Tema 2: La Unión PN

Profª A. Edith Navarro Antón

Prof. Juan B. Ejea Martí
 Índice

2.1. La unión PN.

2.1.1. La unión PN no polarizada. Estado “inicial”. Región espacial de carga y
barrera de potencial. Corrientes de difusión y arrastre. Equilibrio de corrientes.
2.1.2. La unión PN polarizada inversamente. Corriente en polarización inversa.
2.1.3. La unión PN directamente polarizada. Inyección de portadores. Corriente en
polarización directa.
2.2. Modelo matemático: ecuación de Shockley.
2.3. Curva característica estática de un diodo real: dependencia térmica y con el
material.
2.4. Mecanismos de almacenamiento de carga: capacidades de la zona de agotamiento
y de difusión.

2
 La unión PN
Es la unión de dos semiconductores extrínsecos, uno dopado con
impurezas dadoras (N) y otro con impurezas aceptoras (P).
En general los dos semiconductores están formados del mismo
material, en el que se introducen por procesos de difusión o
implantación iónica impurezas de uno y otro signo en dos regiones
adyacentes entre sí.

Aproximación
monodimensional

x
3
 La unión PN no polarizada: estado “inicial”
Si una unión PN pudiera formarse uniendo un cristal de material
semiconductor tipo N con otro de material semiconductor tipo P
inmediatamente después de unir los cristales se iniciaría un proceso
de difusión mutua. Debido al elevado gradiente de concentración de
portadores de carga libre entre los dos semiconductores:

4
 La unión PN no polarizada: región espacial de carga
La difusión mutua de portadores de carga libres da lugar a una región
espacial de carga que se extiende una corta distancia hacia ambos
lados de la unión. En ella no existen ni electrones ni huecos libres.
Región espacial de carga ó
Generación
térmica zona de agotamiento
hueco
B- P+ P+ P+ P+
B- - B- P+
electrón -
B B
- -
B- P+ P+ P+ P+
B B P +
B-
B- P+
B -
B- + P+ P +
P+
B- B- B- P
B- B- P+ + +
B-
B - - P+ P+ P P
B B-
B- B- B- B- P+ P+ P+ P+ P+ Generación
térmica
Semiconductor tipo P - + Semiconductor tipo N
Muchos huecos, Muchos electrones,
pero neutra pero neutra
Región
espacial de
carga (no
neutra)
5
 La unión PN no polarizada: región espacial de carga
Como todo el cristal ha de ser eléctricamente neutro, la carga neta
en la región espacial de carga ha de ser cero. Por ello, la carga
positiva en el lado N debe equilibrarse con la negativa del lado P. De
modo que si una de las dos partes tiene una concentración de iones
mayor, ésta es más corta.

Región espacial de carga

Generación
hueco térmica

B- B- B- B- - B- -
P+ P+
electrón - - B B P+ P+ P+
B B
B- B- B- B
-
B- + P+
B
- B- B- P+ P+ P+ P
B- B- - B- B-
B B- B- B- P+ P+ P+ P+
-
B- P+
-
B B B-
B- B- B- P+ P+
-
B B- B- B- P+ P+ P+
- -
B B
B- B-
B- B -
B-
- B- B- P+ P+
+
P+ P+ Generación
B- B P
térmica
Semiconductor tipo P - + Semiconductor tipo N
más dopado menos dopado

6
 La unión PN no polarizada: barrera de potencial
La región espacial de carga en la unión causa un campo eléctrico que
apunta del lado N hacia el P que se opone a los movimientos de
difusión que la han generado. Región espacial de carga

B- P+ P+ P+ P+
B- - B - B- P+
B
hueco -
B-
B- P+ P+ + P+ P+
B P
B-
B- P+
electrón -
B- + P+ P +
P+
B- B B- B- P
B- B- P+ P+ P+
B-
B - - P+ P+
B B-
B- B- B- B- P+ P+ P+ P+ P+

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

+
VO
- → +
E
Potencial
electrostático VO
x
7
 La unión PN no polarizada: arrastre de portadores
Sin embargo los portadores minoritarios generados térmicamente
en las proximidades de la unión pueden ser “arrastrados” por dicho
campo eléctrico:

Región espacial de carga

hueco
B- P+ P+ P
+ P+
B - - B- P+
electrón B- B
- -
B- P+ P+ P+ P+
B B P +
- B-
B + P+
- + + +
-
B P P P P
B- B B- B-
B- B- P+ P+ P+
B-
B
- - P +
P+
B B -

B-
B -
B- B- P+ P+ P+ P+ P+

Semiconductor tipo P - + Semiconductor tipo N

8
 La unión PN no polarizada: equilibrio de corrientes
Los flujos de portadores mayoritarios por difusión mutua
constituyen la corriente de difusión (ID).
Los flujos de portadores minoritarios generados térmicamente en las
proximidades de la unión “arrastrados” por el campo eléctrico
constituyen la corriente de deriva o arrastre (IS).

En equilibrio y si no se aplica tensión externa, el flujo neto de

corriente debe ser nulo cumpliéndose que las dos corrientes
opuestas son iguales:
9
Ineta_equilibrio = 0 ID = IS
 Ruptura del equilibrio en la unión PN no polarizada: ID>IS
1. Si ID > IS, se ensancha la zona de carga espacial incrementando la
altura de la barrera de potencial.
2. Esto favorece a la corriente de arrastre frente a la de difusión
retornando a la situación de equilibrio.
Región espacial de carga
hueco
- B- - - + P+ P+ P+ P+
B B P
electrón B- B
B- P+ P+ P+ P+
B- B- P +
B-
B- + P+
- + + +
B- B P P P P
-
B B- B-
B- B- P+ P+ P+
B-
B- - P+ P+
B B -

B -
B -
B-
B- P+ P+ P
+
P
+ P+

Semiconductor tipo P - + Semiconductor tipo N

- → +
E

Potencial
electrostático VO
10 x
 Ruptura del equilibrio en la unión PN no polarizada: ID<IS
1. Si ID < IS, se estrecha la zona de carga espacial disminuyendo la
altura de la barrera de potencial.

Región espacial de carga

hueco
B- B- P+ P+ P+ P+
B- - P+
electrón -
B B
- -
B- P+ P+ P+ P+
B B P +
B-
B- P+
B -
B -
P + P+ P +
P+
B- B- B-
B- B- P+ P
+
P
+
B-
B - - P +
P+
B B-
B- B- B- B- P+ P+ P+ P+ P+

Semiconductor tipo P - + Semiconductor tipo N

-- → ++
E

Potencial
electrostático VO
11
x
 Ruptura del equilibrio en la unión PN no polarizada: ID<IS
1. Si ID < IS, se estrecha la zona de carga espacial disminuyendo la
altura de la barrera de potencial.
2. Esto daría lugar a un incremento de ID retornando a la situación de
equilibrio. Región espacial de carga
hueco
B- B- P+ P+ P+ P+
B- - P+
electrón B - B
- -
B- P+ P+ P+ P+
B B P +
B-
B- P+
B -
B -
P + P+ P +
P+
B- B- B-
B- B- P+ P
+
P
+
B-
B - - P +
P+
B B-
B- B- B- B- P+ P+ P+ P+ P+

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

-- → ++
E

Potencial
electrostático VO
11
x
 La unión PN polarizada inversamente
Si aplicamos una tensión positiva al lado N respecto al P.
1. El campo eléctrico externo debido a la tensión aplicada refuerza
el generado en la región espacial de carga.
2. Los electrones del lado N son
VO +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
atraídos hacia el terminal +
-
-
B B
-
de la fuente externa y los
- B
- + P
+
P
+ P
+
B B P +

-
B
- -
B huecos del lado P hacia el - .
B
-
B
- +
P +
P
P
+ P +
P
P
+
B -
B
Por tanto la corriente de
- - +
B B - - + P +
P P
+
B B P +
P P
+
+
- P
B
B
-

-
B
B
-

-
B
B
-
B
difusión
-
-
B
se -
hace- +
+
P
P
+
P
+
+
P
+

+
+
P
+
P
B B P P P
prácticamente cero con
pocas décimas de voltio.
VR
3. Los portadores mayoritarios
se ven apartados de la unión
aumentando la región
Potencial VO+ VR
electrostático espacial de carga e
incrementándose la barrera
VO x de potencial (efecto similar a
12 la carga de un condensador).
 La unión PN polarizada inversamente
Debido a la alta diferencia de potencial un electrón generado
térmicamente en la región P en las proximidades de la unión puede
atravesar la unión de P a N.
De igual forma un hueco generado térmicamente en la región N en
las proximidades de la unión puede atravesar la unión de N a P.
Este flujo de portadores minoritarios a través de la unión genera una
corriente reducida de fugas, la corriente de saturación.
esquema eléctrico
del diodo en
B
-
-
B B
-
B
- B
- +
P P
+
+
P
+ P
+
polarización inversa
+ P
- P +
B -
B - - + + P
B B P P +
- -
P
B - B - +
B B - - + P +
P
B B P +
+ P
P +
- P
- - - B + +
B B B P + +
P P
+ P
P
-
B
-
B
-
B B
-

B
- -
B P
+
P
+

P
+
P
+ +
P
VR

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

VR
13
 Corriente en polarización inversa
Teóricamente es sólo debida al arrastre de portadores minoritarios
generados térmicamente (corriente de saturación, Is). Por tanto:

- A una temperatura dada, es casi independiente de la tensión

inversa aplicada.
- Aumenta con la temperatura.

- Disminuye al incrementar el grado de dopaje (al aumentar la

cantidad de portadores mayoritarios disminuye la de portadores
minoritarios).

- Es aproximadamente proporcional al área de la unión.

En un diodo real en la corriente inversa también intervienen
procesos físicos de segundo orden no considerados, de forma que
la corriente inversa se incrementa ligeramente con la tensión
14 inversa aplicada.
 La unión PN directamente polarizada
Si aplicamos una tensión positiva al lado P respecto al N.
1. El campo eléctrico externo debido a la tensión aplicada tiene un
efecto contrario al del generado en la región espacial de carga.

2. En un primer momento la
VO +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
fuente externa proporciona
B
- B
-
B
-
B
-
-
+
P P
+ portadores mayoritarios a
+
+
P
P
+ P
+

- B P +

ambos lados de la unión

B -
B - B
- +
P P
+ P
B P
+
- -
B - B - +
B B - + P +
P P
+
B P
que neutralizan parte de la
+
P
+
- - P
- - - B B + +
B B B P P
+ P P
+

carga iónica reduciéndose la

- +
- B B
- P +
- - - + + +
B B B B P P P P

región espacial de carga.

VF
3. La barrera de potencial
Potencial
electrostático para los portadores
mayoritarios se reduce.
VO
VO- VF
x
15
 La unión PN directamente polarizada
- La inyección de portadores de carga libres mayoritarios en cada
región semiconductora se ve favorecida.
- Tras cruzar la región espacial de carga, dichos portadores se
convierten en minoritarios, difundiéndose hasta que se
recombinan con los mayoritarios.
- Dado que puede fluir una corriente elevada por la unión, se
requiere una resistencia para su limitación.
esquema eléctrico
del diodo en
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N polarización directa
- - +
- B B - + P
+ +
P P
B B -
P +
+
P
-
B - B P +
B - B
- +
P +
P P
B P
+
- -
B - B - +
B B - + P +
P P
+
B P P
+
+
- - P
- - - B B + +
B B B P + P +

-
B
-
B
-
B B
-
B
-
B
-
P
+
P P
+
+
P P
+
P
+
P
VF

VF

16
 Inyección de portadores minoritarios
Después de atravesar la unión y superar la barrera, los portadores
“inyectados” se convierten en minoritarios.
Su concentración decrece al alejarse de la unión pues se
recombinan con los portadores mayoritarios a medida que se
difunden.

17
 Corriente en polarización directa
La corriente directa tiene dos aportaciones:
- Flujo de electrones que atraviesa la unión de la zona N a la P.
- Flujo de huecos que atraviesa la unión de la zona P a la N.

El diseñador puede determinar el flujo de portadores predominante :

- Si el lado N está muy dopado comparado con el P (unión pn+),

la corriente es determinada fundamentalmente por el flujo de
electrones.
- Si el lado P está muy dopado comparado con el N (unión p+n),
la corriente es determinada fundamentalmente por el flujo de
huecos.

18
 Modelo matemático: ecuación de Shockley
Nos proporciona una relación matemática entre corriente y tensión
en un diodo que responde a su comportamiento bajo ciertas
suposiciones simples:

ID: Corriente por el diodo,

VD: Tensión aplicada al diodo,
IS: Corriente de saturación inversa,
- Diodos discretos de Si, IS
- Diodo de Si de circuito integrado, IS≈10-16A
VT: Tensión térmica = kT/q ; VT(20ºC)=25,2mV
k: Constante de Boltzmann = 1,38x10-23J/K
T: Temperatura en Kelvin = 273 + Temperatura en ºC
q: Carga eléctrica del electrón = 1,6x10-19C
n: Coeficiente de emisión,
- Diodos de Si que operan a 10mA o menos, n=2.
19 - Diodos de Si de circuito integrado o de mayor corriente, n=1.
 Modelo matemático: ecuación de Shockley
Representación gráfica de la ecuación de Shockley para un diodo
de Si con Is = 10-12 A y n=1:
ánodo cátodo
p n

A K

Símbolo

Is < mA
Tensión de codo

20
 Curva característica estática de un diodo real

Polarización directa

Tensión de ruptura

Tensión de codo

21 Polarización inversa
 Curva característica estática de un diodo real
Dependencia térmica:
- La corriente inversa se duplica a groso modo cada 10ºC de
incremento de temperatura.
- Dado que tanto Is como VT dependen de la temperatura, en
polarización directa la caída de tensión entre extremos del
dispositivo para una misma corriente directa disminuye
aproximadamente 2 mV por cada incremento de 1ºC en la
temperatura.

22
 Curva característica estática de un diodo real
Dependencia con el material:
A menor gap de energía prohibida :
- Mayores concentraciones de portadores minoritarios.
- Mayor corriente de saturación.
- Mayor corriente directa e inversa.

Eg(GaAs)>Eg(Si)>Eg(Ge)

23 24
 Mecanismos de almacenamiento de carga
Condensador de placas paralelas:
Se construye separando dos placas conductoras con un material
aislante. La carga neta en cada placa es proporcional a la tensión
aplicada:
Q = C *V
+++ + +++
La capacidad viene dada por: -----
V + V

Constante dieléctrica:

24 25
 Capacidad de la zona de agotamiento

Es la dominante con polarización inversa:

Zona P -- ++ Zona N
VOV+V+V
O+V

V + VV

Al incrementarse en V, los portadores mayoritarios se ven más

apartados de la unión aumentando la zona de carga espacial e
incrementándose la barrera de potencial.

25
 Capacidad de la zona de agotamiento
Relación no lineal:

VDQ = Tensión de polarización inversa (negativa) en punto de operación.

V0 = Barrera de potencial.
ND = Concentración de sustancias dadoras
NA = Concentración de sustancias aceptoras
A = Área de la unión
q =Carga eléctrica de los portadores de carga libres
m = Coeficiente que depende de cómo varía el dopaje en la unión (1/3 cambio
gradual y 1/2 cambio abrupto ).

- Su valor es relativamente grande en uniones muy dopadas y

26
pequeño en uniones poco dopadas.
 Capacidad de la zona de agotamiento
Diodo de silicio 1N4148:

Cj0 = 2 pF
V0 = 1 V
m = 1/2 (unión abrupta)

27
 Capacidad de difusión
Es la dominante en polarización directa:
Concentraciones

P N Incremento de
V2>V1
concentración de
minoritarios debido al
aumento en la
V1>0 tensión directa.
0 x

Si aumenta la tensión directa aplicada se incrementa la

corriente directa. Se produce un aumento de
concentración de minoritarios, lo que requiere un cierto
tiempo y se asocia a la llamada capacidad de difusión.

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 Capacidad de difusión

τT = tiempo de tránsito de los portadores minoritarios.

IDQ = corriente del diodo en el punto de funcionamiento.
VT = Tensión de temperatura.

Unión p+n: τT = τp= Vida media de los huecos en el lado N de la unión

Unión pn+: τT = τn= Vida media de los electrones en el lado P de la

unión
Con niveles de dopaje comparables τT = media ponderada de ambas
vidas medias.

29