. tres forman un triángulo en la capa intermedia. El APF es 0. Estructura Cristalina Hexagonal Compacta HCP Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque el APF es demasiado bajo. ÍNDICES DE MILLER Celdas Cúbicas. haciendo un equivalente a 2 átomos más.Densidad Volumétrica: El valor tabulado experimentalmente es de 8. Cada átomo esta rodeado de otros 12 átomos y por tanto su número de coordinación es 12.74 ya que los átomos están empaquetados de un modo lo más cercano posible. lo que indica que los átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celda unidad HCP. Los metales Cinc. La relación c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1. La celda HCP posee 6 átomos. .633 que indica esferas uniformes tan próximas como sea posible. a la ausencia de átomos en las posiciones atómicas. Los metales como el Titanio. a defectos en la red.96 . Por tanto en estos metales los átomos están comprimidos a lo largo de la dirección del eje c. la diferencia se debe a que los átomos no son esferas perfectas. finalmente existen 2 mitades de átomo en el centro de ambas capas superior e inferior. Los índices de Miller de un plano cristalino están definidos como los recíprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes x. Cadmio poseen una relación c/a más alta que la ideal. haciendo el equivalente de un átomo más. Magnesio Y Circonio entre otros tienen relaciones c/a menores que la ideal.

Las aristas de una celda cúbica unitaria representan longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de una red se miden en base a estas longitudes unitarias. El procedimiento para determinar los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico es el siguiente: Escoger un plano que no pase por el origen en (0.0. Ejemplos . La notación (hkl) se emplea para indicar los índices de Miller en sentido general.0) Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x. donde h. k.y. z de los tres lados no paralelos del cubo unitario. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias. y. y l son los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico de ejes x. Construir los recíprocos de las intersecciones. Estos números enteros son los índices de Miller de un plano cristalográfico y se encierran entre paréntesis sin usar comas. y z respectivamente. z cristalográficos para un cubo unitario. Despejar fracciones y determinar el conjunto más pequeño de números enteros que estén en la misma razón de las intersecciones. y.

Por ejemplo. 0. las intersecciones son: 1. . por lo tanto los recíprocos son: 1. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son indicados con los mismos índices de Miller. y. se llaman familia de planos. 0.figura 6 Las intersecciones del primer plano son 1. Los índices de Miller para este plano son: (1 0 0 ). siendo los índices de Miller (1 1 0). 1. a los ejes x. el plano ha de ser desplazado a una posición equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo al original. Finalmente. Para la segunda figura. y los recíprocos de estos números son 1. tiene las intersecciones 1. y los índices de una familia de planos son encerrados entre llaves. 1. Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno ó más cortes se hacen cero. los índices de Miller de los . z respectivamente. Si grupos de planos de redes equivalentes están relacionados por la simetría del sistema cristalino. 1. 0 no involucran fracciones. el tercer plano. 1 que nos dan un índice de Miller (1 1 1).

k e i mientras que el reciproco de la intersección con el eje c da el índice l.a3 proporcionan los índices h.a3 es la distancia entre los átomos.a2. Una importante relación sólo para el sistema cúbico es que los índices de una dirección perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los índices de Miller para ese plano. la dirección [100] es perpendicular al plano cristalino (100). son representados por las letras h.a2. se denominan índices Miller-Bravais. Por ejemplo. k. tres ejes básicos a1.a3 que forman 120° entre sí. el cuarto eje o eje c es el eje vertical y está localizado en el centro de la celdilla unidad (Ver figura). La unidad de medida a lo largo del eje c es la altura de la celdilla unidad. l y encerrados entre paréntesis (h. figura 7 . l). i. Se identifican empleando cuatro índices en vez de tres. Estos índices hexagonales están basados en un sistema coordenado de cuatro ejes. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1. k. i.a2.planos de la superficie del cubo (100) (010) y (001) se designan colectivamente como una familia con la notación {100}. Celda HCP. Los recíprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes a1.

el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a1. sino sobre pequeñas regiones de planos paralelos llamados bandas de deslizamiento o líneas de deslizamiento.a2. a través de algún plano (o planos).a2. Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican por cuatro índices [u.Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla. Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los índices de Miller-Bravais para el plano basal HCP. El plano basal es.a3 .a3 respectivamente y el índice w es un vector reticular en la dirección c. sin embargo. las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. ±[011]. El Mecanismo de deslizamiento puede definirse como el movimiento paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes. una respecto a la otra. i=0. Son vectores reticulares en las direcciones a1. Así. K=0. a1 = a2= a3 = .w]. l=1. El deslizamiento no se produce sobre un plano solamente. Esto significa que si se produce el deslizamiento sobre el plano (111) será en alguna de las tres direcciones ± [101]. El eje c. un plano (0001). Así. es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Puesto que todas las líneas de deslizamiento está en grupos paralelos dentro de cada monocristal (cada grano).t. h=0. ±[110]. SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO Un sistema de deslizamiento es la combinación de un plano y una dirección que se halla sobre el plano a lo largo del cual se produce el deslizamiento. . dependiendo de sus espesores. deben corresponder a una misma familia de planos (hkl) ocupados del grano particular. Tales experimentos han revelado que en las estructuras FCC el deslizamiento siempre se produce sobre los planos {111} pero solamente en las direcciones <110>. por tanto.v. Los cristales FCC poseen 12 sistemas de deslizamiento debido a que tienen cuatro grupos {111} y con tres direcciones <110> en cada una. A partir de mediciones sobre especímenes de monocristales de orientaciones conocidas se puede determinar 1) los planos sobre los cuales se produce el deslizamiento y 2) la dirección de deslizamiento dentro de estos planos.

Ag. mientras que para aquellos metales con c/a < 1. 2. por ejemplo. Au. Zr. Mo. Esta observación esta relacionada con el hecho de que los planos empaquetados más densamente también son el grupo de planos (hkl) ocupados que tienen el espaciamiento más amplio. Ta Fe. Ni. <1120>(0001). la relación c/a no es igual al valor ideal de 1. Pb. W. El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayoría de los planos compactos. Ti.En otras estructuras de cristales metálicos. Fe Fe.633 hay alguna preferencia para el deslizamiento sobre el plano basal.633 del modelo de esfera dura. En los metales BCC las líneas de deslizamiento tienen una apariencia ondulada. Existen excepciones.633 los sistemas de deslizamiento preferidos son los otros dos. Be. Mg. El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento que tiene el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su dirección de deslizamiento. Mg. 3. Para los metales c/a > 1. mercurio sólido. Zn. . Na Fe. Co Ti. Mg (0001) {1010} {1011} Tres observaciones generales son de gran importancia: 1. Mo. W. Las direcciones de deslizamiento siempre son en la dirección de empaquetamiento compacto. En estos cristales el deslizamiento se produce predominantemente en los sistemas {110} <111> y la apariencia ondulada se debe aparentemente a deslizamiento simultáneo sobre los otros dos sistemas de planos {211} y {321} . los sistemas de deslizamiento tienen más variabilidad. Nb. Al. En cristales HCP reales. Estructura FCC BCC BCC BCC HCP HCP HCP Dirección de Deslizamiento <110> <111> <111> <111> <1120> <1120> <1120> Planos de Deslizamiento {111} {110} {210} {321} Ejemplos Cu. Latón. K Cd. Be Ti.

. c) c) Su factor de empaquetamiento atómico. b) b) La densidad volumétrica del cloruro sódico.097 nanómetros y sus masas atómicas 35.097 nm) / sqr3 = 0. Se desea conocer: a) a) El índice de coordinación de los iones cloro y sodio. c) c) El factor de empaquetamiento.181 y 0.99 gramos..033 nm3 Junio 99.033 nm3 En cada celdilla hay: átomos de Cl: 6 * (1/2) + 8 * (1/8) = 4 átomos de Na: 1 + 12 * (1/4) = 4 Masa celdilla = 4 *masa Na + 4 *masa Cl = 4* 35. Solución Junio 97..1813 nm3+ 4*(4/3*pi)*0.321 nm Volumen celdilla = lado3 = (0. Los radios atómicos del cloro y el sodio son respectivamente 0.321nm)3 = 0.4 y 22.4 uma + 4 * 22. por ello. Nota: los átomos resultan tangentes en la direcciones tangentes de la diagonal.56 uma Densidad = 233. Se pide: a) a) Calcular el número de coordinación y el número de átomos de cada celdilla elemental b) b) Su radio atómico.a) a) Los dos cristalizan en un sistema cúbico centrado en las caras. b) b) Por ser tangentes los átomos según la diagonal del cubo se cumple que: Diagonal = sqr3 * lado celdilla Diagonal = 2* radio Cl + 2 * radio Na De las dos igualdades anteriores obtenemos: Lado celdilla = (2*0.El molibdeno posee una estructura cúbica centrada en el cuerpo y una densidad de 10.99 uma = 233.033 nm3 c) c) factor empaquetamiento = volumen átomos / volumen celdilla factor emp = (4*(4/3*pi)*0. indicando la estructrura cristalina de cada uno de ellos.0973 nm3) / 0. su número de coordinación es 12.181 nm + 2 * 0.PROBLEMAS Junio 97.56 uma / 0.2 gr/cm3.La red cristalina del cloruro sódico responde a una estructura como la de la figura.

Factor empaquetamiento = Vátomos / Vceldilla= 2* (4/3* pi* R)/ a3 = 0..FCC: BCC: a = 4*R/SQR2 a = 4*R/SQR3 nº atomos celdilla = 4 nº atomos celdilla = 2 Por cada celdilla FCC se formarán 2 celdillas BCC. teniendo en cuenta que los átomos son tangentes según la diagonal del cubo.68 factor empaquetamiento FCC = 0. .Considerando los átomos como esferas compactas: a) a) Comparar el factor de empaquetamiento de una celda FCC y de una celda BCC.a) a) factor empaquetamiento BCC = 0. Solución Septiembre 99. Solución Junio 99.127 nm / (SQR3) =0.a) a) Por ser una estructura cúbica centrada en el cuerpo el número de coordinación es 8 y el número de átomos por celdilla es 2 (el central más 1/8 en cada esquina del cubo).127 nm..Calcula el cambio teórico de volumen asociado a una transformación alotrópica en un metal puro desde una red FCC a una red BCC. ya que el nº de átomos se conserva.293 nm a = (volumen celdilla)1/3= ()1/3 = Junio 01.94 * 10-23 gr/átomo = nº celdillas = (nº átomos/cm3) / (nº átomos/celdilla) nº celdillas = / 2 = volumen celdilla = 1 cm3 / nº celdillas volumen celdilla = 1 cm3 / volumen celdilla = a3 R = sqr3*a/4 = c) c) el factor de empaquetamiento lo obtenemos dividiendo el volumen de los dos átomos entre el volumen de la celdilla.2 gr/cm3 / 95.74 b) b) a = 4* R/ (SQR3) = 4 * 0.El peso atómico del molibdeno es de 95. b) b) nº átomos/cm3 = densidad/ peso molecular nº átomos/cm3 = 10. b) b) Suponer una estructura BCC y calcular el parámetro de red “a”. Solución Junio 01. sabiendo que los átomos tienen un radio atómico de 0.94.68 Septiembre 99.

Septiembre 02.(Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * volumen celdilla BCC / volumen celdilla FCC (Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * (4*R/SQR3)3 / (4*R/SQR2)3 = 1.a= 4*R/SQR3 = 4* 1.483 *10-21cm3 = 4.24 nm/SQR3=2.863 * 10-7 cm)3=23.8% mayor que cuando lo hace en FCC.. Si su radio atómico es 1.24 nanometros.483 *10-21 cm3 nº celdilla = 1 cm3 /23. ¿Cuántos átomos existirán en 1 cm3? Solución Septiembre 02.5 * 1019 átomos .863 nm = 2.25 * 1019 celdillas nº átomos = nº celdilla * nº átomos/celdilla nº átomos = 4. a pesar de que la celdilla BCC es más pequeña.088 Luego cuando cristaliza en BCC es un 8.25 * 1019 celdillas * 2átomos/celdilla = 8.Un metal cristaliza en la red cúbica centrada en el cuerpo.863 * 10-7 cm nº átomos por celdilla = 2 átomos Vceldilla = a3 = (2.

.

covalentes.b. con enlaces fuertes.entre moléculas ). característica que hace que sólo existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais).entre átomos y más débiles– van der Waals. La geometría de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de átomos sin dejar huecos.c y α . El siguiente procedimiento que permite asignar índices de Miller está simplificado y sólo sirve para el sistema cúbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ). que. caracterizadas por una celda unitaria cada una. Para ilustrar el procedimiento. consideremos la siguiente superficie /plano: . . a su vez viene definida por una serie de parámetros (a.Índices de Miller Los átomos en un sólido están empaquetados. β . Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los índices de Miller (para planos (hkl). La orientación de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando como el plano corta a los ejes cristalográficos principales del sólido. para direcciones [hkl]). un conjunto de números que cuantifican los cortes y que sólo puede usarse para identificar un plano o una superficie. La aplicación de un conjunto de reglas conduce a la asignación de los índices de Miller (hkl).de largo alcance (sólidos cristalinos) En el interior de un sólido cristalino existe una estructura cristalina formada por una red espacial. γ). con lo que existe un cierto grado de orden: .de corto alcance (sólidos moleculares. en cada punto de la cual se sitúan grupos de átomos idénticos en composición y orientación (base).

y. ∞. En este caso la intersección con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es paralela a los ejes y. z/c). respectivamente. lo que nos conduce a (100).La superficie (111) . Paso 2: especificar los cortes en coordenadas fraccionarias. Los recíprocos de 1 y ∞. Los cortes son a.z) en una celda unidad de dimensiones a x b x c. ∞. son 1 y 0.a. por convención. En nuestro caso ( celda cúbica). las coordenadas fraccionarias serán: a/a. Paso 3: obtener los reciprocos de las coordenadas fraccionarias Este paso final genera los índices de Miller que.z. Los índices se encierran entre paréntesis () cuando se especifica una única superficie como en este ejemplo. cortes fraccionarios: 1. z (consideramos que los corta en ∞). Las coordenadas se convierten en fraccionarias dividiéndolas por la dimensión de la celda unidad.∞ . ∞/a. han de especificarse sin estar separados por comas.La superficie (110) cortes: a. Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cúbico. y/b. tiene las coordenadas fraccionarias (x/a. ∞/a.1.1.0) 2. índices de Miller: (1. Otros ejemplos: 1. Por ejemplo un punto (x. ∞.∞ .∞.y. es decir 1.Paso 1: identificar las intersecciones con los ejes x.

a. el signo negativo debe aparecer en el índice de Miller (ejemplo (00-1) se escribe (001) (iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes pricipales. por tanto deben usarse cuatro índices de Miller (ejemplo (0001)) . cortes fraccionarios: 1. índices de Miller: (1.a .∞ .a. cortes fraccionarios: 1/2. pero hay un número infinito de otros planos que pueden definirse usando los índices de Miller. Estas superficies tienen especial importancia.1. índices de Miller: (210) Notas adicionales: (i) en algunos casos los índices de Miller se multiplican o dividen por algún factor común para simplificarlos. 3. Esta operación simplemente genera un plano paralelo que está a distancia diferente del origen de la celda particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al dividir por dos) (ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes. 1.∞.1) Las superficies consideradas hasta ahora (100).Las superficies (210) cortes: a/2. (110) y (111) son las llamadas superfícies de índice bajo de un cristal cúbico (el termino bajo hace referencia a que los índices son 0 o 1).cortes: a.1.1 .

son perpendiculares. Esta característica es única del sistema cúbico y no se puede aplicar a sistemas de simetría inferior. En el sistema cúbico el plano (hkl) y el vector [hkl]. Los cortes con los ejes serán. 1/6. por tanto x=2. La distancia entre planos en el sistema cúbico viene dada por: Ejemplo MIL1 Determinar los valores de la intersección con los ejes x.1.1/3. z de un plano cuyos índices de Miller son (362).5 A. Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura cristalina cúbica de parámetro de red igual a 3. y. 1/2 y se reducen a fracciones equivalentes con los números enteros menores posibles (aplicando el mcm= 6). z=3. cualquier superficie que pertenezca a este conjunto de superficies de simetría equivalente puede ser descrita por la notación {100}. en la que los índices de Miller de una de las superficies están representados entre llaves.En el dibujo las tres superficies están relacionadas por los elementos de simetría del cristal cúbico y son totalmente equivalentes. calcular la distancia interplanar. La distancia entre estos planos se obtiene a partir de: . De hecho hay un total de 6 caras relacionadas por elementos de simetría y equivalentes a la superficie (100). A partir de los índices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3. obteniéndose 1/2. definido con respecto al origen. y=1.

REDES CRISTALINAS
Para una apropiada asimilación de lo que significa el orden interno cristalino, se ha de comenzar por la visualización y definición, a través de vectores traslación, del orden interno monodimensional , constituido por las diferentes direcciones de la red que definen, por su periodicidad, filas reticulares donde los nudos están alineados y equidistantes entre sí.

Fila reticular
Se trata de una fila de nudos obtenida por aplicación sucesiva de una traslación definida. El símbolo de las filas reticulares se denomina como los índices [uvw] que son los componentes del vector traslación que une dos nudos adyacentes de la fila considerada expresados en función de un par primitivo cuyo origen se sitúa sobre uno de estos dos nudos. Por ejemplo, para las filas fundamentales:

Para otras filas reticulares:

Plano reticular
Un plano reticular queda definido por dos filas reticulares conjugadas. Todo plano reticular puede definirse por sus intersecciones (Ha, Kb, Lc) con los tres ejes fundamentales del cristal. Las dimensiones de estas intersecciones (HKL), medidas desde un nudo tomado como origen son los parámetros del plano reticular correspondiente. Sin embargo, la denominación habitual de un plano reticular son los índices de Miller.

Índices de Miller
Se obtienen calculando las intersecciones (H, K, L), o número de traslaciones, con los tres ejes fundamentales del cristal. Posteriormente se invierten y se eliminan denominadores, o bien, se calculan los cocientes entre el producto de las tres intersecciones dividido entre cada una de las intersecciones: (H*K*L= N, N/H= h, N/K=k, N/L=l)

contar el número de traslaciones t1. 1/1=1. b y c. El plano ABD ocupa: . b y c. no existen denominadores Índices de Miller: (001) 1º. Deducir las intersecciones de cada plano con los ejes cristalográficos a. t2 y t3 que ocupa el plano sobre los ejes a. L=1. 1/æ=0. Es decir.Intersecciones: H=æ. Invertimos: 1/æ=0. K=æ.

2 y 4. 1/4. 2t2 en el eje b. 2t2 en el eje b. Para calcular los índices de Miller de cada plano. y 4t3 en el eje c 2º. 1/4. sin denominadores queda 121 Índices de Miller: (121) * Este símbolo entre paréntesis (hkl) nombra el plano dado. se invierten los valores y. 1/4. Celda unidad . 1/2. 1/4. y 4t3 en el eje c El plano EBD ocupa: 4t1 en el eje a. mientras que entre corchetes {hkl} indica todos los planos homólogos que resultan de aplicar los elementos de simetría del cristal al plano (hkl). 2/4. Su inversión es: 1/2. a partir de estas intersecciones. Reducimos fracciones. Reducimos fracciones.2t1 en el eje a. si es necesario. Sin denominadores queda 221 Índices de Miller: (221) El plano EBD corta a los ejes en 4. 2/4. 2 y 4. se reducen las fracciones El plano ABD corta a los ejes en 2. quitando denominadores: 1/4. 1/2. quitando denominadores: 2/4. Su inversión es: 1/4.

La porción del espacio cristalino limitado por estas traslaciones constituye la celda fundamental del cristal y es característica del mismo. ¼ * 4 = 1) . de dimensiones submicroscópicas. Se denomina celda primitiva aquella que no tiene nudos en su interior y celda múltiple a la que si los tiene y está definida por vectores múltiples que son múltiplos enteros del vector traslación unitario de igual dirección.En una red cristalina existen siempre tres traslaciones no coplanarias que tienen las dimensiones mínimas entre todas las traslaciones posibles de la red: son las traslaciones fundamentales o constantes reticulares. Se llama multiplicidad al número de nudos que hay por celda elemental (todas las celdas primitivas de una red tienen multiplicidad 1 .

CRISTALOGRAFÍA Ciencia que se dedica al estudio y resolución de estructuras cristalinas. se ordenan en el espacio de acuerdo a determinados tipos de redes geométricas. Las partículas de los cuerpos sólidos. Los sólidos cristalinos tienden a adoptar estructuras internas geométricas basadas en líneas rectas y planos paralelos. que da a los sólidos su consistencia y la mayor parte de sus propiedades. de uno o más electrones. salvo excepciones. Los componentes de los sólidos pueden ser de cuatro tipos:   Átomos: partículas elementales de materia con carga eléctrica neutra. la forma y la geometría de estos cristales. Esta ordenación. Iones: átomos con carga eléctrica negativa (aniones) o positiva (cationes) debidos a la transferencia o recepción. La mayoría de los minerales adoptan formas cristalinas cuando se forman en condiciones favorables. respectivamente. también llamadas cristalinas. constituye el campo de estudio de la cristalografía. La cristalografía es el estudio del crecimiento. .

Estas hacen que desde todos los nodos de una red de bravais tengan la misma perspectiva de red. Por la teoría de grupos se ha demostrado que solo existe una única red de bravais unidimensional (simple secuencia de nodos equidistantes entre sí).1 REDES DE BRAVAIS El nombre de bravais viene del Físico y mineralogista francés. Moléculas: agrupación de varios átomos del mismo o de diferentes elementos. 5 redes bidimensionales paralelogramos (2D) y 14 modelos distintos de redes tridimensionales paralelepípedo (3D). que explica los fenómenos de simetría y anisotropía de las sustancias cristalinas. Profesor de física y de astronomía Auguste Bravais que estableció la teoría reticular. Esta teoría.  Grupos iónicos: agrupación de varios iones de los mismos o diferentes elementos químicos. fue posteriormente demostrada gracias a la difracción por rayos X. según la cual las moléculas de los cristales están dispuestas en redes tridimensionales. sus objetivos son entre otros la clasificación de los grupos. Las redes de bravais son una disposición infinita de puntos conformando una estructura bajo cierto grupo de traslaciones. en la mayoría de casos no se dan cambios bajo rotaciones o simetría rotacional. . sus propiedades y sus aplicaciones. GEOMETRÍA DE LAS REDES DE BRAVAIS Estructura algebraica conocida por grupos que tiene una secuencia ordenada. por esto se dice que los puntos de una red son equivalentes. Redes Unidimensionales: La red unidimensional es elemental siendo ésta una simple secuencia de nodos equidistantes entre sí. 3.

β : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y c. Estas celdas vienen definidas por tres traslaciones: a. Obviamente. Las redes tridimensionales están formadas por la repetición de celdas unidad tridimensionales. Además. b y c. un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura sigue un patrón de red en panal. de las más conocidas son: . Redes tridimensionales: Para las redes de Bravais tridimensionales existen solamente siete grupos puntuales posibles y 14 grupos espaciales. vienen definidos tres ángulos: α : es el ángulo que forman entre sí los vectores b y c. Esto permite clasificar todos los cristales en siete sistemas cristalinos (según el grupo puntual) y en 14 redes de Bravais (según el grupo espacial). siendo a y b las traslaciones de la red plana. existen 14 tipos distintos de redes tridimensionales. γ : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y b (los de la red plana). varios grupos espaciales comportan el mismo grupo puntual. y c la traslación de dicha red plana en una dirección diferente (generalmente correspondiente al plano vertical). De acuerdo con Bravais.Redes bidimensionales: Según los ángulos y la distancia entre los nodos se distinguen 5 redes distintas.

2 SISTEMA CÚBICO Y HEXAGONAL.wikipedia. circuitos integrados y otros sistemas modernos. (Autor).files.qi. las cuales tienen un arreglo asignado debido a su distribución atómica y que tienen un gran uso en la actualidad para semiconductores. FCC y HCP. William F.pdf http://www. James F. 3. Nuria (Traductor). a continuación se estudiarán dichas estructuras.ar/materias/qi2/_teoricas/solidos_primera_parte. Smith.com/2008/09/estructura11. FCC.org/wiki/Redes_de_Bravais Introducción a la ciencia de materiales para ingenieros: Shackerlford.pdf http://es.BIBLIOGRAFIA:    http://elcrisoluspt. (Autor).3 FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO INTRODUCCIÓN El estudio de las siguientes estructuras cristalinas las cuales pertenecen en gran proporción a los metales puros solidifican en tres estructuras cristalinas compactas BCC.fcen. Hashemi. . Javad (Autor) 3.wordpress.uba. éstas estructuras son estudiadas a partir de una pequeña porción que contenga el patrón de ordenamiento. HCP. Martin. CRISTALES BCC.

2-1 se puede observar dicha estructura.2-1. y es equidistante de los ocho átomos de las esquinas. ¿cuantos átomos contiene la estructura cristalina BCC en cada celda unitaria? (a) (b) figura 3. Centro: 1 átomos = 1 átomo. es decir que 8 es el indice de la eficiencia de la condensación átomica . (b) átomos que se aproxíman entre sí McMaster_BCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei De la estructura cristalina BCC los átomos que cortan las esquinas son octavos de dichos vecinos próximos. se dice por lo tanto que tiene un número de coordinacion (NC) de 8. además está contenido un átomo en su totalidad en el centro. modelos esquemáticos de la estructura BCC: (a)arreglo abierto. Ahora . . por lo tanto tenemos : Esquinas: (1/8) × 8 átomos = 1 átomo. en la figura 4.ESTRUCTURA CÚBICA DE CUERPO CENTRADO Se denomina estructura de cuerpo centrado (body centred cubic) porque uno de los átomos se encuentra contenido justo en el centro del cubo o celda unitaria.

lo que significa que el látice que conforma el conjunto parcialmente ordenado que consta de dos elementos (en este caso átomos) tiene una mínima cota superior y una máxima cota inferior. ¿Se puede afirmar esto sin temor a alguna equivocación? la respuesta es acertada pues se debe recordar que cada átomo de cristal está rodeado por un arreglo idéntico de átomos en el látice espacial repetitivo.2-2estructura cristalina BCC donde se muestra la relación entra la constante de red a y el radio atómico R En la celda unidad BCC los átomos de cada vértice contactan entre sí a través de la diagonal del cubo.2-2.1) 4R es el número de radios que atraviesa la diagonal de las esquinas opuestas La demostración de 4. figura 3.1 se hace simple y por trigonometria. y determinados el parámetro de látice (a) y el radio atómico (R). se define un factor de condensación atómica o factor de empaquetamiento. donde los elementos cumplen las operaciones de simetría de una estructura. como se muestra en la figura 4.Total = 2 átomos/ celda unidad. y está dotado de una ley de composición interna de aplicación sucesiva que se puede modelar matemáticamente. Otro factor importante a calcular es el volúmen de la celda unidad BCC y de cualquier celda que está ocupada por átomos . . para esto se asume que las esferas son rígidas. por que la relacipon entre la arista del cubo a y el radio atómico R es √3 a=4R o a=4R/√3 (4.

Ejemplo 3.2).2 a Calcule el factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC. Para evaluar la eficiencia de la estructura cristalina o cuán eficiente estan arreglados los átomos se calculará el volúmen atómico contenido en la celda unitaria en relación con el volúmen total de la celda unitaria como sigue: APF= volúmen de átomos en una celda unidad/ volúmen de la celda unidad (3.FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (APF) Generalmente se acepta que la naturaleza favorece los arreglos y estados de la materia que tienden a minimizar los niveles de energía (energía potencial). por ello podemos preguntarnos qué tan eficiente es en verdad el arreglo de un cristal y si es razonable asumir un empaquetamiento denso. El enlace metálico no es direccional. para este ultimo se realiza la convención de:  Generalmente sólo está presente un elemento. considerando los átomos como esferas rígidas solución: APF=Volumen de los átomos en la celda unidad BCC / Volumen de la celda unidad BCC Puesto que tenemos dos átomos por celda unidad BCC. V_átomos= (2)(4/3 Π R^3) El volumen de la celda unidad es: . por lo que todos los radios atómicos son iguales. La distancia a los primeros vecinos tienden a ser cortas para disminuir la energía de enlace. la nube electrónica cubre a los núcleos.    Entonces. el volumen de los átomos de radio R en una celda unidad es.

125 Hierro 0.373 R^3 / 12. V_celda unidad= a^3=12.330 0.231 Sodio 0.32 R^3 El factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC resulta ser. que muestra cómo los átomos de la celda unidad contactan a través de la diagonal del cubo.143 .289 0.429 0.124 Molibdeno 0. así.V_celda unidad= a^3 Donde a es la constante de red. √3 a=4R Así.186 Tántalo 0.315 0.68 Ahora.533 0.32R^3 = 0. Constante de red a metal (nm) radio atómico R (nm) Cromo 0. APF= (V_átomos/celda unidad) / V_celda unidad = 8.136 Potasio 0. La relación entre a y R se obtiene a partir de la figura 3.287 0. se establecerán las siguientes realciones de constante de red a y radio atómico para materiales que tienen estructura cirstalina BCC a temperatura ambiente de (20°C).2-2.

137 Vanadio 0. entonces: a= (4(0.304 0. tenemos: √3 a=4R Donde R es el radio atómico del tántalo.330nm ESTRUCTURA CÙBICA CENTRADA EN LAS CARAS .316 0.143nm.Volframio 0. Calcule la constante de celda a para la arista del cubo de la celda unidad del tántalo Solución: en la figura 3.2-b El tántalo a 20°C es BCC con átomos de radio atómico 0.132 Ejemplo 3. si a es la arista del cubo.2-2 se ve que los átomos de tántalo en la celda unidad BCC se tocan a través de la diagonal del cubo.143nm))/√3 = 0.Así .

3-2) con la intención de que la localizacion de los átomos sea clara.2-3 estructura cristalina FCC Otro tipo de arreglo cristalino cùbico es el FCC (face centred cubic). La mitad de cuaquier átomo se la faz se encuentra en una celda unitaria y la otra mitad está en la celda adyacente.4. en las posiciones de los nudos de la red de Bravais del mismo nombre (figura 4. por lo tanto.3-1). es situandose mentalmente en el àtomo del centro de una de las caras y contar todos los átomos en contacto con él. o sea. se puede determinar la cantida de átomos asociados con la celda unitaria de esta estructura como sigue: . examinando el cristal. existen seis átomos centrados en las caras que se comporten entre esta celda y sus vecinas inmediatas. De nuevo se separó mucho el arreglo de la celda (fig. la forma mas sencilla de comprender esto.figura 3. además de los ocho átomos de esquina. su diferencia entre las estructuras cristalinas difiere porque en cada faz (cara) existe un átomo colocado en ella y en los vértices de las celdilla unidad. El nùmero de coordinacion la estructura FCC es de 12.

por lo que la relación entre la arista del cubo a y el radio atómico R es: √2 a =4R o a= 4R/ √2 (4. Celda unidad FCC con su respectivo arreglo atómico McMaster_FCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei Esquinas: 8 × 1/8 = 1 àtomo Caras: 6 × 1/2 = 3 àtomos Total = 4 àtomos /celda unitaria Nótese que la cantidad de átomos por celda unitaria se duplicaron con relación a la del sistema BCC.68 de la estructura BCC.3) El APF para la estructura cristalina FCC es de 0. níquel y hierro a termperatura elevada ( de 912 a 1. . Un APF de 0. con seguridad. plomo. éste es el indicio de una condensación atómica mas eficiente en el látice.figura 3.394 °C) cristalizan en la estructura FCC. En la celda FCC los átomos contactan en la diagonal de la cara del cubo como se indica en la figura 4. Muchos metales como el aluminio. cobre. que contiene el equivalente de dos átomos por celda unidad.2-4.74 es el máximo de compacto posible para átomos esféricos. Metales que tienen estructura cristalina FCC a temperatura ambiente (20°C) y su constante de red y radio atómico.74.3-3. que es mayor que el factor 0.

144 Plomo 0.128 Oro 0. presenta un arreglo de alta densiad en sus átomos.143 Cobre 0.3615 0.352 0.405 0.125 Platino 0.408 0.409 0. los cuales en su tercer capa o plano se encuentran directamente por encima de los átomos del primer plano como indica en a figura 3. (a) .393 0.175 Níquel 0.2-3.139 Plata 0.495 0.144 ESTRUCTURA HEXAGONAL DE EMPAQUETAMIENTO CERRADO El tercer tipo principal de estructura cristalina es HCP.metal Constante de red a (nm) radio atòmico r (nm) Aluminio 0.

contribuyendo con un equivalente de dos átomos mas por celdilla ( 2 × 6 × 1/6 =2). Una celda HCP tiene un equivalente a seis átomos por celda unidad: Tres átomos forman un triángulo en la capa intermedia como queda reflejado por las posiciones atómicas en la figura 4. De entre los metales cinc. hay medio átomo más por celdilla. Finalmente. b) de posiciones atómicas. . McMaster_HCPs_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei El número de coordinación de los cristales HCP es el mismo que para los FCC e igual a 12.4-1. Hay seis × 1/6 secciones de átomos en las capas superior e inferior. El factor de condensaciòn atómica es e mismo que el de FCC e igual a 0. considerando el átomo central en un plano base. Se puede verificar esta cantidad con los átomos vecinos más próximos. cadmio. La relación entre la altura c del prisma hexagonal de la estructura y el lado a de su base se llama relación c/a para algunos metales HCP. a) de esferas rígidas.74. lo que hace un total de 12 átomos vecinos más próximos. Los metales como el magnesio. generalmente se conocen las estructuras FCC y HCP como empaquetamiento cerrado por que son las dos formas de arreglar esferas idéntica con la densidad mas grande posible y que aún exhiben periocidad. más tres átomos que se localizan cada uno en el plano adyacente paralelo. Así.(b) figura 4. entre otros. el número toral de átomos por celdilla unidad en la estructura HCP es de 3 + 2+1 = 6.2-2 b. celda unidad HCP. este átomo está rodeado por tres átomos en su propio plano base. tiene una relación c/a superior a la ideal lo que indica que los átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celdilla unidad HCP.

cobalto, circonio, titanio y berilio tienen una relacion c/A menor que la ideal, por tanto, en estos metales los átomos están ligeramente comprimidos en la dirección del eje c. Así, estos metales presentan ciertas desviaciones del modelo ideal de esferas rígidas. A continuación se hará la comprobación del valor del factor de empaquetamiento en una estructura cristalina HCP

figura 4.4-2 diagramas para calcular el volumen de la celda unidad HCP

Ejemplo 4.4-A Calcular el volumen de la celdilla unidad de la estructura cristalina del cinc a partir de los siguientes datos: el cinc puro tiene una estructura cristalina HCP con constantes de red a=0,2665 nm y c= 0,4947 nm. solucion: El volumen de la celdilla unidad HCP puede obtenerse determinando el área de la base de la celdilla unidad y multiplicando ésta por la altura figura 4.4-2. El área de la base de la celdilla unidad es el área de la parte inferior del hexagono, de forma que el área total es la suma e las áreas de los seís triángulos equiláteros de área, a partir de la figura 4.4-2 podemos deducir lo siguiente:

Volumen de la celdilla unidad del cinc HCP = (3a^2 sen 60°)(c) = (3)(0.623 -0.4-2b.2665 0.0913 nm^3 Materiales con estructura cristalina HCP a temperatura ambiente (20°C) y sus constantes reticulares. Área toal de la base HCP = (6)(1/2 a^2 sen60°) = 3 a^2 sen 60° A partir de la figura 4.149 1.160 1.800 +15.66 .2665 nm)^2 (0.4947 nm) = 0.633 0 Magnesio 0.133 1.4-2 b)= 1/2 (base)(altura) = 1/2 (a)(asen 60°) = 1/2 a^2 sen60° A partir de la figura 4.6 HCP ideal 1.3209 0.4947 0.7 Cinc 0. su radio atómico y su relación c/a Constante de red a ( nm ) % desviación de la Metal a c Radio atómico r Relación (c/a) relación ideal Cadmio 0.2973 0.Área del trinángulo ( figura 4.5618 0.4-2a.8660) (0.856 +13.5209 0.

4069 0.45 Titanio 0.568 -3.147 1.4683 0.113 1.2950 0. .2507 0.5148 0.593 -2. FCC.98 3.125 1.3584 0.81 Berilio 0.4 DENSIDAD VOLUMÉTRICA Utilizando el modelo de esferas rígidas para la estructura cristalina de la celda unidad de un metal.3231 0.160 1. un valor de radio atómico del metal obtenido por análisis de difracción de rayos X y utilizando la siguiente ecuación obtenemos la densidad volumétrica de un metal: Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad) Para aplicar la fórmula mencionada debemos recordar los parámetros de red de las estructuras cristalinas presentes en los metales (BCC.587 -2.623 -0.66 Circonio 0. HCP).2286 0.Cobalto 0.

BCC: a = 4r/√3 volumen: a³ FCC: a = 4r/√2 volumen: a³ HCP: a = 2r c = [√ (2/3)]*4r volumen: (3/2)*√3*a²*c .

02×1023 átomos/mol Obteniendo: ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] El valor obtenido mediante ésta ecuación puede variar ligeramente del valor experimental consignado en tablas. lo cual debe atribuirse a la ausencia de algunas posiciones atómicas.También podemos expresar esta ecuación de forma más general teniendo en cuenta que la masa celda unidad es: (Número de átomos celda unidad) * (Peso molecular de los átomos) Y volumen celda unidad es: (Volumen celda unidad)*(Número de avogadro) Número de avogadro = 6. .

Considerando a los átomos como esferas rígidas que se colocan entre sí a lo largo de la diagonal de la celda unitaria FCC.4.1278 nm. la masa m de los átomos de Cu en la celda unitaria es: m = [(4 átomos)*(63. Así: a = 4R/√2 = (4*0.defectos de línea.361 nm * (10 -9 m)/nm]³ V = 4. Otra causa de esta situación puede deberse también a que los átomos no son esferas perfectas.1: El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atómico de 0. Solución Para la celda unitaria FCC.361 nm Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad) En la celda unitaria FCC hay cuatro átomos/celda unitaria.54 g/mol. √2a =4R.02×1023 átomos/mol).54 g/mol)/(6.54 g/mol)*(6.02×10²³ átomos/mol)] * (10*10-6 Mg)/g m = 4. EJEMPLOS Ejemplo 3. La masa atómica del cobre es de 63. donde a es la constante de red en la celda unitaria y R es el radio del átomo de cobre. calcule el valor teórico de la densidad del cobre en mega metros por metro cubico. y uniones defectuosas entre los granos (limites de grano). Así.1278 nm)/√2 = 0.70 * 10 -29 m³ Así la densidad del cobre es: . Cada átomo de cobre tiene una masa de (53.22 * 10 -28 Mg El volumen V de la celda unitaria del Cu es: V = a³ = [0.

02 * 10 ²³) = 7. significa imperfecciones respecto al arreglo atómico.54 * 10 -24 cm³/celda Número de avogadro = Na = 6.98 Mg/m³ Ejemplo 3.4.ρv = m/v = (4.870 g/cm³.847 g/mol Volumen de la celda unitaria = a³ = (2.70 * 10 -29) = 8.98 Mg/m³ Respuesta: ρv (cobre) = 8.02 * 10 ²³ átomos/mol ρv = [numero de átomos por celda * peso molecular de los átomos]/ [volumen de la celda unitaria * numero de avogadro] ρv = (2*55.2: Determine la densidad del hierro BCC. Solución Para una celda BCC.3: .4.866 * 10 -8 cm)³ = 23. Átomos por celda = 2 a = 0.882 g/cm³ Respuesta: ρv (hierro) = 7.22 * 10 -28 Mg)/(4.882 g/cm³ La densidad medida es 7.847) / (23. cuyo parámetro de red es 0.2866 nm.54* 10 -24 * 6. La pequeña discrepancia entre las densidades teórica y medida es una consecuencia de los defectos en el material. Ejemplo 3.2866 nm Masa atómica = 55. Como se dijo antes el término “defecto” en este contexto.

Calcule el valor teórico de la densidad de la plata en g/cm³.87 g/mol Masa = [(4 átomos * 107.La plata tiene una estructura cristalina FCC con un radio atómico de 0.87 g/mol) / (6.144 nm.72 g/cm³.167 * 10-²² g Volumen para una celda BCC = a³ donde a =4r/√2 Entonces tenemos: Volumen en cm³ = [((4 * 0.756 * 10-²³ cm³ Respuesta: ρv (plata) = 10. Solución: Masa atómica (Ag) = 107. El peso atómico del torio es de 232 g/mol.167 * 10-²² g / 6. . Solución. b) El radio atómico del torio.4: La densidad del torio que tiene una estructura FCC es de 11.4.756 * 10-²³ cm³ Así la densidad teórica de la plata es: ρv = m/v = 7.608 g/cm³ Ejemplo 3.02 * 10²³ átomos/mol)] Masa = 7. Calcule: a) El parámetro de red.144*10-9 m) / √2)*(100 cm / 1 m)]³ Volumen = 6.

82*10-²³ cm³ / 11. La densidad es 9.36*10 25 r³ = 6. Determine: a) El volumen de la celda unitaria.799*10-8 cm) / √2 Respuesta: a = 5. Solución.72 g/cm³ = (4 átomos * 232 g/mol) / [(4r/√2)³ * 6.72 /cm³ = 928 / 1.4. Utilizando ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Tenemos: 11.a) Como es una es una estructura FCC el parámetro de red a = 4r/√2 y el volumen de la celda es a³. b) Cuantos átomos Existen en cada Celda unitaria. con a = 0.98 g/mol.799*10-8 cm b) Usando a = 4r/√2 tenemos: a = (4 * 1.02*10²³ átomos/mol] Despejando r: r³ * 11.5: El bismuto tiene una estructura hexagonal.72 Respuesta: r = 1.186 nm.4546 nm y c = 1. .088*10-8 cm Ejemplo 3.808 g/cm³ y el peso atómico es de 208.

808 nm Respuesta: V= 0.4546 nm)² *9.a) Mirando la figura de la celda hexagonal compacta y teniendo en cuenta que el volumen es la base multiplicada por la altura (c) y además descomponiendo esta base en 6 triángulos equiláteros.637*10-²¹ cm³ Reemplazando todos los datos en ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Y tomando como N = numero de átomos tenemos: 9. que tiene una estructura BCC es 0.09 g/mol.637 nm³ = 0.808 g/cm³ = (N * 208. . podemos llegar a la conclusión de que el volumen de la celda es: V = (3/2)*√3*a²*c Reemplazando tenemos: V = (3/2) * √3 * (0. Calcule: a) El parámetro de red.855 g/cm³. El peso atómico del potasio es 39. b) El radio atómico del potasio.4.02*10²³ átomos/mol) Despejando N Respuesta: N = 18 átomos Ejemplo 3.98 g/mol) / (0.637*10-²¹ cm³ * 6.637 nm³ b) V = 0.6: La densidad del potasio.

5 INDICES DE MILLER Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.336*10-8 cm b) a = 4r/√3 Despejando r: r = [(5.09 g/mol) / (a³ * 6. Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices de Miller. Los índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l) . Reemplazando todos los datos otorgados en ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Tenemos: 0.Solución a) Sabemos que al ser una celda BCC tiene 2 átomos en su interior.855 g/cm³ = [(2 átomos * 39.519*10-²² cm³ Respuesta: a = 5.31*10-8 cm 3.02*10²³ átomos/mol)] Despejando a: a³ = 1.336*10-8 cm) √3] / 4 Respuesta: r = 2.

Y. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho número. el cual está ubicado en la arista inferior izquierda posterior.Los índices de Miller son números enteros. el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte superior. que pueden ser negativos o positivos. y son primos entre sí. Generalmente se asume un origen. el eje X positivo se usa saliendo del papel. en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes negativos Se utilizan celdas unitarias para situar tanto puntos. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se encuentran situados sobre el sistema de coordenadas X. Z. Ejes y celdas unitarias: Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente. . como planos.

usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas positivas y zonas negativas). Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera: 1.1 . Y. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima expresión 4. Ejemplo 3. generando de esta manera el vector dirección y la cantidad de parámetros de red recorridos 3. 2. Encerrar los números resultantes entre corchetes negativo de dicho numero. B y C. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola).5.Direcciones en la celda unitaria: Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés. Dirección A . o números. Z) debe situarse una barra o raya encima Determinar los índices de Miller de las direcciones A. sin comas. si el resultado es en cualquier eje (X. dichas direcciones son los denominados Índices De Miller y son particularmente las posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en su interior cristalino.

0. 2.1.0.-2.0 = 1. Se restan ambos puntos. esto en un sistema cubico es ocasionado por el orden y el sentido de los vectores.-1. 6.1 y ½. Se procede de igual manera. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 2. 1)=-1.0. y se denota entre paréntesis especiales <>. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir . 1 3.0. situando en primer lugar el punto que se desea tener como dirección y sentido (cabeza del vector) 4.-1. Dos puntos son: 1. Es importante resaltar que un material posee las mismas propiedades en todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia. Se procede de igual manera.0. se sitúan con una barra en la parte superior los valores para dichos ejes.1 y 0.0.½.1.0.-1. 0. las direcciones de Miller son vectores.0 3. se restan ambos puntos 4. por ende este puede ser positivo o negativo.0 2.2 5.1. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversión de enteros. Aspectos importantes en el análisis y creación de las direcciones en los Índices De Miller: 1.½. [ 111 ] Dirección C 1.0 = . Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y. 2(. y con ello poseer la misma línea de acción pero diferente sentido. se restan ambos puntos 3.0.1 . ya que es posible redefinir el sistema coordenado para una misma combinación de coordenadas. 3.0.0.-1.0 1. [ 100 ] Dirección B Dos puntos son: 1.1 1.1. Estos grupos reciben el nombre de direcciones de una forma o familia. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes.½. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aun no han sido reducidos.0 2.0 y 0.0 – 0.0 = 1. 1.1 . Dos puntos son: 0.

Como se mencionó anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los cuales los átomos están compactados de manera más estrecha o cercana en la celda unitaria. dichos lugares o planos son en donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación.5. Igualmente para una mejor orientación en los planos de un . deformación y construcción de nuevos elementos y materiales. En general es necesario encontrar o tener en cuenta la posición y dirección cristalográfica de los elementos ya que así podrá aprovecharse al máximo sus propiedades mecánicas. para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales planos de una celda unitaria.Tabla 3. en los metales por ejemplo es más fácil deformarlos en la dirección a lo largo de la cual los átomos están en mayor contacto. Es importante resaltar la orientación y forma en la que puede crecer el cristal.a Direcciones de la familia <110> en el sistema cubico Importancia de las direcciones cristalográficas: Es necesario conocer las direcciones cristalográficas para así asegurar la orientación de un solo cristal o de un material poli cristalino. Planos en la celda unitaria: Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material facilita su deslizamiento y transformación física. En la industria esto es de vital importancia para el uso. Caso ejemplar es el de los elementos magnéticos los cuales funcionan como medios de grabación con mejor y mayor eficiencia si se encuentran alineados en cierta dirección cristalográfica. para así almacenar de manera segura y duradera la información. En muchas ocasiones es necesario describir dichas orientaciones.

se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones.8 Determine los índices de Miller de los planos A. l) respectivamente. Z) = (h. 3. donde N es cualquier numero entero real. 5. Y. esto significara en el plano que para este eje el plano quedara paralelo a él sin tocarlo. Ejemplo 3. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad. k. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un plano cartesiano.5. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X. 2.material podrá existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos mecánicos. 4.Z en función de los parámetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del sistema de coordenadas). Para identificar los planos de importancia se procede de la siguiente manera: 1. si el reciproco es N/∞. caso que no ocurre en el estudio de las direcciones de los Índices de Miller.Y. Los Índices de Miller para planos se representan equivalentemente al sistema cartesiano (X.B y C Plano A .

No existen fracciones que eliminar 4. ya que el plano pasa por el origen.1. x=1 y=1 z=1 2. 1/z=1 3. Es necesario cambiar el origen. z=∞ 3. 1/x=1. esto es debido al cociente entre 1/∞ lo cual con su respectivo limite tiende a ser cero (0) 2. ubicaremos el nuevo origen a la derecha del inicial. (111) Plano B 1. Con el nuevo origen se tiene: x=∞. moviéndolo en dirección del eje Y positivo 2. (210) Plano C 1. y=-1. y= 2.0) 5. 1/z= 0 4. 1/x=1 . 1/y=1/2. 2(1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z. X=1 . Debemos eliminar las fracciones. ½. z=∞ . 1/y=1.

Aspectos importantes para los planos en los Índices de Miller: 1.5. 2. en los sistemas cúbicos. los planos positivos y negativos son idénticos. los planos de forma o familia de planos son equivalentes. siendo este último algo más tedioso. debido a la simetría de la estructura. 1/x=0. 1/z=0 4. No existen fracciones que eliminar 5. 1/y=-1.3. Ejemplo 3. aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante. Esto se demuestra por medio de la densidad planar y el factor de empaquetamiento. los planos y sus múltiplos no son idénticos. Índices de Miller para celdas hexagonales Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de índices de MillerBravais. Se representan con llaves {} 4. análisis y construcción. . 3. aunque para el cálculo de las direcciones existen los métodos para tres ejes o el de cuatro ejes. una dirección es perpendicular a un plano si tiene los mismos Índices de Miller que dicho plano.3 Familia de planos {110} en los sistemas cúbicos Estos planos son inversos en muchos aspectos de estudio. En este se usan ya cuatro ejes. El procedimiento para la obtención de planos y direcciones es el ya estudiado.

teniendo en cuenta que para el eje a3 su existencia radicara en la relación h + k = -i. c=l). Plano A . para los cuales se asignara un eje respectivo (a1=h.5. i. l). k. a3=i. a2=k.En esta nueva estructura se tomaran los índices (h. y la descomposición en cuatro vectores (creación de direcciones en cuatro ejes a partir de los índices en los tres ejes) Relaciones: H= 1/3(2h – k) K=1/3(2k – h) I=-1/3(h + k) L=l Ejemplo 3.6 Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y D.

Dirección C 1. 1/a1=1. .1 3.0 3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4.0.0 = -1.0 2. c=1 2.0. No existen fracciones que eliminar o enteros que reducir 4. c=1 2. se tiene: 0. 1/a2=1. No existen fracciones que simplificar 4. 1/c=1 3.1.0. Los puntos son: 0. A1=1.0. 1/a1=1/a2=1/a3=0. 1/a3=-2. a3=-1/2.0 – 1. (0001) Plano B 1. Realizando la resta y tomando al punto 0.0 2.0.1 como cabeza del vector.0 y 1. Dos puntos: 0. a2=1. 1/c=1 3.1 – 1. a1=a2=a3=∞.0 = -1. La resta genera el vector: 0.0. No hay fracciones que simplificar 4.1.1 y 1.0.0.1.1. Dirección D 1.

Ejemplo de ello tenernos el aluminio. Puede suceder que un material pase de ser anisotropico a isotrópico si sus arreglos son aleatorios en forma policristalina.Comportamiento isotrópico y anisotrópico: A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los materiales presentan comportamientos y desempeños diversos en sus propiedades mecánicas. Se dice que un material es cristalográficamente anisotropico si sus propiedades dependen de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. 3.6 PLANOS CRISTALINOS Dirección en la celda . Si sus propiedades son idénticas en cualquier dirección el material se conoce cristalográficamente como isotrópico. el cual si posee idénticas propiedades en todas las direcciones diremos que es un elemento cristalográficamente isotrópico. pero si se presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como anisotropico. En genera los materiales policristalino as muestran propiedades isotrópicas.

a3 las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Así. Para cristales cúbicos los indices de las direcciones cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeños. Notación para planos Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes. El plano basal es. a1 = ” . a1. i. Los recíprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes. sin embargo. k. Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un vector de dirección desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cúbica) hasta que sale la superficie del cubo. Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varían con la orientación cristalográfica. a1. es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes. a2. Las coordenadas de posición de la celda unidad donde el vector de posición sale de la superficie del cubo después de ser convertidas a enteros son los indices de dirección. a3. Planos en una celda unitaria Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comúnmente utilizando cuatro indices en lugar de tres. Los indices para los planos cristalinos HCP . . estos indices hexagonales de 4indices estan basados en un sistema coordenado de 4 ejes.llamados indices Miller-Bravais. por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) . k e i mientras el recíproco de la intersección con el eje c da el índice l. a2.A menudo. a2. La unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. l y encerrados entre parentesis ( hkil ). Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. que forman 1200 entre si. a1. es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas. Existen 3 ejes básicos. Los indices de dirección se encierran entre corchetes sin separación por comas. Así . a3 proporciona los indices h. H =0 K=0 I = 0 y L=1. El cuarto eje o eje c es el eje vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. son designados por las letras h. a2 = ” a3 = ” El eje c.

html http://www. Para poder determinar cuáles son sistemas existentes.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos. Se define la fracción (1) atómica planar como:  ∂= #ATOMOS INTERSECTADOS/AREA DEL PLANO .rincondelvago. es a lo que se le denomina sistema de deslizamiento. son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina.esi2. con su respectiva dirección de deslizamiento ( densidad lineal) . de tal forma que cuanto mayor es el número de ellos mayor será la capacidad de deformación de éstos. primero tenemos que ver cuáles son los planos y direcciones preferentes. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo (deformación plástica).com/principios-fundamentales-de-la-estructura-cristalinade-los-materiales.us. Pero una definición más formal la densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros localizados dentro de un área dada sobre un plano. INTRODUCCIÓN Inicialmente podemos definir la densidad planar. 110 Y 111.BIBLIOGRAFÍA:   http://html. El área planar seleccionada debe ser representativa de los grupos de átomos repetitivos dentro del plano. éste ocurre en los planos sobre los cuales los átomos están más densamente empacados. PROTECCIÓN DESCRIPTIVA DE PLANOS Y CORTE DE ÁTOMOS. Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fracción atómica planar (FAP) más grande o lo que es lo mismo. La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un plano lo cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos unos con respecto a otros. coma la cantidad de átomos que hay en un determinado plano ejemplo: familia de planos (100).html 3.7 DENSIDAD PLANAR DE FAMILIAS 100. A la combinación de un plano de deslizamiento con una dirección. y es a través de estos sistemas por donde se produce la deformación de los materiales. la combinación de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformación del material.

Sí se coloca un átomo en cada punto de la red de Bravais cúbica centrada en cuerpo. El átomo central toca a todos los átomos de los vértices a través de la diagonal del cubo. tengo 8 átomos en los vértices y uno en el interior. Éste nº de átomos que tocan al átomo central son los vecinos inmediatos y es lo que se denomina nº de coordinación. Estructura cúbica centrada en caras FCC . Luego en esta estructura NC = 8.REDES CRISTALINAS BCC Y FCC Estructura cúbica centrada en cuerpo (BCC) Esta estructura recibe la designación de I y en ella todos los ejes son iguales a = b = c y sus ángulos son de 90º. El parámetro reticular es a.

tendremos 6 átomos en los seis centros de caras. La densidad planar o del plano es 2/a2. Entonces. CALCULO DE LA DENSIDAD PLANAR Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convención. Si colocamos un átomo en cada punto de la red de Bravais cúbica centrada en caras. dentro del área contamos un átomo en el centro y un cuarto de átomo en cada una de las esquinas. Todos los ejes unitarios son iguales y sus ángulos son de 90º. ya que cada uno intercepta solamente un cuarto de círculo en el área. notamos que la huella de la intersección del átomo sobre el plano es un círculo. Si un átomo pertenece totalmente a un área dada.Se designa con la letra FCC. Debemos agregar que en estos cálculos de . tal como la del átomo localizado en el centro de una cara en una estructura FCC. además de los 8 de los vértices. siendo el parámetro reticular a.

es la {110}.la densidad. A continuación veremos el cálculo de la densidad atómica planar de la familia de planos (100). Para poder determinar los sistemas. Por lo que ya solo necesitamos conocer. Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las diferentes estructuras. mientras que para la estructura BCC.Luego los planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. (111): . cuales son las direcciones de deslizamientos. una de las reglas básicas es que un plano o una línea debe pasar a través del centro de un átomo no se cuenta el átomo en los cálculos. (110). veremos que para el caso de la FCC. la familia de planos de mayor densidad planar es la {111}.

.Con los resultados anteriores.9%.5% y para BCC es igual a 58. y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (100) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 78.

el área del plano debe pasar por el centro del átomo. A continuación se mostrará el desarrollo de lo anteriormente mencionado: . por eso.Como ya quedó dicho en la introducción. utilizando geometría analítica. para calcular la densidad planar en una red cristalina BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el átomo central. Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha deducido que el átomo central no corta lo suficiente al área del plano como para tomarse como un átomo representativo. para calcular la densidad planar. para poder tener en cuenta a éste como un átomo representativo. después de esto se pasa a hacer un cálculo de la densidad planar. sin tenerlo en cuenta. Aquello es posible saberlo haciendo proyección del área y del plano.

y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (110) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 55. BIBLIOGRAFIA:   http://www.Con los resultados anteriores.pdf (1) SMITH. Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales . F WILLIAM.3%.es/beatriz.53% y para BCC es igual a 83.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.uhu. Con los resultados anteriores.7% y para BCC es igual a 34%. y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (111) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 90.

En el espectro electromagnético. con alto costo y baja resolución (no se puede hacer microscopía a nivel atómico en forma rutinaria). La difracción hablando en términos físicos. la distancia entre planos cristalinos (d). Resolver algunos ejemplos sobre la aplicación de difracción de rayos x en la cristalografía. más difícil será detectar la difracción. Conocer algunos equipos que intervienen en el uso de rayos x para el estudio de la cristalografía.   CRISTALOGRAFÍA DE RAYOS X La cristalografía de rayos x es una técnica que consiste en hacer pasar un haz de luz a través de un cristal de la sustancia o el material en estudio. los rayos x tienen longitudes de onda cercanos a las distancias interatómicas de la materia. salvo en situaciones muy particulares. OBJETIVOS ESPECÍFICOS  Deducir la fórmula que relaciona la longitud de onda (λ). El haz se dispersa en varias . OBJETIVO GENERAL  Comprender la aplicación de la difracción de rayos x en la cristalografía. Las técnicas habituales para estudiar las estructuras cristalinas se basan en el fenómeno de difracción. Dicho fenómeno se da cuando la longitud de onda es mucho mayor que las dimensiones del obstáculo. Entre mayor sea el tamaño del objeto en comparación con la longitud de onda.3. es un proceso que ocurre en todo tipo de ondas cuando éstas se esparcen o se curvan frente a la presencia de un obstáculo u orificio. el parámetro de red (a) y el ángulo de incidencia de los rayos x (θ).8 DIFRACCIÓN DE RAYOS X INTRODUCCIÓN No es posible visualizar directamente los átomos. a esto se debe su utilidad en el estudio de las estructuras cristalinas.

. En este modelo se analiza la interacción de un haz de radiación sobre un conjunto de planos paralelos. por lo tanto. disoluciones. LEY DE BRAGG Para interpretar los diagramas de difracción se requiere una teoría. entre otros.direcciones debido al orden de los átomos en el cristal y. Bragg fue pionero en el tema y desarrolló una sencilla teoría. d es la distancia entre los planos de la red cristalina y. Una de las limitaciones de esta técnica es que solo se puede usar en materiales cristalinos. no puede ser usada en sustancias como gases. se puede observar un patrón de intensidades que se interpreta según la ubicación de los átomos. equiespaciados y semitransparentes a la radiación. que es la que veremos. λ es la longitud de onda de los rayos X. Para efectos de la reflexión se aplica que el ángulo de incidencia es igual al de reflexión. haciendo uso de la LEY DE BRAGG. por difracción. θ es el ángulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersión. a sistemas amorfos. Esta condición se expresa en la ley de Bragg: Donde:     n es un número entero. W. La interferencia es constructiva cuando la diferencia de fase entre la radiación emitida por diferentes átomos es proporcional a 2π.

la diferencia en sus caminos ópticos es: ML + LN = dsenθ + dsenθ . Estos rayos son dispersados por los átomos K y L. las rayos 1 y 1a golpean los átomos K y P los cuales son dispersados en todas la direcciones.De acuerdo al ángulo de desviación (2θ). el cambio de fase de las ondas produce interferencia constructiva (figura izquierda) o destructiva (figura derecha). DEDUCCIÓN LEY DE BRAGG Consideramos la figura de abajo conformada por planos de átomos distanciados a una longitud d. pero para cierta dirección. DEDUCCIÓN DE LA LEY DE BRAGG POR DIFERENCIA DE CAMINO ÓPTICO Para analizar los rayos dispersados por átomos en diferentes planos se toma los rayos 1 y 2 de la figura de arriba. Para el primer plano. estos rayos (1’ y 1a’) se encuentran en fase y por lo tanto se cumple que: QK − PR = PKcosθ − PKcosθ = 0 Esta condición se cumple para cada plano.

de tal manera que se cumple que: INTERPRETACIONES Y SOLUCIONES DE LA LEY DE BRAGG La Ley de Bragg establece que nλ=2dsinθ. La ecuación de Bragg da la relación entre las posiciones angulares de los haces difractados reforzados en función de la longitud de onda (λ) de la radiación de rayos x incidente y del espaciado interplanar dhkl de los planos . Para que los haces emergentes estén en fase. θ) que son soluciones de la ecuación.  Analicemos ahora las soluciones de Bragg en que solo λ y d son datos fijos: Nos quedan como variables n y θ. y buscamos el ángulo apropiado. se encuentra que una solución de orden n´ (por ejemplo. Aquí se trata de buscar las parejas (n. Si hay solución en θ para n=1. n´=5) por primera vez no es posible. en tal caso no habrá reflexiones. d y θ son dados: Sabemos que n es un número entero mayor o igual a la unidad. podemos seguir buscando las soluciones de orden superior (para n mayores).Así estos rayos estarán completamente en fase si su diferencia de caminos es igual a un número entero (n) de longitudes de onda λ. entonces sólo habrá soluciones entre 1 y n´-1. n tiene que ser un entero. en tal caso el problema no tiene soluciones. Si siguiendo este procedimiento. Nótese que si los datos iniciales son tales que λ es mayor que 2d. Se observará que no siempre hay solución.  Suponiendo que λ. y probando con n crecientes y sin saltarse ninguno. tenemos que n es el número entero de veces que λ cabe en la diferencia de camino óptico de dos planos sucesivos de la familia de planos paralelos considerada. no habrá ni siquiera solución para n=1. ambos valores incluidos. Primero verificamos si λ puede caber al menos justo una vez en la diferencia de camino óptico. ¿Cómo se interpreta el número n? Revisando la deducción de esa ley.

donde n=1. Por simple geometría. y en este caso la ley de Bragg resulta: ACERCA DE LA DISTANCIA INTERPLANAR (d) Y EL PARÁMETRO DE RED (a) En las estructuras cristalinas cúbicas. Este espaciado representa la distancia desde un origen elegido que contiene a un plano a otro paralelo con los mismos índices que sea cercano al primero. k. En muchos casos se utiliza el primer orden de difracción.cristalinos. k y l. l = índices de Miller de los planos cúbicos considerados. k y l son los índices de Miller de los planos. a = constante de red (arista del cubo unidad). donde h. h. se puede demostrar que para las estructuras cristalinas cúbicas: Donde: dhkl = espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos con índices de Miller h. ANÁLISIS POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS MÉTODO DE ANÁLISIS DE POLVO POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X: . el espaciado interplanar entre dos planos paralelos con los paralelos con los mismos índices de Miller se indica como dhkl.

Para esto debe conocerse cuáles planos cristalinos son planos de difracción para cada tipo de estructura cristalina:   Para la red cúbica sencilla. Para la estructura BCC la difracción solo se da en los planos cuyos índices de Miller sumados (h+k+l) dan un número par. Los datos de los análisis de rayos x por difracción de las celdas unitarias pueden simplificarse expresando la longitud de onda así: Finalmente: Empleando la anterior ecuación junto con los datos de difracción de rayos x podemos determinar si una estructura es cúbica centrada en el cuerpo (BCC) o cúbica centrada en las caras (FCC). En ésta técnica se utiliza una muestra pulverizada de muchos cristales para que tenga lugar una orientación al azar y asegurar que algunas partículas estarán orientadas en el haz de rayos x para que cumplan las condiciones de difracción de la ley de Bragg.La técnica comúnmente utilizada en difracción de rayos x es el método de polvo.  Reglas para determinar los planos de difracción {hkl} en los cristales cúbicos: Índices de Miller de los planos de difracción para las redes BCC y FCC: . En la estructura FCC los principales planos de difracción son los que sus índices son todos pares o todos impares (el cero se considera par). todos los planos (hkl) son planos de reflexión.

Un caso sencillo que permite ilustrar cómo se puede emplear este análisis es diferenciar entre las estructuras cristalinas BCC y FCC de un metal cúbico. Como y se pueden eliminar estos valores con la relación de dos valores de sin2θ. Supóngase que se tiene un metal con una estructura cristalina BCC o FCC y que se pueden identificar los planos de difracción principales y los valores de 2θ correspondientes. . Despejando y elevando al cuadrado ambos lados se tiene: A partir de los resultados experimentales de difracción de rayos x se pueden obtener los valores de 2θ para una serie de planos principales de difracción {hkl}. θA y θB: son los dos ángulos de difracción asociados a los planos principales escogidos.

EL DIFRACTÓMETRO . Sustituyendo h. Para la estructura cristalina FCC los dos primeros planos principales son {1 1 1} y {2 0 0}.5. k y l en la ecuación anterior se tiene: Del resultado anterior podemos concluir que un metal es FCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es 0. k y l en la ecuación anterior se tiene: Del resultado anterior podemos concluir que un metal es BCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es 0.75. Sustituyendo h.Para la estructura cristalina BCC los dos primeros planos principales son {1 1 0} y {2 0 0}.

1541 nm. Calcule el valor de la constante de red a para el hierro BCC. suponga un orden de difracción de n = 1. Una muestra de hierro BCC se coloca en un difractómetro de rayos X utilizando rayos X incidentes de longitud de onda λ = 0. De este modo la estructura atómica de la muestra quedará registrada en un difractograma. La respuesta generada depende del ordenamiento interno de sus átomos. EJEMPLOS DE APLICACIÓN 1. La difracción a partir de los planos {1 1 0} se obtiene a 2θ = 44.El difractómetro de rayos X es capaz de detectar la radiación que emana una muestra determinada al ser excitada por una fuente de energía. Solución: . El difractómetro está compuesto de un portamuestras móvil que irá moviendo el objeto estudiado con el fin de variar el ángulo de incidencia de los rayos X.704 º.

.c)Identifique al elemento. 73.7. La longitud de onda de los rayos X incidentes utilizados es de 0.2. 100. El difractograma de un elemento que tiene estructura cúbica BCC o FCC presenta picos de difracción en los ángulos 2θ siguientes: 40. Primero se calculan los valores de sin2θ a partir de los valores de 2θ de los ángulos de difracción. a) Determine la estructura cúbica del elemento. 86. 58. b)Determine la constante de red del elemento.4 y 114. Solución: a) Determinación de la estructura cristalina del elemento.8. 154 nm.

se obtiene: c) Identificación del elemento. y para una radiación incidente de λ.316 nm y es BCC. Sustituyendo h = 1. estos defectos tienen un impacto directo sobre las propiedades de los materiales. 0. estas imperfecciones pueden darse en 3 tipos: . Si la relación hubiera sido ≈ 0.9 Imperfecciones cristalinas. de volumen e influencia de las dislocaciones en las propiedades mecánicas de los materiales.154 nm. Con frecuencia. k y l de la primera serie de planos principales de difracción para la estructura BCC.5. 3.A continuación se calcula la relación entre los valores de sin2θ de los ángulos primero y segundo: La estructura cristalina es BCC ya que la relación es de ≈ 0. el valor correspondiente a sin2θ es 0. El elemento es el volframio. k = 1 y l = 0 en la ecuación anterior para los índices de Miller h. que son planos {1 1 0}. En esta parte hablaremos de los defectos superficiales. b) Determinación de la constante de red. En el arreglo de los átomos o iones de los materiales diseñados existen imperfecciones o defectos.117. dado que el elemento tiene una constante de red de 0.75. Como se mencionó antes. la estructura seria FCC.

1. Son de 3 tipos: a) Átomos intersticiales.blogspot. c) Átomos sustitucionales.1) 2) 3) Puntuales.1 Átomos intersticiales: Se forman cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada. como dislocaciones.9.9.com/2009_02_01_archive. b) Vacancias. . en consecuencia es distinto de los defectos extendidos.1 Imperfecciones puntuales: Un defecto puntual implica en general a uno o un par de átomos o iones y. aunque se presentan en uno o dos sitios. etc.html 3. límites de grano. http://nelyestradad. Lineales y superficiales. De volumen. su presencia es en distancias muchos mayores en el material cristalino. Un “punto” importante acerca de los defectos es que. 3.

.htm 3.uc3m. la cantidad de átomos o iones intersticiales en la estructura permanece casi constante.2 Vacancias: constituye el defecto puntual más simple. Para concentraciones pequeñas. Esta es una forma importante de aumentar la resistencia de los materiales metálicos. los átomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura cristalina del hierro e introducen un esfuerzo en la región del cristal en su cercanía. Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos.Los átomos o los iones intersticiales. mientras que los átomos de carbono se agregan en forma intersticial al hierro para producir acero. como impurezas. son mayores que los sitios intersticiales que ocupan. además es un hueco creado por la pérdida de un átomo. la región cristalina vecina esta comprimida y distorsionada. Los átomos intersticiales como los de hidrogeno están presentes. Puede producirse durante la solidificación por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.1. aun cuando se cambie la temperatura.es/ciencia-e-oin/quimica-de-losmateriales/Material%20de%20clase/tema6a. se encuentran con resistencia a su movimiento.9. A diferencia de las vacancias. aunque son mucho menores que los átomos o los iones que están en los puntos de red. http://ocw. en consecuencia. una vez introducidos. con lo que se vuelve difícil crear deformación permanente en metales y aleaciones. con frecuencia.

Estos aun teniendo también estructura cristalina no permiten los procesos de plastificación. La dislocación se mueve en un sistema de deslizamiento.9. el esfuerzo cortante resultante crítico es bajo y existe un número óptimo de planos de deslizamiento.9. En los metales de estructura cristalina FCC.2 Lineales y superficiales: Se dan en dirección de los planos de Miller. 3.http://personales. Las dislocaciones son defectos de línea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme.1.es/~avicente/curso/unidad3/defectos. en consecuencia.html 3. el número y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. típicamente es una dirección compacta. La dirección de deslizamiento. formado por un plano de deslizamiento y una dirección de deslizamiento. El plano de deslizamiento normalmente también es compacto o casi compacto. Se debe tomar en cuenta que el radio del átomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporción ya que podrían ocurrir perturbaciones en el material. debido a la ausencia conjunta de átomos alineados en súplanos. En los cristales metálicos.3 Átomos sustitucionales: en este defecto se sustituye un átomo de la estructura cristalina por otro. y un átomo sustituido de menor radio hará que los átomos vecinos sufran una tensión. El esfuerzo cortante resultante crítico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocación. no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crítico . los metales FCC tienden a ser dúctiles. Un átomo de mayor radio hará que los átomos vecinos sufran una compresión. En el caso de los metales BCC.upv. la existencia de dislocaciones en los materiales metálicos justifica la plasticidad y fluencia que los caracterizan y diferencian frente a los cerámicos.

1 Dislocaciones simples: Deslizamiento de los planos cristalinos por acción de una fuerza.9. En este caso. por lo que los metales BCC tienden a ser resistentes. Dislocaciones helicoidales. depende de la temperatura del material. el vector de Burgers es paralelo al plano que contiene la dislocación y perpendicular al plano de deslizamiento .2. los átomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre átomos normales) y los átomos sustitucionales (que remplazan al átomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su número no se altera por los cambios de temperatura del material. introducen campos de esfuerzos de compresión o de tensión que alteran la red adyacente. Los defectos puntuales. o de puntos de red vacíos. 3. La parte superior de la región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la derecha respecto a la parte inferior.9. Se agrupan en: a) b) Dislocaciones simples. El número de vacancias. Como resultado.2 Dislocaciones helicoidales o de tornillo: Se llama así debido a la superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor de la línea de dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. que incluyen vacancias. haciendo que estos metales se comporten de manera frágil. incrementándose la resistencia del material. El número de sistemas de deslizamiento en los metales HCP es limitado. átomos intersticiales y átomos sustitucionales. 3. las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanías de defectos puntuales.es alto.2.

9.http://conocimientosdefectsinsolids. Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio. los cationes son más pequeños que los aniones. los diagramas son una representación en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3: . es el conjunto formado por un átomo intersticial y el hueco que ha dejado tras el salto.html 3. Este tipo de defectos son los que confieren movilidad iónica al sólido. ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a uno intersticial dejando entonces una vacancia.3 Otros tipos de dislocaciones: a) Defecto frenkel: es una imperfección cristalina combinada de la vacancia y de la intersticial.blogspot. En el caso de un cristal iónico. son predominantes los defectos Frenkel de los cationes.com/2010/05/defects-in-solidsdislocaciones.

Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto. Es exclusivo de los materiales iónicos y suele encontrarse en muchos materiales cerámicos. En este defecto. las vacancias se presentan en un material con enlaces iónicos. habrá 2 iones O-2 faltantes.wikipedia. Por ejemplo. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.http://nelyestradad.7val. Para mantener la neutralidad deben perderse de la red tanto un catión como un anión.html b) Defecto schottky: es una par de vacancias en un material con enlaces iónicos. abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de átomos. Ejemplo: http://es.blogspot. El defecto es típico de los materiales cerámicos. donde debe faltar un número estequiométrico de aniones y cationes en el cristal si se quiere conservar en el la neutralidad eléctrica. pues es un defecto que aparece para mantener la electro neutralidad del material. con el fin de mantener una carga total neutra.com/wiki/Defecto_Schottky c) Dislocaciones de borde: resultan cuando las dos nuevas superficies son desplazadas transnacionalmente en dirección normal a la línea de dislocación. En el Zr+4 faltante. . un Mg+2 y un O-2 iones faltantes en Mg constituyen un par de Schottky. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocación de borde. Se generan vacantes de iones de signo contrario para anularse de forma estequiométrica.com/2009_02_01_archive.

El desplazamiento hace que la dislocación se mueva una distancia atómica hacia el lado. con una región de transición entre ellas. la dislocación se mueve a través del cristal hasta que se produce un escalón en el exterior del mismo. el cristal se ha deformado plásticamente. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de átomos originales. Sin embargo. el vector de burgers queda igual para todas las porciones de la dislocación mixta.upv. pero mantiene una orientación fija en el espacio. Otra analogía es el movimiento de avance de una oruga. Una gran diferencia entre el movimiento de una oruga y el de una dislocación es la velocidad con que se mueven.html d) Dislocaciones mixtas: Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. sin levantar todas las patas al mismo tiempo. rompiendo los enlaces de los átomos en un plano.es/~avicente/curso/unidad3/defectos. y usa el movimiento para ir de un lado a otro. Las dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y tornillo. Si continua este proceso. La estructura atómica local en torno a la dislocación mixta es difícil de visualizar.http://personales. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación. esta se puede mover. Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de burgers a un cristal que contenga una dislocación. Levanta alguna de sus patas en determinado momento. pero el vector de Burgers proporciona una descripción conveniente y sencilla. La velocidad con la que se propagan las dislocaciones en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido. .

Cada átomo en la superficie ya no tiene el número adecuado de coordinación y se interrumpe en enlazamiento atómico. o estructura cristalina. 3.4 De volumen: para comenzar a hablar de este tipo de imperfección se aclararan los siguientes temas:  Superficie del material: Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina el cristal en forma súbita. el cristal terminaría por quedar cortado a la mitad. Como la superficie de la energía es menor que la de un límite de grano normal.  Límites de grano La estructura de muchos materiales cerámicos y metálicos consiste en muchos granos.fortunecity. Los límites de grano con tamaño pequeño que se forman por dislocaciones de borde se llaman límites inclinados los que se forman por dislocaciones de tornillo (véase defectos lineales) se llaman límites de giro. contener muescas diminutas y ser mucho más reactiva en el interior del material. es distinta en cada grano vecino. http://members. Esto es un factor muy importante en la fabricación de dispositivos micro electrónico a base de sí.9. Un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo de los átomos es casi idéntico. moviéndose a través del cristal por la misma trayectoria.Otra forma de visualizar esto es imaginar cómo se movería una onda en una alfombra si tratáramos de eliminarla aplanándola en lugar de levantar la alfombra. Sin embargo. si se pudieran introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal. La superficie exterior también puede ser muy áspera. los límites de grano con ángulo pequeño no son tan eficientes para bloquear los deslizamientos.htm  Límites de grano de ángulo pequeño: Un límite de grano de ángulo pequeño es un conjunto de dislocaciones que produce una pequeña desorientación entre cristales vecinos. la orientación del arreglo de átomos.com/ginermendocilla/Fun. .

El movimiento de los límites de macla también puede causar la deformación del metal. puede ser mayor. Finalmente el concepto de un defecto tridimensional o volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro de un material poli cristalino. un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado tridimensional. Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante. en ocasiones. Los límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento y aumentan la resistencia del metal. Un dominio es una pequeña región del material cuya dirección de magnetización o polarización dieléctrica permanece igual.  Límites de dominio: los materiales ferro eléctricos son los que desarrollan polarización dieléctrica espontánea y reversible. que hace que los átomos se desplace de su posición. . A los materiales que desarrollan una magnetización en forma parecida se les llama ferromagnéticos o ferromagnéticos. Los defectos volumétricos se forman cuando un grupo de átomos o de defectos puntuales se unen para formar un vacío tridimensional o poro. Los defectos tienen un efecto o influencia considerable en el comportamiento y desempeño de un material. De manera inversa. Límites de macla: Un límite de macla (o de gemelación) es un plano a través del cual hay una desorientación especial de imagen especular de la estructura cristalina. que actúa a lo largo de límite de macla. En esos materiales se forman muchos dominios pequeños de tal manera que se minimiza la energía libre total del material. En la figura se muestra un ejemplo de dominios en el titanio de bario tetragonal forro eléctrico. La presencia de dominios influye sobre las propiedades dieléctricas y magnéticas de muchos materiales electrónicos y magnéticos. El maclado sucede durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. El tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos cuantos nanómetros hasta centímetros o. Estos materiales electrónicos y magnéticos contienen dominios.

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