INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL.

“ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA.”

ZACATENCO

Ingeniería de Comunicaciones y Electrónica.

“ICE”

Trabajo de investigación y problemas resueltos

Materia: Dispositivos

Profesor: Jorge Orozco Santamaría

Alumno:

Zúñiga Gregorio José Alberto

Grupo: 5CV3
 Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
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EL MAGNETORESISTOR

En 1856, William Thomson, un físico e ingeniero matemático escocés-irlandés,

mientras experimentaba con piezas de hierro, descubrió un fenómeno llamado
magnetorresistencia. Este efecto se utilizó más tarde para construir un tipo
especial de resistencia variable conocida como magnetorresistencia.

William Thomson descubrió que, cuando las piezas de hierro se mantenían en

campo magnético, su resistencia eléctrica cambiaba de alguna manera cuando
cambiaba la dirección del campo magnético con respecto al flujo de corriente a
través de ellas. Este efecto también se encontró cuando experimentó con níquel.
Así se introdujo en el mundo un nuevo efecto o fenómeno y se denominó
magnetorresistencia. Este efecto se estudió más a fondo y se formó un nuevo tipo
de resistencia variable. Esta resistencia variará su resistencia eléctrica con la
fuerza del campo magnético que la rodea. La corriente a través de esta resistencia
también cambia con el cambio en la fuerza magnética que se le aplica.
El magnetoresistor se utiliza para determinar la Presencia de un campo magnético
su fuerza y la dirección de la fuerza. Está hecho de antimonio, indio o de material
semiconductor de arseniuro de indio.

La resistencia de la resistencia magneto esdirectamente proporcional al campo

magnético, es decir, su resistencia aumenta con el aumento del campo magnético.
La variación en la resistencia se produce debido al efecto magneto.

De manera esquemática, en el diagrama de circuito, la resistencia magnética se

representa mediante el símbolo que se muestra a continuación. La flecha que
atraviesa el símbolo del resistor significa un resistor variable, mientras que "x"
debajo indica que el resistor variable utilizado es "magneto resistor"

Funciona sobre el principio de la electrodinámica, que establece que la fuerza que

actúa sobre el lugar actual en el campo magnético cambia su dirección. En la
indisponibilidad del campo magnético, los portadores de carga de la resistencia
magneto se mueven en el camino recto.
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En presencia del campo magnético, en la dirección de la corriente se convierte en

cambios, y fluye en la dirección opuesta. La trayectoria indirecta de la corriente
aumenta la movilidad de su portador de carga, lo que provoca la colisión.

La colisión aumenta la pérdida de energía en la forma de calor. Este calor

aumenta la resistencia de la resistencia magneto. La corriente de magnitud muy
pequeña fluye en el magnetoresistor debido a la escasez de electrones libres.

La desviación de los electrones magnetoresistor. Depende de su movilidad. Es

más en el material semiconductor en comparación con los metales. La movilidad
de los arseniuros de indio o antimonidos de indio es de aproximadamente 2,4 m.2/
Vs.

Característica del magnetoresistor

La sensibilidad del magnetoresistor depende de la fuerza del campo magnético. La

curva característica de la resistencia magneto se muestra en la siguiente figura.

En ausencia del campo magnético, el La magnetización del elemento se convierte

en cero. Cuando el campo magnético aumenta ligeramente, la resistencia del
material alcanza cerca de b. El elemento magnetoresistor se mueve en un ángulo
de 45º debido a la presencia de un campo magnético.
Los mayores aumentos en el campo magnético hacen la curva se satura, que está
representada por el punto C. El elemento magnetoresistivo opera en O o en b. Da
característica lineal cuando opera en b.

Tipos de resistencia magneto

Magnetorresistencia Gigante (GMR) - En este sentido, la resistencia del magneto.

La resistencia se vuelve pequeña cuando sus capas ferromagnéticas son
paralelas entre sí. La resistencia se vuelve muy alta para la alineación antiparalelo
de la capa. La construcción del GMR se muestra en la siguiente figura.
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La resistencia es pequeña cuando la magnetización está alineada en paralelo.

La resistencia es grande cuando la magnetización está alineada en no paralelo.

Magnetorresistencia Extraordinaria - En este efecto, la resistencia del metal es alta

en ausencia de campo magnético y baja en presencia de un campo.

Resistencia magneto de túnel - La corriente fluirá desde el electrodo

ferromagnético a través del aislante. La magnitud de los flujos de corriente a
través del túnel depende de la dirección de magnetización.

La corriente pesada fluirá si la magnetización de los electrodos es paralela entre

sí. La disposición antiparalela incrementa la resistencia entre la capa.

Magneto Resistor - Usos y aplicaciones

Debido a su dependencia del campo magnético, estas resistencias magnéticas

encuentran uso en dispositivos de detección de campo magnético. Estos incluyen
brújula electromagnética, magnetómetros que miden la intensidad y dirección del
campo magnético, sensores de posición y detección de metales ferrosos. Los
sensores de posición pueden ser sensores de posiciones de ángulo, rotativas o
lineales. También encuentran uso en sensores biológicos y unidades de disco
duro.
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Diode Fast Recovery (diodo de rápida recuperación)

Definición: El diodo de recuperación rápida es un dispositivo semiconductor que

posee un tiempo de recuperación inverso corto para fines de rectificación a alta
frecuencia. Un tiempo de recuperación rápido es crucial para la rectificación de la
señal de CA de alta frecuencia. Los diodos se utilizan principalmente en
rectificadores porque poseen una velocidad de conmutación ultra alta.

El principal problema con el diodo convencional es que poseen un tiempo de

recuperación bastante alto. Debido a que la rectificación de alta frecuencia no es
posible con un diodo convencional.

El diodo de recuperación rápida se construye de manera similar a como se

construye el diodo ordinario. La principal diferencia en la construcción entre estos
diodos y los diodos convencionales es la presencia de centros de recombinación.
En diodos de recuperación rápida, se agrega oro (Au) al material semiconductor.
Esto conduce a un aumento en el valor numérico de los centros de recombinación
debido a que disminuye la vida útil. De los portadores de carga.

El material semiconductor utilizado en estos diodos es arseniuro de galio (GaAs).

Y con la adición de oro (Au) en el material semiconductor, el tiempo de
recuperación se reduce (aproximadamente 0,1 ns). Por otro lado, el valor del
tiempo de recuperación en el caso del silicio es de 1-5 ns. Por tanto, es evidente
que la adición de materiales como el oro disminuye el tiempo de recuperación.

Funcionamiento del diodo de recuperación rápida

Considere una señal de CA de baja frecuencia, ahora si se usa en una aplicación

donde se requiere CC de bajo voltaje. Entonces, en este caso, necesitamos un
rectificador para convertir CA a CC. Si usamos un diodo convencional para
rectificar la señal de CA, entonces puede rectificar de manera eficiente.
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Pero si queremos rectificar la señal de CA de alta frecuencia, es posible que el

diodo no funcione correctamente. La razón detrás de esto es que a bajas
frecuencias el ancho de los pulsos de señal es mayor, es decir, hay tiempo
suficiente para que un diodo cambie su estado entre la mitad positiva del ciclo y la
mitad negativa del ciclo.

Puede entenderse que la señal está sonando lentamente. Por lo tanto, el diodo
cambia fácilmente entre media señal positiva y media señal negativa. Pero este no
es el caso cuando la señal de alta frecuencia golpea el diodo para rectificación.

Cuando la frecuencia de la señal aumenta, el período de tiempo disminuye porque

la frecuencia de la señal es inversamente proporcional al período de tiempo de la
señal. Por tanto, a altas frecuencias, el ancho del pulso se vuelve pequeño.

Debido a que la señal de CA cambia extremadamente rápido de la mitad positiva a

la mitad negativa. Ahora, en este caso, si queremos rectificar dicha señal,
necesitamos un diodo que posea un tiempo de recuperación bajo para que cambie
rápidamente de la mitad positiva de la señal a la mitad negativa de la señal. La
velocidad de rectificación del diodo debe coincidir con la frecuencia de la señal de
CA.

Cabe señalar que el tiempo de recuperación del diodo es directamente

proporcional a la vida útil de los portadores de carga. Por lo tanto, cuanto mayor
sea la vida útil de los portadores de carga, más será el tiempo que tarden en
recuperarse de la polarización directa y viceversa.

Por lo tanto, mediante la adición de dicho material en el semiconductor,

aumentamos la velocidad de conmutación del diodo en gran medida para que
pueda usarse para la aplicación de alta frecuencia. Tienen un tiempo de
recuperación rápido, por eso se les llama diodo de recuperación rápida o diodo
rectificador rápido.
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La limitación es que no podemos aumentar los centros de recombinación más allá

de un límite. Aunque podemos agregar átomos de oro para crear más centro de
recombinación y definitivamente aumentará el tiempo de conmutación al reducir el
tiempo de recuperación, pero junto con esto, la corriente inversa también
aumentará. La corriente inversa en un diodo es directamente proporcional a los
centros de recombinación.

Clasificación de diodo de recuperación rápida

El diodo de recuperación rápida se puede clasificar en dos tipos según su

construcción. Uno está formado por una unión P-N difusa y el otro es un diodo
semiconductor metálico. Los diodos semiconductores de metal poseen una
velocidad de conmutación ultra alta porque solo involucran a la mayoría de los
portadores de carga. Y el efecto del almacenamiento de portadores de cargas
minoritarios es insignificante.

También se clasifican sobre la base de la corriente rectificada media máxima, el

tipo de embalaje y la tensión de funcionamiento.

Ventajas del diodo de recuperación rápida

1.- Velocidad de conmutación ultra alta

2.- Tiempo de recuperación inverso bajo
3.- Eficiencia mejorada en comparación con los diodos convencionales.
4.- Pérdida reducida

Desventaja del diodo de recuperación rápida

Posee alta corriente inversa cuando los centros de recombinación aumentan al

agregar oro (Au).

Aplicaciones del diodo de recuperación rápida

1.- Rectificador: estos diodos se utilizan en rectificadores especialmente para

rectificación de alta frecuencia.
2.- Áreas industrial y comercial: Se utilizan en circuitos electrónicos en diversas
industrias y sector del automóvil.
3.- Detector de señales de radio: se utilizan en detectores de señales de radio
para detectar ondas de RF de alta frecuencia.
4.- Circuitos de comunicación analógicos y digitales: en circuitos de comunicación
analógicos y digitales, estos diodos se utilizan ampliamente para fines de
rectificación y modulación.
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PROBLEMAS RESUELTOS
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