Factor de empaquetamiento atómico

En cristalografía, el factor de empaquetamiento atómico (FEA), en inglés: Atomic packing factor, APF, es la fracción de volumen en una celda unidad que esta ocupada por átomos. Este factor es adimensional y siempre menor que la unidad. Para propósitos prácticos, el FEA de una celda unidad es determinado asumiendo que los átomos son esferas rígidas. Para cristales de un componente (aquellos que contienen un único tipo de átomo), el FEA se representa matemáticamente por

donde Nátomos es el numero de átomos en la celda unidad, Vátomo es el volumen de un átomo, y Vcelda unidad es el volumen ocupado por la celda unidad. Matemáticamente puede ser probado que para estructuras de un componente, el arreglo más denso de átomos tiene un FEA alrededor de 0.74. En realidad, este número puede ser mayor debido a factores intermoleculares específicos. Para estructuras de múltiples componentes, el FEA puede exceder el 0.74.

Ejemplo

Estructura BCC

La celda unidad para la estructura cúbica centrada en el cuerpo, en inglés: Body-centered cubic, BCC, contiene dos átomos: un octavo (1/8) de atomo en cada esquina del cubo y un átomo en el centro. Dado que el volumen de cada átomo ubicado en las esquinas es compartido con las celdas adyacentes, cada celda BCC contiene dos átomos. Cada átomo en las esquinas toca el átomo central. Una linea que sea dibujada desde una esquina del cubo a través del centro hacia la otra esquina pasa a lo largo de 4r, donde r es el radio de un átomo. Por geometría, la longitud de la diagonal es a√3. Por lo tanto, la longitud de cada lado de la estructura BCC puede ser relacionada al radio de cada átomo mediante

Conociendo esto y la formula para el volumen de una esfera((4 / 3)pi r3), es posible calcular el FEA de la siguiente manera:

Para la estructura hexagonal la derivación es similar. La longitud de un lado del hexágono sera denotada por a mientras que la altura del hexágono se denotara como c. Entonces:

Arreglo hexagonal tridimensional. a = 2r

Entonces es posible calcular el FEA como sigue:

FEA de estructuras comunes
Mediante procedimientos similares, los factores de empaquetamiento atómico ideales de todas las estructuras cristalinas pueden ser encontrados. Algunos factores comunes se presentan a continuación, redondeados a la centésima mas próxima.
  

Cúbica simple (CS): 0.52 Cúbica centrada en el cuerpo (BCC): 0.68 Hexagonal compacta (HCP): 0.74

74 Cúbica diamante: 0.  Cúbica centrada en las caras (FCC): 0.34 .

.

.

.

.

Por lo tanto dichas estructuras densamente empaquetadas se encuentran en disposiciones u ordenamientos de energía cada vez más baja y estable. hexagonal compacta HCP y cúbica centrada en el cuerpo BCC debido a que se libera energía a medida que los átomos se aproximan y se enlazan cada vez más estrechamente entre sí.PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METÁLICAS La mayoría de los metales elementales (90%) cristalizan en tres estructuras cristalinas densamente empaquetadas: cúbica centrada en las caras FCC. si a temperatura ambiente la arista es igual a 0. Ejemplo ¿ Cuántas celdas unidad hay aproximadamente en el Fe puro BCC si las aristas de la celda estuvieran alineadas arista con arista en 1 mm.287 X 10-9 nm ? .

y un octavo de esfera esta localizado en cada vértice de la celda unidad. El modelo de esferas sólidas indica que los átomos de esta estructura están unidos del modo más compacto posible.74. . el 68% del volumen de la celda esta ocupado por átomos y el 32% restante en espacio vacío. El APF de esta estructura de empaquetamiento compacto es 0. El cristal BCC no es una estructura totalmente compacta. Esta celda tiene el equivalente a cuatro átomos por celda unidad. Hierro. y la relación entre la longitud de la cara del cubo a y el radio atómico R es: Si los átomos en la celda BCC se consideran esféricos. hay un total de 1 (en el centro) + 8 x 1/8 (en los vértices) = 2 átomos por celda unidad. En esta celda hay un punto reticular en cada vértice del cubo y otro en el centro de cada cara del cubo. es decir. Un octavo de átomo en cada vértice (8 x 1/8=1) y seis medios átomos en el medio (1/2 x 6= 3). Molibdeno y Vanadio tienen estructura cristalina BCC. Muchos metales como el Cromo.68. Los átomos en este tipo de celdas contactan entre sí a través de la diagonal del cubo. Un átomo completo esta localizado en el centro de la celda unidad. Estructura Cristalina Cúbica Centrada en las Caras FCC. Wolframio. De este modo. el factor de empaquetamiento atómico (APF) puede hallarse empleando la siguiente expresión: El APF de esta celda es 0. haciendo el equivalente de otro átomo. Cada una de estas celdas unidad tiene el equivalente de 2 átomos por celda unidad. ya que los átomos aún podrían situarse más juntos.Estructura Cristalina Cúbica Centrada en el Cuerpo BCC En esta celda unidad las esferas sólidas representan los centros donde los átomos están localizados e indican sus posiciones relativas. En esta celda unidad el átomo central esta rodeado de 8 vecinos más cercanos y se dice que tiene por lo tanto un número de coordinación de 8.

el Níquel y el Hierro a temperaturas elevadas (912 a 1394°C) cristalizan según la estructura FCC. ¿ Cuál es el valor teórico de la densidad del Cu ? Masa atómica del Cu=63. de tal forma que la relación entre la longitud de la cara del cubo y el radio atómico es: Metales como el Aluminio.047nm3x(1X10-9m)3 = 4. el Cobre.1278 nm y considerando que los átomos son esferas sólidas que contactan a lo largo de las diagonales de la celdilla unidad FCC. Ejemplo El Cu posee una estructura FCC y un radio atómico de 0.7 x 10-29 m3 Masa de los átomos de Cu en la celda: .54 g/mol 1/8 * 8= 1 átomo ½ * 6= 3 átomo a 4 átomos en la celda FCC figura 5 Parámetro de Red: Volumen de la celda: V=a3 = (0.361nm)3 =0.Los átomos en la celda FCC contactan entre sí a lo largo de la diagonal de la cara del cubo. el Plomo.

Estructura Cristalina Hexagonal Compacta HCP Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque el APF es demasiado bajo. lo que indica que los átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celda unidad HCP. a defectos en la red. haciendo el equivalente de un átomo más. La relación c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1. La celda HCP posee 6 átomos.Densidad Volumétrica: El valor tabulado experimentalmente es de 8. existen 6*1/6 secciones de átomos localizados en las capas de arriba y de abajo.96 . .74 ya que los átomos están empaquetados de un modo lo más cercano posible. Cada átomo esta rodeado de otros 12 átomos y por tanto su número de coordinación es 12. haciendo un equivalente a 2 átomos más. El APF es 0. Cadmio poseen una relación c/a más alta que la ideal. Los metales Cinc. Magnesio Y Circonio entre otros tienen relaciones c/a menores que la ideal. Los metales como el Titanio. Los índices de Miller de un plano cristalino están definidos como los recíprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes x.633 que indica esferas uniformes tan próximas como sea posible. ÍNDICES DE MILLER Celdas Cúbicas. a la ausencia de átomos en las posiciones atómicas. la diferencia se debe a que los átomos no son esferas perfectas. tres forman un triángulo en la capa intermedia. Berilio. etc. finalmente existen 2 mitades de átomo en el centro de ambas capas superior e inferior. Por tanto en estos metales los átomos están comprimidos a lo largo de la dirección del eje c.

Construir los recíprocos de las intersecciones. donde h.0) Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x.y. La notación (hkl) se emplea para indicar los índices de Miller en sentido general. z cristalográficos para un cubo unitario. Ejemplos . Estos números enteros son los índices de Miller de un plano cristalográfico y se encierran entre paréntesis sin usar comas. y z respectivamente. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias. y. Las aristas de una celda cúbica unitaria representan longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de una red se miden en base a estas longitudes unitarias. El procedimiento para determinar los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico es el siguiente: Escoger un plano que no pase por el origen en (0.0. y. z de los tres lados no paralelos del cubo unitario. y l son los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico de ejes x. Despejar fracciones y determinar el conjunto más pequeño de números enteros que estén en la misma razón de las intersecciones. k.

el tercer plano. a los ejes x. Los índices de Miller para este plano son: (1 0 0 ). por lo tanto los recíprocos son: 1. las intersecciones son: 1. z respectivamente. y los recíprocos de estos números son 1.figura 6 Las intersecciones del primer plano son 1. Por ejemplo. 0. Si grupos de planos de redes equivalentes están relacionados por la simetría del sistema cristalino. tiene las intersecciones 1. 1. se llaman familia de planos. 1. siendo los índices de Miller (1 1 0). el plano ha de ser desplazado a una posición equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo al original. 1 que nos dan un índice de Miller (1 1 1). Finalmente. Para la segunda figura. y. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son indicados con los mismos índices de Miller. y los índices de una familia de planos son encerrados entre llaves. los índices de Miller de los . 0. . Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno ó más cortes se hacen cero. 1. 0 no involucran fracciones.

a2. k. i. l y encerrados entre paréntesis (h. k. la dirección [100] es perpendicular al plano cristalino (100).a3 que forman 120° entre sí. i. La unidad de medida a lo largo del eje c es la altura de la celdilla unidad. l).planos de la superficie del cubo (100) (010) y (001) se designan colectivamente como una familia con la notación {100}. k e i mientras que el reciproco de la intersección con el eje c da el índice l. el cuarto eje o eje c es el eje vertical y está localizado en el centro de la celdilla unidad (Ver figura). tres ejes básicos a1.a3 proporcionan los índices h.a3 es la distancia entre los átomos. Se identifican empleando cuatro índices en vez de tres. figura 7 . Celda HCP. Estos índices hexagonales están basados en un sistema coordenado de cuatro ejes. Por ejemplo.a2.a2. Una importante relación sólo para el sistema cúbico es que los índices de una dirección perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los índices de Miller para ese plano. se denominan índices Miller-Bravais. son representados por las letras h. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1. Los recíprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes a1.

Tales experimentos han revelado que en las estructuras FCC el deslizamiento siempre se produce sobre los planos {111} pero solamente en las direcciones <110>. El plano basal es.Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla. Así.a3 respectivamente y el índice w es un vector reticular en la dirección c.w]. El eje c. Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los índices de Miller-Bravais para el plano basal HCP. A partir de mediciones sobre especímenes de monocristales de orientaciones conocidas se puede determinar 1) los planos sobre los cuales se produce el deslizamiento y 2) la dirección de deslizamiento dentro de estos planos. Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican por cuatro índices [u. Los cristales FCC poseen 12 sistemas de deslizamiento debido a que tienen cuatro grupos {111} y con tres direcciones <110> en cada una. Puesto que todas las líneas de deslizamiento está en grupos paralelos dentro de cada monocristal (cada grano).a3 .v.a2. a través de algún plano (o planos). un plano (0001). sin embargo. sino sobre pequeñas regiones de planos paralelos llamados bandas de deslizamiento o líneas de deslizamiento. el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a1. El deslizamiento no se produce sobre un plano solamente. Así. por tanto. deben corresponder a una misma familia de planos (hkl) ocupados del grano particular. l=1. a1 = a2= a3 = . .a2. K=0. una respecto a la otra. ±[011]. Son vectores reticulares en las direcciones a1.t. h=0. SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO Un sistema de deslizamiento es la combinación de un plano y una dirección que se halla sobre el plano a lo largo del cual se produce el deslizamiento. ±[110]. i=0. Esto significa que si se produce el deslizamiento sobre el plano (111) será en alguna de las tres direcciones ± [101]. El Mecanismo de deslizamiento puede definirse como el movimiento paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes. dependiendo de sus espesores. es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito.

Ag. Na Fe.633 del modelo de esfera dura. W. Mo. Mg. mientras que para aquellos metales con c/a < 1. Ni. Ti. mercurio sólido. En los metales BCC las líneas de deslizamiento tienen una apariencia ondulada. El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento que tiene el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su dirección de deslizamiento. Esta observación esta relacionada con el hecho de que los planos empaquetados más densamente también son el grupo de planos (hkl) ocupados que tienen el espaciamiento más amplio. En cristales HCP reales. . 2. Mo. Au. Be Ti. Las direcciones de deslizamiento siempre son en la dirección de empaquetamiento compacto. Latón. Nb. Al. Fe Fe. <1120>(0001). K Cd. Zr. por ejemplo. W. Para los metales c/a > 1. Ta Fe. la relación c/a no es igual al valor ideal de 1.633 hay alguna preferencia para el deslizamiento sobre el plano basal. Pb. 3. Existen excepciones. El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayoría de los planos compactos. Co Ti. Be. los sistemas de deslizamiento tienen más variabilidad.633 los sistemas de deslizamiento preferidos son los otros dos. Estructura FCC BCC BCC BCC HCP HCP HCP Dirección de Deslizamiento <110> <111> <111> <111> <1120> <1120> <1120> Planos de Deslizamiento {111} {110} {210} {321} Ejemplos Cu.En otras estructuras de cristales metálicos. Zn. Mg. En estos cristales el deslizamiento se produce predominantemente en los sistemas {110} <111> y la apariencia ondulada se debe aparentemente a deslizamiento simultáneo sobre los otros dos sistemas de planos {211} y {321} . Mg (0001) {1010} {1011} Tres observaciones generales son de gran importancia: 1.

por ello.097 nm) / sqr3 = 0.033 nm3 En cada celdilla hay: átomos de Cl: 6 * (1/2) + 8 * (1/8) = 4 átomos de Na: 1 + 12 * (1/4) = 4 Masa celdilla = 4 *masa Na + 4 *masa Cl = 4* 35.56 uma / 0. Se desea conocer: a) a) El índice de coordinación de los iones cloro y sodio. b) b) Por ser tangentes los átomos según la diagonal del cubo se cumple que: Diagonal = sqr3 * lado celdilla Diagonal = 2* radio Cl + 2 * radio Na De las dos igualdades anteriores obtenemos: Lado celdilla = (2*0.El molibdeno posee una estructura cúbica centrada en el cuerpo y una densidad de 10..4 y 22.4 uma + 4 * 22. su número de coordinación es 12. c) c) Su factor de empaquetamiento atómico.La red cristalina del cloruro sódico responde a una estructura como la de la figura.a) a) Los dos cristalizan en un sistema cúbico centrado en las caras.181 y 0.0973 nm3) / 0.PROBLEMAS Junio 97.56 uma Densidad = 233. Los radios atómicos del cloro y el sodio son respectivamente 0. b) b) La densidad volumétrica del cloruro sódico. .2 gr/cm3.033 nm3 c) c) factor empaquetamiento = volumen átomos / volumen celdilla factor emp = (4*(4/3*pi)*0.99 uma = 233. Solución Junio 97. Se pide: a) a) Calcular el número de coordinación y el número de átomos de cada celdilla elemental b) b) Su radio atómico.097 nanómetros y sus masas atómicas 35.033 nm3 Junio 99..321 nm Volumen celdilla = lado3 = (0.321nm)3 = 0. indicando la estructrura cristalina de cada uno de ellos.1813 nm3+ 4*(4/3*pi)*0. Nota: los átomos resultan tangentes en la direcciones tangentes de la diagonal.99 gramos. c) c) El factor de empaquetamiento.181 nm + 2 * 0.

El peso atómico del molibdeno es de 95.a) a) factor empaquetamiento BCC = 0.74 b) b) a = 4* R/ (SQR3) = 4 * 0. b) b) Suponer una estructura BCC y calcular el parámetro de red “a”.68 Septiembre 99. b) b) nº átomos/cm3 = densidad/ peso molecular nº átomos/cm3 = 10.. .2 gr/cm3 / 95. Solución Junio 99.127 nm / (SQR3) =0. teniendo en cuenta que los átomos son tangentes según la diagonal del cubo. Solución Septiembre 99. Factor empaquetamiento = Vátomos / Vceldilla= 2* (4/3* pi* R)/ a3 = 0.293 nm a = (volumen celdilla)1/3= ()1/3 = Junio 01.Considerando los átomos como esferas compactas: a) a) Comparar el factor de empaquetamiento de una celda FCC y de una celda BCC.94 * 10-23 gr/átomo = nº celdillas = (nº átomos/cm3) / (nº átomos/celdilla) nº celdillas = / 2 = volumen celdilla = 1 cm3 / nº celdillas volumen celdilla = 1 cm3 / volumen celdilla = a3 R = sqr3*a/4 = c) c) el factor de empaquetamiento lo obtenemos dividiendo el volumen de los dos átomos entre el volumen de la celdilla.Calcula el cambio teórico de volumen asociado a una transformación alotrópica en un metal puro desde una red FCC a una red BCC. ya que el nº de átomos se conserva.FCC: BCC: a = 4*R/SQR2 a = 4*R/SQR3 nº atomos celdilla = 4 nº atomos celdilla = 2 Por cada celdilla FCC se formarán 2 celdillas BCC. Solución Junio 01.68 factor empaquetamiento FCC = 0. sabiendo que los átomos tienen un radio atómico de 0..a) a) Por ser una estructura cúbica centrada en el cuerpo el número de coordinación es 8 y el número de átomos por celdilla es 2 (el central más 1/8 en cada esquina del cubo).94.127 nm.

483 *10-21cm3 = 4.25 * 1019 celdillas nº átomos = nº celdilla * nº átomos/celdilla nº átomos = 4.25 * 1019 celdillas * 2átomos/celdilla = 8.483 *10-21 cm3 nº celdilla = 1 cm3 /23. Si su radio atómico es 1.088 Luego cuando cristaliza en BCC es un 8..24 nm/SQR3=2.8% mayor que cuando lo hace en FCC.5 * 1019 átomos .863 * 10-7 cm nº átomos por celdilla = 2 átomos Vceldilla = a3 = (2. a pesar de que la celdilla BCC es más pequeña.24 nanometros. Septiembre 02.863 * 10-7 cm)3=23.(Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * volumen celdilla BCC / volumen celdilla FCC (Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * (4*R/SQR3)3 / (4*R/SQR2)3 = 1.a= 4*R/SQR3 = 4* 1.863 nm = 2. ¿Cuántos átomos existirán en 1 cm3? Solución Septiembre 02.Un metal cristaliza en la red cúbica centrada en el cuerpo.

.

entre moléculas ). El siguiente procedimiento que permite asignar índices de Miller está simplificado y sólo sirve para el sistema cúbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ). caracterizadas por una celda unitaria cada una. γ).Índices de Miller Los átomos en un sólido están empaquetados.covalentes. Para ilustrar el procedimiento. característica que hace que sólo existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais). La orientación de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando como el plano corta a los ejes cristalográficos principales del sólido. consideremos la siguiente superficie /plano: .b. . β .de corto alcance (sólidos moleculares. con enlaces fuertes. Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los índices de Miller (para planos (hkl).entre átomos y más débiles– van der Waals. un conjunto de números que cuantifican los cortes y que sólo puede usarse para identificar un plano o una superficie. La geometría de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de átomos sin dejar huecos. que.de largo alcance (sólidos cristalinos) En el interior de un sólido cristalino existe una estructura cristalina formada por una red espacial. en cada punto de la cual se sitúan grupos de átomos idénticos en composición y orientación (base). La aplicación de un conjunto de reglas conduce a la asignación de los índices de Miller (hkl).c y α . a su vez viene definida por una serie de parámetros (a. para direcciones [hkl]). con lo que existe un cierto grado de orden: .

y/b. lo que nos conduce a (100). ∞. z/c).1. por convención. son 1 y 0. Otros ejemplos: 1. tiene las coordenadas fraccionarias (x/a.1.∞. Los cortes son a. Por ejemplo un punto (x. las coordenadas fraccionarias serán: a/a. ∞/a. Los índices se encierran entre paréntesis () cuando se especifica una única superficie como en este ejemplo. z (consideramos que los corta en ∞). han de especificarse sin estar separados por comas.a. Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cúbico. ∞/a.z) en una celda unidad de dimensiones a x b x c.∞ . es decir 1.0) 2. Paso 3: obtener los reciprocos de las coordenadas fraccionarias Este paso final genera los índices de Miller que. ∞. índices de Miller: (1. Los recíprocos de 1 y ∞.z.∞ . En este caso la intersección con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es paralela a los ejes y. cortes fraccionarios: 1. y. ∞. respectivamente.y.Paso 1: identificar las intersecciones con los ejes x.La superficie (110) cortes: a. Paso 2: especificar los cortes en coordenadas fraccionarias. Las coordenadas se convierten en fraccionarias dividiéndolas por la dimensión de la celda unidad.La superficie (111) . En nuestro caso ( celda cúbica).

índices de Miller: (1.a . 3.∞ .cortes: a. (110) y (111) son las llamadas superfícies de índice bajo de un cristal cúbico (el termino bajo hace referencia a que los índices son 0 o 1).Las superficies (210) cortes: a/2. 1. cortes fraccionarios: 1/2. por tanto deben usarse cuatro índices de Miller (ejemplo (0001)) . a.1 . el signo negativo debe aparecer en el índice de Miller (ejemplo (00-1) se escribe (001) (iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes pricipales. cortes fraccionarios: 1. índices de Miller: (210) Notas adicionales: (i) en algunos casos los índices de Miller se multiplican o dividen por algún factor común para simplificarlos. Estas superficies tienen especial importancia.1) Las superficies consideradas hasta ahora (100). Esta operación simplemente genera un plano paralelo que está a distancia diferente del origen de la celda particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al dividir por dos) (ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes.1.a.1.∞. pero hay un número infinito de otros planos que pueden definirse usando los índices de Miller.

en la que los índices de Miller de una de las superficies están representados entre llaves. calcular la distancia interplanar. De hecho hay un total de 6 caras relacionadas por elementos de simetría y equivalentes a la superficie (100). En el sistema cúbico el plano (hkl) y el vector [hkl]. y=1. cualquier superficie que pertenezca a este conjunto de superficies de simetría equivalente puede ser descrita por la notación {100}. 1/6. La distancia entre estos planos se obtiene a partir de: .1. Esta característica es única del sistema cúbico y no se puede aplicar a sistemas de simetría inferior. z de un plano cuyos índices de Miller son (362).En el dibujo las tres superficies están relacionadas por los elementos de simetría del cristal cúbico y son totalmente equivalentes. 1/2 y se reducen a fracciones equivalentes con los números enteros menores posibles (aplicando el mcm= 6). por tanto x=2. obteniéndose 1/2.1/3. z=3. son perpendiculares.5 A. y. definido con respecto al origen. Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura cristalina cúbica de parámetro de red igual a 3. A partir de los índices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3. Los cortes con los ejes serán. La distancia entre planos en el sistema cúbico viene dada por: Ejemplo MIL1 Determinar los valores de la intersección con los ejes x.

REDES CRISTALINAS
Para una apropiada asimilación de lo que significa el orden interno cristalino, se ha de comenzar por la visualización y definición, a través de vectores traslación, del orden interno monodimensional , constituido por las diferentes direcciones de la red que definen, por su periodicidad, filas reticulares donde los nudos están alineados y equidistantes entre sí.

Fila reticular
Se trata de una fila de nudos obtenida por aplicación sucesiva de una traslación definida. El símbolo de las filas reticulares se denomina como los índices [uvw] que son los componentes del vector traslación que une dos nudos adyacentes de la fila considerada expresados en función de un par primitivo cuyo origen se sitúa sobre uno de estos dos nudos. Por ejemplo, para las filas fundamentales:

Para otras filas reticulares:

Plano reticular
Un plano reticular queda definido por dos filas reticulares conjugadas. Todo plano reticular puede definirse por sus intersecciones (Ha, Kb, Lc) con los tres ejes fundamentales del cristal. Las dimensiones de estas intersecciones (HKL), medidas desde un nudo tomado como origen son los parámetros del plano reticular correspondiente. Sin embargo, la denominación habitual de un plano reticular son los índices de Miller.

Índices de Miller
Se obtienen calculando las intersecciones (H, K, L), o número de traslaciones, con los tres ejes fundamentales del cristal. Posteriormente se invierten y se eliminan denominadores, o bien, se calculan los cocientes entre el producto de las tres intersecciones dividido entre cada una de las intersecciones: (H*K*L= N, N/H= h, N/K=k, N/L=l)

L=1. 1/1=1. no existen denominadores Índices de Miller: (001) 1º. K=æ. Invertimos: 1/æ=0. b y c. El plano ABD ocupa: . Es decir. t2 y t3 que ocupa el plano sobre los ejes a.Intersecciones: H=æ. b y c. 1/æ=0. Deducir las intersecciones de cada plano con los ejes cristalográficos a. contar el número de traslaciones t1.

2/4. Celda unidad . Reducimos fracciones. si es necesario. se reducen las fracciones El plano ABD corta a los ejes en 2.2t1 en el eje a. Su inversión es: 1/2. 1/4. 2/4. quitando denominadores: 2/4. 1/4. 2t2 en el eje b. quitando denominadores: 1/4. 1/2. 1/2. y 4t3 en el eje c El plano EBD ocupa: 4t1 en el eje a. 2 y 4. 2 y 4. Sin denominadores queda 221 Índices de Miller: (221) El plano EBD corta a los ejes en 4. Reducimos fracciones. se invierten los valores y. sin denominadores queda 121 Índices de Miller: (121) * Este símbolo entre paréntesis (hkl) nombra el plano dado. 2t2 en el eje b. Su inversión es: 1/4. a partir de estas intersecciones. Para calcular los índices de Miller de cada plano. mientras que entre corchetes {hkl} indica todos los planos homólogos que resultan de aplicar los elementos de simetría del cristal al plano (hkl). 1/4. 1/4. y 4t3 en el eje c 2º.

En una red cristalina existen siempre tres traslaciones no coplanarias que tienen las dimensiones mínimas entre todas las traslaciones posibles de la red: son las traslaciones fundamentales o constantes reticulares. Se denomina celda primitiva aquella que no tiene nudos en su interior y celda múltiple a la que si los tiene y está definida por vectores múltiples que son múltiplos enteros del vector traslación unitario de igual dirección. ¼ * 4 = 1) . de dimensiones submicroscópicas. Se llama multiplicidad al número de nudos que hay por celda elemental (todas las celdas primitivas de una red tienen multiplicidad 1 . La porción del espacio cristalino limitado por estas traslaciones constituye la celda fundamental del cristal y es característica del mismo.

salvo excepciones. también llamadas cristalinas. que da a los sólidos su consistencia y la mayor parte de sus propiedades. . de uno o más electrones. respectivamente.CRISTALOGRAFÍA Ciencia que se dedica al estudio y resolución de estructuras cristalinas. Los componentes de los sólidos pueden ser de cuatro tipos:   Átomos: partículas elementales de materia con carga eléctrica neutra. La cristalografía es el estudio del crecimiento. Las partículas de los cuerpos sólidos. la forma y la geometría de estos cristales. se ordenan en el espacio de acuerdo a determinados tipos de redes geométricas. La mayoría de los minerales adoptan formas cristalinas cuando se forman en condiciones favorables. Los sólidos cristalinos tienden a adoptar estructuras internas geométricas basadas en líneas rectas y planos paralelos. constituye el campo de estudio de la cristalografía. Iones: átomos con carga eléctrica negativa (aniones) o positiva (cationes) debidos a la transferencia o recepción. Esta ordenación.

Moléculas: agrupación de varios átomos del mismo o de diferentes elementos. .1 REDES DE BRAVAIS El nombre de bravais viene del Físico y mineralogista francés. GEOMETRÍA DE LAS REDES DE BRAVAIS Estructura algebraica conocida por grupos que tiene una secuencia ordenada. 5 redes bidimensionales paralelogramos (2D) y 14 modelos distintos de redes tridimensionales paralelepípedo (3D). según la cual las moléculas de los cristales están dispuestas en redes tridimensionales. Las redes de bravais son una disposición infinita de puntos conformando una estructura bajo cierto grupo de traslaciones. por esto se dice que los puntos de una red son equivalentes. sus objetivos son entre otros la clasificación de los grupos. sus propiedades y sus aplicaciones. Redes Unidimensionales: La red unidimensional es elemental siendo ésta una simple secuencia de nodos equidistantes entre sí. Estas hacen que desde todos los nodos de una red de bravais tengan la misma perspectiva de red. 3. fue posteriormente demostrada gracias a la difracción por rayos X.  Grupos iónicos: agrupación de varios iones de los mismos o diferentes elementos químicos. que explica los fenómenos de simetría y anisotropía de las sustancias cristalinas. Profesor de física y de astronomía Auguste Bravais que estableció la teoría reticular. Esta teoría. Por la teoría de grupos se ha demostrado que solo existe una única red de bravais unidimensional (simple secuencia de nodos equidistantes entre sí). en la mayoría de casos no se dan cambios bajo rotaciones o simetría rotacional.

b y c. Redes tridimensionales: Para las redes de Bravais tridimensionales existen solamente siete grupos puntuales posibles y 14 grupos espaciales. β : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y c.Redes bidimensionales: Según los ángulos y la distancia entre los nodos se distinguen 5 redes distintas. siendo a y b las traslaciones de la red plana. de las más conocidas son: . Obviamente. Esto permite clasificar todos los cristales en siete sistemas cristalinos (según el grupo puntual) y en 14 redes de Bravais (según el grupo espacial). varios grupos espaciales comportan el mismo grupo puntual. γ : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y b (los de la red plana). existen 14 tipos distintos de redes tridimensionales. De acuerdo con Bravais. vienen definidos tres ángulos: α : es el ángulo que forman entre sí los vectores b y c. un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura sigue un patrón de red en panal. Las redes tridimensionales están formadas por la repetición de celdas unidad tridimensionales. y c la traslación de dicha red plana en una dirección diferente (generalmente correspondiente al plano vertical). Estas celdas vienen definidas por tres traslaciones: a. Además.

fcen.3 FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO INTRODUCCIÓN El estudio de las siguientes estructuras cristalinas las cuales pertenecen en gran proporción a los metales puros solidifican en tres estructuras cristalinas compactas BCC.qi. (Autor). Smith.ar/materias/qi2/_teoricas/solidos_primera_parte.pdf http://www. FCC.pdf http://es.wordpress.wikipedia. James F.org/wiki/Redes_de_Bravais Introducción a la ciencia de materiales para ingenieros: Shackerlford. Javad (Autor) 3. Nuria (Traductor). . William F.com/2008/09/estructura11.2 SISTEMA CÚBICO Y HEXAGONAL.BIBLIOGRAFIA:    http://elcrisoluspt. FCC y HCP. CRISTALES BCC. 3. a continuación se estudiarán dichas estructuras.files. Hashemi.uba. HCP. circuitos integrados y otros sistemas modernos. éstas estructuras son estudiadas a partir de una pequeña porción que contenga el patrón de ordenamiento. las cuales tienen un arreglo asignado debido a su distribución atómica y que tienen un gran uso en la actualidad para semiconductores. (Autor). Martin.

2-1 se puede observar dicha estructura. se dice por lo tanto que tiene un número de coordinacion (NC) de 8. es decir que 8 es el indice de la eficiencia de la condensación átomica . Ahora . en la figura 4.2-1. y es equidistante de los ocho átomos de las esquinas. Centro: 1 átomos = 1 átomo. .ESTRUCTURA CÚBICA DE CUERPO CENTRADO Se denomina estructura de cuerpo centrado (body centred cubic) porque uno de los átomos se encuentra contenido justo en el centro del cubo o celda unitaria. además está contenido un átomo en su totalidad en el centro. (b) átomos que se aproxíman entre sí McMaster_BCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei De la estructura cristalina BCC los átomos que cortan las esquinas son octavos de dichos vecinos próximos. ¿cuantos átomos contiene la estructura cristalina BCC en cada celda unitaria? (a) (b) figura 3. por lo tanto tenemos : Esquinas: (1/8) × 8 átomos = 1 átomo. modelos esquemáticos de la estructura BCC: (a)arreglo abierto.

1 se hace simple y por trigonometria. . por que la relacipon entre la arista del cubo a y el radio atómico R es √3 a=4R o a=4R/√3 (4.2-2. ¿Se puede afirmar esto sin temor a alguna equivocación? la respuesta es acertada pues se debe recordar que cada átomo de cristal está rodeado por un arreglo idéntico de átomos en el látice espacial repetitivo. como se muestra en la figura 4. y determinados el parámetro de látice (a) y el radio atómico (R). para esto se asume que las esferas son rígidas. figura 3. y está dotado de una ley de composición interna de aplicación sucesiva que se puede modelar matemáticamente.1) 4R es el número de radios que atraviesa la diagonal de las esquinas opuestas La demostración de 4. lo que significa que el látice que conforma el conjunto parcialmente ordenado que consta de dos elementos (en este caso átomos) tiene una mínima cota superior y una máxima cota inferior.2-2estructura cristalina BCC donde se muestra la relación entra la constante de red a y el radio atómico R En la celda unidad BCC los átomos de cada vértice contactan entre sí a través de la diagonal del cubo. Otro factor importante a calcular es el volúmen de la celda unidad BCC y de cualquier celda que está ocupada por átomos . donde los elementos cumplen las operaciones de simetría de una estructura.Total = 2 átomos/ celda unidad. se define un factor de condensación atómica o factor de empaquetamiento.

2). Ejemplo 3.2 a Calcule el factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC. El enlace metálico no es direccional. por lo que todos los radios atómicos son iguales. por ello podemos preguntarnos qué tan eficiente es en verdad el arreglo de un cristal y si es razonable asumir un empaquetamiento denso. el volumen de los átomos de radio R en una celda unidad es. para este ultimo se realiza la convención de:  Generalmente sólo está presente un elemento. la nube electrónica cubre a los núcleos. La distancia a los primeros vecinos tienden a ser cortas para disminuir la energía de enlace. considerando los átomos como esferas rígidas solución: APF=Volumen de los átomos en la celda unidad BCC / Volumen de la celda unidad BCC Puesto que tenemos dos átomos por celda unidad BCC.    Entonces. V_átomos= (2)(4/3 Π R^3) El volumen de la celda unidad es: .FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (APF) Generalmente se acepta que la naturaleza favorece los arreglos y estados de la materia que tienden a minimizar los niveles de energía (energía potencial). Para evaluar la eficiencia de la estructura cristalina o cuán eficiente estan arreglados los átomos se calculará el volúmen atómico contenido en la celda unitaria en relación con el volúmen total de la celda unitaria como sigue: APF= volúmen de átomos en una celda unidad/ volúmen de la celda unidad (3.

La relación entre a y R se obtiene a partir de la figura 3. que muestra cómo los átomos de la celda unidad contactan a través de la diagonal del cubo.533 0.330 0.143 .373 R^3 / 12. se establecerán las siguientes realciones de constante de red a y radio atómico para materiales que tienen estructura cirstalina BCC a temperatura ambiente de (20°C). V_celda unidad= a^3=12.315 0.136 Potasio 0.68 Ahora.429 0.125 Hierro 0.289 0. √3 a=4R Así. así.32 R^3 El factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC resulta ser.V_celda unidad= a^3 Donde a es la constante de red.186 Tántalo 0. APF= (V_átomos/celda unidad) / V_celda unidad = 8.2-2.287 0.32R^3 = 0.231 Sodio 0.124 Molibdeno 0. Constante de red a metal (nm) radio atómico R (nm) Cromo 0.

Volframio 0. tenemos: √3 a=4R Donde R es el radio atómico del tántalo.132 Ejemplo 3.143nm. Calcule la constante de celda a para la arista del cubo de la celda unidad del tántalo Solución: en la figura 3.137 Vanadio 0.Así .2-2 se ve que los átomos de tántalo en la celda unidad BCC se tocan a través de la diagonal del cubo.330nm ESTRUCTURA CÙBICA CENTRADA EN LAS CARAS .316 0.2-b El tántalo a 20°C es BCC con átomos de radio atómico 0. si a es la arista del cubo. entonces: a= (4(0.143nm))/√3 = 0.304 0.

existen seis átomos centrados en las caras que se comporten entre esta celda y sus vecinas inmediatas.3-1). la forma mas sencilla de comprender esto.3-2) con la intención de que la localizacion de los átomos sea clara. además de los ocho átomos de esquina. su diferencia entre las estructuras cristalinas difiere porque en cada faz (cara) existe un átomo colocado en ella y en los vértices de las celdilla unidad. es situandose mentalmente en el àtomo del centro de una de las caras y contar todos los átomos en contacto con él. La mitad de cuaquier átomo se la faz se encuentra en una celda unitaria y la otra mitad está en la celda adyacente. El nùmero de coordinacion la estructura FCC es de 12. De nuevo se separó mucho el arreglo de la celda (fig.4. examinando el cristal.figura 3. o sea. se puede determinar la cantida de átomos asociados con la celda unitaria de esta estructura como sigue: .2-3 estructura cristalina FCC Otro tipo de arreglo cristalino cùbico es el FCC (face centred cubic). por lo tanto. en las posiciones de los nudos de la red de Bravais del mismo nombre (figura 4.

plomo. Muchos metales como el aluminio. que es mayor que el factor 0. Un APF de 0.394 °C) cristalizan en la estructura FCC. por lo que la relación entre la arista del cubo a y el radio atómico R es: √2 a =4R o a= 4R/ √2 (4.74. éste es el indicio de una condensación atómica mas eficiente en el látice. Celda unidad FCC con su respectivo arreglo atómico McMaster_FCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei Esquinas: 8 × 1/8 = 1 àtomo Caras: 6 × 1/2 = 3 àtomos Total = 4 àtomos /celda unitaria Nótese que la cantidad de átomos por celda unitaria se duplicaron con relación a la del sistema BCC.68 de la estructura BCC.figura 3. En la celda FCC los átomos contactan en la diagonal de la cara del cubo como se indica en la figura 4. Metales que tienen estructura cristalina FCC a temperatura ambiente (20°C) y su constante de red y radio atómico. con seguridad. .2-4. que contiene el equivalente de dos átomos por celda unidad. níquel y hierro a termperatura elevada ( de 912 a 1. cobre.3-3.3) El APF para la estructura cristalina FCC es de 0.74 es el máximo de compacto posible para átomos esféricos.

139 Plata 0. los cuales en su tercer capa o plano se encuentran directamente por encima de los átomos del primer plano como indica en a figura 3.409 0.125 Platino 0.352 0.128 Oro 0.495 0.405 0.408 0.metal Constante de red a (nm) radio atòmico r (nm) Aluminio 0.393 0.144 ESTRUCTURA HEXAGONAL DE EMPAQUETAMIENTO CERRADO El tercer tipo principal de estructura cristalina es HCP.175 Níquel 0.3615 0.2-3.143 Cobre 0. presenta un arreglo de alta densiad en sus átomos. (a) .144 Plomo 0.

74. b) de posiciones atómicas. hay medio átomo más por celdilla. entre otros. celda unidad HCP. este átomo está rodeado por tres átomos en su propio plano base. Finalmente. Así. a) de esferas rígidas. Hay seis × 1/6 secciones de átomos en las capas superior e inferior. El factor de condensaciòn atómica es e mismo que el de FCC e igual a 0. Los metales como el magnesio.(b) figura 4. más tres átomos que se localizan cada uno en el plano adyacente paralelo.4-1. el número toral de átomos por celdilla unidad en la estructura HCP es de 3 + 2+1 = 6.2-2 b. Una celda HCP tiene un equivalente a seis átomos por celda unidad: Tres átomos forman un triángulo en la capa intermedia como queda reflejado por las posiciones atómicas en la figura 4. McMaster_HCPs_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei El número de coordinación de los cristales HCP es el mismo que para los FCC e igual a 12. generalmente se conocen las estructuras FCC y HCP como empaquetamiento cerrado por que son las dos formas de arreglar esferas idéntica con la densidad mas grande posible y que aún exhiben periocidad. La relación entre la altura c del prisma hexagonal de la estructura y el lado a de su base se llama relación c/a para algunos metales HCP. considerando el átomo central en un plano base. cadmio. Se puede verificar esta cantidad con los átomos vecinos más próximos. lo que hace un total de 12 átomos vecinos más próximos. . contribuyendo con un equivalente de dos átomos mas por celdilla ( 2 × 6 × 1/6 =2). tiene una relación c/a superior a la ideal lo que indica que los átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celdilla unidad HCP. De entre los metales cinc.

cobalto, circonio, titanio y berilio tienen una relacion c/A menor que la ideal, por tanto, en estos metales los átomos están ligeramente comprimidos en la dirección del eje c. Así, estos metales presentan ciertas desviaciones del modelo ideal de esferas rígidas. A continuación se hará la comprobación del valor del factor de empaquetamiento en una estructura cristalina HCP

figura 4.4-2 diagramas para calcular el volumen de la celda unidad HCP

Ejemplo 4.4-A Calcular el volumen de la celdilla unidad de la estructura cristalina del cinc a partir de los siguientes datos: el cinc puro tiene una estructura cristalina HCP con constantes de red a=0,2665 nm y c= 0,4947 nm. solucion: El volumen de la celdilla unidad HCP puede obtenerse determinando el área de la base de la celdilla unidad y multiplicando ésta por la altura figura 4.4-2. El área de la base de la celdilla unidad es el área de la parte inferior del hexagono, de forma que el área total es la suma e las áreas de los seís triángulos equiláteros de área, a partir de la figura 4.4-2 podemos deducir lo siguiente:

633 0 Magnesio 0.2973 0.4947 0. Volumen de la celdilla unidad del cinc HCP = (3a^2 sen 60°)(c) = (3)(0.4947 nm) = 0.6 HCP ideal 1.Área del trinángulo ( figura 4.800 +15.2665 nm)^2 (0.4-2b.2665 0.856 +13.623 -0.133 1.5209 0.160 1.5618 0.0913 nm^3 Materiales con estructura cristalina HCP a temperatura ambiente (20°C) y sus constantes reticulares. su radio atómico y su relación c/a Constante de red a ( nm ) % desviación de la Metal a c Radio atómico r Relación (c/a) relación ideal Cadmio 0. Área toal de la base HCP = (6)(1/2 a^2 sen60°) = 3 a^2 sen 60° A partir de la figura 4.3209 0.7 Cinc 0.66 .4-2a.4-2 b)= 1/2 (base)(altura) = 1/2 (a)(asen 60°) = 1/2 a^2 sen60° A partir de la figura 4.149 1.8660) (0.

45 Titanio 0.125 1.4683 0.568 -3.Cobalto 0.2507 0. un valor de radio atómico del metal obtenido por análisis de difracción de rayos X y utilizando la siguiente ecuación obtenemos la densidad volumétrica de un metal: Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad) Para aplicar la fórmula mencionada debemos recordar los parámetros de red de las estructuras cristalinas presentes en los metales (BCC. HCP). . FCC.2286 0.623 -0.3231 0.160 1.593 -2.81 Berilio 0.2950 0.5148 0.113 1.4 DENSIDAD VOLUMÉTRICA Utilizando el modelo de esferas rígidas para la estructura cristalina de la celda unidad de un metal.587 -2.66 Circonio 0.4069 0.147 1.3584 0.98 3.

BCC: a = 4r/√3 volumen: a³ FCC: a = 4r/√2 volumen: a³ HCP: a = 2r c = [√ (2/3)]*4r volumen: (3/2)*√3*a²*c .

.02×1023 átomos/mol Obteniendo: ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] El valor obtenido mediante ésta ecuación puede variar ligeramente del valor experimental consignado en tablas. lo cual debe atribuirse a la ausencia de algunas posiciones atómicas.También podemos expresar esta ecuación de forma más general teniendo en cuenta que la masa celda unidad es: (Número de átomos celda unidad) * (Peso molecular de los átomos) Y volumen celda unidad es: (Volumen celda unidad)*(Número de avogadro) Número de avogadro = 6.

EJEMPLOS Ejemplo 3.54 g/mol)/(6.54 g/mol. La masa atómica del cobre es de 63.1: El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atómico de 0.02×1023 átomos/mol).70 * 10 -29 m³ Así la densidad del cobre es: .361 nm Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad) En la celda unitaria FCC hay cuatro átomos/celda unitaria. donde a es la constante de red en la celda unitaria y R es el radio del átomo de cobre.361 nm * (10 -9 m)/nm]³ V = 4. √2a =4R.54 g/mol)*(6.22 * 10 -28 Mg El volumen V de la celda unitaria del Cu es: V = a³ = [0. Así: a = 4R/√2 = (4*0. Considerando a los átomos como esferas rígidas que se colocan entre sí a lo largo de la diagonal de la celda unitaria FCC.02×10²³ átomos/mol)] * (10*10-6 Mg)/g m = 4.1278 nm.4. y uniones defectuosas entre los granos (limites de grano). calcule el valor teórico de la densidad del cobre en mega metros por metro cubico. Cada átomo de cobre tiene una masa de (53. Otra causa de esta situación puede deberse también a que los átomos no son esferas perfectas. la masa m de los átomos de Cu en la celda unitaria es: m = [(4 átomos)*(63. Así.1278 nm)/√2 = 0.defectos de línea. Solución Para la celda unitaria FCC.

cuyo parámetro de red es 0.882 g/cm³ Respuesta: ρv (hierro) = 7.98 Mg/m³ Ejemplo 3. significa imperfecciones respecto al arreglo atómico. Como se dijo antes el término “defecto” en este contexto.2: Determine la densidad del hierro BCC.847 g/mol Volumen de la celda unitaria = a³ = (2.2866 nm Masa atómica = 55.4.847) / (23. Átomos por celda = 2 a = 0.3: .2866 nm.54 * 10 -24 cm³/celda Número de avogadro = Na = 6.02 * 10 ²³) = 7.70 * 10 -29) = 8. La pequeña discrepancia entre las densidades teórica y medida es una consecuencia de los defectos en el material.866 * 10 -8 cm)³ = 23.ρv = m/v = (4. Solución Para una celda BCC.882 g/cm³ La densidad medida es 7.98 Mg/m³ Respuesta: ρv (cobre) = 8.4.870 g/cm³.54* 10 -24 * 6.02 * 10 ²³ átomos/mol ρv = [numero de átomos por celda * peso molecular de los átomos]/ [volumen de la celda unitaria * numero de avogadro] ρv = (2*55. Ejemplo 3.22 * 10 -28 Mg)/(4.

87 g/mol Masa = [(4 átomos * 107.167 * 10-²² g Volumen para una celda BCC = a³ donde a =4r/√2 Entonces tenemos: Volumen en cm³ = [((4 * 0. . Calcule: a) El parámetro de red.87 g/mol) / (6.02 * 10²³ átomos/mol)] Masa = 7.144*10-9 m) / √2)*(100 cm / 1 m)]³ Volumen = 6.La plata tiene una estructura cristalina FCC con un radio atómico de 0. Solución. b) El radio atómico del torio.72 g/cm³.608 g/cm³ Ejemplo 3.144 nm. Calcule el valor teórico de la densidad de la plata en g/cm³.167 * 10-²² g / 6. Solución: Masa atómica (Ag) = 107. El peso atómico del torio es de 232 g/mol.4.756 * 10-²³ cm³ Respuesta: ρv (plata) = 10.4: La densidad del torio que tiene una estructura FCC es de 11.756 * 10-²³ cm³ Así la densidad teórica de la plata es: ρv = m/v = 7.

799*10-8 cm b) Usando a = 4r/√2 tenemos: a = (4 * 1.36*10 25 r³ = 6. Utilizando ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Tenemos: 11.02*10²³ átomos/mol] Despejando r: r³ * 11. Determine: a) El volumen de la celda unitaria.4546 nm y c = 1. .72 /cm³ = 928 / 1. b) Cuantos átomos Existen en cada Celda unitaria. Solución.808 g/cm³ y el peso atómico es de 208.186 nm.72 Respuesta: r = 1.799*10-8 cm) / √2 Respuesta: a = 5.4.82*10-²³ cm³ / 11.72 g/cm³ = (4 átomos * 232 g/mol) / [(4r/√2)³ * 6. con a = 0. La densidad es 9.5: El bismuto tiene una estructura hexagonal.a) Como es una es una estructura FCC el parámetro de red a = 4r/√2 y el volumen de la celda es a³.088*10-8 cm Ejemplo 3.98 g/mol.

637*10-²¹ cm³ Reemplazando todos los datos en ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Y tomando como N = numero de átomos tenemos: 9.808 g/cm³ = (N * 208.855 g/cm³.637*10-²¹ cm³ * 6. El peso atómico del potasio es 39.637 nm³ b) V = 0. Calcule: a) El parámetro de red.808 nm Respuesta: V= 0.98 g/mol) / (0. podemos llegar a la conclusión de que el volumen de la celda es: V = (3/2)*√3*a²*c Reemplazando tenemos: V = (3/2) * √3 * (0. .4546 nm)² *9. que tiene una estructura BCC es 0.637 nm³ = 0.6: La densidad del potasio.a) Mirando la figura de la celda hexagonal compacta y teniendo en cuenta que el volumen es la base multiplicada por la altura (c) y además descomponiendo esta base en 6 triángulos equiláteros.09 g/mol. b) El radio atómico del potasio.4.02*10²³ átomos/mol) Despejando N Respuesta: N = 18 átomos Ejemplo 3.

336*10-8 cm) √3] / 4 Respuesta: r = 2.519*10-²² cm³ Respuesta: a = 5.31*10-8 cm 3.02*10²³ átomos/mol)] Despejando a: a³ = 1.855 g/cm³ = [(2 átomos * 39.09 g/mol) / (a³ * 6.5 INDICES DE MILLER Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina. Reemplazando todos los datos otorgados en ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Tenemos: 0.336*10-8 cm b) a = 4r/√3 Despejando r: r = [(5. Los índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l) .Solución a) Sabemos que al ser una celda BCC tiene 2 átomos en su interior. Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices de Miller.

Y. que pueden ser negativos o positivos. Generalmente se asume un origen. Z. . el eje X positivo se usa saliendo del papel. el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte superior.Los índices de Miller son números enteros. Ejes y celdas unitarias: Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente. como planos. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho número. el cual está ubicado en la arista inferior izquierda posterior. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se encuentran situados sobre el sistema de coordenadas X. y son primos entre sí. en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes negativos Se utilizan celdas unitarias para situar tanto puntos.

Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola). Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima expresión 4.1 . Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera: 1. Dirección A . Z) debe situarse una barra o raya encima Determinar los índices de Miller de las direcciones A.5.Direcciones en la celda unitaria: Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés. Encerrar los números resultantes entre corchetes negativo de dicho numero. 2. Ejemplo 3. si el resultado es en cualquier eje (X. usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas positivas y zonas negativas). Y. dichas direcciones son los denominados Índices De Miller y son particularmente las posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en su interior cristalino. generando de esta manera el vector dirección y la cantidad de parámetros de red recorridos 3. o números. B y C. sin comas.

situando en primer lugar el punto que se desea tener como dirección y sentido (cabeza del vector) 4. por ende este puede ser positivo o negativo. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes. [ 111 ] Dirección C 1. 6.1 y ½.0 y 0.0 = .1. 1. las direcciones de Miller son vectores.0 = 1.0 3. 2.0. y con ello poseer la misma línea de acción pero diferente sentido. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 2. 1)=-1.0 2. 1 3. ya que es posible redefinir el sistema coordenado para una misma combinación de coordenadas. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir .½. Es importante resaltar que un material posee las mismas propiedades en todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia.0 1. se sitúan con una barra en la parte superior los valores para dichos ejes.½. 3.0. y se denota entre paréntesis especiales <>.0. Se procede de igual manera. Dos puntos son: 0.0.0 = 1. Aspectos importantes en el análisis y creación de las direcciones en los Índices De Miller: 1. Dos puntos son: 1.1 .0 2.0.-1.0. se restan ambos puntos 4.-2. 0.1.1 .-1.2 5.1. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aun no han sido reducidos. Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversión de enteros.0. Estos grupos reciben el nombre de direcciones de una forma o familia. [ 100 ] Dirección B Dos puntos son: 1. 2(.0. se restan ambos puntos 3.0.1 1.-1.0.1. esto en un sistema cubico es ocasionado por el orden y el sentido de los vectores.-1.0 – 0. Se procede de igual manera.½. Se restan ambos puntos.1 y 0.

Igualmente para una mejor orientación en los planos de un . deformación y construcción de nuevos elementos y materiales. en los metales por ejemplo es más fácil deformarlos en la dirección a lo largo de la cual los átomos están en mayor contacto. En general es necesario encontrar o tener en cuenta la posición y dirección cristalográfica de los elementos ya que así podrá aprovecharse al máximo sus propiedades mecánicas. Planos en la celda unitaria: Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material facilita su deslizamiento y transformación física. Caso ejemplar es el de los elementos magnéticos los cuales funcionan como medios de grabación con mejor y mayor eficiencia si se encuentran alineados en cierta dirección cristalográfica. En muchas ocasiones es necesario describir dichas orientaciones. En la industria esto es de vital importancia para el uso.5. dichos lugares o planos son en donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación. para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales planos de una celda unitaria. para así almacenar de manera segura y duradera la información. Como se mencionó anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los cuales los átomos están compactados de manera más estrecha o cercana en la celda unitaria.Tabla 3.a Direcciones de la familia <110> en el sistema cubico Importancia de las direcciones cristalográficas: Es necesario conocer las direcciones cristalográficas para así asegurar la orientación de un solo cristal o de un material poli cristalino. Es importante resaltar la orientación y forma en la que puede crecer el cristal.

Los Índices de Miller para planos se representan equivalentemente al sistema cartesiano (X. si el reciproco es N/∞. se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones.material podrá existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos mecánicos. Z) = (h. 2.Y. caso que no ocurre en el estudio de las direcciones de los Índices de Miller.5. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un plano cartesiano. 3. l) respectivamente. Para identificar los planos de importancia se procede de la siguiente manera: 1. k.Z en función de los parámetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del sistema de coordenadas). esto significara en el plano que para este eje el plano quedara paralelo a él sin tocarlo. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X. Y. Ejemplo 3. 5.B y C Plano A . 4.8 Determine los índices de Miller de los planos A. donde N es cualquier numero entero real.

x=1 y=1 z=1 2. 1/y=1. ubicaremos el nuevo origen a la derecha del inicial. X=1 . Debe aclararse el plano no cruza al eje z. y=-1. 1/x=1. z=∞ . 1/x=1 . Es necesario cambiar el origen. y= 2.0) 5. z=∞ 3. 1/z= 0 4. Debemos eliminar las fracciones. (111) Plano B 1. 2(1. 1/z=1 3. No existen fracciones que eliminar 4. esto es debido al cociente entre 1/∞ lo cual con su respectivo limite tiende a ser cero (0) 2. ½. (210) Plano C 1. moviéndolo en dirección del eje Y positivo 2. Con el nuevo origen se tiene: x=∞. ya que el plano pasa por el origen.1. 1/y=1/2.

1/y=-1. . 3.3. En este se usan ya cuatro ejes. debido a la simetría de la estructura. Ejemplo 3.3 Familia de planos {110} en los sistemas cúbicos Estos planos son inversos en muchos aspectos de estudio. Se representan con llaves {} 4. análisis y construcción. No existen fracciones que eliminar 5. 2. 1/z=0 4. siendo este último algo más tedioso. una dirección es perpendicular a un plano si tiene los mismos Índices de Miller que dicho plano. Índices de Miller para celdas hexagonales Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de índices de MillerBravais. aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante.5. Esto se demuestra por medio de la densidad planar y el factor de empaquetamiento. los planos y sus múltiplos no son idénticos. los planos positivos y negativos son idénticos. aunque para el cálculo de las direcciones existen los métodos para tres ejes o el de cuatro ejes. Aspectos importantes para los planos en los Índices de Miller: 1. El procedimiento para la obtención de planos y direcciones es el ya estudiado. en los sistemas cúbicos. los planos de forma o familia de planos son equivalentes. 1/x=0.

l). a2=k. para los cuales se asignara un eje respectivo (a1=h.6 Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y D. teniendo en cuenta que para el eje a3 su existencia radicara en la relación h + k = -i.En esta nueva estructura se tomaran los índices (h. k. a3=i. i. Plano A .5. c=l). y la descomposición en cuatro vectores (creación de direcciones en cuatro ejes a partir de los índices en los tres ejes) Relaciones: H= 1/3(2h – k) K=1/3(2k – h) I=-1/3(h + k) L=l Ejemplo 3.

0. 1/a3=-2.1.0 3. Dirección C 1.0 – 1. No existen fracciones que simplificar 4.1 como cabeza del vector. No hay fracciones que simplificar 4. se tiene: 0. No existen fracciones que eliminar o enteros que reducir 4. Los puntos son: 0. Realizando la resta y tomando al punto 0. 1/a1=1/a2=1/a3=0.1.0. .1 – 1.0 2. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4.0.0. 1/c=1 3. 1/a2=1.1 y 1.1 3.1.0. a1=a2=a3=∞. a3=-1/2. a2=1.0. c=1 2. Dirección D 1.0 = -1. Dos puntos: 0. 1/c=1 3.0 y 1.0 2.1.0 = -1. 1/a1=1. La resta genera el vector: 0.0. (0001) Plano B 1. A1=1. c=1 2.0.

En genera los materiales policristalino as muestran propiedades isotrópicas.Comportamiento isotrópico y anisotrópico: A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los materiales presentan comportamientos y desempeños diversos en sus propiedades mecánicas. el cual si posee idénticas propiedades en todas las direcciones diremos que es un elemento cristalográficamente isotrópico. 3. Ejemplo de ello tenernos el aluminio. Se dice que un material es cristalográficamente anisotropico si sus propiedades dependen de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. Si sus propiedades son idénticas en cualquier dirección el material se conoce cristalográficamente como isotrópico. Puede suceder que un material pase de ser anisotropico a isotrópico si sus arreglos son aleatorios en forma policristalina. pero si se presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como anisotropico.6 PLANOS CRISTALINOS Dirección en la celda .

a2. a3. a3 las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Para cristales cúbicos los indices de las direcciones cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeños. H =0 K=0 I = 0 y L=1. Planos en una celda unitaria Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comúnmente utilizando cuatro indices en lugar de tres. es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Los recíprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes. k e i mientras el recíproco de la intersección con el eje c da el índice l. a2 = ” a3 = ” El eje c.llamados indices Miller-Bravais. El plano basal es. estos indices hexagonales de 4indices estan basados en un sistema coordenado de 4 ejes. son designados por las letras h. a1. es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas. Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varían con la orientación cristalográfica. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes. Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un vector de dirección desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cúbica) hasta que sale la superficie del cubo. a1. Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. a2. Así . Así. a3 proporciona los indices h. a2. que forman 1200 entre si. Los indices para los planos cristalinos HCP . Los indices de dirección se encierran entre corchetes sin separación por comas. sin embargo. El cuarto eje o eje c es el eje vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. Las coordenadas de posición de la celda unidad donde el vector de posición sale de la superficie del cubo después de ser convertidas a enteros son los indices de dirección. . k. a1. i. La unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. Notación para planos Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes.A menudo. Existen 3 ejes básicos. a1 = ” . l y encerrados entre parentesis ( hkil ). por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) .

PROTECCIÓN DESCRIPTIVA DE PLANOS Y CORTE DE ÁTOMOS. y es a través de estos sistemas por donde se produce la deformación de los materiales. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo (deformación plástica). La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un plano lo cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos unos con respecto a otros.html http://www. INTRODUCCIÓN Inicialmente podemos definir la densidad planar. El área planar seleccionada debe ser representativa de los grupos de átomos repetitivos dentro del plano.rincondelvago. son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina.html 3. coma la cantidad de átomos que hay en un determinado plano ejemplo: familia de planos (100). A la combinación de un plano de deslizamiento con una dirección.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos. primero tenemos que ver cuáles son los planos y direcciones preferentes.esi2. de tal forma que cuanto mayor es el número de ellos mayor será la capacidad de deformación de éstos. Se define la fracción (1) atómica planar como:  ∂= #ATOMOS INTERSECTADOS/AREA DEL PLANO . Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fracción atómica planar (FAP) más grande o lo que es lo mismo. éste ocurre en los planos sobre los cuales los átomos están más densamente empacados. es a lo que se le denomina sistema de deslizamiento. Pero una definición más formal la densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros localizados dentro de un área dada sobre un plano. la combinación de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformación del material.BIBLIOGRAFÍA:   http://html.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-cristalinade-los-materiales. Para poder determinar cuáles son sistemas existentes. 110 Y 111. con su respectiva dirección de deslizamiento ( densidad lineal) .7 DENSIDAD PLANAR DE FAMILIAS 100.us.

Luego en esta estructura NC = 8. Éste nº de átomos que tocan al átomo central son los vecinos inmediatos y es lo que se denomina nº de coordinación. Estructura cúbica centrada en caras FCC . El átomo central toca a todos los átomos de los vértices a través de la diagonal del cubo. El parámetro reticular es a. tengo 8 átomos en los vértices y uno en el interior.REDES CRISTALINAS BCC Y FCC Estructura cúbica centrada en cuerpo (BCC) Esta estructura recibe la designación de I y en ella todos los ejes son iguales a = b = c y sus ángulos son de 90º. Sí se coloca un átomo en cada punto de la red de Bravais cúbica centrada en cuerpo.

dentro del área contamos un átomo en el centro y un cuarto de átomo en cada una de las esquinas. Si un átomo pertenece totalmente a un área dada. siendo el parámetro reticular a. además de los 8 de los vértices. notamos que la huella de la intersección del átomo sobre el plano es un círculo. ya que cada uno intercepta solamente un cuarto de círculo en el área.Se designa con la letra FCC. Si colocamos un átomo en cada punto de la red de Bravais cúbica centrada en caras. Debemos agregar que en estos cálculos de . La densidad planar o del plano es 2/a2. tendremos 6 átomos en los seis centros de caras. Todos los ejes unitarios son iguales y sus ángulos son de 90º. Entonces. CALCULO DE LA DENSIDAD PLANAR Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convención. tal como la del átomo localizado en el centro de una cara en una estructura FCC.

(111): . mientras que para la estructura BCC. cuales son las direcciones de deslizamientos. veremos que para el caso de la FCC.Luego los planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las diferentes estructuras. Para poder determinar los sistemas. es la {110}. Por lo que ya solo necesitamos conocer. A continuación veremos el cálculo de la densidad atómica planar de la familia de planos (100).la densidad. la familia de planos de mayor densidad planar es la {111}. una de las reglas básicas es que un plano o una línea debe pasar a través del centro de un átomo no se cuenta el átomo en los cálculos. (110).

y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (100) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 78.5% y para BCC es igual a 58.Con los resultados anteriores.9%. .

para poder tener en cuenta a éste como un átomo representativo. para calcular la densidad planar. el área del plano debe pasar por el centro del átomo.Como ya quedó dicho en la introducción. para calcular la densidad planar en una red cristalina BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el átomo central. después de esto se pasa a hacer un cálculo de la densidad planar. A continuación se mostrará el desarrollo de lo anteriormente mencionado: . Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha deducido que el átomo central no corta lo suficiente al área del plano como para tomarse como un átomo representativo. por eso. sin tenerlo en cuenta. utilizando geometría analítica. Aquello es posible saberlo haciendo proyección del área y del plano.

y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (110) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 55.3%. F WILLIAM. y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (111) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 90.uhu.53% y para BCC es igual a 83.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat. Con los resultados anteriores.7% y para BCC es igual a 34%.es/beatriz.Con los resultados anteriores. Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales .pdf (1) SMITH. BIBLIOGRAFIA:   http://www.

Resolver algunos ejemplos sobre la aplicación de difracción de rayos x en la cristalografía. es un proceso que ocurre en todo tipo de ondas cuando éstas se esparcen o se curvan frente a la presencia de un obstáculo u orificio. Las técnicas habituales para estudiar las estructuras cristalinas se basan en el fenómeno de difracción. a esto se debe su utilidad en el estudio de las estructuras cristalinas. Conocer algunos equipos que intervienen en el uso de rayos x para el estudio de la cristalografía.   CRISTALOGRAFÍA DE RAYOS X La cristalografía de rayos x es una técnica que consiste en hacer pasar un haz de luz a través de un cristal de la sustancia o el material en estudio. la distancia entre planos cristalinos (d). OBJETIVO GENERAL  Comprender la aplicación de la difracción de rayos x en la cristalografía. En el espectro electromagnético. Dicho fenómeno se da cuando la longitud de onda es mucho mayor que las dimensiones del obstáculo. El haz se dispersa en varias . OBJETIVOS ESPECÍFICOS  Deducir la fórmula que relaciona la longitud de onda (λ). el parámetro de red (a) y el ángulo de incidencia de los rayos x (θ). Entre mayor sea el tamaño del objeto en comparación con la longitud de onda. más difícil será detectar la difracción. los rayos x tienen longitudes de onda cercanos a las distancias interatómicas de la materia.3. con alto costo y baja resolución (no se puede hacer microscopía a nivel atómico en forma rutinaria).8 DIFRACCIÓN DE RAYOS X INTRODUCCIÓN No es posible visualizar directamente los átomos. La difracción hablando en términos físicos. salvo en situaciones muy particulares.

entre otros. Bragg fue pionero en el tema y desarrolló una sencilla teoría. Una de las limitaciones de esta técnica es que solo se puede usar en materiales cristalinos. En este modelo se analiza la interacción de un haz de radiación sobre un conjunto de planos paralelos. que es la que veremos. equiespaciados y semitransparentes a la radiación. se puede observar un patrón de intensidades que se interpreta según la ubicación de los átomos.direcciones debido al orden de los átomos en el cristal y. d es la distancia entre los planos de la red cristalina y. λ es la longitud de onda de los rayos X. LEY DE BRAGG Para interpretar los diagramas de difracción se requiere una teoría. por difracción. disoluciones. Para efectos de la reflexión se aplica que el ángulo de incidencia es igual al de reflexión. θ es el ángulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersión. W. no puede ser usada en sustancias como gases. haciendo uso de la LEY DE BRAGG. La interferencia es constructiva cuando la diferencia de fase entre la radiación emitida por diferentes átomos es proporcional a 2π. Esta condición se expresa en la ley de Bragg: Donde:     n es un número entero. a sistemas amorfos. . por lo tanto.

las rayos 1 y 1a golpean los átomos K y P los cuales son dispersados en todas la direcciones. DEDUCCIÓN LEY DE BRAGG Consideramos la figura de abajo conformada por planos de átomos distanciados a una longitud d. DEDUCCIÓN DE LA LEY DE BRAGG POR DIFERENCIA DE CAMINO ÓPTICO Para analizar los rayos dispersados por átomos en diferentes planos se toma los rayos 1 y 2 de la figura de arriba. estos rayos (1’ y 1a’) se encuentran en fase y por lo tanto se cumple que: QK − PR = PKcosθ − PKcosθ = 0 Esta condición se cumple para cada plano.De acuerdo al ángulo de desviación (2θ). pero para cierta dirección. Para el primer plano. Estos rayos son dispersados por los átomos K y L. el cambio de fase de las ondas produce interferencia constructiva (figura izquierda) o destructiva (figura derecha). la diferencia en sus caminos ópticos es: ML + LN = dsenθ + dsenθ .

en tal caso no habrá reflexiones. y buscamos el ángulo apropiado. n tiene que ser un entero. La ecuación de Bragg da la relación entre las posiciones angulares de los haces difractados reforzados en función de la longitud de onda (λ) de la radiación de rayos x incidente y del espaciado interplanar dhkl de los planos . en tal caso el problema no tiene soluciones. entonces sólo habrá soluciones entre 1 y n´-1. Si siguiendo este procedimiento. n´=5) por primera vez no es posible. θ) que son soluciones de la ecuación. Primero verificamos si λ puede caber al menos justo una vez en la diferencia de camino óptico. Nótese que si los datos iniciales son tales que λ es mayor que 2d. y probando con n crecientes y sin saltarse ninguno.  Suponiendo que λ. Se observará que no siempre hay solución.Así estos rayos estarán completamente en fase si su diferencia de caminos es igual a un número entero (n) de longitudes de onda λ. se encuentra que una solución de orden n´ (por ejemplo. d y θ son dados: Sabemos que n es un número entero mayor o igual a la unidad. Si hay solución en θ para n=1. no habrá ni siquiera solución para n=1. ambos valores incluidos.  Analicemos ahora las soluciones de Bragg en que solo λ y d son datos fijos: Nos quedan como variables n y θ. Para que los haces emergentes estén en fase. ¿Cómo se interpreta el número n? Revisando la deducción de esa ley. podemos seguir buscando las soluciones de orden superior (para n mayores). Aquí se trata de buscar las parejas (n. tenemos que n es el número entero de veces que λ cabe en la diferencia de camino óptico de dos planos sucesivos de la familia de planos paralelos considerada. de tal manera que se cumple que: INTERPRETACIONES Y SOLUCIONES DE LA LEY DE BRAGG La Ley de Bragg establece que nλ=2dsinθ.

En muchos casos se utiliza el primer orden de difracción. se puede demostrar que para las estructuras cristalinas cúbicas: Donde: dhkl = espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos con índices de Miller h. y en este caso la ley de Bragg resulta: ACERCA DE LA DISTANCIA INTERPLANAR (d) Y EL PARÁMETRO DE RED (a) En las estructuras cristalinas cúbicas. Este espaciado representa la distancia desde un origen elegido que contiene a un plano a otro paralelo con los mismos índices que sea cercano al primero. el espaciado interplanar entre dos planos paralelos con los paralelos con los mismos índices de Miller se indica como dhkl.cristalinos. donde n=1. k y l son los índices de Miller de los planos. donde h. a = constante de red (arista del cubo unidad). h. l = índices de Miller de los planos cúbicos considerados. k. Por simple geometría. k y l. ANÁLISIS POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS MÉTODO DE ANÁLISIS DE POLVO POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X: .

 Reglas para determinar los planos de difracción {hkl} en los cristales cúbicos: Índices de Miller de los planos de difracción para las redes BCC y FCC: . todos los planos (hkl) son planos de reflexión. Los datos de los análisis de rayos x por difracción de las celdas unitarias pueden simplificarse expresando la longitud de onda así: Finalmente: Empleando la anterior ecuación junto con los datos de difracción de rayos x podemos determinar si una estructura es cúbica centrada en el cuerpo (BCC) o cúbica centrada en las caras (FCC). Para la estructura BCC la difracción solo se da en los planos cuyos índices de Miller sumados (h+k+l) dan un número par. En ésta técnica se utiliza una muestra pulverizada de muchos cristales para que tenga lugar una orientación al azar y asegurar que algunas partículas estarán orientadas en el haz de rayos x para que cumplan las condiciones de difracción de la ley de Bragg. En la estructura FCC los principales planos de difracción son los que sus índices son todos pares o todos impares (el cero se considera par).La técnica comúnmente utilizada en difracción de rayos x es el método de polvo. Para esto debe conocerse cuáles planos cristalinos son planos de difracción para cada tipo de estructura cristalina:   Para la red cúbica sencilla.

Un caso sencillo que permite ilustrar cómo se puede emplear este análisis es diferenciar entre las estructuras cristalinas BCC y FCC de un metal cúbico. Supóngase que se tiene un metal con una estructura cristalina BCC o FCC y que se pueden identificar los planos de difracción principales y los valores de 2θ correspondientes. Despejando y elevando al cuadrado ambos lados se tiene: A partir de los resultados experimentales de difracción de rayos x se pueden obtener los valores de 2θ para una serie de planos principales de difracción {hkl}. . Como y se pueden eliminar estos valores con la relación de dos valores de sin2θ. θA y θB: son los dos ángulos de difracción asociados a los planos principales escogidos.

75. Sustituyendo h. k y l en la ecuación anterior se tiene: Del resultado anterior podemos concluir que un metal es FCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es 0. EL DIFRACTÓMETRO . Sustituyendo h. k y l en la ecuación anterior se tiene: Del resultado anterior podemos concluir que un metal es BCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es 0. Para la estructura cristalina FCC los dos primeros planos principales son {1 1 1} y {2 0 0}.5.Para la estructura cristalina BCC los dos primeros planos principales son {1 1 0} y {2 0 0}.

1541 nm.704 º. suponga un orden de difracción de n = 1. EJEMPLOS DE APLICACIÓN 1. De este modo la estructura atómica de la muestra quedará registrada en un difractograma. Calcule el valor de la constante de red a para el hierro BCC. El difractómetro está compuesto de un portamuestras móvil que irá moviendo el objeto estudiado con el fin de variar el ángulo de incidencia de los rayos X.El difractómetro de rayos X es capaz de detectar la radiación que emana una muestra determinada al ser excitada por una fuente de energía. La difracción a partir de los planos {1 1 0} se obtiene a 2θ = 44. La respuesta generada depende del ordenamiento interno de sus átomos. Una muestra de hierro BCC se coloca en un difractómetro de rayos X utilizando rayos X incidentes de longitud de onda λ = 0. Solución: .

86. 58. . 100. 154 nm. b)Determine la constante de red del elemento. Primero se calculan los valores de sin2θ a partir de los valores de 2θ de los ángulos de difracción.c)Identifique al elemento.7. Solución: a) Determinación de la estructura cristalina del elemento.2. a) Determine la estructura cúbica del elemento.4 y 114. El difractograma de un elemento que tiene estructura cúbica BCC o FCC presenta picos de difracción en los ángulos 2θ siguientes: 40. La longitud de onda de los rayos X incidentes utilizados es de 0.8. 73.

154 nm. k = 1 y l = 0 en la ecuación anterior para los índices de Miller h. la estructura seria FCC. y para una radiación incidente de λ. Con frecuencia. el valor correspondiente a sin2θ es 0. que son planos {1 1 0}. b) Determinación de la constante de red. El elemento es el volframio.5. En esta parte hablaremos de los defectos superficiales. estos defectos tienen un impacto directo sobre las propiedades de los materiales. se obtiene: c) Identificación del elemento.316 nm y es BCC.75. dado que el elemento tiene una constante de red de 0.A continuación se calcula la relación entre los valores de sin2θ de los ángulos primero y segundo: La estructura cristalina es BCC ya que la relación es de ≈ 0.117. 3. En el arreglo de los átomos o iones de los materiales diseñados existen imperfecciones o defectos. k y l de la primera serie de planos principales de difracción para la estructura BCC.9 Imperfecciones cristalinas. Como se mencionó antes. Si la relación hubiera sido ≈ 0. 0. estas imperfecciones pueden darse en 3 tipos: . Sustituyendo h = 1. de volumen e influencia de las dislocaciones en las propiedades mecánicas de los materiales.

Son de 3 tipos: a) Átomos intersticiales.9.1) 2) 3) Puntuales. como dislocaciones. b) Vacancias.1 Átomos intersticiales: Se forman cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada.com/2009_02_01_archive. . Lineales y superficiales. De volumen. en consecuencia es distinto de los defectos extendidos.blogspot. c) Átomos sustitucionales. Un “punto” importante acerca de los defectos es que.1. aunque se presentan en uno o dos sitios.html 3.9. http://nelyestradad.1 Imperfecciones puntuales: Un defecto puntual implica en general a uno o un par de átomos o iones y. etc. 3. su presencia es en distancias muchos mayores en el material cristalino. límites de grano.

aunque son mucho menores que los átomos o los iones que están en los puntos de red. Para concentraciones pequeñas.1.htm 3. como impurezas. http://ocw. aun cuando se cambie la temperatura. son mayores que los sitios intersticiales que ocupan. los átomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura cristalina del hierro e introducen un esfuerzo en la región del cristal en su cercanía.9. la cantidad de átomos o iones intersticiales en la estructura permanece casi constante. en consecuencia. con lo que se vuelve difícil crear deformación permanente en metales y aleaciones.Los átomos o los iones intersticiales. una vez introducidos. además es un hueco creado por la pérdida de un átomo. la región cristalina vecina esta comprimida y distorsionada. . A diferencia de las vacancias. mientras que los átomos de carbono se agregan en forma intersticial al hierro para producir acero. Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos. Esta es una forma importante de aumentar la resistencia de los materiales metálicos. Puede producirse durante la solidificación por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.2 Vacancias: constituye el defecto puntual más simple. Los átomos intersticiales como los de hidrogeno están presentes. con frecuencia.es/ciencia-e-oin/quimica-de-losmateriales/Material%20de%20clase/tema6a.uc3m. se encuentran con resistencia a su movimiento.

y un átomo sustituido de menor radio hará que los átomos vecinos sufran una tensión. en consecuencia. la existencia de dislocaciones en los materiales metálicos justifica la plasticidad y fluencia que los caracterizan y diferencian frente a los cerámicos. El esfuerzo cortante resultante crítico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocación.es/~avicente/curso/unidad3/defectos.9. La dirección de deslizamiento. el número y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. 3. En los cristales metálicos.upv. los metales FCC tienden a ser dúctiles.3 Átomos sustitucionales: en este defecto se sustituye un átomo de la estructura cristalina por otro.9. formado por un plano de deslizamiento y una dirección de deslizamiento. Estos aun teniendo también estructura cristalina no permiten los procesos de plastificación. debido a la ausencia conjunta de átomos alineados en súplanos. Un átomo de mayor radio hará que los átomos vecinos sufran una compresión.1. El plano de deslizamiento normalmente también es compacto o casi compacto. Las dislocaciones son defectos de línea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. Se debe tomar en cuenta que el radio del átomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporción ya que podrían ocurrir perturbaciones en el material. típicamente es una dirección compacta.http://personales. el esfuerzo cortante resultante crítico es bajo y existe un número óptimo de planos de deslizamiento. En el caso de los metales BCC.2 Lineales y superficiales: Se dan en dirección de los planos de Miller. La dislocación se mueve en un sistema de deslizamiento.html 3. En los metales de estructura cristalina FCC. no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crítico .

que incluyen vacancias.9. por lo que los metales BCC tienden a ser resistentes. 3. las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanías de defectos puntuales.2. En este caso. 3.1 Dislocaciones simples: Deslizamiento de los planos cristalinos por acción de una fuerza. incrementándose la resistencia del material. átomos intersticiales y átomos sustitucionales. Dislocaciones helicoidales.es alto. introducen campos de esfuerzos de compresión o de tensión que alteran la red adyacente. los átomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre átomos normales) y los átomos sustitucionales (que remplazan al átomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su número no se altera por los cambios de temperatura del material. El número de sistemas de deslizamiento en los metales HCP es limitado.9.2. haciendo que estos metales se comporten de manera frágil. El número de vacancias. depende de la temperatura del material. Como resultado. o de puntos de red vacíos.2 Dislocaciones helicoidales o de tornillo: Se llama así debido a la superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor de la línea de dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. el vector de Burgers es paralelo al plano que contiene la dislocación y perpendicular al plano de deslizamiento . Se agrupan en: a) b) Dislocaciones simples. La parte superior de la región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la derecha respecto a la parte inferior. Los defectos puntuales.

html 3. En el caso de un cristal iónico. Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio.blogspot.http://conocimientosdefectsinsolids. los cationes son más pequeños que los aniones. son predominantes los defectos Frenkel de los cationes. los diagramas son una representación en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3: . Este tipo de defectos son los que confieren movilidad iónica al sólido. es el conjunto formado por un átomo intersticial y el hueco que ha dejado tras el salto.9.3 Otros tipos de dislocaciones: a) Defecto frenkel: es una imperfección cristalina combinada de la vacancia y de la intersticial. ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a uno intersticial dejando entonces una vacancia.com/2010/05/defects-in-solidsdislocaciones.

html b) Defecto schottky: es una par de vacancias en un material con enlaces iónicos. Por ejemplo.com/wiki/Defecto_Schottky c) Dislocaciones de borde: resultan cuando las dos nuevas superficies son desplazadas transnacionalmente en dirección normal a la línea de dislocación. Se generan vacantes de iones de signo contrario para anularse de forma estequiométrica. Para mantener la neutralidad deben perderse de la red tanto un catión como un anión. las vacancias se presentan en un material con enlaces iónicos. En el Zr+4 faltante.http://nelyestradad. Es exclusivo de los materiales iónicos y suele encontrarse en muchos materiales cerámicos. con el fin de mantener una carga total neutra. En este defecto. donde debe faltar un número estequiométrico de aniones y cationes en el cristal si se quiere conservar en el la neutralidad eléctrica.com/2009_02_01_archive. Ejemplo: http://es. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocación de borde. Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto. habrá 2 iones O-2 faltantes. El defecto es típico de los materiales cerámicos.7val. pues es un defecto que aparece para mantener la electro neutralidad del material.wikipedia. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.blogspot. . abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de átomos. un Mg+2 y un O-2 iones faltantes en Mg constituyen un par de Schottky.

El desplazamiento hace que la dislocación se mueva una distancia atómica hacia el lado. Otra analogía es el movimiento de avance de una oruga. rompiendo los enlaces de los átomos en un plano. pero mantiene una orientación fija en el espacio. la dislocación se mueve a través del cristal hasta que se produce un escalón en el exterior del mismo. y usa el movimiento para ir de un lado a otro. esta se puede mover.html d) Dislocaciones mixtas: Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. La estructura atómica local en torno a la dislocación mixta es difícil de visualizar. Si continua este proceso. el vector de burgers queda igual para todas las porciones de la dislocación mixta. el cristal se ha deformado plásticamente. Una gran diferencia entre el movimiento de una oruga y el de una dislocación es la velocidad con que se mueven.http://personales. con una región de transición entre ellas. .es/~avicente/curso/unidad3/defectos. La velocidad con la que se propagan las dislocaciones en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido. Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de burgers a un cristal que contenga una dislocación.upv. Levanta alguna de sus patas en determinado momento. Las dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y tornillo. Sin embargo. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación. pero el vector de Burgers proporciona una descripción conveniente y sencilla. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de átomos originales. sin levantar todas las patas al mismo tiempo.

el cristal terminaría por quedar cortado a la mitad.9. contener muescas diminutas y ser mucho más reactiva en el interior del material. La superficie exterior también puede ser muy áspera. 3. Un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo de los átomos es casi idéntico. Esto es un factor muy importante en la fabricación de dispositivos micro electrónico a base de sí. si se pudieran introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal. la orientación del arreglo de átomos.fortunecity.4 De volumen: para comenzar a hablar de este tipo de imperfección se aclararan los siguientes temas:  Superficie del material: Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina el cristal en forma súbita. Sin embargo.Otra forma de visualizar esto es imaginar cómo se movería una onda en una alfombra si tratáramos de eliminarla aplanándola en lugar de levantar la alfombra.htm  Límites de grano de ángulo pequeño: Un límite de grano de ángulo pequeño es un conjunto de dislocaciones que produce una pequeña desorientación entre cristales vecinos.com/ginermendocilla/Fun. es distinta en cada grano vecino.  Límites de grano La estructura de muchos materiales cerámicos y metálicos consiste en muchos granos. Como la superficie de la energía es menor que la de un límite de grano normal. moviéndose a través del cristal por la misma trayectoria. los límites de grano con ángulo pequeño no son tan eficientes para bloquear los deslizamientos. Cada átomo en la superficie ya no tiene el número adecuado de coordinación y se interrumpe en enlazamiento atómico. o estructura cristalina. . http://members. Los límites de grano con tamaño pequeño que se forman por dislocaciones de borde se llaman límites inclinados los que se forman por dislocaciones de tornillo (véase defectos lineales) se llaman límites de giro.

que actúa a lo largo de límite de macla. Límites de macla: Un límite de macla (o de gemelación) es un plano a través del cual hay una desorientación especial de imagen especular de la estructura cristalina.  Límites de dominio: los materiales ferro eléctricos son los que desarrollan polarización dieléctrica espontánea y reversible. Los defectos volumétricos se forman cuando un grupo de átomos o de defectos puntuales se unen para formar un vacío tridimensional o poro. puede ser mayor. Un dominio es una pequeña región del material cuya dirección de magnetización o polarización dieléctrica permanece igual. Los defectos tienen un efecto o influencia considerable en el comportamiento y desempeño de un material. Los límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento y aumentan la resistencia del metal. El maclado sucede durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. La presencia de dominios influye sobre las propiedades dieléctricas y magnéticas de muchos materiales electrónicos y magnéticos. En la figura se muestra un ejemplo de dominios en el titanio de bario tetragonal forro eléctrico. que hace que los átomos se desplace de su posición. De manera inversa. en ocasiones. Estos materiales electrónicos y magnéticos contienen dominios. A los materiales que desarrollan una magnetización en forma parecida se les llama ferromagnéticos o ferromagnéticos. Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante. El movimiento de los límites de macla también puede causar la deformación del metal. . Finalmente el concepto de un defecto tridimensional o volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro de un material poli cristalino. El tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos cuantos nanómetros hasta centímetros o. En esos materiales se forman muchos dominios pequeños de tal manera que se minimiza la energía libre total del material. un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado tridimensional.

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