Factor de empaquetamiento atómico

En cristalografía, el factor de empaquetamiento atómico (FEA), en inglés: Atomic packing factor, APF, es la fracción de volumen en una celda unidad que esta ocupada por átomos. Este factor es adimensional y siempre menor que la unidad. Para propósitos prácticos, el FEA de una celda unidad es determinado asumiendo que los átomos son esferas rígidas. Para cristales de un componente (aquellos que contienen un único tipo de átomo), el FEA se representa matemáticamente por

donde Nátomos es el numero de átomos en la celda unidad, Vátomo es el volumen de un átomo, y Vcelda unidad es el volumen ocupado por la celda unidad. Matemáticamente puede ser probado que para estructuras de un componente, el arreglo más denso de átomos tiene un FEA alrededor de 0.74. En realidad, este número puede ser mayor debido a factores intermoleculares específicos. Para estructuras de múltiples componentes, el FEA puede exceder el 0.74.

Ejemplo

Estructura BCC

La celda unidad para la estructura cúbica centrada en el cuerpo, en inglés: Body-centered cubic, BCC, contiene dos átomos: un octavo (1/8) de atomo en cada esquina del cubo y un átomo en el centro. Dado que el volumen de cada átomo ubicado en las esquinas es compartido con las celdas adyacentes, cada celda BCC contiene dos átomos. Cada átomo en las esquinas toca el átomo central. Una linea que sea dibujada desde una esquina del cubo a través del centro hacia la otra esquina pasa a lo largo de 4r, donde r es el radio de un átomo. Por geometría, la longitud de la diagonal es a√3. Por lo tanto, la longitud de cada lado de la estructura BCC puede ser relacionada al radio de cada átomo mediante

Conociendo esto y la formula para el volumen de una esfera((4 / 3)pi r3), es posible calcular el FEA de la siguiente manera:

Para la estructura hexagonal la derivación es similar. La longitud de un lado del hexágono sera denotada por a mientras que la altura del hexágono se denotara como c. Entonces:

Arreglo hexagonal tridimensional. a = 2r

Entonces es posible calcular el FEA como sigue:

FEA de estructuras comunes
Mediante procedimientos similares, los factores de empaquetamiento atómico ideales de todas las estructuras cristalinas pueden ser encontrados. Algunos factores comunes se presentan a continuación, redondeados a la centésima mas próxima.
  

Cúbica simple (CS): 0.52 Cúbica centrada en el cuerpo (BCC): 0.68 Hexagonal compacta (HCP): 0.74

74 Cúbica diamante: 0.34 .  Cúbica centrada en las caras (FCC): 0.

.

.

.

.

si a temperatura ambiente la arista es igual a 0. hexagonal compacta HCP y cúbica centrada en el cuerpo BCC debido a que se libera energía a medida que los átomos se aproximan y se enlazan cada vez más estrechamente entre sí.287 X 10-9 nm ? .PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METÁLICAS La mayoría de los metales elementales (90%) cristalizan en tres estructuras cristalinas densamente empaquetadas: cúbica centrada en las caras FCC. Por lo tanto dichas estructuras densamente empaquetadas se encuentran en disposiciones u ordenamientos de energía cada vez más baja y estable. Ejemplo ¿ Cuántas celdas unidad hay aproximadamente en el Fe puro BCC si las aristas de la celda estuvieran alineadas arista con arista en 1 mm.

es decir. De este modo. el 68% del volumen de la celda esta ocupado por átomos y el 32% restante en espacio vacío. Wolframio. ya que los átomos aún podrían situarse más juntos. y la relación entre la longitud de la cara del cubo a y el radio atómico R es: Si los átomos en la celda BCC se consideran esféricos. El cristal BCC no es una estructura totalmente compacta. El modelo de esferas sólidas indica que los átomos de esta estructura están unidos del modo más compacto posible. y un octavo de esfera esta localizado en cada vértice de la celda unidad. Cada una de estas celdas unidad tiene el equivalente de 2 átomos por celda unidad. Hierro. El APF de esta estructura de empaquetamiento compacto es 0. Molibdeno y Vanadio tienen estructura cristalina BCC. Un octavo de átomo en cada vértice (8 x 1/8=1) y seis medios átomos en el medio (1/2 x 6= 3). En esta celda unidad el átomo central esta rodeado de 8 vecinos más cercanos y se dice que tiene por lo tanto un número de coordinación de 8. Estructura Cristalina Cúbica Centrada en las Caras FCC. Muchos metales como el Cromo. el factor de empaquetamiento atómico (APF) puede hallarse empleando la siguiente expresión: El APF de esta celda es 0.68. .74.Estructura Cristalina Cúbica Centrada en el Cuerpo BCC En esta celda unidad las esferas sólidas representan los centros donde los átomos están localizados e indican sus posiciones relativas. Un átomo completo esta localizado en el centro de la celda unidad. Esta celda tiene el equivalente a cuatro átomos por celda unidad. En esta celda hay un punto reticular en cada vértice del cubo y otro en el centro de cada cara del cubo. Los átomos en este tipo de celdas contactan entre sí a través de la diagonal del cubo. hay un total de 1 (en el centro) + 8 x 1/8 (en los vértices) = 2 átomos por celda unidad. haciendo el equivalente de otro átomo.

54 g/mol 1/8 * 8= 1 átomo ½ * 6= 3 átomo a 4 átomos en la celda FCC figura 5 Parámetro de Red: Volumen de la celda: V=a3 = (0. de tal forma que la relación entre la longitud de la cara del cubo y el radio atómico es: Metales como el Aluminio. el Níquel y el Hierro a temperaturas elevadas (912 a 1394°C) cristalizan según la estructura FCC.Los átomos en la celda FCC contactan entre sí a lo largo de la diagonal de la cara del cubo. Ejemplo El Cu posee una estructura FCC y un radio atómico de 0.7 x 10-29 m3 Masa de los átomos de Cu en la celda: . el Plomo.047nm3x(1X10-9m)3 = 4. ¿ Cuál es el valor teórico de la densidad del Cu ? Masa atómica del Cu=63.361nm)3 =0.1278 nm y considerando que los átomos son esferas sólidas que contactan a lo largo de las diagonales de la celdilla unidad FCC. el Cobre.

haciendo un equivalente a 2 átomos más.633 que indica esferas uniformes tan próximas como sea posible. La relación c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1. Los índices de Miller de un plano cristalino están definidos como los recíprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes x. lo que indica que los átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celda unidad HCP. etc. Berilio.96 . a defectos en la red.Densidad Volumétrica: El valor tabulado experimentalmente es de 8. . Cadmio poseen una relación c/a más alta que la ideal. Estructura Cristalina Hexagonal Compacta HCP Los metales no cristalizan en la estructura hexagonal sencilla porque el APF es demasiado bajo. La celda HCP posee 6 átomos. ÍNDICES DE MILLER Celdas Cúbicas. finalmente existen 2 mitades de átomo en el centro de ambas capas superior e inferior. Magnesio Y Circonio entre otros tienen relaciones c/a menores que la ideal. existen 6*1/6 secciones de átomos localizados en las capas de arriba y de abajo. Los metales Cinc. haciendo el equivalente de un átomo más. Por tanto en estos metales los átomos están comprimidos a lo largo de la dirección del eje c. a la ausencia de átomos en las posiciones atómicas. Los metales como el Titanio. El APF es 0.74 ya que los átomos están empaquetados de un modo lo más cercano posible. Cada átomo esta rodeado de otros 12 átomos y por tanto su número de coordinación es 12. la diferencia se debe a que los átomos no son esferas perfectas. tres forman un triángulo en la capa intermedia.

La notación (hkl) se emplea para indicar los índices de Miller en sentido general. Estos números enteros son los índices de Miller de un plano cristalográfico y se encierran entre paréntesis sin usar comas. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias. Las aristas de una celda cúbica unitaria representan longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de una red se miden en base a estas longitudes unitarias.y. z de los tres lados no paralelos del cubo unitario. y z respectivamente. donde h. y. El procedimiento para determinar los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico es el siguiente: Escoger un plano que no pase por el origen en (0. Construir los recíprocos de las intersecciones. k.0) Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x. z cristalográficos para un cubo unitario. Ejemplos . y l son los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico de ejes x. Despejar fracciones y determinar el conjunto más pequeño de números enteros que estén en la misma razón de las intersecciones. y.0.

1. Para la segunda figura. 1. a los ejes x. tiene las intersecciones 1.figura 6 Las intersecciones del primer plano son 1. 0. el plano ha de ser desplazado a una posición equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo al original. siendo los índices de Miller (1 1 0). y. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son indicados con los mismos índices de Miller. y los recíprocos de estos números son 1. 0. Por ejemplo. 0 no involucran fracciones. las intersecciones son: 1. 1. . Finalmente. Los índices de Miller para este plano son: (1 0 0 ). Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno ó más cortes se hacen cero. 1 que nos dan un índice de Miller (1 1 1). Si grupos de planos de redes equivalentes están relacionados por la simetría del sistema cristalino. se llaman familia de planos. los índices de Miller de los . el tercer plano. z respectivamente. y los índices de una familia de planos son encerrados entre llaves. por lo tanto los recíprocos son: 1.

k. i. Se identifican empleando cuatro índices en vez de tres. tres ejes básicos a1. k.a2.a3 proporcionan los índices h. La unidad de medida a lo largo del eje c es la altura de la celdilla unidad. la dirección [100] es perpendicular al plano cristalino (100). figura 7 .a2. son representados por las letras h. Una importante relación sólo para el sistema cúbico es que los índices de una dirección perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los índices de Miller para ese plano. l y encerrados entre paréntesis (h. i. k e i mientras que el reciproco de la intersección con el eje c da el índice l. l).a2. Los recíprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes a1.a3 que forman 120° entre sí. el cuarto eje o eje c es el eje vertical y está localizado en el centro de la celdilla unidad (Ver figura).planos de la superficie del cubo (100) (010) y (001) se designan colectivamente como una familia con la notación {100}. Celda HCP. se denominan índices Miller-Bravais. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1.a3 es la distancia entre los átomos. Por ejemplo. Estos índices hexagonales están basados en un sistema coordenado de cuatro ejes.

a2. sin embargo.v. Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican por cuatro índices [u. a través de algún plano (o planos). a1 = a2= a3 = . A partir de mediciones sobre especímenes de monocristales de orientaciones conocidas se puede determinar 1) los planos sobre los cuales se produce el deslizamiento y 2) la dirección de deslizamiento dentro de estos planos. las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. . i=0. SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO Un sistema de deslizamiento es la combinación de un plano y una dirección que se halla sobre el plano a lo largo del cual se produce el deslizamiento.Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla. El eje c. El plano basal es. Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los índices de Miller-Bravais para el plano basal HCP. Puesto que todas las líneas de deslizamiento está en grupos paralelos dentro de cada monocristal (cada grano). el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a1.a2. ±[110]. El deslizamiento no se produce sobre un plano solamente. es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Los cristales FCC poseen 12 sistemas de deslizamiento debido a que tienen cuatro grupos {111} y con tres direcciones <110> en cada una. Son vectores reticulares en las direcciones a1. una respecto a la otra. por tanto. l=1. dependiendo de sus espesores. deben corresponder a una misma familia de planos (hkl) ocupados del grano particular. El Mecanismo de deslizamiento puede definirse como el movimiento paralelo de dos regiones cristalinas adyacentes.w]. h=0. K=0. un plano (0001). Tales experimentos han revelado que en las estructuras FCC el deslizamiento siempre se produce sobre los planos {111} pero solamente en las direcciones <110>.t.a3 respectivamente y el índice w es un vector reticular en la dirección c. Así. sino sobre pequeñas regiones de planos paralelos llamados bandas de deslizamiento o líneas de deslizamiento. Esto significa que si se produce el deslizamiento sobre el plano (111) será en alguna de las tres direcciones ± [101].a3 . Así. ±[011].

633 hay alguna preferencia para el deslizamiento sobre el plano basal. W. En estos cristales el deslizamiento se produce predominantemente en los sistemas {110} <111> y la apariencia ondulada se debe aparentemente a deslizamiento simultáneo sobre los otros dos sistemas de planos {211} y {321} . W. Fe Fe. Esta observación esta relacionada con el hecho de que los planos empaquetados más densamente también son el grupo de planos (hkl) ocupados que tienen el espaciamiento más amplio. Ni. Para los metales c/a > 1. Existen excepciones.En otras estructuras de cristales metálicos. Zr. Ti. Las direcciones de deslizamiento siempre son en la dirección de empaquetamiento compacto. Ag. 3. Mo.633 del modelo de esfera dura. Zn. mercurio sólido. Estructura FCC BCC BCC BCC HCP HCP HCP Dirección de Deslizamiento <110> <111> <111> <111> <1120> <1120> <1120> Planos de Deslizamiento {111} {110} {210} {321} Ejemplos Cu. Ta Fe. . 2. Latón. Mg. Pb. K Cd. por ejemplo. los sistemas de deslizamiento tienen más variabilidad. Nb.633 los sistemas de deslizamiento preferidos son los otros dos. El deslizamiento se produce primero sobre el sistema de deslizamiento que tiene el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su dirección de deslizamiento. En los metales BCC las líneas de deslizamiento tienen una apariencia ondulada. la relación c/a no es igual al valor ideal de 1. Al. El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayoría de los planos compactos. Mo. Na Fe. Mg. Co Ti. Be Ti. En cristales HCP reales. <1120>(0001). Mg (0001) {1010} {1011} Tres observaciones generales son de gran importancia: 1. mientras que para aquellos metales con c/a < 1. Au. Be.

99 gramos.4 y 22.321nm)3 = 0. Nota: los átomos resultan tangentes en la direcciones tangentes de la diagonal. por ello.097 nanómetros y sus masas atómicas 35..El molibdeno posee una estructura cúbica centrada en el cuerpo y una densidad de 10. b) b) La densidad volumétrica del cloruro sódico.0973 nm3) / 0. Se desea conocer: a) a) El índice de coordinación de los iones cloro y sodio. c) c) El factor de empaquetamiento. .097 nm) / sqr3 = 0. Se pide: a) a) Calcular el número de coordinación y el número de átomos de cada celdilla elemental b) b) Su radio atómico. c) c) Su factor de empaquetamiento atómico.4 uma + 4 * 22.99 uma = 233.56 uma Densidad = 233. su número de coordinación es 12. b) b) Por ser tangentes los átomos según la diagonal del cubo se cumple que: Diagonal = sqr3 * lado celdilla Diagonal = 2* radio Cl + 2 * radio Na De las dos igualdades anteriores obtenemos: Lado celdilla = (2*0.1813 nm3+ 4*(4/3*pi)*0.PROBLEMAS Junio 97.La red cristalina del cloruro sódico responde a una estructura como la de la figura.033 nm3 En cada celdilla hay: átomos de Cl: 6 * (1/2) + 8 * (1/8) = 4 átomos de Na: 1 + 12 * (1/4) = 4 Masa celdilla = 4 *masa Na + 4 *masa Cl = 4* 35.56 uma / 0.. Los radios atómicos del cloro y el sodio son respectivamente 0.a) a) Los dos cristalizan en un sistema cúbico centrado en las caras.033 nm3 Junio 99.181 nm + 2 * 0. indicando la estructrura cristalina de cada uno de ellos.181 y 0.2 gr/cm3. Solución Junio 97.321 nm Volumen celdilla = lado3 = (0.033 nm3 c) c) factor empaquetamiento = volumen átomos / volumen celdilla factor emp = (4*(4/3*pi)*0.

94 * 10-23 gr/átomo = nº celdillas = (nº átomos/cm3) / (nº átomos/celdilla) nº celdillas = / 2 = volumen celdilla = 1 cm3 / nº celdillas volumen celdilla = 1 cm3 / volumen celdilla = a3 R = sqr3*a/4 = c) c) el factor de empaquetamiento lo obtenemos dividiendo el volumen de los dos átomos entre el volumen de la celdilla.a) a) Por ser una estructura cúbica centrada en el cuerpo el número de coordinación es 8 y el número de átomos por celdilla es 2 (el central más 1/8 en cada esquina del cubo)..a) a) factor empaquetamiento BCC = 0.74 b) b) a = 4* R/ (SQR3) = 4 * 0. sabiendo que los átomos tienen un radio atómico de 0.FCC: BCC: a = 4*R/SQR2 a = 4*R/SQR3 nº atomos celdilla = 4 nº atomos celdilla = 2 Por cada celdilla FCC se formarán 2 celdillas BCC. ya que el nº de átomos se conserva. Solución Septiembre 99.68 Septiembre 99.127 nm / (SQR3) =0..68 factor empaquetamiento FCC = 0.2 gr/cm3 / 95. teniendo en cuenta que los átomos son tangentes según la diagonal del cubo. Solución Junio 99. b) b) nº átomos/cm3 = densidad/ peso molecular nº átomos/cm3 = 10.Considerando los átomos como esferas compactas: a) a) Comparar el factor de empaquetamiento de una celda FCC y de una celda BCC. b) b) Suponer una estructura BCC y calcular el parámetro de red “a”. Factor empaquetamiento = Vátomos / Vceldilla= 2* (4/3* pi* R)/ a3 = 0.127 nm.94. .El peso atómico del molibdeno es de 95. Solución Junio 01.293 nm a = (volumen celdilla)1/3= ()1/3 = Junio 01.Calcula el cambio teórico de volumen asociado a una transformación alotrópica en un metal puro desde una red FCC a una red BCC.

24 nm/SQR3=2.5 * 1019 átomos .25 * 1019 celdillas * 2átomos/celdilla = 8.088 Luego cuando cristaliza en BCC es un 8.863 * 10-7 cm nº átomos por celdilla = 2 átomos Vceldilla = a3 = (2.Un metal cristaliza en la red cúbica centrada en el cuerpo.483 *10-21cm3 = 4.. a pesar de que la celdilla BCC es más pequeña.(Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * volumen celdilla BCC / volumen celdilla FCC (Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * (4*R/SQR3)3 / (4*R/SQR2)3 = 1. Septiembre 02. Si su radio atómico es 1. ¿Cuántos átomos existirán en 1 cm3? Solución Septiembre 02.8% mayor que cuando lo hace en FCC.863 * 10-7 cm)3=23.25 * 1019 celdillas nº átomos = nº celdilla * nº átomos/celdilla nº átomos = 4.483 *10-21 cm3 nº celdilla = 1 cm3 /23.a= 4*R/SQR3 = 4* 1.863 nm = 2.24 nanometros.

.

a su vez viene definida por una serie de parámetros (a.b. un conjunto de números que cuantifican los cortes y que sólo puede usarse para identificar un plano o una superficie. El siguiente procedimiento que permite asignar índices de Miller está simplificado y sólo sirve para el sistema cúbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ).de largo alcance (sólidos cristalinos) En el interior de un sólido cristalino existe una estructura cristalina formada por una red espacial. β . γ). La geometría de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de átomos sin dejar huecos. consideremos la siguiente superficie /plano: . que. para direcciones [hkl]).entre átomos y más débiles– van der Waals. .c y α . La orientación de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando como el plano corta a los ejes cristalográficos principales del sólido. en cada punto de la cual se sitúan grupos de átomos idénticos en composición y orientación (base). Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los índices de Miller (para planos (hkl). con lo que existe un cierto grado de orden: . Para ilustrar el procedimiento.de corto alcance (sólidos moleculares. característica que hace que sólo existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais). caracterizadas por una celda unitaria cada una.covalentes. La aplicación de un conjunto de reglas conduce a la asignación de los índices de Miller (hkl).Índices de Miller Los átomos en un sólido están empaquetados.entre moléculas ). con enlaces fuertes.

a. es decir 1.∞. son 1 y 0. cortes fraccionarios: 1. z (consideramos que los corta en ∞). ∞. las coordenadas fraccionarias serán: a/a. Los cortes son a. ∞/a.0) 2.La superficie (110) cortes: a. Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cúbico.Paso 1: identificar las intersecciones con los ejes x. ∞. ∞/a. Paso 3: obtener los reciprocos de las coordenadas fraccionarias Este paso final genera los índices de Miller que.1. índices de Miller: (1. Las coordenadas se convierten en fraccionarias dividiéndolas por la dimensión de la celda unidad. z/c). ∞.∞ . y. Por ejemplo un punto (x.∞ . respectivamente. En nuestro caso ( celda cúbica). han de especificarse sin estar separados por comas. lo que nos conduce a (100). por convención. y/b. Paso 2: especificar los cortes en coordenadas fraccionarias.z) en una celda unidad de dimensiones a x b x c.1. En este caso la intersección con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es paralela a los ejes y. Los índices se encierran entre paréntesis () cuando se especifica una única superficie como en este ejemplo.z.y. Los recíprocos de 1 y ∞. Otros ejemplos: 1.La superficie (111) . tiene las coordenadas fraccionarias (x/a.

a . Esta operación simplemente genera un plano paralelo que está a distancia diferente del origen de la celda particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al dividir por dos) (ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes.Las superficies (210) cortes: a/2. (110) y (111) son las llamadas superfícies de índice bajo de un cristal cúbico (el termino bajo hace referencia a que los índices son 0 o 1). índices de Miller: (1.1 .1.1. cortes fraccionarios: 1. a. cortes fraccionarios: 1/2.∞ . 1.1) Las superficies consideradas hasta ahora (100). pero hay un número infinito de otros planos que pueden definirse usando los índices de Miller.a. 3.∞. por tanto deben usarse cuatro índices de Miller (ejemplo (0001)) .cortes: a. Estas superficies tienen especial importancia. índices de Miller: (210) Notas adicionales: (i) en algunos casos los índices de Miller se multiplican o dividen por algún factor común para simplificarlos. el signo negativo debe aparecer en el índice de Miller (ejemplo (00-1) se escribe (001) (iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes pricipales.

Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura cristalina cúbica de parámetro de red igual a 3. en la que los índices de Miller de una de las superficies están representados entre llaves. por tanto x=2. z de un plano cuyos índices de Miller son (362).1/3. y=1. y. La distancia entre planos en el sistema cúbico viene dada por: Ejemplo MIL1 Determinar los valores de la intersección con los ejes x. calcular la distancia interplanar. En el sistema cúbico el plano (hkl) y el vector [hkl]. son perpendiculares. A partir de los índices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3. obteniéndose 1/2. z=3.5 A. Los cortes con los ejes serán. cualquier superficie que pertenezca a este conjunto de superficies de simetría equivalente puede ser descrita por la notación {100}. 1/2 y se reducen a fracciones equivalentes con los números enteros menores posibles (aplicando el mcm= 6). De hecho hay un total de 6 caras relacionadas por elementos de simetría y equivalentes a la superficie (100).En el dibujo las tres superficies están relacionadas por los elementos de simetría del cristal cúbico y son totalmente equivalentes.1. 1/6. definido con respecto al origen. La distancia entre estos planos se obtiene a partir de: . Esta característica es única del sistema cúbico y no se puede aplicar a sistemas de simetría inferior.

REDES CRISTALINAS
Para una apropiada asimilación de lo que significa el orden interno cristalino, se ha de comenzar por la visualización y definición, a través de vectores traslación, del orden interno monodimensional , constituido por las diferentes direcciones de la red que definen, por su periodicidad, filas reticulares donde los nudos están alineados y equidistantes entre sí.

Fila reticular
Se trata de una fila de nudos obtenida por aplicación sucesiva de una traslación definida. El símbolo de las filas reticulares se denomina como los índices [uvw] que son los componentes del vector traslación que une dos nudos adyacentes de la fila considerada expresados en función de un par primitivo cuyo origen se sitúa sobre uno de estos dos nudos. Por ejemplo, para las filas fundamentales:

Para otras filas reticulares:

Plano reticular
Un plano reticular queda definido por dos filas reticulares conjugadas. Todo plano reticular puede definirse por sus intersecciones (Ha, Kb, Lc) con los tres ejes fundamentales del cristal. Las dimensiones de estas intersecciones (HKL), medidas desde un nudo tomado como origen son los parámetros del plano reticular correspondiente. Sin embargo, la denominación habitual de un plano reticular son los índices de Miller.

Índices de Miller
Se obtienen calculando las intersecciones (H, K, L), o número de traslaciones, con los tres ejes fundamentales del cristal. Posteriormente se invierten y se eliminan denominadores, o bien, se calculan los cocientes entre el producto de las tres intersecciones dividido entre cada una de las intersecciones: (H*K*L= N, N/H= h, N/K=k, N/L=l)

K=æ. contar el número de traslaciones t1. b y c. t2 y t3 que ocupa el plano sobre los ejes a. b y c. Es decir. 1/æ=0. Invertimos: 1/æ=0. no existen denominadores Índices de Miller: (001) 1º. L=1.Intersecciones: H=æ. El plano ABD ocupa: . Deducir las intersecciones de cada plano con los ejes cristalográficos a. 1/1=1.

1/4. Reducimos fracciones. 2/4. Su inversión es: 1/4. 1/4. quitando denominadores: 2/4. Para calcular los índices de Miller de cada plano. se reducen las fracciones El plano ABD corta a los ejes en 2. 2t2 en el eje b. y 4t3 en el eje c 2º. si es necesario. Su inversión es: 1/2. 2 y 4. mientras que entre corchetes {hkl} indica todos los planos homólogos que resultan de aplicar los elementos de simetría del cristal al plano (hkl). se invierten los valores y. 1/4. Sin denominadores queda 221 Índices de Miller: (221) El plano EBD corta a los ejes en 4. quitando denominadores: 1/4.2t1 en el eje a. 2/4. 2 y 4. sin denominadores queda 121 Índices de Miller: (121) * Este símbolo entre paréntesis (hkl) nombra el plano dado. 1/4. Celda unidad . y 4t3 en el eje c El plano EBD ocupa: 4t1 en el eje a. 2t2 en el eje b. a partir de estas intersecciones. 1/2. Reducimos fracciones. 1/2.

Se denomina celda primitiva aquella que no tiene nudos en su interior y celda múltiple a la que si los tiene y está definida por vectores múltiples que son múltiplos enteros del vector traslación unitario de igual dirección. Se llama multiplicidad al número de nudos que hay por celda elemental (todas las celdas primitivas de una red tienen multiplicidad 1 . La porción del espacio cristalino limitado por estas traslaciones constituye la celda fundamental del cristal y es característica del mismo. de dimensiones submicroscópicas. ¼ * 4 = 1) .En una red cristalina existen siempre tres traslaciones no coplanarias que tienen las dimensiones mínimas entre todas las traslaciones posibles de la red: son las traslaciones fundamentales o constantes reticulares.

se ordenan en el espacio de acuerdo a determinados tipos de redes geométricas. respectivamente. la forma y la geometría de estos cristales. La mayoría de los minerales adoptan formas cristalinas cuando se forman en condiciones favorables. Los componentes de los sólidos pueden ser de cuatro tipos:   Átomos: partículas elementales de materia con carga eléctrica neutra. que da a los sólidos su consistencia y la mayor parte de sus propiedades. Los sólidos cristalinos tienden a adoptar estructuras internas geométricas basadas en líneas rectas y planos paralelos. salvo excepciones. La cristalografía es el estudio del crecimiento. . también llamadas cristalinas. Las partículas de los cuerpos sólidos. Esta ordenación. Iones: átomos con carga eléctrica negativa (aniones) o positiva (cationes) debidos a la transferencia o recepción. de uno o más electrones.CRISTALOGRAFÍA Ciencia que se dedica al estudio y resolución de estructuras cristalinas. constituye el campo de estudio de la cristalografía.

Profesor de física y de astronomía Auguste Bravais que estableció la teoría reticular. fue posteriormente demostrada gracias a la difracción por rayos X. Moléculas: agrupación de varios átomos del mismo o de diferentes elementos. 3. 5 redes bidimensionales paralelogramos (2D) y 14 modelos distintos de redes tridimensionales paralelepípedo (3D). Las redes de bravais son una disposición infinita de puntos conformando una estructura bajo cierto grupo de traslaciones. según la cual las moléculas de los cristales están dispuestas en redes tridimensionales. sus propiedades y sus aplicaciones. Esta teoría. Por la teoría de grupos se ha demostrado que solo existe una única red de bravais unidimensional (simple secuencia de nodos equidistantes entre sí). sus objetivos son entre otros la clasificación de los grupos. por esto se dice que los puntos de una red son equivalentes. en la mayoría de casos no se dan cambios bajo rotaciones o simetría rotacional. que explica los fenómenos de simetría y anisotropía de las sustancias cristalinas. .1 REDES DE BRAVAIS El nombre de bravais viene del Físico y mineralogista francés. Estas hacen que desde todos los nodos de una red de bravais tengan la misma perspectiva de red. Redes Unidimensionales: La red unidimensional es elemental siendo ésta una simple secuencia de nodos equidistantes entre sí. GEOMETRÍA DE LAS REDES DE BRAVAIS Estructura algebraica conocida por grupos que tiene una secuencia ordenada.  Grupos iónicos: agrupación de varios iones de los mismos o diferentes elementos químicos.

β : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y c. Esto permite clasificar todos los cristales en siete sistemas cristalinos (según el grupo puntual) y en 14 redes de Bravais (según el grupo espacial). de las más conocidas son: . Estas celdas vienen definidas por tres traslaciones: a. existen 14 tipos distintos de redes tridimensionales. Las redes tridimensionales están formadas por la repetición de celdas unidad tridimensionales. Redes tridimensionales: Para las redes de Bravais tridimensionales existen solamente siete grupos puntuales posibles y 14 grupos espaciales. γ : es el ángulo que forman entre sí los vectores a y b (los de la red plana). Obviamente. siendo a y b las traslaciones de la red plana. b y c. De acuerdo con Bravais. un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura sigue un patrón de red en panal. varios grupos espaciales comportan el mismo grupo puntual. vienen definidos tres ángulos: α : es el ángulo que forman entre sí los vectores b y c. y c la traslación de dicha red plana en una dirección diferente (generalmente correspondiente al plano vertical).Redes bidimensionales: Según los ángulos y la distancia entre los nodos se distinguen 5 redes distintas. Además.

uba.BIBLIOGRAFIA:    http://elcrisoluspt.2 SISTEMA CÚBICO Y HEXAGONAL. éstas estructuras son estudiadas a partir de una pequeña porción que contenga el patrón de ordenamiento. William F.org/wiki/Redes_de_Bravais Introducción a la ciencia de materiales para ingenieros: Shackerlford.files. Javad (Autor) 3. .ar/materias/qi2/_teoricas/solidos_primera_parte. Nuria (Traductor).wikipedia. Hashemi. James F. Smith. circuitos integrados y otros sistemas modernos.qi. FCC.3 FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO INTRODUCCIÓN El estudio de las siguientes estructuras cristalinas las cuales pertenecen en gran proporción a los metales puros solidifican en tres estructuras cristalinas compactas BCC.com/2008/09/estructura11. (Autor). 3.pdf http://es.fcen.wordpress. (Autor). a continuación se estudiarán dichas estructuras. Martin. las cuales tienen un arreglo asignado debido a su distribución atómica y que tienen un gran uso en la actualidad para semiconductores. CRISTALES BCC. HCP. FCC y HCP.pdf http://www.

además está contenido un átomo en su totalidad en el centro. modelos esquemáticos de la estructura BCC: (a)arreglo abierto. ¿cuantos átomos contiene la estructura cristalina BCC en cada celda unitaria? (a) (b) figura 3. por lo tanto tenemos : Esquinas: (1/8) × 8 átomos = 1 átomo.ESTRUCTURA CÚBICA DE CUERPO CENTRADO Se denomina estructura de cuerpo centrado (body centred cubic) porque uno de los átomos se encuentra contenido justo en el centro del cubo o celda unitaria. Ahora . (b) átomos que se aproxíman entre sí McMaster_BCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei De la estructura cristalina BCC los átomos que cortan las esquinas son octavos de dichos vecinos próximos.2-1. y es equidistante de los ocho átomos de las esquinas. es decir que 8 es el indice de la eficiencia de la condensación átomica . en la figura 4. se dice por lo tanto que tiene un número de coordinacion (NC) de 8. . Centro: 1 átomos = 1 átomo.2-1 se puede observar dicha estructura.

por que la relacipon entre la arista del cubo a y el radio atómico R es √3 a=4R o a=4R/√3 (4. y está dotado de una ley de composición interna de aplicación sucesiva que se puede modelar matemáticamente. se define un factor de condensación atómica o factor de empaquetamiento. donde los elementos cumplen las operaciones de simetría de una estructura.2-2estructura cristalina BCC donde se muestra la relación entra la constante de red a y el radio atómico R En la celda unidad BCC los átomos de cada vértice contactan entre sí a través de la diagonal del cubo. Otro factor importante a calcular es el volúmen de la celda unidad BCC y de cualquier celda que está ocupada por átomos . como se muestra en la figura 4. ¿Se puede afirmar esto sin temor a alguna equivocación? la respuesta es acertada pues se debe recordar que cada átomo de cristal está rodeado por un arreglo idéntico de átomos en el látice espacial repetitivo. para esto se asume que las esferas son rígidas. .Total = 2 átomos/ celda unidad.2-2. figura 3. lo que significa que el látice que conforma el conjunto parcialmente ordenado que consta de dos elementos (en este caso átomos) tiene una mínima cota superior y una máxima cota inferior.1 se hace simple y por trigonometria.1) 4R es el número de radios que atraviesa la diagonal de las esquinas opuestas La demostración de 4. y determinados el parámetro de látice (a) y el radio atómico (R).

para este ultimo se realiza la convención de:  Generalmente sólo está presente un elemento. por lo que todos los radios atómicos son iguales. Ejemplo 3.    Entonces.2). considerando los átomos como esferas rígidas solución: APF=Volumen de los átomos en la celda unidad BCC / Volumen de la celda unidad BCC Puesto que tenemos dos átomos por celda unidad BCC. La distancia a los primeros vecinos tienden a ser cortas para disminuir la energía de enlace. por ello podemos preguntarnos qué tan eficiente es en verdad el arreglo de un cristal y si es razonable asumir un empaquetamiento denso. la nube electrónica cubre a los núcleos.2 a Calcule el factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC. el volumen de los átomos de radio R en una celda unidad es. V_átomos= (2)(4/3 Π R^3) El volumen de la celda unidad es: . Para evaluar la eficiencia de la estructura cristalina o cuán eficiente estan arreglados los átomos se calculará el volúmen atómico contenido en la celda unitaria en relación con el volúmen total de la celda unitaria como sigue: APF= volúmen de átomos en una celda unidad/ volúmen de la celda unidad (3. El enlace metálico no es direccional.FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO (APF) Generalmente se acepta que la naturaleza favorece los arreglos y estados de la materia que tienden a minimizar los niveles de energía (energía potencial).

429 0.315 0.32R^3 = 0.2-2. √3 a=4R Así. así.289 0.124 Molibdeno 0.32 R^3 El factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC resulta ser.373 R^3 / 12. La relación entre a y R se obtiene a partir de la figura 3. Constante de red a metal (nm) radio atómico R (nm) Cromo 0. V_celda unidad= a^3=12.330 0.V_celda unidad= a^3 Donde a es la constante de red. que muestra cómo los átomos de la celda unidad contactan a través de la diagonal del cubo.136 Potasio 0.231 Sodio 0.143 .125 Hierro 0. APF= (V_átomos/celda unidad) / V_celda unidad = 8. se establecerán las siguientes realciones de constante de red a y radio atómico para materiales que tienen estructura cirstalina BCC a temperatura ambiente de (20°C).533 0.287 0.68 Ahora.186 Tántalo 0.

entonces: a= (4(0.Volframio 0.2-b El tántalo a 20°C es BCC con átomos de radio atómico 0. tenemos: √3 a=4R Donde R es el radio atómico del tántalo.316 0.304 0.137 Vanadio 0.132 Ejemplo 3.Así .330nm ESTRUCTURA CÙBICA CENTRADA EN LAS CARAS .143nm. Calcule la constante de celda a para la arista del cubo de la celda unidad del tántalo Solución: en la figura 3. si a es la arista del cubo.143nm))/√3 = 0.2-2 se ve que los átomos de tántalo en la celda unidad BCC se tocan a través de la diagonal del cubo.

3-2) con la intención de que la localizacion de los átomos sea clara. en las posiciones de los nudos de la red de Bravais del mismo nombre (figura 4. su diferencia entre las estructuras cristalinas difiere porque en cada faz (cara) existe un átomo colocado en ella y en los vértices de las celdilla unidad.4. El nùmero de coordinacion la estructura FCC es de 12.2-3 estructura cristalina FCC Otro tipo de arreglo cristalino cùbico es el FCC (face centred cubic). además de los ocho átomos de esquina. examinando el cristal. existen seis átomos centrados en las caras que se comporten entre esta celda y sus vecinas inmediatas.3-1). o sea.figura 3. por lo tanto. La mitad de cuaquier átomo se la faz se encuentra en una celda unitaria y la otra mitad está en la celda adyacente. se puede determinar la cantida de átomos asociados con la celda unitaria de esta estructura como sigue: . la forma mas sencilla de comprender esto. De nuevo se separó mucho el arreglo de la celda (fig. es situandose mentalmente en el àtomo del centro de una de las caras y contar todos los átomos en contacto con él.

3-3. cobre.74 es el máximo de compacto posible para átomos esféricos. que contiene el equivalente de dos átomos por celda unidad. con seguridad. En la celda FCC los átomos contactan en la diagonal de la cara del cubo como se indica en la figura 4. . por lo que la relación entre la arista del cubo a y el radio atómico R es: √2 a =4R o a= 4R/ √2 (4.74. níquel y hierro a termperatura elevada ( de 912 a 1.68 de la estructura BCC. que es mayor que el factor 0. Metales que tienen estructura cristalina FCC a temperatura ambiente (20°C) y su constante de red y radio atómico.figura 3. Celda unidad FCC con su respectivo arreglo atómico McMaster_FCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei Esquinas: 8 × 1/8 = 1 àtomo Caras: 6 × 1/2 = 3 àtomos Total = 4 àtomos /celda unitaria Nótese que la cantidad de átomos por celda unitaria se duplicaron con relación a la del sistema BCC.394 °C) cristalizan en la estructura FCC.3) El APF para la estructura cristalina FCC es de 0.2-4. Muchos metales como el aluminio. Un APF de 0. éste es el indicio de una condensación atómica mas eficiente en el látice. plomo.

405 0.352 0.408 0.409 0. presenta un arreglo de alta densiad en sus átomos.393 0.2-3.144 Plomo 0.128 Oro 0.144 ESTRUCTURA HEXAGONAL DE EMPAQUETAMIENTO CERRADO El tercer tipo principal de estructura cristalina es HCP.metal Constante de red a (nm) radio atòmico r (nm) Aluminio 0. (a) . los cuales en su tercer capa o plano se encuentran directamente por encima de los átomos del primer plano como indica en a figura 3.125 Platino 0.3615 0.175 Níquel 0.143 Cobre 0.139 Plata 0.495 0.

Finalmente. tiene una relación c/a superior a la ideal lo que indica que los átomos en estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celdilla unidad HCP.74. El factor de condensaciòn atómica es e mismo que el de FCC e igual a 0. cadmio.4-1. hay medio átomo más por celdilla. De entre los metales cinc. el número toral de átomos por celdilla unidad en la estructura HCP es de 3 + 2+1 = 6.(b) figura 4. McMaster_HCPs_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei El número de coordinación de los cristales HCP es el mismo que para los FCC e igual a 12. b) de posiciones atómicas. a) de esferas rígidas. más tres átomos que se localizan cada uno en el plano adyacente paralelo.2-2 b. celda unidad HCP. lo que hace un total de 12 átomos vecinos más próximos. este átomo está rodeado por tres átomos en su propio plano base. Se puede verificar esta cantidad con los átomos vecinos más próximos. considerando el átomo central en un plano base. generalmente se conocen las estructuras FCC y HCP como empaquetamiento cerrado por que son las dos formas de arreglar esferas idéntica con la densidad mas grande posible y que aún exhiben periocidad. Los metales como el magnesio. contribuyendo con un equivalente de dos átomos mas por celdilla ( 2 × 6 × 1/6 =2). entre otros. La relación entre la altura c del prisma hexagonal de la estructura y el lado a de su base se llama relación c/a para algunos metales HCP. Una celda HCP tiene un equivalente a seis átomos por celda unidad: Tres átomos forman un triángulo en la capa intermedia como queda reflejado por las posiciones atómicas en la figura 4. Así. Hay seis × 1/6 secciones de átomos en las capas superior e inferior. .

cobalto, circonio, titanio y berilio tienen una relacion c/A menor que la ideal, por tanto, en estos metales los átomos están ligeramente comprimidos en la dirección del eje c. Así, estos metales presentan ciertas desviaciones del modelo ideal de esferas rígidas. A continuación se hará la comprobación del valor del factor de empaquetamiento en una estructura cristalina HCP

figura 4.4-2 diagramas para calcular el volumen de la celda unidad HCP

Ejemplo 4.4-A Calcular el volumen de la celdilla unidad de la estructura cristalina del cinc a partir de los siguientes datos: el cinc puro tiene una estructura cristalina HCP con constantes de red a=0,2665 nm y c= 0,4947 nm. solucion: El volumen de la celdilla unidad HCP puede obtenerse determinando el área de la base de la celdilla unidad y multiplicando ésta por la altura figura 4.4-2. El área de la base de la celdilla unidad es el área de la parte inferior del hexagono, de forma que el área total es la suma e las áreas de los seís triángulos equiláteros de área, a partir de la figura 4.4-2 podemos deducir lo siguiente:

Volumen de la celdilla unidad del cinc HCP = (3a^2 sen 60°)(c) = (3)(0.4-2a.4947 nm) = 0.633 0 Magnesio 0.0913 nm^3 Materiales con estructura cristalina HCP a temperatura ambiente (20°C) y sus constantes reticulares.66 .133 1.7 Cinc 0.160 1.3209 0.800 +15.2973 0.856 +13.5209 0.4-2b.4-2 b)= 1/2 (base)(altura) = 1/2 (a)(asen 60°) = 1/2 a^2 sen60° A partir de la figura 4.5618 0.2665 nm)^2 (0.6 HCP ideal 1.4947 0. su radio atómico y su relación c/a Constante de red a ( nm ) % desviación de la Metal a c Radio atómico r Relación (c/a) relación ideal Cadmio 0.8660) (0. Área toal de la base HCP = (6)(1/2 a^2 sen60°) = 3 a^2 sen 60° A partir de la figura 4.149 1.Área del trinángulo ( figura 4.2665 0.623 -0.

2286 0.125 1.5148 0.147 1. FCC.4 DENSIDAD VOLUMÉTRICA Utilizando el modelo de esferas rígidas para la estructura cristalina de la celda unidad de un metal.2507 0.4069 0.623 -0. .Cobalto 0.3231 0.593 -2.160 1.3584 0.587 -2.568 -3.81 Berilio 0.66 Circonio 0. HCP). un valor de radio atómico del metal obtenido por análisis de difracción de rayos X y utilizando la siguiente ecuación obtenemos la densidad volumétrica de un metal: Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad) Para aplicar la fórmula mencionada debemos recordar los parámetros de red de las estructuras cristalinas presentes en los metales (BCC.98 3.2950 0.45 Titanio 0.113 1.4683 0.

BCC: a = 4r/√3 volumen: a³ FCC: a = 4r/√2 volumen: a³ HCP: a = 2r c = [√ (2/3)]*4r volumen: (3/2)*√3*a²*c .

. lo cual debe atribuirse a la ausencia de algunas posiciones atómicas.02×1023 átomos/mol Obteniendo: ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] El valor obtenido mediante ésta ecuación puede variar ligeramente del valor experimental consignado en tablas.También podemos expresar esta ecuación de forma más general teniendo en cuenta que la masa celda unidad es: (Número de átomos celda unidad) * (Peso molecular de los átomos) Y volumen celda unidad es: (Volumen celda unidad)*(Número de avogadro) Número de avogadro = 6.

54 g/mol)*(6.4. Así.1278 nm.1278 nm)/√2 = 0.54 g/mol. Cada átomo de cobre tiene una masa de (53.defectos de línea.02×1023 átomos/mol).70 * 10 -29 m³ Así la densidad del cobre es: . √2a =4R.02×10²³ átomos/mol)] * (10*10-6 Mg)/g m = 4. y uniones defectuosas entre los granos (limites de grano).22 * 10 -28 Mg El volumen V de la celda unitaria del Cu es: V = a³ = [0. La masa atómica del cobre es de 63.361 nm * (10 -9 m)/nm]³ V = 4. Considerando a los átomos como esferas rígidas que se colocan entre sí a lo largo de la diagonal de la celda unitaria FCC.1: El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atómico de 0. EJEMPLOS Ejemplo 3. Así: a = 4R/√2 = (4*0.54 g/mol)/(6.361 nm Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad) En la celda unitaria FCC hay cuatro átomos/celda unitaria. Otra causa de esta situación puede deberse también a que los átomos no son esferas perfectas. la masa m de los átomos de Cu en la celda unitaria es: m = [(4 átomos)*(63. Solución Para la celda unitaria FCC. donde a es la constante de red en la celda unitaria y R es el radio del átomo de cobre. calcule el valor teórico de la densidad del cobre en mega metros por metro cubico.

866 * 10 -8 cm)³ = 23.54* 10 -24 * 6.2: Determine la densidad del hierro BCC.4. Como se dijo antes el término “defecto” en este contexto.ρv = m/v = (4.54 * 10 -24 cm³/celda Número de avogadro = Na = 6. significa imperfecciones respecto al arreglo atómico. La pequeña discrepancia entre las densidades teórica y medida es una consecuencia de los defectos en el material.22 * 10 -28 Mg)/(4.98 Mg/m³ Ejemplo 3.847) / (23.02 * 10 ²³) = 7. Átomos por celda = 2 a = 0.4.2866 nm.3: .70 * 10 -29) = 8.870 g/cm³. Ejemplo 3. Solución Para una celda BCC.882 g/cm³ Respuesta: ρv (hierro) = 7. cuyo parámetro de red es 0.02 * 10 ²³ átomos/mol ρv = [numero de átomos por celda * peso molecular de los átomos]/ [volumen de la celda unitaria * numero de avogadro] ρv = (2*55.882 g/cm³ La densidad medida es 7.2866 nm Masa atómica = 55.847 g/mol Volumen de la celda unitaria = a³ = (2.98 Mg/m³ Respuesta: ρv (cobre) = 8.

b) El radio atómico del torio.756 * 10-²³ cm³ Respuesta: ρv (plata) = 10.4: La densidad del torio que tiene una estructura FCC es de 11.87 g/mol) / (6. Solución.4. Solución: Masa atómica (Ag) = 107. Calcule: a) El parámetro de red.72 g/cm³. .144 nm. Calcule el valor teórico de la densidad de la plata en g/cm³.756 * 10-²³ cm³ Así la densidad teórica de la plata es: ρv = m/v = 7.167 * 10-²² g Volumen para una celda BCC = a³ donde a =4r/√2 Entonces tenemos: Volumen en cm³ = [((4 * 0.144*10-9 m) / √2)*(100 cm / 1 m)]³ Volumen = 6.608 g/cm³ Ejemplo 3.167 * 10-²² g / 6.La plata tiene una estructura cristalina FCC con un radio atómico de 0. El peso atómico del torio es de 232 g/mol.87 g/mol Masa = [(4 átomos * 107.02 * 10²³ átomos/mol)] Masa = 7.

088*10-8 cm Ejemplo 3. con a = 0.799*10-8 cm) / √2 Respuesta: a = 5. La densidad es 9.5: El bismuto tiene una estructura hexagonal.808 g/cm³ y el peso atómico es de 208.4.4546 nm y c = 1.72 g/cm³ = (4 átomos * 232 g/mol) / [(4r/√2)³ * 6. Solución.a) Como es una es una estructura FCC el parámetro de red a = 4r/√2 y el volumen de la celda es a³. Determine: a) El volumen de la celda unitaria.72 Respuesta: r = 1.799*10-8 cm b) Usando a = 4r/√2 tenemos: a = (4 * 1.02*10²³ átomos/mol] Despejando r: r³ * 11.36*10 25 r³ = 6.186 nm. Utilizando ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Tenemos: 11.82*10-²³ cm³ / 11. .72 /cm³ = 928 / 1.98 g/mol. b) Cuantos átomos Existen en cada Celda unitaria.

podemos llegar a la conclusión de que el volumen de la celda es: V = (3/2)*√3*a²*c Reemplazando tenemos: V = (3/2) * √3 * (0.808 nm Respuesta: V= 0.637*10-²¹ cm³ * 6.09 g/mol.02*10²³ átomos/mol) Despejando N Respuesta: N = 18 átomos Ejemplo 3.a) Mirando la figura de la celda hexagonal compacta y teniendo en cuenta que el volumen es la base multiplicada por la altura (c) y además descomponiendo esta base en 6 triángulos equiláteros. .637 nm³ b) V = 0. que tiene una estructura BCC es 0.4. El peso atómico del potasio es 39.6: La densidad del potasio. Calcule: a) El parámetro de red.637 nm³ = 0.98 g/mol) / (0. b) El radio atómico del potasio.808 g/cm³ = (N * 208.855 g/cm³.4546 nm)² *9.637*10-²¹ cm³ Reemplazando todos los datos en ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Y tomando como N = numero de átomos tenemos: 9.

31*10-8 cm 3.02*10²³ átomos/mol)] Despejando a: a³ = 1. Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices de Miller. Reemplazando todos los datos otorgados en ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda unitaria * número de avogadro] Tenemos: 0.855 g/cm³ = [(2 átomos * 39. Los índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l) .Solución a) Sabemos que al ser una celda BCC tiene 2 átomos en su interior.336*10-8 cm) √3] / 4 Respuesta: r = 2.336*10-8 cm b) a = 4r/√3 Despejando r: r = [(5.5 INDICES DE MILLER Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.09 g/mol) / (a³ * 6.519*10-²² cm³ Respuesta: a = 5.

el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte superior. Y. y son primos entre sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho número. en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes negativos Se utilizan celdas unitarias para situar tanto puntos. . el eje X positivo se usa saliendo del papel.Los índices de Miller son números enteros. que pueden ser negativos o positivos. Ejes y celdas unitarias: Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente. el cual está ubicado en la arista inferior izquierda posterior. Dichas celdas unitarias son cubos los cuales se encuentran situados sobre el sistema de coordenadas X. Z. como planos. Generalmente se asume un origen.

Direcciones en la celda unitaria: Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima expresión 4. usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas positivas y zonas negativas). sin comas. Z) debe situarse una barra o raya encima Determinar los índices de Miller de las direcciones A. Dirección A . 2. Encerrar los números resultantes entre corchetes negativo de dicho numero. generando de esta manera el vector dirección y la cantidad de parámetros de red recorridos 3. si el resultado es en cualquier eje (X. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola).1 . B y C. Ejemplo 3. dichas direcciones son los denominados Índices De Miller y son particularmente las posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en su interior cristalino. Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera: 1.5. o números. Y.

1 . las direcciones de Miller son vectores.0. 1 3.0.1 y 0.0.2 5.0.1 y ½.½. se restan ambos puntos 4.½. y con ello poseer la misma línea de acción pero diferente sentido.-1.0. 1. Dos puntos son: 0.0 1.0 = . Es importante resaltar que un material posee las mismas propiedades en todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia. Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y. 2.0 = 1.-1. 6. [ 100 ] Dirección B Dos puntos son: 1.0 3. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aun no han sido reducidos. Se procede de igual manera. Aspectos importantes en el análisis y creación de las direcciones en los Índices De Miller: 1.-2. Se restan ambos puntos. Se procede de igual manera.-1. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 2. [ 111 ] Dirección C 1. ya que es posible redefinir el sistema coordenado para una misma combinación de coordenadas. y se denota entre paréntesis especiales <>. por ende este puede ser positivo o negativo.0.0 2. 3.0.0.1.0.0.0 – 0.1. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversión de enteros.0 = 1.1. Dos puntos son: 1.1 . esto en un sistema cubico es ocasionado por el orden y el sentido de los vectores. situando en primer lugar el punto que se desea tener como dirección y sentido (cabeza del vector) 4.1 1. 2(. 0. Estos grupos reciben el nombre de direcciones de una forma o familia. se restan ambos puntos 3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes.0 y 0. se sitúan con una barra en la parte superior los valores para dichos ejes. 1)=-1. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir .0 2.-1.½.1.

Igualmente para una mejor orientación en los planos de un . En muchas ocasiones es necesario describir dichas orientaciones. para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales planos de una celda unitaria. Caso ejemplar es el de los elementos magnéticos los cuales funcionan como medios de grabación con mejor y mayor eficiencia si se encuentran alineados en cierta dirección cristalográfica.Tabla 3. En general es necesario encontrar o tener en cuenta la posición y dirección cristalográfica de los elementos ya que así podrá aprovecharse al máximo sus propiedades mecánicas. dichos lugares o planos son en donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación. Como se mencionó anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los cuales los átomos están compactados de manera más estrecha o cercana en la celda unitaria. deformación y construcción de nuevos elementos y materiales.a Direcciones de la familia <110> en el sistema cubico Importancia de las direcciones cristalográficas: Es necesario conocer las direcciones cristalográficas para así asegurar la orientación de un solo cristal o de un material poli cristalino. en los metales por ejemplo es más fácil deformarlos en la dirección a lo largo de la cual los átomos están en mayor contacto. En la industria esto es de vital importancia para el uso. Planos en la celda unitaria: Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material facilita su deslizamiento y transformación física. Es importante resaltar la orientación y forma en la que puede crecer el cristal. para así almacenar de manera segura y duradera la información.5.

la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X. 5. l) respectivamente. si el reciproco es N/∞. 3. caso que no ocurre en el estudio de las direcciones de los Índices de Miller. esto significara en el plano que para este eje el plano quedara paralelo a él sin tocarlo. se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones. Los Índices de Miller para planos se representan equivalentemente al sistema cartesiano (X. Z) = (h. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un plano cartesiano.B y C Plano A .5. 2. Para identificar los planos de importancia se procede de la siguiente manera: 1. donde N es cualquier numero entero real.8 Determine los índices de Miller de los planos A.material podrá existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos mecánicos.Z en función de los parámetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del sistema de coordenadas). Ejemplo 3. k. 4.Y. Y.

1/y=1. ½. y= 2. esto es debido al cociente entre 1/∞ lo cual con su respectivo limite tiende a ser cero (0) 2. Debemos eliminar las fracciones. 2(1. Con el nuevo origen se tiene: x=∞. ya que el plano pasa por el origen. 1/x=1. 1/y=1/2. (210) Plano C 1. ubicaremos el nuevo origen a la derecha del inicial. (111) Plano B 1. 1/x=1 . x=1 y=1 z=1 2. X=1 . 1/z= 0 4.1. Es necesario cambiar el origen. moviéndolo en dirección del eje Y positivo 2. Debe aclararse el plano no cruza al eje z. z=∞ 3. 1/z=1 3.0) 5. No existen fracciones que eliminar 4. z=∞ . y=-1.

Índices de Miller para celdas hexagonales Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de índices de MillerBravais. los planos y sus múltiplos no son idénticos.3 Familia de planos {110} en los sistemas cúbicos Estos planos son inversos en muchos aspectos de estudio. una dirección es perpendicular a un plano si tiene los mismos Índices de Miller que dicho plano. análisis y construcción. aunque para el cálculo de las direcciones existen los métodos para tres ejes o el de cuatro ejes. Aspectos importantes para los planos en los Índices de Miller: 1. Se representan con llaves {} 4.3. aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante. Ejemplo 3. en los sistemas cúbicos. 3. siendo este último algo más tedioso. los planos positivos y negativos son idénticos. 1/z=0 4. los planos de forma o familia de planos son equivalentes. . debido a la simetría de la estructura. El procedimiento para la obtención de planos y direcciones es el ya estudiado. 1/x=0. En este se usan ya cuatro ejes.5. Esto se demuestra por medio de la densidad planar y el factor de empaquetamiento. 2. 1/y=-1. No existen fracciones que eliminar 5.

teniendo en cuenta que para el eje a3 su existencia radicara en la relación h + k = -i.6 Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y D. k. l).5. para los cuales se asignara un eje respectivo (a1=h. a2=k. i. a3=i. Plano A .En esta nueva estructura se tomaran los índices (h. c=l). y la descomposición en cuatro vectores (creación de direcciones en cuatro ejes a partir de los índices en los tres ejes) Relaciones: H= 1/3(2h – k) K=1/3(2k – h) I=-1/3(h + k) L=l Ejemplo 3.

se tiene: 0. . Realizando la resta y tomando al punto 0. (0001) Plano B 1. c=1 2. No hay fracciones que simplificar 4.1.1 – 1. La resta genera el vector: 0.0 – 1. a3=-1/2.0. A1=1. a1=a2=a3=∞.1. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4.1 3.0. Dirección C 1.0. Los puntos son: 0.0. 1/c=1 3.0.0. 1/a1=1/a2=1/a3=0.1 como cabeza del vector. Dirección D 1. 1/a1=1.0 2.1. c=1 2. Dos puntos: 0. 1/c=1 3.0 = -1. No existen fracciones que eliminar o enteros que reducir 4. 1/a2=1.0 3. a2=1.0 = -1.0. No existen fracciones que simplificar 4. 1/a3=-2.0 y 1.1.0.1 y 1.0 2.

En genera los materiales policristalino as muestran propiedades isotrópicas.6 PLANOS CRISTALINOS Dirección en la celda . Puede suceder que un material pase de ser anisotropico a isotrópico si sus arreglos son aleatorios en forma policristalina.Comportamiento isotrópico y anisotrópico: A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los materiales presentan comportamientos y desempeños diversos en sus propiedades mecánicas. pero si se presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como anisotropico. Si sus propiedades son idénticas en cualquier dirección el material se conoce cristalográficamente como isotrópico. el cual si posee idénticas propiedades en todas las direcciones diremos que es un elemento cristalográficamente isotrópico. Se dice que un material es cristalográficamente anisotropico si sus propiedades dependen de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. 3. Ejemplo de ello tenernos el aluminio.

a1. a3 las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. a2. La unidad a de medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes. son designados por las letras h. Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varían con la orientación cristalográfica. Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un vector de dirección desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cúbica) hasta que sale la superficie del cubo. El plano basal es. a3. Así. Los indices de dirección se encierran entre corchetes sin separación por comas. H =0 K=0 I = 0 y L=1. Las coordenadas de posición de la celda unidad donde el vector de posición sale de la superficie del cubo después de ser convertidas a enteros son los indices de dirección. a1. Así . a2. por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) . Para cristales cúbicos los indices de las direcciones cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeños. a3 proporciona los indices h. i.A menudo. estos indices hexagonales de 4indices estan basados en un sistema coordenado de 4 ejes. Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. La unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. l y encerrados entre parentesis ( hkil ). Notación para planos Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes. . Los indices para los planos cristalinos HCP . a1. a2. que forman 1200 entre si. a1 = ” . El cuarto eje o eje c es el eje vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. Los recíprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes. sin embargo.llamados indices Miller-Bravais. es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas. Planos en una celda unitaria Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comúnmente utilizando cuatro indices en lugar de tres. es único puesto que el plano basal superior intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Existen 3 ejes básicos. k e i mientras el recíproco de la intersección con el eje c da el índice l. a2 = ” a3 = ” El eje c. k.

primero tenemos que ver cuáles son los planos y direcciones preferentes. y es a través de estos sistemas por donde se produce la deformación de los materiales.esi2. son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina.html http://www. Para poder determinar cuáles son sistemas existentes. Se define la fracción (1) atómica planar como:  ∂= #ATOMOS INTERSECTADOS/AREA DEL PLANO . A la combinación de un plano de deslizamiento con una dirección. La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un plano lo cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos unos con respecto a otros.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-cristalinade-los-materiales.BIBLIOGRAFÍA:   http://html. 110 Y 111.7 DENSIDAD PLANAR DE FAMILIAS 100. Pero una definición más formal la densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros localizados dentro de un área dada sobre un plano. PROTECCIÓN DESCRIPTIVA DE PLANOS Y CORTE DE ÁTOMOS. la combinación de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformación del material. con su respectiva dirección de deslizamiento ( densidad lineal) . Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fracción atómica planar (FAP) más grande o lo que es lo mismo. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo (deformación plástica). éste ocurre en los planos sobre los cuales los átomos están más densamente empacados.rincondelvago.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html 3. El área planar seleccionada debe ser representativa de los grupos de átomos repetitivos dentro del plano. de tal forma que cuanto mayor es el número de ellos mayor será la capacidad de deformación de éstos.us. INTRODUCCIÓN Inicialmente podemos definir la densidad planar. es a lo que se le denomina sistema de deslizamiento. coma la cantidad de átomos que hay en un determinado plano ejemplo: familia de planos (100).

Sí se coloca un átomo en cada punto de la red de Bravais cúbica centrada en cuerpo. El átomo central toca a todos los átomos de los vértices a través de la diagonal del cubo. Luego en esta estructura NC = 8. Éste nº de átomos que tocan al átomo central son los vecinos inmediatos y es lo que se denomina nº de coordinación.REDES CRISTALINAS BCC Y FCC Estructura cúbica centrada en cuerpo (BCC) Esta estructura recibe la designación de I y en ella todos los ejes son iguales a = b = c y sus ángulos son de 90º. El parámetro reticular es a. tengo 8 átomos en los vértices y uno en el interior. Estructura cúbica centrada en caras FCC .

siendo el parámetro reticular a. ya que cada uno intercepta solamente un cuarto de círculo en el área. tendremos 6 átomos en los seis centros de caras. Si colocamos un átomo en cada punto de la red de Bravais cúbica centrada en caras. Debemos agregar que en estos cálculos de .Se designa con la letra FCC. dentro del área contamos un átomo en el centro y un cuarto de átomo en cada una de las esquinas. tal como la del átomo localizado en el centro de una cara en una estructura FCC. La densidad planar o del plano es 2/a2. Si un átomo pertenece totalmente a un área dada. Todos los ejes unitarios son iguales y sus ángulos son de 90º. notamos que la huella de la intersección del átomo sobre el plano es un círculo. CALCULO DE LA DENSIDAD PLANAR Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convención. Entonces. además de los 8 de los vértices.

Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las diferentes estructuras.Luego los planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. (110). A continuación veremos el cálculo de la densidad atómica planar de la familia de planos (100). veremos que para el caso de la FCC. una de las reglas básicas es que un plano o una línea debe pasar a través del centro de un átomo no se cuenta el átomo en los cálculos. la familia de planos de mayor densidad planar es la {111}. (111): . cuales son las direcciones de deslizamientos. Para poder determinar los sistemas. mientras que para la estructura BCC. Por lo que ya solo necesitamos conocer. es la {110}.la densidad.

y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (100) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 78.Con los resultados anteriores.9%.5% y para BCC es igual a 58. .

para poder tener en cuenta a éste como un átomo representativo. el área del plano debe pasar por el centro del átomo. después de esto se pasa a hacer un cálculo de la densidad planar. sin tenerlo en cuenta. utilizando geometría analítica. para calcular la densidad planar en una red cristalina BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el átomo central. Aquello es posible saberlo haciendo proyección del área y del plano.Como ya quedó dicho en la introducción. por eso. Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha deducido que el átomo central no corta lo suficiente al área del plano como para tomarse como un átomo representativo. A continuación se mostrará el desarrollo de lo anteriormente mencionado: . para calcular la densidad planar.

53% y para BCC es igual a 83. BIBLIOGRAFIA:   http://www.uhu.Con los resultados anteriores. y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (111) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 90.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat. Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales . y después de hallar la densidad planar para diferentes planos de la familia (110) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 55.es/beatriz. Con los resultados anteriores. F WILLIAM.3%.7% y para BCC es igual a 34%.pdf (1) SMITH.

  CRISTALOGRAFÍA DE RAYOS X La cristalografía de rayos x es una técnica que consiste en hacer pasar un haz de luz a través de un cristal de la sustancia o el material en estudio. la distancia entre planos cristalinos (d). El haz se dispersa en varias . salvo en situaciones muy particulares. Entre mayor sea el tamaño del objeto en comparación con la longitud de onda.8 DIFRACCIÓN DE RAYOS X INTRODUCCIÓN No es posible visualizar directamente los átomos. más difícil será detectar la difracción. el parámetro de red (a) y el ángulo de incidencia de los rayos x (θ). La difracción hablando en términos físicos. es un proceso que ocurre en todo tipo de ondas cuando éstas se esparcen o se curvan frente a la presencia de un obstáculo u orificio. los rayos x tienen longitudes de onda cercanos a las distancias interatómicas de la materia. con alto costo y baja resolución (no se puede hacer microscopía a nivel atómico en forma rutinaria). a esto se debe su utilidad en el estudio de las estructuras cristalinas. Conocer algunos equipos que intervienen en el uso de rayos x para el estudio de la cristalografía. OBJETIVO GENERAL  Comprender la aplicación de la difracción de rayos x en la cristalografía. Dicho fenómeno se da cuando la longitud de onda es mucho mayor que las dimensiones del obstáculo. OBJETIVOS ESPECÍFICOS  Deducir la fórmula que relaciona la longitud de onda (λ). Resolver algunos ejemplos sobre la aplicación de difracción de rayos x en la cristalografía.3. Las técnicas habituales para estudiar las estructuras cristalinas se basan en el fenómeno de difracción. En el espectro electromagnético.

disoluciones. que es la que veremos. a sistemas amorfos. En este modelo se analiza la interacción de un haz de radiación sobre un conjunto de planos paralelos. LEY DE BRAGG Para interpretar los diagramas de difracción se requiere una teoría. se puede observar un patrón de intensidades que se interpreta según la ubicación de los átomos. . λ es la longitud de onda de los rayos X. por difracción. por lo tanto.direcciones debido al orden de los átomos en el cristal y. haciendo uso de la LEY DE BRAGG. La interferencia es constructiva cuando la diferencia de fase entre la radiación emitida por diferentes átomos es proporcional a 2π. entre otros. equiespaciados y semitransparentes a la radiación. Bragg fue pionero en el tema y desarrolló una sencilla teoría. no puede ser usada en sustancias como gases. θ es el ángulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersión. d es la distancia entre los planos de la red cristalina y. Para efectos de la reflexión se aplica que el ángulo de incidencia es igual al de reflexión. W. Esta condición se expresa en la ley de Bragg: Donde:     n es un número entero. Una de las limitaciones de esta técnica es que solo se puede usar en materiales cristalinos.

DEDUCCIÓN LEY DE BRAGG Consideramos la figura de abajo conformada por planos de átomos distanciados a una longitud d. Para el primer plano. las rayos 1 y 1a golpean los átomos K y P los cuales son dispersados en todas la direcciones. DEDUCCIÓN DE LA LEY DE BRAGG POR DIFERENCIA DE CAMINO ÓPTICO Para analizar los rayos dispersados por átomos en diferentes planos se toma los rayos 1 y 2 de la figura de arriba. Estos rayos son dispersados por los átomos K y L. estos rayos (1’ y 1a’) se encuentran en fase y por lo tanto se cumple que: QK − PR = PKcosθ − PKcosθ = 0 Esta condición se cumple para cada plano. pero para cierta dirección. el cambio de fase de las ondas produce interferencia constructiva (figura izquierda) o destructiva (figura derecha).De acuerdo al ángulo de desviación (2θ). la diferencia en sus caminos ópticos es: ML + LN = dsenθ + dsenθ .

y buscamos el ángulo apropiado. Nótese que si los datos iniciales son tales que λ es mayor que 2d. Aquí se trata de buscar las parejas (n. Si siguiendo este procedimiento. no habrá ni siquiera solución para n=1. La ecuación de Bragg da la relación entre las posiciones angulares de los haces difractados reforzados en función de la longitud de onda (λ) de la radiación de rayos x incidente y del espaciado interplanar dhkl de los planos . de tal manera que se cumple que: INTERPRETACIONES Y SOLUCIONES DE LA LEY DE BRAGG La Ley de Bragg establece que nλ=2dsinθ. Para que los haces emergentes estén en fase. n tiene que ser un entero. d y θ son dados: Sabemos que n es un número entero mayor o igual a la unidad. Si hay solución en θ para n=1. θ) que son soluciones de la ecuación. entonces sólo habrá soluciones entre 1 y n´-1. en tal caso el problema no tiene soluciones. podemos seguir buscando las soluciones de orden superior (para n mayores). ¿Cómo se interpreta el número n? Revisando la deducción de esa ley. tenemos que n es el número entero de veces que λ cabe en la diferencia de camino óptico de dos planos sucesivos de la familia de planos paralelos considerada.  Suponiendo que λ. Se observará que no siempre hay solución.  Analicemos ahora las soluciones de Bragg en que solo λ y d son datos fijos: Nos quedan como variables n y θ. Primero verificamos si λ puede caber al menos justo una vez en la diferencia de camino óptico. n´=5) por primera vez no es posible. se encuentra que una solución de orden n´ (por ejemplo. en tal caso no habrá reflexiones. y probando con n crecientes y sin saltarse ninguno.Así estos rayos estarán completamente en fase si su diferencia de caminos es igual a un número entero (n) de longitudes de onda λ. ambos valores incluidos.

a = constante de red (arista del cubo unidad). h. ANÁLISIS POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS MÉTODO DE ANÁLISIS DE POLVO POR DIFRACCIÓN DE RAYOS X: . donde h. k y l son los índices de Miller de los planos. k.cristalinos. En muchos casos se utiliza el primer orden de difracción. l = índices de Miller de los planos cúbicos considerados. y en este caso la ley de Bragg resulta: ACERCA DE LA DISTANCIA INTERPLANAR (d) Y EL PARÁMETRO DE RED (a) En las estructuras cristalinas cúbicas. Este espaciado representa la distancia desde un origen elegido que contiene a un plano a otro paralelo con los mismos índices que sea cercano al primero. k y l. Por simple geometría. el espaciado interplanar entre dos planos paralelos con los paralelos con los mismos índices de Miller se indica como dhkl. se puede demostrar que para las estructuras cristalinas cúbicas: Donde: dhkl = espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos con índices de Miller h. donde n=1.

Los datos de los análisis de rayos x por difracción de las celdas unitarias pueden simplificarse expresando la longitud de onda así: Finalmente: Empleando la anterior ecuación junto con los datos de difracción de rayos x podemos determinar si una estructura es cúbica centrada en el cuerpo (BCC) o cúbica centrada en las caras (FCC). En ésta técnica se utiliza una muestra pulverizada de muchos cristales para que tenga lugar una orientación al azar y asegurar que algunas partículas estarán orientadas en el haz de rayos x para que cumplan las condiciones de difracción de la ley de Bragg. Para la estructura BCC la difracción solo se da en los planos cuyos índices de Miller sumados (h+k+l) dan un número par.  Reglas para determinar los planos de difracción {hkl} en los cristales cúbicos: Índices de Miller de los planos de difracción para las redes BCC y FCC: . todos los planos (hkl) son planos de reflexión. Para esto debe conocerse cuáles planos cristalinos son planos de difracción para cada tipo de estructura cristalina:   Para la red cúbica sencilla.La técnica comúnmente utilizada en difracción de rayos x es el método de polvo. En la estructura FCC los principales planos de difracción son los que sus índices son todos pares o todos impares (el cero se considera par).

Supóngase que se tiene un metal con una estructura cristalina BCC o FCC y que se pueden identificar los planos de difracción principales y los valores de 2θ correspondientes. θA y θB: son los dos ángulos de difracción asociados a los planos principales escogidos.Un caso sencillo que permite ilustrar cómo se puede emplear este análisis es diferenciar entre las estructuras cristalinas BCC y FCC de un metal cúbico. Como y se pueden eliminar estos valores con la relación de dos valores de sin2θ. . Despejando y elevando al cuadrado ambos lados se tiene: A partir de los resultados experimentales de difracción de rayos x se pueden obtener los valores de 2θ para una serie de planos principales de difracción {hkl}.

Para la estructura cristalina FCC los dos primeros planos principales son {1 1 1} y {2 0 0}. k y l en la ecuación anterior se tiene: Del resultado anterior podemos concluir que un metal es FCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es 0.75.5. k y l en la ecuación anterior se tiene: Del resultado anterior podemos concluir que un metal es BCC si la relación de de los planos primeros planos principales de difracción es 0. Sustituyendo h.Para la estructura cristalina BCC los dos primeros planos principales son {1 1 0} y {2 0 0}. Sustituyendo h. EL DIFRACTÓMETRO .

Calcule el valor de la constante de red a para el hierro BCC. La difracción a partir de los planos {1 1 0} se obtiene a 2θ = 44. Una muestra de hierro BCC se coloca en un difractómetro de rayos X utilizando rayos X incidentes de longitud de onda λ = 0. De este modo la estructura atómica de la muestra quedará registrada en un difractograma. Solución: .El difractómetro de rayos X es capaz de detectar la radiación que emana una muestra determinada al ser excitada por una fuente de energía.1541 nm. suponga un orden de difracción de n = 1. EJEMPLOS DE APLICACIÓN 1. El difractómetro está compuesto de un portamuestras móvil que irá moviendo el objeto estudiado con el fin de variar el ángulo de incidencia de los rayos X. La respuesta generada depende del ordenamiento interno de sus átomos.704 º.

El difractograma de un elemento que tiene estructura cúbica BCC o FCC presenta picos de difracción en los ángulos 2θ siguientes: 40.7.8. La longitud de onda de los rayos X incidentes utilizados es de 0. Solución: a) Determinación de la estructura cristalina del elemento.c)Identifique al elemento. 73. a) Determine la estructura cúbica del elemento.4 y 114. 58. b)Determine la constante de red del elemento. Primero se calculan los valores de sin2θ a partir de los valores de 2θ de los ángulos de difracción.2. . 100. 86. 154 nm.

la estructura seria FCC. estos defectos tienen un impacto directo sobre las propiedades de los materiales. se obtiene: c) Identificación del elemento. que son planos {1 1 0}.117. Sustituyendo h = 1. El elemento es el volframio. 0. k y l de la primera serie de planos principales de difracción para la estructura BCC. Si la relación hubiera sido ≈ 0.5.316 nm y es BCC.154 nm. el valor correspondiente a sin2θ es 0. 3. En el arreglo de los átomos o iones de los materiales diseñados existen imperfecciones o defectos.A continuación se calcula la relación entre los valores de sin2θ de los ángulos primero y segundo: La estructura cristalina es BCC ya que la relación es de ≈ 0. dado que el elemento tiene una constante de red de 0. de volumen e influencia de las dislocaciones en las propiedades mecánicas de los materiales. y para una radiación incidente de λ. Como se mencionó antes.75. En esta parte hablaremos de los defectos superficiales. estas imperfecciones pueden darse en 3 tipos: .9 Imperfecciones cristalinas. Con frecuencia. k = 1 y l = 0 en la ecuación anterior para los índices de Miller h. b) Determinación de la constante de red.

com/2009_02_01_archive. como dislocaciones. su presencia es en distancias muchos mayores en el material cristalino.9.1. 3. en consecuencia es distinto de los defectos extendidos.1) 2) 3) Puntuales.9. De volumen. b) Vacancias. límites de grano.1 Átomos intersticiales: Se forman cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada.1 Imperfecciones puntuales: Un defecto puntual implica en general a uno o un par de átomos o iones y. Lineales y superficiales. http://nelyestradad. Son de 3 tipos: a) Átomos intersticiales. Un “punto” importante acerca de los defectos es que. c) Átomos sustitucionales.html 3. aunque se presentan en uno o dos sitios. etc. .blogspot.

con frecuencia. la cantidad de átomos o iones intersticiales en la estructura permanece casi constante. con lo que se vuelve difícil crear deformación permanente en metales y aleaciones. Puede producirse durante la solidificación por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.Los átomos o los iones intersticiales.es/ciencia-e-oin/quimica-de-losmateriales/Material%20de%20clase/tema6a. Para concentraciones pequeñas. los átomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura cristalina del hierro e introducen un esfuerzo en la región del cristal en su cercanía. A diferencia de las vacancias. Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos. una vez introducidos.uc3m. además es un hueco creado por la pérdida de un átomo. http://ocw. son mayores que los sitios intersticiales que ocupan. mientras que los átomos de carbono se agregan en forma intersticial al hierro para producir acero.2 Vacancias: constituye el defecto puntual más simple. Esta es una forma importante de aumentar la resistencia de los materiales metálicos. Los átomos intersticiales como los de hidrogeno están presentes.htm 3.9. se encuentran con resistencia a su movimiento.1. como impurezas. en consecuencia. . aunque son mucho menores que los átomos o los iones que están en los puntos de red. la región cristalina vecina esta comprimida y distorsionada. aun cuando se cambie la temperatura.

Un átomo de mayor radio hará que los átomos vecinos sufran una compresión. en consecuencia. En el caso de los metales BCC. El esfuerzo cortante resultante crítico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocación. Las dislocaciones son defectos de línea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme.9. En los metales de estructura cristalina FCC.3 Átomos sustitucionales: en este defecto se sustituye un átomo de la estructura cristalina por otro.1. Se debe tomar en cuenta que el radio del átomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporción ya que podrían ocurrir perturbaciones en el material. 3. formado por un plano de deslizamiento y una dirección de deslizamiento. La dirección de deslizamiento. el número y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. El plano de deslizamiento normalmente también es compacto o casi compacto.html 3. los metales FCC tienden a ser dúctiles. Estos aun teniendo también estructura cristalina no permiten los procesos de plastificación. no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crítico . el esfuerzo cortante resultante crítico es bajo y existe un número óptimo de planos de deslizamiento. y un átomo sustituido de menor radio hará que los átomos vecinos sufran una tensión. En los cristales metálicos.2 Lineales y superficiales: Se dan en dirección de los planos de Miller. típicamente es una dirección compacta.es/~avicente/curso/unidad3/defectos. la existencia de dislocaciones en los materiales metálicos justifica la plasticidad y fluencia que los caracterizan y diferencian frente a los cerámicos. La dislocación se mueve en un sistema de deslizamiento.upv.http://personales.9. debido a la ausencia conjunta de átomos alineados en súplanos.

El número de vacancias. o de puntos de red vacíos.2. los átomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre átomos normales) y los átomos sustitucionales (que remplazan al átomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su número no se altera por los cambios de temperatura del material. Los defectos puntuales. Dislocaciones helicoidales.1 Dislocaciones simples: Deslizamiento de los planos cristalinos por acción de una fuerza. las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanías de defectos puntuales. por lo que los metales BCC tienden a ser resistentes. 3. Como resultado.es alto.9. En este caso. depende de la temperatura del material. incrementándose la resistencia del material. El número de sistemas de deslizamiento en los metales HCP es limitado.9. el vector de Burgers es paralelo al plano que contiene la dislocación y perpendicular al plano de deslizamiento . Se agrupan en: a) b) Dislocaciones simples. que incluyen vacancias. átomos intersticiales y átomos sustitucionales.2 Dislocaciones helicoidales o de tornillo: Se llama así debido a la superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor de la línea de dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. haciendo que estos metales se comporten de manera frágil. introducen campos de esfuerzos de compresión o de tensión que alteran la red adyacente.2. 3. La parte superior de la región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la derecha respecto a la parte inferior.

Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio. Este tipo de defectos son los que confieren movilidad iónica al sólido.com/2010/05/defects-in-solidsdislocaciones. En el caso de un cristal iónico.3 Otros tipos de dislocaciones: a) Defecto frenkel: es una imperfección cristalina combinada de la vacancia y de la intersticial. ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a uno intersticial dejando entonces una vacancia.blogspot. son predominantes los defectos Frenkel de los cationes. los cationes son más pequeños que los aniones.http://conocimientosdefectsinsolids.html 3. los diagramas son una representación en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3: .9. es el conjunto formado por un átomo intersticial y el hueco que ha dejado tras el salto.

donde debe faltar un número estequiométrico de aniones y cationes en el cristal si se quiere conservar en el la neutralidad eléctrica. Es exclusivo de los materiales iónicos y suele encontrarse en muchos materiales cerámicos. con el fin de mantener una carga total neutra. un Mg+2 y un O-2 iones faltantes en Mg constituyen un par de Schottky. Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.7val. las vacancias se presentan en un material con enlaces iónicos. habrá 2 iones O-2 faltantes.com/wiki/Defecto_Schottky c) Dislocaciones de borde: resultan cuando las dos nuevas superficies son desplazadas transnacionalmente en dirección normal a la línea de dislocación. Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto. Por ejemplo. Para mantener la neutralidad deben perderse de la red tanto un catión como un anión. En el Zr+4 faltante. En este defecto.wikipedia. .com/2009_02_01_archive.html b) Defecto schottky: es una par de vacancias en un material con enlaces iónicos. pues es un defecto que aparece para mantener la electro neutralidad del material. Se generan vacantes de iones de signo contrario para anularse de forma estequiométrica. El defecto es típico de los materiales cerámicos.blogspot. Ejemplo: http://es. abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de átomos. La orilla inferior de este plano insertado representa la dislocación de borde.http://nelyestradad.

la dislocación se mueve a través del cristal hasta que se produce un escalón en el exterior del mismo. pero mantiene una orientación fija en el espacio. Otra analogía es el movimiento de avance de una oruga. La estructura atómica local en torno a la dislocación mixta es difícil de visualizar.http://personales. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de átomos originales. Una gran diferencia entre el movimiento de una oruga y el de una dislocación es la velocidad con que se mueven. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación. Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de burgers a un cristal que contenga una dislocación. sin levantar todas las patas al mismo tiempo. El desplazamiento hace que la dislocación se mueva una distancia atómica hacia el lado. . Si continua este proceso. La velocidad con la que se propagan las dislocaciones en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido. con una región de transición entre ellas. Sin embargo. rompiendo los enlaces de los átomos en un plano.es/~avicente/curso/unidad3/defectos. esta se puede mover. Las dislocaciones mixtas tienen componentes de borde y tornillo. pero el vector de Burgers proporciona una descripción conveniente y sencilla. Levanta alguna de sus patas en determinado momento.html d) Dislocaciones mixtas: Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. y usa el movimiento para ir de un lado a otro.upv. el cristal se ha deformado plásticamente. el vector de burgers queda igual para todas las porciones de la dislocación mixta.

Un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo de los átomos es casi idéntico. 3.  Límites de grano La estructura de muchos materiales cerámicos y metálicos consiste en muchos granos. http://members. La superficie exterior también puede ser muy áspera. los límites de grano con ángulo pequeño no son tan eficientes para bloquear los deslizamientos. .fortunecity. contener muescas diminutas y ser mucho más reactiva en el interior del material. el cristal terminaría por quedar cortado a la mitad. la orientación del arreglo de átomos. Esto es un factor muy importante en la fabricación de dispositivos micro electrónico a base de sí. o estructura cristalina.4 De volumen: para comenzar a hablar de este tipo de imperfección se aclararan los siguientes temas:  Superficie del material: Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina el cristal en forma súbita. Como la superficie de la energía es menor que la de un límite de grano normal. si se pudieran introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal. Los límites de grano con tamaño pequeño que se forman por dislocaciones de borde se llaman límites inclinados los que se forman por dislocaciones de tornillo (véase defectos lineales) se llaman límites de giro.Otra forma de visualizar esto es imaginar cómo se movería una onda en una alfombra si tratáramos de eliminarla aplanándola en lugar de levantar la alfombra.9. Cada átomo en la superficie ya no tiene el número adecuado de coordinación y se interrumpe en enlazamiento atómico. es distinta en cada grano vecino.htm  Límites de grano de ángulo pequeño: Un límite de grano de ángulo pequeño es un conjunto de dislocaciones que produce una pequeña desorientación entre cristales vecinos. Sin embargo. moviéndose a través del cristal por la misma trayectoria.com/ginermendocilla/Fun.

A los materiales que desarrollan una magnetización en forma parecida se les llama ferromagnéticos o ferromagnéticos. que hace que los átomos se desplace de su posición. Los defectos tienen un efecto o influencia considerable en el comportamiento y desempeño de un material. La presencia de dominios influye sobre las propiedades dieléctricas y magnéticas de muchos materiales electrónicos y magnéticos. Estos materiales electrónicos y magnéticos contienen dominios. En esos materiales se forman muchos dominios pequeños de tal manera que se minimiza la energía libre total del material. En la figura se muestra un ejemplo de dominios en el titanio de bario tetragonal forro eléctrico. . puede ser mayor. Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante. Límites de macla: Un límite de macla (o de gemelación) es un plano a través del cual hay una desorientación especial de imagen especular de la estructura cristalina. que actúa a lo largo de límite de macla. Finalmente el concepto de un defecto tridimensional o volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro de un material poli cristalino. en ocasiones. un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado tridimensional.  Límites de dominio: los materiales ferro eléctricos son los que desarrollan polarización dieléctrica espontánea y reversible. El movimiento de los límites de macla también puede causar la deformación del metal. Los límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento y aumentan la resistencia del metal. De manera inversa. Los defectos volumétricos se forman cuando un grupo de átomos o de defectos puntuales se unen para formar un vacío tridimensional o poro. El tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos cuantos nanómetros hasta centímetros o. Un dominio es una pequeña región del material cuya dirección de magnetización o polarización dieléctrica permanece igual. El maclado sucede durante la deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales.

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