REPÚBLICA BOLIVARIANA DE

VENEZUELA INSTITUTO
UNIVERSITARIO POLITÉCNICO
“SANTIAGO MARIÑO”
EXTENSIÓN-MATURÍN

PRACTICA DE LABORATORIO 3

AUTOR (es)
Ing. Electrónica
Clase 44

Maturín, Enero 2023

 INTRODUCCIÓN

La generación de señales de frecuencias en el rango de microondas se

puede realizar de varias maneras, las más comunes son Klystron, Magnetrón,
cuando aplicamos en grandes potencias, mientras que para rangos de frecuencias
utilizamos dispositivos como los transistores de efecto de campo de AsGa (Arsénico
y galio) y diodos Gunn, debido a su bajo consumo ybello tamaño.
El oscilador de Gunn sirve para generar potencias de microondas, se basa en el
diodo Gunn presenta la característica de oscilar cuando se alcanza una
determinada densidad del campo eléctrico, está conformado por un semiconductor
que genera un efecto llamado el efecto Gunn.

El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones

para el rango de las microondas en los materiales semiconductores, es una
propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni
de los contactos, tampoco depende de los valores corriente-voltaje, y no es
afectado por campos magnéticos. Osciladores Gunn o los osciladores de
dispositivo electrónico transferido son una Fuente barata de energía de
microondas y se compone de diodo Gunn o dispositivo electrónico transferido
(TED) como su componente principal. En estos dispositivos, el diodo Gunn se
colocará en una cavidad resonante y se compone de dos componentes
principales, a saber: (i) una polarización de CC y (ii) un circuito de sintonización.
 OBJETIVO

Familiarizarnos con los principios básicos de operación de un oscilador

Gunn así como también determinar las características de voltaje-corriente y
voltaje-potencia de un oscilador.

DISCUSIÓN

Una fuente Gunn consiste de un diodo Gunn colocado en una cavidad

resonante. Dependiendo de la técnica de fabricación, los diodos Gunn pueden
suministrar desde 1 mW hasta 5 mW de potencia de microonda. La eficiencia de
estas fuentes puede variar de 0.2 hasta 20% la mayoría de esta potencia se disipa
como calor, por lo tanto, los diodos Gunn requieren disipadores de calor para
disipar eficientemente el calor evitando así que se quemen. La señal de microonda
generada usualmente tiene una frecuencia de en el rango de 1 a 100 GHz
dependiendo del diodo utilizado y de la cavidad resonante asociada.

El termino diodo es realmente una mala denominación porque los diodos

Gunn no son diodos reales. El termino diodo se utiliza porque son dispositivos
semiconductores de dos terminales y permite la utilización del término ánodo para
el extremo positivo del dispositivo. El nombre Gunn viene de efecto Gunn, el
principio que está detrás de la operación del dispositivo.

En los primeros 60s, J. B. Gunn descubrió que algunos materiales

semiconductores podían utilizarse para producir oscilaciones de microondas por
medio de efecto que ahora lleva su nombre. El efecto Gunn es solo posible en
algunos materiales semiconductores tipo M.

Estos materiales se comportan de una manera algo deferente de los

materiales semiconductores normales. Cuando se aplica un voltaje DC
relativamente pequeño a través de una delgada porción de (GaAs) tipo n, los
electrones fluirán como una corriente hacia el extremo positivo de la porción, si el
voltaje se incrementa, los electrones se moverán más rápido hacia el extremo
positivo aumentando la corriente. Cuando el voltaje se incrementa de modo que el
gradiente de potencial a través de la porción excede un umbral de alrededor de
3,3 kV/cm, la corriente comenzara a disminuir y se dice que la porción exhibe
resistencia negativa. Al aumentar el voltaje, eventualmente, causará que la
corriente se incremente nuevamente. La Figura 3-1 muestra la característica
corriente-voltaje de un diodo Gunn. La resistencia negativa no es posible en la
mayoría de los dispositivos semiconductores: el incremento en la corriente
continuara mientras el voltaje aumenta hasta que las colisiones de los electrones
con la red de cristal semiconductor generen suficiente calor para destruir el cristal.

Figura 3-1. Curva característica corriente-voltaje para un diodo Gunn

La resistencia negativa es un resultado de las propiedades de masa de los

materiales semiconductores tipo n; esto es, la causa se debe a la naturaleza de
los materiales. Los electrones en estos semiconductores tipo n poseen una banda
de conducción de alta energía vacía, separada de la banda de conducción de baja
energía llena (o parcialmente llena) por un relativamente angosto de energía
prohibida. Esta situación se ilustra en la Figura 3-2 Bajo condiciones normales, los
electrones que contribuyen a la corriente están en la banda de energía de alta
movilidad parcialmente llena. En el voltaje umbral se imparte suficiente energía a
los electrones para transferirlos a la banda de alta energía y baja movilidad y la
corriente disminuye. Eventualmente, a medida que el voltaje sigue creciendo, los
electrones se retiran de la banda de baja movilidad y la corriente comienza a
aumentar nuevamente.

Figura 3-2. Niveles de energía en el arseniuro de galio

Si el material semiconductor no está dopado uniformemente, habrá una

región en el cristal donde la concentración de electrones es relativamente baja, por
lo que está será menos conductiva que el resto del cristal. En esta región el campo
eléctrico será más fuerte que en el resto del cristal por lo que esta se convierte en
la primera área que transferirá sus electrones hacia la banda de alta energía
cuando el voltaje se incremente. Los electrones de esta región serán entonces
demorados y la región se convertirá en un dominio de resistencia negativa. Los
electrones por delante y por detrás del domino, están viajando más rápido que los
electrones dentro del dominio. Los electrones que vienen de atrás del dominio, se
amontonan disminuyendo el gradiente en la parte superior del domino. Los
electrones delante del dominio se alejan rápidamente de él, dejando un área con
una baja concentración de electrones. De este modo el dominio se mueve hacia el
ánodo a una velocidad de 107 cm/s, llevando el amontonamiento de electrones. La
llegada de un dominio al ánodo libera a los electrones y se forma un nuevo
dominio en el cátodo. Este domino comienza su propia propagación hacia el
ánodo. Esta creación y propagación de dominios es lo que hace nacer a las
oscilaciones de microondas.

La frecuencia natural de la oscilación depende de la velocidad que deriva

de los dominios u de la longitud de la porción. Tomado como un elemento circuital,
un diodo Gunn típico puede ser aproximadamente como una resistencia negativa
de alrededor de 100 Ω en el paralelo con una capacidad de 0,6 pF. Todo lo que se
necesita para convertir al diodo Gunn en un oscilador Gunn es una inductancia
para cancelar la capacitancia y una resistencia de alrededor la misma magnitud
que la resistencia negativa, conectada en paralelo con el diodo Gunn. En general
se utilizan cavidades resonantes para sintonizar al circuito a la frecuencia deseada
de operación.

Las llegadas de los dominios al ánodo es responsable de las oscilaciones,

note que se produce un dominio por ciclo de operación. Si un circuito sintonizado
LC o una cavidad, es periódicamente excitado por una señal en fase, las
oscilaciones se mantendrán. La banda de operación del diodo Gunn está
determinada por las dimensiones físicas del material semiconductor para la
frecuencia exacta de operación depende del circuito sintonizado.

La frecuencia de operación también es afectada por el voltaje de

alimentación. Por lo tanto, se hace posible modular en frecuencia a la fuente,
variando el voltaje de alimentación. Sin embargo, un voltaje demasiado elevado,
puede destruir al cristal semiconductor, por lo que el diodo Gunn debe protegerse
contra voltajes transitorios y sobrevoltajes.
 Los osciladores Gunn se utilizan como elementos transmisores en radares
policiales. Radares Doppler de onda continua (CW), sistemas de alarma, y como
osciladores locales en algunos receptores.

NUEVOS TÉRMINOS Y PALABRAS

Resonant cavity (Cavidad resonante) – Básicamente, una región limitada en un

medio material como una sección de guía de onda con ambos extremos cerrados.
Cuando se le acoplan a la cavidad ondas electromagnéticas de la frecuencia
correcta que se propagan, se forman ondas estacionarias y las oscilaciones de
sostendrán e intensificaran.

Gunn diode (Diodo Gunn) – La mayoría de las veces, consiste de una pequeña
oblea de GaAs tipo n, formaba sobre un sustrato GaAs de baja restibilidad. El
sustrato está conectado al terminal del ánodo y el otro extremo de la oblea esta
conectado al cátodo mediante un alambre de oro. Cuando se aplica un pequeño
voltaje DC para que el ánodo sea positivo respecto del cátodo, fluirá una corriente
continua con pulsos superpuestos.

Gunn Effect (Efecto Gunn) - El efecto fue descubierto por John B. en 1963.
El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el
rango de las microondas en los materiales semiconductores. El efecto Gunn es
una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión
misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente
y no es afectado por campos magnéticos. El efecto Gunn es una propiedad del
cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los
contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado
por campos magnéticos.