Reporte escrito

Presentación: Celdas Solares de Silicio: Tecnologías estudiadas y mejores eficiencias

Integrantes: Camilo Peña – 201217314; Eider Erazo – 201624626; Héctor García – 201520965

Articulo #1. High-efficiency crystalline silicon solar cells: status and perspectives

El desarrollo de técnicas para la producción de silicio monocristalino, así como para su dopaje
empleando procesos de difusión de impurezas a altas temperaturas conllevó a que en 1954
laboratorios Bell reportara la primera celda solar moderna con una eficiencia de 4,5% que
rápidamente subió a 6% al cambiar el proceso de difusión de litio por el dopaje con boro.1

Figura 1. Evolución celdas silicio, a) Primera celda solar de silicio moderna reportada en 1954, b) celda solar espacial que
se desarrolló en los 60, c) celda Passivated emitter, rear locally-diffused (PERL) con 23% de eficiencia.1

La eficiencia de las celdas pronto subió al 10%, sin embargo, con esas eficiencias era insostenible su
uso terrestre a gran escala, pero el incentivo para la continuación de su desarrollo lo dio su
aplicación en los satélites durante la carrera espacial. En el desarrollo de celdas para aplicaciones
espaciales se empezó anotar que el silicio dopado con boro (tipo p) posee una resistencia superior
a la radiación de alta energía y por ello este material se encuentra con mayor frecuencia como base
de la celda solar. Otras estructuras que vale la pena destacar porque son la base de las celdas solares
actuales con la celda PERL (Passivated emitter, rear locally-diffused) que combina el uso de una
superficie anti reflectiva creada con etching anisotrópico (que deja unas microestructuras en forma
de pirámide), además incorpora estrategias de pasivación para suprimir la recombinación. La otra
estructura que se destaca se denomina HIT (heterojunction whit intrinsic thin layer) y pertenece a
la compañía Samsung y se destaca por que los procesos para su producción a partir de silicio
monocristalino son de baja temperatura (<200 oC) a diferencia de las altas temperaturas requeridas
para el dopado en las celdas de la familia PERL.1,2

Figura 2. Estructura de una celda solar HIT (heterojunction whit intrinsic thin layer).3
La estructura HIT es una manera ingeniosa de obtener contactos selectivos ya sea de electrones o
huecos. Para lo anterior se hace uso de silicio amorfo el cual es un material semiconductor con un
ancho de banda prohibida (1,7 eV) mayor al del silicio cristalino (1,1 eV). La diferencia de 0,6 eV
entre el gap de estos semiconductores se distribuye como 0,15 eV de diferencia entre las bandas de
conducción de entre los materiales y los 0,45 eV restantes entre las bandas de valencia. Por lo
anterior el silicio amorfo se podía emplear eficazmente como una barrera de bloqueo de huecos
para evitar que huecos en la banda de valencia fluyan en contra de la celda, sin embargo, los 0,15
eV de diferencia en la banda de conducción impondrían una barrera al paso de electrones lo cual va
en contra de la eficiencia de la celda. Para resolver lo anterior en lo primero que se pensaría es en
dopar el silicio amorfo para alinear adecuadamente las bandas según los niveles de fermi, pero se
ha encontrado que al dopar este material entonces se incrementa la recombinación en la interface
silicio amorfo-cristalino. Así que la solución que ideó Sanyo fue aprovechar el tunelamiento cuántico
que se da cuando se trabaja con dimisiones nanométricas, para ello la capa de silicio amorfo
intrínseco debe ser muy delgada (unos cuantos nm) y luego se coloca una capa de silicio amorfo
dopado. De este modo se consigue una notable pasivación del silicio cristalino que actúa como
material fotoactivo ya que el silicio amorfo consigue pasivar los enlaces colgantes (esto permite
alcanzar Voc mayores a 720 mV y mejor desempeño a altas temperaturas -0,23%/K en comparación
a -0,45%/K para silicio monocristalino)4 y se consigue el siguiente alineamiento de bandas.

Figura 3. Diagrama de bandas en una celda solar HIT.

Con este alineamiento de bandas se consigue bloquear efectivamente el paso de huecos hacia la
parte frontal de la celda con la ventaja de que la barrera de potencial que se le impone al paso de
electrones en la banda de conducción es de muy poco espesor que los electrones pasan al frente
por efecto túnel para ser recolectados. Similarmente en la parte posterior de la celda los electrones
en la banda de conducción son efectivamente bloqueados y los huecos debido al delgado espesor
del silicio amorfo intrínseco pueden pasar por efecto túnel para obtener una celda solar funcional.
Un limitante de esta configuración es la baja conductividad del silicio amorfo debido a su bajo nivel
de dopaje, esto hace necesario el uso de un oxido conductor trasparente en el frente de la celda
para mejorar la recolección de cargas.4,5 Lo anterior disminuye un poco la cantidad de luz que llega
a la celda y con ello la densidad de corriente sin embargo Samsung lo vende como una ventaja que
permite disminuir perdidas óhmicas para el trasporte de la corriente debido al mayor Voc que
consiguen sus paneles solares. Todo lo anterior permitió obtener una eficiencia de 24,7% y un Voc
de 750 mV de los más altos reportados.6
Artículo #2: Celdas solares de tipo n con el contacto pasivo con electrones: Identificando orígenes
para las limitaciones de la eficiencia por espesor y variaciones de la resistividad (Camilo Peña)

El presente artículo investigado es sobre las celdas solares de silicio de tipo n en donde se alcanza
una eficiencia de 25% aproximadamente. El objetivo principal del estudio es observar las variaciones
en los parámetros de la eficiencia, el voltaje de circuito abierto (VOc), la corriente de corto circuito
(JSC) y el fill factor (FF) variando el grosor de la capa n (capa de silicio) y su resistividad. Otro de los
enfoques del artículo es observar la conveniencia y las ventajas del uso de contactos pasivantes de
óxido de túnel (TOPCon) usando un homojunction clásico debido a sus excelentes propiedades
eléctricas y transparencia óptica. Además, basados en una simulación de dispositivo de área
completa tridimensional (3D) y los parámetros experimentales necesarios es posible cuantificar los
principales mecanismos de perdida de energía de la celda, así como estimar el potencial de
eficiencia de esta. La celda realizada tiene un recubrimiento antireflectante de doble capa (DARC)
que consistía en 50 nm de nitratos de silicio, el emisor está recubierto por una capa de Al2O3 de 10
nm de espesor, el contacto TOPCon está cubierto por un grosor de 15 nm de HNO 3 y la celda tiene
un área de 2x2 cm2, como se puede observar en la figura 4. [1]

Figura 4. Esquema transversal de la celda solar de Silicio usada en la experimentación

Para la experimentación se usaron capas de tres resistividades diferentes (1Ω.cm, 5Ω.cm y 10Ω.cm)
y un grosor de 200 μm para la variación de resistividad y capas con tres grosores diferentes (150μm,
200μm y 400μm) y una resistividad de 5 Ω.cm fueron utilizados para la variación del espesor.

Los resultados encontrados indican que para la resistividad:

 Existe una ligera reducción de la eficiencia con el incremento de la resistividad con un pico
de 25,3% usando una resistividad de 1 Ω.cm.
 La corriente de corto circuito JSC es independiente de la resistividad con un nivel de 42,5
mA/cm2.
 El voltaje de circuito abierto VOc muestra un ligero incremento con el aumento de la
resistividad, con un promedio de 717 mV.
 El Fill Factor FF tiene una pronunciada reducción de un 0,7% con el incremento de la
resistividad, sobre un promedio para el nivel alto de 82,5 a un nivel de 81,8%.

Mientras que, para la variación del grosor se encuentra:

 Existe un aumento de la eficiencia con el aumento del grosor hasta un pico de 25,3% con un
grosor de 400 µm.
  El voltaje de circuito abierto desincrementa desde 720 mV A 712 mV con el aumento del
grosor. Este resultado era de esperarse debido a la recombinación por el aumento de bulk
causado por el grosor.
 El Fill Factor es constante con un promedio de 81,5%.

Se puede analizar que, el incremento de la eficiencia está fuertemente influenciado por el aumento
de la corriente de corto circuito, ya que pasa de 42,2 mA/cm2 para la de 150 µm a 43 mA/cm2 para
la de 400 µm hasta un pico de 43,3, el cual es el valor más alto reportando para las celdas c-Si single
junction. Además, se observa que el shunt resistance no muestra una influencia ni con la variación
del grosor ni con la variación de la resistividad.

Con respecto a los resultados de la simulación se puede observar que, las principales perdidas de
energía surgen de la recombinación de tipo SRH y las recombinaciones en la superficie. Las perdidas
en el bulk disminuyen con la disminución del grosor y al mismo tiempo aumentan las pérdidas de
recombinación superficial, de modo que, las pérdidas de recombinación total son prácticamente
independientes del grosor. Las pérdidas en la superficie son casi independientes del grosor y de la
resistividad excepto para las celdas hechas con 1 Ω.cm.

Finalmente, se logra concluir que las celdas de solares estudiadas en el artículo tienen una influencia
en la variación del grosor y la resistividad con un mayor enfoque en las recombinaciones en la
superficie y en el bulk de tipo SRH. Además, con la optimización de los factores estudiados se logra
presentar una celda con una eficiencia máxima de 25,7%.

Artículo #3: Carbon/Silicon Heterojunction Solar Cells: State of the Art and Prospects (Camilo
Peña)

La combinación de materiales de carbono con semiconductores de silicio tradicionales fue un campo

prometedor en las celdas solares. La eficiencia de conversión de energía ha alcanzado 15-17% y la
diversidad de sistemas estimula el interés en futuras investigaciones. Los materiales de carbono
forman dos tipos de heterojunction cuando se colocan en contacto con sustratos de silicio: unión p-
n (semiconductor/semiconductor) y uniones Schottky (metal/semiconductor). El principal obstáculo
de estas tecnologías es la controlabilidad del cristal, el tamaño y la estructura de los materiales de
carbono. Sin embargo, casi tres cuartos de siglo de evolución y desarrollo de celdas solares basadas
en silicio es una inspiración significativa, ya que el PCE de la célula solar de silicio original reportado
en 1941 fue menor al 1% y el 25.6% se logró en 2014.

Figura 5. Evolución de las eficiencias de celdas solares de C/Si medidos en el laboratorio bajo diferentes condiciones
Las celdas solares de heterojunction C/Si desempeñarían un gran papel en un campo particular para
realizar productos de película delgada portátiles o ligeros integrados multifuncionales, tales como
la recolección de energía para teléfonos inteligentes, dispositivos portátiles, dispositivos médicos,
etc. Hasta cierto punto, el camino hacia la comercialización es impredecible. Sin embargo, cada
nueva tecnología o diseño estructural daría un paso más para la aplicación práctica de la célula solar
C/Si y se espera un nuevo aumento de las células solares más delgadas, económicas y eficientes.

La primera tecnología fue usando el carbón amorfo en 1996 reportando una eficiencia del 3,8%. Esta
película de carbono fue considerada con propiedades de semiconductor, por lo que se han realizado
mejoras utilizando dopajes de boro y nitrógeno las cuales lograron un registro de 7,9% en la
eficiencia usando una técnica de arco en 2001. Aunque se han dedicado muchos esfuerzos a mejorar
las técnicas de fabricación de celdas fotovoltaicas de heterojunction C/Si y ajustar el bandgap del
carbono amorfo, la aplicación de estas celdas se ha desarrollado lentamente debido a la alta
densidad de defectos, la dificultad de controlar la relación de hibridación sp2/sp3 del carbón amorfo,
la falta de homogeneidad de dopantes y el proceso de crecimiento extremo del carbón amorfo.

La segunda tecnología fue usando el fulereno (C60), el cual fue descubierto por primera vez en 1985.
Esta estructura tiene un comportamiento de semiconductor de tipo n con un bandgap directo de
1,4-2,3 eV. Uno de los problemas de esta tecnología es el control de la conductividad del fulereno
y, aunque se demostró que la resistencia disminuía con la implantación iónica los avances no fueron
más favorables. Por otro lado, se realizaron capas tipo n de fulereno mediante la dopacion de
fosforo y capas de tipo p mediante la dopacion de Aluminio. Finalmente, el uso de la técnica de
irradiación laser aumento los estados acotados de la hibridación sp2 lo que llevo a la máxima
eficiencia obtenida con este tipo de tecnología la cual fue de 0,7%.

La tercera tecnología fue usando los nanotubos de carbón, los cuales fueron por primera vez
reportados en 1991. Mientras que las primeras celdas de Silicio utilizando esta tecnología fue hecha
reportada en 1993. El primer reporte de este tipo de celdas arrojo una eficiencia de 7,4%, la cual
estaba muy por encima de las anteriores tecnologías.
Referencias.

1 M. A. Green, Semicond. Sci. Technol. Semicond Scl Techno1, 1993, 8, 1–12.

2 J. Zhao, A. Wang, P. P. Altermatt, S. R. Wenham and M. A. Green, Sol. Energy Mater. Sol.
Cells, 1996, 41–42, 87–99.
3 M. Taguchi, A. Yano, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, T. Nishiwaki, K. Fujita and E.
Maruyama, IEEE J. Photovoltaics, 2014, 4, 96–99.
4 T. Saga, NPG Asia Mater., 2010, 2, 96–102.
5 A. Kanevce and W. K. Metzger, J. Appl. Phys., 2009, 105.
6 C. Battaglia, A. Cuevas and S. De Wolf, Energy Environ. Sci., 2016, 9, 1552–1576.