Introducción a la estructura MOS

Electrostática de la estructura MOS sin polarización

Estructura Unidimensional Idealizada:
  Metal: No soporta carga en volumen ⇒ la carga solo puede existir en su superficie
 Oxido: es aislante ⇒ no soporta carga en volumen (no hay portadores, ni
dopantes)
 Semiconductor: Soporta carga en volumen.

Campo eléctrico
Integramos la Ecuación de Gauss

( ) ( ) ∫ ( )
En la interfaz oxido-semiconductor:
Cambio de permitividad ⇒Cambio en el campo eléctrico
Potencial Electrostático
(con @ )

Potencial de juntura:

Para obtener ( ) integramos ( ); comenzamos desde muy adentro en el

semiconductor:

( ) ( ) ∫ ( )
También deben considerarse los potenciales de contacto ⇒ La diferencia de potencial
entre contacto y contacto debe ser cero
Análisis general de la electroestática del MOS polarizado

Consecuencias importantes del cuasi-equilibrio:

La relación de Boltzmann se cumple en el semiconductor:

( ) ( )⁄

( ) ( )⁄

Regimen de vaciamiento

Para el metal atrae electrones, repele huecos ⇒ la región de vaciamiento

crece.
Para el metal repele electrones, atrae huecos ⇒ la región de vaciamiento se
contrae.
Flatband
Para cierta tensión VGB negativa la región de vaciamiento
Desaparece. A esto se lo conoce como Flatband

Voltaje de Flatband:
Régimen de acumulación

Si hay acumulación de huecos en la interfaz Si/SiO2

Tensión Umbral, (Threshold)
Para suficientemente grande la electroestática cambia cuando:
( ) ⇒ umbral
Superado el umbral, no se puede despreciar la contribución de los electrones a la
electroestática.

Principales dependencias:

 Si Na ⇒ . A mayor dopaje, mayor tensión requerida para producir

( ) .
 Si ⇒( )⇒ . Para oxido más delgado, es menor la caída de tensión
en él.
Inversión

¿Qué ocurre para ?

Más electrones en la interfaz Si/SiO2 que aceptores ⇒ inversión.

La concentración de electrones en la interfaz Si/SiO2 está modulada por ⇒

⇒ ( ) ⇒| |
¡Control por campo eléctrico de la carga móvil!
¡Esta es la esencia del MOSFET!

Queremos calcular [relación de carga Vs. Vcontrol]

Hacemos la aproximación de carga superficial: La capa de electrones en la superficie del

semiconductor es mucho más delgada que cualquier otra dimensión del problema
( ).
Relación de carga Vs. Vcontrol

Principal logro:

| | ( )⁄
( )
| | √ ( ) (Carga en la región de vaciamiento)
Entonces, a medida que ⇒ ( ) | | cambiará mucho, pero | | cambiará muy
poco.

Todo el voltaje adicional una vez superado es utilizado para aumentar la inversión de
carga .

Pensemos en esto como en un capacitor:

 cara superior: El gate de metal
 cara inferior: La capa de inversión

⇒ ( )

Existencia de y control de mediante ⇒ la clave de la electrónica del MOS

Principales conclusiones

En inversión:
| | ( )