EXPERIMENTO Nº 1

I. OBJETIVOS: UTILIZAR CARACTERISTICAS DE OPERACIÓN DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

II. INFORME PREVIO

EL DIODO

Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874, cuando se

observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, 25 años más tarde se empleó
el rectificador de cristales de galena para la detección de ondas. Durante la Segunda
Guerra Mundial se desarrolló el primer dispositivo con las propiedades que hoy
conocemos, el diodo de Germanio.

POLARIZACIÓN CIRCUITO CARACTERÍSTICAS

DIRECTA
El diodo conduce con una caída de tensión de 0,6 a
0,7V. El valor de la resistencia interna sería muy
El ánodo se conecta al positivo de la
bajo. Se comporta como un interruptor cerrado
batería y el cátodo al negativo.

INVERSA El diodo no conduce y toda la tensión de la pila cae

sobre el. Puede existir una corriente de fuga del
el ánodo se conecta al negativo y el orden de µA. El valor de la resistencia interna sería
cátodo al positivo de la batería muy alto Se comporta como un interruptor abierto.
DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen
en
polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas
características
son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso
que
pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema americano,
la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por ejemplo: 1N4004.
La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el número de uniones PN
y el “4004” las características o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema
europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este
caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo (rectificador). Sin embargo muchos
fabricantes emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581.

DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un
voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y
por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½
watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.

El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje

permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó BZX85,
y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia máxima
que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)

DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha
polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul
dependiendo de su composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de

voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la
intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s
con valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde
menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente
aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mínimo
para LED’s rojos y máximo para LED’s azules.

Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.

También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso

superior a 5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.

DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer
una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región de
resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta
última propiedad los hace muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores,
multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.

FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa
puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la
ventana e incide sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la
corriente inversa producida por que se genera un mayor número de portadores
minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía,
sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de
comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.
2.6 Principales características comerciales

A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente
unas características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se debe examinar
cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las
características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier
hoja de especificaciones son:

1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente

continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra
ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por
efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres límites:

o Corriente máxima continua (IFM)

o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se
especifica también el tiempo que dura el pico
o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que
se especifica la frecuencia máxima del pico

1. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV;

Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la que se produce el
fenómeno de ruptura por avalancha.
2. Tensión de pico inverso (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación
en inversa segura.
3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese
para diferentes valores de la tensión inversa

Resistencia dinámica

A la derivada de la tensión con respecto a la corriente en el punto de operación se le

llama resistencia dinámica del diodo rD, y su expresión puede determinarse a partir del
modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor que VT puede
despreciarse la unidad frente al término exponencial:

Como VT 25 mV, la expresión válida para el cálculo de la resistencia dinámica de un

diodo en función de la corriente de polarización continua puede escribirse de la siguiente
forma, llamada aproximación de Shockley:
Esta aproximación sólo es válida en la región de conducción en polarización directa del
diodo.

III. MATERIALES YEQUIPOS:

1. Una fuente de corriente continúa variable
2. Un multímetro
3. Un miliamperímetro y un microamperimet4ro
4. Un diodo semiconductor de SI y GE
5. Un voltímetro de cc
6. Resistencia de 1kΩ
7. Cables y conectores

IV. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de silicio
.registra los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1
a) Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el voltaje
directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos
procedentes como en a) registrando los datos en la tabla 3.

R directa R inversa

30 Ω ∞
Tabla 2

Vcc(v) 0,935 1,315 2,095 2,985 3,65 5,38 5,72 10,55 15,56 20,41
Id(mA) 0,1 0,2 0,4 0,8 1,6 2,5 5 10 15 20
Vd(v) 0,47 0,49 0,529 0,563 0,598 0,62 0,65 0,685 0,71 0,72

GRAFICA DE LA TABLA 2

25
Id(mA)

20

15

10

0 Vd(v)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID=0,2 mA
25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 125 Ω
0,2mA

Para ID= 0,4mA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 62,5Ω
0,4mA

Para ID= 5mA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 5Ω
5mA
Tabla 3

vcc(v) 0 2 4 6 8 10 12 15 20
Vd(v) 0 0,595 0,638 0,66 0,675 0,686 0,696 0,708 0,718
Id(µA) 0 1350 3450 5330 7400 9490 11400 14440 19400

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

Para ID= 1350 µA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 18,5 Ω
1350 µA

Para ID= 3450 µA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 7,25Ω
3450µA

Para ID= 7400 µA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 3,38Ω
7400µA

GRAFICA DE LA TABLA 3
25000

20000

15000
Id(µA)

10000

5000

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)
 3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de germanio.
Registrar los datos en la tabla 4
TABLA 4

R directa R inversa

26 Ω ∞

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso

2 procederes a llenar la tabla 5 y 6.

vcc(v) 0,26 0,769 1,178 2,318 2,638 3,161 5,78 8,89 10,96 13,05 16,15 20,03
Id(mA) 0 0,2 0,4 0,8 1,6 2,5 5 8 10 12 15 20
Vd(v) 0,26 0,522 0,562 0,594 0,628 0,649 0,684 0,707 0,718 0,727 0,738 0,75
TABLA 5

GRAFICA DE LA TABLA 5
25

20

15
Id(mA)

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)

Calculando la resistencia dinamica del diodo:

 Para ID=0,2 mA
25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 125 Ω
0,2mA

Para ID= 0,8mA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 31,25Ω
0,8mA

Para ID= 2,5mA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 10Ω
2,5mA

vcc(v) 0 1 2 4 6 8 10 12 15 18 20
Vd(v) 0 0,558 0,621 0,664 0,687 0,702 0,714 0,723 0,734 0,743 0,749
Id(µA) 0 370 1300 3400 5300 7200 9200 11000 14000 17000 19100
TABLA 6

GRAFICA DE LA TABLA 6
25000

20000
Id(µA)

15000

10000

5000

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)

Para ID= 370 µA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 67,56 Ω
370 µA

Para ID= 3400 µA

 25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 7,35Ω
3400µA

Para ID= 9200 µA

25𝑚𝑉
𝑟𝐷 = = 2.72Ω
9200µA

Conclusiones:
Tanto el diodo de silicio como el de germanio conducen cuando lo polarizamos
directamente, se comportan como cortocircuito. Cuando estos se polarizan de manera
inversa se comportaran como circuito abierto teóricamente pero en realidad existe una
pequeña corriente fluye por el diodo en el orden de los microamperios (µA).