Curso de Tecnologia y Tecnicas de Alta Tension - Parte 2

4.
GENERACIÓN DE ALTAS TENSIONES
GENERACIÓN DE ALTA TENSIÓN CONTINUA
Características generales de las fuentes de alta tensión
 Potencia
 Impedancia interna
 Estabilidad
 Regulación
Generadores de tensión continua
V = ((VM + Vm)/2 (1)
V = (VM – Vm)/2 (2)
ε = V / V (3)
V
e VM V
Vm
___________________________________________________________________________________________
Tecnología y Técnicas de Alta Tensión - Parte 2 - Curso 24 al 28 de Octubre 2022
Universidad Autónoma Gabriel R. Moreno - Santa Cruz, Bolivia
Prof. Ricardo Diaz - rdiaz@herrera.unt.edu.ar
160
Circuito rectificador de media onda
e = EM sen (2f t) (4)
Q   i(t)dt  IT (5)
T
I = V/ Re
Q IT V
2V =   (6)
C C f Re C
Ri
e C V Re
Fig. 1 - Circuito rectificador de media onda
V
V = EM - V = (7)
2f R e C
V
e
i EM
tc tc
Fig. 2 - Tensión en la carga con Ri = 0

___________________________________________________________________________________________
161
e C V
Fig.3 - Circuito de Villard
V 2EM
t1
Fig. 4 - Tensión provista por el circuito de Villard
e C
V
C
Fig. 5 – Circuito de Latour
___________________________________________________________________________________________
162
Circuito rectificador de onda completa
C Re
Fig.7 - Circuito rectificador de onda completa
Circuitos multiplicadores.
A B D I
C'
e C V Re
Fig.8 - Circuito duplicador
VD
VAB
V
VB B
t2 EM
VA
t1
Fig.9 - Circuito duplicador en funcionamiento en vacío

___________________________________________________________________________________________
163
A B A B D
C' C' d2
e e C
d1
a) b)
Fig.10 – Configuración del circuito en el instante de conducción d1 (a) y del diodo d2 (b)
Q Q
VM = EM+ (EM - ) = 2 E M- (8)
C' C'
Q 1 1
Vm = VM - = 2 EM - Q '   (9)
C C C
 V  Vm  Q V
V =  M   (10)
 2  2C 2f R e C

V =  V M Vm 2EM Q 1'  1 2E M VV (11)
 2   C 2C 
V = V / f Re C´ = Q / C´
.
___________________________________________________________________________________________
164
Circuito multiplicador con N estadios
1 I
d'1
1' C1
d1
C'1 2
d'2
2' C2
d2
C'2 3
d'3
3' C3
d3
C'3 4
d'4
4' C4
d4
C'4
5
0
Fig.11 - Multiplicador de 4 etapas
V4’0
2EM
t1 t2 0
V4’4
___________________________________________________________________________________________
165
Fig.12 – Tensión entre un punto de la columna de la izquierda y dos adyacentes de la columna de la derecha.
Vo = 2 N EM (12)
Amplitud de la ondulación de la tensión o “ripple”
C1 Q C1
Q
C'1 Q C'1
Q Q Q
C2 C2
Q 2Q
C'2 2Q C'2
2Q
Q
2Q
C3 C3
3Q
Q
C'3 3Q C'3
3Q
Q
C4 3Q C4
Q Q 4Q
C'4 4Q C'4
4Q 4Q
a) b)
Fig.13 – Configuración del circuito en los instantes de conducción de los diodos d’ (a) y d (b)
1 2 3 N 
V*=2δV = VM -Vm = Q    ......  (13)
 C1 C2 C3 CN 
 I  N(N  1)
2V     (14)
 fC  2
___________________________________________________________________________________________
166
ε = V / V = N(N+1) / 4f RC (15)
Caída de tensión en la carga
Q
VM4 = 2 EM - 4 = 2 EM - V4 (16)
C '4
Q
VM3’ = VM4 - 4 (17)
C4
Q Q
VM3 = VM3’ - 3Q/C'3 = 2 EM -(V4+4 +3 )=2 EM -V3 (18)
C4 C3'
Q
VM2’ = VM3 - 3 (19)
C3
Q Q
VM2 = VM2’ - 2Q/C'2 = 2 EM -(V3+3 +2 ' )=2 EM -V2 (20)
C3 C2
Q
VM1’ = VM2 - (21)
C2
Q Q
VM1 = VM1’ - Q/C'1 = 2 EM -(V2+2 + )=2 EM -V1 (22)
C2 C1'
En el caso de N estadios con Ci = C´i = C
V = VMo - VM
___________________________________________________________________________________________
167
I  2N3 N2 N 
V =     (23)
fC  3 2 6
2EM N
V
2V VM
Vm
t1 t2
EM t
T
Fig.14 - Tensión de fuente y en la carga (curva superior)
I  2N3 N 
V =    (24)
fC  3 6
I  2N3 
V    (25)
fC  3 
Nop  (EM f C / I)1/2 (26)
___________________________________________________________________________________________
168
FOTO 1 - Generador de tensión continua - 2000 kV/10 mA.
___________________________________________________________________________________________
169
Multiplicadores Polifásicos
 I  N
2V =    (27)
 fC  m
Q/2 Q/2
4EM Q/2 2EM Q/2 4EM
Q/2 Q/2
2EM Q/2 0 0 2EM
2Q/2
2Q/2 2Q/2 2Q/2
+EM -EM -EM +EM
a) b)
Fig. 15- Multiplicador polifásico; intercambio de carga en los mínimos y máximos de la tensión
___________________________________________________________________________________________
170
Características constructivas del generador
Fuente de alimentación
Ref.
Fig. 19 - Esquema de regulación de la alimentación con tiristores
Diodos para altas tensiones
Selenio Germanio Silicio

Tensión inversa (V) 30 -50 150 - 300 1000 - 2000
Corriente directa (A/cm2) 0,1 – 0,5 50 - 150 50 -200
___________________________________________________________________________________________
171
R R R
Fig. 20 – Esquema de un diodo para altas tensiones
Principios de funcionamiento de los generadores electrostáticos
Fig.23 - Generador de Van de Graaff
I = dq/dt =  a dx/dt =  a v (31)
V= Q /C (32)
___________________________________________________________________________________________
172
dV/dt=I/C
Pmec = Pel = F v = V I (33)
F = ∫ E(x) dq =  a V (34)
electrodo de alta tensión
cilindro
fuente de alta o
tensión
Fig. 24 - Esquema de principio de un generador rotante
___________________________________________________________________________________________
173
GENERACIÓN DE ALTA TENSIÓN ALTERNA
5% 2 Vp  VM / 2
Transformadores para altas tensiones
Tabla 1
Características Transformador de potencia Transformador elevador
Función Transformación de tensión para Transformación de tensión para ensayos

transmisión de potencia en alta tensión.
Estructura Generalmente trifásicos Monofásicos
Potencia nominal Grande Moderada
Relación de Baja Alta
transformación 132/13,2 kV = 10 110/0,22 kV = 500
13,2/0,38 kV = 34,7 400/0,5 kV = 800
500/132 kV = 3,8 500/0,5 kV = 1000
Aislamiento Diseño para gran durabilidad con Diseño para solicitaciones con
solicitaciones térmicas y transitorios de altas tensiones y pocas
envejecimiento exigencias térmicas
Inductancia de cc Valores bajos: 5 … 15% Valores altos: 10 … 25 %
(por baja relación de transformación) (por alta relación de transformación)
Circuito Máximo grado de saturación de la Mínimo gado de saturación de la
magnético característica de magnetización. característica de magnetización. Opera
Opera en un rango restringido de en un amplio rango de tensiones, lo que
tensión, lo que permite ganar en permite linealidad y reducción de la
reducción de peso distorsión de tensión
Régimen de Permanente, hasta la potencia nominal Cíclico, con sobrecargas de corta
operación duración
I0 I
Ic
___________________________________________________________________________________________
174
Fig. 1 – Tensión de vacío
Rcc I
jLcc I
Rcc Lcc
I
V
C E
E V
I
Fig. 2 - Tensión de salida con carga capacitiva
ωLcc » Rcc
V = E – j  Lcc I (1)
I=jCV (2)
V = E + 2 Lcc C V (3)
E = V (1 - 2 Lcc C) (4)
E
V (5)
1  ω Lcc C
2
2LccC = InLcc/Vn = vcc (6)
E
V (7)
1  vcc
___________________________________________________________________________________________
175
Tabla 2
Aisladores 10 ÷ 100 pF
Pasantes 100 ÷ 500 pF
TV 500 ÷ 1000 pF
TVC Miles de pF
Cables alta tensión 200 ÷ 500 pF/m
Divisores de tensión 50 ÷ 500 pF
Conexiones 5 ÷ 15 pF/m
Transformador Pn=1 MVA 1000 pF
Transformador Pn=100 MVA 10000 pF
2
Pn = Vn  C (8)
___________________________________________________________________________________________
176
Características constructivas
FOTO 1 - Transformador 700 kV - 2 MVA
___________________________________________________________________________________________
177
FOTO 2 - Transformador 500 kV - 1 MVA
a) b)
Fig. 3 Cuba metálica a) y cuba en material aislante b)
4 2 3 3 2 1
V/2
V
a) b)
Fig. 4 Transformador con el núcleo conectado al punto medio del arrollamiento de alta tensión
a.t.
b.t.
___________________________________________________________________________________________
178
Fig. 5 - Circuitos compensadores
Conexión en cascada
P
1
V1+V2+V3
2P
V1+V2
3P V1
Fig. 6 – Conexión de tres unidades en cascada
Nc
N / N
V a c
c
Zc V
c
Za Zb
V
b
V V
Va a b
Na Nb N /N
a b
Fig. 7 - Esquematización de un transformador de tres arrollamientos
Za  Zb = Zab
Za + Zc = Zac (9)
Zb + Zc = Zbc
___________________________________________________________________________________________
179
Za = (Zab + Zac - Zbc) / 2
Zb = (Zab + Zbc - Zac) / 2 (10)
Zc = (Zbc + Zac - Zab) / 2
V1 = E – (3Xa + Xb) I
V2 = E – (5Xa + 2Xc + Xb) I (11)
V3 = E – (6Xa + 3Xc + Xb) I
V1+V2+V3 = 0 (12)
V1 = E – (3Xa + Xb) I
V2 = E – (5Xa + 2Xc + Xb) I (13)
V3 = E – (6Xa + 3Xc + Xb) I
V1 + V2 + V3 = 0
3E = (14Xa + 3Xb + 5Xc) I (14)
Xcc = (14 Xa + 3Xb + 5Xc) (15)
Xc
I 1/1 I I
Xa Xb V3
Xc
1/1
2I 1/1 2I
Xa Xb I
Xc V2
3I 1/1
Xa Xb I
E V1
1/1
Fig. 8 - Circuido simplificado de tres unidades en cascada
___________________________________________________________________________________________
180
Xcc
3E V
Fig. 9 - Circuito equivalente simplificado
FOTO 4 - Cascada de 3 transformadores en cuba metálica para exterior (Un = 1800 kV)
Circuitos resonantes serie
R L
E C V
Fig. 10 - Circuito resonante serie
L = 1/C I = E/R,
___________________________________________________________________________________________
181
E EL
V   EQ (16)
RC R
Q = 1/RC = L/R
Pr = QEI = QPa (17)
C
L
Fig. 11 - Reactancia variable con transformador aislado en alta tensión
FOTO 6 – Circuito resonante con tres estadios (1050 kV)
___________________________________________________________________________________________
182
aire
aceite
t
radiador
Arr. AT
núcleo
móvil
metal
aislante
Fig. 12 - Reactor con circuito magnético a reluctancia variable
f = 1 / (2 LC ) (18)
C V
f'
f"
Fig. 13 - Circuito resonante con variación de frecuencia
___________________________________________________________________________________________
183
GENERACION DE ALTAS TENSIONES DE IMPULSO
Impulsos de alta tensión
u
UM
UM / 2
T1 T2 t
Fig. 1 - Onda doble exponencial plena
u(t) = U0 .(e-α.t - e-β.t ) (1)
a: cortada en el frente
b: cortada en la cresta
c: cortada en la cola
a b c
tc tc tc t
Fig. 2 - Onda doble exponencial cortada
___________________________________________________________________________________________
184
Determinación de los parámetros característicos de una onda de impulso
u
1,0
0,9
B
0,5
0,3 A
0
0
T t
T1 T2
Fig. 4 - Determinación convencional de los parámetros de la onda
T1 = T / 0,6 ≈ 1,67 T (2)
0,3 T1 = 0,5 T (3)
___________________________________________________________________________________________
185
f  0.5 MHz t 1 μs
0 1 2 3 4 t (ms) 0 1 2 3 4 t (ms)
a) b)
f  0.5MHz t  1 μs
0 1 2 3 4 t (ms) 0 1 2 3 4 t (ms)
c) d)
Fig. 5 – Impulso de tensión con diferentes tipos de oscilaciones
Impulsos de tipo atmosférico con oscilaciones en la cresta
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
k(f)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-0.1
0.001 0.010 0.100 1.000 10.000 100.000
frequency (MHz)
1
k(f)= (4)
1+2,2f 2
___________________________________________________________________________________________
186
U t =U b +k  f  U e -U b  (5)
U
Ue
Curva registrada
Recorded curve

Ub
Base
Curvacurve
base
Residual curve
Curva residual
0
t
Fig. 6 – Curvas de tensión de impulso para calcular la curva base Ub
Ut Tensión de ensayo
Test voltage curve
Ub
Base
Curvacurve
base
Filtered residual
Residuo corregido
0
t
Fig. 7 - Curvas para calcular la tensión de ensayo Ut
___________________________________________________________________________________________
187
Impulsos de tipo maniobra
No.1 No.: 40871

CH1
Eval.: SI
Up= 941.2kV
Tp= 258µs
941kV
T1= 175.4µs
T2= 2017µs
CH1
847kV Td= 462µs
659kV
471kV
282kV
94kV
0kV
0 100µs 200µs 300µs 400µs 500µs
___________________________________________________________________________________________
188
No.1 No.: 40871
CH1
Eval.: SI
Up= 941.2kV
Tp= 258µs
941kV
T1= 175.4µs
T2= 2017µs
847kV Td= 462µs
659kV
471kV
282kV
CH1
94kV
0kV
0 1.00ms 2.00ms 3.00ms 4.00ms 5.00ms
Fig. 8 – Impulso de maniobra visualizado con dos escalas de tiempos para evidenciar el frente y la cola
Circuitos generadores de impulsos
S1 R1 S1 R1
V0 C1 R2 C2 V V0 C1 R2 C2 V
a) b)
Fig. 9 - Circuitos mono-estadio para la generación de un impulso de tensión doble exponencial

___________________________________________________________________________________________
189
V0 C1
V (8)
C1  C2
C1C2
τ1  R1  (9)
C1  C2
S1 R1
V0 C1 C2 V C1 R2 C2
a) b)
Fig. 10 - Esquematización para el estudio de los circuitos de la figura 9

a) tiempos breves; b) tiempos largos
τ2 = (C1+C2).R2 (10)
Análisis temporal de los circuitos
___________________________________________________________________________________________
190
1/ sC1 R1
V0 / s R2 1/sC2
V(s)
Fig. 11 - Esquema de Laplace para el circuito de la fig. 9 a).
V0
V(s)=  Z2 (11)
s Z2  Z1
1
Z1=  R1 (12)
s C1
R2 1
Z2= ( ) /( R 2  ) (13)
s C2 sC2
V0 1 V 1
V(s)= ( ).( 2 ) = ( 0 ). (14)
R1.C2 s  A1s  A0 R1.C2  s  1  .  s  1 
  1    2 

 
2
1 1 1 1
,  A1  A1  A 0 (15)
τ1 τ 2 2 2
A1 A0
___________________________________________________________________________________________
191
Esquema 1 1 1 1
9 a)  
R 1C 2 R 1C1 R 2C 2 R 1C1R 2C 2
Esquema 1 1 1 1
9 b)  
R1C2 R1C1 R 2C1 R 1C1R 2C 2
u(t) = V 0  τ1τ 2 · (e-t/2 - e-t/1) (16)

R1C2 τ 2  τ1
Uo =
V 0 τ1τ 2 (17)
.
R 1C 2 τ 2 - τ1
  1 ;   1/ τ2
Con : (τ1τ2) = (R1C1R2C2)
C
u(t) = V 0  R 2 1 · (e-t/2 - e-t/1) (18)
τ 2  τ1
τ1τ 2
du(t)/dt = 0  TM = ln( τ 2 / τ1) (19)
τ 2  τ1
C
VM = u(TM) = V 0  R 2 1 · (e-TM/2 - e-TM/1) (20)
τ 2  τ1
___________________________________________________________________________________________
192
(V0 R2C1)/( 1)
e-t/τ2
VM
t
-t/τ1
e
τ1
τ2
Fig. 12 – Representación gráfica del impulso doble exponencial u(t)
du(t=0)/dt =
V0 (21)
R 1C 2
- para el circuito a) de la fig. 9
R 1R 2  C1C 2
τ1  2  (R1+R2)(C1+C2)
R 2  R 1 C1  C 2
η R 2  C1 (22)
R 2  R 1 C1  C 2
- para el circuito b) de la fig. 9
C1C2
τ1  R1  2  R2 (C1+C2)
C1  C2
C1
η (23)
C1  C2
___________________________________________________________________________________________
193
S1 R1 R1 S1 R1/2 R1/2
C1 R2 C2 C1 R2 C2 C1 R 2 C2
a) b) c)
100
1,2/50 circuito b)
%
80
1,2/50 circuito a)
1,2/50 circuito c)
60
40
1,2/5 circuito b)
20
0
0,0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 C2/C1
Fig. 13 - Rendimientos de tensión en función de C2/C1
C1 V02
W (24)
2
___________________________________________________________________________________________
194
Relación entre las constantes de tiempo del circuito y los tiempos de frente y de cola del
impulso.
u(t) = V 0  τ1τ 2 · (e-t/2 - e-t/1) = K V0 (e-αt - e-βt) (25)

R1C2 τ 2  τ1
T1/T2 [s] TM/T2 [s] 1 [s] 2 [s]

1,2/50 --- 0,408 68,4
1,2/5 --- 0,80 3,48
--- 1,2/50 0,208 70,1
--- 1/20 0,203 27,1
--- 250/2500 63 3154
Para el circuito de la fig. 9 a) resulta:

R1=
 ( τ1  τ2)  ( τ1  τ2) 2  4 τ1 τ2 (C1  C2 ) / C 2 
1
2 C1
(30)
.( τ1  τ 2)  ( τ1  τ 2) 2  4 τ1 τ 2 (C1  C 2 ) / C 2 

1
R2=
2 (C1  C 2 )
Para el circuito de la fig. 9 b) resulta:
 ( τ1  τ2)  ( τ1  τ2) 2  4 τ1 τ2 (C1  C2 ) / C1 

1
R1=
2 C2
(31)
.( τ1  τ 2)  ( τ1  τ 2) 2  4 τ1 τ 2 (C1  C 2 ) / C1 

1
R2=
2 (C1  C 2 )
___________________________________________________________________________________________
195
Circuitos multiplicadores
1 C
   nE 
2
W (34)
2 n
R3
Rf
S4 S4
Rc R2
n
C C
Rf
Rc S3 Rf Rc Rc R2
S3 n
C C
Rf
S2 R2 C2 C2
Rc Rf Rc Rc R2
S2 n
C C
Rf
Rc S1 Rf Rc Rc R2
S1 n
C
R’ C Rf R’
E E0
a) b)
Fig. 17 – Esquema de generador de Marx con 4 estadios
___________________________________________________________________________________________
196
La carga y el cebado del generador
Estadio n
Estadio 1
t(s)
Fig. 19 - Carga del primer y último estadio
R' Rc B Rc
C Cs1 Cs2
C
E
S1 S2
Rf Rf Rf
Rc A Rc C
CtA CtC
Fig. 20 - Dos estadios con las capacidades parásitas que intervienen en el cebado
___________________________________________________________________________________________
197
C
Rc
Rc
Rf
C
Rc
Rc
Rf
R'
C
Rc
E Rf
Fig. 21 - Comando de explosores en tres estadios
Conmutadores
Explosores comandados
a) b)
Fig. 23 – Tipos de explosores comandados
Fig. 24 – Esquema de un explosor del tipo indicado en 23 a)
1 Electrodos principales 2 Electrodo interno

3 Electrodo de disparo 4 Conexión al circuito de generación del impulso de comando
___________________________________________________________________________________________
198
V
Vs
1,0
campo de trabajo
0,5
Vs=tensión de descarga espontánea

t
Fig. 25 – Retardo al cebado de un explosor comandado
9.4.2 Conmutadores con semiconductores
IG1 IG2 IG3 IG4 IG5
ID
Impulsion
Impulso de de
déclenchement
disparo
Fig. 28 – Conmutador a tiristores
R C
___________________________________________________________________________________________
199
Fig. 29 - Circuito RC de protección de un tiristor de conmutación.
Aspectos tecnológicos
___________________________________________________________________________________________
200
FOTO 9 - Generador de 15 estadios (3 MV/250 kJ).
___________________________________________________________________________________________
201
FOTO 11- Generador de impulso para exterior, 7,2 MV/ 480kJ.
___________________________________________________________________________________________
202
5. MEDICIÓN DE ALTAS TENSIONES DE IMPULSO
Z1
Z2
Fig. 33 – Sistema para medición de una tensión de impulso
Aspectos teóricos de los divisores para tensiones de impulso
e(t) u(t)
Fig. 34 - Esquematización de un divisor
e(t)
E
u(t)
U
t
Fig. 35 - Tensión de entrada y de salida en un divisor
___________________________________________________________________________________________
203
Dominio frecuencial
u(s) = N e(s) G(s) (36)
0
10
onda cortada en el
frente tc= 0,5 μs
onda plena
10 -1
onda cortada en
-2 la cola tc=4μs
10
10 -3
-4
10
1k 10k 100k 1M [Hz] 10M
Fig. 36 – Espectro armónico normalizado |F(ω)| de impulsos atmosféricos plenos y cortados en la cola y el
frente.
|F(ω)| = |F(jω) / F(0)| (37)
2 2
1  τ2 τ1   ωτ 2 ωτ12 
F  ω =  -  +  2
- 2
τ 2 - τ1  1+ ωτ 2  1+ ωτ1    1+ ωτ 2  1+ ωτ1  
2 2 2
G(jω) = G(ω). exp(jφ(ω)) (38)
___________________________________________________________________________________________
204
Dominio temporal
d  d t 
t
u  t     g  t    e   d     g  t  e  t    d  (41)
dt  o  dt  o 
t
de  
u t   g  0 e  0   g t   d (42)
o
dt
Asumiendo que e(t=0) = g(0) = 0, se obtiene:
t
de  
u t    g t   d (43)
o
dt
Integral de Duhamel o Integral de Convolución
1 h(t)
η(t)
g(t)
t
Fig. 37 – Respuesta al escalón unitario de un sistema de primer orden
___________________________________________________________________________________________
205
Respuesta dinámica
Tabla 4
Tolerancia Incertidumbre
Valor de cresta 3% 3 % ( *5 % )
Duración del frente 30 % 10 %
Tiempo al hemivalor 20 % 10 %
* Ondas cortadas en el frente
Constante de tiempo generalizada
g(t) = 1 - η(t) (47)
lim η(t) = 0 (48)

t ∞
e(t) = at (para 0 < t < Tc) (49)
___________________________________________________________________________________________
206
e(Tc)=aTc
aT0
u(Tc)
T0
e(t)=at
u(t)
T0 Tc t
Fig. 38 - Respuesta a una tensión linealmente creciente
t
de  τ  t t
u  t  =  g  t - τ dτ = a  g  t - τ  dτ = at - a  η  t - τ  dτ (50)
o
dt o o
t 
 ηt  τ  dτ   ητ  dτ  To
o o
(51)
u(t) = a(t-To) (52)
ΔuM = [u(Tc)-e(Tc)]/e(Tc) = [a(Tc-To)- aTc]/a(Tc)= (aTc-aTo-aTc)/aTc= -To/Tc (53)
 
To   ητ  dτ   1  gt dt (54)
o o
g(t) = 1-e-t/T (55)
___________________________________________________________________________________________
207
e(t)
EM UM
u(t)
T1e T1u t
Fig. 39 - Respuesta a una tensión de impulso doble exponencial
ΔuM = -To2 / (4 τ1 τ2) ≈ -2 To / T2 (56)
Sistemas de orden superior
 Factor de escala:
 Epoca nominal:
 Tiempo de respuesta experimental TN:
 Tiempo de estabilización ts:
___________________________________________________________________________________________
208
T

1
T T
T*
a) t
T
TN+0,02t
TN
ts
t
b)
Fig. 41 a) Respuesta al escalón de un sistema complejo
b) Evolución de T(t) y evaluación del tiempo de estabilización t s
t t
T(t) =  (1- g(τ))dτ =  η(τ)dτ (57)
0 0
t max t max
T N T(t max) (1-g())d   η(τ)dτ = T –T + T - … (58)
0 0
|TN-T(t)| < 0,02 ts (59)
___________________________________________________________________________________________
209
0,84s
e) 1,56s
200 ns/div
Respuesta al escalón - Divisor industrial de tipo capacitivo amortiguado - 2400 kV
Divisores resistivos
___________________________________________________________________________________________
210
Fig. 45 - Divisor resistivo
a) divisor puro, b) divisor compensado
Divisores compensados
R 2  R1C1  R 2 C 2  t / T 
v 2 t   Vo 1  e  (61)
R1  R 2  R 2 C1  C 2  
T  C1  C2   R1 R 2 (62)
R1  R 2
a)
b)
c)
Fig. 46 - Divisor: a) sobre-compensado, b) corregido, c) sub-compensado
___________________________________________________________________________________________
211
Influencia de las capacidades a tierra
R1
2
R1
2 2
3
Ct
R2 v2
Fig. 47 - Representación esquemática de las capacidades a tierra uniformemente distribuidas
U0
NCp
R1/N x
Ct/N
R2 V2
Fig. 48 - Circuito equivalente de un divisor resistivo con sus capacidades distribuidas
Ct
  a (63)
Cp
___________________________________________________________________________________________
212
Ux   V2 cosh x  Zc I 2senhx
Ux  l   V2 cosh l  Zc I 2senhl (64)
Asumiendo V2 <<U0, resulta:
U ( x ) senhx
 (65)
U0 senhl
U(x)/U
0
a=0
10
a=50
x/l
Fig. 49 - Distribución de la tensión al variar la relación a = Ct/Cp
Rd
R1
R2
___________________________________________________________________________________________
213
Fig. 50 - Esquema de un divisor resistivo blindado
FOTO 12 - Divisor resistivo de referencia blindado 450 kV (IATTE)
Divisores capacitivos
Divisores capacitivos puros
C1  C2 C
N 1 2 (66)
C1 C1
C2  C 
N 1  1  t  (67)
C1  6 C1 
C1
V1
C2 V2
Fig. 51 - Divisor capacitivo
___________________________________________________________________________________________
214
L1
C1
L2 v2
C2
Fig. 52 - Esquema con la presencia de inductancias
Divisores capacitivos amortiguados
L1
R1=(3÷4) (68)
Ct
R1
N
 C 
NC1 1  t 
 C1 
R2
v2
C2
___________________________________________________________________________________________
215
Fig. 54 - Divisor capacitivo amortiguado
FOTO 13 Divisor amortiguado 1500 kV (IATTE)
Cables de conexión
Lc
Zo = (69)
Cc
 = l/v = Cc Zo (70)
c c
v  (71)
εrel μ rel εrel
Adaptación total del cable
___________________________________________________________________________________________
216
R1
R3
v1
R2 Z0 v2
Fig. 56 - Adaptación del cable en la entrada y la salida
v1 R 1  R 2 (R 3  Z0)
*
 *
(72)
v2 R2 Z0
R 2( R 3  Z 0)
R2 
*
(74)
R 2  R 3+Z0
v1 2 R1 Z0  R 2 (R 3  Z0)
 (73)
v2 R 2 Z0
C1 C1
C2 Z0 C2 Z0
a) b)
Fig. 57 - Adaptación en la salida de un divisor capacitivo (a); esquema equivalente (b)
Adaptación parcial del cable
___________________________________________________________________________________________
217
v1 C1+C2 (74)
=
v2 C1
v1 C1  C 2  Cc
 (75)
v2 C1
C1
C1 Cc
R2
Z0
V1
R3
C2 C2 v2
C3
(a) (b)
Fig. 58 - Adaptación en la entrada (a); adaptación en ambos extremos (b)
R2 = R3 = Z0 y C1 + C2 = C3 + Cc (76)
v1 C1 + C2 + C3 + Cc
 (77)
v2 C1
R1
C1 Z0 – R2
R2
C2
Fig. 59 Adaptación parcial de un divisor capacitivo amortiguado
___________________________________________________________________________________________
218
v1 C1  C 2  C c R1 + R 2
*
  (79)
v2 C1 R 2*
2R 2 Z0
R2 
*
(80)
R 2  2Z0
Osciloscopios y registradores de transitorios
___________________________________________________________________________________________
219
TB1=100.00MS/s TB2=100.00MS/s No.4 No.: 39851
CH1
125kV Eval.: LI
Up= 125.3kV
113kV CH1 T1= 1.12µs
T2= 53.7µs
88kV
63kV
38kV
13kV
0kV
-2.00µs 0 2.00µs 4.00µs 6.00µs
TB2=100.00MS/s No.4 No.: 39851

CH1
125kV Eval.: LI
Up= 125.3kV
113kV T1= 1.12µs
T2= 53.7µs
88kV
63kV
38kV
CH1
13kV
0kV
0 20.0µs 40.0µs 60.0µs 80.0µs 100µs
Fig. 62 - Adquisición digital de un impulso atmosférico con elaboración de datos
___________________________________________________________________________________________
220
Esquema de un osciloscopio digital de dos canales
Esquema de principio de un conversor analógico digital (DAC) de 4 bits
-Frecuencia de muestreo Fm:

___________________________________________________________________________________________
221
Fm > 2/T (81)
Fm ≥ 30/Tm (82)
-Resolución: R = 1/2n con n = nro. de bits
-Capacidad de registro temporal: Q = B/Fm con B = nro. de Bytes
Memoria circular
___________________________________________________________________________________________
222
6. TECNICAS DE ENSAYO Y DIAGNOSTICO
Pruebas de tensión de descarga en aislamientos auto-recuperables
Método de los niveles múltiples
Tensión con el 50% de probabilidad de descarga
U [kV] 81 83 85 88,8
nd 1 2 6 9
fd [%]= nd/n 10 20 60 90
Probabilidad de descarga [%]
●
●
80 81 82 83 84 85 86 87 88 89
Tensión de cresta [kV]

Fig. 1- Método de Niveles Múltiples. Gráfica en escala gaussiana
p ( U )  (1/s 2  exp  (U  U50 ) 2 /2s 2  d u

U
(1)

___________________________________________________________________________________________
223
2s 2s
U*50   U50  U*50 + (2)
n-1 n-1
En el ejemplo resulta:
U50= 84,4 ± 1,7 kV
Método de subidas y bajadas (up and down)
Tensión con el 50% de probabilidad de descarga
0,5  V/  1,5 (3)
l
*
U 50%   (nU
i i)/ N (4)
i 0
N el número total de descargas ni contados entre los niveles mínimo (0) y máximo (l).
N = ∑ ni
U50%, D = Uo + V (A/N ± 1/2) (5)
2 2
s = 1,62 V [(NB-A )/N + 0,029] (6)
donde
n n
Uo = nivel base A=  i.ni B=  i2.ni (7)
i=0 i=0
(NB-A2)/N2 > 0,3 (8)
s (9)
n
___________________________________________________________________________________________
224
G.s
(10)
N
H
Gz
G
1 Hz
0
0 1 2 3 4 V/ 5
Fig. 2- Parámetros de intervalos de confianza según Dixon & Mood
H .s
(11)
N
La incertidumbre de la media se calcula con la ec. (10) y el factor de cobertura k=2 (95% de
confianza):
G.s
2 (12)
N
U50%,D - 2 G s< U50 < U50%,D + 2 G s s - 2 H s<   s + 2 H s
___________________________________________________________________________________________
225
Pruebas de tensión resistida
Ensayos de impulso en máquinas eléctricas (transformadores y reactores)
Figura 6- Transformador trifásico. Medición de tensión 1. Medición de corriente 2. Resistencia para

limitar la tensión entre fases 3.
1 x OPR 1 x OPT 1x OCR 2 x OCT 2x OPT  1 x OPR
OPR: 60%-75% onda plena, reducida

OPT: 100% onda plena, total
OCR: onda cortada en la cola, reducida.
OCT: onda cortada total.
Figura 7- Impulsos aplicados con amplitud 60% (izquierda) y 100 % (derecha) de Ut.
1) Tensión aplicada con 10 μs / división. 2) Corriente de neutro. 3) Corriente capacitiva en el secundario.
En los registros de corriente se observa la presencia de una falla a partir de 35 μs.
___________________________________________________________________________________________
Prof. Ricardo Diaz – rdiaz@herrera.unt.edu.ar
226
Ensayos de tensión alterna
Ensayo de tensión aplicada.
Ensayo de tensión inducida (sin y con descargas parciales)
120 . frecuencia nominal / frecuencia de ensayo > 15 s (16)
 Se inicia el ensayo aplicando una tensión < 0,4 Un / √3 fase-tierra,

 5 min a 1,2 Un / √3 fase-tierra,
 tiempo de ensayo (según ec.(16)) a la tensión resistida normalizada U t fase-tierra
o alternativamente a 1,8 Un / √3 fase-tierra,
 1 hora a 1,58 Un / √3 fase-tierra,
 se termina el ensayo desconectando la tensión a < 0,4 Un / √3 fase-tierra.
Figura 8- Conexiones para ensayos de tensión inducida IEC 60076-3 (2000)
___________________________________________________________________________________________
227
Medición de descargas parciales
a)
c) d)
Figura 9- Tipos de descargas parciales.

a) Descarga corona; b) Descarga superficial; c) Descarga en cavidades internas; d) Descarga
arborescente en sólidos
Detección de descargas parciales
T
Ca va / qa
Ct Cb
Cc
Fig. 11- Esquema de un aislamiento con un defecto incorporado
___________________________________________________________________________________________
228
Cb
Δva
Ca
Cc
Fig. 10- Modelo abc del objeto sometido a descarga parcial. Ca>>Cc>>Cb
Cb Cb q
va   vc 
C a  Cb  C a  C b  Cc (18)
Cb
Δvc Δva
Cc Ca
Fig. 12- Modelo equivalente del objeto luego de la descarga parcial.

.
qa = ∫i(t) dt = Δva (Ca + Cb) = (Cb / Cc) q ≈ Δva Ca (19)
i(t) = dqa/dt = δ(t) qa (20)
qa = Δva Ca = (Ca + Ck) Δva* (21)
qm = Ck Δva* (22)
___________________________________________________________________________________________
229
qm / qa = Ck / (Ck + Ca) (23)
T Ct
Ck
Zc
Osc.
Cm Rm
Zc
Fig. 13- Esquema del circuito con condensador de acoplamiento e impedancia de medición
va
vc
+
vsc
-
vsc
Fig. 14- Tensiones en el objeto bajo ensayo va y en la cavidad vc sin y con las descargas.
Δva= Δvc Cb / (Cb+Ca+((Cm.Ck)/(Cm+Ck))) = qa/ (Ca+((Cm.Ck)/(Cm+Ck))) (24)
Δv= Δva (Ck/(Cm+Ck)) = qa / (Cm+Ca (1+(Cm/Ck))) (25)

___________________________________________________________________________________________
230
Cb Ck
Δvc Δva Δv
Cc
Ca Cm Rm
Fig. 15- Modelo equivalente para la carga aparente y la tensión en la impedancia de medición.
v(t)= (qa/ C1) exp (-t/T) (26)
donde:
C1= Cm + Ca (1+Cm/Ck)
C2= ((Ca.Ck)/(Ca+Ck)) + Cm (27)
T= Rm C2
i(t) ≈ v(t)/Rm = (qa/Rm C1) exp (-t/T) = Io exp (-t/T) (28)
qa = ∫ (i(t) dt = Io T (29)
I(jω) = ∫ i(t) exp(-jωt) dt (30)
I(jω) = ∫ Io exp(-t/T) exp(-jωt) dt = Io ∫ exp(-(1/T + jω)t) dt = Io T / (1+jωT)

(31)
I(ω) = |I(jω)| = Io T /(√(1+(ωT)2 ) = qa/(√(1+(ωT)2 ) (32)
I(ω=0) ≡ Io T = qa (33)
___________________________________________________________________________________________
231
i(t) │I(jω)│
Io IoT
Medición I(ω→ 0)
T t ω
Fig. 16- Corriente producida por la DP en la impedancia de medición.

a) en el dominio del tiempo. b) en el dominio de la frecuencia.
___________________________________________________________________________________________
232
Calibración
Co
Vo Ct
Fig.17- Esquema de un calibrador
Ck
T
Ct Qo =VoCo
Zm M
Fig.18- Esquema de calibración del circuito de medición
___________________________________________________________________________________________
233
Co
Vo
Zm
Fig. 19 – Medición DP en transformadores de potencia
Ct Ck
T
M
Zm1 Zm2
Fig. 23- Circuito balanceado de un medidor de DP
___________________________________________________________________________________________
234
Reconocimiento de DP
-
a) Cavidades internas b) Trichel c) Superficiales
Fig. 24- Fase de las DP según su origen
qa
c)
a)
b)
Va
Fig. 25- Carga aparente en función de la tensión, según su origen
___________________________________________________________________________________________
235
Medición de radiodisturbios (RIV) o radiointerferencia
T Ck
O
Zm
Fig. 26- Esquema del circuito de medición de RIV
T: Transformador elevador F: Filtro O: Objeto en prueba

Ck: Condensador de acoplamiento Zm: Impedancia de medición R: Detector RIV
La resistencia sobre la que se mide la señal varía entre 150 y 300 

Los valores de tensión Vm son expresados en micro-voltios o en dB, tomando como
base 1V.
dB  20 log10 (Vm [ V ])
Los límites especificados para 300  son típicamente 2500V o 68 dB.
Respuesta normalizada de un detector de casi pico en función de la frecuencia de repetición
NEMA 107 (National Environmental Management Act). “Methods of Measurement of Radio

Influence Voltage (RIV) of High-Voltage Apparatus”, 1987
___________________________________________________________________________________________
236
FOTO 16 Corona visible sobre un separador de haz de tres conductores
Radio-interferencia por intensidad de campo (RIFI)
El RIFI (Radio Interference Field Intensity) se mide sin contacto galvánico con
el equipamiento en tensión, mediante una antena longitudinal calibrada (p.e. 1 m de
longitud) cuya tensión inducida se mide mediante un micro-voltímetro integrador de
cuasi-pico de características similares al de medición de RIV, pero calibrado en μV/m.
Valor admisible CNT: < 54 dB
___________________________________________________________________________________________
237
Medición de pérdidas dieléctricas y capacitancia
Cs
Rp Cp
I V
Rs
Fig. 27
I V
V I φ
φ
δ IRs V/Rp δ
I/ωCs VωCp
Fig. 28
tan δp = IR / IC =(U/Rp) / (U/Xp) = (U/Rp) / (U/(1/ ωCp)) = 1/ ω Rp Cp (33)
tan δs = UR / UC = I Rs / (I/ωCs) = ω Rs Cs (34)
___________________________________________________________________________________________
238
Fig. 29 - Puente de Schering
(35)
(36)
(37)
(37)
(38)
___________________________________________________________________________________________
239
= tan δs = ω Rs Cs (39)
(40)
___________________________________________________________________________________________
240

Curso de Tecnologia y Tecnicas de Alta Tension - Parte 2

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Curso de Tecnologia y Tecnicas de Alta Tension - Parte 2

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4.

GENERACIÓN DE ALTAS TENSIONES

GENERACIÓN DE ALTA TENSIÓN CONTINUA

Características generales de las fuentes de alta tensión

Generadores de tensión continua

V = ((VM + Vm)/2 (1)

V = (VM – Vm)/2 (2)

e = EM sen (2f t) (4)

Fig. 1 - Circuito rectificador de media onda

Fig. 2 - Tensión en la carga con Ri = 0

Fig.3 - Circuito de Villard

Fig. 4 - Tensión provista por el circuito de Villard

Fig. 5 – Circuito de Latour

Fig.7 - Circuito rectificador de onda completa

Fig.8 - Circuito duplicador

Fig.9 - Circuito duplicador en funcionamiento en vacío

Fig.11 - Multiplicador de 4 etapas

Amplitud de la ondulación de la tensión o “ripple”

Caída de tensión en la carga

En el caso de N estadios con Ci = C´i = C

Nop  (EM f C / I)1/2 (26)

4EM Q/2 2EM Q/2 4EM

2EM Q/2 0 0 2EM

+EM -EM -EM +EM

Fig. 19 - Esquema de regulación de la alimentación con tiristores

Diodos para altas tensiones

Selenio Germanio Silicio

Fig. 20 – Esquema de un diodo para altas tensiones

Principios de funcionamiento de los generadores electrostáticos

Fig.23 - Generador de Van de Graaff

I = dq/dt =  a dx/dt =  a v (31)

Pmec = Pel = F v = V I (33)

electrodo de alta tensión

Fig. 24 - Esquema de principio de un generador rotante

Transformadores para altas tensiones

Características Transformador de potencia Transformador elevador

Función Transformación de tensión para Transformación de tensión para ensayos

2LccC = InLcc/Vn = vcc (6)

FOTO 1 - Transformador 700 kV - 2 MVA

Fig. 3 Cuba metálica a) y cuba en material aislante b)

Fig. 6 – Conexión de tres unidades en cascada

3E = (14Xa + 3Xb + 5Xc) I (14)

Xcc = (14 Xa + 3Xb + 5Xc) (15)

Fig. 8 - Circuido simplificado de tres unidades en cascada

Fig. 9 - Circuito equivalente simplificado

Circuitos resonantes serie

Fig. 10 - Circuito resonante serie

Pr = QEI = QPa (17)

Fig. 11 - Reactancia variable con transformador aislado en alta tensión

FOTO 6 – Circuito resonante con tres estadios (1050 kV)

Fig. 12 - Reactor con circuito magnético a reluctancia variable

Fig. 13 - Circuito resonante con variación de frecuencia

Impulsos de alta tensión

Fig. 1 - Onda doble exponencial plena

u(t) = U0 .(e-α.t - e-β.t ) (1)

Fig. 4 - Determinación convencional de los parámetros de la onda

T1 = T / 0,6 ≈ 1,67 T (2)

0,3 T1 = 0,5 T (3)

Impulsos de tipo atmosférico con oscilaciones en la cresta

Fig. 6 – Curvas de tensión de impulso para calcular la curva base Ub

Fig. 7 - Curvas para calcular la tensión de ensayo Ut

No.1 No.: 40871

0 100µs 200µs 300µs 400µs 500µs