UNIVERSIDAD PEDAGOGICA NACIONAL FRANCISCO MORAZAN

FACULTAD DE CIENCIA Y TECNOLOGÍA

EDUCACION TECNICA INDUSTRIAL
ELECTRONICA I
Guía # 1
Docente: Wilfredo Sauceda

Diodo semiconductor

1. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones
de polarización en directa y en inversa en un diodo de unión p-n y cómo se ve
afectada la corriente resultante.

2. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa del

diodo de unión p_n.
Es decir, ¿cómo recordará cual potencial (positivo o negativo) se aplica a cual terminal?

3. Con la ecuación (1.1) en el libro de texto, determine la corriente en el diodo a

20°C para un diodo de silicio con Is =50nA y una polarización en directa
aplicada de 0.6 V. el valor de Idealidad es = 2

4. Repita el problema anterior con T=100°C (punto de ebullición del agua).

Suponga que Is se ha incrementado a 50 µA. el valor de Idealidad es = 2

5. Con la ecuación (1.1) en el libro de texto determine la corriente a 20°C en un

diodo de silicio con Is = 0.1 µA con un potencial de polarización en inversa de -
10 V. el valor de Idealidad es = 2
b. ¿Es el resultado esperado? ¿Por qué?

6. Compare las características de un diodo de silicio y uno de germanio y

determine cuál preferiría utilizar en la mayoría de las aplicaciones prácticas. Dé
algunos detalles. Consulte la lista del fabricante y compare las características de
un diodo de silicio y de uno de germanio de características nominales máximas
similares.
 7. ¿Aqué temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendrá un voltaje
nominal de 10.75 V?
(Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.7).

8. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (valor

determinado a 25°C) si el voltaje nominal se reduce a 4.8 V a una temperatura
de 100°C.