Universidad Autónoma de Yucatán

Facultad de Ingeniería
Electrónica 1
Nombre: Diego Alejandro Lugo Muñoz Fecha: 05/11/2021

JFET ADA 5
Objetivo:

Calcular los valores de 𝑉𝐺𝑆 y de 𝑉𝐷𝑆 del circuito del JFET y simularlo.

La sección de competencias, en general son las mismas para todas las ADAS.

Competencias desarrolladas (Genéricas):

• Usa las TIC en sus intervenciones profesionales y en su vida personal de manera

pertinente y responsable.
• Aplica los conocimientos en sus intervenciones profesionales y en su vida personal
con pertinencia.
• Actualiza sus conocimientos y habilidades para su ejercicio profesional y su vida
personal, de forma autónoma y permanente.
• Desarrolla su pensamiento en intervenciones profesionales y personales, de manera
crítica, reflexiva y creativa.
• Trabaja con otros en ambientes multi, inter y transdisciplinarios de manera
cooperativa.
• Promueve el desarrollo sostenible en la sociedad con su participación activa.

Competencias desarrolladas (Disciplinares):

• Resuelve problemas de la física y la química relacionados con la ingeniería,

basándose en las leyes, métodos y procedimientos de las ciencias experimentales
exactas.
• Formula modelos matemáticos, procedimientos algebraicos y geométricos, en
situaciones reales, hipotéticas o formales, relacionadas con la ingeniería.

Competencias desarrolladas (Especificas):

• Simula electrónicos simples, compuestos por componentes electrónicos analógicos

básicos, a través de software especializado.
• Implementa circuitos de rectificación con diodos semiconductores aplicados en
fuentes de energía eléctrica
• Simula circuitos electrónicos simples, compuestos por componentes electrónicos
analógicos básicos, a través de software especializado.
• Analiza los circuitos electrónicos basados en transistores BJT, utilizando las curvas
características que describen su funcionamiento.
 Universidad Autónoma de Yucatán
Facultad de Ingeniería
Electrónica 1
Nombre: Diego Alejandro Lugo Muñoz Fecha: 05/11/2021
Material:

1. Laptop
2. Software NI MultiSim
3. Software Microsoft Word
4. Clase JFET 13

Introducción.

El JFET es un transistor de efecto de campo de unión o por sus siglas en inglés Joined
Field Effect Transistor, contiene tres terminales, Drenator (drenador), Gate (puerta) y
Source (fuente). Este transistor, a diferencia de los comunes, utiliza una tensión para
controlar la corriente de drenador a fuente mediante el votaje de puerta.

Procedimiento:

Primer calculamos teóricamente los valores de 𝑉𝐺𝑆 y 𝑉𝐷𝑆 mediante los valores del siguiente
circuito:

Sabiendo los valores:

𝑉𝐷𝐷 = 15 𝑉 , 𝑅𝐷 = 1 𝑘Ω ,𝑅𝐺 = 10 𝑀Ω , 𝐼𝐷 = 5 𝑚𝐴 , 𝑅𝑆 = 220 Ω

Podemos calcular 𝑉𝐺𝑆 y 𝑉𝐷𝑆 mediante las ecuaciones:

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

Es posible calcular 𝑉𝐺𝑆 y 𝑉𝐷𝑆 sencillamente, ya que tenemos

todos los valores necesarios para hacerlo:

𝑉𝐺𝑆 = −(5 × 10−3 𝐴)(220 Ω) = −1.1 𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 15 𝑉 − (5 × 10−3 𝐴)(1000 Ω + 220 Ω) = 8.9 𝑉

 Universidad Autónoma de Yucatán
Facultad de Ingeniería
Electrónica 1
Nombre: Diego Alejandro Lugo Muñoz Fecha: 05/11/2021
Lo siguiente por hacer, es simular el circuito y encontrar los mismos valores para
compararlos:

Como se puede apreciar, el valor obtenido

de:
𝑉𝐺𝑆 = −1.31 𝑉

muy cercano al teórico.

𝑉𝐷𝑆 = 7.72 𝑉

que tambien resulta ser bastante cercano al

teórico.

Esto debido al correcto JFET con la

característica:
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 𝑚𝐴

Respuesta:

Podemos ver que los valores reales y teóricos son bastante cercanos entre ellos, por lo
tanto el circuito funcionó correctamente.

El erro en el valor 𝑉𝐺𝑆 es de 16% y del 𝑉𝐷𝑆 es de 13%.

Conclusiones:

En esta actividad de aprendizaje se concluyó de manera satisfactoria el uso de JFET de

canal N, y se utilizaron los conceptos y conocimientos previos para calcular los valores
deseados y al compararlos con la teoría el error es relativamente pequeño, menor a 20%,
teniendo en cuenta que ambos son valores pequeños.

Bibliografía:

No se necesito bibliogarfía extra.