UD2.

Semiconductores de potencia

o Diodo de potencia
o Tiristor
o Interruptores controlados
(BJT, MOSFET, GTO, IGBT y
MCT)
o Diseño térmico

1
 Introducción

Para tener una perspectiva adecuada de los diferentes convertidores de potencia,

conviene conocer las capacidades y limitaciones de los dispositivos semiconductores
disponibles.

Conocido el semiconductor se puede obtener su característica idealizada, la cual nos va a

simplificar el estudio de las diferentes topologías de los convertidores de potencia.

Los semiconductores de potencia se pueden clasificar según su grado de control en:

• Diodos: no hay control sobre “turn-on” y “turn-off”, los cuales dependen del circuito de
potencia.

• Tiristores: tenemos control sobre el “turn-on”, pero el “turn-off” depende del circuito de
potencia.

• Interruptores controlados: tenemos control tanto sobre el “turn-on” como del “turn-off”.
P.e. BJT, MOSFET, GTO , IGBT, MCT, etc.

2
 Diodo de potencia

Semiconductor intrínseco: Semiconductor extrínseco:

• Pares (e- h+) de origen térmico
• Recombinación
• Equilibrio térmico concentración e- = h+
• Dopado impurezas III o V
• Tipo N, e- portadores mayoritarios
• Tipo P, h+ portadores mayoritarios
• Pares (e- h+) de origen térmico,
minoritarios

3
 Diodo de potencia

Corrientes de campo Corrientes de difusión

o Sin polarización
• difusión = campo → SCL (Zona de transición)
o Polarización inversa
• VAK<0 → SCL crece
• Corriente inversa de origen térmico despreciable
• Ruptura por avalancha
o Polarización directa
• VAK>0 → SCL desaparece
• Ia>0 limitada por circuito externo

4
Diodo de potencia

(A ) Ánodo
(K) Cátodo

5
 Diodo de potencia

En conducción (cuadrante I) su caída de tensión es ≈ 1~2𝑉.

Cuando se encuentra en corte (cuadrante III), sin alcanzar la tensión de ruptura, fluye una
mínima corriente de fugas (despreciable).
Teniendo en cuenta que las tensiones y corrientes manejadas en los convertidores de
potencia van a ser muy superiores, podremos utilizar la característica idealizada de la
figura para el análisis de los convertidores. Esta característica idealizada no servirá para
los cálculos térmicos del semiconductor o los cálculos de rendimiento energético del
convertidor.

6
 Diodo de potencia

Considerando despreciable la capacidad de almacenamiento de energía del diodo, vemos

que no es posible atravesar los cuadrantes II y IV.
Para que un diodo que se encuentra en conducción pase a corte, el circuito externo
deberá forzar que la corriente se extinga y, después, el diodo podrá bloquear tensiones
𝑣𝐴𝐾 < 0.
Para que un diodo que se encuentra en corte pase a conducción, el circuito externo
deberá forzar que la tensión 𝑣𝐴𝐾 = 0, después el diodo podrá conducir corrientes 𝑖𝐴 > 0.

7
 Diodo de potencia

Turn-on Turn-off
iA

diR/dt
diF/dt
IF = Io
QF
0 t

QRR
Snap-off IRR
del diodo

vAK t3 t4 t5 diF V
=− K
tRR dt LK
 I t
VFP VON
0 t  di
QRR = f  I F , F ,T,VR ,S   RR RR
VR VR= -VK  dt  2
t1 t2 VRR
PS = VAK (OFF ) ·QRR·f S

Durante el “turn-on” no ocurren fenómenos de relevancia, por lo que puede tratarse como
un interruptor ideal.
Durante “turn-off” aparece el fenómeno de la recuperación inversa mostrado en la figura.
Este fenómeno da lugar a sobretensiónes en los interruptores (redes RC) y a la disipación
de potencia en el diodo “pérdidas en conmutación”.

8
 Diodo de potencia

tC  tON _ D 
 → TS = tON _ D + tON _ S
tC  tON _ S 

I A(OFF )  0 → WOFF  0 → POFF  0

Turn-on Turn-off
iA
tON _ D

diR/dt
IF = Io
diF/dt
WON = v
0
AK  i A  dt = VAK (ON )  I A(ON )  tON _ D
QF
0 t tON _ D
PON = f S  WON = VAK (ON )  I A(ON ) 
QRR TS
Snap-off IRR
del diodo tON _ D = TS − tON _ S
 t 
vAK t3 t4 t5 PON = VAK (ON )  I A(ON )  1 − ON _ S 
tRR  TS 
t
D = ON _ S → PON = VAK (ON )  I A(ON )  (1 − D )
VFP VON
0 t

VR= -VK
TS
VR
t1 t2 VRR
PT = PON + PS

9
 Diodo de potencia

o Diodos rectificadores
• Tensiones y corrientes elevadas (50kV, n x 1000A)
• VF bajas 1,5𝑉@1𝑘𝑉/3𝑉@7𝑘𝑉
• Valores elevados de IRM y trr
• Aplicaciones de elevada potencia a frecuencia de red
o Diodos rápidos y ultra-rápidos
• Tensiones y corrientes medias (3kV, n x 100A)
• Valores menores de IRM y trr
• VF mayores que en los rectificadores
• Soft-recovery : menores sobretensiones y ruido durante el corte
• Fast-recovery: menores perdidas en conmutación
• Aplicaciones de media potencia y frecuencias medias (n x 100kHz)
o Diodos Schottky
• Tensiones bajas y corrientes medias (100V, 100A)
• Caída de tensión en conducción muy baja 0,3V
• No presentan recuperación inversa, pero tienen gran capacidad
parásita
• Aplicaciones con tensiones bajas y frecuencias elevadas 1MHz

10
 Tiristor
“SCR Silicon Controlled Rectifier”
A=ánodo
K=cátodo
G=puerta

11
 Tiristor
“SCR Silicon Controlled Rectifier”

En corte el tiristor puede bloquear tensiones 𝑣𝐴𝐾 tanto positivas como negativas.
Habitualmente las tensiones de ruptura directa e inversa son similares y las corrientes de
fuga despreciables.
Si se encuentra bloqueando una tensión positiva y se aplica un pulso de corriente
adecuado en la puerta, el tiristor entra en conducción. Una vez en conducción, el pulso de
puerta puede ser eliminado, permaneciendo en conducción. La caída de tensión en
conducción es de 1~3V.
Una vez en conducción, para pasar a corte el circuito externo deberá forzar que la
corriente 𝑖𝐴 se extinga.

12
 Tiristor
“SCR Silicon Controlled Rectifier”

“Turn-on” de T2

diR VK
=
dt LK
VK = V2 -V1  0
LK = L2 + L1

tps = tiempo de crecimiento del área de conducción (ps “plasma spreading”)

13
 Tiristor
“SCR Silicon Controlled Rectifier”

“Turn-off” de T1

diF V
=− K
dt LK
VK = V2-V1  0
LK = L2 + L1

tq = tiempo mínimo antes de poder reaplicar vAK>0 para garantizar el corte

14
 Tiristor
“SCR Silicon Controlled Rectifier”

Nota: Para el cálculo de la potencia disipada en el tiristor se procede de forma análoga a

como se hizo con el diodo.

Recta de carga de la puerta

vGK = VGG − iG ·RG
vGK = 0 iG = VGG RG 
v = V iG = 0 
15  GK GG 

Forma idónea de los pulsos de disparo:

1. diG/dt grande lograr crecimiento
rápido del área de conducción
2. I bajo para lograr PG baja

15
 Tiristor
“SCR Silicon Controlled Rectifier”

o Phase-control thyristors
• Tensiones y corrientes elevadas (7kV~5kA)
• 𝑉𝐹 bajas 1,5𝑉@1𝑘𝑉/3𝑉@7𝑘𝑉
• Aplicaciones de elevada potencia a frecuencia de red

o Inverter-grade thyristors
• 𝑡𝑞 bajos 1~100𝜇𝑠 → 𝑉𝐹 ligeramente superiores
• 2.5kV~1.5kA
• Aplicación en inversores y a frecuencias medias

o Light-activated thyristors
• Se disparan por pulsos de luz guiados por fibra óptica
• 4kV~3kA ~𝑉𝐹 = 2𝑉
• Aplicaciones de elevada tensión y corriente (HVDC) conectados en serie

16
 Interruptores controlados
Características deseables

Interruptores controlados: tenemos control tanto sobre el “turn-on” como del “turn-off”.

Interruptor controlado ideal

• Bloquea elevadas tensiones directas e inversas sin corriente de fugas
• Conduce elevadas corrientes sin caída de tensión
• Las conmutaciones son instantáneas
• No consumen potencia del circuito de control

Los dispositivos reales, como es lógico, no cumplen a la perfección con los requerimientos
de un interruptor controlado ideal.
Las diferencias entre los dispositivos reales y los ideales provoca una disipación de
potencia en el semiconductor que deberá ser considerada en el proceso de diseño.

17
 Interruptores controlados
Características deseables

tC  tON → TS = tON + tOFF

I T (off )  0 → WOFF  0 → POFF  0

tON

WON = v
0
T  iT  dt = VT (ON )  I T (ON )  tON

tON
PON = f S  WON = VT (ON )  I T (ON ) 
TS
PON = VT (ON )  I T (ON )  D

18
 Interruptores controlados
Características deseables

tC ( ON )
1
WC (ON ) =  vT  iT  dt =
0
2
 VT (OFF )  I T (ON )  tC (ON )

tC ( OFF )
1
WC (OFF ) =  vT  iT  dt =
0
2
 VT (OFF )  I T (ON )  tC (OFF )

WC = WC (ON ) + WC (OFF )
PS = f S  WC

 VT (OFF )  I T (ON )  (tC (ON ) + tC (OFF ) )  f S

1
PS =
2
tC (ON ) = tri + t fv
tC (OFF ) = t fi + trv

19
 Interruptores controlados
Características deseables

Pérdidas totales PON = VT (ON )  I T (ON )  D

PT = PON + PS
 VT (OFF )  I T (ON )  (tC (ON ) + tC (OFF ) )  f S
1
PS =
2

Del estudio anterior se deducen la características deseables en un interruptor controlado.

• Corriente de fugas mínima en corte (pérdidas en corte despreciables)
• Caída de tensión mínima en conducción (reduce pérdidas en conducción)
• Tiempos de conmutación cortos (reduce pérdidas en conmutación)
• Elevadas tensiones de ruptura (evita la conexión serie de interruptores)
• Elevada corriente máxima en conducción (evita la conexión paralelo de interruptores)
• Coeficiente de temperatura positivo (facilita la conexión paralelo de interruptores)
• Absorción mínima de potencia del circuito de control (facilita el diseño de este)
• SOA cuadrado (elimina la necesidad de redes de ayuda a la conmutación)
• Capacidad de soportar elevados 𝑑𝑣 Τ𝑑𝑡 𝑦 𝑑𝑖 Τ𝑑𝑡 (elimina la necesidad de circuitos
externos que las limiten)

20
 BJT
“Bipolar Junction Transistor”

Los terminales son base (B), colector (C) y emisor (E).

Los BJT son dispositivos controlados por corriente 𝑖𝐵 .
El corte se obtiene con 𝑖𝐵 = 0. La corriente de colector en corte es mínima. No tiene
capacidad de bloquear tensiones inversas elevadas.

21
 BJT
“Bipolar Junction Transistor”

La conducción (saturación) se obtiene inyectando una corriente de base 𝑖𝐵 > 𝑖𝐶 Τℎ𝐹𝐸

La corriente de base debe ser mantenida durante toda la conducción.
En conducción la c.d.t. es baja 1~2𝑉 y con coeficiente de temperatura negativo.

22
 BJT
“Bipolar Junction Transistor”

En dispositivos de potencia ℎ𝐹𝐸 ≈ 5~10 por lo que la corriente que debe suministrar el
circuito de disparo es muy elevada.
Para reducir la corriente de base necesaria se utilizan configuraciones Darlington, pero
esta configuración aumenta la 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) y los tiempos de conmutación.

Cuando se integran en un solo “chip” se les denomina Monolithic Darlington (MD).

Los BJT y MD se encuentran disponibles con tensiones de hasta 1400V, corrientes de
varios cientos de amperios y tiempos de conmutación del orden de varios cientos de
nanosegundos.

23
 BJT
“Bipolar Junction Transistor”

SOA. “Safe Operating Area”

24
 BJT
“Bipolar Junction Transistor”

25
 MOSFET
“Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor”

En potencia se emplea fundamentalmente el MOSFET de canal N, cuyo símbolo y

característica v-i se muestra en la figura.
Los terminales son puerta (G), surtidor (S) y drenador (D).
Los MOSFET son dispositivos controlados por tensión 𝑣𝐺𝑆 .
El corte se obtiene aplicando 𝑣𝐺𝑆 < 𝑣𝐺𝑆 𝑡ℎ ≈ 2~4𝑉. No tiene capacidad de bloquear
tensiones inversas elevadas.

26
 MOSFET
“Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor”

La conducción se obtiene aplicando una tensión 𝑣𝐺𝑆 suficientemente elevada (tip. 12~15V
𝑣𝐺𝑆(𝑀𝐴𝑋) ≈ 20𝑉).

En conducción el MOSFET se comporta, entre drenador y surtidor, como una resistencia

controlada por tensión 𝑅𝐷𝑆 𝑂𝑁 = 𝑓 𝑣𝐺𝑆 cuyo coeficiente de temperatura es positivo.

La 𝑅𝐷𝑆 𝑂𝑁 aumenta notablemente con la tensión de bloqueo del dispositivo, por lo que
solo los MOSFET con tensiones de bloqueo bajas presentan bajas pérdidas en
conducción.

27
 MOSFET
“Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor”

Desde el exterior, entre puerta y surtidor solo se “ve” una capacidad parasita 𝐶𝐺𝑆 . El
circuito de disparo solo aplicará pulsos de corriente para cargar y descargar esta
capacidad.
Los tiempos de conmutación son muy bajos, del orden de decenas de nanosegundos, por
lo que las pérdidas en conmutación son bajas.
Se encuentran disponibles con tensiones de hasta 1000V y corrientes de hasta 100A.

28
 MOSFET
“Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor”

SOA. “Safe Operating Area”

29
 MOSFET
“Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor”

30
 GTO
“Gate-Turn-Off Thyristor”

Los terminales son ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G).

La puesta en conducción es análoga a la del tiristor pero, a diferencia de este, puede
cortarse aplicando un pulso de corriente negativa en el terminal de puerta.
El pulso necesario para realizar el corte es de poca duración 𝜇𝑠 pero de gran amplitud,
del orden de 1/3 de la corriente de ánodo.

31
 GTO
“Gate-Turn-Off Thyristor”

No soportan 𝑑𝑣 Τ𝑑𝑡 elevados, por lo que requieren de redes de ayuda a la conmutación

para el “turn-off”.
La caída de tensión en conducción es ligeramente superior a la de los tiristores (2~3V).
Los tiempos de conmutación son del orden de decenas de microsegundos.
Se encuentran disponibles con tensiones de hasta 6kV y corrientes de 2kA.

32
 GTO
“Gate-Turn-Off Thyristor”

33
 IGBT
“Isulated Gate Bipolar Transistor”

Los terminales son colector (C), emisor (E) y puerta (G).

Combina algunas de las ventajas de los BJT, MOSFET y GTO.
Se controla con la facilidad de un MOSFET y su conexión paralelo no presenta problemas.
Como el BJT, presenta caídas de tensión bajas en conducción con tensiones de bloqueo
elevadas.

34
 IGBT
“Isulated Gate Bipolar Transistor”

Como los GTO, tienen capacidad de bloqueo de elevadas tensiones inversas.

Disponibles con tensiones de hasta 3kV y corrientes de 1200A.
Soportan sobrecorrientes importantes de forma transitoria, permitiendo la implementación
de protecciones por detección de desaturación.
Los tiempos de conmutación son del orden de centenares de ns.

35
 IGBT
“Isulated Gate Bipolar Transistor”

SOA. “Safe Operating Area”

36
 IGBT
“Isulated Gate Bipolar Transistor”

37
 MCT
“MOS-Controlled Thyristor”

Los terminales son ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G).

Es una combinación de MOSFET y GTO. La parte de potencia se comporta como un GTO
y el control se realiza como un MOSFET.
Los tiempos de conmutación, del orden de varios s, son mejores que los del GTO.
La c.d.t es inferior a la de los I.G.B.T de similar tensión.
Están disponibles con tensiones de hasta 3kV y varios cientos de amperios

38
Interruptores controlados

39
 Diseño térmico
“Ley de Ohm térmica”
Como hemos visto, los semiconductores de potencia no son interruptores ideales, por lo
que disipan energía durante su funcionamiento. La energía disipada provoca el
calentamiento del semiconductor, apareciendo una diferencia de temperatura entre el
silicio que constituye el semiconductor (unión) y el exterior (ambiente). Esta diferencia de
temperaturas origina un flujo de energía (en forma de calor) desde el interior hacia el
exterior. La magnitud de este flujo de calor depende de la diferencia de temperaturas y de
la resistencia térmica entre interior y exterior. Si la potencia disipada en el semiconductor
es mayor que la potencia evacuada en forma de calor, la temperatura de la unión
aumentará, dando lugar a un incremento en el flujo de calor, alcanzándose finalmente el
equilibrio térmico, momento en el que podemos aplicar la siguiente relación:

 P = potencia

T j = temperatura de la unión
T = temperatura ambiente
T j − Ta  a
P= →  Rth ( ja ) = resistencia térmica unión − ambiente
Rth ( ja ) R
 th ( ja ) = R th ( jc ) + R th (ca )
 Rth ( jc ) = resistencia térmica unión − cápsula

 Rth (ca ) = resistencia térmica cápsula − ambiente

40
 Diseño térmico
“Ley de Ohm térmica”

A partir de la expresión anterior, conocidas 𝑃, 𝑅𝑡ℎ 𝑗𝑎 𝑦 𝑇𝑎 podremos determinar la

temperatura que alcanzará la unión 𝑇𝑗 . Aunque la temperatura de ruptura es superior, para
garantizar la fiabilidad del semiconductor 𝑇𝑗 no debe superar los 120℃. Si esto ocurre, la
solución pasa por reducir la resistencia térmica. Con este fin, los semiconductores de
potencia suelen incluir una superficie metálica en uno de sus lados, sobre la que se puede
fijar un radiador.

T j − Ta
P
Rth ( jc ) + Rth (cs ) + Rth ( sa )

41
 Diseño térmico

Para garantizar un buen contacto entre la cápsula y el radiador, debe utilizarse pasta
térmica entre ambos. Por lo general se trata de una silicona, que actúa como aislante
eléctrico. En aquellos casos en que se deba tener buena conductividad eléctrica entre
cápsula y radiador, se deberá emplear pasta de cobre. Por otra parte, si se requiere
aislamiento eléctrico entre cápsula y radiador, se emplean láminas de un material aislante
eléctrico y conductor térmico, junto con aisladores para los tornillos.

42
 Diseño térmico

Rth ( sa )  0,2 K Rth ( sa )  0,02 K

W W

Rth ( sa )  0,02 K
W

43