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· Diodo Gunn
Este tipo de diodo es similar al diodo tunnel ya que también entra en los
semiconductores osciladores de “resistencia negativa”.
Se trata de un generador de microondas (no un rectificador), formado por un
semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica
entre ánodo y cátodo una tensión continua (mayor a 3.3 V/cm), de modo que el ánodo
sea positivo con respecto al cátodo, la corriente que circula por el diodo es continua,
pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para
inducir oscilaciones en una cavidad resonante (con la cual alcanza oscilaciones de muy
alta frecuencia en el rango comprendido entre los 5 y 140GHz). De hecho, la emisión de
microondas se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan del
ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas
zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos, la cual es alta.
El diodo Gunn a diferencia del diodo tunnel, mantiene un ciclo gracias a la continuidad
de los impulsos de hiperfrecuencia del material y la cavidad resonante que produce las
oscilaciones; el diodo tunnel necesita algo que lo limite y que vuelva a producir la
oscilación
Efecto Gunn
El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para
la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales
semiconductores.
Este efecto Gunn sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y
las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico.
De esta manera una elevación del voltaje en este elemento causa una disminución de la
corriente.