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revestimientos

artículo

Plataforma de nitruro de silicio recubierta de SiOC para

Actuadores de fase
Faisal Ahmed Memón 1,* , Imran Ali Qureshi 1 , Abdul Latif Memón 1 , Zafi Sherhan Syed1 ,
Nasrullah Pirzada 1 y Erum Saba 2

1
Departamento de Ingeniería de Telecomunicaciones, Universidad de Ingeniería y Tecnología de Mehran,
Jamshoro, 76062 Sindh, Pakistán; imran.qureshi@faculty.muet.edu.pk (IAQ); abdul.latif@faculty.muet.edu.pk
(ALM); zafisherhan.shah@faculty.muet.edu.pk (ZSS); nasrullah.pirzada@faculty.muet.edu.pk (NP)

2
Centro de Tecnología de la Información, Universidad de Agricultura de Sindh Tandojam, 70060 Sindh, Pakistán;
erumsaba@sau.edu.pk * Correspondencia: faisal.memon@faculty.muet.edu.pk

Recibido: 25 de febrero de 2020; Aceptado: 23 de marzo de 2020; Publicado: 25 de marzo de 2020

Resumen: En este artículo, se demostró la integración de plataformas de oxicarburo de silicio (SiOC) y nitruro de
silicio (Si3N4) para realizar un ajuste térmico ultraeficiente de circuitos fotónicos integrados. Al ser Si3N4 un material
fotónico fascinante con un índice de refracción moderado (n ÿ 2) y una pérdida ultrabaja, carece de un coeficiente
termoóptico que hace que los actuadores de fase térmica sean largos y disipen altas potencias.
La integración del revestimiento de SiOC con un índice de refracción comparable (n = 2,2) aumenta la eficiencia
termoóptica efectiva de los circuitos fotónicos de Si3N4 en casi un orden de magnitud sin pérdida adicional. Se
depositó una capa de SiOC mediante la técnica de pulverización catódica de magnetrón de RF reactiva a partir del
objetivo de SiC a temperatura ambiente. Las caracterizaciones estructurales, químicas y ópticas de la capa de SiOC
depositada por pulverización catódica se realizaron con SEM, AFM, EDS y elipsometría espectroscópica. Se
discutieron y compararon los resultados de los dispositivos fotónicos Si3N4 recubiertos con SiOC y Si3N4 prístinos .
SiOC se demostró como una plataforma habilitadora para actuadores de fase térmica de baja pérdida y eficiencia
energética en tecnologías fotónicas convencionales con aplicación en sistemas fotónicos reconfigurables.

Palabras clave: nitruro de silicio; oxicarburo de silicio; Peliculas delgadas; materiales ópticos; circuitos integrados fotónicos

1. Introducción

La integración fotónica de silicio ha avanzado significativamente en las últimas décadas y se percibe que
aprovecha la industria de semiconductores de óxido de metal complementario (CMOS) [1,2]. Los dispositivos fotónicos
de silicio (Si) , que tienen un contraste muy alto con el revestimiento de sílice, limitan la luz con fuerza en el núcleo y
son propensos a las tolerancias de fabricación y la rugosidad de las paredes laterales, lo que contribuye a las pérdidas
[3,4]. Por lo tanto, la investigación sobre plataformas de materiales basados en Si ha recibido atención en los últimos
años. El nitruro de silicio (Si3N4) es un material atractivo por su índice de refracción moderadamente alto (n ÿ 2 en ÿ =
1550 nm) y su bajo coeficiente de absorción (< 1 dB/m) en las regiones espectrales del visible y del IR cercano [5,6] .
Los circuitos integrados fotónicos (PIC) de Si3N4 han encontrado aplicaciones en los campos de las telecomunicaciones,
las comunicaciones de datos, la detección, la biofotónica y el procesamiento de señales ópticas [7,8]. El Si3N4 se ha
depositado utilizando técnicas compatibles con CMOS, por ejemplo, depósito químico de vapor a baja presión (LPCVD)
y depósito químico de vapor mejorado con plasma (PECVD). Con sus características complementarias de rango de
transparencia de longitud de onda más amplio y pérdidas de dispersión más bajas, se han demostrado PIC simples a
complejos. Además, Si3N4 es una de las plataformas para las que se ofrecen ejecuciones de obleas multiproyecto
ÿ1
(MPW). Sin embargo, el efecto termo-óptico en Si3N4 es bajo, del orden
, largos y anchos con de 10ÿ5
gran ÿC y requiere
disipación sintonizadores
de potencia térmicos
[9]. La gran huella
de los sintonizadores térmicos es contraria al espíritu de los PIC que

Recubrimientos 2020, 10, 309; doi:10.3390/revestimientos10040309 www.mdpi.com/journal/coatings

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Recubrimientos 2020, 10, 309 2 de 7

determina el costo final de un producto fotónico. Hay otras formas de reconfiguración de PIC, como la
electroabsorción y la electrorefracción; sin embargo, el efecto termoóptico sobre el índice de refracción es
mayor, induce menos pérdidas y, por lo tanto, los sintonizadores/calentadores térmicos son simples y ubicuos [9].
Recientemente, se ha demostrado una nueva plataforma fotónica de oxicarburo de silicio (SiOC) con un índice de
refracción más amplio que puede ajustarse desde 1,45 a 3,0 y menores pérdidas de propagación de aproximadamente
2 dB/cm en la región de longitud de onda del infrarrojo cercano [10,11]. Además, se ha demostrado que el SiOC con un
índice de refracción moderadamente alto (n = 2,2 a ÿ = 1550 nm) exhibe un coeficiente termoóptico más alto de KSiOC
= 2,5 × 10ÿ4ÿ1ÿC
, reportada entre las tecnologías dieléctricas bien conocidas, que es treinta veces más grande que la
sílice y casi el doble que la del silicio [12]. El nitruro ultra rico en silicio (SRN) con n = 3,0 es otra plataforma de
ÿ1
material que recientemente demostró exhibir un alto coeficiente termoóptico de KSiOC = 2,66 × 10ÿ4 ÿC Sin .
embargo, el índice de refracción y las pérdidas de propagación (7,5 dB/cm ) de la plataforma SRN son demasiado
altos y por lo tanto limitan su uso [13,14]. Aunque se ha demostrado que varios polímeros y TiO2 exhiben valores
negativos altos del coeficiente termoóptico que dependen de la expansión térmica del material, falla cuando el
material está cubierto por una capa de revestimiento superior [15]. SiOC, por otro lado, es una plataforma atractiva
con un amplio rango de índice de refracción que es significativamente más alto que el proporcionado por otras
plataformas fotónicas de baja pérdida, incluido el oxinitruro de silicio (SiON) [16], Si3N4 y Ta2O5 [17] y sin pico de
absorción en la banda de longitud de onda de 1550 nm. El rango ajustable de índice de refracción más amplio, las
bajas pérdidas de material y la ausencia de un pico de absorción en la ventana de telecomunicaciones hacen de
SiOC una plataforma fotónica prometedora para aplicaciones de detección y telecomunicaciones.
En este trabajo, nuestro objetivo es integrar SiOC con Si3N4 para mejorar la eficiencia termoóptica y demostrar
el ajuste térmico ultraeficiente del circuito fotónico. Tomando las ventajas del alto coeficiente termo-óptico de SiOC y
Si3N4 de baja pérdida bien madurado , proponemos la integración de plataformas de SiOC y Si3N4 para realizar
circuitos integrados fotónicos térmicamente ajustables y energéticamente eficientes.

2. Deposición y caracterizaciones de capas de SiOC

La geometría de las guías de onda de Si3N4 recubiertas de SiOC se muestra en la Figura 1a. Se montó un chip de
Si3N4 ya modelado con guías de ondas de canal y un resonador de anillo, y una muestra de sustrato de Si desnudo en un
soporte circular en la cámara de pulverización catódica del magnetrón de RF reactivo. La deposición de oxicarburo de silicio
se realizó a una presión base baja de 9 × 10ÿ6 mbar utilizando un objetivo de carburo de silicio (SiC) en presencia de argón
(Ar) y oxígeno (O) como plasma y gases reactivos, respectivamente. El flujo de Ar (10 sccm) y O (0,75 sccm) se mantuvo con
controladores de flujo másico. El ancho y la altura de las guías de ondas de tira de Si3N4 fueron de 1,2 µm y 0,3 µm,
respectivamente. Se obtuvieron imágenes transversales de guías de onda de Si3N4 recubiertas con SiOC con un microscopio
electrónico de barrido (SEM, modelo: LEO 1525, One Zeiss Drive, NY, EE. UU.). Teniendo en cuenta la naturaleza dieléctrica
de las capas de SiOC y Si3N4 , se bombardeó el chip con una fina capa de platino de unos 4 nm para evitar un efecto de
carga de electrones. Las imágenes de la sección transversal SEM se obtuvieron operando el cañón de electrones a un voltaje
de 10 kV y recolectando las señales del detector en la lente. La Figura 1b muestra la imagen de la sección transversal SEM
de la guía de ondas Si3N4 cubierta con SiOC. La capa de SiOC tenía un espesor de 350 nm y la tasa de deposición estimada
fue de 30 nm/min cuando la deposición se prolongó durante 10 min. Se observó buena adhesión entre las capas de SiOC y
Si3N4 , mostrando menor posibilidad de dispersión en la interfase. Las estructuras de SiOC/Si3N4 se cubrieron con sílice
PECVD con n = 1,45. La muestra de SiOC/Si se utilizó para caracterizaciones de películas, como elipsometría (VASE, JA
Woollam Inc., Lincoln, NE, EE. UU.), microscopía de fuerza atómica (Modelo AFM: sistema AFM 5600LS, Keysight, CA, EE.
UU.) y espectroscopia de dispersión de energía . (EDS) análisis.
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Recubrimientos 2020, 10, 309 3 de 7

Recubrimientos. 2020, 10, x PARA REVISIÓN POR PARES 3 de 7

Recubrimientos. 2020, 10, x PARA REVISIÓN POR PARES 3 de 7

Figura 1. (a) Esquema de geometría y (b) micrografía SEM de la guía de onda de SiN recubierta de SiOC. Figura 1. (a) Esquema de geometría y (b) micrografía SEM de la guía de onda de SiN recubierta de SiOC. Figura 1. (a) Esquema de geometría y (b) micrografía SEM de la guía de onda de SiN recubierta de SiOC.

La
SiOCFigura
medidos 2a
espectroscópica
con
La La muestra
Figura
el Figura
amplio
2a
sobre
2a los
el espectros
muestra
rango
muestra
amplio
delos
longitud
los dede
índice
espectros
rango
espectros
deonda
de de
longitud
de
índicerefracción
entre
índice
de
de
300
onda
de nentre
yy1600
refracción
nm coeficiente
refracción
n
300
ynm. yde extinción
ncoeficiente
nm
y coeficiente
La medidade con
de kelipsometría
de película
extinción
extinción
k de
k de de SiOC
película
película
de de
espectroscópica
medidas
ÿ, del ÿ) modeladassobre
(psi ÿ, del ÿ)porelunamplio
modeladas rango
oscilador unde longitudCody-Lorentz
por Cody-Lorentz
oscilador de
[18]onda entre
dieron unde 300
valornm
1600 y1600
denm.lasLas
cantidades
norte. elipsométricas
cantidades
Las cantidades medidas
elipsométricas
elipsométricas
medidas(psi
(psi ÿ, del ÿ) modeladas por un oscilador Cody-Lorentz se ajustan bien a los datos simulados y al error cuadrático
medio
(MSE) (MSE)
cuadrático de menos
de menos
medio de dos.de
(MSE) Eldos.
de menosEl de
índice índice de[ 18]
refracción
derefracción
dos. dio
de la [18] dio
unpelícula
buen unSiOC
ajuste
de buen ajustesimulados
con datos
con depositada
datos simulados
en la ylongitud yonda
un error
un errordecuadrático
de medio
telecomunicaciones estándar de 1550 nm se midió como n = 2,2 con un índice de refracción de la película de SiOC
depositada
de extinción en
(k la
SiOC depositada longitud
< 10ÿ4 yade
en) la onda
longitud
que de
de telecomunicaciones
la película
ondaexhibe una alta estándar
de telecomunicaciones
transparenciade 1550
por nm.
estándar El índice
encima
de 1550 de
nmÿ> de
fue refracción
550 denla
insignificante.
nm. como =película
coeficiente
2,2 con
coeficiente
=La
2,2rugosidadde extinción
con coeficiente
rms dede insignificante
la pulverización (k < 10ÿ4
extinción insignificante
catódica La ) ya que la
(k <superficiepelícula
10ÿ4 ) yadeque exhibe
la capa
la películauna
de SiOC alta
exhibe transparencia
se midió
una alta por encima
contransparencia
un microscopio como
porde
enciman
fuerza
atómica
nm
en rugosidad
La modo
en elÿmicroscopio
tapping
> 550
de lanm.
sobre
La
enun
rugosidad
modo
superficieárea
rmsde
de toque
rms
100 de
medida µm2
sobre
la superficie
fue .comparable
La
unrugosidad
área de
decon
la
100
de
capa
lala
ÿm2.superficie
delde La
SiOC
rugosidad
sustrato pulverizada
yrms medida
de laademás
confirmó se
superficie
fuemidió
de la una fuerza
aproximadamente
con
rmsfuerza
medida
morfología atómica
fue0,5
microscópica en modo de
homogénea
suave de aproximadamente 0,5 nm que fue comparable con el sustrato y confirmó además la homogeneidad suave de
aproximadamente 0,5 nm que fue comparable con el sustrato y confirmó aún más la homogeneidad suave la capa de
SiOC depositada
morfología
pulverizadade como
delalacapa seSiOC
capade
de observa
SiOC en las imágenes
depositada
depositada según SEM. El análisis
segúnloseobservado
observa en
porlas elemental
imágenes
imágenes de laElmorfología
SEM.
SEM. El
análisis
análisis de la película
elemental
elementaldede de
sela SiOC
realizó
con espectroscopía
elementos
pulverizada
SiOC
de silicio
pulverizada
(Si),
de
secarbonosede
silicio
realizó dispersión
(Si),
realizó
con
(C)carbono de (O)
(C) energía
yespectroscopia
oxígeno
con espectroscopia(EDS).
y oxígeno
sin El que
deimpurezas.
dispersión
(O) análisis
de dispersión
sin Los EDS
de energía
la
picos de
película
de energíalaSiOC
de(EDS).
lade película
película
(EDS). Elde
Análisis
mostrara
de Si,
EDS SiOC
análisis
SiOC
de mostródeque
la presencia
la
EDS
mostraron
presencialalade
lade película
película
elementos
presencia de
elementos
de SiOC
de
LosLapicos
silicio
2b. (Si), de los(C)
carbono
composición elementos
y oxígeno
elemental Si,sinCelementos
(O)
en impurezas.yO sepicos
Los muestran
C yde
O los en el espectro
se muestran en
elementos EDS
Si,elCespectro
y O se deque
EDS laen
muestran Figura
se muestra
el 2b.
enEDS
espectro la Figura
de la Figura 2b. impurezas
La película de SiOC se cuantificó en porcentaje atómico como Si (44 at. %), C (29 at. %) y O (27 at. %) con un error. La composición elemental en la película de SiOC se cuantificó en porcentaje atómico como Si (44 at. %) y O (27 at. %) con un error . . %), C (29 at. %) La composición elemental en la película de SiOC se

cuantificó en porcentaje atómico como Si (44 at. %), C (29 at. %) de ±2 %. y O (27 at. %) con un error de ±2%. y O (27 at. %) con un error de ±2%.

Figura
delgada2.de
(a)SiOC.
Espectros de constantes ópticas medidas (n y k) y (b) análisis EDS de película
Figura 2. (a) Espectros de constantes ópticas medidas (n y k) y (b) análisis EDS de película delgada de SiOC. Figura 2. (a) Espectros de constantes ópticas medidas (n y k) y (b) análisis EDS de película delgada de SiOC.

3. Simulación
Simulación de dispositivo
de dispositivos SiOC-Coated
de Si3N4 recubiertos Si3N4 cony resultados
SiOC y
experimentales
resultados
Simulación 3. de Si3N4 recubiertos
experimentales
de dispositivos 3. con SiOC y resultados experimentales
Se realizaron simulaciones electromagnéticas para determinar el índice efectivo de Se
realizaron
fundamentales,
confinamiento
la
delguía
campofundamental
de
y calcular
simulaciones
ondas.de
comprender
modos,
el
los
Lafactor
eléctrica
modos
electromagnéticas
comprender
dela fundamentales
confinamiento
transversal
propagación
la propagación
fundamental
para
del modo
campo
modo,
determinar
del
en
comprender
(TE)
y campo
calcular
lasel
en
capas
índice
las
y el
calcular
capas
SiOC,
la
factor
efectivo
propagación
de
Si3N4
de
el SiOC,
factor
de
confinamiento
Se
los
y SiO2
de
del
Si3N4
modosde
y SiO2 de la guía de ondas.
La fundamental eléctrica transversal (TE) y en las capas de SiOC, Si3N4 y SiO2 de la guía de
ondas.
magnéticos
las guías
muestran Losde
enmodos
transversales
onda
las Figuras
de
fundamentales
Si3N43a,b.
(TM)
recubiertas
de eléctrico
las guíasde SiOC
transversal
de onda se muestran
de(TE)
Si3N4y magnético
en
recubiertas
la Figura transversal
con
3a,b.SiOC
Los (TM)
modos
se de
Los modos magnéticos transversales (TM) de las guías de onda
SiOC se muestran en las Figuras 3a,b. Las simulaciones revelaron que el modo TE fundamental de Si3N4 recubiertas con
con
3c. neff
fundamental
cuando
se
modo
muestra
La TE =fundamental
1,937
longitud
se ÿ ade
consideraba
en con
la ÿ propagación
==1550
Figura
neff con
1,937
una nm
3c.neff
La =ÿtenía
curvatura
alongitud
cuando
1,937
= 1550fugas.
con
ÿa nm
se
de
ÿun Las simulaciones
=consideró
propagación
tenía
1550
radio fugas.
nm
de 100
una
presentaba
Las
cuando
µm,
curvarevelaron un que
simulaciones
como
con
se
fugas
consideró
se elde
muestra
radio modo
enrevelaron
una una
longitud
en
100 TE
curva
laque
ÿm,
Figura
ÿcon
el
como
un
3d.
con radio de
confinamiento
en
fundamental
como
parámetro
del
material.
cada
factor
El
pérdida
se
modo
capa
ve
Más
de100
útil
en ÿm, como
insignificante,
de
con
confinamiento
de
detalles
para
ÿla
TM
es
la
neff
Figura
un
determinarse
fundamental
guía
=parámetro
sobre
1.865
de
3d.como muestra
ÿondas.
El
laes
fue
el
modo
guía
un
con
se en
confinamiento
útil
estable
ÿparámetro
ve
de
para
neff
se
deen la
ondas.
utiliza
TM
=con
la Figura
determinar
1.865
Figura
fundamental
pérdida
para
útil
ÿ de
se se3c.
para
modo
3d. La
estimar
utiliza
mantuvo
el propagación
insignificante,
El
determinar
confinamiento
en
con
factor
para
elcada
neff
estable
coeficiente
estimar
decapa
=el del modo
confinamiento
1.865
como
confinamiento
con
de
el
del TM
termoóptico
coeficiente
modo
pérdida
sefactor
mantuvo
ve en
en
de
ÿinsignificante,
cada
la
es
de termoóptico
de
Figura
estable
un
modo
capa
un
de unnuestra
material.
termoóptico
confinamiento
ÿ en de Más detalles
publicación
ÿun
sematerial.
pueden sobre
anterior
encontrar
Se pueden la guía
[12]. enLos de
encontrar
nuestra ondas. másÿ detalles
confinamientos se utiliza
publicación paraTM
delanterior
modo
sobre estimar
el en el el
[12].
factor decoeficiente
factor
confinamiento
de

Los confinamientos
nuestra del modo[12].
publicación anterior TM Los
en el factor de confinamiento
confinamientos del modo TM ÿ seen
pueden encontrar
diferentes capasen de
guías
SiOC,
onda
TM de
indicaron
SiOC
Si3N4
mayor
estaba
de ondas
enterradas
ÿyparte
=ÿtira
que
0,28 de
=confinada
0,28
delaen
Si3N4tiras
lamayor
en
luz
lasSiO2. de
sílice
en
del SiOC
diferentes
recubiertas
parte
0,28
modo
fueron
Lasde
en recubiertas
simulaciones
TM
la
capas
Si3N4
ÿcon
luz
=era
0,37
del
SiOC
de
0,28 de
y ÿmodo
en
guías
=en SiOC
enterradas
indicaron
0,28
SiOC,
Si3N4
TM
deen enterradas
ondas
ÿera
SiO2.
=yque
las
la
en
ÿ =capa
de
la
sílice en
diferentes
Las
0,28
mayor
tiras
de sílice
simulaciones
eran
ende
SiOC
SiO2.
parte
Si3N4
las fueron
ÿ =que
capas
0,37
de
Las deÿSiOC,
=a0,37
recubiertas
la
ayudó
indicaron
simulaciones
en
luz del
guías enla
aumentar
modo
que
de
ÿde
=
la eficiencia
aumentar
ayudó a aumentar termoóptica
la eficiencia de
la eficienciala plataforma
termo-ópticatermo-óptica Si3N4 .
de la plataformaconfinado
de la plataforma en la
Si3N4 . confinado capa de SiOC que ayudó
Si3N4 . en la capa de SiOC que a
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, 1010, ,PARA
Revestimientos Revestimientos . 2020 2020,
309x REVISIÓN POR PARES 44 de 7 de 7

Figura 3. Simulaciones electromagnéticas de los modos fundamentales TE y TM y su propagación a partir de la Figura 3. Simulaciones
electromagnéticas
enterrada en sílicede losunmodos
con fundamentales
radio de curvatura deTE
100y µm
TM (a)
y suModo
propagación a partir
TE ( b) modo TMde(c)
una guía
guía dede ondas
onda de Si3N4
de Si3N4 recubierta
recubierta de SiOC
de SiOC
enterrada en sílice con un radio de curvatura de 100 ÿm (a) modo TE (b) modo TM propagación del modo TE que tiene fugas y (d)
propagación estable del modo TM. (c) propagación del modo TE que tiene fugas y (d) propagación estable del modo TM.

La figura 4a muestra la micrografía óptica de resonadores de microanillo de Si3N4 de paso total recubiertos con SiOC . La figura 4a muestra la

de 100 micrografía
la
µm, óptica
circunferencia
la longitud delde
del resonadores
acoplador
anillo SiOCde
resonador microanillo
y era
enterrado
de 640,3 de
bajo Si3N4
ÿm.
sílice de paso El
LosPECVD. total
resonadores recubiertos
radio
de del anilloyresonador
microanillo enterrados bajo
de Si3N4era
se de sílice
basaron
100 ÿm,PECVD. El radio
en la geometría
longitud del
dede resonador
la guía
sección era anular
de ondas fue y
derectangular
12 ÿm

(1,2 × 0,3 µm2 , la sección del acoplador era de 12 ÿm y la circunferencia del resonador de anillo era de 640,3 ÿm. El Si3N4 , véase la Figura 1) y los resonadores

realizar
de microanillo
mediciones
se basaron
ópticas,enellachip
geometría
1 de Si3N4
de guía
recubierto
de ondas
conrectangular
SiOC) e índice
(1,2 ×
de0,3
refracción
ÿm2 , consulte
1,9963 la
enfigura
ÿ = 1550
índice
nm.dePara
refracción
realizar1,9963
mediciones
en ÿ =ópticas,
1550 nm.el Para
revestimiento
en una etapa estable
de SiOCdeseconfiguración
montó en unaóptica
etapaque
estable
comprende
de configuración
un láser sintonizable,
óptica que comprende
un controlador
un láser
de polarización
sintonizable,
óptica
un analizador
y un módulo
de espectro
termoeléctrico
óptico,
Si3N4
utilizaron
Peltier.
el
sechip
fibras
montó
. Se

ópticas con lentes para lanzar el analizador de espectro, el controlador de polarización y el módulo termoeléctrico Peltier. Se usaron fibras ópticas con lentes , la

luz de un láser sintonizable y el estado de polarización de la luz se controló con una polarización para lanzar la luz de un láser sintonizable, y el estado de

polarización de la luz se controló con un controlador que garantiza al menos una diafonía de -30 dB entre TE y polarizaciones TM. La luz polarizada TM con un

controlador de polarización que garantiza al menos una diafonía de -30 dB entre TE y TM se acopló al resonador de microanillo Si3N4 recubierto de SiOC de un

láser sintonizable que opera en polarizaciones amplias. La luz polarizada TM se acopló al resonador de microanillo de Si3N4 recubierto de SiOC desde un rango

espectral de 1520 a 1580 nm. láser sintonizable que opera en el amplio rango espectral de 1520 a 1580 nm. La Figura 4b muestra el espectro de transmisión

medido de
conun microrresonador
SiOC alrededor de de Si3N4 recubierto
la longitud de onda ÿcon SiOC.
= 1,55 µmLa Figura
a tres 4b muestradiferentes.
temperaturas el espectroElderesonador
transmisión
de medido de un microanillo
rango espectral dealrededor
libre (FSR) Si3N4 recubierto
de la
longitud
4b se estimó
grupo en de onda
efectivo
1,61 ngÿ=que
nm =2,2834.
1,55 ÿmLos
resultó a(FSR)
tres temperaturas
valores
medido
medidos diferentes.
a partir
de de
FSR ngElcoincidieron
rangode
losy espectros espectral libre dados
transmisión medido
estrechamente a la
con
en partir de los
el Figura 4b espectros
resultado se
delestimó de 1,61
índice en transmisión
gruponm quedados
efectivo
enng en la Figura
el=índice
2,2834.
de Los
valores medidos de FSR y ng coincidieron estrechamente con los valores simulados. El comportamiento termoóptico se evaluó mediante la medición de

transmisión óptica de los valores simulados. El comportamiento termoóptico se evaluó mediante transmisión óptica del resonador de anillo de Si3N4 recubierto

de SiOC fabricado a diferentes temperaturas. Cuando se midió la temperatura del resonador de anillo de Si3N4 recubierto con SiOC fabricado a diferentes

temperaturas. Cuando se elevó de la temperatura ambiente de 25 a 30 ÿC, un cambio en la temperatura dT = 5 ÿC, condujo al cambio en la temperatura se elevó

de la temperatura ambiente de 25 a 30 °C, un cambio en la temperatura dT = 5 °C , lideró la resonancia del resonador de anillo a las 325 pm. De manera similar,

cuando la temperatura se incrementó de 30 a 325 pm, el cambio en la resonancia del resonador de anillo. De manera similar, cuando la temperatura era de 35

ÿC, y cualquier temperatura adicional por dT = 5 ÿC, se midió el mismo cambio que resultó en que dÿ/dT aumentó de 30 a 35 °C, y cualquier temperatura

adicional por dT = 5 °C , un mismo turno se midió = 65 pm/ ÿC. El coeficiente termoóptico efectivo denominado Keff del anillo de Si3N4 recubierto con SiOC que

resultó en dÿ/dT = 65 pm/°C. El coeficiente termo-óptico efectivo denominado Keff del resonador se estimó utilizando la relación, el resonador de anillo de Si3N4

recubierto de SiOC se estimó utilizando la relación,

ngdÿ
= = ÿdT
Keff (1) (1)

ÿ1
y sustituyendo los valores medidos en la relación da como resultado Keff = 9.5 × 10ÿ5 ÿC que es ocho y sustituyendo los
valores medidos en la relación da como resultado Keff = 9.5 × 10ÿ5 °Cÿ1 que es ocho veces más grande que las guías de
onda de tira de Si3N4 . Dado que el resonador de anillo de Si3N4 recubierto de SiOC consta de guías de ondas de tira
más grandes que las de Si3N4 . Dado que el resonador de anillo de SiOC recubierto de Si3N4 consta de tres capas de
material de SiOC, Si3N4 y sílice, el coeficiente termoóptico efectivo Keff puede, por lo tanto, ser
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Recubrimientos 2020, 10, 309 5 de 7

Recubrimientos. 2020, 10, x PARA REVISIÓN POR PARES 5 de 7

tres capas de material de SiOC, Si3N4 y sílice, por lo que el coeficiente termoóptico efectivo
Keff puede
Dado usarse
que se utiliza parapara estimar
estimar el coeficiente
el coeficiente termoóptico
termo-óptico del materialdel material =SiOC.
SiOC. ÿ donde es el i Kiÿi donde Ki
Dado que el coeficiente termoóptico Keff y es el factor de confinamiento modal en el = es el
i-ésimo
material
[19],
i-ésimo
el KSiOC
[19],se
el puede
coeficiente
escribir
termo-óptico
como, escrito
y ÿi como,
es el factor de confinamiento modal en el material pueden

Ke ff ÿ KSi3N4ÿSi3N4 ÿ KSilicaÿSilica
ÿ
ÿ

==
KSiOC 3434 (2) (2)

ÿSiOC

Figura 4. (a) Micrografía óptica de resonadores de microanillo de Si3N4 recubiertos con SiOC (b) transmisión óptica Figura 4. (a) Micrografía óptica de resonadores de microanillo de Si3N4 recubiertos con SiOC (b) espectro

de transmisión óptica del resonador de anillo temperaturas espectro de resonadores de anillo a diferentes temperaturas.

Usando
uso delalaecuación
ecuación(2)
(2)yyelelvalor
valormedido
medidode deKeff
Keffdel
delresonador
resonadordedeanillo
anillodedeSi3N4
Si3N4recubierto
recubiertocon
conSiOC,
SiOC,elque
ÿ1
El coeficiente
coeficiente termoóptico de SiOC
óptico de SiOC se estimó
se estimó en en
2,42,4 × 10ÿ5°Cÿ1
× 10ÿ5 ÿC más grande
, que es unque es
de un
mayororden
orden, ,termoóptico
magnitud de
entredel magnitud
mayor
lasmaterial termo-
plataformas
que el
Si3N4 y El
coeficiente
el
el dieléctricas.
coeficiente termoóptico del=material
) y (KSi3N4 Si3N4
2,5 × 10ÿ5 ÿCy el
Losmás grande entre
coeficientes las plataformas
termoópticos dieléctricas.
de la sílice ( = 2,5 × 10ÿ5 °Cÿ1) se
ÿ1 ÿ1
× 10ÿ5 °Cÿ1) y ( considerados en la Ecuación (2). ) fueron
Los coeficientes termoópticos de la sílice (KSílica = 0,9 × 10ÿ5 ÿC = 0,9 consideraron
34
en la Ecuación (2).
Seµm2midió
) yun
unresonador
resonadordedeanillo
anillode
deSi3N4
Si3N4idéntico
idénticocon
conlas
lasmismas
mismasdimensiones
dimensionesde deguía
guíade
deonda
onda(1,2
(1,2××0,3
0,3
µm2 ) y n = n = 1,9963 a ÿ = 1550 nm. Se midió el espectro de transmisión medido del revestimiento de
a ÿ = 1550 nm. El espectro de transmisión medido del resonador de anillo de Si3N4 cubierto con revestimiento sílice 1.9963
de
sílice a temperatura ambiente se muestra en la Figura 5a. El resonador de anillo de Si3N4 cubierto de rango
libre a temperatura ambiente se muestra en la Figura 5a. El rango espectral libre estimado a partir del espectro de espectral
transmisión
(25muestra
FSR
ÿC y= 30 fue
la FSR
1,9078
en
ÿC) se y=el1,9078
Figura
nmmuestra
5b.
índice
El nm
de ygrupo
enaumentoel índice
1.9666. de de grupo
Elefectivo
espectro efectivo
la temperatura
ngde
== entre ng
Elestimado
transmisión
1,9666.25 ÿC
medido
espectro ade
y 30 aÿC partir
dos
indujo del
unespectro
transmisión
temperaturas de°C
transmisión
desplazamiento
medido
(25 a dos
y 30 sefue
detemperaturas
°C)
unas 50
pm/ÿCÿC
enFigura 5b. Eldeaumento
la longitud de la temperatura
onda resonante. entretermoóptico
El coeficiente 25 °C y 30 °C indujodel
efectivo unresonador
desplazamiento de de
de anillo unas 50 ypm/°C
Si3N4 10 pm/y
10de
pm/°C en la longitud
la relación de =
(1) es Keff onda
1,26resonante.
× 10ÿ5 ÿCEl coeficiente
alrededor de termoóptico
ÿ = 1550 nm;efectivo del anillo
resultados de Si3N4
similares estimado
han sido a partir
resonador
estimado a partir de la relación (1) es Keff = 1.26 × 10ÿ5 °Cÿ1 alrededor de ÿ = 1550 nm; Se
similares para guías de onda de Si3N4 [9,20]. Comparación de los espectros de transmisión antes y han informado resultados
ÿ1

reportado para guías de onda Si3N4 [9,20]. Comparación de los espectros de transmisión antes y después de los recubrimientos SiOC. 2020,
10, x PARA DEPÓSITO REVISADO POR PARES, no se observó ninguna pérdida adicional. después de la deposición de SiOC, no se 6 de 7
observó ninguna pérdida adicional.

El resumen y la comparación de los resultados de los resonadores de anillo de Si3N4 recubiertos de SiOC y
de Si3N4 recubiertos de sílice (prístinos) se proporcionan en la Tabla 1. Los resultados que se dan en la Tabla 1
incluyen rango espectral libre (FSR), índice de grupo (ng), temperatura cambio inducido en la longitud de onda
resonante (dÿ/dT) y el coeficiente termo-óptico efectivo (Keff) del dispositivo.

Tabla 1. Resumen de los resultados de los resonadores anulares de Si3N4 y Si3N4 prístinos recubiertos con SiOC .

Tipo de dispositivo FSR (nm) Índice de grupo (ng) dÿ/dT (pm/°C) Keff (°Cÿ1) 9,5 ×
Resonador de anillo de Si3N4 recubierto de SiOC 1,61 2.2834 65 10ÿ5 1,26
Resonador de anillo prístino Si3N4 1,9078 1.9666 10 × 10ÿ5

Figura 5. (a) Espectro de transmisión medido del resonador de anillo de Si3N4 prístino (b) transmisión Figura 5. (a) Espectro de transmisión medido del resonador de anillo de Si3N4 prístino (b) Espectro de

transmisión del resonador de anillo de Si3N4 prístino a dos temperaturas diferentes para estimar el espectro efectivo de un resonador de anillo de Si3N4 prístino a dos temperaturas diferentes para estimar el

coeficiente termoóptico efectivo. coeficiente termoóptico.

El alto efecto térmico en SiOC se atribuyó al cambio de volumen en la polarizabilidad. Dado que los
resonadores anulares de Si3N4 recubiertos con SiOC estaban enterrados en sílice, las posibilidades de expansión
térmica eran mínimas. Esta situación se espera de materiales de alto módulo elástico y alta dureza y punto de
fusión [21]. Además, el coeficiente termo-óptico mostró dependencia del inverso de direct bnd rchd. Th f SC ws
clcltd frm bsrtn nd rw s th bnd
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Recubrimientos 2020, 10, 309 6 de 7

El resumen y la comparación de los resultados de SiOC-revestido Si3N4 y sílice (prístino)

Los resonadores de anillo de Si3N4 se proporcionan en la Tabla 1. Los resultados proporcionados en la Tabla 1 incluyen el
rango espectral libre (FSR), el índice de grupo (ng), el cambio inducido térmicamente en la longitud de onda resonante (dÿ/dT)
y el coeficiente termoóptico efectivo (Keff ) del dispositivo.

Tabla 1. Resumen de los resultados de los resonadores anulares de Si3N4 y Si3N4 prístinos recubiertos con SiOC .

Tipo de dispositivo FSR (nm) Índice de grupo (ng) dÿ/dT (pm/ ÿC) Kef ( ÿCÿ1)
Resonador de anillo de
1.61 2.2834 sesenta y cinco 9,5 × 10ÿ5
Si3N4 recubierto de SiOC
Resonador de
1.9078 1.9666 10 1,26 × 10ÿ5
anillo prístino Si3N4

El alto efecto térmico en SiOC se atribuyó al cambio de volumen en la polarizabilidad. Dado que los resonadores
anulares de Si3N4 recubiertos con SiOC estaban enterrados en sílice, las posibilidades de expansión térmica eran
mínimas. Esta situación se espera de materiales de alto módulo elástico y alta dureza y punto de fusión [21]. Además,
el coeficiente termoóptico mostró dependencia del inverso de la banda prohibida directa Eg y creció a medida que se
acercaba la banda prohibida. El Eg de SiOC se calculó a partir de espectros de absorción (ver Figura 2a) utilizando la
relación de Tauc [22]. El Eg de la película de SiOC con n = 2,2 se determinó como Eg = 3,5 eV, que fue menor que el
de Si y contribuyó a su mayor coeficiente termoóptico.

4. Conclusiones

En conclusión, recubrimos un chip de nitruro de silicio (Si3N4) con patrón de oxicarburo de silicio (SiOC) mediante
pulverización catódica de RF. Realizamos una plataforma de Si3N4 recubierta de SiOC que produce grandes cambios
termoópticos en la longitud de onda de resonancia de los resonadores de microanillo en 65 pm/ ÿC. La integración de
SiOC con PIC de Si3N4 no incurre en pérdidas adicionales y da como resultado un coeficiente termoóptico efectivo de
9,5 × 10ÿ5 ÿC ÿ1 , que mejora ocho veces la eficiencia termoóptica en comparación con las guías de onda de tira de
Si3N4 prístinas y permite la realización de actuadores de fase termoópticos ultraeficientes para sistemas fotónicos
reconfigurables.

Contribuciones de los autores: Todos los autores contribuyeron por igual al manuscrito. Todos los autores han leído y aceptado la versión
publicada del manuscrito.

Financiamiento: Esta investigación no recibió financiamiento externo.

Agradecimientos: FA Memon agradece el apoyo de Polifab, la instalación de micro/nanofabricación en Politecnico di Milano Italia y Photonic
Devices Group.

Conflictos de interés: Los autores declaran no tener ningún conflicto de interés. Los financiadores no tuvieron ningún papel en el diseño del
estudio; en la recopilación, análisis o interpretación de datos; en la redacción del manuscrito, o en la decisión de publicar los resultados.

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