UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE

CHIAPAS

MATERIA:
FOTOVOLTAICA

CARRERA:
Ingeniería en Energías

CATEDRÁTICO
o DR. Alfredo Olea Rogel

ALUMNOS:
 Danna Paola De La Cruz Sandoval
 Ángel Javier Salazar Ambrocio

 Kevin Jair Serrano Pérez

 Edgar Gómez García

6° "B
Práctica 2.- Fotodiodo

Campus Suchiapa
Carretera Tuxtla Gutiérrez. -Portillo Zaragoza
km 21÷500
Col, Las Brisas; Suchiapa, Chiapas. CP. 29150.
Teléfono:01961 61 71460
RESUMEN

El fotodiodo es un dispositivo semiconductor que se utiliza para detectar la luz.

Se compone de una unión PN, que es sensible a la radiación electromagnética
en el rango visible e infrarrojo cercano del espectro. Cuando la luz incide sobre
la unión, los electrones en el material se excitan y comienzan a fluir, lo que
produce una corriente eléctrica proporcional a la intensidad de la luz recibida.
Los fotodiodos tienen muchas aplicaciones prácticas en diferentes campos, y
se han hecho avances en la tecnología de los fotodiodos, como la creación de
fotodiodos PIN en la década de 1960, que mejoraron su respuesta en
frecuencia y sensibilidad en longitudes de onda más largas.
También, un fototransistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza para
detectar la presencia de luz. Cuando la luz incide en el fototransistor, los
electrones se liberan en la capa de la base del dispositivo, lo que a su vez
afecta la corriente del colector. Como resultado, el fototransistor actúa como un
interruptor que puede ser utilizado para controlar otros circuitos eléctricos. Los
fototransistores son comúnmente utilizados en una variedad de aplicaciones,
desde la detección de luz en cámaras y sensores de movimiento, hasta la
medición de la intensidad de la luz en sistemas de iluminación.
Tabla de contenido
RESUMEN............................................................................................................2
DESARROLLO.....................................................................................................5
OBJETIVOS..........................................................................................................6
MARCO REFERENCIAL......................................................................................7
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE UN FOTODIODO:.......................................14
MATERIALES.....................................................................................................15
PUNTON IMPORTANTES..................................................................................15
METODOLOGÍA.................................................................................................15
RESULTADOS....................................................................................................17
CONCLUSIÓN....................................................................................................18
RECOMENDACIONES.......................................................................................18
REFERENCIA.....................................................................................................19
INTRODUCCIÓN

Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor que se utiliza para detectar la luz.

Se compone de una unión PN, que es sensible a la radiación electromagnética
en el rango visible e infrarrojo cercano del espectro. Cuando la luz incide sobre
la unión, los electrones en el material se excitan y comienzan a fluir, lo que
produce una corriente eléctrica proporcional a la intensidad de la luz recibida.
Los fotodiodos se utilizan comúnmente en aplicaciones como fotodetectores,
receptores ópticos y fotómetros.
Los fotodiodos también tienen muchas aplicaciones prácticas, tales como en
sistemas de comunicaciones ópticas, equipos de medición y control, sistemas
de seguridad, entre otros. También se utilizan en la industria automotriz para
detectar la presencia de objetos en la carretera, en instrumentos médicos para
monitorear la actividad de la retina y en cámaras digitales para detectar la luz y
capturar imágenes. Hay varios tipos de fotodiodos disponibles, como fotodiodos
PIN, fotodiodos de avalancha y fotodiodos Schottky.
Por lo que también Un fototransistor es un dispositivo semiconductor que se
utiliza para detectar la presencia de luz. Esencialmente, es un tipo de transistor
que responde a la luz en lugar de a la corriente eléctrica.
Cuando la luz incide en el fototransistor, los electrones se liberan en la capa de
la base del dispositivo, lo que a su vez afecta la corriente del colector. Como
resultado, el fototransistor actúa como un interruptor que puede ser utilizado
para controlar otros circuitos eléctricos.
Los fototransistores son comúnmente utilizados en una variedad de
aplicaciones, desde la detección de luz en cámaras y sensores de movimiento,
hasta la medición de la intensidad de la luz en sistemas de iluminación.
En general, los fototransistores son muy útiles en cualquier situación en la que
se necesite medir o controlar la presencia de luz. ¿Tienes alguna otra pregunta
sobre fototransistores? Estoy aquí para ayudarte.
DESARROLLO

El primer fotodiodo fue desarrollado en 1939 por Russell Ohl, un científico de

Bell Labs. Este fotodiodo se construyó a partir de una sola capa de silicio
dopado con impurezas específicas, lo que permitió crear una unión PN que era
sensible a la luz. Desde entonces, diversos avances han permitido mejorar las
características de los fotodiodos, tales como su sensibilidad, velocidad de
respuesta y rango espectral de detección.
En la década de 1960, se desarrollaron fotodiodos PIN, que tienen una capa
intrínseca de material semiconductor entre las capas P y N, lo que mejora
significativamente la respuesta en frecuencia y la sensibilidad en longitudes de
onda más largas. En la década de 1980, se introdujeron los fotodiodos de
avalancha, que usan un proceso de multiplicación interna de electrones para
mejorar la sensibilidad y la relación señal-ruido. En la actualidad, los fotodiodos
se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones y se han convertido en un
componente clave en la tecnología y las comunicaciones.
El desarrollo del fototransistor se inició a finales de la década de 1940 y
principios de la década de 1950, cuando se descubrió que los semiconductores
podían ser utilizados para detectar la luz. El primer fototransistor fue
desarrollado por John Northrup Shive y sus colegas en Bell Labs en 1950.
El fototransistor ha sido un componente importante en la tecnología electrónica
desde entonces. Su diseño básico ha sido mejorado y adaptado para su uso en
diferentes aplicaciones. La mayoría de los fototransistores modernos están
hechos de silicio y se utilizan en una variedad de dispositivos electrónicos.
El fototransistor es una parte fundamental de muchos sistemas ópticos y de
iluminación, como sensores de movimiento, cámaras, sistemas de seguridad y
sistemas de medición de luz. A menudo se utiliza en aplicaciones donde se
necesita una detección sensible y precisa de la luz, y donde se requiere una
respuesta rápida.
En general, el fototransistor es un dispositivo muy útil que ha permitido el
desarrollo de la tecnología óptica moderna. Con el tiempo, ha seguido
evolucionando y mejorando para satisfacer las necesidades de una amplia
variedad de aplicaciones.
OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL

El fotodiodo es un componente electrónico que se utiliza para detectar y medir

la luz en diferentes tipos de dispositivos y aplicaciones. también se utilizan
señales ópticas, como en los lectores de CD y DVD.

OBJETIVO ESPECÍFICO

 medir la luz reflejada por la persona y convertirla en una señal eléctrica

para detectar el movimiento y activar una alarma o un sistema de
iluminación.

 medir la intensidad de la luz en un rango estrecho de longitudes de onda

para determinar la composición de una muestra o analizar la absorción o
emisión de luz por un material específico.
MARCO REFERENCIAL

El fotodiodo es un componente electrónico que pertenece al grupo de los

dispositivos semiconductores, es decir, aquellos que tienen propiedades
intermedias entre los conductores metálicos y los aislantes. Es un tipo de diodo
que se utiliza para convertir la luz en electricidad. El fotodiodo está diseñado
para ser sensible a la luz en un determinado rango de longitudes de onda, que
depende del material con el que está construido. Los materiales más comunes
para la fabricación de fotodiodos son el silicio y el germanio, aunque también
se utilizan otros materiales, como el arseniuro de galio y el índice de
cobre.Cuando la luz incide sobre el fotodiodo, los fotones que componen la luz
son absorbidos por los electrones de los átomos del material, lo que genera
electrones libres y agujeros que se mueven a través del material y producen
una corriente eléctrica. La corriente generada por el fotodiodo es proporcional a
la intensidad de la luz y puede ser medida por un circuito eléctrico.
Los fotodiodos tienen diferentes características que los hacen adecuados para
diferentes aplicaciones. Por ejemplo, algunos fotodiodos tienen una alta
velocidad de respuesta, lo que los hace útiles en aplicaciones de
comunicaciones ópticas de alta velocidad. Otros fotodiodos tienen una gran
área de detección y son útiles en aplicaciones de monitoreo de la radiación en
áreas amplias.
En general, el fotodiodo es un componente electrónico versátil y de uso común
en muchas aplicaciones diferentes, desde sensores de luz hasta
espectroscopios y dispositivos de comunicaciones ópticas.
Un fotodiodo consiste basicamente en una unión "n-n" en r cual, debido a la
excitación óptica que recibe, genera EHI (nares electrón hueco) que son
barridos por el campo eléctrico presente en dicha union. Este campo transporta
los huecos hacia la zona P v los electrones hacia la zona n. dando lugar a una
corriente generada debido a los efectos térmicos .
Estructurando un poco mas el interior de un fotodiodo. se puede apreciar
típicamente los tamaños de las uniones y de la region que recibira la luz. la
region de irradiacion es del orden de um. por lo que luz dirigida o direccional
hacia la misma es mas etectiva al momento de concentrar la intensidad y en la

generación bor excitación optica

•Fotodiodo de unión PIN:

Un Fotodiodo PIN consta de una estructura de tres capas. siendo la capa

intermedia un semiconductor que deberia ser intrinseco. v las dos externas.
una de tipo P v la otra tipo N Sin embargo, en la practica, la capa intrinseca se
sustitue bien por una capa tipo P de alta resistividad (?) o bien por una cana n
de alta resistividad.
Lo que define las propiedades de sensibilidad al espectro de un totodiodo es el
material semiconductor que se emplea en la construccion del mismo. Los
totodiodos estan construidos princinalmente de silicio. sensible a la luz visible
(longitud de onda de hasta I. um. de germanio para luz infrarroia (longitud de
onda hasta aproximadamente 1,8 um), y los hay de otros materiales
semiconductores. El rango de espectro es:

Comercialmente es mas factible encontrar Potodiodos de Silicio, debido a que

es mas barato y su proceso de fabricación es más masivo

Para etectos practicos. un totodiodo se puede representar con un circuito

equivalente en el cual las tuentes de corriente P.N
son la representacion de la generacion de corriente por la excitacion optica.
obviamente por ser una juntura presenta una resistencia en cada capa.
Tambien existe una capacitancia. la cual se presenta en la región de
agotamiento.

En la practica se estudio un fotodiodo comerciar de referencia OPYTW. un

fotodiodo de silicio tipo PI semiconductor intrinseco en medio de las zonas
dopadas que presenta las siguientes caracteristicas:

 Tiempo de respuesta corto

 Respuesta lineal con la intensidad de la luz
 Rango de temperatura de trabajo. hasta 125°C
 Rango de temperatura de almacenamiento. hasta
 150°C
  Temperatura de almacenamiento. hasta 250°C
 Disipacion de poder. 250m w
 Corriente fotonica minima (1,7A). 50mW/cm?, 20V
 Corriente oscura maxima (10nA). 20V

A continuacion se muestra el espectro de respuesta del diodc en runcion de la

longitud de onda:

Esilicio como semiconductor presenta una brecha energética de

aproximadamente 1.11eV que corresponde a una longitud de onda de 1118nm.
por lo que se espera. como bien se aprecia en la gratica. que el fotodiodo
absorba radiacion desde aproximadamente 1100nm hacia los valores mas
pequeños de longitud de onda. es decir de energia superior a la brecha
energetica del material

¿QUE ES UN FOTODIODO?

El fotodiodo es un tipo de diodo semiconductor. Que convierte la luz en la

corriente eléctrica. Este tipo de diodo también se llama detector de luz o sensor
de luz. Funciona tanto en la polarización
invertida como en la delantera. La pequeña
corriente de fuga fluye en la dirección inversa,
incluso cuando no hay luz incidiendo en ella.
La corriente que constituye el diodo es
directamente proporcional a la intensidad de la
luz que la absorbe.
El fotodiodo se utiliza en el circuito de
conmutación, y en dispositivos electrónicos como un detector de humo,
reproductores de discos compactos, medidores de luz, etc. El diagrama de
circuito del fotodiodo se muestra en la siguiente figura. La flecha muestra el
terminal positivo del fotodiodo y la base muestra el terminal negativo del diodo

¿Cómo funciona un Fotodiodo?

El funcionamiento del fotodiodo depende de la intensidad

de la luz lo golpea. La luz que incide en el diodo reduce el
ancho de su Cathode región de agotamiento y, por lo
tanto, los electrones y el agujero comienzan a moverse a
través de la región. El electrón se mueve hacia el catodo y
el aguero se mueve hacia el ánodo. Debido a la corriente de este movimiento
se induce en él.

Al ser un diodo es muy importante tener en cuenta su polarización ya que en

este tipo la corriente eléctrica fluye en sentido inverso, por lo que debemos
polarizarlo de manera inversa. La mayoría vienen equipados con un lente que
concentra la cantidad de luz que lo incide, por lo tanto, su reacción a la
iluminación es más evidente. Al circular la corriente de manera inversa provoca
un aumento de corriente dependiendo de la intensidad de luz que detecte.
Tipos de Fotodiodos
 PIN: Es un diodo semiconductor al que se le ha introducido una zona
intermedia llamada intrínseca para que la eficiencia del fotodiodo sea
alta. El problema que presenta es que el tiempo de tránsito de los
fotoportadores es mayor, aumentando el tiempo de respuesta.
 APD: El fotodiodo APD o de avalancha es un fotodiodo con ganancia
interna debido al efecto de avalancha.

LAS DIFERENCIAS DEL APD CON RESPECTO AL PIN SON:

 Tiene una sensibilidad superior, como resultado permite detectar

niveles de potencia menores.
 Tiene un mayor margen dinámico de entrada óptica, logrando más
fidelidad.
 Es más complejo y caro.
 Introduce más ruido.
 Consume más potencia.
 La ganancia depende de la temperatura, por lo tanto, necesita un
control de temperatura.

CARACTERÍSTICAS DE UN FOTODIODO
Una de las principales características con las que cuenta un fotodiodo es que
se encuentra fabricado en un material semiconductor, que le brinda diferentes
propiedades. Estos materiales son:
 Silicio, que lo hace sensible a la luz
 Sulfuro de plomo
 Germanio, que lo hace sensible a la luz infrarroja
 Indio
 Galio o arsénico

TIPOS DE FOTODIODOS
Podemos encontrar, generalmente, dos tipos de fotodiodos: el fotodiodo PIN y
el fotodiodo de avalancha.
  Fotodiodo de avalancha: Posee una estructura parecida al
fotodiodo común. Su principal ventaja es que admite el trabajo
con voltajes
 mayores inversos. Su utilización está ligada a cuando la
potencia que recibe es limitada, debido a que su respuesta es
mayor que los fotodiodos. No se recomienda su utilización en
proyectos que empleen señales.
 Fotodiodo PIN: Está compuesto de un material semiconductor
intrínseco que permite que la capa se pueda modificar para
facilitar el margen de frecuencia y así mejorar la eficiencia
cuántica.

FOTOTRANSISTOR

¿Qué es la Fototransistor?

El fototransistor es un terminal dos o tres.

Dispositivo semiconductor que convierte la energía luminosa en una corriente o
voltaie eléctrico. Es un transistor de diseños especiales que tiene una región
base sensible a la luz.
Cuando la luz incide en la base de un transistor
NPN, la corriente de base se desarrolla. La
magnitud de la corriente depende de la intensidad
de la luz que incide sobre ella. El fototransistor
amplifica la luz de entrada y la corriente de salida se
obtiene del colector del transistor.
El fototransistor está encerrado dentro del recipiente
opaco para que las partículas de luz o fotones se
alcancen fácilmente en su superficie. La región
colectora del fototransistor es grande en
comparación con el transistor ordinario porque está formada por un material
semiconductor difuso y pesado.
Cuando la base del fototransistor absorbe luz, liberan los pares de electrones
Debido a este par de orificios, la capa de agotamiento del diodo disminuye y el
electrón comienza a moverse desde el emisor a la región del colector. Para la
pequeña cantidad de energía luminosa, el transistor amplifica la corriente de
colector grande.

¿cómo funciona un fototransistor?

Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la

ganancia. Su construcción es similar a la de los transistores convencionales,
excepto que la superficie superior se expone a la luz a
través de una ventana o lente. Los fotones incidentes
generan pares electrón-hueco en la proximidad de la
gran unión CB. Las tensiones de polarización inversa de
la unión CB, llevan los huecos a la superficie de la
base y los electrones al colector.
La unión BE polarizada directamente, hace que los
huecos circulen de base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor
a la base.
En este punto la acción convencional del transistor se lleva a cabo con los
electrones inyectados del emisor cruzando la pequeña región de la base y
alcanzando el colector que es más positivo. Este flujo de electrones constituye

una corriente de colector inducida por la luz. Los pares electrón-hueco

fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se conecta
en configuración de emisor común, la corriente de base inducida por la luz,
aparece como corriente de colector multiplicada por 3 ó hfe.
Diferencias clave entre Fotodiodo y Fototransistor

 El fotodiodo es un dispositivo semiconductor que convierte la energía de

la luz en una corriente eléctrica. Considerando que, el fototransistor
utiliza el transistor para la conversión de energía de la luz en una
corriente eléctrica.
 El fototransistor genera corriente, mientras que el fotodiodo produce
tanto la tensión como la corriente.
 La respuesta del fotodiodo es mucho más rápida que la del
fototransistor.
 El fotodiodo es menos sensible en comparación con el fototransistor
porque el fototransistor produce la gran corriente de salida.
 El fotodiodo funciona tanto en la parte delantera como en la delantera.
como polarización inversa, mientras que el fototransistor funciona en
polarización directa. El emisor del fototransistor es negativo en
comparación con la región del colector.
 El fotodiodo se utiliza en la planta de energía solar, en un medidor de
luz, etc., mientras que el fototransistor se utiliza para detectar la luz.

CARACTERÍSTICAS
Un fototransistor no es más que un transistor bipolar común en el que la
región base está expuesta a la iluminación. Está disponible en los tipos P-N-P y
N-P-N que tienen diferentes configuraciones como emisor común, colector
común y base común.

 Disponible con ganancias desde 100 hasta más de 1500

 Tiempos de respuesta moderadamente rápido.
 Disponible en una amplia gama de paquetes que incluyen tecnología de
montaje superficial y con recubrimiento epoxi, moldeado por
transferencia.
 Características similares a las de los transistores de señal.

APLICACIÓN DE LOS FOTOTRANSISTORES

El fototransistor se puede aplicar en diversas áreas de aplicación, tales como:

 Lector de tarjetas perforadas

 Sistemas de seguridad
 Codificadores (medir velocidad y dirección)
 Foto detectores infrarrojos
 Controles eléctricos
 Circuitos lógicos informáticos
 Relés
 Control de iluminación
 Indicador de nivel
 Sistema de conteo
Por lo tanto, todo esto tiene que ver con una visión general
del fototransistor . Finalmente, a partir de la información anterior, podemos
concluir que los fototransistores se utilizan ampliamente en diferentes
dispositivos electrónicos para detectar luz, como el receptor de infrarrojos,
detectores de humo, láser, reproductores de CD, etc.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE UN FOTODIODO:
VENTAJAS
 Ruido bajo
 Bajo costo
 Compacto y ligero.
 Larga vida
 No se requiere alto voltaje.
 Alta eficiencia cuántica.

DESVENTAJAS
 Área pequeña
 Sin ganancia interna
 Sensibilidad mucho menor
 El tiempo de respuesta es más lento.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS FOTOTRANSISTORES

VENTAJAS.

o Los fototransistores producen una corriente más alta que los fotodiodos.
o Los fototransistores son relativamente económicos, simples y lo
suficientemente pequeños como para que quepan varios de ellos en un
único chip de computadora integrado.
o Los fototransistores son muy rápidos y son capaces de proporcionar una
salida casi instantánea.
o Los fototransistores producen un voltaje, que las foto-resistencias no
pueden hacer.

DESVENTAJAS

o Los fototransistores que están hechos de silicona no pueden manejar

voltajes de más de 1,000 voltios.
o Los fototransistores también son más vulnerables a las oleadas y los
picos de electricidad, así como a la energía electromagnética.
o Los fototransistores tampoco permiten que los electrones se muevan tan
libremente como lo hacen otros dispositivos, como los tubos de
electrones.
MATERIALES

o 1 protoboard
o 1 Led color amarillo
o 1 Led color rojo
o 2 Resistencia de 100
o 1 Potenciómetro

PUNTON IMPORTANTES

 Sensibilidad: La sensibilidad del fotodiodo se refiere a la cantidad de

corriente eléctrica que produce en respuesta a la luz incidente. Esta
sensibilidad varía según el material del que está hecho el fotodiodo y la
longitud de onda de la luz a la que es sensible.

 Velocidad de respuesta: La velocidad de respuesta del fotodiodo se

refiere a la rapidez con la que el dispositivo es capaz de detectar la luz y
producir una señal eléctrica. Esta velocidad de respuesta es importante
en aplicaciones que requieren la detección de cambios rápidos en la
iluminación, por ejemplo en sistemas de comunicación de fibra óptica.

 Linealidad: La linealidad se refiere a la capacidad del fotodiodo de

producir una corriente eléctrica proporcional a la intensidad de la luz
incidente. En algunos casos, el fotodiodo puede presentar una respuesta
no lineal que puede afectar la precisión de la medición.

 Área activa: El área activa del fotodiodo es la superficie del dispositivo

que es sensible a la luz. En algunos casos, es posible que sea necesario
utilizar fotodiodos con áreas activas más grandes para obtener una
mayor sensibilidad.

 Polarización: El fotodiodo puede estar polarizado de forma inversa

(conectado con una polaridad negativa en el ánodo y una polaridad
positiva en el cátodo), lo que aumenta su sensibilidad a la luz.

METODOLOGÍA
La metodología utilizada en la fabricación y prueba de fotodiodos varía
dependiendo del tipo de fotodiodo y del material con el que está construido.
Sin embargo, en general, la fabricación de fotodiodos sigue los siguientes
pasos:

 Selección del material: El primer paso en la fabricación de un fotodiodo

es la selección del material adecuado. El material debe ser capaz de
absorber la luz en un rango específico de longitudes de onda y generar
una corriente eléctrica proporcional a la intensidad de la luz absorbida.

 Depósito de capas: La fabricación del fotodiodo implica la deposición de

varias capas de material en un sustrato de cristal o silicio. Cada capa
tiene una función específica, como la absorción de la luz o la generación
de una corriente eléctrica.

 Fotolitografía: La fotolitografía es un proceso que utiliza luz para

transferir un patrón a una superficie. En la fabricación de fotodiodos,
este proceso se utiliza para definir la forma y el tamaño del fotodiodo.

 Difusión: La difusión es un proceso que se utiliza para controlar la

concentración de impurezas en el material del fotodiodo, lo que afecta
sus propiedades eléctricas. La difusión se realiza mediante la aplicación
de calor y gas para introducir impurezas en la superficie del material.

 Pruebas y caracterización: Una vez que se ha fabricado el fotodiodo, se

realiza una serie de pruebas para medir su sensibilidad, velocidad de
respuesta y otras propiedades eléctricas. También se caracteriza la
respuesta del fotodiodo a la luz en diferentes longitudes de onda.

 En resumen, la metodología utilizada en la fabricación de fotodiodos

implica la selección cuidadosa de materiales, la deposición de capas, la
fotolitografía, la difusión y la caracterización del dispositivo mediante
pruebas eléctricas.
RESULTADOS

El fotodiodo, a diferencia del fototransistor, es un dispositivo que solo tiene dos

terminales, y su operación es similar a la de un diodo de polarización inversa.
En el fotodiodo, la luz que incide produce un par de electrones y huecos que se
mueven en direcciones opuestas, generando una corriente. En el caso del
fotodiodo, la corriente generada es proporcional a la intensidad de la luz que
incide.
Una ventaja del fotodiodo es que tiene una respuesta rápida y una alta
eficiencia, lo que lo convierte en una buena opción para aplicaciones de alta
velocidad. Además, el fotodiodo es un dispositivo más económico que el
fototransistor y puede manejar niveles de intensidad de luz mucho más altos.
El fototransistor, por otro lado, es un dispositivo que tiene tres terminales. A
diferencia del fotodiodo, el fototransistor tiene una ganancia interna, lo que
significa que puede amplificar la corriente generada por la luz. La corriente que
fluye a través del fototransistor se controla mediante la luz incidente. Un
fototransistor es útil para aplicaciones de baja intensidad de luz, ya que es más
sensible que un fotodiodo.
Lo que los fotodiodos tienen una respuesta rápida, son adecuados para
aplicaciones de alta velocidad y son más económicos, mientras que los
fototransistores tienen una mayor sensibilidad, una ganancia interna y
funcionan mejor en aplicaciones de baja intensidad de luz.
CONCLUSIÓN

En conclusión, mientras que el fotodiodo es un dispositivo más simple y

eficiente para aplicaciones de alta velocidad y niveles de intensidad de luz
moderados, el fototransistor es más eficiente energéticamente y es mejor para
aplicaciones en las que se requiere una mayor ganancia de señal, como en
circuitos de amplificación de acuerdo, permíteme profundizar un poco más en
las diferencias entre ambos dispositivos.
El fotodiodo es un dispositivo que tiene una estructura PN, es decir, tiene una
región de tipo P (con exceso de huecos) y una región de tipo N (con exceso de
electrones). Cuando se aplica una tensión en polarización inversa a través del
diodo con una batería externa, se crea una zona de agotamiento en la región
de tipo P y la región de tipo N. Esta zona de agotamiento actúa como una
barrera para los portadores de carga que intentan cruzar de un lado a otro.
Ahora bien, cuando la luz incide sobre el fotodiodo, los fotones de la luz pueden
generar un par electrón-hueco dentro de la zona de agotamiento, separando
así los cargadores eléctricos.
Por otro lado, el fototransistor es un dispositivo en el que la luz incidente se
convierte en corriente a través de una corriente de base que se activa cuando
los fotones de la luz impactan en la región de base del transistor. Esta corriente
de base puede controlar la corriente de emisor a colector del transistor, creando
una amplificación del fotón original. Dicho de otra manera, el fototransistor es
un dispositivo que convierte la luz en una señal eléctrica amplificada.

RECOMENDACIONES

Si necesitas una respuesta rápida y eficiente, el fotodiodo podría ser una buena
opción. Por ejemplo, se utilizan comúnmente en aplicaciones de
comunicaciones ópticas, como sensores de posición óptica y lectores de código
de barras.

Por otro lado, si necesitas una mayor ganancia y sensibilidad, el fototransistor

podría ser una mejor opción. Los fototransistores también se utilizan en
aplicaciones de baja velocidad, como contadores de velocidad y sistemas de
monitoreo de luz ambiental.

Además, si deseas obtener mediciones más precisas, es esencial que te

asegures de que la longitud de onda de la luz que se utiliza coincida con la
sensibilidad del fotodetector.
es importante evaluar tus necesidades y requisitos específicos antes de
seleccionar un fotodetector.
REFERENCIA

Diferencia entre fotodiodo y fototransistor. (n.d.). https://illustrationprize.com/es/59-

difference-between-photodiode-amp-phototransistor.html#:~text=Una%20de

%20las%20principales%20diferencias,de%20la%20luz%20en%20corriente

Fotodiodo. (n.d.). https://illustrationprize.com/es/298-photodiode.html

Studocu. (n.d.). OPTO-2 - Fotodiodo Los fotodiodos son dispositivos de dos terminales

que convierten la energía - Studocu.

https://www.studocu.com/es-mx/document/instituto-tecnologico-superior-de-

panuco/optoelectronica/opto-2/17579336

EcuRed. (n.d.). Fototransistor - EcuRed. https://www.ecured.cu/Fototransistor