Republica Bolivariana de Venezuela.

Ministerio del Poder Popular para la Defensa.

Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada.

Núcleo Sucre – Sede Cumaná.

1era PRÁCTICA: DE LABORATORIO

EL DIODO Y SUS CARACTERÍSTICAS.

Integrantes:

Prof.: Guillermo Rojas Tibisay E. González V.

Anny P. Córdova A.

Cumaná, mayo del 2019,

 INTRODUCCIÓN.

La electrónica forma parte esencial de la vida cotidiana, los avances tecnológicos a través del
tiempo han permitido su uso y desarrollo.

El diodo está formado por una unión de dos materiales semiconductores extrínsecos, uno tipo P y
otro tipo N. Este acoplamiento posee la característica de permitir el paso de la corriente eléctrica
en un sentido y oponerse al paso de la misma en sentido inverso. Por lo tanto, un diodo puede
polarizarse de dos manera: polarización directa (permite la circulación) y polarización inversa (no
permite la circulación). Depende de las características de la corriente que se le transmita para que
el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.

De la curva característica del diodo puede deducirse su comportamiento al aplicarle una tensión
alterna, permitiendo la circulación de la corriente eléctrica en el semiciclo en que se polariza en
directo y comportándose como llave abierta en el otro. Este proceso se llama rectificación de la
corriente y tiene importantes aplicaciones tecnológicas.
 DESARROLLO

PRACTICA N°1.

Objetivos

 Medida de la resistencia directa e inversa de un diodo.

 Trazado de la curva característica tensión-corriente.
 Análisis del rectificador de media onda.

Materiales

Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod. PS1-PSU/EV, Caja de soporte de
los módulos mod. MU/EV, Unidad decontrol individual mod. SIS1/SIS2/SIS3).

 Módulo de experimentación mod. MCM3/EV.

 Multímetro.
 Osciloscopio con sonda diferencial.

1. Diodo

El diodo es un dispositivo de semiconductor compuesto por una unión P-N y su curva

característica corriente-tensión es la que se muestra en la figura B03.1.

Los parámetros característicos visualizados en el gráfico son:

 La tensión de ruptura Vz, a la cual se verifica el efecto avalancha; en correspondencia de

dicha tensión se tiene un rápido incremento de la corriente que, si no se limita
correctamente, provoca la destrucción del diodo.

 La tensión de umbral Vs, a la cual el diodo comienza a conducir considerablemente; para

valores de tensión de polarización directa superiores a éste, la corriente crece
rápidamente.
 Se ha visto que un diodo conduce sólo si se polariza directamente; por lo tanto, alimentando un
diodo con tensión alterna, es fácil verificar que sólo la media onda positiva provocará en el circuito
una circulación de corriente, dado que la componente negativa se cortará.

RESULTADOS Y ANALISIS.

1. Medida de la conducción directa e inversa de un diodo.

Medir el grado de conducción (elevado, medio, bajo) que presentan los diodos D1 (al silicio) y
D2 (al germanio), polarizándolos directamente e inversamente.

Para poder medir la conducción del diodo del Silicio se coloca son de manera las sondas se
colocara el lado positivo en el ánodo y el lado negativo en el cátodo del diodo, caso contrario al
diodo del germanio que se colocara de manera inversa de tal manera de calcular el amperaje de
dicho diodo, en la siguiente tabla se mostrada lo calculado:

Dichos valores será calculado dependiendo de las escalas que se puedan calcular entre esos
están 2k, 20k, 200k, 2M, 200M.

Q1 ¿Qué diferencias presentan los diodos al germanio y al silicio? La resistencia directa del
diodo al silicio es pequeña, pero superior a la del diodo al germanio; en cambio, las dos
resistencias inversas son elevadas.

Dichos valores será calculado dependiendo de las escalas que se puedan calcular entre esos están
2k, 20k, 200k, 2M, 200M.

Q1 ¿Qué diferencias presentan los diodos al germanio y al silicio?

2 3 La resistencia directa del diodo al silicio es pequeña, pero superior a la del diodo al germanio;
en cambio, las dos resistencias inversas son elevadas.

2. Medida de la Corriente en el diodo en función aplicada.

En esta medida de corriente en la placa eléctrica se colocó los jumpers J2, J5, J8, J9.

El jumper de J7 en los puntos (1,2) se ubicó para calcular el amperaje, colocando el ánodo de
las sondas en mA, encendiendo la fuente de corriente nos dará un valor del cual debería ser el
mínimo amperaje a calcular, para luego tener la referencia del calculó del voltaje pero con la
diferencia de que el ánodo de la sondas vendrían colocándose en la medida de tensión.
Desconectando el jumper J7 se calcularon dichos valores dependiendo del valor calculado en mA,
esto se dedujo mediante la siguiente tabla en el caso del D1.

El jumper de J7 en los puntos (1,2) se ubicó para calcular el amperaje, colocando el ánodo de las
sondas en mA, encendiendo la fuente de corriente nos dará un valor del cual debería ser el
mínimo amperaje a calcular, para luego tener la referencia del calculó del voltaje pero con la
diferencia de que el ánodo de la sondas vendrían colocándose en la medida de tensión.
Desconectando el jumper J7 se calcularon dichos valores dependiendo del valor calculado en mA,
esto se dedujo mediante la siguiente tabla en el caso del D1 y D2:

mA 0,3 0,4 0,7 1 5 10

Si 0,55 0,57 0.58 0,54 0,69 0,73
Ge x 0,21 0,25 0,27 0,57 0,84

En el siguiente paso lo que se hizo fue desconectar los puentes J8 y J9, luego colocando los
puentes en J10 y J11, para repetir las mismas medidas anteriores de dicho diodo del germanio D2,
así mismo se colocaron los datos obtenidos. Durante el mismo proceso se desconectaron todos los
puentes del módulo para colocar los puentes en J1, J8, J9, J6 y el amperímetro en los extremos de
J7, esto realizo para las medidas cuando el diodo esta polarizado inversamente. En cambio para los
valores de tensión de alimentación, se midió la corriente a través del diodo del silicio D1, se
continuo con la anotación de dichos valores en la siguiente tabla:

Voltaje. 5 10 20
Silicio 0 0 0
Germanio 0.007 0,019 0,089

Al final se desconectaron los puentes J8 y J9, así mismo, conectamos los puentes J10 y J11; para
luego, repetir las medidas en polarización inversa para el diodo D2 al germanio.

Q2 ¿Cuál es el comportamiento del diodo al variar la tensión de alimentación?

2 1 En polarización directa la corriente toma valores muy bajos hasta que la tensión alcance un
valor propio del diodo; luego, crece exponencialmente; en polarización inversa la corriente alcanza
un valor muy pequeño y sumamente difícil de medir.

3. Trazado de la curva característica volt-amperimétrica del diodo.

Con los resultados obtenidos anteriormente se trazaron las curvas corriente-tensión tanto
para el diodo al germanio como para el diodo al silicio.
Realización del problema del diodo de silicio:

voltaje -20 -10 -5 0.3 0.4 0.7

silicio 0 0 0 0.55 0.57 0.58
germanio 0.089 0.019 0.007 0.1 0.21 0.25

Realización del problema del diodo de silicio

0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0
-25 -20 -15 -10 -5 -0,1 0 5

silicio germanio

Q4 ¿Qué diferencias presentan las dos señales visualizadas?

3 4 Dos señales están en fase, en la de carga falta la media onda negativa, mientras que la de
entrada tiene una amplitud levemente superior.

Q6 ¿Cuál es el símbolo gráfico del diodo?

2 3 El símbolo del diodo por es el subrayado ya que este fue el definido por los estudios de
electrónica.

Q7 ¿La curva característica tensión-corriente en el diodo depende de la

temperatura y del tipo de semiconductor?

3 2 Sí.

Un aumento de temperatura provoca una mayor energía en los electrones y por tanto una mayor
corriente inversa.
 CONCLUSIONES.

En la presente práctica pudimos observar de manera práctica el funcionamiento de un diodo en

directa y en inversa en corriente continua, así mismo se pudo observar de manera práctica la curva
característica de dicho dispositivo. La corriente circula por el circuito durante medio período
(duración de una media onda) y produce en los extremos de la resistencia de carga una media
onda positiva de tensión. Los semiconductores son materiales que, en determinadas
circunstancias, permiten el paso de la corriente eléctrica. Los más utilizados son el Silicio y el
Germanio.