TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO CAMPUS MORELIA

DIVISIÓN DE ESTUDIOS PROFESIONALES

DEPARTAMENTO DE MECATRONICA

Tarea 3

PRESENTA:

Eduardo David Salas Ayala

PROFESOR:

Juan Alfonso Salazar Torres

MORELIA, MICHOACÁN (24, 02, 2023)

1.- El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr=3µs y la velocidad de la caída de
corriente por el diodo di/dt es 30A/µs. determinar: a) la carga de almacenamiento Qrr, b)
Corriente pico inversa Irr

Conmutación rápida:

𝑑𝑖 30𝐴
𝑇𝑟𝑟 % (𝑑𝑡) 3𝑢𝑠 % ∗ 𝑢𝑠
𝑄𝑟𝑟 = = = 135𝑢𝐶
2 2

𝑑𝑖 𝐴
𝐼𝑟𝑟 = 72𝑄𝑟𝑟 8 9 = 72(135𝐴𝑢𝑠) 830 9 = 90𝐴
𝑑𝑡 𝑢𝑠

Conmutación lenta:
𝑑𝑖 30𝐴
𝑇𝑟𝑟 % (𝑑𝑡) 3𝑢𝑠 % ∗ 𝑢𝑠
𝑄𝑟𝑟 = = = 67.5𝑢𝐶
4 4

𝑑𝑖 𝐴
𝐼𝑟𝑟 = 7𝑄𝑟𝑟 8 9 = 7(135𝐴𝑢𝑠) 830 9 = 63.6396𝐴
𝑑𝑡 𝑢𝑠

2.- El tiempo de recuperación inversa en un diodo de potencia es de 5µs y la velocidad de la

reduccion de corriente del diodo es de 80A/µs, Si el factor de suavidad es 0.5. Determine a)la
carga de almacenamiento, b) la corriente pico inversa.

𝑇𝑓
𝑆𝑓 =
𝑇𝑠
AB
0.5 = AC
; 𝑇𝑓 = 0.5𝑇𝑠.

𝑇𝑟𝑟 = 𝑇𝑠 + 𝑡𝑓 ; 5𝑢𝑠 − 𝑇𝑠 = 𝑇𝑓.

𝑇𝑠 = 3.33𝑢𝑠. ; 𝑇𝑓 = 1.6667 𝑢𝑠

1 𝑑𝑖 1 80𝐴
𝑄𝑟𝑟 = 8 9 (𝑇𝑠)(𝑇𝑟𝑟) = 8 9 (3.33𝑢𝑠)(5𝑢𝑠) = 666𝑢𝐶
2 𝑑𝑡 2 𝑢𝑠
 𝑑𝑖 80𝐴
𝐼𝑟𝑟 = 8 9 (𝑇𝑠) = (3.33𝑢𝑠) = 266.4 𝐴
𝑑𝑡 𝑢𝑠

3.-Los valores medidos de un diodo a 25°C de temperatura son: Vd = 1.0 cuando Id=50A y
Vd =1.5V cuando Id = 600A. Calcule: a) el coeficiente de emisión η y b) la corriente de fugaIs.
JK
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 8𝑒 ILJMN − 19
𝑇𝑘 = 𝑡𝑐 + 273.15 = 25 + 273.15 = 298.15
𝑡 298.15
𝑉𝑡 = 𝑘 = (1.38𝑥10T%U ) 8 9 = 25.71𝑚𝑉
𝑞 1.6𝑥10TVW
JK
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 8𝑒 ILJMN − 19
𝑉𝑑% − 𝑉𝑑V 1.5 − 1
𝑛= = = 7.8263
𝐼𝑑% TU 600𝐴
𝑉𝑡(ln ) (25.71𝑥10 )(ln 50𝐴 )
𝐼𝑑V

𝑖𝑑 50
𝐼𝑠 = 𝑉𝑑 = 1
= 0.3496 𝐴
I𝑁𝑉𝑡N 8 9
𝑒 −1 𝑒 (7.8263)25.71 𝑚𝑣 − 1

4.- El diodo de potencia BYX 71 actúa inicialmente con una corriente de 2A y unatemperatura
ideal de la unión de 25°C. El diodo opera en un circuito en el cual la corriente es inversa, de 20
A/µs. Determinar: a) el tiempo de recuperación inversa, trr ,b) la corriente inversa máxima IRM

Qrr = 700nC

Conmutación rápida
2(700𝑛𝐶)
𝑡^^ = _ = 0.2645𝑚𝑠
20𝐴
𝜇𝑠

20𝐴
𝐼^^ = 72(700𝑛𝐶)( ) = 5.2915𝐴
𝜇𝑠
Conmutación lenta.

4(700𝑛𝐶)
𝑡^^ = _ = 0.37416𝑚𝑠
20 𝐴
𝜇𝑠

20𝐴
𝐼^^ = 7(700𝑛𝐶)( ) = 3.7416𝐴
𝜇𝑠

5. En el rectificador de la siguiente figura, la carga es resistiva y de valor R determinar:

a) El rendimiento.
b) El factor de forma.
c) El factor de rizado.
d) El factor de utilización del transformador.
e) El pico inverso de tensión en el diodo D1

A)

b.cUcd (Je)
ŋ = b.fbfd (Je) = 0.81
B)
0.707𝑉𝑚
𝐹𝐹 = = 1.11
0.636𝑉𝑚
C)

𝐹𝑅 = i1.11% − 1% = 0.48

D)

0.636%
𝐹𝑈 = = 0.57
2(0.707)
2
E)

Vpi = 2Vm