FACULTAD DE MECÁNICA

FACULTAD: MECÁNICA
CARRERA: INGENIERÍA DE MANTENIMIENTO

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

PRÁCTICA No 1.- Introducción de diodos semiconductores

1. DATOS GENERALES:

NOMBRE: estudiante CODIGO(S): de estudiante

FECHA DE REALIZACIÓN: FECHA DE ENTREGA:

06/24/2021

2. OBJETIVOS:

2.1 OBJETIVO GENERAL

 Determinar las características del diodo de unión NP.

2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

 Identificar ánodo y cátodo, y probar un diodo semiconductor realizando una prueba de
resistencia directa-inversa usando óhmetro.
 Observar la forma en que los voltajes de polarización directa inversa afectan el flujo
de la corriente a través de un diodo semiconductor.
 Mostrar la relación entre el voltaje y la corriente de un diodo semiconductor trazando
una curva.

3. MARCO TEORICO
Un diodo de unión PN es un dispositivo semiconductor que permite que la corriente fluya a
través de él solo en una dirección.
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El material tipo P (positivo) de una reunión PN del ánodo, en tanto que el material tipo N
(negativo) es el cátodo.

Un diodo se forma de materiales que son conductores parciales, generalmente silicio o

germanio. Parte del semiconductor se trata de tal manera que tenga un exceso de electrones
(material tipo N). La otra parte del semiconductor se trata para que tenga una deficiencia de
electrones (material tipo P). A este tipo de diodo con frecuencia se le llama unión PN.

En la unión entre las dos clases de material se forma una barrera de voltaje, que impide que
los electrones del material tipo N pasen al material P.
Cuando se aplica un voltaje con las polaridades como se muestra, se vence la barrera y los
electrones fluyen desde N a P. Bajo esta condición se dice que la unión está polarizada
directamente. La corriente sigue fluyendo mientras se mantenga el voltaje aplicado. Cuando
se invierte la polaridad del voltaje aplicado, fluye poco o ninguna corriente a través de la
unión PN. Bajo esta condición se dice que la unión PN ésta polarizada en forma inversa. La
corriente convencional fluye a través del diodo en dirección de la flecha, en tanto que los
electrones fluyen en dirección opuesta a la de la flecha.
En la figura se muestra una curva característica típica de un diodo, que muestra que se
necesita muy poco voltaje de polarización directa para producir un gran flujo de corriente, y
naturalmente lo contrario también es cierto se necesita un voltaje de polarización inversa muy
alto para producir un flujo de corriente inversa. Generalmente el voltaje inverso está en
decenas o centenas de voltios, en tanto que el voltaje directo está en décimos de voltios.
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El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un

sentido determinado, y resistencia infinita en el sentido opuesto. Podemos notar que al tener el
diodo polarizado directamente éste actúa como un interruptor cerrado, de modo contrario, al
tener el diodo polarizado de manera inversa éste actúa como un interruptor abierto, lo que
ocasiona que no se complete el circuito.

Polarización directa de un diodo

El ánodo se conecta al terminal positivo de la batería y el cátodo al terminal negativo. Una de
las características de la polarización directa es que el diodo conduce con una caída de tensión
de 0.6 a 0.7 V. El voltaje aplicado supera el potencial de contacto y reduce la región de
agotamiento. El ánodo, en efecto, se convierte en fuente de huecos y el cátodo se convierte
una fuente de electrones, de modo que los huecos y los electrones se generan continuamente
en la unión.

Polarización inversa de un diodo

El ánodo se conecta al terminal negativo de la batería y el cátodo al terminal positivo. Una de
las características de la polarización inversa es que, el valor de la resistencia interna del diodo
es muy elevado y en consecuencia actúa como un interruptor abierto. El ánodo se conecta al
silicio tipo n y el cátodo al silicio tipo p, la región de agotamiento aumenta, lo que inhibe la
difusión de electrones y por tanto la corriente. Aunque fluye una corriente de saturación
inversa (Io), ésta es extremadamente pequeña
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Tipos de diodos
Existen diferentes tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto físico, impurezas, uso de
electrones y algunos que tienen características eléctricas particulares usados para una
aplicación especial en un circuito.
Estos son algunos de los diodos comúnmente utilizados:
 Diodo Rectificador
 Diodo Schottky
 Diodo Zener
 Diodo Varicap
 Diodo Pin
 Diodo Túnel
 Diodo LED
 Fotodiodo

Características técnicas
Como todos los componentes electrónicos, los diodos poseen propiedades que les diferencia
de los demás semiconductores. Es necesario conocer estas las hojas de datos y las necesidades
de diseño así lo requieren. En estos apuntes se presentarán las características más importantes
desde el punto de vista práctico.
Valores nominales de tensión
 VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.
 VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa.
 VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.
 VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.
 VRWM = Tensión inversa de cresta de funcionamiento.
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Valores nominales de corriente:

 IF = Corriente directa.
 IR = Corriente inversa.
 IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.
 IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la máxima corriente eficaz que
el diodo es capaz de soportar.
 IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.
 AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)

Valores nominales de temperatura:

 Tstg = Indica los valores máximos y mínimos de la temperatura de almacenamiento.
 Tj = Valor máximo de la temperatura que soporta la unión de los semiconductores.
4. EQUIPO Y MATERIALES

Fuente de energía 0-40 Vcd, 10mA

Miliamperímetro 0-0.1/10mAcd
Voltímetro 0-3 Vcd
Multímetro
CR1 - CR4 Diodos de silicio
R1 10kΩ, 1W
Tablero de conexión

5. PROCEDIMIENTO PARA EL EXPERIMENTO

Objetivo A. Identificar ánodo y cátodo, y probar un diodo semiconductor realizando una

prueba de resistencia directa-inversa usando un óhmetro.
1.
a) Examine los cuatro diodos de silicio CR1-CR4 e identifique las terminales cátodo y
ánodo. Por lo general se marca el extremo del cátodo de un diodo mediante una banda
circular o un punto de pintura en el encapsulado o punta.
A veces se marca el símbolo de diodo en el encapsulado. Describa la manera en que están
marcados los cátodos de los diodos CR1-CR4.
Si el diodo no está marcado, se determina con sencillez cuál es el ánodo y cual el cátodo
mediante una comprobación de resistencia.
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b) Verifique que la fuente de voltaje del óhmetro en las puntas permanezca constante
al pasar los rangos de resistencias de R x 10 y R x 100 a R x 1 MΩ.

2. a) La prueba de óhmetro de diodo en buen estado revelará que el diodo tiene baja
resistencia directa y resistencia inversa muy alta.
b) Conecte la punta común (negativa) al extremo del cátodo de uno de los diodos de
silicio y la punta de ohmios (positiva) al otro extremo.

c) Mida la resistencia hacia delante de cada diodo de silicio.

Resistencia directa de CR1 =655.10 Ω
Resistencia directa de CR2 =655.10 Ω
Resistencia directa de CR3 =655.10 Ω
Resistencia directa de CR4 =655.10 Ω
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Los diodos de silicio en buen estado deben medir entre 50 y 700 ohmios en la condición de
polarización directa.

d) Invierta las conexiones del diodo de manera que conecte el ánodo a la punta común del
medidor y el cátodo a la punta de ohmios. Ahora el diodo está en la condición de
polarización inversa. Use el rango de resistencia más alto del óhmetro para medir la
resistencia inversa de cada diodo de silicio.
Resistencia inversa de CR1 = MAX Ω
Resistencia inversa de CR2 = MAX Ω
Resistencia inversa de CR3 = MAX Ω
Resistencia inversa de CR4 = MAX Ω

Los diodos de silicio en buen estado deben medir entre 10MΩ y 1000MΩ en una condición
de polarización inversa. El valor exacto de la resistencia inversa no tiene importancia en sí
mismo.

Objetivo B. observar la forma en que los voltajes de polarización directa e inversa afectan el
flujo de la corriente a través de un diodo semiconductor.

a) Monte el circuito que se muestra en la figura. Asegúrese de conocer correctamente la

polaridad del miliamperímetro y la del diodo. La resistencia R1 en serie se incluye sólo
como dispositivo de protección, y limita la corriente de la fuente de energía a un valor
seguro.
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b) Gradualmente aumente el voltaje E s de la fuente hasta que el miliamperímetro indique

0.02mAcd de corriente I f directa del diodo. En la tabla 24-1 anote la caída del voltaje E f
directa del diodo.

La caída del voltaje directa a 0.02mAcd de corriente directa debe ser entre 0.35 y 0.45 Vcd.
V = 0.41V.
c) Repita y anote E f para cada uno de los pasos de I f de la tabla. Cambio el rango del
miliamperímetro a 1mAcd cuando lo requiera.

IF EF IF EF
0.02mA 0.41V 0.4mA 0.54V
0.04mA 0.45V 0.6mA 0.56V
0.06mA 0.46V 0.8mA 0.57V
0.08mA 0.47V 1mA 0.58V
0.1mA 0.48V 2mA 0.62V
0.2mA 0.51V 3mA 0.64V
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d) Regrese el voltaje a cero e invierta las conexiones del diodo de silicio.

e) Cambie el rango del miliamperímetro a 0.1µAcd y el rango del VOM a 50Vcd.

f) Ajuste la fuente de energía a 50Vcd y mida la corriente inversa (de fuga) del diodo, I R .

I R indicada = 0.5 µAcd

Debe medir entre 0.3 µA y 4.7 µA

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V = 0.5 µA

g) Exprese si parte de la corriente de fuga indicada I R se debe a la presencia del VOM en el

circuito.

El VOM toma casi toda la corriente indicada. La cantidad exacta se puede determinar
desconectando el VOM mientras observa el miliamperímetro. La corriente de fuga del diodo
debe ser muy baja, inferior a 1µAcd.
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h) Ajuste el voltaje a cero.

Objetivo C.
Mostrar la relación entre el voltaje y la corriente de un diodo semiconductor trazando una
curva.

IF EF IF EF
0.02mA 0.41V 0.4mA 0.54V
0.04mA 0.45V 0.6mA 0.56V
0.06mA 0.46V 0.8mA 0.57V
0.08mA 0.47V 1mA 0.58V
0.1mA 0.48V 2mA 0.62V
0.2mA 0.51V 3mA 0.64V

a) Grafique los datos obtenidos en el procedimiento 3 en la gráfica. Trace una curva suave
a través de los puntos marcados.

Ef If
0.41 0.02
0.45 0.04
0.46 0.06
0.47 0.08
0.48 0.1
0.51 0.2
0.54 0.4
0.56 0.6
0.57 0.8
0.58 1
0.62 2
0.64 3
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Ef vs If
3.5

2.5

1.5

0.5

0
0.2 0.4 0.6 0.8

b) Examine la curva y note que la caída del voltaje directo del diodo E F aumenta con el flujo
de la corriente directa I F hasta que se alcanza un punto en que E F permanece relativamente
constante mientras que I F sigue aumentando. En este punto, se dice que el diodo está
completamente polarizado directamente. ¿Aproximadamente a qué voltaje se polariza el diodo
totalmente en forma directa?
E F =0.7Vcd

La curva debe indicar polarización completa en forma directa entre 0.5 V y 0.7 V, lo que es
típico para los diodos de silicio.

6. RESUMEN

En este experimento se identificó las terminales del cátodo y el ánodo de un diodo

semiconductor usando un óhmetro; luego se determinó que un diodo en buen estado tiene baja
resistencia cuando está polarizado directamente y alta resistencia cuando está polarizado
inversamente. También observó la manera en que los voltajes de polarización afectan el flujo
de la corriente a través de un diodo. Por último, demostró la relación entre el voltaje y la
corriente de un diodo semiconductor y determino la caída de voltaje para una unión PN
polarizada completamente en forma directa.

7. CUESTIONARIO

1. La terminal del cátodo de un diodo semiconductor se puede identificar mediante:

a. Un signo negativo (-) marcado en el encapsulado.
b. Una banda circular marcada en el encapsulado.
c. Un símbolo de Ω marcado en el encapsulado.
d. Ninguno de los anteriores.
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2. La flecha en un símbolo de un diodo semiconductor:

a. Representa el cátodo del diodo.
b. Indica que se puede variar la corriente.
c. Indica que se puede variar el voltaje.
d. Apunta en la dirección del flujo de la corriente convencional.

3. Cuando un diodo semiconductor en buen estado está polarizado directamente.

a. Su resistencia directa es alta.
b. Su voltaje directo es alto.
c. Bloquea el flujo de la corriente.
d. Puede conducir corriente.

4. Un diodo semiconductor esta polarizado directamente cuando:

a. El cátodo está negativo con respecto al ánodo.
b. El ánodo es positivo con respecto al cátodo.
c. Ni (a) ni (b).
d. Tanto (a) como (b).

5. Un diodo semiconductor en buen estado tiene:

a. Baja resistencia directa y elevada resistencia inversa.
b. Elevada corriente directa y baja resistencia inversa.
c. Elevada resistencia inversa y elevada resistencia directa.
d. Baja corriente directa y elevada corriente inversa.

6. La caída de voltaje a través de un diodo de silicio en buen estado cuando está

polarizado completamente en forma directa es:
a. 0.3V
b. 5.0-7.0V
c. 0.3-0.7V
d. 0.5-0.7V
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CONCLUSIONES
 Se llego a la conclusión que un diodo polarizado de manera directa, cuando lo
medimos con el óhmetro mide una resistencia alta aproximadamente de 655.10 ohms,
y cuando se le polariza de manera inversa tiene una resistencia máxima
 Se pudo identificar el ánodo y cátodo, y ver de qué manera se comporta un diodo
semiconductor realizando una prueba de resistencia directa-inversa usando óhmetro.
 Se pudo visualizar la forma en que los voltajes de polarización directa inversa afectan
el flujo de la corriente a través de un diodo semiconductor.
 Con los datos obtenidos se pudo llegar a ver la relación entre el voltaje y la corriente
de un diodo semiconductor trazando una curva y ver cuando entra en conducción,
mediante el Excel
RECOMENDACIONES
 Se recomienda seguir al pie de la letra la guía de laboratorio para poder realizar la
practica correctamente
 También se recomienda medir la resistencia del diodo semiconductor en las ambas
polarizaciones, tanto directa como inversa para llegar a comprobar con más certeza su
resistencia.
 Se recomienda practicar en el simulador ISIS Proteus para familiarizarse más con este
tipo de circuitos.
FIRMAS:

Jhonny Latorre.
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DOCENTE ESTUDIANTE RESP. LABORATORIO